JP2002154818A - beta-CRISTOBALITE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND NON- OXIDE BASED CERAMIC MATERIAL - Google Patents
beta-CRISTOBALITE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND NON- OXIDE BASED CERAMIC MATERIALInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、高温タービン用
の材料、ごみ焼却設備の炉材、原子炉の炉材などの材料
として利用されるβ−クリストバライト及びその製造方
法並びに非酸化物系セラミックス材料に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a .beta.-cristobalite used as a material for a high-temperature turbine, a furnace material of a refuse incinerator, a reactor material of a nuclear reactor, a method for producing the same, and a non-oxide ceramic material. It is about.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、クリストバライトは石英、珪酸
などを加熱することによって合成され、α−クリストバ
ライトとβ−クリストバライトが存在する。従来、熱膨
張係数が小さく、耐熱材料として使用されるβ−クリス
トバライトを得るには次のような製造方法が採用されて
いる。すなわち、まず珪酸にカルシウム成分及びアルミ
ニウム成分を加えて1750℃以上に加熱した後冷却
し、焼結体としてガラスを生成させる。続いて、そのガ
ラスを1400℃で3時間焼成することにより、ガラス
の中にβ−クリストバライトを生成させることができる
(米国特許第3445252号公報)。2. Description of the Related Art In general, cristobalite is synthesized by heating quartz, silicic acid or the like, and there are α-cristobalite and β-cristobalite. Conventionally, the following production method has been adopted to obtain β-cristobalite which has a small coefficient of thermal expansion and is used as a heat-resistant material. That is, first, a calcium component and an aluminum component are added to silicic acid, heated to 1750 ° C. or higher, and then cooled to produce glass as a sintered body. Subsequently, by firing the glass at 1400 ° C. for 3 hours, β-cristobalite can be generated in the glass (US Pat. No. 3,445,252).
【0003】一方、炭化珪素(SiC)や窒化珪素(S
i3N4)は高温強度、耐クリープ性、耐衝撃性などの性
質が優れていることから、金属材料が使用できない高温
又は腐食性の過酷な条件における使用が試みられてい
る。On the other hand, silicon carbide (SiC) and silicon nitride (S
Since i 3 N 4 ) has excellent properties such as high-temperature strength, creep resistance and impact resistance, it has been attempted to use i 3 N 4 ) under high temperature or severe corrosive conditions where metallic materials cannot be used.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、米国特許第
3445252号公報の方法では、β−クリストバライ
トは一旦焼結体としてガラスを生成させ、その後ガラス
を焼成させる必要があり、2度の焼成を行うのは面倒
で、製造効率が悪いという問題があった。However, according to the method disclosed in U.S. Pat. No. 3,445,252, it is necessary to generate glass as a sintered body of .beta.-cristobalite and then fire the glass. However, there is a problem that manufacturing efficiency is poor.
【0005】また、炭化珪素や窒化珪素は高温酸素雰囲
気では酸化珪素の酸化保護膜を形成するものの、特に高
温状態と低温状態が繰り返して作用する場合には高温状
態で形成された酸化珪素保護膜は相転移に伴う体積膨張
や体積収縮による亀裂が生じ、この亀裂より酸素が滲入
する。このため、保護膜層内部の炭化珪素や窒化珪素の
酸化が進行し、劣化が大きく、耐久性に欠けるという問
題があった。なお、クリストバライトを使用する場合に
は、237℃付近で相転移し、低温型と高温型との間で
相転移を繰返し、その度に急激な収縮又は膨張が起こ
る。Although silicon carbide and silicon nitride form an oxide protective film of silicon oxide in a high-temperature oxygen atmosphere, a silicon oxide protective film formed in a high-temperature state particularly when a high-temperature state and a low-temperature state repeatedly act. Cracks occur due to volume expansion and volume shrinkage accompanying the phase transition, and oxygen infiltrates from these cracks. Therefore, oxidation of silicon carbide and silicon nitride inside the protective film layer progresses, and there is a problem that deterioration is large and durability is lacking. When cristobalite is used, the phase transition occurs at about 237 ° C., and the phase transition between the low-temperature type and the high-temperature type is repeated, and abrupt contraction or expansion occurs each time.
【0006】この発明は、以上のような従来技術に存在
する問題点に着目してなされたものである。その目的と
するところは、相転移がなく、安定なβ−クリストバラ
イトを簡易に得ることができるβ−クリストバライト及
びその製造方法を提供することにある。また、相転移の
ないβ−クリストバライトを用いることにより、高温状
態と低温状態が繰り返して作用する場合にも酸化による
劣化が少なく、耐久性に優れた非酸化物系セラミックス
材料を提供することにある。The present invention has been made by focusing on the problems existing in the prior art as described above. An object of the present invention is to provide a β-cristobalite capable of easily obtaining a stable β-cristobalite without a phase transition and a method for producing the same. Another object of the present invention is to provide a non-oxide ceramic material which is less deteriorated by oxidation even when a high-temperature state and a low-temperature state are repeatedly used and has excellent durability by using β-cristobalite having no phase transition. .
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載の発明の相転移のないβ−クリス
トバライトは、無定形の酸化珪素、珪酸、珪酸カルシウ
ム、珪素のアルコキシド化合物、炭化珪素及び窒化珪素
より選ばれる少なくとも一種を、ハロゲン化アルミニウ
ム及びハロゲン化カルシウムが溶媒に溶解された溶液に
混合し、該溶液に溶解しない固形分を焼成することによ
り得られるものである。In order to achieve the above-mentioned object, the β-cristobalite having no phase transition according to the first aspect of the present invention comprises an amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate, and an alkoxide compound of silicon. At least one selected from silicon carbide and silicon nitride is mixed with a solution in which aluminum halide and calcium halide are dissolved in a solvent, and the mixture is calcined to obtain a solid that does not dissolve in the solution.
【0008】請求項2に記載の発明の相転移のないβ−
クリストバライトの製造方法は、無定形の酸化珪素、珪
酸、珪酸カルシウム、珪素のアルコキシド化合物、炭化
珪素及び窒化珪素より選ばれる少なくとも一種を、ハロ
ゲン化アルミニウム及びハロゲン化カルシウムが溶媒に
溶解された溶液に混合した後、該溶液に溶解しない固形
分を800〜1800℃の温度で1〜10時間焼成する
ことを特徴とするものである。According to the second aspect of the present invention, there is provided a phase transition-free β-
The method for producing cristobalite includes mixing at least one selected from amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate, an alkoxide compound of silicon, silicon carbide and silicon nitride into a solution in which aluminum halide and calcium halide are dissolved in a solvent. After that, the solid content not dissolved in the solution is fired at a temperature of 800 to 1800 ° C. for 1 to 10 hours.
【0009】請求項3に記載の発明の非酸化物系セラミ
ックス材料は、炭化珪素又は窒化珪素よりなる非酸化物
系セラミックスの非焼結体又は焼結体の表面に、ハロゲ
ン化アルミニウム及びハロゲン化カルシウムが溶媒に溶
解された溶液を被覆し、加熱乾燥することにより非酸化
物系セラミックスの非焼結体又は焼結体の表面にβ−ク
リストバライトの前駆体に基づく被覆層を形成したもの
である。A non-oxide ceramic material according to the third aspect of the present invention is a non-oxide ceramic material made of silicon carbide or silicon nitride. A coating layer based on a precursor of β-cristobalite is formed on a surface of a non-sintered or sintered body of non-oxide ceramics by coating a solution in which calcium is dissolved in a solvent and drying by heating. .
【0010】請求項4に記載の発明の非酸化物系セラミ
ックス材料は、請求項3に記載の発明において、前記溶
液には、さらに無定形の酸化珪素、珪酸、珪酸カルシウ
ム及び珪素のアルコキシド化合物の少なくとも一種が含
まれているものである。A non-oxide ceramic material according to a fourth aspect of the present invention is the non-oxide ceramic material according to the third aspect, wherein the solution further comprises amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate and an alkoxide compound of silicon. At least one is included.
【0011】請求項5に記載の発明の非酸化物系セラミ
ックス材料は、請求項3又は請求項4に記載の非酸化物
系セラミックス材料を800〜1800℃の温度で1〜
10時間焼成し、β−クリストバライトの前駆体を相転
移のないβ−クリストバライトに変換させてなるもので
ある。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the non-oxide ceramic material according to the third or fourth aspect, wherein the non-oxide ceramic material has a temperature of 800 to 1800 ° C.
