JP2002164201A - Organic positive temperature coefficient thermistor composition and organic positive temperature coefficient thermistor element - Google Patents

Organic positive temperature coefficient thermistor composition and organic positive temperature coefficient thermistor element

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JP2002164201A JP2000356948A JP2000356948A JP2002164201A JP 2002164201 A JP2002164201 A JP 2002164201A JP 2000356948 A JP2000356948 A JP 2000356948A JP 2000356948 A JP2000356948 A JP 2000356948A JP 2002164201 A JP2002164201 A JP 2002164201A
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positive temperature
coefficient thermistor
organic positive
powder
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic positive temperature coefficient thermistor element, that has a low specific resistance and is suppressed in resistance change caused by oxidation and deformation. SOLUTION: This organic positive temperature coefficient thermistor element 10 contains a flat element 12. The element 12 is composed of an organic positive temperature coefficient thermistor composition. The thermistor composition is prepared by mixing conductive powder in a matrix resin, composed of a crystalline macromolecular material. The conductive powder contains secondary particles, each of which is obtained by cohering a plurality of primary particles of the metallic powder together. The means particle diameter of the secondary particles is adjusted to 5-30 times the primary particles. On both main surfaces of the element 12, electrodes 14 and 14 are respectively formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は有機正特性サーミ
スタ組成物および有機正特性サーミスタ素子に関し、特
にたとえば電子回路の過電流保護用のチップ型の有機正
特性サーミスタ素子に用いられる有機正特性サーミスタ
組成物などに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic positive temperature coefficient thermistor composition and an organic positive temperature coefficient thermistor element, and more particularly to an organic positive temperature coefficient thermistor composition used for a chip type organic positive temperature coefficient thermistor element for overcurrent protection of an electronic circuit. About things.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、有機正特性サーミスタ素子の素体
となる有機正特性サーミスタ組成物の高分子樹脂材料に
混合する導電性粉末としては、一般にカーボンブラック
が多く用いられてきた。このような有機正特性サーミス
タ組成物を用いた有機正特性サーミスタ素子では、室温
において高分子樹脂材料中に分散したカーボンブラック
が導電パスを形成し、低い抵抗値を示すが、高温になる
と高分子樹脂の融点近傍で急激な結晶融解が起こり、そ
の結果として生じる急激な体積膨張のため、導電パスが
切断され、抵抗値が高くなる。そのため、この有機正特
性サーミスタ素子は、過電流保護用として使用すること
ができる。
2. Description of the Related Art Conventionally, carbon black has been generally used as a conductive powder to be mixed with a polymer resin material of an organic positive temperature coefficient thermistor composition, which is an element of an organic positive temperature coefficient thermistor element. In an organic positive temperature coefficient thermistor element using such an organic positive temperature coefficient thermistor composition, carbon black dispersed in a polymer resin material forms a conductive path at room temperature and shows a low resistance value. Sudden crystal melting occurs near the melting point of the resin, and the resulting rapid volume expansion cuts the conductive path and increases the resistance. Therefore, this organic positive temperature coefficient thermistor element can be used for overcurrent protection.

【0003】ところが、USBやIEEE1394など
のインターフェイス市場で、過電流保護用として低抵抗
のチップ型の有機正特性サーミスタ素子の需要が急増す
ると予想される中、カーボンブラックより低比抵抗の金
属粉末を使用する動きが高まりつつある。導電性の金属
粉末として代表的なものに銀粉末があるが、高価である
というデメリットがある。比較的安価なニッケル粉末や
銅粉末も考えられるが、耐酸化性が低いため、熱履歴を
受けることにより表面が酸化され、比抵抗が増大すると
いう欠点がある。
However, in the market for interfaces such as USB and IEEE 1394, demand for low resistance chip type organic positive temperature coefficient thermistor elements for overcurrent protection is expected to increase rapidly. Movement to use is increasing. Silver powder is a typical conductive metal powder, but has the disadvantage of being expensive. Nickel powder and copper powder, which are relatively inexpensive, can also be considered, but have the disadvantage that the surface is oxidized by the heat history and the specific resistance increases due to low oxidation resistance.

【0004】そこで、特開平8−88106号公報に開
示されているように、ニッケル粉末を耐酸化性および導
電性を有する金属材料(パラジウム)で被覆するという
方法をとり、比較的低コストで耐酸化性を満足するに至
った。また、特開平10−303003号公報に開示さ
れているように、金属表面をカップリング処理するとい
う方法をとり、より低コストで同等の効果を得ている。
Therefore, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-88106, a method of coating a nickel powder with a metal material (palladium) having oxidation resistance and conductivity is adopted, and at a relatively low cost, the acid resistance is reduced. The chemical properties were satisfied. Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-303003, a method of performing a coupling treatment on a metal surface is employed, and the same effect is obtained at a lower cost.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平8−
88106号公報および特開平10−303003号公
報に開示されているこれらの方法で作製された素子の欠
点として、マトリックス樹脂が溶融したときの保形性の
低さが指摘される。保形性が低いと溶融、固化を繰り返
すうちに変形していき、それが原因で抵抗が増大するこ
とになる。
SUMMARY OF THE INVENTION However, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-
One of the drawbacks of the devices manufactured by these methods disclosed in JP-A-88106 and JP-A-10-303003 is that the shape retention of the matrix resin when molten is low. If the shape retention is low, the material is deformed while repeating melting and solidification, thereby increasing the resistance.

