JP2002148605A - Reflective liquid crystal display device - Google Patents

Reflective liquid crystal display device

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JP2002148605A
JP2002148605A JP2000343684A JP2000343684A JP2002148605A JP 2002148605 A JP2002148605 A JP 2002148605A JP 2000343684 A JP2000343684 A JP 2000343684A JP 2000343684 A JP2000343684 A JP 2000343684A JP 2002148605 A JP2002148605 A JP 2002148605A
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JP
Japan
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liquid crystal
substrate
display device
crystal display
color
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Application number
JP2000343684A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidenori Ikeno
英徳 池野
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflective liquid crystal display device displaying with excellent contrast while minimizing any yellow-tinged display. SOLUTION: Coloring layers 41, 42 are formed in a region of a CF(color filter) substrate 40 opposite to bus wiring lines 5 mutually lying side by side lengthwise and breadthwise on a TFT(thin film transistor) substrate 20 so as to overlap with each other. As a result, thickness dx of the liquid crystal layer 11 corresponding to the region can surely be made not to be thicker than d0 of the liquid crystal layer thickness corresponding to the vicinity of the center of the pixel, consequently can be made thinner than the upper limit of the gap length to suppress a yellow-tinged display and the display color can surely be prevented from being yellowed with reflected light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置に関し、特に、表示の黄色付きを低減する構造に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device, and more particularly to a structure for reducing yellowing of display.

【0002】[0002]

【従来の技術】特開2000−171794号公報に
は、反射電極を液晶側に配置する構成の反射型液晶表示
装置の製造方法において、単層のポジ型感光性樹脂を用
い、1回の露光で反射電極の凹凸形成用下地パターンと
コンタクトホールパターンとを同時に形成するという、
製造工程の簡略化技術が開示されている。
2. Description of the Related Art Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-171794 discloses a method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device in which a reflection electrode is arranged on a liquid crystal side, using a single layer of a positive photosensitive resin and performing one exposure. That the base pattern for forming unevenness of the reflective electrode and the contact hole pattern are formed at the same time,
A technique for simplifying a manufacturing process is disclosed.

【0003】図4は、上述した公報に記載されているT
FT基板と同じタイプのTFT基板を有する従来の反射
型液晶表示装置を液晶側から眺めた平面図であり、図5
は、図4における切断線A−A’を通りTFT基板に直
交する平面でTFT基板、液晶、CF(カラーフィル
タ)基板を切断したときの断面図である。この反射型液
晶表示装置の構成を製造工程順に以下に説明する。
[0003] FIG. 4 shows the T
FIG. 5 is a plan view of a conventional reflective liquid crystal display device having a TFT substrate of the same type as the FT substrate, as viewed from the liquid crystal side.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a TFT substrate, a liquid crystal, and a CF (color filter) substrate cut along a plane orthogonal to the TFT substrate passing through a cutting line AA ′ in FIG. The configuration of the reflection type liquid crystal display device will be described below in the order of manufacturing steps.

【0004】まず、第1透明基板101の上にはゲート
電極122を兼ねる第1バス配線102が形成され、そ
れを覆ってゲート絶縁膜を兼ねる第1絶縁膜103が形
成される。第1絶縁膜103の上にはゲート電極122
上方に位置するようにTFTの活性層を構成する半導体
領域104が形成され、さらに、第1絶縁膜103の上
には半導体領域104と接続、配線する第2バス配線1
05及びドレイン電極125が形成される。第2バス配
線105及びドレイン電極125を覆って第1絶縁膜1
03の上には保護絶縁膜106が形成され、続いて、保
護絶縁膜106の表面の粗面化処理が行われ、さらに、
ドレイン電極125を接続すべく保護絶縁膜106の一
部に開口部107が開口される。
First, a first bus wiring 102 serving also as a gate electrode 122 is formed on a first transparent substrate 101, and a first insulating film 103 serving also as a gate insulating film is formed so as to cover the first bus wiring 102. A gate electrode 122 is formed on the first insulating film 103.
A semiconductor region 104 constituting an active layer of the TFT is formed so as to be located above, and a second bus line 1 for connecting and wiring with the semiconductor region 104 is formed on the first insulating film 103.
05 and a drain electrode 125 are formed. The first insulating film 1 covering the second bus wiring 105 and the drain electrode 125
03, a protective insulating film 106 is formed. Subsequently, a surface roughening treatment is performed on the surface of the protective insulating film 106.
An opening 107 is opened in a part of the protective insulating film 106 to connect the drain electrode 125.

【0005】続いて、保護絶縁膜106の上にアルミニ
ウムを被着、パターニングして、反射電極108を第1
バス配線102、第2バス配線105及びTFT領域を
除く領域に形成してTFT基板120を得る。
[0005] Subsequently, aluminum is deposited on the protective insulating film 106 and patterned to form a reflective electrode 108 for the first.
The TFT substrate 120 is obtained by forming the bus wiring 102, the second bus wiring 105, and the area other than the TFT area.

【0006】次に、第2透明基板131の上には3原色
を構成するR、G、Bのそれぞれ色層141、142、
143がTFT基板120の反射電極108に対向する
ように形成される。続いて、色層141、142、14
3を覆って透明電極144が形成され、最後に、第2透
明基板131の反対側の面に、偏光板146が形成され
てCF基板140を得る。
Next, on the second transparent substrate 131, R, G, and B color layers 141, 142,
143 is formed so as to face the reflective electrode 108 of the TFT substrate 120. Subsequently, the color layers 141, 142, 14
3, a transparent electrode 144 is formed, and finally, a polarizing plate 146 is formed on the opposite surface of the second transparent substrate 131 to obtain the CF substrate 140.

