JP2002117738A - Method for manufacturing dielectric ceramic thick film using polymer matrix - Google Patents

Method for manufacturing dielectric ceramic thick film using polymer matrix

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JP2002117738A
JP2002117738A JP2000338253A JP2000338253A JP2002117738A JP 2002117738 A JP2002117738 A JP 2002117738A JP 2000338253 A JP2000338253 A JP 2000338253A JP 2000338253 A JP2000338253 A JP 2000338253A JP 2002117738 A JP2002117738 A JP 2002117738A
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thick film
polymer
dielectric
ceramic
mixture
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Kooku Kimu Byun
ビュン・コーク・キム
Juun Je He
ヘ・ジューン・ジェ
Fan Paaku Je
ジェ・ファン・パーク
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Korea Institute of Science and Technology KIST
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix, more specifically, a method of manufacturing the dielectric ceramic thick film using the polymer matrix, by which a dielectric thick film in which ferroelectric ceramic fine particles are uniformly dispersed in a matrix made from a polymer material can be manufactured without using a sintering process. SOLUTION: The method for manufacturing the dielectric ceramic thick film using the polymer matrix is composed of a step of crushing the dielectric ceramic into fine particles; a step of melting the polymer material to be used as the matrix; a step of adding the dielectric particles to the melted polymer matrix and uniformly mixing them; and a step of forming the thick film on a substrate with the melted mixture.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は高分子マトリックス
を用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法に係り、より
詳しくは微粒状態の強誘電体セラミックス粉末を高分子
物質で成されたマトリックスに均一に分散させ誘電体厚
膜を焼結過程無しに製造することが出来る高分子マトリ
ックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix, and more particularly to a method of uniformly dispersing a ferroelectric ceramic powder in a fine particle state in a matrix made of a polymer substance. The present invention relates to a method for producing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix, which can produce a dielectric thick film without a sintering process.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的に、積層型セラミックスコンデン
サー(Multi-Layer Ceramic Capacitors, MLCCs)は小
さく軽い電子回路を構成するにおいて必須的な手動素子
である。最近、各種の電子機器の軽薄短小化及び電子回
路の高集積化による部品の小型化趨勢に従って、積層型
セラミックスコンデンサーも同じく超小型素子開発の必
要性が急激に台頭されている。
2. Description of the Related Art In general, multilayer ceramic capacitors (MLCCs) are indispensable manual elements in forming small and light electronic circuits. In recent years, with the trend of miniaturization of components due to the lightness and size reduction of various electronic devices and the high integration of electronic circuits, the necessity for the development of ultra-small elements for multilayer ceramic capacitors has also increased rapidly.

【0003】前記条件に合った超小型の積層型セラミッ
クスコンデンサーを製造するためには、焼成後の誘電体
セラミックス一層の厚さが、望ましくは1μm以下でな
ければならない。
In order to manufacture an ultra-compact laminated ceramic capacitor meeting the above conditions, the thickness of one layer of the dielectric ceramic after firing must be preferably 1 μm or less.

【0004】これ程の厚さを有する誘電体セラミックス
で成された超小型の信頼性ある積層型セラミックスコン
デンサーを製造するためには、焼結後の誘電体セラミッ
クスの平均粒径が望ましくは一層の厚さの1/10以
下、即ち0.1μm以下でありながら高密度でなければ
ならない。
In order to manufacture an ultra-compact and reliable multilayer ceramic capacitor made of a dielectric ceramic having such a thickness, the average particle size of the dielectric ceramic after sintering is desirably one layer. It should be 1/10 or less, ie, 0.1 μm or less, but have a high density.

【0005】一方、現在に至るまでの積層型セラミック
スコンデンサー用誘電体セラミックスには、BaTiO
を中心としたチタン酸(Titanate)系が主として用い
られてきた。しかし、このような材料らは一般的に13
00℃以上の高い焼結温度にて製造されるため高温で耐
えられるパラジウム(Pd)、白金(Pt)などのような高
価な貴金属を内部電極として必要とする。
On the other hand, up to now, dielectric ceramics for multilayer ceramic capacitors include BaTiO.
Titanate systems centered on 3 have been mainly used. However, such materials are generally 13
Since it is manufactured at a high sintering temperature of 00 ° C. or more, an expensive noble metal such as palladium (Pd) or platinum (Pt) that can withstand high temperatures is required as an internal electrode.

【0006】前記の如くの高価な電極を用いることによ
る費用を減らすためにはPd、Ptなどのような高価な金属
を内部電極として必要としない程の低い温度で焼成が可
能な誘電体セラミックス組成物又は誘電体セラミックス
に対する低温焼成技術の開発に対する必要性が必須的に
台頭されてきた。
In order to reduce the cost due to the use of expensive electrodes as described above, a dielectric ceramic composition which can be fired at such a low temperature that expensive metals such as Pd and Pt are not required as internal electrodes. The necessity for the development of a low-temperature sintering technique for articles or dielectric ceramics has been indispensable.

【0007】そのため現在に至るまで積層型セラミック
スコンデンサー用誘電体セラミックスとして用いられて
いるBaTiOを中心とするチタン酸(titanate)系
にPb系、Cd系、Bi系、B系、Li系、Cu系など
の焼結調剤を添加し焼結温度を低めることにより超微粒
の誘電体セラミックスを製造しようとする試みが行われ
てきた(参照:日本国特開平1-192762、日本国特開平5-
120915、日本国特開平8-203702)。
For this reason, Pb, Cd, Bi, B, Li, Cu, and other titanates based on BaTiO 3, which have been used as dielectric ceramics for multilayer ceramic capacitors until now, have been used. Attempts have been made to produce ultrafine dielectric ceramics by adding a sintering preparation such as a system and lowering the sintering temperature (see Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1-192762 and 5-192).
120915, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-203702).

