JP2002076720A - High frequency coaxial line connection structure - Google Patents

High frequency coaxial line connection structure

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JP2002076720A
JP2002076720A JP2000263739A JP2000263739A JP2002076720A JP 2002076720 A JP2002076720 A JP 2002076720A JP 2000263739 A JP2000263739 A JP 2000263739A JP 2000263739 A JP2000263739 A JP 2000263739A JP 2002076720 A JP2002076720 A JP 2002076720A
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JP
Japan
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hole
organic material
material substrate
substrate
connection structure
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JP2000263739A
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Japanese (ja)
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Yoshiyuki Sasada
義幸 笹田
Tadashi Isono
磯野  忠
Kazuo Matsuura
一雄 松浦
Shiro Ouchi
四郎 大内
Mamoru Oba
衛 大場
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Hitachi Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Car Engineering Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency coaxial line connection structure which has a high degree of reliability against temperature fluctuation hysteresis by increasing the degree of deformation on a first circuit substrate 2 and a second circuit substrate 3 against expansion and contraction of a center conductor 4 accompanying the fluctua tion of the ambient temperature. SOLUTION: The high frequency coaxial line connection structure comprises a first organic material substrate 21 which has metalized areas on both surface and which forms the first high frequency circuit, of a second organic material substrate 31 which has metalized areas on both surfaces which forms the second high frequency circuit. And the organic material substrate 21 and the organic material substrate 31 are each bonded on one and the other side surface of a base substrate 1 which forms a through hole starting from the organic material substrate 21 through the substrate 1 reaching to the organic material substrate 31. The base conductor 4 is deployed coaxially within the through hole and conductively connected each ends to the first and second high frequency circuits. The through holes are comprised of a first through hole 8 which formed on the base substrate 1 and a second through hole 9 formed on the organic material substrate 21 and the organic material substrate 31, and the diameter d1 of the first through hole 8 is formed bigger than the diameter d2 of the second through hole 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波同軸線接続
構造に係わり、特に、ベース基板の両面に、高周波回路
を形成した第1有機材基板と他の高周波回路を形成した
第2有機材基板とを接合し、第1有機材基板からベース
基板を通して第2有機材基板に達するスルーホールを形
成し、スルーホール内に同軸配置した中心導体によって
2つの高周波回路を結合した高周波同軸線接続構造に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency coaxial line connection structure, and more particularly to a first organic material substrate having a high-frequency circuit formed on both sides of a base substrate and a second organic material substrate having another high-frequency circuit formed thereon. And a high-frequency coaxial line connection structure in which a through-hole is formed from the first organic material substrate to the second organic material substrate through the base substrate and reaches the second organic material substrate, and two high-frequency circuits are coupled by a central conductor coaxially arranged in the through-hole. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ベース基板の両面に、高周波回路
を形成した第1有機材基板と他の高周波回路を形成した
第2有機材基板とを接合し、第1有機材基板からベース
基板を通して第2有機材基板に達するスルーホールを形
成し、スルーホール内に同軸配置した中心導体によって
2つの高周波回路を結合した高周波同軸線接続構造は、
自動車用レーダーの高周波送受信装置等に使用されてお
り、その一例として、特開2000−59140号に開
示の高周波送受信装置がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, a first organic material substrate on which a high-frequency circuit is formed and a second organic material substrate on which another high-frequency circuit is formed are bonded to both sides of a base substrate, and the first organic material substrate is passed through the base substrate. A high-frequency coaxial line connection structure in which a through-hole reaching the second organic material substrate is formed, and two high-frequency circuits are coupled by a center conductor coaxially arranged in the through-hole,
It is used in high-frequency transmission / reception devices of automotive radars and the like, and one example thereof is a high-frequency transmission / reception device disclosed in JP-A-2000-59140.

【0003】図7は、特開2000−59140号に開
示の高周波同軸線接続構造の構成を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing the structure of a high-frequency coaxial line connection structure disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-59140.

【0004】図7において、31はベース基板、32は
アンテナ回路基板、33は送受信回路基板、34はアン
テナパターン導体、35は送受信回路パターン導体、3
6、37はアース導体、38は中心導体、39は誘電
体、40、41はランド、42、43はメッキ層、4
4、45は半田である。
In FIG. 7, 31 is a base board, 32 is an antenna circuit board, 33 is a transmitting / receiving circuit board, 34 is an antenna pattern conductor, 35 is a transmitting / receiving circuit pattern conductor, 3
6, 37 are ground conductors, 38 is a center conductor, 39 is a dielectric, 40 and 41 are lands, 42 and 43 are plating layers,
Reference numerals 4 and 45 are solders.

【0005】この場合、アンテナ回路基板32は、その
一面にアンテナパターン導体34が、他面にアース導体
36がそれぞれ設けられ、全体でアンテナ回路部を構成
している。同様に、送受信回路基板33は、一面に送受
信回路パターン導体35が、他面にアース導体37がそ
れぞれ設けられ、全体で送受信回路部を構成している。
また、ベース基板31の一面には、アンテナ回路部を構
成するアンテナ回路基板32が接合され、ベース基板3
1の他面には、送受信回路部を構成する送受信回路基板
33が接合される。アンテナ回路基板32からベース基
板31を通して送受信回路基板33に至るホール(記号
なし)が設けられ、このホール内に中心導体38が同軸
配置される。ベース基板31のホール内には中心導体3
8を取り囲むように誘電体39が充填される。アンテナ
回路基板32のホール周面には、メッキ層42が設けら
れ、中心導体38の一端とメッキ層42との間等を半田
44を埋込み、中心導体38の一端をアンテナ回路基板
32のホール内に固定する。同様に、送受信回路基板3
3のホール周面には、メッキ層43が設けられ、中心導
体38の他端とメッキ層43との間等を半田45を埋込
み、中心導体38の他端を送受信回路基板33のホール
内に固定する。このとき、ランド40、41は、メッキ
層42、43の剥離を防止するものである。
In this case, the antenna circuit board 32 is provided with an antenna pattern conductor 34 on one surface and a ground conductor 36 on the other surface, and constitutes an antenna circuit portion as a whole. Similarly, the transmission / reception circuit board 33 is provided with a transmission / reception circuit pattern conductor 35 on one surface and a ground conductor 37 on the other surface, and constitutes a transmission / reception circuit unit as a whole.
An antenna circuit board 32 forming an antenna circuit unit is joined to one surface of the base board 31, and the base board 3
A transmission / reception circuit board 33 constituting a transmission / reception circuit unit is bonded to the other surface of the transmission / reception circuit unit 33. A hole (no symbol) from the antenna circuit board 32 to the transmission / reception circuit board 33 through the base board 31 is provided, and a center conductor 38 is coaxially arranged in this hole. The center conductor 3 is provided in the hole of the base substrate 31.
8 is filled with a dielectric 39. A plating layer 42 is provided on the peripheral surface of the hole of the antenna circuit board 32, and solder 44 is embedded between one end of the center conductor 38 and the plating layer 42, and one end of the center conductor 38 is placed in the hole of the antenna circuit board 32. Fixed to. Similarly, the transmission / reception circuit board 3
3, a plating layer 43 is provided on the peripheral surface of the hole. Solder 45 is embedded between the other end of the center conductor 38 and the plating layer 43, and the other end of the center conductor 38 is placed in the hole of the transmission / reception circuit board 33. Fix it. At this time, the lands 40 and 41 prevent the plating layers 42 and 43 from peeling off.

