JP2002161000A - Method for producing gallium nitride single crystal - Google Patents

Method for producing gallium nitride single crystal

Info

Publication number
JP2002161000A
JP2002161000A JP2000396230A JP2000396230A JP2002161000A JP 2002161000 A JP2002161000 A JP 2002161000A JP 2000396230 A JP2000396230 A JP 2000396230A JP 2000396230 A JP2000396230 A JP 2000396230A JP 2002161000 A JP2002161000 A JP 2002161000A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
method
single crystal
gallium nitride
gan
sapphire substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000396230A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Sakaida
敏昭 坂井田
Original Assignee
Otts:Kk
株式会社オー・ティ・ティ・エス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Otts:Kk, 株式会社オー・ティ・ティ・エス filed Critical Otts:Kk
Priority to JP2000396230A priority Critical patent/JP2002161000A/en
Publication of JP2002161000A publication Critical patent/JP2002161000A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce defects of a gallium nitride single crystal and to develop a method for reducing a warpage of a single crystal substrate. SOLUTION: The method for producing a gallium nitride single crystal (comprises thickly growing gallium nitride by a hydride vapor phase epitaxy(HVPE) growing method on a sapphire substrate having fine asperities of which the projecting part size is >=30 nm and <=200 nm, and peeling the same from the sapphire substrate.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、青色レーザーダイオード等に使用される窒化ガリウム単結晶基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate used for a blue laser diode or the like.

【0002】 [0002]

【従来の技術】窒化ガリウム(GaN、以下GaNと記す。)単結晶はサファイア基板上に塩化物気相成長法(以下HVPE法と記す。)で横方向成長等の選択成長法を用いて、GaNの膜を厚く堆積し、その後サファイア基板と厚いGaNとを分離して作成している。 BACKGROUND ART Gallium nitride (GaN, hereinafter referred to as GaN.) Single crystal using the selective deposition method such lateral growth a chloride vapor phase growth method on a sapphire substrate (hereinafter referred to as HVPE method.) thick deposited GaN films, are subsequently created by separating the sapphire substrate and the thick GaN. 又Ga The Ga
Nが分解しないように、1.5×10 Pa程度の高圧下の約1500℃の温度でGaNのバルク結晶を育成している。 N so as not to decompose, it is grown a GaN bulk crystal at a temperature of about 1500 ° C. under high pressure of about 1.5 × 10 9 Pa. これらの育成方法は、工程が複雑、或いは高価な設備が必要である。 These methods of growing, the process is complicated, or requires expensive equipment. 又これらの結晶は結晶の欠陥の程度を示すエッチピット密度が多く、(10−10)面の非対称反射のX線ロッキングカーブの半値幅が、400 Also these crystals are often etch pit density indicating the degree of crystal defects, the X-ray rocking curve FWHM of asymmetrical reflection (10-10) plane, 400
arcsec程度ある。 There is about arcsec. 又直径50mm、厚み300ミクロン(μ)の基板の反りが20μ程度あり、基板上に作成したデバイスの特性、収率が悪い。 The diameter 50 mm, there warpage about 20μ substrate thickness 300 microns (mu), characteristics of devices fabricated on the substrate, poor yield.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】結晶中の欠陥密度が少なく、反りの小さいGaN単結晶の開発を目的とする。 [0005] less defect density in the crystal, for the purpose of development of small warpage GaN single crystal.

【0004】 [0004]

【問題を解決するための手段】上記の問題を解決するために、微細な凹凸を有するサファイア基板上に気相法でGaNを厚く成長させる方法を採用した。 In order to solve the above problems In order to solve the problems], it was adopted a method of growing thick GaN in vapor phase method on a sapphire substrate having fine irregularities.

【0005】 [0005]

【発明の実施の形態】本発明は、表面がナノレベルで制御された凹凸を有するサファイア基板上にGaNからなる層を成長し、欠陥が少なく、反りも少ないGaN単結晶を安価に製造するものである。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention, which surface is grown a layer made of GaN on a sapphire substrate with a controlled uneven at the nano level, fewer defects produced inexpensively warpage is small GaN single crystal it is.

