JP2002124484A - Method and device for removing particle - Google Patents
Method and device for removing particleInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置の
パーティクル除去方法及びその装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing particles in an ion implantation apparatus and an apparatus therefor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、イオン注入装置内部で発生したパ
ーティクル（浮遊塵埃）を除去するには、チャンバー内
を大気解放し、アルコール等による清掃又はＮ2 ガス等
によるサイクルパージを実施しなければならなかった。2. Description of the Related Art Conventionally, in order to remove particles (floating dust) generated inside an ion implantation apparatus, the inside of a chamber must be opened to the atmosphere, and cleaning with alcohol or the like or cycle purging with N 2 gas or the like must be performed. Did not.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、チャン
バーを大気解放すると真空回復に時間がかかってしまい
装置のダウンタイムが大きくなってしまう。また、クラ
イオポンプ等に負荷がかかり再生、交換周期が短くなっ
てしまう。However, when the chamber is opened to the atmosphere, it takes a long time to recover the vacuum and the downtime of the apparatus increases. Further, a load is applied to the cryopump and the like, and the regeneration and replacement cycle is shortened.
【０００４】本発明は、このような従来の問題を除去
し、簡単にイオン注入装置のパーティクルを除去するこ
とができるイオン注入装置のパーティクル除去方法及び
その装置を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of removing particles of an ion implantation apparatus and an apparatus therefor which can eliminate such conventional problems and can easily remove particles of the ion implantation apparatus. is there.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】〔１〕パーティクル除去
方法において、装置内部のパーティクルに電荷を与える
過程と、前記電荷が与えられたパーティクルをウエハで
捕獲する過程とを有することを特徴とする。Means for Solving the Problems [1] A particle removing method is characterized in that the method includes a step of giving a charge to particles inside the apparatus and a step of capturing the charged particles by a wafer.
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載のパーティクル除去
方法において、前記電荷はプラスを帯び、前記ウエハに
マイナス電位を加えてパーティクルを捕獲することを特
徴とする。[2] The particle removing method according to the above [1], wherein the electric charge is positive and the particles are captured by applying a negative potential to the wafer.
【０００７】〔３〕上記〔１〕記載のパーティクル除去
方法において、前記パーティクルにプラスの電荷を与え
るためにプラスの電荷をもったイオンを照射することを
特徴とする。[3] The method for removing particles according to the above [1], wherein the particles are irradiated with ions having positive charges in order to give the particles positive charges.
【０００８】〔４〕上記〔１〕記載のパーティクル除去
方法において、前記電荷はマイナスを帯び、前記ウエハ
にプラス電位を加えてパーティクルを捕獲することを特
徴とする。[4] In the particle removing method according to the above [1], the charge is negative, and the particles are captured by applying a positive potential to the wafer.
【０００９】〔５〕上記〔１〕記載のパーティクル除去
方法において、前記パーティクルにマイナスの電荷を与
えるためにフィラメントより熱電子を発生させることを
特徴とする。[5] The method for removing particles according to the above [1], wherein the filament generates thermoelectrons in order to give a negative charge to the particles.
【００１０】〔６〕装置内部のパーティクルに電荷を与
える手段と、前記電荷が与えられたパーティクルを捕獲
する手段とを具備することを特徴とする。[6] It is characterized by comprising means for giving a charge to particles inside the device, and means for capturing the particles given the charge.
【００１１】〔７〕上記〔６〕記載のパーティクル除去
装置において、前記パーティクルを捕獲する手段は、ウ
エハにマイナス電位を与えるクランプを具備することを
特徴とする。[7] The particle removing apparatus according to the above [6], wherein the means for capturing the particles includes a clamp for applying a negative potential to the wafer.
【００１２】〔８〕上記〔６〕記載のパーティクル除去
装置において、前記パーティクルを捕獲する手段は、ウ
エハにプラス電位を与えるクランプを具備することを特
徴とする。[8] The particle removing apparatus according to [6], wherein the means for capturing the particles includes a clamp for applying a positive potential to the wafer.
【００１３】[0013]
〔９〕上記〔６〕記載のパーティクル除去
装置において、前記パーティクルを捕獲する手段は、静
電チャックを有するウエハを具備することを特徴とす
る。[9] In the particle removing apparatus according to the above [6], the means for capturing the particles includes a wafer having an electrostatic chuck.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１５】図１は本発明の第１実施例を示すイオン注
入装置におけるパーティクルの除去工程図であり、図１
（ａ）はその第１工程を示す図、図１（ｂ）はその第２
工程を示す図である。FIG. 1 is a view showing a process of removing particles in an ion implantation apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 1A is a view showing the first step, and FIG.
It is a figure showing a process.
