JP2002164717A - Laminated balun transformer and communication apparatus - Google Patents

Laminated balun transformer and communication apparatus

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徹 山田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To overcome the problem of a prior art such that it is impossible to obtain any satisfactory characteristics in a balun transformer in a laminated structure in a balun transformer to be used for a high frequency band such as a UHF band. SOLUTION: This laminated balun transformer is provided with a laminated body constituted of dielectric 101a-101f and a plurality of pairs of electromagnetically connected strip line conductors installed in the laminate. Strip line conductors 104 and 106, 105 and 107 constituting the pairs of strip line conductors are respectively provided with the same line length and lien width, and the plurality of pairs of strip line conductors are provided with different line length.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の携帯用送受信器等に、インピーダンス変換器や
平衡伝送線路の信号及び不平衡伝送線路の信号を相互に
変換するための信号変換器あるいは位相変換器等として
用いられる積層型バラントランスに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal converter for mutually converting an impedance converter, a signal on a balanced transmission line, and a signal on an unbalanced transmission line into a portable transceiver such as a portable telephone or a car telephone. The present invention relates to a multilayer balun transformer used as a transformer or a phase converter.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、通信機器の小型化に伴い、小型・
高性能なバラントランスが要求されている。バラントラ
ンスとは平衡−不平衡変換器、すなわち、平衡伝送線路
の信号及び不平衡伝送線路の信号を相互に変換するため
のもである。以下に図面を参照しながら、上記した従来
のバラントランスの一例について説明する。
2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of communication equipment, the size of
High-performance balun transformers are required. A balun transformer is a balanced-unbalanced converter, that is, a converter for converting a signal on a balanced transmission line and a signal on an unbalanced transmission line into each other. Hereinafter, an example of the above-mentioned conventional balun transformer will be described with reference to the drawings.

【0003】従来、高周波回路における平衡−不平衡変
換器として、図8に示すのようなフェライト等の磁性体
コア504に導線を巻回し、501を不平衡端子、50
2、503を平衡端子とした構造のバラントランスが用
いられていたが、この構造のバラントランスは、例えば
UHF帯以上の高周波帯域では変換損失が大きく、小型
化にも限界がある。そこで、このような周波数帯に対し
ては、図9のような同軸構造のバラントランスが用いら
れてきた。
Conventionally, as a balanced-unbalanced converter in a high-frequency circuit, a conductor is wound around a magnetic core 504 such as a ferrite as shown in FIG.
A balun transformer having a structure in which 2,503 is a balanced terminal has been used. However, a balun transformer having this structure has a large conversion loss in a high-frequency band equal to or higher than the UHF band, and there is a limit to miniaturization. Therefore, for such a frequency band, a balun transformer having a coaxial structure as shown in FIG. 9 has been used.

【0004】図9において、601は入力端子、602
は同相出力端子、603は逆相出力端子を示し、604
は1/4波長同軸線路である。入力端子601に入力さ
れた高周波信号の電力はその半分が同相出力端子602
に出力され、残りの半分は逆相出力端子603に出力さ
れる。ここで、同相出力端子602に出力された信号と
逆相出力端子603に出力された信号とでは180°位
相が異なっている。すなわち、入力端子601は不平衡
端子として、同相出力端子602と逆相出力端子603
は平衡端子として作用し、平衡端子間の信号は理想的に
は位相差180°、振幅差0dBとなる。
In FIG. 9, reference numeral 601 denotes an input terminal;
Indicates an in-phase output terminal, 603 indicates an in-phase output terminal, and 604 indicates
Is a 1/4 wavelength coaxial line. Half of the power of the high-frequency signal input to the input terminal 601 is the in-phase output terminal 602.
, And the other half is output to the opposite-phase output terminal 603. Here, the signal output to the in-phase output terminal 602 and the signal output to the opposite-phase output terminal 603 have a 180 ° phase difference. That is, the input terminal 601 is an unbalanced terminal, and the in-phase output terminal 602 and the opposite-phase output terminal 603
Acts as a balanced terminal, and the signal between the balanced terminals ideally has a phase difference of 180 ° and an amplitude difference of 0 dB.

【0005】また、図10に示す特開平7−17691
8のような積層型バラントランスも提案されている。こ
の構造は、シールド導体702a、702bに挟まれた
誘電体701内部に1/2波長ストリップ線路704を
形成し、このストリップ線路704と対向するように2
本の1/4波長ストリップ線路705a、705bを並
設しており、ストリップ線路705a、705bはそれ
ぞれストップ線路704の左側部704a、右側部70
4bと電磁結合している。
[0005] Further, Japanese Patent Laid-Open No. 7-17691 shown in FIG.
8 has also been proposed. In this structure, a 波長 wavelength strip line 704 is formed inside a dielectric 701 sandwiched between shield conductors 702a and 702b, and
1 / wavelength strip lines 705 a and 705 b are provided side by side, and the strip lines 705 a and 705 b are respectively a left portion 704 a and a right portion 70 of the stop line 704.
4b.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成は、同軸構造のバラントランスの設計手法を用
いており、積層構造では必ずしも良好な振幅差、位相差
を得られているわけではなく、しかも挿入損失の改善を
行うことができないという問題点を有していた。この場
合、2組の結合線路の結合度及び線路長を調整する必要
があるが、定量的な調整方法は明らかにされていなかっ
た。
However, the above-described structure uses a design method of a balun transformer having a coaxial structure, and a good amplitude difference and a phase difference are not always obtained in a laminated structure. In addition, there is a problem that the insertion loss cannot be improved. In this case, it is necessary to adjust the degree of coupling and the line length of the two sets of coupled lines, but no quantitative adjustment method has been disclosed.

【0007】本発明は上記問題点に鑑み、積層構造によ
る小型、高性能なバラントランスを提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a compact and high-performance balun transformer having a laminated structure.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第1の本発明(請求項1に対応)は、誘電体から
構成された積層体と、前記積層体内に設けられた複数
の、互いに電磁結合するストリップ線路導体対とを備
え、前記ストリップ線路導体対を構成するストリップ線
路導体は互いに同一の線路長および線路幅を有し、前記
複数のストリップ線路導体対は、互いに異なる線路長を
有することを特徴とする積層型バラントランスである。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention (corresponding to claim 1) is to provide a laminate comprising a dielectric and a plurality of laminates provided in the laminate. A pair of stripline conductors electromagnetically coupled to each other, wherein the stripline conductors forming the stripline conductor pair have the same line length and line width, and the plurality of stripline conductor pairs are different from each other. This is a laminated balun transformer having a length.

