JP2002084556A - Method for evaluating solid-state image pickup element - Google Patents
Method for evaluating solid-state image pickup elementInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子の評価
方法に係り、特に固体撮像素子における電荷転送欠陥を
検出する評価方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for evaluating a solid-state imaging device, and more particularly to an evaluation method for detecting a charge transfer defect in a solid-state imaging device.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、R(赤色)画素、G(緑色)画
素、及びB(青色)画素が配置されている固体撮像素子
には、その電荷転送の種類として、主に垂直転送と水平
転送がある。そして、このような固体撮像素子の評価項
目の一つに、電荷転送欠陥の評価がある。先ず、従来の
固体撮像素子における電荷転送欠陥について、図6の平
面模式図に示されるように、R画素、G画素、及びB画
素がベイヤー配列されている固体撮像素子を例にとって
説明する。2. Description of the Related Art In general, a solid-state image pickup device in which R (red) pixels, G (green) pixels, and B (blue) pixels are arranged mainly includes vertical transfer and horizontal transfer as types of charge transfer. There is. One of the evaluation items of such a solid-state imaging device is evaluation of charge transfer defects. First, charge transfer defects in a conventional solid-state imaging device will be described with reference to a solid-state imaging device in which R, G, and B pixels are arranged in a Bayer array as shown in a schematic plan view of FIG.
【0003】図6に示されるベイヤー配列の固体撮像素
子において、その垂直転送方向にR画素及びG画素が交
互に配置されているRED(赤色)列のX−Y線に沿っ
た各R画素及び各G画素の出力レベルを見ると、図7に
示されるようになる。In the solid-state image pickup device of the Bayer arrangement shown in FIG. 6, each R pixel along the XY line of a RED (red) column in which R pixels and G pixels are alternately arranged in the vertical transfer direction. The output level of each G pixel is as shown in FIG.
【0004】即ち、固体撮像素子のRED列に電荷転送
欠陥がない場合には、図7(a)に示されるように、各
R画素及び各G画素の出力レベルは正常な状態の出力レ
ベルaとなる。That is, when there is no charge transfer defect in the RED column of the solid-state imaging device, as shown in FIG. 7A, the output level of each R pixel and each G pixel is the output level a in a normal state. Becomes
【0005】また、このRED列に電荷転送欠陥がある
場合には、図7(b)に示されるように、図中に○印で
表示した欠陥部の画素及びその後続の画素の出力レベル
が変化してしまう。即ち、電荷転送欠陥が生じているR
画素の出力レベルbは、その電荷転送欠陥によって信号
がトラップされるため、正常な状態の出力レベルaより
も低レベルに減少する。また、この欠陥部から後続のG
画素の出力レベルcは、トラップされていた信号が転送
残しとなるため、その分だけ出力レベルが増加する。If there is a charge transfer defect in the RED column, as shown in FIG. 7B, the output level of the defective pixel indicated by a circle in the figure and the output level of the subsequent pixels are reduced. Will change. That is, R in which a charge transfer defect has occurred
Since the signal is trapped by the charge transfer defect, the output level b of the pixel decreases to a level lower than the output level a in a normal state. In addition, subsequent G
As for the output level c of the pixel, the trapped signal remains to be transferred, so that the output level increases by that amount.
【0006】次に、図6に示されるベイヤー配列の固体
撮像素子における電荷転送欠陥を検出する従来の評価方
法を、図8を用いて説明する。ここで、図8は図6に示
すベイヤー配列の固体撮像素子にRED光を照射した場
合の垂直転送方向のRED列の各R画素及び各G画素の
出力レベルを示すX−Y線概略断面図である。Next, a conventional evaluation method for detecting a charge transfer defect in the solid-state imaging device having the Bayer array shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. Here, FIG. 8 is a schematic cross-sectional view taken along the line XY showing the output level of each R pixel and each G pixel in the RED column in the vertical transfer direction when the solid-state imaging device having the Bayer array shown in FIG. 6 is irradiated with RED light. It is.
【0007】先ず、図6に示されるベイヤー配列の固体
撮像素子に対して、信号の増減を顕著にするために、R
ED光を照射する。なお、このRED光の照射は、垂直
転送方向のRED列の電荷転送欠陥を評価するためであ
る。従って、B画素及びG画素が交互に配置されている
BLUE(青色)列の電荷転送欠陥を評価する場合に
は、BLUE光を照射する。First, in order to increase or decrease the signal in the Bayer array solid-state image pickup device shown in FIG.
Irradiate ED light. The irradiation of the RED light is for evaluating charge transfer defects in the RED column in the vertical transfer direction. Therefore, when evaluating a charge transfer defect in a BLUE (blue) column in which B pixels and G pixels are alternately arranged, the BLUE light is irradiated.
【0008】このようなRED光の照射によって得られ
たRED列の各R画素及び各G画素の出力レベルは、図
8に示されるようになる。即ち、RED列に電荷転送欠
陥がない場合には、図8(a)に示されるように、各R
画素の出力レベルは、正常な状態の出力レベルaとな
る。他方、各G画素の出力レベルは、RED光が照射さ
れているために、R画素の出力レベルaに比べ極端に低
い出力レベルbとなる(b<<a)。The output level of each R pixel and each G pixel in the RED column obtained by the irradiation of the RED light is as shown in FIG. That is, when there is no charge transfer defect in the RED column, as shown in FIG.
The output level of the pixel becomes the output level a in a normal state. On the other hand, the output level of each G pixel becomes an output level b which is extremely lower than the output level a of the R pixel (b << a) because the RED light is irradiated.
【0009】また、RED列に電荷転送欠陥がある場合
には、図8(b)に示されるように、その電荷転送欠陥
があるR画素の出力レベルは、電荷転送欠陥によって信
号がトラップされるため、図8(a)に示される正常な
状態の出力レベルaより減少して、出力レベルcとなる
(c<a)。When there is a charge transfer defect in the RED column, as shown in FIG. 8B, a signal is trapped in the output level of the R pixel having the charge transfer defect due to the charge transfer defect. Therefore, the output level becomes lower than the normal output level a shown in FIG. 8A and becomes the output level c (c <a).
【0010】他方、この電荷転送欠陥があるR画素に後
続するG画素の出力レベルは、トラップされていた信号
が転送残しとなり、その分だけ図8(a)に示される出
力レベルbよりも増加するため、出力レベルdとなる
(d>b)。そして、このときG画素の出力レベルに注
目して、G画素の出力信号の変化量(d−b)を電荷電
送欠陥の出力成分Tとして検出する(T=d−b)。On the other hand, the output level of the G pixel subsequent to the R pixel having the charge transfer defect is higher than the output level b shown in FIG. Therefore, the output level becomes d (d> b). At this time, paying attention to the output level of the G pixel, the change amount (db) of the output signal of the G pixel is detected as the output component T of the charge transmission defect (T = db).
【0011】なお、この電荷電送欠陥の検出において、
R画素ではなくG画素の出力レベルに注目するのは、G
画素の出力レベルに注目する方が、R画素に注目するよ
りも相対的な変化量を捉え易いためである。In the detection of the charge transmission defect,
Focusing on the output level of the G pixel instead of the R pixel
This is because focusing on the output level of the pixel makes it easier to grasp the relative change amount than focusing on the R pixel.
