JP2002108722A - 記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 領域管理情報にエラー訂正を行ったか否かを
判別できるようにしてデータを出力させ、故障が発生し
た領域以外の領域にデータを記憶させる。 【解決手段】 データの消去単位である複数のブロック
に分割され、ブロック単位で一括消去が行われるフラッ
シュメモリ２１を備え、フラッシュメモリ２１の各ブロ
ックは、既にデータが記憶された状態において、ビット
１からビット０への書き換えであるときには、ブロック
の一括消去による初期化を伴わずにオーバーライトによ
る書き込みを行うことが可能な第１の領域と、データの
書き換えの際に、ブロックの一括消去による初期化を伴
う第２の領域とを有する。第２の領域には、データとデ
ータのエラー訂正符号が記憶され、第１の領域には、ブ
ロックの状態を示す符号と所定量の冗長データが付加さ
れてなる領域管理フラグが記憶されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、任意のデータ及び
このデータが記憶される領域の状態を管理するための領
域管理情報を記憶する記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンピュータ等の電子機器で用い
られるデータを記憶させておく外部記憶装置として、フ
ラッシュメモリ（電気的消去可能型プログラマブルＲＯ
Ｍ（Read-Only Memory））を記憶媒体として用いたカー
ド型の外部記憶装置（以下、メモリカードという。）が
提案されている。

【０００３】このメモリカードには、記憶媒体であるメ
モリに、任意のデータと、付属データである管理情報と
が記憶される。メモリカードは、これらデータや管理情
報をホスト側のコンピュータ等に供給する際は、エラー
訂正符号等を用いてエラー訂正をかけて、セルの故障等
に起因するデータのエラーを訂正して出力するようにし
ている。

【０００４】ところで、管理情報としては、記憶された
データの順番を示す論理アドレス等のようにデータを管
理するためのデータに依存した情報であるデータ管理情
報の他に、例えばデータが記憶された領域が使用可能か
否かを示す情報のように、データが記憶される領域の状
態を管理するための情報である領域管理情報が記憶され
る場合がある。

【０００５】このような領域管理情報は、データから独
立したメモリ内の領域に関する情報であるので、データ
が記憶された後に書き換える必要が生じる場合がある。
したがって、この領域管理情報は、通常、データを書き
換えることなく単独で書き換えることができるようにな
されている。

【０００６】また、このような領域管理情報は、エラー
が生じた場合に通常のエラー訂正符号を用いてエラー訂
正を行うようにすると、情報を書き換えるたびにエラー
訂正符号を書き換えなければならない。そこで、このよ
うな領域管理情報に対しては、エラー訂正符号を用いた
エラー訂正を行わずに、同一の情報を複数ビットに分散
して複数のセルに記憶させておくことでエラー対策をす
ることが望ましい。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、同一の情報
を複数ビットに分散して記憶させておくことで領域管理
情報のエラー対策とした場合、同一の情報が記憶された
複数のセルのうちいくつかに故障が生じると、領域管理
情報のエラー訂正を行うことができなくなってしまう場
合がある。したがって、一度エラー訂正を行った領域管
理情報については、この領域管理情報がエラー訂正を行
った情報であることを判別できるようにして、次にメモ
リカードに記憶させる場合に、故障が発生した領域以外
の領域に記憶させるようにすることが望ましい。

【０００８】そこで、本発明は、領域管理情報にエラー
訂正を行ったかどうかを判別することができるようにし
てデータを出力する記憶装置を提供し、記憶装置が領域
管理情報にエラー訂正を行ったかどうかを判別すること
ができるようにしてデータ処理装置にデータを供給し、
データ処理装置が領域管理情報にエラー訂正が行われた
かどうかを判別して所定のデータ処理を行うことを可能
とする記憶装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述のような目的を達成
するために提案される本発明は、データの消去単位であ
る複数のブロックに分割され、ブロック単位で一括消去
が行われる書き換え可能な不揮発性の記憶手段を備える
記憶装置において、上記記憶手段を構成する各ブロック
は、該ブロックに既にデータが記憶された状態におい
て、ビット１からビット０への書き換えであるときに
は、上記ブロックの一括消去による初期化を伴わずにオ
ーバーライトによる書き込みを行うことが可能な第１の
領域と、データの書き換えの際に、上記ブロックの一括
消去による初期化を伴う第２の領域とを有し、上記第２
の領域には、データと該データのエラー訂正符号が記憶
され、上記第１の領域には、該ブロックの状態を示す符
号と所定量の冗長データが付加されてなる領域管理フラ
グが記憶されるようにしたものである。

【００１０】この記憶装置は、さらに、上記記憶手段に
記憶されるデータのエラーを訂正するエラー訂正手段
と、上記記憶手段の各ブロック内に、上記エラー訂正手
段によって回復不可能なエラーが発生した場合に、該ブ
ロックの第１領域に使用不可能なフラグを設定する制御
部とを有する・また、本発明は、データの消去単位であ
る複数のブロックに分割され、ブロック単位で一括消去
が行われる書き換え可能な不揮発性の記憶手段を備える
記憶装置において、上記記憶手段を構成する各ブロック
は、書き込み又は読み出し単位であるページに分割さ
れ、各ページは、該ページに既にデータが記憶された状
態において、ビット１からビット０への書き換えである
ときには、上記ページの所属するブロックの一括消去に
よる初期化を伴わずにオーバーライトによる書き込みを
行うことが可能な第１の領域と、データの書き換えの際
に、該ページの所属するブロックの一括消去による初期
化を伴う第２の領域とを有し、上記第２の領域には、デ
ータと該データのエラー訂正符号が記憶され、上記第１
の領域には、該ブロックの状態を示す符号と所定量の冗
長データが付加されてなる領域管理フラグが記憶するよ
うにしたものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００１２】ここでは、本発明を、図１に示すように、
ホスト側の装置となるデータ処理装置１０と、シリアル
インターフェースを介してこのデータ処理装置１０に接
続される外部記憶装置であるメモリカード２０とから構
成されるシステム１に適用した例について説明する。

【００１３】ここでは、データ処理装置１０とメモリカ
ード２０との間でのデータのやり取りをシリアルインタ
ーフェースによって行うシステムを例に説明するが、本
発明はデータのやり取りをパラレルインターフェースに
よって行うシステムに対しても適用可能である。