【0008】しかし、超小型の積層型セラミックスコン
デンサー製造に用いられるBaTiO系誘電体セラミ
ックス用原料粉末の平均粒径が既に0.05〜0.1μ
mに至るため、現在の技術水準ではもちろん、今後にお
いても焼結過程を通しては0.1μm以下の平均粒径を
有する、厚さ1μm以下の誘電体セラミックス厚膜を高
密度に又信頼性豊かに製造することは極めて難しいとい
う問題点を有する。
However, the average particle diameter of the raw material powder for BaTiO 3 -based dielectric ceramics used in the production of ultra-small multilayer ceramic capacitors has already become 0.05 to 0.1 μm.
m, and of course, in the current state of the art, and in the future, through the sintering process, a dielectric ceramic thick film with an average grain size of 0.1 μm or less and a thickness of 1 μm or less will be densely and highly reliable. There is a problem that it is extremely difficult to manufacture.

【0009】そして、前記焼結調剤は全て有毒性物質で
あり、環境親和的でなく、水界にて溶媒として用いられ
る水と反応するなどの様々な問題点を有する。
The sintering preparations are all toxic substances, are not environmentally friendly, and have various problems such as reacting with water used as a solvent in the water.

【0010】又、前記の如くの焼結調剤を添加するとし
ても窮極的に焼成温度を900℃以下に低めることが難
しくAg-Pd系の貴金属内部電極を使用するしかなかっ
た。
Further, even if the above-mentioned sintering preparation is added, it is extremely difficult to lower the sintering temperature to 900 ° C. or less, and it is necessary to use an Ag-Pd-based noble metal internal electrode.

【0011】一方、Pb(Mg1/3Nb2/3)OとPb
(Fe1/2Nb1/2)Oとで代表されるPb系緩和型強誘
電体セラミックス(Relaxer Ferroelectric Ceramic)と
比べて広い温度範囲で大きな誘電率を有する緩慢な相転
移が起こることを特徴とし、1960年代初期に最初に
合成されて以来、現在に至るまで全世界的に膨大な量の
研究が進められてきた(G.A.Smolenskii 外, "Ferroele
ctrics with DiffusePhase Transitions", Sov. Phys.-
Solid State, 2(11), 2584〜2594 (1961))。
On the other hand, Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 and Pb
(Fe 1/2 Nb 1/2 ) O 3 and Pb-based relaxed ferroelectric ceramics (Relaxer Ferroelectric Ceramic). Since its initial synthesis in the early 1960's, a huge amount of research has been carried out worldwide until now (GASmolenskii et al., "Ferroele
ctrics with DiffusePhase Transitions ", Sov. Phys.-
Solid State, 2 (11), 2584-2594 (1961)).

【0012】前記の如くのPb系緩和型強誘電体セラミ
ックスは900〜1200℃で焼成が可能であり、焼成
温度がBaTiOと比べて100〜400℃程低く、
誘電特性は格段に優秀なため、積層型セラミックスコン
デンサー用誘電体セラミックス組成物への活用が期待さ
れている。
The Pb-based relaxed ferroelectric ceramics as described above can be fired at 900 to 1200 ° C., and the firing temperature is about 100 to 400 ° C. lower than that of BaTiO 3 .
Since the dielectric properties are remarkably excellent, utilization in dielectric ceramic compositions for multilayer ceramic capacitors is expected.

【0013】しかし、有毒なPb系化合物の揮発、内部
電極物質との反応性、分散条件確立の難しさなどのよう
な問題点により、実際には積層型セラミックスコンデン
サー用誘電体セラミックス組成物としては広く用いられ
ていない実状である。
However, due to problems such as volatilization of toxic Pb-based compounds, reactivity with internal electrode materials, and difficulty in establishing dispersion conditions, the dielectric ceramic composition for a multilayer ceramic capacitor is actually used. It is not widely used.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は前記
の従来の技術の問題点を勘案し案出されたものとして、
その目的は、超微粒状態の誘電体セラミックス粉末を高
分子物質で成されたマトリックスに均一に分散させ基板
に厚膜処理をすることにより、誘電体セラミックス厚膜
を焼結過程無しに製造することが出来る高分子マトリッ
クスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法を提供す
ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been devised in view of the above-mentioned problems of the prior art.
The aim is to produce a dielectric ceramic thick film without sintering process by uniformly dispersing dielectric ceramic powder in ultra-fine state in a matrix made of polymer material and subjecting the substrate to thick film treatment. It is an object of the present invention to provide a method for producing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix that can be used.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明は、強誘電体セラミックスを微粒状態に粉
砕する段階と;マトリックスとして用いられる高分子物
質を溶融させる段階と;前記段階にて溶融された高分子
マトリックスに強誘電体セラミックス粉末を添加し、均
一に混合する段階と;前記混合物を基板に厚膜に形成す
る段階とを備えることを特徴とする高分子マトリックス
を用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法を提供する。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for pulverizing ferroelectric ceramics into fine particles; a step of melting a polymer substance used as a matrix; Adding a ferroelectric ceramic powder to the polymer matrix melted in the above, and uniformly mixing the mixture; and forming the mixture into a thick film on a substrate. Provided is a method for manufacturing a dielectric ceramic thick film.

【0016】前記の如くの本発明は、強誘電体セラミッ
クス粉末を高分子物質で成されたマトリックス内に均一
に分散させ基板にコーティング処理を行うことにより、
高温の焼結処理過程無しに誘電体厚膜を高密度に且つ信
頼性豊かにしながら、これを用いて超小型の積層型セラ
ミックコンデンサー用誘電体厚膜を製造することが出来
る。
According to the present invention, as described above, a ferroelectric ceramic powder is uniformly dispersed in a matrix made of a polymer substance, and the substrate is subjected to a coating treatment.
While making the dielectric thick film dense and reliable without a high-temperature sintering process, it can be used to manufacture a very small dielectric thick film for a multilayer ceramic capacitor.

【0017】又、本発明によると、焼結過程無しに超薄
膜の積層型セラミックコンデンサー用誘電体厚膜を製造
することが出来るため、既存の積層型セラミックコンデ
ンサー製造に必須的であった高価な貴金属内部電極物質
を使用する必要がないため、その製造原価を節減するこ
との可能な効果が提供される。
Further, according to the present invention, it is possible to manufacture an ultra-thin dielectric thick film for a multilayer ceramic capacitor without a sintering process, so that an expensive thin film is indispensable for manufacturing an existing multilayer ceramic capacitor. Since there is no need to use a noble metal internal electrode material, there is provided an advantage that the manufacturing cost can be reduced.

