JP2002090732A - Method for manufacturing reflection plate for liquid crystal display panel - Google Patents

Method for manufacturing reflection plate for liquid crystal display panel

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JP2002090732A
JP2002090732A JP2000285349A JP2000285349A JP2002090732A JP 2002090732 A JP2002090732 A JP 2002090732A JP 2000285349 A JP2000285349 A JP 2000285349A JP 2000285349 A JP2000285349 A JP 2000285349A JP 2002090732 A JP2002090732 A JP 2002090732A
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JP
Japan
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liquid crystal
etching
display panel
crystal display
reflector
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JP2000285349A
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Inventor
Mikihiro Noma
幹弘 野間
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Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a reflection plate by etching a glass substrate with excellent controllability and reproducibility of projection and recession and at a low production cost. SOLUTION: The method for manufacturing the reflection plate for a liquid crystal display panel contains a first etching step to form a plurality of dotted recessing parts 2 with a first etching liquid containing hydrofluoric acid and an ammonium compound as main components and a second etching step to enlarge the diameter of the recessing parts 2 by etching using the recessing parts 2 as starting points for the etching with a second etching liquid containing hydrofluoric acid as a main component and containing no ammonium compound. Thereby the recessing parts 2 are formed with the excellent controllability. Also a photolithography step or a film forming step is not needed and a production cost is drastically reduced. Furthermore, because a resin layer is not used in the reflection plate, a heating process up to the softening temperature of the glass nearly 650 deg.C, is possible and restriction on heating for the succeeding processes is eliminated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、平面ディスプレイ
として用いられる反射型液晶表示パネル用反射板の製造
方法と、この反射板の構造とに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a reflector for a reflection type liquid crystal display panel used as a flat display, and a structure of the reflector.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話、携帯端末およびビデオカメラ
の登場によって、より軽く、かつより消費電力の少ない
液晶表示パネルが求められている。このようなニーズに
こたえるため、消費電力の大半を占めるバックライトを
必要とせず、外光を利用した反射型と呼ばれる液晶表示
パネルが開発されるようになってきた。このような反射
型の液晶表示パネルが、たとえば特開平6−18874
号公報、特開平7−333602号公報または特開平9
−258219号公報に開示される。
2. Description of the Related Art With the advent of portable telephones, portable terminals and video cameras, there has been a demand for lighter and lower power consumption liquid crystal display panels. In order to respond to such needs, a liquid crystal display panel called a reflection type using external light without using a backlight, which accounts for most of power consumption, has been developed. Such a reflection type liquid crystal display panel is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-18874.
JP, JP-A-7-333602 or JP-A-9-333
-258219.

【0003】これらの反射型液晶表示パネルは反射板を
有し、この反射板の形成方法としては、ガラス基板に感
光性樹脂を塗布した後にフォトリソ工程によって、凹凸
を作込み、その上に高反射率を有する金属膜を蒸着する
ことによって反射板を形成する方法と、ガラス基板その
ものにエッチングによって凹凸を形成し、その上に高い
反射率を有する金属膜を蒸着することによって反射板を
形成する方法との2通りがある。
[0003] These reflection type liquid crystal display panels have a reflection plate. As a method of forming the reflection plate, a photosensitive resin is applied to a glass substrate, and then a photolithography process is used to form irregularities, on which a high reflection is formed. Forming a reflector by depositing a metal film having a high reflectivity, and forming a reflector by forming irregularities on a glass substrate itself by etching and depositing a metal film having a high reflectivity on the glass substrate itself There are two ways.

【0004】前者の方法は、特開平9−258219号
公報、特開平9−292504号公報または特開平11
−326615号公報に開示される。この方法は、フォ
トリソ工程によって、樹脂に凹凸形状を作込むため、凹
凸形状を制御性良くかつ再現性良く作製できる。したが
って現在では、この方法が主流になっている。
The former method is disclosed in JP-A-9-258219, JP-A-9-292504 or JP-A-11-292504.
-326615. In this method, since the uneven shape is formed in the resin by the photolithography process, the uneven shape can be manufactured with good controllability and reproducibility. Therefore, this method is now mainstream.

【0005】これに対して後者の方法では、平坦なガラ
ス基板をエッチングすると表面が平坦なままエッチング
が進行すると言った問題がある。この問題を解決する方
法として、特公第2610698号公報に記載されてお
り、研磨材によって粗面化したガラス基板をエッチング
することによって凹凸を形成する方法や、あるいは、ガ
ラス基板の表面に多孔質の酸化物膜を成膜した後エッチ
ングすることによって、その孔の部分のみを、選択エッ
チングすることによって凹凸を形成する方法がある。
On the other hand, the latter method has a problem that when a flat glass substrate is etched, the etching proceeds while the surface is flat. As a method for solving this problem, Japanese Patent Publication No. 2610698 discloses a method of forming irregularities by etching a glass substrate roughened by an abrasive, or a method of forming a porous surface on a glass substrate. There is a method in which an oxide film is formed and then etched, and only the holes are selectively etched to form irregularities.

【0006】また一般的な方法として、フォトリソ工程
とエッチング工程とによって、ガラス基板に凹凸を形成
する方法があり、この方法は特開平8−313890号
公報に開示されている。
As a general method, there is a method of forming irregularities on a glass substrate by a photolithography step and an etching step, and this method is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-313890.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし前者のガラス基
板上の樹脂に凹凸を形成する方法では、樹脂上に反射金
属膜やカラーフィルタやITO電極などと言ったその他
の構造物を上に作込むときの加熱処理によって、樹脂の
凹凸形状に熱だれが発生することがある。また、逆にこ
の熱だれを防止しようとすると、それ以降の工程で加熱
プロセスの昇温制限が生じ、たとえば良質の反射膜やI
TO膜が成膜できないといった問題が生じている。また
この方式では一般に樹脂の塗布工程およびパターン形成
のためのフォトリソ工程を必要とするため、工程が複雑
になり、高価な生産設備を必要とし、生産コストの引き
下げが難しいという欠点がある。
However, in the former method of forming irregularities on a resin on a glass substrate, other structures such as a reflective metal film, a color filter, and an ITO electrode are formed on the resin. The heat treatment sometimes causes dripping of the unevenness of the resin. Conversely, if this heat drooping is to be prevented, the temperature of the heating process will be limited in the subsequent steps.
There is a problem that a TO film cannot be formed. In addition, since this method generally requires a resin coating step and a photolithography step for forming a pattern, the steps are complicated, expensive production equipment is required, and it is difficult to reduce the production cost.

【0008】また後者のガラス基板をエッチングする方
法でも、研磨材によって粗面化したガラス基板をエッチ
ングすることによって凹凸を形成する方法や、多孔質の
酸化物膜を成膜することによってマスクの代用とする方
法では、凹凸の制御性や再現性に欠けるという問題があ
る。またフォトリソ工程によってレジストによるマスク
パターンを作る場合では、凹凸形状の形成においては制
御性が確保されるが、やはり工程が複雑になり高価な生
産設備を必要とし、生産コストの上昇につながると言っ
た問題がある。
In the latter method of etching a glass substrate, a method of forming concavities and convexities by etching a glass substrate roughened by an abrasive or a method of forming a porous oxide film instead of a mask is used. However, there is a problem that the controllability and reproducibility of the unevenness are lacking. In addition, in the case of forming a mask pattern using a resist by a photolithography process, controllability is ensured in forming an uneven shape, but it also complicates the process, requires expensive production equipment, and leads to an increase in production cost. There's a problem.

【0009】したがって本発明の目的は、凹凸の制御性
および再現性よく、かつ安価な生産コストで、ガラス基
板をエッチングすることによって、反射板を製造するこ
とである。
Accordingly, an object of the present invention is to manufacture a reflection plate by etching a glass substrate with good controllability and reproducibility of unevenness and at a low production cost.

【0010】また本発明のさらに他の目的は、反射効率
の良い反射板を提供することである。
[0010] Still another object of the present invention is to provide a reflection plate having good reflection efficiency.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、一対の対向す
る基板間に液晶層を挟持した液晶表示パネルの背面側に
設けられ、表面に凹部が形成されたガラス基板とガラス
基板の表面に成膜された高い反射率を有する金属膜とを
含む液晶表示パネル用反射板の製造方法において、前記
ガラス基板の凹凸形状を、エッチング工程のみによって
形成することを特徴とする液晶表示パネル用反射板の製
造方法である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a glass substrate having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of opposed substrates and provided on the back side of the liquid crystal display panel. A method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel, comprising: a formed metal film having a high reflectivity, wherein the uneven shape of the glass substrate is formed only by an etching process. It is a manufacturing method of.

【0012】本発明に従えば、エッチング工程のみによ
って、ガラス基板の表面に複数の凹部を形成し、この複
数の凹部が形成されたガラス基板の表面に高い反射率を
有する金属膜を成膜することによって、反射板が製造さ
れる。したがって本発明の反射板は、先行技術のように
樹脂層を必要としないので、この反射板をガラスの軟化
点である約650℃程度にまで加熱することができる。
つまり、反射板上にカラーフィルタやITO電極などを
成膜するとき、加熱制限を受けることなく、ガラスの軟
化点程度にまで、昇温して加熱処理することができる。
According to the present invention, a plurality of recesses are formed on the surface of a glass substrate only by an etching process, and a metal film having a high reflectance is formed on the surface of the glass substrate on which the plurality of recesses are formed. Thereby, a reflection plate is manufactured. Therefore, the reflector of the present invention does not require a resin layer as in the prior art, and can be heated to about 650 ° C., which is the softening point of glass.
That is, when a color filter, an ITO electrode, or the like is formed on the reflection plate, the heating treatment can be performed by raising the temperature to about the softening point of the glass without being restricted by heating.

【0013】また本発明は、前記エッチング工程は、不
溶性の化合物を部分的に生成させるエッチング液によっ
て、前記ガラス基板の表面に複数の凹部を点在させて形
成する1次エッチング工程と、前記各凹部をエッチング
起点としてエッチングすることによって、凹部の直径を
拡大し、各凹部を相互に連続して隣接させる2次エッチ
ング工程とを含むことを特徴とする。
[0013] In the present invention, the etching step may include a primary etching step of forming a plurality of recesses on the surface of the glass substrate by using an etching solution for partially generating an insoluble compound; A second etching step of enlarging the diameter of the concave portion by performing etching using the concave portion as an etching starting point and making each concave portion continuously adjacent to each other.

