JP2002134318A - Magnetic thin film, method of manufacturing the same, and magnetic head - Google Patents

Magnetic thin film, method of manufacturing the same, and magnetic head

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JP2002134318A JP2000326346A JP2000326346A JP2002134318A JP 2002134318 A JP2002134318 A JP 2002134318A JP 2000326346 A JP2000326346 A JP 2000326346A JP 2000326346 A JP2000326346 A JP 2000326346A JP 2002134318 A JP2002134318 A JP 2002134318A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an FeCo plating film which is high in saturation magnetic flux density and kept free from pits and crackings, without adding a nonmagnetic metal concerning the magnetic thin film, a method of manufacturing the same, and a magnetic head. SOLUTION: The compositional weight ratio of Fe, Co, and Ni, contained in an FeCo plating film, indicates that it is included in a square region possessed of four apexes, represented by Fe80Co20, Fe40Co60, Fe40Co40Ni20, and Fe70Co10Ni20, and furthermore the compositional ratio of Ni is set at 1 wt.% or higher.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は磁性薄膜、磁性薄膜
の製造方法、及び、磁気ヘッドに関するものであり、特
に、ハードディスクドライブ(HDD)の誘導型薄膜磁
気ヘッド用上部磁極コアや薄膜トランス等の磁気デバイ
スに用いる高飽和磁束密度Bs のメッキ膜を得るための
構成に特徴のある磁性薄膜、磁性薄膜の製造方法、及
び、磁気ヘッドに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic thin film, a method for manufacturing a magnetic thin film, and a magnetic head. high saturation magnetic flux density B s magnetic thin film characterized by the arrangement for obtaining a plating film, a method of manufacturing a magnetic thin film used in the magnetic device, and to a magnetic head.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置であ
るハードディスクは、年率倍のスピードで記録密度が向
上し、磁気ヘッドの素子サイズも小さく、記録媒体の高
保磁力化が進んでおり、この様な高保磁力の記録媒体に
対しても十分な書き込み能力を有する磁性材料が要求さ
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, a hard disk, which is an external storage device of a computer, has been improved in recording density at an annual rate, the element size of a magnetic head has been reduced, and the recording medium has been increased in coercive force. There is a demand for a magnetic material having a sufficient writing capability even for a recording medium having a high coercive force.

【0003】高保磁力の記録媒体に対しても十分な書き
込み能力を有するためには、誘導型薄膜磁気ヘッドを構
成する上部磁極コア、或いは、上部磁極コア及び下部磁
極層として、飽和磁束密度Bs の高い材料を用いること
が必要があり、近年の高記録密度化の要請に伴って、将
来的には最も磁束の集中する部分にはBs ≧2.0Tが
必須であるとされている。
[0003] In order to have sufficient writing ability against high coercive force of the recording medium, the upper magnetic pole cores constituting the inductive thin film magnetic head, or the upper magnetic pole core and the lower magnetic pole layer, the saturation magnetic flux density B s It is necessary to use a material having a high magnetic flux density, and with the demand for higher recording density in recent years, it is considered that B s ≧ 2.0T is essential in a portion where magnetic flux is most concentrated in the future.

【0004】また、この様な誘導型薄膜磁気ヘッドは、
先端に十分な磁束が発生するように磁極材料は3〜4μ
mの膜厚を有し、且つ、段差を持つ形状であるため、他
の磁性材料堆積方法として多用されているスパッタリン
グ法等の真空成膜技術では成膜レートの効率が悪く、且
つ、有効なエッチング方法が確立されてない。したがっ
て、従来においては、析出効率が高く、且つ、レジスト
フレームを用いることにより選択成膜に優れた電気メッ
キ法によって磁極が形成されている。
Further, such an inductive thin film magnetic head is
The magnetic pole material is 3-4μ so that sufficient magnetic flux is generated at the tip.
m, and has a step, so that vacuum deposition techniques such as sputtering, which are often used as other magnetic material deposition methods, have low deposition rate efficiency and are effective. No etching method has been established. Therefore, conventionally, a magnetic pole is formed by an electroplating method which has high deposition efficiency and is excellent in selective film formation by using a resist frame.

【0005】従来の誘導型薄膜磁気ヘッドの書込用磁極
材料としては、NiFe合金薄膜、即ち、パーマロイが
一般的に用いられているが、因に、従来より多用されて
いるNi80Fe20、即ち、80NiFeの飽和磁束密度
はBs =1.0Tであり、また、Ni50Fe50、即ち、
50NiFeの飽和磁束密度はBs =1.5Tである。
[0005] A NiFe alloy thin film, that is, a permalloy is generally used as a magnetic pole material for writing in a conventional inductive type thin film magnetic head, because Ni 80 Fe 20 , That is, the saturation magnetic flux density of 80NiFe is B s = 1.0T, and Ni 50 Fe 50 , ie,
The saturation magnetic flux density of 50NiFe is B s = 1.5T.

【0006】しかし、上述の高飽和磁束密度化の要請に
対してはNiFeでは不十分であり、高飽和磁束密度化
の要請に応える磁性材料としては、磁性合金においては
最も高い飽和磁束密度Bs が得られているFeCo合金
が注目されている。因に、バルクのFe60Co40におい
ては、2.45Tが得られている(必要ならば、R.
M.Bozorth,IEEE Press,p.8
0,1993参照)。
[0006] However, NiFe is insufficient for the above-mentioned demand for a high saturation magnetic flux density, and as a magnetic material meeting the demand for a high saturation magnetic flux density, the highest saturation magnetic flux density B s in a magnetic alloy is given. Are attracting attention. For bulk Fe 60 Co 40 , 2.45T is obtained (if necessary, R.F.
M. Bozorth, IEEE Press, p. 8
0, 1993).

【0007】この様なFe組成比の高い磁性材料を成膜
する場合には、メッキ浴中のFeイオン濃度を既存のN
iFe等と比較して十分高める必要があり、Fe組成比
の増加に伴って二価のFeイオンが三価のFeイオンに
変化する量も増大する。
When a magnetic material having such a high Fe composition ratio is to be formed, the concentration of Fe ions in the plating bath is reduced by the conventional N
It is necessary to sufficiently increase it compared with iFe or the like, and the amount of conversion of divalent Fe ions to trivalent Fe ions increases with an increase in the Fe composition ratio.

