JP2002157793A - Magnetic recording medium - Google Patents

Magnetic recording medium

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JP2002157793A
JP2002157793A JP2000348162A JP2000348162A JP2002157793A JP 2002157793 A JP2002157793 A JP 2002157793A JP 2000348162 A JP2000348162 A JP 2000348162A JP 2000348162 A JP2000348162 A JP 2000348162A JP 2002157793 A JP2002157793 A JP 2002157793A
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layer
recording medium
domain wall
magnetic
magnetic recording
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JP2000348162A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshimori Miyakoshi
俊守 宮越
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic recording medium in which regenerative signal quality, especially a jitter characteristic can be improved in a high linear velocity recording and reproduction mode in a reproducing method capable of reproducing a high density recording signal surpassing an optical diffraction limit by detecting magnetic domain wall motion. SOLUTION: In this magnetic recording medium provided at least with a motion layer where a magnetic domain wall moves, a memory layer holding a recording magnetic domain corresponding to information, an interruption layer which is arranged between the motion layer and the memory layer and in which a Curie temperature is lower than those of the both layers, and an interruption auxiliary layer whose Curie temperature is almost equal to that of the interruption layer, the anisotropic energy of the motion layer is set to be larger than that of the interruption auxiliary layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁性材料の磁化の
配列状態により情報の記録を行う磁性記録媒体に関する
ものである。特にDWDD(Domain Wall Displacement
Detection)タイプの光磁気記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium for recording information according to the arrangement of magnetization of a magnetic material. In particular, DWDD (Domain Wall Displacement
Detection) type magneto-optical recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】書き換え可能な記録媒体として、各種の
磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザ
ーの熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込んで
情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報を読み出
す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒
体として期待されている。近年、動画像のデジタル化の
動きとあいまって、これらの磁性記録媒体の記録密度を
高めてさらに大容量の記録媒体とする要求が高まってい
る。
2. Description of the Related Art Various magnetic recording media have been put into practical use as rewritable recording media. In particular, a magneto-optical recording medium that writes information on magnetic domains in a magnetic thin film using the heat energy of a semiconductor laser and reads this information using a magneto-optical effect is a large-capacity interchangeable medium capable of high-density recording. Expected. In recent years, along with the trend of digitizing moving images, there has been an increasing demand for increasing the recording density of these magnetic recording media to produce larger-capacity recording media.

【0003】一般に、光記録媒体の線記録密度は、再生
光学系のレーザ波長及び対物レンズの開口数NAに大き
く依存する。すなわち、再生光学系のレーザ波長λと対
物レンズの開口数NAが決まるとビームウェストの径が
決まるため、信号再生可能な記録ピットの空間周波数は
2NA/λ程度が限界となってしまう。したがって、従
来の光ディスクで高密度化を実現するためのには、再生
光学系のレーザ波長を短くするか、対物レンズの開口数
を大きくする必要がある。しかしながら、レーザ波長を
短くするのは素子の効率、発熱等の問題で容易ではな
く、また、対物レンズの開口数を大きくすると、焦点深
度が浅くなる等して機械的精度に対する要求が厳しくな
るという問題が生じる。
Generally, the linear recording density of an optical recording medium greatly depends on the laser wavelength of a reproducing optical system and the numerical aperture NA of an objective lens. That is, when the laser wavelength λ of the reproducing optical system and the numerical aperture NA of the objective lens are determined, the beam waist diameter is determined, so that the spatial frequency of a recording pit from which a signal can be reproduced is limited to about 2 NA / λ. Therefore, in order to realize a higher density in a conventional optical disk, it is necessary to shorten the laser wavelength of the reproducing optical system or increase the numerical aperture of the objective lens. However, it is not easy to shorten the laser wavelength due to problems such as the efficiency of the element and heat generation, and if the numerical aperture of the objective lens is increased, the demand for mechanical accuracy becomes strict due to a shallower depth of focus. Problems arise.

【0004】このため、レーザ波長や対物レンズの開口
数を変えずに、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記
録密度を改善する、いわゆる超解像技術が種々開発され
ている。
For this reason, various so-called super-resolution techniques have been developed for improving the recording density by devising the structure of the recording medium and the reproducing method without changing the laser wavelength or the numerical aperture of the objective lens.

【0005】例えば、特開平3-93058、同6-12
4500各号においては、磁気的に結合される再生層と
記録保持層とを有してなる多層膜の記録保持層に信号記
録を行うとともに再生層の磁化の向きを揃えた後(特開
平6-124500号の磁化方向は面内)、レーザー光を
照射して加熱し、再生層の昇温領域に記録保持層に記録
された信号を転写しながら読み取る信号再生方法が提案
されている。
For example, JP-A-3-93058 and JP-A-6-12
No. 4500, after signal recording is performed on a multi-layered recording holding layer having a reproducing layer and a recording holding layer that are magnetically coupled, and after the magnetization direction of the reproducing layer is aligned (Japanese Unexamined Patent Publication No. A signal reproducing method has been proposed in which a magnetization direction of -124500 is in-plane), a laser beam is irradiated and heated to read a signal recorded on the recording holding layer while transferring the signal recorded on the recording holding layer to a heated region of the reproducing layer.

【0006】この方法によれば、再生用のレーザーのス
ポット径に対して、このレーザーによって加熱された転
写温度に達し信号が検出される領域(アパーチャー)はよ
り小さな領域に限定できるため、再生時の符号間干渉を
減少させ、光学的な検出限界λ/2NA以下のピット周
期の信号が再生可能となる。
According to this method, the area (aperture) where the transfer temperature heated by this laser is reached and a signal is detected can be limited to a smaller area with respect to the spot diameter of the laser for reproduction. And the signal having a pit period equal to or less than the optical detection limit λ / 2NA can be reproduced.

【0007】上記の再生方法はMSR(Magnetically in
duced Super-resolution Readout method)再生方式と呼
ばれている。しかしながら、このMSR再生方式は、再
生用のレーザーのスポット径に対して有効に使用される
信号検出領域が小さくなるため、再生信号振幅が大幅に
低下し、十分な再生出力が得られない欠点を有してい
る。このため有効信号検出領域をスポット径に対してあ
まり小さくすることはできず、結局は光学系の回折限界
で決まる記録密度に対して、大幅な高密度化を達成する
ことはできない。
[0007] The above reproducing method is based on MSR (Magnetically in
duced Super-resolution Readout method). However, this MSR reproduction method has a disadvantage that a signal detection area which is effectively used with respect to a spot diameter of a reproduction laser is reduced, so that a reproduction signal amplitude is greatly reduced and a sufficient reproduction output cannot be obtained. Have. For this reason, the effective signal detection area cannot be made very small with respect to the spot diameter, and in the end the recording density determined by the diffraction limit of the optical system cannot be significantly increased.

