JP2002158400A - 波長可変半導体レーザにおけるエージング - Google Patents

波長可変半導体レーザにおけるエージング

Info

Publication number
JP2002158400A
JP2002158400A JP2001288062A JP2001288062A JP2002158400A JP 2002158400 A JP2002158400 A JP 2002158400A JP 2001288062 A JP2001288062 A JP 2001288062A JP 2001288062 A JP2001288062 A JP 2001288062A JP 2002158400 A JP2002158400 A JP 2002158400A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
value
laser
tuning current
wavelength
dbr laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2001288062A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002158400A5 (ja
Inventor
David A Ackerman
アラン アッカーマン ディヴィッド
Sung-Nee George Chu
ジョージ チュー サング−ニー
Eric J Dean
ジェー.ディーン エリック
John Evan Johnson
エヴァン ジョンソン ジョン
Leonard J-P Ketelsen
ジャン−ピーター ケテルセン レオナード
Liming Zhang
ザング ライミング
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Agere Systems LLC
Original Assignee
Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp filed Critical Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp
Publication of JP2002158400A publication Critical patent/JP2002158400A/ja
Publication of JP2002158400A5 publication Critical patent/JP2002158400A5/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/0014Measuring characteristics or properties thereof
    • H01S5/0021Degradation or life time measurements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H01S5/06255Controlling the frequency of the radiation
    • H01S5/06256Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06825Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/125Distributed Bragg reflector [DBR] lasers

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エージングに起因する波長ドリフトを補償す
ることができる方法およびシステムを提供すること。 【解決手段】 1つのプロセスが、分布ブラッグ反射器
(DBR)レーザのエージング特性を評価する。そのプ
ロセスは、DBRレーザに同調電流が供給されている
が、レーザが放射されていない間に、分布ブラッグ反射
器(DBR)レーザのブラッグ回折格子を光で照明する
ステップを含む。また、そのプロセスは、ブラッグ回折
格子によって反射される光の部分におけるブラッグピー
クの波長と、その照明中に供給される同調電流の値とに
応じて、DBRレーザに対して1つの動作を実行するス
テップも含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は全般にレーザに関
し、より詳細には波長可変半導体レーザのエージングに
関する。
【0002】
【従来の技術】最近、高密度波長分割多重(DWDM)
光ネットワークにおいて用いるためのレーザ送信機を開
発することに力が注がれている。DWDMネットワーク
では、データ信号は1組の隣接し、狭いスペクトル幅の
帯域において送信される。各帯域は、個別の通信チャネ
ルとして機能する。そのようなチャネル構造の場合、送
信機は、狭いスペクトル幅を有する出力を生成し、光エ
ネルギーを1つの帯域内に注入しなければならない。分
布ブラッグ反射器(DBR)レーザは、DWDMネット
ワークのための送信機として有力な候補である。なぜな
ら、DBRレーザは、狭いスペクトル幅の出力を有する
ためである。
【0003】波長可変DBRレーザは、同調電流の値に
依存する出力波長を有する。その依存性は、ある動作特
性によって示される場合がある。図1は、1つのDBR
レーザの場合の初期動作特性10を示す。動作特性10
は一連のステップ11〜20を有する。DBRレーザ
は、DWDM送信機として機能する際に、ステップのう
ちの1つに留まることにより、シングルモードで動作す
る。その出力波長は、レーザが1つのステップで動作す
る限り、ほぼ正確に一定のままである。使用することに
より、DBRレーザは物理的に変化し、その物理的な変
化によって、ステップ11〜20の場所が変更され、新
しい動作特性22が生成される。新しい特性22では、
同調電流の初期値が、新しい出力波長を生成する場合が
ある。こうして、エージング(aging)によって、レーザ
の出力波長のドリフトが引き起こされるようになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】エージングによって引
き起こされる波長のドリフトは、DWDMネットワーク
内で送信機として機能するDBRレーザの場合に重大な
結果をもたらす。波長ドリフトによって、そのレーザ
は、動作特性上の新しいモードにホップするようにな
る。その新しいモードは、DWDMネットワークの異な
るチャネルに対応する波長を有する可能性もある。閉ル
ープ波長帰還を通して、モードホップの発生を検出する
のに応じて同調電流の値を調整することにより、モード
ホッピングを回避することができる。付加的な閉ループ
波長帰還は、あるステップの中央付近にDBRレーザの
動作を保持することにより、側波帯放射を低レベルに保
持することもできる。それにもかかわらず、閉ループ波
長帰還は、他のモードの同調電流の値、すなわちDBR
レーザがその時点で動作していないステップの値の変化
を補償することができない。それらのモードの場合の同
調電流の値に変化が生じる結果、動作特性上の新しいス
テップに移行するために同調電流を如何に変更するか、
たとえば、DWDMネットワーク内の伝送チャネルを如
何に変更するかが不確定になる。
【0005】したがって、本発明の目的は、エージング
に起因する波長ドリフトを補償することができる方法お
よびシステムを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】一実施形態では、本発明
は、分布ブラッグ反射器(DBR)レーザのエージング
特性を評価するためのプロセスを特徴とする。そのプロ
