JP2002040626A - Method for inspecting conductor pattern, and method for manufacturing optoelectric device - Google Patents

Method for inspecting conductor pattern, and method for manufacturing optoelectric device

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JP2002040626A
JP2002040626A JP2000222579A JP2000222579A JP2002040626A JP 2002040626 A JP2002040626 A JP 2002040626A JP 2000222579 A JP2000222579 A JP 2000222579A JP 2000222579 A JP2000222579 A JP 2000222579A JP 2002040626 A JP2002040626 A JP 2002040626A
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liquid crystal
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for inspecting conductive patterns which is capable of rapidly detecting pattern defects of conductive parts, even when forming the conductive parts of narrow gaps between the patterns. SOLUTION: Two or more sheets of substrates, to be inspected which are formed with photoresist of prescribed patterns and are then formed with the a of the prescribed patterns after the end of development (step S14) of the photoresist are subjected to inspection (step S15) of the conductive patterns, by using an automatic pattern defect inspecting apparatus. When the defects are detected at the same coordinates for 2 or more sheets of the substrates to be inspected by using the automatic pattern defect inspecting apparatus, the defects of the 2 or more sheets of the substrates to be inspected are observed (step S16) by a microscope. If the shapes of the defects are the same or similar, the defects are fed back to an exposure process step, and the cleaning at the pattern defective points of a photomask is carried out and the causative substances of the pattern defects sticking to the photomask are removed (step S17).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導体パターンの検
査方法、電気光学装置の製造方法に係り、特に電極、配
線などの導体部のパターン欠陥を検出する技術に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting a conductor pattern and a method for manufacturing an electro-optical device, and more particularly to a technique for detecting a pattern defect in a conductor portion such as an electrode and a wiring.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気光学装置の代表例である液晶装置を
一例として、従来の技術について説明する。
2. Description of the Related Art A conventional technique will be described by taking a liquid crystal device as a typical example of an electro-optical device as an example.

【0003】図10に、一般の単純マトリックス型の液
晶装置100の概略断面構造を示し、この液晶装置の構
造を説明する。
FIG. 10 shows a schematic sectional structure of a general simple matrix type liquid crystal device 100, and the structure of the liquid crystal device will be described.

【0004】図10に示すように、基板(下側基板)1
01と対向基板(上側基板)102とがそれぞれの基板
の周縁部においてシール材104を介して所定間隔で貼
着され、基板101、対向基板102間に液晶層103
が挟持されている。基板101と対向基板102の液晶
層103側表面上には、それぞれストライプ状に電極1
05、106が形成され、電極105、106の表面上
には、液晶を所定の方向に配向させるための配向膜10
7、108が形成されている。
As shown in FIG. 10, a substrate (lower substrate) 1
01 and an opposing substrate (upper substrate) 102 are adhered at predetermined intervals at a peripheral portion of each substrate via a sealant 104, and a liquid crystal layer 103 is interposed between the substrate 101 and the opposing substrate 102.
Is pinched. On the surfaces of the substrate 101 and the counter substrate 102 on the liquid crystal layer 103 side, the electrodes 1 are formed in stripes, respectively.
And an alignment film 10 for aligning the liquid crystal in a predetermined direction on the surfaces of the electrodes 105 and.
7, 108 are formed.

【0005】液晶装置100において、電極105、1
06は互いに交差するように形成されている。また、配
向膜107、108間には、液晶セルのセルギャップを
均一化するために、多数の球状のスペーサー109が配
置されている。また、図示は省略しているが、基板10
1、対向基板102の外側には偏光板、位相差板などの
光学素子が取り付けられている。
In the liquid crystal device 100, the electrodes 105, 1
06 are formed to cross each other. Also, between the alignment films 107 and 108, a number of spherical spacers 109 are arranged in order to make the cell gap of the liquid crystal cell uniform. Although not shown, the substrate 10
1. Optical elements such as a polarizing plate and a retardation plate are attached to the outside of the counter substrate 102.

【0006】次に、上記液晶装置100の電極105
(106)の形成方法について説明する。
Next, the electrode 105 of the liquid crystal device 100
The method for forming (106) will be described.

【0007】基板101(対向基板102)の表面上の
全面にインジウム錫酸化物などからなる導電膜を形成し
た後、導電膜の表面上の全面に所定のフォトレジストを
塗布し、電極105(106)のパターンが形成された
フォトマスクを用いてフォトレジストを露光した後、フ
ォトレジストの現像を行い、所定のパターンのフォトレ
ジストを形成する。次に、導電膜を所定のパターンにエ
ッチングし、フォトレジストを剥離することにより、所
定のパターンの電極105(106)が形成される。
After a conductive film made of indium tin oxide or the like is formed on the entire surface of the substrate 101 (counter substrate 102), a predetermined photoresist is applied on the entire surface of the conductive film, and the electrodes 105 (106) After exposing the photoresist using the photomask on which the pattern of (1) is formed, the photoresist is developed to form a photoresist of a predetermined pattern. Next, the conductive film is etched into a predetermined pattern, and the photoresist is removed, whereby the electrode 105 (106) having a predetermined pattern is formed.

【0008】ポジ型のフォトレジストを用いて、電極1
05(106)を形成する場合、露光されなかった部分
のフォトレジストが現像後に残存するが、フォトマスク
にゴミや汚れなどが付着していた場合には、露光されな
い部分の面積が広くなるため、本来除去されるフォトレ
ジストが残存して、最終的に形成される電極105(1
06)がショートするという恐れがある。
An electrode 1 is formed using a positive photoresist.
In the case of forming 05 (106), the photoresist of the unexposed portion remains after development, but if dust or dirt is attached to the photomask, the area of the unexposed portion becomes large. The photoresist which is originally removed remains, and the electrode 105 (1
06) may be short-circuited.

【0009】また、ネガ型のフォトレジストを用いて、
電極105(106)を形成する場合、露光された部分
のフォトレジストが現像後に残存するが、フォトマスク
にゴミや汚れなどが付着していた場合には、露光される
部分の面積が狭くなるため、本来残存するフォトレジス
トが除去されて、最終的に形成される電極105(10
6)のパターンが欠損して断線するという恐れがある。
Further, using a negative type photoresist,
When the electrode 105 (106) is formed, the exposed portion of the photoresist remains after development, but if dust or dirt adheres to the photomask, the area of the exposed portion is reduced. The originally remaining photoresist is removed, and the electrode 105 (10
There is a risk that the pattern 6) may be lost due to loss.

【0010】そこで、電極105(106)を形成する
際に、あらかじめ2枚の基板101(対向基板102)
について、電極105(106)のパターン(電極パタ
ーン)の検査を行ってから、量産品について電極105
(106)の形成を行っている。
Therefore, when the electrodes 105 (106) are formed, two substrates 101 (counter substrates 102)
After inspecting the pattern (electrode pattern) of the electrodes 105 (106) for the
(106) is being formed.

【0011】図11に、従来の電極パターンの検査方法
のフローチャートを示し、この図に基づいて、従来の電
極パターンの検査方法について説明する。
FIG. 11 shows a flowchart of a conventional method for inspecting an electrode pattern. The conventional method for inspecting an electrode pattern will be described with reference to FIG.

【0012】導電膜の形成(ステップS101)、フォ
トレジストの塗布(ステップS102)、フォトレジス
トの露光(ステップS103)、フォトレジストの現像
(ステップS104)、導電膜のエッチング及びフォト
レジストの剥離(ステップS105)を終えて所定のパ
ターンの電極を形成した後、電極が形成された2枚の基
板について、電極パターンの検査を行う(ステップS1
06)。
[0012] Formation of a conductive film (step S101), application of a photoresist (step S102), exposure of the photoresist (step S103), development of the photoresist (step S104), etching of the conductive film and stripping of the photoresist (step S101) After the electrodes of a predetermined pattern are formed after S105), the electrode patterns are inspected on the two substrates on which the electrodes are formed (step S1).
06).

【0013】電極パターンの検査は、隣接する2本の電
極に、2本のプローブを接触させ、プローブを接触させ
た2本の電極間の電圧差又は電流差を検出することによ
り行われている。図12に、基板101に形成された電
極105の一部分の概略平面構造を示し、電極105の
パターンの検査方法を例として、電極パターンの検査方
法について説明する。
Inspection of an electrode pattern is performed by bringing two probes into contact with two adjacent electrodes and detecting a voltage difference or a current difference between the two electrodes brought into contact with the probes. . FIG. 12 shows a schematic plan structure of a part of the electrode 105 formed on the substrate 101, and a method of inspecting an electrode pattern will be described by taking an example of a method of inspecting a pattern of the electrode 105.

