JP2002116433A - Liquid crystal display device, method for manufacturing the same and information communication appliance - Google Patents
Liquid crystal display device, method for manufacturing the same and information communication applianceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方の
基板が樹脂基板で構成される液晶表示装置及びその製造
方法並びに情報通信機器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device in which at least one substrate is formed of a resin substrate, a method of manufacturing the same, and an information communication device.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置において、液晶層を一定厚
みに保持することと、電極を形成するために、透明基板
としてガラス基板が一般に用いられる。ガラス基板に対
して透明電極の一つであるITO(インジウムチンオキ
サイド)膜を形成する方法としてスパッタリング法があ
る。この方法でITO膜を形成する場合、ガラス基板に
は100℃以上の熱がかかるのが一般的である。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device, a glass substrate is generally used as a transparent substrate for maintaining a liquid crystal layer at a constant thickness and forming electrodes. As a method for forming an ITO (indium tin oxide) film, which is one of the transparent electrodes, on a glass substrate, there is a sputtering method. When an ITO film is formed by this method, it is general that heat of 100 ° C. or higher is applied to the glass substrate.
【0003】同様に基板を加熱してITO膜を成膜する
方法を樹脂基板に適用した場合、透明電極が形成される
樹脂基板は、透明電極形成の加熱時と形成後の室温時に
おいて、樹脂基板と透明電極の熱膨張の差により、透明
電極の形成側が凸状になるよう反りが発生する。Similarly, when a method of forming an ITO film by heating a substrate is applied to a resin substrate, the resin substrate on which the transparent electrode is formed is heated at the time of forming the transparent electrode and at room temperature after the formation. Due to the difference in thermal expansion between the substrate and the transparent electrode, warpage occurs such that the side on which the transparent electrode is formed becomes convex.
【0004】ガラス基板の熱膨張係数はガラスの種類に
より異なるが、ソーダガラスの場合は4.0×10-6/
℃である。ITO膜の熱膨張係数は、組成比や成膜法等
により変化するが、スパッタリング法で成膜した場合、
6.0×10-7/℃から2.0×10-6/℃である。こ
のように透明電極とガラス基板はそれらの熱膨張係数の
差がほとんどないため、透明電極の形成前後の基板温度
差による基板反りは殆ど発生しない。The coefficient of thermal expansion of a glass substrate differs depending on the type of glass. In the case of soda glass, it is 4.0 × 10 −6 /.
° C. The thermal expansion coefficient of the ITO film changes depending on the composition ratio, the film forming method, and the like.
It is from 6.0 × 10 −7 / ° C. to 2.0 × 10 −6 / ° C. As described above, since the transparent electrode and the glass substrate have almost no difference in their thermal expansion coefficients, the substrate warpage due to the difference in substrate temperature before and after the formation of the transparent electrode hardly occurs.
【0005】一方、樹脂基板として用いられる一般的な
有機材料の熱膨張係数を考える。例えばポリカーボネー
トは2×10-5/℃、ポリエチレンテレフタレートは
1.8×10-5/℃、ポリエーテルスルフォンは4.8
×10-5/℃、アクリル樹脂は2×10-5/℃であり、
ITOやガラスよりも大きい。On the other hand, the thermal expansion coefficient of a general organic material used as a resin substrate is considered. For example, polycarbonate is 2 × 10 −5 / ° C., polyethylene terephthalate is 1.8 × 10 −5 / ° C., and polyether sulfone is 4.8.
× 10 -5 / ° C, acrylic resin is 2 × 10 -5 / ° C,
Larger than ITO or glass.
【0006】従ってスパッタリング法を用いてITO膜
を形成するときには、樹脂基板が加熱されるので、樹脂
基板は透明電極よりも大きく膨張する。そしてITO膜
の形成後に室温に戻すと、樹脂基板はITO膜よりも大
きく収縮する。一般的に液晶表示装置に用いられる樹脂
基板の膜厚は0.5mm以下であり、その場合は樹脂基
板のITO膜の形成側に凸状の反りが発生してしまう。Therefore, when the ITO film is formed by using the sputtering method, the resin substrate is heated, so that the resin substrate expands more than the transparent electrode. When the temperature is returned to room temperature after the formation of the ITO film, the resin substrate shrinks more than the ITO film. Generally, the thickness of a resin substrate used for a liquid crystal display device is 0.5 mm or less, and in that case, a convex warpage occurs on the side of the resin substrate where the ITO film is formed.
【0007】また、室温で基板に透明電極を形成する方
法としてイオンプレーティング法がある。この方法で樹
脂基板にITO膜を形成した場合、室温では基板に反り
は見られない。しかしながら液晶表示装置の製造工程に
は、基板洗浄後の乾燥、配向膜形成、カラーフィルター
形成、オーバーコート膜形成といった加熱工程がある。
従って室温で透明電極を成膜した樹脂基板であっても、
上記の加熱工程にて樹脂基板と透明電極とに熱膨張差が
生じ、透明電極側が凹状となる反りが発生してしまう。As a method of forming a transparent electrode on a substrate at room temperature, there is an ion plating method. When an ITO film is formed on a resin substrate by this method, the substrate does not warp at room temperature. However, the manufacturing process of the liquid crystal display device includes heating processes such as drying after washing the substrate, formation of an alignment film, formation of a color filter, and formation of an overcoat film.
Therefore, even on a resin substrate on which a transparent electrode is formed at room temperature,
In the above-described heating step, a difference in thermal expansion occurs between the resin substrate and the transparent electrode, and a warp occurs in which the transparent electrode side becomes concave.
【0008】例えば、寸法が300×300mm2 、膜
厚が0.4mmのアクリル系基板にスパッタリング法に
て120℃でITO膜を形成し、その後基板を20℃に
した場合、アクリル系基板の寸法変化は1辺あたり0.