セスは、分布ブラッグ反射器(DBR)レーザに同調電
流が供給されているが、レーザを放射してない間に、D
BRレーザのブラッグ回折格子を光で照明するステップ
を含む。また、そのプロセスは、ブラッグ回折格子によ
って反射される光の部分におけるブラッグピークの波長
と、照明中に供給される同調電流の値とに応じて、DB
Rレーザに対して1つの動作を実行するステップを含
む。
【0007】別の実施形態では、本発明は波長可変DB
Rレーザを動作させるためのプロセスを特徴とする。そ
のプロセスは、第1の出力波長においてDBRレーザを
動作させるステップと、DBRレーザが第1の出力波長
で動作できるようにする同調電流の値を測定するステッ
プと、その同調電流の新しい値を計算するステップとを
含む。計算するステップは、一部、同調電流の測定され
た値に基づく。その新しい値は、第2の出力波長におい
てDBRレーザを動作させることができる。
【0008】別の実施形態では、本発明は、波長可変D
BRレーザと、DBRレーザの電気的端子に同調電流を
加えるために接続されるコントローラとを備える装置を
特徴とする。コントローラは、DBRレーザが新しい動
作モードにジャンプできるようにするために、端子に新
しい値の同調電流を加えることができ、一部、同調電流
の測定されたジャンプ前の値に基づいて新しい値を決定
するように構成される。
【0009】別の実施形態では、本発明は、DBRレー
ザの出力波長に対するエージングによって引き起こされ
た変化を判定することができるシステムを特徴とする。
そのシステムは、DBRレーザと、レーザの可変ブラッ
グ回折格子によって反射される光を受光するために配置
されるスペクトルアナライザと、スペクトルアナライザ
からブラッグ回折格子の反射スペクトルに関するデータ
を受信するために接続されるプロセッサとを備える。ま
たプロセッサは、反射スペクトルに対応する同調電流の
データ値も受信し、ブラッグピーク波長と、そのデータ
からの同調電流の値との間の関数関係を決定するように
構成される。
【0010】
【発明の実施の形態】1.波長可変DBRレーザ 図2を参照すると、少なくとも1つの利得セクション3
2と同調セクション34とを備える波長可変DBRレー
ザ30が示される。利得セクション32は、光導波路3
6の一部35を収容する。部分35は、利得媒体を有
し、レーザ放射を生じるファブリ・ペロー共振器を形成
する。レーザのファブリ・ペロー共振器は、第1の側で
は反射器37、すなわち劈開された結晶面あるいは回折
格子によって、第2の側では同調セクション34によっ
て境界を画定される。同調セクション34は、レーザの
ファブリ・ペロー共振器のための可変反射器として機能
する。エージングによって同調セクション34の物理的
な特性が変更され、それに応じて、DBRレーザ30の
動作特性が変更される。
【0011】同調セクション34は、ブラッグ回折格子
38を備え、それは導波路36の別の部分40に隣接し
て配置される。ブラッグ回折格子38は、共振器から受
光される光の一部を反射して戻すことにより、レーザの
ファブリ・ペロー共振器の分布反射器として機能する。
ブラッグ回折格子38は、DBRレーザ30の出力波長
を同調できるようにするスペクトル選択性の反射率を有
する。ブラッグ回折格子のスペクトル選択は、レーザの
ファブリ・ペロー共振器の光側波帯モードに減衰を与
え、そのモードが、DBRレーザ30の全出力光電力の
うちの、より小さな部分のみを構成するようにする。D
BRレーザ30の場合、側波帯モードの出力電力は、そ
のファブリ・ペロー共振器が同じ寸法および利得媒体を
有するDBRレーザ以外のレーザの場合の50%さえ超
える値と比べると、約10−1〜10−2%になるよう
に同調させることができる。
【0012】図3および図2を参照すると、エージング
前のブラッグ回折格子38の反射スペクトル42が示さ
れる。反射スペクトル42は、中央のピーク42と、よ
り小さな側波帯ピーク45〜50との間の反射率変動に
よって示される強い波長選択性を有する。中央のピーク
の波長λはブラッグピーク波長と呼ばれ、2Lμ
(λ)/mに等しい。すなわち、ブラッグピーク波
長は、同調セクション34内の2L/mである。ここ
で、Lはブラッグ回折格子38の周期であり、μ(λ
)は導波路36の部分40における実効屈折率であ
り、mは回折次数であり、すなわちmは正の整数であ
る。ブラッグ回折格子38は一次、すなわちm=1であ
る。
【0013】中央のブラッグピーク44は、約1〜3n
mの半波高全幅値と、任意の側波帯ピーク45〜50の
反射率の2〜4倍あるいはそれ以上の反射率とを有す
る。ブラッグピーク波長は、電気的端子52、53を介
して同調セクション34に加えられる同調電流の値によ
って制御される。同調電流の値を変化させることによ
り、同調セクション34内の導波路36の部分40の実
効屈折率μが変化する。エージングによって同調セク
ション34に対する物理的な変化が生じ、その変化によ
って、同調電流の値とμとの間の関係が変化する。
【0014】DBRレーザ30の出力スペクトルは、利
得セクション32の利得特性と、同調セクション34の
反射率との両方に依存する。利得セクション32におい
て大きく増幅されないか、あるいは同調セクション34
によって大きく反射されないかのいずれかの光学モード
は、レーザの出力光信号には概ね存在しない。利得セク
ション32は、その利得がブラッグ反射幅の範囲におい
て概ねスペクトルに関して平坦である媒体を有する。こ
の利得のスペクトル平坦性は、レーザのファブリ・ペロ
ー共振器がいくつかの側波帯モードを有しており、同調
セクション34もスペクトルに関して平坦な反射率を有
する場合には、全出力エネルギーの約50%と同じ量が
それらのモード内にあることを暗示する。実際には、同
調セクション34の反射率は、ブラッグ回折格子38の
反射ピーク44〜50の先鋭度に起因して、強いスペク
トル依存性を有する。反射率のスペクトル依存性は、レ
ーザのファブリ・ペロー共振器を、強いスペクトル依存
性がある「実効」利得を有するかのように動作させる。
そのような実効利得の場合、中央のブラッグピーク44
の波長に近い波長を有するファブリ・ペロー共振器のモ
ードのみが、そのレーザの光出力において生じる。DB
Rレーザ30の場合、ファブリ・ペロー共振器のあるモ
ードがブラッグピーク波長に近い波長、すなわち最適動
作状態を有する場合には、側波帯モードは、出力光エネ
ルギーの約10−1〜10−2%を搬送する。
【0015】最適動作状態下で、可変ブラッグ回折格子
38のブラッグピーク波長は、DBRレーザ30の出力
波長に厳密に対応する。この対応は、出力波長を同調電
流に関連付ける動作特性に対する、エージングに起因す
る変化を追跡するために、種々の実施形態によって用い
られる。
【0016】図4を参照すると、同調電流の初期値
、IおよびIの場合のブラッグ回折格子38の
対応する反射スペクトルA、BおよびCが描かれる。同
調電流の初期値は、I>I>Iを満足する。同調
電流のI、IおよびI値は、種々の値のブラッグ
ピーク波長λを有する反射スペクトルA、BおよびC
を生成する。なぜなら、実効屈折率μの値が同調電流
の値に依存し、ブラッグピーク波長λの値がμの値
に依存するためである。
【0017】各スペクトルA、BおよびCにおいて、1
549nm、1550nmおよび1551nmにおける
光の反射率、すなわちレーザのファブリ・ペロー共振器
のモードの波長が、それぞれ「×」、「+」および
「○」によって示される。スペクトルBおよびCを生成
する同調電流の値の場合、レーザのファブリ・ペロー共
振器の1つの光学モードは、ブラッグピーク波長に最も
近い波長を有する。そのモードは、ブラッグピーク波長
からさらに離れた波長を有する、レーザのファブリ・ペ
