JP2002040670A - Resist exposure device - Google Patents
Resist exposure deviceInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はフォトリソグラフィ
ーによって基板に所定の電極パターンを形成する際など
に使用されるレジスト露光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist exposure apparatus used for forming a predetermined electrode pattern on a substrate by photolithography.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、圧電基板上に振動電極を形成する
方法として、フォトレジスト法が使用されている。この
方法は、表面に導電膜が形成された基板上に、感光性レ
ジストを全面に塗布し、その上に電極パターンのマスク
を載せ、露光する。その後、基板を現像液に入れて所定
パターンのレジストを形成し、さらにレジストが形成さ
れた基板をエッチング液にいれて、レジストのない部分
の導電膜を除去し、その後でレジストを除去すること
で、所定の電極パターンを得る方法である。2. Description of the Related Art Conventionally, a photoresist method has been used as a method of forming a vibrating electrode on a piezoelectric substrate. In this method, a photosensitive resist is applied over the entire surface of a substrate having a conductive film formed on the surface, a mask of an electrode pattern is placed thereon, and exposure is performed. After that, the substrate is put in a developing solution to form a resist of a predetermined pattern, and further, the substrate on which the resist is formed is put in an etching solution, and the conductive film in a portion without the resist is removed, and then the resist is removed. And a method for obtaining a predetermined electrode pattern.
【0003】この方法では、1パターン当たり1枚の固
定マスクを必要とするので、パターンが変わればマスク
も変更する必要があり、コスト高になる欠点がある。ま
た、マスクを交換する際の段取り時の時間ロスが大き
い。さらに、圧電体は材料のばらつきにより、発振周波
数が変動するが、電極パターンによって微小な補正を行
うことが可能である。しかしながら、固定マスクではこ
のような同一パターン内での微小な補正をかけることが
できない。In this method, since one fixed mask is required for one pattern, it is necessary to change the mask if the pattern changes, which has the disadvantage of increasing the cost. In addition, there is a large time loss during setup when replacing the mask. Further, the oscillation frequency of the piezoelectric body fluctuates due to the variation of the material, but fine correction can be performed by the electrode pattern. However, a fixed mask cannot perform such a minute correction in the same pattern.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】そこで、固定マスクに
代えて、液晶マスクを用いてパターン形成する方法も提
案されている(例えば特開平7−152139号公
報)。液晶マスクの場合、1マスクで任意のパターンを
形成することが可能であり、同一パターン内で微小な補
正をかけることも可能であるという利点がある。しかし
ながら、液晶の場合、セルの開口率が低く、パターンが
セル化したり、光の有効利用率が低いため、大きな光源
が必要になる等の問題があった。Therefore, a method of forming a pattern using a liquid crystal mask instead of a fixed mask has been proposed (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-152139). In the case of a liquid crystal mask, an arbitrary pattern can be formed with one mask, and there is an advantage that a minute correction can be performed within the same pattern. However, in the case of liquid crystal, the aperture ratio of the cell is low, the pattern becomes a cell, and the effective utilization of light is low.
【0005】そこで、本発明の目的は、マスクを使用せ
ずに任意のパターンを形成することが可能であり、同一
パターン内で微小な補正をかけることができるととも
に、パターンのセル化を防止し、光の有効利用を図るこ
とができるレジスト露光装置を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to form an arbitrary pattern without using a mask, to perform minute correction within the same pattern, and to prevent the pattern from being made into cells. Another object of the present invention is to provide a resist exposure apparatus capable of effectively utilizing light.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1にかかる発明は、光源と、表面に感光性レ
ジストが塗布された基板と、微小なマイクロミラーを多
数枚集積し、デジタル入力信号に応じて個々のマイクロ
ミラーの傾きを2方向に切り替えるDLP素子と、所定
の露光パターンに応じてDLP素子にデジタル信号を出
力し、DLP素子によって光源の光の一部をレジストに
向かって反射してレジストを露光させるとともに、光の
残部をレジスト以外の部位へ反射させる露光制御手段
と、を備えたことを特徴とするレジスト露光装置を提供
する。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a light source, a substrate having a surface coated with a photosensitive resist, and a large number of minute micromirrors are integrated. A digital signal is output to a DLP element that switches the tilt of each micromirror in two directions according to an input signal and a DLP element according to a predetermined exposure pattern, and a part of light from a light source is directed toward the resist by the DLP element. There is provided a resist exposure apparatus comprising: an exposure control means for reflecting the resist to expose the resist and reflecting the remaining light to a portion other than the resist.
