JP2002029729A - Process for converting high-boiling residue into monosilane by direct method - Google Patents

Process for converting high-boiling residue into monosilane by direct method

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JP2002029729A
JP2002029729A JP2000216747A JP2000216747A JP2002029729A JP 2002029729 A JP2002029729 A JP 2002029729A JP 2000216747 A JP2000216747 A JP 2000216747A JP 2000216747 A JP2000216747 A JP 2000216747A JP 2002029729 A JP2002029729 A JP 2002029729A
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boiling residue
monosilane
aluminum trichloride
residue
high boiling
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Jonathan A Brinson
アシュレイ ブリンソン ジョナサン
Bruce Robert Crum
ロバーツ クラム ブルース
Jr Robert Frank Jarvis
フランク ジャービス ジュニア ロバート
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a monosilane production process for converting a high- boiling residue derived from a reaction of hydrogen chloride with metalloid silicon, into monosilane by a method known as a direct method. SOLUTION: This process involves a conversion stage for bringing such a high-boiling residue into contact with gaseous hydrogen in the presence of an amount of an aluminum trichloride catalyst, effective in promoting conversion of the high-boiling residue into monosilane, wherein at least one portion of the required amount of the aluminum trichloride catalyst is produced in the above conversion stage using a direct method and an isolation stage of the converted monosilane, at the respective sites of these stages.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業の利用分野】本発明は、「直接法」として知られ
る方法において塩化水素とケイ素メタロイドとの反応か
ら得られる高沸点残留物からモノシランを製造する方法
に関する。本発明の方法は、高沸点残留物のモノシラン
への転化を促進するのに有効な触媒量の三塩化アルミニ
ウムの存在下で前記高沸点残留物と水素ガスとを接触さ
せる工程からなる。その工程に必要な三塩化アルミニウ
ム触媒の少なくとも一部は、前記高沸点残留物の直接法
及び単離中に現場で生成される。
The present invention relates to a process for producing monosilane from high boiling residues obtained from the reaction of hydrogen chloride with silicon metalloid in a process known as the "direct process". The process of the present invention comprises contacting the high boiling residue with hydrogen gas in the presence of a catalytic amount of aluminum trichloride effective to promote the conversion of the high boiling residue to monosilane. At least a portion of the aluminum trichloride catalyst required for the process is generated in situ during the direct method and isolation of the high boiling residue.

【0002】[0002]

【従来の技術】直接法におけるトリクロロシランの調製
においては、複雑な混合物が生成する、その混合物は典
型的に蒸留して、混合物に存在する他の成分からトリク
ロロシランを分離する。トリクロロシランの分離後、8
0℃以上及びトリクロロシランの沸点以上で沸騰する高
沸点残留物が残る。その高沸点残留物は、直接法の最近
の商的操作においては、10重量%ほどのトリクロロシ
ランから成る。したがって、副生成物の廃棄を少なく
し、原料の利用を改善するために、高沸点残留物を商的
に価値のある製品に転化することが望ましい。
BACKGROUND OF THE INVENTION In the preparation of trichlorosilane in a direct process, a complex mixture is formed, which is typically distilled to separate the trichlorosilane from other components present in the mixture. After separation of trichlorosilane, 8
A high boiling residue remains above 0 ° C. and above the boiling point of trichlorosilane. The high-boiling residue consists of as little as 10% by weight of trichlorosilane in a recent commercial operation of the direct process. Therefore, it is desirable to convert high boiling residues to commercially valuable products in order to reduce by-product disposal and improve raw material utilization.

【0003】「直接法」は、特許文献、例えば、米国特
許第2、380,995号及び第2、488、487
号、等によく記載されている。モノシランのオーバーヘ
ッド蒸留後に残留する高沸点留分は、例えば、分子中に
SiSi,SiOSi,及びSiCSi結合を有するケ
イ素含有高沸点化合物から成る複雑な化合物である。そ
の高沸点留分は、微粒のケイ素及び金属またはそれらの
化合物も含有する。直接法の蒸留生成物から得られる典
型的な高沸点残留物は、米国特許第2、598、435
号及び第2,681,355号に記載されている。
The "direct method" is described in the patent literature, for example, US Pat. Nos. 2,380,995 and 2,488,487.
No., etc. are well described. The high-boiling fraction remaining after monosilane overhead distillation is, for example, a complex compound consisting of silicon-containing high-boiling compounds with SiSi, SiOSi and SiCSi bonds in the molecule. The high boiling fraction also contains finely divided silicon and metals or their compounds. Typical high boiling residues obtained from direct distillation products are disclosed in US Pat. No. 2,598,435.
No. 2,681,355.