【0008】この様に、三価のFeイオンがメッキ浴中
に存在すると、一般にもろく、応力の大きな黒灰色のメ
ッキ膜になりやすく、また、メッキ膜にピットやクラッ
クを生じるなどの問題が生じ、メッキ浴中における三価
のFeイオンの増加量が無視できなくなる。
[0008] As described above, when trivalent Fe ions are present in the plating bath, a black-gray plating film which is generally brittle and has a large stress tends to be formed, and problems such as formation of pits and cracks in the plating film arise. In addition, the amount of increase of trivalent Fe ions in the plating bath cannot be ignored.

【0009】そこで、この様な問題を解決するために、
Feイオン及びCoイオンを含むメッキ浴中にPd,C
u,Pt,Au,Ag,Ir,Rh,Ru等の金属イオ
ンを添加することが試みられている(必要ならば、特開
平5−29172号公報参照)。
Therefore, in order to solve such a problem,
Pd, C in a plating bath containing Fe ions and Co ions
Attempts have been made to add metal ions such as u, Pt, Au, Ag, Ir, Rh, and Ru (if necessary, see JP-A-5-29172).

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、メッキ浴中に
Pd,Cu等の金属イオンを添加した場合には、これら
の金属は非磁性金属であるため、得られたメッキ膜の飽
和磁束密度が低下してしまうという問題がある。
However, when metal ions such as Pd and Cu are added to the plating bath, since these metals are non-magnetic metals, the saturation magnetic flux density of the plating film obtained is low. There is a problem of lowering.

【0011】したがって、本発明は、非磁性金属を添加
することなく、ピットやクラックの発生が抑制された高
飽和磁束密度のFeCo系のメッキ膜を得ることを目的
とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a FeCo-based plating film having a high saturation magnetic flux density in which pits and cracks are suppressed without adding a nonmagnetic metal.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】ここで、図1を参照して
本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図1は、本発明のFeCoNiの組成範囲を示す
三角組成図である。 図1参照 上述の目的と達成するために、本発明は、磁性薄膜にお
いて、Fe,Co,Niの重量組成比が、Fe80
20,Fe40Co60,Fe40Co40Ni20,Fe70Co
10Ni20を頂点とする4角形領域に含まれ、且つ、Ni
組成比が1重量%以上であることを特徴とする。
Here, means for solving the problems in the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a triangular composition diagram showing the composition range of FeCoNi of the present invention. See FIG. 1 In order to achieve the above object, the present invention provides a magnetic thin film in which the weight composition ratio of Fe, Co, and Ni is Fe 80 C
o 20 , Fe 40 Co 60 , Fe 40 Co 40 Ni 20 , Fe 70 Co
10 Included in a quadrilateral region with Ni 20 as the vertex, and Ni
The composition ratio is 1% by weight or more.

【0013】NiはFe或いはCoと比較して磁気モー
メントは小さいものの、PdやCuと異なり磁性元素で
あるので、第三元素として添加した場合には、飽和磁束
密度Bs の低下を最小限に抑えることができる。
[0013] Although Ni is small magnetic moment compared with Fe or Co, since a magnetic element unlike Pd and Cu, when added as a third element, it minimizes the reduction in the saturation magnetic flux density B s Can be suppressed.

【0014】また、Niはメッキ材料として広汎に用い
られていることからも明らかなように、硬く、耐薬品
性、光沢性に優れ、良好なメッキが得られやすい特長が
あり、Feの増加に伴って発生しやすいピットやクラッ
クを防ぐことが可能になる。
Further, as is clear from the fact that Ni is widely used as a plating material, it is hard, has excellent chemical resistance and gloss, and has a feature that good plating can be easily obtained. It is possible to prevent pits and cracks that are likely to occur with the pits and cracks.

【0015】したがって、この様なFe組成比の大きな
FeCo系合金において、Ni組成比を1重量%以上に
することによって、表面ラフネスRa が小さく、例え
ば、R a <200nm以下で、高飽和磁束密度、例え
ば、Bs ≧2.0T、より好適には、Bs ≧2.2Tの
磁性薄膜を再現性良く成膜することが可能になる。な
お、この場合の表面粗さRa は、JIS規格B0601
−1994規定において規定する算術平均粗さであり、
表面の粗さ曲線をy=f(x)とした場合、基準長Lに
渡ってy=f(x)の絶対値を積分し、基準長Lで規格
化した値であり、本明細書における表面粗さRa 或いは
ラフネスRa は、全てJIS規格B0601−1994
規定において規定する算術平均粗さを意味する。
Therefore, such a large Fe composition ratio
In the FeCo alloy, the Ni composition ratio is 1% by weight or more.
By doing so, the surface roughness RaIs small,
If R a<200 nm or less, high saturation magnetic flux density, for example
If Bs≧ 2.0T, more preferably Bs≧ 2.2T
A magnetic thin film can be formed with good reproducibility. What
Here, the surface roughness R in this caseaIs JIS B0601
The arithmetic average roughness specified in the -1994 provisions,
When the surface roughness curve is y = f (x), the reference length L
Integrate the absolute value of y = f (x) over the
Surface roughness R in the present specification.aOr
Roughness RaAre all JIS standard B0601-1994
It means the arithmetic average roughness specified in the regulations.

【0016】なお、この場合、メッキベース層として
は、メッキ膜と同じ系で、且つ、NiFeより飽和磁束
密度の大きなFeCoNi膜、例えば、Fe26Co63
11を用いることが望ましく、それによって、上部磁極
コア或いは下部磁極層全体の飽和磁束密度を高めること
ができる。
In this case, as the plating base layer, an FeCoNi film of the same system as the plating film and having a higher saturation magnetic flux density than NiFe, for example, Fe 26 Co 63 N
It is desirable to use the i 11, whereby it is possible to increase the saturation magnetic flux density of the entire upper magnetic pole core or the lower magnetic pole layer.