【0007】本発明はフォトリソグラフィーによって基
板上にレジストパターンを露光する装置に関し、従来の
固定マスクや液晶マスクに代えて、DLP素子を用いる
ことにより、従来の問題点を解決したものである。DL
P(Degital Light Processing) 素子は、DMD(Degi
tal Micromirror Device) を利用した素子であり、微小
なマイクロミラーを多数枚(例えば数十万枚)ワンチッ
プに集積し、個々のマイクロミラーに対するデジタル入
力信号をON/OFFすることで、個々のマイクロミラ
ーの向きを約±10度だけ傾け、光の反射方向を切り替
えるものである。露光制御手段は、所定の露光パターン
に応じて個々のマイクロミラーの傾きを切り替えるよ
う、DLP素子にデジタル信号を入力する。すなわち、
光源の光をレジストに向かって反射してレジストを露光
させるマイクロミラーと、光をレジスト以外の部位へ反
射するマイクロミラーとに区分けする。このようにデジ
タル信号を制御することで、1個のDLP素子で任意の
パターンを形成することが可能であり、同一パターン内
で微小な補正をかけることもできる。DLP素子はピク
セル間の継ぎ目が非常に小さいので、液晶マスクのよう
にパターンがセル化する問題を解消でき、しかも反射率
が高い(約90%以上)ので、光の有効利用率が液晶マ
スクの3倍以上であり、耐光性も高いため、省電力で高
出力が得られる。したがって、比較的小さな光源でも十
分にレジストを露光できる。DLP素子を構成する個々
のマイクロミラーは微小(例えば16×16μm)であ
るから、セルピッチが液晶マスクの約1/3となり、よ
り細密なパターン形成が可能である。The present invention relates to an apparatus for exposing a resist pattern on a substrate by photolithography, and solves the conventional problems by using a DLP element instead of a conventional fixed mask or liquid crystal mask. DL
P (Digital Light Processing) element is a DMD (Degi
tal Micromirror Device), which integrates a large number of micromirrors (for example, hundreds of thousands) into a single chip, and turns on / off digital input signals to individual micromirrors, thereby enabling individual micromirrors. The direction of the light is switched by tilting the direction of the mirror by about ± 10 degrees. The exposure control means inputs a digital signal to the DLP element so as to switch the inclination of each micromirror according to a predetermined exposure pattern. That is,
Micromirrors that reflect light from a light source toward the resist to expose the resist and micromirrors that reflect light to portions other than the resist are classified. By controlling the digital signal in this way, an arbitrary pattern can be formed with one DLP element, and a minute correction can be applied within the same pattern. Since the DLP element has a very small seam between pixels, it is possible to solve the problem that the pattern is formed into a cell like a liquid crystal mask, and the reflectance is high (about 90% or more). Since it is three times or more and has high light resistance, high output can be obtained with power saving. Therefore, the resist can be sufficiently exposed even with a relatively small light source. Since the individual micromirrors constituting the DLP element are minute (for example, 16 × 16 μm), the cell pitch becomes about の of the liquid crystal mask, and a finer pattern can be formed.