【0004】米国特許第2、606、811号は、ハロ
ゲン及びSi−Si結合を含有する化合物が水素の存在
下で、少なくとも300℃の温度に加熱される水素添加
法を教示している。しかしながら、合成生成物はモノシ
ランであって、触媒として三塩化アルミニウムの教示は
全くない。
[0004] US Patent No. 2,606,811 teaches a hydrogenation method in which a compound containing a halogen and a Si-Si bond is heated to a temperature of at least 300 ° C in the presence of hydrogen. However, the synthesis product is a monosilane and there is no teaching of aluminum trichloride as a catalyst.

【0005】米国特許第3、639、105号は、ジシ
ランと水素ガスとを加圧下で接触させ、その混合体を木
炭上のパラジウムのような遷移金属の存在下で加熱する
ことによって、ヒドロシランを製造する方法を記載して
いる。そのジシランは、直接法からの混合体の部分であ
る。加圧下、銅触媒の存在下での25℃〜350℃の温
度でメチルクロロポリシランと水素ガスとを反応させる
ことによる高収率のヒドロシランの製造法が米国特許第
4、079、071号に記載されている。ニール(Ne
ale)は、そのメチルクロロポリシランは直接法の副
生成物として典型的に生成されるものにすることができ
ると述べている。ニールによって記載された有用な銅触
媒、銅金属、銅塩類、及び銅塩類と有機配位子との錯体
を含む。
US Pat. No. 3,639,105 discloses hydrosilanes by contacting disilane and hydrogen gas under pressure and heating the mixture in the presence of a transition metal such as palladium on charcoal. Describes the method of manufacture. The disilane is part of the mixture from the direct method. A process for producing high yield hydrosilanes by reacting methylchloropolysilane with hydrogen gas at 25 ° C. to 350 ° C. under pressure in the presence of a copper catalyst is described in US Pat. No. 4,079,071. Have been. Neil (Ne
ale) states that the methylchloropolysilane can be one which is typically produced as a by-product of the direct process. Useful copper catalysts, copper metals, copper salts, and complexes of copper salts with organic ligands as described by Neil.

【0006】米国特許第4.393、229号は、アル
キルハロシランの製造から得られる残留物におけるアル
キル−豊富ジシランのハロゲン−豊富ポリシランへの転
化法を教示している。その方法は、アルキル−豊富ジシ
ランを含有する残留物を高温で触媒及び触媒量のヒドロ
シラン反応促進剤の存在下で、アルキルトリハロシラン
または四ハロゲン化ケイ素で処理することからなる。三
塩化アルミニウムは、その方法においてヒドロシラン促
進剤と併用したときに有用な触媒である。さらに、得ら
れたハロゲン−豊富ポリシランは、別の工程で開裂して
モノシランを生成することができる。
US Pat. No. 4,393,229 teaches a process for converting alkyl-rich disilanes to halogen-rich polysilanes in the residue resulting from the production of alkylhalosilanes. The method comprises treating an alkyl-rich disilane containing residue with an alkyl trihalosilane or silicon tetrahalide at elevated temperature in the presence of a catalyst and a catalytic amount of a hydrosilane accelerator. Aluminum trichloride is a useful catalyst when used with hydrosilane promoters in the process. Further, the resulting halogen-rich polysilane can be cleaved in a separate step to produce the monosilane.

【0007】米国特許第5、175、329号は、直接
法から得られる高沸点残留物からオルガノシランの製造
法(それはオルガノトリクロロシランの正味消費をもた
らす)を記載している。その方法において、高沸点残留
物は、水素添加触媒と再分配触媒の両方の存在下でオル
ガノトリクロロシラン及び水素ガスと接触される。
US Pat. No. 5,175,329 describes a process for the preparation of organosilanes from high-boiling residues obtained from the direct process, which results in a net consumption of organotrichlorosilane. In that process, the high boiling residue is contacted with an organotrichlorosilane and hydrogen gas in the presence of both a hydrogenation catalyst and a redistribution catalyst.

