JP2002176006A - Apparatus and method for laser processing - Google Patents

Apparatus and method for laser processing

Info

Publication number
JP2002176006A
JP2002176006A JP2000373631A JP2000373631A JP2002176006A JP 2002176006 A JP2002176006 A JP 2002176006A JP 2000373631 A JP2000373631 A JP 2000373631A JP 2000373631 A JP2000373631 A JP 2000373631A JP 2002176006 A JP2002176006 A JP 2002176006A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
solid
light source
beams
state laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000373631A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3530484B2 (en
Inventor
Kazunori Yamazaki
和則 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP2000373631A priority Critical patent/JP3530484B2/en
Publication of JP2002176006A publication Critical patent/JP2002176006A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3530484B2 publication Critical patent/JP3530484B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for laser processing capable of simply controlling a pulse shape of a laser beam and enhancing stability of a laser output. SOLUTION: A trigger signal is output from a control computer 60 to respective solid state laser units 21 to 24 at suitable timing, and laser beams L11 to L22 are emitted from the respective units 21 to 24 at a suitable time difference and polarizing surfaces. The respective beams L11 to L22 are coupled by a coupling optical system 30 to become two sets of the beams L1 and L2 slightly separately advanced in parallel. Both the beams L1 and L2 are enlarged in a beam diameter as retaining as a parallel luminous flux via a telescopic optical system 40, and spatially superposed. The beams L1 and L2 fed through the system 40 are disassembled into secondary light sources of 6×6 by a homogenizer 50, and superposed on a processing surface IS to be incident.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パルスレーザを用
いたレーザ加工装置及び方法、特に半導体薄膜のアニー
ルに適したレーザ加工装置及び方法に関する。
The present invention relates to a laser processing apparatus and method using a pulse laser, and more particularly to a laser processing apparatus and method suitable for annealing a semiconductor thin film.

【0002】[0002]

【従来の技術】アニーリング、リソグラフィ、ドーピン
グ等の半導体プロセスでは、光子エネルギーや微細化の
観点から有用として、紫外光が主に利用されている。
2. Description of the Related Art In semiconductor processes such as annealing, lithography, and doping, ultraviolet light is mainly used as useful from the viewpoint of photon energy and miniaturization.

【0003】半導体プロセスに利用される従来のレーザ
加工装置として、例えばエキシマレーザを用いて非晶質
Siを多結晶Siに変換するレーザアニール装置が知ら
れている。このようなレーザアニール装置では、高出力
のエキシマレーザからのパルスレーザを均一化光学系で
一旦分割するとともに同一サイズの均一ビームとして加
工面に重畳して照射することが行なわれている。
As a conventional laser processing apparatus used in a semiconductor process, a laser annealing apparatus for converting amorphous Si to polycrystalline Si using, for example, an excimer laser is known. In such a laser annealing apparatus, a pulse laser from a high-power excimer laser is once divided by a homogenizing optical system, and is irradiated as a uniform beam of the same size on a processing surface in a superimposed manner.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のようなレーザ加
工装置では、レーザビームのパルス波形をほとんど制御
することができないので、プロセスに対する自由度が小
さくなる。また、エキシマレーザの性能の限界から、レ
ーザ出力の安定性が低く(通常、±3%程度に達す
る)、この影響を受けてプロセス精度が悪化するという
傾向がある。また、エキシマレーザを組み込むことで、
装置の設置面積が増大せざるを得ず、省スペース化の要
求に応じることができない。さらに、エキシマレーザ
は、高価でありガス交換等のメンテナンスコストも大で
ある。
In the above-described laser processing apparatus, the pulse waveform of the laser beam can hardly be controlled, so that the degree of freedom for the process is reduced. Further, due to the limit of the performance of the excimer laser, the stability of the laser output is low (usually, about ± 3%), and the process accuracy tends to be deteriorated by this influence. In addition, by incorporating an excimer laser,
The installation area of the apparatus must be increased, and the demand for space saving cannot be met. Furthermore, excimer lasers are expensive and maintenance costs such as gas exchange are large.

【0005】そこで、本発明は、レーザビームのパルス
波形を簡易に制御することができ、しかも、レーザ出力
の安定性を高めることができ、省スペース化及びコスト
低減の要求にも応えることができるレーザ加工装置及び
方法を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention can easily control the pulse waveform of a laser beam, can increase the stability of laser output, and can meet the demand for space saving and cost reduction. An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus and method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るレーザ加工装置は、パルス状のレーザ
ビームを発生する複数の固体レーザ装置を有する光源装
置と、光源装置からの複数のレーザビームを重畳して対
象面に入射させる合成光学系と、複数の固体レーザ装置
の動作タイミングを調整して所定の時間的波形を有する
パルスを形成するタイミング調整装置とを備える。
In order to solve the above-mentioned problems, a laser processing apparatus according to the present invention comprises a light source device having a plurality of solid-state laser devices for generating a pulsed laser beam, and a plurality of light sources from the light source device. A composite optical system that superimposes a laser beam on a target surface and a timing adjustment device that adjusts the operation timing of the plurality of solid-state laser devices to form a pulse having a predetermined temporal waveform.

【0007】上記レーザ加工装置では、光源装置として
複数の固体レーザ装置を有するものを用いるので、レー
ザ出力の安定性を比較的高いものとすることができ、省
スペース化及びコスト低減を図ることができる。さら
に、タイミング調整装置によって複数の固体レーザ装置
の動作タイミングを調節しつつ合成光学系を用いて対象
面上に各レーザビームを重畳して入射させるので、固体
レーザでは従来比較的弱いとされてきたレーザ出力を見
かけ上増大させつつ任意のパルス形状を生成することが
できる。
In the laser processing apparatus, since a light source apparatus having a plurality of solid-state laser apparatuses is used, the stability of the laser output can be made relatively high, and space saving and cost reduction can be achieved. it can. Furthermore, since the respective laser beams are superimposed and incident on the target surface using the synthetic optical system while adjusting the operation timings of the plurality of solid-state laser devices by the timing adjustment device, the solid-state laser has conventionally been relatively weak. An arbitrary pulse shape can be generated while apparently increasing the laser output.

【0008】なお、固体レーザ装置は、比較的低波長の
レーザビームを発生するレーザ発振素子を備えるものと
し、このレーザ発振素子からのレーザビームを適当な高
調波発生器で目標値まで短波長化して出射させることが
できる。
The solid-state laser device is provided with a laser oscillation element for generating a laser beam having a relatively low wavelength, and the laser beam from this laser oscillation element is shortened to a target value by an appropriate harmonic generator. Out.

【0009】また、レーザ加工装置は、通常、加工の対
象であるワークを載置して3次元的に移動するステージ
と、上記光源装置及び合成光学系に対してステージを移
動させレーザビームをワークの対象面上で適当なタイミ
ング及び距離だけ移動させる駆動手段と、光源装置や駆
動手段を統括的に制御するコンピュータ装置とを備える
構造をとる。
A laser processing apparatus generally includes a stage on which a workpiece to be processed is mounted and three-dimensionally moved, and a stage which is moved with respect to the light source device and the synthesizing optical system to apply a laser beam to the workpiece. And a computer device for controlling the light source device and the driving device in an integrated manner.

【0010】また、本発明に係る別のレーザ加工装置
は、パルス状のレーザビームを発生する複数の固体レー
ザ装置を有する光源装置と、光源装置からの複数のレー
ザビームを重畳して対象面に入射させる合成光学系とを
備えるレーザ加工装置において、光源装置が、Nを自然
数として、直線偏光を発生する2N台の固体レーザ装置
を含むとともに、nをN以下の自然数として、所定偏光
面に設定された第(2n−1)番目の固体レーザ装置と
所定偏光面と異なる偏光面に設定された第(2n)番目
の固体レーザ装置とが、第n番目の光源ユニットを構成
し、合成光学系が、各光源ユニットから出射する一対の
レーザビームをそれぞれ結合してN組のレーザビームを
出射するN個の偏光ビームスプリッタと、N組のレーザ
ビームを束ねたレーザビームを複数のレーザビームに分
解するとともに分割されたレーザビームを略同一サイズ
の均一ビームとして対象面上に重畳して入射させる均一
化光学系とを備える。
Another laser processing apparatus according to the present invention comprises a light source device having a plurality of solid-state laser devices for generating a pulsed laser beam, and a plurality of laser beams from the light source device superimposed on a target surface. In a laser processing apparatus having a synthetic optical system for incidence, the light source device includes 2N solid-state laser devices that generate linearly polarized light, where N is a natural number, and n is a natural number less than or equal to N and is set to a predetermined polarization plane. The (2n-1) th solid-state laser device and the (2n) -th solid-state laser device set to a polarization plane different from the predetermined polarization plane constitute an nth light source unit, and the combining optical system There are N polarization beam splitters that combine a pair of laser beams emitted from each light source unit to emit N sets of laser beams, and a laser beam that bundles the N sets of laser beams. And a homogenizing optical system for incident superimposed on the target surface split laser beams as well as degrade the beam into a plurality of laser beams as a uniform beam of substantially the same size.

