JP2002042534A - 発光装置 - Google Patents

発光装置

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JP2002042534A
JP2002042534A JP2000230198A JP2000230198A JP2002042534A JP 2002042534 A JP2002042534 A JP 2002042534A JP 2000230198 A JP2000230198 A JP 2000230198A JP 2000230198 A JP2000230198 A JP 2000230198A JP 2002042534 A JP2002042534 A JP 2002042534A
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Nobutoshi Shioda
信俊 塩田
Koichi Kunikata
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一性に優れ、高輝度発光可能な発光装置を
提供することである。 【解決手段】 少なくとも対向する第1の主面及び第2
の主面を有する導光体と、該導光体の第2の主面に設け
られた反射体と、前記導光体の一端面に対向配置された
光源とを備え、該光源からの光を前記導光体の第1の主
面から出射させる発光装置において、前記導光体は、前
記光源の発光部の出射面と対向する一端面に、互いに異
なる形状の複数の切り欠きを有すると共に、該複数の切
り欠きはそれぞれ前記発光部の出射面と対向する面の中
央から遠ざかるにしたがって前記導光体の一端面とのな
す角度が大きくなる第1の面と、発光部の出射面と対向
する面の中央から遠ざかるにしたがって前記導光体の一
端面とのなす角度が小さくなる第2の面とを有する発光
装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、点光源であるLE
D素子から入射される導光体の発光面で均一に発光させ
ることが可能で、液晶バックライト、パネルメーター、
表示灯や面発光スイッチなどに用いられる発光装置に関
する。
【0002】
【従来技術】近年、液晶バックライトなどの光源とし
て、点光源であるLED素子からの光を面状に発光させ
る発光装置が用いられている。この発光装置は、導光板
の光入射端面から発光ダイオードからの光を入射しその
導光板の上面全体から光を出射させるように構成され
る。この発光装置においては、その上面(光出射面)か
ら均一に光を出力することが重要であり、この均一性を
実現するために種々の構造が提案されている。このよう
な発光装置の一例を、図7の模式的平面図に示す。図7
の発光装置は、透過性樹脂からなる導光板71と、その
導光板の光入射端面に対向配置されたLED素子74
と、導光板の上面側から光を放出させるように、光放射
面及び光入射端面を除いた側面及び下面に設けられた反
射板(図示せず)とを有している。
【0003】この図7の発光装置では、導光板の光入射
端面に半円柱形状の切り欠き75を形成することによ
り、導光板の上面に平行な方向に均一に光が分散して入
射されるように構成し、これによりLED素子から入射
された光が上面から出射される面発光の均一化を図って
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、より均
一、高輝度発光が求められる現在においては充分ではな
い。特に点光源としてより発光輝度の高い発光素子(L
ED素子)を用いた場合は、上述の構成だけでは面発光
の均一化と高輝度化とはトレードオフの関係にあり両立
させるのは難しいという問題があった。そこで、本発明
は、上記の問題を解決して、より均一性に優れ、高輝度
発光が可能な発光装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは種々の実験
の結果、導光体の一端面に特定の形状の切り欠きを形成
することにより、導光体の一端面から入射する光を導光
体内により広く拡散させて、発光面からより均一でかつ
高輝度に発光させることが可能なことを見いだし、本発
明を成すに至った。
【0006】すなわち本発明の発光装置は、少なくとも
対向する第1の主面及び第2の主面を有する導光体と、
導光体の第2の主面に設けられた反射体と、導光体の一
端面に対向配置された光源とを備え、光源からの光を導
光体の第1の主面から出射させる発光装置において、導
光体は、光源の発光部の出射面と対向する一端面に互い
に異なる形状の複数の切り欠きを有すると共に、複数の
切り欠きはそれぞれ発光部の出射面と対向する面の中央
から遠ざかるにしたがって導光体の一端面とのなす角度
が大きくなる第1の面と、発光部の出射面と対向する面
の中央から遠ざかるにしたがって導光体の一端面とのな
す角度が小さくなる第2の面とを有することを特徴とす
る。これにより、導光体の一端面に形成された切り欠き