【0008】米国特許第5、430、168号は、塩化
メチルとケイ素メタロイドの直接法反応から得られた高
沸点残留物からのモノシランの製造法を教示している。
その方法は、水素ガス及び触媒量の三塩化アルミニウム
の存在下で、オルガノトリハロシランと高沸点残留物か
ら成る混合物を生成する工程からなる。その方法は、オ
ルガノトリハロシランの消費及び高沸点残留物の有用な
モノシランへの転化をもたらす。
US Pat. No. 5,430,168 teaches the preparation of monosilane from high boiling residues obtained from the direct reaction of methyl chloride with silicon metalloid.
The method comprises the step of producing a mixture of an organotrihalosilane and a high boiling residue in the presence of hydrogen gas and a catalytic amount of aluminum trichloride. The process results in the consumption of organotrihalosilanes and the conversion of high boiling residues to useful monosilanes.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、トリクロロ
シランの製造から得られるジシランから成る高沸点残留
物を商的に有用なモノシランに転化する方法を提供す
る。その方法は、触媒量の三塩化アルミニウムの存在下
で、塩化水素とケイ素メタロイドの反応から得られる非
メチル含有高沸点残留物と水素ガスとを接触させること
から成る。さらに、本法における触媒の少なくとも一部
は、直接法の実施及び前記高沸点残留物の単離中に現場
で生成できる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a process for converting high boiling residues of disilane from the production of trichlorosilane to commercially useful monosilane. The method comprises contacting a non-methyl containing high boiling residue obtained from the reaction of hydrogen chloride with silicon metalloid with hydrogen gas in the presence of a catalytic amount of aluminum trichloride. Further, at least a portion of the catalyst in the present process can be generated in situ during the performance of the direct process and isolation of the high boiling residue.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、塩化水素とケ
イ素メタロイドとの反応から得られる高沸点残留物から
モノシランを製造する方法である。その方法は、式H
SiCl6−b(式中、b=0〜4)によって表され
るジシランから成る前記高沸点残留物と、水素ガスと
を、150℃〜500℃の温度で、高沸点残留物のモノ
シランへの転化を促進するのに有効な触媒量の三塩化ア
ルミニウムの存在下、345kPa〜68,900kP
aの圧力下において接触させる工程から成る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method for producing monosilane from a high boiling residue obtained from the reaction of hydrogen chloride with silicon metalloid. The method is based on the formula H b
The high-boiling residue consisting of disilane represented by Si 2 Cl 6-b (where b = 0 to 4) and hydrogen gas are mixed at a temperature of 150 ° C. to 500 ° C. with high-boiling residue monosilane 345 kPa to 68,900 kP in the presence of a catalytic amount of aluminum trichloride effective to promote conversion to
a) making contact under the pressure of a.

【0011】本法は、クロロシランとの接触に適する標
準加圧可能反応器において実施される。その方法はバッ
チ法または連続法として実施することができる。その方
法は、例えば、連続攪拌−タンク反応器、気泡塔反応
器、トリクル・ベッド反応器、又は栓流反応器で実施す
ことができる。
The process is carried out in a standard pressurizable reactor suitable for contacting with chlorosilane. The method can be performed as a batch method or a continuous method. The method can be performed, for example, in a continuous stirred-tank reactor, a bubble column reactor, a trickle bed reactor, or a plug flow reactor.

