JP2002026524A - Multilayer interconnection board and its manufacturing method - Google Patents

Multilayer interconnection board and its manufacturing method

Info

Publication number
JP2002026524A
JP2002026524A JP2000207646A JP2000207646A JP2002026524A JP 2002026524 A JP2002026524 A JP 2002026524A JP 2000207646 A JP2000207646 A JP 2000207646A JP 2000207646 A JP2000207646 A JP 2000207646A JP 2002026524 A JP2002026524 A JP 2002026524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
layer
wiring board
insulating layer
electrodeposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000207646A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Koyama
憲一 小山
Nobuyuki Ito
信幸 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2000207646A priority Critical patent/JP2002026524A/en
Priority to KR1020017008437A priority patent/KR100654870B1/en
Priority to EP00971710A priority patent/EP1146149A4/en
Priority to PCT/JP2000/007683 priority patent/WO2001032964A1/en
Priority to US09/869,589 priority patent/US6625032B1/en
Priority to CNB008024995A priority patent/CN1271894C/en
Publication of JP2002026524A publication Critical patent/JP2002026524A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer interconnection board and its manufacturing method having superior productivity and connection reliability. SOLUTION: This multilayer interconnection board has a core wiring board where substrate-wiring layers that are mutually and electrically connected onto both the surfaces of an insulating board are formed, an insulating layer that is laminated at least onto one surface of the core-wiring board, a wiring layer that is formed on the insulating layer, and an interlayer short-circuiting part that electrically connects the wiring layer to the substrate-wiring layer and passes through the insulating layer in its thickness direction for extension. In this case, the interlayer short-circuiting part is composed by a conductive material containing a conductive fine particle in a macromolecular substance, and the conductive material is formed by electrodeposition treatment in electrolytic deposition liquid where the conductive fine particle and an organic particle consisting of at least one of a polymerization compound and a polymer are dispersed in an aqueous medium.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線板および
その製造方法に関するものである。
The present invention relates to a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の高機能化、小型化の要
請に伴って、電子部品として集積度が高くて電極数が大
きいものが使用されるに至っており、また、このような
電子部品を高い密度で実装することが求められている。
そのため、電子部品用配線板や電子部品搭載用配線板と
しては、絶縁性の基板の片面のみに配線層が形成されて
なる片面プリント配線板や、基板の両面に配線層が形成
されてなる両面プリント配線板に代わり、基板の片面ま
たは両面に絶縁層と配線層とが交互に積層されてなる多
層プリント配線板が用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality and smaller size of electronic equipment, electronic parts having a high degree of integration and a large number of electrodes have been used. Is required to be mounted at a high density.
Therefore, as a wiring board for electronic parts or a wiring board for mounting electronic parts, a single-sided printed wiring board in which a wiring layer is formed on only one side of an insulating substrate, or a double-sided board in which a wiring layer is formed on both sides of a substrate Instead of a printed wiring board, a multilayer printed wiring board in which insulating layers and wiring layers are alternately laminated on one or both surfaces of a substrate is used.

【0003】従来、多層プリント配線板を製造する方法
としては、絶縁層の両面に互いに電気的に接続された配
線層が形成されてなる複数のコア配線基板と、熱硬化性
樹脂プリプレグシートとを交互に積重して熱圧着するこ
とにより、複数のコア配線基板を絶縁層を介して一体的
に積層する方法(以下、「積層プレス法」という。)が
主流であった。然るに、この積層プレス法においては、
隣接するコア配線基板における配線層間の電気的接続を
行うために、当該配線層間に存在する絶縁層のみを厚み
方向に貫通して伸びる層間短絡部(ベリードバイアおよ
びブラインドバイア)を形成することができず、当該多
層配線板全体を厚み方向に貫通して伸びる層間短絡部
(スルーホール)を形成することが必要となり、そのた
め、高密度の配線層を形成することが困難である。
Conventionally, as a method of manufacturing a multilayer printed wiring board, a plurality of core wiring boards having wiring layers electrically connected to each other on both sides of an insulating layer, and a thermosetting resin prepreg sheet are used. A method in which a plurality of core wiring boards are integrally laminated via an insulating layer by alternately stacking and thermocompression bonding (hereinafter, referred to as “lamination pressing method”) has been the mainstream. However, in this lamination press method,
In order to make an electrical connection between the wiring layers in the adjacent core wiring board, it is impossible to form interlayer short-circuit portions (buried vias and blind vias) extending only through the insulating layer existing between the wiring layers in the thickness direction. In addition, it is necessary to form an interlayer short-circuit portion (through hole) that extends through the entire multilayer wiring board in the thickness direction, and therefore, it is difficult to form a high-density wiring layer.

【0004】このような理由から、最近においては、高
密度の配線層を有する多層プリント配線板を製造する方
法として、コア配線基板上に絶縁層および配線層を一層
毎に順次形成するビルドアップ法が注目されている。こ
のビルドアップ法によれば、各配線層間の電気的接続を
当該配線層間に存在する絶縁層のみを厚み方向に貫通し
て伸びる短絡部によって行うことができるため、高密度
の配線層を形成することが可能である。具体的に説明す
ると、このビルドアップ法においては、コア配線基板の
表面に、形成すべき層間短絡部(バイア)に対応する貫
通孔を有する絶縁層を形成し、その後、この絶縁層にお
ける貫通孔内に層間短絡部を構成する導電体を形成する
と共に、当該絶縁層の表面に配線層を形成し、この工程
を所定回数繰り返すことにより、目的とする多層配線板
が得られる。
For these reasons, recently, as a method of manufacturing a multilayer printed wiring board having a high-density wiring layer, a build-up method in which an insulating layer and a wiring layer are sequentially formed one by one on a core wiring board has been recently adopted. Is attracting attention. According to this build-up method, electrical connection between the wiring layers can be made by a short-circuit portion extending through only the insulating layer existing between the wiring layers in the thickness direction, so that a high-density wiring layer is formed. It is possible. More specifically, in this build-up method, an insulating layer having a through-hole corresponding to an interlayer short-circuit portion (via) to be formed is formed on the surface of the core wiring board, and then the through-hole in the insulating layer is formed. A conductor constituting an interlayer short-circuit portion is formed therein, a wiring layer is formed on the surface of the insulating layer, and this process is repeated a predetermined number of times, thereby obtaining a target multilayer wiring board.

【0005】以上において、コア基板の表面に貫通孔を
有する絶縁層を形成する方法としては、コア基板の表面
に、液状の放射線硬化性樹脂材料を塗布した後、当該塗
布膜に露光処理および現像処理を施すことにより、目的
とする短絡部(バイアホール)に対応する貫通孔を有す
る絶縁層を形成する方法、コア基板の表面に、液状の熱
硬化性樹脂材料を塗布して或いはシートの状の熱硬化性
樹脂材料を配置して加熱処理することにより、絶縁層を
形成し、当該絶縁層に、レーザーを照射することによ
り、目的とする層間短絡部に対応する貫通孔を形成する
方法などが知られている。また、絶縁層の貫通孔内に導
電体を形成する方法としては、無電解メッキ法により、
絶縁層の貫通孔の内面に金属を堆積させて金属薄膜を形
成し、この金属薄膜を電極として、電解メッキ法により
金属を堆積させて所要の厚みの金属層よりなる導電体を
形成する方法、無電解メッキ法により絶縁層の貫通孔の
内面に金属を堆積させて所要の厚みの金属層よりなる導
電体を形成する方法、液状の熱硬化性樹脂材料中に導電
性粉末が分散されてなる導電性ペースト組成物を、例え
ばスクリーン印刷などの印刷法によって絶縁層の貫通孔
内に充填し、当該導電性ペースト組成物の硬化処理を行
うことにより、熱硬化性樹脂中に導電性粉末が分散され
てなる導電体を形成する方法などが知られている。
In the above, as a method for forming an insulating layer having a through hole on the surface of a core substrate, a liquid radiation curable resin material is applied to the surface of the core substrate, and then the coating film is exposed to light and developed. A method of forming an insulating layer having a through hole corresponding to a target short-circuited portion (via hole) by performing a process, a method of applying a liquid thermosetting resin material on the surface of a core substrate or forming a sheet. A method of forming an insulating layer by arranging a thermosetting resin material of the above and performing a heat treatment, and irradiating the insulating layer with a laser to form a through hole corresponding to a target interlayer short-circuit portion. It has been known. In addition, as a method of forming a conductor in the through hole of the insulating layer, by an electroless plating method,
A method of forming a metal thin film by depositing a metal on the inner surface of the through hole of the insulating layer to form a metal thin film, using the thin metal film as an electrode, and depositing a metal by electrolytic plating to form a conductor having a metal layer of a required thickness; A method in which a metal is deposited on the inner surface of a through hole of an insulating layer by an electroless plating method to form a conductor made of a metal layer having a required thickness, and a conductive powder is dispersed in a liquid thermosetting resin material. The conductive paste composition is filled into the through-holes of the insulating layer by a printing method such as screen printing, and the conductive paste composition is cured to disperse the conductive powder in the thermosetting resin. There is known a method of forming a conductor formed by such a method.

【0006】而して、このようなビルドアップ法におい
ては、絶縁層を形成する毎に、当該絶縁層にその厚み方
向に貫通する層間短絡部を形成することが必要である。
しかしながら、メッキ法によって層間短絡部を形成する
場合には、メッキによる金属の析出速度が低いため、所
要の厚みの金属層を形成するためには、相当に長い時間
を要し、従って、高い生産性が得られない、という問題
がある。一方、導電性ペースト組成物により層間短絡部
を形成する場合には、当該導電性ペースト組成物が一般
に粘度が高い(例えば25℃で100Pa・s)もので
あるため、絶縁層の貫通孔の径が小さいものであるとき
には、当該貫通孔内に導電性ペースト組成物を確実に充
填することが困難であり、従って、接続信頼性の高い多
層配線板が得られない、という問題がある。
Thus, in such a build-up method, every time an insulating layer is formed, it is necessary to form an interlayer short-circuit portion penetrating the insulating layer in the thickness direction.
However, when the interlayer short-circuit portion is formed by the plating method, it takes a considerably long time to form a metal layer having a required thickness because the deposition rate of metal by plating is low. There is a problem that the property cannot be obtained. On the other hand, when an interlayer short-circuit portion is formed with the conductive paste composition, the conductive paste composition generally has a high viscosity (for example, 100 Pa · s at 25 ° C.), so that the diameter of the through hole of the insulating layer is large. Is small, it is difficult to reliably fill the through-hole with the conductive paste composition, and therefore, there is a problem that a multilayer wiring board having high connection reliability cannot be obtained.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
生産性が高く、接続信頼性の高い多層配線板を提供する
ことにある。本発明の他の目的は、生産性が高く、接続
信頼性の高い多層配線板を製造することができる方法を
提供することにある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made based on the above circumstances, and its object is to provide:
An object is to provide a multilayer wiring board having high productivity and high connection reliability. Another object of the present invention is to provide a method capable of manufacturing a multilayer wiring board having high productivity and high connection reliability.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線板は、
絶縁性基板の両面に互いに電気的に接続された基板配線
層が形成されてなるコア配線基板と、このコア配線基板
の少なくとも一面に積層された絶縁層と、この絶縁層上
に形成された配線層と、この配線層を前記基板配線層に
電気的に接続する、前記絶縁層をその厚み方向に貫通し
て伸びる層間短絡部とを有する多層配線板であって、前
記層間短絡部は、高分子物質中に導電性微粒子が含有さ
れてなる導電体よりなり、当該導電体は、水性媒体中に
導電性微粒子と重合性化合物および重合体の少なくとも
一方からなる有機粒子とが分散されてなる電着液中にお
いて電着処理されることにより形成されたものであるこ
とを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a multilayer wiring board comprising:
A core wiring board in which board wiring layers electrically connected to each other are formed on both surfaces of an insulating substrate; an insulating layer laminated on at least one surface of the core wiring board; and wiring formed on the insulating layer A multi-layer wiring board having a layer and an interlayer short-circuit portion extending through the insulating layer in a thickness direction thereof for electrically connecting the wiring layer to the substrate wiring layer, wherein the interlayer short-circuit portion is high. A conductive material comprising conductive fine particles contained in a molecular substance. The conductive material is obtained by dispersing conductive fine particles and organic particles comprising at least one of a polymerizable compound and a polymer in an aqueous medium. It is characterized by being formed by performing an electrodeposition process in the liquid.

【0009】本発明の多層配線板においては、前記コア
配線基板は、その絶縁性基板の両面に形成された基板配
線層を互いに電気的に接続する、当該絶縁性基板をその
厚み方向に貫通して伸びる基板短絡部を有し、当該基板
短絡部は、高分子物質中に導電性微粒子が含有されてな
る導電体よりなり、当該導電体は、水性媒体中に導電性
微粒子と重合性化合物および重合体の少なくとも一方か
らなる有機粒子とが分散されてなる電着液中において電
着処理されることにより形成されたものであることが好
ましい。また、前記層間短絡部および/または前記基板
短絡部を構成する導電体における導電性微粒子の割合が
体積分率で40〜80%であることが好ましい。
In the multilayer wiring board of the present invention, the core wiring board electrically connects board wiring layers formed on both surfaces of the insulating board to each other, and penetrates the insulating board in a thickness direction thereof. The substrate short-circuited portion extends, the substrate short-circuited portion is made of a conductive material containing conductive fine particles in a polymer substance, the conductive material, the conductive fine particles and a polymerizable compound in an aqueous medium and It is preferably formed by performing an electrodeposition treatment in an electrodeposition solution in which organic particles comprising at least one of polymers are dispersed. Further, it is preferable that the ratio of the conductive fine particles in the conductor constituting the interlayer short-circuit portion and / or the substrate short-circuit portion is 40 to 80% by volume fraction.