【００１４】このシステム１に用いられるデータ処理装
置１０は、所定のプログラムを実行するデータ処理部１
１と、外部装置であるメモリカード２０との間でデータ
のやり取りをするためのシリアルインターフェース回路
１２と、データ処理部１１とシリアルインターフェース
回路１２間に設けられ、データ処理装置１１から供給さ
れたデータ等を一時的に記憶するレジスタ１３と、デー
タ処理部１１、シリアルインターフェース回路１２、レ
ジスタ１３のそれぞれに接続され、これらの処理動作を
制御する制御部１４とを備えている。

【００１５】このデータ処理装置１０は、例えばデータ
処理部１１が所定のプログラムを実行する際に、外部記
憶装置であるメモリカード２０にデータを記憶させる必
要があると判断した場合は、データ処理部１１が制御部
１４の制御に基づいて、記憶させるべきデータやこのデ
ータを管理するために必要な情報である管理情報、制御
データである書き込み命令等をレジスタ１３に書き込
む。

【００１６】そして、シリアルインターフェース回路１
２が、制御部１４の制御に基づいてレジスタ１３からこ
れら記憶させるべきデータや管理情報、書き込み命令等
を読み出し、シリアルデータに変換して、クロック信号
やステータス信号とともにこれらの転送を行う。なお、
上記管理情報は、データを管理するための情報であるデ
ータ管理情報と、データが記憶される領域の状態を管理
するための領域管理情報を含む情報である。

【００１７】また、このデータ処理装置１０は、データ
処理部１１が所定のプログラムを実行する際に、外部記
憶装置であるメモリカード２０からデータを読み出す必
要があると判断した場合は、データ処理部１１が制御部
１４の制御に基づいて制御データである読み出し命令を
レジスタ１３に書き込む。そして、シリアルインターフ
ェース回路１２が、制御部１４の制御に基づいてレジス
タ１３から読み出し命令を読み出し、シリアルデータに
変換して、クロック信号やステータス信号とともにこれ
らの転送を行う。

【００１８】この読み出し命令に従ってメモリカード２
０から転送されてきた所定のデータや管理情報は、シリ
アルインターフェース回路１２によりパラレルデータに
変換され、レジスタ１３に書き込まれる。そして、デー
タ処理部１１が、制御部１４の制御に基づいてレジスタ
１３からこれらデータや管理情報を読み出して所定の処
理を行う。この際、制御部１４は、メモリカード２１か
ら転送されてきた領域管理情報に付加された後述するフ
ラグから領域管理情報の状態を判断して、所定のデータ
処理を行う。

【００１９】なお、本発明が適用されるシステムに用い
られるデータ処理装置は、メモリカード２０等の外部記
憶装置との間でデータのやり取りが可能なものであれば
特に限定されるものではなく、パーソナルコンピュー
タ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ等の
種々のデータ処理装置が適用可能である。

【００２０】このシステム１において、データ処理装置
１０とメモリカード２０とは、シリアルインターフェー
スによって接続されており、具体的には、少なくとも３
本のデータ線ＳＣＬＫ，Ｓｔａｔｅ，ＤＩＯによって接
続される。すなわち、データ処理装置１０とメモリカー
ド２０とは、少なくとも、データ伝送時にクロック信号
を伝送するための第１のデータ線ＳＣＬＫと、データ伝
送時に必要なステータス信号を伝送するための第２のデ
ータ線Ｓｔａｔｅと、メモリカード２０に書き込むデー
タ又はメモリカード２０から読み出すデータをシリアル
に伝送する第３のデータ線ＤＩＯとによって接続され、
これらを介して、データ処理装置１０とメモリカード２
０との間でデータのやり取りを行う。

【００２１】データ処理装置１０とメモリカード２０と
の間でのデータのやり取りは、通常、ヘッダーと実デー
タとから構成されるファイル単位で行われる。なお、フ
ァイルのヘッダーには、例えば、ファイルにアクセスす
るための情報や、データ処理装置１０で実行されるプロ
グラムで必要とされる情報等が格納される。

【００２２】メモリカード２０は、図２に示すように、
所定のデータや管理情報を記憶するフラッシュメモリ２
１と、データ処理装置１０との間でデータのやり取りを
するためのシリアル／パラレル・パラレル／シリアル・
インターフェース回路（以下、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインター
フェース回路２２という。）と、フラッシュメモリ２１
とＳ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース回路２２間に設けら
れ、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース回路２２から供給
されたデータや管理情報を一時的に記憶するレジスタ２
３と、このレジスタ２３に接続され、レジスタ２３に書
き込まれたデータやデータ管理情報にエラーがある場合
にエラー訂正符号に基づいてエラーを訂正するＥＣＣ回
路２４と、レジスタ２３とフラッシュメモリ２１間に設
けられ、レジスタ２３から読み出された領域管理情報を
この領域管理情報に冗長データが付加されてなる情報
（本明細書においては、領域管理フラグと称する。）に
変換し、又はフラッシュメモリ２１から読み出された領
域管理フラグを領域管理情報に変換する変換部２５と、
この変換部２５に接続され、フラッシュメモリ２１から
読み出された領域管理フラグに所定のエラーがある場合
にこの領域管理フラグのエラーを訂正するエラー訂正処
理部２６と、フラッシュメモリ２１、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓイ
ンターフェース回路２２、レジスタ２３、変換部２５の
それぞれに接続され、これらの処理動作を制御する制御
部２７とを備えている。

【００２３】Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース回路２２
は、少なくとも上述した３本のデータ線ＳＣＬＫ，Ｓｔ
ａｔｅ，ＤＩＯを介して、データ処理装置１０のシリア
ルインターフェース回路１２に接続され、これらのデー
タ線ＳＣＬＫ，Ｓｔａｔｅ，ＤＩＯを介して、データ処
理装置１０との間でデータのやり取りを行う。Ｓ／Ｐ・
Ｐ／Ｓインターフェース回路２２は、データ処理装置１
０のシリアルインターフェース回路１２から送られてき
たシリアルデータをパラレルデータに変換して、レジス
タ２３に書き込む。また、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェ
ース回路２２は、レジスタ２３から読み出されたパラレ
ルデータをシリアルデータに変換して、データ処理装置
１０のシリアルインターフェース回路１２へ送出する。