【0009】また、第2の本発明(請求項2に対応)
は、前記2組のストリップ線路導体対の一方を構成する
第1のストリップ線路導体および第2のストリップ線路
導体と、前記2組のストリップ線路導体対の他方を構成
する第3のストリップ線路導体および第4のストリップ
線路導体と、前記第1のストリップ線路導体の一端に設
けられた入力端子と、前記第2のストリップ線路導体の
一端に設けられた第1の出力端子と、前記第4のストリ
ップ線路導体の一端に設けられた第2の出力端子とを備
え、前記誘電体は積層された複数の誘電体シートから構
成され、前記第1のストリップ線路導体および第3のス
トリップ線路導体は第1の誘電体シートの一主面上に形
成され、前記第1のストリップ線路導体の他端は前記第
3のストリップ線路導体の一端と結合し、前記第2のス
トリップ線路導体の他端および前記第4のストリップ線
路導体の他端は接地し、前記入力端子、前記第1の出力
端子および前記第2の出力端子は、前記誘電体の側面に
露出しており、前記第1のストリップ線路導体と第2の
ストリップ線路導体が電磁結合する部分の線路長は、前
記第3のストリップ線路導体と第4のストリップ線路導
体が電磁結合する部分の線路長より短いことを特徴とす
る上記本発明である。
Further, the second invention (corresponding to claim 2)
A first stripline conductor and a second stripline conductor forming one of the two sets of stripline conductor pairs, a third stripline conductor forming the other of the two sets of stripline conductor pairs, and A fourth stripline conductor, an input terminal provided at one end of the first stripline conductor, a first output terminal provided at one end of the second stripline conductor, and the fourth strip A second output terminal provided at one end of the line conductor, wherein the dielectric is composed of a plurality of laminated dielectric sheets, and the first stripline conductor and the third stripline conductor are formed of the first stripline conductor. The other end of the first stripline conductor is coupled to one end of the third stripline conductor, and the other end of the second stripline conductor is formed on one main surface of the dielectric sheet. The other end and the other end of the fourth stripline conductor are grounded, and the input terminal, the first output terminal, and the second output terminal are exposed on a side surface of the dielectric, and Wherein the line length of the portion where the third strip line conductor and the second strip line conductor are electromagnetically coupled is shorter than the line length of the portion where the third strip line conductor and the fourth strip line conductor are electromagnetically coupled. This is the present invention.

【0010】また、第3の本発明(請求項3に対応)
は、前記第1のストリップ線路導体および第2のストリ
ップ線路導体の線路長を約3/25波長、前記第3のス
トリップ線路導体および第4のストリップ線路導体の線
路長を約17/100波長としたことを特徴とする上記
本発明である。
Further, the third invention (corresponding to claim 3)
The line lengths of the first stripline conductor and the second stripline conductor are set to about 3/25 wavelength, and the line lengths of the third stripline conductor and the fourth stripline conductor are set to about 17/100 wavelength. The present invention is characterized in that the present invention has been made.

【0011】また、第4の本発明(請求項4に対応)
は、前記第3のストリップ線路導体と第4のストリップ
線路導体が電磁結合する部分の線路幅は、前記第1のス
トリップ線路導体と第2のストリップ線路導体が電磁結
合する部分の線路幅よりも太いことを特徴とする上記本
発明である。
A fourth aspect of the present invention (corresponding to claim 4)
The line width of the portion where the third stripline conductor and the fourth stripline conductor are electromagnetically coupled is larger than the line width of the portion where the first stripline conductor and the second stripline conductor are electromagnetically coupled. The present invention is characterized by being thick.

【0012】また、第5の本発明(請求項5に対応)
は、前記第2のストリップ線路導体および前記第4のス
トリップ線路導体は、前記第1の誘電体シートの他の主
面上、または前記第1の誘電体シートと隣接する第2の
誘電体シートの一主面上に形成されたことを特徴とする
上記本発明である。
Further, the fifth invention (corresponding to claim 5)
The second strip line conductor and the fourth strip line conductor are arranged on another main surface of the first dielectric sheet or on a second dielectric sheet adjacent to the first dielectric sheet. The present invention is characterized by being formed on one principal surface of the present invention.

【0013】また、第6の本発明(請求項6に対応)
は、前記第2のストリップ線路導体は、前記第1の誘電
体シートの他の主面上に形成され、前記第4のストリッ
プ線路導体は、前記第1の誘電体シートと直接的または
間接的に接する第2の誘電体シートの一主面上に形成さ
れ、前記第2のストリップ線路導体と前記第4のストリ
ップ線路導体とは、前記第1のストリップ線路導体およ
び前記第3のストリップ線路導体とを挟み込むように配
置されていることを特徴とする上記本発明である。
A sixth aspect of the present invention (corresponding to claim 6)
The second stripline conductor is formed on another main surface of the first dielectric sheet, and the fourth stripline conductor is directly or indirectly connected to the first dielectric sheet. The second strip line conductor and the fourth strip line conductor are formed on one main surface of a second dielectric sheet in contact with the first strip line conductor and the third strip line conductor. The present invention is characterized in that they are arranged so as to sandwich them.

【0014】また、第7の本発明(請求項7に対応)
は、前記第2のストリップ線路導体は、前記第1の誘電
体シートの他の主面上に形成され、前記第4のストリッ
プ線路導体は、前記第1の誘電体シートと直接的または
間接的に接する第2の誘電体シートの一主面上に形成さ
れ、前記第2のストリップ線路導体および前記第4のス
トリップ線路導体は、いずれも前記第1のストリップ線
路導体および前記第3のストリップ線路導体とを挟み込
むことがないように配置されていることを特徴とする上
記本発明である。
A seventh aspect of the present invention (corresponding to claim 7)
The second stripline conductor is formed on another main surface of the first dielectric sheet, and the fourth stripline conductor is directly or indirectly connected to the first dielectric sheet. The second strip line conductor and the fourth strip line conductor are formed on one main surface of a second dielectric sheet contacting the first strip line conductor and the third strip line. The present invention is characterized in that the present invention is arranged so as not to sandwich the conductor.