【0012】これ以降の電荷電送欠陥の評価アルゴリズ
ムについては、本発明の実施の形態を説明する際に、そ
れと対比して具体的に後述することにするが、以上の説
明からも明らかなように、固体撮像素子にRED光を照
射し、その際のRED列のG画素の出力レベルに注目し
て、そのG画素の出力信号の変化量(d−b)を電荷電
送欠陥の出力成分T(=d−b)として検出することに
より、電荷電送欠陥の評価を行うことが可能であった。[0012] The following description of the algorithm for evaluating the electric charge transmission defect will be made in detail later in comparison with the embodiment of the present invention, as will be apparent from the above description. By irradiating the solid-state imaging device with RED light, and paying attention to the output level of the G pixel in the RED column at that time, the amount of change (db) of the output signal of the G pixel is calculated as the output component T ( = D−b), it was possible to evaluate the charge transmission defect.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の固
体撮像素子における電荷電送欠陥の評価方法において
は、次のような欠点を有していた。即ち、固体撮像素子
の垂直転送部にDK白点、いわゆる白線が発生した場
合、この白線を電荷転送欠陥と誤認するという欠点であ
る。However, the conventional method for evaluating a charge transmission defect in a solid-state imaging device has the following disadvantages. That is, when a DK white point, a so-called white line, occurs in the vertical transfer portion of the solid-state imaging device, the white line is erroneously recognized as a charge transfer defect.
【0014】以下、図9を用いて具体的に説明する。こ
こで、図9は図6に示すベイヤー配列の固体撮像素子に
RED光を照射した場合の垂直転送方向のRED列の各
R画素及び各G画素の出力レベルを示すX−Y線概略断
面図である。Hereinafter, a specific description will be given with reference to FIG. Here, FIG. 9 is a schematic XY line sectional view showing the output level of each R pixel and each G pixel in the RED column in the vertical transfer direction when the solid-state imaging device having the Bayer array shown in FIG. 6 is irradiated with RED light. It is.
【0015】図6に示されるベイヤー配列の固体撮像素
子にRED光を照射すると、その垂直転送方向のRED
列に電荷転送欠陥がない場合には、RED光の照射によ
って得られたRED列の各R画素及び各G画素の出力レ
ベルは、図9(a)に示されるようになる。即ち、各R
画素の出力レベルは正常な状態の出力レベルaとなり、
他方、各G画素の出力レベルはR画素の出力レベルaに
比べ極端に低い出力レベルbとなる(b<<a)。これ
は、上記図8(a)に示される場合と同様である。When the solid-state image pickup device having the Bayer array shown in FIG. 6 is irradiated with RED light, RED in the vertical transfer direction is irradiated.
When there is no charge transfer defect in the column, the output levels of each R pixel and each G pixel in the RED column obtained by irradiation of the RED light are as shown in FIG. 9A. That is, each R
The output level of the pixel becomes the output level a in a normal state,
On the other hand, the output level of each G pixel is extremely lower than the output level a of the R pixel b (b << a). This is the same as the case shown in FIG.
【0016】しかし、垂直転送方向のRED列に電荷転
送欠陥はないものの、白線がある場合には、図9(b)
に示されるように、R画素の出力レベルは、白線の発生
によって増加するため、図9(a)に示される正常な状
態の出力レベルaに白線による信号成分が加わることに
なり、出力レベルaよりも大きな出力レベルeとなる
(e>a)。However, if there is no charge transfer defect in the RED column in the vertical transfer direction but there is a white line, FIG.
As shown in FIG. 9, since the output level of the R pixel increases due to the occurrence of the white line, a signal component due to the white line is added to the output level a in the normal state shown in FIG. The output level e becomes larger than that (e> a).
【0017】また、G画素の出力レベルも、白線の発生
によって同様に増加し、出力レベルbに白線による信号
成分が加わって、図9(a)に示される出力レベルbよ
りも大きな出力レベルfとなる(f>b)。The output level of the G pixel similarly increases due to the occurrence of the white line, and a signal component due to the white line is added to the output level b, so that the output level f is larger than the output level b shown in FIG. (F> b).
【0018】このため、G画素の出力レベルに注目し
て、G画素の出力信号の変化量を電荷電送欠陥の出力成
分Tとして検出する従来の評価方法においては、G画素
の出力信号の変化量(f−b)が白線による信号成分に
よるものである場合であっても電荷電送欠陥の出力成分
Tとして検出することになる。即ち、白線の発生を電荷
電送欠陥の発生と誤認して、白線の出力成分を電荷電送
欠陥の出力成分として誤検出してしまう。For this reason, in the conventional evaluation method which focuses on the output level of the G pixel and detects the amount of change in the output signal of the G pixel as the output component T of the charge transfer defect, the amount of change in the output signal of the G pixel Even when (f−b) is due to a signal component represented by a white line, it is detected as an output component T of a charge transmission defect. That is, the generation of the white line is erroneously recognized as the generation of the charge transmission defect, and the output component of the white line is erroneously detected as the output component of the charge transmission defect.
【0019】従って、従来の固体撮像素子における電荷
転送欠陥を検出する評価方法においては、このような白
線を電荷電送欠陥と誤認する欠点があるため、電荷転送
欠陥の高精度の評価ができないという問題があった。Therefore, in the conventional evaluation method for detecting a charge transfer defect in a solid-state image pickup device, there is a defect that such a white line is erroneously recognized as a charge transfer defect, so that it is impossible to evaluate a charge transfer defect with high accuracy. was there.
【0020】そこで本発明は、上記事情を鑑みてなされ
たものであり、白線を電荷電送欠陥と誤認することな
く、電荷転送欠陥を高精度に検出することが可能な固体
撮像素子の評価方法を提供することを目的とする。Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an evaluation method of a solid-state imaging device capable of detecting a charge transfer defect with high accuracy without erroneously recognizing a white line as a charge transmission defect. The purpose is to provide.
【0021】[0021]
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下に述べ
る本発明に係る固体撮像素子の評価方法によって達成さ
れる。即ち、請求項1に係る固体撮像素子の評価方法
は、R画素、G画素、及びB画素が配置されている固体
撮像素子における電荷転送欠陥を検出する際に、固体撮
像素子に所定の色の光を照射し、R画素、G画素、及び
B画素のうちの所定の2種類の第1画素及び第2画素が
垂直転送方向に交互に配置されている所定の列の各第1
画素及び各第2画素の出力レベルを検出する第1のステ
ップと、この所定の列の第1画素の出力レベルと第1画
素の直後の第2画素の出力レベルとの差を算出する第2
のステップと、この第2のステップにおける算出結果を
固体撮像素子の垂直転送方向に加算する第3のステップ
と、この第3のステップにおける加算結果を比較して、
所定の列における電荷転送欠陥の出力成分を検出する第
4のステップと、を有することを特徴とする。The above object is achieved by a method for evaluating a solid-state imaging device according to the present invention described below. That is, the solid-state imaging device evaluation method according to claim 1, when detecting a charge transfer defect in the solid-state imaging device in which the R pixel, the G pixel, and the B pixel are arranged, the solid-state imaging device has a predetermined color. Each of the first and second pixels of a predetermined column in which predetermined two types of first and second pixels of the R, G, and B pixels are alternately arranged in the vertical transfer direction by irradiating light.
