JP2002111301A - Microwave circuit - Google Patents

Microwave circuit

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JP2002111301A
JP2002111301A JP2000297491A JP2000297491A JP2002111301A JP 2002111301 A JP2002111301 A JP 2002111301A JP 2000297491 A JP2000297491 A JP 2000297491A JP 2000297491 A JP2000297491 A JP 2000297491A JP 2002111301 A JP2002111301 A JP 2002111301A
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transmission line
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transmission
output
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Hideki Takasu
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave switch circuit, which has a good isolation characteristic for reception. SOLUTION: The microwave switch circuit comprises a plurality of transmission systems to input signal, including a power amplifier 12a to 12n, a Wilkinson power synthesizer 15 for synthesizing and outputting the plural input signals coming from the above plural transmission systems for input signal, an outputting transmission line 16 connected to the Wilkinson power synthesizer 15, an antenna terminal 17 connected to the outputting transmission line 16, a receiving transmission line 18 connected to the antenna terminal 17, the receiving transmission line 18 having the one-fourth the wavelength, a reception terminal 19 connected to the receiving transmission line 18, and a receiving switch 20 connected to the receiving transmission line 18.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、送受信の切り替え
などに使用されるマイクロ波回路に関する。
The present invention relates to a microwave circuit used for switching between transmission and reception.

【0002】[0002]

【従来の技術】送信信号と受信信号との切り替えなどに
使用されるマイクロ波回路は、たとえば、電力増幅器か
ら出力された大電力の送信信号をアンテナ端子に伝送
し、また、アンテナで受信された受信信号を受信端子に
伝送する機能を有している。
2. Description of the Related Art A microwave circuit used for switching between a transmission signal and a reception signal, for example, transmits a high-power transmission signal output from a power amplifier to an antenna terminal and receives the signal at an antenna. It has a function of transmitting a reception signal to a reception terminal.

【0003】ここで、従来のマイクロ波回路について、
送信と受信を切り替える場合を例にとり図3を参照して
説明する。
Here, regarding a conventional microwave circuit,
An example of switching between transmission and reception will be described with reference to FIG.

【0004】信号入力端子31に電力増幅器32が接続
されている。電力増幅器32は、1入力1出力スイッチ
33を介してアンテナ端子34および伝送線路35に接
続されている。伝送線路35は受信端子36および1入
力1出力スイッチ37に接続されている。
[0004] A power amplifier 32 is connected to a signal input terminal 31. The power amplifier 32 is connected to an antenna terminal 34 and a transmission line 35 via a one-input one-output switch 33. The transmission line 35 is connected to a receiving terminal 36 and a one-input one-output switch 37.

【0005】1入力1出力スイッチ33、37は、たと
えば電界効果トランジスタ(以後FETという)で構成
され、それぞれドレインD、ゲートG、ソースSの各電
極を有している。
The one-input and one-output switches 33 and 37 are, for example, field effect transistors (hereinafter referred to as FETs), and have respective electrodes of a drain D, a gate G and a source S.

【0006】上記の構成において、送信時は、1入力1
出力スイッチ33、37を構成するFETのゲート端子
Tgに、それぞれ0Vのバイアス電圧を与えてFETを
導通状態とし、1入力1出力スイッチ33、37を閉じ
た状態に設定する。このとき、1入力1出力スイッチ3
3、37のFETのインピーダンスは、主としてドレイ
ン・ソース間の抵抗で決定され、低インピーダンスとな
る。
In the above configuration, at the time of transmission, one input and one input
A bias voltage of 0 V is applied to each of the gate terminals Tg of the FETs constituting the output switches 33 and 37 to make the FETs conductive and the one-input / one-output switches 33 and 37 are closed. At this time, one input and one output switch 3
The impedance of the FETs 3 and 37 is determined mainly by the resistance between the drain and the source, and is low.

【0007】したがって、信号入力端子31から入力し
た送信信号は、電力増幅器32で増幅され、1入力1出
力スイッチ33を通り、アンテナ端子34に出力され
る。
Therefore, the transmission signal input from the signal input terminal 31 is amplified by the power amplifier 32, passes through the one-input one-output switch 33, and is output to the antenna terminal 34.