【0015】また、第8の本発明(請求項8に対応)
は、前記2組のストリップ線路導体対を挟むように設け
られた一対のシールド導体をさらに備え、前記シールド
導体の間隔は、前記2組のストリップ線路導体対が電磁
結合している間隔の数倍の距離であることを特徴とする
上記本発明である。
An eighth aspect of the present invention (corresponding to claim 8)
Further includes a pair of shield conductors provided so as to sandwich the two pairs of stripline conductors, and the interval between the shield conductors is several times the interval at which the two pairs of stripline conductors are electromagnetically coupled. The present invention is characterized in that the distance is:

【0016】また、第9の本発明(請求項9に対応)
は、前記2組のストリップ線路導体対の線路幅の比を約
1:2としたことを特徴とする上記本発明である。
The ninth invention (corresponding to claim 9)
The present invention is characterized in that the ratio of the line width of the two pairs of stripline conductor pairs is about 1: 2.

【0017】また、第10の本発明(請求項10に対
応)は、誘電体から構成された積層体と、前記積層体内
に設けられた複数の、互いに電磁結合するストリップ線
路導体対とを備え、前記ストリップ線路導体対を構成す
るストリップ線路導体は互いに同一の線路長および線路
幅を有し、前記複数のストリップ線路導体対は、互いに
異なる線路幅を有することを特徴とする積層型バラント
ランスである。
A tenth aspect of the present invention (corresponding to claim 10) includes a laminated body made of a dielectric, and a plurality of stripline conductor pairs provided in the laminated body and electromagnetically coupled to each other. Wherein the strip line conductors forming the strip line conductor pair have the same line length and line width, and the plurality of strip line conductor pairs have different line widths. is there.

【0018】また、第11の本発明(請求項11に対
応)は、第1から第10のいずれかの本発明のバラント
ランスを内蔵したことを特徴とする積層複合デバイスで
ある。
An eleventh aspect of the present invention (corresponding to claim 11) is a multilayer composite device incorporating the balun transformer according to any one of the first to tenth aspects.

【0019】また、第12の本発明(請求項12に対
応)は、第1から第10のいずれかの本発明のバラント
ランスを使用したことを特徴とする通信機器である。
A twelfth aspect of the present invention (corresponding to claim 12) is a communication device characterized by using any one of the balun transformers of the first to tenth aspects of the present invention.

【0020】上記のような本発明の積層型バラントラン
スは、一例として、2組の結合線路の線路幅及び線路長
をアンバランスにするという構成を備えたものである。
The multilayer balun transformer of the present invention as described above has, for example, a configuration in which the line width and line length of two coupled lines are unbalanced.

【0021】[0021]

【実施の形態】以下本発明の実施の形態における積層型
バラントランスについて、図面を参照しながら説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A multilayer balun transformer according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0022】(実施の形態1)図1(a)は本発明の実
施の形態1における積層型バラントランスの分解斜視図
を示し、図1(b)は本発明の実施の形態1における積
層型バラントランスの斜視図を示すものである。図1に
おいて、101は誘電体層、102はシールド導体、1
03、104、105、106、107はストリップ線
路導体、108は内部ビア導体を示している。また、そ
れぞれの誘電体層は比誘電率εr=7である結晶相とガ
ラス相からなる誘電体シートであり、結晶相はMg2
iO4からなり、ガラス相はSi−Ba−La−B−O
系からなる。
(Embodiment 1) FIG. 1 (a) is an exploded perspective view of a multilayer balun transformer according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 1 (b) is a multilayer balun transformer according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of a balun transformer. In FIG. 1, 101 is a dielectric layer, 102 is a shield conductor, 1
Numerals 03, 104, 105, 106 and 107 denote stripline conductors, and 108 denotes an internal via conductor. Each dielectric layer is a dielectric sheet composed of a crystal phase having a relative permittivity εr = 7 and a glass phase, and the crystal phase is Mg 2 S
consists iO 4, the glass phase is Si-Ba-La-B- O
System.

【0023】ここで、この積層型バラントランスの積層
構造について説明する。第1の誘電体層101aの上面
に第1のシールド導体102aを配置し、その導体10
2aの上側に、第2の誘電体層101bを積層し、その
誘電体層101bの上面に2個のストリップ線路導体1
06、107を配置している。更にそれらストリップ線
路導体106、107の上側に第3の誘電体層101c
を積層し、その誘電体層101cの上面に2個のストリ
ップ線路導体104、105を配置している。
Here, the laminated structure of the laminated balun transformer will be described. A first shield conductor 102a is arranged on the upper surface of the first dielectric layer 101a,
2a, a second dielectric layer 101b is laminated, and two strip line conductors 1 are formed on the upper surface of the dielectric layer 101b.
06 and 107 are arranged. Further, a third dielectric layer 101c is provided above the stripline conductors 106 and 107.
And two strip line conductors 104 and 105 are arranged on the upper surface of the dielectric layer 101c.

【0024】更にそれらストリップ線路導体104、1
05の上側に第4の誘電体層101dを積層し、その誘
電体層101dの上面に第2のシールド導体102bを
配置している。更にその導体102bの上側に第5の誘
電体層101eを積層し、その誘電体層101eの上面
にストリップ線路導体103を配置し、そのストリップ
線路導体103の上側に第6の誘電体層101fを積層
している。このようにして積層型バラントランスの積層
構造を形成する。
Further, the stripline conductors 104, 1
The fourth dielectric layer 101d is laminated on the upper side of the layer 05, and the second shield conductor 102b is arranged on the upper surface of the dielectric layer 101d. Further, a fifth dielectric layer 101e is laminated on the upper side of the conductor 102b, a strip line conductor 103 is disposed on the upper surface of the dielectric layer 101e, and a sixth dielectric layer 101f is disposed on the upper side of the strip line conductor 103. Laminated. Thus, a laminated structure of the laminated balun transformer is formed.

【0025】また、誘電体層101bに内部ビア導体1
08b、108cを、誘電体層101d、101eを貫
くように内部ビア導体108aを設けており、積層体1
00の4側面には外部導体109を設けている。
The internal via conductor 1 is formed on the dielectric layer 101b.
08b and 108c are provided with internal via conductors 108a so as to penetrate the dielectric layers 101d and 101e.
External conductors 109 are provided on the four side surfaces of 00.

【0026】次に、これらの内部ビア導体、及び外部導
体と各誘電体層上に形成された導体との接続関係を示
し、本発明の実施の形態1の積層型バラントランスにつ
いてその動作を説明する。
Next, the connection relationship between the internal via conductor and the external conductor and the conductor formed on each dielectric layer will be described, and the operation of the multilayer balun transformer according to the first embodiment of the present invention will be described. I do.