【0010】本発明の多層配線板の製造方法は、絶縁性
基板と、この絶縁性基板の一面に形成された基板配線層
と、前記絶縁性基板の他面に形成され、当該基板配線層
に電気的に接続された金属層とよりなるコア配線基板材
を用意し、このコア配線基板材の一面に、その基板配線
層上に形成すべき層間短絡部に対応して形成された貫通
孔を有する絶縁層を形成し、この絶縁層が形成されたコ
ア配線基板材における基板配線部を析出用電極として、
水性媒体中に導電性微粒子と重合性化合物および重合体
の少なくとも一方からなる有機粒子とが分散されてなる
電着液中において電着処理することにより、当該絶縁層
の貫通孔内に層間短絡部を構成する導電体を形成する工
程を有することを特徴とする。
The method of manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention comprises the steps of: forming an insulating substrate; a substrate wiring layer formed on one surface of the insulating substrate; and a substrate wiring layer formed on the other surface of the insulating substrate. A core wiring board material made of an electrically connected metal layer is prepared, and a through hole formed on one surface of the core wiring board material corresponding to an interlayer short-circuit portion to be formed on the board wiring layer. Forming an insulating layer having, the substrate wiring portion of the core wiring substrate material on which the insulating layer is formed as a deposition electrode,
By performing electrodeposition in an electrodeposition solution in which conductive fine particles and organic particles comprising at least one of a polymerizable compound and a polymer are dispersed in an aqueous medium, an interlayer short-circuit portion is formed in a through hole of the insulating layer. And a step of forming a conductor constituting

【0011】本発明の多層配線板の製造方法において
は、絶縁性基板と、この絶縁性基板の少なくとも他面に
形成された金属層とを有する基板形成材料を用意し、こ
の基板形成材料における絶縁性基板にその厚み方向に貫
通する貫通孔を形成し、この基板形成材料における金属
層を析出用電極として、水性媒体中に導電性微粒子と重
合性化合物および重合体の少なくとも一方からなる有機
粒子とが分散されてなる電着液中において電着処理する
ことにより、当該絶縁性基板の貫通孔内に基板短絡部を
構成する導電体を形成し、その後、絶縁性基板の一面に
基板配線部を形成することにより、前記コア配線基板材
を形成することが好ましい。また、前記電着液における
導電性微粒子と有機粒子との割合が体積比で80:20
〜40:60であることが好ましい。
In the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, a substrate forming material having an insulating substrate and a metal layer formed on at least the other surface of the insulating substrate is prepared. Forming a through-hole penetrating the conductive substrate in the thickness direction thereof, and using a metal layer in the substrate forming material as an electrode for deposition, in an aqueous medium, conductive fine particles and organic particles comprising at least one of a polymerizable compound and a polymer. Is formed in the electrodeposition liquid in which the conductive material constituting the substrate short-circuit portion is formed in the through-hole of the insulating substrate, and then the substrate wiring portion is formed on one surface of the insulating substrate. It is preferable that the core wiring board material is formed by forming. Further, the ratio of the conductive fine particles to the organic particles in the electrodeposition liquid is 80:20 by volume ratio.
4040: 60 is preferred.

【0012】[0012]

【作用】導電性微粒子および有機粒子が分散されてなる
電着液中において、基板配線層を析出用電極として電着
処理されることによって、層間短絡部が短時間で形成さ
れるため、多層配線板の製造において高い生産性が得ら
れる。電着液として、粘度が低いものを容易に調製する
ことができ、このような電着液を用いることにより、絶
縁層に形成された貫通孔の径が小さいものであっても、
当該貫通孔内に十分に進入する結果、所期の層間短絡部
を確実に形成することができ、従って、接続信頼性が高
い多層配線板が得られる。
In an electrodeposition solution in which conductive fine particles and organic particles are dispersed, an electrode short-circuit portion is formed in a short time by performing electrodeposition using the substrate wiring layer as a deposition electrode. High productivity is obtained in the manufacture of boards. As the electrodeposition liquid, it is possible to easily prepare a low-viscosity one, and by using such an electrodeposition liquid, even if the diameter of the through-hole formed in the insulating layer is small,
As a result of sufficiently penetrating into the through hole, an intended interlayer short-circuit portion can be reliably formed, and a multilayer wiring board having high connection reliability can be obtained.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図1は、本発明に係る多層配線板の
一例における構成を示す説明用断面図である。この多層
配線板は、コア配線基板10を有し、このコア配線基板
10においては、絶縁性基板11の上面に、第1の基板
配線層12が形成され、当該絶縁性基板11の下面に、
第2の基板配線層13が形成されており、第1の基板配
線層12および第2の基板配線層13は、絶縁性基板1
1をその厚み方向に貫通して伸びる基板短絡部14によ
って互いに電気的に接続されている。コア配線基板10
の上面には、上部絶縁層20が形成され、この上部絶縁
層20の上面には、上部配線層21が形成されており、
この上面配線層21は、上部絶縁層20をその厚み方向
に貫通して伸びる層間短絡部22によって第1の基板配
線層12に電気的に接続されている。また、上部配線層
21を含む上部絶縁層20の上面には、当該上部配線層
21における部品接続用ランドを露出させる開口26を
有するソルダーレジスト層25が設けられている。一
方、コア配線基板10の下面には、下部絶縁層30が形
成され、この下部絶縁層30の下面には、下部配線層3
1が形成されており、この下部配線層31は、下部絶縁
層30をその厚み方向に貫通して伸びる層間短絡部32
によって第2の基板配線層13に電気的に接続されてい
る。また、下部配線層31を含む下部絶縁層30の上面
には、当該下部配線層31における部品接続用ランドを
露出させる開口36を有するソルダーレジスト層35が
設けられている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail. FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of an example of a multilayer wiring board according to the present invention. This multilayer wiring board has a core wiring substrate 10, in which a first substrate wiring layer 12 is formed on an upper surface of an insulating substrate 11, and a lower surface of the insulating substrate 11 is formed on the lower surface of the insulating substrate 11.
A second substrate wiring layer 13 is formed, and the first substrate wiring layer 12 and the second substrate wiring layer 13
1 are electrically connected to each other by a substrate short-circuit portion 14 extending through the thickness direction. Core wiring board 10
An upper insulating layer 20 is formed on the upper surface of the substrate, and an upper wiring layer 21 is formed on the upper surface of the upper insulating layer 20,
The upper surface wiring layer 21 is electrically connected to the first substrate wiring layer 12 by an interlayer short-circuit portion 22 extending through the upper insulating layer 20 in the thickness direction. Further, on the upper surface of the upper insulating layer 20 including the upper wiring layer 21, a solder resist layer 25 having an opening 26 exposing a component connection land in the upper wiring layer 21 is provided. On the other hand, a lower insulating layer 30 is formed on the lower surface of the core wiring substrate 10, and the lower wiring layer 3 is formed on the lower surface of the lower insulating layer 30.
The lower wiring layer 31 is formed by an interlayer short-circuit portion 32 extending through the lower insulating layer 30 in the thickness direction.
Is electrically connected to the second substrate wiring layer 13. Further, on the upper surface of the lower insulating layer 30 including the lower wiring layer 31, a solder resist layer 35 having an opening 36 for exposing the component connection land in the lower wiring layer 31 is provided.

【0014】コア配線基板10における絶縁性基板11
を構成する材料としては、耐熱性の高い絶縁性樹脂材料
を用いることが好ましく、その具体例としては、ガラス
繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド
樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補
強型ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられる。
また、基板短絡部14としては、従来プリント配線板に
使用されている種々の構成のもの、例えば無電解メッキ
および電解メッキによる筒状の金属堆積体よりなるも
の、熱硬化性樹脂材料中に導電性粒子が分散されてなる
導電性ペースト材料の硬化物よりなるものなどを用いる
ことができるが、後述する層間短絡部22および層間短
絡部32を構成する材料、すなわち水性媒体中に導電性
微粒子と重合性化合物および重合体の少なくとも一方か
らなる有機粒子とが分散されてなる電着液中において電
着処理されることにより形成された導電体よりなるもの
を用いることが好ましい。
Insulating substrate 11 in core wiring substrate 10
It is preferable to use an insulating resin material having high heat resistance as a material for forming the resin. Specific examples thereof include glass fiber reinforced epoxy resin, glass fiber reinforced polyimide resin, glass fiber reinforced phenol resin, and glass fiber. Reinforced bismaleimide triazine resin, polyimide resin,
Examples thereof include a polyamide resin and a polyester resin.
The substrate short-circuit portion 14 may be any of various structures conventionally used for printed wiring boards, for example, a cylindrical metal deposit formed by electroless plating and electrolytic plating, or a conductive material in a thermosetting resin material. A conductive paste material in which conductive particles are dispersed may be used, but the material constituting the interlayer short-circuit portion 22 and the interlayer short-circuit portion 32 described later, that is, the conductive fine particles may be used in an aqueous medium. It is preferable to use a conductive material formed by performing an electrodeposition treatment in an electrodeposition solution in which organic particles comprising at least one of a polymerizable compound and a polymer are dispersed.

【0015】上部絶縁層20および下部絶縁層30を構
成する材料としては、従来プリント配線板に使用されて
いる種々の熱硬化性樹脂材料または放射線硬化性樹脂材
料を用いることができる。
As the material constituting the upper insulating layer 20 and the lower insulating layer 30, various thermosetting resin materials or radiation curable resin materials conventionally used for printed wiring boards can be used.

【0016】上部絶縁層20および下部絶縁層30に形
成された層間短絡部22,32は、高分子物質中に導電
性微粒子が含有されてなる導電体により構成されてお
り、この導電体は、特定の電着液中において電着処理さ
れることにより形成されたものである。そして、層間短
絡部22,32を形成するための特定の電着液は、水性
媒体中に導電性微粒子と重合性化合物および重合体の少
なくとも一方からなる有機粒子とが分散されてなるもの
である。以下、本発明において用いられる電着液につい
て説明する。
The interlayer short-circuit portions 22 and 32 formed on the upper insulating layer 20 and the lower insulating layer 30 are made of a conductor containing conductive fine particles in a polymer substance. It is formed by performing an electrodeposition treatment in a specific electrodeposition liquid. The specific electrodeposition liquid for forming the interlayer short-circuit portions 22 and 32 is obtained by dispersing conductive fine particles and organic particles comprising at least one of a polymerizable compound and a polymer in an aqueous medium. . Hereinafter, the electrodeposition liquid used in the present invention will be described.

【0017】(1)導電性微粒子:電着液に用いられる
導電性微粒子を構成する材料としては、導電性を示すも
のであれば特に限定されないが、長期間にわたって安定
した導電性が得られる点で、酸化されにくいものが好ま
しい。このような導電性材料の具体例としては、金、
銀、銅、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、パラジウム、
白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウ
ム、オスミウム、クロム、タングステン、タンタル、チ
タン、ビスマス、鉛、ホウ素、ケイ素、スズおよびバリ
ウムから選択される金属またはこれらの合金などが挙げ
られる。また、導電性微粒子としては、材質の異なる二
種以上の微粒子を併用してもよい。さらに、導電性微粒
子は、体積抵抗率10-5Ω・cm以下の材料からなるこ
とが好ましく、7×10-6Ω・cm以下の材料からなる
ことがより好ましい。
(1) Conductive fine particles: The material constituting the conductive fine particles used in the electrodeposition liquid is not particularly limited as long as it shows conductivity, but a stable conductivity can be obtained for a long period of time. And those which are not easily oxidized are preferable. Specific examples of such conductive materials include gold,
Silver, copper, aluminum, zinc, nickel, palladium,
Examples include metals selected from platinum, cobalt, rhodium, iridium, iron, ruthenium, osmium, chromium, tungsten, tantalum, titanium, bismuth, lead, boron, silicon, tin and barium, and alloys thereof. Further, as the conductive fine particles, two or more kinds of fine particles having different materials may be used in combination. Further, the conductive fine particles are preferably made of a material having a volume resistivity of 10 −5 Ω · cm or less, more preferably 7 × 10 −6 Ω · cm or less.

【0018】上記導電性微粒子は、その数平均粒子径が
1μm以下のものであることが好ましく、より好ましく
は0.5μm以下、特に好ましくは0.3μm以下であ
る。この数平均粒子径が1μmを超える場合には、当該
導電性粒子は電着液中において沈降しやすいものとな
り、当該電着液の貯蔵安定性が低いものとなりやすい。
一方、導電性微粒子の数平均粒子径の下限は特に限定さ
れないが、通常は0.02μm以上である。なお、本明
細書中において「粒子径」とは、一次粒子径を指すもの
とする。このような導電性微粒子としては、当該微粒子
を容易に製造することができる点で、化学蒸着法(以
下、「CVD法」という。)、電解法、還元法等により
製造された金属微粒子が好ましく使用される。
The conductive fine particles preferably have a number average particle diameter of 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, particularly preferably 0.3 μm or less. When the number average particle size exceeds 1 μm, the conductive particles tend to settle in the electrodeposition solution, and the storage stability of the electrodeposition solution tends to be low.
On the other hand, the lower limit of the number average particle diameter of the conductive fine particles is not particularly limited, but is usually 0.02 μm or more. In addition, in this specification, "particle diameter" shall mean a primary particle diameter. As such conductive fine particles, metal fine particles manufactured by a chemical vapor deposition method (hereinafter, referred to as a “CVD method”), an electrolytic method, a reduction method, or the like are preferable because the fine particles can be easily manufactured. used.

【0019】(2)有機粒子:電着液に用いられる有機
粒子は、重合性化合物および重合体の少なくとも一方か
らなるものである。ここで、「重合性化合物」とは、重
合性基を有する化合物をいい、完全に硬化される前の前
駆体としての重合体、重合性オリゴマー、単量体などが
含まれる。一方、「重合体」とは、実質的に重合反応が
完了した化合物をいう。ただし、加熱、湿気などにより
電着後に架橋させることが可能なものであってもよい。
有機粒子は、電着が可能なものであればよく、具体的に
は、その表面に電荷を有するものであることが好まし
く、この表面電荷はアニオン型でもカチオン型でもよ
い。なお、導電性微粒子の材質が銅である場合には、当
該電着液の保存安定性が良好である点で、有機粒子の表
面電荷がカチオン型のものが好ましい。
(2) Organic particles: The organic particles used in the electrodeposition solution are composed of at least one of a polymerizable compound and a polymer. Here, the “polymerizable compound” refers to a compound having a polymerizable group, and includes a polymer, a polymerizable oligomer, a monomer, and the like as a precursor before being completely cured. On the other hand, “polymer” refers to a compound in which a polymerization reaction has been substantially completed. However, a material which can be crosslinked after electrodeposition by heating, moisture, or the like may be used.
The organic particles only need to be capable of being electrodeposited. Specifically, it is preferable that the organic particles have a charge on the surface, and the surface charge may be an anionic type or a cationic type. In addition, when the material of the conductive fine particles is copper, the surface charge of the organic particles is preferably a cationic type in that the storage stability of the electrodeposition solution is good.

【0020】上記有機粒子は、アクリル系樹脂、エポキ
シ系樹脂、ポリエステル系樹脂、およびポリイミド系樹
脂から選択される一種または二種以上の樹脂成分を含有
してなるものであることが好ましい。また、これらの樹
脂成分以外に他の成分が含有されていてもよく、さら
に、これらの樹脂成分と他の成分とが互いに化学的に結
合されていてもよい。また、有機粒子としては、機械的
特性、化学的特性および電気的特性に優れた導電体を形
成しやすいことから、ポリイミド系樹脂を主成分とする
ものを用いることが特に好ましい。ここで、「ポリイミ
ド系樹脂」とは、ポリイミド樹脂または電着後の加熱な
どにより硬化可能な前駆体としての重合体(例えばポリ
アミック酸など)、ポリイミド樹脂の形成に用いられる
単量体と他の単量体との共重合体樹脂またはその前駆体
としての重合体、ポリイミド樹脂またはその前駆体とし
ての重合体と他の化合物との反応物、さらにポリイミド
系樹脂の形成に用いられる単量体、オリゴマーなどをも
含む意味であり、他の樹脂についても同様である。
The organic particles preferably contain one or more resin components selected from acrylic resins, epoxy resins, polyester resins, and polyimide resins. Further, other components may be contained in addition to these resin components, and further, these resin components and other components may be chemically bonded to each other. Further, as the organic particles, it is particularly preferable to use a material containing a polyimide-based resin as a main component, since it is easy to form a conductor having excellent mechanical properties, chemical properties, and electrical properties. Here, the “polyimide resin” refers to a polyimide resin or a polymer (eg, polyamic acid or the like) as a precursor that can be cured by heating after electrodeposition, a monomer used for forming the polyimide resin, and other components. A copolymer resin as a monomer or a polymer as a precursor thereof, a polyimide resin or a reaction product of a polymer as a precursor thereof and another compound, and a monomer used to form a polyimide resin, The meaning includes oligomers and the like, and the same applies to other resins.