【0014】図12に示すように、電極パターンの検査
は、隣接する2本の電極105に接触するように相対的
位置関係が規定された2本のプローブ150a、150
bを用い、プローブ150a、150bを接触させた2
本の電極105間の電圧差又は電流差を検出することに
より行われており、図12に示すように、電極105に
対して垂直な方向に、図示左方向から図示右方向にプロ
ーブ150a、150bを平行移動させながら検査を行
うことにより、すべての電極105のパターンの検査を
行っている。
As shown in FIG. 12, in the inspection of the electrode pattern, two probes 150a and 150 having a relative positional relationship defined so as to contact two adjacent electrodes 105 are used.
b, the probes 150a and 150b were brought into contact with each other.
The detection is performed by detecting a voltage difference or a current difference between the electrodes 105. As shown in FIG. 12, the probes 150a and 150b are arranged in a direction perpendicular to the electrodes 105 from the left to the right in the drawing. The inspection is performed while moving in parallel, thereby inspecting the patterns of all the electrodes 105.

【0015】このように、電極パターンの検査を行い、
2枚の基板について異なる位置に欠陥が発見された場合
あるいはいずれの基板にも欠陥が発見されなかった場合
には、露光工程で用いたフォトマスクの表面にゴミや汚
れなどが付着していないと判断し、そのまま量産品の流
動(連続生産)を開始する。
As described above, the inspection of the electrode pattern is performed,
When defects are found at different positions on the two substrates or when no defects are found on any of the substrates, it is necessary that dust or dirt does not adhere to the surface of the photomask used in the exposure process. Judge and start mass production flow (continuous production).

【0016】一方、2枚の基板について同位置に欠陥が
発見された場合には、その欠陥は、露光工程で用いたフ
ォトマスクにゴミや汚れなどが付着していたために生じ
たパターン欠陥であると判定し、露光工程へフィードバ
ックして、フォトマスクのパターン欠陥箇所を清掃し、
フォトマスクに付着したゴミや汚れなどのパターン欠陥
の原因物質を除去する(ステップS107)。フォトマ
スクの清掃後、量産品の流動(連続生産)を開始する。
On the other hand, if a defect is found at the same position on the two substrates, the defect is a pattern defect caused by dust or dirt adhering to the photomask used in the exposure step. And feedback to the exposure process to clean the photomask pattern defect location,
A substance causing a pattern defect such as dust or dirt attached to the photomask is removed (step S107). After the cleaning of the photomask, mass production of products (continuous production) is started.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】従来は、上記のように
電極パターンを電気的に検査しているため、導電膜のエ
ッチング及びフォトレジストの剥離(ステップS10
5)を終えて、所定のパターンの電極を形成してからで
なければ、電極パターンの検査を行うことができなかっ
た。また、特に、隣接電極のパターン間ギャップの狭い
電極パターンを形成する場合には、電極パターンの電気
的な検査に時間がかかるという問題点もあった。
Conventionally, since the electrode pattern is electrically inspected as described above, the conductive film is etched and the photoresist is removed (step S10).
After the step 5), an electrode pattern cannot be inspected unless an electrode having a predetermined pattern is formed. In particular, when an electrode pattern having a narrow gap between adjacent electrode patterns is formed, it takes a long time to perform an electrical inspection of the electrode pattern.

【0018】そのため、フォトマスクに付着したゴミや
汚れなどに起因するパターン欠陥が発生した場合、露光
工程へのフィードバックが遅くなるという問題点を有し
ている。フォトレジストの現像(ステップS104)を
終えてから電極パターンの検査(ステップS106)を
終えるまでに要する時間は1時間程度であり、電極パタ
ーンの検査に長い時間を要する結果、液晶装置の生産効
率が低下するという問題点を有している。
Therefore, when a pattern defect occurs due to dust or dirt attached to the photomask, there is a problem that feedback to the exposure process is delayed. The time required from the end of the development of the photoresist (step S104) to the end of the inspection of the electrode pattern (step S106) is about one hour, and the inspection of the electrode pattern takes a long time, resulting in a reduction in the production efficiency of the liquid crystal device. There is a problem that it decreases.

【0019】以上の問題は、単純マトリックス型の液晶
装置に限った問題ではなく、TFD(Thin Film Diod
e)素子に代表される2端子型素子あるいはTFT(Thi
n FilmTransistor)素子に代表される3端子型素子を用
いる液晶装置など、すべての液晶装置において生じる問
題であり、液晶装置の製造工程において、電極や配線な
どの導体部を形成する際に同様に生じる問題である。
The above problem is not limited to a simple matrix type liquid crystal device, but is a problem of TFD (Thin Film Diod).
e) A two-terminal element represented by an element or a TFT (Thi
n This is a problem that occurs in all liquid crystal devices, such as a liquid crystal device using a three-terminal element represented by a film transistor, and similarly occurs when a conductor such as an electrode or a wiring is formed in a manufacturing process of the liquid crystal device. It is a problem.

【0020】また、上記の問題は、液晶装置に限った問
題ではなく、電気光学材料層を挟持する2枚の基板を所
定間隔で貼着した構造のエレクトロルミネッセンス、プ
ラズマディスプレイ等の電気光学装置においても生じる
問題である。
The above problem is not limited to the liquid crystal device, but is applied to an electro-optical device such as an electroluminescent device or a plasma display having a structure in which two substrates sandwiching an electro-optical material layer are adhered at a predetermined interval. Is also a problem.

【0021】さらに、上記の問題は、電気光学装置に限
らず、電極や配線などの導体部を具備するいかなる基板
においても生じる問題である。
Furthermore, the above problem is not limited to the electro-optical device, but occurs in any substrate provided with a conductor such as an electrode or a wiring.

【0022】そこで、本発明は上記の問題を解決し、パ
ターン間ギャップの狭い導体部を形成する際において
も、導体部のパターン欠陥を迅速に検出することができ
る導体パターンの検査方法を提供することを目的とす
る。
Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems, and provides a conductor pattern inspection method capable of quickly detecting a pattern defect in a conductor portion even when a conductor portion having a narrow gap between patterns is formed. The purpose is to:

【0023】また、パターン間ギャップの狭い導体部を
具備する電気光学装置を製造する場合においても、導体
部のパターン欠陥を迅速に検出することができ、生産効
率を向上することができる電気光学装置の製造方法を提
供することを目的とする。
Further, even in the case of manufacturing an electro-optical device having a conductor portion having a narrow gap between patterns, an electro-optical device capable of quickly detecting pattern defects in the conductor portion and improving production efficiency. It is an object of the present invention to provide a method for producing the same.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者が種々検討を行った結果、パターン間ギャ
ップの狭い導体部を形成する際においても、微細なパタ
ーンのパターン欠陥を検出可能な自動パターン欠陥検査
装置を用いて検査を行うことにより、フォトレジストの
現像後に、パターン欠陥を予測し、修正をすることがで
きることを見出し、この方法によれば、導体パターンを
形成する前にパターン欠陥を検査することができるの
で、導体部のパターン欠陥を迅速に検出することができ
ることを見出した。
As a result of various studies conducted by the present inventor to solve the above-mentioned problems, it has been found that a pattern defect of a fine pattern can be detected even when a conductor having a narrow gap between patterns is formed. By performing inspection using a possible automatic pattern defect inspection apparatus, after developing the photoresist, it was found that pattern defects can be predicted and corrected, and according to this method, before forming a conductor pattern, Since the pattern defect can be inspected, it has been found that the pattern defect of the conductor can be quickly detected.

【0025】すなわち、上記課題を解決するために、本
発明が講じた手段は、導体パターンの検査方法におい
て、基板上に導電膜を形成する工程、該導電膜上にフォ
トレジストを塗布する工程、該フォトレジストの露光を
行う工程、該フォトレジストの現像を行う工程、及び、
該フォトレジストのパターンを検査する工程を具備する
ことを特徴とする。
That is, in order to solve the above-mentioned problems, the means taken by the present invention include, in a conductor pattern inspection method, a step of forming a conductive film on a substrate, a step of applying a photoresist on the conductive film, A step of exposing the photoresist, a step of developing the photoresist, and
A step of inspecting the pattern of the photoresist.

【0026】また、前記検査の結果によりパターン欠陥
があると判定された場合、このパターン欠陥は、露光工
程において用いたフォトマスクの表面にゴミや汚れなど
が付着していたために生じたものであると判断し、フォ
トレジストの露光を行う工程、又はそれ以前の工程にフ
ィードバックして、フォトマスクに付着したゴミや汚れ
などのパターン欠陥の原因物質を除去する工程を更に具
備することを特徴とする。
When it is determined from the result of the inspection that there is a pattern defect, the pattern defect is caused by dust or dirt adhering to the surface of the photomask used in the exposure step. The method further comprises a step of performing exposure of the photoresist, or a step of feeding back to a previous step and removing a substance causing a pattern defect such as dust or dirt attached to the photomask. .