【0008】このとき、アンテナ端子34から受信端子
36側をみると、1入力1出力スイッチ37を構成する
FETのインピーダンスが実効波長の4分の1の長さを
もつ伝送線路35によってインピーダンス変換され、イ
ンピーダンスが十分大きくなり、実質的に開放とみなさ
れる。そのため、送信信号は伝送線路35側に伝送され
ない。
At this time, looking at the side of the receiving terminal 36 from the antenna terminal 34, the impedance of the FET constituting the one-input / one-output switch 37 is converted by the transmission line 35 having a length of a quarter of the effective wavelength. , Becomes sufficiently large and is considered substantially open. Therefore, the transmission signal is not transmitted to the transmission line 35 side.

【0009】受信時は、1入力1出力スイッチ33、3
7を構成するFETのゲート端子Tgに、それぞれピン
チオフ以下の電圧を与えてFETを非導通状態とし、1
入力1出力スイッチ33、37を開いた状態に設定す
る。このとき、1入力1出力スイッチ33、37のFE
Tのインピーダンスは主として空乏層容量で決定され、
高インピーダンスとなる。
At the time of reception, one-input / one-output switches 33, 3
7, a voltage less than the pinch-off is applied to each of the gate terminals Tg of the FETs to make the FETs non-conductive.
The input 1 output switches 33 and 37 are set in an open state. At this time, the FE of the one-input / one-output switches 33 and 37
The impedance of T is mainly determined by the depletion layer capacitance,
High impedance.

【0010】このとき、アンテナ端子34から受信端子
36側をみると、1入力1出力スイッチ37のFETの
インピーダンスが実効波長の4分の1の長さをもつ伝送
線路35でインピーダンス変換され、インピーダンスが
小さくなる。したがって、アンテナ端子34から入力し
た受信信号は、伝送線路35を介して受信端子36に出
力し、受信端子36から受信回路(図示せず)へ供給さ
れる。
At this time, looking at the side of the receiving terminal 36 from the antenna terminal 34, the impedance of the FET of the one-input / one-output switch 37 is converted by the transmission line 35 having a length of a quarter of the effective wavelength. Becomes smaller. Therefore, the reception signal input from the antenna terminal 34 is output to the reception terminal 36 via the transmission line 35, and is supplied from the reception terminal 36 to a reception circuit (not shown).

【0011】この場合、1入力1出力スイッチ33のF
ETのインピーダンスが大きいため、1入力1出力スイ
ッチ33側へは伝送されない。
In this case, the F of the one-input one-output switch 33
Since the impedance of ET is large, it is not transmitted to the one-input / one-output switch 33 side.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波回路
は、送信時、電力増幅器32から大電力の送信信号が出
力される。このため、1入力1出力スイッチ33を十分
な耐電力特性を有するFETで構成すると、FETの伝
送特性たとえば線形性や広帯域特性を保つのが難しくな
る。
In a conventional microwave circuit, a high power transmission signal is output from the power amplifier 32 during transmission. For this reason, if the one-input / one-output switch 33 is configured by an FET having sufficient power handling characteristics, it becomes difficult to maintain the transmission characteristics of the FET, for example, linearity and broadband characteristics.

【0013】そのため、良好な線形性を得ようとしてF
ETのゲート幅を大きくすると、FETの非導通時の容
量がゲート幅に比例して大きくなる。その結果、受信時
に、1入力1出力スイッチ33のFETを非導通状態に
設定した場合のアイソレーション特性が劣化する。
Therefore, in order to obtain good linearity, F
When the gate width of the ET is increased, the capacitance when the FET is not conducting increases in proportion to the gate width. As a result, the isolation characteristic when the FET of the one-input / one-output switch 33 is set to the non-conductive state at the time of reception deteriorates.

