JP2002118319A - マイクロ共振器及び配列された電気光学要素よりなるマイクロレーザアセンブリ - Google Patents

マイクロ共振器及び配列された電気光学要素よりなるマイクロレーザアセンブリ

Info

Publication number
JP2002118319A
JP2002118319A JP2001244811A JP2001244811A JP2002118319A JP 2002118319 A JP2002118319 A JP 2002118319A JP 2001244811 A JP2001244811 A JP 2001244811A JP 2001244811 A JP2001244811 A JP 2001244811A JP 2002118319 A JP2002118319 A JP 2002118319A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microresonator
electro
microlaser
microlaser assembly
directing element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001244811A
Other languages
English (en)
Inventor
Brian Lee Peterson
リー ぺターソン ブライアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northrop Grumman Guidance and Electronics Co Inc
Original Assignee
Litton Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Litton Systems Inc filed Critical Litton Systems Inc
Publication of JP2002118319A publication Critical patent/JP2002118319A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/101—Lasers provided with means to change the location from which, or the direction in which, laser radiation is emitted
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0606—Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0612—Non-homogeneous structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08095—Zig-zag travelling beam through the active medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123—Q-switching
    • H01S3/113—Q-switching using intracavity saturable absorbers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼性があり、正確に整列させることができ
る超小型レーザとその関連する電気光学構成要素とを有
する超小型レーザアセンブリを提供すること。 【解決手段】 マイクロレーザアセンブリは、機械的な
整列部材も備えることができる。たとえば、マイクロレ
ーザアセンブリは、マイクロ共振器とビーム誘導素子と
を整列させるための第１の機械的な整列部材と、ビーム
誘導素子と電気光学構成要素とを整列させるための第２
の機械的な整列部材とを備えることができる。この点に
関して、第１および第２の機械的な整列部材はそれぞ
れ、マイクロ共振器、ビーム誘導素子および／または電
気光学構成要素を動作可能に係合するための少なくとも
１つのピンを備えることができる。それゆえ、マイクロ
共振器によって放射される放射されるレーザ信号は、所
望のレーザ出力を供給するために、電気光学構成要素に
効率的に結合されることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は全般にマイクロレー
ザアセンブリに関し、より詳細には、マイクロ共振器
と、１つあるいは複数の電気光学構成要素と、マイクロ
共振器によって放射されるレーザ信号を電気光学構成要
素と制御可能に整列させるためのビーム誘導素子とを備
えるマイクロレーザアセンブリに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の電気光学の応用形態では、一連の
鮮明な出力パルスを生成することができる、比較的安価
で小型のレーザが要求されている。そのため、マイクロ
共振器と、その間で共振空洞を画定するためにマイクロ
共振器の両端に配置される一対の少なくとも部分的に反
射性のミラーとを備える種々のマイクロレーザが開発さ
れている。１つの有用なマイクロレーザのマイクロ共振
器は、能動利得媒体と、Ｑスイッチとして機能する可飽
和吸収体とを備える。たとえば、１９９５年２月２８日
に発行されたJohn J. Zayhowskiに対する米国特許第
５，３９４，４１３号、および２０００年６月６日に発
行されたBrian L. Petersonに対する米国特許第６，０
７２，８１５号を参照されたい。いずれの特許の内容
も、全体を参照して本明細書に援用される。レーザダイ
オードのような能動利得媒体を適当に励起することによ
り、マイクロ共振器は、所定の波長、パルス幅およびパ
ルスエネルギーを有する一連のパルスを放射するであろ
う。
【０００３】当業者に知られているように、マイクロレ
ーザから放射される信号の波長は、能動利得媒体および
可飽和吸収体を形成する材料に依存する。対照的に、従
来のマイクロレーザから放射されるレーザパルスのパル
ス幅は、共振空洞の長さに比例する。そのため、一般
に、より長い共振空洞は、以下の式によって定義される
ように、より大きなパルス幅を有する出力パルスを放射
するであろう。
【数１】 ただしｔｐｗはパルス幅であり、ｌは共振空洞の長さで
あり、ｎはマイクロレーザの屈折率であり、ｃは光の速
さである。さらに、マイクロレーザによって与えられる
パルスエネルギーおよび平均電力は、マイクロレーザに
よって出力されるパルスのパルス幅に比例する。全ての
他の要因が等しいとすると、マイクロ共振器空洞が長く
なると利得が増加し、結果として、生成されるレーザパ
ルスのパルス幅は長くなり、パルスエネルギーおよび平
均電力は大きくなる。
【０００４】米国特許第５，３９４，４１３号に記載さ
れるような従来のマイクロレーザは、共振空洞によって
画定される長軸に平行な方向において端面励起される。
この点に関して、マイクロ共振器空洞の長軸は、共振空
洞を通って長手方向に延在し、共振空洞の両端を画定す
る少なくとも部分的に反射性の一対のミラーに直交する
ように向けられる。そのため、従来のマイクロレーザ
は、励起源が、共振空洞の両端面を画定する少なくとも
部分的に反射性のミラーに垂直な方向において励起信号
を供給するように構成される。それゆえ、共振空洞の有
効長は、共振空洞の物理的な長さに等しい。
【０００５】マイクロレーザは、共振空洞が種々の長さ
を有するように製造することができるが、多数の要因が
一因となって、共振空洞の許容可能な長さを全体的に制
限する。詳細には、多数の電気光学的な応用形態が、非
常に小さいマイクロレーザを要求する。そのため、共振
空洞の長さの増加に応じて、マイクロレーザ全体のサイ
ズを増加するので、そのような共振空洞の長さの増加
は、これらの応用形態を著しく阻害する。さらに、パッ
シブにＱスイッチされたマイクロレーザは、反転密度が
レーザ放射を開始する前に所定の閾値を超えなえればな
らないという要件によって事実上制限される。共振空洞
の物理的な長さが増加するとき、レーザ放射するために
必要な反転密度を形成するために、より多量の励起エネ
ルギーを必要とする。マイクロレーザを励起するため
に、より多くの電力を無駄に消費することに加えて、多
量の励起エネルギーを要するという要件は、マイクロレ
ーザを連続して動作させるために適切に処理されなけれ
ばならないマイクロレーザの内の熱を多量に生成してし
まうといった、多くの他の問題を生み出す。
【０００６】そのために、Brain L. Peterson等により
１９９９年６月２１日に出願された米国特許出願第０９
／３３７，４３２号、およびSteve Guch, Jr. 等により
１９９９年６月２１日に出願された米国特許出願第０９
／３３７，７１６号に記載されるような側面励起式マイ
クロレーザが開発されている。そのいずれの特許出願も
全体を参照して本明細書に援用される。端面励起式マイ
クロレーザと同様に、側面励起式マイクロレーザは、能
動利得媒体、およびＱスイッチとして機能する可飽和吸
収体からなるマイクロ共振器と、共振空洞を画定するた
めにマイクロ共振器の両端に配置される少なくとも部分
的に反射性の一対のミラーとを備える。しかしながら、
マイクロ共振器の相対する端面がマイクロ共振器によっ
て画定される長軸に垂直である端面励起式マイクロレー
ザとは異なり、側面励起式マイクロレーザのマイクロ共
振器の相対する端面は、マイクロ共振器を通って長手方
向に画定される長軸に垂直な線に対して、約３０°〜約
３５°のような直角でない角度に配置される。そのた
め、マイクロ共振器はジグザグの共振パターンを可能に
するであろう。共振を開始するために、マイクロレーザ
は、マイクロ共振器の側面を介して、能動利得媒体に励
起信号を導入するための励起源も備える。側面を介して
能動利得媒体が励起されるのに応じて、一旦必要な反転
密度に到達したなら、共振空洞内にジグザグの共振パタ