【0006】保形性を高くする手段として、マトリック
ス樹脂である結晶性高分子の架橋度を上げるという方法
がある。ところが、架橋度を上げることで結晶性高分子
の結晶化度が低下し、有機正特性サーミスタ素子のサー
ミスタ特性に悪影響を与えるというデメリットもある。
As a means of improving the shape retention, there is a method of increasing the degree of crosslinking of a crystalline polymer as a matrix resin. However, increasing the degree of cross-linking has the disadvantage that the crystallinity of the crystalline polymer is reduced, which adversely affects the thermistor characteristics of the organic positive temperature coefficient thermistor element.

【0007】また、導電成分としてカーボンブラックを
同時に添加するという方法もある。これはマトリックス
樹脂中でストラクチャー(凝集形態)を形成するという
カーボンブラックの特性を生かし、有機正特性サーミス
タ組成物に凝似的な架橋を施すのが目的である。ところ
が、前述のように、カーボンブラックは、金属粉末と比
較して比抵抗が高いため、多量に混合すると、室温比抵
抗の増大を招く。したがって、カーボンブラックの混合
量は必要最小限に限定する必要がある。
There is also a method of simultaneously adding carbon black as a conductive component. The purpose of this is to give a similar cross-link to the organic positive temperature coefficient thermistor composition by utilizing the property of carbon black that forms a structure (aggregated form) in a matrix resin. However, as described above, carbon black has a higher specific resistance than metal powder. Therefore, if it is mixed in a large amount, the specific resistance at room temperature increases. Therefore, it is necessary to limit the mixing amount of carbon black to a necessary minimum.

【0008】また、導電成分として混合する酸化防止処
理済み金属粉末自体を凝集粉末とする方法もある。これ
により、カーボンブラックの同時添加と同等の効果が得
られる。
[0008] There is also a method in which an antioxidant-treated metal powder itself to be mixed as a conductive component is converted into an aggregated powder. Thereby, an effect equivalent to the simultaneous addition of carbon black can be obtained.

【0009】それゆえに、この発明の主たる目的は、低
比抵抗であり酸化および変形による抵抗変化を抑制した
有機正特性サーミスタ素子およびそれに用いられる有機
正特性サーミスタ組成物を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is a main object of the present invention to provide an organic positive temperature coefficient thermistor element having a low specific resistance and suppressing a change in resistance due to oxidation and deformation, and an organic positive temperature coefficient thermistor composition used therefor.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明にかかる有機正
特性サーミスタ組成物は、結晶性高分子材料からなるマ
トリックス樹脂中に導電性粉末を添加含有させてなる有
機正特性サーミスタ組成物であって、導電性粉末は、金
属粉末の1次粒子を複数凝集させた2次粒子を含み、2
次粒子の平均粒径は1次粒子の平均粒径の5〜30倍で
あることを特徴とする、有機正特性サーミスタ組成物で
ある。この発明にかかる有機正特性サーミスタ組成物で
は、金属粉末の1次粒子の平均粒径が0.5〜10μm
であることが好ましい。また、この発明にかかる有機正
特性サーミスタ組成物では、マトリックス樹脂と導電性
粉末との合計を100体積%として、導電性粉末の含有
量を25〜60体積%とすることが好ましい。さらに、
この発明にかかる有機正特性サーミスタ組成物では、導
電性粉末は、金属粉末とカーボンブラックとの混合粉で
あることが好ましい。この場合、導電性粉末の合計を1
00体積%として、カーボンブラックの含有量が15体
積%以下であることが好ましい。また、この発明にかか
る有機正特性サーミスタ組成物は、マトリックス樹脂の
融点が130〜180℃であることが好ましい。この発
明にかかる有機正特性サーミスタ素子は、この発明にか
かる有機正特性サーミスタ組成物からなる素体の表面に
電極を形成したことを特徴とする、有機正特性サーミス
タ素子である。
The organic positive temperature coefficient thermistor composition according to the present invention is an organic positive temperature coefficient thermistor composition obtained by adding a conductive powder to a matrix resin comprising a crystalline polymer material. The conductive powder includes secondary particles obtained by aggregating a plurality of primary particles of metal powder.
The organic positive temperature coefficient thermistor composition is characterized in that the average particle size of the secondary particles is 5 to 30 times the average particle size of the primary particles. In the organic positive temperature coefficient thermistor composition according to the present invention, the average particle size of the primary particles of the metal powder is 0.5 to 10 μm.
It is preferable that Further, in the organic positive temperature coefficient thermistor composition according to the present invention, it is preferable that the total of the matrix resin and the conductive powder is 100% by volume, and the content of the conductive powder is 25 to 60% by volume. further,
In the organic positive temperature coefficient thermistor composition according to the present invention, the conductive powder is preferably a mixed powder of a metal powder and carbon black. In this case, the total of the conductive powder is 1
The content of carbon black is preferably 15% by volume or less based on 00% by volume. In the organic positive temperature coefficient thermistor composition according to the present invention, the melting point of the matrix resin is preferably from 130 to 180 ° C. An organic positive temperature coefficient thermistor element according to the present invention is an organic positive temperature coefficient thermistor element characterized in that electrodes are formed on the surface of a body made of the organic positive temperature coefficient thermistor composition according to the present invention.

