JP2002184566A - Electroluminescent element and manufacturing method - Google Patents

Electroluminescent element and manufacturing method

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JP2002184566A
JP2002184566A JP2000375401A JP2000375401A JP2002184566A JP 2002184566 A JP2002184566 A JP 2002184566A JP 2000375401 A JP2000375401 A JP 2000375401A JP 2000375401 A JP2000375401 A JP 2000375401A JP 2002184566 A JP2002184566 A JP 2002184566A
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electroluminescent device
layer
film
electroluminescent
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純一 高橋
Kazunori Ueno
和則 上野
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Canon Inc
Canon Electronics Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroluminescent element which prevents adverse effect of outside light and aims at prevention of obscurity in visibility. SOLUTION: The electroluminescent element, with at least one face of an electroluminescent layer 4 as a display surface, is provided with a different phase film 2 between the electroluminescent layer 4 and a deflection film 1 in the direction of the normal line of the display surface D.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子(以下、「EL素子」と称す)及びその製
造方法に係わり、特に位相差フィルムと偏向フィルムと
を特定の配列順序に規定した基材を有するEL素子、ま
たは位相差特性を有する可撓性基材を用いたEL素子及
びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescence device (hereinafter referred to as "EL device") and a method for producing the same, and more particularly, to a base material in which a retardation film and a deflection film are specified in a specific arrangement order. EL element using a flexible substrate having retardation characteristics and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】EL素子は、自己発光性を有する素子で
あるため、液晶とバックライトを組合せたいわゆるLC
Dモジュールに比較して薄く、広視野角、応答スピード
が早いなどの優位性がある。特にここ数年種々の有機E
L素子が提案され実用化が急速に進んでいる。特に表示
パネルへの実用化は著しく、複数の有機EL素子を同一
平面上に二次元配列することで表示パネルを構成(たと
えば、X−Yマトリックス型)し、これらの素子を独立
に駆動させる表示パネルが市場に出てきている。今後は
携帯電話をはじめとする携帯端末機器への搭載が期待さ
れる。
2. Description of the Related Art Since an EL device is a device having a self-luminous property, a so-called LC combining a liquid crystal and a backlight is used.
Compared with the D module, it has advantages such as thinness, wide viewing angle, and fast response speed. Especially various organic E in recent years
The L element has been proposed and its practical use is rapidly advancing. In particular, practical application to a display panel is remarkable, and a display panel is configured by two-dimensionally arranging a plurality of organic EL elements on the same plane (for example, an XY matrix type), and display in which these elements are independently driven is performed. Panels are on the market. In the future, it is expected to be installed in mobile terminal devices such as mobile phones.

【0003】携帯端末機器へ搭載するための表示パネル
に求められることは、薄く、軽く、低コストなことであ
る。また、デザイン的要素として曲面を有するパネルも
要求されてきている。しかし、従来の表示パネルは、基
材としてガラスが用いられているため、曲面を得難く上
記要求に応えることが困難である。
[0003] A display panel to be mounted on a portable terminal device is required to be thin, light, and low in cost. Also, a panel having a curved surface as a design element has been required. However, since the conventional display panel uses glass as a base material, it is difficult to obtain a curved surface and it is difficult to meet the above demand.

【0004】曲面を有するパネルを提供する場合、ガラ
ス基材に変わって高分子フィルムのように可撓性に富む
基材を用いることが望ましい。例えば特開平2−251
429号公報、特開平2−253593号公報、特開平
7−078690号公報では基材として高分子フィルム
を用い、この高分子フィルム上に光透過性を有する電極
を形成し、この電極を一方の電極とし、対向するもう1
つの電極との間に有機化合物からなる発光層を含む単一
または複数層を設けることにより得た可撓性を有する有
機EL素子が提案されている。
When providing a panel having a curved surface, it is desirable to use a highly flexible substrate such as a polymer film instead of a glass substrate. For example, JP-A-2-251
No. 429, JP-A-2-253593 and JP-A-7-078690, a polymer film is used as a base material, and a light-transmissive electrode is formed on the polymer film. Electrode and the other
There has been proposed a flexible organic EL element obtained by providing a single layer or a plurality of layers including a light emitting layer made of an organic compound between two electrodes.

【0005】有機EL素子の基本構成は、例えば上記基
材上に陽極、発光層、陰極が順次積層された構成、ある
いは上記基材上に陰極、発光層、陽極が順次積層された
構成である。また、陽極と発光層の間に正孔層を設けた
り、陰極と発光層の間に電子注入層を設けたりする場合
もある。この正孔層や電子注入層とはキャリア輸送層と
も呼ばれる。つまり電極と発光層との間で電子或いは正
孔が移動しやすくするために設けられる層である。この
ような構成の有機EL素子を表示素子として用いる場
合、観察者は電極間で発光し、透明な前記基材を通過し
た光を観察する。また、このような有機EL素子を構成
する一対の電極(陽極および陰極)のうち、発光素子と
しての光取出し面(発光面)側に位置する電極、即ち基
材と発光層との間に配置された電極は透明である。一
方、光取出し面側とは反対に側に位置する電極(以下、
対向電極という)は、金属薄膜等の反射膜からなる。
The basic structure of an organic EL device is, for example, a structure in which an anode, a light-emitting layer, and a cathode are sequentially laminated on the base material, or a structure in which a cathode, a light-emitting layer, and an anode are sequentially laminated on the base material. . In some cases, a hole layer is provided between the anode and the light emitting layer, or an electron injection layer is provided between the cathode and the light emitting layer. The hole layer and the electron injection layer are also called a carrier transport layer. That is, it is a layer provided to facilitate movement of electrons or holes between the electrode and the light emitting layer. When the organic EL element having such a configuration is used as a display element, an observer observes light emitted between the electrodes and transmitted through the transparent base material. Further, of a pair of electrodes (anode and cathode) constituting such an organic EL element, an electrode located on a light extraction surface (light emitting surface) side as a light emitting element, that is, disposed between a substrate and a light emitting layer. The electrode is transparent. On the other hand, an electrode located on the side opposite to the light extraction surface side (hereinafter, referred to as
The counter electrode is made of a reflective film such as a metal thin film.

【0006】[0006]

【本発明が解決しようとする課題】上述の対向しあう電
極のうち、金属薄膜等の反射膜は、可視光の反射率が高
いものであり、例えば太陽光下の屋外や蛍光灯下の室内
で有機EL素子を発光させると太陽光や蛍光灯の光など
の外光が透明基材と発光層を通過して反射膜において反
射されて発光層と透明基材を介して有機EL素子外へ出
射される。つまり有機EL素子の自発光光以外に外光も
反射膜で反射されて有機EL素子から外へ共に出射され
る。その結果、観察者にとって有機EL素子の表示が不
明確になる。より具体的にはコントラストが低く観察さ
れてしまう。
Among the above-mentioned electrodes facing each other, the reflective film such as a metal thin film has a high reflectance of visible light, for example, outdoors under sunlight or indoors under fluorescent lamps. When the organic EL element emits light, external light such as sunlight or light from a fluorescent lamp passes through the transparent substrate and the light emitting layer, is reflected by the reflective film, and goes out of the organic EL element through the light emitting layer and the transparent substrate. Is emitted. That is, in addition to the self-emission light of the organic EL element, external light is also reflected by the reflection film and emitted out of the organic EL element. As a result, the display of the organic EL element becomes unclear for the observer. More specifically, low contrast is observed.

【0007】特に有機EL素子に曲面を持たせる場合、
反射膜で反射される外光が特定の方向に集中してしま
う。その結果特定の方向から観察すると有機EL素子の
表示が不明確になる。
In particular, when the organic EL element has a curved surface,
External light reflected by the reflective film concentrates in a specific direction. As a result, the display of the organic EL element becomes unclear when observed from a specific direction.

【0008】本発明は、上記課題に鑑み、外光の影響を
防いだEL素子を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an EL element in which the influence of external light is prevented.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者は、このような
外光による課題は、発光層と有機EL素子を観察する観
察者との間に特定の部材を設けることで解決できるこ
と、また、この課題は有機EL素子に留まらず、無機E
L素子にも同様に当てはまる課題であることに着目し、
本発明に到ったものである。
The inventor of the present invention has found that such a problem caused by external light can be solved by providing a specific member between a light emitting layer and an observer observing an organic EL element. This problem is not limited to organic EL devices,
Focusing on the issue that also applies to the L element,
The present invention has been made.

【0010】即ち、本発明のEL素子は、エレクトロル
ミネッセンス層の少なくとも1面を表示面とするEL素
子であって、位相差フィルムと、偏向フィルムと、を有
し、前記位相差フィルムが、前記表示面の法線方向にお
いて前記エレクトロルミネッセンス層と前記偏向フィル
ムとの間に設けられていることを特徴とする。
That is, the EL device of the present invention is an EL device having at least one surface of an electroluminescence layer as a display surface, and comprises a retardation film and a deflection film, wherein the retardation film is It is provided between the electroluminescent layer and the deflection film in a direction normal to the display surface.