【0027】また、2以上の基板について、同位置に前
記フォトレジストのパターン欠陥が検出された場合に、
前記フォトレジストの露光を行う際に用いるフォトマス
クにパターン欠陥があると判定することを特徴とする。
When a pattern defect of the photoresist is detected at the same position on two or more substrates,
It is characterized in that it is determined that a photomask used for exposing the photoresist has a pattern defect.

【0028】さらに、自動パターン欠陥検査装置を用い
て検査を行う際に、基板上に付着したゴミなどに起因す
るパーティクル欠陥もパターン欠陥として認識されてし
まうため、2以上の基板について、形状が同一又は類似
の前記フォトレジストのパターン欠陥が検出された場合
に、前記フォトレジストの露光を行う際に用いるフォト
マスクにパターン欠陥があると判定することを特徴とす
る。
Further, when performing inspection using an automatic pattern defect inspection apparatus, a particle defect caused by dust or the like adhering to the substrate is also recognized as a pattern defect, so that two or more substrates have the same shape. Alternatively, when a similar pattern defect of the photoresist is detected, it is determined that a photomask used for exposing the photoresist has a pattern defect.

【0029】なお、本発明の導体パターンの検査方法に
おいて、フォトマスクにゴミや汚れなどが付着していた
場合、基本的にフォトマスクに付着したゴミや汚れなど
の形状と同一の形状のパターン欠陥が基板上に形成され
るが、露光条件により若干輪郭がぼやけたり、輪郭の位
置が少しずれる場合がある。そこで、本発明ではこのよ
うな場合を欠陥の形状が類似であると定義する。
In the conductor pattern inspection method of the present invention, when dust or dirt is attached to the photomask, a pattern defect having basically the same shape as the dust or dirt attached to the photomask. Are formed on the substrate, but the outline may be slightly blurred or the position of the outline may be slightly shifted depending on the exposure conditions. Therefore, the present invention defines such a case as having a similar defect shape.

【0030】また、自動パターン欠陥検査装置を用いた
本発明の導体パターンの検査方法は、導体パターンが繰
り返しパターンからなるときに検査可能な方法であり、
繰り返しパターンを有する電極や配線のパターンの検査
方法として有効である。
Further, the conductor pattern inspection method of the present invention using the automatic pattern defect inspection apparatus is a method capable of inspecting when the conductor pattern is composed of a repetitive pattern.
This is effective as an inspection method of an electrode or wiring pattern having a repetitive pattern.

【0031】上記の本発明の導体パターンの検査方法を
電気光学装置の製造方法に適用することができる。
The above-described method for inspecting a conductor pattern according to the present invention can be applied to a method for manufacturing an electro-optical device.

【0032】本発明の電気光学装置の製造方法は、導体
パターンが形成された基板を有する電気光学装置を製造
する方法において、前記基板上に導電膜を形成する工
程、該導電膜上にフォトレジストを塗布する工程、該フ
ォトレジストの露光を行う工程、該フォトレジストの現
像を行う工程、及び、 該フォトレジストのパターンを
検査する工程を具備することを特徴とする。
According to a method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electro-optical device having a substrate on which a conductive pattern is formed, wherein a step of forming a conductive film on the substrate, a step of forming a photoresist on the conductive film , A step of exposing the photoresist, a step of developing the photoresist, and a step of inspecting the pattern of the photoresist.

【0033】また、前記検査の結果によりパターン欠陥
があると判定された場合、このパターン欠陥は、露光工
程において用いたフォトマスクの表面にゴミや汚れなど
が付着していたために生じたものであると判断し、フォ
トレジストの露光を行う工程、又はそれ以前の工程にフ
ィードバックして、フォトマスクに付着したゴミや汚れ
などのパターン欠陥の原因物質を除去する工程を更に具
備することを特徴とする。
When it is determined from the result of the inspection that there is a pattern defect, the pattern defect is caused by dust or dirt adhering to the surface of the photomask used in the exposure step. The method further comprises a step of performing exposure of the photoresist, or a step of feeding back to a previous step and removing a substance causing a pattern defect such as dust or dirt attached to the photomask. .

【0034】また、2以上の基板について、同位置に前
記フォトレジストのパターン欠陥が検出された場合に、
前記フォトレジストの露光を行う際に用いるフォトマス
クにパターン欠陥があると判定することを特徴とする。
When a pattern defect of the photoresist is detected at the same position on two or more substrates,
It is characterized in that it is determined that a photomask used for exposing the photoresist has a pattern defect.

【0035】さらに、自動パターン欠陥検査装置を用い
て検査を行う際に、パーティクル欠陥もパターン欠陥と
して認識されてしまうため、2以上の基板について、形
状が同一又は類似の前記フォトレジストのパターン欠陥
が検出された場合に、前記フォトレジストの露光を行う
際に用いるフォトマスクにパターン欠陥があると判定す
ることを特徴とする。
Further, when an inspection is performed by using an automatic pattern defect inspection apparatus, a particle defect is also recognized as a pattern defect. Therefore, a pattern defect of the photoresist having the same shape or a similar shape is obtained for two or more substrates. When it is detected, it is determined that the photomask used for exposing the photoresist has a pattern defect.

【0036】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、パターン間ギャップの狭い導体部を形成する際にお
いても、微細なパターンのパターン欠陥を検出可能な自
動パターン欠陥検査装置を用いて検査を行うことによ
り、フォトレジストの現像後に、パターン欠陥を予測
し、修正をすることができるので、導体パターンを形成
する前にパターン欠陥を検査することができ、導体部の
パターン欠陥を迅速に検出することができる。
According to the method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, even when a conductor having a narrow gap between patterns is formed, the inspection is performed using an automatic pattern defect inspection apparatus capable of detecting a pattern defect of a fine pattern. By doing so, pattern defects can be predicted and corrected after the development of the photoresist, so that pattern defects can be inspected before forming a conductor pattern, and pattern defects in the conductor portion can be quickly detected. be able to.

【0037】したがって、本発明の電気光学装置の製造
方法によれば、パターン間ギャップの狭い導体部を具備
する電気光学装置を製造する場合においても、導体部の
パターン欠陥を迅速に検出することができ、生産効率を
向上することができる。
Therefore, according to the method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, even when an electro-optical device having a conductor portion having a narrow gap between patterns is manufactured, a pattern defect in the conductor portion can be quickly detected. And production efficiency can be improved.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて、電気光学装置の例である液晶装置を取り上げて、
詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a liquid crystal device which is an example of an electro-optical device will be described with respect to an embodiment according to the present invention.
This will be described in detail.

【0039】図1〜図3に基づき、本発明に係る実施形
態の電気光学装置の製造方法により製造された単純マト
リックス型の液晶(表示)装置10の構造を説明する。
図1は液晶装置10の概略断面図、図2は液晶装置10
の下側基板の構造を示す概略平面図、図3は液晶装置1
0の上側基板の構造を示す概略平面図である。なお、図
1は、液晶装置10を図2、図3のA−A’線に沿って
切断したときの断面図である。また、図1〜図3におい
て、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なる
ように表している。
The structure of a simple matrix type liquid crystal (display) device 10 manufactured by the method for manufacturing an electro-optical device according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic sectional view of a liquid crystal device 10, and FIG.
FIG. 3 is a schematic plan view showing the structure of the lower substrate, and FIG.
FIG. 4 is a schematic plan view showing the structure of a No. 0 upper substrate. FIG. 1 is a cross-sectional view when the liquid crystal device 10 is cut along the line AA ′ in FIGS. 2 and 3. In FIGS. 1 to 3, the scale of each layer and each member is different from the actual one in order to make each layer and each member have a size recognizable in the drawings.

【0040】図1〜図3において、液晶装置10の表示
領域(画素領域)を符号30で示している。液晶装置1
0において、表示領域30より外側の領域が非表示領域
になっている。
1 to 3, the display area (pixel area) of the liquid crystal device 10 is indicated by reference numeral 30. Liquid crystal device 1
At 0, the area outside the display area 30 is a non-display area.

【0041】はじめに、図1に基づき、液晶装置10の
断面構造について説明する。
First, the sectional structure of the liquid crystal device 10 will be described with reference to FIG.

【0042】図1に示すように、ガラスやプラスチック
フィルム等からなる基板(下側基板)11と対向基板
(上側基板)12とがそれぞれの基板の周縁部において
シール材14を介して所定間隔で貼着され、基板11、
対向基板12間に液晶層(電気光学材料層)13が挟持
されている。
As shown in FIG. 1, a substrate (lower substrate) 11 and a counter substrate (upper substrate) 12 made of glass, plastic film, or the like are arranged at predetermined intervals at a peripheral portion of each substrate via a sealing material 14. Affixed, substrate 11,
A liquid crystal layer (electro-optical material layer) 13 is sandwiched between the opposing substrates 12.

