JP2002035976A - Drilling method using ultraviolet laser - Google Patents
Drilling method using ultraviolet laserInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外レーザを用い
た孔開け方法に関し、特に、樹脂層と銅箔層とが積層さ
れた積層構造に孔開けを行う方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for making holes using an ultraviolet laser, and more particularly to a method for making holes in a laminated structure in which a resin layer and a copper foil layer are laminated.
【０００２】[0002]
【従来の技術】樹脂層と銅箔とが積層された多層配線基
板に孔を開ける従来のレーザ加工方法について説明す
る。炭酸ガスレーザ発振器から放射された赤外線パルス
レーザビームを、多層配線基板の樹脂層に集光する。レ
ーザビームが照射された部分の有機物が熱分解して、そ
の位置に孔が開く。この方法により、厚さ４０〜８０μ
ｍ程度の樹脂層に、直径約８０μｍ以上の貫通孔を形成
することができる。炭酸ガスレーザ発振器は、１パルス
当たりのエネルギの高いパルスレーザビームを出力でき
るため、例えば３ショットで貫通孔を形成することが可
能である。2. Description of the Related Art A conventional laser processing method for forming a hole in a multilayer wiring board in which a resin layer and a copper foil are laminated will be described. The infrared pulse laser beam emitted from the carbon dioxide laser is focused on the resin layer of the multilayer wiring board. The organic matter in the portion irradiated with the laser beam is thermally decomposed, and a hole is opened at that position. By this method, a thickness of 40 to 80 μm
A through hole having a diameter of about 80 μm or more can be formed in a resin layer of about m. Since the carbon dioxide laser can output a pulse laser beam having high energy per pulse, a through hole can be formed by, for example, three shots.
【０００３】半導体集積回路装置の高密度実装化に伴
い、多層配線基板に形成される孔の微細化が望まれてい
る。形成する孔の直径の下限値は、用いるレーザビーム
の波長の５倍程度である。従って、炭酸ガスレーザを用
いる場合の孔の直径の下限値は５０μｍ程度であり、実
用的には、炭酸ガスレーザを用いて直径５０〜６０μｍ
未満の孔を形成することは困難である。紫外線領域の波
長のレーザビームを用いることにより、微細な孔を形成
することが可能である。[0003] With the high density mounting of semiconductor integrated circuit devices, there is a demand for miniaturization of holes formed in a multilayer wiring board. The lower limit of the diameter of the hole to be formed is about five times the wavelength of the laser beam used. Therefore, the lower limit of the diameter of the hole when using a carbon dioxide laser is about 50 μm, and in practice, the diameter is 50 to 60 μm using a carbon dioxide laser.
It is difficult to form less than a hole. By using a laser beam having a wavelength in the ultraviolet region, fine holes can be formed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】紫外パルスレーザビー
ムを銅箔上に集光することにより、銅箔及びその下の樹
脂層に孔を開けることができる。ところが、パルスレー
ザビーム照射時の衝撃等により、孔の周辺の銅箔が樹脂
層から剥離してしまう場合がある。この剥離現象は、デ
ラミネーション（delamination）またはエッチバック
（etch back）と呼ばれる。By focusing an ultraviolet pulse laser beam on a copper foil, holes can be formed in the copper foil and a resin layer thereunder. However, there is a case where the copper foil around the hole is peeled off from the resin layer due to an impact or the like at the time of pulse laser beam irradiation. This delamination phenomenon is called delamination or etch back.
【０００５】本発明の目的は、銅箔と樹脂層との孔開け
を行う際に、銅箔の剥離が生じにくい孔開け方法を提供
することである。[0005] It is an object of the present invention to provide a method of forming a hole between a copper foil and a resin layer, in which the copper foil is less likely to peel off.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、樹脂層及びその表面上に形成された銅箔層に、パル
スのピークパワーが１０ｋＷ未満である紫外パルスレー
ザビームを照射して孔開けを行う方法が提供される。According to one aspect of the present invention, a resin layer and a copper foil layer formed on the surface thereof are irradiated with an ultraviolet pulse laser beam having a pulse peak power of less than 10 kW to form a hole. A method is provided for performing the opening.