A first step of detecting an output level of the pixel and each second pixel, and a second step of calculating a difference between an output level of the first pixel in the predetermined column and an output level of a second pixel immediately after the first pixel.
And the third step of adding the calculation result in the second step in the vertical transfer direction of the solid-state imaging device, and comparing the addition result in the third step,
A fourth step of detecting an output component of a charge transfer defect in a predetermined column.
【0022】そして、R画素及びG画素が垂直転送方向
に交互に配置されているRED列における電荷転送欠陥
の出力成分を検出する場合には、RED光を用いて固体
撮像素子を照射することが好適である。When detecting an output component of a charge transfer defect in a RED column in which R pixels and G pixels are alternately arranged in the vertical transfer direction, the solid-state imaging device may be irradiated with RED light. It is suitable.
【0023】また、B画素及びG画素が垂直転送方向に
交互に配置されているBLUE列における電荷転送欠陥
の出力成分を検出する場合には、BLUE光を用いて固
体撮像素子を照射することが好適である。When detecting an output component of a charge transfer defect in a BLUE column in which B pixels and G pixels are alternately arranged in the vertical transfer direction, the solid-state imaging device may be irradiated with BLUE light. It is suitable.
【0024】このように請求項1に係る固体撮像素子の
評価方法においては、例えばRED列における電荷転送
欠陥の出力成分を検出する場合、固体撮像素子にRED
光を照射し、RED列の各R画素及び各G画素の出力レ
ベルを検出した後、R画素の出力レベルとその直後のG
画素の出力レベルとの差を算出することにより、この時
点において従来の固体撮像素子における電荷転送欠陥の
評価方法において誤検出の対象である白線の出力成分が
なくなる。このため、R画素とその直後のG画素との出
力レベルの差を垂直転送方向に加算し、その加算結果を
比較することにより、従来の場合のように白線の出力成
分を電荷転送欠陥の出力成分として誤評価することな
く、RED列における電荷転送欠陥の出力成分のみが容
易に検出される。従って、固体撮像素子のRED列にお
ける電荷転送欠陥の適正かつ高精度な評価が実現され
る。As described above, in the method for evaluating a solid-state image pickup device according to the first aspect, for example, when the output component of the charge transfer defect in the RED column is detected, the solid-state image pickup device is set to RED
After irradiating light and detecting the output level of each R pixel and each G pixel in the RED column, the output level of the R pixel and the G level immediately after that are detected.
By calculating the difference between the output level of the pixel and the output level of the pixel, the output component of the white line which is an object of erroneous detection in the conventional method of evaluating a charge transfer defect in the solid-state imaging device is eliminated at this time. For this reason, the difference between the output level of the R pixel and the output level of the G pixel immediately following the pixel is added in the vertical transfer direction, and the addition result is compared. Only the output component of the charge transfer defect in the RED column can be easily detected without erroneous evaluation as a component. Accordingly, appropriate and highly accurate evaluation of the charge transfer defect in the RED column of the solid-state imaging device is realized.
【0025】このことは、BLUE列における電荷転送
欠陥の出力成分を検出する場合も同様である。即ち、こ
の場合には、固体撮像素子にBLUE光を照射し、BL
UE列の各B画素及び各G画素の出力レベルを検出し、
B画素とその直後のG画素との出力レベルの差を算出し
て、従来の固体撮像素子における電荷転送欠陥の評価方
法において誤検出の対象である白線の出力成分がなした
後、B画素とその直後のG画素との出力レベルの差を垂
直転送方向に加算し、その加算結果を比較することによ
り、従来の場合のように白線の出力成分を電荷転送欠陥
の出力成分として誤評価することなく、BLUE列にお
ける電荷転送欠陥の出力成分のみが容易に検出される。
従って、固体撮像素子のBLUE列における電荷転送欠
陥の適正かつ高精度な評価も実現される。The same applies to the case where the output component of the charge transfer defect in the BLUE column is detected. That is, in this case, the solid-state imaging device is irradiated with BLUE light,
Detecting the output level of each B pixel and each G pixel in the UE column,
The difference between the output level of the B pixel and the output level of the G pixel immediately after the pixel is calculated, and the output component of the white line that is the target of erroneous detection in the conventional method of evaluating a charge transfer defect in a solid-state imaging device is formed. By adding the difference between the output level of the G pixel immediately after that and the vertical transfer direction, and comparing the addition results, the output component of the white line is erroneously evaluated as the output component of the charge transfer defect as in the conventional case. Instead, only the output component of the charge transfer defect in the BLUE column is easily detected.
Therefore, proper and highly accurate evaluation of the charge transfer defect in the BLUE column of the solid-state imaging device is also realized.
【0026】なお、この請求項1に係る固体撮像素子の
評価方法において、固体撮像素子に所定の色の光を照射
し、R画素、G画素、及びB画素のうちの所定の2種類
の第1画素及び第2画素が垂直転送方向に交互に配置さ
れている所定の列の各第1画素及び各第2画素の出力レ
ベルを検出する第1のステップまでは、従来の固体撮像
素子における電荷転送欠陥の評価方法と共通するため、
従来の評価方法と組み合わせたり、従来の評価方法から
変更したりする際に、その対応が非常に容易であるとい
う利点も有している。In the method for evaluating a solid-state image pickup device according to the first aspect, the solid-state image pickup device is irradiated with light of a predetermined color, and a predetermined two types of R, G, and B pixels are used. Until the first step of detecting the output level of each of the first and second pixels in a predetermined column in which one pixel and the second pixel are alternately arranged in the vertical transfer direction, the charge in the conventional solid-state image sensor is Because it is the same as the transfer defect evaluation method,
When combining with a conventional evaluation method or changing from the conventional evaluation method, there is also an advantage that the response is very easy.
【0027】[0027]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図1は本発明の一実施
の形態に係る固体撮像素子の評価方法により電荷転送欠
陥を検出する対象となるベイヤー配列の固体撮像素子を
示す平面模式図であり、図2は図1に示す固体撮像素子
にRED光を照射した場合の垂直転送方向のRED列の
各R画素及び各G画素の出力レベルを示す概略断面図で
あり、図3は図2におけるR画素の出力レベルとその直
後のG画素の出力レベルとの差を示す概略断面図であ
る。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
An embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic plan view showing a Bayer-arrayed solid-state imaging device from which a charge transfer defect is detected by the method for evaluating a solid-state imaging device according to one embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the output level of each R pixel and each G pixel in the RED column in the vertical transfer direction when the image sensor is irradiated with RED light, and FIG. 3 shows the output level of the R pixel in FIG. FIG. 4 is a schematic sectional view illustrating a difference from an output level of a G pixel.
【0028】先ず、図1に示されるようにR画素、G画
素、及びB画素がベイヤー配列されている固体撮像素子
に対して、そのR画素及びG画素が垂直転送方向に交互
に配置されているRED列の電荷転送欠陥を検出するた
め、RED光を照射する。First, as shown in FIG. 1, for a solid-state image pickup device in which R, G, and B pixels are arranged in a Bayer array, the R and G pixels are alternately arranged in the vertical transfer direction. RED light is irradiated to detect a charge transfer defect in the existing RED column.
