JP2002164480A - Method for covering electronic component - Google Patents

Method for covering electronic component

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JP2002164480A
JP2002164480A JP2000359160A JP2000359160A JP2002164480A JP 2002164480 A JP2002164480 A JP 2002164480A JP 2000359160 A JP2000359160 A JP 2000359160A JP 2000359160 A JP2000359160 A JP 2000359160A JP 2002164480 A JP2002164480 A JP 2002164480A
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silicon
electronic component
silicone rubber
electrodes
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Kimio Yamakawa
君男 山川
Junji Nakanishi
淳二 中西
Minoru Isshiki
実 一色
Tomoko Kato
智子 加藤
Katsutoshi Mine
勝利 峰
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Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
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    • H01L2224/81191Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for covering an electronic components with a silicon rubber wherein a main portion of the electronic components having electrodes protruding upwardly is covered with the silicon rubber except the electrodes, contamination of the electrodes due to the silicon rubber is reduced and soldering defects can be reduced thereafter. SOLUTION: The method for covering the electronic components with the silicon rubber comprises to cover the main portion except the electrodes of the electronic component with the electronic protruding upwardly with (A) an organic polysiloxane having at least two silicon atomic bond alkenyl groups in one molecule (B) an organic polysiloxane having at least two silicon atomic bond hydrogen atoms in one molecule and a content of the silicon atomic bond hydrogen atom is 0.9% or more and (C) a hydrosilylation reaction curing silicon rubber composition consisting of at least a platinum system catalyst, subsequently to cure only the composition covering the main portion by heating without curing the thin film composition on the surface of the electrodes and to clean with a solvent thereafter.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の被覆方
法に関し、詳しくは、上方に突出した電極を有する電子
部品の該電極以外の主要部のみをシリコーンゴムで被覆
し、シリコーンゴムによる該電極の汚染を減少させ、そ
の後のハンダ付け不良を減少させることができるシリコ
ーンゴムによる電子部品の被覆方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of coating an electronic component, and more particularly, to a method of coating an electronic component having an electrode protruding upward with only silicone rubber covering only the main part other than the electrode. The present invention relates to a method for coating an electronic component with a silicone rubber, which can reduce contamination of the electronic component and a subsequent poor soldering.

【0002】[0002]

【従来の技術】上方に突出した電極を有する電子部品の
該電極以外の主要部をヒドロシリル化反応硬化型シリコ
ーンゴム組成物で被覆し、次いで、加熱してシリコーン
ゴムにより電子部品を被覆する方法では、被覆時に該電
極表面に付着したり、該電極表面に這い上がったりした
該組成物も硬化してしまうため、該電極表面がシリコー
ンゴムにより汚染され、その後のハンダ付けにおいて、
十分にハンダ付けができなかったりするという問題があ
った。
2. Description of the Related Art A method of coating a main part other than an electrode of an electronic component having an electrode protruding upward with a hydrosilylation reaction-curable silicone rubber composition, and then heating the electronic component with the silicone rubber, Since the composition adhered to the electrode surface during coating or crawled on the electrode surface would also be cured, the electrode surface was contaminated with silicone rubber, and in subsequent soldering,
There was a problem that soldering could not be performed sufficiently.