【００２４】このＳ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース回路
２２とデータ処理装置１０との間でのシリアルデータの
伝送は、第１のデータ線ＳＣＬＫによってデータ処理装
置１０から送られてくるクロック信号によって同期を取
りながら、第３のデータ線ＤＩＯによって行われる。こ
のとき、第３のデータ線ＤＩＯによってやり取りされる
シリアルデータのデータ種別は、第２のデータ線Ｓｔａ
ｔｅによって伝送されるステータス信号によって判別さ
れる。ここで、シリアルデータの種別には、例えば、フ
ラッシュメモリ２１に記憶させるべきデータ、フラッシ
ュメモリ２１から読み出されたデータ、又はこのメモリ
カード２０の動作を制御するための制御データ等があ
る。

【００２５】また、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース回
路２２は、データ処理装置１０から送られてきたデータ
が書き込み命令や読み出し命令等の制御データである場
合には、当該制御データを制御部２７に供給する。

【００２６】レジスタ２３は、フラッシュメモリ２１と
Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース回路２２間でやり取り
されるデータを一時的に記憶する。

【００２７】ＥＣＣ回路２４は、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインタ
ーフェース回路２２によりレジスタ２３に書き込まれた
データにエラー訂正符号を付加する。また、ＥＣＣ回路
２４は、フラッシュメモリから読み出されレジスタ２３
に書き込まれたデータにエラー訂正処理を施す。

【００２８】変換部２５は、レジスタ２３から読み出さ
れた管理情報のうち領域管理情報をこの領域管理情報に
冗長データが付加されてなる領域管理フラグに変換す
る。また、変換部２５は、フラッシュメモリ２１から読
み出された領域管理フラグを領域管理情報に変換する。

【００２９】エラー訂正処理部２６は、フラッシュメモ
リ２１から読み出され、変換部２５に供給された領域管
理フラグに、例えば１ビットのエラーが生じていた場合
に、この領域管理フラグのエラーを訂正する。このよう
に、エラー訂正処理部２６は、例えば１ビットのエラー
については訂正処理を行うといったように、エラー訂正
可能な範囲が予め設定されている。したがって、エラー
が生じた領域管理フラグには、このエラー訂正処理部２
６によってエラー訂正が可能なものと、エラー訂正が不
可能なものとがある。このため、変換部２５により領域
管理フラグから変換された領域管理情報は、エラーが生
じていない領域管理情報と、エラー訂正をした領域管理
情報と、エラーが生じているが訂正が不可能な領域管理
情報の３種類の領域管理情報に分けられることになる。

【００３０】制御部２７は、このＳ／Ｐ・Ｐ／Ｓインタ
ーフェース回路２２から供給された制御データに基づい
てメモリカード２０の動作を制御する。すなわち、この
制御部２７は、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース回路２
２から供給された書き込み命令に基づいて、レジスタ２
３に一時的に書き込まれたデータや管理情報をレジスタ
２３から読み出して、フラッシュメモリ２１に記憶させ
る。この際、制御部２７は、管理情報のうち領域管理情
報については、先ず変換部２５に供給し、この変換部２
５にて領域管理フラグに変換させてからフラッシュメモ
リ２１に記憶させる。

【００３１】また、制御部２７は、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓイン
ターフェース回路２２から供給された読み出し命令に基
づいて、フラッシュメモリ２１からデータや管理情報を
読み出してレジスタ２３に書き込む。この際、制御部２
７は、フラッシュメモリ２１から読み出した管理情報の
うち領域管理フラグについては、先ず変換部２５に供給
し、この変換部２５にて領域管理情報に変換させてから
レジスタ２３に書き込む。このとき、制御部２７は、変
換部２５にて変換された領域管理情報が、上述したエラ
ーが生じていない領域管理情報であるか、エラー訂正を
した領域管理情報であるか、エラーが生じているが訂正
が不可能な領域管理情報であるかを判別するためのフラ
グをこの領域管理情報に付加してレジスタ２３に書き込
む。

【００３２】なお、この制御部２７には、誤消去防止ス
イッチ２８が接続されている。そして、この誤消去防止
スイッチ２８がオンになっているときには、フラッシュ
メモリ２１に記憶されているデータを消去するように指
示する制御データがデータ処理装置１０から送られてき
たとしても、制御部２７は、フラッシュメモリ２１に記
憶されているデータを消去するような制御を行わない。
すなわち、このメモリカード２０は、誤消去防止スイッ
チ２８によって、フラッシュメモリ２１に記憶されてい
るデータの消去が行えない状態と、フラッシュメモリ２
１に記憶されているデータの消去が行える状態とを切り
換えることが可能となっている。

【００３３】以上のようなメモリカード２０に対して、
データ処理装置１０から記憶させるべきデータや管理情
報、書き込み命令等がシリアルデータとして送られてく
ると、先ず、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース回路２２
がこれらのデータをパラレルデータに変換して、書き込
み命令を制御部２７に供給するとともに、制御部２７の
制御に基づいて、所定のデータや管理情報をレジスタ２
３に書き込む。

【００３４】ここで、レジスタ２３に書き込まれた所定
のデータや管理情報には、ＥＣＣ回路２４により、領域
管理情報以外を対象としたエラー訂正符号が付加され
る。

【００３５】そして、制御部２７が、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓイ
ンターフェース回路２２から供給された書き込み命令に
基づいて、レジスタ２３から所定のデータや管理情報を
読み出して、フラッシュメモリ２１に書き込む処理を行
う。この際、制御部２７は、レジスタ２３から読み出し
た管理情報のうち領域管理情報を先ず変換部２５に供給
する。変換部２５に供給された領域管理情報は、この変
換部２５により領域管理フラグに変換される。そして、
制御部２７は、この変換部２５により変換された領域管
理フラグをフラッシュメモリ２１に書き込む。

【００３６】また、このメモリカード２０は、データ処
理装置１０から読み出し命令が送られてくると、Ｓ／Ｐ
・Ｐ／Ｓインターフェース回路２２が、この読み出し命
令を制御部２７に供給する。