【0029】ここで、図1に示されるベイヤー配列の固
体撮像素子において、次の4種類のRED列を想定する
こととする。即ち、 電荷転送欠陥がない列、 電荷転送欠陥がある列、 電荷転送欠陥がなく白線がある列、 電荷転送欠陥があり白線もある列 の4種類である。Here, in the solid-state image pickup device having the Bayer array shown in FIG. 1, the following four types of RED strings are assumed. There are four types: a column without charge transfer defects, a column with charge transfer defects, a column with white lines without charge transfer defects, and a column with white lines without charge transfer defects.
【0030】そして、図1に示されるベイヤー配列の固
体撮像素子にRED光を照射した場合における4種類の
RED列の各R画素及び各G画素の出力レベルは、図2
に示されるようになる。When the solid-state imaging device having the Bayer array shown in FIG. 1 is irradiated with RED light, the output levels of each R pixel and each G pixel of the four types of RED columns are as shown in FIG.
It becomes as shown in.
【0031】即ち、の電荷転送欠陥がない列において
は、図2(a)に示されるように、R画素の出力レベル
は、正常な状態の出力レベルaとなる。他方、G画素の
出力レベルは、RED光が照射されているために、R画
素の出力レベルaに比べ極端に低い出力レベルbとなる
(b<<a)。That is, in the column having no charge transfer defect, the output level of the R pixel becomes the normal output level a as shown in FIG. On the other hand, the output level of the G pixel becomes extremely lower than the output level a of the R pixel (b << a) because the RED light is irradiated.
【0032】また、の電荷転送欠陥がある列において
は、図2(b)に示されるように、R画素の出力レベル
は、電荷転送欠陥によって信号がトラップされるため
に、図2(a)に示される正常な状態の出力レベルaよ
り減少して、出力レベルcとなる。この電荷転送欠陥に
よってトラップされた信号成分、即ち電荷電送欠陥の出
力成分をTとすると、出力レベルcは、c=a−Tとな
る。In the column having the charge transfer defect, as shown in FIG. 2B, the output level of the R pixel changes to the level shown in FIG. The output level c is reduced from the output level a in the normal state shown in FIG. Assuming that the signal component trapped by the charge transfer defect, that is, the output component of the charge transmission defect is T, the output level c is c = a-T.
【0033】また、このときのG画素の出力レベルは、
トラップされていた信号が転送残しとなり、その分だけ
増加するため、出力レベルdとなる。この電荷転送欠陥
によってトラップされていた信号成分、即ち電荷電送欠
陥の出力成分をTとすると、出力レベルdは、 d=b+T となる。At this time, the output level of the G pixel is
The trapped signal is left untransferred and increases by that amount, resulting in the output level d. Assuming that the signal component trapped by the charge transfer defect, that is, the output component of the charge transmission defect is T, the output level d is d = b + T.
【0034】また、の電荷転送欠陥がなく白線がある
列においては、図2(c)に示されるように、R画素の
出力レベルは、白線の発生によって増加するため、出力
レベルeとなる。この白線により増加する信号成分、即
ち白線の出力成分をWとすると、出力レベルeは、 e=a+W となる。In a column having a white line without a charge transfer defect, as shown in FIG. 2C, the output level of the R pixel increases to the output level e due to the occurrence of the white line. Assuming that the signal component increased by the white line, that is, the output component of the white line is W, the output level e is e = a + W.
【0035】また、このときのG画素の出力レベルも、
白線の発生によって同様に増加し、出力レベルfとな
る。即ち、この出力レベルfは、 f=b+W となる。The output level of the G pixel at this time is also
Similarly, the output level f increases due to the occurrence of the white line. That is, the output level f becomes f = b + W.
【0036】また、の電荷転送欠陥があり白線もある
列においては、図2(d)に示されるように、R画素の
出力レベルは、電荷転送欠陥によって信号がトラップさ
れるために減少する一方、白線の発生によって増加する
ため、出力レベルgとなる。即ち、この出力レベルg
は、図2(b)と図2(c)とを組み合わせた状態とな
り、 g=a−T+W となる。In a column having a charge transfer defect and a white line, as shown in FIG. 2D, the output level of the R pixel decreases while a signal is trapped by the charge transfer defect. , The output level g. That is, the output level g
Is a state in which FIG. 2B and FIG. 2C are combined, and g = a−T + W.
【0037】また、このときのG画素の出力レベルは、
トラップされていた信号が転送残しとなって増加するこ
とに加え、白線の発生によっても増加し、出力レベルh
となる。即ち、この出力レベルhも、図2(b)と図2
(c)とを組み合わせた状態となり、 h=b+T+W となる。The output level of the G pixel at this time is
In addition to the trapped signal increasing as a transfer residual, the signal also increases due to the occurrence of a white line, and the output level h
Becomes That is, this output level h is also the same as that shown in FIGS.
(C) and h = b + T + W.
【0038】以上のような各状態におけるRED列のR
画素及びG画素の出力レベルa〜hをまとめると、次の
ようになる。 a:正常な場合のR画素の出力レベル b:正常な場合のG画素の出力レベル c:電荷電荷転送欠陥がある場合のR画素の出力レベル
(c=a−T) d:電荷転送欠陥がある場合のG画素の出力レベル(d
=b+T) e:電荷転送欠陥がなく白線がある場合のR画素の出力
レベル(e=a+W) f:電荷転送欠陥がなく白線がある場合のG画素の出力
レベル(f=b+W) g:電荷転送欠陥及び白線がある場合のR画素の出力レ
ベル(g=a−T+W) h:電荷転送欠陥及び白線がある場合のG画素の出力レ
ベル(h=b+T+W)The R of the RED sequence in each state as described above
The output levels a to h of the pixel and the G pixel are summarized as follows. a: Output level of R pixel in normal case b: Output level of G pixel in normal state c: Output level of R pixel in the presence of charge transfer defect (c = a−T) d: Charge transfer defect The output level of the G pixel in a certain case (d
= B + T) e: Output level of R pixel when there is no charge transfer defect and white line (e = a + W) f: Output level of G pixel when there is no white line and no charge transfer defect (f = b + W) g: Electric charge Output level of R pixel in the presence of transfer defect and white line (g = a−T + W) h: Output level of G pixel in the presence of charge transfer defect and white line (h = b + T + W)
【0039】次いで、各状態におけるRED列の各R画
素の出力レベルとその直後のG画素との出力レベル、即
ち図2における各R画素の出力レベルとその右側(X方
向側)に隣接するG画素の出力レベルとを比較し、その
差を算出する。その結果は、図3に示されるようにな
る。Next, in each state, the output level of each R pixel in the RED column and the output level of the G pixel immediately after it, that is, the output level of each R pixel in FIG. 2 and the G level adjacent to the right side (X direction side). The output level of the pixel is compared, and the difference is calculated. The result is as shown in FIG.
【0040】即ち、の電荷転送欠陥がない列において
は、図3(a)に示されるように、R画素の出力レベル
aとその直後のG画素の出力レベルbとの差は、(a−
b)となる。That is, in the column having no charge transfer defect, as shown in FIG. 3A, the difference between the output level a of the R pixel and the output level b of the G pixel immediately after it is (a−
b).