【0043】基板11の液晶層13側表面上において、
少なくとも表示領域30内にはストライプ状に、インジ
ウム錫酸化物等からなる複数の電極(導体部)17が形
成されている。電極17の表面上には、液晶を配向させ
るためのポリイミド等からなる配向膜19が形成されて
いる。
On the surface of the substrate 11 on the liquid crystal layer 13 side,
At least in the display area 30, a plurality of electrodes (conductor portions) 17 made of indium tin oxide or the like are formed in a stripe shape. On the surface of the electrode 17, an alignment film 19 made of polyimide or the like for aligning the liquid crystal is formed.

【0044】対向基板12の液晶層13側表面上におい
て、少なくとも表示領域30内にはストライプ状に、イ
ンジウム錫酸化物などからなる複数の電極(導体部)1
8が形成され、電極18の表面上にはポリイミド等から
なる配向膜20が形成されている。
On the surface of the counter substrate 12 on the side of the liquid crystal layer 13, at least the display region 30 has a plurality of electrodes (conductor portions) 1 made of indium tin oxide or the like in a stripe shape.
8 is formed, and an alignment film 20 made of polyimide or the like is formed on the surface of the electrode 18.

【0045】液晶装置10において、電極17と18と
は互いに交差するように形成されている。また、電極1
7、18の一方の端部には後述する引回し配線17a、
18aが接続されている。
In the liquid crystal device 10, the electrodes 17 and 18 are formed so as to cross each other. Also, electrode 1
One end of each of the wirings 7 and 18 has a wiring 17a to be described later,
18a is connected.

【0046】また、液晶装置10において、配向膜1
9、20間には、液晶セルのセルギャップを均一化する
ために、二酸化珪素、ポリスチレン等からなる多数の球
状のスペーサー21が配置されている。
In the liquid crystal device 10, the alignment film 1
Numerous spherical spacers 21 made of silicon dioxide, polystyrene, or the like are arranged between 9 and 20 to make the cell gap of the liquid crystal cell uniform.

【0047】また、基板11、対向基板12の外側には
位相差板、偏光板などの光学素子が形成されているが、
図面上は省略している。
Further, optical elements such as a retardation plate and a polarizing plate are formed outside the substrate 11 and the counter substrate 12.
It is omitted in the drawings.

【0048】次に、図2、図3に基づき、液晶装置10
の平面構造について説明する。
Next, the liquid crystal device 10 will be described with reference to FIGS.
Will be described.

【0049】図2、図3に示すように、基板11、対向
基板12の外周部は非表示領域となり、それより内側が
表示領域30となっている。表示領域30の外側におい
て、基板11、対向基板12の周縁部にはシール材14
が形成されているが、図面上は簡略化のため省略してい
る。
As shown in FIGS. 2 and 3, the outer peripheral portions of the substrate 11 and the counter substrate 12 are non-display areas, and the inner side thereof is the display area 30. Outside the display area 30, the sealing material 14 is provided on the periphery of the substrate 11 and the counter substrate 12.
Are formed, but are omitted in the drawings for simplicity.

【0050】表示領域30に形成された電極17、18
の一方の端部には、それぞれ引回し配線17a、18a
が接続されている。引回し配線17a、18aは、基板
11、対向基板12の表面上において、表示領域30の
外側(すなわち非表示領域)に設けられている。
The electrodes 17 and 18 formed in the display area 30
Are provided at one end thereof with wirings 17a and 18a, respectively.
Is connected. The routing wirings 17 a and 18 a are provided on the surfaces of the substrate 11 and the counter substrate 12 outside the display area 30 (that is, in the non-display area).

【0051】図2に示すように、引回し配線17aは基
板11の表面上において、表示領域30の図示左側と図
示右側の2つの領域に形成されている。引回し配線17
aが形成される領域を引回し配線領域31a、31bと
する。一方、図3に示すように、引回し配線18aは対
向基板12の表面上において、表示領域30の図示下側
の領域に形成されている。引回し配線18aが形成され
る領域を引回し配線領域32とする。電極17、18
は、それぞれ引回し配線17a、18aを介して外部接
続用端子部に接続されている。液晶装置10を電子機器
に実装する工程が容易となるため、外部接続用端子部は
一方の基板の表面上にのみ設けられていることが望まし
い。
As shown in FIG. 2, the lead-out wiring 17a is formed on the surface of the substrate 11 in two regions on the left and right sides of the display region 30 in the drawing. Routing wiring 17
The area where a is formed is referred to as wiring areas 31a and 31b. On the other hand, as shown in FIG. 3, the routing wiring 18 a is formed on the surface of the counter substrate 12 in a region below the display region 30 in the drawing. The area where the wiring 18a is formed is referred to as a wiring area 32. Electrodes 17, 18
Are connected to external connection terminals via routing wirings 17a and 18a, respectively. Since the process of mounting the liquid crystal device 10 on an electronic device is facilitated, it is preferable that the external connection terminal portion is provided only on the surface of one substrate.

【0052】例として、外部接続用端子部を対向基板1
2の表面上にのみ設けた場合について説明する。図3に
示すように、対向基板12の端部中央に、上側電極(1
8)用外部接続用端子部35、その両側に下側電極(1
7)用外部接続用端子部36が設けられている。下側電
極用外部接続用端子部36は引回し配線領域31a、3
1bに対応しているので、2箇所に分けて設けられてい
る。
As an example, the external connection terminal portion is connected to the counter substrate 1.
2 will be described. As shown in FIG. 3, the upper electrode (1
8) external connection terminal section 35, and a lower electrode (1
7) An external connection terminal section 36 is provided. The lower electrode external connection terminal section 36 is connected to the wiring area 31a, 3
1b, it is provided in two places.

【0053】引回し配線18aは上側電極用外部接続用
端子部35に接続され、電極18は引回し配線18aを
介して外部接続用端子部35に接続されている。一方、
引回し配線17aは基板11と対向基板12間に設けら
れている導通部材34に接続されている。導通部材34
は引回し配線領域31a、31bに対応しているので、
2箇所に設けられている。導通部材34は、プラスチッ
クボールにニッケルなどがコーティングされた導通粒子
とバインダー(熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等)とから
なる導電材などからなり、導通部材34は対向基板12
の表面上に設けられている下側電極用外部接続用端子部
36に電気的に接続されている。電極17は引回し配線
17a、導通部材34を介して外部接続用端子部36に
接続されている。
The wiring 18a is connected to the external connection terminal 35 for the upper electrode, and the electrode 18 is connected to the external connection terminal 35 via the wiring 18a. on the other hand,
The routing wiring 17a is connected to a conductive member 34 provided between the substrate 11 and the counter substrate 12. Conductive member 34
Corresponds to the routing wiring areas 31a and 31b,
It is provided in two places. The conductive member 34 is made of a conductive material including conductive particles formed by coating a plastic ball with nickel or the like and a binder (a thermosetting resin, a photocurable resin, or the like).
Is electrically connected to a lower electrode external connection terminal portion 36 provided on the surface of the lower electrode. The electrode 17 is connected to an external connection terminal portion 36 through a wiring 17 a and a conductive member 34.

【0054】次に、本実施形態の液晶装置10の製造方
法について説明する。
Next, a method for manufacturing the liquid crystal device 10 of the present embodiment will be described.

【0055】液晶装置10を製造する際に、大量生産を
行うために、液晶装置10は基板11、対向基板12を
複数切り出すことができる2枚の基板母材を用いて製造
される。基板母材において、最終的に切り出されて、基
板11、対向基板12となる領域をそれぞれ基板形成領
域、対向基板形成領域と称する。本実施形態において、
一枚の基板母材には基板形成領域のみを形成し、もう一
枚の基板母材には対向基板形成領域のみを形成する。
When the liquid crystal device 10 is manufactured, in order to perform mass production, the liquid crystal device 10 is manufactured using two substrate base materials from which a plurality of substrates 11 and opposing substrates 12 can be cut out. In the substrate base material, regions that are finally cut out to become the substrate 11 and the counter substrate 12 are referred to as a substrate formation region and a counter substrate formation region, respectively. In this embodiment,
Only the substrate forming region is formed on one substrate base material, and only the opposing substrate forming region is formed on the other substrate base material.

