JP2002093733A - Heat treatment apparatus for semiconductor wafer - Google Patents

Heat treatment apparatus for semiconductor wafer

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JP2002093733A
JP2002093733A JP2000283633A JP2000283633A JP2002093733A JP 2002093733 A JP2002093733 A JP 2002093733A JP 2000283633 A JP2000283633 A JP 2000283633A JP 2000283633 A JP2000283633 A JP 2000283633A JP 2002093733 A JP2002093733 A JP 2002093733A
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JP
Japan
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tube
flange
liner
heat treatment
semiconductor wafer
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Makoto Ito
眞 伊藤
Yoshiharu Fukuyama
義治 福山
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JTEKT Thermo Systems Corp
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Koyo Thermo Systems Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat treatment apparatus of a semiconductor wafer, which can prevent air for cooling introduced into a space between a heater and a liner tube from leaking into load chamber. SOLUTION: A clearance between a tube support 5 and a flange 2c of a process tube 2 is sealed by an annular seal packing 16.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハの表面に酸化膜を形成したり、拡散等の処理を施し
たりするために使用される半導体ウエハの熱処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer heat treatment apparatus used for forming an oxide film on a surface of a semiconductor wafer or performing processing such as diffusion.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハの表面にシリコン酸化膜
(SiO2)等を形成する場合には、例えば図3に示す
縦型の熱処理装置が使用されている。この熱処理装置
は、少なくとも下端が開口したライナーチューブ101
の内部に、下端が開口したプロセスチューブ102が設
けられており、前記ライナーチューブ101の外周外方
にはヒータ103が配置されている。
2. Description of the Related Art When forming a silicon oxide film (SiO 2 ) on the surface of a semiconductor wafer, for example, a vertical heat treatment apparatus shown in FIG. 3 is used. This heat treatment apparatus includes a liner tube 101 having at least a lower end opened.
Is provided with a process tube 102 having an open lower end, and a heater 103 is disposed outside the outer periphery of the liner tube 101.

【0003】前記ライナーチューブ101の下端部は、
環状のライナーサポート105によって保持されてい
る。また、前記プロセスチューブ102の外周下部に
は、フランジ106が設けられており、このフランジ1
06の上面と前記ライナーサポート105との間にチュ
ーブサポート107を介在し、このチューブサポート1
07とスカート108とによって前記フランジ106が
挟持されている。
[0003] The lower end of the liner tube 101 is
It is held by an annular liner support 105. A flange 106 is provided at a lower portion of the outer periphery of the process tube 102.
A tube support 107 is interposed between the upper surface of the tube support 06 and the liner support 105.
07 and the skirt 108 sandwich the flange 106.

【0004】前記チューブサポート107はフレーム1
09に支持されたヒータベース110に取り付けられて
おり、このチューブサポート107を介して前記ライナ
ーサポート105がヒータベース110に支持されてい
る。また、前記熱処理装置には、熱処理が完了し所定温
度まで冷却した半導体ウエハを、プロセスチューブ10
2の内部からロード室112に搬出するための昇降装置
113が設けられている。
[0004] The tube support 107 is a frame 1
The liner support 105 is supported by the heater base 110 via the tube support 107. In the heat treatment apparatus, a semiconductor wafer which has been heat-treated and cooled to a predetermined temperature is placed in a process tube 10.
2 is provided with an elevating device 113 for carrying out from the interior of the apparatus 2 to the load chamber 112.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の熱処理装置においては、半導体ウエハの熱処理完了
後の冷却時間を短縮するために、ヒータ103とライナ
ーチューブ101との間の空間Aにエアーを導入するこ
とがある。しかし、従来の熱処理装置においては、前記
空間Aに導入されるエアーに対するシール性について十
分には考慮されていないので、前記空間Aに導入された
エアーがフランジ106の上面とチューブサポート10
7との間を通してロード室112に漏洩するおそれがあ
り、万一当該エアーにパーティクルが含まれている場合
には、ロード室112の半導体ウエハがパーティクルで
汚染されるおそれがあった。この発明は前記問題点に鑑
みてなされたものであり、ヒータとライナーチューブと
の間の空間に導入されたエアーがロード室に漏洩するの
を防止することができる半導体ウエハの熱処理装置を提
供することを目的とする。
In the above-described conventional heat treatment apparatus, air is supplied to the space A between the heater 103 and the liner tube 101 in order to shorten the cooling time after the completion of the heat treatment of the semiconductor wafer. May be introduced. However, in the conventional heat treatment apparatus, the sealing performance against the air introduced into the space A is not sufficiently considered, so that the air introduced into the space A is applied to the upper surface of the flange 106 and the tube support 10.
7 may leak to the load chamber 112, and if the air contains particles, the semiconductor wafer in the load chamber 112 may be contaminated with the particles. The present invention has been made in view of the above problems, and provides a semiconductor wafer heat treatment apparatus capable of preventing air introduced into a space between a heater and a liner tube from leaking into a load chamber. The purpose is to:

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
のこの発明の半導体ウエハの熱処理装置は、下端が開口
したライナーチューブと、こライナーチューブの内部に
配置され、下端が開口しているとともに外周下部にフラ
ンジを有するプロセスチューブと、前記ライナーチュー
ブの外周外方に配置したヒータと、前記ライナーチュー
ブの下端部を保持する環状のライナーサポートと、前記
プロセスチューブのフランジの上面と前記ライナーサポ
ートとの間に介在したチューブサポートと、このチュー
ブサポートとの間で前記フランジを挟持するスカートと
を備える半導体ウエハの熱処理装置において、前記チュ
ーブサポートとフランジとの間の隙間を、シールパッキ
ンによって封止していることを特徴としている(請求項
1)。このような構成の半導体ウエハの熱処理装置によ
れば、半導体ウエハの熱処理後の冷却促進のためにライ
ナーチューブとヒータとの間の空間に導入されたエアー
が、チューブサポートとフランジとの間の隙間を通して
ロード室に漏洩するのを、前記シールパッキンによって
防止することができる。
A semiconductor wafer heat treatment apparatus according to the present invention for achieving the above object has a liner tube having an open lower end, a liner tube disposed inside the liner tube and having an open lower end. A process tube having a flange at the lower part of the outer periphery, a heater disposed outside the outer periphery of the liner tube, an annular liner support for holding a lower end of the liner tube, an upper surface of the flange of the process tube and the liner support; In a semiconductor wafer heat treatment apparatus including a tube support interposed between the tube support and a skirt that sandwiches the flange between the tube support and the tube support, a gap between the tube support and the flange is sealed with a seal packing. (Chart 1). According to the semiconductor wafer heat treatment apparatus having such a configuration, air introduced into the space between the liner tube and the heater in order to promote cooling of the semiconductor wafer after the heat treatment is applied to the gap between the tube support and the flange. Leakage to the load chamber through the seal packing can be prevented.

【0007】前記半導体ウエハの熱処理装置は、前記フ
ランジの外周に沿ってシールリングを設け、このシール
リング、フランジの外周及びチューブサポートによって
前記シールパッキンを挟持しているのが好ましい(請求
項2)。この熱処理装置によれば、前記シールパッキン
をシールリング、フランジの外周及びチューブサポート
の3点で確実に保持することができるので、チューブサ
ポートとフランジとの間の隙間を長期間に亘って確実に
封止することができる。
Preferably, in the semiconductor wafer heat treatment apparatus, a seal ring is provided along an outer periphery of the flange, and the seal packing is held between the seal ring, the outer periphery of the flange, and a tube support. . According to this heat treatment apparatus, since the seal packing can be securely held at three points: the seal ring, the outer periphery of the flange, and the tube support, the gap between the tube support and the flange can be reliably maintained for a long period of time. Can be sealed.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて添付図面を参照しながら詳述する。図1はこの発明
の一実施形態に係る半導体ウエハの熱処理装置の概略断
面図、図2は同装置の要部を示す拡大断面図である。前
記熱処理装置は、上端及び下端が開口したライナーチュ
ーブ1の内部に、下端が開口したプロセスチューブ2を
所定隙間を設けて同心に配置し、前記ライナーチューブ
1の外周外方にヒータ3を配置している。前記ライナー
チューブ1は、ヒータ3からの輻射熱をプロセスチュー
ブ2に対して均一に伝導するためのものであり、その下
端部が環状のライナーサポート4に載置されて保持され
ている。前記ライナーチューブ1とヒータ3との間には
所定の空間Kが設けられている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor wafer heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the apparatus. In the heat treatment apparatus, a process tube 2 having an open lower end is arranged concentrically with a predetermined gap provided inside a liner tube 1 having an open upper end and a lower end, and a heater 3 is arranged outside the outer periphery of the liner tube 1. ing. The liner tube 1 is for uniformly transmitting radiant heat from the heater 3 to the process tube 2, and the lower end thereof is placed and held on an annular liner support 4. A predetermined space K is provided between the liner tube 1 and the heater 3.