【0007】このようにして得られたTFT基板120
及びCF基板140のそれぞれの基板の最上層の表面
に、オフセット印刷等による方法で配向膜を印刷するこ
とにより、TFT基板120及びCF基板140が完成
する。
The thus obtained TFT substrate 120
The TFT substrate 120 and the CF substrate 140 are completed by printing an alignment film on the surface of the uppermost layer of each of the CF substrate 140 and the CF substrate 140 by a method such as offset printing.

【0008】最後に、TFT基板120とCF基板14
0の配向膜をラビングにより配向膜109として、所定
の方向に配向膜分子を並べ、この2枚の基板が所定の間
隔を持つようにセルギャップ材を挟みこませて組み合わ
せ、その間隙に液晶110を封止して液晶層111を得
る。
Finally, the TFT substrate 120 and the CF substrate 14
The alignment film of No. 0 is used as an alignment film 109 by rubbing, alignment molecules of the alignment film are arranged in a predetermined direction, and a cell gap material is sandwiched between the two substrates so as to have a predetermined interval. To obtain a liquid crystal layer 111.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上のようにして形成
された反射型液晶表示装置は、第2透明基板131の上
には3原色を構成するR、G、Bのそれぞれ色層14
1、142、143が、図4及び図5に示すように、T
FT基板120の第1バス配線102と第2バス配線1
05とで区画される領域に対向する第2透明基板131
の領域に形成されるが、TFT基板120の第1バス配
線102と第2バス配線105に対向する第2透明基板
131の領域には形成されない。
In the reflection type liquid crystal display device formed as described above, the R, G and B color layers 14 constituting the three primary colors are formed on the second transparent substrate 131.
1, 142, and 143, as shown in FIGS.
First bus wiring 102 and second bus wiring 1 of FT board 120
05 and the second transparent substrate 131 facing the region defined by
Is formed in the area of the second transparent substrate 131 facing the first bus wiring 102 and the second bus wiring 105 of the TFT substrate 120.

【0010】また、図5に示すように、ドレイン電極1
25と第2バス配線105との間に位置する反射電極1
08の略中央部分と色層142との間に挟まれることに
より形成される部分の平均的(反射電極108による表
面の凹凸を考慮に入れると、凹凸の平均値を示す表面に
対応する液晶層の厚さを意味する)なギャップ長をd
(μm)、液晶層111を構成する液晶材料の屈折率異
方性をΔnとする。このとき、入射した光の挙動は、ギ
ャップ長d(μm)と液晶材料の屈折率異方性Δnの積
で表されるリターデーションΔndに依存することが良
く知られている。図5に示したような反射型液晶表示素
子の場合においては、第2透明基板131側から入射し
た光は、入射した部分における液晶層111の厚さd
(μm)の変化に従って、図3に示すような色付き特性
を示す。
Further, as shown in FIG.
Reflective electrode 1 located between the first bus line 25 and the second bus line 105
08 (a liquid crystal layer corresponding to the surface showing the average value of the unevenness when the unevenness of the surface due to the reflective electrode 108 is taken into account). The gap length d)
(Μm), and the refractive index anisotropy of the liquid crystal material forming the liquid crystal layer 111 is represented by Δn. At this time, it is well known that the behavior of the incident light depends on the retardation Δnd represented by the product of the gap length d (μm) and the refractive index anisotropy Δn of the liquid crystal material. In the case of the reflection type liquid crystal display device as shown in FIG. 5, the light incident from the second transparent substrate 131 side is the thickness d of the liquid crystal layer 111 at the incident portion.
(Μm), the color characteristics as shown in FIG. 3 are exhibited.

【0011】図3の特性からわかるように、表示上特に
問題とされる反射光への黄色の色付きの限界をa*−b
*表色系の中で原点から+15以下に抑える場合、液晶
層111おけるリターデーションΔndの値は、250
nm以下(望ましくは、180nmから250nmの範
囲)に設定される必要がある。このとき、液晶層111
を構成する液晶分子の屈折率異方性Δnの値を0.08
とすると、画素中央近傍におけるギャップ長dO(μ
m)は、3.1μm以下(望ましくは、2.3μmから
3.1μmの間)に設定されなくてはならない。しか
し、TFT基板120側の第2バス配線105(又は、
第1バス配線102)とCF基板140側の第2透明基
板131とが対向する領域において挟まれる液晶層11
1の厚さdYは、色層141、142、143のいずれ
もが存在しないために、色層のある部分の厚さdに比較
して色層の厚さ分だけギャップが大きくなる。色層の厚
みとしては通常1μmから2μmのものを用いるため、
この部分におけるギャップ長d Yは、反射板上における
ギャップ長dOよりも少なくともほぼ1μm厚くなり、
この部分におけるリターデーションを80nm上昇させ
ることとなる。そのため、第2バス配線上におけるリタ
ーデーションは250nmを超える部分が生じ、CF基
板140側から入射し、反射板107によって反射する
光に対して黄色付きの度合いの大きな光を射出してしま
うので、表示の黄変の原因となる。
As can be seen from the characteristics shown in FIG.
The yellow colored limit to the reflected light in question is a * -b
* When the color system is set to +15 or less from the origin, the liquid crystal
The value of the retardation Δnd in the layer 111 is 250
nm or less (preferably in the range of 180 nm to 250 nm).
Box). At this time, the liquid crystal layer 111
The value of the refractive index anisotropy Δn of the liquid crystal molecules constituting
Then, the gap length d near the pixel centerO
m) is 3.1 μm or less (preferably from 2.3 μm
(Between 3.1 μm). Only
Then, the second bus wiring 105 on the TFT substrate 120 side (or
The first bus wiring 102) and the second transparent substrate on the CF substrate 140 side
Liquid crystal layer 11 sandwiched in a region facing plate 131
1 thickness dYIs any of the color layers 141, 142, and 143
Compared to the thickness d of the color layer
As a result, the gap is increased by the thickness of the color layer. Color layer thickness
Since only 1 μm to 2 μm is usually used,
Gap length d in this part YIs on the reflector
Gap length dOAt least about 1 μm thicker than
Increase the retardation in this part by 80nm
The Rukoto. For this reason, the filter on the second bus wiring
In some cases, a portion exceeding 250 nm occurs, and the CF group
Incident from the plate 140 side and reflected by the reflector 107
Emit light with a large degree of yellowing to the light
This causes yellowing of the display.