【0012】本法に使用する高沸点残留物は、80℃以
上の沸点を有するものであって、塩化水素とケイ素メタ
ロイドとの反応生成物から得られるトリクロロシランの
蒸留から得られる。本法に有用な高沸点残留物は、式H
SiCl6−b(式中、b=0〜4)によって表さ
れるジシランから成る。望ましいジシランは、Cl
及びHClSiである。かかる高沸点残留物の
典型的な組成は、Cl Si,HClSi,H
ClSi,HClSi,及びHClSi
のようなジシラン68重量%;HClSiO,C
SiO,HClSiO,HClSi
O,及びHClSiOのような31重量%ジシロ
キサン;他の高沸点ケイ素含有化合物0.5重量%;及
びケイ素及びアルミニウム、カルシウム、鉄及びそれら
の化合物のような低レベルの金属を含有する固体微粒子
0.5重量%から成る。
[0012] The high boiling point residue used in the present method is 80 ° C or lower.
Having the above boiling point, hydrogen chloride and silicon meta
Of trichlorosilane obtained from the reaction product with Lloyd
Obtained from distillation. The high-boiling residues useful in the present process are of the formula H
bSi2Cl6-b(Where b = 0-4)
Consisting of disilane. The preferred disilane is Cl6S
i2And HCl5Si2It is. Of such high boiling residues
A typical composition is Cl 6Si2, HCl5Si2, H2
Cl4Si2, H3Cl3Si2, And H4Cl2Si
268% by weight of disilane such as HCl5Si2O, C
l6Si2O, H2Cl4Si2O, H3Cl3Si2
O and H4Cl2Si231% by weight disilium like O
Xane; 0.5% by weight of other high boiling silicon-containing compound;
And silicon and aluminum, calcium, iron and them
Solid particles containing low levels of metals such as
Consists of 0.5% by weight.

【0013】その高沸点残留物は、345kPa〜6
8,900kPaの圧力下で水素ガスと接触される。水
素ガスの圧力は、2、000kPa〜10、000kP
aが望ましいが、4、000kPa〜7、500kPa
がさらに望ましい。高沸点残留物と水素ガスとの重量比
は0.1:1〜100:1の範囲内である。高沸点残留
物と水素ガスとの重量比は0.1:1〜500:1が望
ましく、20:1〜200:1が最適である。
[0013] The high boiling residue is 345 kPa to 6
It is brought into contact with hydrogen gas under a pressure of 8,900 kPa. The pressure of hydrogen gas is 2,000 kPa to 10,000 kP
a is desirable, but 4,000 kPa to 7,500 kPa
Is more desirable. The weight ratio of high-boiling residue to hydrogen gas is in the range of 0.1: 1 to 100: 1. The weight ratio of the high-boiling residue to hydrogen gas is preferably 0.1: 1 to 500: 1, and most preferably 20: 1 to 200: 1.

【0014】本発明の別の実施態様において、式H
Cl6−b(式中、b=0〜4)によって表される
ジシランは、高沸点残留物から回収され、150℃〜5
00℃の温度で触媒量の三塩化アルミニウムの存在下、
345kPa〜68,900kPaの圧力下で水素ガス
と接触される。
In another embodiment of the present invention, the compound of formula H b S
The disilane represented by i 2 Cl 6-b (where b = 0-4) is recovered from the high boiling residue and from 150 ° C. to 5 ° C.
At a temperature of 00 ° C. and in the presence of a catalytic amount of aluminum trichloride,
It is brought into contact with hydrogen gas under a pressure of 345 kPa to 68,900 kPa.

【0015】その高沸点残留物は、触媒量の三塩化アル
ミニウムの存在下で水素ガスと接触される。用語「触媒
量」は、高沸点残留物におけるジシランのモノシランへ
の転化を促進するのに十分な三塩化アルミニウムの量を
意味すると理解される。さらに詳しくは、触媒量の三塩
化アルミニウムは、高沸点残留物におけるClSi
及びHClSiのようなジシランの四塩化ケイ素及
びトリクロロシランへの転化を促進するのに十分な量を
意味する。三塩化アルミニウムの濃度は、三塩化アルミ
ニウム及び高沸点残留物の合計重量を基準にして、0.
01〜15重量%が望ましく、0.01〜2重量%が最
適である。
The high-boiling residue comprises a catalytic amount of
Contacted with hydrogen gas in the presence of minium. The term `` catalyst
The amount is the conversion of disilane to monosilane in the high-boiling residue.
Sufficient aluminum trichloride to promote the conversion of
It is understood to mean. More specifically, a catalytic amount of trisalt
Aluminum chloride is converted to Cl in the high boiling residue.6Si 2
And HCl5Si2Disilanes such as silicon tetrachloride and
And sufficient to promote conversion to trichlorosilane.
means. The concentration of aluminum trichloride is aluminum trichloride
0.1, based on the total weight of the sodium and high boiling residues.
01 to 15% by weight is desirable, and 0.01 to 2% by weight is the most preferable.
Suitable.