【0021】このような有機粒子は、通常、当該有機粒
子が水性媒体中に分散した水性エマルジョンとして調製
される。以下、主としてアクリル系樹脂からなる有機粒
子の水性エマルジョン(以下、「アクリル系樹脂エマル
ジョン」という。)、主としてエポキシ系樹脂からなる
有機粒子の水性エマルジョン(以下、「エポキシ系樹脂
エマルジョン」という。)、主としてポリエステル系樹
脂からなる有機粒子の水性エマルジョン(以下、「ポリ
エステル系樹脂エマルジョン」という。)、および主と
してポリイミド系樹脂からからなる有機粒子の水性エマ
ルジョン(以下、「ポリイミド系樹脂エマルジョン」と
いう。)の製造方法について説明する。
Such organic particles are usually prepared as an aqueous emulsion in which the organic particles are dispersed in an aqueous medium. Hereinafter, an aqueous emulsion of organic particles mainly composed of an acrylic resin (hereinafter, referred to as "acrylic resin emulsion"), an aqueous emulsion of organic particles mainly composed of an epoxy resin (hereinafter, referred to as "epoxy resin emulsion"), An aqueous emulsion of organic particles mainly composed of a polyester resin (hereinafter, referred to as "polyester resin emulsion") and an aqueous emulsion of organic particles mainly composed of a polyimide resin (hereinafter, referred to as "polyimide resin emulsion"). The manufacturing method will be described.

【0022】(i)アクリル系樹脂エマルジョンの製造
方法:アクリル系樹脂エマルジョンの製造方法は、特に
限定されるものではないが、例えば通常の乳化重合法
や、アルコール等の有機溶媒中で重合させた反応液を水
中に攪拌しながら添加して樹脂を分散させる方法を用い
ることができる。単量体としては、一般的なアクリル系
単量体および/またはメタクリル系単量体から選択され
る一種または二種以上の単量体を用いればよい。このと
き、有機粒子を電着可能なものとするために、通常はカ
チオン性基またはアニオン性基を有する単量体を共重合
させる。その共重合割合は、用いられる全単量体に対し
て5〜80重量%、特に10〜50重量%であることが
好ましい。
(I) Method for producing acrylic resin emulsion: The method for producing the acrylic resin emulsion is not particularly limited. For example, a conventional emulsion polymerization method or polymerization in an organic solvent such as alcohol is used. A method in which the reaction solution is added to water while stirring to disperse the resin can be used. As the monomer, one or more monomers selected from general acrylic monomers and / or methacrylic monomers may be used. At this time, in order to make the organic particles electrodepositable, a monomer having a cationic group or an anionic group is usually copolymerized. The copolymerization ratio is preferably from 5 to 80% by weight, particularly preferably from 10 to 50% by weight, based on all monomers used.

【0023】(ii)エポキシ系樹脂エマルジョンの製造
方法:エポキシ系樹脂エマルジョンの製造方法は、特に
限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば特開
平9−235495号公報、特開平9−208865号
公報に記載の方法などを用いることができる。
(Ii) Production method of the epoxy resin emulsion: The production method of the epoxy resin emulsion is not particularly limited, and conventionally known methods, for example, JP-A-9-235495 and JP-A-9-208865. For example, a method described in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-208 can be used.

【0024】(iii)ポリエステル系樹脂エマルジョンの
製造方法:ポリエステル系樹脂エマルジョンの製造方法
は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例
えば特開昭57−10663号公報、特開昭57−70
153号公報、特開昭58−174421号公報に記載
の方法などを用いることができる。
(Iii) Method for producing polyester resin emulsion: The method for producing the polyester resin emulsion is not particularly limited, and conventionally known methods, for example, JP-A-57-10663 and JP-A-57-10663 −70
153 and JP-A-58-174421.

【0025】(iv)ポリイミド系樹脂エマルジョンの製
造方法:ポリイミド系樹脂エマルジョンの製造方法は、
特に限定されるものではないが、好ましいポリイミド系
樹脂エマルジョンおよびその製造方法として、下記のも
のが挙げられる。 (イ)(A)有機溶媒可溶性のポリイミドと(B)親水
性ポリマーとの複合粒子からなるポリイミド系樹脂エマ
ルジョン。このポリイミド系樹脂エマルジョンは、例え
ば特開平11−49951公報に記載の方法により好ま
しく製造することができる。 (ロ)(C)ポリアミック酸と(D)疎水性化合物との
複合粒子を含む粒子からなるポリイミド系樹脂エマルジ
ョン。このポリイミド系樹脂エマルジョンは、例えば特
開平11−60947号公報に記載の方法により好まし
く製造することができる。 これらのポリイミド系樹脂エマルジョンは、水性分散体
としての保存安定性に優れるとともに、このエマルジョ
ン中の粒子を電着することによりポリイミド本来の耐熱
性、電気絶縁性、機械的特性、耐薬品性等が保持された
電着膜を形成可能であるため好ましい。
(Iv) Method for producing polyimide resin emulsion: The method for producing the polyimide resin emulsion is as follows.
Although not particularly limited, preferred polyimide resin emulsions and methods for producing the same include the following. (A) A polyimide resin emulsion comprising composite particles of (A) an organic solvent-soluble polyimide and (B) a hydrophilic polymer. This polyimide resin emulsion can be preferably produced, for example, by the method described in JP-A-11-49951. (B) A polyimide resin emulsion comprising particles containing composite particles of (C) a polyamic acid and (D) a hydrophobic compound. This polyimide resin emulsion can be preferably produced, for example, by the method described in JP-A-11-60947. These polyimide-based resin emulsions have excellent storage stability as an aqueous dispersion and have the inherent heat resistance, electrical insulation, mechanical properties, chemical resistance, etc. of polyimide by electrodepositing the particles in this emulsion. This is preferable because a held electrodeposition film can be formed.

【0026】上記(イ)のポリイミド系樹脂エマルジョ
ンおよびその製造方法についてさらに詳しく説明する。
「(A)有機溶媒可溶性のポリイミド」の合成法は、特
に限定されるものではないが、例えば、有機極性溶媒中
において、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物
とを混合して重縮合させてポリアミック酸を調製した
後、該ポリアミック酸を加熱イミド化法または化学イミ
ド化法により脱水閉環反応させることにより、ポリイミ
ドを合成する方法を用いることができる。また、テトラ
カルボン酸二無水物とジアミン化合物との重縮合を多段
階で行うことにより、ブロック構造を有するポリイミド
を合成することも可能である。この有機溶媒可溶性のポ
リイミドは、例えば、カルボキシル基、アミノ基、水酸
基、スルホン酸基、アミド基、エポキシ基、イソシアネ
ート基等の反応性基(a)を1種以上有することが好ま
しい。反応性基(a)を有するポリイミドの合成方法と
しては、例えば、ポリアミック酸の合成に使用されるカ
ルボン酸二無水物、ジアミン化合物、カルボン酸一無水
物、モノアミン化合物等の反応原料として、反応性基
(a)を有する化合物を使用し、脱水閉環反応後に反応
性基(a)を残存させる方法等を挙げることができる。
The polyimide resin emulsion (a) and the method for producing the same will be described in more detail.
The method for synthesizing “(A) an organic solvent-soluble polyimide” is not particularly limited. For example, a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound are mixed and polycondensed in an organic polar solvent. After preparing a polyamic acid, a method of synthesizing a polyimide by subjecting the polyamic acid to a dehydration ring-closing reaction by a heat imidation method or a chemical imidization method can be used. In addition, a polyimide having a block structure can be synthesized by performing polycondensation of a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in multiple stages. The organic solvent-soluble polyimide preferably has, for example, one or more reactive groups (a) such as a carboxyl group, an amino group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, an amide group, an epoxy group, and an isocyanate group. As a method for synthesizing a polyimide having a reactive group (a), for example, a reactive raw material such as a carboxylic dianhydride, a diamine compound, a carboxylic monoanhydride, or a monoamine compound used for the synthesis of polyamic acid may be used. Examples of the method include using a compound having the group (a) and leaving the reactive group (a) after the dehydration ring closure reaction.

【0027】「(B)親水性ポリマー」は、親水性基と
して、例えば、アミノ基、カルボキシル基、水酸基、ス
ルホン酸基、アミド基等を1種以上有し、水に対する2
0℃の溶解度が、通常、0.01g/100g以上、好
ましくは0.05g/100g以上のものである。前記
親水性基に加えて、前記(A)成分中の反応性基(a)
と反応しうる反応性基(b)を1種以上有することが好
ましい。このような反応性基(b)としては、例えば、
エポキシ基、イソシアネート基、カルボキシル基のほ
か、前記親水性基と同様の基等を挙げることができる。
このような親水性ポリマーは、親水性基および/または
反応性基(b)を有するモノビニル単量体を単独重合ま
たは共重合させるか、あるいはこれらのモノビニル単量
体と他の単量体とを共重合させることにより得ることが
できる。
The “(B) hydrophilic polymer” has, for example, at least one kind of hydrophilic group such as an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group and an amide group.
The solubility at 0 ° C. is usually 0.01 g / 100 g or more, preferably 0.05 g / 100 g or more. In addition to the hydrophilic group, the reactive group (a) in the component (A)
It is preferable to have at least one type of reactive group (b) that can react with. As such a reactive group (b), for example,
In addition to an epoxy group, an isocyanate group, and a carboxyl group, groups similar to the above-mentioned hydrophilic groups can be exemplified.
Such a hydrophilic polymer is obtained by homopolymerizing or copolymerizing a monovinyl monomer having a hydrophilic group and / or a reactive group (b), or combining these monovinyl monomers with other monomers. It can be obtained by copolymerization.

【0028】この(A)有機溶媒可溶性のポリイミドと
(B)親水性ポリマーとを、反応性基(a)と親水性ポ
リマー中の反応性基(b)とが適切な反応性を有する組
み合わせとなるように選択し、当該ポリイミドと当該親
水性ポリマーとを、例えば有機溶媒中にて溶液状態で混
合して、必要に応じて加熱しながら、両者を反応させ、
その後、この反応溶液と水性媒体とを混合し、必要に応
じて有機溶媒の少なくとも一部を除去することにより、
当該ポリイミドと当該親水性ポリマーとが相互に結合し
た状態で同一粒子内に含有された複合粒子を有するポリ
イミド系樹脂エマルジョンを得ることができる。
This (A) organic solvent-soluble polyimide and (B) a hydrophilic polymer are combined with a combination in which the reactive group (a) and the reactive group (b) in the hydrophilic polymer have appropriate reactivity. It is selected so that the polyimide and the hydrophilic polymer are mixed in a solution state in, for example, an organic solvent, and, if necessary, are reacted while heating,
Thereafter, by mixing the reaction solution and the aqueous medium and removing at least a part of the organic solvent as necessary,
With the polyimide and the hydrophilic polymer bonded to each other, a polyimide resin emulsion having composite particles contained in the same particle can be obtained.

【0029】次に、上記(ロ)のポリイミド系樹脂エマ
ルジョンおよびその製造方法についてさらに詳しく説明
する。ポリイミドの前駆体である「(C)ポリアミック
酸」の合成法は、特に限定されるものではないが、例え
ば、有機極性溶媒中、テトラカルボン酸二無水物とジア
ミン化合物との重縮合反応によりポリアミック酸を調製
することができる。また、テトラカルボン酸二無水物と
ジアミン化合物との重縮合反応を多段階で行うことによ
り、ブロック構造を有するポリアミック酸を合成するこ
とも可能である。なお、ポリアミック酸は、脱水閉環さ
せることにより部分的にイミド化したものであってもよ
い。
Next, the polyimide resin emulsion (b) and the method for producing the same will be described in more detail. The method for synthesizing “(C) polyamic acid”, which is a precursor of polyimide, is not particularly limited. For example, a polyamic acid is obtained by a polycondensation reaction between a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in an organic polar solvent. An acid can be prepared. In addition, a polyamic acid having a block structure can be synthesized by performing a polycondensation reaction between a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in multiple stages. The polyamic acid may be partially imidized by dehydration and ring closure.

【0030】一方、「(D)疎水性化合物」は、前記ポ
リアミック酸中の少なくともアミド酸基と反応しうる基
(以下、「反応性基」という。)を有する化合物であ
る。この反応性基としては、例えば、エポキシ基、イソ
シアナト基、カルボジイミド基、水酸基、メルカプト
基、ハロゲン基、アルキルスルホニル基、アリールスル
ホニル基、ジアゾ基、カルボニル基等を挙げることがで
きる。これらの反応性基は、疎水性化合物中に1種以上
存在することができる。なお、「疎水性」とは、水に対
する20℃の溶解度が、通常、0.05g/100g未
満、好ましくは0.01/100g未満、さらに好まし
くは0.005g/100g未満であることを意味す
る。
On the other hand, the "(D) hydrophobic compound" is a compound having a group capable of reacting with at least an amic acid group in the polyamic acid (hereinafter referred to as "reactive group"). Examples of the reactive group include an epoxy group, an isocyanato group, a carbodiimide group, a hydroxyl group, a mercapto group, a halogen group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, a diazo group, and a carbonyl group. One or more of these reactive groups can be present in the hydrophobic compound. The term “hydrophobic” means that the solubility in water at 20 ° C. is generally less than 0.05 g / 100 g, preferably less than 0.01 / 100 g, and more preferably less than 0.005 g / 100 g. .

【0031】このような疎水性化合物としては、例え
ば、エポキシ化ポリブタジエン、ビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂、ナフタレン系エポキシ樹脂、フルオレン系
エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジル
エステル型エポキシ樹脂、アリルグリシジルエーテル、
グリシジル(メタ)アクリレート、1,3,5,6−テ
トラグリシジル−2,4−ヘキサンジオール、N,N,
N’,N’,−テトラグリシジル−m−キシレンジアミ
ン、トリレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド、ポリカルボジイミド、コレステロール、ベ
ンジルアルコールp−トルエンスルホン酸エステル、ク
ロロ酢酸エチル、トリアジントリチオール、ジアゾメタ
ン、ジアセトン(メタ)アクリルアミド等から選択され
る1種または2種以上を使用することができる。
Examples of such a hydrophobic compound include epoxidized polybutadiene, bisphenol A type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, allyl glycidyl ether,
Glycidyl (meth) acrylate, 1,3,5,6-tetraglycidyl-2,4-hexanediol, N, N,
N ', N',-tetraglycidyl-m-xylenediamine, tolylenediisocyanate, dicyclohexylcarbodiimide, polycarbodiimide, cholesterol, benzyl alcohol p-toluenesulfonic acid ester, ethyl chloroacetate, triazinetrithiol, diazomethane, diacetone (meth) One or more selected from acrylamide and the like can be used.