【0011】上記本発明のEL素子は、さらなる特徴と
して、「透明基板が、前記表示面の法線方向において、
前記エレクトロルミネッセンス層と前記位相差フィルム
との間に設けられていること」、「前記透明基板は、ガ
ラス基板であること」、「前記透明基板は、樹脂である
こと」、「前記位相差フィルムは、λ/4フィルムであ
ること」、「前記エレクトロルミネッセンス層は、有機
化合物を主たる成分とする層であること」、「前記エレ
クトロルミネッセンス層は、無機化合物を主たる成分と
する層であること」、「前記エレクトロルミネッセンス
層の前記位相差フィルムが設けられる側には、第1電極
が設けられ、前記位相差フィルムが設けられる前記側と
対向する側には、第2電極が設けられており、前記エレ
クトロルミネッセンス層が前記第1第2電極の間に配置
されていること」、「前記第1電極の前記法線方向にお
ける層厚値は、500Å以上6500Å以下の範囲の膜
厚値であること」、「前記第1電極の前記法線方向にお
ける層厚値は、500Å以上5000Å以下の範囲の膜
厚値であること」、「前記第1電極の550nmの光の
透過率は70%以上であること」、「前記第1電極の表
面の粗さは、20Å以上500Å以下であること」、
「前記第1電極の表面の粗さは、50Å以上100Å以
下であること」、「前記第2電極の前記法線方向におけ
る層厚値は、500Å以上5000Å以下であるこ
と」、「前記第2電極の前記法線方向における層厚値
は、1000Å以上3000Å以下であること」、「前
記第2電極の550nmの光の反射率は80%以上であ
ること」、「前記ガラス基板の線膨張係数は、2×10
-6/℃以上7×10-6/℃以下であること」、「前記ガ
ラス基板は、無アルカリガラス、石英、ホウ珪酸ガラ
ス、あるいはソーダガラスの少なくとも何れかであるこ
と」、「前記エレクトロルミネッセンス層が設けられる
側の前記ガラス基板面には無アルカリ層が設けられてお
り、前記エレクトロルミネッセンス層は前記無アルカリ
層と接すること」、「前記位相差フィルムの線膨張係数
は、50×10-6/℃以上100×10-6/℃以下であ
ること」、「前記エレクトロルミネッセンス素子は、表
示装置の表示素子であること」、「ストライプ状に配列
された複数の前記第1電極からなる第1電極群と、スト
ライプ状に配列された複数の前記第2電極からなる第2
電極群とが、平面視上交差して配列されたマトリックス
電極群を形成し、前記第1電極と、前記第2電極との前
記平面視上交差した部分が表示装置の表示画素部分であ
ること」、を含む。
[0011] The EL device of the present invention has a further feature that "the transparent substrate is arranged so that the transparent substrate has
"Being provided between the electroluminescence layer and the retardation film", "The transparent substrate is a glass substrate", "The transparent substrate is a resin", "The retardation film" Is a λ / 4 film ”,“ the electroluminescent layer is a layer mainly composed of an organic compound ”, and“ the electroluminescent layer is a layer mainly composed of an inorganic compound ”. "A first electrode is provided on the side of the electroluminescence layer on which the retardation film is provided, and a second electrode is provided on a side opposite to the side on which the retardation film is provided, The electroluminescent layer is arranged between the first and second electrodes ", and the layer thickness of the first electrode in the normal direction is 5 "The film thickness in the normal direction of the first electrode should be a film thickness in the range of 500 ° to 5000 °," The electrode has a transmittance of light of 550 nm of at least 70% ”,“ the surface roughness of the first electrode is at least 20 ° and at most 500 ° ”,
“The surface roughness of the first electrode is 50 ° or more and 100 ° or less”, “the thickness of the second electrode in the normal direction is 500 ° or more and 5000 ° or less”, The layer thickness value in the normal direction of the electrode is 1000 ° or more and 3000 ° or less ”,“ the reflectance of the second electrode at 550 nm light is 80% or more ”,“ the linear expansion coefficient of the glass substrate ” Is 2 × 10
−6 / ° C. or more and 7 × 10 −6 / ° C. or less ”,“ The glass substrate is at least one of alkali-free glass, quartz, borosilicate glass, and soda glass ”,“ The electroluminescence ” An alkali-free layer is provided on the surface of the glass substrate on which the layer is provided, and the electroluminescent layer is in contact with the alkali-free layer. "," The linear expansion coefficient of the retardation film is 50 × 10 − 6 / ° C. or more and 100 × 10 −6 / ° C. or less ”,“ the electroluminescent element is a display element of a display device ”, and“ the electroluminescent element is a display element of a plurality of first electrodes arranged in a stripe pattern ”. A second electrode including one electrode group and a plurality of the second electrodes arranged in a stripe shape;
An electrode group forms a matrix electrode group arranged so as to intersect in plan view, and a portion where the first electrode intersects with the second electrode in plan view is a display pixel portion of a display device. ",including.

【0012】また、本発明のEL素子は、少なくとも位
相差フィルムからなる可撓性基板の面上に、エレクトロ
ルミネッセンス層の少なくとも一部が設けられているこ
とを特徴とする。
Further, the EL device of the present invention is characterized in that at least a part of an electroluminescence layer is provided on at least a surface of a flexible substrate made of a retardation film.

【0013】上記本発明のEL素子は、さらなる特徴と
して、「前記可撓性基板は前記位相差フィルムと偏向フ
ィルムとを有しており、前記面の法線方向において、前
記位相差フィルムは前記偏向フィルムと前記エレクトロ
ルミネッセンス層との間に配置されていること」、「前
記位相差フィルムは、λ/4フィルムであること」、
「前記エレクトロルミネッセンス層は、有機化合物を主
たる成分とする層であること」、「前記エレクトロルミ
ネッセンス層は、無機化合物を主たる成分とする層であ
ること」、「前記エレクトロルミネッセンス層の前記位
相差フィルムが設けられる側には、第1電極が設けら
れ、前記位相差フィルムが設けられる前記側と対向する
側には、第2電極が設けられており、前記エレクトロル
ミネッセンス層が前記第1第2電極の間に配置されてい
ること」、「前記第1電極の前記法線方向における層厚
値は、500Å以上6500Å以下の範囲の膜厚値であ
ること」、「前記第1電極の前記法線方向における層厚
値は、500Å以上5000Å以下の範囲の膜厚値であ
ること」、「前記第1電極の550nmの光の透過率は
70%以上であること」、「前記第1電極の表面の粗さ
は、20Å以上500Å以下であること」、「前記第1
電極の表面の粗さは、50Å以上100Å以下であるこ
と」、「前記第2電極の前記法線方向における層厚値
は、500Å以上5000Å以下であること」、「前記
第2電極の前記法線方向における層厚値は、1000Å
以上3000Å以下であること」、「前記第2電極の5
50nmの光の反射率は80%以上であること」、「前
記位相差フィルムの線膨張係数は、50×10-6/℃以
上100×10-6/℃以下であること」、「前記エレク
トロルミネッセンス素子は、表示装置の表示素子である
こと」、「ストライプ状に配列された複数の前記第1電
極からなる第1電極群と、ストライプ状に配列された複
数の前記第2電極からなる第2電極群とが、平面視上交
差して配列されたマトリックス電極群を形成し、前記第
1電極と、前記第2電極との前記平面視上交差した部分
が表示装置の表示画素部分であること」、を含む。
The EL device of the present invention has a further feature that "the flexible substrate has the retardation film and the deflecting film, and the retardation film is in the normal direction of the surface. Being disposed between the deflection film and the electroluminescent layer "," the retardation film being a λ / 4 film ",
"The electroluminescent layer is a layer mainly containing an organic compound", "The electroluminescent layer is a layer mainly containing an inorganic compound", "The retardation film of the electroluminescent layer" A first electrode is provided on the side on which the phase difference film is provided, and a second electrode is provided on a side opposite to the side on which the retardation film is provided, and the electroluminescent layer is provided with the first second electrode. "The layer thickness value in the normal direction of the first electrode is a film thickness value in the range of 500 ° to 6500 °", and “the normal line of the first electrode”. The layer thickness in the direction should be in the range of 500 ° to 5000 ° ”.“ The first electrode has a transmittance of 550 nm light of 70% or more. "It" roughness of the surface of the first electrode is 20Å or more 500Å or less "," the first
The surface roughness of the electrode is 50 ° or more and 100 ° or less ”,“ The layer thickness value of the second electrode in the normal direction is 500 ° or more and 5000 ° or less ”,“ The method of the second electrode is The layer thickness in the line direction is 1000 °
Not less than 3000 ° ”and“ 5 of the second electrode ”.
The reflectance of 50 nm light is 80% or more "," The linear expansion coefficient of the retardation film is 50 × 10 −6 / ° C. or more and 100 × 10 −6 / ° C. or less ”; The luminescence element is a display element of a display device "," a first electrode group including a plurality of the first electrodes arranged in a stripe pattern, and a second electrode group including a plurality of the second electrodes arranged in a stripe pattern. " A two-electrode group forms a matrix electrode group arranged so as to intersect in plan view, and a portion where the first electrode intersects with the second electrode in plan view is a display pixel portion of a display device. That ".

【0014】また、本発明のEL素子の製造方法は、位
相差フィルムと、第1電極と、エレクトロルミネッセン
ス層と、第2電極を有するエレクトロルミネッセンス素
子の製造方法において、前記位相差フィルムの面上に前
記第1電極を形成する工程と、前記位相差フィルムの前
記面上に前記エレクトロルミネッセンス層を形成する工
程と、前記エレクトロルミネッセンス層の面上に前記第
2電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
Further, according to a method of manufacturing an EL device of the present invention, the method of manufacturing an electroluminescent device having a retardation film, a first electrode, an electroluminescent layer, and a second electrode is provided. Forming the first electrode, forming the electroluminescent layer on the surface of the retardation film, and forming the second electrode on the surface of the electroluminescent layer. It is characterized by.

【0015】上記本発明のEL素子の製造方法は、さら
なる特徴として、「前記位相差フィルムは樹脂であるこ
と」、「前記第1電極はITO電極であること」、「前
記第1電極を形成する工程は、RFマグネトロンスパッ
タ法で前記第1電極を形成する工程であること」、「前
記第1電極を形成する工程は、DCスパッタ法で前記第
1電極を形成する工程であること」、「前記第1電極を
形成する工程は、イオンプレーティング法で前記第1電
極を形成する工程であること」、を含む。
The method for manufacturing an EL device according to the present invention further has the following features: "the retardation film is a resin";"the first electrode is an ITO electrode"; Performing the step of forming the first electrode by an RF magnetron sputtering method ”,“ the step of forming the first electrode is a step of forming the first electrode by a DC sputtering method ”, "The step of forming the first electrode is a step of forming the first electrode by an ion plating method".

【0016】本発明によれば、位相差フィルムを偏光フ
ィルムとエレクトロルミネッセンス層との間に設けるこ
とで、外光の一部がEL素子に入光する前に偏向フィル
ムによって一部の光がフィルタリングされる。フィルタ
リングされずに偏向フィルムを通過した光は位相差フィ
ルムによって一定方向の円偏光となる。一定方向の円偏
光はEL素子を構成する反射膜にて反射して前記一定方
向とは逆方向の円偏光になる。その逆向きの円偏光が前
記位相差フィルムを通過すると前記偏光フィルムを通過
できない光となる。従って外光はEL素子に入光して反
射膜にて反射してもEL素子を出ることができない。
According to the present invention, by providing the retardation film between the polarizing film and the electroluminescent layer, a part of the external light is filtered by the deflection film before a part of the external light enters the EL element. Is done. Light that has passed through the deflection film without being filtered is converted into circularly polarized light in a certain direction by the retardation film. Circular polarized light in a certain direction is reflected by a reflection film constituting an EL element and becomes circularly polarized light in a direction opposite to the certain direction. When the circularly polarized light of the opposite direction passes through the retardation film, it becomes light that cannot pass through the polarizing film. Therefore, even if external light enters the EL element and is reflected by the reflection film, it cannot exit the EL element.

【0017】なお、EL素子の自発光光は、位相差フィ
ルムを通過し、偏光フィルムにて一部の光だけがフィル
タリングされるだけで残りの自発光光はEL素子外へ出
光できる。従って外光の影響を防ぐことができるEL素
子を提供することができる。
The self-emitting light of the EL element passes through the retardation film, and only a part of the light is filtered by the polarizing film, and the remaining self-emitting light can be emitted to the outside of the EL element. Therefore, an EL element capable of preventing the influence of external light can be provided.

