JP2002025825A - Electronic component and radio terminal equipment - Google Patents

Electronic component and radio terminal equipment

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JP2002025825A
JP2002025825A JP2000206479A JP2000206479A JP2002025825A JP 2002025825 A JP2002025825 A JP 2002025825A JP 2000206479 A JP2000206479 A JP 2000206479A JP 2000206479 A JP2000206479 A JP 2000206479A JP 2002025825 A JP2002025825 A JP 2002025825A
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JP
Japan
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base
conductive film
electronic component
groove
film
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Withdrawn
Application number
JP2000206479A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiromi Sakida
広実 崎田
Kuniaki Kiyosue
邦昭 清末
Kenzo Isozaki
賢蔵 磯▲崎▼
Sumio Tate
純生 楯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component which can realize either improved mountability or prevention of deterioration in characteristic and, particularly is reduced in size and radio terminal equipment. SOLUTION: The electronic component is provided with a base 11, a conductive film 12 formed on the base 11, grooves 13 formed through the film 12, a pair of terminal sections 14 and 15 which are respectively installed to the end sections of the base 11, and a protective material 14 which is formed to cover the grooves 13, and with recessed sections 14a being on the surface of the protective material 14.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品及び無線端末装置に関するものである。特
に、絶縁性の基体上に導電膜を設けた電子部品及び無線
端末装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component and a radio terminal device which are used for electronic equipment such as mobile communication, and particularly preferably used for high frequency circuits and the like. In particular, the present invention relates to an electronic component and a wireless terminal device in which a conductive film is provided on an insulating substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は従来のインダクタンス素子を示す
側面図である。図8において、1は四角柱状または、円
柱状の基台、2は基台1の上に形成された導電膜、3は
導電膜2に設けられた溝、4は導電膜3の上に積層され
た保護材である。
2. Description of the Related Art FIG. 8 is a side view showing a conventional inductance element. In FIG. 8, reference numeral 1 denotes a square-pillar or columnar base, 2 denotes a conductive film formed on the base 1, 3 denotes a groove provided in the conductive film 2, and 4 denotes a stacked layer on the conductive film 3 Protected material.

【0003】また、先行例としては、特開平8−557
28号公報等がある。
A prior example is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-557.
No. 28 publication.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、インダ
クタンス素子などの電子部品が小型化されてくると、ク
リーム半田などで面実装する場合には、熱処理により半
田から出てくるフラックス等によって、電子部品移動
し、うまく基板上に実装されなかったり、あるいは電子
部品が小型のために実装機のノズルで電子部品を吸着し
ようとした場合に、ノズルが電子部品上で滑ってしま
い、うまく実装されないなどの、実装不良が発生してい
た。また特に電子部品の中でもインダクタンス素子にお
いては、小型化に伴って、特性劣化が生じていた。
However, when electronic components such as inductance elements are miniaturized, when they are surface-mounted with cream solder or the like, the electronic components are moved by flux or the like coming out of the solder by heat treatment. However, if the electronic component is not mounted on the board properly, or if the electronic component tries to suck the electronic component with the nozzle of the mounting machine due to its small size, the nozzle slips on the electronic component and it is not mounted well. A mounting defect has occurred. In particular, among the electronic components, the characteristics of the inductance element have been deteriorated with the downsizing.

【0005】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、実装性の良さ,特性の劣化の防止の少なくとも一方
が実現可能な特に小型化された電子部品及び無線端末装
置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to provide a particularly miniaturized electronic component and a radio terminal device which can realize at least one of good mountability and prevention of deterioration of characteristics. Aim.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、基台と、基台
上に設けられた導電膜と、導電膜に設けられた溝と、基
台の端部上に設けられた一対の端子部と、溝を覆うよう
に設けられた保護材とを備えた電子部品であって、保護
材の表面部に凹部を設けた。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and a pair of terminals provided on an end of the base. And an electronic component including a protective member provided so as to cover the groove, wherein a concave portion is provided on a surface portion of the protective member.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】請求項1記載の発明は、基台と、
前記基台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けら
れた溝と、前記基台の端部上に設けられた一対の端子部
と、前記溝を覆うように設けられた保護材とを備えた電
子部品であって、保護材の表面部に凹部を設けたことを
特徴とする電子部品とすることで、吸着ノズルとの滑り
を低減させることができ、しかもフラックスによる素子
の位置ずれを防止できる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The invention according to claim 1 comprises a base,
A conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, a pair of terminal portions provided on an end of the base, and a protective material provided to cover the groove The electronic component is characterized in that a concave portion is provided on the surface of the protective material, whereby slip with the suction nozzle can be reduced, and the position of the element due to the flux can be reduced. Displacement can be prevented.