【0003】一般に、ヒドロシリル化反応硬化型シリコ
ーンゴム組成物は加熱により均一に硬化してしまうため
に、上方に突出した電極表面の該組成物を硬化させない
で、電子部品の主要部を被覆した該組成物のみを硬化さ
せることは困難であった。
In general, a hydrosilylation reaction-curable silicone rubber composition is uniformly cured by heating. Therefore, the composition of the main part of an electronic component is coated without curing the composition on the surface of the electrode protruding upward. It was difficult to cure only the composition.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、(A)一
分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基
を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少な
くとも2個のケイ素原子結合水素原子を有し、該ケイ素
原子結合水素原子の含有量が0.9重量%以上であるオ
ルガノポリシロキサン、および(C)白金系触媒からなる
ヒドロシリル化反応硬化型シリコーンゴム組成物は、薄
膜状とすると、加熱条件により、厚膜状の場合に比べて
硬化速度が著しく遅くなる現象があることを認知し、こ
の現象を利用すれば、上記の問題を解決できることを見
出し、本発明に到達した。
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have found that (A) an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule, and (B) at least two silicon atoms in one molecule. A hydrosilylation reaction-curable silicone rubber composition comprising an organopolysiloxane having a bonded hydrogen atom and having a silicon-bonded hydrogen atom content of 0.9% by weight or more, and (C) a platinum-based catalyst, comprises a thin film It is recognized that, depending on the heating conditions, there is a phenomenon that the curing speed is significantly slower than in the case of a thick film, and it is found that the above problem can be solved by using this phenomenon, and the present invention has been achieved. did.

【0005】すなわち、本発明の目的は、上方に突出し
た電極を有する電子部品の該電極以外の主要部のみをシ
リコーンゴムで被覆し、シリコーンゴムによる該電極の
汚染を減少させ、その後のハンダ付け不良を減少させる
ことができるシリコーンゴムによる電子部品の被覆方法
を提供することにある。
[0005] That is, an object of the present invention is to cover only the main part of an electronic component having an electrode protruding upward except for the electrode with silicone rubber, to reduce contamination of the electrode by the silicone rubber, and to perform subsequent soldering. An object of the present invention is to provide a method of coating an electronic component with silicone rubber, which can reduce defects.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上方に突出し
た電極を有する電子部品の該電極以外の主要部を、(A)
一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル
基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少
なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有し、該ケイ
素原子結合水素原子の含有量が0.9重量%以上である
オルガノポリシロキサン、および(C)白金系触媒から少
なくともなるヒドロシリル化反応硬化型シリコーンゴム
組成物で被覆し、次いで、該電極表面の薄膜状の該組成
物を硬化させないように加熱して該主要部を被覆した該
組成物のみを硬化させた後、溶剤洗浄することを特徴と
するシリコーンゴムによる電子部品の被覆方法に関す
る。
According to the present invention, there is provided an electronic component having an electrode protruding upward, the main part other than the electrode being (A)
An organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule, (B) having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule, and having a silicon-bonded hydrogen atom content of 0 0.9% by weight or more of an organopolysiloxane and (C) a hydrosilylation reaction-curable silicone rubber composition comprising at least a platinum-based catalyst. A method of coating an electronic component with a silicone rubber, comprising heating the composition to cure only the composition covering the main part, followed by solvent washing.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明の電子部品の被覆方法を詳
細に説明する。本方法における電子部品は、モノリシッ
クIC、ハイブリッドIC、LSI、VLSI等の半導
体チップ、半導体チップのための回路基板等の主要部、
およびその電気的な取り出し部としての、ワイヤ、ビー
ムリード、バンプ等の上方に突出した電極を有するもの
である。このような電子部品の一例を図1に示した。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for coating an electronic component according to the present invention will be described in detail. The electronic components in the present method include a main part such as a semiconductor chip such as a monolithic IC, a hybrid IC, an LSI and a VLSI, a circuit board for the semiconductor chip, and the like.
And an electrode that protrudes upward, such as a wire, a beam lead, or a bump, as an electrical extraction portion. One example of such an electronic component is shown in FIG.

【0008】図1で示される電子部品はモノリシックI
Cであり、半導体チップ1表面のボンディングパッド2
に外部回路基板との電気的接続のための金製バンプ3が
形成されている。また、半導体チップ1表面には、ボン
ディングパッド2以外に、ポリイミド樹脂からなるパッ
シベーション膜4が形成されていてもよい。そして、こ
の半導体チップ1を中心とする主要部はシリコーンゴム
5により被覆されている。このシリコーンゴムは比較的
低硬度のゲル状から高硬度のゴム状である。
The electronic component shown in FIG. 1 is a monolithic I
C, the bonding pads 2 on the surface of the semiconductor chip 1
A gold bump 3 for electrical connection with an external circuit board is formed on the substrate. Further, in addition to the bonding pads 2, a passivation film 4 made of a polyimide resin may be formed on the surface of the semiconductor chip 1. The main part around the semiconductor chip 1 is covered with the silicone rubber 5. The silicone rubber is in the form of a gel having a relatively low hardness to a rubber having a high hardness.