【0014】本発明に従えば、まず1次エッチング工程
で、不溶性の化合物を部分的に生成させるエッチング液
によって、ガラス基板の表面に複数の凹部を、それぞれ
点在させて形成する。その後2次エッチング工程におい
て、1次エッチング工程で形成された各凹部をエッチン
グ起点として、エッチングすることによって、各凹部の
直径を拡大する。つまり、2回のエッチング工程によっ
て、ガラス基板の表面に反射板に必要とされる程度の直
径を有する凹部を、全面にわたって形成することができ
る。したがって先行技術のように、フォトリソグラフ工
程および樹脂成膜工程を必要としないので、反射板の製
造設備を非常に単純化することができ、製造コストを大
幅に抑えることができる。
According to the present invention, in the first etching step, a plurality of recesses are formed on the surface of the glass substrate by using an etching solution for partially generating an insoluble compound. Thereafter, in the secondary etching process, the diameter of each concave portion is enlarged by performing etching using each concave portion formed in the primary etching process as an etching starting point. That is, a recess having a diameter required for the reflector can be formed on the entire surface of the glass substrate by two etching steps. Therefore, unlike the prior art, a photolithography process and a resin film forming process are not required, so that the manufacturing equipment of the reflector can be greatly simplified, and the manufacturing cost can be greatly reduced.

【0015】また本発明は、前記1次エッチング工程の
エッチング液は、フッ酸とアンモニウム化合物とを含む
ことを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the etching solution in the first etching step contains hydrofluoric acid and an ammonium compound.

【0016】本発明に従えば、フッ酸とアンモニウム化
合物とによって、ガラス基板の表面に不溶性のケイフッ
化アンモニウム((NH42SiF6)が部分的に沈着
する。すると、このケイフッ化アンモニウム((N
42SiF6)の沈着部分では、エッチングの進行が
停止し、非沈着部分ではエッチングが進行するため、ガ
ラス基板の表面に複数の凹部が点在して形成される。し
たがって、2次エッチング工程でのエッチング起点とな
る複数の凹部を効率よく形成することができる。また、
エッチング液の濃度およびエッチング時間を制御するこ
とによって、凹部の個数と深さとを、精度良くかつ容易
に制御することができる。
According to the present invention, insoluble ammonium silicofluoride ((NH 4 ) 2 SiF 6 ) is partially deposited on the surface of the glass substrate by the hydrofluoric acid and the ammonium compound. Then, this ammonium fluorosilicate ((N
Since the progress of etching is stopped in the deposited portion of H 4 ) 2 SiF 6 ) and the etching proceeds in the non-deposited portion, a plurality of concave portions are formed on the surface of the glass substrate. Therefore, a plurality of concave portions serving as etching starting points in the secondary etching step can be efficiently formed. Also,
By controlling the concentration of the etchant and the etching time, the number and depth of the concave portions can be accurately and easily controlled.

【0017】また本発明は、前記1次エッチング工程の
エッチング液は、硫酸をさらに含むことを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the etching solution in the first etching step further contains sulfuric acid.

【0018】本発明に従えば、1次工程のエッチング液
は、フッ酸およびフッ化アンモニウムに加えて、さらに
硫酸を含むので、凹部の個数と深さとを精度良く、かつ
容易に制御することができる。
According to the present invention, since the etching solution in the first step further contains sulfuric acid in addition to hydrofluoric acid and ammonium fluoride, the number and depth of the concave portions can be controlled accurately and easily. it can.

【0019】また本発明は、前記アンモニウム化合物
は、フッ化アンモニウムであることを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the ammonium compound is ammonium fluoride.

【0020】本発明に従えば、1次エッチング液に、フ
ッ化アンモニウムを使用することによって、不溶性化合
物をガラス基板上に沈着させることができる。
According to the present invention, an insoluble compound can be deposited on a glass substrate by using ammonium fluoride as a primary etching solution.

【0021】また本発明は、前記アンモニウム化合物
は、硫酸アンモニウムであることを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the ammonium compound is ammonium sulfate.

【0022】本発明に従えば、1次エッチング液に、硫
酸アンモニウムを使用することによって、不溶性化合物
をガラス基板上に沈着させることができる。
According to the present invention, an insoluble compound can be deposited on a glass substrate by using ammonium sulfate as a primary etching solution.

【0023】また本発明は、前記アンモニウム化合物
は、硫酸水素アンモニウムであることを特徴とする。
Further, the invention is characterized in that the ammonium compound is ammonium hydrogen sulfate.

【0024】本発明に従えば、1次エッチング液に、硫
酸水素アンモニウムを使用することによって、不溶性化
合物をガラス基板上に沈着させることができる。
According to the present invention, an insoluble compound can be deposited on a glass substrate by using ammonium hydrogen sulfate as a primary etching solution.

【0025】また本発明は、前記アンモニウム化合物
は、塩化アンモニウムであることを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the ammonium compound is ammonium chloride.

【0026】本発明に従えば、1次エッチング液に、塩
化アンモニウムを使用することによって、不溶性化合物
をガラス基板上に沈着させることができる。
According to the present invention, an insoluble compound can be deposited on a glass substrate by using ammonium chloride as a primary etching solution.

【0027】また本発明は、前記2次エッチング工程の
エッチング液は、フッ酸を主成分とし、アンモニウム化
合物を含まないことを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the etching solution in the secondary etching step contains hydrofluoric acid as a main component and does not contain an ammonium compound.

【0028】本発明に従えば、2次エッチング工程のエ
ッチング液として、フッ酸を主成分とし、アンモニウム
化合物を含まない溶液を使用するので、2次エッチング
工程時に、不溶性化合物が生成しない。したがって、2
次エッチング工程では、1次エッチング工程で形成され
た凹部を起点として、ガラス基板をエッチングすること
になり、凹部の直径が拡大する。したがって、ガラス基
板の全面にわたって、各凹部を相互に隣接させることが
でき、さらに各凹部の凹曲面は連続する。
According to the present invention, since a solution containing hydrofluoric acid as a main component and not containing an ammonium compound is used as an etching solution in the secondary etching step, no insoluble compound is generated during the secondary etching step. Therefore, 2
In the next etching step, the glass substrate is etched starting from the concave portion formed in the primary etching step, and the diameter of the concave portion increases. Therefore, the concave portions can be adjacent to each other over the entire surface of the glass substrate, and the concave curved surface of each concave portion is continuous.

【0029】また本発明は、前記2次エッチング工程の
エッチング液は、フッ酸の希釈度が5倍以上20倍以下
の水溶液であることを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the etchant in the secondary etching step is an aqueous solution having a hydrofluoric acid dilution of 5 to 20 times.

【0030】本発明に従えば、2次エッチング工程のエ
ッチング液のフッ酸の希釈度を、5倍以上にすることに
よって、エッチング液の粘度が高いことに起因するエッ
チング液の流れムラを防止することができ、良好なエッ
チング仕上がりを得ることができる。さらにこのエッチ
ング液のフッ酸の希釈度を、20倍以下にすることによ
って、適切なエッチング速度を得ることができる。
According to the present invention, unevenness in the flow of the etchant due to the high viscosity of the etchant is prevented by making the degree of dilution of the hydrofluoric acid in the etchant in the secondary etching step five times or more. And a good etching finish can be obtained. Further, by setting the dilution of hydrofluoric acid in the etching solution to 20 times or less, an appropriate etching rate can be obtained.

【0031】また本発明は、複数の凹部が連続的に隣接
して形成されたガラス基板の表面に、高い反射率を有す
る金属膜を成膜することによって、相互に連続的に隣接
した複数の凹面鏡を形成することを特徴とする。
Further, according to the present invention, a metal film having a high reflectivity is formed on the surface of a glass substrate having a plurality of concave portions formed continuously adjacent to each other. It is characterized in that a concave mirror is formed.

【0032】本発明に従えば、反射板の表面には、複数
の微少な半球状の凹面鏡が相互に隣接した状態で形成さ
れている。したがって、各凹面鏡の中心点を除く全ての
面が、ガラス基板の表面に対して所定の角度を有する連
続した傾斜面となる。したがって、この反射板を備えた
液晶表示装置は、散乱性の高い表示を得ることができ、
鏡のように正像が映り込むことが防止され、肉眼で見る
と紙のような見栄えを得ることができる。
According to the present invention, a plurality of minute hemispherical concave mirrors are formed adjacent to each other on the surface of the reflector. Therefore, all surfaces except the central point of each concave mirror are continuous inclined surfaces having a predetermined angle with respect to the surface of the glass substrate. Therefore, the liquid crystal display device provided with this reflector can obtain a display with high scattering properties,
The reflection of a normal image like a mirror is prevented, and the appearance of paper can be obtained when viewed with the naked eye.

【0033】また本発明は、前記凹面鏡の直径の平均値
は、4μm以上10μm以下であることを特徴とする。
The present invention is also characterized in that the average value of the diameter of the concave mirror is 4 μm or more and 10 μm or less.

【0034】本発明に従えば、各凹面鏡の直径の平均値
が、4μm以上10μm以下に形成されることによっ
て、この反射板を備える液晶表示パネルのコントラスト
は10以上の実用的な値を取る。
According to the present invention, since the average value of the diameters of the concave mirrors is formed in the range of 4 μm or more and 10 μm or less, the contrast of the liquid crystal display panel provided with this reflector takes a practical value of 10 or more.

【0035】また本発明は、前記凹面鏡の直径の平均値
は、5μm以上7μm以下であることを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the average value of the diameter of the concave mirror is 5 μm or more and 7 μm or less.

【0036】本発明に従えば、各凹面鏡の直径の平均値
が、5μm以上7μm以下に形成されることによって、
この反射板を備える液晶表示パネルのコントラストは2
0以上となり、非常に鮮明な表示を得ることができる。
According to the present invention, the average value of the diameter of each concave mirror is formed to be 5 μm or more and 7 μm or less,
The contrast of a liquid crystal display panel having this reflector is 2
0 or more, and a very clear display can be obtained.

【0037】また本発明は、前記凹面鏡の直径の標準偏
差は、2μm以上4μm以下であることを特徴とする。
In the present invention, the standard deviation of the diameter of the concave mirror is 2 μm or more and 4 μm or less.

【0038】本発明に従えば、凹面鏡の直径の標準偏差
を2μm以上4μm以下にすることによって、反射率に
波長依存性の少ない反射板を得ることができる。したが
って、液晶表示パネルに入光する入射光に対して、反射
板によって反射された反射光が色付いて出射されること
が低減される。つまり、白色光源から白色光が入光され
たとき、入射光にできるだけ近い反射光を出射すること
ができ、白色に近い表示を得ることができる。
According to the present invention, by setting the standard deviation of the diameter of the concave mirror to 2 μm or more and 4 μm or less, it is possible to obtain a reflection plate having a small wavelength dependency in reflectance. Therefore, it is reduced that the reflected light reflected by the reflector is colored and emitted with respect to the incident light that enters the liquid crystal display panel. That is, when white light is input from a white light source, reflected light as close as possible to incident light can be emitted, and a display close to white can be obtained.