【００３７】そして、制御部２７が、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓイ
ンターフェース回路２２から供給された読み出し命令に
基づいて、フラッシュメモリ２１からデータや管理情報
を読み出して、レジスタ２３に書き込む。この際、制御
部２７は、フラッシュメモリ２１から読み出した領域管
理フラグを先ず変換部２５に供給する。変換部２５に供
給された領域管理フラグは、この変換部２５により領域
管理情報に変換される。このとき、制御部２７は、領域
管理フラグにエラー訂正処理部２６で訂正が可能なエラ
ーがある場合は、この領域管理フラグをエラー訂正処理
部２６に供給する。そして、制御部２７は、エラー訂正
処理部２６にてエラー訂正が行われた領域管理情報に、
エラー訂正を行ったことを示すフラグを付加して、レジ
スタ２３に書き込む。

【００３８】レジスタ２３に書き込まれたデータや管理
情報のうちのデータ管理情報にエラーがある場合は、こ
のレジスタ２３に接続されたＥＣＣ回路２４にてエラー
訂正符号に基づいてエラー訂正が行われる。

【００３９】そして、Ｓ／Ｐ・Ｐ／Ｓインターフェース
回路２２が、制御部２７の制御に基づいてレジスタ２３
からこれら所定のデータや管理情報等を読み出してシリ
アルデータに変換し、データ処理装置１０に送出する。

【００４０】なお、以上は領域管理情報にエラー訂正を
行った場合に、この領域管理情報にエラー訂正を行った
ことを示すフラグを付加する例について説明したが、デ
ータやデータ管理情報にエラー訂正を行った場合にも、
これらにエラー訂正を行ったことを示すフラグを付加す
るようにしてもよい。

【００４１】また、以上はメモリカード２０にＥＣＣ回
路２４が設けられ、メモリカード２０内でデータやデー
タ管理情報のエラー訂正を行うシステムについて説明し
たが、本発明はデータ処理装置がエラー訂正回路を備
え、データ処理装置側でデータやデータ管理情報のエラ
ー訂正を行うシステムに対しても適用可能である。この
場合、データにエラー訂正符号が付加された状態で、デ
ータ処理装置１０とメモリカード２０との間のデータの
やり取りが行われる。

【００４２】ここで、上述したメモリカード２０に搭載
されるフラッシュメモリ２１の記憶領域の構造について
説明する。

【００４３】このフラッシュメモリ２１の記憶領域は、
記憶単位である多数のセルから構成され、図３（ａ）に
示すように、データの消去単位となる複数のブロックに
分割されている。なお、これらのブロックには、このメ
モリカード２０が起動されたときにデータ処理装置１０
によって最初に読み込まれるデータであるブートデータ
が格納されるブートブロックと、任意のデータが書き込
まれるデータブロックとがある。そして、これらの各ブ
ロックには、それぞれ固有の物理アドレスが付けられて
いる。

【００４４】これらのブロックは、データの消去単位で
あると同時に、ファイル管理上の最小単位でもある。す
なわち、ファイルは１つ又は複数のブロックに格納さ
れ、１つのブロックを複数のファイルで利用することは
できないようになされている。

【００４５】これら各ブロックは複数のセルからなり、
これら各セルに「１」又は「０」を示す２つの状態を取
り得る情報、すなわち１ビットの情報が記憶される。

【００４６】そして、各ブロックは、初期状態では、全
てのビットが「１」とされており、ビット単位での変更
は「１」から「０」への変更のみが可能とされている。
したがって、フラッシュメモリ２１に「１」及び「０」
からなるデータを書き込む際は、「１」については該当
するビットをそのまま保持し、「０」については該当す
るビットを「１」から「０」に変更してデータの書き込
みを行う。

【００４７】また、一度書き込んだデータをフラッシュ
メモリ２１から消去する際は、ブロック単位で一括して
初期化処理を行い、当該ブロックの全ビットを「１」と
する。これにより、当該ブロックに書き込まれたデータ
は一括消去され、このブロックは再びデータ書き込みが
可能な状態とされる。

【００４８】また、フラッシュメモリ２１の各ブロック
は、図３（ｂ）に示すように、データの書き込みや読み
出しの単位となる複数のページから構成される。このペ
ージは、例えば５１２バイトの記憶容量を有する記憶単
位であり、フラッシュメモリ２１にデータを書き込む際
は、このページ単位でレジスタ２３から読み出されたデ
ータが、制御部２５によりページ単位でフラッシュメモ
リ２１に書き込まれる。また、このフラッシュメモリ２
１からデータを読み出す際は、制御部２５によりフラッ
シュメモリ２１からデータがページ毎に読み出され、レ
ジスタ２３に供給される。

【００４９】データの書き込みや読み出しの単位となる
ページは、データ記憶領域と管理情報記憶領域とを有し
ている。ここで、データ記憶領域とは、任意のデータが
書き込まれる領域をいい、管理情報記憶領域とは、デー
タ記憶領域に書き込まれるデータの管理に必要な情報
（管理情報）が格納される領域をいう。

【００５０】管理情報記憶領域は、１６バイトの領域を
有し、このうち最初の３バイトが、ブロック単位で一括
して初期化処理を行うことなく情報を書き換えることが
できるオーバーライト領域に設定されている。そして、
管理情報記憶領域は、残りの１３バイトが、情報を書き
換える際はブロック単位で一括して初期化処理を行う通
常領域に設定されている。

【００５１】そして、ブロックを構成する各ページの管
理情報記憶領域に、管理情報が格納される。具体的に
は、図３（ｃ）に示すように、各ブロックの先頭ページ
の管理情報記憶領域には、このブロックを管理するため
に必要な情報として、いわゆる分散管理情報が格納され
る。また、各ブロックの２ページ目以降の各ページの管
理情報記憶領域にも、予備の分散管理情報として、先頭
ページの管理情報記憶領域に格納された分散管理情報と
同じ管理情報が記憶される。ただし、各ブロックの最終
ページの管理情報記憶領域には、分散管理情報だけでは
不足する情報を補う、いわゆる追加管理情報が格納され
る。

【００５２】このように、メモリカード２０に搭載され
るフラッシュメモリ２１では、各ブロック内の管理情報
記憶領域に、それぞれのブロックを管理するための分散
管理情報が格納され、この分散管理情報により、例えば
当該ブロックがファイルの先頭となるブロックであるか
否かについての情報や、複数のブロックからファイルが
構成される場合にはそれらのブロックの繋がりを示す情
報等を得ることができる。