【０００７】ピークパワーを１０ｋＷ未満にすることに
より、孔の周囲における銅箔の剥離を防止することがで
きる。By setting the peak power to less than 10 kW, peeling of the copper foil around the hole can be prevented.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】図１に、本発明の実施例による孔
開け方法で用いられるレーザ加工装置のブロック図を示
す。第１のレーザ光源１及び第２のレーザ光源２が、そ
れぞれ契機信号ｓｉｇ1及びｓｉｇ2に同期して、紫外線
領域の波長を有するパルスレーザビームｐｌ1及びｐｌ2
を出射する。第１及び第２のレーザ光源１及び２は、例
えばＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器と、非線形光学素子を含
んで構成される。パルスレーザビームｐｌ1及びｐｌ
2は、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器から出射された
パルスレーザビームの第３高調波（波長３５５ｎｍ）で
あり、それぞれ鉛直方向及び水平方向に直線偏光されて
いる。FIG. 1 is a block diagram of a laser processing apparatus used in a hole making method according to an embodiment of the present invention. The first laser light source 1 and the second laser light source 2 of, respectively in synchronism with the trigger signal sig 1 and sig 2, the pulse laser beams pl 1 and pl 2 having a wavelength in the ultraviolet range
Is emitted. The first and second laser light sources 1 and 2 are configured to include, for example, an Nd: YAG laser oscillator and a nonlinear optical element. Pulsed laser beams pl 1 and pl
Reference numeral 2 denotes a third harmonic (wavelength: 355 nm) of a pulse laser beam emitted from, for example, an Nd: YAG laser oscillator, which is linearly polarized vertically and horizontally.
【０００９】第１のレーザ光源１から出射したパルスレ
ーザビームｐｌ1は、折り返しミラー５で反射し、偏光
板６の表側の面に入射角４５°で入射する。第２のレー
ザ光源２から出射したパルスレーザビームｐｌ2は、偏
光板６の裏側の面に入射角４５°で入射する。偏光板６
は、鉛直方向に直線偏光されたパルスレーザビームｐｌ
1を反射し、水平方向に直線偏向されたパルスレーザビ
ームｐｌ2を透過させる。The pulse laser beam pl 1 emitted from the first laser light source 1 is reflected by the folding mirror 5 and is incident on the front surface of the polarizing plate 6 at an incident angle of 45 °. The pulse laser beam pl 2 emitted from the second laser light source 2 is incident on the rear surface of the polarizing plate 6 at an incident angle of 45 °. Polarizing plate 6
Is a pulse laser beam pl linearly polarized in the vertical direction.
1 reflects, and transmits the pulse laser beam pl 2 which is linearly polarized in the horizontal direction.
【００１０】偏光板６により、パルスレーザビームｐｌ
1とｐｌ2とが同一の光軸上に重畳され、パルスレーザビ
ームｐｌ3が得られる。パルスレーザビームｐｌ3は、折
り返しミラー９で反射する。反射したパルスレーザビー
ムｐｌ4は、ガルバノスキャナ１０に入射する。ガスバ
ノスキャナ１０は、制御信号ｓｉｇ0の指令に基づい
て、パルスレーザビームの光軸を２次元方向に走査す
る。The polarizing plate 6 causes the pulse laser beam pl
1 and pl 2 are superimposed on the same optical axis, and a pulse laser beam pl 3 is obtained. The pulse laser beam pl 3 is reflected by the return mirror 9. The reflected pulse laser beam pl 4 enters the galvano scanner 10. Gas server Roh scanner 10, in accordance with an instruction of the control signal sig 0, scans the optical axis of the pulsed laser beam in a two-dimensional direction.
【００１１】ガルバノスキャナ１０を通過したパルスレ
ーザビームを、集光レンズ１１が集光し、パルスレーザ
ビームｐｌ5が得られる。集光レンズ１１は、例えばｆ
θレンズで構成される。保持台１２が、パルスレーザビ
ームｐｌ5の集光位置に被加工物２０を保持する。被加
工物５は、樹脂層と銅箔パターンとが積層された積層プ
リント配線基板である。[0011] The pulse laser beam passed through the galvano scanner 10, the condenser lens 11 is condensed, a pulse laser beam pl 5 is obtained. The condenser lens 11 is, for example, f
It consists of a θ lens. Holding table 12 for holding a workpiece 20 to the condensing position of the pulsed laser beam pl 5. The workpiece 5 is a laminated printed wiring board on which a resin layer and a copper foil pattern are laminated.