ーンが確立され、一連のパルスが放射される。ジグザグ
共振パターンの結果として、側面励起式マイクロレーザ
のマイクロ共振器の有効長は、物理的な寸法を大きくす
ることを必要とせずに増加する。こうして、側面励起式
マイクロレーザは、同じサイズの端面励起式マイクロレ
ーザによって供給されるパルスよりも大きなパルス幅を
有し、それに応じて、より大きなパルスエネルギーと平
均電力レベルとを有するパルスを生成することができ
る。
【０００７】側面励起式マイクロレーザによってもたら
される利点にもかかわらず、最近の電気光学的な応用形
態の中には、マイクロ共振器によって放射されるパルス
よりも大きなパルスエネルギーと大きな平均電力レベル
を有するパルス、ならびにマイクロ共振器によって放射
されるパルスとは異なる波長を有するパルスを要求する
ものもある。そのためマイクロレーザアセンブリは一般
に、マイクロ共振器と、そのパルスを受信し、かつ変更
するための１つあるいは複数の電気光学構成要素とを備
える。たとえば、電気光学構成要素は、パルスを増幅す
るための光パラメトリック増幅器を備えることができ
る。別法では、電気光学構成要素は、たとえば、パルス
周波数を逓倍、あるいは４逓倍することにより、パルス
の波長を変更するための１つあるいは複数の非線形水晶
振動子を備えることができる。
【０００８】マイクロレーザから放射されるパルスを適
当に受信し、かつ変更するために、電気光学構成要素
は、マイクロレーザに対して正確に整列させなければな
らない。マイクロレーザおよび関連する電気光学構成要
素が小さくなると、この整列が一層必要になるが、一層
難しくもなる。さらに、マイクロレーザアセンブリのた
めの要件が増加するので、マイクロレーザと、関連する
電気光学構成要素との適当な整列は一層重要になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、最近の電気光学的な応用形態によって要求され
る出力を供給するために、信頼性があり、正確に整列さ
せることができるマイクロ共振器とその関連する電気光
学構成要素とを有するマイクロレーザアセンブリを提供
することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】それゆえ、能動利得媒体
および受動Ｑスイッチを有するマイクロ共振器と、マイ
クロ共振器の共振とレーザの信号の生成とを引き起こす
ための励起源と、マイクロレーザによって放射されるレ
ーザ信号を変更するための、１つあるいは複数の非線形
水晶振動子、増幅器、発振器および他の能動利得媒体の
ような１つあるいは複数の電気光学構成要素と、マイク
ロ共振器によって放射されるレーザ信号を電気光学構成
要素と整列させるためのビーム誘導素子とを備えるマイ
クロレーザアセンブリが提供される。１つの有利な実施
形態では、励起源が、マイクロ共振器の第１の側面を介
して能動利得媒体を励起する。側面励起に応じてジグザ
ク共振パターンを可能にするために、マイクロ共振器の
第１および第２の端面は典型的には、マイクロ共振器に
よって画定される長軸に対して直角でない角度で配置さ
れる。ジグザグ共振パターンの結果として、マイクロ共
振器は、同じサイズの従来のマイクロ共振器によって生
成されるパルスより大きなパルス幅を有し、それに応じ
て大きなパルスエネルギーと平均電力レベルとを有する
パルスを生成することができる。さらに、マイクロ共振
器によって放射されるレーザ信号と、電気光学構成要素
とを正確に整列させることにより、本発明のマイクロレ
ーザアセンブリのビーム誘導素子は、マイクロレーザア
センブリを信頼性があり、効率的に動作させることを容
易にし、特定の応用形態の要件に応じてレーザ信号を増
幅し、かつ／またはレーザ信号の波長を変更するための
多数の下流の電気光学段を利用できるようにする。
【００１１】ビーム誘導素子は、マイクロ共振器によっ
て放射されるレーザ信号を電気光学構成要素と正確に整
列させるように制御かつ調整可能であることが好まし
い。たとえば、ビーム誘導素子は、少なくとも１つのく
さび形プリズムを備えることができ、一実施形態では、
一対の誘導用リズレープリズムを備える。ビーム誘導素
子は典型的には、マイクロ共振器によって放射されるレ
ーザ信号を電気光学構成要素と比較的正確に整列させ
る。より全体的に整列させるために、マイクロレーザ共
振器は、機械的な整列部材を備えることもできる。
【００１２】この有利な実施形態では、マイクロレーザ
アセンブリは、マイクロ共振器とビーム誘導素子とを整
列させるための第１の機械的な整列部材と、ビーム誘導
素子と電気光学構成要素とを整列させるための第２の機
械的な整列部材とを備えることができる。たとえば、第
１および第２の機械的な整列部材はそれぞれ、マイクロ
共振器、ビーム誘導素子および／または電気光学構成要
素と動作可能に係合するための少なくとも１つのピンを
備えることができる。この点に関して、マイクロレーザ
アセンブリはさらに、マイクロ共振器を支持するための
マイクロ共振器台と、電気光学構成要素を支持するため
の構成要素台とを備えることができる。さらに、本実施
形態のマイクロレーザアセンブリは、ビーム誘導素子を
保持するためのハウジングを備えることができる。した
がって、マイクロ共振器とビーム誘導素子とを全体的に
整列させるために、第１の機械的な整列部材の少なくと
も１つのピンが、マイクロ共振器台とハウジングとに係
合することができる。同様に、電気光学構成要素とビー
ム誘導素子とを全体的に整列させるために、第２の機械
的な整列部材の少なくとも１つのピンが、構成要素台と
ハウジングとに係合することができる。したがって、機
械的な整列部材が、マイクロ共振器と電気光学構成要素
との全体的な整列を提供することができる一方、制御か
つ調整可能なビーム誘導素子がより正確な整列あるいは
精細な調整を提供する。
【００１３】マイクロ共振器が側面励起される１つの有
利な実施形態では、マイクロ共振器は、相対する端面間
に延在し、第１の側面の反対側に位置する第２の側面も
有する。したがって、そのジグザグ共振パターンは、第
１および第２の側面の一方の近くの各変曲点で交差す
る、交互に反対の傾きをなす多数のセグメントを備え
る。したがって、マイクロレーザアセンブリは、変曲点
で一致する、それぞれ第１および第２の側面に沿った位
置において、能動利得媒体に励起信号を導入するための
第１および第２の励起源を備えることができる。こうし
て、その励起信号によって供給される利得を最大にする
ことができる。
【００１４】それゆえ、本発明のマイクロレーザアセン
ブリは、側面励起式マイクロ共振器のようなマイクロ共
振器と、１つあるいは複数の非線形水晶振動子、増幅器
および発振器のような１つあるいは複数の電気光学構成
要素とを整列させることができる。詳細には、一実施形
態のマイクロレーザアセンブリは、１つあるいは複数の
機械的な整列部材によってマイクロ共振器と電気光学構
成要素との全体的な整列と、ビーム誘導素子によってマ
イクロ共振器と電気光学構成要素とのいっそう正確で、
制御かつ調整可能な整列との両方を提供する。こうし
て、マイクロ共振器によって放射されるレーザ信号は、
所望のレーザ出力を供給するために、電気光学構成要素
に効率的に結合させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の好ましい実施形
態が示される添付の図面を参照しつつ、本発明がさらに
十分に記載されるであろう。しかしながら、本発明は、
多くの異なる形態で具現することもでき、本明細書に記
載される実施形態に限定されるものと解釈されるべきで
はない。むしろ、これらの実施形態は、本開示内容が細
部に至るまで完全に記載され、当業者に本発明の範囲を
十分に伝えられるように提供される。同じ番号は、全体
を通して同じ要素を参照している。
【００１６】ここで図１を参照すると、本発明の１つの
有利な実施形態によるマイクロレーザアセンブリ１０が
示される。図２および図３にさらに詳細に示されるよう
に、マイクロレーザアセンブリは、能動利得媒体１２
と、その能動利得媒体に直に隣接することが好ましい、
受動ＱスイッチのようなＱスイッチ１４とを有するマイ
クロ共振器を備える。１つの有利な実施形態のマイクロ
共振器は、Ｑスイッチ上に能動利得媒体をエピタキシャ
ル成長させることにより製造されるが、マイクロ共振器
は他の態様で製造することもできる。たとえば、能動利
得媒体およびＱスイッチは、能動利得媒体およびＱスイ
ッチが、ファンデルワールス力のような相互作用による
力で引き付けられるように、拡散接合あるいはオプィカ
ルコンタクトによって接合させることができる。
【００１７】Ｑスイッチ１４および能動利得媒体１２は
いずれも、適当にドープされたホスト材料から形成され
る。典型的には、そのホスト材料は、イットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）であるが、バナジン
酸イットリウム（ＹＶＯ４）およびフッ化イットリウム
リチウム（ＹＬＦ）のような材料を用いることもでき
る。さらに、種々のドーパントを用いることができる
が、能動利得媒体は典型的にはネオジム（Ｎｄ）をドー
プされ、可飽和吸収体は典型的には４価のクロムをドー
プされる。たとえば、１つの有利な実施形態では、能動
利得媒体は、約２〜３原子％のＮｄをドープされたＹＡ
Ｇから形成される。この実施形態では、Ｑスイッチある
いは可飽和吸収体もＹＡＧから形成され、０．０３〜
０．１の光学濃度を有するように４価クロムをドープさ
れる。しかしながら、能動利得媒体および可飽和吸収体
は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、異
なる原子％、および異なるタイプのドーパントでドープ
することができることは明らかであろう。
【００１８】材料の選択に関係なく、可飽和吸収体はＱ
スイッチ１４として機能し、マイクロ共振器１１内の反
転密度が十分に高くなるまで、すなわち所定の閾値より