【0017】また、本発明は、磁性薄膜の製造方法にお
いて、Feイオン、Coイオン、及び、Niイオンを含
むメッキ浴中のFeイオン/(Feイオン+Coイオ
ン)が、0.3≦Feイオン/(Feイオン+Coイオ
ン)<1.0であるメッキ浴を用いることを特徴とす
る。
Further, according to the present invention, in the method for producing a magnetic thin film, the Fe ion / (Fe ion + Co ion) in the plating bath containing Fe ion, Co ion and Ni ion is 0.3 ≦ Fe ion / It is characterized in that a plating bath with (Fe ion + Co ion) <1.0 is used.

【0018】この様に、高飽和磁束密度のFeCo系磁
性薄膜を得るためには、Fe組成比を0.4以上にする
必要があり、そのためには、メッキ浴中のFeイオン/
(Feイオン+Coイオン)を、0.3≦Feイオン/
(Feイオン+Coイオン)とする必要がある。
As described above, in order to obtain a FeCo-based magnetic thin film having a high saturation magnetic flux density, the Fe composition ratio needs to be 0.4 or more.
(Fe ion + Co ion) is defined as 0.3 ≦ Fe ion /
(Fe ion + Co ion).

【0019】この場合、メッキ浴中に、〔=C−SO2
−〕構造を含まず、且つ、炭素三重結合或いは炭素二重
結合を有する有機不飽和化合物、例えば、2−プロピン
−1−オール〔PPO,分子式:HC≡C−CH2 −O
H〕を含有させることが望ましく、それによって、表面
粗さRa の小さなメッキ膜の成膜が可能になる。
In this case, [= C-SO 2
-] An organic unsaturated compound not containing a structure and having a carbon triple bond or a carbon double bond, for example, 2-propyn-1-ol [PPO, molecular formula: HC≡C—CH 2 —O
H], which allows the formation of a plating film having a small surface roughness Ra.

【0020】また、本発明は、少なくとも誘導型薄膜磁
気ヘッドを備えた磁気ヘッドにおいて、誘導型薄膜磁気
ヘッドの上部磁極及び下部磁極の少なくとも一部に上記
磁性薄膜を用いたことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a magnetic head having at least an inductive thin film magnetic head, wherein the magnetic thin film is used for at least a part of an upper magnetic pole and a lower magnetic pole of the inductive thin film magnetic head.

【0021】この様に、上記の磁性薄膜を用いることに
よって、磁気ヘッドの高性能化及び低コスト化が可能に
なり、ひいては、磁気記憶装置の高性能化が可能にな
る。なお、この場合には、上部磁極及び下部磁極の全体
を構成しても良いし、また、何方か一方を構成しても良
いし、或いは、上部磁極及び下部磁極の少なくとも先端
部のチップ状磁極コアとして用いても良いものである。
As described above, by using the above magnetic thin film, the performance and cost of the magnetic head can be improved, and the performance of the magnetic storage device can be improved. In this case, the entirety of the upper magnetic pole and the lower magnetic pole may be formed, or either one of the magnetic poles may be formed, or at least the tip magnetic pole at the tip of the upper magnetic pole and the lower magnetic pole. It may be used as a core.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】ここで、図2乃至図6を参照し
て、本発明の実施の形態の磁性薄膜の製造方法を説明す
る。本発明の実施の形態において用いるメッキ装置は、
従来技術として一般に用いられているパドル装置を用
い、このパドル装置によってメッキ浴を攪拌しながら電
解メッキを行うものであり、パドルの形状、磁性薄膜を
堆積させる基板との距離、即ち、カソードとの距離、及
び、回転速度等は必要に応じて任意に設定するものであ
り、特に限定されるものではない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a magnetic thin film according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The plating apparatus used in the embodiment of the present invention includes:
Using a paddle device that is generally used as a conventional technology, the paddle device is used to perform electrolytic plating while stirring a plating bath, and the shape of the paddle, the distance from the substrate on which the magnetic thin film is deposited, that is, the distance from the cathode. The distance, the rotation speed, and the like are arbitrarily set as necessary, and are not particularly limited.

【0023】また、本発明の実施の形態に用いるメッキ
浴は、硫酸第一鉄(FeSO4 ・7H2 O)、硫酸ニッ
ケル(NiSO4 ・6H2 O)、及び、硫酸コバルト
(CoSO4 ・7H2 O)を、メッキ浴中における金属
イオン濃度比が、Fe2+:Co2+=30:70〜10
0:0で、且つ、Ni2+:(Fe2++Co2++Ni2+
=0.01:100〜80:100になるように混合
し、ほう酸を30g/リットル添加することによって、
pHを2.0〜3.5、例えば、2.5に調整するとと
もに、塩化アンモニウムによって導電性を調整し、さら
に、界面活性剤であるドデシル硫酸ナトリウムを0.2
g/リットル添加したものを用いる。また、酸化防止剤
としてアスコルビン酸を添加する。
[0023] The plating bath used in the embodiment of the present invention, ferrous (FeSO 4 · 7H 2 O) sulfate, nickel sulfate (NiSO 4 · 6H 2 O) , and cobalt sulfate (CoSO 4 · 7H 2 O) was changed to a metal ion concentration ratio in the plating bath of Fe 2+ : Co 2+ = 30: 70-10.
0: 0 and Ni 2+ : (Fe 2+ + Co 2+ + Ni 2+ )
= 0.01: 100 to 80: 100, and by adding boric acid at 30 g / liter,
The pH is adjusted to 2.0 to 3.5, for example, 2.5, the conductivity is adjusted by ammonium chloride, and sodium dodecyl sulfate as a surfactant is added to 0.2.
g / liter is used. Also, ascorbic acid is added as an antioxidant.