【0018】また可撓性の位相差フィルムにエレクトロ
ルミネッセンス層を直接設けることで可撓性のEL素子
を提供できる。
A flexible EL element can be provided by directly providing an electroluminescent layer on a flexible retardation film.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本実施形態の特徴は、 外光などEL素子に入射した外光の一部が反射能力の
高い電極によって反射されて発光面から射出されること
によるコントラストの低下を防ぐ。 可撓性基材を用いるため湾曲状態で発光でき製品デザ
インの自由度が増す。また、ガラスを使用しない場合は
軽量である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The feature of this embodiment is that a part of external light such as external light incident on an EL element is prevented from being lowered in contrast due to being reflected by an electrode having a high reflection ability and emitted from a light emitting surface. . Since a flexible base material is used, light can be emitted in a curved state, and the degree of freedom in product design increases. When no glass is used, the weight is low.

【0020】以下、本発明の実施の形態を説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

【0021】(第1の実施の形態)本発明の第1の実施
の形態は、位相差フィルムが偏光フィルムとエレクトロ
ルミネッセンス層との間に設けられていることを特徴と
する。
(First Embodiment) The first embodiment of the present invention is characterized in that a retardation film is provided between a polarizing film and an electroluminescent layer.

【0022】図1は本実施の形態に係るEL素子の構成
要素の配列順序を示す断面模式図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the arrangement order of the components of the EL element according to the present embodiment.

【0023】1は偏光フィルム、2は位相差フィルムで
あるλ/4フィルム、3は透明電極である第1電極、4
は発光層であるエレクトロルミネッセンス層、そして5
は反射膜である第2電極である。
1 is a polarizing film, 2 is a λ / 4 film which is a retardation film, 3 is a first electrode which is a transparent electrode, 4
Represents an electroluminescent layer as a light emitting layer, and 5
Denotes a second electrode which is a reflection film.

【0024】図1は模式的断面図であるが、エレクトロ
ルミネッセンス層4はその表示面Dが観察者が観察する
側から見る場合平面に観察できる。この表示面Dの法線
方向を図1に図示したが、この法線方向に符号1〜5に
示した夫々の構成要素が順に配設されている。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view. The electroluminescent layer 4 can be observed in a plane when the display surface D is viewed from the side where the observer observes. The normal direction of the display surface D is illustrated in FIG. 1, and the components denoted by reference numerals 1 to 5 are arranged in this normal direction in order.

【0025】エレクトロルミネッセンス層4は第1電極
3と第2電極5との間に印加される電圧によって自発光
する。自発光光は第1電極3、位相差フィルム2そして
偏光フィルム1の順番でEL素子外部へ出光する。観察
者はこの出射された自発光光を観察できる。この位相差
フィルム2が可撓性基板である。
The electroluminescence layer 4 emits light by a voltage applied between the first electrode 3 and the second electrode 5. The self-emitting light is emitted to the outside of the EL element in the order of the first electrode 3, the retardation film 2, and the polarizing film 1. An observer can observe the emitted self-emission light. This retardation film 2 is a flexible substrate.

【0026】図1で示した符号1〜5の構成要素は図示
された法線方向においてそれぞれ隣接しあう構成要素と
接触して設けられている。具体的には、エレクトロルミ
ネッセンス層4は表示面Dにおいて第1電極3と接触し
て設けられている。またエレクトロルミネッセンス層4
は前記表示面Dと対向する面、即ち表示面Dと反対側の
面において第2電極5と接触して設けられている。
The components denoted by reference numerals 1 to 5 shown in FIG. 1 are provided in contact with components adjacent to each other in the illustrated normal direction. Specifically, the electroluminescence layer 4 is provided on the display surface D in contact with the first electrode 3. The electroluminescence layer 4
Is provided in contact with the second electrode 5 on a surface facing the display surface D, that is, a surface opposite to the display surface D.

【0027】また第1電極3はエレクトロルミネッセン
ス層4と接する側の反対側において、位相差フィルム2
と接している。
The first electrode 3 has a retardation film 2 on the side opposite to the side in contact with the electroluminescent layer 4.
Is in contact with

【0028】エレクトロルミネッセンス層4は無機化合
物を主たる成分とするいわゆる無機エレクトロルミネッ
センス層であってもよいが、本実施形態では有機化合物
を主たる成分とするいわゆる有機エレクトロルミネッセ
ンス層を用いることが好ましい。
The electroluminescent layer 4 may be a so-called inorganic electroluminescent layer containing an inorganic compound as a main component, but in this embodiment, it is preferable to use a so-called organic electroluminescent layer containing an organic compound as a main component.

【0029】またエレクトロルミネッセンス層4は、単
層薄膜もしくは多層薄膜でもよい。
The electroluminescent layer 4 may be a single-layer thin film or a multilayer thin film.

【0030】また光透過性を有する第1の電極(陽極電
極)3として、無機材料では金属、合金、酸化物などの
光透過性があり、かつ、仕事関数が大きい(4eV以
上)材料、具体的にはCuI、ITO、SnO2、Zn
Oなどが挙げられる。また、有機材料では、ポリアニリ
ンなどが挙げられる。
As the first electrode (anode electrode) 3 having a light transmitting property, a material having a light transmitting property and a large work function (4 eV or more), such as a metal, an alloy or an oxide, is used as an inorganic material. Typically, CuI, ITO, SnO 2 , Zn
O and the like. In addition, examples of the organic material include polyaniline.

【0031】第1電極はさまざまな方法で作成されれば
よいが、中でもRFマグネトロンスパッタ法やDCスパ
ッタ法、イオンプレーティング法等といった物理的作成
法により作成される。さらにこのような蒸着作成法であ
れば低温で作成できる。例えば、被蒸着体である位相差
フィルムが樹脂等の熱変形しやすい材料である場合高温
下で第1電極を作成しなくて済むので好ましい。
The first electrode may be formed by various methods, and is formed by a physical method such as an RF magnetron sputtering method, a DC sputtering method, or an ion plating method. Furthermore, such a vapor deposition method can be used at a low temperature. For example, it is preferable that the retardation film, which is the object to be deposited, be made of a material such as resin that is easily deformed by heat because the first electrode does not need to be formed at a high temperature.

【0032】また、第2電極(陰極電極)としては、仕
事関数の小さい(4eV以下)金属、金属合金、など
で、具体的にはマグネシウム、マグネシウムと銀との合
金、ナトリウム、ナトリウムとカリウムとの合金、アル
ミニウムとリチウムとの合金、インジウムや希土類金属
などが挙げられる。これら材料は第2電極として電子注
入性の優れた材料である。なお相対的に陽極の仕事関数
の方が陰極の仕事関数よりも大きくなるように選択すれ
ば良く、仕事関数の大きさは4eVに限定されるもので
はない。また、第1電極と第2電極のシート抵抗値は共
に数百Ω/□以下であることが望ましい。また、光透過
性を有する第1の電極は、可視光波長(400〜700
nm程度)での透過率が大きいほど良い。
The second electrode (cathode electrode) is a metal or metal alloy having a small work function (4 eV or less), such as magnesium, an alloy of magnesium and silver, sodium, sodium and potassium. , An alloy of aluminum and lithium, indium and rare earth metals, and the like. These materials have excellent electron injecting properties as the second electrode. The work function of the anode may be selected to be relatively larger than the work function of the cathode, and the magnitude of the work function is not limited to 4 eV. Further, it is desirable that the sheet resistance value of both the first electrode and the second electrode is several hundred Ω / □ or less. In addition, the first electrode having light transmittance has a visible light wavelength (400 to 700).
(about nm) is better.

【0033】なお第1電極3の膜厚は500Å以上65
00Å以下の範囲であることが好ましい(1Å=10
-10m)。膜厚は厚い方が低抵抗となるが、あまり厚い
と力学的な応力あるいは熱による膨張収縮が影響して電
極にクラックが生じることが考えられる。従って膜厚は
この数値範囲内であることが好ましく、また更に好まし
くは500Å以上5000Å以下であることが好まし
い。
The thickness of the first electrode 3 is not less than 500.degree.
It is preferably within the range of 00 ° or less (1 ° = 10
-10 m). The thicker the film, the lower the resistance. However, if the film is too thick, it is considered that cracks may occur in the electrodes due to the influence of mechanical stress or expansion and contraction due to heat. Therefore, the film thickness is preferably in this numerical range, and more preferably in the range of 500 ° to 5000 °.

【0034】また第1電極の光透過率は70%以上であ
ることが好ましい。ITO膜の透過率は、JIS R
1635により評価するもので、試験片を測定光に垂直
に置き、測定光は入射角0°でITO側から入射して基
板側(JIS定めた基板)に透過するようにして測定し
た値。例えば、ITOの場合5000Å以下であれば実
用上十分な輝度を得る上で透過率は80%以上で充分と
言える。
The light transmittance of the first electrode is preferably 70% or more. The transmittance of the ITO film is measured according to JIS R
A value measured by placing the test piece perpendicularly to the measurement light at 1635 and transmitting the measurement light from the ITO side at an incident angle of 0 ° to the substrate side (substrate defined by JIS). For example, in the case of ITO, if it is 5000 ° or less, it can be said that the transmittance is 80% or more to obtain practically sufficient luminance.

【0035】また第1電極の表面粗さは20Å以上50
0Å以下の範囲であることが好ましく、50Å以上10
0Å以下であることが更に好ましい。なおこの表面と
は、第1電極が位相差フィルムと接する側の表面のこと
である。表面が粗いと位相差フィルムと接触しにくくな
る。なおこの表面粗さとは触針式表面粗さ計による測長
2.5mmの表面粗さRmax値である。
The surface roughness of the first electrode is not less than 20 ° and not more than 50 °.
0 ° or less, preferably 50 ° or more and 10 ° or less.
More preferably, it is 0 ° or less. In addition, this surface is a surface on the side where the first electrode is in contact with the retardation film. If the surface is rough, it is difficult to contact the retardation film. The surface roughness is a surface roughness Rmax value at a length of 2.5 mm measured by a stylus type surface roughness meter.

【0036】また第2電極の膜厚は、500Å以上50
00Å以下の範囲であることが好ましく、1000Å以
上3000Å以下であることがより好ましい。膜厚は厚
い方が低抵抗となるが、あまり厚いと力学的な応力ある
いは熱による膨張収縮が影響して電極にクラックが生じ
ることが考えられる。従って膜厚はこの数値範囲内であ
ることがこのましい。
The thickness of the second electrode is 500 ° or more and 50% or more.
It is preferably in the range of not more than 00 °, more preferably in the range of not less than 1000 ° and not more than 3000 °. The thicker the film, the lower the resistance. However, if the film is too thick, it is considered that cracks may occur in the electrodes due to the influence of mechanical stress or expansion and contraction due to heat. Therefore, it is preferable that the film thickness be within this numerical range.