【0006】ナノレベルで制御された凹凸は化学的、物理的手法で作成する。 [0006] Controlled irregularity at the nano level is generated by chemical, physical means. 化学的方法としては、サファイア基板表面をリン酸、ピロリン酸でエッチングするか、スプレー法、ゾルゲル法でサファイア基板表面にサファイアの結晶格子定数に近い格子定数を持つ材料を付加する方法がある。 As the chemical method, phosphoric acid sapphire substrate surface, or etched with pyrophosphate, spray method, a method of adding a material having a lattice constant close to sapphire crystal lattice constant of the sapphire substrate surface by a sol-gel method. 又ゾルゲル法で付加した後、リン酸、ピロリン酸でエッチングするか、或いは水素でエッチングするという組み合わせた方法もある。 Further after adding a sol-gel method, phosphoric acid, or etched with pyrophosphate, or a method of combining of etching with hydrogen. 物理的方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッター、プラズマ法でサファイアの結晶格子定数に近い格子定数を持つ材料を表面に付加する方法がある。 The physical method, there is a method of adding a vacuum deposition, ion plating, sputtering, a material having a lattice constant close to the crystal lattice constant of sapphire by plasma method on the surface. これらの物理的方法に、薬液、水素ガス処理を組み合わせても良い。 These physical methods, chemical, may be combined hydrogen gas treatment.

【0007】GaNが二次元成長するために、付加される物はサファイア基板の方位に対して一定の関係がある方位であることが必要であり、同じ方位であることが好ましい。 [0007] For GaN is grown two-dimensionally, The added ones must be a certain relationship orientation relative orientation of the sapphire substrate, and preferably the same orientation. このために、サファイアの結晶格子定数に近い格子定数を持つ材料が最適に利用でき、サファイアと同じ材料のアルミナ(Al )や、スピネル(MgA For this, a material having a lattice constant close to the crystal lattice constant of sapphire is optimally available alumina of the same material as sapphire (Al 2 O 3) and spinel (MGA
)等が好ましい。 l 2 O 4), etc. are preferable.

【0008】サファイア基板の凸部の平均的大きさ(概略直径)は3次元表面構造解析顕微鏡で測定し、30n [0008] The average size of the convex portion of the sapphire substrate (schematically diameter) was measured by three-dimensional surface structure analysis microscope, 30n
mから200nmで、特に50nm以上100nm以下が好ましい。 In 200nm from m, particularly preferably 50nm or 100nm or less. 高さは凸部上でのAlGaNの横方向成長が凹部から成長してきたAlGaNに阻害されない高さが好ましく、ほぼ同じ高さが好ましい。 Height height lateral growth of AlGaN on the convex portion is not inhibited in AlGaN grown from the concave portion preferably substantially the same height is preferred. 高さはAlGa The height AlGa
Nの成長速度、凸部の密度により決まる。 Growth rate of the N, determined by the density of the projections. 大きさが約1 The size is about 1
00nmの場合で、高さは3次元表面構造解析顕微鏡で約50nm程度である。 In the case of nm, the height is about 50nm about a three-dimensional surface structure analysis microscope. 凹凸の存在状態は、凸部がつながった状態、粒界で接する状態でも良いが、凸部がひとつひとつ島状的に分離され、高密度に存在する状態が好ましい。 State of existence of irregularities, the state in which the convex portion is connected, may be in a state of contact at the grain boundaries, the convex portions are separated one by one island, a preferably conditions existing at a high density. 凸部の密度は、大きさが100nmであれば、 Density of the convex portions, if 100nm in size,
サファイア基板1cm 当たり10 10以下、大きさが30nmであれば1cm 当たり10 11程度以下が好ましい。 Sapphire substrate 1 cm 2 per 10 10 or less, the size is preferably not more than 10 about 11 per 1 cm 2 if 30 nm.

【0009】微細な凹凸を有するサファイア基板上の成膜はHVPE法、MOCVD法等の気相法で行う。 [0009] deposition on a sapphire substrate having a fine irregularities is carried out in the HVPE method, gas-phase process of the MOCVD method or the like. Ga Ga
N層を成長する温度は2次元的成長がしやすい900℃ Temperature for growth of the N layer is two-dimensional growth easy 900 ° C.
以上が好ましく、又1150℃以上では、GaNの分解が激しくなるので、1150℃以下が好ましい。 Or more, in addition 1150 ° C. or higher, since the decomposition of GaN becomes severe, preferably 1150 ° C. or less. GaN GaN
の成長中にトリメチルガリウム等の原料の供給を制御して、膜の成長速度を成膜中に変えてもよい。 During growth by controlling the supply of raw materials such as trimethyl gallium, it may be changed growth rate of the film during film formation. MOCVD MOCVD
法で低温バッファ層を積んでから、HVPE法で厚く成膜しても良い。 From gained low temperature buffer layer by law, it may be formed thicker by HVPE.