【0024】この様なメッキ浴を用いて電解メッキを行
うことなるが、基板として表面にSiO2 膜を形成した
Si基板を用いるとともに、密着性を改善するために厚
さが、例えば、10nmのTi膜をスパッタリング法に
よって成膜したのち、メッキベース層として厚さが、例
えば、50nmのFeCoNi膜をスパッタリング法に
よって成膜する。なお、FeCoNi膜の重量組成比
は、Fe26Co63Ni11とする。
Electroplating is performed using such a plating bath. A Si substrate having a SiO 2 film formed on the surface is used as a substrate, and a thickness of, for example, 10 nm is used to improve adhesion. After forming a Ti film by a sputtering method, a 50-nm-thick FeCoNi film is formed as a plating base layer by a sputtering method. Note that the weight composition ratio of the FeCoNi film is Fe 26 Co 63 Ni 11 .

【0025】次いで、室温〜40℃、例えば、30℃の
温度で、5〜20mA/cm2 の間の複数の電流密度
で、400〔Oe〕以上の直流磁界、例えば、400
〔Oe〕の直流磁界中で電解メッキを行って下地となる
FeCoNi膜上にFeCoNi磁性薄膜を成膜した。
Next, at a temperature between room temperature and 40 ° C., for example, 30 ° C., at a plurality of current densities between 5 and 20 mA / cm 2 , a DC magnetic field of 400 [Oe] or more, for example, 400
Electroplating was performed in a DC magnetic field of [Oe] to form a FeCoNi magnetic thin film on the underlying FeCoNi film.

【0026】図2参照 図2は、メッキ膜の成膜レートのNi組成比依存性の説
明図であり、この場合には、Fe2+:Co2+=50:5
0とメッキ浴中のFe2+/Co2+比を一定にした状態
で、Ni2+濃度を変化させて成膜レートを調べたもので
あり、図におけるNi組成比はメッキ膜中のNiの重量
比を示している。
FIG. 2 is an explanatory diagram of the dependency of the deposition rate of the plating film on the Ni composition ratio. In this case, Fe 2+ : Co 2+ = 50: 5.
The film formation rate was examined by changing the Ni 2+ concentration while keeping the Fe 2+ / Co 2+ ratio in the plating bath constant at 0 and the Ni composition ratio in the figure. The weight ratio is shown.

【0027】図から明らかなように、Ni組成比の増加
とともに成膜レートは上昇することが理解され、メッキ
浴中にNiイオンを含まない場合には、成膜が実質的に
不可能であった。これは、Ni自身に触媒作用があり、
メッキ浴中にNiイオンが含まれていることによって、
Ni自身が析出しやすいとともにメッキ反応を促進する
ためと考えられ、Ni組成比がメッキ膜の重量に対して
1.0重量%において、0.05μm/分の成膜レート
が得られた。
As is apparent from the figure, it is understood that the film formation rate increases with an increase in the Ni composition ratio. When the plating bath does not contain Ni ions, film formation is substantially impossible. Was. This is because Ni itself has a catalytic action,
By containing Ni ions in the plating bath,
This is considered to be because Ni itself easily precipitates and accelerates the plating reaction. When the Ni composition ratio was 1.0% by weight with respect to the weight of the plating film, a deposition rate of 0.05 μm / min was obtained.

【0028】図3参照 図3は、図2の場合と同様の成膜条件におけるメッキ膜
の表面粗さRa のNi組成比依存性の説明図である。図
から明らかなように、Ni組成比の増加とともに表面粗
さRa が小さくなることが理解される。
[0028] Figure 3 Referring to FIG. 3 is an explanatory diagram of the Ni composition ratio dependence of surface roughness R a of the plating film in the same film forming conditions as in FIG. As is clear from the figure, it is understood that the surface roughness Ra decreases as the Ni composition ratio increases.

【0029】これは、Niは元々光沢性に優れ、良好な
メッキ膜が得られる特長があるので、Feの増加に伴っ
て生じやすいピットがクラックを抑えた結果であると考
えられる。因に、Ni組成比がメッキ膜の重量に対して
1.0重量%において、Ra ≒200nmであり、5重
量%以上で、Ra ≒10nm程度に安定する。
This is considered to be a result of suppressing cracks due to pits, which are likely to occur with an increase in Fe, because Ni originally has excellent gloss and has a feature that a good plating film can be obtained. In this connection, Ni composition ratio in 1.0% by weight relative to the weight of the plating film, a R a ≒ 200 nm, at 5% by weight or more, stable to about R a ≒ 10 nm.

【0030】図4参照 図4は、図2の場合と同様の成膜条件におけるメッキ膜
の飽和磁束密度Bs のNi組成比依存性の説明図であ
る。図から明らかなように、Ni組成比の増加とともに
飽和磁束密度Bs が低下することが理解される。なお、
図における白丸は、Ni=0重量%の場合の文献値(必
要ならば、上記の、R.M.Bozorth,IEEE
Press,p.80,1993参照)であり、Bs
≒2.4Tである。
[0030] See Figure 4. Figure 4 is a Ni composition ratio dependency of illustration of the saturation flux density B s of the plating film in the same film forming conditions as in FIG. As can be seen, the saturation magnetic flux density B s is understood to be reduced with increasing Ni composition ratio. In addition,
The open circles in the figure are the literature values when Ni = 0% by weight (if necessary, the above-mentioned RM Bozorth, IEEE
Press, p. 80, 1993) and B s
≒ 2.4T.

【0031】これは、Niは磁性元素ではあるものの、
FeやCoと比べて磁気モーメントが小さいためであ
り、そのため、Ni組成比の増加とともに、飽和磁束密
度Bsは低下するが、従来のようにCuやPd等の非磁
性元素を添加した場合に比べて飽和磁束密度Bs の低下
を抑制することができる。因に、Ni≒20重量%で、
s ≒2.0Tとなり、測定誤差はあるものの、Ni組
成比が15重量%になるまで、Bs ≒2.2Tの飽和磁
束密度を保つことができる。
This is because Ni is a magnetic element,
Is because the magnetic moment is smaller as compared with Fe or Co, therefore, with the increase of the Ni composition ratio, when it decreases the saturation magnetic flux density B s, the addition of nonmagnetic element such as Cu or Pd as in the prior art compared to it it is possible to suppress the reduction of the saturation magnetic flux density B s. By the way, if Ni ≒ 20% by weight,
B s ≒ 2.0T, and although there is a measurement error, the saturation magnetic flux density of B s ≒ 2.2T can be maintained until the Ni composition ratio becomes 15% by weight.