【0018】本発明の強誘電体セラミックスは、BaT
iO系の強誘電体セラミックスとPb系緩和型強誘電
体セラミックスとを例として挙げられ、前記Pb系緩和
型強誘電体セラミックスは、Pb(B′2+ 1/3B″5+ 2/3)O
系とPb(B′3+ 1/2B″5+ 1/2)O系との内いずれか一
つ(但し、前記B′2+はMg2+、Ni2+、Zn2+、Cd2+の内い
ずれか一つであり、B″5+はNb5+、Ta5+の内いずれか一
つであり、B′3+はFe3+、Sc3+、In3+の内いずれか一つ
である)である。
The ferroelectric ceramic of the present invention is made of BaT
Examples include an iO 3 -based ferroelectric ceramic and a Pb-based relaxed ferroelectric ceramic, and the Pb-based relaxed ferroelectric ceramic includes Pb (B ′ 2 + 1/3 B ″ 5+ 2 / 3 ) O
'Any one of the (3+ 1/2 B "5+ 1/2 O 3 system (however, the B 3 system and Pb B)' 2+ is Mg 2+, Ni 2+, Zn 2+ , Cd 2+ , B ″ 5+ is one of Nb 5+ , Ta 5+ , and B ′ 3+ is Fe 3+ , Sc 3+ , In 3+ Is one of them).

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態例に関
し説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0020】第1実施形態例 本発明により高分子物質で成されたマトリックスを用い
て強誘電体厚膜を製造するためには、先ず、強誘電体セ
ラミックス粉末と高分子物質で成されたマトリックスと
の複合体、即ち強誘電体セラミックスと高分子物質とで
成された混合物を組成しなければならない。
First Embodiment In order to manufacture a ferroelectric thick film using a matrix made of a polymer material according to the present invention, first, a matrix made of a ferroelectric ceramic powder and a polymer material is used. , Ie, a mixture of a ferroelectric ceramic and a polymer material.

【0021】これを製造するための出発原料としては高
分子物質であるポリプロピレンペレット(polypropylen
e pellet)及び強誘電体セラミックスであるBaTiO
を使用する。
As a starting material for producing the same, polypropylene pellets (polypropylen) which is a polymer substance are used.
e pellet) and BaTiO which is a ferroelectric ceramic
Use 3 .

【0022】先ず、前記ポリプロピレンペレットを18
0〜220℃の温度で約1時間維持し溶融させる。
First, the polypropylene pellets were
Maintain at a temperature of 0 to 220 ° C. for about 1 hour to melt.

【0023】前記の如く準備された溶融ポリプロピレン
に、超微粒状態の粉末へと粉砕されたBaTiO粉末
を10〜90重量%添加する。
To the molten polypropylene prepared as described above, 10 to 90% by weight of BaTiO 3 powder pulverized into ultrafine powder is added.

【0024】前記の如く準備された溶融ポリプロピレン
と超微粒BaTiO粉末との混合物を続けて180〜
220℃の温度に維持しながら、20〜40rpmの速度
で、20〜40分間機械的に攪拌する。
The mixture of the molten polypropylene and the ultrafine BaTiO 3 powder prepared as described above is continuously added to the mixture for 180 to 180 minutes.
Stir mechanically at a speed of 20-40 rpm for 20-40 minutes while maintaining the temperature at 220 ° C.

【0025】前記の如く準備された溶融ポリプロピレン
と超微粒BaTiO粉末との混合物を銅基板上にスピ
ンコーティングする。
The mixture of the molten polypropylene and the ultrafine BaTiO 3 powder prepared as described above is spin-coated on a copper substrate.

【0026】前記本発明の方法により製造された強誘電
体セラミックス粉末と高分子マトリックスで成された厚
膜とはその厚さが約0.50〜0.97μmで、常温誘
電率は15〜189であり、−55〜125℃の温度領
域にて誘電率変化量が−14〜19%である特性を有
し、特に強誘電体厚膜を焼結過程無しに製造することが
出来る。
The thick film made of the ferroelectric ceramic powder and the polymer matrix manufactured by the method of the present invention has a thickness of about 0.50 to 0.97 μm and a dielectric constant of room temperature of 15 to 189. In the temperature range of −55 to 125 ° C., the amount of change in the dielectric constant is −14 to 19%. In particular, a ferroelectric thick film can be manufactured without a sintering process.

【0027】前記の如くの特性を有する強誘電体セラミ
ックス粉末と高分子との複合体組成及び混合条件による
性能を測定するために次の如くの過程を遂行した後、そ
の結果を表1に示した。
The following processes were performed to measure the performance of the composite of the ferroelectric ceramic powder having the above-mentioned characteristics and the polymer according to the composition and mixing conditions, and the results are shown in Table 1. Was.

【0028】先ず、融点が約157℃で、密度が約0.
90g/cmで、分子量が約12,000のポリプロ
ピレン(Aldrich社製品、米国)を、容量500mlのパ
イレックス(登録商標)(pyrex)分液じょうごに入
れ、180〜220℃の温度で加熱し約1時間維持する
ことにより溶融させた。
First, the melting point is about 157 ° C. and the density is about 0.
A 90 g / cm 3 polypropylene having a molecular weight of about 12,000 (a product of Aldrich, USA) is placed in a 500 ml Pyrex separatory funnel and heated at a temperature of 180 to 220 ° C. It was melted by holding for 1 hour.

【0029】ここで、前記ポリプロピレンはその分子量
が12,000であることを使用したが、10,000を
超過する場合粘度が高すぎて薄い厚膜の形成を妨げるた
め、10,000以下のものを使用するのが好適であ
る。
The polypropylene used herein has a molecular weight of 12,000. If the molecular weight exceeds 10,000, the viscosity is too high to prevent the formation of a thin thick film. It is preferred to use

【0030】そして、前記ポリプロピレンの溶融温度
は、前記180℃より低いと溶融状態を維持し難いし、
220℃を超えるとなると高熱によるポリプロピレンの
分子構造の破壊が憂慮される。
If the melting temperature of the polypropylene is lower than 180 ° C., it is difficult to maintain the molten state,
If the temperature exceeds 220 ° C., there is a concern that the molecular structure of polypropylene may be destroyed by high heat.