【0006】このような構成を備えた高周波同軸線接続
構造は、アンテナ回路部と送受信回路とが中心導体38
を有する高周波同軸線によって接続され、アンテナ回路
部と送受信回路との間でマイクロ波信号の授受を行うこ
とができるもので、既知のこの種の高周波同軸線接続構
造に比べ、部品点数を低減すること、及び、小型化する
ことがそれぞれ可能になるものである。
In the high-frequency coaxial cable connection structure having such a configuration, the antenna circuit and the transmitting / receiving circuit are connected to the center conductor 38.
It is capable of transmitting and receiving microwave signals between the antenna circuit unit and the transmission / reception circuit by using a high-frequency coaxial line having a structure. And miniaturization can be achieved.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】前記特開2000−5
9140号に開示の高周波同軸線接続構造は、既知のこ
の種の高周波同軸線接続構造に比べ、部品点数を低減す
ること、及び、小型化することがそれぞれ可能になるも
のであるが、中心導体38の一端がアンテナ回路基板3
2のホール内にそのホールの深さ方向全体にわたって半
田付けされ、同じように、その他端が送受信回路基板3
3のホール内にそのホールの深さ方向全体にわたって半
田付けされた構成になっているので、高周波同軸線接続
構造の周囲温度が大きく変動した場合に、アンテナ回路
基板32と中心導体38との間及び送受信回路基板33
と中心導体38との間にそれぞれ大きな熱応力が発生す
ることがあり、その熱応力の対策について十分な考慮を
払ったものではなかった。
The above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-5
The high-frequency coaxial cable connection structure disclosed in Japanese Patent No. 9140 can reduce the number of components and reduce the size compared to a known high-frequency coaxial cable connection structure of this type. One end of the antenna circuit board 3
2 is soldered in the entire depth direction of the hole, and the other end is similarly soldered to the transmitting / receiving circuit board 3.
3 is soldered in the entire depth direction of the hole, so that if the ambient temperature of the high-frequency coaxial cable connection structure greatly changes, the antenna circuit board 32 and the center conductor 38 are not connected. And transmission / reception circuit board 33
In some cases, a large thermal stress may be generated between the central conductor 38 and the central conductor 38, and sufficient consideration has not been given to measures for the thermal stress.

【0008】本発明は、このような技術的背景に鑑みて
なされたもので、その目的は、周囲温度の変動に伴う中
心導体の伸縮に対して第1有機材基板及び第2有機材基
板に変形自由度を大きくし、熱変動履歴に対して高い信
頼度を有する高周波同軸線接続構造を提供することにあ
る。
The present invention has been made in view of such a technical background, and an object of the present invention is to provide a first organic material substrate and a second organic material substrate with respect to expansion and contraction of a center conductor due to a change in ambient temperature. An object of the present invention is to provide a high-frequency coaxial cable connection structure having a high degree of freedom in deformation and having a high degree of reliability with respect to the history of thermal fluctuation.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による高周波同軸線路接続構造は、両面にメ
タライズ領域からなる第1高周波回路を形成した第1有
機材基板と両面にメタライズ領域からなる第2高周波回
路を形成した第2有機材基板とをベース基板の一面及び
他面に接合材によって接合し、第1有機材基板からベー
ス基板を通して第2有機材基板に達するスルーホールを
形成し、スルーホール内に同軸配置されて両端が第1高
周波回路及び第2高周波回路に導電接続された中心導体
を有するものであって、スルーホールは、ベース基板に
形成した第1スルーホールと第1有機材基板及び第2有
機材基板に形成した第2スルーホールとからなり、第1
スルーホールの直径を第2スルーホールの直径よりも大
きくなるように形成した手段を備える。
In order to achieve the above object, a high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention comprises a first organic material substrate having a first high-frequency circuit formed of metallized regions on both surfaces and a metallized region on both surfaces. And a second organic material substrate on which a second high-frequency circuit is formed, is bonded to one surface and the other surface of the base substrate with a bonding material to form a through hole reaching the second organic material substrate from the first organic material substrate through the base substrate. And a center conductor coaxially disposed in the through-hole and having both ends conductively connected to the first high-frequency circuit and the second high-frequency circuit, wherein the through-hole and the first through-hole formed in the base substrate are connected to each other. A first organic material substrate and a second through hole formed in a second organic material substrate;
Means are provided in which the diameter of the through hole is formed to be larger than the diameter of the second through hole.

【0010】前記手段における一つの構成手段として、
高周波同軸線路接続構造は、第1有機材基板とベース基
板とを接合する接合材及び第2有機材基板とベース基板
とを接合する接合材を、ベース基板の第1スルーホール
の直径よりも奥まった位置まで後退配置しているもので
ある。
[0010] As one constitutional means of the above means,
In the high-frequency coaxial line connection structure, the bonding material for bonding the first organic material substrate and the base substrate and the bonding material for bonding the second organic material substrate and the base substrate are deeper than the diameter of the first through hole of the base substrate. It is retracted to the position where it was.

【0011】前記手段における他の一つの構成手段とし
て、高周波同軸線路接続構造は、第1有機材基板及び第
2有機材基板に形成した第2スルーホールの直径を、ベ
ース基板側が最も大きくなるように階段状またはテーパ
ー状に形成しているものである。
As another constitutional means of the above means, the high-frequency coaxial line connection structure is configured such that the diameter of the second through holes formed in the first organic material substrate and the second organic material substrate is largest on the base substrate side. It is formed in a stepped or tapered shape.

【0012】前記手段における他の一つの構成手段とし
て、高周波同軸線路接続構造は、第1有機材基板のメタ
ライズ領域及び第2有機材基板のメタライズ領域につい
て、ベース基板側の面のメタライズ領域をベース基板の
第1スルーホールの形成位置まで後退配置しているもの
である。
As another configuration means of the above means, the high-frequency coaxial line connection structure is characterized in that the metallized region of the first organic material substrate and the metallized region of the second organic material substrate are based on the metallized region on the base substrate side. The substrate is retracted to the position where the first through hole is formed in the substrate.

【0013】前記手段における他の一つの構成手段とし
て、高周波同軸線路接続構造は、第1有機材基板のメタ
ライズ領域及び第2有機材基板のメタライズ領域につい
て、中心導体に導電接続される側のメタライズ領域を第
2スルーホールの内周面中間部まで屈曲延長するように
配置し、中心導体の両端を屈曲延長したメタライズ領域
に導電接続しているものである。
In another aspect of the present invention, the high-frequency coaxial line connection structure includes a metallized region of the first organic material substrate and a metallized region of the second organic material substrate on the side electrically conductively connected to the center conductor. The region is arranged so as to bend and extend to the middle portion of the inner peripheral surface of the second through hole, and both ends of the center conductor are conductively connected to the bent and extended metallized region.

【0014】前記各手段によれば、ベース基板に形成し
た第1スルーホールと第1有機材基板及び第2有機材基
板に形成した第2スルーホールとの間で、第1スルーホ
ールの直径を第2スルーホールの直径よりも大きくなる
ように形成し、それにより第1有機材基板及び第2有機
材基板の第2スルーホール側の端部領域を第1スルーホ
ールに対して中心導体側に突出するようにしているの
で、周囲温度の変動に伴って中心導体が伸縮した際に、
中心導体の伸縮に対応して第1有機材基板及び第2有機
材基板の端部領域が比較的大きな自由度を持って変形
し、その変形によって熱応力を吸収することが可能にな
るので、熱変動履歴に対して高い信頼度を有する高周波
同軸線接続構造を得ることができる。
According to each of the above means, the diameter of the first through-hole is defined between the first through-hole formed in the base substrate and the second through-hole formed in the first organic material substrate and the second organic material substrate. It is formed so as to be larger than the diameter of the second through hole, so that the end regions of the first organic material substrate and the second organic material substrate on the side of the second through hole are closer to the center conductor with respect to the first through hole. Because it protrudes, when the center conductor expands and contracts due to fluctuations in ambient temperature,
The end regions of the first organic material substrate and the second organic material substrate are deformed with a relatively large degree of freedom in response to the expansion and contraction of the center conductor, and the deformation allows thermal stress to be absorbed. A high-frequency coaxial line connection structure having high reliability with respect to the history of heat fluctuation can be obtained.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】図1は、本発明による高周波同軸線路接続
構造が用いられるミリ波レーダーのの構成の一例を示す
断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of the configuration of a millimeter wave radar using the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【0017】図1において、1はベース基板、2はアン
テナ回路基板、3は高周波回路基板、10はカバー、1
1は半導体チップ(MMIC)、12はケース、13は
レドーム、14は信号処理回路、15は接続線、16は
ハーネス、17は接続ピン、18はブッシュ、19はマ
イクロ波コネクタ、20は接続線、Aは高周波同軸線路
接続構造である。この場合、ベース基板1とアンテナ回
路基板2と高周波回路基板3とはRFモジュールを構成
し、ケース12とレドーム13とは筐体を構成してい
る。
In FIG. 1, 1 is a base board, 2 is an antenna circuit board, 3 is a high-frequency circuit board, 10 is a cover,
1 is a semiconductor chip (MMIC), 12 is a case, 13 is a radome, 14 is a signal processing circuit, 15 is a connection line, 16 is a harness, 17 is a connection pin, 18 is a bush, 19 is a microwave connector, and 20 is a connection line. , A is a high-frequency coaxial line connection structure. In this case, the base substrate 1, the antenna circuit substrate 2, and the high-frequency circuit substrate 3 constitute an RF module, and the case 12 and the radome 13 constitute a housing.