【0032】図5参照 図5は、図2の場合と同様にFe2+:Co2+=50:5
0とメッキ浴中のFe 2+/Co2+比を一定にした状態
で、Ni2+濃度、即ち、NiSO4 濃度を変化させた場
合のメッキ膜中のNi析出量(重量%)を測定したもの
であり、Ni2+濃度は、NiSO4 /(FeSO4 +C
oSO4 +NiSO4 )のモル比で示している。
Referring to FIG. 5, FIG.2+: Co2+= 50: 5
0 and Fe in plating bath 2+/ Co2+State with constant ratio
And Ni2+Concentration, i.e., NiSOFourWhen the concentration is changed
Of the amount (% by weight) of Ni deposited in the plating film
And Ni2+The concentration is NiSOFour/ (FeSOFour+ C
oSOFour+ NiSOFour) In molar ratio.

【0033】上述のように、メッキ浴中にNiSO4
添加しない場合には、成膜が不可能であったが、図から
明らかなように、NiSO4 /(FeSO4 +CoSO
4 +NiSO4 )=0.01モル%となるようにNiS
4 を添加した場合に、メッキ膜中のNi析出量は約
1.0重量%となることが理解される。
As described above, when NiSO 4 was not added to the plating bath, film formation was impossible, but as is apparent from the figure, NiSO 4 / (FeSO 4 + CoSO 4
4 + NiSO 4 ) = 0.01 mol%
It is understood that when O 4 is added, the amount of Ni deposited in the plating film is about 1.0% by weight.

【0034】図6参照 図6は、FeとCoの析出量比のFeSO4 とCoSO
4 の濃度比依存性を示した図であり、メッキ浴中のNi
SO4 濃度を0.01モル%と一定にした状態で、Fe
SO4 /CoSO4 比を変化させた場合のメッキ膜中の
FeとCoの析出量比を調べたものである。なお、メッ
キ浴における濃度比は、FeSO4 /(FeSO4 +C
oSO4 )をモル%で示し、析出量比は、Fe/(Fe
+Co)を重量%で示している。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the Fe / Co precipitation amount ratio of FeSO 4 and CoSO.
FIG. 4 is a graph showing the concentration ratio dependency of Ni in the plating bath;
With the SO 4 concentration kept constant at 0.01 mol%, Fe
It is a result of examining the ratio of the amount of Fe and Co deposited in the plating film when the SO 4 / CoSO 4 ratio is changed. The concentration ratio in the plating bath is FeSO 4 / (FeSO 4 + C
oSO 4 ) in mol%, and the precipitation amount ratio is Fe / (Fe
+ Co) in% by weight.

【0035】図から明らかなように、FeSO4 /(F
eSO4 +CoSO4 )の増加とともに、Fe/(Fe
+Co)はほぼリニアに増加することが理解され、傾向
外挿すると、Fe組成比の上限は80%となる。
As is apparent from the figure, FeSO 4 / (F
With the increase of eSO 4 + CoSO 4 ), Fe / (Fe
+ Co) is understood to increase almost linearly, and if the trend is extrapolated, the upper limit of the Fe composition ratio is 80%.

【0036】一方、Fe組成比の下限は、成膜条件から
は存在しないものの、高飽和磁束密度の磁性膜を得るた
めにFe組成比を増加させているものであるので、Fe
組成比は40%以上にすることが望ましく、特に、50
%以上にすることが望ましい。因に、Fe組成比を40
%以上にするためには、図6を参照するならば、測定誤
差はあるものの、FeSO4 /(FeSO4 +CoSO
4 )を30モル%以上にする必要があることが理解され
る。
On the other hand, although the lower limit of the Fe composition ratio does not exist under the film forming conditions, the Fe composition ratio is increased in order to obtain a magnetic film having a high saturation magnetic flux density.
The composition ratio is desirably 40% or more, and particularly, 50% or more.
% Is desirable. By the way, when the Fe composition ratio is 40
%, If there is a measurement error, as shown in FIG. 6, FeSO 4 / (FeSO 4 + CoSO
It is understood that 4 ) needs to be 30 mol% or more.

【0037】以上を纏めて綜合的に考察するならば、F
eCo系メッキ浴へNiを添加することによって成膜レ
ートを高め、且つ、表面粗さRa を小さくすることがで
きるので、メッキ膜中のNi組成比としては、1.0重
量%以上、より好適には2.0重量%以上とすることが
望ましく、成膜レート、表面粗さRa 、及び、飽和磁束
密度Bs の全てについて優れた特性を得るためには、
5.0重量%以上とすることが望ましい。
If the above are considered comprehensively, F
increasing the film formation rate by the addition of Ni to eCo based plating bath, and, it is possible to reduce the surface roughness R a, as the Ni composition ratio in the plating film, 1.0% by weight or more, more Preferably, the content is 2.0% by weight or more. In order to obtain excellent characteristics with respect to all of the film formation rate, the surface roughness R a , and the saturation magnetic flux density B s ,
It is desirably 5.0% by weight or more.

【0038】一方、図4から明らかなように、高飽和磁
束密度を達成するためには、Ni組成比は小さい方が望
ましく、元々のBs ≧2.0Tの高飽和磁束密度膜を得
るという目的を考慮するならば、Ni組成比は20重量
%以下とすることが望ましく、Bs ≒2.2Tとするた
めには、15重量%以下とすることが望ましい。
On the other hand, as apparent from FIG. 4, in order to achieve a high saturation magnetic flux density, it is desirable that the Ni composition ratio is small, and an original high saturation magnetic flux density film of B s ≧ 2.0T is obtained. if considering the purpose, Ni composition ratio is preferably set to 20% by weight or less, in order to B s ≒ 2.2 T, it is desirable that the 15 wt% or less.

【0039】また、図6から明らかなように、Fe/
(Fe+Co)にも制限があり、上述のように、Feの
組成比は40重量%〜80重量%にすることが望まし
い。
Further, as is apparent from FIG.
(Fe + Co) is also limited, and as described above, the composition ratio of Fe is desirably 40% by weight to 80% by weight.