【００５３】そして、このメモリカード２０は、各ブロ
ックの分散管理情報を集めることにより、フラッシュメ
モリ２１全体を管理するための情報として、いわゆる集
合管理情報を作成して、この集合管理情報を一つのファ
イルとしてフラッシュメモリ２１に格納するようにして
いる。

【００５４】そして、データ処理装置１０とメモリカー
ド２０間でデータのやり取りを行う場合、データ処理装
置１０は、通常、フラッシュメモリ２１からこの集合管
理情報を読み出して、各ブロックにアクセスするために
必要な情報を得るようにしている。これにより、データ
アクセスのたびに個々のブロックに格納された分散管理
情報にアクセスする必要がなくなり、より高速なデータ
アクセスが可能となる。

【００５５】次に、分散管理情報、追加管理情報、集合
管理情報について、更に詳細に説明する。

【００５６】分散管理情報は、各ページ毎に設けられた
１６バイトの管理情報記憶領域に格納された、ブロック
を管理するための管理情報である。そして、この分散管
理情報は、例えば図４に示すように、１バイトの可／不
可フラグと、１バイトのブロックフラグと、４ビットの
最終フラグと、４ビットの参照フラグと、１バイトの管
理フラグと、２バイトの論理アドレスと、２バイトの連
結アドレスと、２バイトの分散管理情報用エラー訂正符
号と、３バイトのデータ用エラー訂正符号とからなり、
これらの情報のうち、可／不可フラグ、ブロックフラ
グ、最終フラグ、参照フラグが、管理情報記憶領域の最
初の３バイトのオーバーライト領域に格納される。

【００５７】また、管理情報記憶領域の１３バイトの通
常領域に、管理フラグと論理アドレスと連結アドレスと
リザーブ領域と分散管理情報用エラー訂正符号とデータ
用エラー訂正符号とが格納される。そして、通常領域の
残りの３バイトは、リザーブ領域とされる。

【００５８】可／不可フラグは、ブロックが使用可能な
状態か使用不可能な状態かを示すフラグである。すなわ
ち、ブロック内に回復不可能なエラーが生じたようなと
きは、この可／不可フラグによって、当該ブロックが使
用不可能な状態であることが示される。

【００５９】ブロックフラグは、ブロックの使用状態を
示すフラグであり、具体的には、「未使用」、「先頭使
用」、「使用」、「未消去」の４つの状態を示すフラグ
である。「未使用」は、当該ブロックが未使用又は消去
済みで初期状態（全ビットが「１」の状態）とされてお
り、すぐにデータの書き込みが可能な状態を示す。「先
頭使用」は、当該ブロックがファイルの先頭で使用され
ている状態を示す。「使用」は、当該ブロックがファイ
ルの先頭以外で使用されている状態を示す。したがっ
て、ブロックフラグが「使用」のとき、当該ブロックは
他のブロックから連結されていることとなる。「未消
去」は、当該ブロックに書かれていたデータが不要とな
った状態を示す。なお、ブートデータが格納されたブー
トブロックにおいて、ブロックフラグは「先頭使用」と
される。

【００６０】このメモリカード２０においては、ブロッ
ク内に記憶された不要なデータを消去する場合に、まず
ブロックフラグを「未消去」の状態にしておき、処理時
間に余裕があるときに、ブロックフラグが「未消去」に
なっているブロックを消去するようにしている。これに
より、メモリカード２０は、データの消去の処理をより
効率よく行うことが可能となる。

【００６１】最終フラグは、ファイルが当該ブロックで
終わっているか否かを示すフラグであり、具体的には、
「ブロック連続」、「ブロック最終」の２つの状態を示
すフラグである。「ブロック連続」は、当該ブロックに
記憶されたファイルにはまだ続きがあり、他のブロック
に続いていることを示す。「ブロック最終」は、当該ブ
ロックに記憶されたファイルは、このブロックで終了し
ていることを示す。

【００６２】参照フラグは、追加管理情報の参照を指示
するためのフラグであり、具体的には、「参照情報な
し」、「参照情報あり」の２つの状態を示すフラグであ
る。「参照情報なし」は、ブロックの最終ページの管理
情報記憶領域に有効な追加管理情報が存在しないことを
示す。「参照情報あり」は、ブロックの最終ページの管
理情報記憶領域に有効な追加管理情報が存在することを
示す。

【００６３】管理フラグは、ブロックの属性等を示すフ
ラグであり、例えば当該ブロックが読み出し専用のブロ
ックか、あるいは書き込みも可能なブロックか等の属性
を示す。また、例えば、この管理フラグによって、当該
ブロックがブートブロックであるか、或いはデータブロ
ックであるかが示される。

【００６４】論理アドレスは、当該ブロックの論理アド
レスを示す。この論理アドレスの値は、データの書換を
行うとき等に必要に応じて更新される。なお、この論理
アドレスの値は、同じ論理アドレスの値を同時に複数の
ブロックが持つことがないように設定されている。

【００６５】連結アドレスは、当該ブロックに連結する
他のブロックの論理アドレスを示す。すなわち、当該ブ
ロックに記憶されたファイルが他のブロックに続いてい
る場合に、連結アドレスは、そのファイルの続きが記憶
されたブロックの論理アドレスの値を示す。

【００６６】分散管理情報用エラー訂正符号は、分散管
理情報のうち、管理フラグ、論理アドレス、連結アドレ
ス及びリザーブ領域に書き込まれたデータを対象とした
エラー訂正符号である。

【００６７】データ用エラー訂正符号は、このデータ用
エラー訂正符号が書き込まれたページのデータ記憶領域
に記憶されたデータを対象としたエラー訂正符号であ
る。

【００６８】ところで、上述した分散管理情報のうち、
可／不可フラグ、ブロックフラグ、最終フラグ、参照フ
ラグは、データ記憶領域の状態を管理するための情報
（領域管理情報）であり、データから独立して書き換え
る必要が生じる場合があるので、上述した分散管理情報
用エラー訂正符号の対象から外し、それぞれの情報を示
す符号と同一符号の所定量の冗長データが付加されてな
るフラグ（領域管理フラグ）として管理情報記憶領域に
格納されることにより、エラー対策がなされている。