【0018】そして、ベース基板1は、上面側にアンテ
ナ回路基板2が接着剤(図1に図示なし)によって接着
され、下面側に高周波回路基板3と半導体チップ11と
が接着剤(図1に図示なし)によって接着される。ケー
ス12とレドーム13は、ねじ(図1に図番なし)によ
って封止固定され、筐体を構成している。ベース基板1
は、ねじ(図1に図番なし)によってケース12に螺止
される。カバー10は、ベース基板1の下面側に装着さ
れ、高周波回路基板3を気密に封止する。信号処理回路
14は、配置面積を小さくするために複数の信号処理回
路基板14に分割されており、各信号処理回路基板14
がケース12内にブッシュ18によって互いに離間配置
された状態で積層される。接続線15は、直接、高周波
回路基板3と最上層の信号処理回路基板14との間に接
続されるとともに、ハーネス16を介して高周波回路基
板3と最上層の信号処理回路基板14との間に接続され
る。接続ピン17は、ブッシュ18内を貫通するように
配置され、各信号処理回路基板14間を導電接続する。
マイクロ波コネクタ19は、ケース12の外部、図示の
例ではケース12の下部に装着配置され、ケース12を
貫通する接続線20を通して最下層の信号処理回路基板
14に導電接続される。また、高周波同軸線路接続構造
Aは、後で詳しく述べるように、アンテナ回路基板2か
らベース基板1を通して高周波回路基板3に至るスルー
ホール(図1に図番なし)と、そのスルーホールに挿通
配置された中心導体(導電性ガラス同軸線で図1に図番
なし)とを備え、アンテナ回路基板2側のパッチアンテ
ナパターン(図1に図示なし)と高周波回路基板3側の
高周波回路パターン(図1に図示なし)とがこの中心導
体を通して導電接続されるものである。
The base substrate 1 has an antenna circuit substrate 2 bonded to the upper surface thereof with an adhesive (not shown in FIG. 1), and an RF circuit substrate 3 and a semiconductor chip 11 bonded to the lower surface thereof (FIG. 1). (Not shown). The case 12 and the radome 13 are sealed and fixed by screws (not shown in FIG. 1) to form a housing. Base substrate 1
Is screwed to the case 12 by a screw (not shown in FIG. 1). The cover 10 is mounted on the lower surface side of the base substrate 1 and hermetically seals the high-frequency circuit board 3. The signal processing circuit 14 is divided into a plurality of signal processing circuit boards 14 in order to reduce the layout area.
Are stacked in the case 12 so as to be separated from each other by the bush 18. The connection line 15 is directly connected between the high-frequency circuit board 3 and the uppermost signal processing circuit board 14 and between the high-frequency circuit board 3 and the uppermost signal processing circuit board 14 via a harness 16. Connected to. The connection pins 17 are arranged so as to penetrate through the bush 18 and electrically connect between the signal processing circuit boards 14.
The microwave connector 19 is mounted and disposed outside the case 12, in the illustrated example, below the case 12, and is conductively connected to the lowermost signal processing circuit board 14 through a connection line 20 penetrating the case 12. Further, as will be described in detail later, the high-frequency coaxial line connection structure A has a through hole (not shown in FIG. 1) extending from the antenna circuit board 2 to the high-frequency circuit board 3 through the base substrate 1 and a through hole. A patch antenna pattern (not shown in FIG. 1) on the antenna circuit board 2 side and a high-frequency circuit pattern (not shown in FIG. 1) on the antenna circuit board 2 side are provided. 1 (not shown) are conductively connected through this central conductor.

【0019】このミリ波レーダーは、概略、次のように
動作する。
This millimeter wave radar operates roughly as follows.

【0020】駆動電源がマイクロ波コネクタ19から接
続線20を通して信号処理回路14に供給され、同時に
信号処理回路14はハーネス16を通して高周波回路基
板3に所定の駆動電源を供給する。高周波回路基板3に
駆動電源が供給されると、半導体チップ11により構成
されるマイクロ波発振器は、周波数76GHzのミリ波
を発生し、発生したミリ波は増幅器(図1に図示なし)
で増幅された後、高周波同軸線路接続構造Aに供給さ
れ、高周波回路基板3からガラス同軸線を通してアンテ
ナ回路基板1に伝送され、アンテナ回路基板1において
は、ミリ波がパッチアンテナパターン(図1に図示な
し)から送信される。また、送信されたミリ波がターゲ
ットに当たって反射されると、パッチアンテナパターン
がこの反射波を所定のタイミングで受信し、受信したミ
リ波は高周波同軸線路接続構造Aを通して半導体チップ
11に供給し、半導体チップ11において送信用ミリ波
とミキシングしてIF信号を発生させる。このIF信号
は、高周波回路基板3から接続線15及びハーネス16
を通して信号処理回路14に供給される。信号処理回路
14は、このIF信号を用いてミリ波レーダーを搭載し
ている車両等とターゲットとの相対速度を表す速度情
報、距離情報、角度情報等を計算し、その計算結果が接
続線20を通してマイクロ波コネクタ19に供給し、マ
イクロ波コネクタ19から利用装置に供給される。
Driving power is supplied from the microwave connector 19 to the signal processing circuit 14 through the connection line 20, and at the same time, the signal processing circuit 14 supplies a predetermined driving power to the high-frequency circuit board 3 through the harness 16. When driving power is supplied to the high-frequency circuit board 3, the microwave oscillator configured by the semiconductor chip 11 generates a millimeter wave having a frequency of 76 GHz, and the generated millimeter wave is an amplifier (not shown in FIG. 1).
After being amplified in the antenna circuit board 1, the signal is supplied to the high-frequency coaxial line connection structure A and transmitted from the high-frequency circuit board 3 to the antenna circuit board 1 through the glass coaxial line. (Not shown). When the transmitted millimeter wave is reflected by the target, the patch antenna pattern receives the reflected wave at a predetermined timing, and supplies the received millimeter wave to the semiconductor chip 11 through the high-frequency coaxial line connection structure A. The chip 11 mixes with the transmitting millimeter wave to generate an IF signal. This IF signal is transmitted from the high-frequency circuit board 3 to the connection line 15 and the harness 16.
The signal is supplied to the signal processing circuit 14 through. The signal processing circuit 14 uses the IF signal to calculate speed information, distance information, angle information, and the like representing the relative speed between the vehicle or the like on which the millimeter-wave radar is mounted and the target. And supplied to the microwave connector 19, and from the microwave connector 19 to the utilization device.