【0008】そこで、特開平6−290496号では、
記録マークの境界部に存在する磁壁を温度勾配によって
高温側に移動させ、この磁壁移動を検出することによ
り、再生信号振幅を低下させることなく、光学系の分解
能を超えた記録密度の信号を再生することが可能な光磁
気記録媒体及びその再生方法が提案されている。この再
生方法は、DWDD(Domain Wall Displacement Detect
ion)再生方式と呼ばれている。
Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-290496 discloses that
The domain wall existing at the boundary of the recording mark is moved to the high temperature side by a temperature gradient, and by detecting this domain wall movement, a signal with a recording density exceeding the resolution of the optical system can be reproduced without reducing the reproduction signal amplitude. A magneto-optical recording medium and a reproducing method therefor have been proposed. This playback method uses DWDD (Domain Wall Displacement Detect
It is called an ion) regeneration method.

【0009】この光磁気記録媒体、および、再生方法は
図4に示すように、磁壁抗磁力の小さな第一磁性層40
01と、キュリー温度の低い第二磁性層4002と、磁
壁抗磁力の大きな第三磁性層4003からなる。文献J.
Magn. Soc. Jpn., 22,suppl. No. S2, pp. 47-50 (199
8) にあるように、第一磁性層4001は再生時に磁壁
移動が起こる移動層(displacement layer)として機能
し、第二磁性層4002は磁壁移動の開始位置を制御す
る遮断層(switching layer) として機能し、第三磁性層
4003は情報を保持するメモリ層(memory layer)
として機能する。
As shown in FIG. 4, the magneto-optical recording medium and the reproducing method use the first magnetic layer 40 having a small domain wall coercive force.
01, a second magnetic layer 4002 having a low Curie temperature, and a third magnetic layer 4003 having a large domain wall coercive force. Literature J.
Magn. Soc. Jpn., 22, suppl.No.S2, pp. 47-50 (199
8), the first magnetic layer 4001 functions as a displacement layer (displacement layer) in which domain wall movement occurs during reproduction, and the second magnetic layer 4002 functions as a switching layer (switching layer) for controlling the start position of domain wall movement. Functioning, the third magnetic layer 4003 is a memory layer that holds information
Function as

【0010】これら磁性膜面上に図4(b)に示すよう
な温度分布を形成すると、これに伴って図4(c)に示
すように磁壁エネルギー密度の分布が形成され、図4
(d)に示すように磁壁をエネルギーの低い高温側へ移
動させようとする磁壁駆動力(式1)が発生する。
When a temperature distribution as shown in FIG. 4B is formed on these magnetic film surfaces, a distribution of the domain wall energy density is formed as shown in FIG.
As shown in (d), a domain wall driving force (Equation 1) for moving the domain wall to the high temperature side with low energy is generated.

【0011】 ∂σd/∂X ……… 式1 ここで、σdは移動層の磁区磁壁エネルギーであり、4
√(AK)で表わされる。Aは交換スティフネス定数、
Kは異方性エネルギー。
∂σd / ∂X Equation 1 Here, σd is the domain wall energy of the moving layer, and 4
√ (AK). A is the exchange stiffness constant,
K is the anisotropic energy.

【0012】しかし、遮断層のキュリー温度以下の温度
の場所では、各磁性層は互いに交換結合しているため、
前述の磁壁駆動力が作用しても、メモリ層の大きな磁壁
抗磁力に妨げられて磁壁移動は起こらない。ところが、
遮断層のキュリー温度近傍の温度Tsになる位置では交
換結合力(式2)が弱まるため、磁壁抗磁力(式3)の
小さな移動層中の磁壁だけが単独で高温側に磁壁移動す
る。
However, at a temperature lower than the Curie temperature of the blocking layer, the magnetic layers are exchange-coupled to each other.
Even if the above-described domain wall driving force acts, domain wall movement does not occur because of the large domain wall coercive force of the memory layer. However,
Since the exchange coupling force (Equation 2) is weakened at the temperature Ts near the Curie temperature of the blocking layer, only the domain wall in the moving layer having a small domain wall coercive force (Equation 3) moves independently to the high temperature side.

【0013】 σw/h ……… 式2 2MsHw ……… 式3 ここで、σwは移動層の界面磁壁エネルギー、hは移動
層の膜厚、Msは移動層の飽和磁化、Hwは移動層の磁
壁抗磁力である。
Σw / h Equation 2 2MsHw Equation 3 where σw is the interface domain wall energy of the moving layer, h is the thickness of the moving layer, Ms is the saturation magnetization of the moving layer, and Hw is the moving layer's saturation magnetization. Domain wall coercivity.

【0014】この磁壁移動は、媒体を温度分布に対して
相対的に移動させると、磁壁の空間的間隔に対応した時
間間隔で発生することになる。したがって、磁壁移動の
発生を検出することで、光学系の分解能とは無関係に信
号を再生することが可能になる。
When the medium is moved relatively to the temperature distribution, the domain wall movement occurs at a time interval corresponding to the spatial interval of the domain wall. Therefore, by detecting the occurrence of the domain wall motion, it becomes possible to reproduce a signal regardless of the resolution of the optical system.

【0015】さてここで、磁壁の移動開始温度Tsは、
磁壁の移動を妨げる摩擦力(式2および式3)が、磁壁
駆動力(式1)よりも小さくなる閾値温度として決ま
る。この閾値温度Tsの前後で、両者の大小関係ができ
るだけ急激に逆転するようにした方が、磁壁移動開始位
置が揺らがず、ジッターを抑制できる。このため、遮断
層はできるだけ異方性が大きく磁壁エネルギー密度が大
きな材料で構成して、遮断層のキュリー温度に向かって
移動層とメモリ層との間の交換結合力が急激に低下する
ようにした方がよいとされている。
Now, the domain wall movement start temperature Ts is
The frictional force (Equations 2 and 3) that hinders the movement of the domain wall is determined as a threshold temperature at which the domain wall driving force (Equation 1) becomes smaller. When the magnitude relationship between the two is reversed as rapidly as possible before and after the threshold temperature Ts, the domain wall movement start position does not fluctuate and jitter can be suppressed. For this reason, the blocking layer is made of a material having as large anisotropy as possible and a large domain wall energy density so that the exchange coupling force between the moving layer and the memory layer rapidly decreases toward the Curie temperature of the blocking layer. It is better to do.