【0041】また、の電荷転送欠陥がある列において
は、図3(b)に示されるように、R画素の出力レベル
cとその直後のG画素の出力レベルdの差、即ち(c−
d)は、 c−d=(a−T)−(b+T)=(a−b)−2T となる。Further, in the column having the charge transfer defect, as shown in FIG. 3B, the difference between the output level c of the R pixel and the output level d of the G pixel immediately after it, that is, (c−
d) becomes cd = (a-T)-(b + T) = (ab) -2T.
【0042】また、の電荷転送欠陥がなく白線がある
列においては、図3(c)に示されるように、R画素の
出力レベルeとその直後のG画素の出力レベルfの差、
即ち(e−f)は、 e−f=(a+W)−(b+W)=a−b となる。As shown in FIG. 3 (c), in the column where there is no charge transfer defect and there is a white line, the difference between the output level e of the R pixel and the output level f of the G pixel immediately after it,
That is, (ef) is as follows: ef = (a + W)-(b + W) = ab
【0043】また、の電荷転送欠陥があり白線もある
列においては、図3(d)に示されるように、R画素の
出力レベルgとその直後のG画素の出力レベルhの差、
即ち(g−h)は、 g−h=(a−T+W)−(b−T+W)=(a−b)
−2T となる。In a column having a charge transfer defect and a white line, as shown in FIG. 3 (d), the difference between the output level g of the R pixel and the output level h of the G pixel immediately after it,
That is, (gh) is as follows: gh = (a−T + W) − (b−T + W) = (ab)
−2T.
【0044】以上のような各状態におけるRED列のR
画素の出力レベルとその直後のG画素の出力レベルとの
差をまとめると、次のようになる。 a−b:正常な場合のR画素とG画素との出力レベルの
差 c−d:電荷転送欠陥がある場合のR画素とG画素との
出力レベルの差 但し、c−d=(a−b)−2T e−f:電荷転送欠陥がなく白線がある場合のR画素と
G画素との出力レベルの差 但し、e−f=a−b g−h:電荷転送欠陥及び白線がある場合のR画素とG
画素との出力レベルの差 但し、g−h=(a−b)−2TThe R in the RED column in each state as described above
The difference between the output level of the pixel and the output level of the G pixel immediately after it is summarized as follows. ab: Difference in output level between R pixel and G pixel in normal case cd: Difference in output level between R pixel and G pixel in case of charge transfer defect, where cd = (a− b) -2T ef: Difference in output level between R and G pixels when there is no charge transfer defect and there is a white line. However, ef = abgh: When there is a charge transfer defect and a white line. R pixel and G
Difference in output level from pixel where gh = (ab) −2T
【0045】以上のことから、各状態におけるRED列
のR画素の出力レベルとその直後のG画素の出力レベル
との差をとると、その時点において、従来の固体撮像素
子における電荷転送欠陥の評価方法において誤検出の対
象である白線の出力成分Wがなくなることが解る。From the above, the difference between the output level of the R pixel in the RED column in each state and the output level of the G pixel immediately after the difference is obtained. At that time, the evaluation of the charge transfer defect in the conventional solid-state imaging device is made. It can be seen that in the method, the white line output component W which is the target of the erroneous detection disappears.
【0046】次いで、各R画素の出力レベルの出力レベ
ルとその直後のG画素の出力レベルとの差を垂直転送方
向に縦加算する。この縦加算を行う理由は、各R画素の
出力レベルとその直後のG画素の出力レベルとの差はそ
れぞれ微少であることから、複数ラインの加算を行うこ
とによってその出力レベルの差を顕著にするためであ
る。なお、この加算するライン数は適宜変更することが
可能である。Next, the difference between the output level of each R pixel and the output level of the G pixel immediately after it is vertically added in the vertical transfer direction. The reason for performing this vertical addition is that the difference between the output level of each R pixel and the output level of the G pixel immediately after it is very small. To do that. The number of lines to be added can be changed as appropriate.
【0047】ここでは、例えば100ライン(100画
素分)の縦加算を行うこととする。この場合、の電荷
転送欠陥がない列においては、R画素の出力レベルaと
その直後のG画素の出力レベルbとの差の縦加算の結果
は、(100a−100b)となる。Here, for example, vertical addition of 100 lines (for 100 pixels) is performed. In this case, in the column having no charge transfer defect, the result of the vertical addition of the difference between the output level a of the R pixel and the output level b of the G pixel immediately thereafter is (100a-100b).
【0048】また、の電荷転送欠陥がある列において
は、R画素の出力レベルcとその直後のG画素の出力レ
ベルdとの差の縦加算の結果は、 100c−100d=100a−100b−200T となる。In a column having a charge transfer defect, the result of the vertical addition of the difference between the output level c of the R pixel and the output level d of the G pixel immediately after it is as follows: 100c-100d = 100a-100b-200T Becomes
【0049】また、の電荷転送欠陥がなく白線がある
列においては、R画素の出力レベルeとその直後のG画
素の出力レベルfとの差の縦加算の結果は、 100e−100f=100a−100b となる。In a column where there is no charge transfer defect and there is a white line, the result of the vertical addition of the difference between the output level e of the R pixel and the output level f of the G pixel immediately thereafter is 100e-100f = 100a- 100b.
【0050】また、の電荷転送欠陥があり白線もある
列においては、R画素の出力レベルgとその直後のG画
素の出力レベルhとの差の縦加算の結果は、 100g−100h=100a−100b−200T となる。In a column having a charge transfer defect and a white line, the result of the vertical addition of the difference between the output level g of the R pixel and the output level h of the G pixel immediately after the result is 100g-100h = 100a- 100b-200T.
【0051】以上のような各状態におけるRED列のR
画素とその直後のG画素との出力レベルの差の縦加算の
結果をまとめると、次のようになる。 電荷転送欠陥も白線もない正常な場合: 100a−100b 電荷転送欠陥がある場合: 100c−100d=(100a−100b)−200
T 電荷転送欠陥がなく白線がある場合: 100e−100f=100a−100b 電荷転送欠陥及び白線がある場合: 100g−100h=(100a−100b)−200
TThe R in the RED column in each state as described above
The result of the vertical addition of the difference between the output levels of the pixel and the G pixel immediately after the pixel is as follows. Normal case without charge transfer defect or white line: 100a-100b Case with charge transfer defect: 100c-100d = (100a-100b) -200
T When there is no charge transfer defect and there is a white line: 100e-100f = 100a-100b When there is a charge transfer defect and a white line: 100g-100h = (100a-100b) -200
T
【0052】以上のことから、各状態におけるRED列
のR画素の出力レベルとその直後のG画素の出力レベル
との差を比較すると、RED列に電荷転送欠陥がある場
合には、正常な状態の場合よりも電荷転送欠陥の出力成
分の2倍だけ減少する。また、RED列に電荷転送欠陥
がなく白線がある場合には、正常な状態の場合と同様で
あり、白線の出力成分による変動はない。更に、RED
列に電荷転送欠陥及び白線がある場合には、正常な状態
の場合よりも電荷転送欠陥の出力成分の2倍だけ減少
し、白線の出力成分による変動はない。From the above, the difference between the output level of the R pixel in the RED column in each state and the output level of the G pixel immediately after it is compared. Is reduced by twice the output component of the charge transfer defect. When there is no charge transfer defect in the RED column and there is a white line, it is the same as in the normal state, and there is no variation due to the output component of the white line. Furthermore, RED
When there is a charge transfer defect and a white line in the column, the output component of the charge transfer defect is reduced by twice the output component of the normal state, and there is no variation due to the output component of the white line.
