JP2002148132A - Micro pressure detection element, device using it, and health monitoring system - Google Patents

Micro pressure detection element, device using it, and health monitoring system

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JP2002148132A
JP2002148132A JP2000341908A JP2000341908A JP2002148132A JP 2002148132 A JP2002148132 A JP 2002148132A JP 2000341908 A JP2000341908 A JP 2000341908A JP 2000341908 A JP2000341908 A JP 2000341908A JP 2002148132 A JP2002148132 A JP 2002148132A
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small, light-weight and highly sensitive micro pressure detection element. SOLUTION: A tunnel magnetoresistance effect element (TMR element) 2 formed by arranging a magnetostrictive part 6 in a part of a magnetic member and using a thin-film technology and the like is provided in a sensor part 7, and through a change and the like of a reluctivity based on magnetostriction of the magnetostrictive part 6, a pressure change in a detection object is detected. In this way, the highly sensitive micro pressure-detection element 1 can be realized while reducing its size and weight.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、微小圧力検知素
子、この素子を用いた情報入力装置、血流系測定装置等
の装置及び健康監視システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a micro pressure detecting element, an information input device using the element, a device such as a blood flow measuring device, and a health monitoring system.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、健康診断器具、特に血流系測定
器具ないし装置としては、血圧計、心拍計、脈拍計、脈
波計等がある。例えば、脈波計としては、光電式脈波計
の他に圧電式脈波計等がある。圧電式の場合、圧電素子
により圧脈波を測定するもので、動脈上に圧電センサを
押付けて非観血式に脈波信号を読み取ることとなる。こ
の際、圧電センサは微小圧力センサ(微小圧力検知素
子)として機能するものであるが、このような微小圧力
センサとしては、磁歪素子を用いたセンサや電歪素子を
用いたセンサもある。血圧計、心拍計、脈拍計等に関し
ても基本的には同様である。
2. Description of the Related Art In general, there are a sphygmomanometer, a heart rate monitor, a pulse monitor, a pulse monitor, and the like as a health diagnostic device, particularly a blood flow measuring device or device. For example, as the pulse wave meter, there is a piezoelectric pulse wave meter in addition to the photoelectric pulse wave meter. In the case of the piezoelectric type, a pressure pulse wave is measured by a piezoelectric element, and a pulse wave signal is read non-invasively by pressing a piezoelectric sensor onto an artery. At this time, the piezoelectric sensor functions as a minute pressure sensor (a minute pressure detecting element). As such a minute pressure sensor, there is a sensor using a magnetostrictive element or a sensor using an electrostrictive element. The same applies to a sphygmomanometer, a heart rate monitor, a pulse meter and the like.

【0003】これらの血流系測定器具に関しては、家庭
的或いは携帯性を有する利用形態が普及しつつあり、G
PSシステムや携帯電話等の通信システムとの組合わせ
による健康監視システムへの応用も図られている(例え
ば、特開平10−40483号公報、特開平5−252
284号公報、特開平6−14128号公報等参照)。
With respect to these blood flow measuring instruments, home-use or portable use forms are becoming widespread.
Application to a health monitoring system in combination with a communication system such as a PS system or a mobile phone has also been attempted (for example, JP-A-10-40483, JP-A-5-252).
284, JP-A-6-14128, etc.).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の微小圧力センサでは、小型・軽量化の点及び感度
的な面でまだ十分とはいえず、改良の余地が多分にあ
る。
However, such a conventional minute pressure sensor is not yet sufficient in terms of size and weight and sensitivity, and there is much room for improvement.

【0005】そこで、本発明は、小型・軽量で高感度な
微小圧力検知素子を提供することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a small-sized, light-weight, high-sensitivity micro-pressure detecting element.

【0006】併せて、上記微小圧力検知素子を利用する
ことで機能アップを図れる微小圧力検知素子を用いた装
置及び健康監視システムを提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide an apparatus and a health monitoring system using the micro pressure detecting element which can be improved in function by using the micro pressure detecting element.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明の微
小圧力検知素子は、磁気部材の一部に磁歪部を有する磁
気抵抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気
抵抗効果素子又は磁気インピーダンス素子を、検知対象
物の圧力変化を検知するためのセンサ部に備える。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a minute pressure detecting element having a magnetostrictive portion in a part of a magnetic member, a giant magnetoresistive element, a tunnel magnetoresistive element, or a magnetic element. An impedance element is provided in a sensor unit for detecting a change in pressure of the detection target.

【0008】従って、薄膜技術等を用いて作製される磁
気抵抗効果素子(MR素子)、巨大磁気抵抗効果素子
(GMR素子)、トンネル磁気抵抗効果素子(TMR素
子)又は磁気インピーダンス素子(MI素子)をセンサ部
に備え、磁歪部の磁歪に基づく磁気抵抗率の変化等を通
じて検知対象物の圧力変化を検知するように構成したの
で、小型・軽量化を図れる上に、高感度なセンサを提供
できる。
Accordingly, a magnetoresistive element (MR element), a giant magnetoresistive element (GMR element), a tunnel magnetoresistive element (TMR element) or a magneto-impedance element (MI element) manufactured using a thin film technique or the like. Is provided in the sensor section, and the pressure change of the detection target is detected through a change in the magnetoresistance based on the magnetostriction of the magnetostriction section, so that a small and light weight can be achieved and a highly sensitive sensor can be provided. .

【0009】請求項2記載の発明の微小圧力検知素子
は、磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイル
を、検知対象物の圧力変化を検知するためのセンサ部に
備える。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a micro pressure detecting element including an electromagnetic induction coil having a magnetostrictive portion in a part of a magnetic member in a sensor portion for detecting a change in pressure of a detection target.

【0010】従って、電磁誘導コイルをセンサ部に備
え、磁歪部の磁歪に基づく電磁誘導の発生電圧の変化等
を通じて検知対象物の圧力変化を検知するように構成し
たので、小型・軽量化を図れる上に、高感度なセンサを
提供できる。
[0010] Therefore, the electromagnetic induction coil is provided in the sensor section and the pressure change of the object to be detected is detected through the change of the voltage generated by the electromagnetic induction based on the magnetostriction of the magnetostrictive section, so that the size and weight can be reduced. In addition, a highly sensitive sensor can be provided.

【0011】請求項3記載の発明は、請求項1記載の微
小圧力検知素子において、前記磁歪部だけを複数個並列
に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を持た
せた。
According to a third aspect of the present invention, in the micro pressure detecting element according to the first aspect, only the magnetostrictive portions are arranged in parallel, and the sensor portion has a plurality of detection points.

【0012】従って、請求項1記載の発明を実現する上
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
Therefore, in realizing the first aspect of the present invention, it is possible to easily form an array and to expand the use of the array.

【0013】請求項4記載の発明は、請求項1記載の微
小圧力検知素子において、前記磁歪部を1本の共通電極
として形成するとともに、前記磁歪部に対して対をなす
他方の磁気素子を前記共通電極と交差するように複数個
並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を
持たせた。
According to a fourth aspect of the present invention, in the micro pressure detecting element according to the first aspect, the magnetostrictive portion is formed as one common electrode, and the other magnetic element forming a pair with the magnetostrictive portion is formed. A plurality of detection points are provided in the sensor section by arranging a plurality of detection points in parallel so as to intersect with the common electrode.

【0014】従って、請求項1記載の発明を実現する上
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
Therefore, in realizing the first aspect of the present invention, it is possible to easily form an array and expand the use of the array.

【0015】請求項5記載の発明は、請求項1記載の微
小圧力検知素子において、前記磁歪部を複数本の共通電
極として並列に形成するとともに、前記磁歪部に対して
対をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差するよう
に複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の
検知点をマトリックス状に持たせ、マトリックス状の各
検知点にその検知動作をスイッチングする半導体スイッ
チ素子を有する。
According to a fifth aspect of the present invention, in the micro pressure detecting element according to the first aspect, the magnetostrictive portion is formed in parallel as a plurality of common electrodes, and the other magnetic pair forming a pair with the magnetostrictive portion. A semiconductor switch element for arranging a plurality of elements in parallel so as to intersect with the common electrode, providing the sensor unit with a plurality of detection points in a matrix, and switching the detection operation to each of the matrix-shaped detection points. Having.

【0016】従って、請求項1記載の発明を実現する上
で、2次元アレイ化、即ち、ドットマトリックス化を簡
単に図れ、利用用途を広げることができる。
Accordingly, in realizing the first aspect of the present invention, a two-dimensional array, that is, a dot matrix can be easily achieved, and the usage can be expanded.

【0017】請求項6記載の発明の情報入力装置は、各
々指で押圧操作される検知点がボタンキーに対応付けら
れた請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知
素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における
磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ボタンキーに対す
る入力操作を検知する。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an information input device comprising the minute pressure detecting element according to any one of the first to fifth aspects, wherein a detection point pressed by a finger is associated with a button key. An input operation on the button key is detected based on a pressure change due to magnetostriction in a sensor section of the minute pressure detecting element.

