JP2002090457A - Distance measuring apparatus - Google Patents

Distance measuring apparatus

Info

Publication number
JP2002090457A
JP2002090457A JP2000280217A JP2000280217A JP2002090457A JP 2002090457 A JP2002090457 A JP 2002090457A JP 2000280217 A JP2000280217 A JP 2000280217A JP 2000280217 A JP2000280217 A JP 2000280217A JP 2002090457 A JP2002090457 A JP 2002090457A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
distance measuring
light emitting
wavelength
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000280217A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisaya Kato
Yuji Kimura
Toshiyuki Morishita
Yoshimi Suzuki
久弥 加藤
裕治 木村
敏之 森下
愛美 鈴木
Original Assignee
Denso Corp
株式会社デンソー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp, 株式会社デンソー filed Critical Denso Corp
Priority to JP2000280217A priority Critical patent/JP2002090457A/en
Publication of JP2002090457A publication Critical patent/JP2002090457A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a distance measuring apparatus which can measure the distance from a short range of several meters to a long range of more than 100 meters by satisfying a safety standard when incident light reaches eyes.
SOLUTION: Light is made to irradiate an object to be measured from light emitting elements while the reflected light from the object is received by photo detectors to measure the distance from the object. The light emitting elements are arranged in plurality to emit light with different wavelengths and hence, have different detection regions. The photodetectors 110 and 120 are arranged in plurality corresponding to the respective light emitting elements and have sensitivities adaptive to light with the respective wavelengths. The photodetector 110 transmits the light with the first wavelength and has a sensitivity to the light with the second wavelength less than the first wavelength. The photodetector 120 has the sensitivity to the light with the first wavelength. The photodetectors 110 and 120 are arranged on the same optical path.
COPYRIGHT: (C)2002,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は距離測定装置に係り、例えば、車間距離測定装置に用いることができるものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a distance measuring device, for example, those that can be used for inter-vehicle distance measuring device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、半導体レーザや発光ダイオードを用いて自動車間の距離を計測し、車間距離を一定に保ったり前方の車に接近しすぎた場合に警報を出すシステム、車の駐停車時の車や障害物までの距離を計測し警報を出すシステム、光を遮った場合に警報を出すセキュリティシステム等が開発されている。 In recent years, measures the distance between the motor vehicle by using a semiconductor laser or a light emitting diode, a system alert when too close to the front of the vehicle or maintain the inter-vehicle distance constant, when the car parked system to issue to the measured distance to the vehicle and obstacles alarm, security system or the like to alert when blocking the light has been developed.

【0003】車間距離計測システムでは100m以上先の物体を検知する必要があり、そのためには数10〜数100n秒のパルス駆動で20〜80Wの光出力が要求されている。 [0003] In the inter-vehicle distance measuring system must detect a preceding object or 100 m, the light output of 20~80W a pulse driving of several tens to several hundreds 100n seconds is required for that. このようなシステムでは出射光が目に入った場合の安全性を考慮して光出力が決定されていた。 Light output has been determined in consideration of the safety of the emitted light enters the eye in such systems. また、出射点から数mの範囲で安全基準を満たさない場合や時速数10km以下になった場合には、発光を停止して安全性を確保していた。 Also, if it becomes the case or less per hour speed 10km that does not meet the safety standards in the range of several m from the exit point, it was to ensure safety by stopping the light emission.

【0004】しかし、このようなシステムでは低速での前方車両への追従や、前方車両が停止した場合には対応できないという問題点がある。 However, follow-up and forward vehicle at low speeds in such a system, there is a problem that can not be handled if the preceding vehicle has stopped. また、特開平7−134 In addition, JP-A-7-134
178号公報によれば、自車と測定対象車間の距離に応じてレーザ光の発光パワーを制御する方法が提案されているが、検知角(照射範囲)は一定であるため、例えば、自車と隣車線を走行する車との間の距離が、自車と同じ車線で前方を走行する車よりも近い場合、隣車線の車両に合わせて発光パワーを下げれば同一車線での前方の車を見失ってしまうという問題があり、また、同一車線で前方を走行する車を認識するために発光パワーを下げずにいれば隣車線の車両に乗車している人の目に対して危険であるという問題がある。 According to 178 JP Since a method of controlling the emission power of the laser light according to the distance measured vehicle that the vehicle has been proposed, the detection angle (irradiation range) is constant, for example, the vehicle the distance between the vehicle traveling on the next lane, if closer than car running ahead in the same lane as the host vehicle, the front of the car in the same lane by lowering the light emission power in accordance with the vehicle adjacent lane that sight there is a problem that, also, is a danger to the eyes of people who are riding in the vehicle of the adjacent lane if put in without lowering the light-emitting power in order to recognize the car traveling in front in the same lane There's a problem.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、出射光が目に入った場合の安全基準を満たし、数mの近距離から1 [0008] The present invention has been made in view of such circumstances, and its object is met a safety standard for the emitted light enters the eye from a short number m 1
00m以上の遠距離まで距離を誤認識なく測定することができる距離測定装置を提供することにある。 And to provide a distance measuring apparatus capable of measuring without erroneously recognized distance to more distant 00m.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明によれば、光を用いた反射型距離測定装置において、異なる波長の光を発光する複数の発光素子を有し、波長の異なる各光を選択的に使用して距離を測定する。 Means for Solving the Problems] According to the invention described in claim 1, in a reflective distance measuring apparatus using light, it has a plurality of light emitting elements emitting light of different wavelengths, each different wavelength distance measures the using light selectively. これにより、出射光が目に入った場合の安全基準を満たし、数m Thus, satisfying a safety standard for the emitted light enters the eye, the number m
の近距離から100m以上の遠距離まで距離を誤認識なく測定することが可能となる。 The distance can be measured without erroneously recognized from short range to more distant 100 m. さらに、移動体にこの距離測定装置を取り付け、移動体の速度により発光素子の光出力や発光波長を変えるようにすると、例えば、車間距離測定装置として好ましいものとなる。 Further, the distance measuring device mounted on the moving body, when so vary the optical output and light emission wavelength of the light emitting element by the speed of the moving body, for example, which is preferable as the inter-vehicle distance measuring device.

【0007】 [0007]

【発明の実施の形態】本実施の形態は、発光素子を発光させて物体に当て、その反射光を感知して距離を測定する距離測定装置であって、異なる波長を発光する複数の光源(発光素子)を具備している。 Detailed Description of the Invention The present embodiment is applied to the object to the light emitting element to emit light, a distance measuring apparatus for measuring a distance by detecting the reflected light, a plurality of light sources for emitting different wavelengths ( and it comprises a light-emitting element). さらに、発光素子により異なる領域の距離を測定する。 Further, to measure the distance of different regions by the light emitting element.