【0037】また第2電極の反射率(電極面で反射する
光の波の強度と入射する光の波の強度との比。)は自発
光の利用効率を踏まえると550nmの光に対して80
%以上であることが好ましい。
The reflectance of the second electrode (the ratio of the intensity of the light wave reflected by the electrode surface to the intensity of the incident light wave) is 80 to 550 nm for the light of 550 nm in consideration of the efficiency of self-emission.
% Is preferable.

【0038】エレクトロルミネッセンス層が有機エレク
トロルミネッセンス層である場合、有機エレクトロルミ
ネッセンス層である有機単層薄膜とは、実質的に1種類
または多種類の有機発光材料からなる薄膜のことであ
る。またこの有機単層薄膜に正孔輸送材料、あるいは電
子注入材料が含まれた単層構造であってもよい。
When the electroluminescent layer is an organic electroluminescent layer, the organic single-layer thin film which is the organic electroluminescent layer is a thin film substantially composed of one or more kinds of organic luminescent materials. Further, the organic single layer thin film may have a single layer structure in which a hole transport material or an electron injection material is included.

【0039】また有機単層薄膜に代わり有機多層薄膜で
もよく、この場合、有機多層薄膜は発光層以外、つまり
有機発光材料の層とは断層構造が視覚的に区別できて、
有機発光材料の層(即ちエレクトロルミネッセンス層
4)と正孔輸送材料からなる層、あるいは有機発光材料
の層と電子注入材料からなる層とからなる層を有する。
例えば有機単層薄膜の場合、その有機単層薄膜中におけ
る正孔輸送材料あるいは電子注入材料の濃度が電極近傍
で高く、電極から離れるに従いその濃度が小さくなるい
わゆる濃度勾配型構造も有機単層薄膜の1つとして挙げ
ることができる。キャリア輸送能の観点から言えば、こ
の濃度勾配型構造は有機多層薄膜と同じ能力であるとい
えるが、複数の層から構成される有機多層薄膜とは層構
成を視覚的に区別することができる。なお有機単層薄膜
および有機多層薄膜の構成材料は、従来より有機EL素
子で用いられている正孔輸送材料、有機発光材料、電子
注入材料をそのまま使用してよい。
An organic multi-layer thin film may be used instead of the organic single-layer thin film. In this case, the organic multi-layer thin film is different from the light-emitting layer, that is, the layer structure of the organic light-emitting material can be visually distinguished from the layer structure.
It has a layer made of an organic light emitting material (that is, the electroluminescent layer 4) and a layer made of a hole transport material, or a layer made of an organic light emitting material and a layer made of an electron injection material.
For example, in the case of an organic single-layer thin film, the so-called concentration gradient structure in which the concentration of the hole transporting material or the electron injecting material in the organic single-layer thin film is high near the electrode and decreases as the distance from the electrode increases. Can be cited as one of the following. From the viewpoint of carrier transport ability, it can be said that this concentration gradient type structure has the same ability as the organic multilayer thin film, but the layer configuration can be visually distinguished from the organic multilayer thin film composed of a plurality of layers. . In addition, as a constituent material of the organic single-layer thin film and the organic multilayer thin film, a hole transport material, an organic light-emitting material, and an electron injection material conventionally used in an organic EL element may be used as they are.

【0040】正孔輸送材料としては、トリアゾール誘導
体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フ
ェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、アニリン系共重合
体、ポリアリールアルカン誘導体、スチルベン誘導体、
ヒドラゾン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサ
ゾール誘導体、スチリルアントランセン誘導体、フルオ
レノン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系化合物な
どが挙げられる。
Examples of the hole transport material include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, aniline copolymers, polyarylalkane derivatives, stilbene derivatives,
Examples include hydrazone derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, silazane derivatives, and polysilane compounds.

【0041】有機発光材料としては、ベンゾチアゾール
系、金属キレート化オキシノイド化合物、スチルベンゼ
ン系化合物、芳香族ジメチルリジン化合物、ジスチルピ
ラジン誘導体ベンゾイミダゾール系、ベンゾオイサゾー
ル系などが挙げられる。
Examples of the organic light emitting material include a benzothiazole compound, a metal chelated oxinoid compound, a stilbenzene compound, an aromatic dimethyl lysine compound, a distilpyrazine derivative benzimidazole compound, and a benzooisazole compound.

【0042】電子注入材料としては、ニトロ置換フルオ
レノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、チオピラ
ンジオイシド誘導体などの複素環テトラカルボン酸無水
物、フレオレニリンデンメタン誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、8−キノリノール誘導体、カルボジイミド、
アントロン誘導体などが挙げられる。
Examples of the electron injecting material include heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as nitro-substituted fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, and thiopyrandioiside derivatives, fluorenylidene methane derivatives, oxadiazole derivatives, and 8-quinolinol. Derivatives, carbodiimides,
And anthrone derivatives.

【0043】本実施形態では偏光特性を有する可撓性基
材として、偏光フィルム2と位相差フィルムであるλ/
4フィルム1を組合せた円偏光フィルム6を挙げる。図
2は外光が第2電極で反射する様子とエレクトロルミネ
ッセンス層4で発光した自発光光がエレクトロルミネッ
センス素子外へ出光する様子を模式的に表した図であ
る。なお、同図紙面上側では外光がエレクトロルミネッ
センス素子に入光し、第2電極にて反射する様子を説明
の都合上まとめて表し、同図紙面下側ではエレクトロル
ミネッセンス層からの自発光光がエレクトロルミネッセ
ンス素子外に出光する様子を説明の都合上まとめたが、
実際は表示面内の同じ位置で外光の反射も自発光光の出
光も行われている。
In the present embodiment, the polarizing film 2 and the retardation film λ /
Circularly polarizing film 6 obtained by combining four films 1 is exemplified. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a state in which external light is reflected by the second electrode and a state in which self-luminous light emitted from the electroluminescence layer 4 is emitted to the outside of the electroluminescence element. In the upper part of the drawing, external light enters the electroluminescent element and is reflected by the second electrode for convenience of description. For the sake of convenience, the lower part of FIG. The appearance of light emission outside the electroluminescence element is summarized for convenience of explanation,
Actually, reflection of external light and emission of self-luminous light are performed at the same position in the display surface.

【0044】偏向回転子として機能するλ/4フィルム
2を偏光フィルム1とエレクトロルミネッセンス層3と
の間に設けることで、外光の一部がEL素子に入光する
前に偏向フィルム1によってフィルタリングされる。フ
ィルタリングされずに偏向フィルム1を通過した光はλ
/4フィルム2によって一定方向の円偏光となる。一定
方向の円偏光はEL素子を構成する反射膜(第2電極
5)にて反射して前記一定方向とは逆方向の円偏光にな
る。その逆向きの円偏光が前記λ/4フィルム2を通過
すると前記偏光フィルム1を通過できない光となる。従
って外光はEL素子に入光して第2電極5にて反射して
もEL素子を出ることができない。
By providing the λ / 4 film 2 functioning as a deflecting rotator between the polarizing film 1 and the electroluminescent layer 3, filtering is performed by the deflecting film 1 before a part of the external light enters the EL element. Is done. The light that has passed through the deflection film 1 without being filtered is λ
The フ ィ ル ム film 2 makes circular polarization in a certain direction. Circularly polarized light in a certain direction is reflected by a reflection film (second electrode 5) constituting the EL element, and becomes circularly polarized light in a direction opposite to the certain direction. When the circularly polarized light in the opposite direction passes through the λ / 4 film 2, it becomes light that cannot pass through the polarizing film 1. Therefore, even if external light enters the EL element and is reflected by the second electrode 5, it cannot exit the EL element.

【0045】なお、EL素子の自発光光は、λ/4フィ
ルム2を通過し、偏光フィルムにて一部の光だけがフィ
ルタリングされるだけで残りの自発光光はEL素子外へ
出光できる。
The self-luminous light of the EL element passes through the λ / 4 film 2 and only a part of the light is filtered by the polarizing film, and the remaining self-luminous light can be emitted outside the EL element.

【0046】従って外光の影響を防ぐことができるEL
素子を提供することができる。
Therefore, the EL which can prevent the influence of external light
An element can be provided.

【0047】なおλ/4フィルムは、例えばポリカーボ
ネート(PC)を用いることができる。また偏光フィル
ムは、例えばトリアセチルセルロース(TAC)と染料
やヨウ素を混合したポリビニルアルコール(PVA)を
用いることができる。また両フィルムは互いに張り合わ
された実質的に一体型の積層フィルムであってもよい。
As the λ / 4 film, for example, polycarbonate (PC) can be used. For the polarizing film, for example, polyvinyl alcohol (PVA) obtained by mixing triacetyl cellulose (TAC) with a dye or iodine can be used. Further, both films may be a substantially integrated type laminated film laminated to each other.

【0048】より具体的に機構を以下に説明すると、 外光が偏光フィルム1を通過し、縦直線偏光に変換さ
れる。 縦直線偏光はλ/4フィルム2を通過すると左回りの
円偏光に変換される。 第2電極5において反射することで位相の変化を受け
入射光と逆回りの右周りの円偏光になる。 再びλ/4フィルム2を通過すると入射時と直交方向
の横直線偏光(図2では矢印上に複数の点にて表した)
に変換される。 偏光フィルム3に吸収され、EL素子外へ出光するこ
とが防止される。
More specifically, the mechanism will be described below. External light passes through the polarizing film 1 and is converted into vertically linearly polarized light. When the vertically linearly polarized light passes through the λ / 4 film 2, it is converted to left-handed circularly polarized light. The light is reflected by the second electrode 5 and changes in phase to become right-handed circularly polarized light that is counterclockwise to the incident light. When the light passes through the λ / 4 film 2 again, it is horizontally linearly polarized light in the direction orthogonal to the direction of incidence (in FIG. 2, represented by a plurality of points on an arrow)
Is converted to It is prevented from being absorbed by the polarizing film 3 and emitted out of the EL element.

【0049】なお、上記説明では反射する前の外光を左
回りの円偏光とし、反射した外光を右回りの円偏光とし
たが、これは位相差フィルムの光学特性に応じて反射す
る前の外光を右回りの円偏光とし、反射した外光を左回
りの円偏光となってもよい。
In the above description, the external light before reflection is left-handed circularly polarized light, and the reflected external light is right-handed circularly polarized light. May be clockwise circularly polarized light, and the reflected external light may be clockwise circularly polarized light.