【0009】本方法では、このシリコーンゴム5を形成
するためのヒドロシリル化反応硬化型シリコーンゴム組
成物として、(A)一分子中に少なくとも2個のケイ素原
子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原
子を有し、該ケイ素原子結合水素原子の含有量が0.9
重量%以上であるオルガノポリシロキサン、および(C)
白金系触媒から少なくともなる組成物を用いることを特
徴とする。このような組成物は、薄膜状とすると、加熱
条件により、厚膜状の場合に比べて硬化速度が著しく遅
くなる現象を有するので、本方法では、電極表面の薄膜
状の該組成物を硬化させないように加熱して電子部品の
主要部を被覆した該組成物のみを硬化させることがで
き、その後の溶剤洗浄により、該電極表面の該組成物を
溶剤洗浄により除去することが可能となる。
In the present method, (A) an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule is used as a hydrosilylation-curable silicone rubber composition for forming the silicone rubber 5.
(B) At least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule, and the content of the silicon-bonded hydrogen atoms is 0.9.
By weight organopolysiloxane, and (C)
It is characterized by using a composition comprising at least a platinum-based catalyst. When such a composition is formed into a thin film, there is a phenomenon that the curing speed is significantly slower than that in the case of a thick film due to heating conditions. Therefore, in the present method, the composition in the form of a thin film on the electrode surface is cured. Only the composition covering the main part of the electronic component can be cured by heating so as not to cause the curing, and the composition on the electrode surface can be removed by the solvent cleaning by the subsequent solvent cleaning.

【0010】(A)成分のオルガノポリシロキサンは一分
子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を
有することを特徴とする。このアルケニル基としては、
ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基が例示
され、好ましくはビニル基である。また、(A)成分中の
アルケニル基以外のケイ素原子結合の有機基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基;フェ
ニル基、トリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基;3,3,3−トリフルオロプロ
ピル基等のハロゲン化アルキル基が例示される。このよ
うな(A)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を
有する直鎖状、分岐鎖状、樹脂状が例示される。
The organopolysiloxane of the component (A) is characterized by having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule. As this alkenyl group,
Examples include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, and a pentenyl group, and a vinyl group is preferable. Further, as the organic group having a silicon atom bond other than the alkenyl group in the component (A),
Alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group; aryl groups such as phenyl group and tolyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; and halogenated alkyl groups such as 3,3,3-trifluoropropyl group. Is exemplified. Examples of the molecular structure of the component (A) include linear, partially branched linear, branched, and resinous structures.