【0009】前記プロセスチューブ2は、外周下部にフ
ランジ2cが突設されており、このフランジ2cがその
上下面に沿わせたクッション材2dを介してチューブサ
ポート5とスカート6とによって挟持されることによ
り、所定位置に浮揚状態に支持されている。なお、前記
クッション材2dは、ポリテトラフルオロエチレン(P
TFE)やアルミニウム板等の可撓性材又は比較的硬さ
の低い素材で形成されている。
The process tube 2 has a flange 2c protruding from a lower portion of the outer periphery thereof, and the flange 2c is sandwiched between the tube support 5 and the skirt 6 via a cushion material 2d along the upper and lower surfaces thereof. Thereby, it is supported in a floating state at a predetermined position. The cushion material 2d is made of polytetrafluoroethylene (P
It is formed of a flexible material such as TFE) or an aluminum plate or a material having a relatively low hardness.

【0010】前記チューブサポート5は、フレーム7に
支持されたヒータベース8に取り付けられており、前記
ライナーサポート4はこのチューブサポート5を介して
ヒータベース8に支持されている。これらチューブサポ
ート5及びヒータベース8は中空構造の環状体からな
り、その内部には冷却水が循環供給されている。なお、
前記チューブサポート5とヒータベース8との間は、O
リングXによって密封されている。前記ヒータ3は断熱
壁3aで覆われており、この断熱壁3aは前記ヒータベ
ース8で支承されている。また、前記スカート6は中空
構造の環状体からなり、その内部には冷却水が循環供給
されている。このスカート6はチューブサポート5に垂
設されたボルト6aとこのボルト6aにねじ込まれたナ
ット6bとによって、チューブサポート5に取り付けら
れている。
The tube support 5 is mounted on a heater base 8 supported on a frame 7, and the liner support 4 is supported on the heater base 8 via the tube support 5. The tube support 5 and the heater base 8 are formed of an annular body having a hollow structure, in which cooling water is circulated and supplied. In addition,
O between the tube support 5 and the heater base 8
Sealed by ring X. The heater 3 is covered with a heat insulating wall 3a, and the heat insulating wall 3a is supported by the heater base 8. The skirt 6 is formed of an annular body having a hollow structure, and cooling water is circulated and supplied inside the skirt. The skirt 6 is attached to the tube support 5 by a bolt 6a suspended from the tube support 5 and a nut 6b screwed into the bolt 6a.

【0011】前記ライナーチューブ1とプロセスチュー
ブ2との間の空間には石英チューブ9aが立設されてお
り、この石英チューブ9a内には、管内温度を測定する
ためのセンサー9が導入されている。このセンサー9は
ヒータ3の下部の開口3bを通り、ライナーチューブ1
とヒータ3との間の空間Kを経由して、ライナーチュー
ブ1とプロセスチューブ2との間の空間に導入されてい
る。前記開口3bは図示しないシールによって密閉され
ている。また、前記熱処理装置には、前記ライナーチュ
ーブ1とヒータ3との間の空間Kにエアーを供給するた
めのエアー供給部12が設けられている。このエアー供
給部12は半導体ウエハWの熱処理が完了した後に前記
空間Kにエアーを供給して、当該半導体ウエハWの冷却
を促進する。
A quartz tube 9a is provided upright in the space between the liner tube 1 and the process tube 2, and a sensor 9 for measuring the temperature in the tube is introduced into the quartz tube 9a. . The sensor 9 passes through the opening 3b below the heater 3 and passes through the liner tube 1
It is introduced into a space between the liner tube 1 and the process tube 2 via a space K between the heater and the heater 3. The opening 3b is closed by a seal (not shown). Further, the heat treatment apparatus is provided with an air supply unit 12 for supplying air to a space K between the liner tube 1 and the heater 3. The air supply unit 12 supplies air to the space K after the heat treatment of the semiconductor wafer W is completed, thereby promoting cooling of the semiconductor wafer W.