【0011】本願発明者等は、有機正特性サーミスタ素
子において、低比抵抗と酸化および変形による抵抗変化
の抑制とを達成するために鋭意研究を進めた。その結
果、凝集した酸化防止処理済みの金属粉末、または、凝
集した酸化防止処理済みの金属粉末および必要最小量の
カーボンブラックの混合物を、導電性粉末として使用す
ることで、低比抵抗と酸化および変形による抵抗変化の
抑制とが達成されることを見出した。
The present inventors have conducted intensive studies to achieve low specific resistance and suppression of resistance change due to oxidation and deformation in an organic positive temperature coefficient thermistor element. As a result, by using agglomerated antioxidant-treated metal powder or a mixture of agglomerated antioxidant-treated metal powder and a minimum amount of carbon black as a conductive powder, low specific resistance and oxidation and It has been found that suppression of resistance change due to deformation is achieved.

【0012】前述の目的を達成するために、まず、導電
性粉末として凝集した酸化防止処理済みの金属粉末の選
定を行った。金属粉末としては、金粉末、銀粉末、ニッ
ケル粉末、銅粉末、マグネシウム粉末、アルミニウム粉
末、鉄粉末、タングステン粉末などが挙げられるが、コ
ストおよび導電性などを考慮すると、ニッケル粉末が適
当である。ニッケル粉末の酸化防止処理としては、金属
めっき処理、カーボンコーティング、有機物によるカッ
プリング処理などが挙げられるが、前述したように金属
粉末を凝集させて系の保形性を向上させる目的からは、
金属粉末のコーティング膜がある程度の粘性を有してい
ることが望ましい。その理由から有機物によるカップリ
ング処理が望ましく、鋭意検討した結果、特に、チタネ
ート系カップリング剤による処理が最適であることが判
明した。チタネート系カップリング剤の処理量は、それ
により凝集したニッケル粉末の平均凝集径が平均1次粒
径の5倍から30倍となるように設定するのが望ましい
(平均1次粒径および平均凝集径は、それぞれ凝集前後
にレーザー回折式粒度分布計で測定したD50の値とし
た。)。5倍未満となるような少量の処理量では、前述
したように系の保形性を向上させる効果が低く、さらに
耐酸化性が期待できない。反対に30倍を超えるような
多量の処理量では、系の機械的強度の低下を引き起こ
す。なお、ここで使用する凝集したニッケル粉末の凝集
前の平均1次粒径は、0.5μm以上で10μm以下が
望ましい。0.5μm未満であると、粒子表面の酸化絶
縁被膜の影響が無視できなくなり抵抗値増大の原因とな
るからである。反対に10μmを超えると、粒子どうし
の凝集が困難となるからである。
In order to achieve the above-mentioned object, first, a metal powder which has been subjected to antioxidation treatment and has been aggregated as a conductive powder was selected. Examples of the metal powder include a gold powder, a silver powder, a nickel powder, a copper powder, a magnesium powder, an aluminum powder, an iron powder, and a tungsten powder. Nickel powder is suitable in consideration of cost and conductivity. Examples of the oxidation prevention treatment of the nickel powder include a metal plating treatment, a carbon coating, a coupling treatment with an organic substance, and the like.As described above, for the purpose of aggregating the metal powder and improving the shape retention of the system,
It is desirable that the coating film of the metal powder has a certain degree of viscosity. For that reason, coupling treatment with an organic substance is desirable, and as a result of intensive studies, it has been found that treatment with a titanate coupling agent is particularly optimal. The treatment amount of the titanate-based coupling agent is desirably set so that the average agglomerated diameter of the nickel powder agglomerated thereby becomes 5 to 30 times the average primary particle size (average primary particle size and average agglomerated particle size). diameter was around each aggregate value of D 50 was measured with a laser diffraction type particle size distribution meter.). If the treatment amount is as small as less than 5 times, the effect of improving the shape retention of the system is low as described above, and furthermore, oxidation resistance cannot be expected. Conversely, large throughputs, such as over 30 times, cause a reduction in the mechanical strength of the system. The average primary particle diameter of the agglomerated nickel powder used before the agglomeration is preferably 0.5 μm or more and 10 μm or less. If the thickness is less than 0.5 μm, the influence of the oxide insulating film on the surface of the particles cannot be ignored and causes an increase in the resistance value. Conversely, if it exceeds 10 μm, it becomes difficult to aggregate the particles.

【0013】次に、少量の混合量でも効率よく有機正特
性サーミスタ組成物の保形性を高くするカーボンブラッ
クの選定が必要となる。種々の検討を行った結果、高ス
トラクチャータイプのカーボンブラックを使用すると、
好ましい結果が得られることが判明した。ここで、高ス
トラクチャータイプのカーボンブラックは、平均粒径が
50nm以下で、DBP吸油量は130ml/100g
以上である。ここで、DBP吸油量とは、カーボンブラ
ックのストラクチャーの程度を示す指標であり、この値
が高いほど高ストラクチャーであると判断できる。
Next, it is necessary to select a carbon black which efficiently increases the shape retention of the organic positive temperature coefficient thermistor composition even with a small amount of mixture. As a result of various studies, using a high-structure type carbon black,
It has been found that favorable results are obtained. Here, the high structure type carbon black has an average particle diameter of 50 nm or less and a DBP oil absorption of 130 ml / 100 g.
That is all. Here, the DBP oil absorption is an index indicating the degree of the structure of the carbon black, and it can be determined that the higher the value, the higher the structure.