【0014】本発明は、上記の欠点を解決し、信号を切
り替える場合にアイソレーション特性が良好なマイクロ
波回路を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and to provide a microwave circuit having good isolation characteristics when switching signals.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波回路
は、信号を増幅する電力増幅器およびこの電力増幅器に
接続した第1スイッチ、この第1スイッチに接続した4
分の1波長の線路長を有する第1伝送線路をそれぞれが
有する複数の伝送系と、この複数の伝送系から入力する
複数の信号を合成して出力する電力合成器と、この電力
合成器の出力側に一端が接続された第2伝送線路と、こ
の第2伝送線路の他端に接続された第1端子と、この第
1端子に一端が接続された4分の1波長の線路長を有す
る第3伝送線路と、この第3伝送線路の他端に接続され
た第2端子と、前記第3伝送線路の他端に一端が接続さ
れ他端が接地された第2スイッチとを具備している。
A microwave circuit according to the present invention comprises a power amplifier for amplifying a signal, a first switch connected to the power amplifier, and a fourth switch connected to the first switch.
A plurality of transmission systems each having a first transmission line having a line length of one-half wavelength; a power combiner for combining and outputting a plurality of signals input from the plurality of transmission systems; A second transmission line having one end connected to the output side, a first terminal connected to the other end of the second transmission line, and a quarter-wavelength line having one end connected to the first terminal. A third transmission line, a second terminal connected to the other end of the third transmission line, and a second switch having one end connected to the other end of the third transmission line and the other end grounded. ing.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、送信
信号と受信信号とを切り替える場合を例にとり図1を参
照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 taking an example of switching between a transmission signal and a reception signal.

【0017】送信信号が入力される複数の信号入力端子
11a〜11nに、それぞれ電力増幅器12a〜12n
および入力信号用の1入力1出力スイッチ13a〜13
n、インピーダンス変換用の4分の1波長の線路長を有
する入力信号用の伝送線路14a〜14nが順に接続さ
れている。電力増幅器12a〜12nや1入力1出力ス
イッチ13a〜13n、伝送線路14a〜14nが順に
接続され、互いに並列に接続されている複数の伝送系は
それぞれ電力合成器、たとえばウィルキンソン電力合成
器15の入力側に接続されている。ウィルキンソン電力
合成器15の出力側は出力側伝送線路16を介してアン
テナ端子17および4分の1波長の線路長を有する受信
側伝送線路18に接続されている。受信側伝送線路18
は受信端子19および受信側1入力1出力スイッチ20
に接続されている。受信側1入力1出力スイッチ20の
1つの端子は接地されている。
Power amplifiers 12a to 12n are respectively connected to a plurality of signal input terminals 11a to 11n to which transmission signals are input.
And one-input / one-output switches 13a to 13 for input signals
n, input signal transmission lines 14a to 14n having a quarter wavelength line length for impedance conversion are connected in order. The power amplifiers 12a to 12n, the one-input / one-output switches 13a to 13n, and the transmission lines 14a to 14n are connected in order, and a plurality of transmission systems connected in parallel to each other are each connected to an input of a power combiner, for example, a Wilkinson power combiner 15. Connected to the side. The output side of the Wilkinson power combiner 15 is connected via an output side transmission line 16 to an antenna terminal 17 and a reception side transmission line 18 having a quarter wavelength line length. Reception-side transmission line 18
Is a receiving terminal 19 and a receiving-side one-input one-output switch 20
It is connected to the. One terminal of the receiving-side one-input / one-output switch 20 is grounded.

【0018】アンテナ端子17には、たとえば信号を送
出するアンテナ(図示せず)が接続され、受信端子19
には、たとえばアンテナで受信された信号を処理する受
信回路が接続される。
An antenna (not shown) for transmitting a signal, for example, is connected to the antenna terminal 17.
Is connected to a receiving circuit for processing a signal received by an antenna, for example.

【0019】上記の構成において、送信時は、入力信号
用1入力1出力スイッチ13a〜13nおよび受信側1
入力1出力スイッチ20は閉じた状態に設定される。
In the above configuration, at the time of transmission, one-input one-output switches 13a to 13n for input signals and one
The input 1 output switch 20 is set to a closed state.