を通して光源から入射する光を切り欠きの第2の面及び
第1の面の角度に応じた方向に屈折させることができる
ので、より広い方向に光を拡散させて均一でかつ高輝度
な面発光をさせることができる。
【0007】また、本発明の発光装置は、少なくとも対
向する第1の主面及び第2の主面を有する導光体と、導
光体の第2の主面に設けられた反射体と、導光体の一端
面に対向配置された光源とを備え、光源からの光を導光
体の第1の主面から出射させる発光装置において、導光
体は、光源の発光部の出射面と対向する一端面に、発光
部の中心から遠ざかるにつれて角度の異なる面を有する
複数の切り欠きを有することを特徴とする。これによ
り、発光部からの光を切り欠きを構成する面の角度に応
じた方向に光を屈折させることができる。
【0008】また本発明において切り欠きは、隣接する
切り欠きが平面を介して互いに離れて形成させることも
できる。このようにすると切り欠き間に平坦面を形成さ
せることができる。これにより光入射端面に入射する光
のうち、切り欠きを構成する第1の面及び第2の面から
入射される光を横方向に屈折して拡散させ、平坦面から
入射される光を入射端面の垂直方向に伝搬させることが
できるので、比較的長い形状(例えば光入射端面が短辺
となる長方形)の導光体を用いる発光装置において、均
一でかつ高輝度な面発光をさせることができる。
【0009】また本発明において光源は、半導体素子
と、半導体素子からの光を吸収しその吸収した光よりも
長波長の光が発光可能な蛍光物質とを備えたLED素子
を用いることができる。これにより、半導体素子と蛍光
物質との組み合わせによって任意の波長の光を面状に出
射させることができ、上述の光入射端面の切り欠きによ
り混色性(発光色の均一性)の優れた面発光を得ること
ができる。
【0010】また本発明において光源は、半導体素子が
発生する光と蛍光物質が発生する光との混色による白色
光を導光体の第1の主面から出射させるように構成する
ことができる。これにより、液晶バックライト等に好適
な均一で高輝度な白色系面発光を得ることができる。
【0011】また本発明の発光装置において、半導体素
子を窒化物半導体素子とし、蛍光物質をCeで付活され
たY2O3・5/3Al2O3、Eu及び/またはCr
で付活された窒素含有CaO−Al2O3−SiO2か
ら選択される蛍光体とすることができる。これにより、
簡便で高輝度に信頼性の高い混色発光可能な発光装置と
することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の発光装置は、光源から放
出された光を導光体に導入して面状に発光させるもので
ある。本発光装置は、その用途や目的に応じて使用する
導光体の形状を選択することができ、例えば、パソコン
等の液晶のバックライトに用いる場合は、略矩形の平板
状の導光体が用いられ、また、自動車のパネルメーター
のバックライト等に用いる場合は、そのデザインに応じ
た形状の導光体が用いられる。以下、図面を参照しなが
ら、本発明に係る実施の形態の発光装置について説明す
る。
【0013】本発明の実施の形態の発光装置は、図1、
図2に示すように、少なくとも対向する第1の主面及び
第2の主面を有する導光体11と、導光体の第2の主面
に設けられた反射体12と、導光体の一端面と対向配置
された光源14とを備えている。光源の発光部の出射面
から放出された光は、導光体の一端面である光入射端面
11aから導光体内に導入された後、発光面である第1
の主面から面発光される。
【0014】ここで、特に本実施の形態の発光装置の導
光体11は、光源14の発光部の出射面と対向する光入
射端面11aに互いに異なる形状の複数の切り欠き15
を有している。この複数の切り欠き15は、それぞれ発
光部の出射面と対向する面の中央から遠ざかるにしたが
って前記導光体の光入射端面とのなす角度が大きくなる
第1の面15aと、発光部の出射面と対向する面の中央
から遠ざかるにしたがって前記導光体の光入射端面との
なす角度が小さくなる第2の面15bとを有することを
特徴とし、これにより導光体の発光面から見て光入射端
面近傍の輝度のムラを抑制して均一でかつ高輝度の面発
光をさせることができる。
【0015】詳細に説明すると、本実施の形態の発光装
置において、光源14は例えば樹脂形成体からなる支持
体とその側面に形成された凹部に配された2つのLED
素子13からなる。このLED素子13は、リード電極
を有する樹脂パッケージの凹部に半導体素子を配し蛍光
体を含む透光性樹脂によってモールドされているもので
あり、図2に示すようにその出射面が平坦になるように
モールドされる。
【0016】本実施の形態において導光体11は、透光
性樹脂を用いて例えば射出成形によって略矩形の平板状
に成形されており、光源14と対向する光入射端面には
図1及び図2に示すように光入射端面の長手方向に沿っ
て複数の切り欠き15が形成されている。光源14は2
つのLED素子13を備えており、切り欠きはLED素