【0056】図4(a)、(b)に、電極を形成した後の2枚
の基板母材の概略平面構造を示し、基板形成領域、対向
基板形成領域のレイアウトの例を示す。図4(a)、(b)に
おいて、符号41、42は、各々基板形成領域11aの
み、対向基板形成領域12aのみが形成された基板母材
を示している。なお、図4(a)、(b)に示す基板形成領域
11a、対向基板形成領域12aのレイアウトは一例で
あって、本発明はこれに限定されるものではない。図4
(a)、(b)に示すように、基板母材41の各基板形成領域
11aに電極17を形成し、基板母材42の各対向基板
形成領域12aに電極18を形成する。次いで、各基板
形成領域11a、対向基板形成領域12aに、各々配向
膜19、20を形成する。電極17、18の形成方法及
び本実施形態の電極パターン(導体パターン)の検査方
法の詳細については後述する。
FIGS. 4A and 4B show schematic plan structures of the two substrate base materials after the electrodes are formed, and show examples of the layout of the substrate formation region and the counter substrate formation region. 4 (a) and 4 (b), reference numerals 41 and 42 denote substrate preforms on which only the substrate forming region 11a and only the opposing substrate forming region 12a are formed, respectively. The layout of the substrate formation region 11a and the counter substrate formation region 12a shown in FIGS. 4A and 4B is an example, and the present invention is not limited to this. FIG.
As shown in (a) and (b), the electrode 17 is formed in each substrate formation region 11a of the substrate preform 41, and the electrode 18 is formed in each counter substrate formation region 12a of the substrate preform 42. Next, alignment films 19 and 20 are formed in each of the substrate formation region 11a and the counter substrate formation region 12a. The method for forming the electrodes 17 and 18 and the method for inspecting the electrode pattern (conductor pattern) of the present embodiment will be described later in detail.

【0057】次に、2枚の基板母材41、42を各基板
形成領域11aと各対向基板形成領域12aとが対向す
るようにシール材14を介して貼着することにより、液
晶セルを複数含む液晶セル母材を形成する。
Next, two liquid crystal cells are adhered to each other through the sealing material 14 so that the two substrate preforms 41 and 42 are opposed to each other on the substrate forming area 11a and each opposing substrate forming area 12a. A liquid crystal cell base material including the same is formed.

【0058】次に、液晶セル母材を液晶セルが横一列に
配列した短冊状の液晶セル母材に切断し、該液晶セル母
材の各液晶セルの内部に真空注入法などにより液晶を注
入することにより液晶層13を形成する。
Next, the liquid crystal cell base material is cut into strip-shaped liquid crystal cell base materials in which liquid crystal cells are arranged in a horizontal line, and liquid crystal is injected into each liquid crystal cell of the liquid crystal cell base material by a vacuum injection method or the like. Thus, the liquid crystal layer 13 is formed.

【0059】次に、液晶セル母材を個々の液晶セルに切
断する。このとき、基板11と対向基板12とが切り出
される。最後に、基板11、対向基板12の外側に位相
差板、偏光板などの光学素子を取り付けて液晶装置10
が製造される。
Next, the liquid crystal cell base material is cut into individual liquid crystal cells. At this time, the substrate 11 and the counter substrate 12 are cut out. Finally, an optical element such as a retardation plate or a polarizing plate is attached to the outside of the substrate 11 and the opposing substrate 12 so that the liquid crystal device 10
Is manufactured.

【0060】ここで、図5(a)〜(f)に基づいて、電極
(導体部)17(18)の形成方法について詳しく説明
する。
Here, the method of forming the electrodes (conductor portions) 17 (18) will be described in detail with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (f).

【0061】はじめに、図5(a)に示すように、基板母
材41(42)の表面上の全面に、スパッタリング法、
CVD(Chemical Vapor Deposition)法などによりイ
ンジウム錫酸化物等からなる透明導電膜27(28)を
形成した後、基板母材41(42)を洗浄する。
First, as shown in FIG. 5A, a sputtering method is applied to the entire surface of the substrate base material 41 (42).
After forming a transparent conductive film 27 (28) made of indium tin oxide or the like by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like, the substrate base material 41 (42) is washed.

【0062】次に、図5(b)に示すように、基板母材4
1(42)上に形成された透明導電膜27(28)の表
面上の全面に所定のフォトレジスト25を塗布する。
Next, as shown in FIG.
A predetermined photoresist 25 is applied on the entire surface of the transparent conductive film 27 (28) formed on the first (42).

【0063】次に、図5(c)に示すように、電極17
(18)のパターンが形成されたフォトマスク26を用
いてフォトレジスト25を露光する。
Next, as shown in FIG.
The photoresist 25 is exposed using the photomask 26 on which the pattern (18) is formed.

【0064】次に、図5(d)に示すように、フォトレジ
スト25の現像を行い、所定のパターンのフォトレジス
ト25を形成する。この後、電極パターン(導体パター
ン)の検査を行う。本実施形態の電極パターン(導体パ
ターン)の検査方法については後述する。
Next, as shown in FIG. 5D, the photoresist 25 is developed to form a photoresist 25 having a predetermined pattern. Thereafter, an inspection of the electrode pattern (conductor pattern) is performed. An inspection method of the electrode pattern (conductor pattern) of the present embodiment will be described later.

【0065】次に、図5(e)に示すように、透明導電膜
27(28)を所定のパターンにエッチングし、最後
に、図5(f)に示すように、フォトレジスト25を剥離
することにより、所定のパターンの電極17(18)が
形成される。
Next, as shown in FIG. 5E, the transparent conductive film 27 (28) is etched into a predetermined pattern, and finally, as shown in FIG. Thereby, a predetermined pattern of the electrodes 17 (18) is formed.

【0066】次に、図4(a)、(b)に示したように基板母
材41(42)上に形成する電極(導体部)17、18
のパターンの検査方法を取り上げて、本実施形態の導体
パターンの検査方法について説明する。なお、基板母材
41、42を被検査基板と称する。
Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, electrodes (conductor portions) 17 and 18 formed on the substrate base material 41 (42).
The method for inspecting a conductor pattern according to the present embodiment will be described with reference to the pattern inspection method described above. Note that the substrate preforms 41 and 42 are referred to as inspected substrates.

【0067】本実施形態において、フォトレジストの現
像後、自動パターン欠陥検査装置を用いて、フォトレジ
ストパターンを検査することにより、導体パターンの検
査を行う。
In this embodiment, after the development of the photoresist, the conductor pattern is inspected by inspecting the photoresist pattern using an automatic pattern defect inspection apparatus.

【0068】自動パターン欠陥検査装置は、繰り返しパ
ターンの欠陥を自動的に検出することができる装置であ
り、隣接する繰り返しパターンの画像をデジタル処理
し、デジタル化された画像の比較を行って、画像に差異
が生じた部分を欠陥として検出する装置である。
The automatic pattern defect inspection apparatus is an apparatus capable of automatically detecting a defect in a repetitive pattern. The automatic pattern defect inspection apparatus digitally processes an image of an adjacent repetitive pattern and compares the digitized images. This is a device that detects a portion where a difference occurs in a defect as a defect.

【0069】したがって、本実施形態においては図4
(a)、(b)に示したように、基板母材41(42)上に、
電極17のみ(電極18のみ)を同一方向に繰り返し形
成するため、自動パターン欠陥検査装置を用いて、基板
母材41(42)の面上のすべての電極17(18)の
パターンを一括して検査することができる。
Therefore, in this embodiment, FIG.
As shown in (a) and (b), on the substrate base material 41 (42),
Since only the electrode 17 (only the electrode 18) is repeatedly formed in the same direction, the pattern of all the electrodes 17 (18) on the surface of the substrate preform 41 (42) is collectively collected by using an automatic pattern defect inspection apparatus. Can be inspected.

【0070】なお、自動パターン欠陥検査装置を用いて
検査を行う際に、被検査基板上に付着したゴミなどに起
因するパーティクル欠陥もパターン欠陥として認識され
てしまうため、本実施形態において、自動パターン欠陥
検査装置を用いて、2枚以上の被検査基板について同じ
座標(位置)に欠陥が検出された場合に、検査者が顕微
鏡により欠陥の観察を行い、欠陥の形状が同一又は類似
の場合に、フォトマスクにゴミや汚れなどが付着したこ
とに起因するパターン欠陥があると判定する。
When performing inspection using an automatic pattern defect inspection apparatus, a particle defect caused by dust or the like adhering to a substrate to be inspected is also recognized as a pattern defect. If a defect is detected at the same coordinates (position) on two or more substrates to be inspected using a defect inspection device, the inspector observes the defect with a microscope and if the defect shape is the same or similar, Then, it is determined that there is a pattern defect due to dust or dirt adhering to the photomask.

【0071】図6に、本実施形態の導体パターンの検査
方法のフローチャートを示し、この図に基づいて、本実
施形態の導体パターンの検査方法について詳しく説明す
る。
FIG. 6 is a flowchart of a method for inspecting a conductor pattern according to the present embodiment, and the method for inspecting a conductor pattern according to the embodiment will be described in detail with reference to FIG.