【0010】サファイア基板上に成長させたGaNを剥離するには、500から1000℃まで急加熱するか、 [0010] or in peeling the GaN grown on a sapphire substrate, the rapid heating from 500 to 1000 ℃,
プレスで徐々に荷重を掛けることによって行う。 It carried out by applying a gradually load in the press.

【0011】微細な凹凸を有するサファイア基板上に成長させたGaNの結晶性が向上したのは、成長初期のG [0011] The improved crystallinity of GaN grown on a sapphire substrate having fine irregularities, initial growth of G
aNの大きさが凸部の大きさ以下程度であること、凹部の空間があるためにGaN成長膜の歪みが小さくなること、又凸部の側面部の方位がリン酸、高温水素等の処理によりほぼそろっているために一定の方向に成長しやすくAlGaNのツイストが小さくなるために、成長膜の結晶性が向上したものと考えている。 That the size of the aN is much less the size of the convex portion, the distortion of the GaN growth layer is small because of the space of the recess, the orientation is phosphoric acid of the side portion of the Matatotsu portion, processes such as hot hydrogen and for growth easily AlGaN twisted in a certain direction to have substantially uniform reduced, considered that the crystallinity of the grown film is improved by.

【0012】 [0012]

【実施例1】アルミナ成分の濃度が20%のアルミナゾルに、アルミナのシード成分を加え、攪拌機で混合し、 Alumina sol concentration of 20% Example 1 alumina component, a seed component of alumina was added, and mixed with a stirrer,
粘度を10センチポアズにした。 And the viscosity to 10 centipoise. アルミナのシード成分の作成方法は次のように行った。 How to create a seed component of alumina was carried out as follows. アルミナのポットミルに高純度のアルミナボールと純水を入れ、3日間回転させた後、液体を1.5万rpmの遠心分離器にかけた。 Put high purity alumina balls and pure water in a pot mill of alumina, after rotating for 3 days and subjected to liquid centrifuge of 15,000 rpm.
そしてその上澄み液をアルミナシード成分として用いた。 And using the supernatant liquid as alumina seed component. シードを加えたアルミナゾルをc面の平滑な、直径50mm、厚さ350ミクロンのサファイア基板上に、 The alumina sol was added to seed smooth c-plane, diameter 50 mm, the thickness of 350 microns of the sapphire substrate,
スピンコーターで15秒間、1500rpmの条件で薄く塗布した。 15 seconds with a spin coater, was coated thinly with 1500rpm conditions. これを加熱炉に入れ70℃で5時間、12 5 hours at 70 ° C. was placed in a heating furnace, 12
0℃で5時間、250℃で3時間、350℃で5時間、 5 h at 0 ° C., 3 hours at 250 ° C., for 5 hours at 350 ° C.,
450℃で5時間、650℃で3時間、750℃で3時間順次加熱処理し、ついで焼結のために、この基板を1 5 hours at 450 ° C., 3 hours at 650 ° C., successively heat treated 3 hours at 750 ° C., then for sintering, the substrate 1
200℃の温度の加熱炉に3分間保持するように、急速加熱し、200℃/分で急速冷却した。 To hold the furnace at a temperature of 200 ° C. 3 min, and rapid heating and rapid cooling at 200 ° C. / min. 炉から取りだし、110℃に加熱した混酸(硫酸:リン酸=3:1) Removed from the furnace and heated to 110 ° C. mixed acid (sulfuric acid: phosphoric acid = 3: 1)
中で30分処理し、ついで230℃のリン酸に15分間浸せき後、純水で良く水洗し乾燥した。 For 30 minutes at medium and then after immersion for 15 minutes in phosphate 230 ° C., was well washed with water and dried with pure water. 凸部の平均的大きさは約75nmであり、高さは約40nmほぼ6角形状で島状的であった。 The average size of the convex portion is about 75 nm, a height of the island-like manner about 40nm substantially hexagonal shape.