子13の発光部の幅とほぼ同じの幅の領域にそれぞれ複
数形成されている。本実施の形態において、1つの切り
欠きは第1の主面から第2の主面にほぼ垂直に達する2
つの側壁から構成された三角柱状の形状である。ここで
切り欠きを構成する2つの側壁のうち発光部の出射面と
対向する領域の中央から遠い側の側壁を第1の面15a
とし、中央に近い側の側壁を第2の面15bとする。各
切り欠きの幅及びその最深部15c(光入射端面を基準
として最も深く切り込んだ部分)の深さ15d(光入射
端面14と最深部15cとの距離)はほぼ同じである
が、最深部15cの位置が異なるように形成されてい
る。1つの切り欠きの幅は、LED素子の幅の3分の1
より小さいのが好ましく、金型等の精度に応じて可能な
範囲で小さく形成させるのが好ましい。また、1つの切
り欠きの深さは任意の深さとすることができるが、あま
り深すぎると光源からの光が導光体に達するまでに厚い
空気層が設けられることになり光が損失し易くなり、ま
た発光装置の形態によっては有効発光面積が狭くなる等
の問題が起こる場合もあるのでこれらを考慮する必要が
ある。
【0017】また、発光部の出射面と対向する領域に形
成された複数の切り欠きのうち中央に位置する切り欠き
は、最深部15cは切り欠きの幅の中心にくるように形
成されているので発光面から見ると二等辺三角形にな
る。すなわち第1の面と光入射端面とのなす角度は第2
の面と光入射端面とのなす角度は等しい。その他の切り
欠きはそれぞれ発光部の出射面の中央から離れるにした
がって、その離れる方向に最深部15cがずれるように
形成される。こうすることにより切り欠きを構成してい
る第1の面及び第2の面と光入射端面とのなす角度をそ
れぞれ光入射端面に対して大きくまたは小さくなるよう
に変化させている。なお、すべての切り欠きの形状がそ
れぞれ異ならなくてもよく、例えば7つ並んだ切り欠き
のうち中央の3つが同じ形状で、両端の2つは中央の3
つとは形状が異なるというように形成されてもよい。発
光部と対向する切り欠きが偶数個の場合は、二等辺三角
形状の切り欠きを形成させなくてもよく、発光部の中央
からの位置によって切り欠きの側壁の角度を上記と同様
に変化させる。
【0018】以上のように構成された本実施の形態の発
光装置においては、導光体の光入射端面に形状の異なる
切り欠きが複数形成されているので、以下のような作用
効果を有する。すなわち、光源14から出射された光
は、導光体11の光入射端面11aに形成された第1の
主面から第2の主面にほぼ垂直に達する2つの側壁(第
1の面15a及び第2の面15b)を有する切り欠き1
5に入射される。切り欠きに入射された光は上記の2つ
の面を通して導光体内に導入され、その側壁の角度に応
じた角度で屈折または反射される。例えば光源からの光
のうち直接第1の面15aに入射する光は、第1の面1
5aに対して全反射角より小さい入射角(光の進行方向
と面の法線とのなす角度)で入射した場合はその入射角
に応じた屈折角で導光体内に入射される。また、全反射
角よりも大きい入射角で第1の面15aに入射する光は
導光体内に導入されずに第2の面15bに向けて反射さ
れる。第1の面15aから第2の面15bに向けて反射
された光のうち全反射角より小さい入射角で入射する光
は第2の面15bから導光体内に導入される。また、光
源からの光が第2の面15bに直接入射する場合も上記
と同様に側壁に対する入射角に応じて反射または屈折さ
れる。ここで、光源と切り欠きとの位置関係が同じであ
るが形状が異なる(すなわち側壁と光入射端面とのなす
角度が異なる)三角柱状の切り欠きに光が入射する場合
の屈折を図3(a)及び(b)に示す。光が入射する第
1の面35aと光入射端面31aとのなす角度が図3
(a)に比べて大きい図3(b)の場合、図3(a)に
比べてより横方向(ここでは導光体の側面に向かう方
向)に光が屈折していることがわかる。これは、光源か
ら同じ角度に光が出射されても、側壁の角度が変わるこ
とで入射角が変わるため屈折角度も変わるためである。
これにより光を図3(b)のように屈折させることがで
きるので、光源間や導光体の隅部等の発光輝度の低い部
分にも光が伝搬させることができ、均一でかつ高輝度の
面発光を得ることができる。また、切り欠きを構成する
第1の面35a及び第2の面35bが平面であること
で、例えば同じ幅と深さの円柱状の切り欠き(側壁が曲
面)と比べて、光源と側壁との間の距離が短くなり空気
層を減らすことができるので光の損失を少なくすること
ができる。
【0019】(変形例1)次に、本発明の変形例につい
て説明する。本発明に係る変形例2の発光装置は、図4
に示すように、第1の面415a及び第2の面415b
の間に第3の面415eを有する切り欠き415が複数
形成される以外は、実施の形態と同様に構成される。各
切り欠きの第1の面及び第2の面と光入射端面とのなす
角度は実施の形態と同様に変化させてあるので、光源か
らの光は実施の形態と同様に横方向に広く拡散される。