【0014】以上の構成により、導電性粉末としてたと
えばチタネート系カップリング剤で表面処理を施した酸
化防止処理済みで凝集したニッケル粉末を使用し、同時
に高ストラクチャータイプカーボンブラックを必要最小
限混合すれば、室温比抵抗が低く、熱履歴を印加しても
酸化による室温比抵抗の増大が抑制され、かつ、有機正
特性サーミスタ組成物の保形性を高くすることができ、
熱変形による室温比抵抗の増大が抑制される。
With the above structure, for example, agglomeration nickel powder which has been subjected to antioxidation treatment and surface-treated with a titanate-based coupling agent is used as the conductive powder, and at the same time, a high structure type carbon black is mixed to a minimum amount. , The room temperature resistivity is low, even if a heat history is applied, the increase in room temperature resistivity due to oxidation is suppressed, and the shape retention of the organic positive temperature coefficient thermistor composition can be increased,
An increase in the room temperature specific resistance due to thermal deformation is suppressed.

【0015】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、以下の発明の実施の形態の詳細な説明
から一層明らかとなろう。
The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments of the present invention.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態である有機
正特性サーミスタ組成物は、マトリックス樹脂として高
密度ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデン、または、高
密度ポリエチレンおよびポリフッ化ビニリデンの混合樹
脂と、導電性粉末としてチタネート系カップリング剤で
表面処理を施した凝集ニッケル粉末、または、チタネー
ト系カップリング剤で表面処理を施した凝集ニッケル粉
末および高ストラクチャータイプカーボンブラックの混
合粉とを混合してなるものである。マトリックス樹脂と
しては、高密度ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデンの
ほかに、低密度ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポ
リオレフィン系結晶性高分子を使用できるが、室温比抵
抗とトリップ後の比抵抗との差(マトリックス樹脂の結
晶融解により急激な体積膨張が起こり、導電粒子間の導
電パスが切断され、その結果比抵抗が急増するトリップ
が観測されること)を考慮すると、結晶化度が高い高密
度ポリエチレン樹脂およびポリフッ化ビニリデンの混合
樹脂が適している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION An organic positive temperature coefficient thermistor composition according to an embodiment of the present invention comprises a high density polyethylene, polyvinylidene fluoride or a mixed resin of high density polyethylene and polyvinylidene fluoride as a matrix resin, and a conductive resin. Agglomerated nickel powder surface-treated with a titanate coupling agent, or a mixture of agglomerated nickel powder surface-treated with a titanate coupling agent and a mixed powder of high-structure type carbon black as a powder. is there. As the matrix resin, besides high-density polyethylene and polyvinylidene fluoride, low-density polyethylene and polyolefin-based crystalline polymers such as polypropylene can be used. The difference between the room temperature resistivity and the resistivity after tripping (the matrix resin Considering that crystal melting causes rapid volume expansion and cuts conductive paths between conductive particles, resulting in trips that increase the specific resistance rapidly.) Vinylidene mixed resins are suitable.

【0017】また、高密度ポリエチレンの融点が130
℃〜140℃に存在し、ポリフッ化ビニリデンの融点が
170℃〜180℃に存在するため、マトリックス樹脂
として高密度ポリエチレンおよびポリフッ化ビニリデン
の混合樹脂を使用すれば、その混合比率を制御すること
により130℃〜180℃の任意の温度に見かけ上の融
点を設定することが可能となる。有機正特性サーミスタ
素子の過電流保護効果は、素子に大電流が流れ、素子温
度がマトリックス樹脂の融点まで上昇したときに、上述
したように急激な体積膨張がおこり、導電粒子間の導電
パスが切断されることによって起こる。したがって、マ
トリックス樹脂の融点は、有機正特性サーミスタ素子に
とって最も重要なファクターの1つである。特に表面実
装用のチップ型の有機正特性サーミスタ素子において
は、マトリックス樹脂の融点が130℃〜180℃であ
る場合、最適な保持電流値(素子をトリップさせること
なく流すことができる最大電流)を設定することが可能
となる。
The melting point of high-density polyethylene is 130
℃ ~ 140 ℃, the melting point of polyvinylidene fluoride is 170 ℃ ~ 180 ℃, if using a mixed resin of high-density polyethylene and polyvinylidene fluoride as the matrix resin, by controlling the mixing ratio It is possible to set the apparent melting point at any temperature between 130 ° C and 180 ° C. The overcurrent protection effect of the organic positive temperature coefficient thermistor element is such that when a large current flows through the element and the element temperature rises to the melting point of the matrix resin, rapid volume expansion occurs as described above, and a conductive path between the conductive particles is formed. It is caused by being cut. Therefore, the melting point of the matrix resin is one of the most important factors for the organic positive temperature coefficient thermistor element. Particularly, in the case of a chip type organic positive temperature coefficient thermistor element for surface mounting, when the melting point of the matrix resin is 130 ° C. to 180 ° C., an optimum holding current value (maximum current that can flow without tripping the element) is obtained. It can be set.

【0018】また、上述したように導電性粉末としてチ
タネート系カップリング剤で表面処理を施した凝集ニッ
ケル粉末、または、チタネート系カップリング剤で表面
処理を施した凝集ニッケル粉末および高ストラクチャー
タイプカーボンブラックの混合粉を使用しているが、凝
集ニッケル粉末のみの混合で系の保形性が向上できる場
合、高ストラクチャータイプカーボンブラックの同時添
加を省略することができる。
Further, as described above, as the conductive powder, an agglomerated nickel powder surface-treated with a titanate-based coupling agent, or an agglomerated nickel powder surface-treated with a titanate-based coupling agent and a high structure type carbon black However, if the mixture of only the agglomerated nickel powder can improve the shape retention of the system, the simultaneous addition of the high structure type carbon black can be omitted.