【0072】図6に示すように、導電膜の形成(ステッ
プS11)、フォトレジストの塗布(ステップS1
2)、フォトレジストの露光(ステップS13)、フォ
トレジストの現像(ステップS14)を終えて、所定の
パターンのフォトレジストを形成した後、所定のパター
ンのフォトレジストが形成された2枚以上の被検査基板
について、自動パターン欠陥検査装置を用いて導体パタ
ーンの検査を行う(ステップS15)。自動パターン欠
陥検査装置の構造については後述する。
As shown in FIG. 6, a conductive film is formed (Step S11), and a photoresist is applied (Step S1).
2) After exposing the photoresist (Step S13) and developing the photoresist (Step S14) to form a photoresist of a predetermined pattern, two or more substrates having the photoresist of the predetermined pattern formed thereon are formed. The inspection pattern is used to inspect the conductor pattern using an automatic pattern defect inspection device (step S15). The structure of the automatic pattern defect inspection device will be described later.

【0073】自動パターン欠陥検査装置を用いて、2枚
以上の被検査基板について同じ座標に欠陥が検出されな
かった場合には、量産品の流動(連続生産)を開始す
る。
When no defect is detected at the same coordinates for two or more substrates to be inspected by using the automatic pattern defect inspection apparatus, the flow of mass-produced products (continuous production) is started.

【0074】自動パターン欠陥検査装置を用いて、2枚
以上の被検査基板について同じ座標に欠陥が検出された
場合には、2枚以上の被検査基板の欠陥を顕微鏡により
観察し(ステップS16)、欠陥の形状が異なっていた
場合には、量産品の流動(連続生産)を開始する。
If two or more substrates to be inspected are detected at the same coordinates using the automatic pattern defect inspection apparatus, the defects of the two or more substrates to be inspected are observed with a microscope (step S16). If the shapes of the defects are different, the flow of mass-produced products (continuous production) is started.

【0075】2枚以上の被検査基板の欠陥を顕微鏡によ
り観察し(ステップS16)、欠陥の形状が同一又は類
似であった場合には、この欠陥は、露光工程で用いたフ
ォトマスクの表面にゴミや汚れなどが付着していたため
に生じたパターン欠陥であると判定し、露光工程又はそ
れ以前の工程へフィードバックする。そして、フォトマ
スクのパターン欠陥箇所の清掃を行い、フォトマスクに
付着したゴミや汚れなどのパターン欠陥の原因物質を除
去する(ステップS17)。
The defects of two or more substrates to be inspected are observed with a microscope (Step S16), and if the shapes of the defects are the same or similar, the defects are found on the surface of the photomask used in the exposure step. It is determined that the defect is a pattern defect caused by the attachment of dust or dirt, and is fed back to the exposure step or a step before that. Then, a pattern defect portion of the photomask is cleaned to remove a substance causing the pattern defect such as dust and dirt attached to the photomask (step S17).

【0076】例えば、フォトマスクを布で擦る、フォト
マスクを水等により洗浄する、あるいはフォトマスクに
ガスを噴射するなどして、フォトマスクに付着したゴミ
や汚れなどのパターン欠陥の原因物質を除去することが
できる。
For example, by rubbing the photomask with a cloth, washing the photomask with water or the like, or spraying a gas on the photomask, a substance causing a pattern defect such as dust or dirt attached to the photomask is removed. can do.

【0077】フォトマスクのパターン欠陥箇所の清掃を
行い、フォトマスクに付着したゴミや汚れなどのパター
ン欠陥の原因物質を除去した後(ステップS17)、量
産品の流動(連続生産)を開始する。
After the pattern defect portion of the photomask is cleaned and the substance causing the pattern defect such as dust and dirt attached to the photomask is removed (step S17), the flow of mass-produced products (continuous production) is started.

【0078】上記の導体パターンの検査工程において、
フォトレジストの現像(ステップS14)を終えてから
自動パターン欠陥検査装置による検査(ステップS1
5)及び顕微鏡観察(ステップS16)を終えるまでに
要する時間は20分間程度である。
In the above conductor pattern inspection step,
After the development of the photoresist (Step S14) is completed, the inspection by the automatic pattern defect inspection device (Step S1)
The time required to complete 5) and the microscopic observation (step S16) is about 20 minutes.

【0079】ここで、自動パターン欠陥検査装置の構造
について詳しく説明する。
Here, the structure of the automatic pattern defect inspection apparatus will be described in detail.

【0080】図7に、本実施形態の導体パターンの検査
方法に用いて好適な自動パターン欠陥検査装置の一構成
例を示し、この自動パターン欠陥検査装置50の構造に
ついて説明する。
FIG. 7 shows a configuration example of an automatic pattern defect inspection apparatus suitable for use in the conductor pattern inspection method of the present embodiment, and the structure of the automatic pattern defect inspection apparatus 50 will be described.

【0081】自動パターン欠陥装置50は、パターンを
撮像するカメラなどからなる撮像部51と、隣接するパ
ターンのデジタル化された画像の比較を行い、画像に差
異が生じた部分を欠陥として検出する検出部52とを主
体に構成されている。
The automatic pattern defect device 50 compares the digitized image of an adjacent pattern with an image pickup section 51 composed of a camera or the like for picking up a pattern, and detects a portion where an image difference occurs as a defect. The unit 52 is mainly configured.

【0082】図7において、符号57、58はレンズを
示し、符号59、60、61、62、63は反射ミラー
を示している。
In FIG. 7, reference numerals 57 and 58 indicate lenses, and reference numerals 59, 60, 61, 62 and 63 indicate reflection mirrors.

【0083】また、図7において、符号56はスリット
を示し、スリット56の図示下方には、図示は省略して
いるが、被検査基板を載置するための基板ステージが設
けられていて、この基板ステージ上に被検査基板を載置
し、基板ステージを一定の方向に水平移動させることに
より、被検査基板のパターンを検査できる構造になって
いる。
In FIG. 7, reference numeral 56 denotes a slit. Although not shown in the figure below the slit 56, a substrate stage for mounting a substrate to be inspected is provided. The pattern to be inspected is inspected by placing the substrate to be inspected on the substrate stage and horizontally moving the substrate stage in a certain direction.

【0084】また、符号53は光源を示し、光源53か
ら放出される光はフィルター54を透過してハーフミラ
ー55で反射され、スリット56の直下に位置された被
検査基板の表面に照射される構造となっている。なお、
自動パターン欠陥検査装置50において、光源53の光
を効率良くスリット56に照射するために、凹曲面を有
する反射ミラー64が設けられている。
Reference numeral 53 denotes a light source. Light emitted from the light source 53 passes through the filter 54, is reflected by the half mirror 55, and irradiates the surface of the substrate to be inspected located immediately below the slit 56. It has a structure. In addition,
In the automatic pattern defect inspection apparatus 50, a reflection mirror 64 having a concave curved surface is provided to efficiently irradiate the light of the light source 53 to the slit 56.

【0085】スリット56の直下に位置された被検査基
板の表面に照射された光の一部は、フィルター54、ハ
ーフミラー55を透過して、レンズ57を透過し、反射
ミラー59、62、63で反射されて検出部52に導か
れる構造となっている。また、スリット56の直下に位
置された被検査基板の表面に照射された光の一部は、レ
ンズ58を透過し、反射ミラー60、61で反射されて
撮像部51に導かれる構造となっている。
A part of the light applied to the surface of the substrate to be inspected located immediately below the slit 56 passes through the filter 54, the half mirror 55, the lens 57, and the reflection mirrors 59, 62, 63. And is guided to the detection unit 52. In addition, part of the light emitted to the surface of the substrate to be inspected located immediately below the slit 56 is transmitted through the lens 58, reflected by the reflection mirrors 60 and 61, and guided to the imaging unit 51. I have.

【0086】基板ステージを一定方向に移動させること
により、被検査基板を一定方向に移動させながら、撮像
部51でスリット56の直下に位置された被検査基板の
パターンの撮像を行い、一方、検出部52で隣接するパ
ターンのデジタル化された画像の比較を行い、画像に差
異が生じた部分を欠陥として検出することにより、被検
査基板のパターンの検査を行うことができる。
By moving the substrate stage in a certain direction, the image pickup unit 51 picks up an image of the pattern of the substrate to be inspected located immediately below the slit 56 while moving the substrate to be inspected in a certain direction. The pattern of the substrate to be inspected can be inspected by comparing the digitized images of the adjacent patterns in the unit 52 and detecting a portion where the image has a difference as a defect.

【0087】本実施形態の導体パターンの検査方法によ
れば、パターン間ギャップの狭い導体部を形成する際に
おいても、微細なパターンのパターン欠陥を検出可能な
自動パターン欠陥検査装置を用いて検査を行うことによ
り、フォトレジストの現像後に、パターン欠陥を予測
し、修正をすることができるので、導体パターンを形成
する前に導体パターンを検査することができ、導体部の
パターン欠陥を迅速に検出することができる。
According to the conductor pattern inspection method of the present embodiment, even when a conductor portion having a narrow inter-pattern gap is formed, the inspection is performed using an automatic pattern defect inspection apparatus capable of detecting a fine pattern pattern defect. By doing so, it is possible to predict and correct pattern defects after developing the photoresist, so that the conductor patterns can be inspected before forming the conductor patterns, and the pattern defects in the conductor portion can be quickly detected. be able to.