【0020】このとき、複数の信号入力端子11a〜1
1nからそれぞれ入力した送信信号は電力増幅器12a
〜12nで増幅され、導通状態の1入力1出力スイッチ
13a〜13nを通り、ウィルキンソン電力合成器15
で合成される。合成された送信信号は出力側伝送線路1
6を介してアンテナ端子17に供給される。
At this time, the plurality of signal input terminals 11a to 11a
1n are transmitted from the power amplifier 12a.
, And passes through the one-input / one-output switches 13a to 13n in the conductive state, and passes through the Wilkinson power combiner 15
Synthesized by The combined transmission signal is output-side transmission line 1
6 to an antenna terminal 17.

【0021】一方、受信時は、入力信号用の1入力1出
力スイッチ13a〜13nおよび受信側の1入力1出力
スイッチ20は開いた状態に設定される。
On the other hand, at the time of reception, the one-input / one-output switches 13a to 13n for input signals and the one-input / one-output switch 20 on the receiving side are set in an open state.

【0022】このとき、アンテナ端子17から入力する
受信信号は受信側伝送線路18を経て受信端子19に出
力される。
At this time, the reception signal input from the antenna terminal 17 is output to the reception terminal 19 via the transmission line 18 on the reception side.

【0023】ここで、上記のマイクロ波回路において、
信号入力端子が2個の場合を例にとり図2を参照してよ
り具体的に説明する。図2では、図1に対応する部分に
は同じ符号を付し、重複する説明は一部省略する。
Here, in the above microwave circuit,
A more specific description will be given with reference to FIG. 2 taking a case where there are two signal input terminals as an example. In FIG. 2, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and a duplicate description will be partially omitted.

【0024】第1および第2の信号入力端子11a、1
1bに、それぞれ第1および第2の電力増幅器12a、
12bが接続されている。第1および第2の電力増幅器
12a、12bは、それぞれ第1および第2の入力信号
用1入力1出力スイッチ13a、13bに接続され、第
1および第2の1入力1出力スイッチ13a、13b
は、それぞれ第1および第2の入力信号用伝送線路14
a、14bを介してウィルキンソン電力合成器15の入
力側端子15aに接続されている。
First and second signal input terminals 11a, 1
1b includes a first and a second power amplifier 12a, respectively.
12b is connected. The first and second power amplifiers 12a, 12b are connected to first and second input signal one-input, one-output switches 13a, 13b, respectively, and are connected to the first and second one-input, one-output switches 13a, 13b, respectively.
Are respectively the first and second input signal transmission lines 14.
a and 14b are connected to the input terminal 15a of the Wilkinson power combiner 15.

【0025】ウィルキンソン電力合成器15は各入力側
端子15aにそれぞれ接続された4分の1波長の線路長
を有するスタブS1、S2および入力側端子15a間に
接続された抵抗Rから構成されている。
The Wilkinson power combiner 15 is composed of stubs S1 and S2 each having a quarter wavelength line length connected to each input terminal 15a and a resistor R connected between the input terminals 15a. .

【0026】ウィルキンソン電力合成器15の出力側端
子15bは出力側伝送線路16を介して、アンテナ端子
17および受信側伝送線路18に接続されている。受信
側伝送線路18は受信端子19および受信側1入力1出
力スイッチ20に接続されている。
An output terminal 15 b of the Wilkinson power combiner 15 is connected to an antenna terminal 17 and a reception transmission line 18 via an output transmission line 16. The receiving-side transmission line 18 is connected to a receiving terminal 19 and a receiving-side one-input one-output switch 20.

【0027】なお、ウィルキンソン電力合成器15の出
力側に接続された出力側伝送線路16の線路長は、入力
信号用1入力1出力スイッチ13a、13bが開いた状
態、すなわち入力信号用1入力1出力スイッチ13a、
13bを構成するFETが非導通の場合に、アンテナ端
子17側から力側伝送線路16側をみたインピーダンス
が十分に大きくなる長さに設定されている。
Note that the line length of the output-side transmission line 16 connected to the output side of the Wilkinson power combiner 15 is in a state where the input signal one-input one-output switches 13a and 13b are open, that is, the input signal one-input one-input. Output switch 13a,
The length is set such that the impedance when viewed from the antenna terminal 17 side to the force-side transmission line 16 side is sufficiently large when the FET constituting 13b is non-conductive.