【0021】次に、図2は、本発明による高周波同軸線
路接続構造の第1の実施の形態の構成を示す断面図であ
る。
Next, FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of the first embodiment of the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【0022】図2において、21 は第1有機材基板、2
2 はパッチアンテナパターン、23は接地パターン、2
4 は非接地(パッチアンテナパターン)側金属箔、25
は接地(接地パターン)側金属箔、26 は非接地側接着
剤層、27 は接地側接着剤層、31 は第2有機材基板、
2 は高周波回路パターン、33 は接地パターン、3 4
は非接地(高周波回路パターン)側金属箔、35 は接地
(接地パターン)側金属箔、36 は非接地側接着剤層、
7 は接地側接着剤層、4は中心導体、5は接着剤層、
6は誘電体保持部、7は半田接続部、8は第1スルーホ
ール、9は第2スルーホールであり、その他、図1に示
された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付
けている。
In FIG. 2, 21Is the first organic material substrate, 2
TwoIs the patch antenna pattern, 2ThreeIs the ground pattern, 2
FourIs the non-ground (patch antenna pattern) side metal foil, 2Five
Is the ground (ground pattern) side metal foil, 26Is non-ground side adhesive
Agent layer, 27Is the ground side adhesive layer, 31Is the second organic material substrate,
3TwoIs the high frequency circuit pattern, 3ThreeIs the ground pattern, 3 Four
Is the non-ground (high frequency circuit pattern) side metal foil, 3FiveIs ground
(Ground pattern) side metal foil, 36Is the non-ground side adhesive layer,
37Is a ground side adhesive layer, 4 is a center conductor, 5 is an adhesive layer,
6 is a dielectric holding part, 7 is a solder connection part, and 8 is a first through hole.
, 9 is a second through hole, and other shown in FIG.
The same reference numerals are used for the same components as
I am.

【0023】そして、アンテナ回路基板2は低誘電率の
テフロン基板からなる第1有機材基板21 を備え、その
一面には、銅箔からなる非接地側金属箔24 を非接地側
接着剤層26 によって接合するとともに、非接地側金属
箔24 の非接着面側にパッチアンテナパターン22 を被
着形成し、その他面には、銅箔からなる接地側金属箔2
5 を接地側接着剤層27 によって接合するとともに、接
地側金属箔25 の非接着面側に接地パターン23 を被着
形成したものである。同様に、高周波回路基板3は低誘
電率のテフロン基板からなる第2有機材基板31 を備
え、その一面には、銅箔からなる非接地側金属箔34
非接地側接着剤層36 によって接合するとともに、非接
地側金属箔34 の非接着面側に高周波回路パターン32
を被着形成し、その他面には、銅箔からなる接地側金属
箔35 を接地側接着剤層37 によって接合するととも
に、接地側金属箔35 の非接着面側に接地パターン33
を被着形成したものである。この場合、アンテナ回路基
板2と高周波回路基板3には、それぞれ直径d2の第2
スルーホール9が形成されている。
[0023] Then, the antenna circuit board 2 comprises a first organic material substrate 2 1 consisting of Teflon substrate having a low dielectric constant, on one surface thereof, made of a copper foil ungrounded metal foil 2 4 ungrounded side adhesive together joined by a layer 2 6, a patch antenna pattern 2 2 to the non-adhesive surface of the non-grounded metallic foil 2 4 deposited forming, on the other face, the ground side metal foil 2 made of copper foil
5 with bonding by the ground-side adhesive layer 2 7, is obtained by depositing form ground pattern 2 3 to the non-adhesive face side of the ground-side metal foil 2 5. Similarly, the high-frequency circuit board 3 comprises a second organic material substrate 3 1 made of Teflon substrate having a low dielectric constant, on one surface thereof, non-grounded metallic foil 3 4 ungrounded side adhesive layer 3 made of copper foil together joined by 6, the high-frequency circuit pattern 3 2 to the non-adhesive surface of the non-grounded metallic foil 3 4
Was deposited and formed, on the other side, a ground side metal foil 35 made of copper foil with bonding by the ground-side adhesive layer 3 7, the ground side metal foil 3 non-adhesive surface to the ground pattern 3 3 5
Is formed. In this case, the antenna circuit board 2 and the high-frequency circuit board 3 each have a second diameter d2.
A through hole 9 is formed.

【0024】ベース基板1は第2スルーホール9の直径
d2よりも大きい直径d1を有する第1スルーホール8
が形成され、その一面には、銀エポキシ接着剤からなる
接着剤層5によってアンテナ回路基板2を、接地パター
ン23 側が接着面となるように、かつ、第1スルーホー
ル8の中心軸と第2スルーホール9の中心軸が一致する
ように接合され、その他面には、銀エポキシ接着剤から
なる接着剤層5によって高周波回路基板3を、接地パタ
ーン33 側が接着面となるように、かつ、第1スルーホ
ール8の中心軸と第2スルーホール9の中心軸が一致す
るように接合される。第1スルーホール8と第2スルー
ホール9内には、各中心軸に沿うように導電性ガラス同
軸線からなる中心導体4が配置される。中心導体4の第
1スルーホール8内にある部分は円筒形状の誘電体保持
部6により第1スルーホール8に対して同軸状に保持さ
れ、中心導体4の第2スルーホール9内にある部分は、
それぞれ半田接続部7により、一方がアンテナ回路基板
2端部のパッチアンテナパターン22 と非接地側金属箔
4 に導電接合され、他方が高周波回路基板3端部の高
周波回路パターン32 と非接地側金属箔35 に導電接合
される。
The base substrate 1 has a first through hole 8 having a diameter d1 larger than a diameter d2 of the second through hole 9.
There are formed, on one surface thereof, an antenna circuit board 2 by an adhesive layer 5 made of silver epoxy adhesive, so that the ground pattern 2 3 side becomes adhesive surface, and the center axis of the first through-hole 8 and the 2 are joined such that the center axis of the through hole 9 matches, other surfaces, an adhesive layer 5 made of silver epoxy adhesive frequency circuit board 3, so that the ground pattern 3 3 side becomes adhesive surface, and The first through hole 8 and the second through hole 9 are joined so that the central axis thereof coincides with the central axis of the second through hole 9. In the first through-hole 8 and the second through-hole 9, the central conductor 4 made of a conductive glass coaxial line is arranged along each central axis. The portion of the center conductor 4 inside the first through hole 8 is held coaxially with the first through hole 8 by the cylindrical dielectric holding portion 6, and the portion inside the second through hole 9 of the center conductor 4. Is
The respective solder connection portion 7, one of which is conductively bonded to the non-grounded metallic foil 2 4 patch antenna pattern 2 2 antenna circuit board 2 ends and the other high frequency circuit board 3 ends the high-frequency circuit patterns 3 2 and non It is conductively bonded to the ground metal foil 35.

【0025】前記構成を備えた第1の実施の形態による
高周波同軸線路接続構造は、ベース基板1に形成した第
1スルーホール8の直径d1を、ヤング率の小さいテフ
ロン材料からなる第1有機材基板21 及び第2有機材基
板31 を含むアンテナ回路基板2及び高周波回路基板3
に形成した第2スルーホール9の直径d2よりも大きく
し、アンテナ回路基板2と高周波回路基板3の第2スル
ーホール9側の端部領域を第1スルーホール8に対して
導電性ガラス同軸線からなる中心導体4側に突出するよ
うにしているので、周囲温度の急激な変動等によって中
心導体4が熱的に伸縮したとき、それぞれアンテナ回路
基板2と高周波回路基板3の端部領域が第2スルーホー
ル9の中心部を中心として曲げ変形を生じ、中心導体4
の熱的変動に伴う歪の吸収を行っているので、半田接続
部7に過大な応力を生じさせることがなくなる。そし
て、半田接続部7に過大な応力が加わらないことから、
半田接続部7を構成する際に多くの半田を用いる必要が
なくなって、半田接続部7の高周波伝送損失を小さくす
ることができ、全体として高い信頼性を持った高周波同
軸線路接続構造を得ることができる。
In the high-frequency coaxial line connection structure according to the first embodiment having the above-described structure, the diameter d1 of the first through hole 8 formed in the base substrate 1 is reduced by the first organic material made of Teflon material having a small Young's modulus. the antenna circuit board 2 and the high-frequency circuit board 3 including a substrate 2 1 and the second organic material substrate 3 1
The diameters d2 of the second through holes 9 formed on the antenna circuit board 2 and the end regions on the second through hole 9 side of the high-frequency circuit board 3 with respect to the first through holes 8 are made of conductive glass coaxial lines. When the center conductor 4 thermally expands and contracts due to a sudden change in ambient temperature or the like, the end regions of the antenna circuit board 2 and the high-frequency circuit board 3 Bending deformation occurs around the center of the through hole 9 and the center conductor 4
Since the distortion caused by the thermal fluctuation is absorbed, no excessive stress is generated in the solder connection portion 7. And since an excessive stress is not applied to the solder connection portion 7,
It is not necessary to use a large amount of solder when forming the solder connection part 7, and it is possible to reduce the high-frequency transmission loss of the solder connection part 7, and to obtain a high-frequency coaxial line connection structure having high reliability as a whole. Can be.