【0012】このように、反射型液晶表示装置において
は、反射光の色味は液晶素子のギャップ(液晶層の厚
さ)の影響を大きく受け、一定のギャップを超えると、
反射色が急速に黄変し、ギャップが薄くなると青変する
が、一般的には、表示の黄変のほうが嫌われるため、ギ
ャップの制御が重要になる。
As described above, in the reflection type liquid crystal display device, the color of the reflected light is greatly affected by the gap of the liquid crystal element (the thickness of the liquid crystal layer).
The reflected color rapidly turns yellow, and when the gap becomes thinner, the color turns blue. However, since the yellowing of the display is generally disliked, the control of the gap is important.

【0013】本発明の目的は、黄色付きの表示を最小限
に抑えてコントラストの良い表示が行える反射型液晶表
示装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a reflection type liquid crystal display device capable of performing display with good contrast while minimizing display with yellow.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、第1基板の上に互いに並走して形成された複数
の第1のバス配線と、前記第1のバス配線と絶縁され、
前記第1のバス配線と交差しつつ互いに並走して形成さ
れた第2のバス配線と、前記第1のバス配線及び前記第
2のバス配線を覆って前記第1基板上に形成されたTF
T側絶縁膜と、前記TFT側絶縁膜の上に形成された反
射電極と、前記反射電極を覆って前記TFT側絶縁膜上
に形成された配向膜とを有するTFT基板と、第2基板
の上に形成された互いに色の異なる複数の色層と、前記
色層を覆う透明電極と、前記透明電極を覆う配向膜と、
前記色層とは反対側の第2基板の上に形成された偏光板
とを有するカラーフィルタ基板と、前記TFT基板及び
前記カラーフィルタ基板に狭持される液晶層とを備える
反射型液晶表示装置であって、前記第1のバス配線及び
前記第2のバス配線により区画される画素領域の中央部
に対応する液晶層のリターデーションΔndOを反射光
の黄色の色付きを抑制する所定の範囲ΔndM IN〜Δn
MAXに設定するとき、前記互いに色の異なる複数の色
層が前記第2のバス配線と対向する第2基板上の領域に
おいて重ねて形成され、かつ、少なくとも前記第2のバ
ス配線の上方に位置する液晶層のリターデーションΔn
Xが、ΔndMAX以下に設定される、という構成を基本
構成としている。本発明の基本構成の反射型液晶表示装
置は、以下のような適用形態を有している。
A reflection type liquid crystal display device according to the present invention comprises a plurality of first bus lines formed in parallel on a first substrate and insulated from the first bus lines. And
A second bus line formed in parallel with each other while intersecting with the first bus line; and a second bus line formed on the first substrate so as to cover the first bus line and the second bus line. TF
A TFT substrate having a T-side insulating film, a reflective electrode formed on the TFT-side insulating film, and an alignment film formed on the TFT-side insulating film so as to cover the reflective electrode; A plurality of color layers having different colors formed on each other, a transparent electrode covering the color layer, and an alignment film covering the transparent electrode,
A reflective liquid crystal display device comprising: a color filter substrate having a polarizing plate formed on a second substrate opposite to the color layer; and a liquid crystal layer sandwiched between the TFT substrate and the color filter substrate. Wherein the retardation Δnd O of the liquid crystal layer corresponding to the center of the pixel area defined by the first bus wiring and the second bus wiring is a predetermined range Δnd for suppressing the yellow coloring of the reflected light. M IN to Δn
When set to d MAX, the formed stacked in the second region on the substrate on which a plurality of color layers of different colors are opposite to the second bus lines to each other, and, above at least said second bus lines Retardation Δn of liquid crystal layer located
The basic configuration is that d X is set to be equal to or smaller than Δnd MAX . The reflection type liquid crystal display device having the basic configuration of the present invention has the following application forms.

【0015】まず、前記液晶層のリターデーションΔn
O及びΔndXは、前記反射電極の表面が概略平坦であ
るとき、前記TFT基板の概略平坦な表面と前記カラー
フィルタ基板の概略平坦な表面に挟まれる液晶層のリタ
ーデーションであり、前記反射電極の表面が凹凸を有す
るとき、前記TFT基板の前記凹凸の振幅の平均値を呈
する部分に対応する表面と前記カラーフィルタ基板の概
略平坦な表面に挟まれる液晶層のリターデーションであ
り、前記液晶層のリターデーションΔndOが、180
〜250nmに設定される。
First, the retardation Δn of the liquid crystal layer
d O and Δnd X are retardations of a liquid crystal layer sandwiched between the substantially flat surface of the TFT substrate and the substantially flat surface of the color filter substrate when the surface of the reflective electrode is substantially flat. When the surface of the electrode has irregularities, a retardation of a liquid crystal layer sandwiched between a surface of the TFT substrate corresponding to a portion exhibiting an average value of the amplitude of the irregularities and a substantially flat surface of the color filter substrate; The retardation Δnd O of the layer is 180
It is set to 250250 nm.

【0016】また、前記第2のバス配線と対向する第2
基板上の領域において前記互いに色の異なる複数の色層
が重ねて形成される幅は、前記第2のバス配線の幅の
0.5〜1.0倍である。
Further, a second bus line opposed to the second bus line is provided.
The width in which the plurality of color layers having different colors are formed in a region on the substrate is 0.5 to 1.0 times the width of the second bus wiring.