【0016】三塩化アルミニウムは、化合物として工程
に転化される。又は三塩化アルミニウムを生成する材料
の転化によって現場で生成される。触媒量の三塩化アル
ミニウムの全て又は一部は、直接法及び高沸点残留物を
生成する蒸留の実施中に現場で生成される。三塩化アル
ミニウムの生成に必要なアルミニウム及び塩素の原料
は、直接法に使用される原料、特にケイ素メタロイト及
び塩化水素供給材料にすることができる。三塩化アルミ
ニウムの触媒量は、転化される三塩化アルミニウムと、
直接法から単離される混合体に残留する現場生成三塩化
アルミニウムの合計にすることができる。
Aluminum trichloride is converted to a process as a compound. Or, produced in situ by the conversion of a material that produces aluminum trichloride. All or part of the catalytic amount of aluminum trichloride is produced in situ during the direct process and during the distillation to produce high boiling residues. The aluminum and chlorine raw materials required for the production of aluminum trichloride can be the raw materials used in the direct process, in particular silicon metalloid and hydrogen chloride feed. The catalytic amount of aluminum trichloride is
It can be the sum of the in situ formed aluminum trichloride remaining in the mixture isolated from the direct process.

【0017】本法は、150℃〜500℃の温度で実施
されるが、その温度は、250℃〜425℃の範囲内か
望ましく、225℃〜350℃の温度が最適である。
The process is carried out at a temperature of from 150 ° C. to 500 ° C., preferably in the range of from 250 ° C. to 425 ° C., most preferably from 225 ° C. to 350 ° C.

【0018】本法によって製造されるモノシランは、式
SiCl4−y(式中、y=0〜4)によって記載
される。望ましいモノシランは、四塩化ケイ素及びトリ
クロロシランである。モノシランは液体混合体を分離す
る標準の方法、例えば、蒸留によって回収される。
The monosilanes prepared by this method are described by the formula H y SiCl 4-y where y = 0-4. Preferred monosilanes are silicon tetrachloride and trichlorosilane. Monosilane is recovered by standard methods for separating liquid mixtures, for example, distillation.

【0019】次の実施例は本発明を説明するためのもの
である。
The following example is provided to illustrate the invention.

【実施例】実施例1 触媒として現場で生成される三塩化アルミニウムで高沸
点残留物を転化する能力は、攪拌−タンクバッチ反応器
において評価した。その反応器は、450mlの空気攪
拌パルボンブ(Parr Bomb)反応器であった。
その反応器に、塩化水素とケイ素メタロイドとの反応か
ら得られた高沸点残留物の100g試料を添加した。存
在する三塩化アルミニウムは、高沸点残留物の調製及び
単離中に現場で生成された。その反応器に水素を828
0kPaの圧力で攪拌しながら添加し、その反応器を3
00℃に2時間加熱した。その反応器からの試料をガス
クロマトグラフィ−(GC)によって、熱伝導率検出器
(TCD)を使用して分析した。高沸点残留物の初組成
重量%及び最終組成重量%を表1に示す。
EXAMPLE 1 The ability to convert high boiling residues with in situ produced aluminum trichloride as a catalyst was evaluated in a stirred-tank batch reactor. The reactor was a 450 ml air stirred Parr Bomb reactor.
To the reactor was added a 100 g sample of the high boiling residue from the reaction of hydrogen chloride with silicon metalloid. Aluminum trichloride present was generated in situ during the preparation and isolation of the high boiling residue. 828 hydrogen into the reactor
The reactor was added with stirring at a pressure of 0 kPa, and the reactor was cooled to 3 kPa.
Heated to 00 ° C. for 2 hours. Samples from the reactor were analyzed by gas chromatography (GC) using a thermal conductivity detector (TCD). Table 1 shows the initial composition weight% and the final composition weight% of the high boiling point residue.