【0008】図1に、レーザのパルス幅1〜100ns [0008] FIG. 1, the laser pulse width 1~100ns
での安全基準MPE(最大許容露光量)の波長依存性を示す。 Showing the wavelength dependence of the safety standard MPE (maximum permissible exposure) on. この図から分かるように、発光波長によりMPE As can be seen from this figure, MPE the emission wavelength
の値が変化する。 Of value changes. 特に、この図より発光波長が1.4μ In particular, the emission wavelength from the figure 1.4μ
m以上ではMPEの値が大きくなっており、目に安全であることが分かる。 Above m is the value of the MPE is increased, it is understood that the eye-safe. 従って、全ての測定領域において1.4μm以上の波長の光を用いればよいことが分かる、しかしながら、現在、1.4μm以上の発光波長を持つ半導体レーザは、発光効率が低く、長距離を測定するためには出力を大きくする必要がある。 Therefore, it can be seen that may be used with light of wavelength of not less than 1.4μm in all measurement regions, however, currently, a semiconductor laser having an emission wavelength of not less than 1.4μm, the light emitting efficiency is low, measured long-distance it is necessary to increase the output in order. そのために、 for that reason,
複数の発光素子を用いて異なる波長の光を発光させる。 Emit different wavelengths of light using a plurality of light emitting elements.

【0009】また、半導体レーザの寿命は発光強度と発光周波数に逆比例するため半導体レーザの寿命を長くするには発光強度を低くして、発光時間を短くすることが望ましい。 Further, the life of the semiconductor laser to increase the life of the semiconductor laser for inversely proportional to the emission frequency and the luminous intensity with a lower luminous intensity, it is desirable to shorten the emission time. 一個の発光素子を具備する距離測定装置を用いた場合よりも複数個の発光素子を具備する距離測定装置を用いると、個々の素子の発光時間が短くなるので、 With the distance measuring device having a plurality of light emitting devices than with the distance measuring apparatus having a single light emitting element, the emission time of each element is shortened,
システムでの寿命は長くなり信頼性は高くなる。 Life is longer reliability of the system is increased. 例えば、自動車用に用いられる距離測定装置では、隣車線の車を認識するためには検知角は前方±20°以上が必要であり、実質的には40°以上を測定することが望ましい。 For example, the distance measuring apparatus used in automotive, detection angle in order to recognize the car adjacent lane is required more forward ± 20 °, in effect it is desirable to measure more than 40 °. しかし、長距離は前方±4°程度を測定すればよいため、中心部を測定する第1の発光素子と、それ以外を測定する第2の発光素子とに分けることによりシステムの信頼性を向上させることができる。 However, long-range improvement for may be measured about forward ± 4 °, and the first light-emitting element to measure the heart, the reliability of the system by separating the second light-emitting element to measure the others it can be.

【0010】本実施の形態では、発光波長が1.4μm [0010] In this embodiment, the emission wavelength is 1.4μm
以上の発光素子を近距離領域の範囲の測定に使用し、それ以下の波長の発光素子を遠距離領域の測定に使用することにより、距離測定装置として目に安全で長期信頼性のある装置となる。 Using the above light-emitting element to measure the range of the short range, less light-emitting element of the wavelength by using the measurement of long range distance measuring device apparatus with a safe and long-term reliability in the eyes as a Become.

【0011】距離測定装置において、測定距離は発光素子の光出力に比例する。 [0011] In the distance measuring apparatus, the measurement distance is proportional to the light output of the light emitting element. このため、測定距離を長くするためには発光出力を大きくする必要がある。 Therefore, in order to increase the measurement distance, it is necessary to increase the emission output. しかし、発光出力を大きくすると、近距離での測定ではMPEの基準を満足しなくなるという問題が発生する。 However, increasing the light emission output, a problem that will not satisfy the criteria of the MPE is measured at a short distance is generated.

【0012】本実施の形態では、近距離測定のための光として、遠距離測定のための光とは異なる波長の光を使用し、近距離、遠距離両方の測定において目に安全なM [0012] In this embodiment, as the light for short distance measurement, using light of a different wavelength from the light for long distance measurement, near field, safe eye in the measurement of the long distance both M
PEを満足させる。 To satisfy the PE.

【0013】反射光の受光素子は感度に波長依存性があるため、波長の異なる発光素子を使用する場合、使用する波長毎に別の受光素子を用いるのが望ましい。 [0013] the light-receiving element of the reflected light because of the wavelength dependence on sensitivity, when using the light-emitting elements of different wavelengths, to use another light-receiving element for each wavelength to be used preferably. 詳しくは、一つの受光素子において複数の波長の光を受ける場合、波長依存性があるために十分な感度が得られず、そのために、各波長毎に受光素子を用いるのが望ましい。 Specifically, if in one of the light receiving elements receiving light of a plurality of wavelengths, sufficient sensitivity is obtained because of the wavelength dependence, because its is desirable to use a light receiving element for each wavelength.

【0014】異なる波長の光を使用する場合、それぞれの波長の光について別の光学系を用いることが考えられる。 [0014] When using light of different wavelengths, it is conceivable to use different optical systems for light of each wavelength. しかし、この場合、一つの波長の光を使用する場合に比べ光学系は倍の体積が必要となる。 However, in this case, the optical system than when using light of a single wavelength times the volume needed. また、駆動系も別となるため、一つの波長を使用する場合に比べ回路の体積が倍になる。 Further, since the drive system is also another, the volume of the circuit compared to using one wavelength is doubled. 本実施の形態においては、小型化のために各波長の光学系を同一とした。 In the present embodiment, the optical system of each wavelength and the same for compactness. このため、発光素子は光を合成して同じ光学系に入れるか、又は同じパッケージの中に異なる波長の発光素子を実装して同一の光学系を用いる。 Therefore, the light emitting device using the same optical system by mounting the light emitting elements of different wavelengths into or placed in the same optical system by combining the light, or the same package. しかし、発光部の光学系を同一にしても受光素子は各波長毎に用いるため受光部分の光学系は同一とならない。 However, the light receiving element even if the same optical system of the light emitting portion is optical system of a light receiving portion for use in each wavelength is not the same.

【0015】そこで、受光素子を複数持った場合、図2 [0015] Therefore, if you have more than one light-receiving element, as shown in FIG. 2
に示すように、ハーフミラー100を用いて光を単純に分離して受光素子101,102に入れるか、又は、ハーフミラー100の代わりに波長フィルターを用いて光を分離する方法が考えられる。 As shown in, or placed in the light receiving elements 101 and 102 by simply separating the light using a half mirror 100, or a method of separating the light using a wavelength filter in place of the half mirror 100 it can be considered. 前者の方法は、発光素子の数により受光光量が落ちる。 The former method, the amount of received light drops by the number of light emitting elements. 例えば、2つの波長の光を使用した場合は光量が1/2となる。 For example, the light amount becomes 1/2 when using the light of two wavelengths. 後者の方法は、 The latter method,
波長毎にフィルターを用いるため受光光量は落ちず感度は低下しない。 Sensitivity is not lowered without falling the received light amount for using a filter for each wavelength.