6mmとなる。一方、ITO膜の熱膨張係数が2.0×
10-6/℃である場合、ITO膜の寸法変化は0.06
mmである。従って、アクリル系基板とITO膜の寸法
変化の差は0.54mmにもなり、ITO膜を形成した
アクリル系基板はITO膜側が凸状になるよう大きく反
る。また、熱膨張係数が6.0×10-7/℃のITO膜
を形成した場合、ITO膜の寸法変化は0.018mm
であり、アクリル系基板とITO膜の寸法変化の差は
0.582mmと大きく、このITO膜を形成したアク
リル系基板もITO膜側が凸状になるよう大きく反る。
また、20℃でITO膜を形成したアクリル系基板を1
20℃に加熱した場合は、ITO膜の寸法変化が樹脂基
板に比べて小さいことにより、ITO膜側が凹状になる
よう反りが発生する。For example, when an ITO film is formed by sputtering at 120 ° C. on an acrylic substrate having a size of 300 × 300 mm 2 and a thickness of 0.4 mm, and then the substrate is heated to 20 ° C., The change is 0 per side.
6 mm. On the other hand, the thermal expansion coefficient of the ITO film is 2.0 ×
At 10 −6 / ° C., the dimensional change of the ITO film is 0.06
mm. Therefore, the difference in dimensional change between the acrylic substrate and the ITO film is as large as 0.54 mm, and the acrylic substrate on which the ITO film is formed is greatly warped so that the ITO film side becomes convex. When an ITO film having a thermal expansion coefficient of 6.0 × 10 −7 / ° C. is formed, the dimensional change of the ITO film is 0.018 mm.
The difference in dimensional change between the acrylic substrate and the ITO film is as large as 0.582 mm, and the acrylic substrate on which the ITO film is formed is greatly warped so that the ITO film side is convex.
An acrylic substrate on which an ITO film was formed at 20 ° C.
When heated to 20 ° C., since the dimensional change of the ITO film is smaller than that of the resin substrate, warpage occurs such that the ITO film side becomes concave.
【0009】このように、室温から基板耐熱温度までの
間では、熱による樹脂基板の寸法変化が大きくなること
により、透明電極を形成した樹脂基板に反りが発生する
ことが分かっている。As described above, it has been found that, from room temperature to the substrate heat-resistant temperature, the dimensional change of the resin substrate due to heat increases, thereby causing the resin substrate on which the transparent electrode is formed to warp.
【0010】樹脂基板を用いた液晶表示装置は、携帯電
話を主用途として製造されており、1/80のデューテ
ィ以下で駆動するSTN方式のものが多い。その場合、
透明電極の抵抗値は50Ω/□程度であれば十分であっ
た。A liquid crystal display device using a resin substrate is manufactured mainly for a mobile phone, and is often of an STN type driven at a duty of 1/80 or less. In that case,
It was sufficient if the resistance value of the transparent electrode was about 50Ω / □.
【0011】しかし近年、樹脂基板を用いた液晶表示装
置では、携帯電話の大画面化、階調表示、カラー表示に
より、透明電極パターンの高精細化、低抵抗化の要求が
ある。透明電極を低抵抗化する方法として、その膜厚を
大きくするのが一般的である。抵抗値が50Ω/□であ
れば、透明電極の膜厚は0.10μm前後であれば十分
であった。しかし、階調表示やカラー表示を行うには、
透明電極の抵抗値は30Ω/□以下は必要である。抵抗
値を30Ω/□にするには約0.15μm前後、20Ω
/□以下にするには0.22μm以上の膜厚が必要であ
る。However, in recent years, in a liquid crystal display device using a resin substrate, there is a demand for a higher definition and lower resistance of a transparent electrode pattern due to a larger screen of a mobile phone, gradation display, and color display. As a method of reducing the resistance of a transparent electrode, it is common to increase the thickness of the transparent electrode. If the resistance value is 50Ω / □, the thickness of the transparent electrode should be around 0.10 μm. However, to perform gradation display or color display,
The resistance value of the transparent electrode must be 30Ω / □ or less. To make the resistance value 30Ω / □, about 0.15μm, 20Ω
A film thickness of 0.22 μm or more is required to reduce the thickness to / □ or less.
【0012】前述したように、液晶表示装置の製造工程
には、基板洗浄後の乾燥、配向膜形成、カラーフィルタ
ー形成、オーバーコート膜形成といった加熱工程があ
る。透明電極の膜厚が大きくなると、この加熱時に透明
電極の形成側が凸状となった樹脂基板は一旦平滑になっ
たり、透明電極の形成時の環境温度よりも高温時には透
明電極の形成側が凹状になる。そして室温に戻すと、再
び透明電極の形成側が凸状になる。透明電極がこのよう
な熱履歴による応力を緩和できなくなると、透明電極に
クラックが発生する。As described above, the manufacturing process of the liquid crystal display device includes heating processes such as drying after washing the substrate, formation of an alignment film, formation of a color filter, and formation of an overcoat film. When the thickness of the transparent electrode is increased, the resin substrate on which the transparent electrode forming side becomes convex at the time of this heating becomes smooth once, or the transparent electrode forming side becomes concave when the temperature is higher than the environmental temperature at the time of forming the transparent electrode. Become. When the temperature is returned to room temperature, the side on which the transparent electrode is formed becomes convex again. When the transparent electrode cannot reduce the stress due to such thermal history, cracks occur in the transparent electrode.
【0013】また、透明電極を室温形成した樹脂基板の
場合は、加熱時に透明電極側が凹状に反り、加熱工程を
繰り返すことにより透明電極にクラックが発生する。こ
のように、樹脂基板を用いた液晶表示装置では、透明電
極を厚膜化した場合、透明電極にクラックが発生し、こ
のような透明電極を用いて作成した液晶表示装置は、透
明電極の断線による表示不良が発生するという問題があ
った。In the case of a resin substrate on which a transparent electrode is formed at room temperature, the transparent electrode side is warped in a concave shape during heating, and cracks are generated in the transparent electrode by repeating the heating process. As described above, in a liquid crystal display device using a resin substrate, when the thickness of the transparent electrode is increased, cracks are generated in the transparent electrode. There is a problem that display failure occurs due to the above.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】透明電極を形成した従
来の樹脂基板において、透明電極と樹脂基板の間に絶縁
膜を設ける場合がある。しかしこの場合の絶縁膜は、耐
薬品性、耐溶剤性、ガスバリア性、又は擦傷防止を目的
としていた。そのため絶縁膜の材料は、高架橋型又は高
剛性型のエポキシ系樹脂、高架橋型又は高剛性型のアク
リル系樹脂といったものが一般的であり、それらの弾性
率は3.0GPa以上と高く、またその膜厚も1μm程
度と薄いものであった。In a conventional resin substrate on which a transparent electrode is formed, an insulating film may be provided between the transparent electrode and the resin substrate. However, the insulating film in this case is intended for chemical resistance, solvent resistance, gas barrier properties, or scratch prevention. Therefore, the material of the insulating film is generally a highly crosslinked or highly rigid epoxy resin, a highly crosslinked or highly rigid acrylic resin, and their elastic modulus is as high as 3.0 GPa or more. The film thickness was as thin as about 1 μm.