【0018】従って、請求項1ないし5の何れか一に記
載の微小圧力検知素子をボタンキーによる情報入力装置
に効果的に適用できる。
Therefore, the minute pressure detecting element according to any one of claims 1 to 5 can be effectively applied to an information input device using a button key.

【0019】請求項7記載の発明の情報入力装置は、各
々指で押圧操作される検知点が表示装置のポインタ表示
座標に対応付けられた請求項5記載の微小圧力検知素子
を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における磁気
歪みによる圧力変化に基づき前記ポインタ表示座標に対
する入力操作を検知する。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an information input device comprising the minute pressure detecting element according to the fifth aspect, wherein a detection point pressed by a finger is associated with a pointer display coordinate of a display device. An input operation on the pointer display coordinates is detected based on a pressure change due to magnetostriction in the sensor section of the pressure detecting element.

【0020】従って、請求項1ないし5の何れか一に記
載の微小圧力検知素子を表示装置のポインタ表示座標を
入力するための情報入力装置に効果的に適用できる。
Therefore, the minute pressure detecting element according to any one of claims 1 to 5 can be effectively applied to an information input device for inputting pointer display coordinates of a display device.

【0021】請求項8記載の発明の血流系測定装置は、
請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知素子
を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における磁歪
による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈波、心拍又は脈
拍なる血流系測定項目を検知する。
The blood flow system measuring device according to the invention of claim 8 is
A blood pressure system including a blood pressure, a pulse wave, a heartbeat or a pulse based on a pressure change of a pulse wave due to magnetostriction in a sensor unit of the minute pressure detection element, the blood pressure system including the minute pressure detection element according to any one of claims 1 to 5. Detect items.

【0022】本発明において、「血圧」とは、心臓の伸
縮により拍出された血液が血管内を循環している時に血
管壁に及ぼす血管内の圧力をいう。「脈波」とは、血液
が心臓の収縮により大動脈に押し出された時に発生した
血管内の圧力変化が末梢方向に伝搬する時の波動をい
い、この波動による血管内の圧力変化を捉えたものが圧
脈波となる。「心拍」とは、心臓の筋収縮に伴う鼓動で
あり、心拍数は筋収縮の速度を表す。「脈拍」とは、心
臓の筋収縮運動が、血管中に送られる血液によって動脈
に伝えられることにより周期的に生ずる鼓動をいう。こ
れらの何れの血流系測定項目も、圧力変化を伴う。
In the present invention, "blood pressure" refers to the pressure in a blood vessel exerted on a blood vessel wall when blood pumped by expansion and contraction of the heart circulates in the blood vessel. "Pulse wave" refers to the fluctuation of pressure in a blood vessel that occurs when blood is pushed into the aorta due to contraction of the heart and propagates in the peripheral direction. Becomes a pressure pulse wave. "Heartbeat" is a heartbeat accompanied by muscle contraction of the heart, and the heart rate represents the speed of muscle contraction. "Pulse" refers to a heartbeat that periodically occurs when a muscle contraction movement of the heart is transmitted to an artery by blood sent into a blood vessel. Any of these blood flow measurement items involves a pressure change.

【0023】従って、請求項1ないし5の何れか一に記
載の微小圧力検知素子を血圧、脈波、心拍又は脈拍なる
血流系測定項目を検知する血流系測定装置に効果的に適
用できる。
Therefore, the minute pressure detecting element according to any one of claims 1 to 5 can be effectively applied to a blood flow system measuring device for detecting a blood flow system measurement item such as blood pressure, pulse wave, heartbeat or pulse. .

【0024】請求項9記載の発明の健康診断端末装置
は、請求項8記載の血流系測定装置と、現在位置情報を
検知する位置情報検知手段と、前記血流系測定装置によ
り検出された血流系測定項目の情報と前記位置情報検知
手段により検知された現在位置情報とが入力される制御
装置と、この制御装置に入力された血流系測定項目の情
報と現在位置情報とを関連付けてメモリに記憶させる記
憶手段と、を備えて携帯性を有する。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a health diagnosis terminal device according to the eighth aspect, a position information detecting means for detecting current position information, and the blood flow system measuring device. Associating a blood flow system measurement item information and the current position information detected by the position information detection means with a control device, and associating the blood flow system measurement item information with the control device with the current position information And storage means for storing the data in a memory.

【0025】従って、請求項1ないし5の何れか一に記
載の軽量・小型で高感度な微小圧力検知素子を有する請
求項8記載の血流系測定装置を、位置情報検知手段とと
もに備えて携帯性を有するので、任意の場所で血流系測
定項目の情報と現在位置情報とを関連付けてメモリで管
理する健康診断端末装置を提供できる。
Therefore, the blood flow system measuring device according to claim 8 which has the light-weight, small-sized, high-sensitivity minute pressure detecting element according to any one of claims 1 to 5 is provided together with the position information detecting means. Therefore, it is possible to provide a health examination terminal device that associates information of a blood flow system measurement item with current position information and manages the information in a memory at an arbitrary place.

【0026】請求項10記載の発明の健康監視システム
は、請求項9記載の健康診断端末装置と、この健康診断
端末装置の前記メモリに記憶された血流系測定項目の情
報と現在位置情報とを送信出力する無線通信装置と、こ
の無線通信装置から送信された血流系測定項目の情報と
現在位置情報との入力を受けて当該健康診断端末装置所
有者の血流系測定項目と現在位置とを監視するホストコ
ンピュータと、を備える。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a health monitoring system according to the ninth aspect, wherein information on blood flow system measurement items and current position information stored in the memory of the health diagnosis terminal are provided. Receiving the input of the information on the blood flow system measurement item and the current position information transmitted from the wireless communication device, and the blood flow system measurement item and the current position of the health examination terminal device owner. And a host computer that monitors

【0027】従って、請求項9記載の健康診断端末装置
を備えるので、ホストコンピュータ側に健康診断端末装
置所有者の健康状況の把握を可能とするセンタ機能を持
たせることにより、健康診断端末装置所有者の健康状態
をその存在位置とともに常に監視でき、緊急事態発生等
の異常時には適宜伝える等の緊急対策を適正に採れる健
康監視システムを提供できる。
Accordingly, since the health examination terminal device according to the ninth aspect is provided, the host computer is provided with a center function that enables the health status of the owner of the health examination terminal device to be grasped. It is possible to provide a health monitoring system that can constantly monitor the health status of a person together with its location, and can appropriately take emergency measures such as appropriately reporting an emergency such as the occurrence of an emergency.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図1
ないし図5に基づいて説明する。本実施の形態の磁歪に
よる微小圧力検知素子1は、TMR素子(トンネル磁気
抵抗効果素子)2をセンサ部に用いたもので、基本的に
は、図4に示すように絶縁性の基板3上に積層させた第
1層4と、絶縁膜による第2層5と、第3層6との所定
のパターンの接合構造により形成されて、第1層4から
第2層5を介して第3層6にトンネル電流が流れる構造
のTMR素子2をセンサ部7に備える。ここに、第3層
6が磁歪部及び電極として機能し、第1層4が磁歪部に
対して対をなす他方の磁気素子及び電極として機能す
る。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
A description will be given based on FIG. The micro pressure detecting element 1 based on magnetostriction according to the present embodiment uses a TMR element (tunnel magnetoresistive element) 2 in a sensor section, and is basically formed on an insulating substrate 3 as shown in FIG. The first layer 4 is laminated by a predetermined pattern with a second layer 5 made of an insulating film and a third layer 6, and the third layer 6 is formed via the second layer 5 from the first layer 4. The sensor unit 7 includes a TMR element 2 having a structure in which a tunnel current flows through the layer 6. Here, the third layer 6 functions as a magnetostrictive portion and an electrode, and the first layer 4 functions as the other magnetic element and an electrode forming a pair with the magnetostrictive portion.

【0029】TMR素子は、近年において見出された現
象、即ち、強磁性体と絶縁膜と強磁性体との接合構造に
より形成されて、両強磁性体の磁化の相対角度に依存し
てトンネル効果が現れる強磁性体トンネル効果という現
象を利用したもので、例えば、特開平10−91925
号公報、特開平10−255231号公報中にも記載さ
れているように、S.Maeksawa and V.Gafvert等
は、IEEE Trans.Magn.,MAG−18,707(1982)に
おいて、磁性体/絶縁体/磁性体結合で両磁性層の磁化
の相対角度に依存してトンネル効果が現れることを理論
的、実験的に示している。
The TMR element is formed by a phenomenon found in recent years, that is, by a junction structure of a ferromagnetic material, an insulating film and a ferromagnetic material, and a tunnel is formed depending on a relative angle of magnetization of both ferromagnetic materials. It utilizes a phenomenon called a ferromagnetic tunnel effect in which an effect appears.
As described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-255231 and S.I. Makesawa and V. Gafvert et al., In IEEE Trans. Magn., MAG-18, 707 (1982), theoretically and experimentally demonstrated that a tunnel effect appears depending on the relative angle of magnetization of both magnetic layers in a magnetic / insulator / magnetic coupling. Is shown.