【0053】従って、各状態におけるRED列のR画素
とその直後のG画素との出力レベルの差を、正常な場合
のR画素とその直後のG画素との出力レベルの差と比較
すことにより、RED列に白線の有無に拘らず電荷転送
欠陥がある場合には、200Tの成分のみが検出され
る。そして更に、縦加算したライン数100の2倍で割
り戻すと、電荷転送欠陥の出力成分Tのみが検出され
る。この結果、白線の出力成分Wを電荷転送欠陥の出力
成分Tとして誤検出して白線を電荷転送欠陥として誤評
価することなく、電荷転送欠陥のみを適正かつ高精度に
評価することが可能になる。Therefore, by comparing the output level difference between the R pixel in the RED column and the G pixel immediately after it in each state with the difference in output level between the normal R pixel and the immediately following G pixel. When there is a charge transfer defect regardless of the presence or absence of a white line in the RED column, only the 200T component is detected. Further, when the value is divided back by twice the number of vertically added lines 100, only the output component T of the charge transfer defect is detected. As a result, it is possible to properly and accurately evaluate only the charge transfer defect without erroneously detecting the output component W of the white line as the output component T of the charge transfer defect and erroneously evaluating the white line as the charge transfer defect. .
【0054】次に、このような本実施の形態による固体
撮像素子の電荷転送欠陥の検出方法を、図4及び図5を
用いて従来の電荷転送欠陥の検出方法と比較してみる。
ここで、図4及び図5は従来の固体撮像素子における電
荷転送欠陥の検出方法を説明するための概略断面図であ
って、図4は図2におけるG画素の出力レベルのみを示
す概略断面図であり、図5は図4におけるG画素の出力
レベルのみを縦加算した結果を示す概略断面図である。Next, a method for detecting a charge transfer defect of the solid-state imaging device according to the present embodiment will be compared with a conventional method for detecting a charge transfer defect using FIGS. 4 and 5. FIG.
Here, FIGS. 4 and 5 are schematic sectional views for explaining a method of detecting a charge transfer defect in a conventional solid-state imaging device, and FIG. 4 is a schematic sectional view showing only the output level of the G pixel in FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the result of vertically adding only the output levels of the G pixels in FIG.
【0055】従来の場合、図1に示されるベイヤー配列
の固体撮像素子にRED光を照射した際の、図2(a)
〜(d)に示される垂直転送方向のRED列の各R画素
及び各G画素の出力レベルに対して、R画素の出力レベ
ルを無視し、G画素の出力レベルのみに着目する。この
ため、上記図2(a)〜(d)に対応する各G画素の出
力レベルは、図4(a)〜(d)に示されるようにな
る。In the conventional case, when the RED light is irradiated on the solid-state image pickup device having the Bayer array shown in FIG. 1, FIG.
Regarding the output level of each R pixel and each G pixel in the RED column in the vertical transfer direction shown in (d), the output level of the R pixel is ignored, and attention is paid only to the output level of the G pixel. Therefore, the output levels of the respective G pixels corresponding to FIGS. 2A to 2D are as shown in FIGS. 4A to 4D.
【0056】ここでの各状態におけるRED列のG画素
の出力レベルb〜hをまとめると、次のようになる。 b:正常な場合のG画素の出力レベル d:電荷転送欠陥がある場合のG画素の出力レベル(d
=b+T) f:電荷転送欠陥がなく白線がある場合のG画素の出力
レベル(f=b+W) h:電荷転送欠陥及び白線がある場合のG画素の出力レ
ベル(h=b+T+W)The output levels b to h of the G pixels in the RED column in each state are summarized as follows. b: Output level of G pixel in normal case d: Output level of G pixel in case of charge transfer defect (d
= B + T) f: Output level of G pixel when there is no charge transfer defect and white line (f = b + W) h: Output level of G pixel when there is charge transfer defect and white line (h = b + T + W)
【0057】次いで、このようなG画素の出力レベルb
〜hを垂直転送方向に縦加算する。この縦加算を行う理
由は、電荷電送欠陥の出力成分Tが微少であるため、複
数ラインの加算を行うことによって電荷電送欠陥の出力
成分Tを顕著にするためである。なお、この加算するラ
イン数は適宜変更することが可能である。Next, the output level b of such a G pixel
To h are vertically added in the vertical transfer direction. The reason for performing the vertical addition is to make the output component T of the charge transmission defect prominent by adding a plurality of lines because the output component T of the charge transmission defect is very small. The number of lines to be added can be changed as appropriate.
【0058】ここで、上記実施の形態の場合に対応させ
て、100ライン(100画素分)の縦加算を行うと、
この縦加算の結果は、図5に示されるようになる。但
し、ここでは、一般に固体撮像素子は垂直転送方向及び
水平転送方向の両方共に画素数が多く、電荷転送欠陥や
白線が隣り合うことは滅多にないため、電荷転送欠陥が
隣り合うような場合ではなく、各電荷転送欠陥との間に
は正常な状態があるとして縦加算した結果を表示する。Here, when the vertical addition of 100 lines (for 100 pixels) is performed in correspondence with the above embodiment,
The result of this vertical addition is as shown in FIG. However, here, in general, the solid-state imaging device has a large number of pixels in both the vertical transfer direction and the horizontal transfer direction, and charge transfer defects and white lines are rarely adjacent to each other. In other words, the result of vertical addition is displayed on the assumption that a normal state exists between each charge transfer defect.
【0059】このような各状態におけるRED列のG画
素の出力レベルb〜hを垂直転送方向に縦加算した結果
をまとめると、次のようになる。 正常な場合:100b 電荷転送欠陥がある場合:100d=100b+10
0T 電荷転送欠陥がなく白線がある場合:100f=10
0b+100W 電荷転送欠陥及び白線がある場合:100h=100
b+100T+100WThe results obtained by vertically adding the output levels b to h of the G pixels in the RED column in each state in the vertical transfer direction are summarized as follows. Normal: 100b Charge transfer defect: 100d = 100b + 10
0T When there is no charge transfer defect and there is a white line: 100f = 10
0b + 100W When there is a charge transfer defect and a white line: 100h = 100
b + 100T + 100W
【0060】以上のことから、RED列に電荷転送欠陥
や白線がある場合には、正常な状態の出力レベルよりも
電荷転送欠陥の出力成分や白線の出力成分がある分だけ
出力レベルが増加していることが解る。As described above, when a charge transfer defect or a white line exists in the RED column, the output level increases by an amount corresponding to the output component of the charge transfer defect or the output component of the white line from the output level in a normal state. I understand that
【0061】従って、従来の電荷転送欠陥の検出方法に
おいては、各状態におけるRED列のG画素との出力レ
ベルを、正常な場合のG画素の出力レベルbと比較すこ
とにより、RED列に電荷転送欠陥や白線がある場合に
は、100T、100W、100T+100Wの各成分
が検出される。そして更に、縦加算したライン数100
で割り戻すと、電荷転送欠陥の出力成分Tは勿論のこ
と、白線の出力成分Wをも検出する。この結果、白線の
出力成分Wを電荷転送欠陥の出力成分Tとして誤検出し
て、白線を電荷転送欠陥として誤評価してしまうことに
なる。Therefore, in the conventional method of detecting a charge transfer defect, the output level of the G pixel in the RED column in each state is compared with the output level b of the G pixel in a normal state, so that the charge in the RED column is obtained. If there is a transfer defect or a white line, each component of 100T, 100W, 100T + 100W is detected. Further, the number of vertically added lines 100
, Not only the output component T of the charge transfer defect but also the output component W of the white line are detected. As a result, the output component W of the white line is erroneously detected as the output component T of the charge transfer defect, and the white line is erroneously evaluated as the charge transfer defect.