【0008】請求項2記載の発明は、保護材に設けた凹
部を基台の全側面に設けたことを特徴とする請求項1記
載の電子部品とすることで、どの面を実装しても実装性
を向上させることができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first aspect, wherein the concave portion provided in the protective member is provided on all side surfaces of the base. The mountability can be improved.

【0009】請求項3記載の発明は、保護材に設けた凹
部を溝の上に対応して設けたことを特徴とする請求項1
記載の電子部品とすることで、別途凹部を設ける工程が
不要になるので、生産性が向上する。
According to a third aspect of the present invention, the recess provided in the protective material is provided corresponding to the groove.
The use of the electronic component described above eliminates the need for a step of separately providing a concave portion, thereby improving productivity.

【0010】請求項4記載の発明は、凹部の底部を弧状
とした請求項1記載の電子部品とすることで、凹部にク
ズなどが溜まることはない。
According to a fourth aspect of the present invention, since the bottom of the concave portion is formed in an arc shape, the electronic component according to the first aspect does not accumulate debris or the like in the concave portion.

【0011】請求項5凹部の底部を溝13内に入り込ま
せたことを特徴とする請求項1記載の電子部品とするこ
とで、特にインダクタンス素子において、コイル武官の
保護材の量を減らすことができるので、高周波特性を向
上させることができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the electronic component according to the first aspect, the bottom of the concave portion is inserted into the groove. As a result, the high frequency characteristics can be improved.

【0012】請求項6記載の発明は、凹部の深さを0μ
mより大きく30μmよりも小さくしたことを特徴とす
る請求項1記載の電子部品で、所望の特性を得ることが
できる。
According to a sixth aspect of the present invention, the depth of the concave portion is 0 μm.
2. The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is larger than m and smaller than 30 μm.

【0013】請求項7記載の発明は、請求項1〜6にお
いて、導電膜と溝によって、インダクタンス成分を形成
することによって、実装性等に優れたインダクタンス素
子を提供できる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the first to sixth aspects, an inductance element excellent in mountability and the like can be provided by forming an inductance component by the conductive film and the groove.

【0014】請求項8記載の発明は、請求項1〜6にお
いて、導電膜の代わりに抵抗膜を用いた事によって、実
装性の優れたチップ抵抗器を提供することができる。
According to an eighth aspect of the present invention, a chip resistor excellent in mountability can be provided by using a resistive film instead of the conductive film in the first to sixth aspects.

【0015】請求項9記載の発明は、請求項1〜6にお
いて導電膜を少なくとも2分する溝を設け、容量成分を
有する事によって、実装性等の優れたチップコンデンサ
を提供できる。
According to a ninth aspect of the present invention, a chip capacitor excellent in mountability and the like can be provided by providing a groove for dividing the conductive film into at least two parts and having a capacitance component.

【0016】請求項10記載の発明は、表示手段と、デ
ータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方を送信信号
に変換するか受信信号をデータ信号もしくは音声信号の
少なくとも一方に変換する変換手段と、前記送信信号及
び前記受信信号を送受信するアンテナと、各部を制御す
る制御手段を備えた無線端末装置であって、発信回路,
フィルタ回路,アンテナ部及び各段とのマッチング回路
周辺部等の少なくとも一つに請求項1〜9いずれか1記
載の電子部品を用いたことによって、基板上での電子部
品が確実に実装され、長期間の使用によって不具合が生
じることはない。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a display unit, a conversion unit for converting at least one of a data signal and a voice signal into a transmission signal or a reception signal into at least one of a data signal and a voice signal, and the transmission unit. An antenna for transmitting and receiving a signal and the reception signal, and a wireless terminal device including control means for controlling each unit, comprising: a transmission circuit;
By using the electronic component according to any one of claims 1 to 9 for at least one of a filter circuit, an antenna unit, a peripheral portion of a matching circuit for each stage, and the like, the electronic component on the board is securely mounted, No problems occur with long-term use.