【0040】再び、図1参照 図1は、以上を纏めた好適な組成範囲を示すものであ
り、組成範囲を、Fe80Co20,Fe40Co60,Fe40
Co40Ni20,Fe70Co10Ni20を頂点とする4角形
領域に含まれ、且つ、Ni組成比が1重量%以上である
領域が好適であることが理解される。
Referring again to FIG. 1, FIG. 1 shows a preferable composition range summarizing the above, and the composition range is defined as Fe 80 Co 20 , Fe 40 Co 60 , and Fe 40
It is understood that a region that is included in a quadrangular region having Co 40 Ni 20 and Fe 70 Co 10 Ni 20 as vertices and has a Ni composition ratio of 1% by weight or more is preferable.

【0041】したがって、上記の条件満たす磁性薄膜を
誘導型(インダクティブ)薄膜磁気ヘッドの少なくとも
一部として用いることによって、高保磁力磁気記録媒体
への記録が可能になる。例えば、上下の磁極層がライト
コイルの中心で結合したコ字状のインダクティブ薄膜磁
気ヘッドにおいては、内側が本発明の磁性薄膜となる2
層構造で構成しても良いし、或いは、コア幅を狭めるた
めに上下磁極層の先端部、即ち、ライトポールにおいて
上下に互いに対向する幅細の突起を設けたチップドタイ
プの磁極の場合には、この突起を本発明の磁性薄膜によ
って構成すれば良く、それによって、高保磁力磁気媒体
への記録が可能になり、記録密度の向上が達成される。
Therefore, by using a magnetic thin film satisfying the above conditions as at least a part of an inductive thin film magnetic head, recording on a high coercive force magnetic recording medium becomes possible. For example, in a U-shaped inductive thin-film magnetic head in which upper and lower magnetic pole layers are coupled at the center of a write coil, the inside becomes the magnetic thin film of the present invention.
It may be constituted by a layered structure, or in the case of a tip type magnetic pole provided with narrow protrusions vertically opposed to each other at the tip portions of the upper and lower magnetic pole layers to reduce the core width, that is, at the light pole. In this case, the protrusions may be formed of the magnetic thin film of the present invention, thereby enabling recording on a high coercive force magnetic medium and achieving an improvement in recording density.

【0042】以上、本発明の実施の形態を説明してきた
が、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるもの
ではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記の実
施の形態においては、メッキ浴の導電性を高めるための
試薬として塩化アンモニウムを用いているが、塩化アン
モニウムに限られるものではなく、塩化ナトリウム、或
いは、硫酸アンモニウムを添加しても良いものである。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the configuration described in the embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, ammonium chloride is used as a reagent for increasing the conductivity of the plating bath. However, the reagent is not limited to ammonium chloride, and sodium chloride or ammonium sulfate may be added. Things.

【0043】また、上記の実施の形態においては、サッ
カリンナトリウム等の有機添加剤、即ち、一次光沢剤を
含まないメッキ浴を用いているが、表面粗さRa を低減
するために、サッカリンナトリウム等の有機添加剤を添
加しても良いものである。
[0043] Further, in the above embodiment, the organic additive such as saccharin sodium, i.e., although using a plating bath containing no primary brightener, in order to reduce the surface roughness R a, of saccharin sodium Organic additives may be added.

【0044】なお、Niメッキにおける一次光沢剤と
は、単独では光沢を表さないか、或いは、半光沢を与え
る程度のものであるが、後述する二次光沢剤と合わせて
併用すると優れた光沢が現れるものであり、しかも、こ
の一次光沢剤は二次光沢剤が与える内部応力を低減させ
る効果を有するものであり、一般に、〔C=C−S
2〕や〔C=C−C−SO2 〕等の二重結合を有する
硫黄化合物が多く、例えば、1,3,6−ナフタレント
リスルホン酸ナトリウムが該当する。
The primary brightener in Ni plating is a material which does not exhibit gloss alone or gives a semi-gloss, but when used in combination with a secondary brightener which will be described later, excellent gloss is obtained. And the primary brightener has an effect of reducing the internal stress given by the secondary brightener. Generally, [C = C-S
O 2] and [C = C-C-SO 2] a sulfur compound having a double bond such as a number, for example, 1,3,6-naphthalene sodium trisulfonate corresponds.

【0045】さらに、表面粗さRa 低減するための他の
方法として、〔=C−SO2 −〕の構造を持たない有機
添加剤であり、且つ、炭素三重結合或いは炭素二重結合
の構造のいずれかを有する有機不飽和化合物、即ち、二
次光沢剤を添加しても良いものである。この様な有機不
飽和化合物を添加することによって、表面粗さRa を低
減することができるとともに、耐食性に優れた磁性薄膜
を得ることができる。
[0045] Further, as another method of reducing surface roughness R a, [= C-SO 2 -] is an organic additive which does not have the structure of, and, of carbon triple bond or carbon double bond structure Or a secondary brightener may be added. By the addition of such an organic unsaturated compound, it is possible to reduce the surface roughness R a, it can be obtained an excellent magnetic thin film in corrosion resistance.

【0046】なお、有機添加剤として、〔=C−SO2
−〕構造を含まず、且つ、炭素三重結合〔C≡C〕を含
む二次光沢剤としては、2−プロピン−1−オール〔P
PO,分子式:HC≡C−CH2 −OH〕が好適である
が、2−プロピン−1−オールに限られるものではな
く、2−プロピン−1−オールと同じ〔=C−SO
2 −〕構造を含まず、且つ、炭素三重結合〔C≡C〕を
含む二次光沢剤である、例えば、2−ブチン−1−オー
ルまたは2−ブチン−1、4−ジオール等を用いても良
いものである。
As an organic additive, [= C—SO 2
-] The secondary brightener containing no structure and containing a carbon triple bond [C≡C] includes 2-propyn-1-ol [P
PO, molecular formula: HC≡C—CH 2 —OH] is preferred, but is not limited to 2-propyn-1-ol, and is the same as 2-propyn-1-ol [= C—SO
2 -] structure free of, and a secondary brightener containing a carbon triple bond [C≡C], for example, using 2-butyn-1-ol or 2-butyne-1,4-diol Is also good.