【００１２】制御手段１３が、第１のレーザ光源１及び
第２のレーザ光源２に、それぞれ周期的な波形を有する
契機信号ｓｉｇ1及びｓｉｇ2を送出する。制御手段１３
は、第１の制御モードと第２の制御モードとから一つの
モードを選択し、制御モードごとに決められている位相
差で契機信号ｓｉｇ1及びｓｉｇ2を送出することができ
る。さらに、制御手段１３は、ガルバノスキャナ１０
に、制御信号ｓｉｇ0を送出する。The control means 13 sends trigger signals sig 1 and sig 2 having a periodic waveform to the first laser light source 1 and the second laser light source 2, respectively. Control means 13
Can be the first control mode and selects one mode from the second control mode, it sends a trigger signal sig 1 and sig 2 with a phase difference which is determined for each control mode. Further, the control unit 13 controls the galvano scanner 10
In, and sends a control signal sig 0.
【００１３】次に、図２及び図３を参照して、図１に示
したレーザ加工装置のパルスレーザビームのタイミング
について説明する。Next, the timing of the pulse laser beam of the laser processing apparatus shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.
【００１４】図２は、第１の制御モード時のタイミング
チャートを示す。契機信号ｓｉｇ1及びｓｉｇ2は、周波
数が等しく、相互に同期された電気パルス信号である。
契機信号ｓｉｇ2の位相が、契機信号ｓｉｇ1の位相より
も１８０°遅れている。パルスレーザビームｐｌ1は契
機信号ｓｉｇ1に同期し、パルスレーザビームｐｌ2は、
契機信号ｓｉｇ2に同期する。このため、パルスレーザ
ビームｐｌ2は、パルスレーザビームｐｌ1よりも位相が
１８０°遅れる。パルスレーザビームｐｌ1とｐｌ2とが
重畳されたパルスレーザビームｐｌ3〜ｐｌ5のパルスの
繰り返し周波数は、契機信号ｓｉｇ1及びｓｉｇ2の周波
数の２倍になる。FIG. 2 shows a timing chart in the first control mode. Trigger signal sig 1 and sig 2 is equal frequency, an electrical pulse signal synchronized with each other.
Phase of the trigger signal sig 2 is delayed 180 ° than trigger signal sig 1 phase. Pulse laser beam pl 1 is synchronized with the trigger signal sig 1, the pulse laser beam pl 2 is
Synchronized with the trigger signal sig 2. Therefore, the pulse laser beam pl 2, the phase is delayed 180 ° than the pulse laser beam pl 1. The pulse repetition frequency of the pulse laser beam pl 3 through PL 5 which the pulse laser beam pl 1 and pl 2 are superimposed is twice the frequency of the trigger signal sig 1 and sig 2.
【００１５】一般的に、樹脂膜に孔を開ける場合、照射
するパルスレーザビームの１パルス当たりのエネルギ密
度を、あるしきい値以上にしなければならない。例え
ば、エポキシ樹脂に孔を開ける場合には、１パルス当た
りのエネルギ密度を約１Ｊ／ｃｍ2以上にする必要があ
る。加工すべき孔の面積から、必要とされる１パルス当
たりのエネルギが求まる。パルスレーザビームの出力を
Ｐ〔Ｗ〕、パルスの繰り返し周波数をｆ〔Ｈｚ〕とする
と、１パルス当たりのエネルギは、Ｐ／ｆ〔Ｊ〕で与え
られる。１パルス当たりのエネルギがしきい値以上にな
る条件でレーザ光源１及び２を動作させることにより、
樹脂膜に孔を開けることができる。Generally, when a hole is formed in a resin film, the energy density per pulse of a pulsed laser beam to be irradiated must be equal to or higher than a certain threshold. For example, when making a hole in an epoxy resin, the energy density per pulse needs to be about 1 J / cm 2 or more. The required energy per pulse is determined from the area of the hole to be processed. Assuming that the output of the pulse laser beam is P [W] and the pulse repetition frequency is f [Hz], the energy per pulse is given by P / f [J]. By operating the laser light sources 1 and 2 under the condition that the energy per pulse becomes equal to or more than the threshold value,
A hole can be formed in the resin film.