【0015】そのため、透明電極を形成した従来の樹脂
基板は、透明電極及び樹脂基板の室温時と加熱時との寸
法変化率の差により反りが発生する。また透明電極の低
抵抗化のために透明電極の膜厚を大きくすると、基板の
反りに加えて透明電極にクラックが発生し、これを用い
て作成した液晶表示装置は透明電極の断線により表示不
良が発生してしまうという問題点があった。Therefore, the conventional resin substrate on which the transparent electrode is formed is warped due to the difference in the dimensional change between the transparent electrode and the resin substrate at room temperature and during heating. In addition, when the thickness of the transparent electrode is increased to reduce the resistance of the transparent electrode, cracks occur in the transparent electrode in addition to the warpage of the substrate. There is a problem that a problem occurs.
【0016】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたものであって、樹脂基板を用いても透明電極
にクラックが発生せず、透明電極の断線による表示不良
が発生しないようにすることと、透明樹脂基板を保護す
るための絶縁膜を設けた液晶表示装置を実現することを
目的とする。更にこのような液晶表示装置の製造方法を
確立すること、及び上記の液晶表示装置を用いた情報通
信機器を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems. Even if a resin substrate is used, cracks do not occur in the transparent electrode, and display failure due to disconnection of the transparent electrode does not occur. And a liquid crystal display device provided with an insulating film for protecting the transparent resin substrate. It is another object of the present invention to establish a method of manufacturing such a liquid crystal display device and to provide an information communication device using the liquid crystal display device.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】本願の請求項1の発明
は、一方の面に透明電極が形成された2枚の基板を対向
配置し、前記2枚の基板の少なくとも一方に樹脂基板を
用い、前記両基板間に液晶層を狭持してなる液晶表示装
置において、前記透明電極と前記樹脂基板の間に、弾性
率が1.5GPa以下の絶縁膜からなる層を形成したこ
とを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, two substrates having transparent electrodes formed on one surface thereof are opposed to each other, and a resin substrate is used for at least one of the two substrates. In a liquid crystal display device having a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates, a layer made of an insulating film having an elastic modulus of 1.5 GPa or less is formed between the transparent electrode and the resin substrate. I do.
【0018】本願の請求項2の発明は、請求項1の液晶
表示装置において、前記絶縁膜は、アクリル系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリエステル系樹
脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂のいずれかを含む膜
であることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the liquid crystal display device of the first aspect, the insulating film is made of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polyester resin, a silicon resin, or a fluorine resin. It is a film containing any of them.
【0019】本願の請求項3の発明は、請求項1又は2
の液晶表示装置において、前記絶縁膜は、1.5μm〜
20μmの膜厚であることを特徴とする。The invention of claim 3 of the present application is directed to claim 1 or 2
In the liquid crystal display device, the insulating film has a thickness of 1.5 μm to
It has a thickness of 20 μm.
【0020】本願の請求項4の発明は、請求項1〜3の
いずれか1項の液晶表示装置において、前記樹脂基板
は、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキ
シ系樹脂、ポリエーテルテレフタレート系樹脂、ポリエ
ーテルスルフォン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、シリコ
ン系樹脂のうち、少なくとも1つの透明樹脂で形成され
ることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the liquid crystal display device according to any one of the first to third aspects, the resin substrate is made of an acrylic resin, a polycarbonate resin, an epoxy resin, or a polyether terephthalate resin. , Polyethersulfone-based resin, polyethylene-based resin, and silicon-based resin.
【0021】本願の請求項5の発明は、2枚の基板を対
向配置し、前記2枚の基板の少なくとも一方に樹脂基板
を用い、前記両基板間に液晶層を狭持してなる液晶表示
装置の製造方法において、前記樹脂基板の片面に弾性率
が1.5GPa以下の絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の上
面に透明電極を形成したことを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising two substrates arranged facing each other, a resin substrate used as at least one of the two substrates, and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates. In the method for manufacturing a device, an insulating film having an elastic modulus of 1.5 GPa or less is formed on one surface of the resin substrate, and a transparent electrode is formed on an upper surface of the insulating film.
【0022】本願の請求項6の発明は、請求項5の液晶
表示装置の製造方法において、前記絶縁膜は、アクリル
系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリエ
ステル系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂のいずれ
かを含む膜であることを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the fifth aspect, the insulating film is made of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polyester resin, a silicon resin, a fluorine resin. It is characterized by being a film containing any of the base resins.
【0023】本願の請求項7の発明は、請求項5又は6
の液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁膜は、
1.5μm〜20μmの膜厚であることを特徴とする。The invention of claim 7 of the present application is directed to claim 5 or 6
In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to
It is characterized by a film thickness of 1.5 μm to 20 μm.
【0024】本願の請求項8の発明は、請求項5,6,
7のいずれか1項の液晶表示装置の製造方法において、
前記樹脂基板は、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系
樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエーテルテレフタレート系
樹脂、ポリエーテルスルフォン系樹脂、ポリエチレン系
樹脂、シリコン系樹脂のうち、少なくとも1つの透明樹
脂で形成されることを特徴とする。The invention of claim 8 of the present application is directed to claims 5, 6,
7. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to any one of items 7,
The resin substrate may be formed of at least one transparent resin of an acrylic resin, a polycarbonate resin, an epoxy resin, a polyether terephthalate resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene resin, and a silicon resin. Features.
【0025】本願の請求項9の発明は、請求項1〜4の
いずれか1項記載の液晶表示装置を有することを特徴と
する。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device according to any one of the first to fourth aspects.