【0016】しかし、受光光学系が複数系統となるためにシステム全体の体積は大きくなる。 [0016] However, the volume of the entire system for receiving optical system is multiple systems increases. 本実施の形態では、光量を電気信号に変換する受光素子において、図3 In this embodiment, the light-receiving element for converting the light amount into an electric signal, Fig. 3
に示すように、第1の波長の光を透過し、第1の波長より短い第2の波長の光に対して感度を有する第1の受光素子110と、第1の波長の光に対して感度を有する第2の受光素子120を具備し、第1,2の受光素子11 As shown in, it transmits light of a first wavelength, a first light receiving element 110 having sensitivity to light of a first second wavelength shorter than the wavelength for light of the first wavelength comprising a second light receiving element 120 having a sensitivity, the first and second light receiving element 11
0,120が同一光路上に配置されている。 0,120 are disposed on the same optical path. このようにすることにより、受光の光学系も同一にすることができる。 By doing so, the optical system of the light receiving can also be the same.

【0017】この際、図4に示すように、第1の受光素子110は、第1の波長の光を透過させるためにリング状の電極111,112を設ける。 [0017] At this time, as shown in FIG. 4, the first light receiving element 110 is provided with a ring-shaped electrodes 111 and 112 in order to transmit light of the first wavelength. つまり、母材113 In other words, the base material 113
に対し表裏両面に配置する電極として、円環状となった電極111,112を用いる。 To as an electrode for placement on the front and rear surfaces, using electrodes 111 and 112 was an annular. また、第2の受光素子1 The second light receiving element 1
20は、母材123に対しリング状の電極121とプレート状の電極122を設ける。 20, compared preform 123 is provided a ring-shaped electrode 121 and the plate-shaped electrode 122. なお、図4において符号114は取り出し電極を表している。 Reference numeral 114 denotes a take-out electrode 4.

【0018】長距離を測定する場合は大出力が必要となるが、ビームが広がってビーム径が大きくなるため、波長に関係無く目に安全となる。 [0018] When measuring a long distance but requires a large output, since the beam diameter increases spread the beam, the eye-safe regardless of the wavelength. 近距離についてはビーム径が小さくなり光パワー密度が大きくなるので、目への危険性を回避するために波長が1.4μm以上の発光素子を用いることが望ましい。 Since optical power density becomes small beam diameter increases for a short distance, wavelength in order to avoid the risk of the eye it is desirable to use the above light-emitting element 1.4 [mu] m. 受光素子の特性から短い波長は1μm以下のものが望ましく、特に800nm〜9 Shorter wavelengths from the characteristics of the light receiving element following are desirable 1 [mu] m, in particular 800nm~9
00nmのものが望ましい。 Those of 00nm is desirable.

【0019】発光波長が1.4μm以上の発光素子を用いる場合における受光素子としては、Geアバランシェフォトダイオード、InGaAs−PINフォトダイオード、Geフォトダイオードなどを用いる。 [0019] As the light-receiving element when the light emitting wavelength is used more light-emitting elements 1.4 [mu] m, Ge avalanche photodiode, InGaAs-PIN photodiode, etc. Ge photodiode used. 発光波長が1μm以下の発光素子を用いる場合における受光素子としては、Siフォトダイオード、Si−PINフォトダイオードを用いる。 The light-receiving element when the emission wavelength using the following light-emitting element 1 [mu] m, Si photodiode, using Si-PIN photodiode. これらの受光感度波長依存性を、図5及び図6に示した。 These light receiving sensitivity wavelength dependence, shown in FIGS. 図5のSiフォトダイオードは、 Si photodiode of FIG. 5,
1μm(1000nm)以上では感度を有せず、さらに1μmよりも長い波長の光は透過する特性がある。 Does not have a sensitivity at 1 [mu] m (1000 nm) or more, more light of wavelengths longer than 1 [mu] m is a characteristic of transmitting. 図6 Figure 6
のInGaAs−PINフォトダイオードは、その特性が1μm以下では感度が弱くなっているため長波は1μ 'S InGaAs-PIN photodiode, the long wave because its characteristics are weakened sensitivity at 1μm or less 1μ
m〜1.65μmを用いるのが望ましい。 It is desirable to use m~1.65μm. また、人の目への安全性を考慮すると、低速時及び停車時には長距離を測定する必要があまりないため、1.4μm以上の波長光だけを使用すればよい。 In consideration of safety for the human eye, because there is not much need to measure long distances at low speed and stop, may be used only or more wavelength 1.4 [mu] m.

【0020】さらに、この距離測定装置を車、オートバイ、電車等の移動体に取り付けることにより、移動体間の距離の測定が可能となり、衝突や接触の予防が可能となる。 Furthermore, by mounting the distance measuring device cars, motorcycles, in a mobile object such as a train, it is possible to measure the distance between the moving body, it is possible to prevent collision or contact. 特に、軌道上を走る電車と異なり自動車やオートバイは前後だけでなく左右どの方向からも衝突や接触の可能性が高いため、距離測定装置を取り付けることで走行上の安全性が向上する。 In particular, automobiles and motorcycles unlike train running on the track because there is a high possibility of also collision or contact from lateral any direction not only before and after the safety of the traveling is improved by mounting the distance measuring device. さらに、近距離の測定では車の駐停車時の車や障害物までの距離を計測するシステムにも有用である。 Furthermore, in short-distance measurement is useful to a system for measuring the distance to the vehicle and obstacles when parking or stopping the vehicle.

【0021】次に、半導体レーザの作成方法を説明する。 [0021] Next, a description will be given of how to create a semiconductor laser. 図7には、半導体レーザの断面構造の一例を示す。 Figure 7 shows an example of a sectional structure of a semiconductor laser.
半導体レーザは、GaAs、InP、サファイヤなどの基板200の上にエピタキシャル成長を行い、結晶中に各動作領域(バッファー層201、クラッド層202、 Semiconductor laser, GaAs, InP, epitaxial growth was performed on a substrate 200 such as sapphire, each operating region in the crystal (buffer layer 201, cladding layer 202,
光ガイド層203、活性層204、光ガイド層205、 Optical guide layer 203, the active layer 204, the light guide layer 205,
クラッド層206、キャップ層207)を設ける。 Cladding layer 206, cap layer 207) provided. 一般的に基板200にはn型の基板を使用する。 In general, the substrate 200 using an n-type substrate. 材料系としては、GaAs−AlGaAs系、InGaAsP−G The material system, GaAs-AlGaAs-based, InGaAsP-G
aAs系、InGaAsP−InP系、InGaP−I aAs system, InGaAsP-InP-based, InGaP-I
nGaAlP系、GaInNAs−InAs系、GaI nGaAlP system, GaInNAs-InAs system, GaI
nNAs−GaAs系、GaAs−GaN系等があるが、特に限定されるものでない。 nNAs-GaAs system, there is a GaAs-GaN system or the like, not limited in particular. エピタキシャル成長方法は、液相エピタキシャル、分子線エピタキシ(MB Epitaxial growth method, liquid phase epitaxial, molecular beam epitaxy (MB
E:molecular beam epitaxy)、有機金属気相エピタキシ(MOCVD:metal organic chemical vapour depo E: molecular beam epitaxy), metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD: metal organic chemical vapour depo
sition)等があるが、どの方法を用いてもよい。 Sition) there are such, which method may be used. さらに、活性層204の構造もダブルへテロ構造、量子井戸構造等いずれの構造を用いてもよい。 Furthermore, the structure terrorism the double structure of the active layer 204, may be used for any quantum well structure or the like structure.