【0028】また、入力信号用1入力1出力スイッチ1
3a、13bおよび受信側1入力1出力スイッチ20
は、たとえばFETで構成され、それぞれドレインD、
ゲートG、ソースSの各電極を有している。受信側1入
力1出力スイッチ20のソースSは接地されている。
A one-input one-output switch 1 for input signals
3a, 13b and receiving side 1 input 1 output switch 20
Are formed of, for example, FETs, and each has a drain D,
It has a gate G and a source S electrode. The source S of the receiving one-input one-output switch 20 is grounded.

【0029】上記の構成において、送信時は、入力信号
用1入力1出力スイッチ13a、13bおよび受信側1
入力1出力スイッチ20を構成するFETのゲート端子
Tgに、それぞれ0Vのバイアス電圧を与え、各FET
を導通状態に設定する。
In the above configuration, at the time of transmission, one-input / one-output switches 13a and 13b for input signals and one
A bias voltage of 0 V is applied to each of the gate terminals Tg of the FETs constituting the input 1 output switch 20,
Is set to the conducting state.

【0030】このとき、第1および第2の信号入力端子
11a、11bから入力した送信信号は、それぞれ第1
および第2の電力増幅器12a、12bで増幅され、閉
じた状態の入力信号用1入力1出力スイッチ13a、1
3bを通り、さらに、特性インピーダンスが50Ω、4
分の1波長の線路長を有する第1および第2の入力信号
用伝送線路14a、14bを通り、ウィルキンソン電力
合成器15に入力される。ウィルキンソン電力合成器1
5に入力した送信信号は電力合成され、出力側伝送線路
16を経てアンテナ端子17へと出力される。
At this time, the transmission signals input from the first and second signal input terminals 11a and 11b
And one-input / one-output switches 13a, 1a for the input signal in a closed state, which are amplified by the second power amplifiers 12a, 12b.
3b and the characteristic impedance is 50Ω, 4
The signal is input to the Wilkinson power combiner 15 through the first and second input signal transmission lines 14a and 14b having a line length of one-half wavelength. Wilkinson power combiner 1
The transmission signal input to 5 is power-combined and output to the antenna terminal 17 via the output-side transmission line 16.

【0031】この場合、受信側1入力1出力スイッチ2
0は導通状態であるため、アンテナ端子17から受信側
伝送線路18側を見たインピーダンスは、受信側1入力
1出力スイッチ20を構成するFETの低インピーダン
スが受信側伝送線路18によってインピーダンス変換さ
れ、大きなインピーダンスとなり、実質的に開放とみな
される。そのため、送信信号は受信端子43側には伝送
されない。
In this case, the receiving side 1 input 1 output switch 2
Since 0 is in the conductive state, the impedance when the reception side transmission line 18 side is viewed from the antenna terminal 17 is converted into the low impedance of the FET constituting the reception side 1 input 1 output switch 20 by the reception side transmission line 18. The impedance becomes large and is considered substantially open. Therefore, the transmission signal is not transmitted to the receiving terminal 43 side.

【0032】一方、受信時は、入力信号用1入力1出力
スイッチ13a、13bおよび受信側1入力1出力スイ
ッチ20を構成するFETのゲート端子Tgに、それぞ
れピンチオフ以下の電圧を与えて各FETを非導通状態
に設定する。
On the other hand, at the time of reception, a voltage equal to or less than pinch-off is applied to the gate terminals Tg of the FETs constituting the input signal one-input one-output switches 13a and 13b and the reception-side one-input one-output switch 20, respectively. Set to non-conducting state.