【００６９】具体的には、これらの領域管理情報は、変
換部２５により、冗長データが付加された領域管理フラ
グに変換されて、例えば図５に示すように、１ビットの
情報については４ビットの情報として、２ビットの情報
については８ビットの情報として管理情報記憶領域のオ
バーライト領域に格納される。

【００７０】すなわち、可／不可フラグは、ブロックが
使用可能な状態である場合は１ビットの情報「１」で示
され、ブロックが使用不可能な状態である場合は１ビッ
トの情報「０」で示される。そして、この可／不可フラ
グは、管理情報記憶領域に格納されるときは、冗長デー
タが付加されて、例えば１バイトの情報「１１１１１１
１１」又は「００００ ００００」に変換されて格納さ
れる。

【００７１】また、ブロックフラグは、ブロックが「未
使用」の場合には２ビットの情報「１１」で示され、ブ
ロックが「先頭使用」の場合には２ビットの情報「１
０」で示され、ブロックが「使用」の場合には２ビット
の情報「０１」で示され、ブロックが「未消去」の場合
には２ビットの情報「００」で示される。そして、この
ブロックフラグは、管理情報記憶領域に格納されるとき
は、冗長データが付加されて、例えば１バイトの情報
「１１１１ １１１１」又は「１１１１ ００００」又
は「００００ １１１１」又は「００００ ００００」
に変換されて格納される。

【００７２】また、最終フラグは、「ブロック連続」の
場合は１ビットの情報「１」で示され、「ブロック最
終」の場合には１ビットの情報「０」で示される。そし
て、この最終フラグは、管理情報記憶領域に格納される
ときは、冗長データが付加されて、例えば４ビットの情
報「１１１１」又は「００００」に変換されて格納され
る。

【００７３】また、参照フラグは、「参照情報なし」の
場合は１ビットの情報「１」で示され、「参照情報あ
り」の場合は１ビットの情報「０」で示される。そし
て、この参照フラグは、管理情報記憶領域に格納される
ときは、例えば４ビットの情報「１１１１」又は「００
００」に変換されて格納される。

【００７４】これら領域管理情報は、以上のように冗長
データが付加された領域管理フラグとして管理情報記憶
領域に格納されることにより、例えば当該フラグが格納
されたセルが故障して１ビットのエラーが生じた場合で
あっても、例えば領域管理フラグの「１」と「０」の数
を比較することにより元の領域管理情報が認識される。

【００７５】追加管理情報は、ブロックの最終ページの
１６バイトの管理情報記憶領域に格納される情報であ
り、分散管理情報だけでは不足する情報を補う追加情報
を含んでいる。

【００７６】この追加管理情報は、具体的には、例えば
図６に示すように、１バイトの可／不可フラグと、１バ
イトのブロックフラグと、４ビットの最終フラグと、４
ビットの参照フラグと、１バイトの識別番号と、２バイ
トの有効データサイズと、２バイトの追加管理情報用エ
ラー訂正符号と、３バイトのデータ用エラー訂正符号と
からなる。

【００７７】ここで、領域管理フラグである可／不可フ
ラグ、ブロックフラグ、最終フラグ、参照フラグとデー
タ用エラー訂正符号については、分散管理情報の場合と
同様である。また、追加情報用エラー訂正符号は、分散
管理情報における分散管理情報用エラー訂正符号に相当
するものであり、追加管理情報のうち領域管理フラグを
除いた識別番号、有効データサイズ及びリザーブ領域に
書き込まれたデータを対象としたエラー訂正符号であ
る。

【００７８】そして、識別番号及び有効データサイズと
が、分散管理情報の不足分を補う追加情報として、追加
管理情報に含まれている。

【００７９】そして、追加管理情報も分散管理情報と同
様に、領域管理情報である可／不可フラグ、ブロックフ
ラグ、最終フラグ、参照フラグが、冗長データが付加さ
れた領域管理フラグとして、管理情報記憶領域の最初の
３バイトのオーバーライト領域に格納される。

【００８０】また、管理情報記憶領域の１３バイトの通
常領域に、識別番号と有効データサイズと追加管理情報
用エラー訂正符号とデータ用エラー訂正符号とが格納さ
れる。そして、通常領域の残りの５バイトは、リザーブ
領域とされる。

【００８１】識別番号は、エラー処理用の情報であり、
ブロックのデータを書き換えるたびに、識別番号の値が
インクリメントされる。この識別番号は、何らかのエラ
ーが発生して、同じ論理アドレスを持つブロックが複数
存在するようになってしまった場合に、それらのブロッ
クに書き込まれたデータの新旧を識別するために使用さ
れる。なお、識別番号には１バイトの領域が使用され、
その値の範囲は「０」から「２５５」まであり、その初
期値（すなわち、新しい論理アドレスを使用するときに
最初に設定される識別番号の値）は、「０」とされる。
なお、識別番号が「２５５」を越えたときには「０」に
戻るものとする。そして、同じ論理番号を持つブロック
が複数存在する場合には、この識別番号の値が小さい方
のブロックを有効とする。ただし、ブートブロックにつ
いては、バックアップと同じ識別番号の場合を正常と
し、異なる場合には大きい方を採用する。

【００８２】有効データサイズは、ブロック内の有効な
データのサイズを示す。すなわち、当該ブロックのデー
タ記憶領域に空きがある場合、有効データサイズは、当
該データ記憶領域に書き込まれたデータのサイズの値を
示す。このとき、参照フラグは「参照情報あり」に設定
される。なお、ブロックのデータ記憶領域に空きがない
場合、有効データサイズは当該ブロックのデータ領域に
空きがないことを示す情報として「０ｘｆｆｆｆ」に設
定される。

【００８３】なお、以上説明した分散管理情報及び追加
管理情報は、ブロック内のデータが更新される毎に、常
に最新情報となるように更新される。

【００８４】集合管理情報は、上述したように、各ブロ
ックの分散管理情報を集めて作成される情報であり、フ
ァイルとしてフラッシュメモリ２１に格納される。すな
わち、図７に示すように、各ブロックの分散管理情報か
ら、全ブロックをまとめて管理するための情報である集
合管理情報のファイルが作成され、この集合管理情報が
所定のブロックのデータ記憶領域に格納される。なお、
集合管理情報は、１つのブロックに格納されるものであ
っても、複数のブロックにわたって格納されるものであ
ってもよい。そして、データ処理装置１０は、通常は、
この集合管理情報によって、各ブロックにアクセスする
ために必要な情報を得るようにする。