【００１６】被加工物２０に照射されるパルスレーザビ
ームｐｌ5の繰り返し周波数は、契機信号ｓｉｇ1及びｓ
ｉｇ2の周波数の２倍の１０ｋＨｚである。このため、
１台のレーザ発振器を用いる場合に比べて、孔開け時間
を約１／２に短縮することができる。The repetition frequency of the pulse laser beam pl 5 irradiated to the workpiece 20, trigger signal sig 1 and s
It is twice the 10kHz of frequency of ig 2. For this reason,
The hole making time can be reduced to about 比 べ as compared with the case where one laser oscillator is used.
【００１７】図３は、第２の制御モード時のタイミング
チャートを示す。図２に示した第１の制御モード時に
は、契機信号ｓｉｇ2の位相が契機信号ｓｉｇ1の位相よ
りも１８０°遅れていたが、第２の制御モード時には、
位相遅れ量が小さい。このため、パルスレーザビームｐ
ｌ1とｐｌ2とが重畳されたパルスレーザビームｐｌ3〜
ｐｌ5において、パルスレーザビームｐｌ1のパルスとパ
ルスレーザビームｐｌ2のパルスとが、部分的に重な
る。このため、パルス幅が広がるとともに、１パルス当
たりのエネルギが２倍になる。なお、契機信号ｓｉｇ1
とｓｉｇ2との位相を一致させ、パルスレーザビームｐ
ｌ1のパルスとパルスレーザビームｐｌ2のパルスとを完
全に重ね合わせてもよい。この場合には、パルス幅は広
がらず、ピークパワーが約２倍になる。FIG. 3 shows a timing chart in the second control mode. First the control mode shown in FIG. 2, the phase of the trigger signal sig 2 was delayed 180 ° from the phase of the trigger signal sig 1, the second control mode,
The amount of phase delay is small. Therefore, the pulse laser beam p
pulsed laser beams pl 3 to l 1 and pl 2 superimposed on each other
In pl 5, and pulsed pulsed laser beam pl 1 pulse and the pulse laser beam pl 2 is partially overlap. Therefore, the pulse width is widened and the energy per pulse is doubled. The trigger signal sig 1
And sig 2 in phase, and the pulsed laser beam p
The pulse of l 1 and the pulse of the pulse laser beam pl 2 may be completely overlapped. In this case, the pulse width is not widened, and the peak power is approximately doubled.
【００１８】一般に、銅箔に孔を開けるには、１パルス
当たりのエネルギ密度を約１０Ｊ／ｃｍ2以上にしなけ
ればならない。孔の直径が１００μｍである場合には、
１パルス当たりのエネルギを約７．９×１０-4Ｊ以上に
しなければならないことになる。ところが、図２に示し
た第１の制御モード時に、１パルス当たりのエネルギを
約７．９×１０-4Ｊ以上にすることは困難である。図３
に示したように、２つのパルスレーザビームのパルスを
部分的に重ねることにより、銅箔の孔開けに必要な１パ
ルス当たりのエネルギを得ることができる。Generally, in order to form a hole in a copper foil, the energy density per pulse must be about 10 J / cm 2 or more. If the diameter of the hole is 100 μm,
The energy per pulse must be about 7.9 × 10 −4 J or more. However, it is difficult to increase the energy per pulse to about 7.9 × 10 −4 J or more in the first control mode shown in FIG. FIG.
As shown in (1), by partially overlapping the pulses of the two pulsed laser beams, it is possible to obtain the energy per pulse required for drilling holes in the copper foil.
【００１９】なお、１パルス当たりのエネルギが十分で
ない場合、レーザビームを収束させてビーム径を小さく
することにより、必要な１パルス当たりのエネルギ密度
を確保することは可能である。ところが、ビーム径が小
さいため、所望の大きさの孔を開けるためには、レーザ
ビームの照射部位を移動させる必要がある。例えば、ト
レパニング加工、もしくはスパイラル状の加工を行う必
要がある。本実施例のように、１パルス当たりのエネル
ギを大きくすることにより、トレパニング等を行うこと
なく、直径１００μｍ程度の孔を開けることが可能にな
る。If the energy per pulse is not sufficient, it is possible to secure the required energy density per pulse by converging the laser beam and reducing the beam diameter. However, since the beam diameter is small, it is necessary to move the laser beam irradiation site in order to form a hole of a desired size. For example, it is necessary to perform trepanning processing or spiral processing. By increasing the energy per pulse as in the present embodiment, it becomes possible to form a hole having a diameter of about 100 μm without performing trepanning or the like.