【0019】また、マトリックス樹脂と導電性粉末との
合計を100体積%として、導電性粉末は25〜60体
積%の範囲に設定されることが望ましい。導電性粉末の
混合量が、マトリックス樹脂と導電性粉末との合計10
0体積%に対し、25体積%未満であると、有機正特性
サーミスタ組成物の室温比抵抗を充分に低下させること
が困難となり、反対に60体積%を超えると、混練する
のに非常に時間がかかり非能率的であるばかりか、でき
た有機正特性サーミスタ組成物の機械的強度は極めて低
い(脆い)ものとなり、また、電極との密着性が低下
し、抵抗値の増大を招くからである。
It is desirable that the conductive powder is set in the range of 25 to 60% by volume, where the total of the matrix resin and the conductive powder is 100% by volume. The mixing amount of the conductive powder is 10 in total of the matrix resin and the conductive powder.
If the amount is less than 25% by volume relative to 0% by volume, it is difficult to sufficiently lower the room temperature specific resistance of the organic positive temperature coefficient thermistor composition, and if it exceeds 60% by volume, it takes a very long time to knead. In addition to being inefficient, the mechanical strength of the resulting organic positive temperature coefficient thermistor composition is extremely low (brittle), and the adhesion to the electrode is reduced, resulting in an increase in resistance. is there.

【0020】[0020]

【実施例】(実施例1〜12)実施例1〜3では、有機
正特性サーミスタ素子の素体となる有機正特性サーミス
タ組成物のマトリックス樹脂成分に高密度ポリエチレン
(密度:0.968g/cm3 )を使用した。導電性粉
末には、酸化防止処理済みの金属粉末としてチタネート
系カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末A
(平均1次粒径:2μm、平均凝集径:30μm、密
度:8.8g/cm3 )を使用し、カーボンブラックと
して東海カーボン株式会社製のトーカブラック♯450
0(平均粒径:40nm、DBP吸油量:168ml/
100g、密度:1.8g/cm3 )を使用した。配合
比は、有機正特性サーミスタ組成物全体を100体積%
として、高密度ポリエチレンを50体積%とし、導電性
粉末を50体積%とした。導電性粉末のうちチタネート
系カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末とカ
ーボンブラックとの体積比は、実施例1では95:5と
し、実施例2では90:10とし、実施例3では10
0:0とした。実施例4、5、6では、マトリックス樹
脂成分がポリフッ化ビニリデン(密度:1.77g/c
3 )であること以外はそれぞれ実施例1、2、3と同
じとした。実施例7、8、9では、マトリックス樹脂成
分が上述の高密度ポリエチレンおよび上述のポリフッ化
ビニリデンの混合樹脂(重量比:50/50)であるこ
と以外はそれぞれ実施例1、2、3と同じとした。実施
例1〜9で使用のチタネート系カップリング剤で表面処
理した凝集ニッケル粉末Aの代わりに、実施例10では
チタネート系カップリング剤で表面処理した凝集ニッケ
ル粉末B(平均1次粒径:2μm、平均凝集径:12μ
m、密度:8.8g/cm3 )を使用した以外は実施例
1と同じとし、実施例11ではチタネート系カップリン
グ剤で表面処理した凝集ニッケル粉末C(平均1次粒
径:2μm、平均凝集径:50μm、密度:8.8g/
cm3 )を使用した以外は実施例1と同じとした。実施
例12では、実施例1、2、4、5、7、8、10、1
1で使用したカーボンブラックの代わりに、東海カーボ
ン株式会社製のトーカブラック♯4400(平均粒径:
38nm、DBP吸油量:135ml/100g、密
度:1.8g/cm3 )を使用した以外は実施例1と同
じとした。配合後、2本ロール混練機(日新科学株式会
社製)によって、実施例1〜3および10〜12では1
50℃で10分間混練し、実施例4〜9では190℃で
15分間混練した。さらに、実施例1〜3および10〜
12では、化学架橋の目的でジクミルパーオキサイドを
高密度ポリエチレンに対して1wt%添加し、再度5分
間混練した。混練終了後、厚さ約0.7mmのシートと
して取り出し、シートの両面に片面を粗面化した銅箔
(厚さ18μm)を粗面がシート側になるようにセット
し、それを、実施例1〜3および10〜12では180
℃で10分間プレスし、実施例4〜9では220℃で1
0分間プレスした。この場合、スペーサーの厚みは0.
5mmとした。その後、室温まで冷却し、厚さ0.5m
mの電極付き試料を得た。得られた試料をシートカッタ
ーで5mm角の大きさにカットして、図1に示す有機正
特性サーミスタ素子10とした。その後、温度可変の恒
温槽内で4端子法による抵抗測定を行い、厚みと面積か
ら比抵抗を計算した。なお、図1に示す有機正特性サー
ミスタ素子10は、有機正特性サーミスタ組成物からな
る板状の素体12を含む。素体12の両主面には、電極
14、14がそれぞれ形成される。
EXAMPLES (Examples 1 to 12) In Examples 1 to 3, high-density polyethylene (density: 0.968 g / cm) was used as the matrix resin component of the organic positive temperature coefficient thermistor composition which is the element of the organic positive temperature coefficient thermistor element. 3 ) Used. Aggregated nickel powder A whose surface has been treated with a titanate-based coupling agent
(Average primary particle size: 2 μm, average aggregation diameter: 30 μm, density: 8.8 g / cm 3 ), and Toka Black # 450 manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd. as carbon black.
0 (average particle size: 40 nm, DBP oil absorption: 168 ml /
100 g, density: 1.8 g / cm 3 ). The mixing ratio is 100% by volume of the whole organic positive temperature coefficient thermistor composition.
The high-density polyethylene was 50% by volume and the conductive powder was 50% by volume. The volume ratio of the agglomerated nickel powder surface-treated with the titanate-based coupling agent to the carbon black among the conductive powders was 95: 5 in Example 1, 90:10 in Example 2, and 10:10 in Example 3.
0: 0 was set. In Examples 4, 5 and 6, the matrix resin component was polyvinylidene fluoride (density: 1.77 g / c
m 3 ), except that they were the same as in Examples 1, 2, and 3, respectively. Examples 7, 8, and 9 are the same as Examples 1, 2, and 3, respectively, except that the matrix resin component is a mixed resin of the above-described high-density polyethylene and the above-mentioned polyvinylidene fluoride (weight ratio: 50/50). And Instead of the agglomerated nickel powder A surface-treated with the titanate coupling agent used in Examples 1 to 9, in Example 10, agglomerated nickel powder B (average primary particle size: 2 μm) surface-treated with a titanate coupling agent , Average aggregation diameter: 12μ
m, density: 8.8 g / cm 3 ), except that agglomerated nickel powder C surface-treated with a titanate coupling agent (average primary particle size: 2 μm, average) Aggregation diameter: 50 μm, density: 8.8 g /
cm 3 ) except that cm 3 ) was used. In Example 12, Examples 1, 2, 4, 5, 7, 8, 10, 1
In place of the carbon black used in No. 1, Toka Black # 4400 (average particle size: manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd.)
Example 1 was the same as Example 1 except that 38 nm, DBP oil absorption: 135 ml / 100 g, and density: 1.8 g / cm 3 ). After blending, 1 to 2 in Examples 1 to 3 and 10 to 12 by a two-roll kneader (manufactured by Nissin Kagaku Co., Ltd.)
Kneading was performed at 50 ° C. for 10 minutes, and in Examples 4 to 9, kneading was performed at 190 ° C. for 15 minutes. Furthermore, Examples 1-3 and 10
In No. 12, for the purpose of chemical crosslinking, 1% by weight of dicumyl peroxide was added to the high-density polyethylene and kneaded again for 5 minutes. After completion of kneading, the sheet was taken out as a sheet having a thickness of about 0.7 mm, and a copper foil (thickness: 18 μm) having one surface roughened was set on both sides of the sheet so that the rough side was on the sheet side. 180 for 1-3 and 10-12
At 10 ° C. for 10 minutes.
Pressed for 0 minutes. In this case, the thickness of the spacer is 0.
5 mm. Then, cool to room temperature, thickness 0.5m
Thus, m samples with electrodes were obtained. The obtained sample was cut into a size of 5 mm square with a sheet cutter to obtain an organic positive temperature coefficient thermistor element 10 shown in FIG. Thereafter, the resistance was measured by a four-terminal method in a temperature-variable thermostat, and the specific resistance was calculated from the thickness and the area. The organic positive temperature coefficient thermistor element 10 shown in FIG. 1 includes a plate-shaped element body 12 made of an organic positive temperature coefficient thermistor composition. Electrodes 14 and 14 are respectively formed on both main surfaces of the element body 12.