【0031】前記の如く溶融されたポリプロピレンを2
0〜40rpmの速度で機械的に攪拌しながら純度約9
9.9%以上の超微粒BaTiO粉末(比表面積=
8.65m/g、米国Cabot社のBT-8製品)を10〜9
0重量%添加した。
The melted polypropylene was mixed with 2
Purity of about 9 while mechanically stirring at a speed of 0 to 40 rpm
9.9% or more of ultrafine BaTiO 3 powder (specific surface area =
8.65 m 2 / g, US Cabot BT-8 product) 10-9
0% by weight was added.

【0032】ここで、前記攪拌速度を20〜40rpmに
規定する理由は、過度に20以下となるとよく混ざら
ず、40以上となると遠心力によりセラミックス粉末が
分離されるためである。
Here, the reason why the stirring speed is specified to be 20 to 40 rpm is that if the mixing speed is excessively lower than 20, the mixing does not proceed well, and if the mixing speed is higher than 40, the ceramic powder is separated by centrifugal force.

【0033】そして、前記セラミックス粉末を10〜9
0重量%範囲で混合する理由は、添加量が少なすぎると
誘電率が低すぎ、添加量が多すぎると厚膜の厚さが厚く
なりすぎるためである。
Then, the ceramic powder is mixed with 10 to 9
The reason for mixing in the range of 0% by weight is that if the addition amount is too small, the dielectric constant is too low, and if the addition amount is too large, the thickness of the thick film becomes too thick.

【0034】前記の如く準備された溶融ポリプロピレン
と超微粒BaTiO粉末との混合物を続けて180〜
220℃に維持しながら、20〜40分間、20〜40
rpmの速度で機械的に攪拌し均一な状態に混合した。
The mixture of the molten polypropylene prepared as described above and the ultrafine BaTiO 3 powder was continuously added to the mixture for 180 to 180 minutes.
While maintaining at 220 ° C., 20 to 40 minutes, 20 to 40
The mixture was mechanically stirred at a speed of rpm and mixed to a uniform state.

【0035】前記の如く準備された溶融ポリプロピレン
と超微粒BaTiO粉末との混合物を直径約15m
m、厚さ約1mmの銅基板上にスピンコーティングし
た。この時、前記スピンコーティングの条件は次のとお
りである。
The mixture of the molten polypropylene and the ultrafine BaTiO 3 powder prepared as described above was used to prepare a mixture having a diameter of about 15 m.
m, and spin-coated on a copper substrate having a thickness of about 1 mm. At this time, the conditions of the spin coating are as follows.

【0036】混合物は分液じょうごの下部コックを開け
1秒に1〜3滴の速度で滴下されるよう調節した後、銅
基板を300〜500rpmの速度で回転させながら、総
計10〜20滴を滴下した。
The mixture was adjusted so that the lower cock of the separatory funnel was opened and dropped at a rate of 1 to 3 drops per second. Then, while rotating the copper substrate at a rate of 300 to 500 rpm, a total of 10 to 20 drops was added. It was dropped.

【0037】一方、前記コーティング技法として本実施
形態例ではスピンコーティング方法を用いて説明してい
るが、場合によっては押出しコーティング方法を用いる
ことがより効果的なコーティング方法ともなり得る。
On the other hand, in the present embodiment, the spin coating method is described as the coating technique. However, in some cases, the extrusion coating method may be a more effective coating method.

【0038】本発明に使用可能な前記押出しコーティン
グ方法は基板に前記混合物を塗布した後、押出しルーラ
ーを用いて基板に塗布された前記混合物を均一な厚さに
圧着し厚膜を形成する方法である。
The extrusion coating method that can be used in the present invention is a method in which the mixture is applied to a substrate, and the mixture applied to the substrate is pressed to a uniform thickness using an extrusion ruler to form a thick film. is there.

【0039】前記の如く得られた誘電体セラミックス粉
末と高分子との複合体で成された厚膜の一断面を光学顕
微鏡で観察することによりその厚さを測定した。
One section of the thick film formed of the composite of the dielectric ceramic powder and the polymer obtained as described above was observed by an optical microscope to measure its thickness.

【0040】一方、得られた誘電体セラミックス粉末と
高分子との複合体で成された厚膜の誘電特性を調査する
ために厚膜の銅基板を下部電極として用いり、厚膜の上
部に常温用銀ペーストを塗布し乾燥させた後、このよう
に準備された試片を温度調節チャンバー(米国のDelta
Design社製品)内に設け、-55〜125℃の温度領域
でLCRメーター(Hewlett Packard社のモデル名4263B
製品)を用いて誘電率を測定し、その結果を表1に示し
た(但し、LCRメーターの測定条件はVrms=1.0,
1kHzである)。
On the other hand, a thick copper substrate was used as a lower electrode to investigate the dielectric characteristics of a thick film formed of a composite of the obtained dielectric ceramic powder and a polymer, and a thick film was formed on the upper portion of the thick film. After the room temperature silver paste is applied and dried, the prepared specimen is placed in a temperature control chamber (Delta, USA).
LCR meter (Hewlett Packard model name 4263B) in the temperature range of -55 to 125 ° C.
The results were shown in Table 1 (provided that the measurement conditions of the LCR meter were V rms = 1.0,
1 kHz).

【0041】[0041]

【表1】 前記表1の結果から、厚さが0.50〜0.97μm
で、常温誘電率が15〜189で、-55〜125℃で
誘電率変化量が−14〜19%の強誘電体セラミックス
粉末と高分子マトリックスとで成された厚膜が焼結過程
無しに得られたことが分かる。
[Table 1] From the results in Table 1, the thickness was 0.50 to 0.97 μm
A thick film made of a ferroelectric ceramic powder having a normal temperature dielectric constant of 15 to 189 and a dielectric constant change of −14 to 19% at −55 to 125 ° C. and a polymer matrix without a sintering process. It can be seen that it was obtained.