大きくなるまでレーザ放射の開始を防ぐことができる。
しかしながら、一旦レーザ放射が開始されたなら、マイ
クロ共振器は、従来のマイクロレーザによって生成され
るレーザパルスより長いパルス幅を有するが、所定のパ
ルス幅を持つ所定の波長、すなわちレーザ放射波長の一
連のパルスを生成するであろう。
【００１９】マイクロ共振器１１は、相対する端面１６
間の長手方向に延在し、それにより長軸１８を画定す
る。米国特許出願第０９／３３７，４３２号に記載され
るように、能動利得媒体１２は、相対する端面の一方の
近くに位置し、Ｑスイッチ１４は他の端面の近くに位置
することが好ましい。しかしながら、能動利得媒体およ
びＱスイッチはいずれも、所望により、米国特許出願第
０９／３３７，７１６号に記載されるように、相対する
端面間の長手方向に延在することができる。
【００２０】マイクロ共振器空洞を有効に長くするよう
に、マイクロ共振器１１内でジグザグ共振パターンを可
能にするために、一実施形態のマイクロ共振器の相対す
る端面１６はそれぞれ、マイクロ共振器によって画定さ
れる長軸１８に対して、直角ではない角度∀で配置され
ることが好ましい。相対する端面は、長軸に対して直角
ではない種々の角度で配置することができるが、相対す
る端面は典型的には、長軸に対する垂直な線に対して約
３０°〜４５°の角度∀で、より一般的には、約３０．
９°の角度で配置される。典型的には、角度αは、ｓｉ
ｎ−１（ｎ０／ｎｒ）に等しくなるように定義される。
ただし、ｎ０は周囲環境のための屈折率、たとえば空気
の場合には１．０であり、ｎｒは能動利得媒体１２の屈
折率である。
【００２１】マイクロ共振器１１によって確立された共
振パターンは信号の内部全反射（ＴＩＲ）によって形成
され、それは、各材料の屈折率によって支配されるの
で、第１および第２の相対する側面２０、２２の間で測
定されるようなマイクロ共振器１１の厚さＴと、先端間
で測定されるマイクロ共振器の長さＬと、マイクロ共振
器の長軸１８に対して相対する端面によって画定される
角度∀と、放射前のマイクロ共振器の側面からの信号の
反射あるいは跳ね返りの数Ｎとの間の関係は、以下の式
によって定義することができる。
【数２】 さらに、マイクロ共振器の第１および第２の側面それぞ
れの長さ、すなわち底辺長はＮＴ／ｔａｎαに等しいも
のと定義される。
【００２２】図３に示されるように、相対する端面１６
はそれぞれ、相対する端面が平行になるように、マイク
ロ共振器１１によって画定される長軸１８に対して、直
角ではない同じ角度∀で配置することができる。別法で
は、相対する端面は、マイクロ共振器によって画定され
る長軸に対して、直角ではない同じ角度∀だけ反対方向
に向けることができる。いずれの実施形態でも、結果的
なマイクロ共振器は、図のようなジグザグ共振パターン
を可能にする。
【００２３】マイクロ共振器１１内でジグザグ共振パタ
ーンを可能にすることにより、共振パターンの有効長
は、長軸１８に沿って測定されるようなマイクロ共振器
の物理的な長さよりも著しく長くなる。この点に関し
て、共振パターンの有効長は、信号がマイクロ共振器の
相対する側面２０、２２から交互に跳ね返る際の信号の
経路によって画定される。信号がマイクロ共振器の相対
する側面から４回反射、あるいは跳ね返るように設計さ
れる、すなわちＮ＝４のマイクロレーザアセンブリ１０
の場合、ジグザグ共振パターンの有効長は、長軸に沿っ
て測定されるようなマイクロ共振器空洞の物理的な長さ
の約３〜４倍になる。従来の端面励起式マイクロレーザ
の場合、共振空洞の共振パターンの長さおよび物理的な
長さが同じであるため、本発明のマイクロレーザは、マ
イクロ共振器の物理的な寸法を増大させることを必要と
することなく、非常に長い共振パターンを有利に提供す
る。共振パターンが長くなる結果として、マイクロ共振
器１１から出力されるパルスのパルス幅あるいはパルス
持続時間は、同じサイズの従来のマイクロレーザによっ
て出力されるパルスのパルス幅に対して長くなる。たと
えば、一実施形態のマイクロ共振器によって出力される
パルスは、ナノ秒以下のパルス幅を有する同じサイズの
従来の端面励起式マイクロ共振器によって出力されるパ
ルスと比べて、１〜１０ナノ秒、より典型的には２〜５
ナノ秒のパルス幅を有することが予想される。さらに、
本実施形態のマイクロ共振器アセンブリによって出力さ
れるパルスによって給送されるエネルギーは、同じサイ
ズの従来の端面励起式マイクロ共振器によって出力され
るパルスによって給送されるエネルギーより著しく高く
なるはずである。この点に関して、同じサイズの従来の
端面励起式マイクロ共振器によって出力されるパルスに
よって供給される約３５μＪ未満のパルスエネルギーと
比較すると、約１００μＪまでのエネルギーを有するパ
ルスが、本実施形態のマイクロ共振器によって放射され
ることが期待される。したがって、本実施形態のマイク
ロ共振器によって放射されるパルスは、典型的には０．
１Ｗ未満の従来の端面励起式マイクロ共振器の平均電力
より、著しく大きな、たとえば０．１Ｗ〜１Ｗの平均電
力を有することが予想される。
【００２４】またマイクロレーザアセンブリ１０は、相
対する端面１６のそれぞれの一方の近くに配置され、そ
の間でマイクロ共振器空洞を画定する第１および第２の
反射表面２４、２６も備える。図３に示されるように、
第１および第２の反射表面は、相対する端面上に堆積さ
れる多層の誘電体コーティングから形成することができ
る。別法では、第１および第２の反射表面は、相対する
端面のそれぞれ一方の近くに配置されるが、それぞれの
一方からわずかに離隔して配置される第１および第２の
ダイクロイックミラーによって形成することができる。
【００２５】いずれの実施形態でも、能動利得媒体１２
によって画定されるマイクロ共振器１１の端面１６の近
くにある第１の反射表面２４は、所定のレーザ放射波
長、たとえばＮｄドープＹＡＧから形成される能動利得
媒体を有するマイクロ共振器の場合の１．０６４ｎｍを
有する信号に対して、高い反射率、たとえば９９．５％
より高い反射率を有する。さらに、受動Ｑスイッチ１４
によって画定されるマイクロ共振器の端面の近くに配置
される第２の反射表面２６は、所定のレーザ放射波長を
有する信号に対して、部分的な反射器、典型的には４０
％〜９０％の反射率を有する反射器である。マイクロレ
ーザの共振空洞を画定する一対のミラーをさらに記載す
る米国特許第５，３９４，４１３号も参照されたい。
【００２６】一旦能動利得媒体１２が、マイクロ共振器
１１内の反転密度が所定の閾値より大きくなるように励
起されれば、受動Ｑスイッチによって一連のパルスが放
射されるようになるであろう。第２の反射表面２６が部
分的に反射性である結果として、その後、一連のパルス
は、第２の反射表面を通過して放射されるであろう。
【００２７】励起信号で能動利得媒体１２を励起するた
めに、マイクロレーザアセンブリ１０は励起源２８も備
える。１つの有利な実施形態では、マイクロ共振器は側
面励起される。この点に関して、マイクロ共振器は、相
対する端面１６間に延在する第１の側面２０を有する。
励起信号がマイクロ共振器の第１の側面を介して給送さ
れるように励起源を配置することにより、その能動利得
媒体は有効に側面励起される。マイクロレーザは１つの
側面を介して励起することができるが、代わりに、マイ
クロレーザは、図３に示されるように、相対する第１お
よび第２の側面２０、２２のような２つ以上の側面を介
して励起できることが有利である。
【００２８】励起信号の波長は、能動利得媒体１２を含
む特定の材料に対して調整することができるが、Ｎｄド
ープＹＡＧからなる能動利得媒体は典型的には、８０８
±３ｎｍの波長を有する励起信号で励起される。励起信
号が、第１の側面２０から反射されることなく、能動利
得媒体によって受信されるようにするために、マイクロ
共振器は一般に、第１および／または第２の側面上に堆
積される反射防止コーティング３０を含み、励起信号の
波長を有する信号を、もしあってもわずかな反射で、マ
イクロ共振器１１に入力できるようにする。
【００２９】マイクロレーザアセンブリ１０は種々の励
起源２８を備えることができるが、１つの有利な実施形
態のマイクロレーザアセンブリは、以下に記載されるよ
うに、能動利得媒体１２の長さに沿って配置されること
が好ましい１つあるいは複数の線形レーザダイオード励
起源アレイ（linear laser diode pump arrays）２９を
用いる。線形レーザダイオード励起源アレイは典型的に
は、明瞭にするために示されていないが、当業者にはよ
く知られている一対の導線によって供給される電流を用
いて駆動される。レーザダイオード励起源アレイを用い
ることにより、励起信号を介して給送されるエネルギー
は、従来のマイクロレーザを端面励起するために典型的
に用いられる一列のレーザダイオードの励起信号によっ
て供給されるエネルギーと比べて著しく増加する。たと
えば、約１ｃｍの長さを有する線形レーザダイオードア
レイは一般に、一列のレーザダイオードの励起信号によ
って供給される平均的な励起電力の１〜３Ｗに比べて、
１５〜４０Ｗの平均励起電力を有する励起信号を供給す
ることができる。
【００３０】側面励起、およびマイクロ共振器１１の相
対する端面１６に角度を付けて構成する結果として、マ
イクロ共振器によって確立される共振パターンは、従来
の端面励起式マイクロレーザの場合に通常生じるよう
に、長軸１８に平行ではない。代わりに、１つの有利な
実施形態のマイクロ共振器によって確立される共振パタ
ーンは、図３に示されるようなジグザグの共振パターン
である。ジグザグの共振パターンを可能にするために、
能動利得媒体１２は、第１および第２の側面２０、２２
を介して励起されることが好ましい。そのいずれの側面
とも、図３に示されるような本実施形態によれば、反射
防止コーティング３０でコーティングされる。しかしな
がら、別の実施形態では、能動利得媒体は、第１の側面
を介してのみ励起される。この別の実施形態において、
励起信号の望ましくない損失を防ぐために、励起信号が