【0017】以下、本発明における電子部品及び無線端
末装置の実施の形態についてインダクタンス素子を例に
挙げて具体的に説明する。
Hereinafter, embodiments of an electronic component and a wireless terminal device according to the present invention will be specifically described by taking an inductance element as an example.

【0018】図1,図2はそれぞれ本発明の一実施の形
態におけるインダクタンス素子を示す斜視図及び側断面
図である。
FIGS. 1 and 2 are a perspective view and a side sectional view, respectively, showing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【0019】図1において、11は絶縁材料などをプレ
ス加工,押し出し法等を施して構成されている基台、1
2は基台11の上に設けられている導電膜で、導電膜1
2は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台11上に形成される。
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a base which is formed by subjecting an insulating material or the like to press working, extrusion, or the like.
Reference numeral 2 denotes a conductive film provided on the base 11.
2 is formed on the base 11 by an evaporation method such as a plating method or a sputtering method.

【0020】13は基台11及び導電膜12に設けられ
た溝で、溝13は、レーザ光線等を導電膜12に照射す
ることによって形成したり、導電膜12に砥石等を当て
て機械的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的
エッチングによって形成されている。この溝13を例え
ばスパイラル状に形成することによって、導電膜12に
コイル状の導電膜が形成されることになる。
Reference numeral 13 denotes a groove provided on the base 11 and the conductive film 12. The groove 13 is formed by irradiating the conductive film 12 with a laser beam or the like, or is mechanically formed by applying a grindstone or the like to the conductive film 12. Or by selective etching using a resist or the like. By forming the groove 13 in a spiral shape, for example, a coil-shaped conductive film is formed on the conductive film 12.

【0021】14は基台11及び導電膜12の溝13を
設けた部分に塗布された保護材で、保護材14には、溝
13の上に対応した凹部14aが設けられている。1
5,16はそれぞれ基台11の端部にそれぞれ取り付け
られた端子部である。
Reference numeral 14 denotes a protective material applied to a portion of the base 11 and the conductive film 12 where the groove 13 is provided. The protective material 14 has a concave portion 14 a corresponding to the groove 13. 1
Reference numerals 5 and 16 denote terminal portions respectively attached to the ends of the base 11.

【0022】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、長さL1,幅L2,高さL3は以下の通りとなって
いることが好ましい。
The inductance element of the present embodiment preferably has the following length L1, width L2, and height L3.

【0023】L1=0.2〜2.0mm(好ましくは
0.3〜0.8mm) L2=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) L3=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) (なお、L1,L2,L3のそれぞれの寸法誤差は0.
02mm以下が好ましい。) L1が0.2mm以下であると、必要とするインダクタ
ンスを得ることができない。また、L1が2.0mmを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など(以下回路基板等と略す)
の小型化ができず、ひいてはその回路基板等を搭載した
電子機器等の小型化を行うことができない。また、L
2,L3それぞれが0.1mm以下であると、素子自体
の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装置など
で、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が発生す
ることがある。また、L2,L3が1.0mm以上とな
ると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小型化、
ひいては装置の小型化を行うことができない。
L1 = 0.2 to 2.0 mm (preferably 0.3 to 0.8 mm) L2 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm) L3 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
(Note that the dimensional error of each of L1, L2, and L3 is 0.3 mm.)
It is preferably equal to or less than 02 mm. If L1 is 0.2 mm or less, the required inductance cannot be obtained. Further, when L1 exceeds 2.0 mm, the element itself becomes large, and a substrate on which an electronic circuit or the like is formed (hereinafter abbreviated as a circuit substrate or the like).
Cannot be miniaturized, and as a result, it is not possible to reduce the size of electronic equipment or the like on which the circuit board or the like is mounted. Also, L
If each of L2 and L3 is 0.1 mm or less, the mechanical strength of the element itself becomes too weak, and the element may be broken when mounted on a circuit board or the like by a mounting apparatus or the like. Further, when L2 and L3 are 1.0 mm or more, the elements become too large, and the circuit board and the like can be reduced in size.
As a result, the size of the device cannot be reduced.

【0024】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。
With respect to the inductance element configured as described above, each part will be described in detail below.

【0025】まず、基台11の形状について説明する。First, the shape of the base 11 will be described.