【0042】第2実施形態例 本発明によりPb系緩和型強誘電体セラミックスと高分
子との複合体を製造するための出発原料としては、純度
約99.9%以上のPbO、MgO、TiO、Fe
、Nb粉末などを用いて合成されたPb(Mg
1/3Nb2/3)O3-PbTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−Pb(Di1/3Nb
2/3)O3(ここで、DiはNi、Zn又はCd)、Pb(Fe1/2Nb1/2)
O3などのような緩和型強誘電体セラミックスとポリプロ
ピレンペレット(polypropylene pellet)を使用する。
Second Embodiment As a starting material for producing a composite of a Pb-based relaxed ferroelectric ceramic and a polymer according to the present invention, PbO, MgO, TiO 2 having a purity of about 99.9% or more is used. , Fe 2
Pb (Mg) synthesized using O 3 , Nb 2 O 5 powder, etc.
1/3 Nb 2/3 ) O 3 -PbTiO 3 , Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 -Pb (Di 1/3 Nb
2/3 ) O 3 (where Di is Ni, Zn or Cd), Pb (Fe 1/2 Nb 1/2 )
Use relaxed ferroelectric ceramics such as O 3 and polypropylene pellets.

【0043】先ず、前記緩和型強誘電体セラミックスを
ボールミリング(ball milling)とアトリションミリン
グ(attrition milling)で粉砕し微粒の緩和型強誘電
体セラミックス粉末を製造する。
First, the relaxed ferroelectric ceramic is pulverized by ball milling and attrition milling to produce fine relaxed ferroelectric ceramic powder.

【0044】一方、ポリプロピレンペレットを180〜
220℃で約1時間維持することにより溶融させる。
On the other hand, polypropylene pellets
Melt by maintaining at 220 ° C. for about 1 hour.

【0045】前記の如く準備された溶融ポリプロピレン
に準備された微粒の緩和型強誘電体セラミックス粉末を
10〜90重量%添加する。
10 to 90% by weight of the fine relaxed ferroelectric ceramic powder prepared above is added to the molten polypropylene prepared as described above.

【0046】そして、溶融ポリプロピレンと緩和型強誘
電体セラミックス粉末とで成された混合物を続けて18
0〜220℃に維持しながら20〜40分間機械的に攪
拌する。
Then, the mixture made of the molten polypropylene and the relaxed ferroelectric ceramic powder is continuously added to the mixture.
Stir mechanically for 20-40 minutes while maintaining at 0-220 ° C.

【0047】前記の如く準備された溶融ポリプロピレン
と緩和型強誘電体セラミックス粉末との混合物を銅基板
上にスピンコーティングする。
The mixture of the molten polypropylene and the relaxed ferroelectric ceramic powder prepared as described above is spin-coated on a copper substrate.

【0048】前記の方法で製造された緩和型強誘電体セ
ラミックスと高分子との複合体厚膜は、その厚さが約
1.32〜2.90μmで、常温誘電率が78〜190
5で、−55〜125℃の温度領域で誘電率変化量が−
85〜37%として、緩和型強誘電体セラミックスと高
分子との複合体を用いて誘電体厚膜を焼結過程無しに製
造することが出来るものである。
The composite thick film of the relaxed ferroelectric ceramic and the polymer produced by the above method has a thickness of about 1.32 to 2.90 μm and a dielectric constant of room temperature of 78 to 190.
5, the change in the dielectric constant in the temperature range of -55 to 125 ° C is-
With a ratio of 85 to 37%, a dielectric thick film can be manufactured without a sintering process using a composite of a relaxed ferroelectric ceramic and a polymer.

【0049】前記の如くの特性を有する緩和型強誘電体
セラミックスと高分子との複合体組成及び混合条件によ
る性能を測定するために、先ず、Pb(Mg1/3
2/3)O 3-PbTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3
−Pb(Di1/3Nb2/3)O3及びPb(Fe1/2Nb
1/2)O3緩和型強誘電体セラミックスをめのう乳鉢で粉
砕し、#50の篩にかけた。
Relaxed ferroelectric material having the above characteristics
Depends on composite composition of ceramics and polymer and mixing conditions
In order to measure the performance of Pb (Mg1/3N
b2/3) O Three-PbTiOThree, Pb (Mg1/3Nb2/3) OThree
−Pb (Di1/3Nb2/3) OThreeAnd Pb (Fe1/2Nb
1/2) OThreeRelaxed ferroelectric ceramic powder in agate mortar
Crushed and sieved through # 50 sieve.

【0050】前記の如く準備された緩和型強誘電体セラ
ミックス粉末をZrOボールとエタノールを用いてボ
ールミリングし乾燥した後、めのう乳鉢で粉砕し#10
0の篩にかけた。
The relaxed ferroelectric ceramic powder prepared as described above is ball-milled with ZrO 2 balls and ethanol, dried, and ground in an agate mortar to # 10.
0 sieve.

【0051】前記の如く準備された緩和型強誘電体セラ
ミックス粉末をZrOボールとエタノール及びポリウ
レタン材質のインペラーを使いて600rpmの速度で3
0分間アトリションミリングし乾燥して微粒の緩和型強
誘電体セラミックス粉末を得た。
The relaxed ferroelectric ceramic powder prepared as described above was mixed with ZrO 2 balls and an impeller made of ethanol and polyurethane at a speed of 600 rpm.
Attrition milling for 0 minutes and drying were performed to obtain fine relaxed ferroelectric ceramic powder.

【0052】前記の如く準備された緩和型強誘電体セラ
ミックス粉末の比表面積をBET比表面積分析器(Quan
tachrome社製品、モデル名Autosorb−1)で測定し2.
6〜2.9m/gの比表面積を得た。これは理想的な球
形の粒子を仮定した場合、約0.24〜0.29μmの
平均粒径を有する微粒の緩和型強誘電体セラミックス粉
末である。
The specific surface area of the relaxed ferroelectric ceramic powder prepared as described above was measured using a BET specific surface area analyzer (Quan).
1. Measured with Tachrome's product, model name Autosorb-1).
A specific surface area of 6 to 2.9 m 2 / g was obtained. This is a fine relaxed ferroelectric ceramic powder having an average particle size of about 0.24 to 0.29 μm, assuming ideal spherical particles.