【0088】また、本実施形態の導体パターンの検査方
法を用いることにより、パターン間ギャップの狭い導体
部を具備する液晶装置を製造する場合においても、導体
部のパターン欠陥を迅速に検査することができ、生産効
率を向上することができる。
Further, by using the conductor pattern inspection method of the present embodiment, even when manufacturing a liquid crystal device having a conductor portion having a narrow gap between patterns, it is possible to quickly inspect a conductor portion for a pattern defect. And production efficiency can be improved.

【0089】なお、本実施形態においては、単純マトリ
ックス型の液晶装置についてのみ説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、TFD(Thin Film Di
ode)素子に代表される2端子型素子やTFT(Thin Fi
lm Transistor)素子に代表される3端子型素子を用い
たアクティブマトリックス型の液晶装置など、いかなる
液晶装置にも適用することができ、液晶装置の製造工程
において、データ線、走査線などの配線や電極等の導体
部を形成する際に適用することができる。
In the present embodiment, only a simple matrix type liquid crystal device has been described. However, the present invention is not limited to this, and a TFD (Thin Film Diode) may be used.
ode) device and TFT (Thin Fi)
The present invention can be applied to any liquid crystal device such as an active matrix type liquid crystal device using a three-terminal type device represented by a lm transistor (transistor) element. It can be applied when forming a conductor such as an electrode.

【0090】また、本発明は液晶装置に限定されるもの
ではなく、導体パターンが形成されるような装置、例え
ば電気光学材料層を挟持する2枚の基板を所定間隔で貼
着した構造のエレクトロルミネッセンス、プラズマディ
スプレイ等の電気光学装置にも適用することができる。
Further, the present invention is not limited to a liquid crystal device. For example, an electro-optical device having a structure in which a conductive pattern is formed, such as an electro-optical device having a structure in which two substrates sandwiching an electro-optical material layer are adhered at a predetermined interval. The present invention can also be applied to electro-optical devices such as luminescence and plasma displays.

【0091】さらに、電気光学装置に限らず、電極や配
線などの導体部を具備するいかなる基板にも適用するこ
とができる。
Further, the present invention is not limited to the electro-optical device, and can be applied to any substrate having a conductor such as an electrode or a wiring.

【0092】次に、前記の実施形態により製造された液
晶装置10を備えた電子機器の具体例について説明す
る。
Next, a specific example of an electronic apparatus including the liquid crystal device 10 manufactured according to the above embodiment will be described.

【0093】図8(a)は携帯電話の一例を示した斜視図
である。図8(a)において、300は携帯電話本体を示
し、301は前記の液晶装置10を備えた液晶表示部を
示している。
FIG. 8A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 8A, reference numeral 300 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 301 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal device 10 described above.

【0094】図8(b)はワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図8(b)
において、400は情報処理装置、401はキーボード
などの入力部、403は情報処理本体、402は前記の
液晶装置10を備えた液晶表示部を示している。
FIG. 8B is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. Fig. 8 (b)
In the figure, 400 is an information processing apparatus, 401 is an input unit such as a keyboard, 403 is an information processing main body, and 402 is a liquid crystal display unit having the liquid crystal device 10.

【0095】図8(c)は腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図8(c)において、500は時計本体
を示し、501は前記の液晶装置10を備えた液晶表示
部を示している。
FIG. 8C is a perspective view showing an example of a wristwatch-type electronic device. In FIG. 8C, reference numeral 500 denotes a watch main body, and reference numeral 501 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal device 10 described above.

【0096】図9は、前記の液晶装置10を光変調装置
として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図で
ある。図9において、610は光源、613、614は
ダイクロイックミラー、615、616、617は反射
ミラー、618は入射レンズ、619はリレーレンズ、
620は出射レンズ、622、623、624は液晶光
変調装置、625はクロスダイクロイックプリズム、6
26は投写レンズを示す。光源610はメタルハライド
等のランプ611とランプの光を反射するリフレクタ6
12とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイック
ミラー613は、光源610からの光束のうちの赤色光
を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。
透過した赤色光は反射ミラー617で反射されて、赤色
光用液晶光変調装置622に入射される。一方、ダイク
ロイックミラー613で反射された色光のうち緑色光は
緑色光反射のダイクロイックミラー614によって反射
され、緑色光用液晶光変調装置623に入射される。一
方、青色光は第2のダイクロイックミラー614も透過
する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐ
ため、入射レンズ618、リレーレンズ619、出射レ
ンズ620を含むリレーレンズ系からなる導光手段62
1が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶光変
調装置624に入射される。各光変調装置により変調さ
れた3つの色光はクロスダイクロイックプリズム625
に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り
合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青
光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されてい
る。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成さ
れて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光
は、投写光学系である投写レンズ626によってスクリ
ーン627上に投写され、画像が拡大されて表示され
る。
FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection display device using the liquid crystal device 10 as a light modulation device. In FIG. 9, 610 is a light source, 613 and 614 are dichroic mirrors, 615, 616 and 617 are reflection mirrors, 618 is an incident lens, 619 is a relay lens,
620, an exit lens; 622, 623, 624, a liquid crystal light modulator; 625, a cross dichroic prism;
26 denotes a projection lens. The light source 610 includes a lamp 611 such as a metal halide and a reflector 6 that reflects light from the lamp.
It consists of 12. The dichroic mirror 613 that reflects blue light and green light transmits red light of the light flux from the light source 610 and reflects blue light and green light.
The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 617 and is incident on the liquid crystal light modulation device 622 for red light. On the other hand, green light among the color lights reflected by the dichroic mirror 613 is reflected by the dichroic mirror 614 that reflects green light, and is incident on the liquid crystal light modulation device 623 for green light. On the other hand, the blue light also passes through the second dichroic mirror 614. For blue light, in order to prevent light loss due to a long optical path, a light guide means 62 composed of a relay lens system including an incident lens 618, a relay lens 619, and an emission lens 620.
1 is provided, through which blue light is incident on the liquid crystal light modulator for blue light 624. The three color lights modulated by the respective light modulators are cross dichroic prisms 625.
Incident on. This prism is formed by bonding four right-angle prisms, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface. The three color lights are combined by these dielectric multilayer films to form light representing a color image. The combined light is projected on a screen 627 by a projection lens 626, which is a projection optical system, and an image is enlarged and displayed.

【0097】図8(a)〜(c)、図9に示すそれぞれの電子
機器は、前記の液晶装置10を備えたものであるので、
生産効率が向上されたものとなる。
Each of the electronic devices shown in FIGS. 8A to 8C and 9 includes the liquid crystal device 10 described above.
Production efficiency is improved.

【0098】[0098]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の導体パタ
ーンの検査方法によれば、パターン間ギャップの狭い導
体部を形成する際においても、微細なパターンのパター
ン欠陥を検出可能な自動パターン欠陥検査装置を用いて
検査を行うことにより、フォトレジストの現像後にパタ
ーン欠陥を予測し、修正をすることができるので、導体
パターンを形成する前にパターン欠陥を検査することが
でき、導体部のパターン欠陥を迅速に検出することがで
きる。
As described above, according to the conductor pattern inspection method of the present invention, even when a conductor portion having a narrow inter-pattern gap is formed, an automatic pattern defect capable of detecting a fine pattern defect can be detected. By performing inspection using an inspection apparatus, pattern defects can be predicted and corrected after the development of the photoresist, so that pattern defects can be inspected before forming a conductor pattern, and the pattern of the conductor portion can be inspected. Defects can be detected quickly.

【0099】また、本発明の導体パターンの検査方法を
電気光学装置の製造方法に適用することにより、パター
ン間ギャップの狭い導体部を具備する電気光学装置を製
造する場合においても、パターン欠陥を迅速に検査する
ことができ、生産効率を向上することができる。
Also, by applying the conductor pattern inspection method of the present invention to an electro-optical device manufacturing method, even when an electro-optical device having a conductor portion with a narrow gap between patterns is manufactured, pattern defects can be quickly eliminated. Inspection can be performed, and the production efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1は、本発明に係る実施形態の電気光学装
置の製造方法により製造された単純マトリックス型の液
晶装置の構造を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structure of a simple matrix type liquid crystal device manufactured by a method of manufacturing an electro-optical device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図2は、本発明に係る実施形態の電気光学装
置の製造方法により製造された単純マトリックス型の液
晶装置の下側基板の構造を示す概略平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a structure of a lower substrate of a simple matrix type liquid crystal device manufactured by a method of manufacturing an electro-optical device according to an embodiment of the present invention.

【図3】 図3は、本発明に係る実施形態の電気光学装
置の製造方法により製造された単純マトリックス型の液
晶装置の上側基板の構造を示す概略平面図である。
FIG. 3 is a schematic plan view showing a structure of an upper substrate of a simple matrix type liquid crystal device manufactured by a method of manufacturing an electro-optical device according to an embodiment of the present invention.