It is obtained by baking for 10 hours to convert a precursor of β-cristobalite into β-cristobalite having no phase transition.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て詳細に説明する。まず、相転移のないβ−クリストバ
ライト及びその製造方法について述べる。このβ−クリ
ストバライトは、無定形の酸化珪素(SiO2)、珪酸
(H2SiOx)、珪酸カルシウム、珪素のアルコキシ
ド化合物、炭化珪素及び窒化珪素より選ばれる少なくと
も一種を、ハロゲン化アルミニウム及びハロゲン化カル
シウムが溶媒に溶解された溶液に混合し、該溶液に溶解
しない固形分を焼成することにより得られるものであ
る。本発明のβ−クリストバライトは、アルミニウム、
カルシウムが微量固溶することにより、一般的なβ−ク
リストバライト、α−クリストバライトとは異なり、加
熱して237℃に到っても相転移することはなく、40
0℃以上の温度に達しても元の形態を保持している。ま
た、逆に高温から次第に冷却しても相転移を起こすこと
はなく、安定である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. First, β-cristobalite having no phase transition and a method for producing the same will be described. This β-cristobalite comprises at least one selected from amorphous silicon oxide (SiO 2 ), silicic acid (H 2 SiOx), calcium silicate, an alkoxide compound of silicon, silicon carbide and silicon nitride, and aluminum halide and calcium halide. Is mixed with a solution dissolved in a solvent, and the solid content not dissolved in the solution is calcined. Β-cristobalite of the present invention is aluminum,
Unlike the general β-cristobalite and α-cristobalite due to the solid solution of calcium, there is no phase transition even when heated to 237 ° C.
Even when the temperature reaches 0 ° C. or higher, the original shape is maintained. On the other hand, even if it is gradually cooled from a high temperature, no phase transition occurs, and it is stable.
【0013】β−クリストバライトを得るための原料の
うち、無定形の酸化珪素としてはシリカゲルなどが用い
られる。珪酸はオルト珪酸とも称される物質である。珪
酸カルシウムとしては、ゾノトライト、トバモライト、
低結晶性のカルシウムシリケート水和物(CSHゲル)
などが使用され、原料の外形を維持したクリストバライ
トが得られる。カルシウム、アルミニウム源として硝酸
塩などがあるが、ハロゲン化物が最も促進効果が高く、
中でも塩化物が好ましい。珪素のアルコキシド化合物と
しては、テトラエトキシシラン(珪酸エチル)が代表例
として挙げられる。炭化珪素及び窒化珪素はともに極め
て硬く、分解温度も極めて高い化合物であり、高温の構
造材料として好適なものである。Among the raw materials for obtaining β-cristobalite, silica gel or the like is used as amorphous silicon oxide. Silicic acid is a substance also called orthosilicic acid. As calcium silicate, zonotlite, tobermorite,
Low crystalline calcium silicate hydrate (CSH gel)
Is used to obtain cristobalite maintaining the outer shape of the raw material. Calcium and aluminum sources include nitrates, but halides have the highest accelerating effect.
Among them, chloride is preferred. A typical example of the silicon alkoxide compound is tetraethoxysilane (ethyl silicate). Silicon carbide and silicon nitride are both compounds that are extremely hard and have extremely high decomposition temperatures, and are suitable as high-temperature structural materials.
【0014】また、これらの原料と反応させるハロゲン
化アルミニウムとしては塩化アルミニウム(AlC
l3)などが挙げられ、ハロゲン化カルシウムとしては
塩化カルシウム(CaCl2)などが挙げられる。ハロ
ゲン化アルミニウムとハロゲン化カルシウムは混合して
使用され、β−クリストバライトの生成反応を促進させ
ることができる。その場合、ハロゲン化カルシウム1モ
ルに対してハロゲン化アルミニウム0.5〜4モルが好
ましく、1.5〜2.5モルがさらに好ましい。この使
用割合が0.5モル未満又は4モルを越える場合には、
ハロゲン化カルシウムとハロゲン化アルミニウムを併用
することによって得られる相乗効果が乏しくなる。The aluminum halide to be reacted with these raw materials is aluminum chloride (AlC).
l 3 ), and the like, and examples of the calcium halide include calcium chloride (CaCl 2 ). Aluminum halide and calcium halide are used as a mixture, and can promote the formation reaction of β-cristobalite. In that case, 0.5 to 4 mol of aluminum halide is preferable per 1 mol of calcium halide, and 1.5 to 2.5 mol is more preferable. When the use ratio is less than 0.5 mol or more than 4 mol,
The synergistic effect obtained by using calcium halide and aluminum halide together is poor.
【0015】ハロゲン化アルミニウムとハロゲン化カル
シウムは溶媒に溶解された溶液として用いられる。その
ような溶媒としては、水或いはエタノールなどのアルコ
ール類が挙げられる。The aluminum halide and calcium halide are used as a solution dissolved in a solvent. Such solvents include water or alcohols such as ethanol.
【0016】前記の反応原料から生成される反応生成物
のうち、上記の溶液に溶解されない固形分は濾過され
る。濾過されて得られた固形分は焼成されるが、その具
体的な焼成条件は、800〜1800℃の温度で1〜1
0時間、好ましくは1〜3時間である。焼成温度が80
0℃未満では反応が不十分になったり、反応速度が遅く
なったりして好ましくなく、1800℃を越えると得ら
れるβ−クリストバライトの安定性が損なわれたりする
ことから好ましくない。また、反応時間が1時間未満で
は反応が不十分であり、10時間を越えると不必要な加
熱となり、エネルギーコストの面で好ましくない。[0016] Among the reaction products produced from the reaction raw materials, solids which are not dissolved in the above solution are filtered. The solid content obtained by filtration is fired, and specific firing conditions are a temperature of 800 to 1800 ° C. and a temperature of 1 to 1 ° C.
0 hours, preferably 1 to 3 hours. Firing temperature is 80
If the temperature is lower than 0 ° C., the reaction becomes insufficient or the reaction rate becomes slow. Thus, if it exceeds 1800 ° C., the stability of β-cristobalite obtained is impaired, which is not preferable. If the reaction time is less than 1 hour, the reaction is insufficient, and if it exceeds 10 hours, unnecessary heating is caused, which is not preferable in terms of energy cost.
【0017】以上のようにして目的とする相転移のない
β−クリストバライトが得られる。次に、非酸化物系セ
ラミックス材料は、炭化珪素(SiC)又は窒化珪素
(Si3N4)よりなる非酸化物系セラミックスの非焼結
体又は焼結体の表面に、β−クリストバライトの前駆体
に基づく被覆層が形成されたものである。すなわち、非
酸化物系セラミックスの非焼結体(粉末)又は焼結体
(成形体)が、ハロゲン化アルミニウム及びハロゲン化
カルシウムを溶媒に溶解した溶液中に浸漬され、加熱乾
燥される。これにより、非酸化物系セラミックスの非焼
結体又は焼結体の表面にβ−クリストバライトの前駆体
に基づく被覆層が形成される。As described above, the desired β-cristobalite having no phase transition can be obtained. Next, the non-oxide ceramic material is formed on the surface of the non-sintered or sintered non-oxide ceramic made of silicon carbide (SiC) or silicon nitride (Si 3 N 4 ) by the precursor of β-cristobalite. A body-based coating layer is formed. That is, a non-sintered body (powder) or a sintered body (molded body) of a non-oxide ceramic is immersed in a solution in which aluminum halide and calcium halide are dissolved in a solvent and dried by heating. Thus, a coating layer based on the precursor of β-cristobalite is formed on the surface of the non-sintered or sintered body of the non-oxide ceramic.
【0018】非酸化物系セラミックスの非焼結体又は焼
結体の形態は、粉末又は所定形状をなす成形体のいずれ
であってもよい。ハロゲン化アルミニウムとハロゲン化
カルシウムに加え、さらに無定形の酸化珪素、珪酸、珪
酸カルシウム及び珪素のアルコキシド化合物の少なくと
も一種が含まれていることが好ましい。これらの化合物
は、相転移のないβ−クリストバライトについて説明し
た化合物が用いられる。珪素のアルコキシド化合物の使
用量は、ハロゲン化カルシウム1モルに対してSiO2
換算で5〜50モルであることが好ましく、10〜30
モルであることがさらに好ましい。この使用量が5モル
未満では、β−クリストバライトの前駆体に基づく被覆
層の形成が不十分になる。一方、50モルを越える量使
用しても添加した化合物全てが反応に寄与できず、過剰
になって残存してしまう。The form of the non-sintered or sintered body of the non-oxide ceramic may be either a powder or a compact having a predetermined shape. It is preferable that amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate, and at least one of silicon alkoxide compounds are further contained in addition to the aluminum halide and the calcium halide. As these compounds, those described for β-cristobalite having no phase transition are used. The amount of silicon alkoxide compound used is SiO 2 per mole of calcium halide.
It is preferably 5 to 50 mol in conversion, and 10 to 30 mol.