受信される第１の側面と反対側にある、マイクロ共振器
１１の第２の側面は、励起信号の波長を有する信号に対
して、９９．５％より大きい反射率のような高い反射率
を有する反射性コーティングでコーティングされること
が好ましい。第１および第２の側面上に堆積される反射
性および／または反射防止コーティングは種々の態様で
形成することができるが、反射性および／または反射防
止コーティングは典型的には、それぞれ、当業者に知ら
れているような適当な反射特性を与えるように調整され
た屈折率を有する複数の誘電体層を堆積することにより
形成される。
【００３１】マイクロ共振器１１は典型的には概ね長方
形の断面と、角度のある端面１６とを有する長い棒状体
であるため、マイクロ共振器１１は典型的には、相対す
る端面間、および相対する第１の側面２０と第２の側面
２２との間に延在する第３および第４の側面３２も備え
る。たとえば図３では、第３の側面が図示されるが、第
４の側面は図面を見る人から離れて面しており、それゆ
え視認されない。第３および第４の側面を介して、もし
あるなら、多量の光がマイクロ共振器に対して入出力す
るのを防ぐために、第３および第４の側面は典型的には
微細なグランド面であるか、そうでなければ光を散乱す
るように粗い面にされる。
【００３２】能動利得媒体１２は全長に沿って励起され
ることができるが、励起源２８は、その長さに沿ってい
くつかの位置でのみ能動利得媒体を励起するように設計
されることが好ましい。この点に関して、ジグザグ共振
パターンは、第１および第２の側面２０、２２に近いそ
れぞれの変曲点３４において交差する交互に反対の傾き
をなす複数のセグメントを含む。たとえば、図３に示さ
れるように、一実施形態のジグザグ共振パターンは、第
１の側面に近い２つの変曲点と、第２の側面に近い２つ
の変曲点とを有する。しかしながら、マイクロ共振器１
１によって可能にされるジグザグ共振パターンは、所望
により、異なる数の変曲点を有することができる。能動
利得媒体を効率的に励起するために、励起源は、ジグザ
グ共振パターンの各変曲点と一致する位置において、第
１の側面および／または第２の側面の近くに位置するレ
ーザダイオード励起源アレイを有するように設計される
ことが好ましい。この点に関して、励起源は、第１の複
数の線形レーザダイオード励起源アレイを備えることが
でき、その各アレイは各変曲点に近い第１の側面に隣接
して配置される。さらに、マイクロ共振器が第１および
第２の両方の側面から側面励起される実施形態では、励
起源は、第２の複数の線形レーザダイオード励起源アレ
イも備え、その１つが第２の側面に近い各変曲点に隣接
することが好ましい。たとえば、図２および図３に示さ
れるように、各励起源は、各変曲点に配置され、高伝導
率の無酸素銅のブロック３１、あるいは、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）あるいは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のよ
うな熱伝導性の絶縁性材料のブロックによって分離され
る２つあるいは複数の線形レーザダイオード励起源アレ
イを備えることができる。図２に示されるように、各線
形レーザダイオード励起源アレイは、第３の側面と第４
の側面３２との間にマイクロ共振器と並んで横方向に延
在することが好ましい。
【００３３】マイクロ共振器１１に加えて、本発明のマ
イクロレーザアセンブリ１０は、マイクロ共振器と整列
した状態で、マイクロ共振器の下流に配置される１つあ
るいは複数の電気光学構成要素３６を備える。図１に示
されるように、マイクロ共振器および他の電気光学構成
要素は、共通のヒートシンク３８に載置することができ
る。別法では、マイクロ共振器および他の電気光学構成
要素は、所望に応じて、異なるヒートシンク上、あるい
は分割されたヒートシンク上に載置され、マイクロ共振
器と他の電気光学構成要素とを異なる、あるいは独立し
た温度に保持することができる。一実施形態によれば、
ヒートシンクは、高伝導率の無酸素銅ヒートシンクであ
る。しかしながら、ヒートシンクとして、熱電冷却機等
を含む種々の能動あるいは受動ヒートシンクのうちの任
意のものを用いることができる。
【００３４】マイクロ共振器１１および下流の電気光学
構成要素３６を、下側のヒートシンク３８に適切に取り
付けるために、マイクロレーザアセンブリ１０は、マイ
クロ共振器を支持するためのマイクロ共振器台４０と、
各電気光学構成要素を支持するための１つあるいは複数
の構成要素台４２とを備えることが好ましい。これらの
取付台に関しては、その台が、他の構成要素に対して所
定の正確な位置にマイクロ共振器あるいは他の電気光学
構成要素を保持しつつ、マイクロ共振器および電気光学
構成要素から下側のヒートシンクに熱エネルギーを伝導
させる限り、マイクロレーザアセンブリは種々の異なる
取付台を備えることができる。
【００３５】図２に示される一実施形態によれば、マイ
クロ共振器台４０は、マイクロ共振器１１の相対する側
面に取り付けられるブリッジ部４４を備える。この点に
関して、そのブリッジ部は、マイクロ共振器の動作中に
励起信号を受信しない、第３および第４の側面３２のよ
うなその側面に取り付けられる。ブリッジ部は種々の態
様でマイクロ共振器の相対する側面に取り付けることが
できるが、一実施形態のブリッジ部は、たとえばインジ
ウム半田を用いて、マイクロ共振器の第３および第４の
側面に半田付けされる。例示される実施形態によれば、
マイクロ共振器台は、下側のヒートシンク３８から上方
に延在する一対の起立部４６も備える。図２にも示され
るように、マイクロ共振器台は、マイクロ共振器が起立
部間に配置されるように、起立部とブリッジ部とを接続
するための一対のコネクタ４８を備えることができる。
別法では、マイクロ共振器台の起立部およびブリッジ部
は、コネクタを排除するために、半田、エポキシ等を用
いて接続することができる。
【００３６】マイクロ共振器１１を励起するために、励
起源２８は、マイクロ共振器の第１および第２の相対す
る側面２０、２２と整列して起立部４６上に取り付けら
れることが好ましい。この点に関して、各起立部に取り
付けられる励起源は、反射性の側面の近くにあるジグザ
グの共振経路の変曲点３４に一致する位置において、マ
イクロ共振器の長さに沿って間隔をおいて配置される複
数の線形レーザダイオードアレイを備えることができ
る。励起源は、種々の態様で起立部に取り付けることが
できる。たとえば、一実施形態では、励起源は、インジ
ウム半田および熱伝導性エポキシを用いて、各起立部に
取り付けられる。
【００３７】マイクロ共振器台４０は、種々の熱伝導性
材料から形成することができる。たとえば、一実施形態
のマイクロ共振器台は、ヒートシンク３８へ熱エネルギ
ーを伝達し、排熱を容易にするために、高伝導率の無酸
素銅から形成される。この点に関して、起立部は、酸化
アルミニウムあるいは銀を充填したエポキシのような、
熱的に調和したエポキシ等を用いて、下側のヒートシン
クに取り付けられることが好ましい。マイクロ共振器台
の一実施形態が図示および記載されたが、マイクロ共振
器台は、特定の応用形態に応じて、多数の他の設計を有
することができる。たとえば、マイクロ共振器台の起立
部には、１つのＵ字形の構造を用いることができる。さ
らに、マイクロ共振器および励起源は、所望により、米
国特許第６，０７２，８１５号に記載されるような共通
のスラブ状の台に取り付けられることができる。
【００３８】図１に示されるように、マイクロレーザア
センブリ１０は、マイクロ共振器によって放射されるレ
ーザ信号を受信し、かつ／または変更するためのマイク
ロ共振器１１の下流に配置される１つあるいは複数の電
気光学構成要素３６を有する。マイクロレーザアセンブ
リは、レーザ信号が変更されることになる応用形態およ
び態様に応じて、種々のタイプの電気光学構成要素を備
えることができる。たとえば、マイクロレーザアセンブ
リは、典型的にはＫＴｉＯＰＯ４、すなわちＫＴＰから
形成される周波数逓倍用水晶振動子を備えることができ
る。例として、ネオジムドープされたＹＡＧから形成さ
れる能動利得媒体１２と、４価のクロムドープされたＹ
ＡＧから形成される可飽和吸収体１４とを有するマイク
ロ共振器が、１．０６４ｎｍの波長を有するレーザパル
スを放射する実施形態では、ＫＴＰ水晶振動子が、結果
的なレーザパルスが５３２ｎｍの波長を有するように、
レーザパルスの周波数を逓倍するであろう。
【００３９】さらに、マイクロレーザアセンブリ１０
は、４次出力を生成するために、周波数逓倍用水晶振動
子の下流に配置される、典型的にはホウ酸バリウム（Ｂ
ＢＯ）から形成される、４次高調波発生器を備えること
ができる。したがって、ネオジムドープされたＹＡＧか
ら形成される能動利得媒体１２と、４価のクロムドープ
されたＹＡＧから形成される可飽和吸収体１４とを有す
るマイクロ共振器１１が、１．０６４ｎｍの波長を有す
るレーザパルスを放射するマイクロレーザアセンブリ
は、２６６ｎｍの波長を有するレーザパルスを生成する
ために、周波数逓倍用水晶振動子と、４次高調波発生器
との両方を備える場合がある。さらに、マイクロレーザ
アセンブリは、その設計に応じて、２次高調波あるいは
３次高調波発生器として機能することができる三ホウ酸
リチウム（ＬＢＯ）のような他のタイプの非線形水晶振
動子あるいは高調波水晶振動子を備えることができる。
他の非線形水晶振動子には、限定はしないが、リン酸一
カリウム（ＫＤＰ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ３）、三ホウ酸セシウム（ＣＢＯ）および三ホウ酸セ
シウムリチウム（ＣＬＢＯ）がある。
【００４０】マイクロ共振器１１によって供給されるパ
ルスの周波数を変更するための非線形水晶振動子のほか
に、あるいはその代わりに、マイクロレーザアセンブリ
１０は、マイクロ共振器によって放射されるパルスに応
答して、幾分異なる波長を有する信号を放射するための