【００８５】すなわち、メモリカード２０に有効な集合
管理情報がファイルとして格納されている場合、データ
処理装置１０は、その集合管理情報のファイルを読み出
して、メモリカード２０を管理するための管理テーブル
を作成する。なお、集合管理情報のファイルの先頭が格
納されているブロックの物理アドレスは、ブートデータ
に含まれており、データ処理装置１０は、この物理アド
レスに基づいて集合管理情報のファイルにアクセスす
る。

【００８６】次に、以上のようなフラッシュメモリ２１
を備えたメモリカード２０について、フラッシュメモリ
２１から読み出した管理情報をデータ処理装置１０に伝
送する処理の一例について、図８を参照して説明する。
なお、この図８に示すデータ処理は、領域管理情報を４
ビット単位の領域管理フラグに変換してフラッシュメモ
リ２１に記憶させた場合の例であり、本発明を適用した
メモリカードにおけるデータ処理はこの例に限定される
ものではない。また、この図８に示すデータ処理は、領
域管理情報に対してエラー訂正を行った場合に、この領
域管理情報にエラー訂正を行ったことを示すフラグを付
加して伝送する例であり、本発明を適用したメモリカー
ドにおけるデータ処理は、さらにデータ管理情報に対し
てエラー訂正を行った場合に、このデータ管理情報にエ
ラー訂正を行ったことを示すフラグを付加して伝送する
ようにしてもよい。

【００８７】メモリカード２０は、管理情報をフラッシ
ュメモリ２１から読み出してデータ処理装置１０に伝送
する場合は、まず、ステップＳ１１において、制御部２
７により、フラッシュメモリ２１から領域管理フラグが
読み出される。

【００８８】そして、ステップＳ１２において、制御部
２７により、すべての領域管理フラグが４ビット単位で
チェックされ、この領域管理フラグが１１１１又は００
００になっているかが判断される。

【００８９】この領域管理フラグが１１１１又は０００
０となっている場合は、ステップＳ１３に進む。そし
て、ステップＳ１３において、変換部２５により、領域
管理フラグが領域管理情報に変換され、ステップＳ１６
に進む。

【００９０】領域管理フラグが１１１１又は００００と
なっていない場合は、ステップＳ１４に進む。そして、
ステップＳ１４において、制御部２７により、領域管理
フラグが１１１０、１１０１、１０１１、０１１１のい
ずれかとなっているか又は０００１、００１０、０１０
０、１０００のいずれかとなっているかがチェックされ
る。

【００９１】領域管理フラグが１１１０、１１０１、１
０１１、０１１１又は０００１、００１０、０１００、
１０００のいずれでもないと判断された場合は、エラー
処理がなされる。

【００９２】領域管理フラグが１１１０、１１０１、１
０１１、０１１１のいずれか又は０００１、００１０、
０１００、１０００のいずれかとなっていると判断され
た場合は、ステップＳ１５に進み、ステップＳ１５にお
いて、変換部２５により、領域管理フラグが領域管理情
報に変換され、制御部２７により、この領域管理情報に
エラー訂正をしたことを示すフラグが付加され、ステッ
プＳ１６に進む。

【００９３】ステップＳ１６においては、データ管理情
報がチェックされ、エラーがあるか否かが判断される。

【００９４】データ管理情報にエラーがないと判断され
た場合は、ステップＳ１８に進む。

【００９５】データ管理情報にエラーがあると判断され
た場合は、そのエラーが訂正可能なものかどうかが判断
され、訂正不可能なものであると判断された場合は、エ
ラー処理がなされる。また、データ管理情報のエラーが
訂正可能なものであると判断された場合は、ステップＳ
１７に進み、ステップＳ１７において、ＥＣＣ回路２４
により、エラー訂正処理がなされ、ステップＳ１８に進
む。

【００９６】ステップＳ１８においては、Ｓ／Ｐ・Ｐ／
Ｓインターフェース回路２２により、領域管理情報及び
データ管理情報がステータス信号とともにデータ処理装
置１０に伝送される。

【００９７】次に、データ処理装置１０がメモリカード
２０より伝送されたデータ及び管理情報を読み込んで、
これらに所定の処理を行う動作の一例について、図９を
参照して説明する。なお、この図９に示すデータ処理装
置によるデータ処理は、メモリカード１０より伝送され
た領域管理情報にエラー訂正を行ったことを示すフラグ
が付加されていた場合に、このフラグに基づいて所定の
処理を行う例であり、本発明を適用したデータ処理装置
におけるデータ処理は、さらにデータ管理情報にエラー
訂正を行ったことを示すフラグが付加されていた場合
に、このフラグに基づいて所定のデータ処理を行うよう
にしてもよい。

【００９８】また、この図９に示すデータ処理装置によ
るデータ処理は、読み込んだブロックの領域管理情報に
エラー訂正を行ったことを示すフラグが付加されていた
場合に、このブロックを他のブロックに書き換える処理
を行うようにした例であり、本発明を適用したデータ処
理装置におけるデータ処理は、この例に限定されるもの
ではなく、領域管理情報にエラー訂正を行ったことを示
すフラグが付加されていた場合に、この情報に基づいて
所定の処理を行うようにすればよい。

【００９９】データ処理装置１０は、メモリカード２０
から伝送されたデータ及び管理情報に対して所定のデー
タ処理を行う際は、まずステップＳ２１において、シリ
アルインターフェース回路１２により指定ブロックの読
み込み処理が行われる。そして、指定したブロックが正
しく読み込めるかどうかの判断がなされる。指定したブ
ロックが正しく読み込めないときは、ステップＳ２２に
進み、ステップＳ２２において、制御部１４により、ブ
ロック読み込みエラー処理がなされる。

【０１００】指定したブロックが正しく読み込めたとき
は、更に読み込んだブロックの領域管理情報にエラー訂
正を行ったことを示すフラグが付加されているかどうか
の判断がなされる。そして、領域管理情報にエラー訂正
を行ったことを示すフラグが付加されていないと判断さ
れれば、ステップＳ２８に進み、ブロック読み込み正常
処理がなされる。