【0017】また、前記第1のバス配線と対向する第2
基板上の領域においても前記互いに色の異なる複数の色
層が重ねて形成され、かつ、前記第1のバス配線の上方
に位置する液晶層のリターデーションΔndZが、Δn
MAX以下に設定される。
Further, a second bus line opposed to the first bus line is provided.
Also in the region on the substrate, the plurality of color layers having different colors are formed so as to overlap with each other, and the retardation Δnd Z of the liquid crystal layer located above the first bus wiring is Δn
It is set to d MAX or less.

【0018】また、前記第1のバス配線と対向する第2
基板上の領域において前記互いに色の異なる複数の色層
が重ねて形成される幅は、前記第1のバス配線の幅の
0.5〜1.0倍である。
Also, a second bus line opposed to the first bus line is provided.
The width in which the plurality of color layers having different colors are formed in an overlapped manner in the region on the substrate is 0.5 to 1.0 times the width of the first bus wiring.

【0019】また、前記反射電極は、前記第1のバス配
線及び前記第2のバス配線の上方に対応する領域が開口
されて形成される。
Further, the reflective electrode is formed by opening a region corresponding to the upper part of the first bus wiring and the second bus wiring.

【0020】最後に、前記液晶層の液晶のツイスト角が
65〜80°であるか、望ましくは、70.5〜74.
5°である。
Finally, the twist angle of the liquid crystal in the liquid crystal layer is 65-80 °, preferably 70.5-74.
5 °.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態の反射型
液晶表示装置について、図1を参照して説明する。ここ
で、図1(a)は、TFT基板を液晶側から眺めた平面
図であり、図1(b)は、図1(a)における切断線A
−A’を通りTFT基板に直交する平面でTFT基板、
液晶、CF(カラーフィルタ)基板を切断したときの断
面図である。本発明においては、CF基板側の色層の形
成及びTFT基板及びCF基板に狭持される液晶層に特
徴を有するので、その点を中心に説明することとする。
Next, a reflection type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, FIG. 1A is a plan view of the TFT substrate as viewed from the liquid crystal side, and FIG. 1B is a cut line A in FIG. 1A.
A TFT substrate on a plane passing through -A ′ and orthogonal to the TFT substrate,
FIG. 3 is a cross-sectional view when a liquid crystal and a CF (color filter) substrate are cut. The present invention is characterized by the formation of the color layer on the CF substrate side and the liquid crystal layer sandwiched between the TFT substrate and the CF substrate.

【0022】本実施形態の特徴は、図1(a)に示す画
素電極の中央部に対応する液晶層のリターデーションΔ
ndOを反射光の黄色の色付きを最小限に抑制するΔn
MIN〜ΔndMAXに設定したときに、第2バス配線と対
向する第2基板上の領域(CF基板側の色層の互いに色
の異なる複数の色層が重ねて形成される領域と対向す
る)に対応する液晶層のリターデーションΔndXが、
ΔndMAX以下に設定される、というものである。
The feature of this embodiment is that the retardation Δ of the liquid crystal layer corresponding to the center of the pixel electrode shown in FIG.
Δn that minimizes nd O to minimize yellow coloring of reflected light
When set to d MIN to Δnd MAX , a region on the second substrate facing the second bus line (a region facing a region in which a plurality of color layers of different colors of the color layer on the CF substrate side are formed in an overlapping manner) ), The retardation Δnd X of the liquid crystal layer is
It is set to be less than Δnd MAX .

【0023】次に、本実施形態の構造を製造工程に従っ
た形で、図1を参照して説明する。
Next, the structure of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0024】まず、第1透明基板1の上にはゲート電極
22を兼ねる第1バス配線2が形成され、それを覆って
ゲート絶縁膜を兼ねる第1絶縁膜3が形成される。第1
絶縁膜3の上にはゲート電極22上方に位置するように
TFTの活性層を構成する半導体領域4が形成され、さ
らに、第1絶縁膜3の上には半導体領域4と接続、配線
する第2バス配線5及びドレイン電極25が形成され
る。第2バス配線5及びドレイン電極25を覆って第1
絶縁膜3の上には保護絶縁膜6が形成され、ドレイン電
極25を接続すべく保護絶縁膜6の一部に開口部7が開
口される。続いて、保護絶縁膜6の上にアルミニウムを
被着、パターニングして、反射電極8を第1バス配線
2、第2バス配線5及びTFT領域を除く領域に形成し
てTFT基板20を得る。
First, a first bus wiring 2 serving also as a gate electrode 22 is formed on the first transparent substrate 1, and a first insulating film 3 serving also as a gate insulating film is formed so as to cover the first bus wiring 2. First
On the insulating film 3, a semiconductor region 4 constituting an active layer of the TFT is formed so as to be located above the gate electrode 22, and on the first insulating film 3, a semiconductor region 4 for connecting and wiring with the semiconductor region 4 is formed. The two bus lines 5 and the drain electrode 25 are formed. First covering the second bus line 5 and the drain electrode 25
A protective insulating film 6 is formed on the insulating film 3, and an opening 7 is opened in a part of the protective insulating film 6 to connect the drain electrode 25. Subsequently, aluminum is deposited on the protective insulating film 6 and patterned, and the reflective electrode 8 is formed in a region excluding the first bus line 2, the second bus line 5, and the TFT region, thereby obtaining the TFT substrate 20.