第3の面415e(あるいはこれに第4の面等を加えて
もよい)の角度及び幅等は任意とすることができ、ま
た、切り欠きすべてに設けなくともよい。この第3の面
は第1の面及び第2の面に比べてを光入射端面となす角
度は小さいので、光入射端面から遠い方向への光の配分
を多くすることができる。
【0020】(変形例2)本発明に係る変形例2の発光
装置は、図5に示すように、第1の面515aと第2の
面515bの間に曲面515fを有する切り欠き515
が複数形成される以外は、実施の形態と同様に構成され
る。各切り欠きの第1の面及び第2の面と光入射端面と
のなす角度は実施の形態と同様に変化させてあるので、
光源からの光は実施の形態と同様に横方向に広く拡散さ
れる。切り欠き構成する第1の面と第2の面とが曲面5
15fを介して接していることで、切り欠きの幅が狭く
最深部の幅が細くなる場合の金型からの取り出しを容易
にできる。
【0021】(変形例3)本発明に係る変形例3の発光
装置は、図6に示すように、三角柱状の切り欠き615
が互いに離れて形成されている以外は、実施の形態の発
光装置と同様に構成される。各々の切り欠き615の形
状は、実施の形態のように変化させることができる。隣
接する切り欠き615が離れて形成されることで、光入
射端面には光源からの出射光に対して垂直な面(平坦
部)611gと出射光に対して傾斜を有する面615a
及び615bが形成されることになる。切り欠き615
の側壁615a及び615bは光を屈折して横方向に広
く拡散できるが、平坦部611gは入射光を横方向に屈
折させずに光入射端面の反対側に向けて光を伝搬させる
ことができる。このように構成することで、導光体が比
較的長い形状(光入射端面を短辺とする長方形)を用い
た発光装置のような場合に、光入射端面から遠い部分に
まで光を伝搬させることができ、より均一な輝度の面発
光が得られる。この切り欠き615と平坦面611gと
の割合(発光部の出射面と対向する領域における割合)
は、導光板の形状や大きさにもよるが、面積にして1:
2〜2:1程度が好ましい。また、各切り欠きはすべて
離れて形成されていなくてもよく、そのうちのいくつか
は接して形成されていてもよい。
【0022】以上実施の形態により説明したように、本
発明の発光装置は、導光体の光入射端面に形状の異なる
切り欠きを複数形成し、かつその形成される位置に応じ
て切り欠きを構成する2つの面と光入射端面とのなす角
度を変化させることで入射光を導光体内により広く拡散
させることができるので、発光のムラを抑制し、高輝度
の面発光を得ることができる。
【0023】本発明の発光装置は上述のように、切り欠
きの形状を導光体の形状に応じて最も適切な形状を選択
して、より効果的に入射光を拡散できるように構成でき
る。この場合、切り欠きの数を増やして側壁を増やすと
光をより複雑に拡散させることができ、輝度の均一を向
上させることができるが、金型構造が複雑となり、その
結果その金型により作製される導光体の端面の形状が一
定しなくなる等の問題も生じることがある。そのため、
使用目的による要求仕様に加え、製造条件も考慮して用
いる形状を選択することが好ましい。
【0024】すなわち、本発明では種々の形状を選択す
ることができるので、どの形状の切り欠きを選択するか
は、目標とする性能、金型の製作上の制約(製作精度及
び製造コスト)及び成型精度等を総合的に検討して決定
することができる。
【0025】以下、本発明に係る発光装置における各要
素に関する好ましい材料等について説明する。 (導光体)本発明において導光体に用いられる材料とし
ては、光透過性、成形性に優れたものを用いることが好
ましく、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シクロ
オレフィンポリマー、ポリスチレン樹脂、ファンクショ
ナルノルボルネン系樹脂等が挙げられる。これらの導光
体用の材料はそれぞれ屈折率が異なるが、導光体の光入
射端面に形成する切り欠きの角度や数等を選定すること
によって、光の拡散を制御することができるので、如何
なる屈折率の材料にも対応できる。導光体の形状は、用
途に応じて任意の形状とすることができる。
【0026】(光源)本発明の発光装置において、光源
は1または2以上のLED素子を備えており、LED素
子と導光板の一端面に形成した切り欠きとが対向配置さ
せるよう位置決めして固定させるために、例えば樹脂成
形体からなる支持体にLED素子の光出射面が導光体の
光入射端面と対向するように配置させて構成される。L
ED素子は、半導体素子と、これを被覆する透光性樹脂
とを有しており、透光性樹脂は半導体素子から発生する
光を吸収してその吸収した光とは異なる波長の光を発生
する蛍光体を含有させることができる。半導体素子から
発生する光が紫外線の場合は、この紫外線によって励起
されて紫外線または可視光を発生する蛍光体を用いるこ
とができるし、あるいは、可視光の発光が可能な半導体
素子と、この半導体素子からの可視光を吸収してそれよ