【0039】また本発明は、前記各凹面鏡の凹凸の段差
は、0.5μm以上1.2μm以下であることを特徴と
する。
Further, the present invention is characterized in that the step of unevenness of each concave mirror is 0.5 μm or more and 1.2 μm or less.

【0040】本発明に従えば、凹面鏡の凹凸段差を、
0.5μm以上1.2μm以下にすることによって、T
FT型液晶表示パネルに必要とされる限界の表面段差基
準値1.2μmを下回る範囲で、充分に実用的な反射率
を得ることができる。
According to the present invention, the concave and convex steps of the concave mirror are
By making the thickness 0.5 μm or more and 1.2 μm or less, T
A sufficiently practical reflectance can be obtained in a range below the limit surface step reference value of 1.2 μm required for the FT type liquid crystal display panel.

【0041】また本発明は、前記各凹面鏡の凹凸の段差
は、0.6μm以上0.9μm以下であることを特徴と
する。
Further, the present invention is characterized in that the step of the concave and convex of each concave mirror is 0.6 μm or more and 0.9 μm or less.

【0042】本発明に従えば、凹面鏡の凹凸段差を、
0.6μm以上0.9μm以下にすることによって、T
FT型液晶表示パネルよりもさらに平坦性が要求される
STN液晶表示パネルの限界表面段差基準値0.9μm
を下回る範囲で、最適反射率を得ることができる。
According to the present invention, the concave and convex steps of the concave mirror are
By making the thickness 0.6 μm or more and 0.9 μm or less, T
STN liquid crystal display panel which requires more flatness than FT type liquid crystal display panel.
Within this range, the optimum reflectance can be obtained.

【0043】また本発明は、前記各凹面鏡の曲率半径
は、5μm以上20μm以下であることを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that each of the concave mirrors has a radius of curvature of 5 μm or more and 20 μm or less.

【0044】本発明に従えば、凹面鏡の曲率半径を、5
μm以上20μm以下にすることによって、反射率が2
0%以上の実用的な値を得ることができる。
According to the present invention, the radius of curvature of the concave mirror is 5
By setting the thickness to not less than 20 μm and not more than 20 μm, the reflectance is 2
A practical value of 0% or more can be obtained.

【0045】また本発明は、前記各凹面鏡の曲率半径
は、7μm以上12μm以下であることを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that each of the concave mirrors has a radius of curvature of 7 μm or more and 12 μm or less.

【0046】本発明に従えば、凹面鏡の曲率半径を、5
μm以上20μm以下にすることによって、反射率が2
3.8%以上の反射効率の良い液晶表示パネルを得るこ
とができる。
According to the present invention, the radius of curvature of the concave mirror is 5
By setting the thickness to not less than μm and not more than 20 μm, the reflectance is 2
A liquid crystal display panel having a reflection efficiency of 3.8% or more can be obtained.

【0047】[0047]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の一形態の
液晶表示パネル用反射板の製造方法を説明するための図
である。図1に示すように、本発明の液晶表示パネル用
反射板の製造方法は、1次エッチング工程と2次エッチ
ング工程とを含む。
FIG. 1 is a view for explaining a method of manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel of the present invention includes a primary etching step and a secondary etching step.

【0048】1次エッチング工程は、第1エッチング液
によって、ガラス基板1の表面に不溶性化合物3を部分
的に生成させることによって、この不溶性化合物3をエ
ッチングマスクとして利用し、ガラス基板1の表面を選
択的にエッチングして、複数個の微小な凹部2を点在さ
せて形成する工程である。この第1エッチング液は、フ
ッ酸を主成分とし、フッ化アンモニウムを含む水溶液で
ある。また第1エッチング液は、上記フッ酸およびフッ
化アンモニウムに加えて、硫酸を含んでいても良い。
In the first etching step, the insoluble compound 3 is partially generated on the surface of the glass substrate 1 by the first etching solution, and the surface of the glass substrate 1 is used as an etching mask by using the insoluble compound 3 as an etching mask. This is a step of selectively etching to form a plurality of minute concave portions 2 interspersed. The first etching solution is an aqueous solution containing hydrofluoric acid as a main component and containing ammonium fluoride. The first etching solution may contain sulfuric acid in addition to the above-mentioned hydrofluoric acid and ammonium fluoride.

【0049】上記アンモニウム化合物として、フッ化ア
ンモニウム(NH4F)を用いた場合には、以下の化学
反応式(1)および(2)に示す反応によって、ガラス
の主成分であるSiO2とフッ化アンモニウムとが反応
し、不溶性のケイフッ化アンモニウム((NH42Si
6)から成る不溶性化合物3が、ガラス基板1の表面
に部分的に沈着する。すると、この不溶性化合物3の沈
着部分ではエッチングの進行が停止し、非沈着部分では
エッチングが進行するため、ガラス基板1表面に複数の
微小な凹部2が点在して形成される。この微小な凹部2
が2次エッチング工程でのエッチング起点となる。 SiO2+4HF→SiF4+2H2O …(1) 2NH4F+SiF4→(NH42SiF6) …(2)
When ammonium fluoride (NH 4 F) is used as the ammonium compound, SiO 2 , which is the main component of glass, and fluorine are reacted by the following chemical reaction formulas (1) and (2). Reacts with ammonium fluoride to form insoluble ammonium fluorosilicate ((NH 4 ) 2 Si)
The insoluble compound 3 composed of F 6 ) partially deposits on the surface of the glass substrate 1. Then, the progress of the etching is stopped in the portion where the insoluble compound 3 is deposited, and the etching proceeds in the portion where the insoluble compound 3 is not deposited, so that a plurality of minute concave portions 2 are formed on the surface of the glass substrate 1. This minute recess 2
Is an etching starting point in the secondary etching step. SiO 2 + 4HF → SiF 4 + 2H 2 O ... (1) 2NH 4 F + SiF 4 → (NH 4) 2 SiF 6) ... (2)

【0050】ここで第1エッチング液のフッ化アンモニ
ウム濃度を制御することによって、凹部2の形成密度、
換言すれば凹部2の点在度を制御することができる。ま
た、1次エッチング工程での、エッチング時間を制御す
ることによって、凹部2の溝深さを制御できる。
Here, by controlling the concentration of ammonium fluoride in the first etching solution, the formation density of the recess 2 can be improved.
In other words, the degree of scatter of the recess 2 can be controlled. Further, by controlling the etching time in the primary etching step, the groove depth of the concave portion 2 can be controlled.

【0051】また、アンモニウム化合物として、フッ化
アンモニウムに代えて、硫酸アンモニウム((NH42
SO4)、硫酸水素アンモニウム((NH4)HS
4)、塩化アンモニウム(NH4Cl)を用いても良
い。これによっても、上述の化学反応式(1)および
(2)と同様の化学反応式に従って、不溶性のケイフッ
化アンモニウムなどが形成され、ガラス基板1の表面に
沈着する。ただしこれらの化合物の場合は、フッ化アン
モニウムの場合より高い反応熱が発生するので、安全対
策と液温管理とが重要である。
As the ammonium compound, ammonium sulfate ((NH 4 ) 2
SO 4 ), ammonium hydrogen sulfate ((NH 4 ) HS
O 4 ) and ammonium chloride (NH 4 Cl) may be used. Also in this case, insoluble ammonium silicofluoride and the like are formed and deposited on the surface of the glass substrate 1 according to the chemical reaction formulas similar to the chemical reaction formulas (1) and (2) described above. However, in the case of these compounds, higher heat of reaction is generated than in the case of ammonium fluoride, so safety measures and liquid temperature control are important.

【0052】またその他のアンモニウム化合物、たとえ
ば硫化アンモニウム((NH42S)、臭化アンモニウ
ム(NH4Br)、ヨウ化アンモニウム(NH4I)で
も、不溶性化合物3を形成することは、原理的には可能
である。しかしながらこれらのアンモニウム化合物の場
合では、非常に高い反応熱や有毒ガスの発生の問題があ
るので実用性は薄い。
The formation of the insoluble compound 3 with other ammonium compounds, for example, ammonium sulfide ((NH 4 ) 2 S), ammonium bromide (NH 4 Br), and ammonium iodide (NH 4 I) is, in principle, essential. It is possible. However, in the case of these ammonium compounds, there is a problem of extremely high heat of reaction and generation of toxic gas, so that they are not practical.

【0053】2次エッチング工程は、1次エッチング工
程によって形成された各凹部2をエッチング起点とし
て、第2エッチング液によって単純エッチングを行い、
各凹部2の直径を拡大させるとともに、半球状の凹曲面
4を形成する工程である。上記第2エッチング液は、フ
ッ酸を主成分としアンモニウム化合物を含まない溶液で
ある。
In the secondary etching step, simple etching is performed with a second etching solution using each of the concave portions 2 formed in the primary etching step as an etching starting point.
This is a step of enlarging the diameter of each recess 2 and forming a hemispherical concave curved surface 4. The second etching solution is a solution containing hydrofluoric acid as a main component and not containing an ammonium compound.

【0054】上述したように2次エッチングでは、単純
にエッチングが進行するので、エッチング起点を中心と
して同心球状にエッチングが進行する。このとき、以下
の化学反応式(3)〜(5)に従って反応が進むため、
フッ化ケイ素(SiF4)は水と反応して水溶性のケイ
フッ化水素酸(H2SiF6)となりガラス基板1の表面
への不溶性化合物の沈着は起こらない。 SiO2+4HF→SiF4+2H2O …(3) 3SiF4+3H2O→H2SiO3+2H2SiF6 …(4) SiF4+2HF→H2SiF6 …(5)
As described above, in the secondary etching, since the etching simply proceeds, the etching progresses concentrically around the etching starting point. At this time, the reaction proceeds according to the following chemical reaction formulas (3) to (5),
The silicon fluoride (SiF 4 ) reacts with water to become water-soluble hydrosilicofluoric acid (H 2 SiF 6 ), and no insoluble compound is deposited on the surface of the glass substrate 1. SiO 2 + 4HF → SiF 4 + 2H 2 O ... (3) 3SiF 4 + 3H 2 O → H 2 SiO 3 + 2H 2 SiF 6 ... (4) SiF 4 + 2HF → H 2 SiF 6 ... (5)

【0055】この2次エッチング工程でのエッチング時
間を長くすれば、直径の大きな凹部2を得ることができ
る。つまり、エッチング時間を制御することによって、
各凹部2の直径を制御できる。この2次エッチング工程
では、各凹部2の凹曲面同士が連続して相互に隣接する
まで、エッチングを進行させることが好ましい。
If the etching time in the secondary etching step is lengthened, the concave portion 2 having a large diameter can be obtained. In other words, by controlling the etching time,
The diameter of each recess 2 can be controlled. In the secondary etching step, it is preferable to perform the etching until the concave curved surfaces of the concave portions 2 are continuously adjacent to each other.