【0025】次に、第2透明基板31の上には3原色を
構成するR、G、Bのそれぞれ色層41、42、43が
約1μmの厚さにTFT基板20の画素電極25に対向
するように形成されるが、色層41、42、43は隣接
する画素電極25の境界領域において重ねて形成され
る。続いて、色層41、42、43を覆って透明電極4
4が形成され、最後に、第1透明基板31の反対側の面
に、偏光板46が形成されてCF基板40を得る。
Next, on the second transparent substrate 31, R, G, and B color layers 41, 42, and 43 constituting the three primary colors each face the pixel electrode 25 of the TFT substrate 20 to a thickness of about 1 μm. However, the color layers 41, 42, and 43 are formed so as to overlap in the boundary region between the adjacent pixel electrodes 25. Subsequently, the transparent electrodes 4 covering the color layers 41, 42 and 43 are covered.
4 is formed, and finally, a polarizing plate 46 is formed on the surface on the opposite side of the first transparent substrate 31 to obtain the CF substrate 40.

【0026】このようにして得られたTFT基板20及
びCF基板40のそれぞれの基板の最上層の表面に、オ
フセット印刷等による方法で配向膜を印刷することによ
り、TFT基板20及びCF基板40が完成する。
An alignment film is printed on the uppermost surface of each of the thus obtained TFT substrate 20 and CF substrate 40 by a method such as offset printing, so that the TFT substrate 20 and the CF substrate 40 are formed. Complete.

【0027】こうして得られたTFT基板20とCF基
板40の配向膜をラビングにより配向膜9として、所定
の方向に配向膜分子を並べ、この2枚の基板が所定の間
隔を持つようにセルギャップ材を挟みこませて組み合わ
せ、その間隙に、例えば、ツイスト角が65〜80°、
望ましくは、70.5〜74.5°の液晶10を封止し
て液晶層11を得る。
The alignment film of the TFT substrate 20 and the CF substrate 40 thus obtained is used as an alignment film 9 by rubbing, and alignment film molecules are arranged in a predetermined direction, and the cell gap is set so that the two substrates have a predetermined interval. The material is sandwiched and combined, and in the gap, for example, the twist angle is 65 to 80 °,
Desirably, the liquid crystal 10 of 70.5 to 74.5 ° is sealed to obtain the liquid crystal layer 11.

【0028】このようにして形成された本実施形態の反
射型液晶表示装置を、図1のA−A’に沿った切断した
ときの断面構造は図2のようになる。
FIG. 2 shows a sectional structure of the thus-formed reflective liquid crystal display device of the present embodiment, taken along line AA ′ in FIG.

【0029】図2に示すように、TFT基板20側の第
2バス配線5とCF基板側の色層41及び色層42の重
なる領域とが対向する領域において挟まれる液晶層11
のリターデーションをΔndXがとし、ドレイン電極2
5と第2バス配線5との間に位置する反射電極8の略中
央部分と色層42との間に挟まれた液晶層11のリター
デーションをΔndOとするとき、CF基板40側から
入射し、反射電極8によって反射し、再びCF基板40
側より出射する光は、リターデーションΔndの変化に
応じて、図3に示すような色付き特性を示す。
As shown in FIG. 2, the liquid crystal layer 11 is sandwiched in a region where the second bus line 5 on the TFT substrate 20 and the region where the color layers 41 and 42 on the CF substrate overlap each other face each other.
Is the retardation of Δnd X and the drain electrode 2
When the retardation of the liquid crystal layer 11 sandwiched between the color layer 42 and the substantially central portion of the reflective electrode 8 located between the first bus line 5 and the second bus line 5 is Δnd O , the light enters from the CF substrate 40 side. Then, the light is reflected by the reflective electrode 8 and is again
The light emitted from the side shows a colored characteristic as shown in FIG. 3 according to the change of the retardation Δnd.

【0030】図3の特性は、液晶層11におけるリター
デーションΔndの変化に対する反射表示色の変化をa
*−b*表色平面内にプロットした結果である。図3か
ら、表示上特に問題とされる黄色付きの限界の距離をb
*方向に15以下とするとき、液晶層11に許容される
リターデーションΔndの値は、250nm以下、望ま
しくは180nmから250nm、となる。このとき、
仮に液晶層11を構成する液晶材料の屈折率異方性Δn
の値を0.08とすると、液晶層11に許容されるギャ
ップ長dの値は、3.1μm以下(望ましくは2.3μ
mから3.1μm)というようにd=dMAXの範囲を設
定することができる。
The characteristic shown in FIG. 3 is that the change in the reflective display color with respect to the change in the retardation Δnd in the liquid crystal layer 11 is represented by a
It is the result plotted in the * -b * color specification plane. From FIG. 3, the limit distance with a yellow mark, which is particularly problematic in the display, is b.
When it is 15 or less in the * direction, the value of the retardation Δnd allowed for the liquid crystal layer 11 is 250 nm or less, preferably 180 nm to 250 nm. At this time,
The refractive index anisotropy Δn of the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer 11
Is 0.08, the value of the gap length d allowed in the liquid crystal layer 11 is 3.1 μm or less (preferably 2.3 μm).
m to 3.1 μm), the range of d = d MAX can be set.

【0031】従って、本実施形態の例では,画素中央近
傍における液晶層11のギャップ長dO(μm)を2.
3μmから3.1μmの間に設定すると共に、第2バス
配線5とCF基板側の色層41及び色層42の重なる領
域とが対向する領域において挟まれる液晶層11のギャ
ップ長dXを3.1μm以下に設定する必要がある。
Therefore, in the example of this embodiment, the gap length d O (μm) of the liquid crystal layer 11 near the center of the pixel is set to 2.
And sets between 3.1μm from 3 [mu] m, the gap length d X of the liquid crystal layer 11 and the region overlapping the second bus line 5 and the CF substrate side color layer 41 and color layer 42 is sandwiched in the region facing 3 It has to be set to 1 μm or less.