りも長波長の可視光が発光可能な蛍光物質とを組み合わ
せてもよい。すなわち、本発明において、半導体素子を
蛍光体と組み合わせて用いることにより、様々な色調の
混合色を発光させることが可能である。さらに上述の切
り欠きから光を入射させることで、混色性も良くするこ
とができる。
【0027】(半導体素子)ここで用いることができ
る、半導体素子としては窒化物系化合物半導体(一般式
IniGajAlkN、但し、0≦i、0≦j、0≦
k、i+j+k=1)が挙げられ、InGaNや各種不
純物がドープされたGaNをはじめ、種々のものがあ
る。この半導体素子は、MOCVD法等により基板上に
InGaNやGaN等の半導体を発光層として成長させ
ることにより形成する。半導体の構造としては、MIS
接合、PIN接合やpn接合などを有すホモ構造、ヘテ
ロ構造あるいはダブルヘテロ構造のものが挙げられる。
この窒化物半導体層は、その材料やその混晶度によって
発光波長を種々選択することができる。また、半導体活
性層を量子効果が生ずる薄膜で形成した単一量子井戸構
造や多量子井戸構造とすることもできる。
【0028】(蛍光体)本発明の発光装置に用いる蛍光
体の例としては、可視光や紫外線で励起されて発光する
フォトルミネッセンス蛍光体がある。具体的フォトルミ
ネッセンス蛍光体例としては、窒化物系化合物半導体素
子からの青色系発光により黄色系が発光可能な蛍光体で
あるYAG:CeなどのYAG(Y2O3・5/3Al
2O3)系蛍光体が挙げられる。YAG系蛍光体は、本
発明においては、特に広義に解釈するものとしY、L
u、Sc、La、Gd及びSmから選ばれた少なくとも
1つの元素に置換し、あるいは、アルミニウムの一部あ
るいは全体を、GaとInのいずれか又は両方で置換す
る蛍光作用を発する蛍光体を含む意味に使用する。この
YAG系蛍光体は次のようにして得られる。まずY、G
d、Ceの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解
液をシュウ酸と反応させて共沈化合物を生成させ、この
共沈化合物を焼成して共沈酸化物を得る。この共沈酸化
物と酸化アルミニウムを混合して焼成して得られる焼成
品を洗浄、分離、乾燥し、フルイを通してYAG系蛍光
体を得ることができる。この蛍光体を利用して半導体素
子からの光と蛍光体からの光の混色により白色系発光
(JIS Z8110系統色名における、〜みの白色を
含む)を得ることもできる。
【0029】同様に、青色系発光により赤色系が発光可
能な蛍光体としては、Eu及び/またはCrで付活され
た窒素含有CaO−Al2O3−SiO2蛍光体(オキ
シナイトライド蛍光硝子)が挙げられる。この蛍光体
は、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、窒化珪素及
び酸化カルシウムなどの原料に希土類原料を所定比に混
合した混合物を窒素雰囲気下で溶融して得られ、洗浄、
分離、乾燥し、フルイを通して得ることができる。これ
により、450nmにピークをもった励起スペクトルと
約650nmにピークがある青色光により赤色発光可能
なEu及び/またはCrで付活されたCa−Al−Si
−N系オキシナイトライド蛍光硝子とすることができ
る。
【0030】なお、Eu及び/またはCrで付活された
Ca−Al−Si−N系オキシナイトライド蛍光硝子の
窒素含有量を増減することによって発光スペクトルのピ
ークを575nmから690nmに連続的にシフトする
ことができる。同様に、励起スペクトルも連続的にシフ
トすることができる。そのため、Mg、Znなどの不純
物がドープされたGaNやInGaNを発光層に含む窒
化ガリウム系化合物反動体からの光と約580nmの蛍
光体の光の合成により、YAG系蛍光体と同様の白色系
を発光させることができる。
【0031】
【実施例】(実施例1)本発明の実施例1の発光装置
は、実施の形態で用いた図1に示す導光体を用いた例で
ある。この導光体の材料としてポリカーボネートを用
い、導光体形成用の金型は、2つの側壁を有する三角柱
状の切り欠きが7つ並んだものが2箇所に形成されるよ
うにしてある。また、その金型は、導光体の第2の主面
に発光される光の均一性を向上させるための凹凸(シ
ボ)加工が施されるように作製される。導光体の成型
は、まず、成型温度を280℃に設定してポリカーボネ
ートを溶融させながら、射出圧力1000kgf/cm
2、金型温度は100℃で射出成型する。そして、45
秒間冷却した後、金型から取り出す。このようにして導
光体を形成した。得られた導光体の一端面には三角柱状
の切り欠きが5つ並んだものが2箇所に形成されてお
り、5つの切り欠きの総幅はLED素子とほぼ同じ幅に
なるように形成されている。各切り欠きは同じ幅であ
り、5つの切り欠きのうち中央に位置する切り欠きの中
心がLED素子の中心とほぼ対向している。中央の切り
欠きは第1の面及び第2の面と光入射端面とのなす角度
がともに約75度であり発光面から見て二等辺三角形に