【0012】さらに、前記熱処理装置には、半導体ウエ
ハWをプロセスチューブ2の下方のロード室14から当
該プロセスチューブ2の内部に搬入したり、熱処理が完
了し所定温度まで冷却した半導体ウエハWを、プロセス
チューブ2の内部からロード室14に搬出したりするた
めの昇降装置13が設けられている。この昇降装置13
は半導体ウエハWを保持するためのウエハボート13a
を備えている。
Further, in the heat treatment apparatus, the semiconductor wafer W is loaded into the process tube 2 from the load chamber 14 below the process tube 2, or the semiconductor wafer W which has been subjected to the heat treatment and cooled to a predetermined temperature, An elevating device 13 for carrying out the process tube 2 to the load chamber 14 is provided. This lifting device 13
Is a wafer boat 13a for holding a semiconductor wafer W
It has.

【0013】以上の構成の熱処理装置において、前記チ
ューブサポート5とプロセスチューブ2のフランジ2c
との間の隙間は、環状のシールパッキン16によって封
止されている。このシールパッキン16は、例えばOリ
ングからなるものであり、前記フランジ2cの外周に沿
って設けられたシールリング17、フランジ2cの外周
面及びチューブサポート5によって弾性収縮された状態
で挟持されている。また、前記シールリング17は、ス
カート6によって支承されている。
In the heat treatment apparatus having the above structure, the tube support 5 and the flange 2c of the process tube 2 are provided.
Is sealed by an annular seal packing 16. The seal packing 16 is made of, for example, an O-ring, and is sandwiched by the seal ring 17 provided along the outer periphery of the flange 2c, the outer peripheral surface of the flange 2c, and the tube support 5 in an elastically contracted state. . Further, the seal ring 17 is supported by the skirt 6.

【0014】このように、前記チューブサポート5とフ
ランジ2cとの間の隙間をシールパッキン16によって
封止することにより、エアー供給部12からライナーチ
ューブ1とヒータ3との間の空間Kに供給されたエアー
が、チューブサポート5とフランジ2cとの間の隙間を
通してロード室14に漏洩するのを防止することができ
る。したがって、当該エアーに万一パーティクルが含ま
れていたとしても、ロード室14の半導体ウエハがパー
ティクルで汚染されるのを防止することができる。しか
も、前記シールパッキン16をシールリング17、フラ
ンジ2cの外周及びチューブサポート5の3点で保持し
ているので、熱の影響によるシールパッキン16の劣化
を防ぐとともに、当該シールパッキン16を確実に保持
することができ、チューブサポート5とフランジ2cと
の間からエアーがロード室14に漏洩するのを長期間に
亘って効果的に防止することができる。なお、前記シー
ルパッキン16は、プロセスチューブ2のフランジ2c
の上面とチューブサポート5との間に介在させてもよ
い。
As described above, the gap between the tube support 5 and the flange 2c is sealed by the seal packing 16, so that the air is supplied from the air supply unit 12 to the space K between the liner tube 1 and the heater 3. The leaked air can be prevented from leaking into the load chamber 14 through the gap between the tube support 5 and the flange 2c. Therefore, even if the air contains particles, it is possible to prevent the semiconductor wafer in the load chamber 14 from being contaminated by the particles. In addition, since the seal packing 16 is held at three points: the seal ring 17, the outer periphery of the flange 2c, and the tube support 5, deterioration of the seal packing 16 due to heat is prevented, and the seal packing 16 is securely held. Thus, it is possible to effectively prevent air from leaking into the load chamber 14 from between the tube support 5 and the flange 2c over a long period of time. The seal packing 16 is provided on the flange 2c of the process tube 2.
May be interposed between the upper surface of the tube support 5 and the tube support 5.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上のように、請求項1記載の半導体ウ
エハの熱処理装置によれば、シールパッキンによってチ
ューブサポートとフランジとの間の隙間を封止して、ラ
イナーチューブとヒータとの間の空間に導入されたエア
ーが、当該隙間を通してロード室に漏洩するのを防止し
ているので、当該エアーに万一パーティクルが含まれて
いたとしても、ロード室の半導体ウエハがパーティクル
で汚染されるのを防止することができる。
As described above, according to the heat treatment apparatus for a semiconductor wafer according to the first aspect, the gap between the tube support and the flange is sealed by the seal packing, and the space between the liner tube and the heater is sealed. Since the air introduced into the space is prevented from leaking into the load chamber through the gap, even if the air contains particles, the semiconductor wafer in the load chamber may be contaminated with the particles. Can be prevented.