【0056】またこの2次エッチング工程は、微小なエ
ッチング起点を中心に凹部2の直径を広げる意味合いを
もつ工程であるため、1次エッチング工程に比較する
と、エッチングむらが目立ち易い工程である。したがっ
て、この第2エッチング液の粘性が大きいと、第2エッ
チング液にガラス基板1を浸すとき、ガラス基板1を第
2エッチング液から引き上げるとき、あるいは2次エッ
チング中の第2エッチング液の攪拌不良などの原因によ
って、エッチング処理後のガラス基板1に流れムラが発
生し易い。したがって、良好なエッチング処理を行うた
めには第2エッチング液の粘度を下げる必要がある。
This secondary etching step is a step having the meaning of expanding the diameter of the concave portion 2 centering on a minute etching starting point, and is a step in which etching unevenness is more conspicuous as compared with the primary etching step. Therefore, if the viscosity of the second etching solution is large, when the glass substrate 1 is immersed in the second etching solution, when the glass substrate 1 is pulled up from the second etching solution, or when the second etching solution is not sufficiently stirred during the secondary etching. For such reasons, flow unevenness is likely to occur in the glass substrate 1 after the etching process. Therefore, it is necessary to lower the viscosity of the second etchant in order to perform a favorable etching process.

【0057】つまり流れムラ対策として、第2エッチン
グ液のフッ酸を、最低で5倍程度に希釈する必要があ
る。また実用的なエッチングレートを得るためには、第
2エッチング液のフッ酸の希釈度は20倍以下であるこ
とが必要である。したがって、両者のバランスを考慮す
ると、フッ酸を10倍程度に希釈した第2エッチング液
が最適であり、フッ酸の希釈度は5倍以上20倍以下が
好ましい。
That is, it is necessary to dilute the hydrofluoric acid of the second etching solution to at least about 5 times as a measure against the flow unevenness. Further, in order to obtain a practical etching rate, the diluting degree of hydrofluoric acid in the second etching solution needs to be 20 times or less. Therefore, in consideration of the balance between the two, the second etchant obtained by diluting hydrofluoric acid to about 10 times is optimal, and the dilution degree of hydrofluoric acid is preferably 5 times or more and 20 times or less.

【0058】上述のようにして、各凹部2の凹曲面4が
連続的に隣接したガラス基板1が形成される。このガラ
ス基板1の表面に、スパッタリングなどの成膜装置によ
って、下地膜、高反射率の金属膜および保護膜をそれぞ
れ成膜する。これによって、相互に隣接した凹面鏡が形
成された本発明の反射板が形成される。
As described above, the glass substrate 1 in which the concave curved surface 4 of each concave portion 2 is continuously adjacent is formed. On the surface of the glass substrate 1, a base film, a metal film with high reflectivity, and a protective film are formed by a film forming apparatus such as sputtering. This forms the reflector of the present invention in which concave mirrors adjacent to each other are formed.

【0059】図2は、上述した液晶表示パネル用反射板
の製造方法によって製造したガラス基板1の表面の電子
顕微鏡写真である。図2に示すように、上述の製造方法
によって製造された反射板は、各凹面鏡は相互に連続し
た凹曲面形状であり、複数の微小なこれらの凹面鏡が互
いに隣接した形状を有している。本発明の反射板は、上
記形状に形成されているので、凹面鏡の中心点部を除く
全ての面がガラス基板1の表面に対して、いくらかの角
度を持つ連続した傾斜面となる。したがって、この反射
板を備えた液晶表示パネルは、散乱性の高い表示を得る
ことができ、鏡のように正像が映込むことがなく、紙の
ような見栄えを得ることができる。
FIG. 2 is an electron micrograph of the surface of the glass substrate 1 manufactured by the above-described method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel. As shown in FIG. 2, in the reflector manufactured by the above-described manufacturing method, each concave mirror has a concave curved surface shape that is continuous with each other, and a plurality of minute concave mirrors have a shape adjacent to each other. Since the reflecting plate of the present invention is formed in the above shape, all surfaces except the central point of the concave mirror are continuous inclined surfaces having some angle with respect to the surface of the glass substrate 1. Therefore, the liquid crystal display panel provided with the reflection plate can obtain a display with high scattering properties and can obtain a paper-like appearance without reflecting a normal image like a mirror.

【0060】本件発明者は、上述の製造方法で作成され
た反射板を備えた液晶表示パネルの諸特性を検討した。
その結果を図3〜図6に示す。ここで液晶表示パネルの
反射率ならびに反射波長は、全球型拡散光反射率測定計
によって測定した拡散光源に対する反射率であり、標準
白色板BaSO4の反射率を100%として測定してい
る。
The inventor of the present invention has studied various characteristics of a liquid crystal display panel provided with a reflector manufactured by the above-described manufacturing method.
The results are shown in FIGS. Here, the reflectance and the reflection wavelength of the liquid crystal display panel are the reflectance for the diffused light source measured by a global diffused light reflectance meter, and are measured with the reflectance of the standard white plate BaSO 4 being 100%.

【0061】図3は、反射板の凹面鏡の直径の平均値を
変えたときのコントラストの変化を示したグラフであ
る。なお、コントラストは電圧OFF時(白表示)の反
射率を、電圧ON時(黒表示)の反射率で割ったもので
ある。
FIG. 3 is a graph showing a change in contrast when the average value of the diameter of the concave mirror of the reflector is changed. The contrast is obtained by dividing the reflectance when the voltage is OFF (white display) by the reflectance when the voltage is ON (black display).

【0062】図3に示すように、凹面鏡の凹凸段差(換
言すれば、凹部の中心と凸部の頂点との間の距離)が一
定の場合、凹面鏡の直径の平均値が小さくなりすぎる
と、傾斜角の大きな面の割合が増加し、光の散乱性が強
くなる。したがって、電圧ON時(黒表示)の反射率が
高くなって、コントラストの低下を招く。また逆に凹面
鏡の直径の平均値が大きくなりすぎると、傾斜角の小さ
な面の割合が増加し、光の散乱性が弱くなりすぎて、電
圧OFF時(白表示)の反射率が低くなる。したがっ
て、コントラストの低下を招いてしまう。
As shown in FIG. 3, when the concave-convex step of the concave mirror (in other words, the distance between the center of the concave portion and the vertex of the convex portion) is constant, if the average value of the diameter of the concave mirror becomes too small, The ratio of the surface having a large inclination angle increases, and the light scattering property increases. Therefore, when the voltage is ON (black display), the reflectance increases, and the contrast is reduced. Conversely, if the average value of the diameters of the concave mirrors is too large, the ratio of the surface having a small inclination angle increases, the light scattering property becomes too weak, and the reflectance when the voltage is OFF (white display) decreases. Therefore, the contrast is reduced.

【0063】また図3から、反射板に形成された凹面鏡
の直径の平均値が4μm以上10μm以下であれば、コ
ントラストが10以上の実用的な値を得ることができ
る。また、凹面鏡の直径の平均値が5μm以上7μm以
下であれば、コントラストが20以上ある非常に鮮明な
表示を得ることができる。したがって、本実施形態の反
射板では、凹面鏡の直径の平均値を、4μm以上10μ
m以下にすることが好ましい。さらに好ましくは、5μ
m以上7μm以下にすればよい。
Further, from FIG. 3, if the average value of the diameter of the concave mirror formed on the reflection plate is 4 μm or more and 10 μm or less, a practical value with a contrast of 10 or more can be obtained. If the average value of the diameter of the concave mirror is 5 μm or more and 7 μm or less, a very clear display having a contrast of 20 or more can be obtained. Therefore, in the reflector of the present embodiment, the average value of the diameter of the concave mirror is set to 4 μm to 10 μm.
m or less. More preferably, 5μ
m and 7 μm or less.

【0064】図4は、反射板の凹面鏡の直径の平均値を
最適値である6μmにしたときの直径の標準偏差と反射
波長との関係を示すグラフである。各波長は550nm
の反射波長強度を1として規格化してある。ここで直径
の標準偏差が2μmであるということは、すなわち平均
直径が6μmのとき、直径の最大値は8μmで最小値は
4μmであることを表す。なお、図4のラインL1では
標準偏差が0.5μmであり、ラインL2では標準偏差
は1μmであり、ラインL3では標準偏差は2μmであ
り、ラインL4では標準偏差は4μmである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the standard deviation of the diameter and the reflection wavelength when the average value of the diameter of the concave mirror of the reflector is set to the optimum value of 6 μm. Each wavelength is 550nm
Are standardized assuming that the reflection wavelength intensity is 1. Here, the standard deviation of the diameter being 2 μm means that when the average diameter is 6 μm, the maximum value of the diameter is 8 μm and the minimum value is 4 μm. In FIG. 4, the standard deviation is 0.5 μm in the line L1, the standard deviation is 1 μm in the line L2, the standard deviation is 2 μm in the line L3, and the standard deviation is 4 μm in the line L4.

【0065】図4に示すように、直径の標準偏差が小さ
くなればなるほど、青色領域の波長に対する反射率が下
がる傾向がある。つまり、反射率に波長依存性が生じる
と、入射光に対して反射光が若干赤っぽく色着くことに
なる。これを防止するために550nmの反射波長に対
して各波長の反射率を90以上110%以内に納めるた
めには凹面鏡の直径の標準偏差が2μm以上である必要
がある。また直径の平均値が6μmの場合、直径の標準
偏差が4μm以上となるように制御することは技術的に
困難である。よって直径の標準偏差が2μm以上4μm
以下となるように凹面鏡を形成することによって、反射
率に波長依存性の少ない反射板を得ることができる。つ
まり、入射光に対する反射光の色着きを抑え、白色光源
に対してより白色に近い表示を得ることができる。
As shown in FIG. 4, the smaller the standard deviation of the diameter, the lower the reflectance with respect to the wavelength in the blue region. In other words, if the reflectance has wavelength dependence, the reflected light will be slightly reddish with respect to the incident light. In order to prevent this, the standard deviation of the diameter of the concave mirror needs to be 2 μm or more in order to keep the reflectance of each wavelength within the range of 90 to 110% with respect to the reflection wavelength of 550 nm. When the average diameter is 6 μm, it is technically difficult to control the standard deviation of the diameter to be 4 μm or more. Therefore, the standard deviation of the diameter is 2 μm or more and 4 μm
By forming the concave mirror as described below, it is possible to obtain a reflection plate having a small wavelength dependency in reflectance. That is, coloring of the reflected light with respect to the incident light can be suppressed, and a display closer to white than a white light source can be obtained.