【００１６】まず、図１（ａ）に示すように、イオン注
入装置１のイオン発生源（図示なし）より、プラスの電
荷を持ったイオン２（Ｂ+ ビーム）にエネルギーを与
え、ウエハ３に照射する。その時、途中でパーティクル
４があると、イオン２がパーティクル４と衝突して、パ
ーティクル４はプラスの電荷を帯びる。First, as shown in FIG. 1A, energy is applied to ions 2 (B + beam) having a positive charge from an ion source (not shown) of an ion implantation apparatus 1 to apply Irradiate. At this time, if there is a particle 4 on the way, the ion 2 collides with the particle 4, and the particle 4 takes a positive charge.
【００１７】そこで、そのプラスの電荷を帯びたパーテ
ィクル４′を捕獲するために、図１（ｂ）に示すよう
に、クランプ６をマイナスの電位にする。In order to capture the positively charged particles 4 ', the clamp 6 is set at a negative potential as shown in FIG. 1B.
【００１８】なお、５はウエハ３が保持されるステージ
である。Reference numeral 5 denotes a stage on which the wafer 3 is held.
【００１９】また、図２に示すように、ウエハとして、
ウエハ形状をもつアルミナ基板１１等の絶縁物の上にア
ルミニウム等のメタル膜１２を形成し、その上に酸化膜
１３を生成後、クランプ１４が接触する場所のみ酸化膜
１３をエッチングしたものを使用することも可能であ
る。この場合は、酸化膜１３がコンデンサの役割も果た
し、プラスの電荷を帯びたパーティクル４′（図１
（ｂ）参照）を捕獲することができる。Further, as shown in FIG.
A metal film 12 made of aluminum or the like is formed on an insulator such as an alumina substrate 11 having a wafer shape, an oxide film 13 is formed on the metal film 12, and the oxide film 13 is etched only at a place where the clamp 14 contacts. It is also possible. In this case, the oxide film 13 also functions as a capacitor, and the particles 4 ′ having a positive charge (FIG. 1)
(See (b)).
【００２０】更に、静電チャックを使用してウエハを固
定し、図３に示すように、Ｓｉ基板等の導電性の基板２
１上に酸化膜２２を形成したウエハを使用することも可
能である。この場合は、プラスの電荷を帯びたパーティ
クル４′（図１（ｂ）参照）を酸化膜２２中に捕獲する
ことができる。酸化膜２２が汚れた場合は、酸化膜２２
をＨＦ液にて汚れを除去し、再度酸化膜の生成が可能で
ある。Further, the wafer is fixed by using an electrostatic chuck, and as shown in FIG.
It is also possible to use a wafer on which an oxide film 22 is formed. In this case, particles 4 ′ having a positive charge (see FIG. 1B) can be captured in the oxide film 22. If the oxide film 22 becomes dirty,
Can be removed with an HF solution to form an oxide film again.
【００２１】図４は本発明の第２実施例を示すイオン注
入装置におけるパーティクルの除去工程図であり、図４
（ａ）はその第１工程を示す図、図４（ｂ）はその第２
工程を示す図である。FIG. 4 is a view showing a process of removing particles in an ion implantation apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4A shows the first step, and FIG. 4B shows the second step.
It is a figure showing a process.
【００２２】まず、図４（ａ）に示すように、イオン注
入装置３１のフィラメント３２より発生した熱電子
（−）３５はアパーチャ３３にプラスの電位を与えるこ
とで加速させる。その加速された電子はターゲット３４
に到達する。その時、パーティクル３６が存在すると、
熱電子（−）３５が衝突してパーティクル３６はマイナ
スの電荷を帯びる。First, as shown in FIG. 4A, the thermoelectrons (-) 35 generated from the filament 32 of the ion implanter 31 are accelerated by giving a positive potential to the aperture 33. The accelerated electrons are applied to the target 34
To reach. At that time, if the particles 36 exist,
The particles 36 take a negative charge due to the collision of the thermoelectrons (−) 35.
【００２３】そこで、図４（ｂ）に示すように、マイナ
スの電荷を帯びたパーティクル３６′を捕獲するため
に、クランプ３９をプラスの電位にする。Therefore, as shown in FIG. 4B, the clamp 39 is set to a positive potential in order to capture particles 36 'having a negative charge.
【００２４】なお、３８はウエハ３７が保持されるステ
ージであり、電子の発生方法としては、Ａｒガスで電子
を引き出す方法がある。静電チャックを持っている場合
は、ウエハに接触する電極にプラスを印加するようにす
ることができる。Reference numeral 38 denotes a stage on which the wafer 37 is held. As a method of generating electrons, there is a method of extracting electrons with Ar gas. If an electrostatic chuck is provided, a positive voltage can be applied to the electrode that contacts the wafer.