【0022】その後、オーミックコンタクト電極(p型電極)208を形成する。 [0022] Then, forming an ohmic contact electrode (p-type electrode) 208. このp型電極208は電子ビーム蒸着、スパッタ法などにより所定の厚さに成膜する。 The p-type electrode 208 is an electron beam evaporation, deposited to a predetermined thickness by a sputtering method. そして、パターン化が必要な場合、フォトレジスト加工、ケミカルエッチング、イオンビームエッチングなどを用い所定のパターンに加工する。 When patterning is required, the photoresist processing, chemical etching and processed into a predetermined pattern using an ion beam etching. さらに、合金化の必要な材料についてはアニール処理を行う。 Furthermore, annealing is performed for the required materials of the alloying. p型電極2 p-type electrode 2
08としては、例えばAu−Zn/Au,Cr/Au, The 08, for example, Au-Zn / Au, Cr / Au,
Mo/Au,Ti/Pt/Au,Cr/Pt/Auなどがあるが、オーミックコンタクトが得られればこの限りではない。 Mo / Au, Ti / Pt / Au, and the like Cr / Pt / Au, but not limited thereto as long obtain ohmic contact.

【0023】その後、チップ化を容易にするために基板裏面側を研磨しウエハー厚を100μm程度にする。 [0023] Thereafter, the wafer thickness by polishing the rear surface side of the substrate in order to facilitate the chip to about 100 [mu] m. この厚さはキャビティ長(共振器長)の約1/3以下でよく、キャビティ長は300μm〜1mm程度であるが、 This thickness may be about 1/3 or less of the cavity length (cavity length), but the cavity length is about 300Myuemu~1mm,
薄い方が放熱性がよいので加工性からも50μm〜20 Since the thinner the better heat dissipation from the workability 50μm~20
0μmが望ましい。 0μm is desirable. ただし、へき開面を使用せずドライエッチにより反射面を作製する場合はこの限りではない。 However, this does not apply if making a reflective surface by dry etching without using a cleavage plane.

【0024】引き続き、n型電極209を電子ビーム蒸着、スパッタ法などにより所定の厚さに成膜する。 [0024] Continuing, n-type electrode 209 and electron beam evaporation, deposited to a predetermined thickness by a sputtering method. n型電極209としては、例えばAu−Ge/Ni/Au, The n-type electrode 209, for example, Au-Ge / Ni / Au,
Au−Sn/Auなどがあり、成膜後アローイングを行い、n型電極209とする。 It includes Au-Sn / Au, performed after deposition alloying, an n-type electrode 209.

【0025】そして、気相成長によりハンダ層(図7では図示略)としての薄膜を設ける。 [0025] Then, provide a thin film as a solder layer (Figure 7, not shown) by vapor deposition. 成膜方法は電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、スパッタ法などによりハンダ層を形成する。 Film forming method for forming a solder layer electron beam evaporation, resistance heating evaporation, sputtering or the like. ハンダ層の材料としては、Au−Sn,P The material of the solder layer, Au-Sn, P
b−Sn等が用いられる。 b-Sn or the like is used.

【0026】さらに、所定のサイズにチップ化する。 [0026] In addition, the chip of a given size. このとき、レーザ光の出力面は鏡面でないとレーザ発振が起こらないので、へき開面とするか、ドライエッチングにより発光端面を作製する。 At this time, since the output face of the laser light lasing it does not occur unless a mirror, or a cleavage plane, to produce a light-emitting end face by dry etching. 発光端面には、端面の保護と光出力の効率を向上させるために出力端面に低反射膜を、また、他の一方の端面には高反射膜を設ける。 The light-emitting end face, the low-reflection film to the output end face in order to improve the protection and efficiency of the light output end face, and the other one end face of providing a highly reflective film. 反射膜の反射率は、低反射膜が2〜25%程度、高反射膜が80〜100%程度が望ましい。 The reflectance of the reflection film, a low reflection film of about 2-25%, a high reflection film is desirably about 80% to 100%. また、反射膜は単層膜と多層膜のいずれでもよいが、低反射膜にはAl The reflective film may be either a single-layer film and the multilayer film, but the low reflection layer Al
23 ,Si0 2 ,SiN x ,SiC,C,MgO等の単層膜を用い、高反射膜にはAl 23 ,Si0 2 ,S 2 O 3, Si0 2, SiN x, using SiC, C, a single layer film such as MgO, the highly reflective film Al 2 O 3, Si0 2, S
iN x ,C,MgO等とa−Si、Cr 23 ,TiO iN x, C, MgO, etc. and a-Si, Cr 2 O 3 , TiO
2とするなど、屈折率差のある膜の組み合わせによる多層膜構造とするのが望ましい。 Such as 2, it is desirable to a multilayer film structure by a combination of a refractive index difference film. 発光ダイオードの場合は、へき開を必要とせず、端面に反射膜を形成する必要もない。 For light emitting diodes, without the need for cleavage, there is no need to form a reflecting film on the end face. このため、チップ化もダイシングカットで行えばよい。 Therefore, it is sufficient chip in dicing.

【0027】1.4μm以上の波長の半導体レーザを得るためには、GaAs基板200上に活性層としてGa In order to obtain a semiconductor laser having a wavelength of more than 1.4μm is, Ga as an active layer on the GaAs substrate 200
InNAs層204を形成した構成の半導体素子、及びInP基板(図7の符号200に相当する部材)上に活性層としてInGaAsP層(同じく符号204に相当する部材)を形成した構成の半導体素子が望ましい。 The semiconductor device having the structure to form a InNAs layer 204, and the InP substrate InGaAsP layer as an active layer on the (member corresponding to reference numeral 200 in FIG. 7) a semiconductor device having the structure to form the (likewise member corresponding to the code 204) is desirable .