【0027】第1のストリップ線路導体104と第2の
ストリップ線路導体106は同一の線路幅を有して、誘
電体層101cを挟んで電磁結合してストリップ線路導
体対aを形成し、第3のストリップ線路導体105と第
4のストリップ線路導体107は同一の線路幅を有し
て、誘電体層101cを挟んで電磁結合してストリップ
線路導体対bを形成している。
The first strip line conductor 104 and the second strip line conductor 106 have the same line width, and are electromagnetically coupled with the dielectric layer 101c interposed therebetween to form a strip line conductor pair a. The stripline conductor 105 and the fourth stripline conductor 107 have the same line width, and are electromagnetically coupled to each other with the dielectric layer 101c interposed therebetween to form a stripline conductor pair b.

【0028】前記第1のストリップ線路導体104の1
端は内部ビア導体108aを介してストリップ線路導体
103と接続し、前記ストリップ線路導体103の他端
は外部導体109aと接続して入力端子を形成し、前記
第1のストリップ線路導体104の他端は第3のストリ
ップ線路導体105と接続する。
One of the first stripline conductors 104
One end is connected to the stripline conductor 103 via the internal via conductor 108a, the other end of the stripline conductor 103 is connected to the external conductor 109a to form an input terminal, and the other end of the first stripline conductor 104 Is connected to the third stripline conductor 105.

【0029】さらに第2のストリップ線路導体106の
第1のストリップ線路導体104の入力端側と重なる1
端を内部ビア導体108bを介して接地して他端を外部
ビア導体109bと接続して第1の出力端子とし、第4
のストリップ線路導体107の第3のストリップ線路導
体105の開放端側と重なる1端を内部ビア導体108
cを介して接地して他端を外部ビア導体109cと接続
して第2の出力端子とする。また、第1から第4のスト
リップ線路導体104、105、106、107はそれ
ぞれ渦巻き状に形成しており、第1のストリップ線路導
体104および第2のストリップ線路導体106のスト
リップ線路導体対aと、第3のストリップ線路導体10
5および第4のストリップ線路導体107のストリップ
線路導体対bとの間の関係は、105、107のストリ
ップ線路導体対bのほうが、ストリップ線路導体対aよ
り長くかつ太くなるように形成する。
Further, the second strip line conductor 106 overlaps the input end side of the first strip line conductor 104.
The other end is grounded via the internal via conductor 108b and the other end is connected to the external via conductor 109b to serve as a first output terminal.
One end of the strip line conductor 107 overlapping the open end side of the third strip line conductor 105 is connected to the internal via conductor 108.
and the other end is connected to the external via conductor 109c to form a second output terminal. Each of the first to fourth stripline conductors 104, 105, 106, and 107 is formed in a spiral shape, and the stripline conductor pair a of the first stripline conductor 104 and the second stripline conductor 106 and , Third stripline conductor 10
The relationship between the fifth and fourth stripline conductors 107 and the stripline conductor pair b is formed such that the stripline conductor pairs 105 and 107 are longer and thicker than the stripline conductor pair a.

【0030】従って、シールドされた誘電体内部に2組
の結合線路が形成されると共に、外部導体107aは不
平衡端子として、外部導体107b、107cは平衡端
子として動作する。すなわち、本発明の積層型バラント
ランスは、図2の等価回路を有しており、基本動作は図
9に示した従来の同軸構造と同様にバラントランスの役
割を果たすが、2組の結合線路に、異なる線路幅、線路
長を用いるという点において、同軸構造の設計手法とは
大きく異なる。すなわち、バラントランスとして要求さ
れる出力端子206、207間の振幅差が等しく、位相
差が180°となり、かつ挿入損失を低減する特性の条
件は、各線路長が1/4波長で理想となる従来の同軸型
バラントランスとは異なってくる。
Therefore, two sets of coupling lines are formed inside the shielded dielectric, the external conductor 107a operates as an unbalanced terminal, and the external conductors 107b and 107c operate as balanced terminals. That is, the multilayer balun transformer of the present invention has the equivalent circuit of FIG. 2, and its basic operation plays the role of the balun transformer as in the conventional coaxial structure shown in FIG. In addition, the use of different line widths and line lengths greatly differs from the design method of the coaxial structure. In other words, the condition of the characteristics that the amplitude difference between the output terminals 206 and 207 required as the balun transformer is equal, the phase difference is 180 °, and the insertion loss is reduced is that the line length is ideal for 1/4 wavelength. It differs from the conventional coaxial balun transformer.

【0031】[0031]

【実施例】図3は、本実施の形態の積層型バラントラン
スの、ストリップ線路導体の線路長に対する振幅差、及
び位相差の動向を示す実験結果である。
FIG. 3 is an experimental result showing the trends of the amplitude difference and the phase difference with respect to the line length of the strip line conductor in the multilayer balun transformer of the present embodiment.

【0032】また図4,図5は、振幅差、位相差それぞ
れの特性を、周波数毎に示したグラフである。
FIGS. 4 and 5 are graphs showing the characteristics of the amplitude difference and the phase difference for each frequency.

【0033】また、表1および表2は、実施例として、
ストリップ線路導体の挿入損失、振幅差および位相差
を、各線路長が1/4波長である従来例と、互いに異な
る線路長を有する本実施の形態とで比較したものであ
る。
Tables 1 and 2 show, as examples,
The insertion loss, the amplitude difference, and the phase difference of the stripline conductor are compared between a conventional example in which each line length is 1/4 wavelength and this embodiment having different line lengths.

【0034】[0034]

【表1】 [Table 1]

【0035】[0035]

【表2】 それぞれの表に示すように、ストリップ線路導体104
と106の線路長、線路幅をL1、W1、ストリップ線
路導体105と107の線路長、線路幅をL2、W2と
し、L1及びW1を一定としてL2を変化させており、
誘電体内での管内波長をλgとすると、ストリップ線路
導体104および106の線路長L1が1/10λg〜
1/4λgである時に、対応するストリップ線路導体1
05および107の線路長L2が3/20λg〜1/4
λgであるとき、従来例よりも挿入損失、振幅差、位相
差の内、一つの特性は悪化するが、他の二つの特性が改
善され、全体として良好な結果を得ることが分かる。ま
た、図3中ハッチングにてしめす領域(線路長L1=3
/25λg固定で線路長L2:3/20λg〜4/20
λgを満たす)は、挿入損失、振幅差、位相差のいずれ
もバランスの良い値となり、さらに良好な結果を与え
る。
[Table 2] As shown in each table, the stripline conductor 104
L1 and W1, the line lengths and line widths of the stripline conductors 105 and 107 are L2 and W2, and L2 is varied while L1 and W1 are constant.
Assuming that the guide wavelength in the dielectric is λg, the line length L1 of the stripline conductors 104 and 106 is 1 / 10λg to
When λλg, the corresponding stripline conductor 1
The line length L2 of the lines 05 and 107 is 3 / 20λg to 1/4.
At λg, one of the insertion loss, amplitude difference, and phase difference is worse than that of the conventional example, but the other two characteristics are improved, and a good result is obtained as a whole. In FIG. 3, a region indicated by hatching (line length L1 = 3
/ 25λg fixed and line length L2: 3 / 20λg to 4/20
satisfies λg), the insertion loss, the amplitude difference, and the phase difference are all well-balanced values, and provide better results.