ロー共振器の他のモードより非常に高い反射率を有す
る。スペクトルAを生成する同調電流の値の場合、ブラ
ッグピーク波長に近い波長を有するレーザのファブリ・
ペロー共振器のシングルモードは存在しない。ここで
は、1549nmおよび1550nmにおける共振器の
2つのモードは類似の反射率を有し、ブラッグ回折格子
38によって概ね等しく良好に反射される。なぜなら、
いずれのモードも、ブラッグピーク波長から概ね等しい
距離にある波長を有するためである。
【0018】図5は、DBRレーザ30の初期動作特性
54を示す。その動作特性54は、レーザの出力波長が
同調電流に如何に依存するかを示す。動作特性54にお
いて、点A’、B’およびC’は最初に、同調電流の各
値I、IおよびIに対応する。点B’およびC’
は、特性54のステップ56、58の中央に存在し、側
波帯放射が低い「純粋な」動作モードに対応する。点
A’は、特性54の2つのステップ56と60との間の
領域上に存在し、2つの出力波長が存在する混合モード
に対応する。
【0019】図4および図5を参照すると、ブラッグ回
折格子38のスペクトル選択性の反射率は、レーザのフ
ァブリ・ペロー共振器の利得を有効に調節する。同調電
流の値IおよびIの場合、それぞれ約1550nm
および1551nmにおけるレーザのファブリ・ペロー
共振器のシングルモードは、スペクトルB、Cのブラッ
グピーク波長に近い波長を有する。これらの値の同調電
流の場合、ブラッグピーク波長におけるモードのみが著
しく増幅され、レーザを放射することができる。レーザ
のファブリ・ペロー共振器の他のモードは、それらのモ
ードの波長におけるブラッグ回折格子38の反射率が小
さくなることに起因して減衰される。これらの他のモー
ドは、DBRレーザ30の出力において目立って存在す
ることはない。こうして、スペクトルBおよびCは、動
作特性54のステップ56、58の中央において「スペ
クトルに関して純粋な」動作モードを生成し、その場合
に、側波帯放射が著しく減衰される。電流の値Iの場
合、1549nmおよび1551nmにおけるレーザの
ファブリ・ペロー共振器の2つのモードは、ブラッグ回
折格子38によって概ね同等に反射される。したがっ
て、両方のモードがDBRレーザ30の光出力内に存在
し、この同調電流の値は、動作特性54の2つのステッ
プ56と60との間の点に対応する。
【0020】図4および図5は、レーザのファブリ・ペ
ロー共振器のモードの波長に対する、可変ブラッグ回折
格子38の中央反射ピークの場所がレーザの動作を決定
することを示す。レーザのファブリ・ペロー共振器のシ
ングルモードの波長がブラッグピーク波長に最も近いと
き、動作によって1つの出力波長が生成される。共振器
の2つのモードが、ブラッグピーク波長から概ね等しい
距離にある波長を有するとき、動作によって2つの出力
波長が生成される。レーザのファブリ・ペロー共振器の
モードの波長が、同調電流の値にほとんど依存しないた
め、ブラッグピークに対するシフトを測定することによ
り、DBRレーザ30におけるエージングに起因する波
長ドリフトの定量的な測定が行われる。
【0021】2.エージングに起因する波長ドリフトの
補償 図6は、DBRレーザ、すなわち図2のレーザ30にお
けるエージングに起因する波長ドリフトを補償するプロ
セス70を示す流れ図である。そのプロセス70は、レ
ーザの出力波長λと同調電流の値Iとの間の初期の関
数関係、すなわちλ(I)を決定する(ステップ7
2)。その関係は、図5の特性54のような動作特性を
与える場合があるか、あるいは出力波長のための対応す
る値と、その波長を生成する同調電流の値とからなる一
対の値を与える場合がある。初期の関数関係の決定は、
1つあるいは複数の初期同調電流値に対する、DBRレ
ーザの出力スペクトルの測定値に基づく。プロセス70
は、レーザの可変ブラッグ回折格子の初期ブラッグピー
ク波長λB,iと、同調電流の値Iとの間の関数関係λ
B,i(I)を決定する(ステップ74)。この初期の
関数関係の決定は、レーザがレーザ放射していない、す
なわち利得セクション32がオフしている間に、レーザ
の可変ブラッグ回折格子によって反射される光における
スペクトル測定値を用いる。
【0022】次に、プロセス70は、正常な使用形態あ
るいは加速させた使用形態のいずれかを通して、DBR
レーザを経時変化(エージング)させる(ステップ7
6)。エージングの後、プロセス70は再び、ブラッグ
ピーク波長λB,nと、1つあるいは複数の同調電流値
Iとの間の関数関係λB,n(I)を決定する。エージ
ング後の関数関係の決定は、DBRレーザがレーザ放射
していない間に、レーザのブラッグ回折格子上で新しい
光反射率測定を実行するステップと含む。種々の実施形
態は、その実施形態に応じて、同調電流Iが、測定され
たブラッグピーク波長λB,iあるいはλB,nにおい
て線形多項式か、3次の多項式かのいずれかであるもの
と仮定する。
【0023】エージング前およびエージング後のブラッ
グスペクトルから、プロセス70は、同じブラッグピー
ク波長に対応する同調電流のエージング後の値Iとエ
ージング前の値Iとの関係を見いだす(ステップ8
0)。その対応する値は、I=F(I)あるいはI
=F−1(I)のような関数関係を定義する。その
対応する値を見いだすために、プロセス70は、λ
B,n(I)=λB,i(I)を解く。典型的な関
係は、I−I=f(λB,n(I)−λ
B,i(I))であり、それは、エージング前の同調
電流Iに対するエージング後の同調電流Iのシフト
を、同じ同調電流Iの場合のブラッグ波長におけるエ
ージングに起因する変化に関係付ける。
【0024】図7は、典型的なDBRレーザの場合の同
調電流に対するエージングに起因するシフトΔI
tuning、すなわちΔItuning=I−I
と、δλとの間の関係を示すデータをプロットする。
ここで、δλは、同調電流がない場合の値からの、ブ
ラッグピーク波長λのエージング後のシフトであり、
すなわちδλ(I)=λB,n(I)−λB,n
(0)である。λB,n(0)=λB,i(0)である
ため、δλは、同調電流Iの場合のブラッグピーク
波長に対する変化を追跡する。そのデータ点は、ΔI
tuningがδλに線形に依存することを示す。こ
の線形依存性は概ね、その傾きが「Δa」であるライン
90によって図示される。この傾きに関して、エージン
グ後の電流Iとエージング前の電流Iとの間の関係
は概ね、I=I+Δa[λB,n(I )−λ
B,n(0)]によって与えられる。
【0025】同調電流のエージング前の値とエージング
後の値との間の関数関係によって、DBRレーザの動作
中に、エージングに起因する波長ドリフトを補償できる
ようになる。DBRレーザを動作させるために、プロセ
ス70は、出力波長を選択する(ステップ82)。ステ
ップ70は、出力波長と同調電流との間のエージング前
の関係を用いることにより、選択された出力波長を以前
に生成したエージング前の同調電流Iを見いだす(ス
テップ84)。その後、プロセス70は新しい同調電流
の値を、そのDBRレーザに適用する(ステップ8
6)。その新しい値Iは、エージング前の同調電流と
エージング後の同調電流との間に見いだされた関係、す
なわちI=F(I)の下で、エージング前の同調電
流Iに対応する。同調電流の新しい値Iを適用する
ことにより、選択された出力波長が生成される。
【0026】図8Aおよび図8Bは、典型的なDBRレ
ーザの場合の図6の補償プロセス70から得られた結果
を示す。図8Aはそれぞれ、測定されたエージング前の
関数およびエージング後の関数λB,i(I)およびλ
B,n(I)を示しており、典型的なDBRレーザの場
合のブラッグピーク波長と同調電流とを関係付けてい
る。また図8Aは、ブラッグピーク波長λB,n(F