なっている。他の切り欠きはそれぞれ角度を変えた第1
の面及び第2の面を有し、それぞれ中央から遠ざかるに
したがって第2の面(発光部の中央から遠い面)と光入
射端面とのなす角度が80度、85度、90度と変化
し、第1の面(発光部の中央に近い面)と光入射端面と
のなす角度は70度、65度、60度と変化させてあ
る。こうして得られた導光体には、導光体から面状に光
を取り出す第1の主面及び導光体に光を導入させる端面
を除いて反射シートを設置する。又、反射シートの設け
られていない導光体の端面には、窒化物半導体からなる
LED素子2個を有し白色発光が可能なSMD型発光ダ
イオードを配置する。こうして得られた発光装置のLE
D素子に電流を流すと、光が導光体の端面から入射さ
れ、導光体の第1の主面から面状に発光させることがで
きる。形成された発光装置は、入射端面側の隅部及び光
源間が他の部分と比べても発光輝度が劣ることなく均一
に発光し、発光輝度も向上させることができる。
【0032】(実施例2)導光体の材料としてアクリル
樹脂を使用し、導光体端面に図4のような、第3の面を
有する切り欠きが6つの切り欠きが2カ所に形成される
ような金型を用い、成形温度を250℃、射出圧力11
00kgf/cm2、金型温度80℃、冷却時間は約3
0秒で成型する以外は実施例1と同様に行い、本発明の
発光装置を形成する。このようにして得られた発光装置
において、LED素子に電流を流して面状発光させる
と、入射端面側の隅部及び光源間が他の部分と比べても
発光輝度が劣ることなく均一に発光し、より均一な面状
発光が得られる。
【0033】(実施例3)導光体の材料としてアクリル
樹脂を使用し、導光体端面に図5のような、曲面を介し
て第1の面と第2の面が接している7つの切り欠きが、
2カ所に形成されるような金型を用い、成形温度を25
0℃、射出圧力1100kgf/cm2、金型温度80
℃、冷却時間は約30秒で成型する以外は実施例1と同
様に行い、本発明の発光装置を形成する。このようにし
て得られた発光装置において、LED素子に電流を流し
て面状発光させると、入射端面側の隅部及び光源間が他
の部分と比べても発光輝度が劣ることなく均一に発光
し、より均一な面状発光が得られる。
【0034】(実施例4)導光体の材料としてアクリル
樹脂を使用し、導光体端面に図6のような、6つの切り
欠きがそれぞれ離れて形成されるた切り欠きが、2カ所
に形成されるような金型を用い、成形温度を250℃、
射出圧力1100kgf/cm2、金型温度80℃、冷
却時間は約30秒で成型する以外は実施例1と同様に行
い、本発明の発光装置を形成する。このようにして得ら
れた発光装置において、LED素子に電流を流して面状
発光させると、入射端面側の隅部及び光源間が他の部分
と比べても発光輝度が劣ることなく均一に発光し、より
均一な面状発光が得られる。
【0035】(比較例1)同様に、比較例として導光体
端面に図7のように、導光体端面に半円柱状の切り欠き
を形成させる以外は実施例と同様にして発光装置を形成
する。この発光装置において、LED素子に電流を流し
て面状に発光させたところ、LED素子周辺がやや明る
く、また、入射端面側の隅部が暗くなっており、均一な
面発光が得られなかった。又、その他の部分の発光輝度
も充分ではなかった。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光装置
は、暗くなり易い入射端面側の隅部においても、他の部
分と同程度の発光輝度を得ることができる。これにより
LED素子から放出されて導光体に入射する光を均一、
かつ高輝度に導光体から放出させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態に係る発光装置の模式的
斜視図を示す。
【図2】 実施の形態の発光装置の模式的平面図を示
す。
【図3】 (a)(b)本発明の発光装置における導光
体端面の切り欠きにおける光の屈折を説明するための模
式的平面図を示す。
【図4】 本発明に係る変形例1の発光装置の導光体の
模式的平面図を示す。
【図5】 本発明に係る変形例2の発光装置の導光体の
模式的平面図を示す。
【図6】 本発明に係る変形例3の発光装置の導光体の
模式的平面図を示す。
【図7】 比較例の発光装置の模式的平面図を示す。
【符号の説明】
11、71・・・導光体 11a・・・導光体の光入射端面 11b・・・導光体の側面 12・・・反射体 13、73・・・LED素子 14・・・光源 15、35、415、515、615、75・・・切り
欠き 15a、35a、415a、515a、615a・・・
切り欠きの第1の面 15b、35b、415b、515b、615b・・・
切り欠きの第2の面 15c、35c・・・切り欠きの最深部 415e・・・切り欠きの第3の面 515f・・・切り欠きの曲面 611g・・・導光体の光入射端面の平坦部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも対向する第1の主面及び第2