【0036】また、例えば、表1に示すように、ストリ
ップ線路導体104の長さは約3/25λg、ストリッ
プ線路導体105の長さは約17/100λgのとき、
最も良好な挿入損失を得ることができる。
For example, as shown in Table 1, when the length of the strip line conductor 104 is about 3 / 25λg and the length of the strip line conductor 105 is about 17 / 100λg,
The best insertion loss can be obtained.

【0037】さらに、図6は上記の実験において、スト
リップ線路導体105、107の線路幅W2を変化させ
たときの挿入損失を示した実験結果である。図に示すよ
うに、線路幅W2はW1の約2倍以上となるのが望まし
いが、装置の小型化という観点からは、W2はW1の約
2倍とするのが最も望ましい。
FIG. 6 is an experimental result showing the insertion loss when the line width W2 of the stripline conductors 105 and 107 is changed in the above experiment. As shown in the figure, the line width W2 is desirably about twice as large as W1, but from the viewpoint of miniaturization of the device, W2 is most desirably about twice as large as W1.

【0038】なお、図3と表1、表2においては、周波
数として1.5GHz帯において測定結果を得たが、図
4,5にそれぞれ示すように、500MHz〜6.0G
Hzの周波数帯にて動作させても、同様の効果が得られ
る。ただし図4は周波数と振幅差の関係を示し、図5は
周波数と位相差との関係を示す。
In FIG. 3 and Tables 1 and 2, measurement results were obtained in the frequency band of 1.5 GHz, but as shown in FIGS.
The same effect can be obtained by operating in the frequency band of Hz. 4 shows the relationship between the frequency and the amplitude difference, and FIG. 5 shows the relationship between the frequency and the phase difference.

【0039】また、シールド導体102aとシールド導
体102bは外部導体109によって接続しており、こ
れらシールド導体はバラントランスを形成するストリッ
プ線路導体から一定の距離を隔てて形成している。な
お、この距離は、2組のストリップ線路導体対が電磁結
合している距離、すなわち第3の誘電体層101cの厚
みの数倍とすることが望ましい。
The shield conductor 102a and the shield conductor 102b are connected by an external conductor 109, and these shield conductors are formed at a certain distance from a strip line conductor forming a balun transformer. It is desirable that this distance be a distance several times as long as the two sets of stripline conductor pairs are electromagnetically coupled, that is, the thickness of the third dielectric layer 101c.

【0040】以上のように本実施の形態によれば、2組
の結合線路を渦巻き状に形成することにより、結合線路
の実際の特性インピーダンスが変化し、1/4波長より
短い結合線路でバラントランスを実現でき、実装面積を
小さくすることができる。更に、2組の結合線路を平面
状に配置することで、薄厚なデバイスを提供できると共
に、フィルタやカプラ等、他のデバイスを積層体の異な
る層に形成しての一体化や、表面にICなどの半導体素
子を実装してデバイスを複合化した、積層複合デバイス
とした場合にも効果を有する。この場合、バラントラン
スと他のデバイスとの間にはシールド導体102bが設
けられているので、相互の特性に対する悪影響はない。
As described above, according to the present embodiment, by forming two sets of coupling lines in a spiral shape, the actual characteristic impedance of the coupling lines changes, and baluns are used for coupling lines shorter than 1/4 wavelength. A transformer can be realized, and the mounting area can be reduced. Furthermore, by arranging two sets of coupling lines in a plane, a thin device can be provided, and other devices such as a filter and a coupler are formed on different layers of the laminate, and integrated on the surface. The present invention is also effective in a case where a semiconductor device such as a semiconductor device is mounted and a device is compounded to form a laminated composite device. In this case, since the shield conductor 102b is provided between the balun transformer and another device, there is no adverse effect on the mutual characteristics.

【0041】また、図1(b)に示すように積層体側面
には多数の外部導体109が設けられており、複合化さ
れた他のデバイスの入出力端子として自由に接続するこ
とができると共に、2個のシールド導体102a、10
2bの接続位置も自由に変更することができる。
Further, as shown in FIG. 1B, a large number of external conductors 109 are provided on the side surfaces of the laminate, and can be freely connected as input / output terminals of another compounded device. , Two shield conductors 102a, 10
The connection position of 2b can also be freely changed.

【0042】また、2組のストリップ線路導体対を異な
る線路幅、線路長で形成することにより、結合線路の実
際の特性インピーダンスを自由に制御し、良好な分配バ
ランスの振幅差及び位相差を得ることができる。
Further, by forming the two pairs of strip line conductors with different line widths and line lengths, the actual characteristic impedance of the coupled line can be freely controlled, and a good distribution balance amplitude difference and phase difference can be obtained. be able to.

【0043】(実施の形態2)本発明の実施の形態2に
ついて図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 2) Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0044】図7(a)(b)は本発明の実施の形態2
を示す積層型バラントランスの分解斜視図である。図4
において、401は誘電体層、402はシールド導体、
403、404、405、406、407はストリップ
線路導体、408は内部ビア導体を示している。ここ
で、この積層型バラントランスの積層構造について説明
する。
FIGS. 7A and 7B show a second embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the multilayer balun transformer showing the above. FIG.
, 401 is a dielectric layer, 402 is a shield conductor,
Reference numerals 403, 404, 405, 406, and 407 denote stripline conductors, and 408 denotes an internal via conductor. Here, a laminated structure of the laminated balun transformer will be described.