【0013】このナノメーターレベルの凹凸のあるサファイア基板を横型のHVPE装置内部の基板ホルダに設置し、水素ガスを流しながら、基板表面温度を1150 [0013] established a sapphire substrate having irregularities in the nanometer level horizontal interior of the HVPE apparatus of the substrate holder, while flowing hydrogen gas, the substrate surface temperature 1150
℃に5分間保持し基板表面のクリーニングを行なった。 ℃ the retained performed cleaning of the substrate surface 5 minutes.

【0014】ついで、基板表面温度を1030℃まで降下させ、この状態で主キャリアーガスとして窒素ガスを18リットル/分、水素ガスを2リットル/分、アンモニアを2リットル/分流しながら、塩化水素を0.2リットル/分流し3時間分保持した。 [0014] Then, lowering the substrate surface temperature to 1030 ° C., 18 liters / min of nitrogen gas as a main carrier gas in this state, 2 liters / min of hydrogen gas, while ammonia was 2 liters / shunt, hydrogen chloride hold for 0.2 l / min flow 3 hours. ガリウム金属と塩化水素の反応は850℃でおこない、塩化水素は8倍の水素で希釈した。 The reaction of metallic gallium with hydrogen chloride is carried out at 850 ° C., hydrogen chloride and diluted with 8 times the hydrogen. 厚さ300μのGaNが得られた。 Of thickness 300μ GaN was obtained.

【0015】成長したGaN付きサファイア基板を、5 [0015] The growth was a sapphire substrate with a GaN, 5
00℃まで2分で急加熱すると界面で剥離した。 To 00 ° C. With rapid heating at 2 minutes it was peeled off at the interface. 剥離面は目視観察では、平滑だった。 Release surface in visual observation, it was smooth.

【0016】剥離したGaN基板の欠陥の度合い、すなわち結晶性の評価を行うために、GaN層の(10−1 [0016] The degree of release was the defect of the GaN substrate, that in order to evaluate the crystallinity of the GaN layer (10-1
0)面の非対称反射のX線ロッキングカーブの半値幅を測定した。 0) The X-ray rocking curve FWHM of asymmetrical reflection surfaces was measured. 半値幅は、250arcsecであった。 The full width at half maximum was 250arcsec. 表面形状装置で基板の中央部の反り高さを測り5μであった。 It was 5μ Measure the warp height of the central portion of the substrate surface shaper.

【0017】 [0017]

【実施例2】実施例1のシードを入れたアルミナゾルに硝酸を添加し、ゾルの粘度を20センチポアズにした。 Example 2 was added to nitric acid alumina sol containing the seed of Example 1 was the viscosity of the sol to 20 centipoise.
これを実施例1において述べたものと同等の方法で、サファイア基板上に凸部を作製した。 In those the same method described this in Example 1 to prepare a convex portion on a sapphire substrate. 凸部が一部つながった状態で、平均的大きさは約200nmであり、高さは約60nmであった。 In a state where the convex portion is led partially, the average size is about 200 nm, a height of about 60 nm.

【0018】ついで、実施例1において述べたものと同等の方法でGaN層を300μ積んだ。 [0018] Then, laden 300μ a GaN layer at ones equivalent methods described in Example 1.

【0019】成長したGaN付きサファイア基板を、5 [0019] grown a sapphire substrate with a GaN, 5
00℃まで2分で急加熱すると界面で剥離した。 To 00 ° C. With rapid heating at 2 minutes it was peeled off at the interface. 剥離面は目視観察では、平滑だった。 Release surface in visual observation, it was smooth.

【0020】剥離したGaN層の(10−10)面の非対称反射のX線ロッキングカーブの半値幅を測定した。 [0020] was measured exfoliated X-ray rocking curve FWHM of asymmetrical reflection (10-10) plane of the GaN layer.
半値幅は、400arcsecであった。 The full width at half maximum was 400arcsec. 表面形状装置で基板の中央部の反り高さを測り15μであった。 Was 15μ Measure the warp height of the central portion of the substrate surface shaper.