【0026】次いで、図3は、本発明による高周波同軸
線路接続構造の第2の実施の形態の構成を示す断面図で
ある。
FIG. 3 is a sectional view showing the configuration of a second embodiment of the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【0027】図3において、図2に示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
In FIG. 3, the same components as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.

【0028】前記第1の実施の形態の高周波同軸線路接
続構造(以下、前者という)と、第2の実施の形態の高
周波同軸線路接続構造(以下、後者2という)との構成
の違いは、アンテナ回路基板2及び高周波回路基板3の
第2スルーホール9側の端部領域の構成について、前者
は、接地パターン23 、接地側金属箔25 、接地側接着
剤層27 、及び、接地パターン33 、接地側金属箔
5 、接地側接着剤層37の形成位置が第2スルーホー
ル9に並ぶ位置、すなわち第1有機材基板21 及び第2
有機材基板31 の端面位置と同じ位置まで形成されてい
るのに対し、後者2は、それらの形成位置が第1スルー
ホール9に並ぶ位置まで後退している点だけであって、
その他に、前者と後者2との間に構成上の違いはない。
このため、後者2の構成については、これ以上の説明を
省略する。
The difference between the high-frequency coaxial line connection structure of the first embodiment (hereinafter, referred to as the former) and the high-frequency coaxial line connection structure of the second embodiment (hereinafter, the second) is as follows. the configuration of the end area of the second through hole 9 side of the antenna circuit board 2 and the high-frequency circuit board 3, the former, the ground pattern 2 3, the ground side metal foil 2 5, the ground-side adhesive layer 2 7, and the ground pattern 3 3, ground side metal foil 35, the formation position of the ground-side adhesive layer 3 7 are arranged in the second through hole 9 position, i.e. the first organic material substrate 2 1 and the second
While being formed to the same position as the position of the end face of the organic material substrate 3 1, the latter 2 is a only in that their formation positions are retracted to a position aligned with the first through-hole 9,
In addition, there is no structural difference between the former and the latter 2.
For this reason, further description of the configuration of the latter 2 is omitted.

【0029】後者2の動作及び得られる作用効果は、本
質的に前者の動作及び得られる作用効果と同じである
が、後者2は、アンテナ回路基板2と高周波回路基板3
の第2スルーホール9側の端部領域に、接地パターン2
3 、接地側金属箔25 、接地側接着剤層27 、及び、接
地パターン33 、接地側金属箔35 、接地側接着剤層3
7 の各構成要素を設けていないので、第1有機材基板2
1 及び第2有機材基板3 1 の曲げ剛性は前記各構成要素
を欠いたことによって若干低下するものの、周囲温度の
急激な変動等によって中心導体4が熱的に伸縮したと
き、その曲げ剛性が低下した分だけ、それぞれアンテナ
回路基板2と高周波回路基板3の端部領域が第2スルー
ホール9の中心部を中心として曲げ変形し易くなる。そ
の結果、後者2は、前者に比べて中心導体4の熱的変動
に伴う歪の吸収が多くなり、半田接続部7に加わる応力
が小さくなるので、前者よりも若干高い信頼性を持った
高周波同軸線路接続構造を得ることができる。
The operation of the latter 2 and the obtained effects are
Qualitatively the same as the former action and the effect obtained
However, the latter 2 is composed of an antenna circuit board 2 and a high-frequency circuit board 3
The ground pattern 2 is formed in the end region on the side of the second through hole 9.
Three, Ground side metal foil 2Five, Ground side adhesive layer 27And contact
Ground pattern 3Three, Ground side metal foil 3Five, Ground side adhesive layer 3
7Is not provided, the first organic material substrate 2
1And second organic material substrate 3 1The bending stiffness of each of the above components
Is slightly lower due to lack of
If the center conductor 4 thermally expands and contracts due to sudden fluctuations, etc.
Antennas, the antennas
The end regions of the circuit board 2 and the high-frequency circuit board 3 are the second through.
It becomes easy to bend around the center of the hole 9. So
As a result, the latter 2 has a larger thermal fluctuation of the center conductor 4 than the former.
Of the solder joint 7
Has a slightly higher reliability than the former.
A high-frequency coaxial line connection structure can be obtained.

【0030】続く、図4は、本発明による高周波同軸線
路接続構造の第3の実施の形態の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view showing the configuration of a third embodiment of the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【0031】図4において、図2に示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
In FIG. 4, the same components as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.

【0032】前記第1の実施の形態の高周波同軸線路接
続構造(以下、引き続き前者という)と、第3の実施の
形態の高周波同軸線路接続構造(以下、後者3という)
との構成の違いは、接着剤層5の構成配置について、前
者は、接着剤層5の中心導体4側の終端位置がベース基
板1の第1スルーホール8の直径d1と同じ位置にある
ものであるのに対し、後者3は、接着剤層5の中心導体
4側の終端位置がベース基板1の第1スルーホール8の
直径d1よりも奥まった位置まで後退し、その後退位置
が第1スルーホール8の直径d1よりも大きい直径d3
を有している点だけであって、その他に、前者と後者3
との間に構成上の違いはない。このため、後者3の構成
については、これ以上の説明を省略する。
The high-frequency coaxial line connection structure according to the first embodiment (hereinafter referred to as the former) and the high-frequency coaxial line connection structure according to the third embodiment (hereinafter referred to as the third).
The difference between the first and second embodiments is that the adhesive layer 5 has a configuration in which the end position of the adhesive layer 5 on the side of the center conductor 4 is the same as the diameter d1 of the first through hole 8 of the base substrate 1. On the other hand, in the latter 3, the terminal position of the adhesive layer 5 on the side of the center conductor 4 is retracted to a position deeper than the diameter d1 of the first through hole 8 of the base substrate 1, and the retracted position is the first position. Diameter d3 larger than diameter d1 of through hole 8
Only the former and the latter 3
There is no structural difference between the two. For this reason, further description of the configuration of the latter 3 is omitted.