【0011】上記レーザ加工装置では、複数の固体レー
ザ装置を用いるので、レーザ出力の安定性を比較的高い
ものとすることができ、省スペース化及びコスト低減を
図ることができる。また、発生した複数のレーザビーム
を空間的に重ね合わせるので、レーザ出力を見かけ上増
大させたパルスを生成することができる。さらに、重ね
合わせた複数のレーザビームを分割後に略同一サイズの
均一ビームとして重畳して対象面に入射させるので、対
象面に入射するレーザビームの光量分布の均一性を確保
することができ、より均一なレーザ加工が可能になる。
さらに、上記レーザ加工装置では、光源装置が、偏光面
の異なる一対の固体レーザ装置からなる光源ユニットを
複数備え、合成光学系が、各光源ユニットから出射する
一対のレーザビームをそれぞれ結合してN組のレーザビ
ームを出射するN個の偏光ビームスプリッタと、N組の
レーザビームを束ねたレーザビームを複数のレーザビー
ムに分解するとともに分割されたレーザビームを略同一
サイズの均一ビームとして対象面上に重畳して入射させ
る均一化光学系とを備えるので、対象面に入射するレー
ザビームの偏光面の偏よりを低減しつつ光量分布の均一
性を確保することができ、さらに均一なレーザ加工が可
能になる。
In the laser processing apparatus, since a plurality of solid-state laser devices are used, the stability of the laser output can be made relatively high, and the space and cost can be reduced. Further, since a plurality of generated laser beams are spatially overlapped, a pulse whose laser output is apparently increased can be generated. Furthermore, since the plurality of superposed laser beams are divided and superimposed on the target surface as a uniform beam having substantially the same size after division, the uniformity of the light amount distribution of the laser beam incident on the target surface can be ensured. Uniform laser processing becomes possible.
Further, in the laser processing apparatus, the light source device includes a plurality of light source units each including a pair of solid-state laser devices having different polarization planes, and the combining optical system combines the pair of laser beams emitted from each of the light source units to N N polarized beam splitters for emitting a set of laser beams, a laser beam obtained by bundling the N sets of laser beams is decomposed into a plurality of laser beams, and the divided laser beams are formed as uniform beams of substantially the same size on a target surface. And a uniform optical system for superimposing the laser beam on the target surface, so that the uniformity of the light amount distribution can be secured while reducing the polarization of the polarization plane of the laser beam incident on the target surface, and more uniform laser processing can be performed. Will be possible.

【0012】上記装置の好ましい態様では、光源装置に
含まれる固体レーザ装置が、奇数台であり、光源ユニッ
トを構成しない固体レーザ装置が、円偏光のレーザビー
ムを合成光学系に入射させることを特徴とする。
In a preferred aspect of the above apparatus, the number of solid-state laser devices included in the light source device is an odd number, and the solid-state laser device that does not constitute the light source unit causes a circularly polarized laser beam to be incident on the synthetic optical system. And

【0013】上記レーザ加工装置では、光源ユニットを
構成しない固体レーザ装置が円偏光のレーザビームを合
成光学系に入射させるので、対象面に入射するレーザビ
ームの偏光特性の偏よりを低減することができる。
In the above-mentioned laser processing apparatus, since the solid-state laser device which does not constitute the light source unit causes the circularly polarized laser beam to be incident on the synthetic optical system, it is possible to reduce the polarization characteristic of the laser beam incident on the target surface more than the polarization. it can.

【0014】上記装置の好ましい態様では、光源ユニッ
トを構成しない固体レーザ装置が、直線偏光を円偏光に
変更する1/4波長板を備えることを特徴とする。この
場合、簡易に円偏光を得ることができる。
In a preferred embodiment of the above device, the solid-state laser device which does not constitute a light source unit is provided with a quarter-wave plate for changing linearly polarized light to circularly polarized light. In this case, circularly polarized light can be easily obtained.

【0015】上記装置の好ましい態様では、第(2n)
番目の固体レーザ装置が、レーザビームの偏光面を変更
する1/2波長板を備えることを特徴とする。この場
合、レーザビームの偏光面を簡易に直交方向に変更する
ことができる。
In a preferred embodiment of the above-mentioned apparatus, the (2n)
A second solid-state laser device is provided with a half-wave plate for changing a polarization plane of a laser beam. In this case, the polarization plane of the laser beam can be easily changed in the orthogonal direction.

【0016】上記装置の好ましい態様では、タイミング
調整装置が、複数のレーザビームを時系列的につないで
所定の時間的波形を有するパルスを形成することを特徴
とする。この場合、パルス波形を経時的に減衰するもの
とすることができ、冷却時間の制御が必要となるレーザ
アニーリング装置への応用に好適である。
In a preferred aspect of the above-described apparatus, the timing adjusting apparatus forms a pulse having a predetermined temporal waveform by connecting a plurality of laser beams in time series. In this case, the pulse waveform can be attenuated with time, which is suitable for application to a laser annealing device that requires control of the cooling time.

【0017】上記装置の好ましい態様では、固体レーザ
装置が、レーザビームの出射口に光路長を調整する光学
素子をそれぞれ備えることを特徴とする。この場合、対
象面上にスペックルパターンが発生して均一な加工の妨
げとなることを防止することができる。
In a preferred aspect of the above-mentioned device, the solid-state laser device is provided with an optical element for adjusting an optical path length at an emission port of a laser beam. In this case, it is possible to prevent a speckle pattern from being generated on the target surface and hindering uniform processing.

【0018】本発明に係るレーザ加工方法は、複数の固
体レーザ装置を準備してこれら複数の固体レーザ装置か
らパルス状のレーザビームを所定の時間差でそれぞれ発
生させる工程と、複数の固体レーザ装置からの複数のレ
ーザビームを空間的に重ね合わせる工程と、重ね合わせ
た複数のレーザビームを分割後に略同一サイズの均一ビ
ームとして重畳して対象面に入射させる工程とを備える
ことを特徴とする。
A laser processing method according to the present invention comprises the steps of preparing a plurality of solid-state laser devices and generating pulsed laser beams from the plurality of solid-state laser devices with a predetermined time difference; A step of spatially superposing the plurality of laser beams, and a step of superposing the plurality of superposed laser beams as a uniform beam of substantially the same size after division and incident the same on a target surface.

【0019】上記レーザ加工方法では、複数の固体レー
ザ装置を用いるので、レーザ出力の安定性を比較的高い
ものとすることができ、省スペース化及びコスト低減を
図ることができる。また、複数の固体レーザ装置からパ
ルス状のレーザビームを所定の時間差でそれぞれ発生さ
せるとともに、発生した複数のレーザビームを空間的に
重ね合わせるので、レーザ出力を見かけ上増大させつつ
任意のパルス形状を生成することができる。さらに、重
ね合わせた複数のレーザビームを分割後に略同一サイズ
の均一ビームとして重畳して対象面に入射させるので、
対象面に入射するレーザビームの光量分布の均一性を確
保することができ、より均一なレーザ加工が可能にな
る。
In the above-described laser processing method, since a plurality of solid-state laser devices are used, the stability of the laser output can be made relatively high, and the space and cost can be reduced. In addition, since pulsed laser beams are generated from a plurality of solid-state laser devices with a predetermined time difference, and the generated laser beams are spatially overlapped, an arbitrary pulse shape can be formed while apparently increasing the laser output. Can be generated. Furthermore, since a plurality of superposed laser beams are superimposed as a uniform beam of substantially the same size after division and incident on the target surface,
The uniformity of the light amount distribution of the laser beam incident on the target surface can be ensured, and more uniform laser processing can be performed.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】〔第1実施形態〕図1は、本発明
に係る第1実施形態のレーザ加工装置の構造を説明する
図である。
[First Embodiment] FIG. 1 is a view for explaining the structure of a laser processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【0021】このレーザ加工装置は、紫外域のレーザビ
ームを発生する4つの固体レーザ装置21〜24を備え
る光源装置20と、各固体レーザ装置21〜24から出
射したレーザビームを適宜結合して2組のレーザビーム
L1、L2を発生する結合光学系30と、結合光学系30
を経た2組のレーザビームL1、L2を拡大して空間的に
重ね合わせるテレスコープ光学系40と、テレスコープ
光学系40で重ね合わされたレーザビームL1、L2を複
数のレーザビームに分解するとともに分割されたレーザ
ビームを同一サイズの均一ビームとして加工面IS上に
重畳して入射させる均一化光学系であるホモジナイザ5
0と、光源装置20を構成する各固体レーザ装置21〜
24の動作タイミングを調整するタイミング調整装置で
ある制御用コンピュータ60とを備える。なお、結合光
学系30、テレスコープ光学系40、及びホモジナイザ
50は、合成光学系を構成する。
This laser processing apparatus comprises a light source device 20 having four solid-state laser devices 21 to 24 for generating a laser beam in the ultraviolet region, and a laser beam emitted from each of the solid-state laser devices 21 to 24 by appropriately combining them. A coupling optical system 30 for generating a pair of laser beams L1 and L2;
The telescope optical system 40 in which the two sets of laser beams L1 and L2 that have passed through are enlarged and superimposed spatially, and the laser beams L1 and L2 superimposed by the telescope optical system 40 are decomposed and divided into a plurality of laser beams. A homogenizer 5 which is a homogenizing optical system that superimposes the laser beam on the processing surface IS as a uniform beam of the same size and makes it incident.
0 and each of the solid-state laser devices 21 to 21 constituting the light source device 20.
24, and a control computer 60 which is a timing adjustment device for adjusting the operation timing. Note that the coupling optical system 30, the telescope optical system 40, and the homogenizer 50 constitute a combined optical system.