光パラメトリック増幅器、および／または光パラメトリ
ック発振器を備えることができる。たとえば、光パラメ
トリック増幅器あるいは光パラメトリック発振器は、
１．０６４μｍの波長を有するマイクロ共振器によって
放射されるパルスに応答して、１．５〜４．５μｍの波
長を有する信号を放射することができる。さらに、マイ
クロレーザアセンブリは、マイクロ共振器によって放射
されるパルスが他の能動利得媒体を励起するための役割
を果たすように、マイクロ共振器の下流に別の能動利得
媒体を備えることができる。たとえば、マイクロ共振器
によって放射される１．０６４μｍの波長を有するパル
スは、三価クロムをドープされたＹＡＧから形成される
別の能動利得媒体を励起することができ、その際そのＹ
ＡＧは１．３〜１．６μｍの波長を有するパルスを放射
するであろう。パルスの周波数および平均電力レベル
を、マイクロ共振器の下流に適当な電気光学構成要素３
６を導入することにより変更することができるため、本
発明のマイクロレーザアセンブリによって放射されるレ
ーザ信号は、多くの特定の応用形態のために調整するこ
とができることは明らかであろう。たとえば、図１に示
されるように、マイクロ共振器の直ぐ下流にある電気光
学構成要素には、光パラメトリック増幅器を用いること
ができ、他の電気光学構成要素には、レーザ信号の周波
数を変更するための非線形水晶振動子を用いることがで
きる。
【００４１】マイクロ共振器台４０と同様に、マイクロ
レーザアセンブリ１０は、各電気光学構成要素３６を保
持するための１つあるいは複数の構成要素台４２も備え
ることが好ましい。マイクロ共振器台とともに記載され
るように、各構成要素台は、マイクロ共振器１１および
他の電気光学構成要素に対して正確な所定の位置に各電
気光学構成要素を保持するように設計される。さらに、
構成要素台は、排熱するために各電気光学構成要素から
ヒートシンク３８に熱エネルギーを伝達するのを容易に
するために、高伝導性の無酸素銅のような材料から製造
されることが好ましい。構成要素台の実際の形状は各電
気光学構成要素の性質に依存することになるが、一実施
形態の構成要素台は、図１に示されるようなマイクロ共
振器台４０と同じか、類似であることは明らかであろ
う。また当業者には明らかなように、各構成要素台は、
電気光学構成要素から構成要素台を介して下側のヒート
シンクまで熱エネルギーをさらに容易に伝達するため
に、酸化アルミニウムあるいは銀を充填したエポキシの
ような熱的に調和したエポキシ等を用いて、下側のヒー
トシンクに取り付けられることが好ましい。
【００４２】本発明によれば、マイクロ共振器１１およ
び電気光学構成要素３６は、最小限の損失あるいは減衰
で、その間のパルスのようなレーザ信号の伝送を容易に
するために、正確に整列されることが好ましい。したが
って、本発明のマイクロレーザアセンブリ１０は、マイ
クロ共振器と、マイクロ共振器の直ぐ下流に配置される
電気光学構成要素との間に配置されるビーム誘導素子５
０も備える。以下に記載されるように、ビーム誘導素子
は、マイクロ共振器によって放射されるレーザ信号をそ
の直ぐ下流にある電気光学構成要素と整列させる。マイ
クロ共振器の下流にある一連の２つ以上の電気光学構成
要素を備える実施形態では、マイクロレーザアセンブリ
は、一連の一対の各電気光学構成要素間に配置される付
加的なビーム誘導素子を備えることができる。
【００４３】各ビーム誘導素子５０は、マイクロレーザ
アセンブリ１０の初期構成中に、ならびにもしあれば、
後のマイクロレーザアセンブリの再整列中に、レーザ信
号の整列を制御するために、制御かつ調整可能であるこ
とが好ましい。この点に関して、ビーム誘導素子は典型
的には、１°の調整窓のような所定の範囲内にレーザ信
号の方向の調整を制御することができる。したがって、
ビーム誘導素子は、レーザ信号の整列の比較的精細な、
あるいは正確な制御を提供する。
【００４４】１つの有利な実施形態では、ビーム誘導素
子５０は、少なくとも一対の、あるいは典型的には複数
対の相補的なくさび形プリズムを備える。くさび形プリ
ズムは種々の材料から形成される場合があるが、そのプ
リズムは一般に石英あるいはＢＫ−７ガラスから形成さ
れる。たとえば、ビーム誘導素子は、一般にインバー、
アルミニウム等から形成される各リング状の取付台５３
に取り付けられる一対の誘導用リズレープリズム５２を
備えることができる。図４に示されるように、その一対
の誘導用リズレープリズムは典型的には、レーザ信号を
制御可能に誘導するために、各リズレープリズムが、そ
の光軸５５を中心に独立して回転できるようにするハウ
ジング５４内に配置される。たとえば、一実施形態によ
れば、そのハウジングは、一対のスロット５６を画定
し、そのうちの一方は各リズレープリズムに関連し、ビ
ーム誘導素子によって与えられる整列状態を調整するた
めに、各リズレープリズムに到達し、リズレープリズム
がその光軸を中心に回転できるようにする。マイクロレ
ーザアセンブリ１０の出力が最大になったことを検出す
ること等により、一旦レーザ信号が適当に整列したな
ら、リズレープリズムの位置を固定することができる。
この点に関して、誘導用リズレープリズムがハウジング
の一側面に配置されるハウジングの内部から延在する別
のスロット５７によって、ハウジングを部分的に分離す
ることができる。図１に示されるように、本実施形態の
ビーム誘導素子は、少なくとも部分的にスロット５７を
閉じ、リズレープリズムの位置を固定するために、スロ
ット５７間に延在し、一旦リズレープリズムが所望の位
置にくる場合には前進することができる止めねじ５８等
を備えることができる。しかしながら、ビーム誘導素子
は、一旦レーザ信号が適当に整列されるなら、リズレー
プリズムの位置を固定するための他の手段を備えること
ができることは明らかであろう。マイクロレーザアセン
ブリがさらに再整列されなければならない場合には、レ
ーザ信号の整列状態を変更するために、光軸に対してリ
ズレープリズムが再度回転できるようにするために、本
実施形態の止めねじを緩めることができる。図４に示さ
れるように、ビーム誘導素子のハウジングは、レーザ信
号がハウジングに対して入出力できるようにするため
に、リズレープリズムのそれぞれ１つの近くに一対の窓
５９を備えることもできる。ハウジングは種々のタイプ
の窓を備えることができるが、一実施形態の窓は、サフ
ァイアから形成され、もしあるなら、レーザ信号のわず
かな部分であっても反射されるのを防ぐ反射防止コーテ
ィングでコーティングされる。
【００４５】上記のように、ビーム誘導素子５０は一般
に、レーザ信号の整列状態を比較的正確に、あるいは精
細に制御できるようにする。しかしながら、マイクロレ
ーザアセンブリ１０は、マイクロ共振器１１と電気光学
構成要素３６との全体的な整列を与えるための１つある
いは複数の機械的な整列部材６０を備えることもでき
る。この点に関して、機械的な整列部材は、各構成要素
の対を一連の電気光学構成要素に整列させるための個別
の機械的な整列部材を備えることができる。例として、
マイクロレーザアセンブリは、マイクロ共振器とビーム
誘導素子とを整列させるための第１の機械的な整列部材
と、ビーム誘導素子とその直ぐ下流にある電気光学構成
要素とを整列させるための第２の機械的な整列部材とを
備えることができる。同様に、マイクロレーザアセンブ
リは、他の電気光学構成要素を、別のビーム誘導素子あ
るいは別の電気光学構成要素のいずれかと一連の構成要
素として整列させるための他の機械的な整列部材を備え
ることもできる。
【００４６】マイクロレーザアセンブリ１０は種々のタ
イプの機械的な整列部材６０を備えることができるが、
一実施形態の機械的な整列部材はピンを含む。この実施
形態では、構成要素の各対が、１つあるいは複数のピン
と機械的に整列することができる。たとえば、例示され
る実施形態では、構成要素の各対は、一対のピンによっ
て整列される。この点に関して、第１の機械的な整列部
材は、マイクロ共振器１１とビーム誘導素子５０とを整
列させるための一対のピンを備える。同様に、第２の機
械的な整列部材は、ビーム誘導素子と電気光学構成要素
３６とを整列させるための一対のピンを備える。そのピ
ンは種々の態様で種々の構成要素を整列させることがで
きるが、マイクロレーザアセンブリの例示される実施形
態の取付台４０、４２およびハウジング５４は、ピンの
それぞれ１つの端部を収容するための複数の開口部６２
を画定する。取付台およびハウジングによって画定され
る開口部は概ね整列した状態に配置されるため、一旦ピ
ンが対応する開口部に挿入されたなら、取付台およびハ
ウジングによって支持されるマイクロ共振器、ビーム誘
導素子および電気光学構成要素は概ね整列状態になるで
あろう。たとえば、図２に示されるように、マイクロ共
振器台のブリッジ部４４は、一対のピンの端部を収容す
るための一対の開口部を画定することができる。図４に
示されるように、ビーム誘導素子のハウジングは、ピン
の対の相対する端部を収容するための相補的な一対の開
口部を画定することもできる。
【００４７】それゆえ、本発明によれば、マイクロレー
ザアセンブリ１０は、マイクロ共振器１１、ビーム誘導
素子５０および電気光学構成要素３６が、機械的な整列
部材６０、すなわちピンによって各構成要素が係合する
ことに起因して互いに全体的な整列状態になるように、
ヒートシンク２８に取り付けられる。その際、マイクロ
共振器によって放射されるレーザ信号は、ビーム誘導素
子を制御可能に整列させる、たとえば、誘導用リズレー
プリズム５２の一方あるいは両方を光軸を中心に回転さ
せることにより、下流の電気光学構成要素と、より正確
に整列させることができる。マイクロレーザアセンブリ
によって供給される結果的な出力を最大にすることによ
り判定されるように、一旦レーザ信号が正確に整列した
なら、誘導用リズレープリズムの位置を固定することが
でき、それにより、マイクロレーザアセンブリが整列ず
れに起因する信号の損失あるいは減衰を最小にするよう
に効率的に動作できるようになる。
【００４８】本発明が関連する当業者には、上記の説明