【0026】[0026]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態におけ
る液晶表示装置、その製造方法及びこの液晶表示装置を
用いた情報通信機器について説明する。本実施の形態の
液晶表示装置は、絶縁膜と透明電極とが形成された基板
を対向配置し、この基板に透明樹脂基板を用い、当該基
板間に液晶層を狭持したものである。特に樹脂基板と透
明電極との間に、弾性率が1.5GPa以下の絶縁膜か
らなる層を形成したことを特徴とするものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, a method for manufacturing the same, and an information communication device using the liquid crystal display device will be described. In the liquid crystal display device of the present embodiment, a substrate on which an insulating film and a transparent electrode are formed is arranged to face each other, a transparent resin substrate is used as the substrate, and a liquid crystal layer is held between the substrates. In particular, a layer made of an insulating film having an elastic modulus of 1.5 GPa or less is formed between the resin substrate and the transparent electrode.
【0027】前記の絶縁膜は、アクリル系樹脂、エポキ
シ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、
シリコン系樹脂、フッ素系樹脂のいずれかを含む膜とす
る。また絶縁膜の膜厚は、1.5μm〜20μmである
ことが好ましい。The insulating film is made of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polyester resin,
The film contains either a silicon-based resin or a fluorine-based resin. The thickness of the insulating film is preferably 1.5 μm to 20 μm.
【0028】また前記の樹脂基板は、アクリル系樹脂、
ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエーテ
ルテレフタレート系樹脂、ポリエーテルスルフォン系樹
脂、ポリエチレン系樹脂、シリコン系樹脂のうち、少な
くとも1つの透明樹脂で形成されるものとする。The resin substrate is made of an acrylic resin,
It shall be formed of at least one transparent resin among a polycarbonate resin, an epoxy resin, a polyether terephthalate resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene resin, and a silicon resin.
【0029】液晶表示装置を用いた携帯用の情報通信機
器は、薄型化、軽量化、堅牢性が要求されている。特に
携帯電話のような情報通信機器では、薄型化及び軽量化
が商品としての重要な評価対象となっている。樹脂基板
の厚みをより薄くすることにより、機器の外形に合わせ
て湾曲した表示パネルも実現できる。また樹脂基板であ
れば、表示パネル面に対して鋭利な器物が当たっても、
表示パネル自身が割れるという事態を避けることができ
る。このような特性を有する液晶表示装置は、携帯電話
の需要において大きなものがある。A portable information communication device using a liquid crystal display device is required to be thin, light, and robust. In particular, in information communication devices such as mobile phones, the reduction in thickness and weight is an important evaluation target as a product. By making the thickness of the resin substrate thinner, a display panel that is curved in accordance with the external shape of the device can be realized. Also, if it is a resin substrate, even if a sharp object hits the display panel surface,
The situation where the display panel itself is broken can be avoided. There is a large demand for a mobile phone among the liquid crystal display devices having such characteristics.
【0030】[0030]
【実施例】以上のような構成を有する液晶表示装置にお
いて、基板の構造とその作成方法を中心にして評価結果
と共に具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A liquid crystal display device having the above-described configuration will be described in detail with reference to evaluation results, mainly focusing on the structure of a substrate and a method of forming the same.
【0031】(実施例1)図1は実施例1における基板
の断面図である。基材として厚さ400μmのアクリル
製の樹脂基板1(アクリル基板ともいう)を用いる。こ
の樹脂基板1の一方の面に、ラミネート法によりポリエ
ステル系樹脂からなる絶縁膜2を100℃で5μmの厚
さに成膜した。更に絶縁膜2上にイオンプレーティング
法により、ITO膜3を40℃で0.16μmの厚さに
形成した。こうして150×150mm2 角の樹脂基板
を作成した。このポリエステル系樹脂の弾性率は1.5
GPaであった。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view of a substrate in Embodiment 1. An acrylic resin substrate 1 (also referred to as an acrylic substrate) having a thickness of 400 μm is used as a base material. On one surface of the resin substrate 1, an insulating film 2 made of a polyester resin was formed to a thickness of 5 μm at 100 ° C. by a laminating method. Further, an ITO film 3 was formed on the insulating film 2 to a thickness of 0.16 μm at 40 ° C. by an ion plating method. Thus creating a resin substrate 0.99 × 150 mm 2 square. The elastic modulus of this polyester resin is 1.5
GPa.
【0032】次に、この樹脂基板を用いた液晶表示装置
の製造方法について説明する。この樹脂基板の透明電極
を、フォトリソグラフィーでパターンニングし、液晶表
示装置としての透明電極パターンを形成した。そして透
明電極パターン上に配向膜を印刷形成した後、250°
ツイストのSTNモードの液晶を実現するように、レー
ヨン布を用いた回転ラビングにより配向処理を行った。
対向基板も同様にして作成した。Next, a method of manufacturing a liquid crystal display device using the resin substrate will be described. The transparent electrode of this resin substrate was patterned by photolithography to form a transparent electrode pattern as a liquid crystal display. Then, after forming an alignment film on the transparent electrode pattern by printing, 250 °
In order to realize a twisted STN mode liquid crystal, an alignment process was performed by rotational rubbing using rayon cloth.
A counter substrate was prepared in the same manner.
【0033】ガラスファイバを1.0wt%混入した紫
外線硬化性シール樹脂を用意し、一方の基板の周囲部分
にこの紫外線硬化性シール樹脂を印刷した。他方の基板
上には、所定の径の樹脂ビーズを200個/mm2 の割
合で散布した。そして両基板を貼り合わせ、紫外線照射
によりシール樹脂を硬化した。その後、Δn=0.14
のエステル系ネマチック液晶に所定の量のカイラル剤を
混ぜた混合液晶を真空注入し、紫外線硬化樹脂で封口し
た。そして紫外線照射により硬化後、熱処理して液晶セ
ルを形成し、液晶表示装置を試作した。An ultraviolet-curable sealing resin containing glass fiber mixed at 1.0 wt% was prepared, and this ultraviolet-curable sealing resin was printed on the periphery of one substrate. On the other substrate, resin beads having a predetermined diameter were sprayed at a rate of 200 beads / mm 2 . Then, the two substrates were bonded to each other, and the sealing resin was cured by ultraviolet irradiation. Then, Δn = 0.14
A mixed liquid crystal obtained by mixing a predetermined amount of a chiral agent into the ester type nematic liquid crystal was vacuum-injected and sealed with an ultraviolet curable resin. Then, after curing by irradiation with ultraviolet rays, heat treatment was performed to form a liquid crystal cell, and a liquid crystal display device was prototyped.