(I))とλB,i(I)との間が一致することを通し
て関数Fの品質を示すために、補償された関数λ ,n
(F(I))も示す。図8Bは、同じDBRレーザの場
合の、エージング前の動作特性λO,i(I)と、エー
ジング後の動作特性λO,n(I)とを示す。また図8
Bは、補償されたエージング後の動作特性λO,n(F
(I))も示しており、その特性は、同調電流のエージ
ング前の値とエージング後の値とを関係付ける関数F
(I)からプロセス70によって得られた。エージン
グ前の動作特性λO,i(I)および補償されたエージ
ング後の動作特性λO,n(F(I))の高さおよび同
調電流範囲はそれぞれ、測定の不確かさの範囲内で一致
する。
【0027】λO,n(F(I))およびλ
O,i(I)に対する曲線の間が概ね一致することは、
エージング前の同調電流Iの補償された値F(I
においてエージングを受けたDBRレーザを動作させる
ことにより、波長ドリフトが排除されることを示す。具
体的には、電流Iが、エージング前に最適に、すなわ
ち動作特性上の選択されたステップの中心においてDB
Rレーザを動作させる場合には、プロセス70によって
与えられる電流F(I)は、エージング後もDBRレ
ーザを最適に動作させるであろう。
【0028】3.ブラッグ反射スペクトルの測定 図9はDBRレーザ30のブラッグピーク波長および同
調電流を測定するための装置100を示す。装置100
は、DBRレーザ30に、たとえば端子52、53を介
して同調電流が供給されているが、レーザを放射してい
ない間に、光入力/出力104を通してブラッグ回折格
子38を照明するための外部光源102を備える。光源
102は、ブラッグ回折格子38のブラッグ反射スペク
トルが配置される波長帯域にわたって広帯域で、単調な
スペクトルを生成する。ブラッグ反射スペクトルの測定
中にレーザの放射を禁止するために、DBRレーザ30
の利得セクション32には電流がかけられないか、ある
いはその電流が利得セクション32が光を透過するよう
になる電流値未満に保持されるかのいずれかである。ブ
ラッグ回折格子38から反射される光は、光入力/出力
104を通過して、反射器106によって反射され、ス
ペクトルアナライザ108に入射する。スペクトルアナ
ライザ108は、スペクトル強度に関するデータをプロ
セッサ110に供給する。
【0029】プロセッサ110は、スペクトルアナライ
ザ108からの反射スペクトルに関するデータ、および
電流計111から同調電流に関する時間相関データに応
じて、DBRレーザ30において、1つの動作を実行す
る。ある実施形態では、その動作は、エージング前の同
調電流Iに対するエージングに起因するシフトを補償
するために、同調セクション34に値F(I)の同調
電流を加えるステップを含む。他の実施形態では、その
動作は、次のエージングに起因する波長シフトに対し
て、DBRレーザ30の適/不適を判定するステップを
含む。
【0030】プロセッサ110は、コンピュータが実行
可能な形式で書き込まれた制御プログラムを格納する、
たとえば、ランダムアクセスメモリ、ハードドライブ、
磁気ディスク、あるいは光ディスクのようなプログラム
記憶媒体112を備える。そのプログラムは、ブラッグ
回折格子38が光源102によって外部から照明されて
いる間に、スペクトルアナライザ108および電流計1
11から受信したデータに基づいてプロセス70を実行
するように構成される。そのプログラムはデータを用い
て、エージング後の同調電流Iを定義し、エージング
前の同調電流I へのエージングに起因する影響を補償
する関数F(I)を決定し、それゆえ、DBRレーザ
30において実行されることになる上記の動作の形態を
決定する。
【0031】図10は、スペクトルアナライザ108か
らの典型的なスペクトル113を示す。スペクトル11
3は、たとえば、反射する光の経路に沿って配置される
デジタル電界吸収型光変調器(図示せず)の吸収エッジ
によって生成される場合がある、低速で変動する背景光
114を含む。電界吸収型光変調器は、短波長の光を遮
断する傾向がある。また背景光114は、光源112か
らの直接光も含む。背景光114の上には、ブラッグ回
折格子38によって反射される光が、中央のブラッグピ
ーク118を含む一連の反射ピーク116を形成する。
背景光114が広帯域にわたるため、プロセッサ110
あるいはアナライザ108は、反射ピーク116と背景
光114とを区別することができる。
【0032】実施形態の中には、外部光源がブラッグ回
折格子38を照明する異なる構成を用いるものもある。
その際、反射された光のみが、スペクトルアナライザ1
08によって受光される。なぜなら、それらの実施形態
では、反射された光が光源102を通して戻されないた
めである。
【0033】図11は、そのエージングに起因する波長
ドリフトが図6のプロセス70によって補償できるモノ
リシック波長可変DBRレーザ30’を示す。DBRレ
ーザ30’は、1つのInP半導体基板内に構成され
る、コリニア利得セクション32’、同調セクション3
4’、増幅セクション102’、およびデジタル変調セ
クション120’を備える。
【0034】利得セクション32は、2つの平行した部
分を有する、強い屈折率導波型の導波路35’を含む。
導波路35’は、ヘテロ構造内に配置されるP−N接合
部に属する。P−N接合部は、順方向バイアスをかけら
れるときに光を増幅し、たとえば、電気的端子51’お
よび53’を短絡することにより、バイアスがかからな
いか、あるいは逆方向バイアスをかけられるときに光を
遮断するようになる。強い屈折率導波型の導波路3
5’、劈開された結晶面37’および反射性同調セクシ
ョン34’は、レーザのファブリ・ペロー共振器を形成
する。
【0035】導波路35’は導波路40’に結合されて
おり、導波路40’は同調セクション34’内に配置さ
れ、励起可能な利得媒体を持たない。導波路40’はブ
ラッグ回折格子38’に隣接する。ブラッグ回折格子3
8’は、上記のように、端子52’および53’にかけ
られる同調電流を通して同調可能である。
【0036】また導波路40’は、増幅セクション10
2’の導波路103’にも結合される。導波路103’
は、同調セクション34’から受光される光を光学的に
増幅するために、端子122’に加えられる電流によっ
て励起されることができる別のP−Nヘテロ構造内に配
置される。電気的に励起されるとき、増幅セクション1
02’のP−N接合部も、自然放出を通して広帯域の光
を生成する。
【0037】導波路103’はデジタル変調セクション
120’内まで延在しており、デジタル変調セクション
120’はバイアス端子124’を通して制御される。
変調セクション120’は、増幅セクション102’か
らの連続波信号を増幅かつ変調し、デジタル光出力信号
を生成する。変調セクション120’は、反射を減少さ
せる反射防止コーティング125’を含む。
【0038】図11のモノリシック波長可変DBRレー
ザ30’の一例が、米国特許第5,253,314号に
記載されており、その特許明細書は、その全体を参照し
て本明細書に援用される。
【0039】図12は、図11の波長可変DBRレーザ
30’のブラッグスペクトルを測定するためのプロセス
130を示す。プロセス130は、外部からの入射光が
吸収されるように、利得セクション32’に電気的にバ
イアスをかける(ステップ132)。電気的端子51’
を通って流れる電流が、光を透過するための閾値未満の
値を有するときに、吸収が生じる。一実施形態では、端
子51’および端子53’は、利得セクション32’が
同調セクション34’から入射する光を遮断するように
短絡される。また、プロセス130は、ブラッグ回折格
子38’によって反射される光が流出し、外部のスペク