【0045】図7(a)において、第1の誘電体層40
1aの上面に第1のシールド導体402aを配置し、そ
の導体402aの上側に、第2の誘電体層401bを積
層し、その誘電体層401bの上面にストリップ線路導
体406を配置している。更にそのストリップ線路導体
406の上側に第3の誘電体層401cを積層し、その
誘電体層401cの上面に2個のストリップ線路導体4
04、405を配置している。更にそれらのストリップ
線路導体404、405の上側に第4の誘電体層401
dを積層し、その誘電体層401dの上面にストリップ
線路導体407を配置している。更にそのストリップ線
路導体407の上側に第5の誘電体層401eを積層
し、その誘電体層401eの上面に第2のシールド導体
402bを配置している。更にその導体402bの上側
に第6の誘電体層401fを積層し、その誘電体層40
1fの上面にストリップ線路導体403を配置し、その
ストリップ線路導体403の上側に第7の誘電体層40
1gを積層している。
In FIG. 7A, the first dielectric layer 40
A first shield conductor 402a is arranged on the upper surface of 1a, a second dielectric layer 401b is laminated on the upper surface of the conductor 402a, and a stripline conductor 406 is arranged on the upper surface of the dielectric layer 401b. Further, a third dielectric layer 401c is laminated on the upper side of the strip line conductor 406, and two strip line conductors 4 are formed on the upper surface of the dielectric layer 401c.
04 and 405 are arranged. Further, a fourth dielectric layer 401 is provided above the stripline conductors 404 and 405.
and a strip line conductor 407 is arranged on the upper surface of the dielectric layer 401d. Further, a fifth dielectric layer 401e is laminated on the stripline conductor 407, and a second shield conductor 402b is arranged on the upper surface of the dielectric layer 401e. Further, a sixth dielectric layer 401f is laminated on the upper side of the conductor 402b,
1f, a strip line conductor 403 is arranged on the upper surface, and a seventh dielectric layer 40
1 g is laminated.

【0046】また、誘電体層401bに内部ビア導体4
08bを、誘電体層401eに内部ビア導体408c
を、更に誘電体層401d、401e、401fを貫い
て内部ビア導体408aを設けており、積層体100の
4側面には外部導体107を設けている。
The internal via conductor 4 is formed on the dielectric layer 401b.
08b to the dielectric layer 401e.
Further, internal via conductors 408a are provided through the dielectric layers 401d, 401e, and 401f, and external conductors 107 are provided on four side surfaces of the multilayer body 100.

【0047】また、図7(b)において、第1の誘電体
層401aの上面に第1のシールド導体402aを配置
し、その導体402aの上側に、第2の誘電体層401
bを積層し、その誘電体層401bの上面にストリップ
線路導体406を配置している。更にそのストリップ線
路導体406の上側に第3の誘電体層401cを積層
し、その誘電体層401cの上面にストリップ線路導体
407を配置している。更にそのストリップ線路導体4
07の上側に第4の誘電体層401dを積層し、その誘
電体層401dの上面に2個のストリップ線路導体40
4、405を配置している。更にそれらのストリップ線
路導体404、405の上側に第5の誘電体層401e
を積層し、その誘電体層401eの上面に第2のシール
ド導体402bを配置している。更にその導体402b
の上側に第6の誘電体層401fを積層し、その誘電体
層401fの上面にストリップ線路導体403を配置
し、そのストリップ線路導体403の上側に第7の誘電
体層401gを積層している。
In FIG. 7B, a first shield conductor 402a is disposed on the upper surface of the first dielectric layer 401a, and the second dielectric layer 401 is disposed above the conductor 402a.
b, and a strip line conductor 406 is arranged on the upper surface of the dielectric layer 401b. Further, a third dielectric layer 401c is laminated on the upper side of the strip line conductor 406, and a strip line conductor 407 is arranged on the upper surface of the dielectric layer 401c. Furthermore, the strip line conductor 4
07, a fourth dielectric layer 401d is laminated, and two strip line conductors 40 are formed on the upper surface of the dielectric layer 401d.
4, 405 are arranged. Further, a fifth dielectric layer 401e is provided above the stripline conductors 404 and 405.
And a second shield conductor 402b is arranged on the upper surface of the dielectric layer 401e. Further, the conductor 402b
The sixth dielectric layer 401f is laminated on the upper side of the above, the strip line conductor 403 is arranged on the upper surface of the dielectric layer 401f, and the seventh dielectric layer 401g is laminated on the upper side of the strip line conductor 403. .

【0048】また、誘電体層401bに内部ビア導体4
08bを、誘電体層401b、401cを貫いて内部ビ
ア導体408cを、更に誘電体層401e、401fを
貫いて内部ビア導体408aを設けており、積層体10
0の4側面には外部導体107を設けている。
The internal via conductor 4 is formed on the dielectric layer 401b.
08b, an internal via conductor 408c is provided through the dielectric layers 401b and 401c, and an internal via conductor 408a is further provided through the dielectric layers 401e and 401f.
External conductors 107 are provided on the four side surfaces 0.

【0049】このようにして積層型バラントランスの積
層構造を形成し、実施の形態1と異なるのは、ストリッ
プ線路導体406、407を異なる誘電体層に形成して
いるという点である。なお、各導体の接続関係と動作に
ついては実施の形態1と同様である。
The laminated structure of the laminated balun transformer is formed in this manner, and is different from the first embodiment in that the strip line conductors 406 and 407 are formed in different dielectric layers. The connection relationship and operation of each conductor are the same as in the first embodiment.

【0050】以上のように本実施の形態によれば、2組
の結合線路間の誘電体層の厚みをそれぞれ独立に変化さ
せて、結合線路の特性インピーダンスや結合度を制御す
ることが実施の形態1と比較してさらに容易となり、設
計の自由度も大きくなる。なお、この場合の線路幅は前
記に限定されるものではない。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to control the characteristic impedance and the degree of coupling of the coupling line by independently changing the thickness of the dielectric layer between the two pairs of coupling lines. As compared with the first embodiment, it becomes easier and the degree of freedom in design is increased. The line width in this case is not limited to the above.

【0051】また、本発明の実施の形態1から2では、
誘電体層として、比誘電率εr=7の結晶相とガラス相
からなる誘電体シートを例として述べたが、比誘電率ε
r=5〜10である結晶相とガラス相からなる誘電体シ
ートを用いても同様の効果が得られる。また、結晶相と
してはMg2SiO4、ガラス相としてSi−Ba−La
−B−O系を例として述べたが、Al23、MgO、S
iO2及びROa(ただし、RはLa、Ce、Pr、N
d、Sm及びGdから選ばれる少なくとも1つの元素で
あり、aは前記Rの価数に応じて化学量論的に定まる数
値)のうち少なくとも1つは含有する結晶相とガラス相
を用いても同様の効果が得られる。
In Embodiments 1 and 2 of the present invention,
As the dielectric layer, a dielectric sheet made of a crystal phase and a glass phase having a relative dielectric constant of εr = 7 has been described as an example.
The same effect can be obtained by using a dielectric sheet composed of a crystal phase and a glass phase in which r = 5 to 10. Further, Mg 2 SiO 4 is used as a crystal phase, and Si—Ba—La is used as a glass phase.
Has been described as an example -B-O-based, Al 2 O 3, MgO, S
iO 2 and ROa (where R is La, Ce, Pr, N
at least one element selected from d, Sm, and Gd, and a is a numerical value determined stoichiometrically according to the valence of R). Similar effects can be obtained.