【0034】そして、本実施例1の基板を用いた液晶表
示装置について、ITOの断線による表示不良の有無と
閾値むらとについて目視で評価した。比較例1の基板を
用いた液晶表示装置についても、実施例1の基板を用い
たものと同様にして試作した。そして実施例1と比較例
1とを評価した。その結果、比較例1の基板を用い液晶
表示装置では表示不良が発生していたが、実施例1の基
板を用い液晶表示装置では、断線による表示不良、及び
基板反りによる閾値むらは発生せず、良好な結果が得ら
れた。Then, for the liquid crystal display device using the substrate of Example 1, the presence or absence of display failure due to the disconnection of the ITO and the threshold unevenness were visually evaluated. A liquid crystal display device using the substrate of Comparative Example 1 was also prototyped in the same manner as that using the substrate of Example 1. Then, Example 1 and Comparative Example 1 were evaluated. As a result, display failure occurred in the liquid crystal display device using the substrate of Comparative Example 1, but in the liquid crystal display device using the substrate of Example 1, display failure due to disconnection and threshold unevenness due to substrate warpage did not occur. And good results were obtained.
【0035】(比較例1)比較例1として実施例1のポ
リエステル系樹脂からなる絶縁膜を形成せず、従来の透
明電極のみを形成した樹脂基板を実施例1と同様にして
作成した。Comparative Example 1 As Comparative Example 1, a resin substrate was formed in the same manner as in Example 1 except that the insulating film made of the polyester resin of Example 1 was not formed, and only a conventional transparent electrode was formed.
【0036】(比較結果)実施例1で得られた樹脂基板
を20℃から150℃になるまで10分間で加熱し、1
50℃で30分間保持した。この後、環境温度20℃の
場所で30分間冷却した。このような試験を3回繰り返
し、得られたサンプルのITO表面を光学顕微鏡を用い
て観察した。100×100mm2 中の範囲内の20ヶ
所を観察し、ITOのクラックの有無について評価し
た。(Comparative Results) The resin substrate obtained in Example 1 was heated from 20 ° C. to 150 ° C. for 10 minutes,
It was kept at 50 ° C. for 30 minutes. Thereafter, cooling was performed for 30 minutes at an environment temperature of 20 ° C. Such a test was repeated three times, and the ITO surface of the obtained sample was observed using an optical microscope. Twenty locations within a range of 100 × 100 mm 2 were observed and evaluated for the presence or absence of cracks in ITO.
【0037】その結果、比較例1の基板では、平均で
2.7個/mm2 の割合でクラックが観察されたが、実
施例1の基板ではクラックは観察されなかった。またこ
のサンプルのITOの抵抗変化率を測定した。抵抗変化
率は(試験後の抵抗)/(試験前の抵抗)で表した。そ
の結果、比較例1の抵抗変化率は7.8となり、良好な
結果は得られなかった。これに対して実施例1の抵抗変
化率は1.0であり、試験前後の変化は無く、良好な結
果が得られた。As a result, cracks were observed at an average rate of 2.7 / mm 2 on the substrate of Comparative Example 1, but no crack was observed on the substrate of Example 1. The resistance change rate of ITO of this sample was measured. The resistance change rate was represented by (resistance after test) / (resistance before test). As a result, the resistance change rate of Comparative Example 1 was 7.8, and no good result was obtained. On the other hand, the resistance change rate of Example 1 was 1.0, there was no change before and after the test, and good results were obtained.
【0038】(比較例2)次に比較例2の基板について
説明する。基材として厚さ400μmのアクリル系の基
板を用意し、この基板の一方の面に、ラミネート法によ
りポリスチレン系樹脂からなる絶縁膜を100℃で5μ
mの厚さに成膜した。更に絶縁膜上にイオンプレーティ
ング法により、ITO膜を40℃で0.16μmの厚さ
に形成した。こうして150×150mm2 角の樹脂基
板を作成した。このポリスチレン系樹脂の弾性率は2.
3GPaであった。(Comparative Example 2) Next, a substrate of Comparative Example 2 will be described. An acrylic substrate having a thickness of 400 μm was prepared as a base material, and an insulating film made of a polystyrene resin was formed on one surface of the substrate by lamination at 100 ° C. for 5 μm.
m was formed. Further, an ITO film was formed on the insulating film to a thickness of 0.16 μm at 40 ° C. by an ion plating method. Thus creating a resin substrate 0.99 × 150 mm 2 square. The elastic modulus of this polystyrene resin is 2.
It was 3 GPa.
【0039】次に比較例2の樹脂基板を20℃から15
0℃になるまで10分間で加熱した。そして150℃で
30分間保持した後、環境温度20℃の場所で30分冷
却した。このような試験を3回繰り返し、サンプルのI
TO表面を光学顕微鏡を用いて100×100mm2 中
の範囲内の20ヶ所を観察し、ITOのクラックの有無
について評価した。Next, the resin substrate of Comparative Example 2 was heated from 20 ° C. to 15 ° C.
Heated to 0 ° C. for 10 minutes. After being kept at 150 ° C. for 30 minutes, it was cooled at a place where the environmental temperature was 20 ° C. for 30 minutes. This test is repeated three times, and the I
Using a light microscope, the TO surface was observed at 20 locations within a range of 100 × 100 mm 2 to evaluate the presence or absence of cracks in ITO.
【0040】その結果、比較例2の基板では、平均で
1.2個/mm2 の割合でクラックが観察され、良好な
結果は得られなかった。またこのサンプルのITOの抵
抗変化率を測定した。抵抗変化率は(試験後の抵抗)/
(試験前の抵抗)で表した。その結果、比較例2の抵抗
変化率は3.7であり、良好な結果は得られなかった。As a result, in the substrate of Comparative Example 2, cracks were observed at an average rate of 1.2 pieces / mm 2 , and good results were not obtained. The resistance change rate of ITO of this sample was measured. The rate of change in resistance is (resistance after test) /
(Resistance before test). As a result, the rate of change in resistance of Comparative Example 2 was 3.7, and no good result was obtained.