【0011】(B)成分のオルガノポリシロキサンは一分
子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有す
る。(B)成分中のケイ素原子結合の有機基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基;フェニ
ル基、トリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチ
ル基等のアラルキル基;3,3,3−トリフルオロプロピ
ル基等のハロゲン化アルキル基が例示される。このよう
な(B)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を有
する直鎖状、分岐鎖状、樹脂状が例示され、好ましくは
直鎖状である。また、(B)成分中のケイ素原子結合水素
原子の含有量は0.9重量%以上であり、好ましくは1.
0重量%以上であり、特に好ましくは1.2重量%以上
である。これは、ケイ素原子結合水素原子の含有量が上
記範囲のように大きくなれば、得られるシリコーンゴム
組成物を薄膜状にした場合に、その硬化速度が遅くなる
現象が顕著となるからである。このような(B)成分のオ
ルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端トリメチ
ルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサ
ン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシ
ロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体が
例示される。(B)成分の含有量は前記組成物を硬化させ
る量であれば特に限定されないが、(A)成分中のアルケ
ニル基1モルに対して、(B)成分中のケイ素原子結合水
素原子が0.1〜10モルとなる量であることが好まし
い。
The organopolysiloxane of the component (B) has at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule. The organic group having a silicon atom bond in the component (B) includes alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group; aryl groups such as phenyl group and tolyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; Examples thereof include a halogenated alkyl group such as a 3,3-trifluoropropyl group. Examples of the molecular structure of the component (B) include linear, partially branched linear, branched, and resinous structures, and are preferably linear. Further, the content of silicon-bonded hydrogen atoms in the component (B) is at least 0.9% by weight, preferably 1.
It is at least 0% by weight, particularly preferably at least 1.2% by weight. This is because, when the content of silicon-bonded hydrogen atoms is increased as in the above range, when the obtained silicone rubber composition is formed into a thin film, the phenomenon that the curing rate is slowed becomes remarkable. Examples of the organopolysiloxane of the component (B) include a methylhydrogenpolysiloxane capped at both ends of a molecular chain with a trimethylsiloxy group, and a dimethylsiloxane / methylhydrogensiloxane copolymer capped at both ends of a molecular chain with a trimethylsiloxy group. . The content of the component (B) is not particularly limited as long as it is an amount that cures the composition, but the amount of the silicon-bonded hydrogen atom in the component (B) is 0 based on 1 mol of the alkenyl group in the component (A). The amount is preferably from 0.1 to 10 mol.

【0012】(C)成分の白金系触媒は(A)成分中のアル
ケニル基と(B)成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒ
ドロシリル化反応を促進するための触媒であり、塩化白
金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン
錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボ
ニル錯体が例示される。(C)成分の含有量は前記組成物
を硬化させる量であれば特に限定されないが、前記組成
物に対して(C)成分中の白金金属が重量単位で1〜50
0ppmとなる量であることが好ましい。
The platinum catalyst of the component (C) is a catalyst for promoting the hydrosilylation reaction between the alkenyl group in the component (A) and the silicon-bonded hydrogen atom in the component (B). Examples thereof include an alcohol solution of chloroplatinic acid, an olefin complex of platinum, an alkenylsiloxane complex of platinum, and a carbonyl complex of platinum. The content of the component (C) is not particularly limited as long as it is an amount that cures the composition.
The amount is preferably 0 ppm.

【0013】前記組成物には、その他任意の成分とし
て、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤;ヘキサン、
ヘプタン、オクタン等の脂肪族系溶剤等の溶剤;乾式シ
リカ、湿式シリカ、石英、酸化チタン等の充填剤;カー
ボンブラック、酸化鉄等の着色剤;アルミナ、窒化ホウ
素等の熱伝導性充填剤;銀、銅等の導電性充填剤;3−
メチル−1−ブチン−3−オール、3−フェニル−1−
ブチン−3−オール等の反応抑制剤;3−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン等の接着性付与剤;その他、難
燃剤を含有していてもよい。特に、前記組成物の粘度が
高い場合には、溶剤により希釈することが好ましい。
In the composition, other optional components include aromatic solvents such as toluene and xylene; hexane;
Solvents such as aliphatic solvents such as heptane and octane; fillers such as dry silica, wet silica, quartz and titanium oxide; coloring agents such as carbon black and iron oxide; heat conductive fillers such as alumina and boron nitride; Conductive fillers such as silver and copper; 3-
Methyl-1-butyn-3-ol, 3-phenyl-1-
It may contain a reaction inhibitor such as butyn-3-ol; an adhesion-imparting agent such as 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane; and a flame retardant. In particular, when the viscosity of the composition is high, the composition is preferably diluted with a solvent.