【0008】請求項2のように、基板としてその表面に
導電膜が形成された圧電基板を用い、露光制御手段は圧
電基板の特性に応じて露光パターンを補正し、DLP素
子へ補正されたデジタル信号を出力するのがよい。圧電
素子の発振周波数は、圧電体の材料バラツキなどによっ
て変動するが、振動電極のパターン形状を修正すること
で、補正が可能である。本発明の露光装置を応用すれ
ば、圧電体の特性に合わせて、1個の素子ごとに1対1
で発振周波数の補正を行うことができ、従来のような周
波数調整工程を行わずに特性良品率が向上する。According to a second aspect of the present invention, a piezoelectric substrate having a conductive film formed on its surface is used as the substrate, and the exposure control means corrects the exposure pattern according to the characteristics of the piezoelectric substrate, and corrects the digital pattern corrected by the DLP element. It is good to output a signal. The oscillation frequency of the piezoelectric element fluctuates due to a variation in the material of the piezoelectric body or the like, but can be corrected by modifying the pattern shape of the vibrating electrode. If the exposure apparatus of the present invention is applied, one-to-one for each element according to the characteristics of the piezoelectric body.
In this way, the oscillation frequency can be corrected, and the non-defective product rate can be improved without performing the conventional frequency adjustment step.
【0009】なお、本発明のレジスト露光装置は、圧電
基板の電極形成に限らず、例えばプリント基板の配線形
成や、半導体の回路形成にも適用できる。したがって、
レジストは、電極膜のエッチングだけでなく、絶縁膜の
エッチング、拡散層の形成、イオン注入など種々の用途
に使用できる。The resist exposure apparatus of the present invention can be applied not only to the formation of electrodes on a piezoelectric substrate but also to the formation of wiring on a printed board or the formation of a circuit on a semiconductor. Therefore,
The resist can be used for various applications such as etching of an insulating film, formation of a diffusion layer, and ion implantation as well as etching of an electrode film.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】図1,図2は本発明にかかるレジ
スト露光装置の一例を示す。この露光装置は、光源4、
DLP素子5、光学系6、DLP素子5を制御するコン
トローラ(露光制御手段)7で構成される。光源4から
照射された光は、DLP素子5により反射され、光学系
6を通って平行光線となり、対象物Wに照射される。D
LP素子5は、図2に示すように、微小なマイクロミラ
ー5a,5bを多数枚ワンチップに集積し、コントロー
ラ7によって個々のマイクロミラー5a,5bに対する
デジタル入力信号をON/OFFすることで、個々のマ
イクロミラー5a,5bの傾き角を2位置に切り替え、
光の反射方向を2方向(光線4aと4b)に切り替え
る。コントローラ7には、予め基準となる露光パターン
が記憶されており、この基準パターンを補正値によって
補正し、DLP素子にデジタル信号を出力する機能を有
する。1 and 2 show an example of a resist exposure apparatus according to the present invention. This exposure apparatus includes a light source 4,
It comprises a DLP element 5, an optical system 6, and a controller (exposure control means) 7 for controlling the DLP element 5. Light emitted from the light source 4 is reflected by the DLP element 5, passes through the optical system 6, becomes a parallel light beam, and is emitted to the object W. D
As shown in FIG. 2, the LP element 5 integrates a large number of micro-mirrors 5a and 5b on one chip, and turns ON / OFF digital input signals to the individual micro-mirrors 5a and 5b by the controller 7. Switching the tilt angle of each micro mirror 5a, 5b to two positions,
The light reflection direction is switched between two directions (light beams 4a and 4b). The controller 7 stores a reference exposure pattern in advance, and has a function of correcting the reference pattern with a correction value and outputting a digital signal to the DLP element.