【0016】しかしながら、上述したような移動層、遮
断層、メモリ層の3層構成においては、遮断層の垂直磁
気異方性が大きいがゆえに生じる問題があった。
However, in the three-layer structure of the moving layer, the blocking layer, and the memory layer as described above, there is a problem caused by the large perpendicular magnetic anisotropy of the blocking layer.

【0017】それは、遮断層のキュリー温度以上になっ
ても、移動層と遮断層の界面で、遮断層側の磁性原子
は、移動層からの大きな分子磁界を受けるために、界面
付近の遮断層にはスピンのオーダリングが生じる。遮断
層は本質的に異方性の大きな材料で構成されているた
め、分子磁界の影響でスピンのオーダリングが生じる
と、異方性はかなり大きくなり、大きな磁壁抗磁力が誘
起される。また、原子の拡散も考慮すると、界面付近の
遮断層の異方性はさらに大きくなるため、メモリ層との
交換結合力が急激に低下しても、この界面付近の遮断層
の磁壁抗磁力が残り、磁壁の移動を妨げる摩擦力は急激
に低下せず、磁壁移動開始位置が揺らいで、ジッターが
大きくなってしまうといった問題である。
Even when the temperature becomes higher than the Curie temperature of the barrier layer, magnetic atoms on the barrier layer side receive a large molecular magnetic field from the barrier layer at the interface between the barrier layer and the barrier layer. Causes spin ordering. Since the blocking layer is essentially made of a material having a large anisotropy, if spin ordering occurs under the influence of a molecular magnetic field, the anisotropy becomes considerably large, and a large domain wall coercive force is induced. Also, taking into account the diffusion of atoms, the anisotropy of the barrier layer near the interface is further increased. Therefore, even if the exchange coupling force with the memory layer sharply decreases, the domain wall coercive force of the barrier layer near this interface is reduced. The remaining problem is that the frictional force that hinders the movement of the domain wall does not decrease sharply, the position where the domain wall movement starts fluctuates, and the jitter increases.

【0018】そこで、特開平12−207791号で
は、移動層と遮断層との間に、遮断層およびメモリ層に
比して相対的に磁壁抗磁力が小さく、かつ、遮断層とキ
ュリー温度が略等しい磁性膜から成る遮断補助層を設け
ることで、上記の問題点を解決することが可能なDWD
D再生方式を用いた磁性記録媒体の提案がなされてい
る。
Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 12-207791 discloses that the domain wall coercive force is relatively small between the moving layer and the blocking layer as compared with the blocking layer and the memory layer, and that the blocking layer and the Curie temperature are substantially equal. By providing the blocking auxiliary layer made of the same magnetic film, the above-mentioned problem can be solved by the DWD.
A magnetic recording medium using the D reproduction method has been proposed.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
で提案がなされてきた移動層は、その磁壁移動をスムー
スに行わせるために、移動を妨げる摩擦力、すなわち、
磁壁抗磁力を小さくすることに主眼がおかれ、そのよう
な材料として例えば、GdCo、GdFeCo、GdF
e、NdGdFeCoなどの非晶質希土類−遷移金属合
金が用いられてきた。これにより従来の移動層は、異方
性エネルギーも小さく、磁区磁壁エネルギーが小さいた
め、磁壁を移動させる力である磁壁駆動力が小さかっ
た。そのため、高転送レートを達成すべく記録再生時に
おける線速度を早めると、ジッター特性が悪化してしま
うと言った問題があった。
However, the moving layer, which has been proposed so far, has a frictional force that hinders the movement, that is, a frictional force that hinders the movement of the magnetic domain wall in order to smoothly move the domain wall.
The main focus is on reducing the domain wall coercivity, and such materials include, for example, GdCo, GdFeCo, GdF
e, amorphous rare earth-transition metal alloys such as NdGdFeCo have been used. As a result, the conventional moving layer has a small anisotropic energy and a small domain wall energy, so that the domain wall driving force for moving the domain wall is small. Therefore, if the linear velocity during recording / reproduction is increased to achieve a high transfer rate, there is a problem that jitter characteristics are deteriorated.

【0020】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、高転送レートを達成すべく記録再生
時における線速度を速めた場合においても、良好なジッ
ター特性が得られる磁性記録媒体を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a magnetic recording system capable of obtaining a good jitter characteristic even when the linear velocity during recording / reproduction is increased to achieve a high transfer rate. The purpose is to provide a medium.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明の磁性記録媒体
は、少なくとも、磁壁が移動する移動層と、情報に応じ
た記録磁区を保持するメモリ層と、前記移動層とメモリ
層の間に配置され、前記両層よりキュリー温度が低い遮
断層と、前記遮断層とキュリー温度が略等しい遮断補助
層とを備え、前記移動層の異方性エネルギーが前記遮断
補助層の異方性エネルギーよりも大きいことを特徴とす
る。
The magnetic recording medium of the present invention has at least a moving layer in which a domain wall moves, a memory layer holding recording magnetic domains according to information, and a magnetic layer disposed between the moving layer and the memory layer. A barrier layer having a lower Curie temperature than both layers, and a barrier auxiliary layer having a Curie temperature substantially equal to the barrier layer, wherein the anisotropic energy of the moving layer is smaller than the anisotropic energy of the barrier auxiliary layer. It is characterized by being large.

【0022】図1及び図2は、本発明の磁性記録媒体に
おける作用を説明するためのDWDD再生信号波形の模
式図である。図1が本発明の磁性記録媒体を用いた例で
あり、図2が従来の磁性記録媒体を用いた例である。ま
た、図中(a)には、従来用いられてきたような比較的
低い線速度下における再生信号波形を、図中(b)に
は、高転送レートを達成すべく従来に比して線速度を早
めた際の再生信号波形を示す。図中符号Aで示してある
再生信号波形の立ち上がり部位は、移動層の磁壁移動に
相当する個所であり、その傾斜度合いは磁壁移動速度に
依存している。
FIG. 1 and FIG. 2 are schematic diagrams of DWDD reproduction signal waveforms for explaining the operation of the magnetic recording medium of the present invention. FIG. 1 shows an example using the magnetic recording medium of the present invention, and FIG. 2 shows an example using the conventional magnetic recording medium. FIG. 3A shows a reproduced signal waveform at a relatively low linear velocity as conventionally used, and FIG. 3B shows a reproduced signal waveform at a relatively low linear velocity in order to achieve a high transfer rate. 5 shows a reproduced signal waveform when the speed is increased. The rising portion of the reproduced signal waveform indicated by the symbol A in the figure is a portion corresponding to the domain wall movement of the moving layer, and the degree of the inclination depends on the domain wall moving speed.