および関連する図面において提供される教示の利点を有
する、本発明の多くの変更形態および他の実施形態が思
い浮かぶであろう。それゆえ、本発明は開示される特定
の実施形態に限定されるべきではなく、その変更形態お
よび他の実施形態が添付の請求の範囲に含まれることを
意図していることを理解されたい。本明細書では特有の
用語が用いられるが、一般的な説明上の意味においての
み用いられており、本発明を制限しようとするものでは
ない。
【００４９】
【発明の効果】上記のように、本発明によれば、最近の
電気光学的な応用形態によって要求される出力を供給す
るために、信頼性があり、正確に整列させることができ
るマイクロ共振器とその関連する電気光学構成要素とを
有するマイクロレーザアセンブリを実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１つの有利な実施形態によるマイクロ
レーザアセンブリの斜視図である。
【図２】図１のマイクロレーザアセンブリのマイクロ共
振器台およびマイクロ共振器の分解組立斜視図である。
【図３】その内部にジグザグ共振パターンを生成するた
めの一対の励起源を備えるマイクロ共振器の概略的な側
面図である。
【図４】図１のマイクロレーザアセンブリのビーム誘導
素子の側面断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2K002 AB12 BA03 CA02 CA03 CA04 HA20 5F072 AB02 KK12 KK24 KK30 MM11 RR05 SS06

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロレーザアセンブリであって、 能動利得媒体と受動Ｑスイッチとを備えるマイクロ共振
    器であって、前記マイクロ共振器は相対する第１の端面
    と第２の端面との間に長手方向に延在し、また前記マイ
    クロ共振器は前記相対する第１の端面と第２の端面との
    間に延在する第１の側面を有する、該マイクロ共振器
    と、 前記マイクロ共振器の前記第２の端面を介して放射され
    るレーザ信号を生成するために、ジグザグ共振パターン
    が前記相対する第１の端面と第２の端面との間に確立さ
    れるように、前記マイクロ共振器の前記第１の側面を介
    して前記能動利得媒体に励起信号を導入するための励起
    源と、 前記マイクロ共振器によって放射される前記レーザ信号
    を変更するための電気光学構成要素と、 前記マイクロ共振器によって放射される前記レーザ信号
    を前記電気光学構成要素と整列させるために、前記マイ
    クロ共振器と前記電気光学構成要素との間に配置される
    ビーム誘導素子とを備えるマイクロレーザアセンブリ。
  2. 【請求項２】 前記ビーム誘導素子は制御かつ調整可能
    である請求項１に記載のマイクロレーザアセンブリ。
  3. 【請求項３】 前記ビーム誘導素子は少なくとも１つの
    くさび形プリズムを備える請求項２に記載のマイクロレ
    ーザアセンブリ。
  4. 【請求項４】 前記ビーム誘導素子は一対の誘導用リズ
    レープリズムを備える請求項３に記載のマイクロレーザ
    アセンブリ。
  5. 【請求項５】 前記マイクロ共振器と前記電気光学構成
    要素とを全体的に整列させるために、機械的な整列部材
    をさらに備える請求項１に記載のマイクロレーザアセン
    ブリ。
  6. 【請求項６】 前記機械的な整列部材は、前記マイクロ
    共振器と前記ビーム誘導素子とを整列させるための第１
    の機械的な整列部材と、前記ビーム誘導素子と前記電気
    光学構成要素とを整列させるための第２の機械的な整列
    部材とを備える請求項５に記載のマイクロレーザアセン
    ブリ。
  7. 【請求項７】 前記第１の機械的な整列部材と前記第２
    の機械的な整列部材はそれぞれ、少なくとも１つのピン
    を備える請求項６に記載のマイクロレーザアセンブリ。
  8. 【請求項８】 前記マイクロ共振器を支持するためのマ
    イクロ共振器台と、前記電気光学構成要素を支持するた
    めの構成要素台と、 前記ビーム誘導素子を支持するためのハウジングとをさ
    らに備え、 前記第１の機械的な整列部材の前記少なくとも１つのピ
    ンは、前記マイクロ共振器と前記ビーム誘導素子とを全
    体的に整列させるために、前記マイクロ共振器台と前記
    ハウジングとに係合し、前記第２の機械的な整列部材の
    前記少なくとも１つのピンは、前記電気光学構成要素と
    前記ビーム誘導素子とを全体的に整列させるために、前
    記構成要素台と前記ハウジングとに係合する請求項７に
    記載のマイクロレーザアセンブリ。
  9. 【請求項９】 前記電気光学構成要素は、非線形水晶振
    動子（nonlinear crystal）と、増幅器と、発振器と、
    別の能動利得媒体とからなるグループから選択される請
    求項１に記載のマイクロレーザアセンブリ。
  10. 【請求項１０】 前記マイクロ共振器は、前記相対する
    端面の間に延在し、前記第１の側面の反対側にある第２
    の側面も有し、前記ジグザグ共振パターンは、前記第１
    の側面と前記第２の側面とのうちの一方の近くの各変曲
    点において交差する交互に反対の傾きをなす複数のセグ
    メントを備え、前記励起源は、前記変曲点と一致する、
    それぞれ前記第１および前記第２の側面に沿った位置に
    おいて前記能動利得媒体に励起信号を導入するための第
    １および第２の励起源を備える請求項１に記載のマイク
    ロレーザアセンブリ。
  11. 【請求項１１】 前記受動Ｑスイッチは前記能動利得媒
    体に直に隣接する請求項１に記載のマイクロレーザアセ
    ンブリ。
  12. 【請求項１２】 前記受動Ｑスイッチは前記マイクロ共
    振器の前記第２の端面の近くに位置する請求項１１に記
    載のマイクロレーザアセンブリ。
  13. 【請求項１３】 マイクロレーザアセンブリであって、 能動利得媒体と受動Ｑスイッチとを備えるマイクロ共振
    器であって、該マイクロ共振器は相対する第１の端面と
    前記第２の端面との間の長軸を画定し、前記相対する第
    １の端面と前記第２の端面はそれぞれ前記長軸に対して
    直角ではない角度で配置され、また前記マイクロ共振器
    は前記相対する端面間に延在する第１の側面も有する、
    該マイクロ共振器と、 前記マイクロ共振器の前記第２の端面を介して放射され
    るレーザ信号を生成するために、前記マイクロ共振器の
    前記第１の側面を介して前記能動利得媒体に励起信号を
    導入するための励起源と、 前記マイクロ共振器によって放射される前記レーザ信号
    を変更するための電気光学構成要素と、 前記マイクロ共振器によって放射される前記レーザ信号
    を前記電気光学構成要素と整列させるために、前記マイ
    クロ共振器と前記電気光学構成要素との間に配置される
    ビーム誘導素子とを備えるマイクロレーザアセンブリ。
  14. 【請求項１４】 前記ビーム誘導素子は制御かつ調整可
    能である請求項１３に記載のマイクロレーザアセンブ
    リ。
  15. 【請求項１５】 前記ビーム誘導素子は少なくとも１つ
    のくさび形プリズムを備える請求項１４に記載のマイク
    ロレーザアセンブリ。
  16. 【請求項１６】 前記マイクロ共振器と前記電気光学構
    成要素とを全体的に整列させるための機械的な整列部材
    をさらに備える請求項１３に記載のマイクロレーザアセ
    ンブリ。
  17. 【請求項１７】 前記機械的な整列部材は、前記マイク
    ロ共振器と前記ビーム誘導素子とを整列させるための第
    １の機械的な整列部材と、前記ビーム誘導素子と前記電
    気光学構成要素と整列させるための第２の機械的な整列
    部材とを備える請求項１６に記載のマイクロレーザアセ
    ンブリ。
  18. 【請求項１８】 前記マイクロ共振器を支持するための
    マイクロ共振器台と、 前記電気光学構成要素を支持するための構成要素台と、 前記ビーム誘導素子を保持するためのハウジングとをさ
    らに備え、 前記第１の機械的な整列部材は、前記マイクロ共振器と
    前記ビーム誘導素子とを全体的に整列させるために、前
    記マイクロ共振器台と前記ハウジングとに係合するため
    の少なくとも１つのピンを備え、前記第２の機械的な整
    列部材は、前記電気光学構成要素と前記ビーム誘導素子
    とを全体的に整列させるために、前記構成要素台と前記
    ハウジングとに係合するための少なくとも１つのピンを
    備える請求項１７に記載のマイクロレーザアセンブリ。
  19. 【請求項１９】 前記電気光学構成要素は、非線形水晶
    振動子と、増幅器と、発振器と、別の能動利得媒体とか
    らなるグループから選択される請求項１３に記載のマイ
    クロレーザアセンブリ。
  20. 【請求項２０】 前記受動Ｑスイッチは前記能動利得媒
    体に直に隣接する請求項１３に記載のマイクロレーザア
    センブリ。
  21. 【請求項２１】 前記受動Ｑスイッチは前記マイクロ共
    振器の前記第２の端面の近くに位置する請求項２０に記
    載のマイクロレーザアセンブリ。
  22. 【請求項２２】 マイクロレーザアセンブリであって、 能動利得媒体と受動Ｑスイッチとを備えるマイクロ共振
    器であって、前記マイクロ共振器は相対する第１の端面
    と第２の端面との間の長手方向に延在する、該マイクロ
    共振器と、 前記マイクロ共振器の前記第２の端面を介して放射され
    るレーザ信号を生成するために、前記マイクロ共振器の
    前記能動利得媒体に励起信号を導入するための励起源