【0066】図5、は反射板の凹面鏡の直径の平均値を
最適値である6μmとし、直径の標準偏差を3μmとし
たとき、凹凸段差をそれぞれ変化させたときの電圧OF
F時(白表示)の反射率を示したグラフである。
FIG. 5 shows the voltage OF when the average value of the diameter of the concave mirror of the reflector is 6 μm, which is the optimum value, the standard deviation of the diameter is 3 μm, and the unevenness step is changed.
It is the graph which showed the reflectance at the time of F (white display).

【0067】図5に示すように、凹凸段差が0.5μm
以上であるとき、反射率は実用的な反射率20%以上の
値を得ることができる。また凹凸段差が、0.6μm以
上1.3μm以下であるとき、最適反射率25%に対し
て95%以上の反射率、すなわち23.8%以上の反射
率を得ることができる。
As shown in FIG. 5, the uneven step is 0.5 μm.
When the value is more than the above, a practical reflectance of 20% or more can be obtained. When the unevenness is 0.6 μm or more and 1.3 μm or less, a reflectance of 95% or more with respect to the optimum reflectance of 25%, that is, a reflectance of 23.8% or more can be obtained.

【0068】しかしながら、この凹凸段差が大きすぎる
と、反射板上にカラーフィルタやオーバコート材を塗布
形成することによって、凹凸段差を解消しようと努めた
としても、この凹凸段差の形状がオーバコート上にまで
作用する。これによって液晶の配向に問題が生じる。
However, if the unevenness is too large, the shape of the unevenness can be reduced even if an attempt is made to eliminate the unevenness by applying a color filter or an overcoat material on the reflector. Works up to. This causes a problem in the alignment of the liquid crystal.

【0069】またTFT液晶表示パネルやMIM液晶表
示パネルのアクティブ駆動液晶表示パネルでは、比較的
段差の限界値が緩く、凹凸段差は1.2μm以下である
ことが求められる。しかしSTN液晶パネルではアクテ
ィブ駆動液晶表示パネルよりも、さらに段差の限界値が
厳しく凹凸段差が0.9μm以下であることが求められ
る。
In an active drive liquid crystal display panel such as a TFT liquid crystal display panel or an MIM liquid crystal display panel, it is required that the limit value of the step is relatively loose and the step of the unevenness is 1.2 μm or less. However, in the STN liquid crystal panel, the limit value of the step is more severe than that of the active drive liquid crystal display panel, and the uneven step is required to be 0.9 μm or less.

【0070】したがって、凹面鏡の凹凸段差を0.5μ
m以上1.2μm以下に制御することが好ましい。これ
によって、TFT液晶表示装置などに要求される限界の
表面段差基準値1.2μmを下回る範囲で、充分実用的
な反射率を得ることができる。また凹面鏡の凹凸段差
を、0.6μm以上0.9μm以下に制御することが、
さらに好ましい。これによって、平坦性が求められるS
TN液晶表示装置などに要求される限界表面段差基準値
0.9μmを下回る範囲で、最適な反射率を得ることが
できる。
Therefore, the unevenness of the concave mirror is set to 0.5 μm.
It is preferable to control the thickness to not less than m and not more than 1.2 μm. As a result, a sufficiently practical reflectance can be obtained in a range below the limit surface step reference value of 1.2 μm required for a TFT liquid crystal display device or the like. In addition, controlling the concave-convex step of the concave mirror to be 0.6 μm or more and 0.9 μm or less,
More preferred. Thereby, the flatness is required for S
An optimum reflectance can be obtained in a range below the critical surface step reference value 0.9 μm required for a TN liquid crystal display device or the like.

【0071】図6は、反射板の凹面鏡の直径の平均値を
最適値である6μmとし、直径の標準偏差を3μmと
し、凹凸段差を0.8μmとしたとき、凹面鏡の曲率半
径をそれぞれ変化させたときの電圧OFF時(白表示)
の反射率を示したものである。
FIG. 6 shows that when the average value of the diameter of the concave mirror of the reflecting plate is 6 μm which is the optimum value, the standard deviation of the diameter is 3 μm, and the unevenness step is 0.8 μm, the radius of curvature of the concave mirror is changed. When the voltage is OFF (displayed in white)
FIG.

【0072】図6に示すように、曲率半径が大きすぎる
と、凹面鏡の端部の傾斜角が大きくなりすぎる。この傾
斜角が21°を超えると、垂直入射光であっても、光が
ガラス基板1の内部に閉じ込められてしまい、液晶表示
パネルの外部に出射されない。また逆に傾斜角が小さす
ぎると鏡面反射に近くなって、正反射光以外は反射しな
くなり、拡散光源に対する反射率は下がってしまう。
As shown in FIG. 6, when the radius of curvature is too large, the inclination angle of the end of the concave mirror becomes too large. If the angle of inclination exceeds 21 °, the light is confined inside the glass substrate 1 even if it is vertically incident light, and is not emitted outside the liquid crystal display panel. Conversely, if the inclination angle is too small, it will be close to specular reflection and will not reflect anything other than specularly reflected light, and the reflectance for the diffuse light source will be reduced.

【0073】したがって図6に示す実験結果から、この
凹面鏡の曲率半径を5μm以上20μm以下に制御する
ことによって、液晶表示パネルは、反射率が20%以上
の実用的な値を得る。さらに好ましくは曲率半径が7μ
m以上12μm以下に制御することによって、最適最大
反射率25%に対してその95%以上の反射率、すなわ
ち23.8%以上を有する反射効率の良い液晶パネルを
得ることができる。
Therefore, from the experimental results shown in FIG. 6, by controlling the radius of curvature of the concave mirror to be 5 μm or more and 20 μm or less, the liquid crystal display panel obtains a practical value with a reflectance of 20% or more. More preferably, the radius of curvature is 7μ.
By controlling it to m or more and 12 μm or less, it is possible to obtain a liquid crystal panel having a reflection efficiency of 95% or more, that is, 23.8% or more with respect to the optimum maximum reflectance of 25% and having a high reflection efficiency.

【0074】(実施例1)図7は、本発明の液晶表示パ
ネル用反射板の製造方法によって作製した反射板130
を備えたSTN(Super Twisted Nematic)液晶表示パ
ネル100の断面図である。STN液晶表示パネル10
0は、ストライプ状のITO走査電極109および反射
板130を有する第1基板101とストライプ状のIT
O信号電極114を有する第2基板111とを貼合わ
せ、その間隙に液晶121で満たした構成である。また
ITO信号電極114とITO走査電極109は互いに
直交し、その交点が1画素を形成する。
Example 1 FIG. 7 shows a reflector 130 manufactured by the method of manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to the present invention.
1 is a cross-sectional view of an STN (Super Twisted Nematic) liquid crystal display panel 100 provided with: STN liquid crystal display panel 10
0 denotes a first substrate 101 having a stripe-shaped ITO scanning electrode 109 and a reflector 130 and a stripe-shaped IT
In this configuration, a second substrate 111 having an O signal electrode 114 is attached, and a gap is filled with a liquid crystal 121. Further, the ITO signal electrode 114 and the ITO scanning electrode 109 are orthogonal to each other, and their intersections form one pixel.

【0075】まず、第1基板101の作成方法について
説明する。まず、エッチング起点となる多数の微小な凹
部2を点在させて形成する1次エッチング工程をガラス
基板1に対して行う。この1次エッチング工程は、表面
をきれいに洗浄したガラス基板1をそのまま、重量比が
フッ酸:フッ化アンモニウム:水=5:1:10、また
はフッ酸:硫酸:フッ化アンモニウム:水=5:1:
1:10で混合してある液温40℃の第1エッチング液
によって、約100秒間エッチングを行う。すると、ガ
ラス基板1の表面に多数の凹部2が点在して形成され
る。
First, a method for forming the first substrate 101 will be described. First, the glass substrate 1 is subjected to a primary etching step in which a large number of minute concave portions 2 serving as an etching starting point are formed. In this first etching step, the weight ratio of hydrofluoric acid: ammonium fluoride: water = 5: 1: 10 or hydrofluoric acid: sulfuric acid: ammonium fluoride: water = 5: 1:
Etching is performed for about 100 seconds with a first etching solution having a liquid temperature of 40 ° C. mixed at 1:10. Then, a large number of concave portions 2 are formed on the surface of the glass substrate 1 in a dotted manner.

【0076】その後、純水による洗浄および洗浄用ブラ
シを用いてブラシ洗浄を行って、ガラス基板1表面の不
溶性のケイフッ化アンモニウムを除去する。なお、この
時点でエッチング起点である凹部2の個数を増やしたけ
れば、第1エッチング液のフッ化アンモニウム濃度を低
くすればよい。また凹面鏡の凹凸段差を大きくするため
には、エッチング時間を長くしてエッチング起点の深さ
を深くしておくことが好ましい。
Thereafter, cleaning with pure water and brush cleaning using a cleaning brush are performed to remove insoluble ammonium fluorosilicate on the surface of the glass substrate 1. At this point, if it is desired to increase the number of the concave portions 2 which are the starting points of the etching, the concentration of ammonium fluoride in the first etching solution may be reduced. Further, in order to increase the unevenness of the concave mirror, it is preferable to increase the etching time and increase the depth of the etching starting point.

【0077】またこの1次エッチング工程を、フッ化ア
ンモニウム濃度を変えた第1エッチング液によって複数
回行うことによって、種々の大きさ、密度、深さを有す
るエッチング起点を作込むことができ、結果的に凹面鏡
の直径の標準偏差を大きくすることができる。
By performing this primary etching step a plurality of times with a first etching solution having a different ammonium fluoride concentration, etching starting points having various sizes, densities and depths can be formed. Thus, the standard deviation of the diameter of the concave mirror can be increased.

【0078】こうして得られたガラス基板1に凹部2の
直径を拡大する2次エッチング工程を行う。この2次エ
ッチング工程では、たとえば重量比がフッ酸:水=1:
10の、フッ化アンモニウムを含まない液温30℃の希
釈フッ酸である第2エッチング液を用いて、約15分エ
ッチングする。すると、1次エッチング工程で作込んだ
エッチング起点を中心とし、凹部2に半球状の凹曲面4
が形成される。このとき、エッチング時間が長ければ長
いほど、凹部2の直径は大きくなる。この工程は単純エ
ッチングであるため、エッチング起点を中心にエッチン
グが同心球状に進むのが特徴であり、滑らかな連続した
傾斜面が得られる。その後、純水による洗浄およびブラ
シによる洗浄をおこなって、各凹部2が相互に隣接し
て、連続した凹曲面を有するガラス基板1を得る。なお
片面加工のみ施したい場合は、エッチング処理前に片面
に耐酸性のある粘着フィルムを貼付けることによって実
現できる。
The glass substrate 1 thus obtained is subjected to a secondary etching step for enlarging the diameter of the recess 2. In this secondary etching step, for example, the weight ratio of hydrofluoric acid: water = 1: 1
Etching is performed for about 15 minutes using the second etching solution 10 which is diluted hydrofluoric acid at a solution temperature of 30 ° C. which does not contain ammonium fluoride. Then, a hemispherical concave curved surface 4 is formed in the concave portion 2 around the etching starting point formed in the primary etching step.
Is formed. At this time, the longer the etching time, the larger the diameter of the concave portion 2. Since this step is simple etching, the etching is characterized by the fact that the etching progresses concentrically around the etching starting point, and a smooth continuous inclined surface is obtained. Thereafter, cleaning with pure water and cleaning with a brush are performed to obtain a glass substrate 1 having a continuous concave curved surface in which the concave portions 2 are adjacent to each other. If only one side processing is desired, it can be realized by attaching an acid-resistant adhesive film to one side before the etching treatment.