【0020】 高沸点残留物 組成 初組成 最終組成 重量% 重量% HSiCl − 8.7 SiCl 77.4 75.2 ClSiSiCl 14.9 9.4未決定 7.7 6.7 The high-boiling residue composition first composition final composition by weight% by weight% HSiCl 3 - 8.7 SiCl 4 77.4 75.2 Cl 3 SiSiCl 3 14.9 9.4 undetermined 7.7 6.7

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブルース ロバーツ クラム アメリカ合衆国インディアナ州47250 マ ディソン サンリース ドライブ 240 (72)発明者 ロバート フランク ジャービス ジュニ ア アメリカ合衆国ミシガン州48642 ミッド ランド ワイルド ピン コート 4519 Fターム(参考) 4G069 AA02 AA08 BB08A BB08B BC16A BC16B CB81 DA05 FA01 4G072 AA11 AA12 AA14 GG02 GG03 HH07 KK09 MM01 RR01  ──────────────────────────────────────────────────の Continued on front page (72) Inventor Bruce Roberts Clam 47250 Madison Sunrise Drive, Indiana, USA 240 (72) Inventor Robert Frank Jarvis, Jr. 48842, Michigan, USA Midland Wild Pin Court 4519 F-term (reference) 4G069 AA02 AA08 BB08A BB08B BC16A BC16B CB81 DA05 FA01 4G072 AA11 AA12 AA14 GG02 GG03 HH07 KK09 MM01 RR01

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 塩化水素とケイ素メタロイドとの反応か
ら得られ、式HSi Cl6−b(式中、b=0〜
4)によって表されるジシランから成る高沸点残留物
と、水素ガスとを、345kPa〜68,900kPa
の圧力下、150℃〜500℃の温度で、前記高沸点残
留物のモノシランへの転化を促進するのに有効な触媒量
の三塩化アルミニウムの存在下において接触させる工程
から成ることを特徴とする、塩化水素とケイ素メタロイ
ドとの反応から得られる高沸点残留物のモノシランヘの
転化法。
1. The reaction of hydrogen chloride with silicon metalloid
From the formula HbSi 2Cl6-b(Where b = 0 to
High-boiling residue consisting of disilane represented by 4)
And hydrogen gas at 345 kPa to 68,900 kPa
At a temperature of 150 ° C. to 500 ° C. under a pressure of
Effective amount of catalyst to promote conversion of distillate to monosilane
Contacting in the presence of aluminum trichloride
Hydrogen chloride and silicon metalloy
Of the high-boiling residue obtained from the reaction with
Conversion method.
【請求項2】 前記モノシランが、式HSiCl
4−y(式中、yは0〜4である)によって表されるこ
とを特徴とする請求項1記載の方法。
2. The monosilane of the formula H y SiCl
The method of claim 1, wherein the method is represented by 4-y , wherein y is 0-4.
【請求項3】 前記高沸点残留物は、塩化水素とケイ素
メタロイドとの反応生成物の蒸留から得られる蒸留留分
であることを特徴とする請求項1記載の方法。
3. The method according to claim 1, wherein the high-boiling residue is a distillation fraction obtained from distillation of a reaction product of hydrogen chloride and silicon metalloid.
【請求項4】 前記高沸点残留物と水素ガスとの重量比
は、0.01:1〜1000:1の範囲内であることを
特徴とする請求項1記載の方法。
4. The method of claim 1, wherein the weight ratio of said high-boiling residue to hydrogen gas is in the range of 0.01: 1 to 1000: 1.
【請求項5】 前記三塩化アルミニウムの濃度は、該三
塩化アルミニウムと前記高沸点残留物との合計重量を基
準にして0.01〜15重量%であることを特徴とする
請求項1記載の方法。
5. The method according to claim 1, wherein the concentration of the aluminum trichloride is 0.01 to 15% by weight based on the total weight of the aluminum trichloride and the high-boiling residue. Method.
【請求項6】 前記三塩化アルミニウムの少なくとも一
部は、前記高沸点残留物の生成中に現場で生成されるこ
とを特徴とする請求項1記載の方法。
6. The method of claim 1, wherein at least a portion of the aluminum trichloride is formed in situ during the formation of the high boiling residue.
JP2000216747A 2000-07-18 2000-07-18 Process for converting high-boiling residue into monosilane by direct method Withdrawn JP2002029729A (en)

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JP2000216747A Withdrawn JP2002029729A (en) 2000-07-18 2000-07-18 Process for converting high-boiling residue into monosilane by direct method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012532927A (en) * 2009-07-13 2012-12-20 サムソン ファイン ケミカルズ カンパニー リミテッド Organochlorohydrosilane and process for producing the same

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