【0014】本方法では、はじめに、上方に突出した電
極を有する電子部品の該電極以外の主要部を前記組成物
で被覆する。この主要部を前記組成物で被覆する方法は
限定されず、例えば、ポッティング法、キャスティング
法、ディッピング法、ディスペンス法、インジェクショ
ン法、スプレー法、スピンコート法が挙げられ、特に、
ディスペンス法によることが好ましい。
In the present method, first, a main part other than the electrode of an electronic component having an electrode protruding upward is coated with the composition. The method of coating the main part with the composition is not limited, and includes, for example, a potting method, a casting method, a dipping method, a dispensing method, an injection method, a spray method, and a spin coating method.
Preferably, a dispense method is used.

【0015】次いで、電極表面の薄膜状の前記組成物を
硬化させないように加熱して主要部を被覆した前記組成
物のみを硬化させる。この加熱温度は限定されないが、
比較的低温で硬化させると、電子部品の主要部を被覆し
た前記組成物に比べて、電極表面の薄膜状の前記組成物
の硬化速度が著しく遅くなるので、40〜140℃の範
囲内であることが好ましく、特に、60〜140℃の範
囲内であることが好ましい。
Next, the composition in the form of a thin film on the electrode surface is heated so as not to cure, and only the composition covering the main part is cured. The heating temperature is not limited,
When cured at a relatively low temperature, the curing rate of the composition in the form of a thin film on the electrode surface is significantly slower than that of the composition covering the main part of the electronic component. The temperature is preferably in the range of 60 to 140 ° C.

【0016】本方法では、次に、電極表面の前記組成物
を溶剤洗浄することにより除去する。この溶剤は限定さ
れず、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤;
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族系溶剤;シク
ロヘキサン等の脂環式系溶剤;イソパラフィン等の石油
系溶剤;環状シロキサンオリゴマー、直鎖状シロキサン
オリゴマー等の低分子シロキサン;その他、ハロゲン系
溶剤、スルホン系溶剤が挙げられる。電極表面の前記組
成物を溶剤洗浄する方法は限定されず、例えば、溶剤に
よるシャワー洗浄、溶剤による噴霧洗浄、溶剤中での浸
漬洗浄が挙げられる。この際、洗浄の効率を上げるた
め、溶剤を加熱してもよく、また、溶剤中に浸漬して洗
浄する場合には、超音波振動や機械的振動を加えても良
い。その後、必要に応じて加熱により溶剤を除去するこ
とにより、電子部品の主要部のみをシリコーンゴムで被
覆した電子部品を得ることができる。
Next, in the present method, the composition on the electrode surface is removed by solvent washing. This solvent is not limited, for example, aromatic solvents such as toluene and xylene;
Aliphatic solvents such as hexane, heptane and octane; alicyclic solvents such as cyclohexane; petroleum solvents such as isoparaffin; low molecular siloxanes such as cyclic siloxane oligomers and linear siloxane oligomers; System solvents. The method of solvent-cleaning the composition on the electrode surface is not limited, and examples thereof include shower cleaning with a solvent, spray cleaning with a solvent, and immersion cleaning in a solvent. At this time, the solvent may be heated in order to increase the efficiency of cleaning, and when immersing in the solvent for cleaning, ultrasonic vibration or mechanical vibration may be applied. Thereafter, if necessary, the solvent is removed by heating to obtain an electronic component in which only the main part of the electronic component is covered with silicone rubber.

【0017】[0017]

【実施例】本発明の電子部品の被覆方法を実施例により
詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は25℃におけ
る値であり、電極の汚染率、および電子部品のハンダ付
けの不良率は次のようにして求めた。
EXAMPLES The method for coating an electronic component according to the present invention will be described in detail with reference to examples. The viscosities in the examples are values at 25 ° C., and the contamination rate of the electrodes and the defective rate of soldering of electronic components were determined as follows.

【0018】[電極の汚染率]電極表面がシリコーンゴ
ムにより被覆されているかどうかを顕微鏡写真により観
察して、シリコーンゴムによる電極の汚染率を求めた。
[Electrode Contamination Rate] Whether or not the electrode surface was covered with silicone rubber was observed with a micrograph to determine the contamination rate of the silicone rubber electrode.