【0022】光源装置20は、同一構造の偶数の第1〜
4固体レーザ装置21〜24を備える。第1及び第2固
体レーザ装置21、22は、第1番目の光源ユニットを
構成し、第3及び第4固体レーザ装置23、24は、第
2番目の光源ユニットを構成する。各固体レーザ装置2
1〜24は、その本体がYZ面内に偏光面を有する直線
偏光を発生するように配置されているが、偶数番目の第
2及び第4固体レーザ装置22、24については、ビー
ム出射口の近傍に偏光面を90度回転させる1/2波長
板28、29を設けている。結果的に、第1及び第3固
体レーザ装置21、23から結合光学系30に入射する
レーザビームL11、L21は、YZ面内に偏光面を有する
直線偏光となり、第2及び第4固体レーザ装置22、2
4から結合光学系30に入射するレーザビームL12、L
22は、XZ面内に偏光面を有する直線偏光となる。
The light source device 20 includes an even number of first to light sources having the same structure.
Four solid-state laser devices 21 to 24 are provided. The first and second solid-state laser devices 21 and 22 constitute a first light source unit, and the third and fourth solid-state laser devices 23 and 24 constitute a second light source unit. Each solid-state laser device 2
1 to 24 are arranged so that the main body thereof generates linearly polarized light having a polarization plane in the YZ plane. However, for the even-numbered second and fourth solid-state laser devices 22 and 24, the beam exit ports Half-wave plates 28 and 29 for rotating the polarization plane by 90 degrees are provided in the vicinity. As a result, the laser beams L11 and L21 incident on the coupling optical system 30 from the first and third solid-state laser devices 21 and 23 become linearly polarized light having a polarization plane in the YZ plane, and the second and fourth solid-state laser devices 22, 2
4 and the laser beams L12 and L incident on the coupling optical system 30.
Reference numeral 22 denotes linearly polarized light having a plane of polarization in the XZ plane.

【0023】各固体レーザ装置21〜24は、波長約
1.053μmの直線偏光であるレーザ光を発生するY
LF等の固体レーザ素子26と、この固体レーザ素子2
6から出射されたレーザ光を3倍の高調波に高効率で変
換する高調波発生器である波長変換素子27とを備え
る。
Each of the solid-state laser devices 21 to 24 generates a Y-polarized laser beam having a wavelength of about 1.053 μm.
A solid-state laser element 26 such as LF;
And a wavelength conversion element 27 that is a harmonic generator that converts the laser light emitted from 6 into triple harmonics with high efficiency.

【0024】結合光学系30は、偏向用のターンミラー
31、32と、ビーム結合用の偏光ビームスプリッタ3
4とを備える。第1光源ユニットを構成する第1及び第
2固体レーザ装置21、22からのレーザビームL11、
L12は、ターンミラー31、32で偏向されて一方の偏
光ビームスプリッタ34の一対の入射面に入射し、ここ
で結合されてレーザビームL1となる。第2光源ユニッ
トを構成する第3及び第4固体レーザ装置23、24か
らのレーザビームL21、L22も、ターンミラー31、3
2で偏向されて他方の偏光ビームスプリッタ34の一対
の入射面に入射し、ここで結合されてレーザビームL2
となる。
The coupling optical system 30 includes a deflecting turn mirrors 31 and 32 and a beam combining polarization beam splitter 3.
4 is provided. Laser beams L11 from the first and second solid-state laser devices 21 and 22 constituting the first light source unit,
L12 is deflected by the turn mirrors 31 and 32 and is incident on a pair of incident surfaces of one of the polarization beam splitters 34, where they are combined to form a laser beam L1. The laser beams L21 and L22 from the third and fourth solid-state laser devices 23 and 24 constituting the second light source unit are also
2 and is incident on a pair of incident surfaces of the other polarizing beam splitter 34, where it is combined to form a laser beam L2.
Becomes

【0025】図2は、偏光ビームスプリッタ34の働き
を説明する図である。第1固体レーザ装置21からのレ
ーザビームL11は、P偏光として第1偏光ビームスプリ
ッタ34に入射して偏光分離面43aで反射され、第2
固体レーザ装置22からのレーザビームL12は、S偏光
として第1偏光ビームスプリッタ34に入射して偏光分
離面43aを通過する。これにより、両レーザビームL
11、L12が結合されて偏光方向に偏りのないランダム偏
光(自然偏光)状態のレーザビームL1となる。
FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the polarizing beam splitter 34. The laser beam L11 from the first solid-state laser device 21 enters the first polarization beam splitter 34 as P-polarized light, is reflected by the polarization separation surface 43a, and
The laser beam L12 from the solid-state laser device 22 enters the first polarization beam splitter 34 as S-polarized light and passes through the polarization splitting surface 43a. Thereby, both laser beams L
11 and L12 are combined to form a laser beam L1 in a randomly polarized (naturally polarized) state having no polarization in the polarization direction.

【0026】また、第3固体レーザ装置23からのレー
ザビームL21は、P偏光として第2偏光ビームスプリッ
タ34に入射して偏光分離面43aで反射され、第4固
体レーザ装置24からのレーザビームL22は、S偏光と
して第2偏光ビームスプリッタ34に入射して偏光分離
面43aを通過する。これにより、両レーザビームL2
1、L22が結合されて偏光方向に偏りのないランダム偏
光のレーザビームL2となる。
The laser beam L21 from the third solid-state laser device 23 enters the second polarization beam splitter 34 as P-polarized light, is reflected by the polarization separation surface 43a, and is reflected by the laser beam L22 from the fourth solid-state laser device 24. Enters the second polarization beam splitter 34 as S-polarized light and passes through the polarization splitting surface 43a. Thereby, both laser beams L2
1 and L22 are combined to form a randomly polarized laser beam L2 having no polarization in the polarization direction.

【0027】図1に戻って、テレスコープ光学系40
は、凹レンズ41と凸レンズ42とを備える。結合光学
系30を出射した2組のレーザビームL1、L2は、近接
して並進し、凹レンズ41を経て発散された後、凸レン
ズ42を平行光束にされる。この結果、各レーザビーム
L1、L2のビーム径が増大し、両レーザビームL1、L2
は、ほぼ全体に亘って空間的に重複して束ねられた状態
となる。両レーザビームL1、L2の拡大率は、ホモジナ
イザ50の開口サイズに合わせて適宜調整されている。
なお以上の説明では、テレスコープ光学系40を凹凸レ
ンズからなるガリレオタイプとしたが、テレスコープ光
学系40は、一対の凸レンズからなるケプラータイプと
することもでき、これによっても上記と同様に、各レー
ザビームL1、L2のビーム径を増大させつつこれらを空
間的に略重複させることができる。
Returning to FIG. 1, the telescope optical system 40
Includes a concave lens 41 and a convex lens 42. The two sets of laser beams L1 and L2 emitted from the coupling optical system 30 are translated in close proximity, diverged through a concave lens 41, and then converted into a parallel light beam by a convex lens 42. As a result, the beam diameter of each laser beam L1, L2 increases, and both laser beams L1, L2
Are in a state of being spatially overlapped and bundled over substantially the entirety. The magnification of both laser beams L1 and L2 is appropriately adjusted in accordance with the opening size of the homogenizer 50.
In the above description, the telescope optical system 40 is a Galileo type including concave and convex lenses. However, the telescope optical system 40 may be a Keplerian type including a pair of convex lenses. The laser beams L1, L2 can be spatially substantially overlapped while increasing the beam diameter.