【0032】この(C)ポリアミック酸と(D)疎水性
化合物とを、例えば、有機溶媒中にて溶液状態で混合し
て反応させ、その後、この反応溶液と水性媒体とを混合
し、必要に応じて有機溶媒の少なくとも一部を除去する
ことにより、ポリアミック酸と疎水性化合物とが同一粒
子内に含有された複合粒子を有するポリイミド系樹脂エ
マルジョンを得ることができる。
The (C) polyamic acid and the (D) hydrophobic compound are mixed and reacted in, for example, an organic solvent in a solution state. Thereafter, the reaction solution is mixed with an aqueous medium, and By removing at least a part of the organic solvent, a polyimide resin emulsion having composite particles containing the polyamic acid and the hydrophobic compound in the same particle can be obtained.

【0033】なお、上記(イ)および(ロ)の方法にお
いて用いられるテトラカルボン酸二無水物は、特に限定
されるものではなく、その具体例としては、ブタンテト
ラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジシ
クロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−
トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、1,3,
3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−5−(テトラヒド
ロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,
2−c]−フラン−1,3−ジオン等の脂肪族テトラカ
ルボン酸二無水物あるいは脂環式テトラカルボン酸二無
水物;ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,
4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物;等を挙げるこ
とができる。これらのテトラカルボン酸二無水物は、単
独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができ
る。
The tetracarboxylic dianhydride used in the methods (a) and (b) is not particularly limited, and specific examples thereof include butanetetracarboxylic dianhydride, 1, 2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-dicyclohexyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,5-
Tricarboxycyclopentylacetic acid dianhydride, 1,3
3a, 4,5,9b-Hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) -naphtho [1,
Aliphatic tetracarboxylic dianhydride or alicyclic tetracarboxylic dianhydride such as 2-c] -furan-1,3-dione; pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-
Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ',
Aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as 4,4'-biphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride; and the like. These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.

【0034】また、上記(イ)および(ロ)の方法にお
いて用いられるジアミン化合物は、特に限定されるもの
ではなく、その具体例としては、p−フェニレンジアミ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビ
ス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
等の芳香族ジアミン類;1,1−メタキシリレンジアミ
ン、1,3−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、4,4’−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)
等の脂肪族ジアミンあるいは脂環式ジアミン類;2,3
−ジアミノピリジン、2,4−ジアミノ−6−ジメチル
アミノ−1,3,5−トリアジン、2,4−ジアミノ−
5−フェニルチアゾール、ビス(4−アミノフェニル)
フェニルアミン等の、分子内に2つの第一級アミノ基お
よび該第一級アミノ基以外の窒素原子を有するジアミン
類;モノ置換フェニレンジアミン類;ジアミノオルガノ
シロキサン;等を挙げることができる。これらのジアミ
ン化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用する
ことができる。
The diamine compound used in the methods (a) and (b) is not particularly limited, and specific examples thereof include p-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, Aromatic diamines such as 1,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane; 1,1-methaxylylenediamine, 1,3-propanediamine, tetramethylenediamine, 4,4′-methylenebis ( Cyclohexylamine)
Aliphatic diamines or alicyclic diamines;
-Diaminopyridine, 2,4-diamino-6-dimethylamino-1,3,5-triazine, 2,4-diamino-
5-phenylthiazole, bis (4-aminophenyl)
Diamines having two primary amino groups and a nitrogen atom other than the primary amino groups in the molecule, such as phenylamine; monosubstituted phenylenediamines; diaminoorganosiloxane; These diamine compounds can be used alone or in combination of two or more.

【0035】(3)電着液:本発明に用いられる電着液
は、上記の導電性微粒子および有機粒子が水性媒体中に
分散されてなるものである。本明細書中において「水性
媒体」とは、水を含有する媒体を意味し、この水性媒体
中における水の含有率は通常2重量%以上、好ましくは
10重量%以上である。水の含有率が2重量%未満であ
る場合には、電着液として用いることが困難となるため
好ましくない。一方、水性媒体における水の含有率過大
である場合には、導電性微粒子等の分散安定性が低下す
るため、水の割合は50重量%以下とすることが好まし
く、より好ましくは40重量%以下、特に好ましくは2
0重量%以下である。必要に応じて水と共に使用される
他の媒体としては、例えば前述したポリアミック酸ある
いはポリイミドの製造に使用される非プロトン性極性溶
媒、エステル類、ケトン類、フェノール類、アルコール
類、アミン類等を挙げることができる。これらの中で
は、導電性微粒子としての金属微粒子の分散安定性の点
から、炭素原子数1〜10のアルコールの一種または二
種以上からなるアルコール類を10〜90重量%、特に
20〜70重量%含有してなるものが好ましい。また、
この水性媒体は、モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン等のアミン類を0.01〜5重量%、特に0.1
〜1重量%含有することが好ましく、これにより、導電
性微粒子の分散安定性が一層向上する。
(3) Electrodeposition liquid: The electrodeposition liquid used in the present invention is obtained by dispersing the above conductive fine particles and organic particles in an aqueous medium. As used herein, the term "aqueous medium" means a medium containing water, and the content of water in the aqueous medium is usually 2% by weight or more, preferably 10% by weight or more. When the content of water is less than 2% by weight, it is not preferable because it becomes difficult to use it as an electrodeposition liquid. On the other hand, when the content of water in the aqueous medium is excessive, the dispersion stability of the conductive fine particles and the like is reduced. Therefore, the proportion of water is preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight or less. And particularly preferably 2
0% by weight or less. As other media used together with water as necessary, for example, the aprotic polar solvent used in the production of the above-mentioned polyamic acid or polyimide, esters, ketones, phenols, alcohols, amines and the like Can be mentioned. Among these, from the viewpoint of the dispersion stability of the metal fine particles as the conductive fine particles, 10 to 90% by weight, particularly 20 to 70% by weight, of one or more alcohols having 1 to 10 carbon atoms is used. % Is preferred. Also,
This aqueous medium contains amines such as monoethanolamine and diethanolamine in an amount of 0.01 to 5% by weight, especially 0.1 to 5% by weight.
Preferably, the content of the fine particles is in the range of 1 to 1% by weight, whereby the dispersion stability of the conductive fine particles is further improved.

【0036】電着液に含まれる導電性微粒子と有機粒子
との割合は、体積比で80:20〜40:60の範囲で
あることが好ましく、より好ましくは80:20〜6
0:40の範囲である。導電性微粒子の割合が導電性微
粒子および有機粒子の合計の40体積%未満である場合
には、得られる導電体は、体積抵抗率が大きいものとな
って、層間短絡部として実用性が小さいものとなること
がある。一方、導電性微粒子の割合が導電性微粒子およ
び有機粒子の合計の80体積%を超える場合には、得ら
れる導電体の形状維持性および絶縁層に対する接着性が
小さいものとなりやすく、また、当該導電体にクラック
などが生じる恐れがある。この電着液のpHは6〜12
の範囲にあることが好ましく、より好ましくは8〜10
である。また、電着液における固形分濃度は、1〜50
重量%であることが好ましく、より好ましくは5〜30
重量%である。また、電着液の20℃における粘度は1
〜100mPa・sであることが好ましい。電着液のp
H、固形分濃度または粘度が上記範囲を外れると、粒子
の分散性等が低下して貯蔵安定性が低いものとなった
り、十分な電着速度が得られず生産性が低下したり、取
り扱い時や使用時の作業性が低下したり、貫通孔内にお
ける細かな形状の部分への電着が困難となったりする場
合がある。
The ratio between the conductive fine particles and the organic particles contained in the electrodeposition liquid is preferably in the range of 80:20 to 40:60 by volume, more preferably 80:20 to 6: 6.
The range is 0:40. When the ratio of the conductive fine particles is less than 40% by volume of the total of the conductive fine particles and the organic particles, the obtained conductor has a large volume resistivity and has a low practicality as an interlayer short-circuit portion. It may be. On the other hand, if the proportion of the conductive fine particles exceeds 80% by volume of the total of the conductive fine particles and the organic particles, the obtained conductor tends to have low shape retention and adhesion to the insulating layer. Cracks may occur in the body. The pH of the electrodeposition solution is 6-12.
And more preferably 8 to 10
It is. The solid content concentration in the electrodeposition solution is 1 to 50.
%, More preferably 5 to 30% by weight.
% By weight. The viscosity of the electrodeposition solution at 20 ° C. is 1
It is preferable that it is 100 mPa * s. Electrodeposition liquid p
If the concentration of H, the solid content or the viscosity is out of the above range, the dispersibility of the particles and the like may be reduced, resulting in low storage stability, or a sufficient electrodeposition rate may not be obtained, and the productivity may be reduced. In some cases, the workability at the time of use or use may be reduced, or it may be difficult to electrodeposit a finely shaped portion in the through hole.

【0037】このような電着液は、上記導電性微粒子を
適宜の有機溶媒に分散させた導電性微粒子分散液と、上
記有機粒子の水性エマルジョンとを混合することにより
好ましく調製される。上記「導電性微粒子分散液」に用
いられる有機溶媒としては、分散安定性および水性エマ
ルジョンの媒体に対する溶解性などの点から、炭素原子
数1〜10のアルコールの一種または二種以上からなる
アルコール系溶媒が好ましく、これらの中では、エチル
アルコール、イソプロピルアルコールまたはこれらの混
合溶媒が特に好ましい。導電性微粒子を有機溶媒に分散
させる方法としては、ホモミキサー、高圧ホモジナイザ
ー、超音波混合機等を用いる方法、あるいはこれらを組
み合わせて使用する方法等が挙げられる。この導電性微
粒子分散液は、導電性微粒子を3〜40重量%の割合で
含有するものであることが好ましく、より好ましくは5
〜30重量%である。
Such an electrodeposition solution is preferably prepared by mixing a conductive fine particle dispersion in which the conductive fine particles are dispersed in an appropriate organic solvent, and an aqueous emulsion of the organic particles. Examples of the organic solvent used in the above-mentioned “conductive fine particle dispersion” include alcohols composed of one or more alcohols having 1 to 10 carbon atoms from the viewpoints of dispersion stability and solubility in an aqueous emulsion medium. Solvents are preferred, and among them, ethyl alcohol, isopropyl alcohol or a mixed solvent thereof is particularly preferred. Examples of a method for dispersing the conductive fine particles in an organic solvent include a method using a homomixer, a high-pressure homogenizer, an ultrasonic mixer, and the like, and a method using a combination thereof. The conductive fine particle dispersion preferably contains conductive fine particles at a ratio of 3 to 40% by weight, more preferably 5 to 40% by weight.
3030% by weight.

【0038】本発明において用いられる電着液には、上
記導電性微粒子および上記有機粒子の他に、下記一般式
(1)で示されるオルガノシラン、このオルガノシラン
の有する加水分解性基の一部または全部が加水分解され
た加水分解物およびこの加水分解物が部分的に脱水縮合
した部分縮合物から選択される少なくとも一種の化合物
(以下、これらを「特定のオルガノシラン系化合物」と
総称する。)が含有されていてもよい。このような電着
液によって形成された導電体は、特に電着後に加熱硬化
させた場合には、当該導電体中において特定のオルガノ
シラン系化合物が架橋することにより、機械的特性およ
び化学的特性に優れたものとなる。
In the electrodeposition solution used in the present invention, in addition to the conductive fine particles and the organic particles, an organosilane represented by the following general formula (1), and a part of the hydrolyzable group of the organosilane Alternatively, at least one compound selected from a hydrolyzate in which all of the hydrolyzate is hydrolyzed and a partial condensate in which the hydrolyzate is partially dehydrated (hereinafter, these are collectively referred to as “specific organosilane compounds”). ) May be contained. The conductor formed by such an electrodeposition liquid, particularly when heat-cured after electrodeposition, is crosslinked by a specific organosilane-based compound in the conductor, resulting in mechanical and chemical properties. It will be excellent.

【0039】[0039]

【化1】一般式(1) (R1)n Si(OR2)4-n Embedded image General formula (1) (R 1 ) n Si (OR 2 ) 4-n

【0040】〔一般式(1)中、R1 は、水素原子また
は炭素数1〜8の一価の有機基を示し、R2 は、炭素数
1〜5のアルキル基、炭素数1〜6のアシル基またはフ
ェニル基を示し、nは1または2の整数である。R1
よびR2 は同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。〕
[In the general formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 8 carbon atoms, and R 2 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and 1 to 6 carbon atoms. And n is an integer of 1 or 2. R 1 and R 2 may be the same or different. ]

【0041】上記一般式(1)において、R1 の炭素数
1〜8の有機基としては、直鎖または分岐を有するアル
キル基、ハロゲン置換されたアルキル基、ビニル基、フ
ェニル基および3,4−エポキシシクロヘキシルエチル
基等を挙げることができる。また、R1 は、カルボニル
基を有していてもよい。また、R1 は、炭素数1〜4の
アルキル基またはフェニル基であることが好ましい。R
2 の炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜6のア
シル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s
ec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル
基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げ
られる。また、R2 は、炭素数1〜4のアルキル基であ
ることが好ましい。
In the above general formula (1), as the organic group having 1 to 8 carbon atoms for R 1 , a linear or branched alkyl group, a halogen-substituted alkyl group, a vinyl group, a phenyl group and a 3,4 -An epoxycyclohexylethyl group and the like. R 1 may have a carbonyl group. R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group. R
Examples of the 2 alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or the acyl group having 1 to 6 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and s.
Examples include an ec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, and the like. Further, R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

【0042】一般式(1)で表されるオルガノシランの
好ましい具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、
ジメチルジエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシ
ラン及びフェニルトリエトキシシランが挙げられる。こ
れらのオルガノシランは、1種単独でまたは2種以上を
組み合わせて用いることができる。
Preferred specific examples of the organosilane represented by the general formula (1) include dimethyldimethoxysilane,
Examples include dimethyldiethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane and phenyltriethoxysilane. These organosilanes can be used alone or in combination of two or more.

【0043】上記「特定のオルガノシラン系化合物」
は、本発明に用いられる電着液中において、上記有機粒
子と複合体粒子を形成していることが好ましい。この
「複合体粒子」とは、上記有機粒子を構成する化合物と
特定のオルガノシラン系化合物とが化学的に結合した状
態で粒子が形成されてなるもの、上記有機粒子の表面ま
たは内部に特定のオルガノシラン系化合物が吸着した状
態で粒子が形成されてなるものなどを意味する。この特
定のオルガノシラン系化合物の使用量は、上記有機粒子
100重量部に対して0.1〜500重量部であること
が好ましく、より好ましくは0.5〜250重量部であ
る。特定のオルガノシラン系化合物の使用量が0.1重
量部未満である場合には、当該特定のオルガノシラン系
化合物を用いることによる効果が十分に得られないこと
があり、一方、特定のオルガノシラン系化合物の使用量
が500重量部を超える場合には、得られる導電体の接
着性などが低下する傾向にある。
The above "specific organosilane compound"
In the electrodeposition solution used in the present invention, the organic particles preferably form composite particles with the organic particles. This `` composite particle '' refers to a particle formed in a state in which the compound constituting the organic particle and the specific organosilane compound are chemically bonded, and a specific particle on the surface or inside of the organic particle. It means that particles are formed while the organosilane compound is adsorbed. The amount of the specific organosilane compound to be used is preferably 0.1 to 500 parts by weight, more preferably 0.5 to 250 parts by weight, based on 100 parts by weight of the organic particles. When the amount of the specific organosilane compound used is less than 0.1 part by weight, the effect of using the specific organosilane compound may not be sufficiently obtained. When the use amount of the system compound exceeds 500 parts by weight, the adhesiveness of the obtained conductor tends to decrease.