【図4】 図4(a)、(b)は、本発明に係る実施形態の電
気光学装置の製造方法において用いる基板母材の基板形
成領域、対向基板形成領域のレイアウトの例を示す概略
平面図である。
FIGS. 4A and 4B are schematic plan views showing an example of a layout of a substrate forming region and a counter substrate forming region of a substrate base material used in the method for manufacturing an electro-optical device according to an embodiment of the present invention. FIG.

【図5】 図5(a)〜(f)は、本発明に係る実施形態の電
気光学装置の製造方法において、電極(導電部)を形成
する方法を示す工程図である。
FIGS. 5A to 5F are process diagrams showing a method of forming an electrode (conductive portion) in the method of manufacturing an electro-optical device according to the embodiment of the present invention.

【図6】 図6は、本実施形態の導体パターンの検査方
法を示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart illustrating a conductor pattern inspection method according to the present embodiment.

【図7】 図7は、本実施形態の導体パターンの検査方
法に用いて好適な自動パターン欠陥検査装置の構造を示
す概略構成図である。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a structure of an automatic pattern defect inspection apparatus suitable for use in the conductor pattern inspection method of the present embodiment.

【図8】 図8(a)は上記実施形態により製造された液
晶装置を備えた携帯電話の一例を示す図、図8(b)は上
記実施形態により製造された液晶装置を備えた携帯型情
報処理装置の一例を示す図、図8(c)は上記実施形態に
より製造された液晶装置を備えた腕時計型電子機器の一
例を示す図である。
8A is a diagram illustrating an example of a mobile phone including the liquid crystal device manufactured according to the embodiment, and FIG. 8B is a diagram illustrating a portable type including the liquid crystal device manufactured according to the embodiment. FIG. 8C is a diagram illustrating an example of an information processing device, and FIG. 8C is a diagram illustrating an example of a wristwatch-type electronic device including the liquid crystal device manufactured according to the above embodiment.

【図9】 図9は、上記実施形態により製造された液晶
装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を
示す概略構成図である。
FIG. 9 is a schematic configuration diagram illustrating a main part of a projection display device using the liquid crystal device manufactured according to the above-described embodiment as a light modulation device.

【図10】 図10は、一般の単純マトリックス型の液
晶装置の構造を示す概略断面図である。
FIG. 10 is a schematic sectional view showing a structure of a general simple matrix type liquid crystal device.

【図11】 図11は、従来の電極パターンの検査方法
を示すフローチャートである。
FIG. 11 is a flowchart showing a conventional electrode pattern inspection method.

【図12】 図12は、従来の電極パターンの検査方法
を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a conventional electrode pattern inspection method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 液晶(表示)装置(電
気光学装置) 11 基板(下側基板) 12 対向基板(上側基板) 13 液晶層(電気光学材料
層) 14 シール材 17、18 電極(導体部) 17a、18a 引回し配線 27、28 透明導電膜 19、20 配向膜 21 スペーサー 30 表示領域(画素領域) 31a、31b、32 引回し配線領域 34 導通部材 35 上側電極用外部接続用
端子部 36 下側電極用外部接続用
端子部 50 自動パターン欠陥検査
装置 51 撮像部 52 検出部 53 光源 54 フィルター 55 ハーフミラー 56 スリット 57、58 レンズ 59、60、61、62、63 反射ミラー 64 反射ミラー
Reference Signs List 10 liquid crystal (display) device (electro-optical device) 11 substrate (lower substrate) 12 opposing substrate (upper substrate) 13 liquid crystal layer (electro-optical material layer) 14 sealing material 17, 18 electrode (conductor portion) 17a, 18a Wiring 27, 28 Transparent conductive film 19, 20 Alignment film 21 Spacer 30 Display area (pixel area) 31a, 31b, 32 Routing wiring area 34 Conducting member 35 Upper electrode external connection terminal section 36 Lower electrode external connection Terminal unit 50 Automatic pattern defect inspection device 51 Imaging unit 52 Detecting unit 53 Light source 54 Filter 55 Half mirror 56 Slit 57, 58 Lens 59, 60, 61, 62, 63 Reflecting mirror 64 Reflecting mirror

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/00 H05K 3/00 Q E H01L 21/30 502V ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/00 H05K 3/00 QE H01L 21/30 502V

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体パターンの検査方法において、 基板上に導電膜を形成する工程、 該導電膜上にフォトレジストを塗布する工程、 該フォトレジストの露光を行う工程、 該フォトレジストの現像を行う工程、及び、 該フォトレジストのパターンを検査する工程を具備する
ことを特徴とする導体パターンの検査方法。
1. A method for inspecting a conductive pattern, comprising: forming a conductive film on a substrate; applying a photoresist on the conductive film; exposing the photoresist; and developing the photoresist. A method for inspecting a conductor pattern, comprising: a step of inspecting a pattern of the photoresist.
【請求項2】 請求項1に記載の導体パターンの検査方
法において、 前記検査の結果を前記フォトレジストの露光を行う工
程、又はそれ以前の工程にフィードバックする工程を更
に具備することを特徴とする導体パターンの検査方法。
2. The method for inspecting a conductive pattern according to claim 1, further comprising a step of feeding back the result of the inspection to the step of exposing the photoresist or to a step before that. Inspection method of conductor pattern.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の導体パタ
ーンの検査方法において、 2以上の基板について、同位置に前記フォトレジストの
パターン欠陥が検出された場合に、前記フォトレジスト
の露光を行う際に用いるフォトマスクにパターン欠陥が
あると判定することを特徴とする導体パターンの検査方
法。
3. The method for inspecting a conductor pattern according to claim 1, wherein the exposure of the photoresist is performed when a pattern defect of the photoresist is detected at the same position on two or more substrates. A method for inspecting a conductor pattern, comprising: determining that a photomask used in the process has a pattern defect.
【請求項4】 請求項1乃至請求項3のうちいずれか1
項に記載の導体パターンの検査方法において、 2以上の基板について、形状が同一又は類似の前記フォ
トレジストのパターン欠陥が検出された場合に、前記フ
ォトレジストの露光を行う際に用いるフォトマスクにパ
ターン欠陥があると判定することを特徴とする導体パタ
ーンの検査方法。
4. One of claims 1 to 3
In the method for inspecting a conductor pattern according to the paragraph, when a pattern defect of the photoresist having the same or similar shape is detected for two or more substrates, a pattern is formed on a photomask used when exposing the photoresist. A method for inspecting a conductor pattern, comprising determining that there is a defect.
【請求項5】 導体パターンが形成された基板を有する
電気光学装置を製造する方法において、 前記基板上に導電膜を形成する工程、 該導電膜上にフォトレジストを塗布する工程、 該フォトレジストの露光を行う工程、 該フォトレジストの現像を行う工程、及び、 該フォトレジストのパターンを検査する工程を具備する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. A method for manufacturing an electro-optical device having a substrate on which a conductive pattern is formed, wherein: a step of forming a conductive film on the substrate; a step of applying a photoresist on the conductive film; A method for manufacturing an electro-optical device, comprising: a step of exposing; a step of developing the photoresist; and a step of inspecting a pattern of the photoresist.
【請求項6】 請求項5に記載の電気光学装置の製造方
法において、 前記検査の結果を前記フォトレジストの露光を行う工
程、又はそれ以前の工程にフィードバックする工程を更
に具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 5, further comprising a step of performing a step of exposing the photoresist to a result of the inspection or a step of feeding back the result of the inspection to an earlier step. Of manufacturing an electro-optical device.
【請求項7】 請求項5又は請求項6に記載の電気光学
装置の製造方法において、 2以上の基板について、同位置に前記フォトレジストの
パターン欠陥が検出された場合に、前記フォトレジスト
の露光を行う際に用いるフォトマスクにパターン欠陥が
あると判定することを特徴とする電気光学装置の製造方
法。
7. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 5, wherein, when a pattern defect of the photoresist is detected at the same position on at least two substrates, the exposure of the photoresist is performed. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising: determining that a photomask used in performing the patterning has a pattern defect.
【請求項8】 請求項5乃至請求項7のうちいずれかに
記載の電気光学装置の製造方法において、 2以上の基板について、形状が同一又は類似の前記フォ
トレジストのパターン欠陥が検出された場合に、前記フ
ォトレジストの露光を行う際に用いるフォトマスクにパ
ターン欠陥があると判定することを特徴とする電気光学
装置の製造方法。
8. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 5, wherein a pattern defect of the photoresist having the same or similar shape is detected for two or more substrates. And determining that the photomask used for exposing the photoresist has a pattern defect.
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CN109000887A (en) * 2018-05-25 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 A kind of pattern detection device and method, pattern networked control systems and method

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