【0028】ホモジナイザ50は、シリンドリカルレン
ズアレイCA1〜CA4によりレーザビームL1、L2を一
旦2次元的に分解して多数の2次光源を形成するととも
に、これらの2次光源を加工面IS上に重畳して入射さ
せ、レーザ照射の均一化を図る働きを有する。
The homogenizer 50 forms a large number of secondary light sources by once two-dimensionally decomposing the laser beams L1 and L2 by the cylindrical lens arrays CA1 to CA4, and superimposes these secondary light sources on the processing surface IS. And make the laser irradiation uniform.

【0029】図3は、ホモジナイザ50の構造をより詳
細に説明する図である。図からも明らかなように、ホモ
ジナイザ20は、第1〜第4シリンドリカルレンズアレ
イCA1〜CA4と、凸レンズのコンデンサレンズ52と
からなる。ここで、第1及び第3シリンドリカルレンズ
アレイCA1、CA3は、YZ断面に曲率を有し、第2及
び第4シリンドリカルレンズアレイCA2、CA4は、X
Z断面に曲率を有する。なおこの場合、ホモジナイザ2
0を4つのシリンドリカルレンズアレイで構成して被照
射面ISに投影されるビームサイズを各軸(X,Y)に
関して調整できるようにしているが、ビームサイズを可
変にする必要がなければ、ホモジナイザ20は、XZ断
面及びYZ断面にそれぞれ曲率を持つシリンドリカルレ
ンズアレイを一個ずつ用いた、計2枚のレンズアレイ構
成とすることもできる。
FIG. 3 is a diagram for explaining the structure of the homogenizer 50 in more detail. As is clear from the drawing, the homogenizer 20 includes first to fourth cylindrical lens arrays CA1 to CA4 and a condenser lens 52 as a convex lens. Here, the first and third cylindrical lens arrays CA1, CA3 have a curvature in the YZ section, and the second and fourth cylindrical lens arrays CA2, CA4 are X
It has a curvature in the Z section. In this case, the homogenizer 2
0 is composed of four cylindrical lens arrays so that the beam size projected on the irradiation surface IS can be adjusted for each axis (X, Y). However, if it is not necessary to make the beam size variable, a homogenizer is used. Reference numeral 20 may also be a two-lens array configuration using one cylindrical lens array having a curvature in each of the XZ section and the YZ section.

【0030】ホモジナイザ50に入射したレーザビーム
L1、L2は、第1及び第3シリンドリカルレンズアレイ
CA1、CA3によって、Y方向に関し、アレイを構成す
るセグメント数に対応して6分割される。また、レーザ
ビームL1、L2は、第2及び第4シリンドリカルレンズ
アレイCA2、CA4によって、X方向に関しても、アレ
イを構成するセグメント数に対応して6分割される。こ
の結果、6×6に分割された2次光源が形成される。分
割された2次光源からの光ビームは、コンデンサレンズ
21に入射する。コンデンサレンズ21に入射した各2
次光源からの光ビームは、コンデンサレンズ21のバッ
クフォーカス位置に配置された被照射面ISで重ね合わ
されて矩形領域を均一に照射する。なお以上の説明で
は、シリンドリカルレンズアレイCA1〜CA4を用いて
各軸(X,Y)に関してレーザビームを6分割している
が、分割数は任意である。分割数が多くなれば、通常形
成される均一ビームの均一度は向上するが、光量ロスが
逆に大きくなる。
The laser beams L1 and L2 incident on the homogenizer 50 are divided into six in the Y direction by the first and third cylindrical lens arrays CA1 and CA3 in accordance with the number of segments constituting the array. The laser beams L1 and L2 are also divided into six in the X direction by the second and fourth cylindrical lens arrays CA2 and CA4 in accordance with the number of segments constituting the arrays. As a result, a secondary light source divided into 6 × 6 is formed. The light beam from the split secondary light source enters the condenser lens 21. Each 2 incident on the condenser lens 21
The light beam from the next light source is superimposed on the irradiated surface IS arranged at the back focus position of the condenser lens 21 and uniformly irradiates the rectangular area. In the above description, the laser beam is divided into six parts for each axis (X, Y) using the cylindrical lens arrays CA1 to CA4, but the number of divisions is arbitrary. When the number of divisions increases, the uniformity of a normally formed uniform beam improves, but the loss of light amount increases.

【0031】なお、レーザビームL1、L2はY方向に位
置ずれを有しており、完全に重なり合っておらず、一部
がはみ出した状態となっている。しかし、ホモジナイザ
50からビームが溢れなければ、光量ロスは生じない。
この際、レーザビームL1、L2のY方向の位置ずれは、
第1シリンドリカルレンズアレイCA1の1セグメント
分の間隔とすることが望ましい。これにより、各セグメ
ント、特に上下両端のセグメントに入射するレーザビー
ムの空間的強度分布を均一にすることができる。
The laser beams L1 and L2 are displaced in the Y direction, are not completely overlapped, and are partly protruding. However, if the beam does not overflow from the homogenizer 50, no light amount loss occurs.
At this time, the displacement of the laser beams L1 and L2 in the Y direction is
It is desirable to set the interval for one segment of the first cylindrical lens array CA1. This makes it possible to make the spatial intensity distribution of the laser beam incident on each segment, in particular, the segments at both the upper and lower ends uniform.

【0032】図1に戻って、制御用コンピュータ60
は、光源装置20を構成する各固体レーザ装置21〜2
4にトリガ信号を出力することにより、これら固体レー
ザ装置21〜24の発振タイミングを調整する。これに
より、各固体レーザ装置21〜24からのレーザビーム
L11〜L22の出射タイミングが調整され、全体として1
つのパルス形状を形成することができる。
Returning to FIG. 1, the control computer 60
Are the solid-state laser devices 21 to 2 constituting the light source device 20.
The oscillation timing of these solid-state laser devices 21 to 24 is adjusted by outputting a trigger signal to the solid-state laser device 4. Thereby, the emission timing of the laser beams L11 to L22 from each of the solid-state laser devices 21 to 24 is adjusted, and the overall
One pulse shape can be formed.

【0033】図4は、レーザビームL11〜L22を適当な
時間差でつなげて1つのパルスを形成する方法を説明す
る図である。最初に、第1固体レーザ装置21からレー
ザビームL11が出射する。次に、遅延時間t1で、第2
固体レーザ装置22からレーザビームL12が出射する。
次に、遅延時間t2で、第3固体レーザ装置23からレ
ーザビームL21が出射する。次に、遅延時間t3で、第
4固体レーザ装置24からレーザビームL22が出射す
る。各レーザビームL11〜L22の強度や遅延時間t1〜
t3を適宜調節することにより、等価的に任意の波形を
有するパルスPLを形成することができる。このような
長いパルスPLによる加工は、冷却時間を制御する必要
があるレーザアニ−リング装置で特に有効な照射方法で
ある。
FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming one pulse by connecting the laser beams L11 to L22 with an appropriate time difference. First, a laser beam L11 is emitted from the first solid-state laser device 21. Next, at the delay time t1, the second
A laser beam L12 is emitted from the solid-state laser device 22.
Next, the laser beam L21 is emitted from the third solid-state laser device 23 at the delay time t2. Next, the laser beam L22 is emitted from the fourth solid-state laser device 24 at the delay time t3. The intensity of each of the laser beams L11 to L22 and the delay time t1 to
By appropriately adjusting t3, a pulse PL having an arbitrary waveform can be equivalently formed. Processing with such a long pulse PL is a particularly effective irradiation method in a laser annealing apparatus that needs to control the cooling time.

【0034】各レーザビームL11〜L22の強度は、各固
体レーザ装置21〜24の出力をフィルタを用いて減衰
させること等によって適宜調節可能である。遅延時間t
1〜t3は、制御用コンピュータ60から各固体レーザ装
置21〜24に供給するトリガ信号のタイミングによっ
て調整することができる。
The intensity of each of the laser beams L11 to L22 can be appropriately adjusted by, for example, attenuating the output of each of the solid-state laser devices 21 to 24 using a filter. Delay time t
1 to t3 can be adjusted by the timing of a trigger signal supplied from the control computer 60 to each of the solid-state laser devices 21 to 24.