【0044】上記複合体粒子は、例えば下記の方法
(a)または方法(b)、或いは方法(a)と方法
(b)とを組み合わせた方法によって製造することがで
きる。方法(a):上記有機粒子のエマルジョンに一般
式(1)で表されるオルガノシランを添加し、当該オル
ガノシランの少なくとも一部を上記有機粒子に吸収させ
た後、このオルガノシランの加水分解反応および縮合反
応を進行させる方法。方法(b):水性媒体に分散され
た特定のオルガノシラン系化合物の存在下で上記有機粒
子を生成させる反応を行う方法。
The composite particles can be produced, for example, by the following method (a) or method (b), or a method combining method (a) and method (b). Method (a): an organosilane represented by the general formula (1) is added to the emulsion of the organic particles, at least a part of the organosilane is absorbed by the organic particles, and then the hydrolysis reaction of the organosilane is performed. And a method of allowing a condensation reaction to proceed. Method (b): a method in which a reaction for generating the organic particles is performed in the presence of a specific organosilane-based compound dispersed in an aqueous medium.

【0045】上記方法(a)において、一般式(1)で
表されるオルガノシランを有機粒子に吸収させるには、
エマルジョン中に当該オルガノシランを添加して十分に
攪拌するなどの方法によればよい。このとき、添加した
オルガノシランのうち10重量%以上、特に30重量%
以上のものを有機粒子に吸収させることが好ましい。ま
た、有機粒子に対するオルガノシランの吸収が不十分な
状態で当該オルガノシランの加水分解・縮合反応が進行
することを抑制するために、反応系のpHを通常4〜1
0、好ましくは5〜10、さらに好ましくは6〜8に調
製することができる。また、オルガノシランを有機粒子
に吸収させるための処理温度は、70℃以下であること
が好ましく、より好ましくは50℃以下、さらに好まし
くは0〜30℃である。処理時間は通常5〜180分間
であり、特に20〜60分間程度とすることが好まし
い。吸収されたオルガノシランを加水分解・縮合させる
際の温度は、通常30℃以上、好ましくは50〜100
℃、より好ましくは70〜90℃であり、反応時間は
0.3〜15時間であることが好ましく、より好ましく
は1〜8時間である。
In the above method (a), in order for the organosilane represented by the general formula (1) to be absorbed by the organic particles,
The method may be such that the organosilane is added to the emulsion and sufficiently stirred. At this time, 10% by weight or more, especially 30% by weight of the added organosilane
It is preferable that the above-mentioned substances are absorbed by organic particles. Further, in order to suppress the progress of the hydrolysis / condensation reaction of the organosilane in a state where the absorption of the organosilane to the organic particles is insufficient, the pH of the reaction system is usually 4 to 1
It can be adjusted to 0, preferably 5 to 10, more preferably 6 to 8. Further, the treatment temperature for absorbing the organosilane into the organic particles is preferably 70 ° C. or lower, more preferably 50 ° C. or lower, and further preferably 0 to 30 ° C. The processing time is usually from 5 to 180 minutes, and particularly preferably about 20 to 60 minutes. The temperature at which the absorbed organosilane is hydrolyzed and condensed is usually 30 ° C. or higher, preferably 50 to 100 ° C.
° C, more preferably 70 to 90 ° C, and the reaction time is preferably 0.3 to 15 hours, more preferably 1 to 8 hours.

【0046】また、上記方法(b)においては、一般式
(1)で表されるオルガノシランを、ホモミキサーまた
は超音波混合機等を用いて、アルキルベンゼンスルホン
酸等の強酸性乳化剤の水溶液中で混合し、加水分解・縮
合させることによって、水性媒体に分散された状態の特
定のオルガノシラン系化合物が得られる。そして、この
特定のオルガノシラン系化合物の存在下で、好ましくは
乳化重合により上記有機粒子を生成させればよい。
In the above method (b), the organosilane represented by the general formula (1) is prepared by using a homomixer or an ultrasonic mixer or the like in an aqueous solution of a strongly acidic emulsifier such as alkylbenzenesulfonic acid. By mixing, hydrolyzing and condensing, a specific organosilane compound dispersed in an aqueous medium can be obtained. Then, in the presence of the specific organosilane compound, the organic particles may be formed preferably by emulsion polymerization.

【0047】このような層間短絡部22,32は、導電
性微粒子が体積分率で40〜80%となる割合で含有さ
れていることが好ましく、より好ましくは60〜80%
である。このような条件が充足されることにより、導電
性が高い、例えば体積抵抗率が好ましくは1×10-4Ω
・cm以下、より好ましくは0.5×10-4Ω・cm以
下の層間短絡部22,32を確実に形成することができ
る。
It is preferable that such interlayer short-circuit portions 22 and 32 contain conductive fine particles at a volume fraction of 40 to 80%, more preferably 60 to 80%.
It is. By satisfying such conditions, the conductivity is high, for example, the volume resistivity is preferably 1 × 10 −4 Ω.
Cm or less, more preferably 0.5 × 10 −4 Ω · cm or less, the interlayer short-circuit portions 22 and 32 can be reliably formed.

【0048】以上のような多層配線板は、例えば以下の
ようにして製造することができる。先ず、図2に示すよ
うに、絶縁性基板11の上面に、第1の基板配線層12
が形成され、当該絶縁性基板11の下面に、基板短絡部
14によって第1の基板配線層12に電気的に接続され
た金属層13Aが形成されてなるコア配線基板材10A
を用意する。このコア配線基板材10Aは、例えば以下
のようにして製造することができる。
The multilayer wiring board as described above can be manufactured, for example, as follows. First, as shown in FIG. 2, a first substrate wiring layer 12 is formed on an upper surface of an insulating substrate 11.
Is formed on the lower surface of the insulating substrate 11, and a metal layer 13A electrically connected to the first substrate wiring layer 12 by the substrate short-circuit portion 14 is formed.
Prepare The core wiring board material 10A can be manufactured, for example, as follows.

【0049】先ず、図3に示すように、絶縁性基板11
の下面に金属層13Aが形成されてなる積層材料10B
を用意し、図4に示すように、この積層材料10Bにお
ける絶縁性基板11に、形成すべき基板短絡部に対応し
て当該絶縁性基板11を厚み方向に貫通する貫通孔14
Hを形成する。次いで、この積層材料10Bに対し、前
述の電着液中において金属層13Aを析出用カソード電
極として電着処理を行うことにより、貫通孔14H内に
おいて、金属層13Aの表面に電着液中の導電性微粒子
および有機粒子が堆積されて堆積体が形成され、この堆
積体を必要に応じて加熱処理することにより、図5に示
すように、絶縁性基板11をその厚み方向に貫通して伸
びる基板短絡部14が形成される。そして、必要に応じ
て絶縁性基板11の上面を研摩処理した後、絶縁性基板
11の上面に第1の基板配線層12を形成することによ
り、図2に示すコア配線基板材10Aが得られる。
First, as shown in FIG.
Material 10B formed by forming a metal layer 13A on the lower surface of
As shown in FIG. 4, a through-hole 14 penetrating through the insulating substrate 11 in the thickness direction corresponding to the substrate short-circuit portion to be formed is formed in the insulating substrate 11 in the laminated material 10B.
Form H. Next, by performing an electrodeposition process on the laminated material 10B using the metal layer 13A as a cathode electrode for deposition in the above-described electrodeposition solution, the surface of the metal layer 13A in the through-hole 14H is covered with the electrodeposition solution. The conductive fine particles and the organic particles are deposited to form a deposit, and the deposit is subjected to a heat treatment as necessary to extend through the insulating substrate 11 in the thickness direction as shown in FIG. The substrate short-circuit portion 14 is formed. Then, after the upper surface of the insulating substrate 11 is polished if necessary, the first substrate wiring layer 12 is formed on the upper surface of the insulating substrate 11, whereby the core wiring substrate material 10A shown in FIG. 2 is obtained. .

【0050】以上において、絶縁性基板11に貫通孔1
4Hを形成する方法としては、小さい径の貫通孔14H
が得られる点で、レーザーを照射する方法を好適に利用
することができる。電着処理の方法としては、厚みを容
易に制御することができる点で、定電圧法を利用するこ
とが好ましい。電着処理の具体的な条件は、電着液中に
含有される導電性微粒子および有機粒子の材質、濃度な
どを考慮して適宜設定されるが、例えば印加電圧が50
〜500V、処理時間が0.5〜200分間である。電
着処理によって形成された堆積体を加熱処理する場合に
おいて、当該加熱処理の条件としては、電着液における
有機粒子の材質等を考慮して適宜設定されるが、例えば
加熱温度が好ましくは100〜400℃、より好ましく
は150〜300℃であり、加熱時間が好ましくは5分
間以上、より好ましくは10分間以上である。第1の基
板配線層12を形成する方法としては、従来プリント配
線板の製造において利用されている配線層の形成方法を
利用することができ、例えば絶縁性基板11の上面全面
に、無電解メッキおよび電解銅メッキを施すことによっ
て金属層を形成し、当該金属層にフォトエッチング処理
を施してその一部を除去することにより配線層を形成す
るサブトラクティブ法、絶縁性基板11の上面に、フォ
トリソグラフィーおよび無電解メッキを施すことによ
り、パターニングされた金属層による配線層を直接形成
するアディティブ法、その他の方法などを利用すること
ができる。
In the above, the through hole 1 is formed in the insulating substrate 11.
As a method of forming 4H, a small diameter through hole 14H is used.
In that point, a method of irradiating a laser can be suitably used. As a method of the electrodeposition treatment, it is preferable to use a constant voltage method in that the thickness can be easily controlled. Specific conditions for the electrodeposition treatment are appropriately set in consideration of the materials and concentrations of the conductive fine particles and the organic particles contained in the electrodeposition solution.
500500 V, treatment time 0.5-200 minutes. In the case where the deposit formed by the electrodeposition treatment is subjected to the heat treatment, the conditions of the heat treatment are appropriately set in consideration of the material and the like of the organic particles in the electrodeposition liquid. The heating time is preferably 5 minutes or more, more preferably 10 minutes or more. As a method of forming the first substrate wiring layer 12, a wiring layer forming method conventionally used in the manufacture of a printed wiring board can be used. For example, the entire upper surface of the insulating substrate 11 is electrolessly plated. A metal layer is formed by applying electrolytic copper plating, a photoetching process is performed on the metal layer, and a part of the metal layer is removed to form a wiring layer. By performing lithography and electroless plating, an additive method of directly forming a wiring layer with a patterned metal layer, another method, and the like can be used.

【0051】このようなコア配線基板材10Aの上面
に、図6に示すように、形成すべき層間短絡部22に対
応して貫通孔22Hが形成された上部絶縁層20を形成
する。次いで、前述の電着液中において第1の基板配線
層12を析出用カソード電極として電着処理を行うこと
により、貫通孔22H内において、第1の基板配線層1
2の表面に電着液中の導電性微粒子および有機粒子が堆
積されて堆積体が形成され、この堆積体を必要に応じて
加熱処理することにより、図7に示すように、上部絶縁
層20をその厚み方向に貫通して伸びる層間短絡部22
が形成される。
As shown in FIG. 6, an upper insulating layer 20 having a through hole 22H corresponding to an interlayer short-circuit portion 22 to be formed is formed on the upper surface of the core wiring board material 10A. Next, the first substrate wiring layer 12 is subjected to electrodeposition in the above-mentioned electrodeposition solution using the first substrate wiring layer 12 as a deposition cathode electrode, thereby forming the first substrate wiring layer 1 in the through-hole 22H.
The conductive fine particles and the organic particles in the electrodeposition solution are deposited on the surface of the electrodeposition liquid 2 to form a deposit, and the deposit is subjected to a heat treatment as necessary, thereby forming an upper insulating layer 20 as shown in FIG. Inter-layer short-circuit portion 22 extending through
Is formed.

【0052】以上において、貫通孔22Hが形成された
上部絶縁層20を形成する方法としては、コア配線基板
材10Aの上面に液状の放射線硬化性樹脂材料を塗布
し、その後、当該塗布膜に露光処理および現像処理を施
すことにより、貫通孔22Hが形成された上部絶縁層2
0を形成する方法、コア配線基板10Aの表面に、液状
の熱硬化性樹脂材料を塗布して或いはシートの状の熱硬
化性樹脂材料を配置して加熱処理することにより、上部
絶縁層20を形成し、この上部絶縁層20に、レーザー
を照射することにより、貫通孔22Hを形成する方法な
どを利用することができる。また、電着処理の方法およ
び具体的条件は、前述の基板短絡部14の形成と同様で
ある。
In the above, as a method of forming the upper insulating layer 20 in which the through-hole 22H is formed, a liquid radiation-curable resin material is applied to the upper surface of the core wiring substrate material 10A, and then the coating film is exposed. The upper insulating layer 2 in which the through holes 22H are formed by performing the processing and the development processing.
The upper insulating layer 20 is formed by applying a liquid thermosetting resin material to the surface of the core wiring board 10A or arranging a sheet-shaped thermosetting resin material on the surface of the core wiring board 10A and performing heat treatment. A method of forming the through-hole 22H by irradiating the upper insulating layer 20 with a laser can be used. The method and specific conditions for the electrodeposition process are the same as those for forming the substrate short-circuiting portion 14 described above.

【0053】このようにして上部絶縁層20および層間
短絡部22を形成し、当該上部絶縁層20の表面を必要
に応じて研摩処理した後、図8に示すように、当該上部
絶縁層20の上面に、無電解メッキおよび電解メッキを
施すことによって金属層21Aを形成する。次いで、コ
ア配線基板材10Aにおける金属層13Aに対してフォ
トエッチング処理を施してその一部を除去することによ
り、絶縁性基板10の下面に第2の基板配線層13を形
成し、これにより、コア配線基板10が形成される。そ
の後、コア配線基板10の下面に、図10に示すよう
に、形成すべき層間短絡部32に対応して貫通孔32H
が形成された下部絶縁層30を形成する。次いで、前述
の電着液中において第2の基板配線層13を析出用カソ
ード電極として電着処理を行うことにより、貫通孔32
H内において、第2の基板配線層13の表面に電着液中
の導電性微粒子および有機粒子が堆積されて堆積体が形
成され、この堆積体を必要に応じて加熱処理することに
より、図11に示すように、上部絶縁層20をその厚み
方向に貫通して伸びる層間短絡部22が形成される。以
上において、貫通孔32Hが形成された下部絶縁層30
を形成する方法、電着処理の方法および具体的条件は、
前述の下部絶縁層20および層間短絡部22の形成と同
様である。
After the upper insulating layer 20 and the interlayer short-circuit portion 22 are formed in this manner, and the surface of the upper insulating layer 20 is polished if necessary, as shown in FIG. The metal layer 21A is formed on the upper surface by performing electroless plating and electrolytic plating. Next, a second substrate wiring layer 13 is formed on the lower surface of the insulating substrate 10 by subjecting the metal layer 13A of the core wiring substrate material 10A to a photoetching process and removing a part thereof, thereby forming a second substrate wiring layer 13. The core wiring board 10 is formed. Thereafter, as shown in FIG. 10, through holes 32H corresponding to the interlayer short-circuit portions 32 to be formed are formed on the lower surface of the core wiring substrate 10.
Is formed on which the lower insulating layer 30 is formed. Next, in the above-described electrodeposition liquid, the second substrate wiring layer 13 is subjected to an electrodeposition process using the deposition electrode as a cathode electrode, so that the through holes 32 are formed.
In H, the conductive fine particles and the organic particles in the electrodeposition liquid are deposited on the surface of the second substrate wiring layer 13 to form a deposit, and this deposit is subjected to a heat treatment as necessary, thereby forming a diagram. As shown in FIG. 11, an interlayer short-circuit portion 22 extending through the upper insulating layer 20 in the thickness direction is formed. In the above, the lower insulating layer 30 in which the through hole 32H is formed
The method of forming, the method of electrodeposition and specific conditions are as follows:
This is the same as the formation of the lower insulating layer 20 and the interlayer short-circuit portion 22 described above.