    の主面を有する導光体と、該導光体の第2の主面に設け
    られた反射体と、前記導光体の一端面に対向配置された
    光源とを備え、該光源からの光を前記導光体の第1の主
    面から出射させる発光装置において、 前記導光体は、前記光源の発光部の出射面と対向する一
    端面に、互いに異なる形状の複数の切り欠きを有すると
    共に、該複数の切り欠きはそれぞれ前記発光部の出射面
    と対向する面の中央から遠ざかるにしたがって前記導光
    体の一端面とのなす角度が大きくなる第1の面と、発光
    部の出射面と対向する面の中央から遠ざかるにしたがっ
    て前記導光体の一端面とのなす角度が小さくなる第2の
    面とを有することを特徴とする発光装置。
  2. 【請求項2】 少なくとも対向する第1の主面及び第2
    の主面を有する導光体と、該導光体の第2の主面に設け
    られた反射体と、前記導光体の一端面に対向配置された
    光源とを備え、該光源からの光を前記導光体の第1の主
    面から出射させる発光装置において、 前記導光体は、前記光源の発光部の出射面と対向する一
    端面に、発光部の中心から遠ざかるにつれて角度の異な
    る面を有する切り欠きを複数有することを特徴とする発
    光装置。
  3. 【請求項3】 前記切り欠きは、隣接する切り欠きが平
    面を介して互いに離れている請求項1または請求項2記
    載の発光装置。
  4. 【請求項4】 前記光源は、半導体素子と、該半導体素
    子からの光を吸収しその吸収した光よりも長波長の光が
    発光可能な蛍光物質とを備えている請求項1乃至請求項
    3記載の発光装置。
  5. 【請求項5】 前記光源は、前記半導体素子が発生する
    光と前記蛍光物質が発生する光との混色による白色光を
    前記第1の主面から出射する請求項1乃至請求項3記載
    の発光装置。
  6. 【請求項6】 前記半導体素子は窒化物半導体素子であ
    り、前記蛍光物質はCeで付活されたY2O3・5/3
    Al2O3蛍光体、Eu及び/またはCrで付活された
    窒素含有CaO−Al2O3−SiO2蛍光体から選択
    される1種である請求項4または請求項5記載の発光装
    置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005071971A (ja) * 2002-10-04 2005-03-17 Nichia Chem Ind Ltd 面発光装置用の導光板と面発光装置
US7001035B2 (en) * 2002-03-05 2006-02-21 Seiko Epson Corporation Illumination device, liquid crystal device, and electronic apparatus
US7171104B2 (en) 2002-10-04 2007-01-30 Nichia Corporation Optical waveguide plate for surface light emitting apparatus and surface light emitting apparatus using the optical waveguide plate
JP2008140782A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Samsung Electronics Co Ltd バックライトアセンブリ、液晶表示装置及び導光板の製造方法
JP2008257900A (ja) * 2007-03-31 2008-10-23 Nidec Copal Corp 面発光装置
CN100437290C (zh) * 2003-10-18 2008-11-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 背光模组
US7918597B2 (en) 2007-11-27 2011-04-05 Minebea Co., Ltd. Spread illuminating apparatus
DE102004019063B4 (de) * 2003-04-21 2012-12-13 Citizen Electronics Co., Ltd. Flächenleuchtvorrichtung
US8488080B2 (en) 2006-08-17 2013-07-16 Japan Display West, Inc. Illumination system, liquid crystal device, and electronic device
US8827533B2 (en) 2011-04-28 2014-09-09 Minebea Co., Ltd. Spread illuminating apparatus with light guiding plate