【0053】一方、融点は約157℃で、密度が約0.
90g/cmで、分子量が約12,000のポリプロピレ
ン(Aldrich社、米国)を、容量500mlのパイレック
ス(pyrex)分液じょうごに入れ、180〜220℃で
加熱し約1時間維持することにより溶融させた。
On the other hand, the melting point is about 157 ° C. and the density is about 0.
A 90 g / cm 3 polypropylene having a molecular weight of about 12,000 (Aldrich, USA) is melted by placing it in a 500 ml Pyrex separatory funnel, heating at 180-220 ° C. and maintaining for about 1 hour. I let it.

【0054】前記の如く溶融されたポリプロピレンを2
0〜40rpmの速度で機械的攪拌をしながら準備された
微粒の緩和型強誘電体セラミックス粉末を10〜90重
量%添加した。
The melted polypropylene was mixed with 2
Fine mechanical relaxation type ferroelectric ceramic powder prepared by mechanical stirring at a speed of 0 to 40 rpm was added in an amount of 10 to 90% by weight.

【0055】前記の如く準備された溶融ポリプロピレン
と緩和型強誘電体セラミックス粉末とで成された混合物
を続けて180〜220℃に維持しながら20〜40分
間20〜40rpmの速度で機械的に攪拌した後、溶融ポ
リプロピレンと緩和型強誘電体セラミックス粉末との混
合物を直径約15mm、厚さ約1mmの銅基板上にスピンコ
ーティングした。
The mixture composed of the molten polypropylene and the relaxed ferroelectric ceramic powder prepared as described above is mechanically stirred at a speed of 20 to 40 rpm for 20 to 40 minutes while maintaining the mixture at 180 to 220 ° C. After that, a mixture of molten polypropylene and a relaxation type ferroelectric ceramic powder was spin-coated on a copper substrate having a diameter of about 15 mm and a thickness of about 1 mm.

【0056】この時、分液じょうごの下部コックを開
き、前記混合物が1秒に1〜3滴の速度で滴下されるよ
う調節し、銅基板が300〜500rpmの速度で回転す
るようにし総30〜60滴を滴下した。
At this time, the lower cock of the separating funnel was opened, and the mixture was adjusted so that the mixture was dropped at a rate of 1 to 3 drops per second. 6060 drops were added dropwise.

【0057】一方、前記コーティング技法として本実施
例ではスピンコーティング方法を用いて説明している
が、場合によっては押出しコーティング方法を用いるこ
とがより効果的なコーティング方法ともなり得る。
On the other hand, in the present embodiment, the spin coating method is described as the coating technique, but in some cases, the extrusion coating method may be a more effective coating method.

【0058】本発明に利用可能な前記押出しコーティン
グ方法は、基板に前記混合物を塗布した後に押出しロー
ラーを用いて基板に塗布された前記混合物を均一な厚さ
に圧着し厚膜を形成する方法である。
The extrusion coating method usable in the present invention is a method in which the mixture is applied to a substrate and then the mixture applied to the substrate is pressed to a uniform thickness using an extrusion roller to form a thick film. is there.

【0059】前記の如くの過程を通して得られた緩和型
強誘電体セラミックスと高分子との複合体厚膜の一断面
を光学顕微鏡で観察することによりその厚さを測定し
た。
The thickness of the composite thick film of the relaxed ferroelectric ceramics and the polymer obtained through the above-described process was measured by observing one section of the composite thick film with an optical microscope.

【0060】一方、得られた緩和型強誘電体セラミック
スと高分子との複合体厚膜に対する誘電特性を調査する
ために厚膜の銅基板を下部電極として使用し、厚膜の上
部に常温用銀ペースト(Ag paste)を塗布し乾燥させ準
備された試片を温度調節チャンバー(Delta Design社製
品、米国)内に装着し、−55〜125℃の温度領域に
てLCRメーター(Hewlett Packard社製品、モデル名4
263B)を使用して誘電率を測定した(但し、LCRメー
ターの測定条件はVrms=1.0,1kHzである)。
On the other hand, a thick copper substrate was used as a lower electrode in order to investigate the dielectric properties of the obtained composite film of the relaxed ferroelectric ceramics and the polymer, and a room temperature room temperature A sample prepared by applying and drying silver paste (Ag paste) was mounted in a temperature control chamber (a product of Delta Design, USA), and an LCR meter (a product of Hewlett Packard) in a temperature range of −55 to 125 ° C. , Model name 4
263B) was used to measure the permittivity (provided that the measurement condition of the LCR meter is V rms = 1.0,1 kHz).

【0061】前記の如くの条件で測定した結果を表2に
示した。
Table 2 shows the results measured under the above conditions.

【0062】[0062]

【表2】 前記表2の結果から、厚さが1.32〜2.90μm
で、常温誘電率が78〜1905で、−55〜125℃
で誘電率変化量が−85〜37%の緩和型強誘電体セラ
ミックスと高分子との複合体厚膜が焼結過程無しに得ら
れたことが分かる。
[Table 2] From the results in Table 2, the thickness was 1.32 to 2.90 μm.
And a normal temperature dielectric constant of 78 to 1905 and -55 to 125 ° C.
It can be seen that a composite thick film of a relaxed ferroelectric ceramic and a polymer having a dielectric constant change of -85 to 37% was obtained without a sintering process.