【0054】次いで、上部絶縁層20の表面に形成され
た金属層21Aをフォトエッチング処理してその一部を
除去することにより、図12に示すように、上部配線層
21を形成すると共に、下部絶縁層30の下面を必要に
応じて研摩処理した後、当該下部絶縁層30の下面に下
部配線層31を形成する。ここで、下部配線層31を形
成する方法としては、前述の第1の基板配線層12を形
成する方法と同様に、従来プリント配線板の製造におい
て利用されている配線層の形成方法を利用することがで
き、サブトラクティブ法を利用する場合には、そのフォ
トエッチング処理を上部配線層21の形成における金属
層21Aをフォトエッチング処理と同一の工程により行
うことができる。そして、上部配線層21を含む上部絶
縁層20の上面および下部配線層31を含む下部絶縁層
30の下面の各々に、上部配線層21および下部配線層
31における部品接続用ランドを露出させる開口26,
36を有するソルダーレジスト層25,35を形成する
ことにより、図1に示す構成の多層配線板が得られる。
Next, the metal layer 21A formed on the surface of the upper insulating layer 20 is subjected to photoetching treatment to remove a part thereof, thereby forming the upper wiring layer 21 as shown in FIG. After polishing the lower surface of the insulating layer 30 as necessary, the lower wiring layer 31 is formed on the lower surface of the lower insulating layer 30. Here, as a method of forming the lower wiring layer 31, a method of forming a wiring layer conventionally used in the manufacture of a printed wiring board is used in the same manner as the method of forming the first substrate wiring layer 12 described above. When the subtractive method is used, the photoetching process can be performed on the metal layer 21A in the formation of the upper wiring layer 21 by the same process as the photoetching process. Openings 26 for exposing component connection lands in the upper wiring layer 21 and the lower wiring layer 31 are respectively formed on the upper surface of the upper insulating layer 20 including the upper wiring layer 21 and the lower surface of the lower insulating layer 30 including the lower wiring layer 31. ,
By forming the solder resist layers 25 and 35 having 36, a multilayer wiring board having the configuration shown in FIG. 1 is obtained.

【0055】このような多層配線板によれば、導電性微
粒子および有機粒子が分散されてなる電着液中におい
て、基板配線層12,13を析出用カソード電極として
電着処理されることによって、層間短絡部22,32が
短時間で形成されるため、当該多層配線板の製造におい
て高い生産性が得られる。また、電着液として、粘度が
低いものを容易に調製することができ、このような電着
液を用いることにより、上部絶縁層20および下部絶縁
層30の各々に形成された貫通孔21H,31Hの径が
小さいものであっても、電着液が貫通孔21H,31H
内に十分に進入する結果、所期の層間短絡部22,32
を確実に形成することができ、従って、高い接続信頼性
が得られる。
According to such a multilayer wiring board, in the electrodeposition liquid in which the conductive fine particles and the organic particles are dispersed, the electrodeposition treatment is performed by using the substrate wiring layers 12 and 13 as the deposition cathode electrodes. Since the interlayer short-circuit portions 22 and 32 are formed in a short time, high productivity can be obtained in manufacturing the multilayer wiring board. In addition, as the electrodeposition liquid, one having a low viscosity can be easily prepared, and by using such an electrodeposition liquid, the through-holes 21H, 21H, formed in each of the upper insulating layer 20 and the lower insulating layer 30 can be formed. Even if the diameter of 31H is small, the electrodeposition liquid is supplied through the through holes 21H, 31H.
As a result, the intended interlayer short-circuit portions 22 and 32
Can be reliably formed, and high connection reliability can be obtained.

【0056】本発明は、上記の実施の形態に限定されず
種々の変更を加えることが可能である。例えば、コア配
線基板上に形成される絶縁層は、当該コア配線基板の一
面および他面のいずれか一方のみであってもよく、ま
た、絶縁層上に更に絶縁層が積層されていてもよい。ま
た、コア配線基板は、両面に互いに電気的に接続された
基板配線層が形成されてなるものであれば、多層構成の
ものであってもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made. For example, the insulating layer formed on the core wiring substrate may be only one of the one surface and the other surface of the core wiring substrate, or an insulating layer may be further laminated on the insulating layer. . Further, the core wiring board may have a multi-layer configuration as long as board wiring layers electrically connected to each other are formed on both surfaces.

【0057】[0057]

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。なお、以下の実施例において、「部」および
「%」は、「重量部」および「重量%」を意味するもの
とする。
The present invention will be described in detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto. In the following examples, “parts” and “%” mean “parts by weight” and “% by weight”.

【0058】〔電着液の調製〕 〈調製例1〉 (1)導電性微粒子分散液の調製:CVD法により製造
した銅微粒子(真空冶金株式会社製、数平均一次粒子径
0.050μm)20部およびイソプロピルアルコール
80部をホモミキサーにより混合し、その後、ジエタノ
ールアミン0.6部を加え、さらに10分間の超音波分
散処理を行うことにより、凝集物のない銅微粒子のアル
コール分散液(固形分濃度20%)を調製した。 (2)有機粒子のエマルジョンの調製:トリレンジイソ
シアネートと2−エチルヘキサノールとからなるブロッ
クイソシアネート35部と、エピコート828(油化シ
ェルエポキシ社製の商品名)とジエチルアミンとを反応
させて得られたエポキシアミン付加物65部とを混合
し、pH調節剤として酢酸2.5部を加えた。これを、
イオン交換水400部中に攪拌しながら投入することに
より、エポキシ系樹脂前駆体を主成分とするカチオン性
有機粒子のエマルジョンを調製した。 (3)電着液の調製:上記(1)で得られた銅微粒子の
アルコール分散液500部(固形分換算で100部)
と、上記(2)で得られた有機粒子のエマルジョン10
0部(固形分換算で10部)とを混合することにより、
電着液を調製した。以下、この電着液を「電着液
(a)」とする。電着液(a)中に含まれる銅微粒子と
エポキシ系樹脂との体積比は53/47であり、カール
フィッシャー法により測定した水分量は6.5重量%で
あった。
[Preparation of Electrodeposition Solution] <Preparation Example 1> (1) Preparation of conductive fine particle dispersion: fine copper particles (manufactured by Vacuum Metallurgy Co., Ltd., number average primary particle diameter 0.050 μm) 20 prepared by CVD method And 80 parts of isopropyl alcohol by a homomixer, and then 0.6 parts of diethanolamine was added thereto, and the mixture was further subjected to ultrasonic dispersion treatment for 10 minutes. 20%). (2) Preparation of an emulsion of organic particles: obtained by reacting 35 parts of a blocked isocyanate composed of tolylene diisocyanate and 2-ethylhexanol with Epikote 828 (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy) and diethylamine. The mixture was mixed with 65 parts of an epoxyamine adduct, and 2.5 parts of acetic acid was added as a pH adjuster. this,
By pouring into 400 parts of ion-exchanged water with stirring, an emulsion of cationic organic particles containing an epoxy resin precursor as a main component was prepared. (3) Preparation of electrodeposition solution: 500 parts of alcohol dispersion of copper fine particles obtained in (1) above (100 parts in terms of solid content)
And the emulsion 10 of the organic particles obtained in the above (2).
By mixing 0 parts (10 parts in terms of solid content),
An electrodeposition solution was prepared. Hereinafter, this electrodeposition liquid is referred to as “electrodeposition liquid (a)”. The volume ratio between the copper fine particles and the epoxy resin contained in the electrodeposition solution (a) was 53/47, and the water content measured by the Karl Fischer method was 6.5% by weight.

【0059】〈調製例2〉 (1)導電性微粒子分散液の調製:電解法により製造し
た銅微粒子(川鉄鉱業株式会社、数平均一次粒子径0.
5μm)20部およびイソプロピルアルコール30部を
ホモミキサーで混合し、その後、イソプロピルアルコー
ル50部を加えて、さらに高圧ホモジナイザー(白水化
学製)によって分散処理を行うことにより、、凝集物の
ない銅微粒子のアルコール分散液(固形分濃度20%)
を調製した。
<Preparation Example 2> (1) Preparation of a conductive fine particle dispersion: copper fine particles produced by an electrolytic method (Kawatetsu Mining Co., Ltd., number average primary particle diameter of 0.1%).
5 μm) 20 parts and 30 parts of isopropyl alcohol were mixed with a homomixer, and then 50 parts of isopropyl alcohol was added, and further subjected to a dispersion treatment with a high-pressure homogenizer (manufactured by Shimizu Chemical Co., Ltd.), whereby copper fine particles without aggregates were obtained. Alcohol dispersion (solids concentration 20%)
Was prepared.

【0060】(2)有機粒子のエマルジョンの調製:テ
トラカルボン酸二無水物として3,3’,4,4’−ビ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物32.29
g(90ミリモル)、および1,3,3a,4,5,9
b−ヘキサヒドロ−5(テトラヒドロ−2,5−ジオキ
ソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−C]−フラン−
1,3−ジオン3.00g(10ミリモル)、ジアミン
化合物として2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル]プロパン36.95g(90ミリモル)
およびオルガノシロキサン(信越化学製、商品名「LP
7100」)2.49g(10ミリモル)を、N−メチ
ル−2−ピロリドン450gに溶解して、室温で12時
間反応させた。その後、この反応溶液に、ピリジン32
gおよび無水酢酸71gを添加し、100℃で3時間脱
水閉環反応を行った。次いで、反応溶液を減圧留去して
精製し、固形分10%のポリイミド溶液を得た。γ−ブ
チロラクトン100部を入れた反応容器を、窒素ガス雰
囲気下で85℃に保持し、この反応容器内に、n−ブチ
ルアクリレート65部、ジメチルアミノエチルアクリレ
ート30部、グリシジルメタアクリレート5部およびア
ゾビスイソブチロニトリル1部からなる混合液を5時間
かけて連続的に添加しながら、撹拌下で溶液重合を行な
った。前記混合液の滴下が終了した後、85℃でさらに
2時間撹拌を続けて、溶液重合を完結させ、固形分50
%のアクリルポリマーの溶液を得た。前記ポリイミド溶
液500部(固形分として50部)と、アクリルポリマ
ー溶液60部(固形分として30部)と、エピコート8
28(油化シェルエポキシ社製の商品名)20部とを混
合し、70℃で3時間反応させた後、酢酸3部を徐々に
添加して混合し、反応溶液のpH調整を行った。次い
で、反応溶液に蒸留水1000部を徐々に添加しながら
強く攪拌して、ポリイミド系樹脂を主成分とするカチオ
ン性有機粒子のエマルジョンを調製した。
(2) Preparation of emulsion of organic particles: 3,3 ', 4,4'-biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride 32.29 as tetracarboxylic dianhydride
g (90 mmol), and 1,3,3a, 4,5,9
b-Hexahydro-5 (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) -naphtho [1,2-C] -furan-
3.00 g (10 mmol) of 1,3-dione, 36.95 g (90 mmol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane as a diamine compound
And organosiloxane (Shin-Etsu Chemical, product name "LP
7100 ") was dissolved in 450 g of N-methyl-2-pyrrolidone and reacted at room temperature for 12 hours. Then, pyridine 32 was added to the reaction solution.
g and 71 g of acetic anhydride were added, and a dehydration ring closure reaction was performed at 100 ° C. for 3 hours. Next, the reaction solution was purified by distillation under reduced pressure to obtain a polyimide solution having a solid content of 10%. A reaction vessel containing 100 parts of γ-butyrolactone was kept at 85 ° C. under a nitrogen gas atmosphere, and 65 parts of n-butyl acrylate, 30 parts of dimethylaminoethyl acrylate, 5 parts of glycidyl methacrylate and 5 parts of azo Solution polymerization was carried out with stirring while continuously adding a mixed solution consisting of 1 part of bisisobutyronitrile over 5 hours. After the dropping of the mixed solution was completed, stirring was continued at 85 ° C. for another 2 hours to complete the solution polymerization, and the solid content was reduced to 50%.
% Acrylic polymer solution. 500 parts (50 parts as solids) of the polyimide solution, 60 parts (30 parts as solids) of the acrylic polymer solution, and Epicoat 8
20 parts (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and reacted at 70 ° C. for 3 hours. Then, 3 parts of acetic acid was gradually added and mixed to adjust the pH of the reaction solution. Next, 1000 parts of distilled water was gradually added to the reaction solution while vigorously stirring to prepare an emulsion of cationic organic particles containing a polyimide resin as a main component.

【0061】(3)電着液の調製:上記(1)で得られ
た銅微粒子の分散液500部(固形分換算で100部)
と、上記(2)で得られた有機粒子のエマルジョン10
0部(固形分換算で6.5部)とを混合して電着液を調
製した。以下、この電着液を「電着液(b)とする。電
着液(b)中に含まれる銅微粒子とポリイミド系樹脂と
の体積比は53/47であり、カールフィッシャー法に
より測定した水分量は11重量%であった。
(3) Preparation of electrodeposition solution: 500 parts of dispersion liquid of copper fine particles obtained in the above (1) (100 parts in terms of solid content)
And the emulsion 10 of the organic particles obtained in the above (2).
0 parts (6.5 parts in terms of solid content) were mixed to prepare an electrodeposition solution. Hereinafter, this electrodeposition solution is referred to as “electrodeposition solution (b). The volume ratio between the copper fine particles contained in the electrodeposition solution (b) and the polyimide resin is 53/47, and was measured by the Karl Fischer method. The water content was 11% by weight.