EP3222778A1 (en) 2011-01-21 2017-09-27 Mitsubishi Chemical Corporation Porous electrode substrate, method for manufacturing same, membrane electrode assembly, polymer electrolyte fuel cell, precursor sheet, and fibrillar fibers
KR101907925B1 (ko) * 2017-04-04 2018-10-15 주식회사 케이룩스코리아 Led 조명 장치

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7001035B2 (en) * 2002-03-05 2006-02-21 Seiko Epson Corporation Illumination device, liquid crystal device, and electronic apparatus
JP4720077B2 (ja) * 2002-10-04 2011-07-13 日亜化学工業株式会社 面発光装置
US7171104B2 (en) 2002-10-04 2007-01-30 Nichia Corporation Optical waveguide plate for surface light emitting apparatus and surface light emitting apparatus using the optical waveguide plate
US7269329B2 (en) 2002-10-04 2007-09-11 Nichia Corporation Optical waveguide plate for surface light emitting apparatus and surface light emitting apparatus using the optical waveguide plate
JP2005071971A (ja) * 2002-10-04 2005-03-17 Nichia Chem Ind Ltd 面発光装置用の導光板と面発光装置
DE102004019063B4 (de) * 2003-04-21 2012-12-13 Citizen Electronics Co., Ltd. Flächenleuchtvorrichtung
CN100437290C (zh) * 2003-10-18 2008-11-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 背光模组
US8488080B2 (en) 2006-08-17 2013-07-16 Japan Display West, Inc. Illumination system, liquid crystal device, and electronic device
JP2008140782A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Samsung Electronics Co Ltd バックライトアセンブリ、液晶表示装置及び導光板の製造方法
WO2008129711A1 (ja) * 2007-03-31 2008-10-30 Nidec Copal Corporation 面発光装置
JP2008257900A (ja) * 2007-03-31 2008-10-23 Nidec Copal Corp 面発光装置
US7918597B2 (en) 2007-11-27 2011-04-05 Minebea Co., Ltd. Spread illuminating apparatus
CN101446405B (zh) * 2007-11-27 2013-05-22 美蓓亚株式会社 面状照明设备
EP3222778A1 (en) 2011-01-21 2017-09-27 Mitsubishi Chemical Corporation Porous electrode substrate, method for manufacturing same, membrane electrode assembly, polymer electrolyte fuel cell, precursor sheet, and fibrillar fibers
US8827533B2 (en) 2011-04-28 2014-09-09 Minebea Co., Ltd. Spread illuminating apparatus with light guiding plate
KR101907925B1 (ko) * 2017-04-04 2018-10-15 주식회사 케이룩스코리아 Led 조명 장치

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