【0028】特に、GaAs基板200上に活性層としてGaInNAs層204を形成した構成の半導体素子は、Nの組成を変化させることにより発光波長が1.4 [0028] In particular, the semiconductor device having the structure to form a GaInNAs layer 204 as an active layer on the GaAs substrate 200, an emission wavelength by varying the composition of N is 1.4
μm以上に限らず800nmの波長から発光が可能である。 The wavelength of 800nm ​​is not limited above μm is possible emission. また、従来から、半導体レーザとしてよく使用されているGaAsを基板に用いることにより素子作製の工程が容易に行える。 Further, conventionally, it enables the GaAs which is well used as a semiconductor laser to facilitate device fabrication process by using the substrate. さらに、GaInNAsはワイドバンドギャップのAlGaAsやGaInPAsとヘテロ接合を形成することにより、伝導帯のバンド不連続(バンドオフセット)が非常に大きくなり、温度特性が非常によい特性が得られるメリットがある。 Furthermore, GaInNAs is by forming an AlGaAs or GaInPAs heterojunction wide bandgap, band discontinuity of conduction band (band offset) becomes very large, there is a merit that the temperature characteristic is very good properties is obtained. このため、大出力にした場合でも光出力の低下はほとんど無く安定した特性が得られる。 Therefore, reduction in the light output even when the large output is obtained almost no stable characteristics.

【0029】図8(a),(b)には、GaInPAs [0029] FIG. 8 (a), (b) is, GaInPAs
系とGaInNAs/GaAsにおける1.3μm帯でのエネルギーバンド図を示す。 It shows an energy band diagram in a 1.3μm band in the system and the GaInNAs / GaAs. 半導体レーザの井戸層と障壁層のコンダクションバンドのエネルギー差ΔEcが大きいほど電子の閉じ込めエネルギーが大きくなる。 As the energy difference ΔEc of conduction band of the semiconductor laser of the well layer and the barrier layer is large electron confinement energy increases. 電子の閉じ込めエネルギーΔEc が小さいと、電子を発光部分に注入しても一部の電子が熱エネルギーによりオーバーフローして発光に寄与しなくなる。 When the electron confinement energy ΔEc is small, some even by injecting electrons into the light emitting portion electrons can not contribute to light emission overflows by thermal energy. 発光に寄与しない電子は高温動作時には急激に増加する。 Electrons do not contribute to light emission increases sharply during high temperature operation. 図8(b)に示すGaInNAs/GaAs系では、十分にΔEc が大きいため高温動作時においても電子と正孔の両方を完全にGaInNAsの発光部分に閉じ込めることができ、温度特性のよい半導体レーザを実現できる。 The GaInNAs / GaAs system shown in FIG. 8 (b), well can also be confined in the light emitting portion of the fully GaInNAs both electrons and holes at a high temperature operation because of the large .DELTA.Ec, a good semiconductor laser temperature characteristics realizable.

【0030】前述の図7はGaInNAs/GaAs系の素子構造であるが、GaAsの光ガイド層203,2 [0030] While Figure 7 described above is a device structure of GaInNAs / GaAs system, GaAs optical guide layer 203,2
05は無くてもよく、また、GaAsの代りにAlGa 05 may or may not, also, AlGa instead of GaAs
Asを用いてもよい。 It may be used As.

【0031】異なる波長の光を同一の光学系で発光する方法は、図9に示すように、異なる発光素子301,3 The method for emitting light of different wavelengths in the same optical system, as shown in FIG. 9, different light-emitting elements 301,3
02からの発光をミラー303,304を用いて合成する方法と、図10に示すように、1つのパッケージ40 A method for synthesizing using a mirror 303 and 304 of the light emission from the 02, as shown in FIG. 10, a single package 40
0で複数の発光波長の光を発光させる方法がある。 There is a method of emitting light of a plurality of emission wavelengths at 0. 1つのパッケージ400で複数の発光波長の光を発光させる方法には2つの方法があり、1つは図10に示すように、発光波長の異なる発光素子401,402を同一パッケージ400に実装する方法であり、もう1つは同一基板上に波長の異なる発光素子を形成する方法である。 The method for emitting light of a plurality of emission wavelengths in a single package 400 there are two methods, one as shown in FIG. 10, a method of implementing the different light emitting devices 401 and 402 emission wavelengths in the same package 400 , and the other one is a method of forming a light-emitting elements of different wavelengths on the same substrate.
前者の方法は、異なる素子401,402を実装すればよいため、異なる波長を容易に同じパッケージ400に入れることが可能である。 The former method is that it may be mounted to different elements 401 and 402, it is possible to put in the same package 400 easily different wavelengths. 後者については、基板との格子整合の関係があるため、波長をコントロールすることが難しい。 For the latter, since there is a relation of lattice matching with the substrate, it is difficult to control the wavelength.

【0032】例えば、GaAs基板上にAlGaAs系の半導体レーザを作製した場合、600nm〜900n [0032] For example, in the case of manufacturing a semiconductor laser of AlGaAs system on a GaAs substrate, 600Nm~900n
mの範囲で変化は可能であるが、それ以上の波長の素子を作製することは難しい。 Although changes in the range of m is possible, it is difficult to produce a device of more wavelengths. 前記したように1.4μmと800nm〜900nmの半導体レーザを同一基板に作製するためには、GaAs基板上にAlGaAs系の半導体レーザとGaInNAs系の半導体レーザを用いることにより作製が可能である。 To produce the same substrate of semiconductor laser of 1.4μm and 800nm~900nm as described above is capable manufactured using a semiconductor laser and a semiconductor laser of GaInNAs type an AlGaAs on a GaAs substrate. (第1の実施例)距離測定装置を作製し、自動車に搭載した。 (First embodiment) the distance measuring apparatus manufactured and mounted in an automobile. 発光素子には、発光波長850nmのGaAs基板上のAlGaAs系半導体レーザと、発光波長1.4 The light-emitting element, and AlGaAs-based semiconductor lasers on a GaAs substrate of the light emission wavelength 850 nm, emission wavelength 1.4
μmのInP基板上のInGaAsP系半導体レーザを用いた。 Using InGaAsP based semiconductor lasers on InP substrates [mu] m. この素子を一つのパッケージに実装し発光素子として用いた。 It was used as the light-emitting device implemented this element in one package. 受光素子は、図3の示したように、同一光路上においてInGaAs−PINフォトダイオード(図3の素子120に相当)の上流側にSiフォトダイオード(図3の素子110に相当)を配置したものを用いた。 Light-receiving element, as shown in FIG. 3, obtained by placing the InGaAs-PIN photodiode (corresponding to element 120 in FIG. 3) upstream of the Si photodiode (corresponding to element 110 in FIG. 3) in the same optical path It was used.