【0030】このようなTMR素子2に関する詳細構成
をその作製方法を含めて説明する。まず、図1に示すよ
うに、石英、ガラス等の絶縁性の基板3上に第1層4と
して一般的な無磁歪組成のFe20−Ni80膜をスパ
ッタリング法により0.1μm膜厚で成膜する。Fe2
0−Ni80膜自体は磁気抵抗効果素子膜であり、他方
の磁気素子として機能するが、第1層4としては、スピ
ン偏磁率の高い導電性磁性部材であればFe20−Ni
80膜以外にNi−Fe膜、CuMoパーマロイ膜、C
oZrNbアモルファス膜等であってもよい。抗磁力の
ような磁気特性は、目的とする磁界強度に応じて選択す
ればよい。また、Fe20−Ni80膜に関しては、メ
ッキ法によっても作製できる。また、第1層4の膜厚を
0.1μmとしたが、感度その他必要な条件に応じて、
適宜膜厚に設定すればよい。
The detailed configuration of such a TMR element 2 will be described including its manufacturing method. First, as shown in FIG. 1, an Fe20-Ni80 film having a general non-magnetostrictive composition is formed as a first layer 4 on an insulating substrate 3 made of quartz, glass or the like to a thickness of 0.1 μm by a sputtering method. . Fe2
The 0-Ni80 film itself is a magnetoresistive element film and functions as the other magnetic element. However, as the first layer 4, if it is a conductive magnetic member having a high spin polarization, Fe20-Ni is used.
80 film, Ni-Fe film, CuMo permalloy film, C
An oZrNb amorphous film or the like may be used. Magnetic properties such as coercive force may be selected according to the target magnetic field strength. Further, the Fe20-Ni80 film can also be manufactured by a plating method. Further, the thickness of the first layer 4 was set to 0.1 μm, but depending on sensitivity and other necessary conditions,
The thickness may be appropriately set.

【0031】次に、半導体製造工程に用いられる一般的
なフォトリソグラフィ技術とCF4+H2を用いたRIE
法(反応性イオンエッチング法)により、第1層4を図
2に示すようにパターン化する。ここでは、第1層4を
TMR素子2の一方の電極として機能させるため直線状
で、かつ、磁気抵抗効果素子として機能できるサイズで
ある幅10μm×長さ1mmのパターン形状とした。も
っとも、第1層4の寸法、形状は目的に応じて適宜変更
してもよい。また、エッチング処理としてはウェットエ
ッチング法であってもよく、この場合にはエッチング液
として王水を用いればよい。
Next, a general photolithography technique used in a semiconductor manufacturing process and RIE using CF 4 + H 2
By a method (reactive ion etching method), the first layer 4 is patterned as shown in FIG. Here, the first layer 4 was formed in a linear shape so as to function as one electrode of the TMR element 2 and had a pattern shape of 10 μm in width × 1 mm in length, which was a size capable of functioning as a magnetoresistive effect element. However, the dimensions and the shape of the first layer 4 may be appropriately changed according to the purpose. Further, the etching treatment may be a wet etching method, and in this case, aqua regia may be used as an etching solution.

【0032】つづいて、図3に示すように、このような
第1層4の上に第2層5の絶縁膜としてAl23膜をス
パッタリング法により成膜する。この成膜にはEB法
(電子ビーム法)やCVD法(化学気相成長法)などを
用いてもよい。そして、第1層4の場合と同様に、一般
的なフォトリソグラフィ技術とCF4+H2を用いたRI
E法により第2層5をパターン化する。この第2層5の
絶縁材料としては、SiO2等の他の絶縁材料でも機能
するが、特性上はAl23膜が優れている。Alを成膜
した後で、大気中や真空中でプラズマ酸化させる方法で
あってもよい。絶縁層である第2層5のエッチングとし
ては、ウェットエッチングでもよいが、基板3もエッチ
ングされてしまう場合には基板3の裏面側をレジストな
どにより保護する必要がある。
Subsequently, as shown in FIG. 3, an Al 2 O 3 film is formed on the first layer 4 as an insulating film of the second layer 5 by a sputtering method. For this film formation, an EB method (electron beam method), a CVD method (chemical vapor deposition method), or the like may be used. Then, as in the case of the first layer 4, a general photolithography technique and RI using CF 4 + H 2 are used.
The second layer 5 is patterned by the E method. As the insulating material of the second layer 5, other insulating materials such as SiO 2 can function, but an Al 2 O 3 film is excellent in characteristics. After the Al film is formed, a method of performing plasma oxidation in the air or in a vacuum may be used. The etching of the second layer 5 which is an insulating layer may be wet etching, but when the substrate 3 is also etched, it is necessary to protect the back surface of the substrate 3 with a resist or the like.

【0033】また、基板3としては、石英以外の絶縁基
板やPET(ポリエチレンテレフタレート)やポリイミ
ドなどを利用したフレキシブル絶縁基板であってもよ
い。設計ルールによっては、フォトリソグラフィ工程に
よらず、最初から金属マスクを用いて成膜させる工程に
よってもよい。
The substrate 3 may be an insulating substrate other than quartz or a flexible insulating substrate using PET (polyethylene terephthalate), polyimide, or the like. Depending on the design rule, a step of forming a film from the beginning using a metal mask may be used instead of the photolithography step.

【0034】この後、図4に示すように、絶縁層である
第2層5の上に、第3層6として磁歪定数の大きなFe
−Co50膜をスパッタ法により成膜し、第1層4の場
合と同様にフォトリソグラフィ法により第1層4のパタ
ーンに直交するパターンにパターン化する。この第3層
6は全面ではなく、その一部に磁歪定数の大きな部材を
設ける構成としてもよく、また、他の高磁歪薄膜であっ
てもよい。
Thereafter, as shown in FIG. 4, on the second layer 5 which is an insulating layer, an Fe layer having a large magnetostriction constant is formed as a third layer 6.
-A Co50 film is formed by a sputtering method, and is patterned into a pattern orthogonal to the pattern of the first layer 4 by a photolithography method as in the case of the first layer 4. The third layer 6 may have a structure in which a member having a large magnetostriction constant is provided on a part thereof, not on the entire surface, or may be another high magnetostriction thin film.

【0035】このような微小圧力検知素子1におけるT
MR素子2に対する検知回路構成例を図5に示す。各々
電極として機能する第1層4の一端と第3層6の一端と
の間に直流電源8を接続し、第1層4の他端と第3層6
の他端との間に微小電流計9を接続することで、第1層
4から第2層5を介して第3層6に直流のトンネル電流
を流した場合の電流の変化を微小電流計9により検出す
る構成である。この検出動作において、当該TMR素子
2には一様な外部磁界が印加される。ここに、当該TM
R素子2は微小圧力検知素子1においてセンサ部7に設
けられており、磁歪部として機能する第3層6が検知対
象物からの外部圧力印加を感じてその磁性が変化すると
(磁歪変化)、その変化に伴いTMR素子2としての磁
気抵抗の変化率(MR率)も変化することとなり、磁歪
による微小圧力の変化を高感度に検知できることとにな
る。
T in such a minute pressure detecting element 1
FIG. 5 shows a configuration example of a detection circuit for the MR element 2. A DC power supply 8 is connected between one end of the first layer 4 and one end of the third layer 6 each functioning as an electrode, and the other end of the first layer 4 and the third layer 6 are connected.
A microammeter 9 is connected to the other end of the micrometer so that a change in current when a DC tunnel current flows from the first layer 4 to the third layer 6 via the second layer 5 can be measured. 9 is a configuration for detection. In this detection operation, a uniform external magnetic field is applied to the TMR element 2. Here, the TM
The R element 2 is provided in the sensor section 7 of the micro pressure detection element 1, and when the third layer 6 functioning as a magnetostrictive section senses an external pressure applied from the detection target and changes its magnetism (magnetostriction change), With the change, the rate of change (MR rate) of the magnetoresistance as the TMR element 2 also changes, so that a change in minute pressure due to magnetostriction can be detected with high sensitivity.

【0036】従って、本実施の形態の微小圧力検知素子
1によれば、磁歪部となる第3層6を一部に有するTM
R素子2をセンサ部7に用いることにより構成されてい
るので、センサの小型・軽量化を図れる上に、磁歪によ
る微小圧力の変化を高感度に検知することができる。よ
って、後述する情報入力装置や血流系測定装置等に適用
すると、極めて効果的となる。
Therefore, according to the micro pressure detecting element 1 of the present embodiment, the TM having the third layer 6 serving as a magnetostrictive part in a part thereof
Since the sensor element 7 is configured by using the R element 2, it is possible to reduce the size and weight of the sensor and to detect a small change in pressure due to magnetostriction with high sensitivity. Therefore, when it is applied to an information input device, a blood flow system measurement device, and the like, which will be described later, it is extremely effective.