More preferably, it is molar. When the amount is less than 5 mol, formation of a coating layer based on the precursor of β-cristobalite becomes insufficient. On the other hand, even if it is used in an amount exceeding 50 mol, all of the added compounds cannot contribute to the reaction, but remain in excess.
【0019】また、溶媒はハロゲン化アルミニウム、ハ
ロゲン化カルシウム、無定形の酸化珪素、珪酸、珪酸カ
ルシウム及び珪素のアルコキシド化合物を溶解させるた
めのものであり、具体的には水、エタノールなどが用い
られる。ハロゲン化アルミニウムとハロゲン化カルシウ
ムはそれらを混合し、溶媒に溶解した溶液として使用さ
れる。The solvent is for dissolving aluminum halide, calcium halide, amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate and an alkoxide compound of silicon, and specifically, water, ethanol and the like are used. . Aluminum halide and calcium halide are used by mixing them and dissolving them in a solvent.
【0020】この溶液中に非酸化物系セラミックスの非
焼結体又は焼結体が浸漬され、その表面に溶液の膜が形
成される。このとき、非酸化物系セラミックスが非焼結
体、すなわち粉末である場合には浸漬後に濾過操作が行
われ、その濾過残渣が加熱乾燥される。非酸化物系セラ
ミックスが焼結体、すなわち成形体である場合には、溶
液中に数秒から数分間浸漬された後引き上げられ、加熱
乾燥される。A non-sintered or non-sintered non-oxide ceramic is immersed in the solution, and a film of the solution is formed on the surface thereof. At this time, when the non-oxide ceramic is a non-sintered body, that is, a powder, a filtration operation is performed after immersion, and the filtration residue is heated and dried. When the non-oxide ceramic is a sintered body, that is, a molded body, the non-oxide ceramic is immersed in a solution for several seconds to several minutes, pulled up, and dried by heating.
【0021】次に、加熱乾燥は好ましくは100〜40
0℃の温度で、0.5〜10時間加熱することによって
行われる。この加熱温度が100℃未満では、乾燥に長
時間を要するために好ましくない。逆に、400℃を越
える高温では、過大な熱エネルギーを消費するため好ま
しくない。Next, the heating and drying is preferably performed at 100 to 40.
It is performed by heating at a temperature of 0 ° C. for 0.5 to 10 hours. If the heating temperature is lower than 100 ° C., it takes a long time for drying, which is not preferable. Conversely, a high temperature exceeding 400 ° C. is not preferable because excessive heat energy is consumed.
【0022】また、表面にβ−クリストバライトの前駆
体による被覆層が形成された非酸化物系セラミックス材
料を所定の温度及び時間で焼結することにより、被覆層
を構成するβ−クリストバライトの前駆体がβ−クリス
トバライトに変換される。焼成温度は好ましくは800
℃以上、さらに好ましくは800〜1800℃、特に好
ましくは900〜1100℃である。焼成時間は好まし
くは1〜10時間、さらに好ましくは3〜6時間であ
る。焼結温度が600℃未満又は焼成時間が1時間未満
では焼結が不十分になり、焼結温度が1800℃を越え
るか又は焼成時間が10時間を越えると生成物が分解し
やすくなったりして好ましくない。また、より低温でよ
り短時間で焼成することがエネルギーコストの面で好ま
しい。A non-oxide ceramic material having a coating layer formed of a β-cristobalite precursor on the surface is sintered at a predetermined temperature and for a predetermined time to form a β-cristobalite precursor. Is converted to β-cristobalite. The firing temperature is preferably 800
C. or higher, more preferably 800 to 1800C, and particularly preferably 900 to 1100C. The firing time is preferably 1 to 10 hours, more preferably 3 to 6 hours. If the sintering temperature is less than 600 ° C. or the sintering time is less than 1 hour, the sintering becomes insufficient. If the sintering temperature exceeds 1800 ° C. or the sintering time exceeds 10 hours, the product is easily decomposed. Is not preferred. Further, firing at a lower temperature in a shorter time is preferable from the viewpoint of energy cost.
【0023】前記のβ−クリストバライトの前駆体又は
その前駆体から変換されたβ−クリストバライトによる
被覆層の厚みは0.5〜200μmであることが望まし
い。この厚みが0.5μm未満の場合には被覆層による
酸化防止効果や耐久性を十分に発揮することができず、
200μmを越える場合には非酸化物系セラミックスと
被覆層との体積膨張係数のわずかな相違から被覆層の割
れや剥れが生ずるおそれがある。The thickness of the precursor layer of β-cristobalite or the coating layer of β-cristobalite converted from the precursor is preferably 0.5 to 200 μm. When the thickness is less than 0.5 μm, the antioxidant effect and durability of the coating layer cannot be sufficiently exhibited,
If it exceeds 200 μm, the coating layer may be cracked or peeled off due to a slight difference in volume expansion coefficient between the non-oxide ceramic and the coating layer.
【0024】このようにして得られた非酸化物系セラミ
ックス材料は、酸化防止効果によって優れた耐久性が発
揮されることから、高温タービン用の材料、ごみ焼却設
備の炉材、原子炉の炉材、発熱体などの高温で使用され
る構造材料として好適に利用される。Since the non-oxide ceramic material thus obtained exhibits excellent durability due to its antioxidant effect, it can be used for materials for high-temperature turbines, furnace materials for refuse incinerators, and furnaces for nuclear reactors. It is suitably used as a structural material used at a high temperature, such as a material or a heating element.
【0025】以上の実施形態により発揮される効果を以
下にまとめて記載する。 ・ 実施形態で説明したβ−クリストバライトによれ
ば、温度変化がある場合、特に高温状態と低温状態が繰
り返して作用する場合に相転移を生じないことから、膨
張、収縮を起こさず安定で、耐久性に優れている。The effects exerted by the above embodiments will be summarized below. According to the β-cristobalite described in the embodiment, since there is no phase transition when there is a temperature change, particularly when the high temperature state and the low temperature state are repeatedly applied, it is stable and durable without expansion and contraction. Excellent in nature.
【0026】・ このβ−クリストバライトは、無定形
の酸化珪素、珪酸、珪酸カルシウム、珪素のアルコキシ
ド化合物、炭化珪素及び窒化珪素より選ばれる少なくと
も一種を、ハロゲン化アルミニウム及びハロゲン化カル
シウムと1段で反応させた後、焼成することにより、簡
易に得られる。The β-cristobalite reacts at least one selected from amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate, an alkoxide compound of silicon, silicon carbide and silicon nitride with aluminum halide and calcium halide in one stage After being baked, it is easily obtained.
【0027】・ また、非酸化物系セラミックス材料に
よれば、その表面にβ−クリストバライトの前駆体に基
づく被覆層が形成されていることから、特に高温状態と
低温状態が繰り返して作用する場合に、炭化珪素又は窒
化珪素の酸化物への変化を防止できるとともに、β−ク
リストバライトの前駆体の相転移が防止される。従っ
て、非酸化物系セラミックス材料は劣化が少なく、耐久
性に優れている。Further, according to the non-oxide ceramic material, since a coating layer based on the precursor of β-cristobalite is formed on the surface thereof, particularly when the high temperature state and the low temperature state repeatedly act. , Silicon carbide or silicon nitride to an oxide can be prevented, and a phase transition of a β-cristobalite precursor can be prevented. Therefore, the non-oxide ceramic material is less deteriorated and has excellent durability.
【0028】・ さらに、焼結を行うことにより、被覆
層を形成するβ−クリストバライトの前駆体がβ−クリ
ストバライトに変換され、非酸化物系セラミックス材料
の表面にβ−クリストバライトの被覆層が形成される。
このため、特に高温状態と低温状態が繰り返して作用す
る場合、炭化珪素又は窒化珪素の酸化物への変化を防止
できるとともに、β−クリストバライトの相転移が防止
される。従って、酸化防止効果が高められ、耐久性が向
上する。Further, by performing sintering, the precursor of β-cristobalite forming the coating layer is converted into β-cristobalite, and the coating layer of β-cristobalite is formed on the surface of the non-oxide ceramic material. You.
Therefore, particularly when the high-temperature state and the low-temperature state repeatedly act, the change of silicon carbide or silicon nitride to an oxide can be prevented, and the phase transition of β-cristobalite is prevented. Therefore, the antioxidant effect is enhanced, and the durability is improved.