【0062】以上のように本実施形態によれば、ベイヤ
ー配列の固体撮像素子にRED光を照射し、垂直転送方
向のRED列の各R画素及び各G画素の出力レベルa〜
hを検出した後、R画素の出力レベルとその直後のG画
素の出力レベルとの差(a−b)、(c−d)、(e−
f)、(g−h)を算出し、更にこのR画素とその直後
のG画素との出力レベルの差(a−b)等を垂直転送方
向に例えば100ライン(100画素分)の縦加算を行
い、その縦加算の結果を比較することにより、従来の場
合のように白線を電荷転送欠陥として誤評価することな
く、垂直転送方向のRED列にある電荷転送欠陥の出力
成分Tのみを容易に検出することが可能になるため、電
荷転送欠陥の適正かつ高精度な評価を実現することがで
きる。As described above, according to the present embodiment, the solid-state image pickup device in the Bayer array is irradiated with RED light, and the output levels a to G of each R pixel and each G pixel in the RED column in the vertical transfer direction are set.
After detecting h, the differences (ab), (cd) and (e−) between the output level of the R pixel and the output level of the G pixel immediately after it are detected.
f) and (gh) are calculated, and the difference (ab) between the output level of the R pixel and the G pixel immediately after the R pixel and the like are vertically added in, for example, 100 lines (for 100 pixels) in the vertical transfer direction. By comparing the result of the vertical addition, the output component T of the charge transfer defect in the RED column in the vertical transfer direction can be easily obtained without erroneously evaluating the white line as a charge transfer defect as in the conventional case. Therefore, appropriate and highly accurate evaluation of the charge transfer defect can be realized.
【0063】また、ベイヤー配列の固体撮像素子にRE
D光を照射し、垂直転送方向のRED列の各R画素及び
各G画素の出力レベルa〜hを検出するまでは、従来の
固体撮像素子における電荷転送欠陥の評価方法と共通の
評価アルゴリズムを採っているため、本実施の形態に係
る評価方法と従来の評価方法とを組み合わせて用いた
り、従来の評価方法から本実施の形態に係る評価方法に
変更したりする際に、その対応を非常に容易にすること
ができる。Further, the solid-state image pickup device having the Bayer array has an RE.
Until the D light is irradiated and the output levels a to h of each R pixel and each G pixel in the RED column in the vertical transfer direction are detected, a common evaluation algorithm and a common evaluation algorithm for the charge transfer defect in the conventional solid-state imaging device are used. Therefore, when the evaluation method according to the present embodiment is used in combination with the conventional evaluation method, or when the conventional evaluation method is changed to the evaluation method according to the present embodiment, the response is extremely difficult. Can be easier.
【0064】なお、上記実施の形態においては、固体撮
像素子の垂直転送方向のRED列における電荷転送欠陥
を検出する場合について説明したが、勿論RED列に限
定されるものではなく、固体撮像素子のB画素及びG画
素が垂直転送方向に交互に配置されているBLUE列に
おける電荷転送欠陥を検出する場合についても、本発明
を適用することができる。この場合には、RED光の代
わりにBLUE光を照射し、垂直転送方向のBLUE列
の各B画素及び各G画素の出力レベルa〜hを検出した
後、B画素の出力レベルとその直後のG画素の出力レベ
ルとの差を算出し、更にこのB画素とその直後のG画素
との出力レベルの差等を垂直転送方向に複数ラインの縦
加算を行い、その縦加算の結果を比較すればよい。In the above embodiment, the case where the charge transfer defect is detected in the RED row in the vertical transfer direction of the solid-state imaging device has been described. However, the present invention is not limited to the RED row, and is not limited to the RED row. The present invention can be applied to a case where a charge transfer defect is detected in a BLUE column in which B pixels and G pixels are alternately arranged in the vertical transfer direction. In this case, after irradiating BLUE light instead of RED light and detecting the output levels a to h of each B pixel and each G pixel in the BLUE column in the vertical transfer direction, the output level of the B pixel and the immediately following The difference between the output level of the G pixel and the output level of the B pixel and the G pixel immediately after the pixel are calculated by vertical addition of a plurality of lines in the vertical transfer direction, and the result of the vertical addition is compared. I just need.
【0065】また、上記実施の形態においては、R画
素、G画素、及びB画素がベイヤー配列されている固体
撮像素子における電荷転送欠陥を検出する場合について
説明したが、こうしたRGBの3原色の画素の代わり
に、これらRGBと補色関係にあるカラー画素が配置さ
れている固体撮像素子においても、本実施の形態と同様
の評価アルゴリズムを用いて電荷転送欠陥を検出し、電
荷転送欠陥の適正かつ高精度な評価を実現することが可
能である。Further, in the above-described embodiment, the case where the charge transfer defect is detected in the solid-state image pickup device in which the R, G, and B pixels are arranged in the Bayer array has been described. Instead, even in a solid-state imaging device in which color pixels having a complementary color relationship with RGB are arranged, a charge transfer defect is detected by using the same evaluation algorithm as that of the present embodiment, and the charge transfer defect is determined to be appropriate and high. Accurate evaluation can be realized.
【0066】[0066]
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明に係る
固体撮像素子の評価方法によれば、次のような効果を奏
することができる。即ち、請求項1に係る固体撮像素子
の評価方法によれば、RED列における電荷転送欠陥の
出力成分を検出する場合には、固体撮像素子にRED光
を照射し、RED列の各R画素及び各G画素の出力レベ
ルを検出した後、R画素とその直後のG画素との出力レ
ベルの差を算出し、更にR画素とその直後のG画素との
出力レベルの差を垂直転送方向に加算し、その加算結果
を比較することにより、そしてまた、BLUE列におけ
る電荷転送欠陥の出力成分を検出する場合には、固体撮
像素子にBLUE光を照射し、BLUE列の各B画素及
び各G画素の出力レベルを検出した後、B画素とその直
後のG画素との出力レベルの差を算出し、更にB画素と
その直後のG画素との出力レベルの差を垂直転送方向に
加算し、その加算結果を比較することにより、従来の場
合のように白線の出力成分を電荷転送欠陥の出力成分と
して誤評価することなく、RED列又はBLUE列にお
ける電荷転送欠陥の出力成分のみを容易に検出すること
が可能になるため、固体撮像素子のRED列又はBLU
E列における電荷転送欠陥の適正かつ高精度な評価を実
現することができる。As described in detail above, according to the method for evaluating a solid-state imaging device according to the present invention, the following effects can be obtained. That is, according to the solid-state imaging device evaluation method of the first aspect, when detecting an output component of a charge transfer defect in the RED column, the solid-state imaging device is irradiated with RED light, and each R pixel in the RED column and After detecting the output level of each G pixel, the output level difference between the R pixel and the immediately following G pixel is calculated, and the difference between the output level of the R pixel and the immediately subsequent G pixel is added in the vertical transfer direction. Then, by comparing the addition results, and when detecting the output component of the charge transfer defect in the BLUE column, the solid-state imaging device is irradiated with BLUE light, and each B pixel and each G pixel in the BLUE column. , The difference between the output levels of the B pixel and the G pixel immediately after is calculated, and the difference between the output levels of the B pixel and the G pixel immediately after is calculated in the vertical transfer direction. Comparing the addition results Thus, only the output component of the charge transfer defect in the RED column or the BLUE column can be easily detected without erroneously evaluating the output component of the white line as the output component of the charge transfer defect as in the conventional case. , RED column of solid-state imaging device or BLU
Appropriate and highly accurate evaluation of the charge transfer defect in the E column can be realized.