【0019】[ハンダ付けの不良率]図2で示したよう
に、図1で示したモノリシックICの金製バンプ3をテ
ストボード基板6表面のテストボード回路配線7に表面
実装してハンダ付けした。このようにして電子部品を実
装した20個のテストボード基板6を−65℃で30分
間と+150℃で30分間を1サイクルとするサーマル
サイクル試験を1000サイクル実施した後、テストボ
ード外部リード8間の電気導通試験を行い、導通不良の
テストボード基板の割合からハンダ付けの不良率を求め
た。
[Soldering Defective Rate] As shown in FIG. 2, the gold bump 3 of the monolithic IC shown in FIG. 1 was surface-mounted on the test board circuit wiring 7 on the surface of the test board substrate 6 and soldered. . After performing 20 thermal cycle tests on the 20 test board substrates 6 on which the electronic components are mounted in this manner, one cycle of -65 ° C. for 30 minutes and + 150 ° C. for 30 minutes, the test board external leads 8 The electrical continuity test was performed, and the percentage of defective soldering was determined from the ratio of test board substrates having poor continuity.

【0020】[実施例1]図1で示したモノリシックI
Cにおいて、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封
鎖ジメチルポリシロキサン、(CH3)2(CH2=CH)Si
1/2単位と(CH3)3SiO1/2単位とSiO4/2単位から
なるオルガノポリシロキサンレジン、分子鎖両末端トリ
メチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキ
サン(ケイ素原子結合水素原子の含有量=1.5重量%:
上記ジメチルポリシロキサンとオルガノポリシロキサン
レジン中の合計のビニル基1モルに対して、本成分中の
ケイ素原子結合水素原子が1.5モルとなる量)、白金の
1,3−ジビニルテトラメチルシロキサン錯体(この組成
物に対して白金金属が重量単位で10ppmとなる量)、お
よび3−フェニル−1−ブチン−3−オール(この組成
物に対して重量単位で150ppmとなる量)からなるヒド
ロシリル化反応硬化型シリコーンゴム組成物をヘキサン
に2:1の重量比で溶解して調製した、粘度20mPa・s
のシリコーンゴム組成物を金製バンプ3の半分の高さま
でディスペンサーにより塗布した後、110℃で10分
間加熱した。この電子部品を観察したところ、金製バン
プ3表面は薄膜状のシリコーンゴム組成物により被覆さ
れていることが確認できた。その後、電子部品をトルエ
ンにより1分間シャワー洗浄して、金製バンプ3表面の
シリコーンゴム組成物を除去し、さらに、150℃で1
時間加熱した。この電子部品について、電極の汚染率、
およびハンダ付けの不良率を表1に示した。
Embodiment 1 Monolithic I shown in FIG.
In C, dimethylpolysiloxane endblocked by dimethylvinylsiloxy groups at both ends of the molecular chain, (CH 3 ) 2 (CH 2 CHCH) Si
Organopolysiloxane resin composed of O 1/2 unit and (CH 3 ) 3 SiO 1/2 unit and SiO 4/2 unit, trimethylsiloxy group-blocked methyl hydrogen polysiloxane having both ends of molecular chain (containing silicon-bonded hydrogen atom Amount = 1.5% by weight:
1,3-divinyltetramethylsiloxane of platinum, in which the silicon-bonded hydrogen atoms in the component are 1.5 moles per mole of the total vinyl groups in the dimethylpolysiloxane and organopolysiloxane resin. Hydrosilyl comprising a complex (an amount of 10 ppm by weight of platinum metal based on the composition) and 3-phenyl-1-butyn-3-ol (an amount of 150 ppm by weight based on the composition) A silicone rubber composition having a viscosity of 20 mPa · s was prepared by dissolving the silicone rubber composition in a hexane at a weight ratio of 2: 1.
The silicone rubber composition was applied by a dispenser to half the height of the gold bump 3 and then heated at 110 ° C. for 10 minutes. Observation of this electronic component confirmed that the surface of the gold bump 3 was covered with the thin-film silicone rubber composition. Thereafter, the electronic component was shower-washed with toluene for 1 minute to remove the silicone rubber composition on the surface of the gold bump 3, and then further washed at 150 ° C. for 1 minute.
Heated for hours. For this electronic component, the contamination rate of the electrode,
Table 1 shows the defective rates of soldering.