【００２０】図３に示したパルスレーザビームｐｌ3〜
ｐｌ5のパルス幅及びピーク強度は、パルスレーザビー
ムｐｌ1とｐｌ2との位相のずれ量に依存する。契機信号
ｓｉｇ 1に対する契機信号ｓｉｇ2の位相の遅れ量を調節
することにより、パルスレーザビームｐｌ3〜ｐｌ5のパ
ルス幅及びピーク強度を容易に制御することができる。The pulse laser beam pl shown in FIG.Three~
plFiveThe pulse width and peak intensity of the
Mu pl1And plTwoAnd the phase shift amount. Trigger signal
sig 1Trigger signal sig forTwoAdjust the amount of phase delay
By doing so, the pulsed laser beam plThree~ PlFiveNo pa
Loose width and peak intensity can be easily controlled.
【００２１】パルス幅が約５０ｎｓ、パルスの繰り返し
周波数が１０ｋＨｚ、レーザ出力１０Ｗの条件で、孔開
け加工を行った。このパルスレーザビームの１パルス当
たりのエネルギは１ｍＪである。ピークパワーは、１ｍ
Ｊ／５０ｎｓ＝２０ｋＷである。このとき、孔の周囲に
おいて銅箔が樹脂層から剥離する現象が起こった。これ
は、レーザ照射時の物理的な衝撃によるものと考えられ
る。なお、パルス幅５０ｎｓ、パルスの繰り返し周波数
１ｋＨｚ、レーザ出力１Ｗ（１パルス当たりのエネルギ
は１ｍＪ、ピークパワーは２０ｋＷ）の条件で孔開け加
工を行ったところ、同様の剥離が生じた。A hole was drilled under the conditions of a pulse width of about 50 ns, a pulse repetition frequency of 10 kHz, and a laser output of 10 W. The energy per pulse of this pulsed laser beam is 1 mJ. Peak power is 1m
J / 50 ns = 20 kW. At this time, a phenomenon occurred in which the copper foil was separated from the resin layer around the hole. This is considered to be due to physical impact at the time of laser irradiation. When a hole was formed under the conditions of a pulse width of 50 ns, a pulse repetition frequency of 1 kHz, and a laser output of 1 W (energy per pulse was 1 mJ, peak power was 20 kW), similar peeling occurred.
【００２２】次に、パルス幅を１５０ｎｓにして同様の
加工を行った。パルスの繰り返し周波数及びレーザ出力
は、上記条件と同一である。１パルス当たりのエネルギ
が１ｍＪであるため、ピークパワーは、約６ｋＷにな
る。Next, the same processing was performed with a pulse width of 150 ns. The pulse repetition frequency and the laser output are the same as the above conditions. Since the energy per pulse is 1 mJ, the peak power is about 6 kW.
【００２３】図４に、孔開け加工を行った積層配線基板
の断面図を示す。樹脂層３０の表面上に厚さ５μｍの銅
箔パターン３１が形成され、その上に他の樹脂層３２が
形成されている。樹脂層３２の表面上に厚さ５μｍの銅
箔パターン３３が形成されている。樹脂層３０及び３２
は、ガラスクロスを含んだエポキシ樹脂で形成される。FIG. 4 is a cross-sectional view of a laminated wiring substrate on which a hole is formed. A copper foil pattern 31 having a thickness of 5 μm is formed on the surface of the resin layer 30, and another resin layer 32 is formed thereon. A copper foil pattern 33 having a thickness of 5 μm is formed on the surface of the resin layer 32. Resin layers 30 and 32
Is formed of an epoxy resin containing a glass cloth.
【００２４】最上層の銅箔パターン３３の表面に紫外パ
ルスレーザビームを照射する。銅箔パターン３３の厚さ
に±１〜２μｍ程度のばらつきがあるため、レーザ照射
のショット数は、厚さ７μｍの銅箔をエッチングするの
に十分な数とする。これにより、ビアホール３４が形成
される。The surface of the uppermost copper foil pattern 33 is irradiated with an ultraviolet pulse laser beam. Since the thickness of the copper foil pattern 33 varies about ± 1 to 2 μm, the number of shots of laser irradiation is set to a number sufficient to etch a copper foil having a thickness of 7 μm. Thereby, a via hole 34 is formed.
【００２５】ビアホール３４の周辺において銅箔３３の
剥離はほとんど生じなかった。これは、ピークパワーが
小さいため、剥離の原因になる物理的な衝撃が小さくな
ったためと考えられる。The peeling of the copper foil 33 hardly occurred around the via hole 34. This is presumably because the peak power was small, and the physical impact that caused peeling was small.