【0050】またエレクトロルミネッセンス層からの自
発光光は、λ/4フィルムによりフィルタリングされる
円偏光の光だけではなく、ほとんどの自発光光がλ/4
フィルム2を通過する。λ/4フィルム2を通過した自
発光光は、偏光フィルム1を通過してEL素子外へ出光
するが、偏光フィルム1によって一部がフィルタリング
される。
The self-luminous light from the electroluminescent layer is not limited to circularly polarized light filtered by the λ / 4 film, but most of the self-luminous light is λ / 4.
Passes through film 2. The self-luminous light that has passed through the λ / 4 film 2 passes through the polarizing film 1 and goes out of the EL element, but is partially filtered by the polarizing film 1.

【0051】このような機構により、EL素子に入光し
た外光は外部へ再び出光することを防ぐことができる。
EL素子の自発光の大半が外部へ出光するので、外光に
よるぎらつきが防止され、自発光だけを明瞭に観察でき
る。
With such a mechanism, it is possible to prevent external light that has entered the EL element from being emitted again to the outside.
Since most of the self-emission of the EL element emits light to the outside, glare due to external light is prevented, and only self-emission can be clearly observed.

【0052】したがって、本実施形態のEL素子のコン
トラストは高い。
Therefore, the contrast of the EL device of this embodiment is high.

【0053】また本実施の形態は次のような特徴があ
る。即ち先述したが、第1電極3が可撓性の位相差フィ
ルム2に直接設けられているという特徴である。
This embodiment has the following features. That is, as described above, the first electrode 3 is directly provided on the flexible retardation film 2.

【0054】また図1ではエレクトロルミネッセンス層
4は位相差フィルム2に接して設けられていないように
図示されているが、例えば、エレクトロルミネッセンス
層4の一部も第1電極3と共に位相差フィルム2に接し
て設けられても良い。
Although FIG. 1 shows that the electroluminescent layer 4 is not provided in contact with the retardation film 2, for example, a part of the electroluminescent layer 4 is also provided together with the first electrode 3. May be provided in contact with

【0055】また、本実施形態のEL素子は、第2電極
側に不図示の高分子フィルムからなる蒸着膜や、あるい
は高分子フィルムと接着層からなる封止フィルムにより
第2電極側を被覆、あるいはEL素子全体を封止しても
よい。
In the EL device of this embodiment, the second electrode side is covered with a vapor-deposited film made of a polymer film (not shown) or a sealing film made of a polymer film and an adhesive layer on the second electrode side. Alternatively, the entire EL element may be sealed.

【0056】このような被覆、あるいは封止を行うこと
により有機化合物からなる発光材料を含む有機単層薄膜
もしくは有機多層薄膜の劣化が防止されるとともに、撓
みに対するEL素子の耐久性が向上する。
By performing such coating or sealing, the deterioration of the organic single-layer thin film or the organic multilayer thin film containing the light-emitting material made of an organic compound is prevented, and the durability of the EL element against bending is improved.

【0057】(第2の実施の形態)次に、第2の実施形
態に係るELパネルについて説明する。図3は本実施形
態に係るELパネルの模式図である。このELパネルは
紙面鉛直(表裏)方向を観察者が観察する方向とするも
のである。また図4は図3のELパネルのA−A’断面
模式図である。
(Second Embodiment) Next, an EL panel according to a second embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic diagram of an EL panel according to the present embodiment. In this EL panel, the direction perpendicular to the paper surface (front and back) is set as the direction in which the observer observes. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of the EL panel of FIG.

【0058】図3および図4に係るELパネルは、第1
電極及び第2電極が格子状のいわゆるX−Y方向のマト
リクス型電極を有するものである。それ以外の構成につ
いては図1及び図2で説明したEL素子と同じである。
The EL panel shown in FIGS.
The electrode and the second electrode have a grid-type matrix electrode in a so-called XY direction. Other configurations are the same as those of the EL device described with reference to FIGS.

【0059】図3に示すように円偏光フィルム6をその
観察面から観察すると複数の帯状の第1電極13a〜1
3eが互いに離間して平行に配列しているのがわかる。
また複数の帯状の第2電極12a〜12eが互いに離間
して平行に配列しているのがわかる。
As shown in FIG. 3, when the circularly polarizing film 6 is observed from its observation surface, a plurality of band-shaped first electrodes 13a to 13a
It can be seen that 3e are spaced apart and arranged in parallel.
Further, it can be seen that the plurality of band-shaped second electrodes 12a to 12e are arranged in parallel with each other at a distance from each other.

【0060】第1電極と第2電極は実質的に直交してい
る。また直交した領域が画素領域である。即ちこの有機
ELパネルの第1電極と第2電極とは格子状に配列され
ておりマトリクス電極である。
The first and second electrodes are substantially orthogonal. The orthogonal area is a pixel area. That is, the first electrode and the second electrode of the organic EL panel are arranged in a lattice and are matrix electrodes.

【0061】図3のA−A’断面図である図4に示すよ
うに、エレクトロルミネッセンス層4の表示面Dの法線
方向において第1電極13a〜13eはλ/4フィルム
2上に直接設けられている。また、エレクトロルミネッ
センス層4がλ/4フィルム2と第1電極13a〜13
e上との両方の上に直接設けられている。また第2電極
12eがエレクトロルミネッセンス層4を介して第1電
極13a〜13eのそれぞれ一部を覆っている。
As shown in FIG. 4, which is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3, the first electrodes 13 a to 13 e are provided directly on the λ / 4 film 2 in the direction normal to the display surface D of the electroluminescent layer 4. Have been. Further, the electroluminescence layer 4 is composed of the λ / 4 film 2 and the first electrodes 13a to 13a.
e and directly on both. In addition, the second electrode 12e covers a part of each of the first electrodes 13a to 13e via the electroluminescence layer 4.

【0062】エレクトロルミネッセンス層4はλ/4フ
ィルム2の面全面に設けられてもよい。あるいはエレク
トロルミネッセンス層4は図4のようにλ/4フィルム
のA−A’方向において中央から端辺手前まで設けてい
ても良い。その場合第2電極12eの直下だけに設ける
構成でも良い。また第2電極12a〜12eのうち何れ
かの第2電極の直下に設けられたエレクトロルミネッセ
ンス層がA−A’方向と直交するB−B’方向に延在し
て他の第2電極の直下にも設けられている構成でも良
い。
The electroluminescence layer 4 may be provided on the entire surface of the λ / 4 film 2. Alternatively, as shown in FIG. 4, the electroluminescence layer 4 may be provided from the center to the end of the λ / 4 film in the AA ′ direction. In that case, a configuration may be provided just below the second electrode 12e. Further, the electroluminescent layer provided immediately below any one of the second electrodes 12a to 12e extends in the BB 'direction orthogonal to the AA' direction and is directly below the other second electrode. May be provided.

【0063】もちろん図1および図2に係るEL素子も
表示装置として使用できるし、この図3及び図4に係る
ELパネルも表示装置として使用できる。なお、図3で
説明した画素1つが図1および2で説明したエレクトロ
ルミネッセンス素子に対応するとみなすと、図3のEL
パネルは図1および図2で説明したエレクトロルミネッ
センス素子が複数格子状に配列されたものであると言え
る。
Of course, the EL device shown in FIGS. 1 and 2 can be used as a display device, and the EL panel shown in FIGS. 3 and 4 can also be used as a display device. Note that if one pixel described in FIG. 3 is considered to correspond to the electroluminescent element described in FIGS.
It can be said that the panel is a panel in which the electroluminescent elements described in FIGS. 1 and 2 are arranged in a plurality of lattices.

【0064】このような複数の画素を有するX−Yマト
リックスパネルは、第1電極と第2電極とそしてエレク
トロルミネッセンス層とが円偏光フィルム6より具体的
にはλ/4フィルム上に直接設けられているので可撓性
を有し、かつ、ELパネルに入光した外光が反射してE
Lパネル外に出ることを防ぐことができるのでコントラ
ストが高い。
In such an XY matrix panel having a plurality of pixels, the first electrode, the second electrode, and the electroluminescent layer are provided directly on the circularly polarizing film 6, more specifically on the λ / 4 film. Is flexible, and external light entering the EL panel is reflected to
Since it can be prevented from going out of the L panel, the contrast is high.

【0065】またこのELパネルの画素の駆動方法は、
特に限定されるものではなく用途に応じて選択される。
いずれの場合も前記複数本の第1電極と前記第2電極の
いずれかが、それぞれ独立に駆動用電源と接続され各画
素を発光させることができる。
The driving method of the pixels of this EL panel is as follows.
It is not particularly limited and is selected according to the application.
In any case, any one of the plurality of first electrodes and the second electrodes is independently connected to a driving power source, and each pixel can emit light.

【0066】なお、図1および図2のEL素子、あるい
は図3及び図4で説明したELパネルのうち第1電極あ
るいはエレクトロルミネッセンス層と直接接触する可撓
性フィルム(基板)の熱膨張係数を好ましい数値範囲に
規定することは重要である。たとえばその可撓性フィル
ムの線膨張係数が50×10-6/℃以上100×10 -6
/℃であると熱を受けても可撓性フィルムと第1電極と
が離れないですむ、あるいは可撓性フィルムとエレクト
ロルミネッセンス層とが離れないですむ。この可撓性フ
ィルムとは円偏光フィルムのことであり、より具体的に
は第1電極あるいはエレクトロルミネッセンス層が直接
設けられるフィルム、即ち本実施形態では位相差フィル
ムであるλ/4フィルムのことである。
The EL device shown in FIGS.
Is the first electrode of the EL panel described with reference to FIGS.
Or flexible in direct contact with the electroluminescent layer
The coefficient of thermal expansion of the conductive film (substrate) to the preferred numerical range
It is important to specify. For example, its flexible fill
Linear expansion coefficient of 50 × 10-6/ ℃ or more 100 × 10 -6
/ ° C, the flexible film and the first electrode
Can be separated or flexible film and elect
It is not necessary to separate from the luminescence layer. This flexible
Film is a circularly polarized film, and more specifically
Indicates that the first electrode or the electroluminescent layer is directly
The film to be provided, that is, the retardation film in the present embodiment.
Λ / 4 film.

【0067】なお、図1および図2のEL素子、あるい
は図3及び図4で説明したELパネルに例えば透明板を
設けても良い。その様子を図5および図6を示す。図5
は図1に示すEL素子に透明板を設けた様子を模式的に
示す断面図、そして図6は図4に示すELパネル透明板
を設けた様子を模式的に示す断面図である。
Note that, for example, a transparent plate may be provided on the EL element shown in FIGS. 1 and 2 or the EL panel described with reference to FIGS. 3 and 4. FIGS. 5 and 6 show this state. FIG.
Is a cross-sectional view schematically showing a state in which a transparent plate is provided on the EL element shown in FIG. 1, and FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the EL panel transparent plate shown in FIG. 4 is provided.