【0079】表1に、1次エッチングにフッ酸:フッ化
アンモニウム:水=5:1:10から成る第1エッチン
グ液を使用し、2次エッチングにフッ酸:水=1:10
から成るの2次エッチング液を使用し、エッチング条件
をそれぞれ変えたときに得られた凹曲面4の形状の例を
示す。表1に示すように、1次エッチング工程のエッチ
ング時間を長くすると凹凸段差が大きくなり、2次エッ
チング工程のエッチング時間を長くすると、直径の平均
値が大きくなる。
Table 1 shows that the first etching solution consisting of hydrofluoric acid: ammonium fluoride: water = 5: 1: 10 was used for the primary etching, and the hydrofluoric acid: water = 1: 10 was used for the secondary etching.
An example of the shape of the concave curved surface 4 obtained when the etching conditions were changed using a secondary etching solution consisting of As shown in Table 1, when the etching time in the primary etching step is increased, the unevenness level increases, and when the etching time in the secondary etching step is increased, the average value of the diameter increases.

【0080】[0080]

【表1】 [Table 1]

【0081】上述のようにして、複数の連続した凹部2
が形成されたガラス基板1にスパッタリング等の成膜装
置にてSiO2から成る下地膜103、AlやAgなど
の高い反射率を有する金属膜104およびSiO2から
成る保護膜105を、それぞれ、膜厚30nm、200
nmおよび100nmに成膜することによって、本発明
の反射板130が形成される。その後反射板130上
に、膜厚1〜1.5μmのカラーフィルタ106を各画
素にあわせて形成する。
As described above, a plurality of continuous recesses 2
A base film 103 made of SiO 2 , a metal film 104 having a high reflectivity such as Al or Ag, and a protective film 105 made of SiO 2 are formed on the glass substrate 1 on which is formed by a film forming apparatus such as sputtering. 30 nm thick, 200
The reflector 130 of the present invention is formed by forming a film with a thickness of 100 nm and a thickness of 100 nm. Thereafter, a color filter 106 having a thickness of 1 to 1.5 μm is formed on the reflection plate 130 in accordance with each pixel.

【0082】さらにオーバコート層107を膜厚2μm
に塗布し、できるだけ反射板130の表面の凹凸段差を
無くした後、さらにSiO2から成る下地膜108およ
びITOから成る透明電極109をそれぞれ膜厚30n
mおよび150nmに成膜し、透明電極109をパター
ニングして第1基板101を得る。本発明では反射板1
30の凹凸形成に樹脂を使用していないため、このカラ
ーフィルタ106およびオーバコート107の形成プロ
セスや透明電極109の成膜プロセスが、先行技術のよ
うに樹脂の耐熱温度に制限されることない。したがっ
て、それらの材料の限界温度での焼成および高温成膜が
可能である。
Further, the overcoat layer 107 was formed to a thickness of 2 μm.
After the unevenness of the surface of the reflection plate 130 is eliminated as much as possible, a base film 108 made of SiO 2 and a transparent electrode 109 made of ITO are further formed to a film thickness of 30 n.
The first substrate 101 is obtained by forming a film with a thickness of m and 150 nm and patterning the transparent electrode 109. In the present invention, the reflector 1
Since no resin is used for forming the irregularities of the 30, the process of forming the color filter 106 and the overcoat 107 and the process of forming the transparent electrode 109 are not limited to the heat-resistant temperature of the resin as in the prior art. Therefore, sintering of these materials at the limit temperature and high-temperature film formation are possible.

【0083】また対向する第2基板111はガラス基板
112にSiO2から成る下地膜113およびITOか
ら成る透明電極114をスパッタリング等の成膜装置に
てそれぞれ膜厚30nmおよび150nmに成膜した
後、透明電極114をパターニングして得られる。こう
して得られた第1基板101および第2基板111にポ
リイミド膜110および115を塗布し、ラビング処理
した後に両者を貼合わせ、その間隙に液晶121を注入
して、STN液晶表示パネルを得る。この反射型STN
液晶表示パネルはいわゆるノーマリホワイト表示方式で
ある。この液晶表示パネル用反射板の製造方法によっ
て、反射率および散乱性の高い反射板を形成でき、紙の
ような見栄えを与える反射型液晶表示パネルを得ること
ができる。
On the opposing second substrate 111, a base film 113 made of SiO 2 and a transparent electrode 114 made of ITO are formed on a glass substrate 112 to a thickness of 30 nm and 150 nm by a film forming apparatus such as sputtering. It is obtained by patterning the transparent electrode 114. The thus obtained first substrate 101 and second substrate 111 are coated with polyimide films 110 and 115, rubbed, bonded together, and injected with a liquid crystal 121 into the gap to obtain an STN liquid crystal display panel. This reflective STN
The liquid crystal display panel is of a so-called normally white display type. According to this method of manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel, a reflector having a high reflectance and a high scattering property can be formed, and a reflective liquid crystal display panel giving a paper-like appearance can be obtained.

【0084】(実施例2)図8は、薄膜トランジスタま
たは薄膜ダイオードから成るアクティブ素子216を各
画素に組み込んだアクティブ駆動液晶表示パネル20
0、いわゆるTFT(Thin Film Transistor)液晶パネ
ルやMIM(Metal Insulator Metal)液晶パネルに、本
発明の製造方法によって作製した反射板230を備えた
場合の断面図である。
(Embodiment 2) FIG. 8 shows an active drive liquid crystal display panel 20 in which an active element 216 composed of a thin film transistor or a thin film diode is incorporated in each pixel.
0 is a cross-sectional view when a so-called TFT (Thin Film Transistor) liquid crystal panel or MIM (Metal Insulator Metal) liquid crystal panel is provided with a reflector 230 manufactured by the manufacturing method of the present invention.

【0085】液晶表示パネル200は、マトリクス状に
配列された画素電極214と、アクティブ素子216と
を有するアクティブマトリクス基板211と、ストライ
プ状のITO電極209および反射板230を有する対
向基板201とを貼合わせ、その間隙を液晶221で満
たした構成である。
The liquid crystal display panel 200 has an active matrix substrate 211 having pixel electrodes 214 and active elements 216 arranged in a matrix, and a counter substrate 201 having stripe-shaped ITO electrodes 209 and a reflector 230. In addition, the gap is filled with the liquid crystal 221.

【0086】まず、反射板230の形成方法について述
べる。まず、エッチング起点となる多数の凹部2を形成
する1次エッチング工程をガラス基板1に対して行う。
表面をきれいに洗浄したガラス基板1をそのまま、重量
比がフッ酸:硫酸:硫酸アンモニウム:水=5:1:
1:10で混合してある液温40℃の1次エッチング液
を用いて、約140秒間エッチングする。その後、純水
による洗浄および洗浄用ブラシによるブラシ洗浄を行っ
て、表面の不溶性のケイフッ化アンモニウムなどを除去
する。
First, a method for forming the reflection plate 230 will be described. First, the glass substrate 1 is subjected to a primary etching step of forming a large number of recesses 2 serving as etching starting points.
The glass substrate 1 whose surface has been cleanly cleaned is left as it is, and the weight ratio is hydrofluoric acid: sulfuric acid: ammonium sulfate: water = 5: 1:
Etching is performed for about 140 seconds using a primary etching solution having a liquid temperature of 40 ° C. mixed at 1:10. Thereafter, cleaning with pure water and brush cleaning with a cleaning brush are performed to remove insoluble ammonium silicofluoride on the surface.

【0087】この時点で、エッチング起点の個数を増や
すためには、硫酸アンモニウム濃度を低くすればよい。
また凹面鏡の凹凸段差を大きくするためには、エッチン
グ時間を長くして、エッチング起点の深さを深くしてお
くことが好ましい。またこの1次エッチング工程を、硫
酸アンモニウム濃度を変えた第1エッチング液によって
複数回繰返すことによって、さまざまな大きさ、密度、
深さを有するエッチング起点をガラス基板1に作込むこ
とができ、結果的に凹面鏡の直径の標準偏差を大きくす
ることができる。
At this point, in order to increase the number of etching starting points, the concentration of ammonium sulfate may be lowered.
Further, in order to increase the unevenness of the concave mirror, it is preferable to lengthen the etching time and increase the depth of the etching starting point. Also, by repeating this primary etching step a plurality of times with a first etching solution having a different ammonium sulfate concentration, various sizes, densities,
An etching starting point having a depth can be formed on the glass substrate 1, and as a result, the standard deviation of the diameter of the concave mirror can be increased.

【0088】上述のようにして点在して配置される複数
の微小な凹部2が形成されたガラス基板1に、凹面鏡の
直径を決める2次エッチング工程を行う。たとえば重量
比がフッ酸:水=1:10で、硫酸アンモニウムを含ま
ない液温30℃の希釈フッ酸から成る第2エッチング液
によって、約15分間エッチングする。すると、1次エ
ッチング工程で作込んだエッチング起点を中心にエッチ
ングが進み、凹部2は半球状の凹曲面形状に形成され
る。エッチング時間を長くすれば、凹部2の直径は大き
くなる。この工程は単純エッチングのためエッチング起
点を中心にエッチングが同心球状に進むのが特徴であ
り、凹部2には滑らかな連続した傾斜面が得られる。そ
の後、純水洗浄およびブラシ洗浄を行って、各凹部2の
凹曲面が連続的に隣接したガラス基板1を得る。なお片
面加工のみ施したい場合は、エッチング処理前に片面に
耐酸性のある粘着フィルムを貼付けることによって実現
できる。
A secondary etching step for determining the diameter of the concave mirror is performed on the glass substrate 1 on which the plurality of minute concave portions 2 which are scattered as described above are formed. For example, etching is performed for about 15 minutes using a second etching solution composed of diluted hydrofluoric acid having a weight ratio of hydrofluoric acid: water = 1: 10 and not containing ammonium sulfate and having a liquid temperature of 30 ° C. Then, the etching proceeds around the etching starting point created in the primary etching step, and the concave portion 2 is formed in a hemispherical concave curved surface shape. The longer the etching time, the larger the diameter of the recess 2. This process is characterized in that the etching proceeds concentrically around the starting point of etching for simple etching, and a smooth continuous inclined surface is obtained in the concave portion 2. Thereafter, pure glass cleaning and brush cleaning are performed to obtain the glass substrate 1 in which the concave curved surfaces of the concave portions 2 are continuously adjacent. If only one side processing is desired, it can be realized by attaching an acid-resistant adhesive film to one side before the etching treatment.