【００２５】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made based on the gist of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、イオン注入装置におけるパーティクルを内部清
掃（大気解放）することなしに、除去することができ
る。As described in detail above, according to the present invention, particles in an ion implantation apparatus can be removed without cleaning the inside (opening to the atmosphere).
【００２７】また、イオンビームを用いる装置に適用す
ることができる。Further, the present invention can be applied to an apparatus using an ion beam.
【図１】本発明の実施例を示すイオン注入装置における
パーティクルの除去工程図である。FIG. 1 is a process diagram of removing particles in an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例を示すパーティクルの除去の説
明図（その１）である。FIG. 2 is an explanatory view (Part 1) of particle removal according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例を示すパーティクルの除去の説
明図（その２）である。FIG. 3 is an explanatory view (part 2) of particle removal according to the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２実施例を示すイオン注入装置にお
けるパーティクルの除去工程図である。FIG. 4 is a process diagram for removing particles in an ion implantation apparatus according to a second embodiment of the present invention.
１，３１ イオン注入装置 ２ イオン（Ｂ+ ビーム） ３，３７ ウエハ ４，３６ パーティクル（浮遊塵埃） ４′ プラスの電荷を帯びたパーティクル ５，３８ ステージ ６，１４，３９ クランプ １１ ウエハ形状をもつアルミナ基板 １２ メタル膜 １３，２２ 酸化膜 ２１ Ｓｉ基板等の導電性の基板 ３２ フィラメント ３３ アパーチャ ３４ ターゲット ３５ 熱電子（−） ３６′ マイナスの電荷を帯びたパーティクル1,31 ion implanter 2 ions (B + beam) 3,37 wafer 4,36 particles (floating dust) 4 'particles with a positive charge 5,38 stage 6,14,39 clamp 11 wafer-shaped alumina Substrate 12 Metal film 13, 22 Oxide film 21 Conductive substrate such as Si substrate 32 Filament 33 Aperture 34 Target 35 Thermoelectron (-) 36 'Negatively charged particles
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D054 AA20 BA02 BA17 BC02 BC10 BC33 4K029 AA24 DA09 DE00 JA05 5C034 CC07 CC11 CC19 Continuation of the front page F term (reference) 4D054 AA20 BA02 BA17 BC02 BC10 BC33 4K029 AA24 DA09 DE00 JA05 5C034 CC07 CC11 CC19
Claims (9)
える過程と、（ｂ）前記電荷が与えられたパーティクル
をウエハで捕獲する過程とを有することを特徴とするパ
ーティクル除去方法。1. A method for removing particles, comprising: (a) a step of giving a charge to particles inside an apparatus; and (b) a step of capturing the charged particles by a wafer.
おいて、前記電荷はプラスを帯び、前記ウエハにマイナ
ス電位を加えてパーティクルを捕獲することを特徴とす
るパーティクル除去方法。2. The particle removing method according to claim 1, wherein the charge is positive, and a negative potential is applied to the wafer to capture the particles.
おいて、前記パーティクルにプラスの電荷を与えるため
にプラスの電荷をもったイオンを照射することを特徴と
するパーティクル除去方法。3. The particle removing method according to claim 1, further comprising irradiating the particles with ions having a positive charge to give the particles a positive charge.
おいて、前記電荷はマイナスを帯び、前記ウエハにプラ
ス電位を加えてパーティクルを捕獲することを特徴とす
るパーティクル除去方法。4. The particle removing method according to claim 1, wherein the charge has a negative value, and a positive potential is applied to the wafer to capture the particles.
おいて、前記パーティクルにマイナスの電荷を与えるた
めにフィラメントより熱電子を発生させることを特徴と
するパーティクル除去方法。5. The particle removing method according to claim 1, wherein a thermoelectron is generated from a filament in order to give the particles a negative charge.
える手段と、（ｂ）前記電荷が与えられたパーティクル
を捕獲する手段とを具備することを特徴とするパーティ
クル除去装置。6. An apparatus for removing particles, comprising: (a) means for applying a charge to particles inside the apparatus; and (b) means for capturing the particles provided with the charge.
おいて、前記パーティクルを捕獲する手段は、ウエハに
マイナス電位を与えるクランプを具備することを特徴と
するパーティクル除去装置。7. The particle removing apparatus according to claim 6, wherein the means for capturing the particles includes a clamp for applying a negative potential to the wafer.
おいて、前記パーティクルを捕獲する手段は、ウエハに
プラス電位を与えるクランプを具備することを特徴とす
るパーティクル除去装置。8. The particle removing apparatus according to claim 6, wherein the means for capturing the particles includes a clamp for applying a positive potential to the wafer.
おいて、前記パーティクルを捕獲する手段は、静電チャ
ックを有するウエハを具備することを特徴とするパーテ
ィクル除去装置。9. The particle removing apparatus according to claim 6, wherein the means for capturing the particles includes a wafer having an electrostatic chuck.
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