【0032】ここで、ギャップ長の定義であるが、図2
示すように、反射電極8自体が凹凸形状に形成されて、
配向膜9の表面が凹凸に形成される場合は、凹凸の高さ
の平均値の高さに位置する配向膜9の表面と、その位置
に対向するCF基板の配向膜9の表面とに挟まれる液晶
層の厚さとなる。
Here, the definition of the gap length is shown in FIG.
As shown, the reflection electrode 8 itself is formed in an uneven shape,
When the surface of the alignment film 9 is formed to be uneven, the surface of the alignment film 9 located at the height of the average value of the height of the unevenness is sandwiched between the surface of the alignment film 9 of the CF substrate facing the position. The thickness of the liquid crystal layer.

【0033】従って、反射電極が、本実施形態と異な
り、平坦に形成される場合には、単純に、TFT基板の
配向膜表面とCF基板の配向膜表面とに挟まれる液晶層
の厚さが、ギャップ長となる。
Therefore, when the reflective electrode is formed flat unlike the present embodiment, the thickness of the liquid crystal layer sandwiched between the alignment film surface of the TFT substrate and the alignment film surface of the CF substrate is simply reduced. , The gap length.

【0034】また、ギャップ長dXは3.1μm以下に
設定されるという意味は、零であっても良い、即ち、反
射電極8と透明電極44とが短絡しない限りにおいて、
TFT基板20の配向膜9とCF基板40の配向膜9と
が接触しても良く、また、わずかに隙間ができるように
形成されても良いことを意味する。しかしながら、液晶
層11に許容されるギャップ長dの値が、2.3μmか
ら3.1μmの範囲に設定される場合、ギャップ長dX
も2.3μmから3.1μmに設定されることが望まし
い。
The meaning that the gap length d X is set to 3.1 μm or less may be zero, that is, as long as the reflective electrode 8 and the transparent electrode 44 are not short-circuited.
This means that the alignment film 9 of the TFT substrate 20 and the alignment film 9 of the CF substrate 40 may be in contact with each other, or may be formed so as to have a slight gap. However, when the value of the gap length d allowed for the liquid crystal layer 11 is set in the range of 2.3 μm to 3.1 μm, the gap length d X
Is also preferably set to 2.3 μm to 3.1 μm.

【0035】この条件を確実に満たすために、第2バス
配線5と対向するCF基板側の領域に色層41及び色層
42の重なり領域を形成するのである。
In order to reliably satisfy this condition, an overlapping area of the color layers 41 and 42 is formed in the area on the CF substrate side facing the second bus wiring 5.

【0036】反射型液晶表示装置を以上のような構造と
することにより、CF基板側から液晶層に向かって入射
する光の反射光による表示色の黄変を防止することが可
能となる。
With the above-mentioned structure of the reflection type liquid crystal display device, it is possible to prevent the display color from yellowing due to the reflected light of the light incident from the CF substrate toward the liquid crystal layer.

【0037】本実施形態においては、異なる色層を2層
に重ねる例を示したが、上述したように、dXをdMAX
下にするためには、反射型液晶表示装置として許される
限りの範囲において、同じ色層を2層以上重ねる構造で
も、異なる2つ以上の色層を選択して3層以上重ねる構
造としても、また、色層ではない別の物質を色層に重ね
るように構成としても本発明の目的を達成できることは
明らかである。また、色層の厚さを約1μmとしたが、
色層自体の厚さを変えてdXを変えたり、色毎に色層の
厚さを変えてdXを調整することも可能である。
[0037] In this embodiment, an example of overlapping different color layer in two layers, as described above, to the d X below d MAX is the extent permitted as a reflective liquid crystal display device In the range, a structure in which two or more same color layers are overlapped, a structure in which two or more different color layers are selected and three or more layers are stacked, or a structure in which another substance other than the color layer is stacked on the color layer Obviously, the object of the present invention can be achieved. Also, the thickness of the color layer was about 1 μm,
Changing the d X by changing the color layer thickness of itself, it is also possible to adjust the d X by changing the thickness of the color layer in color.

【0038】また、色層を縦方向に積み上げてdXをd
MAX以下にする構造に加えて、反射型液晶表示装置の製
造時の重ね合わせばらつきにより、TFT基板20とC
F基板との間で合わせずれが生じるが、この影響を受け
ても液晶層11の厚さdXがdM AX以下になるように、色
層が重ねて形成される幅を、第1バス配線5の幅の0.
5〜1.0倍になるように設計しておけば良い。例え
ば、第1バス配線5の幅を6.0μmとすると、色層が
重ね合わせ幅は、3.0〜6.0μmとなるように設計
すれば良い。
Further, by stacking the color layers in the vertical direction, d x is set to d x
In addition to the structure below MAX , the TFT substrate 20 and C
Although misalignment between the F substrate occurs, so that the thickness d X of the liquid crystal layer 11 is also affected by this falls below d M AX, a width color layer is formed to overlap the first bus 0 of the width of the wiring 5.
What is necessary is just to design so that it may become 5 to 1.0 times. For example, assuming that the width of the first bus wiring 5 is 6.0 μm, the color layers may be designed so that the overlapping width is 3.0 to 6.0 μm.

【0039】また、上記説明では、第2透明基板31の
上に色層が重ねて形成される領域を第2のバス配線5に
対向する領域として説明したが、第1のバス配線2に対
向する第2透明基板31の領域にも、第2のバス配線5
に対向する領域と同様にして第2透明基板31の上に色
層を重ねて形成して、この領域に対応する液晶層の厚さ
ZもdMAX以下にする構造としても良いことは勿論であ
る。
In the above description, the region in which the color layer is formed on the second transparent substrate 31 is described as the region facing the second bus line 5, but the region facing the first bus line 2 is described. In the area of the second transparent substrate 31 to be
It is formed by in the same manner as the region facing overlapping color layers on the second transparent substrate 31, of course also be possible as a thickness d Z also below d MAX structure of the liquid crystal layer corresponding to the region It is.