【0037】なお、本実施の形態では、センサ部7にT
MR素子2を備えた構成としたが、TMR素子2に限ら
ず、磁気部材の一部に磁歪部を有する素子、具体的には
磁気抵抗効果素子(MR素子)、巨大磁気抵抗効果素子
(GMR素子)又は磁気インピーダンス素子(MI素子)
であってもよく、同様の効果が得られる。また、磁気部
材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイルをセンサ部に
備えた構成としてもよい。この場合、磁歪部の磁歪に基
づく電磁誘導の発生電圧の変化等を通じて検知対象物の
圧力変化を検知することとなる。
In the present embodiment, the sensor section 7 has T
Although the configuration includes the MR element 2, the present invention is not limited to the TMR element 2, but an element having a magnetostrictive portion in a part of a magnetic member, specifically, a magnetoresistive element (MR element), a giant magnetoresistive element (GMR element). Element) or magneto-impedance element (MI element)
And the same effect can be obtained. Further, a configuration may be adopted in which an electromagnetic induction coil having a magnetostrictive part in a part of the magnetic member is provided in the sensor unit. In this case, a change in the pressure of the detection target is detected through a change in a voltage generated by electromagnetic induction based on the magnetostriction of the magnetostrictive portion.

【0038】本発明の第二の実施の形態を図6及び図7
に基づいて説明する。第一の実施の形態で説明した部分
と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する
(以降の各実施の形態でも順次同様とする)。
FIGS. 6 and 7 show a second embodiment of the present invention.
It will be described based on. The same parts as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
(The same applies to each of the following embodiments.)

【0039】本実施の形態の微小圧力検知素子11で
は、磁歪部として機能する第3層6を第3層6a〜6f
で示す如く複数個(例えば、6個)に分割しつつ並列に
配置させることで、センサ部7に関して、下層の第1層
4と交差する部分、例えば、6箇所に検知点12a〜1
2fを持たせたアレイ状構成としたものである。結果と
して、各第3層6a〜6f毎に第1層4との間でTMR
素子を構成することとなる。
In the micro pressure detecting element 11 of the present embodiment, the third layer 6 functioning as a magnetostrictive portion is replaced with the third layers 6a to 6f.
By arranging them in parallel while dividing them into a plurality (for example, six) as shown by, the detection points 12a to 1a at the intersections of the sensor unit 7 with the lower first layer 4, for example, at six places
This is an array configuration having 2f. As a result, TMR between each third layer 6a to 6f and the first layer 4 is performed.
This constitutes an element.

【0040】製造方法としては、第一の実施の形態の場
合と同様に第1層4及び第2層5を形成した後、前述の
場合と同様に、磁歪定数の大きなFe−Co50膜をス
パッタリング法により成膜し、かつ、フォトリソグラフ
ィ法により複数に分割するパターン化処理により磁歪部
として機能する第3層6a〜6fを形成することにより
作製される。
As a manufacturing method, after forming the first layer 4 and the second layer 5 in the same manner as in the first embodiment, an Fe-Co50 film having a large magnetostriction constant is sputtered in the same manner as described above. It is formed by forming a third layer 6a to 6f functioning as a magnetostrictive portion by a patterning process of forming a film by a photolithography method and dividing the film into a plurality of pieces by a photolithography method.

【0041】この場合の微小圧力検知素子11に対する
検知回路構成例としては、図7に示すように、各々電極
としても機能する各第3層6a〜6fに対してスイッチ
ング回路13を介して微小電流計9が接続されており、
スイッチング回路13のスイッチング動作により各検知
点12a〜12f毎に個別に第3層6a〜6fによる磁
歪部の圧力感知に伴う磁性変化が個別のTMR素子のM
R率の変化として確実かつ高感度に検知される。
As an example of a detection circuit configuration for the minute pressure detecting element 11 in this case, as shown in FIG. 7, a minute current is applied to each of the third layers 6a to 6f, which also function as electrodes, via the switching circuit 13. 9 in total,
Due to the switching operation of the switching circuit 13, the magnetic change due to the sensing of the pressure of the magnetostrictive portion by the third layers 6a to 6f is individually performed for each of the detection points 12a to 12f.
It is reliably and highly sensitively detected as a change in the R rate.

【0042】従って、本実施の形態の微小圧力検知素子
11によれば、検知点12a〜12fが複数点としてア
レイ状に配列されているので、第一の実施の形態の場合
と同様の効果が得られる上に、利用用途を適宜広げるこ
とができ、より実用的となる。
Therefore, according to the minute pressure detecting element 11 of this embodiment, since the detection points 12a to 12f are arranged in an array as a plurality of points, the same effect as in the first embodiment can be obtained. In addition to being obtained, the usage can be expanded as appropriate, which makes it more practical.

【0043】本発明の第三の実施の形態を図8及び図9
に基づいて説明する。本実施の形態の微小圧力検知素子
21は、端的には、微小圧力検知素子11の場合と、T
MR素子部分のパターン構成を逆にしたものである。即
ち、表面側に位置して磁歪部として機能する第3層6を
1本の共通電極として形成するとともに、下層側に位置
して他方の磁気素子及び電極として機能する第1層4を
第1層4a〜4gとして第3層6に交差するよう並列に
配置させたパターンとして形成されている。これによ
り、センサ部7に関して、下層の第1層4a〜4gと表
層の第3層6とが交差する部分、例えば7箇所に検知点
22a〜22gを持たせたアレイ状構成とされている。
結果として、各第1層4a〜4g毎に表層の第3層6と
の間でTMR素子を構成することとなる。
FIGS. 8 and 9 show a third embodiment of the present invention.
It will be described based on. The minute pressure detecting element 21 of the present embodiment is, in short, the case of the minute pressure detecting element 11 and T
The pattern configuration of the MR element is reversed. That is, the third layer 6 located on the surface side and functioning as a magnetostrictive part is formed as one common electrode, and the first layer 4 located on the lower layer side and functioning as the other magnetic element and electrode is formed as the first layer. The layers 4 a to 4 g are formed as patterns arranged in parallel so as to cross the third layer 6. Thus, the sensor section 7 has an array configuration in which the lower first layers 4a to 4g and the surface third layer 6 intersect, for example, seven detection points 22a to 22g.
As a result, a TMR element is formed between each of the first layers 4a to 4g and the third layer 6 as the surface layer.

【0044】製造方法としては、第一の実施の形態の場
合と同様に基板3上にFe20−Ni80膜を成膜した
後、フォトリソグラフィ法によりパターン化して第1層
4a〜4gを形成する。この後、前述の場合と同様に、
第2層5、第3層6の成膜・パターニングを行なうこと
により作製される。
As a manufacturing method, as in the case of the first embodiment, an Fe20-Ni80 film is formed on the substrate 3 and then patterned by photolithography to form the first layers 4a to 4g. Then, as before,
It is manufactured by forming and patterning the second layer 5 and the third layer 6.

【0045】この場合の微小圧力検知素子21に対する
検知回路構成例としては、図9に示すように、各々電極
としても機能する各第1層4a〜4gに対してスイッチ
ング回路23を介して微小電流計9が接続されており、
スイッチング回路23のスイッチング動作により各検知
点22a〜22g毎に個別に第3層6の磁歪部における
圧力感知に伴う磁性変化が個別のTMR素子のMR率の
変化として確実かつ高感度に検知される。
As an example of a detection circuit configuration for the minute pressure detection element 21 in this case, as shown in FIG. 9, a minute current is applied to each of the first layers 4a to 4g, which also function as electrodes, via the switching circuit 23. 9 in total,
By the switching operation of the switching circuit 23, a magnetic change due to the pressure sensing in the magnetostrictive portion of the third layer 6 is individually and reliably detected as a change in the MR rate of the individual TMR element for each of the detection points 22a to 22g. .

【0046】従って、本実施の形態の微小圧力検知素子
21によれば、検知点22a〜22gが複数点としてア
レイ状に配列されているので、第一の実施の形態の場合
と同様の効果が得られる上に、利用用途を適宜広げるこ
とができ、より実用的となる。
Therefore, according to the minute pressure detecting element 21 of the present embodiment, since the detecting points 22a to 22g are arranged in an array as a plurality of points, the same effect as in the first embodiment can be obtained. In addition to being obtained, the usage can be expanded as appropriate, which makes it more practical.

【0047】本発明の第四の実施の形態を図10及び図
11に基づいて説明する。本実施の形態の微小圧力検知
素子31は、端的には、微小圧力検知素子11と微小圧
力検知素子21とを組合わせた構成としたものである。
即ち、表面側に位置して磁歪部として機能する第3層6
を例えば6本の共通電極なる第3層6a〜6fとして分
割して並列に形成するとともに、下層側に位置して他方
の磁気素子として機能する第1層4も第1層4a〜4g
として第3層6a〜6fの各々に交差するよう並列に配
置させたマトリックス状パターンとして形成されてい
る。これにより、センサ部7に関して、下層の第1層4
a〜4gと表層の第3層6a〜6fとが交差する部分、
例えば42箇所に検知点を持たせた2次元アレイ状=ド
ットマトリックス状構成とされている。結果として、4
2箇所の各検知点毎にTMR素子を構成することとな
る。ここに、各検知点について第1層4a〜4gの下層
には半導体スイッチ素子としてのダイオードスイッチ3
2が介在されている。
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The minute pressure detecting element 31 of the present embodiment has a configuration in which the minute pressure detecting element 11 and the minute pressure detecting element 21 are combined.
That is, the third layer 6 located on the surface side and functioning as a magnetostrictive portion
Are divided and formed in parallel as third layers 6a to 6f, for example, six common electrodes, and the first layer 4 located on the lower layer side and functioning as the other magnetic element is also the first layers 4a to 4g.
Are formed as a matrix pattern arranged in parallel so as to cross each of the third layers 6a to 6f. Thereby, regarding the sensor section 7, the lower first layer 4
parts where a-4g intersect with the third layers 6a-6f of the surface layer,
For example, a two-dimensional array = dot matrix configuration having 42 detection points is provided. As a result, 4
A TMR element is configured for each of the two detection points. Here, a diode switch 3 as a semiconductor switch element is provided below the first layers 4a to 4g for each detection point.
2 is interposed.