【0033】後者3の動作及び得られる作用効果は、本
質的に前者の動作及び得られる作用効果と同じである
が、後者3は、接着剤層5の中心導体4側の終端位置が
第1スルーホール8の直径d1よりも大きい直径d3を
有する位置にあって、中心導体4が熱的に伸縮しようと
したとき、アンテナ回路基板2及び高周波回路基板3の
端部領域における第2スルーホール9の中心部を中心と
した曲げ変形の生じ易さは、接着剤層5の中心導体4側
の終端位置が後退している後者3の方が、同終端位置が
後退していない前者に比べて大きいものになる。その結
果、後者3は、中心導体4の熱的変動に伴う歪の吸収の
度合いが前者に比べて若干多くなり、半田接続部7に加
わる応力が小さくなるので、前者よりも高い信頼性を持
った高周波同軸線路接続構造を得ることができる。
The operation and the effect of the latter 3 are essentially the same as the operation and the effect of the former, except that the terminal position of the adhesive layer 5 on the side of the center conductor 4 is the first. When the center conductor 4 is thermally expanded and contracted at a position having a diameter d3 larger than the diameter d1 of the through hole 8, the second through hole 9 in the end region of the antenna circuit board 2 and the high-frequency circuit board 3 is formed. Is more likely to be bent around the central portion of the adhesive layer 5, the latter 3 in which the terminal position of the adhesive layer 5 on the side of the center conductor 4 is retracted is compared with the former in which the same terminal position is not retracted. Become big. As a result, the latter 3 has higher reliability than the former, because the degree of absorption of the strain due to the thermal fluctuation of the center conductor 4 is slightly increased as compared with the former, and the stress applied to the solder connection portion 7 is reduced. A high frequency coaxial line connection structure can be obtained.

【0034】続いて、図5は、本発明による高周波同軸
線路接続構造の第4の実施の形態の構成を示す断面図で
ある。
FIG. 5 is a sectional view showing the configuration of a fourth embodiment of the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【0035】図5において、28 はアンテナ回路基板2
における第2スルーホール9側端部領域に設けた階段状
部、38 は高周波回路基板3における第2スルーホール
9側端部領域に設けたテーパー状部であり、その他、図
2に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符
号を付けている。
[0035] In FIG. 5, the 2 8 antenna circuit board 2
The stepped portion provided in the second through hole 9 side end region 3 8 is a tapered portion provided in the second through hole 9 side end region in the high-frequency circuit board 3, the other, shown in FIG. 2 The same components as those described above are denoted by the same reference numerals.

【0036】前記第1の実施の形態の高周波同軸線路接
続構造(以下、引き続き前者という)と、第4の実施の
形態の高周波同軸線路接続構造(以下、後者4という)
との構成の違いは、アンテナ回路基板2及び高周波回路
基板3の第2スルーホール9側の端部領域の構成につい
て、後者4は、アンテナ回路基板2側の端部領域におい
て、第1有機材基板21 の厚みを少なくし、接地パター
ン23 と接地側金属箔25 と接地側接着剤層27 を削減
した階段状部28 を有し、かつ、高周波回路基板3側の
端部領域において、第2有機材基板31 の厚みを順次少
なくし、接地パターン33 と接地側金属箔35 と接地側
接着剤層37 を削減したテーパー状部3 8 を有している
のに対し、前者は、アンテナ回路基板2の端部領域にこ
のような階段状部28 を有しておらず、高周波回路基板
3の端部領域にこのようなテーパー状部38 を有してい
ない点だけであって、その他に、前者と後者4との間に
構成上の違いはない。このため、後者4の構成について
は、これ以上の説明を省略する。
The high-frequency coaxial line connection of the first embodiment
Connection structure (hereinafter referred to as the former) and the fourth implementation
High-frequency coaxial line connection structure (hereinafter referred to as the latter 4)
The difference between the two is that the antenna circuit board 2 and the high-frequency circuit
Regarding the configuration of the end region on the second through hole 9 side of the substrate 3
The latter 4 is located in the end area on the antenna circuit board 2 side.
And the first organic material substrate 21Of the ground putter
2ThreeAnd ground side metal foil 2FiveAnd ground side adhesive layer 27Reduce
Stepped part 28And the high-frequency circuit board 3 side
In the end region, the second organic material substrate 31Sequentially thinner
Lost, ground pattern 3ThreeAnd ground side metal foil 3FiveAnd the ground side
Adhesive layer 37Tapered part 3 with reduced size 8have
On the other hand, the former is located in the end area of the antenna circuit board 2.
Step-like part 2 like8Without high frequency circuit board
The tapered portion 3 in the end region8Have
There is only one point, and between the former and the latter 4
There is no difference in configuration. Therefore, the configuration of the latter 4
Will not be described any further.

【0037】後者4の動作及び得られる作用効果は、本
質的に前者の動作及び得られる作用効果と同じである
が、後者4は、アンテナ回路基板2の端部領域及び高周
波回路基板3の端部領域に階段状部28 及びテーパー状
部38 を有しているので、中心導体4が熱的に伸縮しよ
うとしたとき、アンテナ回路基板2及び高周波回路基板
3の端部領域における第2スルーホール9の中心部を中
心とした曲げ変形の生じ易さは、階段状部28 及びテー
パー状部38 を有する後者4の方が、このような階段状
部28 及びテーパー状部38 を有しない前者に比べて格
段に大きいものとなる。その結果、後者4は、中心導体
4の熱的変動に伴う歪の吸収の度合いが前者に比べて格
段に多くなり、半田接続部7に加わる応力がかなり小さ
くなるので、前者よりも高い信頼性を持った高周波同軸
線路接続構造を得ることができる。
The operation of the latter 4 and the operation and effect obtained are essentially the same as those of the former and the operation and effect obtained, but the latter 4 is different from the end region of the antenna circuit board 2 and the end of the high-frequency circuit board 3. since part region has a stepped portion 2 8 and tapered portion 3 8, when the center conductor 4 attempts stretch thermally, the at the end region of the antenna circuit board 2 and the high-frequency circuit board 3 2 resulting ease of the center and the bending deformation of the center portion of the through hole 9, the latter 4 has a stepped portion 2 8 and tapered portion 3 8, such stepped portion 2 8 and tapered portion 3 It is much larger than the former without 8 . As a result, the latter 4 has a much higher degree of absorption of the strain due to the thermal fluctuation of the center conductor 4 than the former, and the stress applied to the solder connection portion 7 is considerably smaller. And a high-frequency coaxial line connection structure having

【0038】なお、後者4は、アンテナ回路基板2側に
階段状部28 を設け、高周波回路基板3側にテーパー状
部38 を設けた例を示すものであるが、これとは逆に、
アンテナ回路基板2側にテーパー状部を設け、高周波回
路基板3側に階段状部を設けるようにしてもよく、アン
テナ回路基板2側と高周波回路基板3側の双方に階段状
部を設けるようにしてもよく、アンテナ回路基板2側と
高周波回路基板3側の双方にテーパー状部を設けるよう
にしてもよい。
It should be noted, the latter 4, a stepped portion 2 8 provided on the antenna circuit board 2 side, while indicating example in which a tapered portion 3 8 in the high-frequency circuit board 3 side, on the contrary ,
A tapered portion may be provided on the antenna circuit board 2 side and a step-shaped portion may be provided on the high-frequency circuit board 3 side, and a step-shaped portion may be provided on both the antenna circuit board 2 side and the high-frequency circuit board 3 side. Alternatively, tapered portions may be provided on both the antenna circuit board 2 side and the high-frequency circuit board 3 side.

【0039】次に、図6は、本発明による高周波同軸線
路接続構造の第4の実施の形態の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 6 is a sectional view showing the configuration of a fourth embodiment of the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【0040】図6において、図2に示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
In FIG. 6, the same components as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.