【0040】さらに、第2透明基板31の上に色層が重
ねて形成される領域を第2のバス配線5に対向する領域
ではなく、第1のバス配線2に対向する第2透明基板3
1の領域にのみ形成する構造も、本実施形態の変形例と
して考えられる。
Furthermore, the area where the color layer is formed on the second transparent substrate 31 is not the area facing the second bus wiring 5 but the second transparent substrate 3 facing the first bus wiring 2.
A structure formed only in one region is also considered as a modification of the present embodiment.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明による反射型液晶表示装置におい
ては、TFT基板の上を縦横に並走するバス配線と対向
するCF基板の領域に、色層を重ねて形成するので、そ
の領域に対応する液晶層の厚さ(パネルギャップ)を、
確実に画素中央近傍に対応する液晶層の厚さ以下とする
ことができ、従って、黄色付き表示を抑制できる上限ギ
ャップ長よりも薄くすることができ、反射光による表示
色の黄変を確実に防止することが可能となる。
In the reflection type liquid crystal display device according to the present invention, a color layer is formed in a region of the CF substrate facing the bus wirings running in parallel on the TFT substrate vertically and horizontally. The thickness of the liquid crystal layer (panel gap)
The thickness of the liquid crystal layer corresponding to the vicinity of the center of the pixel can be reliably set to be equal to or less than the thickness of the liquid crystal layer. This can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態を説明するための反射型液晶
表示装置のTFT基板の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a TFT substrate of a reflection type liquid crystal display device for describing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態の反射型液晶表示装置の断面
図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図3】反射型液晶表示装置の黄色付き現象を説明する
ためのグラフである。
FIG. 3 is a graph for explaining a yellowing phenomenon of a reflective liquid crystal display device.

【図4】従来の反射型液晶表示装置のTFT基板の平面
図である。
FIG. 4 is a plan view of a TFT substrate of a conventional reflective liquid crystal display device.

【図5】従来の反射型液晶表示装置の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a conventional reflective liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、101 第1透明基板 2、102 第1バス配線 3、103 第1絶縁膜 4、104 半導体領域 5、105 第2バス配線 6、106 保護絶縁膜 7、107 開口部 8、108 反射電極 9、109 配向膜 10、110 液晶 11、111 液晶層 20、120 TFT基板 22、122 ゲート電極 25、125 ドレイン電極 31、131 第2透明基板 40、140 CF基板 41、42、43、141、142、143 色層 44、144 透明電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 101 1st transparent substrate 2, 102 1st bus wiring 3, 103 1st insulating film 4, 104 Semiconductor area 5, 105 2nd bus wiring 6, 106 Protective insulating film 7, 107 Opening 8, 108 Reflection electrode 9 , 109 orientation film 10, 110 liquid crystal 11, 111 liquid crystal layer 20, 120 TFT substrate 22, 122 gate electrode 25, 125 drain electrode 31, 131 second transparent substrate 40, 140 CF substrate 41, 42, 43, 141, 142, 143 color layer 44, 144 transparent electrode