【0023】図2に示すように、従来の磁性記録媒体で
は、線速度が早まった場合、再生信号波形において波形
の立ち上がり部位の占有率が大きくなり、DWDD再生
特有の矩形形状が十分に得られていない。このため、十
分な再生信号品質が得られず、ジッター特性が悪化する
ものと考えられる。
As shown in FIG. 2, in the conventional magnetic recording medium, when the linear velocity increases, the occupancy of the rising portion of the reproduced signal waveform increases, and a rectangular shape unique to DWDD reproduction can be sufficiently obtained. Not. For this reason, it is considered that sufficient reproduction signal quality cannot be obtained and the jitter characteristic deteriorates.

【0024】これに対して、本発明における磁性記録媒
体では、移動層にはその異方性エネルギーが、遮断補助
層よりも大きな磁性膜を設けているため、磁区磁壁エネ
ルギーすなわち磁壁駆動力が適当に大きい。この結果、
図1に示すように従来に比して磁壁移動が素早く行われ
るため、再生信号波形の立ち上がりが急峻であり、早い
線速度下においても再生信号波形が崩れず良好なジッタ
ー特性が得られるものと考えられる。
On the other hand, in the magnetic recording medium of the present invention, the moving layer is provided with a magnetic film whose anisotropic energy is larger than that of the blocking auxiliary layer, so that the domain wall energy, that is, the domain wall driving force is appropriate. Big. As a result,
As shown in FIG. 1, since the domain wall movement is performed more quickly than in the prior art, the rise of the reproduced signal waveform is steep, and the reproduced signal waveform does not collapse even at a high linear velocity, and good jitter characteristics can be obtained. Conceivable.

【0025】また、前記移動層の材料としては、少なく
ともDyあるいはTb元素を含有する非晶質希土類−遷
移金属合金が好適である。
As the material of the moving layer, an amorphous rare earth-transition metal alloy containing at least Dy or Tb element is preferable.

【0026】ただし、前記移動層の垂直磁気異方性を不
用意に大きくしすぎると、磁壁抗磁力とのバランスが崩
れ、前記移動層における磁壁移動がスムーズに行われな
くなってしまう。
However, if the perpendicular magnetic anisotropy of the moving layer is carelessly increased too much, the balance with the domain wall coercive force will be lost, and the domain wall will not move smoothly in the moving layer.

【0027】そのため、前記移動層におけるDy元素の
含有率は原子数比率にて10at.%以上40at.%
以下の範囲、Tb元素の含有率は原子数比率にて10a
t.%以上30at.%以下の範囲が好ましい。また、
上記の磁性記録媒体において、前記移動層が膜厚方向に
段階的もしくは連続的に、前記遮断補助層に近づくほど
キュリー温度が低くなるような構造を有している磁性記
録媒体とすることで、より一層、磁壁抗磁力に比べて相
対的に大きな磁壁駆動力を前記移動層中の磁壁に作用さ
せることができるようになるため、磁壁移動がより一層
スムースになり再生信号特性が向上する。
Therefore, the content of the Dy element in the moving layer is 10 at. % At least 40 at. %
In the following range, the content of the Tb element is 10a in atomic ratio.
t. % At least 30 at. % Is preferable. Also,
In the above magnetic recording medium, the moving layer is stepwise or continuously in the thickness direction, the magnetic recording medium having a structure such that the Curie temperature becomes lower as it approaches the blocking auxiliary layer, Since a domain wall driving force relatively larger than the domain wall coercive force can be applied to the domain wall in the moving layer, the domain wall movement becomes smoother and the reproduction signal characteristics are improved.

【0028】さらに、記録トラックを有し、該記録トラ
ックの両側部において、前記移動層の膜面方向の交換結
合が切断もしくは低減されている磁性記録媒体とするこ
とにより、トラック上に、磁区の両側部に実質的に磁壁
を形成せずに、閉じていない磁壁配列パターンとして情
報を記録することができる。このような状態の記録パタ
ーンを、磁壁移動させながら読み出すと、側部磁壁の生
成・消滅を伴わずに磁壁移動させることができるため、
磁壁移動が安定し、再生信号特性がさらに向上する。
Further, by providing a magnetic recording medium having a recording track and having exchange coupling in the film surface direction of the moving layer cut or reduced on both sides of the recording track, a magnetic domain is formed on the track. Information can be recorded as an unclosed domain wall array pattern without substantially forming domain walls on both sides. If the recording pattern in such a state is read while moving the domain wall, the domain wall can be moved without generating / disappearing the side domain wall.
The domain wall movement is stabilized, and the reproduction signal characteristics are further improved.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図面を
参照しながら詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0030】図3は、本発明に用いる磁性記録媒体の層
構成の一実施態様を示す模式的断面図である。この態様
においては、基板3005上に、下地層3006、再生
時に磁壁が移動する、後述の遮断補助層より異方性エネ
ルギーが大きな移動層3001、後述の遮断層のキュリ
ー温度近傍の温度で遮断層に大きな磁壁抗磁力を誘起し
ないために、遮断層と略等しいキュリー温度と、後述の
遮断層、メモリ層より小さな磁壁抗磁力を持つ遮断補助
層3002、磁壁移動の開始位置を制御する、移動層及
び後述のメモリ層より低いキュリー温度を持つ遮断層3
003、情報を保持するメモリ層3004、及び上地層
3007が順次積層されている。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing one embodiment of the layer structure of the magnetic recording medium used in the present invention. In this embodiment, an underlayer 3006 on a substrate 3005, a moving layer 3001 in which a domain wall moves during reproduction, and has a larger anisotropic energy than an auxiliary blocking layer described later, and a blocking layer at a temperature near the Curie temperature of the blocking layer described later. In order not to induce a large domain wall coercive force, a Curie temperature substantially equal to that of the blocking layer, a blocking layer described later, a blocking auxiliary layer 3002 having a smaller domain wall coercive force than the memory layer, and a moving layer for controlling the starting position of domain wall movement. And a blocking layer 3 having a lower Curie temperature than the memory layer described later
003, a memory layer 3004 for holding information, and an upper layer 3007 are sequentially stacked.

【0031】基板3005としては、例えば、ポリカー
ボネート、アクリル、ガラス等を用いることができる。
また、基板3005には記録トラックとして用いる凹凸
が形成されている。
As the substrate 3005, for example, polycarbonate, acrylic, glass or the like can be used.
Further, the substrate 3005 is formed with irregularities used as recording tracks.