【０１０１】領域管理情報にエラー訂正を行ったことを
示すフラグが付加されていると判断されれば、ステップ
Ｓ２３に進み、ステップＳ２３において、制御部１４に
よりブロック書き換えの条件及びブロック書き換えの状
態のチェックが行われる。そして、ブロックの書き換え
を行わないと判断されれば、ステップＳ２８に進み、ブ
ロック読み込み正常処理がなされ、ブロックの書き換え
を行うと判断されれば、ステップＳ２４に進み、ステッ
プＳ２４において、制御部１４により、読み込んだブロ
ックを他のブロックに書き換える処理がなされ、ステッ
プＳ２５に進む。

【０１０２】次に、ステップＳ２５において、制御部１
４により、元のブロックの再利用の可能性がチェックさ
れる。そして、元のブロックの再利用が不可能であると
判断されると、ステップＳ２６に進み、ステップＳ２６
において、制御部１４により、元のブロックに対し使用
付加設定がなされ、ステップＳ２７に進む。

【０１０３】元のブロックが再利用可能であると判断さ
れると、そのままステップＳ２７に進み、ステップＳ２
７において、制御部１４により、集合管理情報の更新が
行われる。

【０１０４】集合管理情報の更新が行われると、ステッ
プＳ２８に進み、ステップＳ２８において、制御部１４
により、ブロック読み込み正常処理がなされ、データ読
み込み処理が終了する。

【０１０５】以上説明したように、本発明を適用したシ
ステム１は、メモリカード２０が、記憶した領域管理情
報にエラー訂正を行った場合は、この領域管理情報にエ
ラー訂正を行ったことを示すフラグを付加してデータを
データ処理装置１０に伝送し、データ処理装置１０が、
メモリカード２０から伝送された領域管理情報にエラー
訂正を行ったことを示すフラグが付加されているとき
は、このフラグに基づいて所定のデータ処理を行うよう
にしているので、例えば、エラー訂正を行った領域管理
情報を有するブロックを他のブロックに書き換える等の
処理を行い、データの信頼性を向上させることができ
る。

【０１０６】

【発明の効果】本発明に係る記憶装置は、制御手段が記
憶手段から読み出した領域管理情報にエラー訂正処理部
でエラー訂正が可能なエラーがある場合は、この領域管
理情報を上記エラー訂正処理部に供給し、エラー訂正処
理を行った領域管理情報にエラー訂正処理を行ったこと
を示すフラグを付加して出力するようにしているので、
この記憶装置から出力された領域管理情報がエラー訂正
を行った情報であるかを容易に判断することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】データ処理装置の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】メモリカードの構成を示すブロック図である。

【図３】フラッシュメモリの記憶領域の構造を示す模式
図である。

【図４】分散管理情報を説明する模式図である。

【図５】領域管理フラグの一例を示す模式図である。

【図６】追加管理情報を説明する模式図である。

【図７】集合管理情報の構築を説明する模式図である。

【図８】メモリカードにおける領域管理情報の読み出し
処理の一例を説明するフローチャートである。

【図９】データ処理装置におけるデータ処理の一例を説
明するフローチャートである。

【符号の説明】

１ システム、 １０ データ処理装置、 １４ 制御
部、 ２０ メモリカード、 ２１ フラッシュメモ
リ、 ２５ 変換部、 ２６ エラー訂正処理部、 ２
７ 制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｍ 13/37 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｎ (72)発明者 平林 光浩 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5B001 AA03 AB02 AC07 AD03 AE02 5B018 GA02 GA06 HA06 HA11 HA15 KA15 MA24 NA06 QA14 RA01 RA02 RA11 5B035 AA11 BB09 CA11 CA29 CA32 CA34 5J065 AD03 AE04 AH05 AH14

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 データの消去単位である複数のブロック
   に分割され、ブロック単位で一括消去が行われる書き換
   え可能な不揮発性の記憶手段を備える記憶装置におい
   て、 上記記憶手段を構成する各ブロックは、該ブロックに既
   にデータが記憶された状態において、ビット１からビッ
   ト０への書き換えであるときには、上記ブロックの一括
   消去による初期化を伴わずにオーバーライトによる書き
   込みを行うことが可能な第１の領域と、データの書き換
   えの際に、上記ブロックの一括消去による初期化を伴う
   第２の領域とを有し、 上記第２の領域には、データと該データのエラー訂正符
   号が記憶され、上記第１の領域には、該ブロックの状態
   を示す符号と所定量の冗長データが付加されてなる領域
   管理フラグが記憶されていることを特徴とする記憶装
   置。
2. 【請求項２】 上記記憶装置は、上記記憶手段に記憶さ
   れるデータのエラーを訂正するエラー訂正手段と、 上記記憶手段の各ブロック内に、上記エラー訂正手段に
   よって回復不可能なエラーが発生した場合に、該ブロッ
   クの第１領域に使用不可能なフラグを設定する制御部と
   を有することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
3. 【請求項３】 データの消去単位である複数のブロック
   に分割され、ブロック単位で一括消去が行われる書き換
   え可能な不揮発性の記憶手段を備える記憶装置におい
   て、 上記記憶手段を構成する各ブロックは、書き込み又は読
   み出し単位であるページに分割され、各ページは、該ペ
   ージに既にデータが記憶された状態において、ビット１
   からビット０への書き換えであるときには、上記ページ
   の所属するブロックの一括消去による初期化を伴わずに
   オーバーライトによる書き込みを行うことが可能な第１
   の領域と、データの書き換えの際に、該ページの所属す
   るブロックの一括消去による初期化を伴う第２の領域と
   を有し、 上記第２の領域には、データと該データのエラー訂正符
   号が記憶され、上記第１の領域には、該ブロックの状態
   を示す符号と所定量の冗長データが付加されてなる領域
   管理フラグが記憶されていることを特徴とする記憶装
   置。
4. 【請求項４】 上記記憶装置は、上記記憶手段に記憶さ
   れるデータのエラーを訂正するエラー訂正手段と、 上記記憶手段の各ブロック内に、上記エラー訂正手段に
   よって回復不可能なエラーが発生した場合に、該ブロッ
   クの第１領域に使用不可能なフラグを設定する制御部と
   を有することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。