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1基板の上に互いに並走して形成され
た複数の第1のバス配線と、前記第1のバス配線と絶縁
され、前記第1のバス配線と交差しつつ互いに並走して
形成された第2のバス配線と、前記第1のバス配線及び
前記第2のバス配線を覆って前記第1基板上に形成され
たTFT側絶縁膜と、前記TFT側絶縁膜の上に形成さ
れた反射電極と、前記反射電極を覆って前記TFT側絶
縁膜上に形成された配向膜とを有するTFT基板と、第
2基板の上に形成された互いに色の異なる複数の色層
と、前記色層を覆う透明電極と、前記透明電極を覆う配
向膜と、前記色層とは反対側の第2基板の上に形成され
た偏光板とを有するカラーフィルタ基板と、前記TFT
基板及び前記カラーフィルタ基板に狭持される液晶層と
を備える反射型液晶表示装置であって、前記第1のバス
配線及び前記第2のバス配線により区画される画素領域
の中央部に対応する液晶層のリターデーションΔndO
を反射光の黄色の色付きを抑制する所定の範囲Δnd
MIN〜ΔndMAXに設定するとき、前記互いに色の異なる
複数の色層が前記第2のバス配線と対向する第2基板上
の領域において重ねて形成され、かつ、少なくとも前記
第2のバス配線の上方に位置する液晶層のリターデーシ
ョンΔndXが、ΔndMAX以下に設定されることを特徴
とする反射型液晶表示装置。
A plurality of first bus lines formed in parallel with each other on a first substrate, insulated from the first bus lines, and arranged in parallel with each other while intersecting with the first bus lines. A second bus line formed by running, a TFT-side insulating film formed on the first substrate to cover the first bus line and the second bus line, and a TFT-side insulating film formed on the first substrate. A TFT substrate having a reflective electrode formed thereon and an alignment film formed on the TFT-side insulating film to cover the reflective electrode; and a plurality of different colors formed on the second substrate. A color filter substrate having a layer, a transparent electrode covering the color layer, an alignment film covering the transparent electrode, and a polarizing plate formed on a second substrate opposite to the color layer;
A reflective liquid crystal display device comprising a substrate and a liquid crystal layer sandwiched between the color filter substrates, the reflective liquid crystal display device corresponding to a central portion of a pixel area defined by the first bus wiring and the second bus wiring. Retardation of liquid crystal layer Δnd O
A predetermined range Δnd for suppressing the yellow coloring of the reflected light
When setting MIN to Δnd MAX , the plurality of color layers different in color from each other are formed so as to overlap in a region on the second substrate facing the second bus wiring, and at least the second bus wiring A reflection type liquid crystal display device, wherein a retardation Δnd X of a liquid crystal layer located above is set to Δnd MAX or less.
【請求項2】 前記液晶層のリターデーションΔndO
及びΔndXは、前記反射電極の表面が概略平坦である
とき、前記TFT基板の概略平坦な表面と前記カラーフ
ィルタ基板の概略平坦な表面に挟まれる液晶層のリター
デーションであり、前記反射電極の表面が凹凸を有する
とき、前記TFT基板の前記凹凸の振幅の平均値を呈す
る部分に対応する表面と前記カラーフィルタ基板の概略
平坦な表面に挟まれる液晶層のリターデーションである
請求項1記載の反射型液晶表示装置。
2. The retardation Δnd O of the liquid crystal layer.
And Δnd X are retardations of a liquid crystal layer sandwiched between the substantially flat surface of the TFT substrate and the substantially flat surface of the color filter substrate when the surface of the reflective electrode is substantially flat, The retardation of a liquid crystal layer sandwiched between a surface corresponding to a portion of the TFT substrate exhibiting an average value of the amplitude of the irregularities and a substantially flat surface of the color filter substrate when the surface has irregularities. Reflective liquid crystal display.
【請求項3】 前記液晶層のリターデーションΔndO
は、180〜250nmに設定される請求項2記載の反
射型液晶表示装置。
3. The retardation Δnd O of the liquid crystal layer.
The reflective liquid crystal display device according to claim 2, wherein is set to 180 to 250 nm.
【請求項4】 前記第2のバス配線と対向する第2基板
上の領域において前記互いに色の異なる複数の色層が重
ねて形成される幅は、前記第2のバス配線の幅の0.5
〜1.0倍である請求項1、2又は3記載の反射型液晶
表示装置。
4. A width in which the plurality of color layers having different colors are formed in a region on the second substrate facing the second bus wiring is set to be equal to 0. 2 of the width of the second bus wiring. 5
4. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the ratio is 1.0 to 1.0.
【請求項5】 前記第1のバス配線と対向する第2基板
上の領域においても前記互いに色の異なる複数の色層が
重ねて形成され、かつ、前記第1のバス配線の上方に位
置する液晶層のリターデーションΔndZが、ΔndMAX
以下に設定される請求項1、2、3又は4記載の反射型
液晶表示装置。
5. A plurality of color layers different in color from each other are also formed in a region on the second substrate opposite to the first bus line, and are located above the first bus line. The retardation Δnd Z of the liquid crystal layer is Δnd MAX
5. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflective liquid crystal display device is set as follows.
【請求項6】 前記第1のバス配線と対向する第2基板
上の領域において前記互いに色の異なる複数の色層が重
ねて形成される幅は、前記第1のバス配線の幅の0.5
〜1.0倍である請求項1乃至5のいずれかに記載の反
射型液晶表示装置。
6. The width in which the plurality of color layers having different colors are overlapped with each other in a region on the second substrate opposed to the first bus wiring is equal to 0. 1 of the width of the first bus wiring. 5
The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the ratio is 1.0 to 1.0 times.
【請求項7】 前記反射電極は、前記第1のバス配線及
び前記第2のバス配線の上方に対応する領域が開口され
て形成される請求項1乃至6のいずれかに記載の反射型
液晶表示装置。
7. The reflection type liquid crystal according to claim 1, wherein the reflection electrode is formed by opening a region corresponding to an area above the first bus wiring and the second bus wiring. Display device.
【請求項8】 前記液晶層の液晶のツイスト角が65〜
80°である請求項1乃至7のいずれかに記載の反射型
液晶表示装置。
8. The liquid crystal layer has a twist angle of 65 to 65.
The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the angle is 80 °.
【請求項9】 前記液晶層の液晶のツイスト角が70.
5〜74.5°である請求項1乃至7のいずれかに記載
の反射型液晶表示装置。
9. The liquid crystal layer has a twist angle of 70.
The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the angle is 5 to 74.5 °.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007034328A (en) * 2006-10-17 2007-02-08 Seiko Epson Corp Color filter substrate and electrooptical device
US7692739B2 (en) 2005-07-14 2010-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal panel and method of repairing same
WO2018149151A1 (en) * 2017-02-15 2018-08-23 京东方科技集团股份有限公司 Colour film substrate and manufacturing method therefor, display apparatus and gluing system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09152593A (en) * 1995-09-27 1997-06-10 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPH10268292A (en) * 1997-01-21 1998-10-09 Sharp Corp Color filter substrate and color filter display element
JP2000047189A (en) * 1998-07-28 2000-02-18 Sharp Corp Liquid crystal display element
JP2000171788A (en) * 1998-12-04 2000-06-23 Nec Corp Reflective liquid crystal display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09152593A (en) * 1995-09-27 1997-06-10 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPH10268292A (en) * 1997-01-21 1998-10-09 Sharp Corp Color filter substrate and color filter display element
JP2000047189A (en) * 1998-07-28 2000-02-18 Sharp Corp Liquid crystal display element
JP2000171788A (en) * 1998-12-04 2000-06-23 Nec Corp Reflective liquid crystal display device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7692739B2 (en) 2005-07-14 2010-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal panel and method of repairing same
JP2007034328A (en) * 2006-10-17 2007-02-08 Seiko Epson Corp Color filter substrate and electrooptical device
JP4678358B2 (en) * 2006-10-17 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 Color filter substrate and electro-optical device
WO2018149151A1 (en) * 2017-02-15 2018-08-23 京东方科技集团股份有限公司 Colour film substrate and manufacturing method therefor, display apparatus and gluing system
US10884284B2 (en) 2017-02-15 2021-01-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Color film substrate and preparation method therefor, display device and glue applying system

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