【0047】さらには、〔=C−SO2 −〕構造を含ま
ず、且つ、炭素二重結合〔C=C〕を含む二次光沢剤で
ある、例えば、スルホンベンズアルデヒド、クマリン誘
導体等を用いても良いものである。
Furthermore, a secondary brightener containing no [= C-SO 2- ] structure and containing a carbon double bond [C = C], such as sulfonbenzaldehyde or coumarin derivative, is used. Is also good.

【0048】また、上記の実施の形態においては、メッ
キ浴中に酸化防止剤となるアスコルビン酸を添加してい
るが、添加した場合には、メッキ膜の成膜レートに低下
傾向が見られるので、必ずしも添加する必要はないもの
である。
In the above embodiment, ascorbic acid as an antioxidant is added to the plating bath. However, when it is added, the deposition rate of the plating film tends to decrease. Need not always be added.

【0049】また、上記の実施の形態においては、飽和
磁束密度を高めるために、メッキベース層として、メッ
キ膜と同系であるFeCoNi膜を用いているが、Fe
CoNi膜に限られるものではなく、NiFe膜を用い
ても良いものである。
In the above embodiment, the FeCoNi film, which is similar to the plating film, is used as the plating base layer in order to increase the saturation magnetic flux density.
The invention is not limited to the CoNi film, and a NiFe film may be used.

【0050】また、上記の実施の形態の説明において
は、誘導型の薄膜磁気ヘッドの上部磁極層或いは下部磁
極層に用いることを前提に説明しているが、本発明はこ
の様な用途に限られるものではなく、再生専用の単独の
MRヘッドの上下の磁気シールド層として用いても良い
ものであり、更には、誘導型の薄膜磁気ヘッドとMRヘ
ッドを積層させた複合型薄膜磁気ヘッドの上下の磁気シ
ールド層及び上下の磁極層の全体若しくはその一部とし
て用いても良いものである。
In the above description of the embodiment, it is assumed that the magnetic head is used for the upper magnetic pole layer or the lower magnetic pole layer of the induction type thin film magnetic head. However, the present invention is limited to such an application. Instead, it may be used as a magnetic shield layer above and below a read-only single MR head, and furthermore, above and below a composite thin film magnetic head in which an inductive thin film magnetic head and an MR head are stacked. May be used as the whole or a part of the magnetic shield layer and the upper and lower magnetic pole layers.

【0051】さらに、本発明は磁気ヘッドに用いる磁性
材料に限られるものではなく、例えば、磁気測定装置等
における磁気シールド材或いは磁気トランス等として用
いることができる。
Further, the present invention is not limited to the magnetic material used for the magnetic head, but can be used, for example, as a magnetic shield material or a magnetic transformer in a magnetic measuring device or the like.

【0052】ここで、本発明の詳細な特徴を説明する。 (付記1) Fe,Co,Niの重量組成比が、Fe80
Co20,Fe40Co60,Fe40Co40Ni20,Fe70
10Ni20を頂点とする4角形領域に含まれ、且つ、N
i組成比が1重量%以上であることを特徴とする磁性薄
膜。 (付記2) 上記の磁性薄膜の飽和磁束密度が2.0T
以上であることを特徴とする付記1記載の磁性薄膜。 (付記3) 上記磁性薄膜のメッキベース層として、F
eCoNi膜を用いたことを特徴とする付記1または2
に記載の磁性薄膜。 (付記4) 付記1記載の磁性薄膜の製造方法におい
て、Feイオン、Coイオン、及び、Niイオンを含む
メッキ浴中のFeイオン/(Feイオン+Coイオン)
が、0.3≦Feイオン/(Feイオン+Coイオン)
<1.0であるメッキ浴を用いることを特徴とする磁性
薄膜の製造方法。 (付記5) 上記メッキ浴中のNiイオン濃度が、全金
属イオン濃度に対し、0.01%以上であることを特徴
とする付記4記載の磁性薄膜の製造方法。 (付記6) 上記メッキ浴中に、〔=C−SO2 −〕構
造を含まず、且つ、炭素三重結合或いは炭素二重結合を
有する有機不飽和化合物を含有させることを特徴とする
付記4または5に記載の磁性薄膜の製造方法。 (付記7) 上記炭素三重結合或いは炭素二重結合を有
する有機不飽和化合物が、2−プロピン−1−オールで
あることを特徴とする付記6記載の磁性薄膜の製造方
法。 (付記8) 少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッドを備えた
磁気ヘッドにおいて、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの上部
磁極及び下部磁極の少なくとも一部に付記1乃至3のい
ずれか1に記載の磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁
気ヘッド。 (付記9) 付記8記載の磁気ヘッドを備えたことを特
徴とする磁気記憶装置。
Here, the detailed features of the present invention will be described. (Supplementary Note 1) The weight composition ratio of Fe, Co, and Ni is Fe 80
Co 20 , Fe 40 Co 60 , Fe 40 Co 40 Ni 20 , Fe 70 C
o 10 Ni 20 contained in a quadrilateral region having a vertex and N
i. A magnetic thin film having a composition ratio of 1% by weight or more. (Supplementary Note 2) The saturation magnetic flux density of the magnetic thin film is 2.0 T
The magnetic thin film according to claim 1, characterized in that: (Supplementary Note 3) As the plating base layer of the magnetic thin film, F
Appendix 1 or 2 wherein an eCoNi film is used.
3. The magnetic thin film according to 1. (Supplementary Note 4) In the method of manufacturing a magnetic thin film according to Supplementary Note 1, Fe ions in a plating bath containing Fe ions, Co ions, and Ni ions / (Fe ions + Co ions).
Is 0.3 ≦ Fe ion / (Fe ion + Co ion)
A method for producing a magnetic thin film, comprising using a plating bath having a value of <1.0. (Supplementary note 5) The method for producing a magnetic thin film according to Supplementary note 4, wherein the Ni ion concentration in the plating bath is 0.01% or more based on the total metal ion concentration. During (Supplementary Note 6) The plating bath [= C-SO 2 -] does not contain the structure, and, Appendix 4 or, characterized in that contains an organic unsaturated compound having a carbon triple bond or carbon double bond 6. The method for producing a magnetic thin film according to 5. (Supplementary note 7) The method for producing a magnetic thin film according to supplementary note 6, wherein the organic unsaturated compound having a carbon triple bond or a carbon double bond is 2-propyn-1-ol. (Supplementary Note 8) In the magnetic head including at least the inductive thin film magnetic head, the magnetic thin film according to any one of Supplementary notes 1 to 3 is used for at least a part of an upper magnetic pole and a lower magnetic pole of the inductive thin film magnetic head. A magnetic head, characterized in that: (Supplementary note 9) A magnetic storage device comprising the magnetic head according to supplementary note 8.