【0063】前記第1及び第2実施形態例による結果を
考察してみると、強誘電体セラミックス粉末の添加量が
減少するほど又は溶融温度が高いほど薄い誘電体セラミ
ックス粉末と高分子との複合体で成された厚膜を得るこ
とが出来たが、このような現状はセラミックス粉末の添
加量が減少するほど、又は溶融温度が高いほどスピンコ
ーティングする溶融ポリプロピレンと超微粒状態の強誘
電体粉末との混合物の粘土が低い点に起因するものとみ
られる。
Considering the results of the first and second embodiments, the composite of thinner dielectric ceramic powder and polymer becomes thinner as the amount of ferroelectric ceramic powder added decreases or as the melting temperature increases. Although it was possible to obtain a thick film made of a body, the current situation is that as the amount of ceramic powder added decreases or the melting temperature increases, the molten polypropylene that is spin-coated and the ferroelectric powder in the ultrafine state This is probably due to the low point of the mixture clay.

【0064】一方、常温誘電率はセラミックス粉末の添
加量が増加するに連れて増加し溶融温度には大きな影響
を受けなかった。即ち、常温誘電率は溶融温度が同じ場
合セラミックス粉末の添加量が増加し厚膜の厚さが増加
するに連れて増加したが、セラミックス粉末の添加量が
同じ場合には溶融温度が増加し厚膜の厚さが減少しても
大きな影響は受けなかった。
On the other hand, the room temperature dielectric constant increased as the amount of ceramic powder added increased and was not significantly affected by the melting temperature. That is, the room temperature dielectric constant increased as the amount of ceramic powder added and the thickness of the thick film increased when the melting temperature was the same, but when the amount of ceramic powder added was the same, the melting temperature increased and the thickness increased. The decrease in film thickness was not significantly affected.

【0065】前記の如くの現状は、常温誘電率は強誘電
体セラミックス粉末と高分子との複合体で成された厚膜
を構成する強誘電体セラミックス粉末の添加量だけによ
り決定され、強誘電体セラミックス粉末と高分子との複
合体にて高分子物質で成されたマトリックスは、只、強
誘電体セラミックス粉末を両方の電極間の空間を維持さ
せるマトリックスの役割だけをしていることに起因する
ものと考えられ、これはまたセラミックス強誘電体粉末
が高分子マトリックス内に均一に分散されていることを
意味する。
As described above, at present, the room temperature dielectric constant is determined only by the addition amount of the ferroelectric ceramic powder constituting the thick film formed of the composite of the ferroelectric ceramic powder and the polymer. The matrix made of the polymer material in the composite of the body ceramic powder and the polymer is due to the fact that the ferroelectric ceramic powder only serves as a matrix to maintain the space between both electrodes Which also means that the ceramic ferroelectric powder is uniformly dispersed within the polymer matrix.

【0066】温度−55〜125℃での誘電率変化量は
セラミックス粉末添加量及び溶融温度に大きな影響を受
けなかった。このような現状は誘電体セラミックス粉末
と高分子との複合体で成された厚膜の誘電率変化量は、
高分子マトリックスによるものでもなく、誘電体セラミ
ックス粉末の添加量によるものでもない誘電体セラミッ
クス粉末の粒度のような誘電体セラミックス粉末の固有
な特性自体により決定されるためのものと考えられる。
The change in the dielectric constant at a temperature of -55 to 125 ° C. was not significantly affected by the amount of the ceramic powder added and the melting temperature. Under such circumstances, the change in dielectric constant of a thick film made of a composite of dielectric ceramic powder and polymer is
This is considered to be determined not by the polymer matrix nor by the amount of the dielectric ceramic powder to be added, but by the inherent characteristics of the dielectric ceramic powder itself, such as the particle size of the dielectric ceramic powder.

【0067】[0067]

【発明の効果】前記の如く成された本発明は、強誘電体
セラミックス粉末を高分子物質で成されたマトリックス
内に均一に分散させ基板をコーティング処理することに
より、高温の焼結処理過程無しに誘電体厚膜を高密度に
且つ信頼性豊かにしながら、これを用いて超小型の積層
型セラミックコンデンサー用誘電体厚膜を製造すること
が出来る。
As described above, according to the present invention, the ferroelectric ceramic powder is uniformly dispersed in a matrix made of a polymer material and the substrate is coated. While making the dielectric thick film high in density and high in reliability, it can be used to manufacture a very small dielectric thick film for a multilayer ceramic capacitor.

【0068】尚、本発明によると焼結過程無しに超薄膜
の積層型セラミックコンデンサー用誘電体厚膜を製造す
ることが出来るため、既存の積層型セラミックコンデン
サー製造に必須的であった高価な貴金属内部電極物質を
使用する必要が無いため、その製造原価を節減すること
が出来る効果を提供する。
According to the present invention, an ultra-thin dielectric thick film for a multilayer ceramic capacitor can be manufactured without a sintering process, so that an expensive noble metal which is indispensable for manufacturing an existing multilayer ceramic capacitor is used. Since there is no need to use an internal electrode material, an effect of reducing the manufacturing cost can be provided.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01B 3/12 302 H01B 3/12 302 313 313Z 313K (72)発明者 ヘ・ジューン・ジェ 大韓民国、ソウル、ノウォン−ク、ジュン ゲ−ドン、チョング・サード・アパートメ ント 108−204 (72)発明者 ジェ・ファン・パーク 大韓民国、ソウル、マポ−ク、ヨンナム− ドン 246−15 Fターム(参考) 4J002 BB121 DE046 DE186 5G303 AA01 AB15 AB20 BA03 CA01 CA09 CB03 CB07 CB13 CB17 CB21 CB23 CB25 CB33 CB35 CB38 CB43 DA01 DA02 DA06 5G333 AA03 AB12 CB17 DA01 DA03 DB04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme court ゛ (Reference) H01B 3/12 302 H01B 3/12 302 313 313Z 313K (72) Inventor He Joon Jae South Korea, Seoul, Nowon-k, Junge-dong, Jong-sard apartment 108-204 (72) Inventor Je-hwang Park South Korea, Seoul, Mapok, Yongnam-dong 246-15 F-term (reference) 4J002 BB121 DE046 DE186 5G303 AA01 AB15 AB20 BA03 CA01 CA09 CB03 CB07 CB13 CB17 CB21 CB23 CB25 CB33 CB35 CB38 CB43 DA01 DA02 DA06 5G333 AA03 AB12 CB17 DA01 DA03 DB04