【0011】図3は上記レジスト露光装置を圧電共振子
の製造に用いた例を示す。(a)は圧電基板1の準備工
程を示す。圧電基板1の表面には導電膜2が形成されて
いる。この導電膜2は、スパッタリング,蒸着などの薄
膜形成法により形成される。この準備工程において、圧
電基板1の表裏に測定具を当接させ、共振周波数,反共
振周波数等の材料特性を測定する。材料特性は個々の圧
電基板1によりバラツキがあるからである。この測定デ
ータはコントローラ7へ転送される。(b)は感光性レ
ジスト3の塗布工程を示す。すなわち、圧電基板1の表
面に、光が当たると溶剤に対して溶解性または不溶性に
変化する感光性レジスト3が、回転法や膜状レジストを
ロールで圧着する方法などによって塗布される。(c)
は露光工程を示す。光源4から照射された光は、DLP
素子5により反射され、光学系6を通って平行光線とな
り、圧電基板1の表面に形成されたレジスト3に照射さ
れる。コントローラ7には、準備工程(a)で測定され
た圧電基板1の材料特性データが入力され、この測定デ
ータに基づいて、コントローラ7は所望の発振周波数と
なる電極パターン(露光パターン)を補正し、補正され
た電極パターンの各画素に応じたデジタル信号をDLP
素子5の各マイクロミラーに送る。これにより、個々の
マイクロミラー5a,5bはON位置あるいはOFF位
置へ切り替わり、例えばON位置にあるマイクロミラー
5aが光源4の光をレジスト3に向かって反射し(光線
4a)、OFF位置にあるマイクロミラー5bがレジス
ト3以外の部位に向かって反射する(光線4b)。その
ため、DLP素子5のマイクロミラー5aによって反射
された光4aにより、レジスト3がパターン露光され
る。(d)は現像工程を示す。すなわち、露光されてい
ない未感光のレジストを現像液によって除去し、所定パ
ターンのレジスト3aを形成したものである。(e)は
エッチング工程を示し、エッチング液によってレジスト
3aのない部分の導電膜2を除去するものである。
(f)はレジスト除去工程を示し、導電膜2上に残った
レジスト3aを除去する。これにより、圧電基板1上に
は、各圧電基板1の特性に合致した最適なパターンの電
極2aが形成される。FIG. 3 shows an example in which the resist exposure apparatus is used for manufacturing a piezoelectric resonator. (A) shows a step of preparing the piezoelectric substrate 1. A conductive film 2 is formed on the surface of the piezoelectric substrate 1. The conductive film 2 is formed by a thin film forming method such as sputtering or vapor deposition. In this preparation step, a measuring tool is brought into contact with the front and back of the piezoelectric substrate 1 to measure material characteristics such as a resonance frequency and an anti-resonance frequency. This is because the material characteristics vary from one piezoelectric substrate 1 to another. This measurement data is transferred to the controller 7. (B) shows a step of applying the photosensitive resist 3. That is, the photosensitive resist 3, which changes to be soluble or insoluble in a solvent when exposed to light, is applied to the surface of the piezoelectric substrate 1 by a rotation method, a method of pressing a film resist with a roll, or the like. (C)
Indicates an exposure step. The light emitted from the light source 4 is DLP
The light is reflected by the element 5, passes through the optical system 6, becomes a parallel light, and irradiates the resist 3 formed on the surface of the piezoelectric substrate 1. Material characteristics data of the piezoelectric substrate 1 measured in the preparation step (a) is input to the controller 7, and based on the measured data, the controller 7 corrects an electrode pattern (exposure pattern) having a desired oscillation frequency. Digital signal corresponding to each pixel of the corrected electrode pattern
It is sent to each micro mirror of the element 5. As a result, the individual micromirrors 5a and 5b are switched to the ON position or the OFF position. For example, the micromirror 5a at the ON position reflects the light of the light source 4 toward the resist 3 (light beam 4a), and the micromirror at the OFF position. The mirror 5b reflects toward a portion other than the resist 3 (light beam 4b). Therefore, the resist 3 is subjected to pattern exposure by the light 4a reflected by the micro mirror 5a of the DLP element 5. (D) shows a developing step. That is, the unexposed unexposed resist is removed by a developer to form a resist 3a having a predetermined pattern. (E) shows an etching step in which a portion of the conductive film 2 where there is no resist 3a is removed by an etchant.