【0035】以下、図1に示す第1実施形態のレーザ加
工装置の動作について説明する。まず、制御用コンピュ
ータ60から各固体レーザ装置21〜24に適当なタイ
ミングでトリガ信号を出力して、各固体レーザ装置21
〜24から適当な時間差及び偏光面でレーザビームL11
〜L22を出射させる。各レーザビームL11〜L22は、結
合光学系30で結合され、僅かに離れて並進する2組の
レーザビームL1、L2となる。両レーザビームL1、L2
は、テレスコープ光学系40を経て平行光束のままビー
ム径が拡大されて空間的に重ね合わされる。テレスコー
プ光学系40を経たレーザビームL1、L2は、ホモジナ
イザ50によって6×6の2次光源に分解され、加工面
IS上に重畳して入射する。
The operation of the laser processing apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 1 will be described below. First, a trigger signal is output from the control computer 60 to each of the solid-state laser devices 21 to 24 at an appropriate timing, so that each of the solid-state laser devices 21 to 24 is output.
Laser beam L11 with an appropriate time difference and polarization plane
To L22. The laser beams L11 to L22 are combined by the combining optical system 30, and become two sets of laser beams L1 and L2 that translate slightly away. Both laser beams L1, L2
Are transmitted through the telescope optical system 40, the beam diameter is enlarged as a parallel light beam, and spatially overlapped. The laser beams L1 and L2 that have passed through the telescope optical system 40 are decomposed into a 6 × 6 secondary light source by the homogenizer 50, and are incident on the processing surface IS in a superimposed manner.

【0036】この際、光源装置20として固体レーザ装
置21〜24を用いているので、エキシマレーザ等の気
体レーザを用いた場合に比較して、レーザ出力の安定性
が高まる(通常±1%程度以下)。よって、レーザビー
ムの強度及びパルス波形を安定したものとできる。ま
た、固体レーザ装置21〜24は、気体レーザ等に比較
して小型かつ安価であるので、レーザ加工装置の省スペ
ース化及びコスト低減を図ることができ、メンテナンス
も簡単かつ安価である。また、4つの固体レーザ装置2
1〜24からレーザビームL11〜L22を所定の時間差で
それぞれ発生させるとともに、発生した複数のレーザビ
ームL11〜L22を空間的に重ね合わせるので、レーザ出
力を見かけ上増大させつつ任意のパルス形状を生成する
ことができる。これにより、加工面ISおける照射面積
をある程度大きくすることができるとともに、プロセス
の自由度を高めることができる。また、ホモジナイザ5
0を用いて加工面ISに入射するレーザビームの光量分
布を均一なものとしているので、対象領域の均一なレー
ザ加工が可能になる。
At this time, since the solid-state laser devices 21 to 24 are used as the light source device 20, the stability of the laser output is increased as compared with the case where a gas laser such as an excimer laser is used (usually about ± 1%). Less than). Therefore, the intensity and pulse waveform of the laser beam can be stabilized. In addition, since the solid-state laser devices 21 to 24 are small and inexpensive as compared with a gas laser or the like, space saving and cost reduction of the laser processing device can be achieved, and maintenance is simple and inexpensive. In addition, four solid-state laser devices 2
The laser beams L11 to L22 are generated at predetermined time intervals from the laser beams 1 to 24, respectively, and the generated laser beams L11 to L22 are spatially overlapped, so that an arbitrary pulse shape is generated while apparently increasing the laser output. can do. Thereby, the irradiation area on the processing surface IS can be increased to some extent, and the degree of freedom of the process can be increased. In addition, homogenizer 5
Since 0 is used to make the light amount distribution of the laser beam incident on the processing surface IS uniform, it becomes possible to perform uniform laser processing of the target area.

【0037】以上説明した第1実施形態では、光源装置
20を構成する固体レーザ装置21〜24を4台とした
が、Nを任意の自然数として2N台(つまり任意の偶数
台)の固体レーザ装置によって光源装置を構成すること
ができる。この場合、nをN以下の自然数として、第
(2n−1)番目の固体レーザ装置からのレーザビーム
を例えばP偏光とし、第(2n)番目の固体レーザ装置
からのレーザビームをS偏光とする。結合光学系30で
は、これを構成するN個の偏光ビームスプリッタのうち
n番目のものを用いて第(2n−1)番目と第(2n)
番目の固体レーザ装置からの一対のレーザビームを結合
してランダム偏光とし、かかるランダム偏光のレーザビ
ームをN組得る。テレスコープ光学系40では、N組の
レーザビームをそれぞれ拡大して束ね、ホモジナイザ5
0では、束ねられたレーザビームを多数の2次光源に分
解して加工面IS上に重畳して均一に入射させる。
In the first embodiment described above, the number of the solid-state laser devices 21 to 24 constituting the light source device 20 is four, but 2N (that is, any even-numbered) solid-state laser devices where N is an arbitrary natural number. Thereby, a light source device can be configured. In this case, n is a natural number equal to or less than N, and the laser beam from the (2n-1) th solid-state laser device is, for example, P-polarized light, and the laser beam from the (2n) -th solid-state laser device is S-polarized light. . In the coupling optical system 30, the (2n-1) -th and (2n) -th polarization beam splitters using the n-th polarization beam splitter constituting the same are used.
A pair of laser beams from the second solid-state laser device are combined into random polarized light, and N sets of such randomly polarized laser beams can be obtained. In the telescope optical system 40, each of the N sets of laser beams is expanded and bundled, and the homogenizer 5
In the case of 0, the bundled laser beam is decomposed into a number of secondary light sources and superimposed on the processing surface IS so as to be uniformly incident.

【0038】このように多数の固体レーザ装置を用いて
光源装置を構成し、各固体レーザ装置の発振タイミング
等を調節するならば、等価的に生成できるパルスは、さ
らに長くなり、種々の波形を有するものとできる。 〔第2実施形態〕図5は、本発明に係る第2実施形態の
レーザ加工装置の構造を説明する図である。
If the light source device is constituted by using a large number of solid-state laser devices and the oscillation timing and the like of each solid-state laser device are adjusted, the pulses that can be equivalently generated become longer, and various waveforms are generated. It can have. [Second Embodiment] FIG. 5 is a view for explaining the structure of a laser processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【0039】第2実施形態のレーザ加工装置は、第1実
施形態の光源装置20を変形して3つの固体レーザ装置
21、22、123からなる光源装置120としたもの
であり、第1実施形態と共通する部分には同一の符号を
付して重複説明を省略する。
The laser processing apparatus according to the second embodiment is obtained by modifying the light source device 20 according to the first embodiment to form a light source device 120 including three solid-state laser devices 21, 22, and 123. The same reference numerals are given to the same parts as those described above, and redundant description will be omitted.

【0040】この場合、光源装置120は、第1及び第
2固体レーザ装置21、22のほか、適当な偏光面の直
線偏光を発生する第3固体レーザ装置123を備える。
第3固体レーザ装置123は、ビーム出射口の近傍に1
/4波長板129を設けている。これにより、結合光学
系130に入射するレーザビームL20は直線偏光から円
偏光に変換される。結合光学系130に入射したレーザ
ビームL20は、ターンミラー31、32を経て光路を変
更され、偏光ビームスプリッタ34で結合されたレーザ
ビームL1と近接して平行に進行することとなる。
In this case, the light source device 120 includes the first and second solid-state laser devices 21 and 22 and a third solid-state laser device 123 that generates linearly polarized light having an appropriate polarization plane.
The third solid-state laser device 123 is located near the beam exit port.
A 波長 wavelength plate 129 is provided. Thus, the laser beam L20 incident on the coupling optical system 130 is converted from linearly polarized light to circularly polarized light. The optical path of the laser beam L20 that has entered the coupling optical system 130 is changed through the turn mirrors 31 and 32, and travels in parallel with the laser beam L1 combined by the polarization beam splitter 34 in close proximity.

【0041】以上説明した第2実施形態では、ランダム
偏光を発生するための光源ユニット21、22を構成し
ない半端な第3固体レーザ装置123からのレーザビー
ムL20を円偏光に変換している。これは、加工面ISに
入射する偏光方向によって吸収率、反射率等に差が出る
ため、プロセス上の問題が発生する可能性があることを
考慮したものである。したがって、プロセス上直線偏光
でも問題がなければ、1/4波長板129を省略しても
よい。
In the second embodiment described above, the laser beam L20 from the odd third solid-state laser device 123 which does not constitute the light source units 21 and 22 for generating random polarized light is converted into circularly polarized light. This is in consideration of the fact that there is a possibility that a process problem may occur because a difference in the absorptance, the reflectivity, and the like occurs depending on the polarization direction incident on the processing surface IS. Therefore, if there is no problem with linearly polarized light in the process, the 直線 wavelength plate 129 may be omitted.