【0041】以上の実施例1、比較例1、比較例2の結
果より、絶縁膜は弾性率が1.5GPa以下であれば、
良好な結果が得られることが判った。From the results of Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, if the insulating film has an elastic modulus of 1.5 GPa or less,
It was found that good results were obtained.
【0042】(実施例2)次に実施例2における基板に
ついて説明する。図2は実施例2における樹脂基板の断
面図である。基材として厚さ400μmのポリカーボネ
ートの樹脂基板4(ポリカーボネート基板ともいう)を
用いる。この基板の両方の面にスパッタリング法により
酸化珪素からなる無機膜5を120℃で0.02μmの
厚さに成膜した。更に無機膜5上にエポキシ系樹脂から
なる絶縁膜6をスピンコーティング法により5μmの厚
さに成膜した。次いで絶縁膜6の上にスパッタリング法
により、ITO膜3を120℃で0.16μmの厚さに
形成した。こうして、150×150mm2 角の樹脂基
板を作成した。このエポキシ系樹脂からなる絶縁膜6の
弾性率は0.7GPaであった。Embodiment 2 Next, a substrate according to Embodiment 2 will be described. FIG. 2 is a sectional view of a resin substrate according to the second embodiment. A 400 μm thick polycarbonate resin substrate 4 (also referred to as a polycarbonate substrate) is used as a base material. An inorganic film 5 made of silicon oxide was formed on both surfaces of the substrate by sputtering at a temperature of 120 ° C. to a thickness of 0.02 μm. Further, an insulating film 6 made of an epoxy resin was formed on the inorganic film 5 to a thickness of 5 μm by a spin coating method. Next, an ITO film 3 was formed on the insulating film 6 by sputtering at a temperature of 120 ° C. to a thickness of 0.16 μm. Thus was created the resin substrate 0.99 × 150 mm 2 square. The elastic modulus of the insulating film 6 made of the epoxy resin was 0.7 GPa.
【0043】そして本実施例2の樹脂基板を20℃から
150℃になるまで10分間で加熱し、150℃で30
分間保持した。そしてこの樹脂基板を環境温度20℃の
場所で30分冷却した。このような試験を3回繰り返
し、サンプルのITO表面を光学顕微鏡を用いて100
×100mm2 中の範囲内の20ヶ所を観察した。そし
て、ITOのクラックの有無について評価した。Then, the resin substrate of Example 2 was heated from 20 ° C. to 150 ° C. for 10 minutes, and heated at 150 ° C. for 30 minutes.
Hold for minutes. Then, this resin substrate was cooled for 30 minutes at a place where the environmental temperature was 20 ° C. Such a test was repeated three times, and the ITO surface of the sample was measured using an optical microscope for 100 times.
Twenty locations within the range of × 100 mm 2 were observed. Then, the presence or absence of cracks in ITO was evaluated.
【0044】その結果、実施例2の基板ではクラックは
観察されず、良好な結果が得られた。またこのサンプル
のITOの抵抗変化率を測定した。抵抗変化率は(試験
後の抵抗)/(試験前の抵抗)で表した。その結果、実
施例2の抵抗変化率は1.0であり、試験前後の変化は
無く、良好な結果が得られた。As a result, no crack was observed on the substrate of Example 2, and good results were obtained. The resistance change rate of ITO of this sample was measured. The resistance change rate was represented by (resistance after test) / (resistance before test). As a result, the resistance change rate of Example 2 was 1.0, there was no change before and after the test, and good results were obtained.
【0045】このような樹脂基板を用いて、実施例1と
同様にして液晶表示装置を試作した。そして、実施例2
の液晶表示装置について、ITOの断線による表示不良
の有無と閾値むらについて目視で評価した。その結果、
実施例2では断線による表示不良、及び基板反りによる
閾値むらは発生せず、良好な結果が得られた。Using such a resin substrate, a liquid crystal display device was prototyped in the same manner as in Example 1. And Example 2
With respect to the liquid crystal display device, the presence or absence of display failure due to the disconnection of the ITO and the threshold unevenness were visually evaluated. as a result,
In Example 2, good display results were obtained without display failure due to disconnection and threshold unevenness due to substrate warpage.
【0046】(実施例3)次に実施例3における基板に
ついて説明する。基材として厚さ400μmのエポキシ
系基板を用意し、この樹脂基板の一方の面に、ロールコ
ーティング法によりアクリル系樹脂からなる絶縁膜を1
00℃で所定の厚さに成膜した。更に絶縁膜上にスパッ
タリング法により、ITO膜を120℃で所定の厚さに
成膜した。こうして150×150mm2 角の樹脂基板
を作成した。このアクリル系樹脂の弾性率は1.2GP
aであった。Embodiment 3 Next, a substrate according to Embodiment 3 will be described. An epoxy-based substrate having a thickness of 400 μm was prepared as a base material, and an insulating film made of an acrylic resin was formed on one surface of the resin substrate by a roll coating method.
A film was formed to a predetermined thickness at 00 ° C. Further, an ITO film was formed on the insulating film to a predetermined thickness at 120 ° C. by a sputtering method. Thus creating a resin substrate 0.99 × 150 mm 2 square. The elastic modulus of this acrylic resin is 1.2 GP
a.
【0047】(比較例3)比較例3として厚さ400μ
mのソーダガラス基板に、実施例3と同条件で所定の厚
さに無機膜とITOを成膜した基板を作成した。次に実
施例3の樹脂基板を20℃から150℃になるまで10
分間で加熱し150℃で30分間保持した、この後、環
境温度20℃の場所で30分冷却した。このような試験
を3回繰り返し、サンプルのITO表面を光学顕微鏡を
用いて100×100mm2 中の範囲内の20ヶ所を観
察し、ITOのクラックの有無について評価した。また
このサンプルのITOの抵抗変化を測定した。また比較
例3の基板を用い、樹脂基板の場合と同様に加熱冷却試
験を行い、比較材とした。尚、抵抗比は(試験後の樹脂
基板の抵抗値)/(試験後のガラス基板)の抵抗値とし
た。Comparative Example 3 As Comparative Example 3, the thickness was 400 μm.
A substrate was prepared by forming an inorganic film and ITO to a predetermined thickness on a soda glass substrate having a thickness of m under the same conditions as in Example 3. Next, the resin substrate of Example 3 was heated from 20 ° C. to 150 ° C. for 10 minutes.