【0032】下地層3006や上地層3007として
は、例えば、SiN,AiN,SiO,ZnS,Mg
F,TaO等の誘電体材料が使用できる。磁壁の移動を
光学的に検出するのでなければ、必ずしも透光性材料で
ある必要はない。
As the underlayer 3006 and the upper layer 3007, for example, SiN, AiN, SiO, ZnS, Mg
A dielectric material such as F or TaO can be used. The material is not necessarily required to be a translucent material unless the movement of the domain wall is optically detected.

【0033】磁性層以外の層は必須のものではない。磁
性層の積層順序を逆にしてもよい。また、この構成に、
さらにAl,AlTa,AlTi,AlCr,Cu,P
t,Au等からなる金属層を付加して、熱的な特性を調
整してもよい。(図示せず)また、高分子樹脂からなる
保護コートを付与してもよい。あるいは、成膜後の基板
を貼り合わせてもよい。
The layers other than the magnetic layer are not essential. The order of lamination of the magnetic layers may be reversed. Also, in this configuration,
Further, Al, AlTa, AlTi, AlCr, Cu, P
A thermal property may be adjusted by adding a metal layer made of t, Au, or the like. (Not shown) Further, a protective coat made of a polymer resin may be provided. Alternatively, a substrate after film formation may be attached.

【0034】これら各層は、例えばマグネトロンスパッ
タ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着等に
よって被着形成できる。特に各磁性層は、真空を破るこ
となく連続成膜されることで、互いに交換結合をしてい
る。
Each of these layers can be formed by, for example, continuous sputtering with a magnetron sputtering apparatus or continuous vapor deposition. In particular, the respective magnetic layers are exchange-coupled to each other by being continuously formed without breaking the vacuum.

【0035】上記媒体において、各磁性層3001〜3
004は、磁気記録媒体や光磁気記録媒体に一般的に用
いられている材料の他、磁気バブル材料や反強磁性材料
等、種々の磁性材料によって構成することが考えられ
る。
In the above medium, each of the magnetic layers 3001 to 3003
004 may be made of various magnetic materials such as a magnetic bubble material and an antiferromagnetic material, in addition to materials generally used for magnetic recording media and magneto-optical recording media.

【0036】例えば、Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,
Tb,Dy,Ho,Er等の希土類金属元素の一種類あ
るいは二種類以上が10〜40at.%と、Fe,C
o,Ni等の鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が9
0〜60at.%とで構成される希土類−鉄族非晶質合
金によって構成し得る。
For example, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd,
One or more rare earth metal elements such as Tb, Dy, Ho, Er and the like are 10 to 40 at. %, Fe, C
one or more of iron group elements such as o, Ni, etc.
0 to 60 at. % Of the rare earth-iron group amorphous alloy.

【0037】また、耐食性向上等のために、これらの合
金にCr,Mn,Cu,Ti,Al,Si,Pt,In
等の元素を少量添加してもよい。
In order to improve corrosion resistance, these alloys are made of Cr, Mn, Cu, Ti, Al, Si, Pt, In.
May be added in small amounts.

【0038】また、Pt/Co,Pd/Co等の白金族
−鉄族周期構造膜や、白金族−鉄族合金膜、Co−Ni
−OやFe−Rh系合金等の反強磁性材料、磁性ガーネ
ット等の材料も使用可能である。
Also, a platinum group-iron group periodic structure film such as Pt / Co, Pd / Co, a platinum group-iron group alloy film, Co-Ni
Antiferromagnetic materials such as -O and Fe-Rh alloys, and materials such as magnetic garnets can also be used.

【0039】重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁
化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御する
ことが可能である。補償組成にすれば、室温での飽和磁
化を0emu/ccにできる。
In the case of a heavy rare earth-iron group amorphous alloy, the saturation magnetization can be controlled by the composition ratio between the rare earth element and the iron group element. With a compensating composition, the saturation magnetization at room temperature can be reduced to 0 emu / cc.

【0040】キュリー温度も、組成比により制御するこ
とが可能である。飽和磁化と独立に制御するためには、
鉄族元素として、Feの一部をCoで置き換えた材料を
用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用でき
る。すなわち、Fe元素1at.%をCoで置換するこ
とにより、6℃程度のキュリー温度上昇が見込めるの
で、この関係を用いて所望のキュリー温度となるように
Coの添加量を調整する。
The Curie temperature can also be controlled by the composition ratio. To control independently of saturation magnetization,
As the iron group element, a method in which a material in which part of Fe is replaced by Co and the amount of replacement is controlled can be more preferably used. That is, the Fe element 1 at. By replacing% with Co, a Curie temperature rise of about 6 ° C. can be expected. Therefore, the amount of Co to be added is adjusted using this relationship so as to obtain a desired Curie temperature.

【0041】Cr,Ti,Al等の非磁性元素を微量添
加することにより、逆にキュリー温度を低下させること
も可能である。
On the contrary, it is also possible to lower the Curie temperature by adding a small amount of a nonmagnetic element such as Cr, Ti, or Al.

【0042】また、二種類以上の希土類元素を用いてそ
れらの組成比を調整することでもキュリー温度を制御で
きる。
The Curie temperature can also be controlled by adjusting the composition ratio of two or more rare earth elements.

【0043】具体的には、キュリー温度は第1磁性層は
150〜300℃、第2磁性層は100〜200℃、第
3磁性層は100〜200℃、第4磁性層は150〜3
50℃の範囲に調整することが好ましい。
More specifically, the Curie temperature of the first magnetic layer is 150 to 300 ° C., the second magnetic layer is 100 to 200 ° C., the third magnetic layer is 100 to 200 ° C., and the fourth magnetic layer is 150 to 300 ° C.
It is preferable to adjust the temperature to the range of 50 ° C.

【0044】磁壁抗磁力や磁壁エネルギー密度は、主と
して材料元素の選択や組成調整によって制御するが、下
地の状態や、スパッタガス圧等の成膜条件によっても調
整可能である。
The domain wall coercive force and the domain wall energy density are controlled mainly by selecting material elements and adjusting the composition, but can also be adjusted by the conditions of the underlayer and the film forming conditions such as the sputtering gas pressure.

【0045】具体的には、希土類−鉄族非晶質合金を用
いた場合、Tb、Dy系の材料は磁壁抗磁力、磁壁エネ
ルギー密度が大きく、Gd系材料は小さいので、Tb、
Dyを移動層に含有させることにより、移動層の異方性
エネルギーを遮断補助層に比して大きくすることができ
る。また、不純物の添加等によってこれらの物性値を制
御することもできる。
Specifically, when a rare earth-iron group amorphous alloy is used, Tb and Dy-based materials have high domain wall coercive force and domain wall energy density, and Gd-based materials have a small value.
By including Dy in the moving layer, the anisotropic energy of the moving layer can be increased as compared with the blocking auxiliary layer. Further, these physical property values can be controlled by adding impurities or the like.