【0042】また、上記第2実施形態では、光源装置1
20を構成する固体レーザ装置を3台としたが、Nを任
意の自然数として2N+1台(つまり任意の奇数台)の
固体レーザ装置によって光源装置を構成することができ
る。この場合、2N台までは、光源装置120及び結合
光学系130を第1実施形態の光源装置及び結合光学系
と同様に配置・構成し、残りの1台の固体レーザ装置か
らの直線偏光は、1/4波長板129によって円偏光と
して、結合光学系130に入射させる。 〔第3実施形態〕図6は、第3実施形態のレーザ加工装
置の構造を説明する図である。第3実施形態の装置は、
第1実施形態のレーザ加工装置を組み込んだシステムで
ある。
In the second embodiment, the light source device 1
Although the number of solid-state laser devices constituting 20 is three, the light source device can be constituted by 2N + 1 (that is, any odd-numbered) solid-state laser devices, where N is an arbitrary natural number. In this case, up to 2N units, the light source device 120 and the coupling optical system 130 are arranged and configured similarly to the light source device and the coupling optical system of the first embodiment, and the linearly polarized light from the remaining one solid-state laser device is: The light is made to enter the coupling optical system 130 as circularly polarized light by the 波長 wavelength plate 129. [Third Embodiment] FIG. 6 is a view for explaining the structure of a laser processing apparatus according to a third embodiment. The device of the third embodiment is
This is a system incorporating the laser processing device of the first embodiment.

【0043】図示のレーザアニール装置は、アモルファ
ス状Si等の半導体薄膜を表面上に形成したガラス板で
あるワークWを載置して3次元的に滑らかに移動可能な
ステージ10と、ワークW上の半導体薄膜を加熱するた
め紫外域のレーザビームを発生する複数の固体レーザ装
置21〜24を内蔵する光源装置20と、各固体レーザ
装置21〜24からの複数のレーザビームを結合して束
ねる結合光学系30と、結合光学系30を経たレーザビ
ームを拡大して空間的に重ね合わせるテレスコープ光学
系40と、重ね合わされたレーザビームを複数のレーザ
ビームに分解するとともに同一サイズの均一ビームとし
て加工面IS上に重畳して入射させるホモジナイザ50
と、ワークWを載置したステージ10の位置を検出する
位置センサ70と、位置センサ70の検出結果に基づい
てステージ10をホモジナイザ50等に対して必要量だ
け適宜移動させる駆動手段であるステージ駆動装置80
と、レーザアニール装置全体の各部の動作を統括的に制
御するコンピュータ主制御装置160とを備える。
The illustrated laser annealing apparatus comprises a stage 10 on which a work W, which is a glass plate having a semiconductor thin film such as amorphous Si formed on the surface, is mounted and can be moved three-dimensionally and smoothly. A light source device 20 including a plurality of solid-state laser devices 21 to 24 for generating an ultraviolet laser beam for heating a semiconductor thin film, and a plurality of laser beams from each of the solid-state laser devices 21 to 24 are combined and bundled. An optical system 30, a telescope optical system 40 for enlarging and spatially superimposing the laser beam passing through the coupling optical system 30, and decomposing the superimposed laser beam into a plurality of laser beams and processing them as a uniform beam of the same size. Homogenizer 50 for superimposing and incident on surface IS
And a position sensor 70 for detecting the position of the stage 10 on which the work W is placed, and a stage drive as drive means for appropriately moving the stage 10 by a required amount with respect to the homogenizer 50 or the like based on the detection result of the position sensor 70. Device 80
And a computer main controller 160 for controlling the operation of each part of the entire laser annealing apparatus.

【0044】以下、図6の装置の動作について説明す
る。まず、レーザアニール装置のステージ10上にワー
クWを搬送して載置する。次に、ホモジナイザ50等の
照射光学系に対してステージ10をX軸方向に移動させ
ながら、照射光学系からのレーザビームLBをワークW
上に入射させる。これにより、レーザビームLBによる
ワークWの主走査が行われる。さらに、主走査の終了ご
とにステージ10をY軸方向にステップ移動させる副走
査を行なえば、ワークW全面のレーザアニ−ルが可能に
なる。なお、ホモジナイザ50等によって矩形ではなく
線状のレーザビームLBを形成すれば、ステージ10を
X軸方向に移動させるだけで、ワークW全面のレーザア
ニ−ルが可能になる。
The operation of the apparatus shown in FIG. 6 will be described below. First, the work W is transported and placed on the stage 10 of the laser annealing apparatus. Next, while moving the stage 10 in the X-axis direction with respect to the irradiation optical system such as the homogenizer 50, the work W is irradiated with the laser beam LB from the irradiation optical system.
Inject on top. Thus, the main scanning of the work W by the laser beam LB is performed. Further, by performing sub-scanning in which the stage 10 is moved stepwise in the Y-axis direction each time the main scanning is completed, laser annealing on the entire surface of the work W becomes possible. If a laser beam LB that is linear rather than rectangular is formed by the homogenizer 50 or the like, laser annealing on the entire surface of the work W can be performed simply by moving the stage 10 in the X-axis direction.

【0045】レーザビームLBの走査に際しては、各固
体レーザ装置21〜24の動作タイミングを調節するこ
とにより、経時的に所望の分布を有するパルス波形を形
成する。これにより、冷却時間の制御が可能になり、多
様なニーズに応えることができる。なお、連続する一対
のレーザビームLBの照射領域は、ステージ10の駆動
を適宜制御することによって適当量重複したものとする
こともできるが、隙間無くつなぎ合わせたものとするこ
ともできる。
At the time of scanning with the laser beam LB, a pulse waveform having a desired distribution with time is formed by adjusting the operation timing of each of the solid-state laser devices 21 to 24. As a result, the cooling time can be controlled, and various needs can be met. The irradiation areas of the continuous pair of laser beams LB can be overlapped by an appropriate amount by appropriately controlling the driving of the stage 10, but they can also be joined together without gaps.

【0046】以上、実施形態に即してこの発明を説明し
たが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば上記実施形態では、1/2波長板28、29
を用いて偏光面を回転させているが、第2及び第4固体
レーザ装置22、24自体をを光軸の回りに90度回転
させれば、1/2波長板28、29は不要となる。つま
り、何らかの方法で、レーザビームL11、L21の偏光面
と、レーザビームL12、L22の偏光面とを直交した状態
として結合光学系30に入射させればよい。
Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the half-wave plates 28 and 29
Is used to rotate the polarization plane, but if the second and fourth solid-state laser devices 22 and 24 themselves are rotated 90 degrees around the optical axis, the half-wave plates 28 and 29 become unnecessary. . That is, the polarization planes of the laser beams L11 and L21 and the polarization planes of the laser beams L12 and L22 may be made to enter the coupling optical system 30 in a state orthogonal to each other.

【0047】また、上記実施形態では、波長変換素子2
7とを用いて紫外光を発生しているが、それ自体で紫外
光を発生する固体レーザ素子26を用いるならば、波長
変換素子27を用いることによるエネルギー密度のロス
を低減することができる。
In the above embodiment, the wavelength conversion element 2
7, the ultraviolet light is generated. However, if the solid-state laser element 26 that generates the ultraviolet light by itself is used, the loss of energy density due to the use of the wavelength conversion element 27 can be reduced.

【0048】また、加工面IS上にレーザビームによっ
てスペックルパターンが形成されるような場合は、図7
に示すように、各固体レーザ装置21〜24の出射口に
光路長すなわち位相を調節する素子21a〜24aを設
けることができる。図示していないが、第2実施形態の
場合も各固体レーザ装置21、22、123の出射口に
光路長調節用の素子を配置することができる。各素子2
1a〜24aは、単なる石英ガラス板とすることがで
き、固体レーザ装置21〜24相互の位相を調整するこ
とにより、スペックルパターンを目立たなくすることが
できる。
In the case where a speckle pattern is formed by a laser beam on the processing surface IS, FIG.
As shown in (1), elements 21a to 24a for adjusting the optical path length, that is, the phase, can be provided at the emission ports of the solid-state laser devices 21 to 24. Although not shown, in the case of the second embodiment, an element for adjusting the optical path length can be arranged at the exit of each of the solid-state laser devices 21, 22, 123. Each element 2
1a to 24a can be simply quartz glass plates, and the speckle patterns can be made inconspicuous by adjusting the phases of the solid-state laser devices 21 to 24.