【0068】この透明板はエレクトロルミネッセンス層
4と円偏光フィルム6との間に設けられるガラス板、あ
るいは樹脂製の板のことである。その場合EL素子自体
あるいはELパネル自体の可撓性は実質失われるが、衝
撃等の外的応力に対して強度が増し、そのような透明板
を設けた構成のEL素子、あるいはELパネルにおいて
内部に入光し反射した外光が外部へ出ることを防ぐこと
ができるので高いコントラストを得ることができる。な
おこの透明板を用いる場合、透明板の熱膨張係数に注目
することも重要である。
The transparent plate is a glass plate or a resin plate provided between the electroluminescence layer 4 and the circularly polarizing film 6. In that case, the flexibility of the EL element itself or the EL panel itself is substantially lost, but the strength of the EL element or the EL panel having such a transparent plate is increased due to an external stress such as an impact. Thus, high contrast can be obtained because it is possible to prevent external light that has entered and reflected from the outside from going outside. When using this transparent plate, it is also important to pay attention to the thermal expansion coefficient of the transparent plate.

【0069】たとえば透明板の熱膨張係数は、透明板が
ガラス板である場合線膨張係数は、2×10-6/℃以上
7×10-6/℃以下であることが好ましく、その結果熱
を受けてもガラス板と第1電極とが離れないですむ、あ
るいはガラス板とエレクトロルミネッセンス層とが離れ
ないですむ。
For example, when the transparent plate is a glass plate, the coefficient of linear expansion is preferably 2 × 10 −6 / ° C. or more and 7 × 10 −6 / ° C. or less. In this case, the glass plate and the first electrode do not separate from each other, or the glass plate does not separate from the electroluminescent layer.

【0070】ガラス基板として、例えば無アルカリガラ
スを用いることが好ましい。無アルカリガラスを用いれ
ば、第1電極あるいはエレクトロルミネッセンス層を無
アルカリガラスに接触させてもアルカリ成分による影響
を防ぐことができる。また第1電極あるいはエレクトロ
ルミネッセンス層が接触するガラス面が無アルカリガラ
スであり、接触しない部分はアルカリ成分を含むガラス
であるような構成である透明基板でも良い。そのような
構成の透明基板はアルカリ成分を含む層とアルカリ成分
を含まない層とが積層された構成でも良いし、あるいは
1つの透明基板内でアルカリ成分の濃度が勾配を有して
おり、第1電極あるいはエレクトロルミネッセンス層と
接する面に向かうに連れて次第にアルカリ成分の濃度が
減少し、面においては無アルカリ状態である構成でもよ
い。
It is preferable to use, for example, non-alkali glass as the glass substrate. When alkali-free glass is used, even if the first electrode or the electroluminescent layer is brought into contact with the alkali-free glass, the influence of the alkali component can be prevented. Alternatively, a transparent substrate may be used in which the glass surface in contact with the first electrode or the electroluminescent layer is non-alkali glass, and the non-contact portion is glass containing an alkali component. The transparent substrate having such a configuration may have a configuration in which a layer containing an alkali component and a layer not containing an alkali component are stacked, or the concentration of the alkali component in one transparent substrate has a gradient, A configuration may be adopted in which the concentration of the alkali component gradually decreases toward the surface in contact with one electrode or the electroluminescence layer, and the surface is in an alkali-free state.

【0071】またガラス基板は、無アルカリガラスであ
る以外に例えば石英あるいはホウ珪酸ガラス、あるいは
ソーダガラスであってもよい。
The glass substrate may be, for example, quartz, borosilicate glass, or soda glass other than alkali-free glass.

【0072】[0072]

【実施例】以下の実施例では有機化合物をエレクトロル
ミネッセンス層として用いたものを挙げる。
EXAMPLES In the following examples, examples using an organic compound as an electroluminescent layer will be described.

【0073】(実施例1)有機EL素子の作製について
図面を参照して実施例を詳細に説明する。本実施例の有
機EL素子の構成は、図1と同じ構成である。
Example 1 An example of manufacturing an organic EL device will be described in detail with reference to the drawings. The configuration of the organic EL element of this embodiment is the same as that of FIG.

【0074】30mm×30mm角、厚み0.3mmの
可撓性基板として図2で説明した円偏光フィルムを用い
た。このフィルムの400〜700nmでの光透過率は
50%程度であった。
The circularly polarized film described with reference to FIG. 2 was used as a flexible substrate having a size of 30 mm × 30 mm square and a thickness of 0.3 mm. The light transmittance of this film at 400 to 700 nm was about 50%.

【0075】このフィルムの上に光透過性を有する第1
電極となる1500ÅのITO膜を蒸着により成膜し
た。
A first light-transmitting first film is formed on this film.
A 1500 ° ITO film serving as an electrode was formed by vapor deposition.

【0076】ITO膜の400〜700nm波長での透
過率は、90%程度であった。また、この基板をIPA
溶液で5分間、純水中で5分間それぞれ超音波洗浄し、
その後UVオゾン洗浄機で10分間洗浄した。
The transmittance of the ITO film at a wavelength of 400 to 700 nm was about 90%. In addition, this substrate is
Ultrasonic cleaning for 5 minutes in solution and 5 minutes in pure water respectively
Thereafter, the substrate was washed with a UV ozone washing machine for 10 minutes.

【0077】その後、このITO蒸着フィルムを蒸着機
の基板ホルダーに固定し、1×10 -4paの真空中でI
TO側に正孔輸送材料であるN,N’−ビス(3−メチ
ルフェニルーN,N’ジフェニル〔1,1’―ビフェニ
ル〕―4,4’―ジアミン(以下、TPDと言う)を1
00Å蒸着した。次に発光材料であるキナクリドンを1
0Å蒸着した。次に電子注入材料であるトリス(8−キ
ノリノール)アルミニウム(以下、Alq3)を500
Å蒸着した。次に第2電極であるマグネシウムと銀との
混合金属を1200Å蒸着した。
Then, this ITO vapor-deposited film is
1 × 10 -FourI in a vacuum of pa
On the TO side, N, N'-bis (3-methyl
Ruphenyl-N, N'diphenyl [1,1'-biphenyl
1) -4,4'-diamine (hereinafter referred to as TPD)
00Å was deposited. Next, quinacridone, a luminescent material,
0 ° was deposited. Next, tris (8-key) which is an electron injection material is used.
Nolinol) aluminum (hereinafter, Alq3) is 500
ÅEvaporated. Next, the second electrode, magnesium and silver
The mixed metal was deposited at 1200 °.

【0078】このようにして偏光特性を有する基材上に
光透明性の第1電極としてITO膜、有機化合物からな
る発光材料を含む有機単層薄膜もしくは有機多層薄膜と
して正孔輸送材料であるTPD、発光材料であるキナク
リドン、電子注入材料であるAlq3、第2電極として
マグネシウムと銀の混合金属を形成し、本発明の有機E
L素子を得た。得られたマグネシウムと銀の混合金属の
反射率を測定したところ400〜700nm波長では7
0〜80%程度であった。
As described above, an ITO film as a light-transparent first electrode and an organic single-layer thin film containing a luminescent material composed of an organic compound or a TPD which is a hole transport material as an organic multilayer thin film are formed on a substrate having polarization characteristics. Quinacridone as a light emitting material, Alq3 as an electron injecting material, and a mixed metal of magnesium and silver as a second electrode.
An L element was obtained. When the reflectivity of the obtained mixed metal of magnesium and silver was measured, it was 7 at a wavelength of 400 to 700 nm.
It was about 0 to 80%.

【0079】(比較例1)実施例1で作製した有機EL
素子とコントラストの比較をするため下記の有機EL素
子を作製した。
(Comparative Example 1) Organic EL prepared in Example 1
The following organic EL devices were prepared to compare the device with the contrast.

【0080】基材には、400〜700nm波長の光透
過率が80%の透明なポリエチレンテレフタレート(厚
み0.3mm)を用い、それ以外の素子の構成、膜厚
(第1電極、正孔輸送材料、発光材料、電子注入材料、
第2電極)は、上記実施例1と同様とした。なお、この
ポリエチレンテレフタレートフィルムは、位相差特性あ
るいは偏光フィルタリング特性を有していない。
As the substrate, a transparent polyethylene terephthalate (thickness: 0.3 mm) having a light transmittance of 400% at a wavelength of 400 to 700 nm of 80% was used. Materials, luminescent materials, electron injection materials,
The second electrode was the same as in Example 1 above. Note that this polyethylene terephthalate film does not have retardation characteristics or polarization filtering characteristics.

【0081】作製した有機EL素子のコントラストを以
下のように測定した。
The contrast of the produced organic EL device was measured as follows.

【0082】コントラストは、「コントラスト=有機E
L発光時の輝度/有機EL非発光時の輝度」として評価
した。
For the contrast, “contrast = organic E
Luminance at the time of L light emission / Luminance at the time of no organic EL light emission ".

【0083】蛍光灯の1m下に、上記で得られた有機E
L素子を置き、素子を発光させた時の輝度と非発光時の
輝度とを比較した。輝度の測定は、色彩色差計により測
定した。この結果を表1に示す。
The organic E obtained above was placed 1 m under a fluorescent lamp.
The luminance when the element was made to emit light and the luminance when no light was emitted were compared with the L element. The luminance was measured with a colorimeter. Table 1 shows the results.

【0084】[0084]

【表1】 [Table 1]

【0085】表1からわかるように実施例1の有機EL
素子は、比較例1の有機EL素子よりコントラストは遥
かに高いことがわかる。また、実施例1の有機EL素子
は、外光下と暗室内での発光色、輝度に差は見られる鮮
明な発光を示していた。また素子に撓みを与えても十分
な発光を示していた.。
As can be seen from Table 1, the organic EL of Example 1
It can be seen that the device has much higher contrast than the organic EL device of Comparative Example 1. In addition, the organic EL device of Example 1 showed clear light emission in which there was a difference between the light emission color and luminance under external light and in a dark room. In addition, sufficient light emission was obtained even when the element was bent. .

【0086】(実施例2)実施例2の有機ELパネルが
有するエレクトロルミネッセンス層も有機化合物を主成
分とするものである。
Example 2 The electroluminescent layer of the organic EL panel of Example 2 also contains an organic compound as a main component.

【0087】本実施例の有機ELパネルの作製について
図面を参照して詳細に説明する。
The production of the organic EL panel of this embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

【0088】70mm×70mm角、厚み0.3mmの
可撓性基板として図2で説明した円偏光フィルムを用い
た。このフィルムの400〜700nm波長での光透過
率は約50%程度である。
The circularly polarizing film described with reference to FIG. 2 was used as a flexible substrate having a size of 70 mm × 70 mm square and 0.3 mm thickness. The light transmittance of this film at a wavelength of 400 to 700 nm is about 50%.