【0041】前記第1の実施の形態の高周波同軸線路接
続構造(以下、引き続き前者という)と、第5の実施の
形態の高周波同軸線路接続構造(以下、後者5という)
との構成の違いは、アンテナ回路基板2及び高周波回路
基板3の第2スルーホール9側の端部領域の構成につい
て、前者は、パッチアンテナパターン22 、非接地側金
属箔24 、非接地側接着剤層26 、及び、高周波回路パ
ターン32 、非接地側金属箔34 、非接地側接着剤層3
6 の各形成位置がそれぞれ第2スルーホール9に並ぶ位
置、すなわち第1有機材基板21 及び第2有機材基板3
1 の端面位置と同じ位置まで形成され、中心導体4の一
端部が半田接合部7によりパッチアンテナパターン22
及び非接地側金属箔24 の各端部に導電接合され、中心
導体4の他端部が半田接合部7により高周波回路パター
ン32 及び非接地側金属箔35 に各端部に導電接合され
ているのに対し、後者5は、それらの形成位置が第2ス
ルーホール9に並ぶ位置を超え、第2スルーホール9の
内周面中間部に至る位置まで屈曲延長させることにより
第2スルーホール9の内周面にメタライズ領域を形成
し、中心導体4の一端部及び他端部が半田接合部7によ
り前記メタライズ領域に導電接合されている点だけであ
って、その他に、前者と後者5との間に構成上の違いは
ない。このため、後者5の構成については、これ以上の
説明を省略する。
The high-frequency coaxial line connection structure of the first embodiment (hereinafter, referred to as the former) and the high-frequency coaxial line connection structure of the fifth embodiment (hereinafter, referred to as the 5).
The difference between the two configurations is that the antenna circuit board 2 and the high-frequency circuit board 3 have the end regions on the second through-hole 9 side, the former being the patch antenna pattern 2 2 , the non-ground side metal foil 2 4 , side adhesive layer 2 6, and a high frequency circuit pattern 3 2, non-grounded metallic foil 3 4, non-grounded adhesive layer 3
Position the forming position of 6 are arranged in the second through-hole 9, respectively, i.e. the first organic material substrate 2 1 and the second organic material substrate 3
Is formed to the same position as the first end surface location, the patch antenna pattern 2 2 by one end of the central conductor 4 is soldered joint 7
And is conductively bonded to each end of the ungrounded metal foil 2 4, conductively joined to each end by the other end portion of the central conductor 4 is soldered joint 7 to the high-frequency circuit patterns 3 2 and ungrounded metal foil 3 5 On the other hand, in the latter case, the second through-hole is bent and extended to a position where the formation position exceeds the position aligned with the second through-hole 9 and reaches the inner peripheral surface intermediate portion of the second through-hole 9. A metallized area is formed on the inner peripheral surface of the hole 9, and only one end and the other end of the center conductor 4 are conductively joined to the metallized area by the solder joint 7. There is no structural difference between the fifth embodiment and the fifth embodiment. Therefore, further description of the configuration of the latter 5 will be omitted.

【0042】後者5の動作及び得られる作用効果は、本
質的に前者の動作及び得られる作用効果と同じである
が、後者5は、第2スルーホール9の内周面にメタライ
ズ領域を形成し、このメタライズ領域と中心導体4の一
端部及び他端部との間に半田接合部7を設けるようにし
ているので、半田接合部7とメタライズ領域との間、及
び、中心導体4の一端部及び他端部と半田接合部7との
間の接合面積が大きくなり、その分、半田接合部7にお
ける接合強度が向上し、半田接合部7に対する高い信頼
性を確保できる高周波同軸線路接続構造を得ることがで
きる。
The operation and the effect of the latter 5 are essentially the same as the operation and the effect of the former, but the latter 5 forms a metallized region on the inner peripheral surface of the second through hole 9. Since the solder joint 7 is provided between the metallized region and one end and the other end of the center conductor 4, the solder joint 7 is provided between the solder joint 7 and the metallized region, and one end of the center conductor 4. In addition, the bonding area between the other end and the solder joint 7 is increased, and accordingly, the bonding strength at the solder joint 7 is improved, and a high-frequency coaxial line connection structure that can ensure high reliability for the solder joint 7 is provided. Obtainable.

【0043】ここで、前記各実施の形態の高周波同軸線
路接続構造に採用される各部の寸法の一例を概略値とし
て提示すると、テフロン基板からなる第1有機材基板2
1 は63mm×63mm×127μmより大きいもの、
テフロン基板からなる第2有機材基板31 は50mm×
15mm×127μmより大きいもの、それぞれ銅箔か
らなる非接地側金属箔及び接地側金属箔24 、25 、3
4 、35 は厚さが18μmより厚いもの、銅/ニッケル
/金の各層からなるパッチアンテナパターン2 2 や高周
波回路パターン32 はそれぞれの厚さが18μm/4〜
10μm/0.3〜0.5μm以上のもの、銀エポキシ
接着剤からなる接着剤層5は厚さが20〜30μm以上
のもの、第2スルーホール9は直径が300μm以上の
もの、導電性ガラス同軸線からなる中心導体4は直径が
200μm以上のものである。
Here, the high-frequency coaxial line of each of the above embodiments
An example of the dimensions of each part used in the road connection structure
When presented, the first organic material substrate 2 made of a Teflon substrate
1Is larger than 63 mm × 63 mm × 127 μm,
Second organic material substrate 3 made of Teflon substrate1Is 50mm ×
More than 15mm × 127μm, each copper foil
Ungrounded metal foil and grounded metal foil 2Four, 2Five, 3
Four, 3FiveIs copper / nickel having a thickness of more than 18 μm
/ Patch antenna pattern 2 consisting of each layer of gold TwoAnd high lap
Wave circuit pattern 3TwoHas a thickness of 18 μm / 4 ~
10μm / 0.3-0.5μm or more, silver epoxy
The adhesive layer 5 made of an adhesive has a thickness of 20 to 30 μm or more.
The second through hole 9 has a diameter of 300 μm or more.
The center conductor 4 made of a conductive glass coaxial wire has a diameter of
It is 200 μm or more.

【0044】なお、前記各実施の形態の高周波同軸線路
接続構造の説明において、各構成要素に用いている構成
材料は、各構成要素に対する好適な構成材料を示してい
るものではあるが、本発明の高周波同軸線路接続構造に
おける各構成要素に用いられる構成材料は、前記の例に
限られるものではなく、そのような好適な構成材料以外
にも、それに類似の特性を有する構成材料を用いてもよ
いことは勿論である。
In the description of the high-frequency coaxial line connection structure of each of the above embodiments, the constituent materials used for each constituent element indicate the preferable constituent materials for each constituent element. The constituent material used for each component in the high-frequency coaxial line connection structure of the present invention is not limited to the above-described example, and other than such a suitable constituent material, a constituent material having similar characteristics may be used. Of course it is good.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ベース
基板に形成した第1スルーホールと第1有機材基板及び
第2有機材基板に形成した第2スルーホールとの間で、
第1スルーホールの直径を第2スルーホールの直径より
も大きくなるように形成し、それにより第1有機材基板
及び第2有機材基板の第2スルーホール側の端部領域を
第1スルーホールに対して中心導体側に突出するように
しているので、周囲温度の変動に伴って中心導体が伸縮
した際に、中心導体の伸縮に対応して第1有機材基板及
び第2有機材基板の端部領域が比較的大きな自由度を持
って変形し、その変形によって熱応力を吸収することが
可能になるので、熱変動履歴に対して高い信頼度を有す
る高周波同軸線接続構造を得ることができるという効果
がある。
As described above, according to the present invention, between the first through hole formed in the base substrate and the second through hole formed in the first organic material substrate and the second organic material substrate,
The diameter of the first through-hole is formed to be larger than the diameter of the second through-hole, so that the end regions of the first organic material substrate and the second organic material substrate on the second through-hole side are formed by the first through-hole. When the center conductor expands and contracts due to a change in the ambient temperature, the first organic material substrate and the second organic material substrate correspond to the expansion and contraction of the center conductor. Since the end region is deformed with a relatively large degree of freedom and the deformation makes it possible to absorb the thermal stress, it is possible to obtain a high-frequency coaxial cable connection structure having high reliability with respect to the history of heat fluctuation. There is an effect that can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による高周波同軸線路接続構造が用いら
れるミリ波レーダーのの構成の一例を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of the configuration of a millimeter wave radar using a high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【図2】本発明による高周波同軸線路接続構造の第1の
実施の形態の構成を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of a first embodiment of a high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【図3】本発明による高周波同軸線路接続構造の第2の
実施の形態の構成を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a configuration of a high-frequency coaxial line connection structure according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明による高周波同軸線路接続構造の第3の
実施の形態の構成を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing the configuration of a third embodiment of the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【図5】本発明による高周波同軸線路接続構造の第4の
実施の形態の構成を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing the configuration of a fourth embodiment of the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【図6】本発明による高周波同軸線路接続構造の第5の
実施の形態の構成を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing the configuration of a fifth embodiment of the high-frequency coaxial line connection structure according to the present invention.