【0021】測定の温度プロファイルは、実施例1〜3
および10〜12については30〜150℃で、実施例
4〜9については30〜190℃で、10℃ステップ
で、各測定温度での待ち時間は3分とした。測定が終了
した後、30℃まで放冷し、再度同様の測定を行った。
測定は5回繰り返した。
The temperature profile of the measurement is shown in Examples 1-3.
And 10 to 12 at 30 to 150 ° C., and Examples 4 to 9 at 30 to 190 ° C. in 10 ° C. steps, and the waiting time at each measurement temperature was 3 minutes. After the measurement was completed, the sample was allowed to cool to 30 ° C., and the same measurement was performed again.
The measurement was repeated five times.

【0022】なお、比較のために次の比較例1、2、
3、4、4′、4″、5および6の試料を作製した。試
料の作製および測定は、実施例1〜3および10〜12
の方法に準じた。
For comparison, the following Comparative Examples 1, 2,
Samples of 3, 4, 4 ', 4 ", 5 and 6 were prepared. The preparation and measurement of the samples were performed in Examples 1-3 and 10-12.
Method.

【0023】(比較例1)比較例1では、導電性粉末と
してカーボンブラックのみを配合した以外は実施例1と
同じとした。
Comparative Example 1 Comparative Example 1 was the same as Example 1 except that only carbon black was blended as the conductive powder.

【0024】(比較例2)比較例2では、チタネート系
カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末の代わ
りに未処理のニッケル粉末を配合した以外は実施例1と
同じとした。
Comparative Example 2 Comparative Example 2 was the same as Example 1 except that untreated nickel powder was blended in place of the agglomerated nickel powder surface-treated with a titanate coupling agent.

【0025】(比較例3)比較例3では、チタネート系
カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末Aを使
用する代わりにチタネート系カップリング剤で表面処理
した非凝集ニッケル粉末D(平均1次粒径:2μm、密
度:8.8g/cm3 )を使用した以外は実施例1と同
じとした。
Comparative Example 3 In Comparative Example 3, instead of using the agglomerated nickel powder A surface-treated with a titanate-based coupling agent, non-agglomerated nickel powder D (average primary particles) surface-treated with a titanate-based coupling agent Example 2 was the same as Example 1 except that the diameter: 2 μm and the density: 8.8 g / cm 3 ).