【0046】また、移動層、遮断補助層を白金族−鉄族
周期構造膜や、白金族−鉄族合金膜で構成した場合は、
層厚比や積層周期を調整することにより、磁壁抗磁力や
磁壁エネルギー密度の調整が可能である。
When the moving layer and the blocking auxiliary layer are made of a platinum group-iron group periodic structure film or a platinum group-iron group alloy film,
The domain wall coercive force and the domain wall energy density can be adjusted by adjusting the layer thickness ratio and the lamination cycle.

【0047】また、反強磁性材料、磁性ガーネット等の
材料を用いた場合にも材料元素の選択、組成調整、成膜
条件により、磁壁抗磁力や磁壁エネルギー密度の調整が
可能である。
Further, when a material such as an antiferromagnetic material or a magnetic garnet is used, the domain wall coercive force and the domain wall energy density can be adjusted by selecting the material elements, adjusting the composition, and forming conditions.

【0048】本発明の磁性記録媒体へのデータ信号の記
録は、磁気記録もしくは熱磁気記録によって、メモリ層
の磁化配向状態をデータ信号に対応させることによって
行う。熱磁気記録には、媒体を移動させながら、メモリ
層がキュリー温度以上になるようなパワーのレーザー光
を照射しながら外部磁界を変調する方式と、一定方向の
磁界を印加しながらレーザーパワーを変調する方式とが
ある。
The recording of the data signal on the magnetic recording medium of the present invention is performed by associating the magnetization orientation of the memory layer with the data signal by magnetic recording or thermomagnetic recording. Thermomagnetic recording involves modulating the external magnetic field while irradiating a laser beam with a power such that the memory layer is above the Curie temperature while moving the medium, or modulating the laser power while applying a magnetic field in a certain direction There is a method to do.

【0049】後者の場合、光スポット内の所定領域のみ
がメモリ層のキュリー温度以上になるようにレーザー光
の強度を調整すれば、光スポットの径以下の記録磁区が
形成でき、光学系の分解能以上の高密度記録パターンが
形成できる。
In the latter case, if the intensity of the laser beam is adjusted so that only a predetermined area in the light spot becomes higher than the Curie temperature of the memory layer, a recording magnetic domain smaller than the diameter of the light spot can be formed, and the resolution of the optical system can be improved. The above high-density recording pattern can be formed.

【0050】以下に具体的な実施例をもって本発明を詳
細に説明するが、本発明はその主旨を逸脱しない限りに
おいて以下の実施例に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to specific examples, but the present invention is not limited to the following examples unless departing from the gist of the present invention.

【0051】[0051]

【実施例】(実施例1)直流マグネトロンスパッタリン
グ装置に、BドープしたSi,及びGd,Dy,Tb,
Fe,Co、及びAlの各ターゲットを取り付け、トラ
ッキング用の案内溝の形成されたポリカーボネート基板
を基板ホルダーに固定した後、1×10-5Pa以下の高
真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排
気した。真空排気したままArガスを0.5Paとなる
までチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、タ
ーゲットをスパッタして各層を成膜した。
(Example 1) A DC magnetron sputtering apparatus was charged with B-doped Si and Gd, Dy, Tb,
Attach each target of Fe, Co, and Al, fix the polycarbonate substrate on which the guide groove for tracking is formed to the substrate holder, and vacuum the inside of the chamber with a cryopump until a high vacuum of 1 × 10 −5 Pa or less is obtained. Exhausted. While evacuating, Ar gas was introduced into the chamber until the pressure reached 0.5 Pa, and the target was sputtered while rotating the substrate to form each layer.

【0052】SiN層成膜時にはArガスに加えてN2
ガスを導入することで、直流反応性スパッタを行い成膜
した。
At the time of forming the SiN layer, N 2 gas is added in addition to Ar gas.
By introducing a gas, DC reactive sputtering was performed to form a film.

【0053】まず最初に、下地層としてSiN層を90
nm成膜した。引き続き、移動層として(GdDy2
0)FeCoAl層を膜厚30nm、遮断補助層として
GdFeCoAl層を膜厚10nm、遮断層としてTb
FeAl層を膜厚10nm、メモリ層としてTbFeC
o層を膜厚80nmに順次成膜した。最後に、保護層と
してSiN層を50nm成膜した。
First, an SiN layer is formed as an underlayer by 90
nm. Subsequently, (GdDy2
0) The thickness of the FeCoAl layer is 30 nm, the thickness of the GdFeCoAl layer is 10 nm as an auxiliary blocking layer, and the thickness of Tb is
FeAl layer with a thickness of 10 nm, TbFeC as a memory layer
An o-layer was sequentially formed to a thickness of 80 nm. Finally, a 50 nm SiN layer was formed as a protective layer.

【0054】各磁性層は、Gd,Dy,Tb,Fe,C
o,Alの各ターゲットに投入するパワーの比によって
組成比を制御した。組成比は、各磁性層とも補償組成近
傍の組成になるように調整した。(厳密には、再生温度
となる遮断層のキュリー温度近傍の温度で希土類元素と
鉄族元素とが補償されるように、室温で若干希土類元素
優勢になるように調整した。) また、移動層のキュリー温度は230℃程度となるよう
に調整し、遮断補助層のキュリー温度と遮断層のキュリ
ー温度は160℃、メモリ層のキュリー温度は310℃
程度となるように調整した。
Each magnetic layer is composed of Gd, Dy, Tb, Fe, C
The composition ratio was controlled by the ratio of the power applied to each target of o and Al. The composition ratio was adjusted so that each magnetic layer had a composition near the compensation composition. (Strictly speaking, the rare earth element was adjusted to be slightly dominant at room temperature so that the rare earth element and the iron group element were compensated at a temperature near the Curie temperature of the barrier layer, which is the regeneration temperature.) Is adjusted to be about 230 ° C., the Curie temperature of the blocking auxiliary layer and the Curie temperature of the blocking layer are 160 ° C., and the Curie temperature of the memory layer is 310 ° C.
It was adjusted to the extent.

【0055】(比較例1)比較例として、移動層にDy
元素を含有させない他は実施例1と同様のサンプルを作
製した。
Comparative Example 1 As a comparative example, Dy was added to the moving layer.
A sample similar to that of Example 1 was prepared except that no element was contained.

【0056】さて、実施例1ならびに比較例1のサンプ
ルの動特性を、従来から一般的に使用されている磁界変
調記録用の磁気ヘッドの搭載されている光磁気ディスク
評価装置を用いて評価した。サンプルは線速度1.5m
/secおよび3.0m/secとなるように回転させ
た。
The dynamic characteristics of the samples of Example 1 and Comparative Example 1 were evaluated using a magneto-optical disk evaluation apparatus equipped with a magnetic head for magnetic field modulation recording, which has been generally used conventionally. . Sample is 1.5m linear velocity
/ Sec and 3.0 m / sec.