【図7】既知の高周波同軸線路接続構造の構成の一例を
示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing an example of the configuration of a known high-frequency coaxial line connection structure.

【符号の説明】 1 ベース基板 2 アンテナ回路基板 21 第1有機基板 22 パッチアンテナパターン 23 接地パターン 24 非接地側金属箔 25 接地側金属箔 26 非接地側接着剤層 27 接地側接着剤層 28 階段状部 3 高周波回路基板 31 第2有機基板 32 高周波回路パターン 33 接地パターン 34 非接地側金属箔 35 接地側金属箔 36 非接地側接着剤層 37 接地側接着剤層 38 テーパー状部 4 中心導体 5 接着剤層 6 誘電体保持部 7 半田接続部 8 第1スルーホール 9 第2スルーホール 10 カバー 11 半導体チップ(MMIC) 12 ケース 13 レドーム 14 信号処理回路 15 接続線 16 ハーネス 17 接続ピン 18 ブッシュ 19 マイクロ波コネクタ 20 接続線 A 高周波同軸線路接続構造アンテナ[Description of Signs] 1 Base substrate 2 Antenna circuit substrate 2 1 First organic substrate 2 2 Patch antenna pattern 2 3 Ground pattern 2 4 Non-ground side metal foil 2 5 Ground-side metal foil 2 6 Non-ground side adhesive layer 2 7 Ground side adhesive layer 2 8 Stepped portion 3 High frequency circuit board 3 1 Second organic substrate 3 2 High frequency circuit pattern 3 3 Ground pattern 3 4 Non-ground side metal foil 3 5 Ground side metal foil 3 6 Non-ground side adhesive layer 3 7 Ground side adhesive layer 3 8 Tapered part 4 Center conductor 5 Adhesive layer 6 Dielectric holding part 7 Solder connection part 8 First through hole 9 Second through hole 10 Cover 11 Semiconductor chip (MMIC) 12 Case 13 Radome 14 signal processing circuit 15 connection line 16 harness 17 connection pin 18 bush 19 microwave connector 20 connection line A high frequency coaxial line connection structure antenna

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯野 忠 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 (72)発明者 松浦 一雄 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 大内 四郎 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 大場 衛 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 Fターム(参考) 5E317 AA27 BB01 BB11 CC08 CC15 CD21 CD27 CD32 GG05 5E346 AA01 AA12 AA15 AA22 AA42 BB02 BB03 BB04 CC02 CC08 CC21 CC31 EE43 FF33 GG15 GG25 GG28 HH07 5J011 DA11 5J013 DA01 DA06  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tadashi Isono 2477 Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki Pref.Hitachi Car Engineering Co., Ltd. Within the Automotive Equipment Group (72) Inventor Shiro Ouchi, Hitachi, Ibaraki Pref., 2520 Oji Takaba Co., Ltd.Hitachi, Ltd. F-term in the Automobile Group of Mfg. Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 両面にメタライズ領域からなる第1高周
波回路を形成した第1有機材基板と両面にメタライズ領
域からなる第2高周波回路を形成した第2有機材基板と
をベース基板の一面及び他面に接合材によって接合し、
前記第1有機材基板から前記ベース基板を通して前記第
2有機材基板に達するスルーホールを形成し、前記スル
ーホール内に同軸配置されて両端が前記第1高周波回路
及び前記第2高周波回路に導電接続された中心導体を有
する高周波同軸線接続構造であって、前記スルーホール
は、前記ベース基板に形成した第1スルーホールと前記
第1有機材基板及び前記第2有機材基板に形成した第2
スルーホールとからなり、前記第1スルーホールの直径
を前記第2スルーホールの直径よりも大きくなるように
形成したことを特徴とする高周波同軸線接続構造。
1. A first organic material substrate having a first high-frequency circuit formed of a metallized region on both surfaces and a second organic material substrate having a second high-frequency circuit formed of a metallized region formed on both surfaces. Joined to the surface with a joining material,
A through hole is formed from the first organic material substrate to the second organic material substrate through the base substrate, and is coaxially arranged in the through hole and both ends are electrically connected to the first high-frequency circuit and the second high-frequency circuit. A high-frequency coaxial line connection structure having a center conductor formed therein, wherein the through-hole is formed in a first through-hole formed in the base substrate and a second through-hole formed in the first organic material substrate and the second organic material substrate.
A high-frequency coaxial cable connection structure comprising a through hole, wherein the diameter of the first through hole is formed to be larger than the diameter of the second through hole.
【請求項2】 前記第1有機材基板と前記ベース基板と
を接合する接合材及び前記第2有機材基板と前記ベース
基板とを接合する接合材は、前記ベース基板の第1スル
ーホールの直径よりも奥まった位置まで後退配置されて
いることを特徴とする請求項1記載の高周波同軸線接続
構造。
2. A bonding material for bonding the first organic material substrate and the base substrate and a bonding material for bonding the second organic material substrate and the base substrate have a diameter of a first through hole of the base substrate. 2. The high-frequency coaxial cable connection structure according to claim 1, wherein the high-frequency coaxial cable connection structure is disposed so as to be retracted to a position deeper than the inner surface.
【請求項3】 前記第1有機材基板及び前記第2有機材
基板に形成した第2スルーホールの直径は、前記ベース
基板側が最も大きくなるように階段状またはテーパー状
に形成していることを特徴とする請求項1記載の高周波
同軸線接続構造。
3. The method according to claim 1, wherein the diameters of the second through holes formed in the first organic material substrate and the second organic material substrate are stepped or tapered so that the diameter of the second through hole is largest on the base substrate side. The high-frequency coaxial cable connection structure according to claim 1, wherein:
【請求項4】 前記第1有機材基板のメタライズ領域及
び前記第2有機材基板のメタライズ領域は、前記ベース
基板側の面のメタライズ領域を前記ベース基板の第1ス
ルーホールの形成位置から後退配置していることを特徴
とする請求項1記載の高周波同軸線接続構造。
4. The metallized region of the first organic material substrate and the metallized region of the second organic material substrate are arranged such that the metallized region on the side of the base substrate is recessed from a position where a first through hole is formed in the base substrate. 2. The high-frequency coaxial cable connection structure according to claim 1, wherein
【請求項5】 前記第1有機材基板のメタライズ領域及
び前記第2有機材基板のメタライズ領域は、前記中心導
体に導電接続される側のメタライズ領域が第2スルーホ
ールの内周面中間部まで屈曲延長するように配置され、
前記中心導体の両端を前記屈曲延長したメタライズ領域
に導電接続していることを特徴とする請求項1記載の高
周波同軸線接続構造。
5. The metallized region of the first organic material substrate and the metallized region of the second organic material substrate are such that the metallized region on the side conductively connected to the central conductor extends to the middle of the inner peripheral surface of the second through hole. It is arranged to bend and extend,
2. The high-frequency coaxial cable connection structure according to claim 1, wherein both ends of the center conductor are conductively connected to the bent and extended metallized region.
【請求項6】 前記ベース基板の第1スルーホール内に
は、前記中心導体を保持する誘電体が充填され、前記誘
電体が前記中心導体を保持する距離は前記第1スルーホ
ールの深さよりも短くなっていることを特徴とする請求
項1乃至5のいずれかに記載の高周波同軸線接続構造。
6. The first through hole of the base substrate is filled with a dielectric that holds the center conductor, and a distance at which the dielectric holds the center conductor is greater than a depth of the first through hole. The high-frequency coaxial cable connection structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the connection structure is short.
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WO2019058646A1 (en) * 2017-09-22 2019-03-28 株式会社フジクラ Wireless communication module

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