【0021】[比較例1]実施例1において、シリコー
ンゴム組成物を金製バンプ3の半分の高さまでディスペ
ンサーにより塗布した後、150℃で1時間加熱した。
この電子部品を観察したところ、金製バンプ3表面は薄
膜状のシリコーンゴムにより被覆されていることが確認
できた。その後、電子部品をトルエンにより1分間シャ
ワー洗浄し、さらに、150℃で1時間加熱した。この
電子部品について、電極の汚染率、およびハンダ付けの
不良率を表1に示した。
Comparative Example 1 In Example 1, the silicone rubber composition was applied by a dispenser to half the height of the gold bump 3 and then heated at 150 ° C. for 1 hour.
Observation of this electronic component confirmed that the surface of the gold bump 3 was covered with a thin film of silicone rubber. Thereafter, the electronic component was shower-washed with toluene for 1 minute, and further heated at 150 ° C. for 1 hour. Table 1 shows the contamination rate of the electrode and the defective rate of the soldering of this electronic component.

【0022】[比較例2]図1で示したモノリシックI
Cにおいて、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封
鎖ジメチルポリシロキサン、(CH3)2(CH2=CH)Si
1/2単位と(CH3)3SiO1/2単位とSiO4/2単位から
なるオルガノポリシロキサンレジン、分子鎖両末端トリ
メチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイ
ドロジェンシロキサン共重合体(ケイ素原子結合水素原
子の含有量=0.75重量%:上記ジメチルポリシロキ
サンとオルガノポリシロキサンレジン中の合計のビニル
基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子
が1.5モルとなる量)、白金の1,3−ジビニルテトラ
メチルシロキサン錯体(この組成物に対して白金金属が
重量単位で10ppmとなる量)、および3−フェニル−1
−ブチン−3−オール(この組成物に対して重量単位で
150ppmとなる量)からなるヒドロシリル化反応硬化型
シリコーンゴム組成物をヘキサンに2:1の重量比で溶
解して調製した、粘度20mPa・sのシリコーンゴム組成
物を金製バンプ3の半分の高さまでディスペンサーによ
り塗布し、110℃で10分間加熱した。この電子部品
を観察したところ、金製バンプ3表面は薄膜状のシリコ
ーンゴムにより被覆されていることが確認された。その
後、電子部品をトルエンにより1分間シャワー洗浄し、
さらに、150℃で1時間加熱した。この電子部品につ
いて、電極の汚染率、およびハンダ付けの不良率を表1
に示した。
Comparative Example 2 Monolithic I shown in FIG.
In C, dimethylpolysiloxane endblocked by dimethylvinylsiloxy groups at both ends of the molecular chain, (CH 3 ) 2 (CH 2 CHCH) Si
An organopolysiloxane resin comprising O 1/2 units, (CH 3 ) 3 SiO 1/2 units and SiO 4/2 units, a dimethylsiloxane / methylhydrogensiloxane copolymer having a trimethylsiloxy group at both ends of a molecular chain (silicon atom Bonded hydrogen atom content = 0.75% by weight: 1.5 moles of silicon-bonded hydrogen atoms in this component per 1 mole of the total vinyl groups in the dimethylpolysiloxane and organopolysiloxane resin. Amount), 1,3-divinyltetramethylsiloxane complex of platinum (an amount of 10 ppm by weight of platinum metal with respect to this composition), and 3-phenyl-1
A hydrosilylation-curable silicone rubber composition comprising -butyn-3-ol (an amount of 150 ppm by weight based on the composition) was dissolved in hexane at a weight ratio of 2: 1 and had a viscosity of 20 mPa. The silicone rubber composition of s was applied by a dispenser to half the height of the gold bump 3 and heated at 110 ° C. for 10 minutes. Observation of this electronic component confirmed that the surface of the gold bump 3 was covered with a thin film of silicone rubber. After that, the electronic parts are shower-washed with toluene for 1 minute,
Furthermore, it heated at 150 degreeC for 1 hour. Table 1 shows the contamination rate of the electrodes and the defective rate of soldering for this electronic component.
It was shown to.