【0029】・ また、溶液中には、ハロゲン化アルミ
ニウム及びハロゲン化カルシウムに加え、さらに無定形
の酸化珪素、珪酸、珪酸カルシウム及び珪素のアルコキ
シド化合物の少なくとも一種を含むことにより、珪素
(Si)源として炭化珪素及び窒化珪素の基材を使用し
ないため炭化珪素及び窒化珪素の基材が保護される。従
って、基材の炭化珪素及び窒化珪素の根本的な保護効果
及び酸化防止効果に基づく耐久性が一層向上する。The solution contains at least one of amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate and an alkoxide compound of silicon, in addition to the aluminum halide and the calcium halide, so that a silicon (Si) source can be obtained. The base material of silicon carbide and silicon nitride is protected because the base material of silicon carbide and silicon nitride is not used. Therefore, the durability based on the fundamental protection effect and oxidation prevention effect of silicon carbide and silicon nitride of the base material is further improved.
【0030】[0030]
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げ、前記実施形
態をさらに具体的に説明する。 (実施例1)テトラエトキシシラン208.3g(1モ
ル)、塩化アルミニウム6水和物28.4g(0.12
モル)及び塩化カルシウム2水和物7.9g(0.05
モル)を、エタノール210gと水200gの混液に溶
解して溶解液を調製した。この溶解液中に、縦3mm、
横4mm、長さ5cmの角柱状をなす炭化珪素の焼結体
(約0.9g)を3分間浸漬した。その後、炭化珪素の
焼結体を溶解液から引き上げ、続いて140℃で乾燥
し、表面がβ−クリストバライトの前駆体の被覆層で被
覆された炭化珪素の焼結体を得た。EXAMPLES Hereinafter, the embodiment will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. Example 1 208.3 g (1 mol) of tetraethoxysilane, 28.4 g (0.12) of aluminum chloride hexahydrate
Mol) and 7.9 g of calcium chloride dihydrate (0.05 g).
Was dissolved in a mixed solution of 210 g of ethanol and 200 g of water to prepare a solution. In this solution, length 3mm,
A prismatic silicon carbide sintered body (about 0.9 g) having a width of 4 mm and a length of 5 cm was immersed for 3 minutes. Thereafter, the silicon carbide sintered body was pulled up from the solution, and subsequently dried at 140 ° C. to obtain a silicon carbide sintered body whose surface was coated with a coating layer of β-cristobalite precursor.
【0031】得られた焼結体の被覆層は0.045g
(見かけ表面積に対して61.8g/m2)であった。引
き続き、この焼結体を1400℃で焼成し、表面がβ−
クリストバライトの被覆層で被覆された炭化珪素の焼結
体を得た。The coating layer of the obtained sintered body was 0.045 g.
(61.8 g / m 2 with respect to the apparent surface area). Subsequently, the sintered body was fired at 1400 ° C.
A sintered body of silicon carbide covered with a coating layer of cristobalite was obtained.
【0032】(実施例2)塩化アルミニウム6水和物2
8.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物
7.9g(0.05モル)を、エタノール210gに溶
解して溶解液を調製した。この溶解液中に、縦3mm、
横4mm、長さ5cmの角柱状をなす炭化珪素の焼結体
(約0.9g)を3分間浸漬した。その後、炭化珪素の
焼結体を溶解液から引き上げ、続いて140℃で乾燥
し、表面がβ−クリストバライトの前駆体の被覆層で被
覆された炭化珪素の焼結体を得た。(Example 2) Aluminum chloride hexahydrate 2
8.4 g (0.12 mol) and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were dissolved in 210 g of ethanol to prepare a solution. In this solution, length 3mm,
A prismatic silicon carbide sintered body (about 0.9 g) having a width of 4 mm and a length of 5 cm was immersed for 3 minutes. Thereafter, the silicon carbide sintered body was pulled up from the solution, and subsequently dried at 140 ° C. to obtain a silicon carbide sintered body whose surface was coated with a coating layer of β-cristobalite precursor.
【0033】得られた焼結体の被覆層は0.012g
(見かけ表面積に対して17.0g/m2)であった。引
き続き、この焼結体を1400℃で焼成し、表面がβ−
クリストバライトの被覆層で被覆された炭化珪素の焼結
体を得た。The coating layer of the obtained sintered body is 0.012 g
(17.0 g / m 2 with respect to the apparent surface area). Subsequently, the sintered body was fired at 1400 ° C.
A sintered body of silicon carbide covered with a coating layer of cristobalite was obtained.
【0034】(実施例3)塩化アルミニウム6水和物2
8.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物
7.9g(0.05モル)を、エタノール210gに溶
解して溶解液を調製した。この溶解液中に、縦3mm、
横4mm、長さ5cmの角柱状をなす炭化珪素の焼結体
(約0.9g)を3分間浸漬した。その後、炭化珪素の
焼結体を溶解液から引き上げ、続いて140℃で乾燥
し、再度溶解液中に3分間浸漬した。さらに、炭化珪素
の焼結体を溶解液から引き上げ、続いて140℃で乾燥
した。そして、表面がβ−クリストバライトの前駆体の
被覆層で被覆された炭化珪素の焼結体を得た。Example 3 Aluminum chloride hexahydrate 2
8.4 g (0.12 mol) and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were dissolved in 210 g of ethanol to prepare a solution. In this solution, length 3mm,
A prismatic silicon carbide sintered body (about 0.9 g) having a width of 4 mm and a length of 5 cm was immersed for 3 minutes. Thereafter, the silicon carbide sintered body was pulled out of the solution, subsequently dried at 140 ° C., and immersed again in the solution for 3 minutes. Further, the silicon carbide sintered body was pulled up from the solution and subsequently dried at 140 ° C. Then, a sintered body of silicon carbide having a surface coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite was obtained.
【0035】得られた焼結体の被覆層は0.015g
(見かけ表面積に対して20.1g/m2)であった。引
き続き、この焼結体を1400℃で焼成し、表面がβ−
クリストバライトの被覆層で被覆された炭化珪素の焼結
体を得た。β−クリストバライトの被覆層の厚さは90
μmであった。The coating layer of the obtained sintered body is 0.015 g.
(20.1 g / m 2 with respect to the apparent surface area). Subsequently, the sintered body was fired at 1400 ° C.
A sintered body of silicon carbide covered with a coating layer of cristobalite was obtained. The thickness of the coating layer of β-cristobalite is 90
μm.
【0036】(比較例1〜4)塩化カルシウム(比較例
1)、塩化アルミニウム(比較例2)、酢酸鉄(比較例
3)及び酢酸銅(比較例4)をそれぞれエタノールに加
え、濃度1モル/Lの溶液又は懸濁液を作製した。この
液中に、縦3mm、横4mm、長さ5cmの角柱状をな
す炭化珪素の焼結体(約0.9g)を3分間浸漬した。
その後、炭化珪素の焼結体を溶解液から引き上げ、続い
て140℃で乾燥し、表面に各化合物の付着物が付着さ
れた炭化珪素の焼結体を得た。(Comparative Examples 1 to 4) Calcium chloride (Comparative Example 1), aluminum chloride (Comparative Example 2), iron acetate (Comparative Example 3) and copper acetate (Comparative Example 4) were each added to ethanol to give a concentration of 1 mol. / L solution or suspension was prepared. A prism-shaped sintered body of silicon carbide (about 0.9 g) having a length of 3 mm, a width of 4 mm, and a length of 5 cm was immersed in this liquid for 3 minutes.
Thereafter, the silicon carbide sintered body was pulled up from the solution, and subsequently dried at 140 ° C., to obtain a silicon carbide sintered body having the adhered substance of each compound adhered to the surface.
【0037】得られた焼結体表面の付着物はそれぞれ
0.025g、0.012g、0.017g、0.00
15gであった。引き続き、この焼結体を1400℃で
焼成し、比較対照となる炭化珪素の焼結体を得た。The deposits on the surface of the obtained sintered body were 0.025 g, 0.012 g, 0.017 g, and 0.0025 g, respectively.
It was 15 g. Subsequently, the sintered body was fired at 1400 ° C. to obtain a silicon carbide sintered body as a comparative control.
【0038】(炭化珪素の酸化劣化に関する試験)実施
例1〜3及び比較例1〜4で得られた各炭化珪素の焼結
体を1400℃(昇温速度5℃/分)で3時間の加熱処
理の操作及びその後室温までの自然冷却の操作を繰り返
し、その度毎の重量の増加率を測定し、炭化珪素の酸化
劣化の具合を確認した。また、この際、未処理の炭化珪
素を対照例として同様に実施した。各試料及び各処理回
数毎の増加率(%)を表1及び図1に示した。(Test for Oxidation Degradation of Silicon Carbide) The sintered bodies of silicon carbide obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4 were heated at 1400 ° C. (heating rate 5 ° C./min) for 3 hours. The operation of the heat treatment and the operation of natural cooling to room temperature thereafter were repeated, and the rate of weight increase was measured each time to confirm the degree of oxidation deterioration of silicon carbide. At this time, untreated silicon carbide was similarly used as a control. The increase rate (%) for each sample and each number of treatments is shown in Table 1 and FIG.