【0089】表2に、第1エッチング液に、フッ酸:硫
酸:硫酸アンモニウム:水=5:1:1:10から成る
エッチング液を使用し、第2エッチング液に、フッ酸:
水=1:10から成るエッチング液を用いて、エッチン
グ条件をそれぞれ変化させたときに得られた凹曲面の形
状の例を示す。表2に示すように、1次エッチング工程
のエッチング時間を長くすると凹凸段差が大きくなり、
2次エッチング工程のエッチング時間を長くすると平均
直径が大きくなる。またその他のアンモニウム化合物と
して、硫酸アンモニウムと同様に硫酸アンモニウム、硫
酸水素アンモニウム、塩化アンモニウムを用いても良
い。
Table 2 shows that an etching solution composed of hydrofluoric acid: sulfuric acid: ammonium sulfate: water = 5: 1: 1: 10 was used as the first etching solution, and a hydrofluoric acid:
An example of the shape of the concave curved surface obtained when the etching conditions were respectively changed using an etching solution consisting of water = 1: 10 will be described. As shown in Table 2, when the etching time in the primary etching step is increased, the unevenness level increases,
As the etching time in the secondary etching step is increased, the average diameter increases. Further, as other ammonium compounds, ammonium sulfate, ammonium hydrogen sulfate, and ammonium chloride may be used as in the case of ammonium sulfate.

【0090】[0090]

【表2】 [Table 2]

【0091】このガラス基板1にスパッタリング等の成
膜装置にてSiO2から成る下地膜203、AlやAg
等の高反射率金属膜204およびSiO2から成る保護
膜205をそれぞれ、膜厚30nm、200nmおよび
100nmに成膜することによって、本発明の反射板2
30を得る。その後、膜厚1〜1.5μmのカラーフィ
ルタ206を各画素電極214にあわせて形成する。さ
らにオーバコート207を膜厚2μmに塗布して、でき
るだけ表面の凹凸段差を無くした後、さらにSiO2
ら成る下地膜208およびITOから成る透明電極20
9を、それぞれ膜厚30nmおよび150nmに成膜
し、透明電極209をパターニングして基板対向基板2
01を得る。
An under film 203 made of SiO 2 , Al or Ag is formed on the glass substrate 1 by a film forming apparatus such as sputtering.
The reflective plate 2 of the present invention is formed by forming a high-reflectance metal film 204 and a protective film 205 made of SiO 2 to a thickness of 30 nm, 200 nm and 100 nm, respectively.
Obtain 30. After that, a color filter 206 having a thickness of 1 to 1.5 μm is formed in accordance with each pixel electrode 214. Further, an overcoat 207 is applied to a film thickness of 2 μm to eliminate as much as possible unevenness on the surface, and then a base film 208 made of SiO 2 and a transparent electrode 20 made of ITO are formed.
9 is formed to a thickness of 30 nm and 150 nm, respectively, and the transparent electrode 209 is patterned to form a substrate facing substrate 2.
Get 01.

【0092】本発明では反射板230の凹凸形成に樹脂
を使用していないため、このカラーフィルタ106やオ
ーバコート107の形成プロセスや透明電極109の成
膜プロセスが樹脂の耐熱温度に制限されることなく、そ
れらの材料の限界温度での焼成および高温成膜が可能で
ある。
In the present invention, since no resin is used for forming the unevenness of the reflection plate 230, the process of forming the color filter 106 and the overcoat 107 and the process of forming the transparent electrode 109 are limited to the heat resistant temperature of the resin. In addition, it is possible to perform sintering at a limit temperature and high-temperature film formation of those materials.

【0093】また対向するアクティブマトリクス基板2
11は、ガラス基板212にSiO 2から成る下地膜2
13およびITOから成る画素電極214をスパッタリ
ング等の成膜装置にてそれぞれ膜厚30nmおよび15
0nmに成膜し、アクティブ素子216を形成する。こ
うして得られた対向基板201およびアクティブマトリ
クス基板211間にポリイミド膜210および215を
塗布し、ラビング処理した後に両者を貼合わせ、その間
隙に液晶221を注入して図8のアクティブ駆動液晶表
示パネル200を得る。この反射型アクティブ駆動液晶
表示パネル200はいわゆるノーマリホワイト表示であ
る。この反射板230の製造方法により、反射率および
散乱性の高い反射板を形成でき、紙のような見栄えを与
える反射型のアクティブ駆動液晶表示パネル200を得
ることができる。
Also, the opposing active matrix substrate 2
11 is a method of forming SiO 2 on the glass substrate 212. TwoBase film 2 made of
13 and the ITO pixel electrode 214
Film thickness of 30 nm and 15 nm, respectively.
An active element 216 is formed by forming a film with a thickness of 0 nm. This
The counter substrate 201 thus obtained and the active matrix
Polyimide films 210 and 215 between
After applying and rubbing, they are stuck together.
The liquid crystal 221 is injected into the gap, and the active driving liquid crystal table shown in FIG.
The display panel 200 is obtained. This reflective active drive liquid crystal
The display panel 200 is a so-called normally white display.
You. According to the method of manufacturing the reflection plate 230, the reflectance and
A highly scattering reflector can be formed, giving a paper-like appearance
Reflective active liquid crystal display panel 200
Can be

【0094】[0094]

【発明の効果】本発明によれば、先行技術のように樹脂
層を必要としないので、この反射板をガラスの軟化点で
ある約650℃程度にまで加熱することができる。つま
り、反射板上にカラーフィルタやITO電極などを成膜
するとき、加熱制限を受けることなく、ガラスの軟化点
程度にまで、昇温して加熱処理することができる。
According to the present invention, since no resin layer is required unlike the prior art, this reflector can be heated to about 650 ° C., which is the softening point of glass. That is, when a color filter, an ITO electrode, or the like is formed on the reflection plate, the heating treatment can be performed by raising the temperature to about the softening point of the glass without being restricted by heating.

【0095】また本発明によれば、先行技術のように、
フォトリソグラフ工程および樹脂成膜工程を必要としな
いので、反射板の製造設備を非常に単純化することがで
き、製造コストを大幅に抑えることができる。
According to the present invention, as in the prior art,
Since a photolithography step and a resin film formation step are not required, the manufacturing equipment for the reflector can be greatly simplified, and the manufacturing cost can be greatly reduced.

【0096】また本発明によれば、2次エッチング工程
でのエッチング起点となる複数の凹部を効率よく形成す
ることができる。また、エッチング液の濃度およびエッ
チング時間を制御することによって、凹部の個数と深さ
とを、精度良くかつ容易に制御することができる。
Further, according to the present invention, it is possible to efficiently form a plurality of concave portions serving as starting points of etching in the secondary etching step. Further, by controlling the concentration of the etching solution and the etching time, the number and depth of the concave portions can be accurately and easily controlled.

【0097】また本発明によれば、凹部の個数と深さと
を精度良く、かつ容易に制御することができる。
Further, according to the present invention, the number and depth of the concave portions can be controlled accurately and easily.

【0098】また本発明によれば、不溶性化合物をガラ
ス基板上に沈着させることができる。
Further, according to the present invention, an insoluble compound can be deposited on a glass substrate.

【0099】また本発明によれば、不溶性化合物をガラ
ス基板上に沈着させることができる。
Further, according to the present invention, an insoluble compound can be deposited on a glass substrate.

【0100】また本発明によれば、不溶性化合物をガラ
ス基板上に沈着させることができる。
Further, according to the present invention, an insoluble compound can be deposited on a glass substrate.

【0101】また本発明によれば、不溶性化合物をガラ
ス基板上に沈着させることができる。
According to the present invention, an insoluble compound can be deposited on a glass substrate.

【0102】また本発明によれば、ガラス基板の全面に
わたって、各凹部を相互に隣接させることができ、さら
に各凹部の凹曲面は連続する。
According to the present invention, the concave portions can be adjacent to each other over the entire surface of the glass substrate, and the concave curved surface of each concave portion is continuous.

【0103】また本発明によれば、エッチング液の流れ
ムラを防止することができ、良好なエッチング仕上がり
を得ることができ、かつ適切なエッチング速度を得るこ
とができる。
Further, according to the present invention, it is possible to prevent uneven flow of the etchant, obtain a good etching finish, and obtain an appropriate etching rate.

【0104】また本発明によれば、液晶表示パネルは、
散乱性の高い表示を得ることができ、鏡のように正像映
り込むことが防止され、肉眼で見ると紙のような見栄え
を得ることができる。
Further, according to the present invention, the liquid crystal display panel comprises:
It is possible to obtain a display having high scattering properties, prevent a normal image from being reflected like a mirror, and obtain a paper-like appearance when viewed with the naked eye.

【0105】また本発明によれば、液晶表示パネルのコ
ントラストは10以上の実用的な値を取る。
According to the present invention, the contrast of the liquid crystal display panel takes a practical value of 10 or more.

【0106】また本発明によれば、液晶表示パネルのコ
ントラストは20以上となり、非常に鮮明な表示を得る
ことができる。
Further, according to the present invention, the contrast of the liquid crystal display panel becomes 20 or more, and a very clear display can be obtained.

【0107】また本発明によれば、反射率に波長依存性
の少ない反射板を得ることができる。したがって、液晶
表示パネルに入光する入射光に対して、反射板によって
反射された反射光が色付いて出射されることが低減され
る。
Further, according to the present invention, it is possible to obtain a reflection plate having a reflectance with a small wavelength dependency. Therefore, it is reduced that the reflected light reflected by the reflector is colored and emitted with respect to the incident light that enters the liquid crystal display panel.

【0108】また本発明によれば、TFT型液晶表示パ
ネルに必要とされる限界の表面段差基準値1.2μmを
下回る範囲で、充分に実用的な反射率を得ることができ
る。
Further, according to the present invention, a sufficiently practical reflectance can be obtained in a range below the limit surface step reference value of 1.2 μm required for the TFT type liquid crystal display panel.

【0109】また本発明によれば、STN液晶表示パネ
ルの限界表面段差基準値0.9μmを下回る範囲で、最
適反射率を得ることができる。
Further, according to the present invention, it is possible to obtain an optimum reflectance in a range below the reference value of the critical surface step difference of 0.9 μm of the STN liquid crystal display panel.