【0021】 [0021]

【実施例3】実施例1のシードを入れたアルミナゾルに硝酸を添加し、ゾルの粘度を5センチポアズにした。 Example 3 was added to nitric acid alumina sol containing the seed of Example 1 was the viscosity of the sol to 5 centipoise. 焼結温度を1200℃から1150℃に変更した以外は、 Except for changing the sintering temperature from 1200 ℃ to 1150 ℃ is,
実施例1において述べたものと同等の方法で、サファイア基板上に凸部を作製した。 In ones equivalent methods described in Example 1 to prepare a convex portion on a sapphire substrate. 凸部の平均的大きさは約3 The average size of the convex portion is about 3
0nmで粒界で接する状態であった。 It was in a state of contact at the grain boundaries at 0 nm.

【0022】ついで、実施例1において述べたものと同等の方法でGaNを作成した。 [0022] Then, to create a GaN in ones equivalent methods described in Example 1. すなわち、このナノメーターレベルの凹凸のあるサファイア基板を横型のHVP That, HVP sapphire substrate having irregularities in the nanometer level of the lateral
E装置内部に設置し、水素でクリーニング、GaN層を300μ積んだ。 It was placed inside the E unit, laden 300μ cleaning, the GaN layer with hydrogen.

【0023】成長したGaN付きサファイア基板を、5 [0023] grown a sapphire substrate with a GaN, 5
00℃まで2分で急加熱すると界面で剥離した。 To 00 ° C. With rapid heating at 2 minutes it was peeled off at the interface. 剥離面は目視観察では、平滑だった。 Release surface in visual observation, it was smooth.

【0024】剥離したGaN層の(10−10)面の非対称反射のX線ロッキングカーブの半値幅を測定した。 [0024] was measured exfoliated X-ray rocking curve FWHM of asymmetrical reflection (10-10) plane of the GaN layer.
半値幅は、400arcsecであった。 The full width at half maximum was 400arcsec. 表面形状装置で基板の中央部の反り高さを測り15μであった。 Was 15μ Measure the warp height of the central portion of the substrate surface shaper.

【0025】 [0025]

【比較例1】平滑なサファイア基板を横型のHVPE装置内部に設置し、水素ガスでクリーニングし、ついで、 [Comparative Example 1] established a smooth sapphire substrate inside horizontal HVPE apparatus, and cleaning with hydrogen gas, then,
実施例1において述べたものと同等の方法でGaNを3 The GaN in ones equivalent methods described in Example 1 3
00μ積んだ。 Laden 00μ.

【0026】成長したGaN付きサファイア基板は不透明であった。 [0026] The sapphire substrate with the grown GaN was opaque. これを500℃まで2分で急加熱するとクラックの入った、平坦でない状態で一部界面で剥離した。 This contains the cracks when rapidly heated in 2 minutes to 500 ° C., was peeled off at some interfaces while not flat.

【0027】一部界面で剥離したGaN層の(10−1 [0027] of peeling in some interface of GaN layer (10-1
0)面の非対称反射のX線ロッキングカーブの半値幅を測定した。 0) The X-ray rocking curve FWHM of asymmetrical reflection surfaces was measured. 半値幅は、1500arcsecであった。 The full width at half maximum was 1500arcsec.

【0028】 [0028]

【発明の効果】従来のような複雑な工程でなく、シンプルな工程でGaN基板を製造することができる。 [Effect of the Invention] rather than conventional such complicated processes, it is possible to manufacture a GaN substrate in simple steps. 又基板の欠陥も少なく、サファイア基板とGaN基板の剥離が容易である。 Moreover also less substrate defects, it is easy separation of the sapphire substrate and the GaN substrate. コスト、性能の2点で産業上の価値が大きい。 Cost, the greater the value of the industry in the two points of performance.