【0052】また、上述した実施の形態における誘電体
デバイスを備えた通信機器も本発明に属する。
Also, communication equipment provided with the dielectric device according to the above-described embodiment belongs to the present invention.

【0053】また、上記の実施の形態においては、積層
型バラントランスの構成は、図1または図7に示す2組
のストリップ線路導体対を有するものを例にして説明を
行ったが、本発明の積層型バラントランスはこれに限定
されるものではなく、積層体内に備えられた、ストリッ
プ線路導体対を構成するストリップ線路導体が、互いに
同一の線路長および線路幅を有し、複数のストリップ線
路導体対は、互いに異なる線路長および/または線路幅
を有するような構成を有していれば、その積層数や積層
面の形状、ストリップ線路導体の形状やストリップ線路
導体対の個数等によって限定されるものではない。
Further, in the above embodiment, the configuration of the multilayer balun transformer has been described by taking as an example a structure having two pairs of stripline conductor pairs shown in FIG. 1 or FIG. The multilayer balun transformer of the present invention is not limited to this, and the strip line conductors constituting the strip line conductor pair provided in the laminate have the same line length and line width, and a plurality of strip line conductors. As long as the conductor pair has a configuration having different line lengths and / or line widths from each other, the conductor pair is limited by the number of laminations, the shape of the lamination surface, the shape of the strip line conductor, the number of the strip line conductor pairs, and the like. Not something.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、低損失
で、振幅差、位相差が共に良好な特性を示す、小型、薄
厚の積層型バラントランスを得ることができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a small and thin laminated balun transformer exhibiting low loss, good characteristics of both amplitude difference and phase difference.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明の実施の形態1における積層型
バラントランスの分解斜視図である。 (b)は本発明の実施の形態1における積層型バラント
ランスの斜視図である。
FIG. 1A is an exploded perspective view of a multilayer balun transformer according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2B is a perspective view of the multilayer balun transformer according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態1における動作説明のため
の等価回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram for describing an operation according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態1における積層型バラント
ランスの効果を示す実験結果のグラフである。
FIG. 3 is a graph of an experimental result showing an effect of the multilayer balun transformer according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態1における積層型バラント
ランスの周波数における振幅差の特性を示すグラフであ
る。
FIG. 4 is a graph showing a characteristic of an amplitude difference at a frequency of the multilayer balun transformer according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態1における積層型バラント
ランスの周波数における振幅差の特性を示すグラフであ
る。
FIG. 5 is a graph showing a characteristic of an amplitude difference at a frequency of the multilayer balun transformer according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態1における積層型バラント
ランスの線路幅の比に対する挿入損失の特性を示すグラ
フである。
FIG. 6 is a graph showing characteristics of insertion loss with respect to the ratio of the line width of the multilayer balun transformer according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施の形態2における積層型バラント
ランスの分解斜視図である。
FIG. 7 is an exploded perspective view of a multilayer balun transformer according to Embodiment 2 of the present invention.

【図8】従来のバラントランスの斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a conventional balun transformer.

【図9】同軸構造のバラントランスの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a balun transformer having a coaxial structure.

【図10】従来の積層バラントランスの分解斜視図であ
る。
FIG. 10 is an exploded perspective view of a conventional laminated balun transformer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、401、701 誘電体層 102、402、702 シールド導体 103〜107、403〜407、703〜705 ス
トリップ線路導体 108、408 内部ビア導体 109 外部導体 601 入力端子 602 同相出力端子 603 逆相出力端子 604 同軸線路
101, 401, 701 Dielectric layer 102, 402, 702 Shield conductor 103-107, 403-407, 703-705 Strip line conductor 108, 408 Internal via conductor 109 External conductor 601 Input terminal 602 In-phase output terminal 603 Negative-phase output terminal 604 Coaxial line