【0039】[0039]
【表1】 [Table 1]
【0040】表1に示したように、実施例1〜3では、
1回目の処理で酸化被膜であるβ−クリストバライトの
膜が生成して重量増加した後には重量増加がなく、酸化
の進行が抑制されていることがわかる。これに対し、比
較例1〜4ではいずれも、加熱、冷却を繰り返す度に酸
化され、炭化珪素から酸化珪素への劣化がし続けること
が明らかになった。As shown in Table 1, in Examples 1 to 3,
It can be seen that there is no weight increase after the β-cristobalite film, which is an oxide film, is formed in the first treatment and increases in weight, and the progress of oxidation is suppressed. In contrast, in Comparative Examples 1 to 4, it was clarified that each time heating and cooling were repeated, they were oxidized, and silicon carbide continued to deteriorate to silicon oxide.
【0041】(実施例4)テトラエトキシシラン20
8.3g(1モル)、塩化アルミニウム6水和物28.
4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物7.
9g(0.05モル)を、エタノール630gと水20
0gの混液に溶解して溶解液を調製した。この溶解液中
に、粉末針状の炭化珪素1.0g(比表面積3m2/g)
を浸漬し、撹拌混合した後に濾過操作を行った。その
後、濾過残渣140℃で乾燥し、表面がβ−クリストバ
ライトの前駆体の被覆層で被覆された炭化珪素粉末を得
た。Example 4 Tetraethoxysilane 20
8.3 g (1 mol), aluminum chloride hexahydrate
6. 4 g (0.12 mol) and calcium chloride dihydrate
9 g (0.05 mol) of ethanol 630 g and water 20
The solution was dissolved in 0 g of a mixed solution to prepare a solution. 1.0 g of powdered needle-shaped silicon carbide (specific surface area: 3 m 2 / g) in this solution
Was immersed and mixed by stirring, followed by filtration. Thereafter, the residue was dried at 140 ° C. to obtain silicon carbide powder whose surface was coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite.
【0042】得られた炭化珪素粉末に付着した固形物
(被覆層、β−クリストバライトの前駆体)は0.36
g(比表面積に対して0.12g/m2)であった。引き
続き、この炭化珪素粉末を800℃で焼成し、表面がβ
−クリストバライトの被覆層で被覆された炭化珪素針状
粉末を得た。さらに、これを1400℃で焼結すること
により、表面がβ−クリストバライトで被覆された炭化
珪素成形体を得た。The solid matter (coating layer, β-cristobalite precursor) attached to the obtained silicon carbide powder was 0.36
g (0.12 g / m 2 with respect to the specific surface area). Subsequently, the silicon carbide powder was fired at 800 ° C.
-A silicon carbide needle powder coated with a coating layer of cristobalite was obtained. Further, this was sintered at 1400 ° C. to obtain a silicon carbide molded body whose surface was covered with β-cristobalite.
【0043】(実施例5)塩化アルミニウム6水和物2
8.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物
7.9g(0.05モル)を、エタノール630gに溶
解して溶解液を調製した。この溶解液中に、粉末針状の
炭化珪素1.0g(比表面積3m2/g)を浸漬し、撹拌
混合した後に濾過操作を行った。その後、濾過残渣を1
40℃で乾燥し、表面がβ−クリストバライトの前駆体
の被覆層で被覆された炭化珪素粉末を得た。(Example 5) Aluminum chloride hexahydrate 2
8.4 g (0.12 mol) and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were dissolved in 630 g of ethanol to prepare a solution. 1.0 g (specific surface area: 3 m 2 / g) of powdered silicon carbide was immersed in this solution, and the mixture was stirred and mixed, followed by filtration. Then, the filtration residue is
After drying at 40 ° C., a silicon carbide powder whose surface was coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite was obtained.
【0044】得られた炭化珪素粉末に付着した固形物
(被覆層、β−クリストバライトの前駆体)は0.14
g(比表面積に対して0.05g/m2)であった。引き
続き、この炭化珪素粉末を800℃で焼成し、表面がβ
−クリストバライトの被覆層で被覆された炭化珪素針状
粉末を得た。さらに、これを1400℃で焼結すること
により、表面がβ−クリストバライトで被覆された炭化
珪素成形体を得た。The solid matter (coating layer, precursor of β-cristobalite) adhering to the obtained silicon carbide powder was 0.14.
g (0.05 g / m 2 with respect to the specific surface area). Subsequently, the silicon carbide powder was fired at 800 ° C.
-A silicon carbide needle powder coated with a coating layer of cristobalite was obtained. Further, this was sintered at 1400 ° C. to obtain a silicon carbide molded body whose surface was covered with β-cristobalite.
【0045】(実施例6)塩化アルミニウム6水和物2
8.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物
7.9g(0.05モル)を、エタノール630gに溶
解して溶解液を調製した。この溶解液中に、粉末針状の
炭化珪素1.0g(比表面積3m2/g)を浸漬し、撹拌
混合した後に濾過操作を行った。その後、濾過残渣14
0℃で乾燥し、得られた乾燥品を再度溶解液中に浸漬
し、撹拌混合して濾過操作を行った後、濾過残渣を14
0℃で乾燥し、表面がβ−クリストバライトの前駆体の
被覆層で被覆された炭化珪素粉末を得た。(Example 6) Aluminum chloride hexahydrate 2
8.4 g (0.12 mol) and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were dissolved in 630 g of ethanol to prepare a solution. 1.0 g (specific surface area: 3 m 2 / g) of powdered silicon carbide was immersed in this solution, and the mixture was stirred and mixed, followed by filtration. Then, filtration residue 14
After drying at 0 ° C., the obtained dried product was immersed again in the dissolving solution, stirred and mixed, and filtered.
After drying at 0 ° C., a silicon carbide powder whose surface was coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite was obtained.
【0046】得られた炭化珪素粉末に付着した固形物
(被覆層、β−クリストバライトの前駆体)は0.23
g(比表面積に対して0.08g/m2)であった。引き
続き、この炭化珪素粉末を800℃で焼成し、表面がβ
−クリストバライトの被覆層で被覆された炭化珪素針状
粉末を得た。さらに、これを1400℃で焼結すること
により、表面がβ−クリストバライトで被覆された炭化
珪素成形体を得た。The solid matter (coating layer, precursor of β-cristobalite) adhering to the obtained silicon carbide powder was 0.23
g (0.08 g / m 2 with respect to the specific surface area). Subsequently, the silicon carbide powder was fired at 800 ° C.
-A silicon carbide needle powder coated with a coating layer of cristobalite was obtained. Further, this was sintered at 1400 ° C. to obtain a silicon carbide molded body whose surface was covered with β-cristobalite.
【0047】(実施例7)テトラエトキシシラン20
8.3g(1モル)、塩化アルミニウム6水和物28.
4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物7.
9g(0.05モル)を、エタノール210gと水20
0gの混液に溶解して溶解液を調製した。この溶解液中
に、縦3mm、横4mm及び長さ5cmの角柱状をなす
窒化珪素0.9gを3分間浸漬した。その後、溶解液か
ら引き上げ、140℃で乾燥し、表面がβ−クリストバ
ライトの前駆体の被覆層で被覆された窒化珪素を得た。Example 7 Tetraethoxysilane 20
8.3 g (1 mol), aluminum chloride hexahydrate
6. 4 g (0.12 mol) and calcium chloride dihydrate
9 g (0.05 mol) of ethanol 210 g and water 20
The solution was dissolved in 0 g of a mixed solution to prepare a solution. 0.9 g of prismatic silicon nitride having a length of 3 mm, a width of 4 mm and a length of 5 cm was immersed in the solution for 3 minutes. Then, it was pulled up from the solution and dried at 140 ° C. to obtain silicon nitride whose surface was coated with a coating layer of β-cristobalite precursor.
【0048】得られた窒化珪素に付着した固形物(被覆
層、β−クリストバライトの前駆体)は0.034g
(見掛け表面積に対して46.9g/m2)であった。引
き続き、この窒化珪素を1400℃で焼成し、表面がβ
−クリストバライトの被覆層で被覆された窒化珪素を得
た。0.034 g of solids (coating layer, precursor of β-cristobalite) attached to the obtained silicon nitride
(46.9 g / m 2 with respect to the apparent surface area). Subsequently, the silicon nitride is fired at 1400 ° C.
Obtaining silicon nitride coated with a coating layer of cristobalite.