    と、 前記マイクロ共振器によって放射される前記レーザ信号
    を変更するための電気光学構成要素と、 前記マイクロ共振器と前記電気光学構成要素とを全体的
    に整列させるための機械的な整列部材と、 前記機械的な整列部材によって全体的に整列された後
    に、前記マイクロ共振器によって放射される前記レーザ
    信号と前記電気光学構成要素とを正確に整列させるため
    に、前記マイクロ共振器と前記電気光学構成要素との間
    に配置される制御かつ調整可能なビーム誘導素子とを備
    えるマイクロレーザアセンブリ。
  23. 【請求項２３】 前記ビーム誘導素子は少なくとも１つ
    のくさび形プリズムを備える請求項２２に記載のマイク
    ロレーザアセンブリ。
  24. 【請求項２４】 前記機械的な整列部材は、前記マイク
    ロ共振器と前記ビーム誘導素子とを整列させるための第
    １の機械的な整列部材と、前記ビーム誘導素子と前記電
    気光学構成要素と整列させるための第２の機械的な整列
    部材とを備える請求項２２に記載のマイクロレーザアセ
    ンブリ。
  25. 【請求項２５】 前記マイクロ共振器を支持するための
    マイクロ共振器台と、 前記電気光学構成要素を支持するための構成要素台と、 前記ビーム誘導素子を保持するためのハウジングとをさ
    らに備え、 前記第１の機械的な整列部材は、前記マイクロ共振器と
    前記ビーム誘導素子とを全体的に整列させるために、前
    記マイクロ共振器台と前記ハウジングとに係合するため
    の少なくとも１つのピンを備え、前記第２の機械的な整
    列部材は、前記電気光学構成要素と前記ビーム誘導素子
    とを全体的に整列させるために、前記構成要素台と前記
    ハウジングとに係合するための少なくとも１つのピンを
    備える請求項２４に記載のマイクロレーザアセンブリ。
  26. 【請求項２６】 前記電気光学構成要素は、非線形水晶
    振動子と、増幅器と、発振器と、別の能動利得媒体とか
    らなるグループから選択される請求項２２に記載のマイ
    クロレーザアセンブリ。
  27. 【請求項２７】 前記受動Ｑスイッチは前記能動利得媒
    体に直に隣接する請求項２２に記載のマイクロレーザア
    センブリ。
  28. 【請求項２８】 前記受動Ｑスイッチは前記マイクロ共
    振器の前記第２の端面の近くに位置する請求項２７に記
    載のマイクロレーザアセンブリ。
JP2001244811A 2000-08-11 2001-08-10 マイクロ共振器及び配列された電気光学要素よりなるマイクロレーザアセンブリ Pending JP2002118319A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/637,469 US6501772B1 (en) 2000-08-11 2000-08-11 Microlaser assembly having a microresonator and aligned electro-optic components
US09/637469 2000-08-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002118319A true JP2002118319A (ja) 2002-04-19

Family

ID=24556077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001244811A Pending JP2002118319A (ja) 2000-08-11 2001-08-10 マイクロ共振器及び配列された電気光学要素よりなるマイクロレーザアセンブリ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6501772B1 (ja)
EP (1) EP1180836A3 (ja)
JP (1) JP2002118319A (ja)
CA (1) CA2354893A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005056229A1 (ja) * 2003-12-12 2005-06-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工装置
JP2021530116A (ja) * 2018-06-22 2021-11-04 キャンデラ コーポレイション キャビティ内コーティングを備えたパッシブｑスイッチマイクロチップレーザー、及びそのマイクロチップレーザーを備えたハンドピース

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000072410A1 (en) * 1999-05-26 2000-11-30 Ii-Vi Incorporated Improved optical contacting method and apparatus
CA2354897A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-11 Litton Systems, Inc. Wedge-shaped microresonator and associated microlaser assembly
US7119972B2 (en) * 2004-06-24 2006-10-10 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method for the manipulation of a laser beam in reflection
US7433139B2 (en) * 2004-08-24 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Variable attenuator for a lithographic apparatus
US7729392B2 (en) * 2005-01-28 2010-06-01 Scientific Materials Corporation Monoblock laser with reflective substrate
US7817704B2 (en) * 2005-03-17 2010-10-19 Scientific Materials Corporation Monoblock laser with improved alignment features
US7839904B1 (en) 2006-01-26 2010-11-23 Scientific Materials Corporation Monoblock laser systems and methods
GB0609061D0 (en) * 2006-05-08 2006-06-14 Imp Innovations Ltd Side-pumped laser device
US7970031B2 (en) * 2009-11-11 2011-06-28 Flir Systems, Inc. Q-switched laser with passive discharge assembly
US9972963B2 (en) * 2014-04-01 2018-05-15 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Army Process using a single circular wedge prism for fine alignment of a laser cavity with a single-axis scanning element as the optical Q-switch
CN104022434A (zh) * 2014-06-06 2014-09-03 重庆理工大学 一种便于调试光路的双端面泵浦装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3609389A (en) * 1970-01-15 1971-09-28 Bell Telephone Labor Inc Passive pulse transmission mode operation in a q-switched laser having an internal parametric oscillator
US3810041A (en) 1971-06-14 1974-05-07 Gen Electric Face-pumped liquid laser device
US4191931A (en) 1978-02-06 1980-03-04 Sanders Associates, Inc. Cooled laser q-switch
IT1170643B (it) * 1981-01-22 1987-06-03 Selenia Ind Elettroniche Dispositivo perfezionato per l'accoppiamento di un fascio laser ad una fibra ottica
US4420836A (en) * 1981-06-05 1983-12-13 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Laser resonator
US4698816A (en) * 1982-12-20 1987-10-06 General Electric Co. Optical transmission filter
US4894839A (en) 1985-05-01 1990-01-16 Spectra-Physics, Inc. High efficiency mode-matched solid-state laser with transverse pumping
US4953166A (en) 1988-02-02 1990-08-28 Massachusetts Institute Of Technology Microchip laser