【0033】この場合、アンテナ端子17から受信側伝
送線路18側を見たインピーダンスは、受信側1入力1
出力スイッチ20を構成するFETの高インピーダンス
が受信側伝送線路18によってインピーダンス変換さ
れ、インピーダンスが小さくなる。そのため、アンテナ
端子17から入力する受信信号は、受信側伝送線路18
を通り、受信端子19に出力される。
In this case, the impedance viewed from the antenna terminal 17 to the transmission line 18 on the reception side is equal to one input and one input on the reception side.
The high impedance of the FET constituting the output switch 20 is impedance-converted by the receiving-side transmission line 18, and the impedance is reduced. Therefore, the reception signal input from the antenna terminal 17 is
And is output to the receiving terminal 19.

【0034】このとき、伝送線路16の線路長が、アン
テナ側から伝送線路16側をみたインピーダンスが十分
大きくなるように選ばれているため、アンテナ端子17
から入力した受信信号は出力側伝送線路16に伝送され
ない。
At this time, the line length of the transmission line 16 is selected so that the impedance seen from the antenna side to the transmission line 16 side is sufficiently large.
Is not transmitted to the output side transmission line 16.

【0035】上記した構成において、たとえば、送信時
にアンテナ端子17に供給する電力を33dBmとし、
33dBmおいて伝送特性が線形なFETのゲート幅を
4mmとする。また、ゲート幅が4mmのFETの非導
通状態における容量を1pFとする。
In the above configuration, for example, the power supplied to the antenna terminal 17 during transmission is set to 33 dBm,
The gate width of an FET having a linear transmission characteristic at 33 dBm is 4 mm. The capacitance of the FET having a gate width of 4 mm in the non-conductive state is 1 pF.

【0036】この場合、図3に示す従来の1入力1出力
スイッチを構成するFETのゲート幅は4mmが必要
で、受信時に、FETが形成するインピーダンスは2G
Hzの周波数に対しj80Ωとなる。
In this case, the gate width of the FET constituting the conventional one-input one-output switch shown in FIG. 3 needs to be 4 mm, and the impedance formed by the FET at the time of reception is 2G.
It becomes j80Ω for the frequency of Hz.

【0037】一方、図2に示す本発明の場合は、1入力
1出力スイッチを構成するFETのゲート幅は2mmで
よく、非導通状態における容量は0.5pFとなる。そ
のため、受信時に、FETが形成するインピーダンスは
−j159Ωとなる。したがって、アンテナ端子からウ
ィルキンソン電力合成器側をみたインピーダンスは、本
発明の方が大きくなり、良好なアイソレーション特性が
得られる。
On the other hand, in the case of the present invention shown in FIG. 2, the gate width of the FET constituting the one-input one-output switch may be 2 mm, and the capacitance in the non-conductive state is 0.5 pF. Therefore, at the time of reception, the impedance formed by the FET is −j159Ω. Therefore, the impedance seen from the antenna terminal to the Wilkinson power combiner side is larger in the present invention, and good isolation characteristics can be obtained.

【0038】上記の実施形態では、電力合成器としてウ
ィルキンソン電力合成器を使用しているが、これ以外の
電力合成器を用いることもできる。また、送信信号と受
信信号を切り替える場合で説明しているが、本発明は、
送信信号と受信信号の切り替えに限らず、その他の用途
にも適用できる。
In the above embodiment, the Wilkinson power combiner is used as the power combiner, but other power combiners can be used. Also, the case of switching between a transmission signal and a reception signal has been described, but the present invention
The present invention can be applied not only to switching between the transmission signal and the reception signal but also to other uses.