【0049】また、上記実施形態のレーザ加工装置は、
液晶や半導体のレーザアニ−リング装置としてのみ使用
されるものではなく、多様な材料の表面改質その他の様
々な加工に応用可能である。
Further, the laser processing apparatus of the above embodiment is
It is not only used as a laser annealing device for liquid crystals or semiconductors, but can be applied to surface modification of various materials and other various processes.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のレーザ加工装置によれば、レーザ出力の安定性を比較
的高いものとすることができ、省スペース化及びコスト
低減を図ることができる。さらに、レーザ出力を見かけ
上増大させつつ任意のパルス形状を生成することができ
る。
As is clear from the above description, according to the laser processing apparatus of the present invention, the stability of the laser output can be made relatively high, and the space and cost can be reduced. it can. Furthermore, an arbitrary pulse shape can be generated while apparently increasing the laser output.

【0051】また、本発明の別のレーザ加工装置によれ
ば、レーザ出力の安定性を比較的高いものとすることが
でき、省スペース化及びコスト低減を図ることができ
る。さらに、レーザ出力を見かけ上増大さたパルスを生
成することができ、しかも、より均一なレーザ加工が可
能になる。
Further, according to another laser processing apparatus of the present invention, the stability of the laser output can be made relatively high, and the space can be saved and the cost can be reduced. Furthermore, an apparently increased pulse of the laser output can be generated, and more uniform laser processing can be performed.

【0052】また、本発明のレーザ加工方法によって
も、レーザ出力の安定性を比較的高いものとすることが
でき、省スペース化及びコスト低減を図ることができ
る。また、レーザ出力を見かけ上増大させつつ任意のパ
ルス形状を生成することができる。さらに、対象面に入
射するレーザビームの光量分布の均一性を確保すること
ができ、より均一なレーザ加工が可能になる。
Also, according to the laser processing method of the present invention, the stability of the laser output can be made relatively high, and the space can be saved and the cost can be reduced. Also, an arbitrary pulse shape can be generated while apparently increasing the laser output. Furthermore, the uniformity of the light amount distribution of the laser beam incident on the target surface can be ensured, and more uniform laser processing can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施形態のレーザ加工装置の構造を説明す
る図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a structure of a laser processing apparatus according to a first embodiment.

【図2】結合光学系を構成する偏光ビームスプリッタの
働きを説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating the operation of a polarization beam splitter that forms a coupling optical system.

【図3】ホモジナイザの構造を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of a homogenizer.

【図4】加工面上に投影されるレーザビームの合成パル
ス波形を説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a combined pulse waveform of a laser beam projected on a processing surface.

【図5】第2実施形態のレーザ加工装置の構造を説明す
る図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a structure of a laser processing apparatus according to a second embodiment.

【図6】第3実施形態のレーザアニール装置の構造を説
明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a structure of a laser annealing apparatus according to a third embodiment.

【図7】第1実施形態のレーザ加工装置の変形を説明す
る図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a modification of the laser processing apparatus according to the first embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ステージ 20 ホモジナイザ 20 光源装置 21〜24 固体レーザ装置 26 固体レーザ素子 27 波長変換素子 28,29 1/2波長板 30 結合光学系 34 偏光ビームスプリッタ 40 テレスコープ光学系 50 ホモジナイザ 60 制御用コンピュータ Reference Signs List 10 stage 20 homogenizer 20 light source device 21-24 solid-state laser device 26 solid-state laser device 27 wavelength conversion device 28,29 wavelength plate 30 coupling optical system 34 polarization beam splitter 40 telescope optical system 50 homogenizer 60 computer for control

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B23K 101:40 B23K 101:40 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // B23K 101: 40 B23K 101: 40

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パルス状のレーザビームを発生する複数
の固体レーザ装置を有する光源装置と、 前記光源装置からの複数のレーザビームを重畳して対象
面に入射させる合成光学系と、 前記複数の固体レーザ装置の動作タイミングを調整して
所定の時間的波形を有するパルスを形成するタイミング
調整装置と、を備えるレーザ加工装置。
A light source device having a plurality of solid-state laser devices for generating a pulsed laser beam; a combining optical system for superimposing a plurality of laser beams from the light source device on a target surface; A timing adjusting device that adjusts operation timing of the solid-state laser device to form a pulse having a predetermined temporal waveform.
【請求項2】 パルス状のレーザビームを発生する複数
の固体レーザ装置を有する光源装置と、前記光源装置か
らの複数のレーザビームを重畳して対象面に入射させる
合成光学系と、を備えるレーザ加工装置において、 前記光源装置は、Nを自然数として、直線偏光を発生す
る2N台の固体レーザ装置を含むとともに、nをN以下
の自然数として、所定偏光面に設定された第(2n−
1)番目の固体レーザ装置と前記所定偏光面と異なる偏
光面に設定された第(2n)番目の固体レーザ装置と
は、第n番目の光源ユニットを構成し、前記合成光学系
は、各光源ユニットから出射する一対のレーザビームを
それぞれ結合してN組のレーザビームを出射するN個の
偏光ビームスプリッタと、前記N組のレーザビームを束
ねたレーザビームを複数のレーザビームに分解するとと
もに分割されたレーザビームを略同一サイズの均一ビー
ムとして前記対象面上に重畳して入射させる均一化光学
系とを備えることを特徴とするレーザ加工装置。
2. A laser comprising: a light source device having a plurality of solid-state laser devices for generating a pulsed laser beam; and a combining optical system for superimposing a plurality of laser beams from the light source device on a target surface. In the processing apparatus, the light source device includes 2N solid-state laser devices that generate linearly polarized light, where N is a natural number, and that n is a natural number equal to or less than N and is set to a predetermined polarization plane (2n−
The 1) -th solid-state laser device and the (2n) -th solid-state laser device set to a polarization plane different from the predetermined polarization plane constitute an n-th light source unit, and the combining optical system includes: N polarization beam splitters for combining a pair of laser beams emitted from the unit to emit N sets of laser beams, and decomposing and dividing the laser beam obtained by combining the N sets of laser beams into a plurality of laser beams A laser beam processing apparatus, comprising: a homogenizing optical system that superimposes the applied laser beam as a uniform beam of substantially the same size on the target surface.
【請求項3】 前記光源装置に含まれる前記固体レーザ
装置は、奇数台であり、前記光源ユニットを構成しない
固体レーザ装置は、円偏光のレーザビームを前記合成光
学系に入射させることを特徴とする請求項2記載のレー
ザ加工装置。
3. The solid-state laser device included in the light source device is an odd number, and the solid-state laser device that does not constitute the light source unit causes a circularly polarized laser beam to be incident on the synthetic optical system. The laser processing apparatus according to claim 2, wherein
【請求項4】 前記光源ユニットを構成しない固体レー
ザ装置は、直線偏光を円偏光に変更する1/4波長板を
備えることを特徴とする請求項3記載のレーザ加工装
置。
4. The laser processing apparatus according to claim 3, wherein the solid-state laser device that does not form the light source unit includes a quarter-wave plate that changes linearly polarized light to circularly polarized light.
【請求項5】 前記第(2n)番目の固体レーザ装置
は、レーザビームの偏光面を変更する1/2波長板を備
えることを特徴とする請求項2から4のいずれか記載の
レーザ加工装置。
5. The laser processing apparatus according to claim 2, wherein the (2n) th solid-state laser device includes a half-wave plate for changing a polarization plane of the laser beam. .
【請求項6】 前記レーザ加工装置は、前記複数の固体
レーザ装置の動作タイミングを調整して所定の時間的波
形を有するパルスを形成するタイミング調整装置を備え
ることを特徴とする請求項2から5のいずれか記載のレ
ーザ加工装置。
6. The laser processing apparatus according to claim 2, further comprising a timing adjustment device that adjusts operation timings of the plurality of solid-state laser devices to form a pulse having a predetermined temporal waveform. The laser processing apparatus according to any one of the above.
【請求項7】 前記タイミング調整装置は、前記複数の
レーザビームを時系列的につないで所定の時間的波形を
有するパルスを形成することを特徴とする請求項1及び
6のいずれか記載のレーザ加工装置。
7. The laser according to claim 1, wherein the timing adjusting device connects the plurality of laser beams in time series to form a pulse having a predetermined temporal waveform. Processing equipment.
【請求項8】 前記固体レーザ装置は、レーザビームの
出射口に光路長を調整する光学素子をそれぞれ備えるこ
とを特徴とする請求項1から7のいずれか記載のレーザ
加工装置。
8. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the solid-state laser device includes an optical element for adjusting an optical path length at a laser beam emission port.
【請求項9】 複数の固体レーザ装置を準備して当該複
数の固体レーザ装置からパルス状のレーザビームを所定
の時間差でそれぞれ発生させる工程と、 前記複数の固体レーザ装置からの複数のレーザビームを
空間的に重ね合わせる工程と、 重ね合わせた前記複数のレーザビームを分割後に略同一
サイズの均一ビームとして重畳して対象面に入射させる
工程と、を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
9. A step of preparing a plurality of solid-state laser devices and generating a pulsed laser beam from each of the plurality of solid-state laser devices with a predetermined time difference; A laser processing method comprising: a step of spatially superposing; and a step of dividing the superposed laser beams into a uniform beam having substantially the same size after division and causing the laser beam to enter a target surface.
JP2000373631A 2000-12-08 2000-12-08 Laser processing apparatus and method Expired - Lifetime JP3530484B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000373631A JP3530484B2 (en) 2000-12-08 2000-12-08 Laser processing apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000373631A JP3530484B2 (en) 2000-12-08 2000-12-08 Laser processing apparatus and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002176006A true JP2002176006A (en) 2002-06-21
JP3530484B2 JP3530484B2 (en) 2004-05-24