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】凸部の大きさが30ナノメーター以上、2 1. A size of the convex portion 30 nanometers or more, 2
    00ナノメーター以下の微細な凹凸を有するサファイア基板上に、塩化物気相成長法により窒化ガリウムを成膜することを特徴とする窒化ガリウム単結晶の製造方法。 00 on a sapphire substrate having a nanometer or less fine irregularities, method of manufacturing a gallium nitride single crystal, characterized by depositing a gallium nitride by chloride vapor phase growth method.
JP2000396230A 2000-11-22 2000-11-22 Method for producing gallium nitride single crystal Pending JP2002161000A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000396230A JP2002161000A (en) 2000-11-22 2000-11-22 Method for producing gallium nitride single crystal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000396230A JP2002161000A (en) 2000-11-22 2000-11-22 Method for producing gallium nitride single crystal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002161000A true JP2002161000A (en) 2002-06-04

Family

ID=18861558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000396230A Pending JP2002161000A (en) 2000-11-22 2000-11-22 Method for producing gallium nitride single crystal

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002161000A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004051718A1 (en) * 2002-11-29 2004-06-17 Sumitomo Chemical Company, Limited 3-5 group compound semiconductor and method for preparation thereof
JP2006191074A (en) * 2005-01-07 2006-07-20 Samsung Corning Co Ltd Method for manufacturing epitaxial wafer
JP2011032113A (en) * 2009-07-30 2011-02-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method for manufacturing self-support nitride semiconductor substrate
US9269876B2 (en) 2012-03-06 2016-02-23 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004051718A1 (en) * 2002-11-29 2004-06-17 Sumitomo Chemical Company, Limited 3-5 group compound semiconductor and method for preparation thereof
GB2410836A (en) * 2002-11-29 2005-08-10 Sumitomo Chemical Co 3-5 group compound semiconductor and method for preparation thereof
GB2410836B (en) * 2002-11-29 2006-06-07 Sumitomo Chemical Co 3-5 group compound semiconductor and method for producing the same
US7659190B2 (en) 2002-11-29 2010-02-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for producing a Group III-V compound semiconductor
JP2006191074A (en) * 2005-01-07 2006-07-20 Samsung Corning Co Ltd Method for manufacturing epitaxial wafer
US8475588B2 (en) 2005-01-07 2013-07-02 Samsung Corning Precision Materials Co., Ltd. Wafer structure and epitaxial growth method for growing the same
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
JP2011032113A (en) * 2009-07-30 2011-02-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method for manufacturing self-support nitride semiconductor substrate
US9269876B2 (en) 2012-03-06 2016-02-23 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cross et al. A low temperature combination method for the production of ZnO nanowires
JP4172657B2 (en) GaN single crystal growth method, GaN substrate manufacturing method, the GaN-based element fabrication method and GaN-based element
CN100465356C (en) A GaN wafer with high surface quality and a production method thereof
CN100595035C (en) Method of surface treatment, crystal substrate, and semiconductor device
JP3788037B2 (en) GaN single crystal substrate
KR100401898B1 (en) Base substrate for crystal growth and manufacturing method of substrate by using the same
US7220658B2 (en) Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
KR101374090B1 (en) Epitaxial methods and templates grown by the methods
ES2657666T3 (en) Growth method that uses compatible layers of nanocolumns and HVPE to produce high quality composite semiconductor materials
Liu et al. Growth mechanism and properties of ZnO nanorods synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Oshima et al. Preparation of freestanding GaN wafers by hydride vapor phase epitaxy with void-assisted separation
EP2104754B1 (en) Production of single-crystal semiconductor material using a nanostructure template
US9082890B1 (en) Group III nitride articles having nucleation layers, transitional layers, and bulk layers
US7501023B2 (en) Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials
US6475882B1 (en) Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device
CN1219314C (en) Semiconductor substrate made from group-III nitride and manufacturing technique thereof
US20050247260A1 (en) Non-polar single crystalline a-plane nitride semiconductor wafer and preparation thereof
JP2014099616A (en) Method and device for growing planar non-polar {1-100} m-plane gallium nitride using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)
Baxter et al. Epitaxial growth of ZnO nanowires on a-and c-plane sapphire
CN101308896B (en) GaN substrate and epitaxial substrate using the substrate and a semiconductor light emitting device
US8652947B2 (en) Non-polar III-V nitride semiconductor and growth method
US5530267A (en) Article comprising heteroepitaxial III-V nitride semiconductor material on a substrate
JP3788041B2 (en) Method of manufacturing a GaN single crystal substrate
Narayan et al. Defects and interfaces in epitaxial ZnO/α-Al 2 O 3 and AlN/ZnO/α-Al 2 O 3 heterostructures
JP5607781B2 (en) Large area and uniform low dislocation density GaN substrate and its manufacturing process