【図1】発明の一実施の形態に係る固体撮像素子の評価
方法により電荷転送欠陥を検出する対象となるベイヤー
配列の固体撮像素子を示す平面模式図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a Bayer-array solid-state imaging device from which a charge transfer defect is detected by the method for evaluating a solid-state imaging device according to one embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す固体撮像素子にRED光を照射した
場合の垂直転送方向のRED列の各R画素及び各G画素
の出力レベルを示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing output levels of each R pixel and each G pixel in a RED column in a vertical transfer direction when the solid-state imaging device shown in FIG. 1 is irradiated with RED light.
【図3】図2におけるR画素の出力レベルとその直後の
G画素の出力レベルとの差を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a difference between an output level of an R pixel and an output level of a G pixel immediately after the output level in FIG.
【図4】本発明の一実施の形態に係る固体撮像素子の評
価方法と比較するための従来の固体撮像素子における電
荷転送欠陥の検出方法を説明するための概略断面図であ
って、図2におけるG画素の出力レベルのみを示す概略
断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of detecting a charge transfer defect in a conventional solid-state imaging device for comparison with a solid-state imaging device evaluation method according to an embodiment of the present invention; 3 is a schematic sectional view showing only the output level of the G pixel in FIG.
【図5】本発明の一実施の形態に係る固体撮像素子の評
価方法と比較するための従来の固体撮像素子の評価方法
を説明するための概略断面図であって、図4におけるG
画素の出力レベルのみを縦加算した結果を示す概略断面
図である。5 is a schematic cross-sectional view for explaining a conventional method for evaluating a solid-state imaging device for comparison with a method for evaluating a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a result of vertically adding only output levels of pixels.
【図6】従来のベイヤー配列の固体撮像素子を示す平面
模式図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing a conventional Bayer array solid-state imaging device.
【図7】図6に示すベイヤー配列の固体撮像素子の垂直
転送方向のRED列の各R画素及び各G画素の出力レベ
ルを示すX−Y線概略断面図である7 is a schematic cross-sectional view taken along the line XY showing the output level of each R pixel and each G pixel in the RED column in the vertical transfer direction of the solid-state imaging device having the Bayer array shown in FIG.
【図8】図6に示す固体撮像素子にRED光を照射した
場合の垂直転送方向のRED列の各R画素及び各G画素
の出力レベルを示す概略断面図(その1)である。8 is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating output levels of each R pixel and each G pixel in a RED column in a vertical transfer direction when the solid-state imaging device illustrated in FIG. 6 is irradiated with RED light.
【図9】図6に示す固体撮像素子にRED光を照射した
場合の垂直転送方向のRED列の各R画素及び各G画素
の出力レベルを示す概略断面図(その2)である。9 is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating output levels of R pixels and G pixels in a RED column in a vertical transfer direction when the solid-state imaging device illustrated in FIG. 6 is irradiated with RED light.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M118 AA09 AA10 AB01 BA10 FA06 GC08 GC14 5C061 BB07 CC01 5C065 BB23 CC01 DD02 DD17 EE06 GG15 GG21 GG22 5C072 BA20 CA12 EA04 FA03 QA20 UA18 UA20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4M118 AA09 AA10 AB01 BA10 FA06 GC08 GC14 5C061 BB07 CC01 5C065 BB23 CC01 DD02 DD17 EE06 GG15 GG21 GG22 5C072 BA20 CA12 EA04 FA03 QA20 UA18 UA20
Claims (3)
置されている固体撮像素子における電荷転送欠陥を検出
する際に、 前記固体撮像素子に所定の色の光を照射し、前記赤色画
素、前記緑色画素、及び前記青色画素のうちの所定の2
種類の第1画素及び第2画素が垂直転送方向に交互に配
置されている所定の列の各第1画素及び各第2画素の出
力レベルを検出する第1のステップと、 前記所定の列の前記第1画素の出力レベルと前記第1画
素の直後の前記第2画素の出力レベルとの差を算出する
第2のステップと、 前記第2のステップにおける算出結果を前記固体撮像素
子の垂直転送方向に加算する第3のステップと、 前記第3のステップにおける加算結果を比較して、前記
所定の列における電荷転送欠陥の出力成分を検出する第
4のステップと、 を有することを特徴とする固体撮像素子の評価方法。When detecting a charge transfer defect in a solid-state imaging device in which a red pixel, a green pixel, and a blue pixel are arranged, irradiating the solid-state imaging device with light of a predetermined color, A predetermined 2 of the green pixel and the blue pixel
A first step of detecting an output level of each first pixel and each second pixel of a predetermined column in which first and second pixels of a type are alternately arranged in the vertical transfer direction; A second step of calculating a difference between an output level of the first pixel and an output level of the second pixel immediately after the first pixel; and a vertical transfer of the calculation result in the second step to the solid-state imaging device. A third step of adding in the direction, and a fourth step of comparing the addition result in the third step to detect an output component of the charge transfer defect in the predetermined column. Evaluation method for solid-state imaging device.
において、 前記固体撮像素子を照射する前記所定の色の光として、
赤色光を用い、 前記第1画素及び前記第2画素が、それぞれ赤色画素及
び緑色画素であり、 前記所定の列が、前記赤色画素及び前記緑色画素が垂直
転送方向に交互に配置されている赤色列であることを特
徴とする固体撮像素子の評価方法。2. The method for evaluating a solid-state imaging device according to claim 1, wherein the light of the predetermined color that irradiates the solid-state imaging device is:
Using red light, the first pixel and the second pixel are a red pixel and a green pixel, respectively, and the predetermined column is a red pixel in which the red pixels and the green pixels are alternately arranged in a vertical transfer direction. A method for evaluating a solid-state imaging device, comprising:
において、 前記固体撮像素子を照射する前記所定の色の光として、
青色光を用い、 前記第1画素及び前記第2画素が、それぞれ青色画素及
び緑色画素であり、 前記所定の列が、前記青色画素及び前記緑色画素が垂直
転送方向に交互に配置されている青色列であることを特
徴とする固体撮像素子の評価方法。3. The method for evaluating a solid-state imaging device according to claim 1, wherein the light of the predetermined color that irradiates the solid-state imaging device is:
Using blue light, the first pixel and the second pixel are a blue pixel and a green pixel, respectively, and the predetermined column is a blue color in which the blue pixels and the green pixels are alternately arranged in a vertical transfer direction. A method for evaluating a solid-state imaging device, comprising:
Priority Applications (1)
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