Family

ID=18842981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000373631A Expired - Lifetime JP3530484B2 (en) 2000-12-08 2000-12-08 Laser processing apparatus and method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3530484B2 (en)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004042806A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-21 Sony Corporation Light irradiator and light irradiating method
JP2004342954A (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Laser annealing method and its apparatus
JP2005045209A (en) * 2003-07-09 2005-02-17 Mitsubishi Electric Corp Laser annealing method
JP2006253571A (en) * 2005-03-14 2006-09-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Laser emission apparatus and method therefor, and laser anneal apparatus and method therefor
JP2008522421A (en) * 2004-12-01 2008-06-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー Projection exposure system, beam transmission system, and light beam generation method
JP2008218637A (en) * 2007-03-02 2008-09-18 Ulvac Japan Ltd Laser annealing apparatus and laser annealing method
JP2009160613A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Sumitomo Heavy Ind Ltd Method and apparatus for irradiating laser beam
JP2011014914A (en) * 2010-07-20 2011-01-20 Emd:Kk Impurity activation method, and semiconductor device manufacturing method
WO2012004903A1 (en) * 2010-07-05 2012-01-12 株式会社日本製鋼所 Laser annealing device and laser annealing method
WO2012090519A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-05 オムロン株式会社 Laser processing device and laser processing method
WO2012090520A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-05 オムロン株式会社 Laser processing device and laser processing method
WO2014108139A1 (en) * 2013-01-09 2014-07-17 Universität Stuttgart Optical rotating device for injecting a laser beam and method for positioning a laser beam
KR20150060743A (en) 2012-10-05 2015-06-03 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 Method for manufacturing crystalline semiconductor and device for manufacturing crystalline semiconductor
WO2015151177A1 (en) * 2014-03-31 2015-10-08 ギガフォトン株式会社 Laser system or laser exposure system
WO2016006099A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-14 ギガフォトン株式会社 Laser system
CN107112707A (en) * 2015-06-10 2017-08-29 株式会社菲尔光学 Line beam forming apparatus
US10092979B2 (en) 2015-12-25 2018-10-09 Gigaphoton Inc. Laser irradiation apparatus
KR20190033477A (en) 2016-07-26 2019-03-29 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 Laser annealing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and method of crystallizing amorphous silicon

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004042806A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-21 Sony Corporation Light irradiator and light irradiating method
JP2004342954A (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Laser annealing method and its apparatus
JP2005045209A (en) * 2003-07-09 2005-02-17 Mitsubishi Electric Corp Laser annealing method
JP2008522421A (en) * 2004-12-01 2008-06-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー Projection exposure system, beam transmission system, and light beam generation method
JP2006253571A (en) * 2005-03-14 2006-09-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Laser emission apparatus and method therefor, and laser anneal apparatus and method therefor
JP2008218637A (en) * 2007-03-02 2008-09-18 Ulvac Japan Ltd Laser annealing apparatus and laser annealing method
JP2009160613A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Sumitomo Heavy Ind Ltd Method and apparatus for irradiating laser beam
WO2012004903A1 (en) * 2010-07-05 2012-01-12 株式会社日本製鋼所 Laser annealing device and laser annealing method
KR101613136B1 (en) * 2010-07-05 2016-04-18 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 Laser annealing device and laser annealing method
JP2012015445A (en) * 2010-07-05 2012-01-19 Japan Steel Works Ltd:The Laser anneal processing unit and laser anneal processing method
TWI508144B (en) * 2010-07-05 2015-11-11 Japan Steel Works Ltd Apparatus and method for laser anneal treatment
US9245757B2 (en) 2010-07-05 2016-01-26 The Japan Steel Works, Ltd Laser annealing treatment apparatus and laser annealing treatment method
JP2011014914A (en) * 2010-07-20 2011-01-20 Emd:Kk Impurity activation method, and semiconductor device manufacturing method
WO2012090519A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-05 オムロン株式会社 Laser processing device and laser processing method
WO2012090520A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-05 オムロン株式会社 Laser processing device and laser processing method
KR20150060743A (en) 2012-10-05 2015-06-03 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 Method for manufacturing crystalline semiconductor and device for manufacturing crystalline semiconductor
WO2014108139A1 (en) * 2013-01-09 2014-07-17 Universität Stuttgart Optical rotating device for injecting a laser beam and method for positioning a laser beam
US9601897B2 (en) 2013-01-09 2017-03-21 Universitaet Stuttgart Optical rotating device for injecting a laser beam and method for positioning a laser beam
WO2015151177A1 (en) * 2014-03-31 2015-10-08 ギガフォトン株式会社 Laser system or laser exposure system
JPWO2015151177A1 (en) * 2014-03-31 2017-04-13 ギガフォトン株式会社 Laser system or laser exposure system
US10495890B2 (en) 2014-03-31 2019-12-03 Gigaphoton Inc. Laser system or laser exposure system
WO2016006099A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-14 ギガフォトン株式会社 Laser system
JPWO2016006099A1 (en) * 2014-07-11 2017-04-27 ギガフォトン株式会社 Laser system
CN107112707A (en) * 2015-06-10 2017-08-29 株式会社菲尔光学 Line beam forming apparatus
JP2018505568A (en) * 2015-06-10 2018-02-22 フィルオプティクス・カンパニー・リミテッドPhiloptics Co., Ltd. Line beam forming device
US10092979B2 (en) 2015-12-25 2018-10-09 Gigaphoton Inc. Laser irradiation apparatus
KR20190033477A (en) 2016-07-26 2019-03-29 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 Laser annealing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and method of crystallizing amorphous silicon
US11187953B2 (en) 2016-07-26 2021-11-30 The Japan Steel Works, Ltd. Laser processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and amorphous silicon crystallization method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3530484B2 (en) 2004-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3530484B2 (en) Laser processing apparatus and method
US11440136B2 (en) Method and device for shaping radiation for laser processing
TWI425319B (en) Illumination optics for a microlithographic projection exposure apparatus
JP4322359B2 (en) Laser processing equipment
WO2015166910A1 (en) Pattern drawing device, pattern drawing method, device manufacturing method, laser light source device, beam scanning device, and beam scanning method
KR102013479B1 (en) Illumination system for an euv projection lithographic projection exposure apparatus
US20050224469A1 (en) Efficient micro-machining apparatus and method employing multiple laser beams
JP2007027732A (en) Stage equipment, lithography equipment, and device manufacturing method
US20060114948A1 (en) Workpiece processing system using a common imaged optical assembly to shape the spatial distributions of light energy of multiple laser beams
KR20040063079A (en) Beam irradiator and laser anneal device
CN112666804B (en) Edge light inhibition array parallel direct writing device based on interference lattice and DMD
US9477025B2 (en) EUV light source for generating a used output beam for a projection exposure apparatus
JP2002224877A (en) Device for converting distribution of intensity of laser beam, device and method for generating laser beam, and method for recrystallizing silicon layer
KR100973036B1 (en) High peak power laser cavity and assembly of several such cavities
US20240207973A1 (en) Variable-pulse-width flat-top laser device and operating method therefor
EP2915007B1 (en) Euv light source for generating a usable output beam for a projection exposure apparatus
CN107924827B (en) Fiber laser based system for uniform crystallization of amorphous silicon substrates
KR100900164B1 (en) High-peak-power laser device and application to the generation of light in the extreme ultraviolet
JP2001023919A (en) Precisely variable rectangular double beam optical system
US7342644B2 (en) Methods and systems for lithographic beam generation
JP2017148853A (en) Optical processing device and optical processing method
JP2012028569A (en) Optical axis adjustment method and laser processing device
JP2008177372A (en) Line beam forming method, line beam forming device, and laser processing apparatus having the device
JP2006100567A (en) Laser irradiation method, laser irradiation device and laser annealing method
JP2002025933A (en) Beam homogenizer and semiconductor thin film generating method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20031225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3530484

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305

Year of fee payment: 10

S802 Written request for registration of partial abandonment of right

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term