【0049】(実施例8)塩化アルミニウム6水和物2
8.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物
7.9g(0.05モル)を、エタノール210gに溶
解して溶解液を調製した。この溶解液中に、縦3mm、
横4mm及び長さ5cmの角柱状をなす窒化珪素0.9
gを3分間浸漬した。その後、溶解液から引き上げ、1
40℃で乾燥し、表面がβ−クリストバライトの前駆体
の被覆層で被覆された窒化珪素を得た。Example 8 Aluminum chloride hexahydrate 2
8.4 g (0.12 mol) and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were dissolved in 210 g of ethanol to prepare a solution. In this solution, length 3mm,
Silicon nitride 0.9 in the form of a prism 4 mm wide and 5 cm long
g was soaked for 3 minutes. Then, withdraw from the solution,
Drying was performed at 40 ° C. to obtain silicon nitride whose surface was coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite.
【0050】得られた窒化珪素に付着した固形物(被覆
層、β−クリストバライトの前駆体)は0.009g
(見掛け表面積に対して12.9g/m2)であった。引
き続き、この窒化珪素を1400℃で焼成し、表面がβ
−クリストバライトの被覆層で被覆された窒化珪素を得
た。0.009 g of solid matter (coating layer, precursor of β-cristobalite) attached to the obtained silicon nitride
(12.9 g / m 2 with respect to the apparent surface area). Subsequently, the silicon nitride is fired at 1400 ° C.
Obtaining silicon nitride coated with a coating layer of cristobalite.
【0051】(実施例9)塩化アルミニウム6水和物2
8.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物
7.9g(0.05モル)を、エタノール210gに溶
解して溶解液を調製した。この溶解液中に、縦3mm、
横4mm及び長さ5cmの角柱状をなす窒化珪素0.9
gを3分間浸漬した。その後、溶解液から引き上げ、1
40℃で乾燥し、再度溶解液中に3分間浸漬した。さら
に、炭化珪素の焼結体を溶解液から引き上げ、続いて1
40℃で乾燥した。そして、表面がβ−クリストバライ
トの前駆体の被覆層で被覆された窒化珪素を得た。(Example 9) Aluminum chloride hexahydrate 2
8.4 g (0.12 mol) and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were dissolved in 210 g of ethanol to prepare a solution. In this solution, length 3mm,
Silicon nitride 0.9 in the form of a prism 4 mm wide and 5 cm long
g was soaked for 3 minutes. Then, withdraw from the solution,
It was dried at 40 ° C. and immersed again in the solution for 3 minutes. Further, the sintered body of silicon carbide is pulled out of the solution,
Dried at 40 ° C. Then, silicon nitride whose surface was coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite was obtained.
【0052】得られた窒化珪素に付着した固形物(被覆
層、β−クリストバライトの前駆体)は0.011g
(見掛け表面積に対して15.3g/m2)であった。引
き続き、この窒化珪素を1400℃で焼成し、表面がβ
−クリストバライトの被覆層で被覆された窒化珪素を得
た。この被覆層の厚さは約65μmであった。The solids (coating layer, precursor of β-cristobalite) attached to the obtained silicon nitride were 0.011 g.
(15.3 g / m 2 with respect to the apparent surface area). Subsequently, the silicon nitride is fired at 1400 ° C.
Obtaining silicon nitride coated with a coating layer of cristobalite. The thickness of this coating layer was about 65 μm.
【0053】(実施例10)テトラエトキシシラン20
8.3g(1モル)、塩化アルミニウム6水和物28.
4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物7.
9g(0.05モル)を、エタノール630gと水20
0gの混液に溶解して溶解液を調製した。この溶解液中
に、粉末状の窒化珪素1.0g(比表面積7m2/g)を
浸漬し、撹拌混合した後に濾過操作を行った。その後、
濾過残渣を140℃で乾燥し、表面がβ−クリストバラ
イトの前駆体の被覆層で被覆された窒化珪素粉末を得
た。Example 10 Tetraethoxysilane 20
8.3 g (1 mol), aluminum chloride hexahydrate
6. 4 g (0.12 mol) and calcium chloride dihydrate
9 g (0.05 mol) of ethanol 630 g and water 20
The solution was dissolved in 0 g of a mixed solution to prepare a solution. 1.0 g of powdered silicon nitride (specific surface area: 7 m 2 / g) was immersed in the solution, mixed by stirring, and then filtered. afterwards,
The filtration residue was dried at 140 ° C. to obtain a silicon nitride powder whose surface was coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite.
【0054】得られた窒化珪素に付着した固形物(被覆
層、β−クリストバライトの前駆体)は1.05g(比
表面積に対して1.5g/m2)であった。引き続き、こ
の窒化珪素を800℃で焼成し、β−クリストバライト
の被覆層で被覆された窒化珪素粉末を得た。これをさら
に1400℃で焼結することにより、β−クリストバラ
イトの被覆層で被覆された窒化珪素成形体を得た。The solid matter (coating layer, precursor of β-cristobalite) attached to the obtained silicon nitride was 1.05 g (1.5 g / m 2 based on the specific surface area). Subsequently, the silicon nitride was fired at 800 ° C. to obtain a silicon nitride powder coated with a coating layer of β-cristobalite. This was further sintered at 1400 ° C. to obtain a silicon nitride molded body covered with a coating layer of β-cristobalite.
【0055】(実施例11)塩化アルミニウム6水和物
28.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和
物7.9g(0.05モル)を、エタノール630gに
溶解して溶解液を調製した。この溶解液中に、粉末状の
窒化珪素1.0g(比表面積7m2/g)を浸漬し、撹拌
混合した後に濾過操作を行った。その後、濾過残渣を1
40℃で乾燥し、表面がβ−クリストバライトの前駆体
の被覆層で被覆された窒化珪素粉末を得た。Example 11 28.4 g (0.12 mol) of aluminum chloride hexahydrate and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were dissolved in 630 g of ethanol to form a solution. Prepared. 1.0 g of powdered silicon nitride (specific surface area: 7 m 2 / g) was immersed in the solution, mixed by stirring, and then filtered. Then, the filtration residue is
After drying at 40 ° C., a silicon nitride powder whose surface was coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite was obtained.
【0056】得られた窒化珪素に付着した固形物(被覆
層、β−クリストバライトの前駆体)は0.53g(比
表面積に対して0.8g/m2)であった。引き続き、こ
の窒化珪素を800℃で焼成し、β−クリストバライト
の被覆層で被覆された窒化珪素粉末を得た。これをさら
に1400℃で焼結することにより、β−クリストバラ
イトの被覆層で被覆された窒化珪素成形体を得た。The solid matter (coating layer, precursor of β-cristobalite) attached to the obtained silicon nitride was 0.53 g (0.8 g / m 2 based on the specific surface area). Subsequently, the silicon nitride was fired at 800 ° C. to obtain a silicon nitride powder coated with a coating layer of β-cristobalite. This was further sintered at 1400 ° C. to obtain a silicon nitride molded body covered with a coating layer of β-cristobalite.
【0057】(実施例12)塩化アルミニウム6水和物
28.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和
物7.9g(0.05モル)を、エタノール630gに
溶解して溶解液を調製した。この溶解液中に、粉末状の
窒化珪素1.0g(比表面積7m2/g)を浸漬し、撹拌
混合した後に濾過操作を行った。その後、濾過残渣を1
40℃で乾燥し、得られた乾燥品を再度溶解液中に浸漬
し、撹拌混合して濾過操作を行った後、濾過残渣を14
0℃で乾燥し、表面がβ−クリストバライトの前駆体の
被覆層で被覆された窒化珪素粉末を得た。Example 12 28.4 g (0.12 mol) of aluminum chloride hexahydrate and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were dissolved in 630 g of ethanol to form a solution. Prepared. 1.0 g of powdered silicon nitride (specific surface area: 7 m 2 / g) was immersed in the solution, mixed by stirring, and then filtered. Then, the filtration residue is
After drying at 40 ° C., the obtained dried product was immersed again in the dissolving solution, stirred and mixed, and filtered.
After drying at 0 ° C., a silicon nitride powder whose surface was coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite was obtained.
【0058】得られた窒化珪素に付着した固形物(被覆
層、β−クリストバライトの前駆体)は0.74g(比
表面積に対して1.1g/m2)であった。引き続き、こ
の窒化珪素を800℃で焼成し、β−クリストバライト
の被覆層で被覆された窒化珪素粉末を得た。これをさら
に1400℃で焼結することにより、β−クリストバラ
イトの被覆層で被覆された窒化珪素成形体を得た。The solid matter (coating layer, precursor of β-cristobalite) attached to the obtained silicon nitride was 0.74 g (1.1 g / m 2 based on the specific surface area). Subsequently, the silicon nitride was fired at 800 ° C. to obtain a silicon nitride powder coated with a coating layer of β-cristobalite. This was further sintered at 1400 ° C. to obtain a silicon nitride molded body covered with a coating layer of β-cristobalite.