【0033】また、図11に示すように、検知角(検知範囲)に関して、発光波長850nmの発光素子は前方±5°の範囲の距離を測定し、最大170mまで測定できるように光出力を40Wとしている。 Further, as shown in FIG. 11, with respect to the detection angle (detection range), the light emitting elements of the light emitting wavelength 850nm was measured distance range ahead ± 5 °, the light output can be measured up to 170m 40W It is set to. また、発光波長1.4μmの発光素子は、前方±40°の範囲の距離を測定し、最大40mまで測定できるように光出力を5W The light emitting element of the light-emitting wavelength 1.4μm measures the distance range ahead ± 40 °, the light output can be measured up to 40 m 5W
としている。 It is set to. そして、時速30km以上では、発光波長850nmの発光素子を駆動して前方±5°の範囲で距離測定するとともに、発光波長1.4μmの発光素子を駆動して前方±40°の範囲の距離を測定する。 Then, in the 30km per hour or more, while the distance measured in the range of forward ± 5 ° by driving the light emitting elements of the light-emitting wavelength 850 nm, the distance range ahead ± 40 ° to the light emitting device to drive the light emission wavelength 1.4μm taking measurement. 一方、 on the other hand,
時速30km未満では、発光波長1.4μmの発光素子を駆動して前方±40°の範囲で距離測定を行うが、発光波長850nmの発光素子は駆動させない(発光させない)ようになっている。 In less than an hour 30 km, by driving the light emitting element with an emission wavelength of 1.4μm perform distance measurement in a range of forward ± 40 °, but the light emitting elements of the light emitting wavelength 850nm is adapted not driven (not emit light).

【0034】測定範囲に光をスキャンする方法は、例えば図12に示すように、ポリゴンミラー603を用いる公知の方法を採用している。 The method for scanning light to the measurement range, for example, as shown in FIG. 12 employs a known method using a polygon mirror 603. つまり、発光素子600の発する光をミラー601に反射させポリゴンミラー60 That is, the polygon mirror 60 reflects the light emitted from the light emitting element 600 to the mirror 601
3に導く。 3 to lead. このポリゴンミラー603を回転させることにより、ポリゴンミラー601からの光の向きを変更させる。 By rotating the polygon mirror 603, thereby changing the direction of light from the polygon mirror 601. なお、スキャンする方法はこの方法に限定されることはない。 Incidentally, there is no possibility that a method of scanning is limited to this method.

【0035】この実施例により、図13に示すように、 [0035] With this embodiment, as shown in FIG. 13,
隣車線の前方約3mを走行する車を認識でき、且つ、1 To recognize the vehicle traveling in front of about 3m in the adjacent lane, and, 1
00m前方を走行する自動車との車間距離を測定することができる。 Inter-vehicle distance to the vehicle traveling 00m ahead can be measured. (第2の実施例)発光素子に、発光波長800nmのG (Second embodiment) light-emitting element, emission wavelength 800nm ​​of the G
aAs基板上のInGaAsP系半導体レーザと、発光波長1.4μmのGaAs基板上のGaInNAs系半導体レーザを用い、距離測定装置を作製した。 And InGaAsP-based semiconductor laser on aAs substrate, using a GaInNAs-based semiconductor lasers on a GaAs substrate of the light emission wavelength 1.4 [mu] m, to prepare a distance measuring device. 受光素子は、図3の示したように、Geフォトダイオード(図3 Light-receiving element, as shown in FIG. 3, Ge photodiode (FIG. 3
の素子120に相当)の上流側にSi−PINフォトダイオード(図3の素子110に相当)を同一光路上に配置したものを用いた。 Si-PIN photodiode upstream equivalent) to the device 120 (corresponding to element 110 in FIG. 3) used was placed on the same optical path to.

【0036】以上のごとく、本実施形態は、発光素子から測定対象に光を照射するとともに測定対象からの反射光を受光素子にて受光して、測定対象までの距離を測定する距離測定装置において、異なる波長の光を発光する複数の発光素子を有する構成を採用し、波長の異なる各光を選択的に使用して距離を測定するようにした。 [0036] As described above, the present embodiment, the reflected light from the measurement target irradiates light to the measurement target from the light emitting element is received by the light receiving element, the distance measuring apparatus for measuring a distance to the measurement object , it employs a configuration having a plurality of light emitting elements emitting light of different wavelengths, and to measure the distance by selectively using the light of different wavelengths. これにより、出射光が目に入った場合の安全基準を満たし、 Thus, satisfying a safety standard for the emitted light enters the eye,
数mの近距離から100m以上の遠距離まで距離を誤認識なく測定することが可能となる。 The distance can be measured without erroneously recognized from short range of several m to more distant 100 m.

【0037】この場合、 ・図11に示すごとく各発光素子は、その検知領域が異なるものとしたり、 ・各発光素子に対応する複数の受光素子を備え、各受光素子は、図5,6に示すごとく、それぞれの波長の光に適応した感度を有するものとしたり、 ・図3に示すごとく、第1の波長の光を透過し、第1の波長より短い第2の波長の光に対して感度を有する第1 [0037] In this case, each light-emitting element as shown in-Figure 11, or the one whose detection area is different, comprising a plurality of light receiving elements corresponding to the & respective light emitting elements, each light receiving element, in FIGS as shown, or as having a sensitivity adapted to the light of each wavelength, as shown in-Figure 3, and transmits light of a first wavelength for shorter than the first wavelength second wavelength light the sensitive 1
の受光素子110と、第1の波長の光に対して感度を有する第2の受光素子120が同一光路上に配置されているものとしたり、 ・図9,10に示すごとく、複数の発光素子301,3 A light receiving element 110, or it is assumed that the second light receiving element 120 having sensitivity to light of the first wavelength is arranged on the same optical path, as shown in-Figure 9, a plurality of light emitting elements 301,3
02(401,402)が1つの光学系を使用したり、 ・距離測定装置を自動車等の移動体に搭載し、移動体の移動速度に応じて複数の発光素子の中から適切な発光波長を有する発光素子を選択して発光させたり、 ・同じく移動体の移動速度に応じて複数の発光素子の中から適切な光出力を有する発光素子を選択して発光させたり、 ・図11に示すごとく、複数の発光素子は、それぞれ、 02 (401, 402) is or use a single optical system, equipped with and distance measuring device in a mobile object such as an automobile, an appropriate emission wavelength from the plurality of light emitting elements in accordance with the moving speed of the moving body or emit light by selecting a light emitting device having, or emit light by selecting a light emitting device having an adequate light output from a plurality of light emitting elements in accordance with the moving speed of the-same mobile, as shown in-Figure 11 a plurality of light emitting elements, respectively,
異なる検知角の範囲で光を照射するものであり、被測定物体と移動体との間の距離が近距離の場合の検知角は、 And irradiates light in a range of different detection angles, the detection angle when the distance between the moving entity and the object to be measured is a short distance,
被測定物体と移動体との間の距離が遠距離の場合の検知角に比較して大きくしたり、 ・発光素子の発光波長が、少なくとも1.4μm以上であるとしたり、することができる。 Or by increasing the distance between the moving entity and the object to be measured is compared with the detection angle in the case of long distance, the emission wavelength of the-light emitting element, or the at least 1.4μm or more, can be.