【0026】基台11は角柱状もしくは円柱状とするこ
とが好ましく、図1,2に示す様に基台11を角柱状と
することによって、実装性を向上させることができ、素
子の転がり等を防止できる等の効果を有する。また、基
台11を角柱状とする中でも特に四角柱状とすることが
非常に実装性や、素子の回路基板上での位置決めを容易
にする。なお、更に好ましくは底面が正方形の直方体と
することが更に実装性等を向上させることができる。更
に、基台11を角柱状とすることによって構造が非常に
簡単になるので、生産性がよく、しかもコスト面が非常
に有利になる。また、図示してはいないが、基台11の
中央部に周回状の段差部を設け、その周回状の段差部の
中に溝13や保護材14等を形成する構成でも良い。こ
の様な構成によれば、保護材14等が電子部品の側面か
ら大きく突出することはなく、実装性などを向上させる
ことができる。
The base 11 is preferably formed in a prismatic or cylindrical shape. By forming the base 11 in a prismatic shape as shown in FIGS. And the like. In addition, among the rectangular bases, the base 11 is particularly preferably formed in a square pillar shape, which greatly facilitates the mounting and the positioning of the element on the circuit board. In addition, it is more preferable that the bottom surface is a rectangular parallelepiped having a square shape, so that the mountability and the like can be further improved. Further, since the base 11 has a prismatic structure, the structure becomes very simple, so that the productivity is good and the cost is very advantageous. Although not shown, a configuration in which a circular step is provided in the center of the base 11 and the groove 13, the protective material 14, and the like are formed in the circular step may be used. According to such a configuration, the protection member 14 and the like do not protrude significantly from the side surface of the electronic component, and the mountability and the like can be improved.

【0027】また、基台11の形状を円柱状とすること
によって、後述するように基台11上に導電膜12を形
成し、その導電膜12にレーザ加工等によって溝を形成
する場合、その溝の深さなどを精度よく形成することが
でき、特性のばらつきを抑えることができる。
Further, by forming the base 11 in a cylindrical shape, a conductive film 12 is formed on the base 11 as described later, and when a groove is formed in the conductive film 12 by laser processing or the like, the The depth of the groove and the like can be formed with high accuracy, and variations in characteristics can be suppressed.

【0028】次に基台11の面取りについて図3を用い
て説明する。
Next, chamfering of the base 11 will be described with reference to FIG.

【0029】図3は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス素子に用いられる基台を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a base used for an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【0030】基台11の角部11b,11cには面取り
が施されており、その面取りした角部11b,11cの
それぞれの曲率半径R1及び角部11aの曲率半径R2
は以下の通りに形成されることが好ましい。
The corners 11b and 11c of the base 11 are chamfered, and the radius of curvature R1 of each of the chamfered corners 11b and 11c and the radius of curvature R2 of the corner 11a.
Is preferably formed as follows.

【0031】0.03<R1<0.15(mm) 0.07<R2(mm) R1が0.03mm以下であると、角部11b,11c
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部11b,11cに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、R1が0.15mm以上であると、角部11
b,11cが丸くなりすぎて、マンハッタン現象を起こ
しやすくなり、不具合が生じる。更にR2が0.01m
m以下であると、角部11aにバリなどが発生しやす
く、素子の特性を大きく左右する導電膜12の厚みが角
部11fと平坦な部分で大きく異なることがあり、素子
特性のばらつきが大きくなる。
0.03 <R1 <0.15 (mm) 0.07 <R2 (mm) If R1 is 0.03 mm or less, the corners 11b and 11c
Because of the sharp point, the corners 11b and 11c may be chipped by a slight impact or the like, and the chipping may cause deterioration of characteristics or the like. When R1 is 0.15 mm or more, the corner 11
Since b and 11c are too round, the Manhattan phenomenon is liable to occur, causing a problem. Furthermore, R2 is 0.01 m
If it is less than m, burrs and the like are likely to be generated at the corners 11a, and the thickness of the conductive film 12, which greatly affects the characteristics of the device, may be significantly different between the corners 11f and the flat portion, resulting in large variations in device characteristics. Become.

【0032】次に基台11の構成材料について説明す
る。基台11の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。
Next, the constituent materials of the base 11 will be described. It is preferable to satisfy the following characteristics as a constituent material of the base 11.