【0016】また、請求項2記載の半導体ウエハの熱処
理装置によれば、シールパッキンをシールリング、フラ
ンジの外周及びチューブサポートの3点で保持している
ので、チューブサポートとフランジとの間からエアーが
ロード室に漏洩するのを長期間に亘って効果的に防止す
ることができ、ロード室の半導体ウエハがパーティクル
で汚染されるのをより確実に防止することができる。
According to the semiconductor wafer heat treatment apparatus of the present invention, since the seal packing is held at the three points of the seal ring, the outer periphery of the flange and the tube support, air is supplied from between the tube support and the flange. Can be effectively prevented from leaking into the load chamber for a long period of time, and the semiconductor wafer in the load chamber can be more reliably prevented from being contaminated with particles.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施形態に係る半導体ウエハの熱処
理装置を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor wafer heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of FIG.

【図3】従来の半導体ウエハの熱処理装置を示す概略断
面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a conventional semiconductor wafer heat treatment apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ライナーチューブ 2 プロセスチューブ 2c フランジ 3 ヒータ 4 ライナーサポート 5 チューブサポート 6 スカート 12 エアー供給部 16 シールパッキン 17 シールリング DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liner tube 2 Process tube 2c Flange 3 Heater 4 Liner support 5 Tube support 6 Skirt 12 Air supply part 16 Seal packing 17 Seal ring

フロントページの続き Fターム(参考) 4K061 AA01 BA11 CA21 DA05 FA07 HA09 4K063 AA05 AA12 AA15 BA12 CA03 DA22 5F045 AA20 AB32 BB15 EB10 EC02 EK06 EK24 GB05 Continued on the front page F term (reference) 4K061 AA01 BA11 CA21 DA05 FA07 HA09 4K063 AA05 AA12 AA15 BA12 CA03 DA22 5F045 AA20 AB32 BB15 EB10 EC02 EK06 EK24 GB05

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下端が開口したライナーチューブと、こラ
イナーチューブの内部に配置され、下端が開口している
とともに外周下部にフランジを有するプロセスチューブ
と、前記ライナーチューブの外周外方に配置したヒータ
と、前記ライナーチューブの下端部を保持する環状のラ
イナーサポートと、前記プロセスチューブのフランジの
上面と前記ライナーサポートとの間に介在したチューブ
サポートと、このチューブサポートとの間で前記フラン
ジを挟持するスカートとを備える半導体ウエハの熱処理
装置において、 前記チューブサポートとフランジとの間の隙間を、シー
ルパッキンによって封止していることを特徴とする半導
体ウエハの熱処理装置。
1. A liner tube having an open lower end, a process tube disposed inside the liner tube, having an open lower end and having a flange at the lower part of the outer periphery, and a heater arranged outside the outer periphery of the liner tube. An annular liner support for holding a lower end of the liner tube, a tube support interposed between the upper surface of the flange of the process tube and the liner support, and clamping the flange between the tube support and the liner support. A heat treatment apparatus for a semiconductor wafer comprising a skirt, wherein a gap between the tube support and the flange is sealed by a seal packing.
【請求項2】前記フランジの外周に沿ってシールリング
を設け、このシールリング、フランジの外周及びチュー
ブサポートによって前記シールパッキンを挟持している
請求項1記載の半導体ウエハの熱処理装置。
2. The semiconductor wafer heat treatment apparatus according to claim 1, wherein a seal ring is provided along an outer periphery of said flange, and said seal packing is held between said seal ring, an outer periphery of said flange and a tube support.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2016125626A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 株式会社日立国際電気 Substrate treatment apparatus and reaction tube

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