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明によれば、Fe組成比が大きく高
飽和磁束密度の磁性薄膜を成膜する際に、メッキ浴にN
iイオンを添加することによって、飽和磁束密度の低下
を最小限に抑えた状態で、ピットやクラックのない良好
なメッキ膜を得ることができ、それによって、薄膜磁気
ヘッドの高周波化、高記録密度化に寄与し、ひいては、
高性能HDD装置等を組み込んだ磁気記憶装置等の普及
に寄与するところが大きい。
According to the present invention, when a magnetic thin film having a large Fe composition ratio and a high saturation magnetic flux density is formed, the plating bath contains N
By adding i-ions, it is possible to obtain a good plating film without pits and cracks while minimizing the decrease in the saturation magnetic flux density, thereby increasing the frequency of the thin-film magnetic head and increasing the recording density. And ultimately,
This greatly contributes to the spread of magnetic storage devices and the like incorporating high-performance HDD devices and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の磁性薄膜の好適な組成範
囲の説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a preferable composition range of a magnetic thin film according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態におけるメッキ膜の成膜レ
ートのNi組成比依存性の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of the dependency of the deposition rate of a plating film on the Ni composition ratio in an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態におけるメッキ膜の表面粗
さRa のNi組成比依存性の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of Ni composition ratio dependence of surface roughness Ra of a plating film in the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態におけるメッキ膜の飽和磁
束密度Bs のNi組成比依存性の説明図である。
4 is a Ni composition ratio dependency of illustration of the saturation flux density B s of the plating film in the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態におけるNi析出量のNi
SO4 含有量依存性の説明図である。
FIG. 5 shows the Ni deposition amount of Ni according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram of SO 4 content dependency.

【図6】本発明の実施の形態におけるFe,Co析出量
のFeSO4 ,CoSO4 濃度比依存性の説明図であ
る。
FIG. 6 is an explanatory diagram of the dependency of Fe and Co deposition amounts on the FeSO 4 and CoSO 4 concentration ratio in the embodiment of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01F 41/26 H01F 41/26 (72)発明者 三宅 裕子 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 4K023 AB12 AB13 BA06 CB05 4K024 AA14 AB01 AB15 BA11 BB14 CA01 CA02 5D033 BA03 CA01 DA04 5E049 AA01 BA12 GC01 LC02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01F 41/26 H01F 41/26 (72) Inventor Yuko Miyake 4-1-1 Kamedanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture No.1 Fujitsu Limited F term (reference) 4K023 AB12 AB13 BA06 CB05 4K024 AA14 AB01 AB15 BA11 BB14 CA01 CA02 5D033 BA03 CA01 DA04 5E049 AA01 BA12 GC01 LC02

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Fe,Co,Niの重量組成比が、Fe
80Co20,Fe40Co60,Fe40Co40Ni20,Fe70
Co10Ni20を頂点とする4角形領域に含まれ、且つ、
Ni組成比が1重量%以上であることを特徴とする磁性
薄膜。
The weight composition ratio of Fe, Co, and Ni is Fe
80 Co 20 , Fe 40 Co 60 , Fe 40 Co 40 Ni 20 , Fe 70
Included in a quadrangular region having Co 10 Ni 20 as the apex, and
A magnetic thin film having a Ni composition ratio of 1% by weight or more.
【請求項2】 請求項1記載の磁性薄膜の製造方法にお
いて、Feイオン、Coイオン、及び、Niイオンを含
むメッキ浴中のFeイオン/(Feイオン+Coイオ
ン)が、0.3≦Feイオン/(Feイオン+Coイオ
ン)<1.0であるメッキ浴を用いることを特徴とする
磁性薄膜の製造方法。
2. The method for producing a magnetic thin film according to claim 1, wherein the ratio of Fe ion / (Fe ion + Co ion) in the plating bath containing Fe ion, Co ion, and Ni ion is 0.3 ≦ Fe ion. A method for producing a magnetic thin film, comprising using a plating bath in which / (Fe ion + Co ion) <1.0.
【請求項3】 上記メッキ浴中に、〔=C−SO2 −〕
構造を含まず、且つ、炭素三重結合或いは炭素二重結合
を有する有機不飽和化合物を含有させることを特徴とす
る請求項2記載の磁性薄膜の製造方法。
3. The method according to claim 3, wherein [= C-SO 2- ]
The method for producing a magnetic thin film according to claim 2, wherein an organic unsaturated compound having no structure and having a carbon triple bond or a carbon double bond is contained.
【請求項4】 上記炭素三重結合或いは炭素二重結合を
有する有機不飽和化合物が、2−プロピン−1−オール
であることを特徴とする請求項3記載の磁性薄膜の製造
方法。
4. The method according to claim 3, wherein the organic unsaturated compound having a carbon triple bond or a carbon double bond is 2-propyn-1-ol.
【請求項5】 少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッドを備え
た磁気ヘッドにおいて、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの上
部磁極及び下部磁極の少なくとも一部に請求項1記載の
磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
5. A magnetic head having at least an inductive thin film magnetic head, wherein the magnetic thin film according to claim 1 is used for at least a part of an upper magnetic pole and a lower magnetic pole of the inductive thin film magnetic head. Magnetic head.
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