【0048】製造方法としては、基板3上にAl配線パ
ターン33a〜33gをスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法によりパターニングして形
成する。これらのAl配線パターン33a〜33g上に
アモルファスSiを作製することによりダイオードスイ
ッチ32a〜32gを設ける。シランガスを用いた一般
的なCVD法による成膜と一般的なフォトリソグラフィ
法によればよく、P層に対してはボロンをドープし、N
層にはリンをドープすることで、PNジャンクションを
形成することで、ダイオードスイッチとした。もっと
も、アモルファスSi以外にZnO薄膜やSiGe薄膜
等を利用しダイオードを形成するようにしてもよい。さ
らに、第三の実施の形態の場合と同様に、ダイオードス
イッチ32a〜32f上に、Fe20−Ni80膜を成
膜した後、フォトリソグラフィ法によりパターン化して
第1層4a〜4fを形成する。この後、第2層5を成膜
し、さらに、第二の実施の形態の場合と同様に、磁歪定
数の大きなFe−Co50膜をスパッタリング法により
成膜し、かつ、フォトリソグラフィ法により複数に分割
するパターン化処理により磁歪部として機能する第3層
6a〜6fを形成することにより作製される。
As a manufacturing method, Al wiring patterns 33a to 33g are formed on the substrate 3 by a sputtering method and then patterned by a photolithography method. Diode switches 32a to 32g are provided by forming amorphous Si on these Al wiring patterns 33a to 33g. A film may be formed by a general CVD method using silane gas and a general photolithography method. The P layer is doped with boron,
The layer was doped with phosphorus to form a PN junction, thereby forming a diode switch. Of course, a diode may be formed using a ZnO thin film, a SiGe thin film, or the like other than amorphous Si. Further, as in the case of the third embodiment, an Fe20-Ni80 film is formed on the diode switches 32a to 32f, and then patterned by photolithography to form the first layers 4a to 4f. Thereafter, a second layer 5 is formed, and a Fe—Co 50 film having a large magnetostriction constant is formed by a sputtering method, and a plurality of films are formed by a photolithography method, as in the second embodiment. It is manufactured by forming third layers 6a to 6f functioning as magnetostrictive portions by patterning processing for division.

【0049】この場合の微小圧力検知素子31に対する
検知回路構成例としては、図11に示すように、直流電
源8に対してスイッチング回路34を介して各Al配線
パターン33a〜33f(第1層4a〜4f)が接続さ
れ、スイッチング回路35を介して各第3層6a〜6f
が接続され、各検知点に位置するダイオードスイッチ3
2a〜32fのスイッチングを経て選択された任意の1
箇所の検知点(TMR素子)に対してのみ電圧印加が可
能とされている。一方、微小電流計9に対しては、スイ
ッチング回路36を介して各Al配線パターン33a〜
33f(第1層4a〜4f)が接続され、スイッチング
回路37を介して各第3層6a〜6fが接続され、各検
知点に位置するダイオードスイッチ32a〜32fのス
イッチングを経て選択された任意の1箇所の検知点(T
MR素子)における電流のみを検知可能とされている。
As an example of a detection circuit configuration for the minute pressure detection element 31 in this case, as shown in FIG. 11, each of the Al wiring patterns 33a to 33f (the first layer 4a) is connected to the DC power supply 8 via the switching circuit 34. To 4f) are connected, and each of the third layers 6a to 6f is connected via the switching circuit 35.
Is connected and the diode switch 3 located at each detection point
Any one selected through the switching of 2a to 32f
A voltage can be applied only to a certain detection point (TMR element). On the other hand, with respect to the minute ammeter 9, each of the Al wiring patterns 33 a to 33 a through the switching circuit 36.
33f (the first layers 4a to 4f) are connected, the third layers 6a to 6f are connected via the switching circuit 37, and an arbitrary selected through switching of the diode switches 32a to 32f located at the respective detection points. One detection point (T
Only the current in the MR element can be detected.

【0050】従って、本実施の形態の微小圧力検知素子
31によれば、検知点が複数点として2次元アレイ状=
ドットマトリックス状に配列されているので、第一の実
施の形態の場合と同様の効果が得られる上に、第二、第
三の実施の形態の場合よりもより一層利用用途を適宜広
げることができ、より実用的となる。特に、2次元セン
サアレイとして利用できるので、ドット状の各検知点毎
により高精度な圧力測定が可能となる。
Therefore, according to the minute pressure detecting element 31 of this embodiment, the number of detection points is two-dimensional
Since they are arranged in the form of a dot matrix, the same effects as in the first embodiment can be obtained, and further, the usage can be appropriately expanded more than in the second and third embodiments. Can be made more practical. In particular, since it can be used as a two-dimensional sensor array, highly accurate pressure measurement can be performed for each dot-shaped detection point.

【0051】本発明の第五の実施の形態を図12に基づ
いて説明する。本実施の形態以降の各実施の形態は、前
述したような微小圧力検知素子の適用例を例示するもの
である。
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Each of the embodiments after this embodiment exemplifies an application example of the minute pressure detecting element as described above.

【0052】本実施の形態は、例えば微小圧力検知素子
11を指操作によるキーボード代わりの情報入力装置4
1として利用した情報端末42への適用例を示す。この
情報端末42においては、ハンディタイプの当該端末筐
体の表面に情報入力装置41の操作面が露出状態で設け
られている他、表示装置の表示部43も露出状態で設け
られている。さらに、情報入力装置41からの信号の入
力を受けたり表示装置による表示部43の表示を制御す
るマイコン構成の処理装置44が内蔵されている。ここ
に、情報入力装置41を構成する微小圧力検知素子11
にあっては、アレイ状配置の各検知点12a〜12fに
対応させて押印ボタンキー45a〜45fが割り当てら
れている。
In the present embodiment, for example, the information input device 4 is used instead of the keyboard by operating the minute pressure detecting element 11 by finger operation.
An example of application to the information terminal 42 used as 1 is shown. In the information terminal 42, the operation surface of the information input device 41 is provided on the surface of the handy type terminal housing in an exposed state, and the display unit 43 of the display device is also provided in an exposed state. Further, a processing device 44 having a microcomputer configuration for receiving a signal input from the information input device 41 and controlling the display of the display unit 43 by the display device is incorporated. Here, the minute pressure detecting element 11 constituting the information input device 41
In the above, stamp button keys 45a to 45f are assigned to correspond to the respective detection points 12a to 12f in the array.

【0053】このような情報端末42において、ユーザ
が押印ボタンキー45a〜45fの何れかの個所を指で
押圧操作すると、対応する検知点において前述した微小
圧力検知素子11における磁歪による圧力変化として検
知されるので、キーボード代わりの情報入力装置41と
して機能し得る。この際、処理装置44にあっては、微
小圧力検知素子11の各検知点12a〜12fから得ら
れる信号について予め設定されている平均的な押圧操作
パターン信号と比較することにより、実際に押圧操作が
されたか否かを判断しており、誤動作なく押圧している
真の押圧操作による押印ボタンキー45a〜45fのみ
を検知して入力信号とすることができる。入力判定され
た押印ボタンキー45a〜45fの何れかの入力情報は
表示部43においてキー入力情報として表示される。
In the information terminal 42, when the user presses any one of the stamp button keys 45a to 45f with a finger, the information is detected as a pressure change due to the magnetostriction in the minute pressure detecting element 11 at the corresponding detection point. Therefore, it can function as the information input device 41 instead of the keyboard. At this time, the processing device 44 compares the signals obtained from the detection points 12a to 12f of the minute pressure detection element 11 with an average pressing operation pattern signal that is set in advance, thereby actually performing the pressing operation. It is possible to detect only the stamping button keys 45a to 45f by a true pressing operation pressed without malfunction, and use the detected signals as input signals. The input information of any of the stamp button keys 45a to 45f for which the input has been determined is displayed on the display unit 43 as key input information.