【0026】(比較例4)比較例4では、チタネート系
カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末Aを使
用する代わりにチタネート系カップリング剤で表面処理
した凝集ニッケル粉末D(平均1次粒径:2μm、平均
凝集径:80μm、密度:8.8g/cm 3 )を使用し
た以外は実施例1と同じとした。
Comparative Example 4 In Comparative Example 4, a titanate-based
Use agglomerated nickel powder A surface-treated with a coupling agent
Surface treatment with titanate coupling agent instead of using
Aggregated nickel powder D (average primary particle size: 2 μm, average
Aggregation diameter: 80 μm, density: 8.8 g / cm ThreeUse
The other conditions were the same as in Example 1.

【0027】(比較例4′)比較例4′では、チタネー
ト系カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末A
を使用する代わりにチタネート系カップリング剤で表面
処理した凝集ニッケル粉末E(平均1次粒径:0.2μ
m、平均凝集径:5μm、密度:8.8g/cm3 )を
使用した以外は実施例1と同じとした。
(Comparative Example 4 ') In Comparative Example 4', agglomerated nickel powder A surface-treated with a titanate coupling agent was used.
Agglomerated nickel powder E (average primary particle size: 0.2 μm) surface-treated with a titanate coupling agent instead of
m, average aggregation diameter: 5 μm, density: 8.8 g / cm 3 ).

【0028】(比較例4″)比較例4″では、チタネー
ト系カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末A
を使用する代わりにチタネート系カップリング剤で表面
処理したニッケル粉末F(平均1次粒径:15μm、凝
集なし、密度:8.8g/cm3 )を使用した以外は実
施例1と同じとした。
(Comparative Example 4 ″) In Comparative Example 4 ″, the aggregated nickel powder A surface-treated with a titanate coupling agent was used.
Was used in the same manner as in Example 1 except that nickel powder F (average primary particle size: 15 μm, no aggregation, density: 8.8 g / cm 3 ) surface-treated with a titanate coupling agent was used instead of .

【0029】(比較例5)比較例5では、有機正特性サ
ーミスタ組成物全体を100体積%として、上述の高密
度ポリエチレンを80体積%とし、上述のチタネート系
カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末Aを1
7体積%とし、上述のカーボンブラック(東海カーボン
株式会社製のトーカブラック♯4500)を3体積%と
した。
Comparative Example 5 In Comparative Example 5, the entire organic positive temperature coefficient thermistor composition was 100% by volume, the high density polyethylene was 80% by volume, and the agglomerated nickel surface-treated with the titanate coupling agent was used. 1 powder A
7% by volume, and 3% by volume of the above carbon black (Toka Black # 4500 manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd.).

【0030】(比較例6)比較例6では、有機正特性サ
ーミスタ組成物全体を100体積%として、上述の高密
度ポリエチレンを35体積%とし、上述のチタネート系
カップリング剤で表面処理した凝集ニッケル粉末Aを4
5体積%とし、上述のカーボンブラック(東海カーボン
株式会社製のトーカブラック♯4500)を20体積%
とした。
Comparative Example 6 In Comparative Example 6, the total volume of the organic positive temperature coefficient thermistor composition was 100% by volume, the above-mentioned high-density polyethylene was 35% by volume, and the agglomerated nickel was surface-treated with the above-described titanate-based coupling agent. Powder A 4
5% by volume, and 20% by volume of the above-described carbon black (Toka Black # 4500 manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd.)
And

【0031】上述の実施例1〜12と比較例1〜6との
初期の室温比抵抗および5回測定後の室温比抵抗につい
ての測定結果を表1に示す。
Table 1 shows the measurement results of the above-mentioned Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 6 with respect to the initial room temperature resistivity and the room temperature resistivity after five measurements.

【0032】[0032]

【表1】 [Table 1]

【0033】また、表1には、実施例1〜12と比較例
1〜6との初期から5回測定終了後までの室温比抵抗の
変化率および合否判定も示した。この場合、合否判定
は、初期および熱履歴印加後の室温比抵抗について、初
期の室温比抵抗が0.020Ω・cm以下で、初期から
5回測定終了後までの室温比抵抗の変化率が150%以
内のものを合格として「○」で示し、他のものを不合格
として「×」で示した。
Table 1 also shows the rate of change of the room temperature specific resistance and the pass / fail judgment of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 6 from the beginning to the end of five measurements. In this case, the pass / fail judgment is that the room temperature resistivity at the initial stage and after the application of the thermal history is 0.020 Ω · cm or less, and the change rate of the room temperature resistivity from the initial stage to the end of five measurements is 150%. % Were accepted as "pass", and the others were rejected as "x".

【0034】表1から、実施例1〜12では、初期の室
温比抵抗が低く、かつ熱履歴を印加された後も低い室温
比抵抗が維持されることがわかる。それに対して、比較
例1、4、4′、5では、初期の室温比抵抗が高く、比
較例2、3、4″、5、6では室温比抵抗の変化率が大
きいことがわがる。
From Table 1, it can be seen that in Examples 1 to 12, the initial room temperature resistivity was low, and the low room temperature resistivity was maintained even after the heat history was applied. On the other hand, in Comparative Examples 1, 4, 4 'and 5, the initial room temperature resistivity is high, and in Comparative Examples 2, 3, 4 ", 5 and 6, the rate of change of the room temperature resistivity is large.

【0035】なお、この発明にかかる有機正特性サーミ
スタ組成物および有機正特性サーミスタ素子は、上述の
実施の形態に限定されるものではなく、この発明の要旨
の範囲内で種々に変更されてもよい。
The organic positive temperature coefficient thermistor composition and the organic positive temperature coefficient thermistor element according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, but may be variously modified within the scope of the present invention. Good.