【0062】〈実施例1〉 (1)コア配線基板材の作製:先ず、厚みが500μm
のガラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなる絶縁性基板上
に厚みが18μmの銅層が形成されてなる積層材料を用
意し、この積層材料における絶縁性基板に、炭酸ガスレ
ーザー装置により、直径が100μmの貫通孔を形成し
た(図3および図4参照)。この積層材料をその金属層
の一面を保護した状態で電着液(a)中に浸漬し、当該
金属層を析出用カソード電極として、電着液の温度が2
0℃、電極間距離が25cm、印加電圧が200V、処
理時間60分間の条件で、定電圧法による電着処理を行
うことにより、絶縁性基板の貫通孔内に導電性微粒子お
よび有機粒子の堆積体を形成し、100℃で15分間の
条件でプレ乾燥処理した後、還元雰囲気(3%水素含有
窒素ガス中)において170℃で30分間の条件で加熱
処理することにより、基板短絡部を形成した(図5参
照)。次いで、積層材料における絶縁性基板の表面を研
摩処理した後、当該絶縁性基板の表面に、無電解銅メッ
キおよび電解銅メッキを施すことにより、厚みが20μ
mの金属層を形成し、この金属層に対してフォトエッチ
ング処理を施すことにより、第1の基板配線層を形成
し、以て第1の基板配線層を有すると共に、下面に基板
短絡部を介して第1の基板配線に電気的に接続された金
属層を有するコア配線基板材を作製した(図2参照)。
Example 1 (1) Production of core wiring board material: First, the thickness was 500 μm
A laminated material in which a copper layer having a thickness of 18 μm is formed on an insulating substrate made of a glass fiber reinforced epoxy resin is prepared, and the insulating substrate in this laminated material has a diameter of 100 μm by a carbon dioxide laser device. Through holes were formed (see FIGS. 3 and 4). The laminated material is immersed in the electrodeposition solution (a) while protecting one surface of the metal layer, and the metal layer is used as a cathode electrode for deposition, and the temperature of the electrodeposition solution is 2
Electrodeposition by a constant voltage method is performed at 0 ° C., a distance between electrodes of 25 cm, an applied voltage of 200 V, and a processing time of 60 minutes to deposit conductive fine particles and organic particles in the through holes of the insulating substrate. After forming the body and pre-drying at 100 ° C. for 15 minutes, the substrate is short-circuited by heating at 170 ° C. for 30 minutes in a reducing atmosphere (in a 3% hydrogen-containing nitrogen gas). (See FIG. 5). Next, after polishing the surface of the insulating substrate in the laminated material, the surface of the insulating substrate is subjected to electroless copper plating and electrolytic copper plating to have a thickness of 20 μm.
m, a first substrate wiring layer is formed by subjecting the metal layer to a photo-etching process. The first substrate wiring layer is formed, and a substrate short-circuit portion is formed on the lower surface. A core wiring substrate material having a metal layer electrically connected to the first substrate wiring through the interposer was produced (see FIG. 2).

【0063】(2)上部絶縁層および層間短絡部並びに
コア配線基板の形成:上記(1)の工程により得られた
コア配線基板の上面に、厚みが60μmのエポキシ樹脂
プリプレグシートを、温度165℃、圧力30kg/c
2 の条件で熱圧着することにより、上部絶縁層を形成
し、この上部絶縁層に、炭酸ガスレーザー装置により、
直径が100μmの貫通孔を形成した(図6参照)。次
いで、コア配線基板材における金属層の下面を保護した
状態で、電着液(a)中において、第1の基板配線層を
析出用カソード電極として、電着液の温度が20℃、電
極間距離が25cm、印加電圧が200V、処理時間1
5分間の条件で、定電圧法による電着処理を行うことに
より、上部絶縁層の貫通孔内に導電性微粒子および有機
粒子の堆積体を形成し、100℃で15分間の条件でプ
レ乾燥処理した後、還元雰囲気(3%水素含有窒素ガス
中)において170℃で30分間の条件で加熱処理する
ことにより、層間短絡部を形成した(図7参照)。次い
で、上部絶縁層の表面を研摩処理した後、当該上部絶縁
層の表面に、無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す
ことにより、厚みが20μmの金属層を形成した(図8
参照)。その後、コア配線基板材における金属層に対し
てフォトエッチング処理を施すことにより、第2の基板
配線層を形成し、以てコア配線基板を形成した(図9参
照)。
(2) Formation of upper insulating layer, interlayer short-circuit portion and core wiring board: An epoxy resin prepreg sheet having a thickness of 60 μm is placed on the upper surface of the core wiring board obtained in the above step (1) at a temperature of 165 ° C. , Pressure 30kg / c
The upper insulating layer is formed by thermocompression bonding under the condition of m 2 , and the upper insulating layer is
A through hole having a diameter of 100 μm was formed (see FIG. 6). Next, in a state where the lower surface of the metal layer in the core wiring substrate material is protected, in the electrodeposition liquid (a), the temperature of the electrodeposition liquid is 20 ° C. Distance 25cm, applied voltage 200V, processing time 1
By performing electrodeposition treatment by a constant voltage method under the condition of 5 minutes, a deposit of conductive fine particles and organic particles is formed in the through hole of the upper insulating layer, and pre-dried at 100 ° C. for 15 minutes. After that, heat treatment was performed at 170 ° C. for 30 minutes in a reducing atmosphere (in a 3% hydrogen-containing nitrogen gas) to form an interlayer short-circuit portion (see FIG. 7). Next, after polishing the surface of the upper insulating layer, the surface of the upper insulating layer was subjected to electroless copper plating and electrolytic copper plating to form a metal layer having a thickness of 20 μm (FIG. 8).
reference). Thereafter, a second substrate wiring layer was formed by subjecting the metal layer of the core wiring substrate material to photoetching processing, thereby forming a core wiring substrate (see FIG. 9).

【0064】(3)下部絶縁層および層間短絡部並びに
上部配線層および下部配線層の形成:上記(2)の工程
により得られた、上面に上部絶縁層および層間短絡部が
形成されたコア配線基板の下面に、厚みが60μmのエ
ポキシ樹脂プリプレグシートを、温度165℃、圧力3
0kg/cm2 の条件で熱圧着することにより、下部絶
縁層を形成し、この下部絶縁層に、炭酸ガスレーザー装
置により、直径が100μmの貫通孔を形成した(図1
0参照)。次いで、上部絶縁層上に形成された金属層の
上面を保護した状態で、電着液(a)中において、第2
の基板配線層を析出用カソード電極として、電着液の温
度が20℃、電極間距離が25cm、印加電圧が200
V、処理時間8分間の条件で、定電圧法による電着処理
を行うことにより、上部絶縁層の貫通孔内に導電性微粒
子および有機粒子の堆積体を形成し、100℃で15分
間の条件でプレ乾燥処理した後、還元雰囲気(3%水素
含有窒素ガス中)において170℃で30分間の条件で
加熱処理することにより、層間短絡部を形成した(図1
1参照)。次いで、下部絶縁層の表面を研摩処理した
後、当該下部絶縁層の表面に、無電解銅メッキおよび電
解銅メッキを施すことにより、厚みが20μmの金属層
を形成した。その後、上部絶縁層および下部絶縁層の各
々の表面に形成された金属層に対してフォトエッチング
処理を施すことにより、上部配線層および下部配線層を
形成した(図12参照)。そして、上部配線層を含む上
部絶縁層の表面および下部配線層を含む下部絶縁層の表
面に、ソルダーレジスト層を形成することにより、本発
明の多層配線板を製造した。以上において、基板短絡部
並びに上部絶縁層および下部絶縁層の各々に形成された
層間短絡部における導電性微粒子の割合は、体積分率で
それぞれ約53%であった。
(3) Formation of lower insulating layer and interlayer short-circuit portion and upper wiring layer and lower wiring layer: core wiring obtained by the above step (2) and having upper insulating layer and interlayer short-circuit portion formed on the upper surface On the lower surface of the substrate, an epoxy resin prepreg sheet having a thickness of
A lower insulating layer was formed by thermocompression bonding under the condition of 0 kg / cm 2 , and a through-hole having a diameter of 100 μm was formed in the lower insulating layer by a carbon dioxide laser device (FIG. 1).
0). Next, while protecting the upper surface of the metal layer formed on the upper insulating layer, the second
The substrate wiring layer was used as a cathode for deposition, the temperature of the electrodeposition solution was 20 ° C., the distance between the electrodes was 25 cm, and the applied voltage was 200.
V, an electrodeposition treatment was performed by a constant voltage method under the condition of a treatment time of 8 minutes to form a deposit of conductive fine particles and organic particles in the through-holes of the upper insulating layer. And then heat-treated at 170 ° C. for 30 minutes in a reducing atmosphere (in a 3% hydrogen-containing nitrogen gas) to form an interlayer short-circuit portion (FIG. 1).
1). Next, after polishing the surface of the lower insulating layer, the surface of the lower insulating layer was subjected to electroless copper plating and electrolytic copper plating to form a metal layer having a thickness of 20 μm. Thereafter, an upper wiring layer and a lower wiring layer were formed by subjecting a metal layer formed on each surface of the upper insulating layer and the lower insulating layer to photoetching treatment (see FIG. 12). Then, a multilayer resistive board of the present invention was manufactured by forming a solder resist layer on the surface of the upper insulating layer including the upper wiring layer and the surface of the lower insulating layer including the lower wiring layer. In the above, the proportion of the conductive fine particles in the substrate short-circuit portion and the interlayer short-circuit portion formed in each of the upper insulating layer and the lower insulating layer was about 53% by volume, respectively.

【0065】〈実施例2〉基板短絡部および層間短絡部
の形成において、電着液(a)の代わりに電着液(b)
を用い、電着処理によって形成された堆積体のプレ乾燥
処理後における加熱処理の条件を、還元雰囲気(3%水
素含有窒素ガス中)において200℃で30分間に変更
したこと以外は実施例1と同様にして本発明の多層配線
板を製造した。以上において、基板短絡部並びに上部絶
縁層および下部絶縁層の各々に形成された層間短絡部に
おける導電性微粒子の割合は、体積分率でそれぞれ約5
3%であった。
Example 2 In forming a substrate short-circuit portion and an interlayer short-circuit portion, an electrodeposition solution (b) was used instead of the electrodeposition solution (a).
Example 1 except that the conditions of the heat treatment after the pre-drying treatment of the deposit formed by the electrodeposition treatment were changed to 200 ° C. for 30 minutes in a reducing atmosphere (in a nitrogen gas containing 3% hydrogen). In the same manner as in the above, a multilayer wiring board of the present invention was manufactured. In the above, the ratio of the conductive fine particles in the substrate short-circuit portion and the interlayer short-circuit portion formed in each of the upper insulating layer and the lower insulating layer is about 5% by volume, respectively.
3%.

【0066】〈比較例1〉基板短絡部および層間短絡部
を電着液によって形成する代わりに、銅系導電性ペース
ト組成物(粘度:100Pa・s)をメタル版(厚み1
00μm,ホール径90μm)を介してスクリーン印刷
機により貫通孔に充填し、還元雰囲気(3%水素含有窒
素ガス中)において170℃で30分間加熱処理するこ
とにより、基板短絡部および層間短絡部を形成したこと
以外は、実施例1と同様にして比較用の多層配線板を製
造した。
Comparative Example 1 Instead of forming a substrate short-circuit portion and an interlayer short-circuit portion with an electrodeposition solution, a copper-based conductive paste composition (viscosity: 100 Pa · s) was applied to a metal plate (thickness 1).
(00 μm, hole diameter 90 μm), filled into the through-holes by a screen printing machine, and heat-treated at 170 ° C. for 30 minutes in a reducing atmosphere (in a 3% hydrogen-containing nitrogen gas) to form a substrate short-circuit portion and an interlayer short-circuit portion. A multilayer wiring board for comparison was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the multilayer wiring board was formed.

【0067】〔多層配線板の評価〕 (1)配線の初期電気抵抗:多層配線板における上部配
線層の接続用ランドと下部配線層の接続用ランドとの間
の電気抵抗を測定し、その平均値を求めた。 (2)ヒートサイクル試験後における配線の電気抵抗:
多層配線板を−55℃で30分間放置した後、125℃
で30分間放置する操作を1サイクルとして、合計50
0サイクル行った後、当該多層配線板における上部配線
層の接続用ランドと下部配線層の接続用ランドとの間の
電気抵抗を測定し、接続用ランド1個当たりの平均値を
求めた。以上、結果を表1に示す。
[Evaluation of Multilayer Wiring Board] (1) Initial electric resistance of wiring: The electric resistance between the connection lands of the upper wiring layer and the connection lands of the lower wiring layer in the multilayer wiring board was measured and averaged. The value was determined. (2) Electrical resistance of wiring after heat cycle test:
After leaving the multilayer wiring board at −55 ° C. for 30 minutes,
Operation for 30 minutes as one cycle
After 0 cycles, the electric resistance between the connection land of the upper wiring layer and the connection land of the lower wiring layer in the multilayer wiring board was measured, and the average value per connection land was obtained. The results are shown in Table 1.

【0068】[0068]

【表1】 [Table 1]

【0069】表1の結果から明らかなように、実施例1
および実施例2に係る多層配線板は、配線の電気抵抗が
低く、しかも、ヒートサイクル試験後においても、配線
の電気抵抗の変化が小さく、高い接続信頼性を有するも
のであることが確認された。
As is clear from the results in Table 1, Example 1
And it was confirmed that the multilayer wiring board according to Example 2 had a low electric resistance of the wiring, a small change in the electric resistance of the wiring even after the heat cycle test, and a high connection reliability. .

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明の多層配線板によれば、導電性微
粒子および有機粒子が分散されてなる電着液中におい
て、基板配線層を析出用電極として電着処理されること
によって、層間短絡部が短時間で形成されるため、当該
多層配線板の製造において高い生産性が得られる。ま
た、電着液として、粘度が低いものを容易に調製するこ
とができ、このような電着液を用いることにより、絶縁
層に形成された貫通孔の径が小さいものであっても、電
着液が貫通孔内に十分に進入する結果、所期の層間短絡
部を確実に形成することができ、従って、高い接続信頼
性が得られる。
According to the multilayer wiring board of the present invention, in the electrodeposition liquid in which the conductive fine particles and the organic particles are dispersed, the substrate wiring layer is subjected to the electrodeposition treatment as a deposition electrode, whereby the interlayer short circuit is caused. Since the portions are formed in a short time, high productivity can be obtained in the production of the multilayer wiring board. In addition, as the electrodeposition liquid, one having a low viscosity can be easily prepared. By using such an electrodeposition liquid, even if the diameter of the through-hole formed in the insulating layer is small, the electrodeposition liquid can be used. As a result of the liquid landing sufficiently penetrating into the through-hole, an intended interlayer short-circuit portion can be reliably formed, and therefore, high connection reliability can be obtained.

【0071】本発明の多層配線板の製造方法によれば、
導電性微粒子および有機粒子が分散されてなる電着液中
において、基板配線層を析出用電極として電着処理する
ことによって、層間短絡部を短時間で形成することがで
きるので、高い生産性が得られる。また、電着液とし
て、粘度が低いものを容易に調製することができ、この
ような電着液を用いることにより、絶縁層に形成された
貫通孔の径が小さいものであっても、電着液が貫通孔内
に十分に進入する結果、所期の層間短絡部を確実に形成
することができ、従って、接続信頼性の高い多層配線板
を製造することができる。
According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention,
In an electrodeposition solution in which conductive fine particles and organic particles are dispersed, by performing electrodeposition treatment using the substrate wiring layer as a deposition electrode, an interlayer short-circuit portion can be formed in a short time, so that high productivity is achieved. can get. In addition, as the electrodeposition liquid, one having a low viscosity can be easily prepared. By using such an electrodeposition liquid, even if the diameter of the through-hole formed in the insulating layer is small, the electrodeposition liquid can be used. As a result, the liquid can sufficiently enter the through-holes, so that the intended interlayer short-circuit portion can be reliably formed, so that a multilayer wiring board with high connection reliability can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る多層配線板の一例における構成を
示す説明用断面図である。
FIG. 1 is an explanatory sectional view showing a configuration of an example of a multilayer wiring board according to the present invention.