トルアナライザによって検出されるように、デジタル変
調セクション120’を透過あるいは半透過性になるよ
うにバイアスするために、端子124に電圧を印加する
(ステップ134)。しかしながら、バイアスは、反射
コーティング125’とブラッグ回折格子38’との間
の多数の反射によって引き起こされる光共振を防止する
ために、変調セクション120’にわずかに吸収性が残
るようにする場合もある。プロセス130は、選択され
た同調電流を同調セクション34’に加える(ステップ
136)。プロセス130は、電流を、増幅セクション
122’あるいは利得セクション32’のいずれかに加
え、DBRレーザ30’がレーザを放射していない間
に、ブラッグ回折格子38’を照明するために、広帯域
光が自然放出されるようにする(ステップ138)。そ
の後、増幅セクション102’あるいは利得セクション
32’は、P−N接合部に順方向バイアスをかけて自然
放出光を生成することにより、光源102として機能す
る。利得セクション32’に電流が加えられる場合に
は、その電流は、レーザ放射を生じる自立的に「刺激さ
れて」放射するための閾値より小さい。
【0040】プロセス130は、ブラッグ回折格子3
8’から後方に反射される光のスペクトルを測定する
(ステップ140)。測定されたスペクトルから、プロ
セス130は、ブラッグ反射ピークの波長を決定する
(ステップ142)。この決定は、同調セクション10
2’から、自然放出された広帯域の背景光を減じるステ
ップを含む場合がある。その後、プロセス130は、ブ
ラッグピーク波長および同調電流の値の対応する一対の
値を格納する(ステップ144)。プロセス130は、
他の値の同調電流に対応するブラッグピーク波長が必要
とされるか否かを判定する(ステップ146)。他の値
の同調電流のためのデータが必要とされる場合には、プ
ロセス130は、新しい値の同調電流のための決定を繰
り返すためにループバックする(ステップ148)。そ
の必要とされる値の同調電流に対応するデータが得られ
たなら、そのプロセス130は終了される(ステップ1
50)。
【0041】4.DBRレーザの寿命の事前判定 図11を参照すると、モノリシックDBRレーザ30’
の個々の複製体は、寸法、位置の制御できない構造的変
動、およびレーザの要素の物理的な特性に起因して、異
なる動作特性を有する。同調セクション34’に対する
変動を相殺するためには、各DBRレーザ30’は、レ
ーザの動作特性を判定するために初期段階で較正される
必要がある。その後、エージングに起因する波長ドリフ
トが規則的に測定され、図6のプロセス70に記載され
るように補償することができる。
【0042】プロセス70を通して、波長ドリフトを規
則的に補償する代わりに、各DBRレーザ30’は、レ
ーザの波長対同調電流特性が変化する危険性がない寿命
を予測するために、初期段階で品質検査されることがで
きる。所定の寿命の終了時に、DBRレーザ30’は廃
棄することができる。品質検査を行うことにより、図9
の装置100を配置し、個々のDBRレーザ30’のた
めの波長ドリフトを規則的にモニタする必要性が回避さ
れる。寿命予測は、製造中に実行される単なる事前適/
不適判定基準、すなわち合否判定として、あるいは各D
BRレーザ30’のための寿命の個別化された予測とし
て実施することができる。
【0043】図13は、将来にわたる波長ドリフトに対
する安定性に関して、可変DBRレーザ、たとえば図1
1のレーザ30’の適/不適を判定するためのプロセス
160を示す流れ図である。プロセス160は、たとえ
ば、図12のプロセス130によって、複数の値のレー
ザの同調電流に対して、レーザの波長可変ブラッグ回折
格子のブラッグピーク波長を測定する(ステップ16
1)。DBRレーザを製造した後、そのプロセス160
は、予め選択されたバーンイン時間の間、レーザを動作
させる(ステップ162)。バーンイン時間の長さは、
種々のタイプの可変DBRレーザの場合に異なる可能性
があり、たとえば、レーザ30’のための予測される寿
命の0、10%あるいは20%である。バーンインの
後、プロセス160は再び、複数の値のレーザ同調電流
に対する、レーザの波長可変ブラッグ回折格子のブラッ
グピーク波長を測定する(ステップ164)。エージン
グ前およびエージング後の測定から、プロセス160
は、ブラッグピーク波長λを同調電流Iに関係付け
る、予め選択された特性の関数I(λ)のエージング
依存性を評価する(ステップ166)。一実施形態で
は、予め選択された特性は、I(λ)に対する単分子
寄与率Aである。単分子寄与率は、レーザの同調セクシ
ョン内の欠陥密度によって強く影響され、欠陥密度はエ
ージングによって増加する。プロセス160は、予め選
択された特性のエージング依存性が、予め選択された寿
命中に波長ドリフトに対してレーザが適していることを
判定する所定の範囲内に入るか否かを判定する(ステッ
プ168)。エージング依存性が所定の範囲内にある場
合には、プロセス160は試験下でDBRレーザの適し
た品質を有するものと判定する(ステップ170)。エ
ージング依存性が品質判定範囲外にある場合には、その
プロセスは試験下でDBRレーザが適していない品質を
有するものと判定し、そのレーザは廃棄される(ステッ
プ172)。
【0044】同調電流Iは概ね、レーザの同調セクショ
ンにおいて、キャリア密度nの3次多項式として表す
ことができる。したがって、電流Iは以下の式によって
与えられる。 I/e・V=a・n+b・n +c・n ただし「a」、「b」、「c」は測定可能な定数であ
る。「a」項は単分子寄与率であり、エージングによっ
て引き起こされる物理的な変化に最も敏感である。同調
電流の値をブラッグピーク波長に関係付けるために、ブ
ラッグピーク波長内の変化δλをキャリア密度の変化
δnの線形な関数として書き表す。
【数1】 ただし、n、nおよびΓは、それぞれ屈折率、実効
屈折率および導波路40’のための閉込め係数である。
2つの式を組み合わせることにより、同調電流Iを流す
ことによって引き起こされるブラッグピーク波長のシフ
トδλと、同調電流Iの値との間の関係が確立され
る。その関係は以下の式によって与えられる。 I=a'δλ+b'(δλ+c'(δλ ただし、
【数2】 ここで、δλ=λ(I)−λ(0)である。この
式では、係数「a」、「b」、「c」の値は、ブラッグ
ピーク波長および同調電流の測定された値から得られ
る。
【0045】図14は、典型的なDBRレーザ30’の
場合に、同調電流に対する単分子寄与率「a」がいくつ
かのエージングサイクルにわたって如何に変化するかを
示す。各エージングサイクルは、DBRレーザの予想さ
れる25年動作サイクルの約3〜10%だけ加速された
エージングを与えられており、約24時間の間、150
〜200mAの連続同調電流と、100〜120℃の動
作温度とでレーザを動作させることにより実行された。
10個のDBRレーザ30’が2つのグループ176お
よび178に分割される。第1のグループ176では、
寄与率「a」は約24時間の1エージングサイクルの
後、一定のままである。第2のグループ178では、寄
与率「a」はエージングサイクル数が増加するととも
に、変化し続ける。
【0046】第1のグループ176のDBRレーザは、
24時間のバーンインの後に波長ドリフトに対して安定
している品質であるものと判定されるが、第2のグルー
プ178のDBRレーザは適していない品質であるもの
と判定されることになる。なぜなら、寄与率「a」がバ
ーンイン(burn in)後にも上昇し続けるためである。D
BRレーザの第1および第2のグループ176、178
は、図13のプロセス160において、少なくとも2つ
の特性によって区別することができる。1つの区別する