【0036】[0036]

【発明の効果】この発明によれば、有機正特性サーミス
タ組成物において、マトリックス樹脂として結晶性高分
子を使用しているので、融点近傍での急激な結晶融解が
起きる。その結果として生じる急激な体積膨張のため、
導電性粒子が形成していた導電パスが切断され、比抵抗
の急激な増大が観測される。この現象は過電流保護の目
的からは好ましいものである。また、この発明によれ
ば、有機正特性サーミスタ組成物において、導電性粉末
として、たとえば酸化防止処理済みの凝集金属粉末、ま
たは、酸化防止処理済みの凝集金属粉末および高ストラ
クチャータイプカーボンブラックの混合粉が使用される
ので、低比抵抗と熱履歴を受けた後でも酸化および変形
による抵抗増大が抑制され、室温での有機正特性サーミ
スタ素子の抵抗を低く保持することができる。さらに、
この発明にかかる有機正特性サーミスタ組成物において
130℃〜180℃にマトリックス樹脂の融点を設定す
ることで、表面実装用のチップ型の有機正特性サーミス
タ素子として適した保持電流値を設定することが可能と
なる。
According to the present invention, in the organic positive temperature coefficient thermistor composition, since a crystalline polymer is used as a matrix resin, rapid crystal melting near the melting point occurs. Due to the resulting rapid volume expansion,
The conductive path formed by the conductive particles is cut, and a sharp increase in specific resistance is observed. This phenomenon is preferable for the purpose of overcurrent protection. According to the present invention, in the organic positive temperature coefficient thermistor composition, as the conductive powder, for example, an antioxidant-treated aggregated metal powder, or a mixed powder of an antioxidant-treated aggregated metal powder and a high-structure type carbon black Is used, an increase in resistance due to oxidation and deformation is suppressed even after receiving a low specific resistance and thermal history, and the resistance of the organic positive temperature coefficient thermistor element at room temperature can be kept low. further,
By setting the melting point of the matrix resin at 130 ° C. to 180 ° C. in the organic positive temperature coefficient thermistor composition according to the present invention, it is possible to set a holding current value suitable as a chip type organic positive temperature coefficient thermistor element for surface mounting. It becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明が適用される有機正特性サーミスタ素
子の一例を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of an organic positive temperature coefficient thermistor element to which the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 有機正特性サーミスタ素子 12 素体 14 電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Organic positive temperature coefficient thermistor element 12 Element body 14 Electrode

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 結晶性高分子材料からなるマトリックス
樹脂中に導電性粉末を添加含有させてなる有機正特性サ
ーミスタ組成物であって、 前記導電性粉末は、金属粉末の1次粒子を複数凝集させ
た2次粒子を含み、前記2次粒子の平均粒径は前記1次
粒子の平均粒径の5〜30倍であることを特徴とする、
有機正特性サーミスタ組成物。
1. An organic positive temperature coefficient thermistor composition comprising a matrix resin made of a crystalline polymer material and a conductive powder added thereto, wherein said conductive powder is formed by aggregating a plurality of primary particles of a metal powder. Including the secondary particles, wherein the average particle size of the secondary particles is 5 to 30 times the average particle size of the primary particles,
Organic positive temperature coefficient thermistor composition.
【請求項2】 前記金属粉末の1次粒子の平均粒径が
0.5〜10μmであることを特徴とする、請求項1に
記載の有機正特性サーミスタ組成物。
2. The organic positive temperature coefficient thermistor composition according to claim 1, wherein the average particle size of the primary particles of the metal powder is 0.5 to 10 μm.
【請求項3】 前記マトリックス樹脂と前記導電性粉末
との合計を100体積%として、前記導電性粉末の含有
量を25〜60体積%としたことを特徴とする、請求項
1または請求項2に記載の有機正特性サーミスタ組成
物。
3. The method according to claim 1, wherein a total of the matrix resin and the conductive powder is 100% by volume, and a content of the conductive powder is 25 to 60% by volume. 3. The organic positive temperature coefficient thermistor composition according to item 1.
【請求項4】 前記導電性粉末は、金属粉末とカーボン
ブラックとの混合粉であることを特徴とする、請求項1
ないし請求項3のいずれかに記載の有機正特性サーミス
タ組成物。
4. The method according to claim 1, wherein the conductive powder is a mixed powder of a metal powder and carbon black.
The organic positive temperature coefficient thermistor composition according to claim 3.
【請求項5】 前記導電性粉末の合計を100体積%と
して、前記カーボンブラックの含有量が15体積%以下
であることを特徴とする、請求項4に記載の有機正特性
サーミスタ組成物。
5. The organic positive temperature coefficient thermistor composition according to claim 4, wherein the content of said carbon black is 15% by volume or less, with the total of said conductive powder being 100% by volume.
【請求項6】 前記マトリックス樹脂の融点が130〜
180℃であることを特徴とする、請求項1ないし請求
項5のいずれかに記載の有機正特性サーミスタ組成物。
6. The melting point of the matrix resin is 130 to
The organic positive temperature coefficient thermistor composition according to claim 1, wherein the temperature is 180 ° C. 7.
【請求項7】 請求項1ないし請求項6のいずれかに記
載の有機正特性サーミスタ組成物からなる素体の表面に
電極を形成したことを特徴とする、有機正特性サーミス
タ素子。
7. An organic positive temperature coefficient thermistor element comprising an element formed of the organic positive temperature coefficient thermistor composition according to claim 1 and an electrode formed on a surface of the element body.
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