【0110】また本発明によれば、反射率が20%以上
の実用的な値を得ることができる。また本発明によれ
ば、反射率が23.8%以上の反射効率の良い液晶表示
パネルを得ることができる。
According to the present invention, a practical value having a reflectance of 20% or more can be obtained. Further, according to the present invention, it is possible to obtain a liquid crystal display panel having a high reflection efficiency of 23.8% or more.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の一形態の液晶表示パネル用反射
板の製造方法を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to one embodiment of the present invention.

【図2】上述した液晶表示パネル用反射板の製造方法に
よって製造したガラス基板1の表面の電子顕微鏡写真で
ある。
FIG. 2 is an electron micrograph of a surface of a glass substrate 1 manufactured by the above-described method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel.

【図3】本発明の反射板の凹面鏡の直径の平均値とコン
トラストとの関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the average value of the diameter of the concave mirror of the reflector of the present invention and the contrast.

【図4】本発明の反射板の凹面鏡の直径の標準偏差と反
射波長との関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the standard deviation of the diameter of the concave mirror of the reflector of the present invention and the reflection wavelength.

【図5】本発明の反射板の凹面鏡の凹凸段差と反射率と
の関係を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the unevenness of the concave mirror of the reflector of the present invention and the reflectance.

【図6】本発明の反射板の凹面鏡の曲率半径と反射率と
の関係を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the radius of curvature of the concave mirror of the reflector of the present invention and the reflectance.

【図7】本発明の液晶表示パネル用反射板の製造方法に
よって作製した反射板130を備えたSTN液晶表示パ
ネル100の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of an STN liquid crystal display panel 100 provided with a reflector 130 manufactured by the method of manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel of the present invention.

【図8】本発明の液晶表示パネル用反射板の製造方法に
よって作製した反射板230を備えたアクティブマトリ
クス駆動液晶表示パネル200の断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of an active matrix drive liquid crystal display panel 200 provided with a reflector 230 manufactured by the method of manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 凹部 3 不溶性化合物 4 凹曲面 101,201 第1基板 103,203 SiO2下地膜 104,204 Al反射膜 105,205 SiO2保護膜 106,206 カラーフィルタ 107,207 オーバコート 108,208 SiO2下地膜 109,209 ITO走査電極 110,210 ポリイミド膜 111,211 第2基板 112,212 ガラス基板 113,213 SiO2下地膜 114,214 ITO信号電極 115,215 ポリイミド膜 116,216 アクティブ素子 121 液晶Reference Signs List 1 glass substrate 2 concave portion 3 insoluble compound 4 concave curved surface 101, 201 first substrate 103, 203 SiO 2 base film 104, 204 Al reflective film 105, 205 SiO 2 protective film 106, 206 color filter 107, 207 overcoat 108, 208 SiO 2 base film 109, 209 ITO scan electrode 110, 210 Polyimide film 111, 211 Second substrate 112, 212 Glass substrate 113, 213 SiO 2 base film 114, 214 ITO signal electrode 115, 215 Polyimide film 116, 216 Active element 121 liquid crystal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349D Fターム(参考) 2H042 BA04 BA15 BA16 DA02 DA04 DA12 DA15 DA18 DC02 DC08 DD01 DE00 2H090 JA02 JB02 JC03 JD01 KA05 KA08 LA15 LA20 2H091 FA03Y FA17Y GA01 GA03 GA06 GA07 HA07 HA10 LA12 LA17 LA18 5C094 AA43 AA44 BA43 EA04 EA05 EA07 EB02 EB04 GB10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349D F term (Reference) 2H042 BA04 BA15 BA16 DA02 DA04 DA12 DA15 DA18 DC02 DC08 DD01 DE00 2H090 JA02 JB02 JC03 JD01 KA05 KA08 LA15 LA20 2H091 FA03Y FA17Y GA01 GA03 GA06 GA07 HA07 HA10 LA12 LA17 LA18 5C094 AA43 AA44 BA43 EA04 EA05 EA07 EB02 EB04 GB10

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の対向する基板間に液晶層を挟持し
た液晶表示パネルの背面側に設けられ、表面に凹部が形
成されたガラス基板とガラス基板の表面に成膜された高
い反射率を有する金属膜とを含む液晶表示パネル用反射
板の製造方法において、 前記ガラス基板の凹凸形状を、エッチング工程のみによ
って形成することを特徴とする液晶表示パネル用反射板
の製造方法。
1. A glass substrate provided on the back side of a liquid crystal display panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of opposed substrates, and a glass substrate having a concave portion formed on the surface and a high reflectance formed on the surface of the glass substrate. A method of manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel, comprising: forming a concave and convex shape of the glass substrate by only an etching process.
【請求項2】 前記エッチング工程は、不溶性の化合物
を部分的に生成させるエッチング液によって、前記ガラ
ス基板の表面に複数の凹部を点在させて形成する1次エ
ッチング工程と、 前記各凹部をエッチング起点としてエッチングすること
によって、凹部の直径を拡大し、各凹部を相互に連続し
て隣接させる2次エッチング工程とを含むことを特徴と
する請求項1記載の液晶表示パネル用反射板の製造方
法。
2. The etching step includes: a primary etching step of forming a plurality of recesses on the surface of the glass substrate by using an etchant that partially generates an insoluble compound; and etching each of the recesses. 2. A method of manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to claim 1, further comprising a secondary etching step of enlarging the diameter of the concave portion by performing etching as a starting point and making each concave portion continuously adjacent to each other. .
【請求項3】 前記1次エッチング工程のエッチング液
は、フッ酸とアンモニウム化合物とを含むことを特徴と
する請求項2記載の液晶表示パネル用反射板の製造方
法。
3. The method according to claim 2, wherein the etchant in the first etching step contains hydrofluoric acid and an ammonium compound.
【請求項4】 前記1次エッチング工程のエッチング液
は、硫酸をさらに含むことを特徴とする請求項3記載の
液晶表示パネル用反射板の製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the etchant in the first etching step further includes sulfuric acid.
【請求項5】 前記アンモニウム化合物は、フッ化アン
モニウムであることを特徴とする請求項3または4記載
の液晶表示パネル用反射板の製造方法。
5. The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to claim 3, wherein the ammonium compound is ammonium fluoride.
【請求項6】 前記アンモニウム化合物は、硫酸アンモ
ニウムであることを特徴とする請求項3または4記載の
反射板の製造方法。
6. The method according to claim 3, wherein the ammonium compound is ammonium sulfate.
【請求項7】 前記アンモニウム化合物は、硫酸水素ア
ンモニウムであることを特徴とする請求項3または4記
載の液晶表示パネル用反射板の製造方法。
7. The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to claim 3, wherein the ammonium compound is ammonium hydrogen sulfate.
【請求項8】 前記アンモニウム化合物は、塩化アンモ
ニウムであることを特徴とする請求項3または4記載の
液晶表示パネル用反射板の製造方法。
8. The method according to claim 3, wherein the ammonium compound is ammonium chloride.
【請求項9】 前記2次エッチング工程のエッチング液
は、フッ酸を主成分とし、アンモニウム化合物を含まな
いことを特徴とする請求項2〜8のいずれか1つに記載
の液晶表示パネル用反射板の製造方法。
9. The reflection liquid crystal display panel according to claim 2, wherein the etchant in the second etching step contains hydrofluoric acid as a main component and does not contain an ammonium compound. Plate manufacturing method.
【請求項10】 前記2次エッチング工程のエッチング
液は、フッ酸の希釈度が5倍以上20倍以下の水溶液で
あることを特徴とする請求項2〜9のいずれか1つに記
載の液晶表示パネル用反射板の製造方法。
10. The liquid crystal according to claim 2, wherein the etchant in the second etching step is an aqueous solution having a hydrofluoric acid dilution of 5 to 20 times. A method for manufacturing a reflector for a display panel.
【請求項11】 複数の凹部が連続的に隣接して形成さ
れたガラス基板の表面に、高い反射率を有する金属膜を
成膜することによって、相互に連続的に隣接した複数の
凹面鏡を形成することを特徴とする請求項1〜10のい
ずれか一つに記載の液晶表示パネル用反射板の製造方
法。
11. A plurality of concave mirrors continuously adjacent to each other are formed by forming a metal film having a high reflectance on a surface of a glass substrate on which a plurality of concave portions are successively formed. The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to any one of claims 1 to 10, wherein:
【請求項12】 前記凹面鏡の直径の平均値は、4μm
以上10μm以下であることを特徴とする請求項11記
載の液晶表示パネル用反射板の製造方法。
12. The average value of the diameter of the concave mirror is 4 μm.
The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to claim 11, wherein the thickness is not less than 10 µm.
【請求項13】 前記凹面鏡の直径の平均値は、5μm
以上7μm以下であることを特徴とする請求項11また
は12記載の液晶表示パネル用反射板の製造方法。
13. The average value of the diameter of the concave mirror is 5 μm.
The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to claim 11, wherein the thickness is not less than 7 μm.
【請求項14】 前記凹面鏡の直径の標準偏差は、2μ
m以上4μm以下であることを特徴とする請求項11〜
13のいずれか1つに記載の液晶表示パネル用反射板の
製造方法。
14. The standard deviation of the diameter of the concave mirror is 2 μm.
11. The structure according to claim 11, wherein the length is not less than m and not more than 4 μm.
13. The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to any one of items 13.
【請求項15】 前記各凹面鏡の凹凸の段差は、0.5
μm以上1.2μm以下であることを特徴とする請求項
11〜14のいずれか1つに記載の液晶表示パネル用反
射板の製造方法。
15. The step of unevenness of each concave mirror is 0.5.
The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to any one of claims 11 to 14, wherein the thickness is not less than μm and not more than 1.2 μm.
【請求項16】 前記各凹面鏡の凹凸の段差は、0.6
μm以上0.9μm以下であることを特徴とする請求項
11〜15のいずれか1つに記載の液晶表示パネル用反
射板の製造方法。
16. The step of unevenness of each concave mirror is 0.6.
The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to any one of claims 11 to 15, wherein the thickness is not less than μm and not more than 0.9 μm.
【請求項17】 前記各凹面鏡の曲率半径は、5μm以
上20μm以下であることを特徴とする請求項11〜1
6のいずれか1つに記載の液晶表示パネル用反射板の製
造方法。
17. The method according to claim 11, wherein the radius of curvature of each concave mirror is not less than 5 μm and not more than 20 μm.
7. The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to any one of 6.
【請求項18】 前記各凹面鏡の曲率半径は、7μm以
上12μm以下であることを特徴とする請求項11〜1
7のいずれか1つに記載の液晶表示パネル用反射板の製
造方法。
18. The method according to claim 11, wherein a radius of curvature of each of the concave mirrors is not less than 7 μm and not more than 12 μm.
8. The method for manufacturing a reflector for a liquid crystal display panel according to any one of the above items 7.
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