【0023】[0023]

【表1】 [Table 1]

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明の電子部品の被覆方法は、上方に
突出した電極を有する電子部品の該電極以外の主要部の
みをシリコーンゴムで被覆し、シリコーンゴムによる該
電極の汚染を減少させ、その後のハンダ付け不良を減少
させることができるという特徴がある。
According to the method of coating an electronic component of the present invention, only the main part other than the electrode of an electronic component having an electrode protruding upward is coated with silicone rubber to reduce contamination of the electrode by silicone rubber. There is a feature that subsequent soldering failure can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明における電子部品の一例であるモノリ
シックICの断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a monolithic IC which is an example of an electronic component according to the present invention.

【図2】 本発明における電子部品の一例であるモノリ
シックICを実装したテストボード基板の断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a test board substrate on which a monolithic IC as an example of an electronic component according to the present invention is mounted.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 2 ボンディングパッド 3 バンプ 4 パッシベーション膜 5 シリコーンゴム 6 テストボード基板 7 テストボード回路配線 8 テストボード外部リード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 2 Bonding pad 3 Bump 4 Passivation film 5 Silicone rubber 6 Test board substrate 7 Test board circuit wiring 8 Test board external lead

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一色 実 千葉県市原市千種海岸2番2 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 加藤 智子 千葉県市原市千種海岸2番2 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸2番2 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 Fターム(参考) 4D075 BB26Z BB65Z CA34 DA07 DA36 DB01 DB31 DC22 EA05 EA19 EB43 EB52 EB56 EC54 EC60 4M109 AA01 BA03 CA05 DA09 DB15 EA10 EB04 EC20  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Minoru Isshiki 2-2 Chikusa Beach, Ichihara City, Chiba Prefecture Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd. 2 Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd. Research and Development Headquarters (72) Inventor Katsumi Mine 2-2 Chigusa Coast, Ichihara City, Chiba Prefecture Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd. Research and Development Headquarters F-term (reference) 4D075 BB26Z BB65Z CA34 DA07 DA36 DB01 DB31 DC22 EA05 EA19 EB43 EB52 EB56 EC54 EC60 4M109 AA01 BA03 CA05 DA09 DB15 EA10 EB04 EC20

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上方に突出した電極を有する電子部品の
該電極以外の主要部を、(A)一分子中に少なくとも2個
のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシ
ロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子
結合水素原子を有し、該ケイ素原子結合水素原子の含有
量が0.9重量%以上であるオルガノポリシロキサン、
および(C)白金系触媒から少なくともなるヒドロシリル
化反応硬化型シリコーンゴム組成物で被覆し、次いで、
該電極表面の薄膜状の該組成物を硬化させないように加
熱して該主要部を被覆した該組成物のみを硬化させた
後、溶剤洗浄することを特徴とするシリコーンゴムによ
る電子部品の被覆方法。
1. An electronic component having an electrode protruding upward, the main part other than the electrode is composed of (A) an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule, and (B) one molecule An organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms therein and having a silicon-bonded hydrogen atom content of 0.9% by weight or more;
And (C) coating with a hydrosilylation reaction-curable silicone rubber composition comprising at least a platinum-based catalyst,
A method for coating an electronic component with a silicone rubber, comprising heating the thin film composition on the electrode surface so as not to cure the composition and curing only the composition covering the main part, followed by solvent washing. .
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