【0038】また他にも、各発光素子は、それぞれ、波長の異なる複数の光を発光する構成とすることもできる。 Further to other, each light emitting element, respectively, may be configured for emitting a plurality of lights having different wavelengths. つまり、測定の際に各素子毎の使用する波長を切り替えて、各発光素子毎に異なる領域に存在する物体と発光素子との間の距離を測定するようにしてもよい。 In other words, by switching the wavelength used for each element in the measurement, the distance may be measured between the object existing in the different areas in each light emitting element and the light-emitting element.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 波長に対するMPE(最大許容露光量)の関係を示す図。 FIG. 1 shows the relationship between the MPE versus wavelength (maximum permissible exposure).

【図2】 受光素子を示す図。 Figure 2 illustrates a light receiving element.

【図3】 受光素子を示す図。 FIG. 3 is a diagram showing a light-receiving element.

【図4】 受光素子を示す図。 4 is a diagram showing a light receiving element.

【図5】 Siフォトダイオードの感度特性図。 [5] the sensitivity characteristic diagram of Si photodiodes.

【図6】 InGaAsフォトダイオードの感度特性図。 [6] the sensitivity characteristic diagram of InGaAs photodiode.

【図7】 半導体レーザの縦断面図。 Figure 7 is a longitudinal sectional view of a semiconductor laser.

【図8】 エネルギーバンド図。 [8] energy band diagram.

【図9】 発光素子を示す図。 9 is a diagram showing a light emitting device.

【図10】 発光素子を示す図。 10 is a view showing a light emitting device.

【図11】 車間距離測定装置に適用した場合の平面図。 Figure 11 is a plan view of the application of the inter-vehicle distance measuring device.

【図12】 測定範囲に光をスキャンする方法を説明するための図。 Figure 12 is a diagram for explaining a method for scanning light to the measurement range.

【図13】 車間距離測定装置に適用した場合の平面図。 Figure 13 is a plan view of the application of the inter-vehicle distance measuring device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

110…受光素子、120…受光素子、121…リング状電極、122…リング状電極、200…n−GaAs 110 ... receiving element, 120 ... light-receiving element, 121 ... ring electrodes, 122 ... ring electrodes, 200 ... n-GaAs
基板、201…n−GaAsバッファー層、202…n Substrate, 201 ... n-GaAs buffer layer, 202 ... n
−AlGaAsクラッド層、203…GaAs光ガイド層、204…GaInNAs活性層(量子井戸層)、2 -AlGaAs cladding layer, 203 ... GaAs optical guide layer, 204 ... GaInNAs active layer (quantum well layer), 2
05…GaAs光ガイド層、206…p−AlGaAs 05 ... GaAs optical guide layer, 206 ... p-AlGaAs
クラッド層、207…p−GaAsキャップ層、301 Cladding layer, 207 ... p-GaAs cap layer, 301
…発光素子、302…発光素子、303…ミラー、30 ... light emitting element, 302 ... light emitting element, 303 ... mirror, 30
4…ミラー、400…パッケージ、401…発光素子、 4 ... mirror, 400 ... package 401 ... light emitting element,
402…発光素子。 402 ... the light-emitting element.

フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) G08G 1/16 H01L 31/12 E 5J084 H01L 31/10 33/00 L 31/12 G01S 17/88 A 33/00 H01L 31/10 A (72)発明者 鈴木 愛美 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 森下 敏之 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 Fターム(参考) 2F112 AD10 BA18 CA05 DA15 DA19 DA25 DA32 EA20 FA12 5F041 AA12 CA04 CA05 CA22 CA34 CA35 CA36 EE21 EE23 5F049 MA02 MA04 MB02 MB05 NB07 5F089 BA02 BB01 BC22 5H180 AA01 CC03 CC14 LL01 LL04 LL06 LL09 5J084 AA02 AA05 AB01 AC02 AD20 BA04 BA08 BA22 BA36 BA49 BB20 BB24 BB26 CA03 CA11 CA19 CA31 DA01 DA07 EA22 EA29 EA32 Of the front page Continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (Reference) G08G 1/16 H01L 31/12 E 5J084 H01L 31/10 33/00 L 31/12 G01S 17/88 A 33/00 H01L 31/10 a (72) inventor Manami Suzuki Kariya, Aichi Showacho 1-chome 1 address stock Company in Denso (72) inventor Morishita Kariya, Aichi Toshiyuki Showacho 1-chome 1 address stock Company DENSO in the F-term (reference) 2F112 AD10 BA18 CA05 DA15 DA19 DA25 DA32 EA20 FA12 5F041 AA12 CA04 CA05 CA22 CA34 CA35 CA36 EE21 EE23 5F049 MA02 MA04 MB02 MB05 NB07 5F089 BA02 BB01 BC22 5H180 AA01 CC03 CC14 LL01 LL04 LL06 LL09 5J084 AA02 AA05 AB01 AC02 AD20 BA04 BA08 BA22 BA36 BA49 BB20 BB24 BB26 CA03 CA11 CA19 CA31 DA01 DA07 EA22 EA29 EA32