AU651374B2 (en) * 1990-08-22 1994-07-21 Visx Incorporated System for scanning a surgical laser beam
JP2956279B2 (ja) 1991-06-27 1999-10-04 富士電機株式会社 Ｑスィッチ制御レーザ装置
US5317447A (en) * 1992-04-24 1994-05-31 Electro Scientific Industries, Inc. High-power, compact, diode-pumped, tunable laser
US5305345A (en) 1992-09-25 1994-04-19 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Zigzag laser with reduced optical distortion
US5408480A (en) 1993-07-15 1995-04-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Laser with optically driven Q-switch
US5463649A (en) 1993-08-06 1995-10-31 Sandia Corporation Monolithically integrated solid state laser and waveguide using spin-on glass
US5555254A (en) 1993-11-05 1996-09-10 Trw Inc. High brightness solid-state laser with zig-zag amplifier
US5455838A (en) 1993-11-15 1995-10-03 Hoya Corporation Side pumping arrangement
US5394413A (en) 1994-02-08 1995-02-28 Massachusetts Institute Of Technology Passively Q-switched picosecond microlaser
US5488619A (en) 1994-10-06 1996-01-30 Trw Inc. Ultracompact Q-switched microlasers and related method
US5732100A (en) 1995-01-24 1998-03-24 Commissariat A L'energie Atomique Cavity for a solid microlaser having an optimized efficiency, microlaser using it and its production process
US5479430A (en) 1995-02-07 1995-12-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Protective coating for solid state slab lasers
US5546416A (en) 1995-04-10 1996-08-13 Northrop Grumman Corporation Cooling system and mounting for slab lasers and other optical devices
FR2734096B1 (fr) 1995-05-12 1997-06-06 Commissariat Energie Atomique Cavite microlaser et microlaser solide impulsionnel a declenchement passif et a commande externe
FR2734092B1 (fr) 1995-05-12 1997-06-06 Commissariat Energie Atomique Microlaser monolithique declenche et materiau non lineaire intracavite
US5610933A (en) * 1996-01-29 1997-03-11 Jani; Mahendra G. Flashlamp-pumped Ho:Tm:Cr:LuAG laser
US5673281A (en) * 1996-04-20 1997-09-30 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solid state system for frequency conversion using raman-active media and non-linear media
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005056229A1 (ja) * 2003-12-12 2005-06-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工装置
JP2005169476A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
US7777772B2 (en) 2003-12-12 2010-08-17 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device
KR101167328B1 (ko) * 2003-12-12 2012-07-19 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
JP2021530116A (ja) * 2018-06-22 2021-11-04 キャンデラ コーポレイション キャビティ内コーティングを備えたパッシブｑスイッチマイクロチップレーザー、及びそのマイクロチップレーザーを備えたハンドピース

Also Published As

Publication number Publication date
EP1180836A2 (en) 2002-02-20
CA2354893A1 (en) 2002-02-11
EP1180836A3 (en) 2004-10-13
US6501772B1 (en) 2002-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5063566A (en) Internally-doubled, composite-cavity microlaser
US4761786A (en) Miniaturized Q-switched diode pumped solid state laser
US7149231B2 (en) Monolithic, side-pumped, passively Q-switched solid-state laser
EP0398570B1 (en) Frequency conversion of optical radiation
Zayhowski Microchip lasers
JP3843374B2 (ja) 受動的ｑスイッチピコ秒マイクロレーザー
US5218610A (en) Tunable solid state laser
US7813390B2 (en) Injection-seeded monolithic laser
US6219361B1 (en) Side pumped, Q-switched microlaser
US6566152B2 (en) Method of fabricating Q-switched microlasers
US7729392B2 (en) Monoblock laser with reflective substrate
JP2002118319A (ja) マイクロ共振器及び配列された電気光学要素よりなるマイクロレーザアセンブリ
US6813285B2 (en) Q-switched microlaser
US7839904B1 (en) Monoblock laser systems and methods
US5473626A (en) Two-axial-mode solid-state laser
CN113206429A (zh) 一种小型化固体激光器
USRE34192E (en) Miniaturized Q-switched diode pumped solid state laser
US20050276300A1 (en) Laser device using two laser media
US6668004B2 (en) Wedge-shaped microresonator and associated microlaser assembly
Chinn et al. Low-threshold, transversely excited NdP 5 O 14 laser
Lai et al. Multiwatt KTiOPO4 optical parametric oscillators pumped within randomly and linearly polarized Nd: YAG laser cavities
EP1601068A1 (en) Laser device using two laser media
Eichenholz et al. High-power tunable Cr: LiSAF laser emission utilizing a low-power remote cw oscillator
JPH04155978A (ja) レーザーダイオードポンピング固体レーザー
Driscoll A Line-Narrowed, Blue Solid State Laser For Narrow Band Optical Filter Diagnostics