ための特性は、寄与率「a」の初期値である。その初期
値は、第1のグループのレーザの場合には1.1×10
/秒より小さく、第2のグループのレーザの場合には
1.1×10/秒より大きい。別の区別するための特
性は、レーザの予想される寿命の約3〜10%のバーン
イン時間の後の寄与率「a」の値である。第1のグルー
プ176の場合には、寄与率「a」のバーンイン後の値
は約1.5×10より小さく、第2のグループ178
の場合には約1.5×10 より大きい。
【0047】5.同調電流シフトに基づくエージングの
補償 図7にプロットされたデータは、1つのDBRレーザの
場合のΔItunin とδλBraggとの間の線形
な関数関係を示す。比例定数「Δa」は、ある範囲の値
にわたってδλBraggとΔItuningとを関係
付け、1つのレーザ出力波長、すなわちδλBragg
の1つの値において、同調電流に対するエージングに起
因するシフトから判定可能である。したがって、線形な
関係を保持している場合に、1つのモードにおいてΔI
tuningを測定することにより、他のモードにおけ
るエージングに起因するドリフトを補償できるようにな
る。線形な関係は、同調電流によって引き起こされる発
熱が、ItuningとδλBraggとの間の関係に
ほとんど影響を及ぼさないモードの場合に保持される。
【0048】図15は、図2に示されるDBRレーザ3
0におけるエージングに起因する波長ドリフトを補償す
る装置180を示す。装置180は、エージングに起因
する波長ドリフトに対してシングル動作モードを安定さ
せる閉ループ波長帰還装置182を備える。帰還装置1
82は、レーザ30の背面反射器37を通して漏洩する
光を観測し、動作波長に対する変化を指示する信号をコ
ントローラ184に対して生成する。装置182からの
信号に基づいて、コントローラ184は、DBRレーザ
30における波長ドリフトを補償するために、端子52
に加えられる同調電流を調整する。
【0049】またコントローラ184は、電流計186
から、同調電流の加えられた値の測定値も受信する。同
調電流の測定値に基づいて、コントローラ184は、新
しい動作モードにおいて同調電流のエージングの影響を
補償するように、新しい動作モードにジャンプすること
ができる。
【0050】図16は、エージングを補償するように新
しい動作モードにジャンプするために、図16のコント
ローラ184によって用いられるプロセス190のため
の流れ図である。コントローラ184は、同調電流およ
びブラッグピーク波長シフトのための1組の初期値{I
(j),δλ(j)}を格納する。これらの値は、
エージング前のDBRレーザ30の動作モード「j」を
記述する。エージングは、関連するブラッグピーク波長
シフトδλ(j)を変化させない。
【0051】ジャンプする前に、コントローラ184
は、電流計186から、ジャンプ前の動作モード「k」
における、同調電流I(k)の測定された値を受信す
る(ステップ192)。エージングに起因して、モード
「k」の場合に、ジャンプ前の同調電流I(k)が同
調電流I(k)の初期値と異なる場合がある。コント
ローラ184は、新しい動作モード「m」にジャンプす
るために、外部からの要求を受信する(ステップ19
4)。その要求に応答して、コントローラ184は、少
なくとも部分的に、ジャンプ前の動作モード「k」にお
いて測定された同調電流の値I(k)に基づいて、新
しい動作モード「m」のための補償された同調電流の値
(m)を計算する(ステップ196)。コントロー
ラ184は、電気的端子52に計算された値の同調電流
(m)を加え、DBRレーザ30が、新しい動作モ
ード「m」にジャンプできるようにする(ステップ19
8)。したがって、新しいモード「m」におけるエージ
ングに起因するドリフトの補償は、ジャンプ前の動作モ
ード「k」における同調電流の測定値に基づく。
【0052】新しいモード「m」の場合の同調電流I
(m)を予測するために、コントローラ184は、初期
値{δλ(j),I(j)}、現在の動作モードの
場合に測定されたI(k)、およびΔItuning
とδλとの間の既知の関係を用いる。動作モード
「k」の場合のδλ(k)、I(k)およびI
(k)から、コントローラ184は、ΔI
tuningとδλとの間の関係のエージングに起因
する変化を定義するΔa、すなわちΔa=[I(k)
−I(k)]/δλ(k)を計算する。その後、コ
ントローラ184は、同じ線形関係を用いて、初期値
{δλ(m),I(m)}および計算されたΔaの
値から、新しいモード「m」の場合のI(m)、すな
わちI(m)=I(m)+Δaδλ(m)を決定
する。したがって、新しいモードの場合のエージングを
補償された同調電流I(m)の決定は、製造時にコン
トローラ184に格納された初期データ{I(j),
δλ(j)}と、ジャンプ前の動作モード「k」にお
いて測定された同調電流I(k)のみを用いる。
【0053】光送信機の種々の実施形態が、エージング
に起因する波長ドリフトを補償するように、DWDMネ
ットワークの多数のチャネル内の光伝送を制御するため
に、図16および図17の装置180およびプロセス1
90を用いる。
【0054】本発明の他の実施形態は、明細書、図面お
よび請求の範囲を検討することにより、当業者には明ら
かになるであろう。
【0055】
【発明の効果】本発明によれば、エージングに起因する
波長ドリフトを補償することができる方法およびシステ
ムを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】波長可変DBRレーザの初期およびエージング
後の動作特性を示すグラフである。
【図2】波長可変DBRレーザの側面図である。
【図3】図2の波長可変DBRレーザにおいて用いられ
るブラッグ回折格子の反射スペクトルを示すグラフであ
る。
【図4】種々の値の同調電流の場合に、図2のブラッグ
回折格子の反射スペクトルを示すグラフである。
【図5】図4のブラッグスペクトルが測定された時点に
おけるDBRレーザの動作特性を示すグラフである。
【図6】図2のDBRレーザの動作特性に対するエージ
ングに起因する変化を補償するプロセスのための流れ図
である。
【図7】図2のDBRレーザの場合の、ブラッグ波長シ
フトと同調電流との間の関係に対するエージングに起因
する変化を示すグラフである。
【図8A】図2のDBRレーザにおいて用いられる可変
ブラッグ回折格子の初期、エージング後、および補償後
のブラッグピーク波長を示すグラフである。
【図8B】図2のDBRレーザの初期、エージング後、
および補償後の動作特性を示すグラフである。
【図9】DBRレーザの動作特性に対するエージングに
起因する変化を測定するための装置を示す図である。
【図10】図9の装置によって測定される反射スペクト
ルを示すグラフである。
【図11】モノリシック波長可変DBRレーザの側面図
である。
【図12】図9の装置を用いて、図11のDBRレーザ
のブラッグスペクトルを測定するためのプロセスを示す
流れ図である。
【図13】予め選択された寿命にわたって波長ドリフト
に対する安定性に関して、可変DBRレーザの適/不適
を判定するためのプロセスを示す流れ図である。
【図14】いくつかのDBRレーザの場合の同調電流に
対する単分子寄与率のエージングに起因する移り変わり
を示すグラフである。
【図15】図2に示されるDBRレーザ30におけるエ
ージングに起因する波長ドリフトを補償する装置を示す
図である。
【図16】エージングを補償するように新しい動作モー
ドにジャンプするために、図15の装置によって用いら
れるプロセスのための流れ図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成13年10月2日(2001.10.