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 強誘電体セラミックスを微粒状態に粉砕
する段階と;マトリックスとして用いられる高分子物質
を溶融させる段階と;前記溶融された高分子物質に強誘
電体セラミックス粉末を添加し均一に混合する段階と;
前記混合物を基板に厚膜に形成する段階とで成されるこ
とを特徴とする高分子マトリックスを用いた誘電体セラ
ミックス厚膜製造方法。
1. a step of pulverizing ferroelectric ceramics into fine particles; a step of melting a polymer substance used as a matrix; and adding a ferroelectric ceramic powder to the molten polymer substance and mixing uniformly. To do;
Forming the mixture into a thick film on a substrate. A method for producing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix.
【請求項2】 前記高分子物質は分子量が10000以
下であるポリプロピレンであることを特徴とする請求項
1に記載の高分子マトリックスを用いた誘電体セラミッ
クス厚膜製造方法。
2. The method as claimed in claim 1, wherein the polymer material is polypropylene having a molecular weight of 10,000 or less.
【請求項3】 前記高分子物質の溶融温度は180〜2
20℃であることを特徴とする請求項1又は請求項2に
記載の高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス
厚膜製造方法。
3. The polymer material has a melting temperature of 180-2.
The method for producing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix according to claim 1 or 2, wherein the temperature is 20 ° C.
【請求項4】 前記強誘電体セラミックスはBaTiO
であることを特徴とする請求項1に記載の高分子マト
リックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法。
4. The ferroelectric ceramic is BaTiO.
3. The method for producing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix according to claim 1, wherein the thickness is 3.
【請求項5】 前記強誘電体セラミックスはPb系緩和
型強誘電体セラミックスであることを特徴とする請求項
1に記載の高分子マトリックスを用いた誘電体セラミッ
クス厚膜製造方法。
5. The method of claim 1, wherein the ferroelectric ceramic is a Pb-based relaxed ferroelectric ceramic.
【請求項6】 前記Pb系緩和型強誘電体セラミックス
は、Pb(B′2+ 1/3B″5+ 2/3)O系とPb(B′3+ 1/2B″
5+ 1/2)O系との内いずれか一つ(但し、前記B′2+はM
g2+、Ni2+、Zn2+、Cd2+の内いずれか一つであり、B″
5+はNb5+、Ta5+の内いずれか一つであり、B′3+はF
e3+、Sc3+、In3+の内いずれか一つである)であること
を特徴とする請求項5に記載の高分子マトリックスを用
いた誘電体セラミックス厚膜製造方法。
6. The Pb-based relaxed ferroelectric ceramic comprises Pb (B ′ 2 + 1/3 B ″ 5+ 2/3 ) O 3 and Pb (B ′ 3+ 1/2 B ″).
5+ 1/2 ) O 3 system (where B ′ 2+ is M
g 2+ , Ni 2+ , Zn 2+ , Cd 2+ , and B ″
5+ is one of Nb 5+ and Ta 5+ , and B ′ 3+ is F
e 3+ , Sc 3+ , or In 3+ ). The method for producing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix according to claim 5, wherein
【請求項7】 前記強誘電体セラミックスの添加量が1
0〜90重量%であることを特徴とする請求項1に記載
の高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜
製造方法。
7. An addition amount of the ferroelectric ceramic is 1
The method for producing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix according to claim 1, wherein the amount is 0 to 90% by weight.
【請求項8】 前記高分子物質と強誘電体セラミックス
との混合物の溶融状態維持温度は、180〜220℃で
あることを特徴とする請求項1に記載の高分子マトリッ
クスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法。
8. The dielectric ceramic using a polymer matrix according to claim 1, wherein the temperature of maintaining the molten state of the mixture of the polymer substance and the ferroelectric ceramic is 180 to 220 ° C. Thick film manufacturing method.
【請求項9】 前記高分子物質と強誘電体セラミックス
との混合物を機械的に攪拌する速度は20〜40rpmで
あり、20〜40分間混合することを特徴とする請求項
1に記載の高分子マトリックスを用いた誘電体セラミッ
クス厚膜製造方法。
9. The polymer according to claim 1, wherein the speed of mechanically stirring the mixture of the polymer material and the ferroelectric ceramic is 20 to 40 rpm, and the mixing is performed for 20 to 40 minutes. A method for producing a dielectric ceramic thick film using a matrix.
【請求項10】 前記高分子物質と強誘電体セラミック
スとの混合物を基板に厚膜に形成する方法は、スピンコ
ーティング方法であることを特徴とする請求項1に記載
の高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜
製造方法。
10. The method according to claim 1, wherein the method of forming the mixture of the polymer material and the ferroelectric ceramic on the substrate in a thick film is a spin coating method. Dielectric ceramic thick film manufacturing method.
【請求項11】 前記スピンコーティング方法は、基板
を回転させながら混合物を基板に滴下させコーティング
することを特徴とする請求項10に記載の高分子マトリ
ックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法。
11. The method according to claim 10, wherein the spin coating method comprises coating the mixture by dripping the mixture onto the substrate while rotating the substrate.
【請求項12】 前記混合物を基板に厚膜に形成する方
法は、混合物を基板上に押出して厚膜を形成することを
特徴とする請求項1に記載の高分子物質を用いた誘電体
厚膜製造方法。
12. The method according to claim 1, wherein the method of forming the mixture into a thick film on a substrate comprises extruding the mixture onto a substrate to form a thick film. Film manufacturing method.
【請求項13】 前記基板は銅基板であることを特徴と
する請求項1、請求項10、請求項11、請求項12の
内いずれか1項に記載の高分子物質を用いた誘電体厚膜
製造方法。
13. The thickness of a dielectric using a polymer substance according to claim 1, wherein the substrate is a copper substrate. Film manufacturing method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005174711A (en) * 2003-12-10 2005-06-30 Tdk Corp Dielectric ceramic powder, manufacturing method of dielectric ceramic powder, and compound dielectric material
US11285700B2 (en) * 2016-03-10 2022-03-29 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Multilayer laminate and method for producing multilayer printed wiring board using same

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