(F) shows a resist removing step, in which the resist 3a remaining on the conductive film 2 is removed. As a result, on the piezoelectric substrate 1, the electrodes 2a having an optimum pattern matching the characteristics of each piezoelectric substrate 1 are formed.
【0012】上記のように、露光工程の前に圧電基板1
の材料特性を測定しておき、この特性に応じて電極パタ
ーンを補正するようにしたので、個々の圧電基板1の材
料バラツキによる発振周波数のばらつきを少なくでき
る。そのため、周波数調整工程の廃止が可能となり、特
性良品率が向上する。As described above, before the exposure step, the piezoelectric substrate 1
Since the material characteristics are measured in advance and the electrode pattern is corrected in accordance with the characteristics, variations in the oscillation frequency due to material variations of the individual piezoelectric substrates 1 can be reduced. Therefore, the frequency adjustment step can be eliminated, and the quality non-defective rate is improved.
【0013】図1では、説明を簡単にするために1枚の
圧電基板1に対して1個の振動電極2aを形成する例に
ついて説明したが、実際には圧電基板1に多数の振動電
極2aが形成される。したがって、DLP素子5は多数
の電極2aを1回の露光で形成できるようなパターンに
制御される。近年、1280×1024個ものマイクロ
ミラーを備えた高分解能のDLP素子も開発されてお
り、大型の圧電基板(マザー基板)であっても1回の工
程で露光可能である。FIG. 1 shows an example in which one vibration electrode 2a is formed on one piezoelectric substrate 1 for the sake of simplicity. However, in practice, a large number of vibration electrodes 2a are formed on the piezoelectric substrate 1. Is formed. Therefore, the DLP element 5 is controlled to a pattern that allows a large number of electrodes 2a to be formed by one exposure. In recent years, a high-resolution DLP device having as many as 1280 × 1024 micromirrors has been developed, and even a large piezoelectric substrate (mother substrate) can be exposed in one process.
【0014】上記実施例では、圧電基板1の上に所定の
電極パターン2aを形成するのに、本レジスト露光装置
を用いた例を示したが、これに限るものではない。例え
ば、プリント基板のパターン配線の形成や、半導体装置
の拡散層の形成などに用いることが可能である。特に、
本発明のレジスト露光装置は、一定のパターンを形成す
るのではなく、パターンを基板の特性に応じて適時補正
しながら形成する場合に好適である。In the above embodiment, an example was described in which the present resist exposure apparatus was used to form the predetermined electrode pattern 2a on the piezoelectric substrate 1, but the present invention is not limited to this. For example, it can be used for forming pattern wiring on a printed circuit board, forming a diffusion layer of a semiconductor device, and the like. In particular,
The resist exposure apparatus of the present invention is suitable for forming a pattern while correcting it appropriately according to the characteristics of the substrate instead of forming a fixed pattern.
【0015】[0015]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項1
に記載の方法によれば、DLP素子を用いることによ
り、基板上にレジストパターンを露光するようにしたの
で、DLP素子へのデジタル入力信号を制御すること
で、1個のDLP素子で任意のパターンを形成すること
が可能であり、同一パターン内で微小な補正をかけるこ
ともできる。また、DLP素子はピクセル間の継ぎ目が
非常に小さいので、液晶マスクのようにパターンがセル
化する問題を解消でき、しかも反射率が高いので、光の
有効利用率が液晶マスクの3倍以上であり、耐光性も高
いため、省電力で高出力が得られる。したがって、比較
的小さな光源でも十分にレジストを露光できる。さら
に、DLP素子を構成する個々のマイクロミラーは微小
であるから、セルピッチが液晶マスクの約1/3とな
り、より細密なパターン形成が可能である。したがっ
て、マスクを使用しない高精度で高信頼性の露光装置を
実現できる。As is apparent from the above description, claim 1
According to the method described in (1), the resist pattern is exposed on the substrate by using the DLP element. Therefore, by controlling the digital input signal to the DLP element, one DLP element can be used to expose an arbitrary pattern. Can be formed, and minute correction can be performed within the same pattern. Further, since the DLP element has a very small seam between pixels, the problem that the pattern is formed into a cell like a liquid crystal mask can be solved. In addition, since the reflectance is high, the effective light utilization rate is three times or more of the liquid crystal mask. And high light resistance, so high power can be obtained with low power consumption. Therefore, the resist can be sufficiently exposed even with a relatively small light source. Further, since the individual micromirrors constituting the DLP element are minute, the cell pitch is about 1/3 of the liquid crystal mask, and a finer pattern can be formed. Therefore, a highly accurate and highly reliable exposure apparatus that does not use a mask can be realized.