【００２６】上述のように、ピークパワーを下げること
によって、銅箔の剥離を起こすことなくビアホールを形
成することができる。本発明者の評価実験によると、ピ
ークパワーの好適な範囲は１０ｋＷ未満であることがわ
かった。また、銅箔を加工するのに十分な１パルス当た
りのエネルギを確保するために、パルス幅は、１００ｎ
ｓよりも長くすることが好ましい。図１に示したレーザ
加工装置においては、図３に示したパルスｐｌ1とｐｌ2
との重なりを少なくすることにより、ピークパワーを小
さくすることができる。As described above, by reducing the peak power, a via hole can be formed without peeling of the copper foil. According to an evaluation experiment performed by the present inventors, it was found that a suitable range of the peak power was less than 10 kW. In order to secure sufficient energy per pulse for processing the copper foil, the pulse width is set to 100 n.
Preferably, it is longer than s. In the laser processing apparatus shown in FIG. 1, the pulses pl 1 and pl 2 shown in FIG.
, The peak power can be reduced.
【００２７】より一般的には、パルス幅を広げることに
よりピークパワーを低下させることができる。高調波固
体レーザのパルス幅は、光共振器長と増幅率（ゲイン）
で決まる。光共振器長とゲインとを制御することによ
り、パルス幅を変えることができる。一般に、共振器長
を長くする、またはゲインを下げると、パルス幅が長く
なる。More generally, the peak power can be reduced by increasing the pulse width. The pulse width of the harmonic solid-state laser depends on the optical cavity length and the amplification factor (gain).
Is determined by By controlling the optical resonator length and the gain, the pulse width can be changed. In general, increasing the resonator length or decreasing the gain increases the pulse width.
【００２８】また、パルスの繰り返し周波数が高くなる
と、パルス幅が長くなる。従って、パルスの繰り返し周
波数を高くすることによっても、ピークパワーを小さく
することができる。As the pulse repetition frequency increases, the pulse width increases. Therefore, the peak power can also be reduced by increasing the pulse repetition frequency.
【００２９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。The present invention has been described in connection with the preferred embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
紫外パルスレーザビームのピークパワーを小さくして銅
箔と樹脂層にビアホールを形成することにより、銅箔の
剥離を生じにくくすることができる。As described above, according to the present invention,
By forming a via hole in the copper foil and the resin layer by reducing the peak power of the ultraviolet pulse laser beam, peeling of the copper foil can be suppressed.
【図１】本発明の実施例による孔開け方法で用いられる
レーザ加工装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic view of a laser processing apparatus used in a hole drilling method according to an embodiment of the present invention.
【図２】第１の制御モードで動作中のタイミングチャー
トである。FIG. 2 is a timing chart during operation in a first control mode.
【図３】第２の制御モードで動作中のタイミングチャー
トである。FIG. 3 is a timing chart during operation in a second control mode.
【図４】実施例による方法で形成されたビアホールを有
する積層プリント配線基板の部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a multilayer printed wiring board having via holes formed by a method according to an example.
１、２ レーザ光源 ５、９ 折り返しミラー ６ 偏光板 １０ ガルバノスキャナ １１ 集光レンズ １２ 保持台 １３ 制御手段 １５ 非線形光学素子 ２０ 被加工物 ３０、３２ 樹脂層 ３１、３３ 銅箔パターン ３４ ビアホール 1, 2 Laser light source 5, 9 Folding mirror 6 Polarizing plate 10 Galvano scanner 11 Condensing lens 12 Holder 13 Control means 15 Nonlinear optical element 20 Workpiece 30, 32 Resin layer 31, 33 Copper foil pattern 34 Via hole
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // B23K 101: 42 B23K 101: 42
Claims (2)
層に、パルスのピークパワーが１０ｋＷ未満である紫外
パルスレーザビームを照射して孔開けを行う方法。1. A method for piercing a resin layer and a copper foil layer formed on a surface thereof by irradiating an ultraviolet pulse laser beam having a pulse peak power of less than 10 kW.
が１００ｎｓよりも長い請求項１に記載の孔開けを行う
方法。2. The method according to claim 1, wherein the pulse width of the ultraviolet pulse laser beam is longer than 100 ns.
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