【0054】本発明の第六の実施の形態を図13に基づ
いて説明する。本実施の形態は、例えば検知点を2次元
アレイ状=ドットマトリックス状に有する微小圧力検知
素子31を指操作によるポインタ代わりの情報入力装置
51として利用した情報端末52への適用例を示す。こ
の情報端末52においては、ハンディタイプの当該端末
筐体の表面に情報入力装置51の操作面が露出状態で設
けられている他、表示装置の表示部53も露出状態で設
けられている。さらに、情報入力装置51からの信号の
入力を受けたり表示装置による表示部53の表示を制御
するマイコン構成の処理装置54が内蔵されている。こ
こに、情報入力装置51を構成する微小圧力検知素子3
1にあっては、アレイ状配置の各検知点が存在するセン
サ部7の領域が指押圧操作による入力エリアとして設定
されている。
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment shows an example of application to an information terminal 52 using, for example, a minute pressure detecting element 31 having detection points in a two-dimensional array = dot matrix as an information input device 51 instead of a pointer operated by a finger. In the information terminal 52, the operation surface of the information input device 51 is provided on the surface of the handy type terminal housing in an exposed state, and the display unit 53 of the display device is also provided in an exposed state. Further, a processing device 54 having a microcomputer structure for receiving a signal input from the information input device 51 and controlling the display of the display unit 53 by the display device is incorporated. Here, the minute pressure detecting element 3 constituting the information input device 51
In 1, the area of the sensor unit 7 where each detection point of the array arrangement exists is set as an input area by a finger pressing operation.

【0055】このような情報端末52において、ユーザ
がセンサ部7による入力エリア内の何れかの個所を指で
押圧操作しながら動かすと、対応する検知点において前
述した微小圧力検知素子31における磁歪による圧力変
化として順次検知されるので、ポインタ代わりの情報入
力装置52として機能し得る。この際、処理装置54に
あっては、微小圧力検知素子31の各検知点から得られ
る信号について予め設定されている平均的な押圧操作パ
ターン信号と比較することにより、実際に押圧操作がさ
れたか否かを判断しており、誤動作なく押圧している真
の押圧操作を受けた個所のみを検知してポインタ入力信
号とすることができる。入力判定された押圧個所の入力
情報は表示部53においてポインタ入力情報として表示
される。
In such an information terminal 52, when the user moves while pressing any part in the input area of the sensor unit 7 with his / her finger, the corresponding detection point is caused by the magnetostriction in the minute pressure detecting element 31 described above. Since it is sequentially detected as a pressure change, it can function as an information input device 52 instead of a pointer. At this time, in the processing device 54, by comparing a signal obtained from each detection point of the minute pressure detection element 31 with a preset average pressing operation pattern signal, whether the pressing operation was actually performed is determined. It is possible to detect only a portion that has been subjected to a true pressing operation that is being pressed without malfunction, and use it as a pointer input signal. The input information of the pressed location determined to be input is displayed on the display unit 53 as pointer input information.

【0056】本発明の第七の実施の形態を図14に基づ
いて説明する。本実施の形態は、例えば微小圧力検知素
子1を指先での押圧操作に基づき測定対象者の脈波を検
知する脈波計なる血流系測定装置61として利用した情
報端末62への適用例を示す。この情報端末62におい
ては、ハンディタイプの当該端末筐体の表面に血流系測
定装置61のセンサ部7が押圧測定面として露出状態で
設けられている他、表示装置の表示部63も露出状態で
設けられている。さらに、血流系測定装置61からの信
号の入力を受けて演算処理を行ったり表示装置による表
示部63の表示を制御するマイコン構成の処理装置64
が内蔵されている。
A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment is an example of application to an information terminal 62 in which a micro pressure detecting element 1 is used as a blood flow system measuring device 61 such as a pulse wave meter for detecting a pulse wave of a person to be measured based on a pressing operation with a fingertip. Show. In this information terminal 62, the sensor unit 7 of the blood flow system measurement device 61 is provided on the surface of the handy type terminal housing in an exposed state as a pressing measurement surface, and the display unit 63 of the display device is also exposed. It is provided in. Further, a processing device 64 having a microcomputer configuration for performing arithmetic processing upon receiving a signal from the blood flow measuring device 61 and controlling the display of the display unit 63 by the display device.
Is built-in.

【0057】このような情報端末62において、ユーザ
がセンサ部7を指先で所定時間押圧操作していると、そ
の押圧操作に伴い測定対象者の指先での脈波が前述した
微小圧力検知素子1における磁歪による圧力変化として
検知され、その情報が処理装置64に取り込まれる。こ
の際、処理装置64にあっては、微小圧力検知素子1か
ら得られる信号について予め設定されている平均的な脈
波の圧力変動パターン信号と比較することにより、当該
測定対象者の脈波を算出し、その結果を測定結果として
表示部63に表示させる。
In the information terminal 62, when the user presses the sensor unit 7 with the fingertip for a predetermined time, the pulse wave at the fingertip of the person to be measured accompanies the pressing operation. Is detected as a change in pressure due to magnetostriction in, and the information is taken into the processing device 64. At this time, the processing device 64 compares the signal obtained from the minute pressure detecting element 1 with a preset average pulse wave pressure fluctuation pattern signal to determine the pulse wave of the measurement subject. The calculation is performed, and the result is displayed on the display unit 63 as a measurement result.

【0058】なお、本実施の形態では、脈波を血流系測
定項目としたが、血圧或いは脈拍を血流系測定象項目と
して脈波に基づき測定するようにしてもよい。さらに
は、心拍を血流系測定項目として測定するようにしても
よい。
In the present embodiment, a pulse wave is used as a blood flow measurement item, but a blood pressure or a pulse may be measured based on a pulse wave as a blood flow measurement item. Further, the heart rate may be measured as a blood flow system measurement item.

【0059】本発明の第八の実施の形態を図15に基づ
いて説明する。本実施の形態は、前述の情報端末62中
の処理装置64を制御装置として利用するとともに、例
えばGPS(Global Positioning System)のGPS
信号を受信して現在位置情報を検知するGPS受信装置
を利用した位置情報検知手段65と、メモリ66とが付
加されて、携帯性を有するハンディタイプの健康診断端
末装置67として構成されている。位置情報検知手段6
5は詳細は略すが周知の如くGPS信号の受信に基づき
当該健康診断端末装置67の所在位置、即ち、測定対象
者の地球上での現在位置を認識するものである。GPS
利用に限らず、方位センサ等を利用した位置情報検知手
段65であってもよい。処理装置64は前述の第七の実
施の形態で説明したように血流系測定装置61により測
定された血流系測定項目の情報と位置情報検知手段65
により随時検知される現在位置情報とを測定時点によっ
て両者を関連付けてメモリ66に記憶させる記憶手段の
機能も果たす。
An eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the processing device 64 in the information terminal 62 is used as a control device, and for example, a GPS (global positioning system) GPS
A location information detecting means 65 using a GPS receiver for receiving a signal to detect current location information and a memory 66 are added to constitute a handy-type health examination terminal device 67 having portability. Position information detecting means 6
Reference numeral 5 is for recognizing the location of the medical examination terminal device 67 based on the reception of the GPS signal, that is, the current position of the measurement target on the earth, as is well known, though the details are omitted. GPS
The present invention is not limited to the use, and may be a position information detecting unit 65 using an azimuth sensor or the like. The processing device 64 includes the information on the blood flow system measurement items measured by the blood flow system measurement device 61 and the position information detecting means 65 as described in the seventh embodiment.
The function also serves as storage means for storing the current position information detected at any time by the memory 66 in association with the current position information at the measurement time.

【0060】これにより、当該健康診断端末装置67は
測定対象者が適宜携帯しながら任意の時点、場所で、或
いは、定期的に、血流系測定装置61を利用して脈波等
の血流系測定項目の測定を行うこととなる。そして、そ
の測定時の場所(現在位置)は位置情報検知手段65に
より検知される。これらの情報はメモリ66に格納され
る。これにより、血流系測定項目の測定結果をその測定
時点の場所と関連付けて管理できる健康診断端末装置6
7を提供できる。特に、後述するように携帯電話等と組
合せて健康監視システムを構成すると、より効果的とな
る。
Thus, the medical examination terminal device 67 can carry the blood flow such as a pulse wave using the blood flow system measurement device 61 at an arbitrary time, place, or periodically while being carried by the person to be measured. The system measurement items will be measured. Then, the position (current position) at the time of the measurement is detected by the position information detecting means 65. These pieces of information are stored in the memory 66. Thereby, the medical examination terminal device 6 can manage the measurement result of the blood flow system measurement item in association with the location at the time of the measurement.
7 can be provided. In particular, when a health monitoring system is configured in combination with a mobile phone or the like as described later, it becomes more effective.

【0061】本発明の第九の実施の形態を図16に基づ
いて説明する。本実施の形態は、前述の健康診断端末装
置67を利用して健康監視システム71を構築したもの
である。本実施の形態の健康監視システム71は、事業
者と健康診断端末装置67を所有している加入者との間
の契約関係により構築されるシステムであって、事業者
側では監視センタ72にホストコンピュータ73を所有
し、加入者の健康診断端末装置67とは無線通信装置7
4を利用して無線で接続されている。即ち、無線通信装
置74の通信部75と監視センタ72側の通信部76と
の間で情報の通信が行われる。通信部75を備える無線
通信装置74としては、携帯電話等であってもよい。ま
た、ホストコンピュータ73には分析センタ77内の分
析用コンピュータ78に接続されている。
A ninth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, a health monitoring system 71 is constructed using the above-described health diagnosis terminal device 67. The health monitoring system 71 according to the present embodiment is a system constructed based on a contract relationship between a business and a subscriber who owns the health examination terminal device 67. Owns the computer 73 and is connected to the wireless communication device 7
4 is connected wirelessly. That is, information communication is performed between the communication unit 75 of the wireless communication device 74 and the communication unit 76 on the monitoring center 72 side. The wireless communication device 74 including the communication unit 75 may be a mobile phone or the like. The host computer 73 is connected to an analysis computer 78 in the analysis center 77.