2)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サング−ニー ジョージ チュー アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ,マレイ ヒル,マレイ ヒル ブウル ヴァード 55 (72)発明者 エリック ジェー.ディーン アメリカ合衆国 18104−8533 ペンシル ヴァニア,アレンタウン,レネイプ トレ イル 365 (72)発明者 ジョン エヴァン ジョンソン アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ,ニュープロヴィデンス,チャーンウッ ド ロード 429 (72)発明者 レオナード ジャン−ピーター ケテルセ ン アメリカ合衆国 08809 ニュージャーシ ィ,クリントン,ヒル ホロー コート 8 (72)発明者 ライミング ザング アメリカ合衆国 07746 ニュージャーシ ィ,マールボロー,カントリー クラブ レーン 11 Fターム(参考) 2G003 AA06 AB00 AC01 AD00 AH00 AH05 5F073 AA12 AA64 AB06 BA01 DA16 EA04 HA04 HA07 HA08 HA11

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 分布ブラッグ反射器(DBR)レーザに
    同調電流が供給されているが、レーザを放射していない
    間に、前記DBRレーザのブラッグ回折格子を照明する
    ステップと、 前記ブラッグ回折格子によって反射される光の部分にお
    けるブラッグピークの波長と、前記照明するステップ中
    に供給される前記同調電流の値とに応じて、前記DBR
    レーザ上で、1つの動作を実行するステップとを含むプ
    ロセス。
  2. 【請求項2】 前記照明するステップ中に、入射光を吸
    収するために、前記レーザのファブリ・ペロー共振器に
    バイアスをかけるステップをさらに含む請求項1に記載
    のプロセス。
  3. 【請求項3】 前記照明するステップは前記DBRレー
    ザに別の電流を供給するステップを含み、前記別の電流
    によって、レーザを放射させることなく、前記DBRレ
    ーザから光を自然放出できるようになる請求項1に記載
    のプロセス。
  4. 【請求項4】 前記動作は、前記DBRレーザにおける
    エージングに起因する波長ドリフトを補償するために、
    前記同調電流の値を変更するステップを含む請求項1に
    記載のプロセス。
  5. 【請求項5】 前記動作は、前記同調電流の新しい値を
    前記同調電流の古い値と関連付ける関数関係を見いだす
    ステップを含み、関連付けられた前記新しい値と前記古
    い値とは、それぞれ初期の時点および現在の時点で、前
    記ブラッグ回折格子によって反射される光において同じ
    ブラッグピーク波長を生成することができる請求項1に
    記載のプロセス。
  6. 【請求項6】 前記同調電流の前記古い値の1つに応じ
    て、予め生成された前記DBRレーザの出力波長を選択
    するステップと、 前記新しい値および前記古い値の1つを関連付ける前記
    関数関係に応じて、前記DBRレーザに前記新しい値の
    前記同調電流の1つを適用するステップをさらに含む請
    求項5に記載のプロセス。
  7. 【請求項7】 動作を実行する前記ステップは、前記D
    BRレーザの出力波長が、前記DBRレーザの選択され
    た寿命中に選択された量より大きくシフトすることにな
    るか否かを予測する量を決定するステップを含む請求項
    1に記載のプロセス。
  8. 【請求項8】 動作を実行する前記ステップは、前記出
    力波長が前記選択された量より大きくシフトすることに
    なると予測する前記量の値に応じて、波長ドリフトに対
    する安定性に関して適していないと判定されたものとし
    て、前記DBRレーザを選別するステップを含む請求項
    7に記載のプロセス。
  9. 【請求項9】 動作を実行する前記ステップは、前記出
    力波長が前記選択された量より大きくシフトしないはず
    であると予測する前記量の値に応じて、波長ドリフトに
    対する安定性に関して適していると判定されたものとし
    て、前記DBRレーザを選別するステップを含む請求項
    7に記載のプロセス。
  10. 【請求項10】 前記量は、前記同調電流の値に対する
    エージングに起因するシフトと、前記同調電流の値の場
    合に前記ブラッグ回折格子によって反射される光におい
    て生成されるブラッグピーク波長との間の関係の指標で
    ある請求項7に記載のプロセス。
  11. 【請求項11】 前記ブラッグ反射器から反射される光
    のブラッグピーク波長の値と、前記DBRレーザに適用
    される同調電流の値との間の関係を決定するステップ
    と、 その後、予め選択された時間の間、前記DBRレーザの
    バーンインを実施するステップとをさらに含み、 前記照明する動作は、前記バーンインの後に実行される
    請求項7に記載のプロセス。
  12. 【請求項12】 前記照明するステップは、自然放出に
    よって半導体接合部から照明用の光を生成するステップ
    を含む請求項1に記載のプロセス。
  13. 【請求項13】 前記照明するステップの前の時点で、
    ブラッグピーク波長の値を測定するステップと、前記ブ
    ラッグ回折格子が前記測定された値の前記ブラッグピー
    ク波長を生成できるようになる前記同調電流の値を測定
    するステップとをさらに含む請求項1に記載のプロセ
    ス。
  14. 【請求項14】 前記DBRレーザの出力波長を、前記
    照明するステップの前の前記時点で前記出力波長を生成
    することができる前記同調電流の値に関係付ける、動作
    特性の一部を決定するステップをさらに含む請求項13
    に記載のプロセス。
  15. 【請求項15】 動作を実行する前記ステップはさら
    に、前記ブラッグ回折格子が、前記照明するステップの
    時点と、初期の時点とでそれぞれ、同じ波長のピークを
    有する反射光を生成できるようにする、前記同調電流の
    第1の値と第2の値とを比較するステップを含む請求項
    14に記載のプロセス。
  16. 【請求項16】 波長可変DBRレーザを動作させるた
    めのプロセスであって、 第1の出力波長で前記DBRレーザを動作させるステッ
    プと、 前記DBRレーザが前記第1の出力波長で動作できるよ
    うになる同調電流の値を測定するステップと、 前記同調電流の前記測定された値に部分的に基づいて、
    前記DBRレーザを第2の出力波長で動作させることが
    できる前記同調電流の新しい値を計算するステップとを
    含むプロセス。
  17. 【請求項17】 前記計算された新しい値は、エージン
    グに起因する波長ドリフトを補償する請求項16に記載
    のプロセス。
  18. 【請求項18】 前記計算するステップは、前記同調電
    流に対するエージングに起因するシフトを、前記レーザ
    の可変ブラッグ反射器のブラッグピーク波長に関係付け
    るパラメータを計算するステップを含む請求項16に記
    載のプロセス。
  19. 【請求項19】 前記第1および前記第2の出力波長
    は、前記DBRレーザの第1および第2の動作モードに
    対応する請求項16に記載のプロセス。
  20. 【請求項20】 前記計算するステップは、前記同調電
    流のエージング前の値と、関連するブラッグピーク波長
    と、前記同調電流の前記測定された値とを関係付ける1
    つあるいは複数の式を解くステップを含む請求項16に
    記載のプロセス。
  21. 【請求項21】 同調電流を適用するための電気的端子
    を有するDBRレーザと、 前記端子に前記同調電流を適用するために接続され、新
    しい値の前記同調電流を適用し、前記DBRレーザが新
    しい動作モードにジャンプできるようにすることができ
    るコントローラであって、前記コントローラは、前記同
    調電流の測定されたジャンプ前の値に部分的に基づい
    て、前記新しい値を決定するように構成される、該コン
    トローラとを備える装置。
  22. 【請求項22】 前記DBRレーザに適用される前記同
    調電流の値を測定し、かつ前記コントローラに前記測定
    された値を指示する信号を送信するために接続される電
    流測定装置をさらに備える請求項21に記載の装置。
  23. 【請求項23】 前記レーザコントローラはさらに、前
    記レーザからの光学的な帰還に基づいて、エージングに
    起因する波長ドリフトに対して前記DBRレーザを安定
    化させるように構成される請求項21に記載の装置。
  24. 【請求項24】 前記コントローラは、前記新しい値の
    決定において、エージングに起因する電流ドリフトを補
    償するように構成される請求項22に記載の装置。
  25. 【請求項25】 DBRレーザと、 前記DBRレーザの可変ブラッグ回折格子によって反射
    される光を受光するように配置されるスペクトルアナラ
    イザと、 前記スペクトルアナライザからの前記ブラッグ回折格子
    の反射スペクトルに関するデータと、前記反射スペクト
    ルに関連する同調電流の値に関するデータとを受信する
    ために接続されるプロセッサであって、前記プロセッサ
    は、ブラッグピーク波長と、前記データからの前記同調
    電流の値との間の関数関係を決定するように構成され
    る、該プロセッサとを備えるシステム。
  26. 【請求項26】 前記DBRレーザは、広帯域光で前記
    ブラッグ回折格子を照明することができる、自然放出光
    源および準白色光源のうちの一方を含み、光増幅器セク
    ションが、前記DBRレーザのファブリ・ペロー共振器
    の外部に存在する請求項25に記載のシステム。
  27. 【請求項27】 前記プロセッサは、前記ブラッグピー
    ク波長と前記同調電流の値との間の関係が所定の寿命内
    で変化することになると予測する前記関数関係に応じ
    て、廃棄するために前記DBRレーザを選別するように
    プログラミングされる請求項25に記載のシステム。
  28. 【請求項28】 前記プロセッサは、前記ブラッグピー
    ク波長と前記同調電流の値との間の関係の変化を示すデ
    ータに応じて、選択された出力波長に対応する前記同調
    電流の値を変更するようにプログラミングされる請求項
    25に記載のシステム
JP2001288062A 2000-09-22 2001-09-21 波長可変半導体レーザにおけるエージング Abandoned JP2002158400A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/668675 2000-09-22
US09/668,675 US6829262B1 (en) 2000-09-22 2000-09-22 Aging in tunable semiconductor lasers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002158400A true JP2002158400A (ja) 2002-05-31
JP2002158400A5 JP2002158400A5 (ja) 2004-10-28

Family

ID=24683306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001288062A Abandoned JP2002158400A (ja) 2000-09-22 2001-09-21 波長可変半導体レーザにおけるエージング