【0033】体積固有抵抗:1013Ωm以上(好ましく
は1014Ωm以上) 熱膨張係数:5×10-4/℃以下(好ましくは2×10
-5/℃以下)[20℃〜500℃における熱膨張係数] 比誘電率:1MHzにおいて12以下(好ましくは10
以下) 曲げ強度:1300kg/cm2以上(好ましくは20
00kg/cm2以上) 密度:2〜5g/cm3(好ましくは3〜4g/cm3) 基台11の構成材料が体積固有抵抗が1013Ωm以下で
あると、導電膜12とともに基台11にも所定に電流が
流れ始めるので、並列回路が形成された状態となり、自
己共振周波数f0及びQ値が低くなってしまい、高周波
用の素子としては不向きである。
Volume resistivity: 10 13 Ωm or more (preferably 10 14 Ωm or more) Thermal expansion coefficient: 5 × 10 −4 / ° C. or less (preferably 2 × 10 Ω / m)
−5 / ° C. or less) [Coefficient of thermal expansion at 20 ° C. to 500 ° C.] Relative permittivity: 12 or less at 1 MHz (preferably 10
Bending strength: 1300 kg / cm 2 or more (preferably 20
Density: 2 to 5 g / cm 3 (preferably 3 to 4 g / cm 3 ) When the constituent material of the base 11 has a volume resistivity of 10 13 Ωm or less, the conductive material 12 and the base 11 Also, a current starts to flow in a predetermined manner, so that a parallel circuit is formed, and the self-resonant frequency f0 and the Q value decrease, which is not suitable for a high-frequency element.

【0034】また熱膨張係数が5×10-4/℃以上であ
ると、基台11にヒートショック等でクラックなどが入
ることがある。すなわち熱膨張係数が5×10-4/℃以
上であると、上述の様に溝13を形成する際にレーザ光
線や砥石等を用いるので、基台11が局部的に高温にな
り、基台11にクラックなどが生じることあるが、上述
の様な熱膨張係数を有することによって、大幅にクラッ
ク等の発生を抑止できる。
If the coefficient of thermal expansion is 5 × 10 −4 / ° C. or more, cracks may occur in the base 11 due to heat shock or the like. That is, when the thermal expansion coefficient is 5 × 10 −4 / ° C. or more, the base 11 is locally heated to a high temperature because a laser beam or a grindstone is used when forming the groove 13 as described above. Although cracks and the like may occur in 11, the occurrence of cracks and the like can be greatly suppressed by having the above-described coefficient of thermal expansion.

【0035】また、誘電率が1MHzにおいて12以上
であると、自己共振周波数f0及びQ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。
If the dielectric constant is 12 or more at 1 MHz, the self-resonant frequency f0 and the Q value become low, which is not suitable for a high-frequency device.

【0036】曲げ強度が1300kg/cm2以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。
If the bending strength is 1300 kg / cm 2 or less, the element may be broken when mounted on a circuit board or the like by a mounting apparatus.

【0037】密度が2g/cm3以下であると、基台1
1の吸水率が高くなり、基台11の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が5g/c
3以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上述の範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台11への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。
When the density is 2 g / cm 3 or less, the base 1
1, the water absorption rate is increased, the characteristics of the base 11 are significantly deteriorated, and the characteristics as an element are deteriorated. The density is 5 g / c
If it exceeds m 3 , the weight of the base will be heavy, and there will be a problem in mountability and the like. In particular, when the density is set within the above range, the water absorption rate is small, water hardly enters the base 11, the weight is reduced, and no problem occurs when mounting on a substrate by a chip mounter or the like.

【0038】この様に基台11の体積固有抵抗,熱膨張
係数,誘電率,曲げ強度,密度を規定することによっ
て、自己共振周波数f0やQが低下しないので、高周波
用の素子として用いることができ、ヒートショック等で
基台11にクラック等が発生することを抑制できるの
で、不良率を低減することができ、更には、機械的強度
を向上させることができるので、実装装置などを用いて
回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の優
れた効果を得ることができる。
By defining the volume resistivity, the coefficient of thermal expansion, the dielectric constant, the bending strength, and the density of the base 11 in this manner, the self-resonant frequency f0 and Q do not decrease, so that the base 11 can be used as a high-frequency element. It is possible to suppress the occurrence of cracks or the like in the base 11 due to heat shock or the like, so that the defective rate can be reduced, and furthermore, the mechanical strength can be improved. Since it can be mounted on a circuit board or the like, excellent effects such as improvement in productivity can be obtained.