【0062】従って、このようなシステム構成によれ
ば、健康診断端末装置67のメモリ66に蓄えられた情
報(血流系測定項目の情報と現在位置情報)は無線通信
装置74によって適宜監視センタ72に送信され、ホス
トコンピュータ73管理の下にメモリに蓄えられるとと
もに、異常値等が検知された場合には通信部76を経由
して該当する加入者の健康診断端末装置67に対してそ
の旨が報告される。このとき、契約によっては、監視の
報告に加えて、分析用コンピュータ78による分析結果
を加えて、当該加入者の健康診断端末装置67を通じて
健康管理のアドバスを送信出力するといった健康管理サ
ービスや、緊急時のバックアップサービスを提供するこ
とが可能となる。
Therefore, according to such a system configuration, the information (information on the blood flow system measurement items and the current position information) stored in the memory 66 of the health examination terminal device 67 is appropriately transmitted to the monitoring center 72 by the wireless communication device 74. And stored in a memory under the control of the host computer 73, and when an abnormal value or the like is detected, it notifies the health check terminal device 67 of the corresponding subscriber via the communication unit 76 to that effect. Will be reported. At this time, depending on the contract, in addition to the monitoring report, a health management service such as transmitting and outputting a health management advice through the health examination terminal device 67 of the subscriber in addition to the analysis result by the analysis computer 78, or an emergency It is possible to provide a backup service at the time.

【0063】[0063]

【発明の効果】請求項1記載の発明の微小圧力検知素子
によれば、磁気部材の一部に磁歪部を有して薄膜技術等
を用いて作製される磁気抵抗効果素子(MR素子)、巨
大磁気抵抗効果素子(GMR素子)、トンネル磁気抵抗
効果素子(TMR素子)又は磁気インピーダンス素子
(MI素子)をセンサ部に備え、磁歪部の磁歪に基づく磁
気抵抗率の変化等を通じて検知対象物の圧力変化を検知
するように構成したので、小型・軽量化を図れる上に、
高感度なセンサを提供することができる。
According to the micro pressure detecting element of the first aspect of the present invention, a magnetoresistive element (MR element) having a magnetostrictive part in a part of a magnetic member and manufactured using a thin film technique or the like, Giant magnetoresistance effect element (GMR element), tunnel magnetoresistance effect element (TMR element) or magnetoimpedance element
(MI element) is provided in the sensor unit, and it is configured to detect the pressure change of the detection target through the change of the magnetic resistivity based on the magnetostriction of the magnetostrictive unit, so that the size and weight can be reduced.
A highly sensitive sensor can be provided.

【0064】請求項2記載の発明の微小圧力検知素子に
よれば、磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイ
ルをセンサ部に備え、磁歪部の磁歪に基づく電磁誘導の
発生電圧の変化等を通じて検知対象物の圧力変化を検知
するように構成したので、小型・軽量化を図れる上に、
高感度なセンサを提供することができる。
According to the micro pressure detecting element of the present invention, the electromagnetic induction coil having the magnetostrictive portion in a part of the magnetic member is provided in the sensor portion, and the change of the voltage generated by the electromagnetic induction based on the magnetostriction of the magnetostrictive portion. It is configured to detect the pressure change of the detection target through such as, so that it is possible to reduce the size and weight,
A highly sensitive sensor can be provided.

【0065】請求項3記載の発明によれば、請求項1記
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部だけを複数
個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点
を持たせたので、請求項1記載の発明を実現する上で、
アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることができ
る。
According to the third aspect of the present invention, in the micro pressure detecting element according to the first aspect, only the plurality of magnetostrictive portions are arranged in parallel, and the sensor portion has a plurality of detection points. Therefore, in realizing the invention of claim 1,
Arraying can be easily achieved, and applications can be expanded.

【0066】請求項4記載の発明によれば、請求項1記
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部を1本の共
通電極として形成するとともに、前記磁歪部に対して対
をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差するように
複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検
知点を持たせたので、請求項1記載の発明を実現する上
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the micro pressure detecting element according to the first aspect, the magnetostrictive portion is formed as one common electrode, and the other magnetic pair forming a pair with the magnetostrictive portion. A plurality of elements are arranged in parallel so as to intersect with the common electrode, and a plurality of detection points are provided in the sensor section. It is possible to broaden the usage applications.

【0067】請求項5記載の発明によれば、請求項1記
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部を複数本の
共通電極として並列に形成するとともに、前記磁歪部に
対して対をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差す
るように複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数
箇所の検知点をマトリックス状に持たせ、マトリックス
状の各検知点にその検知動作をスイッチングする半導体
スイッチ素子を有するので、請求項1記載の発明を実現
する上で、2次元アレイ化、即ち、マトリックス化を簡
単に図れ、利用用途を広げることができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the micro pressure detecting element according to the first aspect, the magnetostrictive portion is formed in parallel as a plurality of common electrodes and the other paired with the magnetostrictive portion. A plurality of magnetic elements are arranged in parallel so as to intersect with the common electrode, a plurality of detection points are provided in a matrix in the sensor section, and the detection operation is switched to each detection point in the matrix. Since the switch element is provided, a two-dimensional array, that is, a matrix can be easily achieved for realizing the first aspect of the present invention, and the usage can be expanded.

【0068】請求項6記載の発明の情報入力装置によれ
ば、各々指で押圧操作される検知点がボタンキーに対応
付けられた請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧
力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部に
おける磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ボタンキー
に対する入力操作を検知するようにしたので、請求項1
ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知素子をボタン
キーによる情報入力装置に効果的に適用できる。
According to the information input device of the present invention, the detection point pressed by a finger is associated with a button key. And detecting an input operation on the button key based on a pressure change due to a magnetic strain in a sensor unit of the minute pressure detecting element.
The minute pressure detecting element described in any one of the above items 5 to 5 can be effectively applied to an information input device using a button key.

【0069】請求項7記載の発明の情報入力装置によれ
ば、各々指で押圧操作される検知点が表示装置のポイン
タ表示座標に対応付けられた請求項5記載の微小圧力検
知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部におけ
る磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ポインタ表示座
標に対する入力操作を検知するようにしたので、請求項
1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知素子を表示
装置のポインタ表示座標を入力するための情報入力装置
に効果的に適用できる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the information input device according to the fifth aspect, wherein each of the detection points pressed by the finger is associated with the pointer display coordinates of the display device. 6. The display device according to claim 1, wherein an input operation for the pointer display coordinates is detected based on a pressure change due to magnetostriction in a sensor section of the minute pressure detecting element. The present invention can be effectively applied to an information input device for inputting the pointer display coordinates.

【0070】請求項8記載の発明の血流系測定装置によ
れば、請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検
知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部におけ
る磁歪による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈波、心拍
又は脈拍なる血流系測定項目を検知するようにしたの
で、請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知
素子を血圧、脈波、心拍又は脈拍なる血流系測定項目を
検知する血流系測定装置に効果的に適用できる。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the blood flow system measuring apparatus, comprising the minute pressure detecting element according to any one of the first to fifth aspects, wherein a pulse caused by magnetostriction in a sensor section of the minute pressure detecting element. Since the blood pressure, pulse wave, heartbeat or blood flow system measurement items such as pulse are detected based on the pressure change of the wave, the micro pressure detection element according to any one of claims 1 to 5, the blood pressure, pulse wave, The present invention can be effectively applied to a blood flow measurement device that detects a blood flow measurement item such as a heartbeat or a pulse.

【0071】請求項9記載の発明の健康診断端末装置に
よれば、請求項1ないし5の何れか一に記載の軽量・小
型で高感度な微小圧力検知素子を有する請求項8記載の
血流系測定装置を、位置情報検知手段とともに備えて携
帯性を有するので、任意の場所で血流系測定項目の情報
と現在位置情報とを関連付けてメモリで管理する健康診
断端末装置を提供することができる。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a health diagnosis terminal device comprising the lightweight, small, and highly sensitive micro pressure detecting element according to any one of the first to fifth aspects. Since the system measurement device is provided with the position information detecting means and has portability, it is possible to provide a health diagnosis terminal device that associates information of blood flow system measurement items with current position information in an arbitrary place and manages the information in a memory. it can.

【0072】請求項10記載の発明の健康監視システム
によれば、請求項9記載の健康診断端末装置を備えるの
で、ホストコンピュータ側に健康診断端末装置所有者の
健康状況の把握を可能とするセンタ機能を持たせること
により、健康診断端末装置所有者の健康状態をその存在
位置とともに常に監視でき、緊急事態発生等の異常時に
は適宜伝える等の緊急対策を適正に採れる健康監視シス
テムを提供することができる。
According to the health monitoring system of the tenth aspect of the present invention, since the health examination terminal device of the ninth aspect is provided, the center that allows the host computer to grasp the health status of the owner of the health examination terminal device. By providing a function, it is possible to provide a health monitoring system that can constantly monitor the health status of the health examination terminal device owner together with its location, and appropriately take emergency measures such as appropriately reporting an emergency such as the occurrence of an emergency. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施の形態を示す第1層が成膜
された基板の縦断正面図である。
FIG. 1 is a vertical sectional front view of a substrate on which a first layer is formed according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1層のパターン形状を示し、(a)は平面
図、(b)は縦断正面図である。
FIGS. 2A and 2B show a pattern shape of a first layer, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG.