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6829262B1 (ja)
EP (1) EP1195861A3 (ja)
JP (1) JP2002158400A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101039A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 波長可変レーザ、波長可変レーザアレイ素子ならびにそれらの制御方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6829262B1 (en) * 2000-09-22 2004-12-07 Tri Quint Technology Holding Co. Aging in tunable semiconductor lasers
US6836321B2 (en) * 2001-06-20 2004-12-28 Lucent Technologies Inc. Testing bottom-emitting VCSELs
US6690689B2 (en) 2002-05-29 2004-02-10 Triquint Technology Holding, Co. Apparatus and method for compensating for age induced wavelength drift in tunable semiconductor lasers
AU2003274631A1 (en) * 2002-10-30 2004-05-25 Intune Technologies Limited Method for compensation of degradation in tunable lasers
US7187813B2 (en) * 2005-01-20 2007-03-06 Intel Corporation Optical transistor
US9438005B1 (en) 2014-06-02 2016-09-06 Google Inc. Calibration of a tunable DBR laser
GB2554653B (en) 2016-09-30 2021-12-29 Lumentum Tech Uk Limited Lockerless tuneable DBR laser

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0632332B2 (ja) * 1984-08-24 1994-04-27 日本電気株式会社 半導体レ−ザ装置
US5147825A (en) * 1988-08-26 1992-09-15 Bell Telephone Laboratories, Inc. Photonic-integrated-circuit fabrication process
US5088097A (en) * 1990-04-04 1992-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and method of driving the same
JPH04326311A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Sony Corp 光導波路端面結合装置
US5220578A (en) * 1991-11-01 1993-06-15 At&T Bell Laboratories Long term mode stabilization for distributed bragg reflector laser
US5253314A (en) 1992-01-31 1993-10-12 At&T Bell Laboratories Tunable optical waveguide coupler
FR2716303B1 (fr) * 1994-02-11 1996-04-05 Franck Delorme Laser à réflecteurs de Bragg distribués, accordable en longueur d'onde, à réseaux de diffraction virtuels activés sélectivement.
US5506859A (en) 1995-02-16 1996-04-09 At&T Corp. Article comprising a DFB laser with loss coupling
US6021141A (en) * 1996-03-29 2000-02-01 Sdl, Inc. Tunable blue laser diode
US5832014A (en) * 1997-02-11 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Wavelength stabilization in tunable semiconductor lasers
SE519081C3 (sv) * 1998-01-21 2003-02-19 Altitun Ab Förfarande och anordning för optimering av lasrars operationspunkt, jämte anordning
US6829262B1 (en) * 2000-09-22 2004-12-07 Tri Quint Technology Holding Co. Aging in tunable semiconductor lasers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101039A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 波長可変レーザ、波長可変レーザアレイ素子ならびにそれらの制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1195861A2 (en) 2002-04-10
US6829262B1 (en) 2004-12-07
EP1195861A3 (en) 2005-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5473625A (en) Tunable distributed Bragg reflector laser for wavelength dithering
US6188705B1 (en) Fiber grating coupled light source capable of tunable, single frequency operation
JP3343166B2 (ja) 半導体レ−ザを有するシステム
US7620078B2 (en) Tunable semiconductor laser device, manufacturing method therefor, and gas detector using therewith
US7929581B2 (en) Testing method of wavelength-tunable laser, controlling method of wavelength-tunable laser and laser device
AU2016230025B2 (en) Independent control of emission wavelength and output power of a semiconductor laser
EP1564915A1 (en) Low relative intensity noise fiber grating type laser diode
US20050254056A1 (en) System and method for controlling the light source of a cavity ringdown spectrometer
Zorabedian Axial-mode instability in tunable external-cavity semiconductor lasers
US20060088068A1 (en) Low noise swept wavelength laser system and method
US11101619B1 (en) System and method for creating and utilizing multivariate paths for ongoing simultaneous multi-dimensional control to attain single mode sweep operation in an electromagnetic radiation source
US7668216B2 (en) Coherence reduction of diode lasers
GB2394118A (en) Characterisation and non-invasive correction of operational currents of a tuneable laser.
US7242701B2 (en) Laser wavelength control arrangement and method
JP2002158400A (ja) 波長可変半導体レーザにおけるエージング
US9438005B1 (en) Calibration of a tunable DBR laser
US7130322B2 (en) Wavelength tunable laser and method of controlling the same
US6560255B1 (en) Method and apparatus for characterizing laser modules
EP1130725B1 (en) A method and apparatus for controlling a multichannel laser source
US6934311B2 (en) Semiconductor laser module and Raman amplifier
EP1167943A2 (en) Detecting aging of optical components
US6690689B2 (en) Apparatus and method for compensating for age induced wavelength drift in tunable semiconductor lasers
US20050030990A1 (en) Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers
Koh et al. Correlation between dispersion penalty and time-resolved chirp for an integrated widely tunable electroabsorption-modulated SGDBR laser across the EDFA gain bandwidth
Ackerman et al. Assessing aging in tunable electro-absorption modulated, distributed Bragg reflector lasers

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051124

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060224

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060301

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060619

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20060929