And then kept at 150 ° C. for 30 minutes, and then cooled at a place at an environmental temperature of 20 ° C. for 30 minutes. Such a test was repeated three times, and the ITO surface of the sample was observed using an optical microscope at 20 locations within a range of 100 × 100 mm 2 to evaluate the presence or absence of cracks in the ITO. Further, the resistance change of ITO of this sample was measured. Further, a heating and cooling test was performed using the substrate of Comparative Example 3 in the same manner as in the case of the resin substrate, and a comparative material was obtained. The resistance ratio was (resistance of resin substrate after test) / (resistance of glass substrate after test).
【0048】次に、実施例3の樹脂基板を用いて、実施
例1と同様にして液晶表示装置を試作した。比較例3の
ガラス基板でも実施例3と同様にして液晶表示装置を試
作した。そして、実施例3と比較例3の液晶表示装置に
ついて、ITOの断線による表示不良の有無と、閾値む
らとについて目視で評価した。実施例3及び比較例3の
結果をまとめて図3及び図4に示した。図3はITOの
膜厚が0.08μm、0.16μmの場合における実施
例3の評価結果を示し、図4はITOの膜厚が0.24
μmの場合における実施例3の評価結果と、比較例3に
おける各評価結果とを示している。Next, a liquid crystal display device was prototyped in the same manner as in Example 1 except that the resin substrate of Example 3 was used. Using the glass substrate of Comparative Example 3 as in Example 3, a liquid crystal display device was prototyped. Then, with respect to the liquid crystal display devices of Example 3 and Comparative Example 3, the presence or absence of display failure due to the disconnection of ITO and the threshold unevenness were visually evaluated. The results of Example 3 and Comparative Example 3 are collectively shown in FIGS. FIG. 3 shows the evaluation results of Example 3 when the film thickness of ITO was 0.08 μm and 0.16 μm, and FIG.
The evaluation result of Example 3 in the case of μm and each evaluation result in Comparative Example 3 are shown.
【0049】これらの図より、アクリル系樹脂からなる
絶縁膜の膜厚が1.5μm以上では、ITOの膜厚に依
存することなく、ITOのクラック、抵抗値の変化はな
く、良好な結果が得られた。また、液晶表示装置を試作
しての評価でも、アクリル系樹脂からなる絶縁膜の膜厚
が1.5μm以上の場合は、ITOの断線による表示不
良は観察されなかった。しかし、アクリル系樹脂からな
る絶縁膜の膜厚が25μmでは、絶縁膜の膜厚むらによ
る閾値むらが観察され、良好な結果は得られなかった。From these figures, it can be seen that when the thickness of the insulating film made of an acrylic resin is 1.5 μm or more, the cracks and the resistance value of the ITO do not depend on the thickness of the ITO, and good results are obtained. Obtained. In the evaluation of a liquid crystal display device as a prototype, no display failure due to disconnection of the ITO was observed when the thickness of the insulating film made of an acrylic resin was 1.5 μm or more. However, when the thickness of the insulating film made of an acrylic resin was 25 μm, threshold unevenness due to unevenness in the thickness of the insulating film was observed, and good results could not be obtained.
【0050】これらの結果より、アクリル系樹脂からな
る絶縁膜の膜厚は、1.5μmから20μmの場合に良
好な結果が得られることが判った。From these results, it was found that good results were obtained when the thickness of the insulating film made of an acrylic resin was 1.5 μm to 20 μm.
【0051】尚、ポリエチレンの弾性率は0.6〜0.
8GPa、シリコン系樹脂の弾性率は0.1〜0.8G
Pa、フッ素系樹脂の弾性率は0.3〜0.9GPaで
ある。以上の実施例において、絶縁膜として、アクリル
系樹脂膜、エポキシ系樹脂膜、ポリエチレン系樹脂膜を
用いたが、これに限ることなくポリエステル、シリコン
系樹脂、フッ素系樹脂を含む絶縁膜を用いても同様の効
果が得られることを確認している。またそれらの樹脂膜
中に無機フィラーを分散させたものを用いても、同様の
効果が得られることを確認している。The modulus of elasticity of polyethylene is 0.6 to 0.5.
8 GPa, elastic modulus of silicone resin is 0.1-0.8G
Pa, the elastic modulus of the fluororesin is 0.3 to 0.9 GPa. In the above embodiments, as the insulating film, an acrylic resin film, an epoxy resin film, and a polyethylene resin film were used. However, the present invention is not limited thereto, and polyester, silicon resin, and an insulating film containing a fluorine resin may be used. Has confirmed that the same effect can be obtained. In addition, it has been confirmed that the same effect can be obtained by using a resin film in which an inorganic filler is dispersed.
【0052】尚、以上の実施例における絶縁膜の成膜方
法として、ラミネート法、スピンコーティング法、ロー
ルコーティング法を用いたが、これに限ることなく、印
刷法、ディップ法を用いても、同様の効果が得られるこ
とを確認している。Although the laminating method, the spin coating method, and the roll coating method were used as the method of forming the insulating film in the above embodiments, the present invention is not limited thereto, and the printing method and the dip method may be used. It is confirmed that the effect of can be obtained.
【0053】尚、以上の実施例における樹脂基板とし
て、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリ
ル系樹脂を用いたが、これに限ることなく、例えばフェ
ノキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリエーテルテレフ
タレート系樹脂、ポリエーテルスルフォン系樹脂、ポリ
エチレン系樹脂、シリコン系樹脂を構成要素として含む
樹脂基板を用いても、同様の効果が得られることを確認
している。Although the polycarbonate resin, the epoxy resin, and the acrylic resin are used as the resin substrate in the above embodiments, the resin substrate is not limited thereto, and may be, for example, a phenoxy resin, a phenol resin, or a polyether terephthalate resin. It has been confirmed that a similar effect can be obtained even when a resin substrate containing a polyethersulfone-based resin, a polyethylene-based resin, and a silicon-based resin as components is used.
【0054】尚、実施例2において、樹脂基板の両面に
無機膜を形成したが、それに限ることなく、樹脂基板の
どちらか一方の面に無機膜を形成した場合も、同様の効
果が得られることを確認している。In the second embodiment, the inorganic film is formed on both surfaces of the resin substrate. However, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained when the inorganic film is formed on one of the surfaces of the resin substrate. Make sure that.