【0039】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台11を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台11の加工時のプレス圧力を2〜5t,焼成温
度を1500〜1600℃,焼成時間1〜3時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Al23が90重量%以上,SiO2が6重量
%以下,MgOが1.5重量%以下,Fe23が0.3
%以下,Na2Oが0.2重量%以下等が挙げられる。
As a material for obtaining the above-mentioned various properties, there is a ceramic material containing alumina as a main component. However, simply using a ceramic material mainly composed of alumina cannot obtain the above-mentioned characteristics. That is,
Since the above-mentioned various characteristics vary depending on the pressing pressure, the sintering temperature, and the additives at the time of producing the base 11, the production conditions and the like must be appropriately adjusted. Specific manufacturing conditions include a pressing pressure of 2 to 5 tons when processing the base 11, a firing temperature of 1500 to 1600 ° C., and a firing time of 1 to 3 hours. Specific examples of the alumina material include Al 2 O 3 of 90% by weight or more, SiO 2 of 6% by weight or less, MgO of 1.5% by weight or less, and Fe 2 O 3 of 0.3% by weight or less.
% Or less, and 0.2% by weight or less of Na 2 O.

【0040】また、基台11の構成材料として、フェラ
イト等の磁性材料で構成してもよい。基台11をフェラ
イト等の磁性材料で構成すると、高いインダクタンス
(大体0.5μH〜1μH)を有する素子を形成するこ
とができる。
The base 11 may be made of a magnetic material such as ferrite. When the base 11 is made of a magnetic material such as ferrite, an element having a high inductance (about 0.5 μH to 1 μH) can be formed.

【0041】次に基台11の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜12の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。
Next, the surface roughness of the base 11 will be described. The surface roughness described below means the average roughness of the center line, and the roughness described in the description of the conductive film 12 is also the average roughness of the center line.

【0042】基台11の表面粗さは0.15〜0.5μ
m程度、好ましくは0.2〜0.3μm程度がよい。導
電膜12と基台11との密着強度,導電膜12のQ値及
び自己共振周波数f0の双方の結果から判断すると、基
台11の表面粗さは、0.15μm〜0.5μmが好ま
しく、さらに好ましくは0.2〜0.3μmが良い。
The surface roughness of the base 11 is 0.15 to 0.5 μm
m, preferably about 0.2 to 0.3 μm. Judging from the results of the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11, the Q value of the conductive film 12, and the self-resonance frequency f0, the surface roughness of the base 11 is preferably 0.15 μm to 0.5 μm. More preferably, the thickness is 0.2 to 0.3 μm.

【0043】なお、本実施の形態では、導電膜12と基
台11の接合強度を基台11の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台11と導電膜1
2の間にC単体またはCを主成分とする材料の少なくと
も一方で構成された中間層を設けることによって、表面
粗さを調整せずとも導電膜12と基台11の密着強度を
向上させることができる。もちろん基台11の表面粗さ
を調整し、その上その基台11の上に中間層及び導電膜
12を積層する場合では、より強力な導電膜12と基台
11の密着強度を得ることができる。
In the present embodiment, the bonding strength between the conductive film 12 and the base 11 is improved by adjusting the surface roughness of the base 11.
By providing an intermediate layer composed of at least one of C alone or a material containing C as a main component between the two, the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11 can be improved without adjusting the surface roughness. Can be. Of course, when the surface roughness of the base 11 is adjusted and the intermediate layer and the conductive film 12 are laminated on the base 11, it is possible to obtain a stronger adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11. it can.

【0044】次に導電膜12について説明する。Next, the conductive film 12 will be described.

【0045】導電膜12の構成材料としては、銅,銀,
金,ニッケルなどの導電材料が挙げられる。この銅,
銀,金,ニッケル等の材料には、耐候性等を向上させた
めに所定の元素を添加してもよい。また、導電材料と非
金属材料等の合金を用いてもよい。構成材料としてコス
ト面や耐食性の面及び作り易さの面から銅及びその合金
がよく用いられる。導電膜12の材料として、銅等を用
いる場合には、まず、基台11上に無電解メッキによっ
て下地膜を形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所
定の銅膜を形成して導電膜12が形成される。更に、合
金等で導電膜12を形成する場合には、スパッタリング
法や蒸着法で構成することが好ましい。
The constituent materials of the conductive film 12 are copper, silver,
Conductive materials such as gold and nickel can be used. This copper,
Predetermined elements may be added to materials such as silver, gold, and nickel in order to improve weather resistance and the like. Alternatively, an alloy such as a conductive material and a nonmetallic material may be used. Copper and its alloys are often used as constituent materials in terms of cost, corrosion resistance, and ease of fabrication. When copper or the like is used as the material of the conductive film 12, first, a base film is formed on the base 11 by electroless plating, and a predetermined copper film is formed on the base film by electrolytic plating. The conductive film 12 is formed. Further, when the conductive film 12 is formed of an alloy or the like, it is preferable to form the conductive film 12 by a sputtering method or a vapor deposition method.