【0057】記録時には、記録再生用レーザーを4mW
で直流照射しながら磁界を±200Oeで変調すること
により、メモリ層のキュリー温度以上に加熱した後の冷
却過程で、磁界の変調に対応した上向き磁化領域と下向
き磁化領域とのパターンを形成した。
At the time of recording, the recording / reproducing laser was set to 4 mW.
By modulating the magnetic field at ± 200 Oe while applying DC current, a pattern of an upward magnetization region and a downward magnetization region corresponding to the modulation of the magnetic field was formed in the cooling process after heating the memory layer to the Curie temperature or higher.

【0058】再生用レーザーのパワーPrを1.8mW
として、マーク長0.1μmのトーンパターンにおける
ジッターを測定したところ、線速度1.5m/secに
おいては、実施例1および比較例1のサンプル共に6.
5nsecであったが、線速度3.0m/secにおい
ては、比較例1のサンプルでは4.5nsecであった
のに対して、実施例1のサンプルでは3.5nsecの
ジッターが得られた。
The power Pr of the reproducing laser is set to 1.8 mW.
When the jitter in a tone pattern with a mark length of 0.1 μm was measured, the linear velocity was 1.5 m / sec.
At a linear velocity of 3.0 m / sec, the sample of Comparative Example 1 had a jitter of 4.5 nsec, while the sample of Example 1 had a jitter of 3.5 nsec.

【0059】(実施例2)実施例1のサンプルにおい
て、移動層のDy元素含有量を種々変化させたサンプル
を作製して、同様に動特性を評価した。その結果を図5
に示す。図5からも明らかなように希土類元素に占める
Dy元素の含有率が原子数比率にて10at.%以上4
0at.%以下の範囲で、線速度3.0m/secにお
いて、3.5nsec程度の最小ジッター値が得られ、
移動層へのDy元素含有の効果が認められた。
(Example 2) From the sample of Example 1, samples in which the content of the Dy element in the moving layer was variously changed were prepared, and the dynamic characteristics were similarly evaluated. The result is shown in FIG.
Shown in As is clear from FIG. 5, the content of the Dy element in the rare earth element is 10 at. % Or more 4
0 at. %, A minimum jitter value of about 3.5 nsec is obtained at a linear velocity of 3.0 m / sec.
The effect of containing the Dy element on the moving layer was observed.

【0060】(実施例3)移動層の材料を(GdTb)
FeCoAlとした他は実施例2と同様のサンプルを作
製して、同様に動特性を評価した。その結果を図6に示
す。図6からも明らかなように希土類元素に占めるTb
元素の含有率が原子数比率にて10at.%以上30a
t.%以下の範囲で、線速度3.0m/secにおい
て、3.5nsec程度の最小ジッター値が得られ、移
動層へのTb元素含有の効果が認められた。
(Embodiment 3) The material of the moving layer was (GdTb)
A sample similar to that of Example 2 was prepared except that FeCoAl was used, and the dynamic characteristics were similarly evaluated. The result is shown in FIG. As is clear from FIG. 6, Tb occupies the rare earth element.
Element content is 10 at. 30% or more
t. %, A minimum jitter value of about 3.5 nsec was obtained at a linear velocity of 3.0 m / sec, and the effect of the Tb element contained in the moving layer was recognized.

【0061】(実施例4)移動層を以下のような2層で
構成して順次成膜した。まず第1移動層としてキュリー
温度が260℃の(GdDy20)FeCoAl層を膜
厚10nm、次に第2移動層としてキュリー温度が21
0℃の(GdDy20)FeCoAl層を膜厚10nm
に順次成膜した。次に遮断補助層としてキュリー温度1
60℃のGdFeCoAl層を膜厚10nmに成膜し
た。
(Example 4) The moving layer was composed of the following two layers and formed sequentially. First, a (GdDy20) FeCoAl layer having a Curie temperature of 260 ° C. with a film thickness of 10 nm is used as a first moving layer, and a Curie temperature of 21 is used as a second moving layer.
A (GdDy20) FeCoAl layer at 0 ° C. is formed to a
Were sequentially formed. Next, a Curie temperature of 1
A GdFeCoAl layer at 60 ° C. was formed to a thickness of 10 nm.

【0062】引き続き、遮断層及びメモリ層を実施例1
と同様の材料で同様の膜厚に成膜した。組成比は、各磁
性層とも補償組成近傍の組成になるように調整した。
Subsequently, the blocking layer and the memory layer were formed in Example 1.
A film was formed with the same material and the same thickness. The composition ratio was adjusted so that each magnetic layer had a composition near the compensation composition.

【0063】本実施例の光磁気記録媒体の記録再生特性
を、実施例1と同様の方法で測定した結果、線速度1.
5m/secにおいて、6.0nsecのジッターが得
られ、線速度3.0m/secにおいては、3.2ns
ecのジッターが得られ、移動層のキュリー温度を膜厚
方向に段階的もしくは連続的に、遮断補助層に近づくほ
ど低くする効果が認められた。
The recording / reproducing characteristics of the magneto-optical recording medium of this embodiment were measured by the same method as in the first embodiment.
At 5 m / sec, a jitter of 6.0 nsec was obtained, and at a linear velocity of 3.0 m / sec, 3.2 ns of jitter was obtained.
An ec jitter was obtained, and the effect of lowering the Curie temperature of the moving layer stepwise or continuously in the film thickness direction as approaching the blocking auxiliary layer was recognized.

【0064】(実施例5)実施例4の磁性記録媒体の案
内溝上にトラッキングサーボをかけて、線速1.5m/
secで媒体を駆動しながら、記録再生用の集光された
レーザービームを10mWで連続照射して、案内溝上の
磁性膜のみを局所アニール処理した。この処理により、
案内溝上の磁性膜の磁性を劣化させ、この部分では磁壁
エネルギーが蓄積しないようにした。
(Embodiment 5) A tracking servo was applied to the guide groove of the magnetic recording medium of Embodiment 4 to obtain a linear velocity of 1.5 m / m.
While driving the medium in sec, a focused laser beam for recording / reproducing was continuously irradiated at 10 mW, and only the magnetic film on the guide groove was subjected to local annealing. With this process,
The magnetism of the magnetic film on the guide groove was degraded, and the domain wall energy was not accumulated in this portion.