【図1】本発明にかかるレジスト露光装置の一例の概略
図である。FIG. 1 is a schematic view of an example of a resist exposure apparatus according to the present invention.
【図2】図1に示すレジスト露光装置のDLP素子の拡
大原理図である。FIG. 2 is an enlarged principle view of a DLP element of the resist exposure apparatus shown in FIG.
【図3】図1に示すレジスト露光装置を圧電共振子の電
極形成に用いた工程図である。FIG. 3 is a process chart in which the resist exposure apparatus shown in FIG. 1 is used for forming electrodes of a piezoelectric resonator.
1 圧電基板 2 導電膜 3 レジスト 4 光源 5 DLP素子 6 光学系 7 コントローラ Reference Signs List 1 piezoelectric substrate 2 conductive film 3 resist 4 light source 5 DLP element 6 optical system 7 controller
Claims (2)
た基板と、微小なマイクロミラーを多数枚集積し、デジ
タル入力信号に応じて個々のマイクロミラーの傾きを2
方向に切り替えるDLP素子と、所定の露光パターンに
応じてDLP素子にデジタル信号を出力し、DLP素子
によって光源の光の一部をレジストに向かって反射して
レジストを露光させるとともに、光の残部をレジスト以
外の部位へ反射させる露光制御手段と、を備えたことを
特徴とするレジスト露光装置。1. A light source, a substrate having a surface coated with a photosensitive resist, and a large number of micromirrors are integrated.
A digital signal is output to the DLP element that switches the direction and a DLP element according to a predetermined exposure pattern, and the DLP element reflects a part of the light of the light source toward the resist to expose the resist, and removes the rest of the light. A resist exposure apparatus, comprising: an exposure control unit that reflects light to a portion other than the resist.
圧電基板であり、上記露光制御手段は圧電基板の特性に
応じて露光パターンを補正し、DLP素子へ補正された
デジタル信号を出力することを特徴とする請求項1に記
載のレジスト露光装置。2. The substrate according to claim 1, wherein said substrate is a piezoelectric substrate having a conductive film formed thereon, and said exposure control means corrects an exposure pattern in accordance with characteristics of said piezoelectric substrate and outputs a corrected digital signal to a DLP element. The resist exposure apparatus according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000220284A JP2002040670A (en) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | Resist exposure device |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028335A (en) * | 2006-05-04 | 2012-02-09 | Lg Chem Ltd | Organic light-emitting device having light-emitting pattern, and method and apparatus for producing the same |
WO2016027628A1 (en) * | 2014-08-18 | 2016-02-25 | 株式会社村田製作所 | Electronic component production method |
-
2000
- 2000-07-21 JP JP2000220284A patent/JP2002040670A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028335A (en) * | 2006-05-04 | 2012-02-09 | Lg Chem Ltd | Organic light-emitting device having light-emitting pattern, and method and apparatus for producing the same |
US9028975B2 (en) | 2006-05-04 | 2015-05-12 | Lg Chem, Ltd. | Organic light-emitting device having light-emitting pattern, method and apparatus for preparing the same |
WO2016027628A1 (en) * | 2014-08-18 | 2016-02-25 | 株式会社村田製作所 | Electronic component production method |
JPWO2016027628A1 (en) * | 2014-08-18 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | Manufacturing method of electronic parts |
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