【0089】このフィルムの上に、長さ60mm×幅5
mm、厚み1500ÅのITO膜からなる帯状の第1電
極を幅方向に5mm間隔で5本設けた。この基板を実施
例1と同様に洗浄した。次に、ITO膜面側に実施例1
と同様に正孔輸送材料してTPD、その上に発光材料で
あるキナクリドンを10Å積層し、次に電子注入材料で
あるトリス(8−キノリノール)アルミニウム(以下、
Alq3)を500Å蒸着した。その上に、長さ60m
m×幅5mmで幅方向5mm間隔で5本の開口部がある
ステンレス製マスクを帯状の第1電極(ITO膜)と平
面上直交するようにセットし、実施例1と同様に第2電
極であるマグネシウムと銀との混合金属を1200Å蒸
着し所望のパネルを得た。
On this film, a length of 60 mm × width of 5 mm
Five strip-shaped first electrodes made of an ITO film having a thickness of 1500 mm and a thickness of 1500 mm were provided at intervals of 5 mm in the width direction. This substrate was washed as in Example 1. Next, the first embodiment was applied to the ITO film surface side.
In the same manner as described above, TPD is used as a hole transport material, quinacridone as a light emitting material is laminated thereon by 10 °, and then tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter, referred to as an electron injecting material) is used.
Alq3) was deposited at 500 °. On top of that, 60m long
A stainless steel mask having mx 5 mm width and 5 openings at 5 mm intervals in the width direction was set so as to be orthogonal to the strip-shaped first electrode (ITO film) on a plane. A desired mixed panel of magnesium and silver was deposited at 1200 ° to obtain a desired panel.

【0090】得られた有機ELパネルの平面図を図3に
示す。偏光特性を有する可撓性基板6の表面にITO膜
からなる5本の第1電極13a〜13eが帯状に設けら
れており、このITO膜上には正孔輸送材料TPD膜、
発光材料キナクドリン膜、電子注入材料Alq3(これ
ら有機化合物からなる発光材料を含む有機単層薄膜もし
くは有機多層薄膜の図は省略)を介して、マグネシウム
と銀の混合金属からなる5本の第2電極12a〜12e
が前記第1の電極と平面上直交する方向に帯状に設けら
れている。
FIG. 3 shows a plan view of the obtained organic EL panel. Five first electrodes 13a to 13e made of an ITO film are provided in a strip shape on the surface of a flexible substrate 6 having polarization characteristics, and a hole transporting material TPD film,
Five second electrodes made of a mixed metal of magnesium and silver via a light-emitting material quinacdrine film and an electron injection material Alq3 (illustration of an organic single-layer thin film or an organic multilayer thin film containing a light-emitting material made of these organic compounds is omitted). 12a-12e
Are provided in a strip shape in a direction orthogonal to the first electrode on a plane.

【0091】第1電極13a〜13eと第2電極の12
a〜12eの交差部が各画素になり、駆動ドライバーに
て各画素を発光させる。
The first electrodes 13a to 13e and the second electrode 12a
The intersection of a to 12e becomes each pixel, and each pixel emits light by the driving driver.

【0092】この有機ELパネルの中央部(X−Yマト
リックスの3行3列)に形成されている画素部のコント
ラストを評価したところ実施例1と同様にコントラスト
は90%と良好であった。また、曲率半径200mm程
度に撓ましても輝度とコントラストの劣化は見られなか
った。
When the contrast of the pixel portion formed in the central portion (3 rows and 3 columns of the XY matrix) of this organic EL panel was evaluated, the contrast was as good as 90% as in Example 1. In addition, even if it was bent to a radius of curvature of about 200 mm, no deterioration in luminance and contrast was observed.

【0093】[0093]

【発明の効果】以上のように、本発明のエレクトロルミ
ネッセンス素子は、外光による視覚的不明瞭を防止でき
る。
As described above, the electroluminescent device of the present invention can prevent visual obscuration due to external light.

【0094】また本発明のエレクトロルミネッセンス素
子はエレクトロルミネッセンス層を偏光特性を有する可
撓性基板上に設けることで、湾曲形状に変形できる。
Further, the electroluminescent element of the present invention can be deformed into a curved shape by providing an electroluminescent layer on a flexible substrate having polarization characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のEL素子の一実施形態を模式的に表し
た断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of an EL device of the present invention.

【図2】偏光特性を説明する断面模式図である。FIG. 2 is a schematic sectional view illustrating polarization characteristics.

【図3】本発明のELパネルの一実施形態を模式的に表
した平面図である。
FIG. 3 is a plan view schematically showing an embodiment of the EL panel of the present invention.

【図4】図3のELパネルのA−A’断面模式図であ
る。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ of the EL panel in FIG. 3;

【図5】図1に示すEL素子に透明板を設けた断面模式
図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view in which a transparent plate is provided on the EL element shown in FIG.

【図6】図4に示すELパネルに透明板を設けた断面模
式図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view in which a transparent plate is provided on the EL panel shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 偏光フィルム 2 位相差フィルム(λ/4フィルム) 3 第1電極 4 エレクトロルミネッセンス層 5 第2電極 6 円偏光フィルム 12a〜12e 第2電極 13a〜13e 第1の電極 50、60 透明板 D エレクトロルミネッセンス層の表示面 E λ/4フィルムの面 Reference Signs List 1 polarizing film 2 retardation film (λ / 4 film) 3 first electrode 4 electroluminescent layer 5 second electrode 6 circular polarizing film 12a to 12e second electrode 13a to 13e first electrode 50, 60 transparent plate D electroluminescence Display surface of layer E Surface of λ / 4 film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 和則 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB02 AB04 AB17 BA06 BB00 CA01 CA05 CA06 CB01 CC01 DA00 DB03 EA04 EB00 FA01  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kazunori Ueno 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 3K007 AB00 AB02 AB04 AB17 BA06 BB00 CA01 CA05 CA06 CB01 CC01 DA00 DB03 EA04 EB00 FA01