【0065】このサンプルのランド上に、ランド幅いっ
ぱいに磁区を記録して閉じていない磁壁を形成した。実
施例1と同様にして再生した結果、再生時のノイズが低
減し、線速度1.5m/secにおいて、5.5nse
cのジッターが得られ、線速度3.0m/secにおい
ては、3.0nsecのジッターが得られ、記録トラッ
クの両側部において、移動層の膜面方向の交換相互作用
による結合が切断もしくは低減させた効果が認められ
た。
On the lands of this sample, magnetic domains were recorded over the entire land width to form unclosed domain walls. As a result of the reproduction in the same manner as in the first embodiment, the noise at the time of reproduction is reduced, and the linear velocity is set to 5.5 ns at a linear velocity of 1.5 m / sec.
A jitter of 3.0 nsec is obtained at a linear velocity of 3.0 m / sec, and the coupling due to exchange interaction in the film surface direction of the moving layer is cut or reduced on both sides of the recording track. The effect was recognized.

【0066】以上述べた例の他、本発明の磁性記録媒体
は、磁気光学効果による偏光面の変化に限らず、磁壁の
移動によって生ずる別の変化を検出して再生してもよ
い。また、本発明の磁性記録媒体の記録膜は、磁性材料
であれば垂直磁化膜でなくてもよい。
In addition to the examples described above, the magnetic recording medium of the present invention is not limited to the change in the polarization plane due to the magneto-optical effect, and may detect and reproduce another change caused by the movement of the domain wall. The recording film of the magnetic recording medium of the present invention may not be a perpendicular magnetization film as long as it is a magnetic material.

【0067】更には、各磁性層の界面は必ずしも明瞭急
峻である必要はなく、膜厚方向に徐々に特性の変化して
いる構成であってもよい。
Furthermore, the interface between the magnetic layers does not necessarily have to be sharp and sharp, and the configuration may be such that the characteristics gradually change in the film thickness direction.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明で
は、磁壁移動を検出することにより、光学的な回折限界
を越えた高密度記録信号が再生可能な再生方法におい
て、高線速度下における再生信号品質、特にジッター特
性を向上させることが可能な磁性記録媒体を提供するこ
とができる。
As described above in detail, according to the present invention, in a reproducing method capable of reproducing a high-density recording signal exceeding the optical diffraction limit by detecting domain wall movement, the present invention provides It is possible to provide a magnetic recording medium capable of improving reproduction signal quality, particularly jitter characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の磁性記録媒体における再生信号波形の
模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a reproduced signal waveform in a magnetic recording medium of the present invention.

【図2】従来の磁性記録媒体における再生信号波形の模
式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of a reproduction signal waveform in a conventional magnetic recording medium.

【図3】本発明の磁性記録媒体における層構成の一実施
態様を示す模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing one embodiment of a layer configuration in the magnetic recording medium of the present invention.

【図4】DWDD再生方式の概念を模式的に示した図で
ある。
FIG. 4 is a diagram schematically illustrating the concept of a DWDD playback method.

【図5】Dyの含有量とジッター値の関係を示すグラフ
である。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between Dy content and jitter value.

【図6】Tbの含有量とジッター値の関係を示すグラフ
である。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the content of Tb and the jitter value.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3001 移動層 3002 遮断補助層 3003 遮断層 3004 メモリ層 3005 基板 3006 下地層 3007 上地層 4001 第一磁性層 4002 第二磁性層 4003 第三磁性層 3001 moving layer 3002 blocking auxiliary layer 3003 blocking layer 3004 memory layer 3005 substrate 3006 underlayer 3007 upper ground layer 4001 first magnetic layer 4002 second magnetic layer 4003 third magnetic layer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも、磁壁が移動する移動層と、
情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層と、前記移動
層とメモリ層の間に配置され、前記両層よりキュリー温
度が低い遮断層と、前記遮断層とキュリー温度が略等し
い遮断補助層とを備える磁性記録媒体において、 前記移動層の異方性エネルギーが前記遮断補助層の異方
性エネルギーよりも大きいことを特徴とする磁性記録媒
体。
At least a moving layer in which a domain wall moves,
A memory layer that holds a recording magnetic domain according to information, a blocking layer that is disposed between the moving layer and the memory layer and has a lower Curie temperature than the two layers, and a blocking auxiliary layer that has a Curie temperature substantially equal to the blocking layer. A magnetic recording medium comprising: a magnetic recording medium, wherein anisotropic energy of the moving layer is larger than anisotropic energy of the blocking auxiliary layer.
【請求項2】 前記移動層が希土類元素として少なくと
も、Dy、Tb元素のうちどちらか一方とGd元素とを
含有する非晶質希土類−遷移金属合金からなることを特
徴とする請求項1記載の磁性記録媒体。
2. The transition layer according to claim 1, wherein the moving layer is made of an amorphous rare earth-transition metal alloy containing at least one of Dy and Tb elements and a Gd element as a rare earth element. Magnetic recording medium.
【請求項3】 Dy元素の含有率が、原子数比率にて1
0at.%以上40at.%以下であることを特徴とす
る請求項2に記載の磁性記録媒体。
3. The content of Dy element is 1 in terms of atomic ratio.
0 at. % At least 40 at. %. The magnetic recording medium according to claim 2, wherein
【請求項4】 Tb元素の含有率が、原子数比率にて1
0at.%以上30at.%以下であることを特徴とす
る請求項2に記載の磁性記録媒体。
4. The Tb element content is 1 in terms of atomic ratio.
0 at. % At least 30 at. %. The magnetic recording medium according to claim 2, wherein
【請求項5】 前記移動層は、膜厚方向に段階的もしく
は連続的に、前記遮断補助層に近づくほどキュリー温度
が低くなるように構成されていることを特徴とする請求
項1乃至4記載の磁性記録媒体。
5. The method according to claim 1, wherein the moving layer is configured such that the Curie temperature decreases stepwise or continuously in the film thickness direction as it approaches the blocking auxiliary layer. Magnetic recording medium.
【請求項6】 記録トラックを有し、前記記録トラック
の両側部において、前記移動層の膜面方向の交換結合が
切断もしくは低減されていることを特徴とする請求項1
乃至5記載の磁性記録媒体。
6. The recording layer according to claim 1, wherein exchange coupling in a film surface direction of the moving layer is cut or reduced at both side portions of the recording track.
6. A magnetic recording medium according to claim 5, wherein
【請求項7】 前記遮断補助層は、前記遮断層、メモリ
層より磁壁抗磁力が小さいことを特徴とする請求項1に
記載の磁性記録媒体。
7. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the auxiliary shielding layer has a smaller domain wall coercive force than the shielding layer and the memory layer.
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