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体から構成された積層体と、前記積
層体内に設けられた複数の、互いに電磁結合するストリ
ップ線路導体対とを備え、 前記ストリップ線路導体対を構成するストリップ線路導
体は互いに同一の線路長および線路幅を有し、 前記複数のストリップ線路導体対は、互いに異なる線路
長を有することを特徴とする積層型バラントランス。
1. A laminate comprising a dielectric and a plurality of stripline conductor pairs provided in the laminate and electromagnetically coupled to each other, wherein the stripline conductors forming the stripline conductor pair are mutually The multilayer balun transformer having the same line length and the same line width, wherein the plurality of strip line conductor pairs have different line lengths.
【請求項2】 前記2組のストリップ線路導体対の一方
を構成する第1のストリップ線路導体および第2のスト
リップ線路導体と、 前記2組のストリップ線路導体対の他方を構成する第3
のストリップ線路導体および第4のストリップ線路導体
と、 前記第1のストリップ線路導体の一端に設けられた入力
端子と、 前記第2のストリップ線路導体の一端に設けられた第1
の出力端子と、 前記第4のストリップ線路導体の一端に設けられた第2
の出力端子とを備え、 前記誘電体は積層された複数の誘電体シートから構成さ
れ、 前記第1のストリップ線路導体および第3のストリップ
線路導体は第1の誘電体シートの一主面上に形成され、 前記第1のストリップ線路導体の他端は前記第3のスト
リップ線路導体の一端と結合し、 前記第2のストリップ線路導体の他端および前記第4の
ストリップ線路導体の他端は接地し、 前記入力端子、前記第1の出力端子および前記第2の出
力端子は、前記誘電体の側面に露出しており、 前記第1のストリップ線路導体と第2のストリップ線路
導体が電磁結合する部分の線路長は、前記第3のストリ
ップ線路導体と第4のストリップ線路導体が電磁結合す
る部分の線路長より短いことを特徴とする請求項1に記
載の積層型バラントランス。
2. A first strip line conductor and a second strip line conductor forming one of the two sets of strip line conductor pairs, and a third strip line conductor forming the other of the two sets of strip line conductor pairs.
A stripline conductor and a fourth stripline conductor, an input terminal provided at one end of the first stripline conductor, and a first terminal provided at one end of the second stripline conductor.
And a second strip terminal provided at one end of the fourth stripline conductor.
Wherein the dielectric is composed of a plurality of laminated dielectric sheets, and wherein the first stripline conductor and the third stripline conductor are disposed on one main surface of the first dielectric sheet. The other end of the first stripline conductor is coupled to one end of the third stripline conductor, and the other end of the second stripline conductor and the other end of the fourth stripline conductor are grounded. The input terminal, the first output terminal, and the second output terminal are exposed on a side surface of the dielectric, and the first stripline conductor and the second stripline conductor are electromagnetically coupled. 2. The multilayer balun transformer according to claim 1, wherein a line length of the portion is shorter than a line length of a portion where the third stripline conductor and the fourth stripline conductor are electromagnetically coupled.
【請求項3】 前記第1のストリップ線路導体および第
2のストリップ線路導体の線路長を約3/25波長、前
記第3のストリップ線路導体および第4のストリップ線
路導体の線路長を約17/100波長としたことを特徴
とする請求項2に記載の積層型バラントランス。
3. The first strip line conductor and the second strip line conductor have a line length of about 3/25 wavelength, and the third strip line conductor and the fourth strip line conductor have a line length of about 17/25. The multilayer balun transformer according to claim 2, wherein the wavelength is set to 100 wavelengths.
【請求項4】 前記第3のストリップ線路導体と第4の
ストリップ線路導体が電磁結合する部分の線路幅は、前
記第1のストリップ線路導体と第2のストリップ線路導
体が電磁結合する部分の線路幅よりも太いことを特徴と
する請求項2または3に記載の積層型バラントランス。
4. A line width of a portion where the third stripline conductor and the fourth stripline conductor are electromagnetically coupled is a line width of a portion where the first stripline conductor and the second stripline conductor are electromagnetically coupled. The laminated balun transformer according to claim 2, wherein the balun transformer is thicker than a width.
【請求項5】 前記第2のストリップ線路導体および前
記第4のストリップ線路導体は、前記第1の誘電体シー
トの他の主面上、または前記第1の誘電体シートと隣接
する第2の誘電体シートの一主面上に形成されたことを
特徴とする請求項2または3に記載の積層型バラントラ
ンス。
5. The second strip line conductor and the fourth strip line conductor are provided on another main surface of the first dielectric sheet or in a second strip line conductor adjacent to the first dielectric sheet. The multilayer balun transformer according to claim 2, wherein the multilayer balun transformer is formed on one main surface of the dielectric sheet.
【請求項6】 前記第2のストリップ線路導体は、前記
第1の誘電体シートの他の主面上に形成され、 前記第4のストリップ線路導体は、前記第1の誘電体シ
ートと直接的または間接的に接する第2の誘電体シート
の一主面上に形成され、 前記第2のストリップ線路導体と前記第4のストリップ
線路導体とは、 前記第1のストリップ線路導体および前記第3のストリ
ップ線路導体とを挟み込むように配置されていることを
特徴とする請求項2または3に記載の積層型バラントラ
ンス。
6. The second stripline conductor is formed on another main surface of the first dielectric sheet, and the fourth stripline conductor is directly connected to the first dielectric sheet. Alternatively, the second strip line conductor and the fourth strip line conductor are formed on one main surface of a second dielectric sheet in indirect contact with each other, and the first strip line conductor and the third strip line conductor 4. The multilayer balun transformer according to claim 2, wherein the multilayer balun transformer is disposed so as to sandwich the strip line conductor.
【請求項7】 前記第2のストリップ線路導体は、前記
第1の誘電体シートの他の主面上に形成され、 前記第4のストリップ線路導体は、前記第1の誘電体シ
ートと直接的または間接的に接する第2の誘電体シート
の一主面上に形成され、 前記第2のストリップ線路導体および前記第4のストリ
ップ線路導体は、いずれも前記第1のストリップ線路導
体および前記第3のストリップ線路導体とを挟み込むこ
とがないように配置されていることを特徴とする請求項
2または3に記載の積層型バラントランス。
7. The second strip line conductor is formed on another main surface of the first dielectric sheet, and the fourth strip line conductor is directly connected to the first dielectric sheet. Alternatively, the second strip line conductor and the fourth strip line conductor are formed on one main surface of a second dielectric sheet that is in indirect contact with each other, and the second strip line conductor and the fourth strip line conductor are both formed of the first strip line conductor and the third strip line conductor. 4. The multilayer balun transformer according to claim 2, wherein the balun transformer is arranged so as not to sandwich the strip line conductor.
【請求項8】 前記2組のストリップ線路導体対を挟む
ように設けられた一対のシールド導体をさらに備え、 前記シールド導体の間隔は、前記2組のストリップ線路
導体対が電磁結合している間隔の数倍の距離であること
を特徴とする請求項2または3に記載の積層型バラント
ランス。
8. The semiconductor device further comprises a pair of shield conductors provided so as to sandwich the two pairs of stripline conductors, wherein the interval between the shield conductors is the interval at which the two pairs of stripline conductors are electromagnetically coupled. 4. The multilayer balun transformer according to claim 2, wherein the distance is several times as large as the distance.
【請求項9】 前記2組のストリップ線路導体対の線路
幅の比を約1:2としたことを特徴とする請求項2また
は3に記載の積層型バラントランス。
9. The multilayer balun transformer according to claim 2, wherein a ratio of a line width of the two pairs of stripline conductors is about 1: 2.
【請求項10】 誘電体から構成された積層体と、前記
積層体内に設けられた複数の、互いに電磁結合するスト
リップ線路導体対とを備え、 前記ストリップ線路導体対を構成するストリップ線路導
体は互いに同一の線路長および線路幅を有し、 前記複数のストリップ線路導体対は、互いに異なる線路
幅を有することを特徴とする積層型バラントランス。
10. A laminate comprising a dielectric, and a plurality of stripline conductor pairs electromagnetically coupled to each other provided in the laminate, wherein the stripline conductors constituting the stripline conductor pair are mutually separated. The multilayer balun transformer having the same line length and the same line width, wherein the plurality of strip line conductor pairs have different line widths.
【請求項11】 請求項1から10のいずれかに記載の
バラントランスを内蔵したことを特徴とする積層複合デ
バイス。
11. A multilayer composite device incorporating the balun transformer according to any one of claims 1 to 10.
【請求項12】 請求項1から10のいずれかに記載の
バラントランスを使用したことを特徴とする通信機器。
12. A communication device using the balun transformer according to any one of claims 1 to 10.
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