【図2】図1に示す多層配線板を得るためのコア配線基
板材を示す説明用断面図である。
FIG. 2 is an explanatory sectional view showing a core wiring board material for obtaining the multilayer wiring board shown in FIG. 1;

【図3】図2に示すコア配線基板材を得るための積層材
料を示す説明用断面図である。
FIG. 3 is an explanatory sectional view showing a laminated material for obtaining a core wiring board material shown in FIG. 2;

【図4】積層材料に貫通孔が形成された状態を示す説明
用断面図である。
FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a through hole is formed in a laminated material.

【図5】絶縁性基板に基板短絡部が形成された状態を示
す説明用断面図である。
FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a substrate short-circuit portion is formed on an insulating substrate.

【図6】コア配線基板材の上面に上部絶縁層が形成され
た状態を示す説明用断面図である。
FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which an upper insulating layer is formed on an upper surface of a core wiring board material.

【図7】上部絶縁層に層間短絡部が形成された状態を示
す説明用断面である。
FIG. 7 is an explanatory cross-sectional view showing a state where an interlayer short-circuit portion is formed in an upper insulating layer.

【図8】上部絶縁層の上面に金属層が形成された状態を
示す説明用断面図である。
FIG. 8 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a metal layer is formed on an upper surface of an upper insulating layer.

【図9】絶縁性基板の下面に第2の基板配線層が形成さ
れてコア配線基板が形成された状態を示す説明用断面図
である。
FIG. 9 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a second substrate wiring layer is formed on a lower surface of an insulating substrate to form a core wiring substrate.

【図10】コア配線基板の下面に下部絶縁層が形成され
た状態を示す説明用断面図である。
FIG. 10 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a lower insulating layer is formed on a lower surface of a core wiring substrate.

【図11】下部絶縁層に層間短絡部が形成された状態を
示す説明用断面図である。
FIG. 11 is an explanatory sectional view showing a state where an interlayer short-circuit portion is formed in a lower insulating layer.

【図12】上部絶縁層の表面に上部配線層が形成され、
下部絶縁層の下面に下部配線層が形成された状態を示す
説明用断面図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating an upper wiring layer formed on a surface of the upper insulating layer;
FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a lower wiring layer is formed on a lower surface of a lower insulating layer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 コア配線基板 10A コア配線基板材 10B 積層材料 11 絶縁性基板 12 第1の基板絶縁層 13 第2の基板絶縁層 13A 金属層 14 基板短絡部 14H 貫通孔 20 上部絶縁層 21 上部配線層 21A 金属層 22 層間短絡部 22H 貫通孔 25 ソルダーレジスト層 26 開口 30 下部絶縁層 31 下部配線層 32 層間短絡部 32H 貫通孔 35 ソルダーレジスト層 36 開口 REFERENCE SIGNS LIST 10 core wiring substrate 10A core wiring substrate material 10B laminated material 11 insulating substrate 12 first substrate insulating layer 13 second substrate insulating layer 13A metal layer 14 substrate short-circuit portion 14H through hole 20 upper insulating layer 21 upper wiring layer 21A metal Layer 22 Interlayer short-circuit part 22H Through hole 25 Solder resist layer 26 Opening 30 Lower insulating layer 31 Lower wiring layer 32 Interlayer short-circuit part 32H Through hole 35 Solder resist layer 36 Opening

フロントページの続き Fターム(参考) 5E317 AA24 BB01 BB11 BB24 CC31 CC53 CD27 GG16 5E346 AA15 CC04 CC09 CC32 DD12 EE09 FF15 FF18 GG15 HH07Continued on the front page F term (reference) 5E317 AA24 BB01 BB11 BB24 CC31 CC53 CD27 GG16 5E346 AA15 CC04 CC09 CC32 DD12 EE09 FF15 FF18 GG15 HH07

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性基板の両面に互いに電気的に接続
された基板配線層が形成されてなるコア配線基板と、こ
のコア配線基板の少なくとも一面に積層された絶縁層
と、この絶縁層上に形成された配線層と、この配線層を
前記基板配線層に電気的に接続する、前記絶縁層をその
厚み方向に貫通して伸びる層間短絡部とを有する多層配
線板であって、 前記層間短絡部は、高分子物質中に導電性微粒子が含有
されてなる導電体よりなり、当該導電体は、水性媒体中
に導電性微粒子と重合性化合物および重合体の少なくと
も一方からなる有機粒子とが分散されてなる電着液中に
おいて電着処理されることにより形成されたものである
ことを特徴とする多層配線板。
1. A core wiring board in which board wiring layers electrically connected to each other are formed on both surfaces of an insulating substrate; an insulating layer laminated on at least one surface of the core wiring board; A multilayer wiring board having an interconnect short-circuit portion extending through the insulating layer in a thickness direction thereof, wherein the interconnect layer electrically connects the interconnect layer to the substrate interconnect layer. The short-circuit portion is made of a conductor in which conductive fine particles are contained in a polymer substance, and the conductor is made of conductive fine particles and organic particles made of at least one of a polymerizable compound and a polymer in an aqueous medium. A multilayer wiring board formed by performing an electrodeposition treatment in a dispersed electrodeposition liquid.
【請求項2】 コア配線基板は、絶縁性基板の両面に形
成された基板配線層を互いに電気的に接続する、当該絶
縁性基板をその厚み方向に貫通して伸びる基板短絡部を
有し、 当該基板短絡部は、高分子物質中に導電性微粒子が含有
されてなる導電体よりなり、当該導電体は、水性媒体中
に導電性微粒子と重合性化合物および重合体の少なくと
も一方からなる有機粒子とが分散されてなる電着液中に
おいて電着処理されることにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項1に記載の多層配線板。
2. The core wiring board has a board short-circuiting portion extending through the insulating board in a thickness direction thereof, for electrically connecting board wiring layers formed on both surfaces of the insulating board to each other, The substrate short-circuit portion is made of a conductive material in which conductive fine particles are contained in a polymer substance, and the conductive material is an organic particle made of conductive fine particles and at least one of a polymerizable compound and a polymer in an aqueous medium. 2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the multilayer wiring board is formed by performing an electrodeposition treatment in an electrodeposition solution in which is dispersed.
【請求項3】 層間短絡部および/または基板短絡部を
構成する導電体における導電性微粒子の割合が体積分率
で40〜80%であることを特徴とする請求項1または
請求項2に記載の多層配線板。
3. The method according to claim 1, wherein the ratio of the conductive fine particles in the conductor constituting the interlayer short-circuit portion and / or the substrate short-circuit portion is 40 to 80% in volume fraction. Multilayer wiring board.
【請求項4】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
の多層配線板を製造する方法であって、 絶縁性基板と、この絶縁性基板の一面に形成された基板
配線層と、前記絶縁性基板の他面に形成され、当該基板
配線層に電気的に接続された金属層とよりなるコア配線
基板材を用意し、 このコア配線基板材の一面に、その基板配線層上に形成
すべき層間短絡部に対応して形成された貫通孔を有する
絶縁層を形成し、 この絶縁層が形成されたコア配線基板材における基板配
線部を析出用電極として、水性媒体中に導電性微粒子と
重合性化合物および重合体の少なくとも一方からなる有
機粒子とが分散されてなる電着液中において電着処理す
ることにより、当該絶縁層の貫通孔内に層間短絡部を構
成する導電体を形成する工程を有することを特徴とする
多層配線板の製造方法。
4. The method of manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the insulating substrate, a substrate wiring layer formed on one surface of the insulating substrate, A core wiring substrate material is formed on the other surface of the insulating substrate and made of a metal layer electrically connected to the substrate wiring layer, and is formed on one surface of the core wiring substrate material on the substrate wiring layer. Forming an insulating layer having a through hole formed corresponding to the interlayer short-circuit portion to be formed, and using the substrate wiring portion of the core wiring substrate material on which the insulating layer is formed as an electrode for deposition, the conductive fine particles in an aqueous medium. And the organic particles comprising at least one of a polymerizable compound and a polymer are dispersed in an electrodeposition solution in which an electric conductor constituting an interlayer short-circuit portion is formed in a through hole of the insulating layer. Having a step of performing Manufacturing method of a multilayer wiring board.
【請求項5】 絶縁性基板と、この絶縁性基板の少なく
とも他面に形成された金属層とを有する基板形成材料を
用意し、 この基板形成材料における絶縁性基板にその厚み方向に
貫通する貫通孔を形成し、 この基板形成材料における金属層を析出用電極として、
水性媒体中に導電性微粒子と重合性化合物および重合体
の少なくとも一方からなる有機粒子とが分散されてなる
電着液中において電着処理することにより、当該絶縁性
基板の貫通孔内に基板短絡部を構成する導電体を形成
し、その後、絶縁性基板の一面に基板配線部を形成する
ことにより、コア配線基板材を形成することを特徴とす
る請求項4に記載の多層配線板の製造方法。
5. A substrate forming material having an insulating substrate and a metal layer formed on at least the other surface of the insulating substrate is prepared, and a through hole penetrating the insulating substrate in the substrate forming material in a thickness direction thereof is provided. A hole is formed, and a metal layer of the substrate forming material is used as a deposition electrode.
By performing electrodeposition in an electrodeposition solution in which conductive fine particles and organic particles comprising at least one of a polymerizable compound and a polymer are dispersed in an aqueous medium, a substrate short circuit occurs in a through hole of the insulating substrate. 5. The multilayer wiring board according to claim 4, wherein a core wiring board material is formed by forming a conductor constituting a portion, and thereafter forming a board wiring portion on one surface of the insulating substrate. Method.
【請求項6】 電着液における導電性微粒子と有機粒子
との割合が体積比で80:20〜40:60であること
を特徴とする請求項4または請求項5に記載の多層配線
板の製造方法。
6. The multilayer wiring board according to claim 4, wherein the ratio between the conductive fine particles and the organic particles in the electrodeposition liquid is 80:20 to 40:60 by volume. Production method.
JP2000207646A 1999-11-01 2000-07-10 Multilayer interconnection board and its manufacturing method Pending JP2002026524A (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000207646A JP2002026524A (en) 2000-07-10 2000-07-10 Multilayer interconnection board and its manufacturing method
KR1020017008437A KR100654870B1 (en) 1999-11-01 2000-11-01 Aqueous Dispersion for Forming Conductive Layer, Conductive Layer, Electronic Component, Circuit Board and Method for Manufacturing the Same, and Multilayer Wiring Board and Method for Manufacturing the Same
EP00971710A EP1146149A4 (en) 1999-11-01 2000-11-01 Aqueous dispersion for forming conductive layer, conductive layer, electronic component, circuit board and method for manufacturing the same, and multilayer wiring board and method for manufacturing the same
PCT/JP2000/007683 WO2001032964A1 (en) 1999-11-01 2000-11-01 Aqueous dispersion for forming conductive layer, conductive layer, electronic component, circuit board and method for manufacturing the same, and multilayer wiring board and method for manufacturing the same
US09/869,589 US6625032B1 (en) 1999-11-01 2000-11-01 Aqueous dispersion forming conductive layer, conductive layer, electronic compent, circuit board and method for manufacturing the same, and multilayer wiring board and method for manufacturing the same
CNB008024995A CN1271894C (en) 1999-11-01 2000-11-01 Aqueous dispersion for forming conductive layer, conductive layer, electronic component, circuit board and method for manufacturing the same, and multilayer wiring board and method for manufacturing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000207646A JP2002026524A (en) 2000-07-10 2000-07-10 Multilayer interconnection board and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002026524A true JP2002026524A (en) 2002-01-25

Family

ID=18704379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000207646A Pending JP2002026524A (en) 1999-11-01 2000-07-10 Multilayer interconnection board and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002026524A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104185363A (en) * 2014-08-19 2014-12-03 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 Composite type ultra-thin non-core substrate and manufacturing method thereof
CN114908390A (en) * 2022-05-11 2022-08-16 甬矽半导体(宁波)有限公司 Wiring layer manufacturing method and semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104185363A (en) * 2014-08-19 2014-12-03 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 Composite type ultra-thin non-core substrate and manufacturing method thereof
CN114908390A (en) * 2022-05-11 2022-08-16 甬矽半导体(宁波)有限公司 Wiring layer manufacturing method and semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6625032B1 (en) Aqueous dispersion forming conductive layer, conductive layer, electronic compent, circuit board and method for manufacturing the same, and multilayer wiring board and method for manufacturing the same
EP1387367B1 (en) Composite particle for dielectrics, ultramicroparticulate composite resin particle, composition for forming dielectrics and use thereof
JP5434240B2 (en) Interlayer insulating layer adhesive film and multilayer printed wiring board
EP1942148A1 (en) Resin composition, resin film, cover lay film, interlayer adhesive, metal clad laminate and multilayer printed circuit board
JP2006124701A (en) Light-activatable polyimide composition for receiving selective metalization, and method and composition related thereto
CN108277509A (en) Copper foil with carrier
JP2003011270A (en) Dielectric layer with conductive foil, capacitor using the same and forming method thereof
WO2014132961A1 (en) Method of producing conductive coating film, and conductive coating film
JP2003298242A (en) Multilayer wiring board, method of manufacturing the same, and semiconductor device
JP2002064252A (en) Polyimide film, laminate using the same, and multilayered wiring board
JP2002026524A (en) Multilayer interconnection board and its manufacturing method
JP2004071656A (en) Multilayer interconnection board and semiconductor device
JP5250923B2 (en) Ultrafine composite resin particles, composition for forming a dielectric, and electronic component
CN107160772A (en) High-frequency copper-clad plate manufacture craft
JP2010087097A (en) Insulating resin composition for printed circuit board, insulating resin sheet for the printed circuit board, method for manufacturing multilayer printed circuit substrate using them, and electronic apparatus
JP2004335764A (en) Dielectric film and method for manufacturing the same
JP2001196714A (en) Circuit board and manufacturing method therefor
JP2001192570A (en) Aqueous dispersive liquid for forming conductive layer, conductive layer, electronic part, circuit board and its manufacturing method
JP4483044B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP3312199B2 (en) Resin composition for insulating layer for build-up on printed wiring board and multilayer wiring board
TW538073B (en) Aqueous dispersion for forming conductive layer, conductive layer, electronic component, circuit board and method for manufacturing the same, and multilayer wiring board and method for manufacturing the same
JP3261185B2 (en) Prepreg for wiring board, method for manufacturing printed wiring board using this prepreg, and printed wiring board
JP2006019621A (en) Polymer ceramic composite material for capacitor, multilayered wiring board and module board
JP2004111650A (en) Insulating adhesive sheet for printed wiring board and printed wiring board
JP2000236167A (en) Wiring board, manufacture thereof, and transfer original plate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20061120

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20090825

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20100105

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02