【0055】尚、以上の実施例において、液晶表示装置
として上下2枚の基板のどちらも樹脂基板を用いたが、
これに限ることなく、一方が樹脂基板で他方がガラス基
板という異種基板を用いることもできる。In the above embodiments, the resin substrate is used for both the upper and lower substrates as the liquid crystal display device.
Without being limited to this, a heterogeneous substrate in which one is a resin substrate and the other is a glass substrate can be used.
【0056】[0056]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、樹脂基板
と透明電極との間に、弾性率が1.5GPa以下の絶縁
膜からなる層を設けることにより、透明電極を厚膜化し
た場合においても、透明電極にクラックの発生しない基
板が得られる。このため、階調表示、カラー表示が可能
な液晶表示装置が製造できる。As described above, according to the present invention, the thickness of the transparent electrode is increased by providing an insulating film having an elastic modulus of 1.5 GPa or less between the resin substrate and the transparent electrode. Even in such a case, a substrate free of cracks in the transparent electrode can be obtained. Therefore, a liquid crystal display device capable of gradation display and color display can be manufactured.
【図1】本発明の実施例1に液晶表示装置に用いられる
樹脂基板の断面図FIG. 1 is a sectional view of a resin substrate used in a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施例2に液晶表示装置に用いられる
樹脂基板の断面図FIG. 2 is a sectional view of a resin substrate used in a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図3】ITOの膜厚と絶縁膜の膜厚とをパラメータと
する液晶表示装置の評価を示す図(その1)FIG. 3 is a diagram showing evaluation of a liquid crystal display device in which the thickness of an ITO film and the thickness of an insulating film are used as parameters (part 1).
【図4】ITOの膜厚と絶縁膜の膜厚とをパラメータと
する液晶表示装置の評価を示す図(その2)FIG. 4 is a diagram showing an evaluation of a liquid crystal display device in which the thickness of the ITO film and the thickness of the insulating film are used as parameters (part 2).
1 樹脂基板(アクリル基板) 2 絶縁膜(ポリエステル系樹脂) 3 ITO膜 4 樹脂基板(ポリカーボネート基板) 5 無機膜(酸化珪素) 6 絶縁膜(エポキシ系樹脂) Reference Signs List 1 resin substrate (acrylic substrate) 2 insulating film (polyester resin) 3 ITO film 4 resin substrate (polycarbonate substrate) 5 inorganic film (silicon oxide) 6 insulating film (epoxy resin)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細川 育宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐谷 裕司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 金子 尚美 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H090 HA04 HA08 HB03X HB13X HC05 JB03 JD18 LA01 5C094 AA03 AA24 AA32 AA36 AA43 BA43 DA13 EA05 EB01 FA02 FB01 FB15 GB10 JA08 JA20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Ikuhiro Hosokawa 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Naomi Kaneko 1006 Kadoma, Kazuma, Osaka Pref.F-term in Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (9)
基板を対向配置し、前記2枚の基板の少なくとも一方に
樹脂基板を用い、前記両基板間に液晶層を狭持してなる
液晶表示装置において、 前記透明電極と前記樹脂基板の間に、弾性率が1.5G
Pa以下の絶縁膜からなる層を形成したことを特徴とす
る液晶表示装置。1. Two substrates having transparent electrodes formed on one surface thereof are opposed to each other, a resin substrate is used for at least one of the two substrates, and a liquid crystal layer is sandwiched between the two substrates. In the liquid crystal display device, the elastic modulus is 1.5 G between the transparent electrode and the resin substrate.
A liquid crystal display device comprising a layer made of an insulating film having a thickness of Pa or less.
脂、ポリエステル系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹
脂のいずれかを含む膜であることを特徴とする請求項1
記載の液晶表示装置。2. The insulating film according to claim 1, wherein the insulating film is a film containing any one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polyester resin, a silicon resin, and a fluorine resin.
The liquid crystal display device according to the above.
求項1又は2記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the insulating film has a thickness of 1.5 μm to 20 μm.
樹脂、ポリエーテルテレフタレート系樹脂、ポリエーテ
ルスルフォン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、シリコン系
樹脂のうち、少なくとも1つの透明樹脂で形成されるこ
とを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の液晶
表示装置。4. The resin substrate is made of at least one transparent resin of an acrylic resin, a polycarbonate resin, an epoxy resin, a polyether terephthalate resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene resin, and a silicon resin. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is formed.
板の少なくとも一方に樹脂基板を用い、前記両基板間に
液晶層を狭持してなる液晶表示装置の製造方法におい
て、 前記樹脂基板の片面に弾性率が1.5GPa以下の絶縁
膜を形成し、 前記絶縁膜の上面に透明電極を形成したことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。5. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: two substrates facing each other, a resin substrate used as at least one of the two substrates, and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming an insulating film having an elastic modulus of 1.5 GPa or less on one surface of a resin substrate; and forming a transparent electrode on an upper surface of the insulating film.
脂、ポリエステル系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹
脂のいずれかを含む膜であることを特徴とする請求項5
記載の液晶表示装置の製造方法。6. The insulating film according to claim 5, wherein the insulating film is a film containing any one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyethylene resin, a polyester resin, a silicon resin, and a fluorine resin.
The manufacturing method of the liquid crystal display device according to the above.
膜厚であることを特徴とする請求項5又は6記載の液晶
表示装置の製造方法。7. The method according to claim 5, wherein the insulating film has a thickness of 1.5 μm to 20 μm.
樹脂、ポリエーテルテレフタレート系樹脂、ポリエーテ
ルスルフォン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、シリコン系
樹脂のうち、少なくとも1つの透明樹脂で形成されるこ
とを特徴とする請求項5,6,7のいずれか1項記載の
液晶表示装置の製造方法。8. The resin substrate is made of at least one transparent resin of an acrylic resin, a polycarbonate resin, an epoxy resin, a polyether terephthalate resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene resin, and a silicon resin. 8. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 5, wherein the liquid crystal display device is formed.
表示装置を有することを特徴とする情報通信機器。9. An information communication device comprising the liquid crystal display device according to claim 1. Description:
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CN109073930A (en) * | 2016-11-25 | 2018-12-21 | 株式会社Lg化学 | Liquid crystal film unit and application thereof |
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