Claims (45)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 エレクトロルミネッセンス層の少なくと
も1面を表示面とするエレクトロルミネッセンス素子で
あって、 位相差フィルムと、偏向フィルムと、を有し、 前記位相差フィルムが、前記表示面の法線方向において
前記エレクトロルミネッセンス層と前記偏向フィルムと
の間に設けられていることを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンス素子。
1. An electroluminescence device having at least one surface of an electroluminescence layer as a display surface, comprising: a retardation film; and a deflection film, wherein the retardation film is in a direction normal to the display surface. 3. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the device is provided between the electroluminescent layer and the deflection film.
【請求項2】 透明基板が、前記表示面の法線方向にお
いて、前記エレクトロルミネッセンス層と前記位相差フ
ィルムとの間に設けられていることを特徴とする請求項
1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
2. The electroluminescent device according to claim 1, wherein a transparent substrate is provided between the electroluminescent layer and the retardation film in a direction normal to the display surface.
【請求項3】 前記透明基板は、ガラス基板であること
を特徴とする請求項2に記載のエレクトロルミネッセン
ス素子。
3. The electroluminescent device according to claim 2, wherein the transparent substrate is a glass substrate.
【請求項4】 前記透明基板は、樹脂であることを特徴
とする請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス素
子。
4. The electroluminescent device according to claim 2, wherein the transparent substrate is a resin.
【請求項5】 前記位相差フィルムは、λ/4フィルム
であることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロル
ミネッセンス素子。
5. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the retardation film is a λ / 4 film.
【請求項6】 前記エレクトロルミネッセンス層は、有
機化合物を主たる成分とする層であることを特徴とする
請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
6. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the electroluminescent layer is a layer containing an organic compound as a main component.
【請求項7】 前記エレクトロルミネッセンス層は、無
機化合物を主たる成分とする層であることを特徴とする
請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
7. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the electroluminescent layer is a layer containing an inorganic compound as a main component.
【請求項8】 前記エレクトロルミネッセンス層の前記
位相差フィルムが設けられる側には、第1電極が設けら
れ、前記位相差フィルムが設けられる前記側と対向する
側には、第2電極が設けられており、前記エレクトロル
ミネッセンス層が前記第1第2電極の間に配置されてい
ることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネ
ッセンス素子。
8. A first electrode is provided on a side of the electroluminescence layer on which the retardation film is provided, and a second electrode is provided on a side opposite to the side on which the retardation film is provided. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the electroluminescent layer is disposed between the first and second electrodes.
【請求項9】 前記第1電極の前記法線方向における層
厚値は、500Å以上6500Å以下の範囲の膜厚値で
あることを特徴とする請求項8に記載のエレクトロルミ
ネッセンス素子。
9. The electroluminescent device according to claim 8, wherein a layer thickness value of the first electrode in the normal direction is a thickness value in a range from 500 ° to 6500 °.
【請求項10】 前記第1電極の前記法線方向における
層厚値は、500Å以上5000Å以下の範囲の膜厚値
であることを特徴とする請求項8に記載のエレクトロル
ミネッセンス素子。
10. The electroluminescent device according to claim 8, wherein a layer thickness value of the first electrode in the normal direction is a film thickness value in a range of 500 ° to 5000 °.
【請求項11】 前記第1電極の550nmの光の透過
率は70%以上であることを特徴とする請求項8に記載
のエレクトロルミネッセンス素子。
11. The electroluminescent device according to claim 8, wherein the first electrode has a transmittance of 550 nm light of 70% or more.
【請求項12】 前記第1電極の表面の粗さは、20Å
以上500Å以下であることを特徴とする請求項8に記
載のエレクトロルミネッセンス素子。
12. The surface roughness of the first electrode is 20 °.
The electroluminescent device according to claim 8, wherein the angle is not less than 500 °.
【請求項13】 前記第1電極の表面の粗さは、50Å
以上100Å以下であることを特徴とする請求項8に記
載のエレクトロルミネッセンス素子。
13. The surface roughness of the first electrode is 50 °.
The electroluminescent device according to claim 8, wherein the angle is not less than 100 °.
【請求項14】 前記第2電極の前記法線方向における
層厚値は、500Å以上5000Å以下であることを特
徴とする請求項8に記載のエレクトロルミネッセンス素
子。
14. The electroluminescent device according to claim 8, wherein a layer thickness value of the second electrode in the normal direction is not less than 500 ° and not more than 5000 °.
【請求項15】 前記第2電極の前記法線方向における
層厚値は、1000Å以上3000Å以下であることを
特徴とする請求項8に記載のエレクトロルミネッセンス
素子。
15. The electroluminescent device according to claim 8, wherein a layer thickness value of the second electrode in the normal direction is 1000 ° or more and 3000 ° or less.
【請求項16】 前記第2電極の550nmの光の反射
率は80%以上であることを特徴とする請求項8に記載
のエレクトロルミネッセンス素子。
16. The electroluminescent device according to claim 8, wherein the reflectance of the second electrode at 550 nm light is 80% or more.
【請求項17】 前記ガラス基板の線膨張係数は、2×
10-6/℃以上7×10-6/℃以下であることを特徴と
する請求項3に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
17. The linear expansion coefficient of the glass substrate is 2 ×
Electroluminescent device according to claim 3, characterized in that 10 -6 / ° C. or higher 7 × is 10 -6 / ° C. or less.
【請求項18】 前記ガラス基板は、無アルカリガラ
ス、石英、ホウ珪酸ガラス、あるいはソーダガラスの少
なくとも何れかであることを特徴とする請求項3に記載
のエレクトロルミネッセンス素子。
18. The electroluminescent device according to claim 3, wherein the glass substrate is at least one of alkali-free glass, quartz, borosilicate glass, and soda glass.
【請求項19】 前記エレクトロルミネッセンス層が設
けられる側の前記ガラス基板面には無アルカリ層が設け
られており、前記エレクトロルミネッセンス層は前記無
アルカリ層と接することを特徴とする請求項3に記載の
エレクトロルミネッセンス素子。
19. The method according to claim 3, wherein an alkali-free layer is provided on the surface of the glass substrate on which the electroluminescence layer is provided, and the electroluminescence layer is in contact with the alkali-free layer. Electroluminescent element.
【請求項20】 前記位相差フィルムの線膨張係数は、
50×10-6/℃以上100×10-6/℃以下であるこ
とを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子。
20. The linear expansion coefficient of the retardation film is:
2. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the temperature is 50 × 10 −6 / ° C. or more and 100 × 10 −6 / ° C. or less.
【請求項21】 前記エレクトロルミネッセンス素子
は、表示装置の表示素子であることを特徴とする請求項
1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
21. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the electroluminescent device is a display device of a display device.
【請求項22】 ストライプ状に配列された複数の前記
第1電極からなる第1電極群と、ストライプ状に配列さ
れた複数の前記第2電極からなる第2電極群とが、平面
視上交差して配列されたマトリックス電極群を形成し、
前記第1電極と、前記第2電極との前記平面視上交差し
た部分が表示装置の表示画素部分であることを特徴とす
る請求項8に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
22. A first electrode group consisting of a plurality of first electrodes arranged in a stripe pattern and a second electrode group consisting of a plurality of second electrodes arranged in a stripe pattern intersect in plan view. To form an array of matrix electrodes,
The electroluminescent device according to claim 8, wherein a portion where the first electrode and the second electrode intersect in a plan view is a display pixel portion of a display device.
【請求項23】 少なくとも位相差フィルムからなる可
撓性基板の面上に、エレクトロルミネッセンス層の少な
くとも一部が設けられていることを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス素子。
23. An electroluminescent device, wherein at least a part of an electroluminescent layer is provided on at least a surface of a flexible substrate made of a retardation film.
【請求項24】 前記可撓性基板は前記位相差フィルム
と偏向フィルムとを有しており、前記面の法線方向にお
いて、前記位相差フィルムは前記偏向フィルムと前記エ
レクトロルミネッセンス層との間に配置されていること
を特徴とする請求項23に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子。
24. The flexible substrate has the retardation film and the deflecting film, and the retardation film is located between the deflecting film and the electroluminescent layer in a direction normal to the surface. The electroluminescent device according to claim 23, wherein the electroluminescent device is arranged.
【請求項25】 前記位相差フィルムは、λ/4フィル
ムであることを特徴とする請求項23に記載のエレクト
ロルミネッセンス素子。
25. The electroluminescent device according to claim 23, wherein the retardation film is a λ / 4 film.
【請求項26】 前記エレクトロルミネッセンス層は、
有機化合物を主たる成分とする層であることを特徴とす
る請求項23に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
26. The electroluminescent layer,
The electroluminescent device according to claim 23, wherein the electroluminescent device is a layer containing an organic compound as a main component.
【請求項27】 前記エレクトロルミネッセンス層は、
無機化合物を主たる成分とする層であることを特徴とす
る請求項23に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
27. The electroluminescent layer,
The electroluminescent device according to claim 23, wherein the electroluminescent device is a layer containing an inorganic compound as a main component.
【請求項28】 前記エレクトロルミネッセンス層の前
記位相差フィルムが設けられる側には、第1電極が設け
られ、前記位相差フィルムが設けられる前記側と対向す
る側には、第2電極が設けられており、前記エレクトロ
ルミネッセンス層が前記第1第2電極の間に配置されて
いることを特徴とする請求項23に記載のエレクトロル
ミネッセンス素子。
28. A first electrode is provided on a side of the electroluminescence layer on which the retardation film is provided, and a second electrode is provided on a side opposite to the side on which the retardation film is provided. The electroluminescent device according to claim 23, wherein the electroluminescent layer is arranged between the first and second electrodes.
【請求項29】 前記第1電極の前記法線方向における
層厚値は、500Å以上6500Å以下の範囲の膜厚値
であることを特徴とする請求項28に記載のエレクトロ
ルミネッセンス素子。
29. The electroluminescent device according to claim 28, wherein a layer thickness value of the first electrode in the normal direction is a thickness value in a range of 500 ° to 6500 °.
【請求項30】 前記第1電極の前記法線方向における
層厚値は、500Å以上5000Å以下の範囲の膜厚値
であることを特徴とする請求項28に記載のエレクトロ
ルミネッセンス素子。
30. The electroluminescent device according to claim 28, wherein a layer thickness value of the first electrode in the normal direction is a film thickness value in a range from 500 ° to 5000 °.
【請求項31】 前記第1電極の550nmの光の透過
率は70%以上であることを特徴とする請求項28に記
載のエレクトロルミネッセンス素子。
31. The electroluminescent device according to claim 28, wherein the first electrode has a transmittance of 550 nm light of 70% or more.
【請求項32】 前記第1電極の表面の粗さは、20Å
以上500Å以下であることを特徴とする請求項28に
記載のエレクトロルミネッセンス素子。
32. The surface roughness of the first electrode is 20 °
The electroluminescent device according to claim 28, wherein the angle is not less than 500 °.
【請求項33】 前記第1電極の表面の粗さは、50Å
以上100Å以下であることを特徴とする請求項28に
記載のエレクトロルミネッセンス素子。
33. The surface roughness of the first electrode is 50 °.
29. The electroluminescent device according to claim 28, wherein the angle is not less than 100 [deg.].
【請求項34】 前記第2電極の前記法線方向における
層厚値は、500Å以上5000Å以下であることを特
徴とする請求項28に記載のエレクトロルミネッセンス
素子。
34. The electroluminescent device according to claim 28, wherein a layer thickness value of the second electrode in the normal direction is not less than 500 ° and not more than 5000 °.
【請求項35】 前記第2電極の前記法線方向における
層厚値は、1000Å以上3000Å以下であることを
特徴とする請求項28に記載のエレクトロルミネッセン
ス素子。
35. The electroluminescent device according to claim 28, wherein a layer thickness value of the second electrode in the normal direction is not less than 1000 ° and not more than 3000 °.
【請求項36】 前記第2電極の550nmの光の反射
率は80%以上であることを特徴とする請求項28に記
載のエレクトロルミネッセンス素子。
36. The electroluminescent device according to claim 28, wherein the second electrode has a reflectance of 550 nm light of 80% or more.
【請求項37】 前記位相差フィルムの線膨張係数は、
50×10-6/℃以上100×10-6/℃以下であるこ
とを特徴とする請求項23に記載のエレクトロルミネッ
センス素子。
37. A linear expansion coefficient of the retardation film is:
The electroluminescent device according to claim 23, wherein the temperature is 50 × 10 −6 / ° C. or more and 100 × 10 −6 / ° C. or less.
【請求項38】 前記エレクトロルミネッセンス素子
は、表示装置の表示素子であることを特徴とする請求項
23に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
38. The electroluminescent device according to claim 23, wherein the electroluminescent device is a display device of a display device.
【請求項39】 ストライプ状に配列された複数の前記
第1電極からなる第1電極群と、ストライプ状に配列さ
れた複数の前記第2電極からなる第2電極群とが、平面
視上交差して配列されたマトリックス電極群を形成し、
前記第1電極と、前記第2電極との前記平面視上交差し
た部分が表示装置の表示画素部分であることを特徴とす
る請求項28に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
39. A first electrode group consisting of a plurality of first electrodes arranged in a stripe and a second electrode group consisting of a plurality of second electrodes arranged in a stripe intersect in plan view. To form an array of matrix electrodes,
29. The electroluminescent device according to claim 28, wherein a portion where the first electrode and the second electrode intersect in a plan view is a display pixel portion of a display device.
【請求項40】 位相差フィルムと、第1電極と、エレ
クトロルミネッセンス層と、第2電極を有するエレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法において、前記位相差
フィルムの面上に前記第1電極を形成する工程と、 前記位相差フィルムの前記面上に前記エレクトロルミネ
ッセンス層を形成する工程と、 前記エレクトロルミネッセンス層の面上に前記第2電極
を形成する工程とを有することを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法。
40. A method of manufacturing an electroluminescence device having a phase difference film, a first electrode, an electroluminescence layer, and a second electrode, wherein the step of forming the first electrode on a surface of the phase difference film A method of forming the electroluminescent layer on the surface of the retardation film; and a step of forming the second electrode on the surface of the electroluminescent layer. .
【請求項41】 前記位相差フィルムは樹脂であること
を特徴とする請求項40に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法。
41. The method according to claim 40, wherein the retardation film is a resin.
【請求項42】 前記第1電極はITO電極であること
を特徴とする請求項40に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法。
42. The method according to claim 40, wherein the first electrode is an ITO electrode.
【請求項43】 前記第1電極を形成する工程は、RF
マグネトロンスパッタ法で前記第1電極を形成する工程
であることを特徴とする請求項40に記載のエレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法。
43. The step of forming the first electrode comprises an RF
41. The method according to claim 40, wherein the step of forming the first electrode is performed by a magnetron sputtering method.
【請求項44】 前記第1電極を形成する工程は、DC
スパッタ法で前記第1電極を形成する工程であることを
特徴とする請求項40に記載のエレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法。
44. The step of forming the first electrode, comprising:
The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 40, wherein the step is a step of forming the first electrode by a sputtering method.
【請求項45】 前記第1電極を形成する工程は、イオ
ンプレーティング法で前記第1電極を形成する工程であ
ることを特徴とする請求項40に記載のエレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法。
45. The method according to claim 40, wherein the step of forming the first electrode is a step of forming the first electrode by an ion plating method.
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