Claims (14)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 発光素子から測定対象に光を照射するとともに測定対象からの反射光を受光素子にて受光して、 1. A reflected light from the measurement target irradiates light to the measurement target from the light emitting element is received by the light receiving element,
    測定対象までの距離を測定する距離測定装置において、 異なる波長の光を発光する複数の発光素子を有することを特徴とする距離測定装置。 In the distance measuring apparatus for measuring a distance to a measurement target, a distance measuring apparatus characterized by having a plurality of light emitting elements emitting light of different wavelengths.
  2. 【請求項2】 各発光素子は、その検知領域が異なることを特徴とする請求項1に記載の距離測定装置。 Wherein each light-emitting element, the distance measuring apparatus according to claim 1, characterized in that the detection region is different.
  3. 【請求項3】 各発光素子は、それぞれ、波長の異なる複数の光を発光するものであることを特徴とする請求項2に記載の距離測定装置。 Wherein each light emitting element, respectively, the distance measuring apparatus according to claim 2, wherein the light is emitted a plurality of lights having different wavelengths.
  4. 【請求項4】 各発光素子に対応する複数の受光素子を備え、各受光素子は、それぞれの波長の光に適応した感度を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1 4. comprises a plurality of light receiving elements corresponding to the respective light emitting elements, each light receiving element is any one of the preceding claims, characterized in that it has a sensitivity adapted to the light of each wavelength
    項に記載の距離測定装置。 Distance measuring device according to claim.
  5. 【請求項5】 第1の波長の光を透過し、第1の波長より短い第2の波長の光に対して感度を有する第1の受光素子と、第1の波長の光に対して感度を有する第2の受光素子が同一光路上に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の距離測定装置。 5. transmits light of a first wavelength, a first light receiving element having sensitivity to light of a first second wavelength shorter than the wavelength, the sensitivity to light of the first wavelength distance measuring device according to claim 4, wherein the second light receiving element having a are disposed on the same optical path.
  6. 【請求項6】 複数の発光素子が1つの光学系を使用することを特徴とする請求項1に記載の距離測定装置。 6. A distance measuring apparatus according to claim 1 in which a plurality of light emitting elements, characterized by using a single optical system.
  7. 【請求項7】 移動体に搭載されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の距離測定装置。 7. A distance measuring apparatus according to any one of claims 1 to 6, characterized in that mounted on the moving body.
  8. 【請求項8】 前記移動体の移動速度に応じて前記複数の発光素子の中から適切な発光波長を有する発光素子を選択して発光させることを特徴とする請求項7に記載の距離測定装置。 8. A distance measuring apparatus according to claim 7, characterized in that to emit light by selecting a light emitting device having an appropriate emission wavelength from the plurality of light emitting elements according to the moving speed of the moving body .
  9. 【請求項9】 前記移動体の移動速度に応じて前記複数の発光素子の中から適切な光出力を有する発光素子を選択して発光させることを特徴とする請求項7に記載の距離測定装置。 9. The distance measuring apparatus according to claim 7, characterized in that to emit light by selecting a light emitting device having an adequate light output from the plurality of light emitting elements according to the moving speed of the moving body .
  10. 【請求項10】 前記複数の発光素子は、それぞれ、異なる検知角の範囲で光を照射するものであり、被測定物体と前記移動体との間の距離が近距離の場合の検知角は、被測定物体と前記移動体との間の距離が遠距離の場合の検知角に比較して大きいことを特徴とする請求項7 Wherein said plurality of light emitting elements, respectively, which irradiates light in a range of different detection angles, the detection angle when the distance between the moving entity and the object to be measured is a short distance, claim distance between the moving entity and the measured object is equal to or larger than the detection angle in the case of long distance 7
    〜9のいずれか1項に記載の距離測定装置。 Distance measuring device according to any one of to 9.
  11. 【請求項11】 前記発光素子の発光波長が、少なくとも1.4μm以上であることを特徴とする請求項1〜1 Emission wavelength of wherein said light emitting element, according to claim, characterized in that at least 1.4μm than 1 to 1
    0のいずれか1項に記載の距離測定装置。 Distance measuring device according to any one of 0.
  12. 【請求項12】 前記複数の受光素子は、第1の受光素子がSiフォトダイオードであり、第2の受光素子がG 12. The method of claim 11, wherein the plurality of light receiving elements, the first light receiving element is a Si photodiode, the second light receiving element G
    eフォトダイオード又はInGaAsフォトダイオードであることを特徴とする請求項4〜10のいずれか1項に記載の距離測定装置。 Distance measuring device according to any one of claims 4 to 10, characterized in that the e photodiode or InGaAs photodiodes.
  13. 【請求項13】 前記発光素子は半導体レーザであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の距離測定装置。 13. The light emitting device a distance measuring apparatus according to any one of claims 1 to 10, which is a semiconductor laser.
  14. 【請求項14】 前記複数の素子を同一パッケージに実装したことを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の距離測定装置。 14. The distance measuring apparatus according to any one of claims 1 to 13, characterized in that mounted with the plurality of elements in the same package.
JP2000280217A 2000-09-14 2000-09-14 Distance measuring apparatus Pending JP2002090457A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000280217A JP2002090457A (en) 2000-09-14 2000-09-14 Distance measuring apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000280217A JP2002090457A (en) 2000-09-14 2000-09-14 Distance measuring apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002090457A true JP2002090457A (en) 2002-03-27

Family

ID=18765100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000280217A Pending JP2002090457A (en) 2000-09-14 2000-09-14 Distance measuring apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002090457A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008249658A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Topcon Corp Laser system and distance measuring instrument
JP2008292370A (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Topcon Corp Distance measuring device
JP2009514252A (en) * 2005-11-01 2009-04-02 マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー Monolithically integrated semiconductor materials and devices
JP2014173966A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Nec Corp Laser distance measuring device and laser distance measuring method
CN106324586A (en) * 2015-07-01 2017-01-11 意法半导体(R&D)有限公司 Photonics device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009514252A (en) * 2005-11-01 2009-04-02 マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー Monolithically integrated semiconductor materials and devices
JP2008249658A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Topcon Corp Laser system and distance measuring instrument
JP2008292370A (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Topcon Corp Distance measuring device
JP2014173966A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Nec Corp Laser distance measuring device and laser distance measuring method
CN106324586A (en) * 2015-07-01 2017-01-11 意法半导体(R&D)有限公司 Photonics device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1454370B1 (en) Light emitting device and method for making same
US7795600B2 (en) Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
JP4907842B2 (en) Light emitting diode with planar omnidirectional reflector
EP2223397B1 (en) Laser light source and method for producing a laser light source
US5627851A (en) Semiconductor light emitting device
US20060202219A1 (en) Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus
US5633527A (en) Unitary lens semiconductor device
US8163582B2 (en) Method for fabricating a light emitting diode chip including etching by a laser beam
EP0047591B1 (en) Light emitting diodes with high external quantum efficiency
TWI499075B (en) Semiconductor light emitting device with light extraction structures
US6784460B2 (en) Chip shaping for flip-chip light emitting diode
US20040084682A1 (en) Semiconductor chip for optoelectronics and method for production thereof
US6015719A (en) Transparent substrate light emitting diodes with directed light output
US5793062A (en) Transparent substrate light emitting diodes with directed light output
EP0635893A1 (en) Semiconductor light emitter
US6005262A (en) Flip-chip bonded VCSEL CMOS circuit with silicon monitor detector
US8039864B2 (en) Semiconductor light emitting device and fabrication method for the same
US20050083982A1 (en) Surface emitting and receiving photonic device
US7598527B2 (en) Monitoring photodetector for integrated photonic devices
CN101601143B (en) Thin-film light emitting diode chip and method for producing thin-film light emitting diode chip
EP1232547A1 (en) Method and apparatus for integrated optically pumped vertical cavity surface emitting lasers
JPH06338630A (en) Semiconductor light-emitting element, and optical detector, optical information processor, optical coupler and light-emitting device using the light-emitting element
JPH07107947B2 (en) Method for producing a high-quality semiconductor light emitting device
US5295147A (en) Vertical cavity, surface-emitting laser with expanded cavity
US6097041A (en) Light-emitting diode with anti-reflector

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061003

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090619

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091201