【0059】(実施例13)塩化アルミニウム6水和物
28.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和
物7.9g(0.05モル)を、メタノール2000g
に溶解して溶解液を調製した。この溶解液中に、縦3m
m、横4mm、長さ5cmの角柱状をなす炭化珪素の焼
結体(約0.9g)を20秒間浸漬した。その後、炭化
珪素の焼結体を溶解液から引き上げ、続いて140℃で
乾燥した。そして、表面がβ−クリストバライトの前駆
体の被覆層で被覆された炭化珪素の焼結体を得た。引き
続き、この焼結体を1400℃で焼成し、表面がβ−ク
リストバライトの被覆層で被覆された炭化珪素の焼結体
を得た。β−クリストバライトの被覆層の厚さは5μm
であった。Example 13 28.4 g (0.12 mol) of aluminum chloride hexahydrate and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate were mixed with 2000 g of methanol.
To prepare a solution. 3m in length in this solution
A prismatic sintered body of silicon carbide (approximately 0.9 g) having a length of 5 mm, a width of 4 mm and a length of 5 cm was immersed for 20 seconds. Thereafter, the sintered body of silicon carbide was pulled up from the solution and subsequently dried at 140 ° C. Then, a sintered body of silicon carbide having a surface coated with a coating layer of a precursor of β-cristobalite was obtained. Subsequently, the sintered body was fired at 1400 ° C. to obtain a sintered body of silicon carbide whose surface was covered with a coating layer of β-cristobalite. The thickness of the coating layer of β-cristobalite is 5 μm
Met.
【0060】(実施例14)テトラエトキシシラン20
8.3g(1モル)に水200gを添加して加水分解し
た後、500℃で5時間加熱し、表面積が約530m2
/gのシリカゲルを得た。このシリカゲル1モルを、塩
化アルミニウム6水和物28.4g(0.12モル)及
び塩化カルシウム2水和物7.9g(0.05モル)を
エタノール210gに溶解した溶解液に添加した後、固
形分を濾過した。そして、その固形分を1000℃で6
時間焼成することにより、相転移のないβ−クリストバ
ライトを得た。Example 14 Tetraethoxysilane 20
After hydrolyzing 8.3 g (1 mol) by adding 200 g of water, the mixture was heated at 500 ° C. for 5 hours to have a surface area of about 530 m 2.
/ G of silica gel. 1 mol of this silica gel was added to a solution prepared by dissolving 28.4 g (0.12 mol) of aluminum chloride hexahydrate and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate in 210 g of ethanol. The solid was filtered. Then, the solid content at 1000 ° C. is 6
By firing for a time, β-cristobalite having no phase transition was obtained.
【0061】(実施例15)粉末の炭化珪素1.0g
を、塩化アルミニウム6水和物28.4g(0.12モ
ル)及び塩化カルシウム2水和物7.9g(0.05モ
ル)がエタノール210gに溶解された溶解液に添加し
た後、固形分を濾過した。そして、その固形分を100
0℃で6時間焼成することにより、相転移のない粉末状
のβ−クリストバライトを得た。Example 15 1.0 g of silicon carbide powder
Was added to a solution prepared by dissolving 28.4 g (0.12 mol) of aluminum chloride hexahydrate and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate in 210 g of ethanol. Filtered. And the solid content is 100
By baking at 0 ° C. for 6 hours, powdery β-cristobalite having no phase transition was obtained.
【0062】(実施例16)珪酸カルシウムを酸で処理
することにより得たシリカゲル1モルを、塩化アルミニ
ウム6水和物28.4g(0.12モル)及び塩化カル
シウム2水和物7.9g(0.05モル)がエタノール
210gに溶解された溶解液に添加した後、固形分を濾
過した。そして、その固形分を1000℃で6時間焼成
することにより、相転移のないβ−クリストバライトを
得た。(Example 16) One mole of silica gel obtained by treating calcium silicate with an acid was mixed with 28.4 g (0.12 mole) of aluminum chloride hexahydrate and 7.9 g of calcium chloride dihydrate ( (0.05 mol) was added to a solution in which 210 g of ethanol was dissolved, and then the solid content was filtered. The solid was fired at 1000 ° C. for 6 hours to obtain β-cristobalite having no phase transition.
【0063】(実施例17)テトラエトキシシラン20
8.3g(1モル)を、塩化アルミニウム6水和物2
8.4g(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物
7.9g(0.05モル)がエタノール210gに溶解
された溶解液に添加した後、固形分を濾過した。そし
て、その固形分を1000℃で6時間焼成することによ
り、相転移のない粉末状のβ−クリストバライトを得
た。Example 17 Tetraethoxysilane 20
8.3 g (1 mol) of aluminum chloride hexahydrate 2
After adding 8.4 g (0.12 mol) and 7.9 g (0.05 mol) of calcium chloride dihydrate to 210 g of ethanol, the solid content was filtered. The solid content was calcined at 1000 ° C. for 6 hours to obtain powdery β-cristobalite having no phase transition.
【0064】(実施例18)ゾノトライト698g(約
1モル)を、塩化アルミニウム6水和物28.4g
(0.12モル)及び塩化カルシウム2水和物7.9g
(0.05モル)が水210gに溶解された溶解液に添
加した後、固形分を濾過した。そして、その固形分を1
000℃で6時間焼成することにより、ゾノトライトの
針状形態を維持した相転移のないβ−クリストバライト
を得た。Example 18 698 g (about 1 mol) of zonotolite was mixed with 28.4 g of aluminum chloride hexahydrate.
(0.12 mol) and 7.9 g of calcium chloride dihydrate
(0.05 mol) was added to a solution in which 210 g of water was dissolved, and then the solid content was filtered. And the solid content is 1
By baking at 000 ° C. for 6 hours, β-cristobalite having no acne morphology of zonotolite and having no phase transition was obtained.
【0065】なお、前記実施形態を次のように変更して
構成してもよい。 ・ 前記非酸化物系セラミックスを構成する炭化珪素又
は窒化珪素に、窒化ホウ素、炭化ホウ素などの非酸化物
系セラミックスを添加してもよい。また、炭化珪素と窒
化珪素を混合して使用してもよい。The above embodiment may be modified as follows. -Non-oxide ceramics such as boron nitride and boron carbide may be added to silicon carbide or silicon nitride constituting the non-oxide ceramics. Further, a mixture of silicon carbide and silicon nitride may be used.
【0066】・ 炭化珪素又は窒化珪素の表面に、塩化
アルミニウムと塩化カルシウム、さらにはテトラエトキ
シシランを溶媒に溶解した溶解液を被覆する方法として
は、炭化珪素又は窒化珪素の表面に溶解液を塗布具で塗
布する方法、噴霧器で噴霧する方法などを採用してもよ
い。As a method of coating a solution of aluminum chloride, calcium chloride, or tetraethoxysilane in a solvent on the surface of silicon carbide or silicon nitride, a solution is applied to the surface of silicon carbide or silicon nitride. A method of applying with a tool, a method of spraying with a sprayer, and the like may be adopted.
【0067】さらに、前記実施形態より把握される技術
的思想について以下に記載する。 ・ 非酸化物系セラミックスの非焼結体又は焼結体は、
粉末又は所定形状をなす成形体である請求項3から請求
項5のいずれかに記載の非酸化物系セラミックス材料。
このように構成した場合、非酸化物系セラミックス材料
の形態を用途に応じて選択することができる。Further, the technical idea grasped from the above embodiment will be described below.・ Non-sintered or sintered non-oxide ceramics
The non-oxide ceramic material according to any one of claims 3 to 5, which is a powder or a compact having a predetermined shape.
With this configuration, the form of the non-oxide ceramic material can be selected according to the application.
【0068】・ 前記被覆層の厚みは0.5〜200μ
mである請求項3から請求項5のいずれかに記載の非酸
化物系セラミックス材料。このように構成した場合、非
酸化物系セラミックス材料の酸化防止効果を高め、耐久
性を確実に向上させることができる。The thickness of the coating layer is 0.5 to 200 μm
The non-oxide ceramic material according to any one of claims 3 to 5, wherein m is m. With this configuration, the effect of preventing the non-oxide ceramic material from being oxidized can be enhanced, and the durability can be reliably improved.
【0069】[0069]
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれば
次のような効果を奏する。請求項1に記載の発明のβ−
クリストバライトによれば、温度変化による相転移がな
く、安定した状態を維持することができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. Β- according to the invention of claim 1
According to cristobalite, a stable state can be maintained without phase transition due to a temperature change.