【図3】第1層上に成膜された第2層のパターン形状を
示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
3A and 3B show a pattern shape of a second layer formed on a first layer, wherein FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a vertical sectional front view.

【図4】第2層上に成膜された第3層のパターン形状を
示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
4A and 4B show a pattern shape of a third layer formed on a second layer, wherein FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a vertical sectional front view.

【図5】測定回路を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a measurement circuit.

【図6】本発明の第二の実施の形態の微小圧力検知素子
を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
FIGS. 6A and 6B show a minute pressure detecting element according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 6A is a plan view and FIG.

【図7】測定回路を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a measurement circuit.

【図8】本発明の第三の実施の形態の微小圧力検知素子
を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
8A and 8B show a minute pressure detecting element according to a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 8A is a plan view and FIG.

【図9】測定回路を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a measurement circuit.

【図10】本発明の第四の実施の形態の微小圧力検知素
子を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図であ
る。
FIGS. 10A and 10B show a minute pressure detecting element according to a fourth embodiment of the present invention, wherein FIG. 10A is a plan view and FIG.

【図11】測定回路を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a measurement circuit.

【図12】本発明の第五の実施の形態の端末装置を示す
正面図である。
FIG. 12 is a front view illustrating a terminal device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第六の実施の形態の端末装置を示す
正面図である。
FIG. 13 is a front view illustrating a terminal device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第七の実施の形態の端末装置を示す
正面図である。
FIG. 14 is a front view illustrating a terminal device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第八の実施の形態の端末装置を示す
正面図である。
FIG. 15 is a front view showing a terminal device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第九の実施の形態の健康監視システ
ムを示す概略システム構成図である。
FIG. 16 is a schematic system configuration diagram showing a health monitoring system according to a ninth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 微小圧力検知素子 2 トンネル磁気効果抵抗素子 6 磁歪部 7 センサ部 11 微小圧力検知素子 12 検知点 21 微小圧力検知素子 22 検知点 31 微小圧力検知素子 32 ダイオードスイッチ 41 情報入力装置 45 ボタンキー 51 情報入力装置 61 血流系測定装置 65 位置情報検知手段 66 メモリ 67 健康診断端末装置 73 ホストコンピュータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Micro pressure detection element 2 Tunnel magneto effect resistance element 6 Magnetostrictive part 7 Sensor part 11 Micro pressure detection element 12 Detection point 21 Micro pressure detection element 22 Detection point 31 Micro pressure detection element 32 Diode switch 41 Information input device 45 Button key 51 Information Input device 61 Blood flow system measuring device 65 Position information detecting means 66 Memory 67 Health diagnosis terminal device 73 Host computer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 43/08 A61B 5/02 310M // G01S 5/14 340C Fターム(参考) 2F055 AA05 BB14 CC60 DD01 EE29 FF11 GG01 GG11 4C017 AA02 AA08 AA09 AA10 AA11 AC05 FF17 5J062 AA08 BB05 CC07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 43/08 A61B 5/02 310M // G01S 5/14 340C F term (Reference) 2F055 AA05 BB14 CC60 DD01 EE29 FF11 GG01 GG11 4C017 AA02 AA08 AA09 AA10 AA11 AC05 FF17 5J062 AA08 BB05 CC07

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気部材の一部に磁歪部を有する磁気抵
抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗
効果素子又は磁気インピーダンス素子を、検知対象物の
圧力変化を検知するためのセンサ部に備える微小圧力検
知素子。
1. A sensor unit for detecting a change in pressure of a detection target by using a magnetoresistive element having a magnetostrictive portion in a part of a magnetic member, a giant magnetoresistive element, a tunnel magnetoresistive element, or a magnetoimpedance element. Micro pressure sensing element to prepare for.
【請求項2】 磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘
導コイルを、検知対象物の圧力変化を検知するためのセ
ンサ部に備える微小圧力検知素子。
2. A minute pressure detecting element comprising: an electromagnetic induction coil having a magnetostrictive part in a part of a magnetic member in a sensor unit for detecting a change in pressure of a detection target.
【請求項3】 前記磁歪部だけを複数個並列に配置させ
て、前記センサ部に複数箇所の検知点を持たせた請求項
1記載の微小圧力検知素子。
3. The minute pressure detecting element according to claim 1, wherein only a plurality of said magnetostrictive portions are arranged in parallel, and said sensor portion has a plurality of detection points.
【請求項4】 前記磁歪部を1本の共通電極として形成
するとともに、前記磁歪部に対して対をなす他方の磁気
素子を前記共通電極と交差するように複数個並列に配置
させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を持たせた請
求項1記載の微小圧力検知素子。
4. The magnetostrictive portion is formed as one common electrode, and a plurality of other magnetic elements forming a pair with the magnetostrictive portion are arranged in parallel so as to intersect with the common electrode. 2. The minute pressure detecting element according to claim 1, wherein the sensor has a plurality of detection points.
【請求項5】 前記磁歪部を複数本の共通電極として並
列に形成するとともに、前記磁歪部に対して対をなす他
方の磁気素子を前記共通電極と交差するように複数個並
列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点をマ
トリックス状に持たせ、マトリックス状の各検知点にそ
の検知動作をスイッチングする半導体スイッチ素子を有
する請求項1記載の微小圧力検知素子。
5. The magnetostrictive section is formed in parallel as a plurality of common electrodes, and a plurality of other magnetic elements forming a pair with the magnetostrictive section are arranged in parallel so as to intersect with the common electrode. 2. The micro pressure detecting element according to claim 1, wherein the sensor section has a plurality of detection points in a matrix, and a semiconductor switch element for switching the detection operation at each of the matrix detection points.
【請求項6】 各々指で押圧操作される検知点がボタン
キーに対応付けられた請求項1ないし5の何れか一に記
載の微小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子の
センサ部における磁気歪みによる圧力変化に基づき前記
ボタンキーに対する入力操作を検知する情報入力装置。
6. The micro pressure detecting element according to claim 1, wherein a detection point pressed by a finger is associated with a button key. An information input device for detecting an input operation on the button key based on a pressure change due to magnetostriction.
【請求項7】 各々指で押圧操作される検知点が表示装
置のポインタ表示座標に対応付けられた請求項5記載の
微小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセン
サ部における磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ポイ
ンタ表示座標に対する入力操作を検知する情報入力装
置。
7. The micro pressure detecting element according to claim 5, wherein a detection point pressed by a finger is associated with a pointer display coordinate of a display device, wherein the micro pressure detecting element is provided with a magnetic strain. An information input device for detecting an input operation for the pointer display coordinates based on a pressure change.
【請求項8】 請求項1ないし5の何れか一に記載の微
小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ
部における磁歪による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈
波、心拍又は脈拍なる血流系測定項目を検知する血流系
測定装置。
8. A blood pressure, a pulse wave, a heartbeat or a pulse based on a pressure change of a pulse wave due to magnetostriction in a sensor section of the minute pressure detection element, the pressure sensor comprising the minute pressure detection element according to claim 1. A blood flow system measurement device that detects a blood flow system measurement item.
【請求項9】 請求項8記載の血流系測定装置と、 現在位置情報を検知する位置情報検知手段と、 前記血流系測定装置により検出された血流系測定項目の
情報と前記位置情報検知手段により検知された現在位置
情報とが入力される制御装置と、 この制御装置に入力された血流系測定項目の情報と現在
位置情報とを関連付けてメモリに記憶させる記憶手段
と、を備えて携帯性を有する健康診断端末装置。
9. The blood flow system measurement device according to claim 8, position information detection means for detecting current position information, information on a blood flow system measurement item detected by the blood flow system measurement device, and the position information. A control unit to which the current position information detected by the detection unit is input; and a storage unit to store the information of the blood flow system measurement item input to the control device and the current position information in a memory in association with each other. And portable medical examination terminal device.
【請求項10】 請求項9記載の健康診断端末装置と、 この健康診断端末装置の前記メモリに記憶された血流系
測定項目の情報と現在位置情報とを送信出力する無線通
信装置と、 この無線通信装置から送信された血流系測定項目の情報
と現在位置情報との入力を受けて当該健康診断端末装置
所有者の血流系測定項目と現在位置とを監視するホスト
コンピュータと、を備える健康監視システム。
10. A health examination terminal device according to claim 9, and a wireless communication device for transmitting and outputting information on blood flow system measurement items and current position information stored in said memory of said health examination terminal device. A host computer that receives the information on the blood flow system measurement items and the current position information transmitted from the wireless communication device and monitors the blood flow system measurement items and the current position of the owner of the health examination terminal device. Health monitoring system.
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