【0039】上記した構成によれば、たとえば送信時
は、複数の入力端子から入力する送信信号の電力を電力
合成器で合成し、アンテナ端子などへ出力している。ま
た、たとえば受信時は、複数のスイッチを非導通状態と
し、このとき、電力合成器の出力側に接続した伝送線路
の線路長の調整で、入力側のインピーダンスが大きくな
るように設定している。この構成の場合、送信時などに
はアンテナ端子などに供給される電力の線形性が保た
れ、また、受信時などには良好なアイソレーション特性
を有するマイクロ波回路が得られる。
According to the above configuration, for example, at the time of transmission, the power of transmission signals input from a plurality of input terminals is combined by the power combiner and output to the antenna terminal or the like. In addition, for example, at the time of reception, the plurality of switches are turned off, and at this time, the impedance on the input side is set to be large by adjusting the line length of the transmission line connected to the output side of the power combiner. . In the case of this configuration, the linearity of the power supplied to the antenna terminal or the like is maintained at the time of transmission or the like, and a microwave circuit having good isolation characteristics at the time of reception or the like is obtained.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明によれば、信号を切り替える場合
にアイソレーション特性が良好なマイクロ波回路を実現
できる。
According to the present invention, a microwave circuit having good isolation characteristics when switching signals can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態を説明する回路構成図であ
る。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram illustrating an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の動作を説明するための回路構成図であ
る。
FIG. 2 is a circuit configuration diagram for explaining the operation of the present invention.

【図3】従来例を説明する回路構成図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a〜11n…信号入力端子 12a〜12n…電力増幅器 13a〜13n…入力信号用1入力1出カスイッチ 14a〜14n…入力信号用伝送線路 15…ウィルキンソン電力合成器 16…出力側伝送線路 17…アンテナ端子 18…受信側伝送線路 19…受信端子 20…受信側1入力1出力スイッチ 11a to 11n: signal input terminals 12a to 12n: power amplifiers 13a to 13n: one input and one output switch for input signals 14a to 14n: transmission lines for input signals 15: Wilkinson power combiner 16: output transmission lines 17: antenna Terminal 18: Reception-side transmission line 19: Reception terminal 20: Reception-side one-input, one-output switch

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 信号を増幅する電力増幅器およびこの電
力増幅器に接続した第1スイッチ、この第1スイッチに
接続した4分の1波長の線路長を有する第1伝送線路を
それぞれが有する複数の伝送系と、この複数の伝送系か
ら入力する複数の信号を合成して出力する電力合成器
と、この電力合成器の出力側に一端が接続された第2伝
送線路と、この第2伝送線路の他端に接続された第1端
子と、この第1端子に一端が接続された4分の1波長の
線路長を有する第3伝送線路と、この第3伝送線路の他
端に接続された第2端子と、前記第3伝送線路の他端に
一端が接続され他端が接地された第2スイッチとを具備
したマイクロ波回路。
A plurality of transmission circuits each having a power amplifier for amplifying a signal, a first switch connected to the power amplifier, and a first transmission line connected to the first switch and having a quarter wavelength line length. System, a power combiner that combines and outputs a plurality of signals input from the plurality of transmission systems, a second transmission line having one end connected to the output side of the power combiner, and a second transmission line. A first terminal connected to the other end, a third transmission line having a quarter wavelength line length having one end connected to the first terminal, and a third transmission line connected to the other end of the third transmission line. A microwave circuit comprising: two terminals; and a second switch having one end connected to the other end of the third transmission line and the other end grounded.
【請求項2】 第1スイッチが電界効果トランジスタで
構成された請求項1記載のマイクロ波回路。
2. The microwave circuit according to claim 1, wherein the first switch comprises a field effect transistor.
【請求項3】 第1端子にアンテナが接続された請求項
1記載のマイクロ波回路。
3. The microwave circuit according to claim 1, wherein an antenna is connected to the first terminal.
【請求項4】 第1端子にアンテナが接続され、第2端
子に前記アンテナで受信された信号を処理する受信回路
が接続された請求項1記載のマイクロ波回路。
4. The microwave circuit according to claim 1, wherein an antenna is connected to the first terminal, and a receiving circuit for processing a signal received by the antenna is connected to the second terminal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100334774C (en) * 2004-11-19 2007-08-29 华为技术有限公司 Microwave switch and power amplifier thermal back-up, its mutual system and realization thereof
JP2010213106A (en) * 2009-03-11 2010-09-24 Fujitsu Ltd Switching circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100334774C (en) * 2004-11-19 2007-08-29 华为技术有限公司 Microwave switch and power amplifier thermal back-up, its mutual system and realization thereof
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