【0070】請求項2に記載の発明のβ−クリストバラ
イトの製造方法によれば、温度変化による相転移がな
く、安定なβ−クリストバライトを簡易に得ることがで
きる。請求項3に記載の発明の非酸化物系セラミックス
材料によれば、被覆層を形成するβ−クリストバライト
の前駆体により、高温状態と低温状態が繰り返して作用
する場合にも酸化による劣化が少なく、耐久性に優れて
いる。According to the method for producing β-cristobalite according to the second aspect of the present invention, stable β-cristobalite can be easily obtained without phase transition due to temperature change. According to the non-oxide-based ceramic material of the invention according to claim 3, due to the precursor of β-cristobalite forming the coating layer, even when the high-temperature state and the low-temperature state repeatedly act, deterioration due to oxidation is small, Has excellent durability.
【0071】請求項4に記載の発明の非酸化物系セラミ
ックス材料によれば、被覆層を形成するβ−クリストバ
ライトの前駆体が基材の炭化珪素又は窒化珪素を原料と
して使用することなく得られるので、請求項3に記載の
発明の効果を一層向上させることができる。According to the non-oxide ceramic material of the invention described in claim 4, a precursor of β-cristobalite forming the coating layer can be obtained without using silicon carbide or silicon nitride as a base material as a raw material. Therefore, the effect of the invention described in claim 3 can be further improved.
【0072】請求項5に記載の発明の非酸化物系セラミ
ックス材料によれば、被覆層を形成するβ−クリストバ
ライトによって請求項3又は請求項4に記載の発明の効
果と同様の効果を発揮させることができる。According to the non-oxide ceramic material of the invention described in claim 5, the same effect as the effect of the invention described in claim 3 or 4 is exhibited by β-cristobalite forming the coating layer. be able to.
【図1】 実施例、比較例及び対照例における繰返し回
数と重量増加率との関係を示すグラフ。FIG. 1 is a graph showing the relationship between the number of repetitions and the rate of weight increase in Examples, Comparative Examples and Control Examples.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C04B 35/58 102P 102X (71)出願人 596095389 藤吉 加一 岐阜県美濃加茂市加茂野町加茂野27番地の 2 (71)出願人 596097486 野村 泰之 岐阜県安八郡神戸町大字西保1729番地 (71)出願人 500518360 石田 信伍 京都府京都市西京区下津林六反田町1−3 桂合同宿舎145 (71)出願人 500518371 竹内 信行 京都府京都市北区鷹峯旧土居町1番地38 (72)発明者 藤吉 加一 岐阜県美濃加茂市加茂野町加茂野27−2 (72)発明者 野村 泰之 岐阜県安八郡神戸町西保1729 (72)発明者 石田 信伍 京都府京都市西京区下津林六反田町1−3 桂合同宿舎145 (72)発明者 竹内 信行 京都府京都市北区鷹峯旧土居町1番地38 (72)発明者 平井 稔 岐阜県大垣市赤坂町2093番地 河合石灰工 業 株式会社内 (72)発明者 菊池 一彦 岐阜県大垣市赤坂町2093番地 河合石灰工 業 株式会社内 (72)発明者 木戸 健二 岐阜県大垣市赤坂町2093番地 河合石灰工 業 株式会社内 (72)発明者 加藤 朝幸 岐阜県土岐市土岐津町土岐口1372番地の1 神明工業 株式会社内 (72)発明者 佐々木 甲一郎 岐阜県土岐市土岐津町土岐口1372番地の1 神明工業 株式会社内 (72)発明者 南里 隼人 福岡県北九州市戸畑区牧山新町1番1号 大光炉材 株式会社内 Fターム(参考) 4G001 BA03 BA04 BA07 BA22 BB03 BB04 BB07 BB22 BC32 BC72 BD12 4G072 AA32 BB09 FF02 GG03 HH16 HH23 HH30 HH33 KK07 LL06 LL11 MM31 MM36 NN21 RR12 TT30 UU30 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) C04B 35/58 102P 102X (71) Applicant 596095389 Kaichi Fujiyoshi 27 Kamono, Kamono-cho, Minokamo-shi, Gifu Prefecture No. 2 (71) Applicant 596097486 Yasuyuki Nomura 1729, Nishiho, Kobe-cho, Anpachi-gun, Gifu Prefecture (71) Applicant 500518360 Shingo Ishida 1-3, Rokutanda-cho, Shimotsurin, Nishikyo-ku, Kyoto, Kyoto 145 (71) Application No. 500518371 Nobuyuki Takeuchi 38, Takamine Former Doi-cho, Kita-ku, Kyoto, Kyoto Prefecture (72) Inventor Kaichi Fujiyoshi 27-2, Kamono, Kamono-cho, Minokamo-shi, Gifu (72) Inventor Yasuyuki Nomura Anhachi-gun, Gifu 1729, Nishiho, Kobe-cho Former Takamine Doi-cho 1 38 (72) Inventor Minoru Hirai 2093 Akasaka-cho, Ogaki-shi, Gifu Prefecture Kawai Lime Co., Ltd. (72) Inventor Kazuhiko Kikuchi 2093 Akasaka-cho, Ogaki-shi, Gifu Kawai Lime Co. In-house (72) Inventor Kenji Kido 2093 Akasaka-cho, Ogaki-shi, Gifu Prefecture Kawai Lime Industry Co., Ltd. (72) Inventor Koichiro Sasaki 1372, Tokiguchi, Tokizu-cho, Toki-shi, Gifu Prefecture Inside Shinmei Kogyo Co., Ltd. (72) Inventor Hayato Minamisato 1-1, Makiyama Shinmachi, Tobata-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka Prefecture F term (reference) 4G001 BA03 BA04 BA07 BA22 BB03 BB04 BB07 BB22 BC32 BC72 BD12 4G072 AA32 BB09 FF02 GG03 HH16 HH23 HH30 HH33 KK07 LL06 LL11 MM31 MM36 NN21 RR12 TT30 UU30
Claims (5)
ム、珪素のアルコキシド化合物、炭化珪素及び窒化珪素
より選ばれる少なくとも一種を、ハロゲン化アルミニウ
ム及びハロゲン化カルシウムが溶媒に溶解された溶液に
混合し、該溶液に溶解しない固形分を焼成することによ
り得られる相転移のないβ−クリストバライト。At least one selected from the group consisting of amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate, an alkoxide compound of silicon, silicon carbide and silicon nitride is mixed with a solution in which aluminum halide and calcium halide are dissolved in a solvent. .Beta.-cristobalite having no phase transition obtained by calcining a solid that is not dissolved in the solution.
ム、珪素のアルコキシド化合物、炭化珪素及び窒化珪素
より選ばれる少なくとも一種を、ハロゲン化アルミニウ
ム及びハロゲン化カルシウムが溶媒に溶解された溶液に
混合した後、該溶液に溶解しない固形分を800〜18
00℃の温度で1〜10時間焼成することを特徴とする
相転移のないβ−クリストバライトの製造方法。2. At least one selected from amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate, an alkoxide compound of silicon, silicon carbide and silicon nitride is mixed with a solution in which aluminum halide and calcium halide are dissolved in a solvent. Thereafter, the solid content not dissolved in the solution is reduced to 800 to 18%.
A method for producing β-cristobalite having no phase transition, wherein the method is calcined at a temperature of 00 ° C. for 1 to 10 hours.
系セラミックスの非焼結体又は焼結体の表面に、ハロゲ
ン化アルミニウム及びハロゲン化カルシウムが溶媒に溶
解された溶液を被覆し、加熱乾燥することにより非酸化
物系セラミックスの非焼結体又は焼結体の表面にβ−ク
リストバライトの前駆体に基づく被覆層を形成した非酸
化物系セラミックス材料。3. The surface of a non-sintered or sintered non-oxide ceramic made of silicon carbide or silicon nitride is coated with a solution of aluminum halide and calcium halide dissolved in a solvent, and dried by heating. A non-oxide ceramic material having a coating layer based on a precursor of β-cristobalite formed on a surface of a non-oxide ceramic body or a sintered body of the non-oxide ceramic body.
素、珪酸、珪酸カルシウム及び珪素のアルコキシド化合
物の少なくとも一種が含まれている請求項3に記載の非
酸化物系セラミックス材料。4. The non-oxide ceramic material according to claim 3, wherein the solution further contains at least one of amorphous silicon oxide, silicic acid, calcium silicate and an alkoxide compound of silicon.
系セラミックス材料を800〜1800℃の温度で1〜
10時間焼成し、β−クリストバライトの前駆体を相転
移のないβ−クリストバライトに変換させてなる非酸化
物系セラミックス材料。5. The non-oxide ceramic material according to claim 3 or 4 at a temperature of 800 to 1800 ° C.
A non-oxide ceramic material obtained by baking for 10 hours to convert a precursor of β-cristobalite into β-cristobalite having no phase transition.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000342201A JP2002154818A (en) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | beta-CRISTOBALITE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND NON- OXIDE BASED CERAMIC MATERIAL |
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---|---|---|---|
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JP (1) | JP2002154818A (en) |
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