【0046】更に、本実施の形態の様に、導電膜12を
例えば銅などで構成し、その膜厚を厚くして自己発熱を
抑える場合、導電膜12に形成される溝13の幅K1と
溝13と溝13の間の導電膜12の幅K2は以下の関係
を有する事が好ましい。
Further, as in the present embodiment, when the conductive film 12 is made of, for example, copper and the film thickness is increased to suppress self-heating, the width K1 of the groove 13 formed in the conductive film 12 is reduced. The width K2 of the conductive film 12 between the grooves 13 preferably has the following relationship.

【0047】50μm>K1>8μm 300μm>K2>10μm 特に前述の様に長さL1,幅L2,高さL3を、 L1=0.2〜2.0mm(好ましくは0.3〜0.8
mm) L2=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) L3=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) (なお、L1,L2,L3のそれぞれの寸法誤差は0.
02mm以下が好ましい。) としたインダクタンス素子とした場合、上述のK1,K
2は上述の範囲とすることによって、電気抵抗を小さく
することができ、しかも導電膜12に形成される溝13
を精度良く形成することができ、更に導電膜12の膜厚
を厚くした場合に確実に溝13を形成することができ
る。
50 μm>K1> 8 μm 300 μm>K2> 10 μm In particular, as described above, the length L1, width L2, and height L3 are L1 = 0.2 to 2.0 mm (preferably 0.3 to 0.8
mm) L2 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm) L3 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
(Note that the dimensional error of each of L1, L2, and L3 is 0.3 mm.)
It is preferably equal to or less than 02 mm. ), The above K1, K
2 is in the above range, the electric resistance can be reduced, and the groove 13 formed in the conductive film 12 can be reduced.
Can be formed with high precision, and the groove 13 can be reliably formed when the film thickness of the conductive film 12 is increased.

【0048】導電膜12は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜12を複数積層して構成しても良い。例えば、基台1
1の上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属
膜(ニッケル等)を積層する事によって、やや耐候性に
問題がある銅の腐食を防止することができる。
The conductive film 12 may be composed of a single layer, but may have a multilayer structure. That is, a plurality of conductive films 12 having different constituent materials may be stacked. For example, base 1
First, a copper film is formed on 1 and a metal film having good weather resistance (such as nickel) is laminated thereon, so that corrosion of copper having a problem in weather resistance can be prevented.

【0049】導電膜12の形成方法としては、メッキ法
(電解メッキ法や無電解メッキ法など),スパッタリン
グ法,蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。
Examples of the method for forming the conductive film 12 include a plating method (such as an electrolytic plating method and an electroless plating method), a sputtering method, and a vapor deposition method. Among these forming methods,
A plating method with good mass productivity and small variations in film thickness is often used.

【0050】導電膜12の表面粗さは1μm以下が好ま
しく、更に好ましくは0.2μm以下が好ましい。導電
膜12の表面粗さが1μmを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのQ値が低下する。
The surface roughness of the conductive film 12 is preferably 1 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the surface roughness of the conductive film 12 exceeds 1 μm, the Q value at high frequencies decreases due to the skin effect.

【0051】次に保護材14について説明する。Next, the protective member 14 will be described.

【0052】保護材14としては、耐候性に優れた有機
材料、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料や電
着膜が用いられる。また、保護材14としては、溝13
の状況等が観測できるような透明度を有する事が好まし
い。更に保護材14には透明度を有したまま、所定の色
を有することが好ましい。保護材14に赤,青,緑など
の、導電膜12や端子部15,16等と異なる色を着色
する事によって、素子各部の区別をする事ができ、素子
各部の検査などが容易に行える。また、素子の大きさ、
特性、品番等の違いで保護材14の色を変えることによ
って、特性や品番等の異なる素子を誤った部分に取り付
けるなどのミスを低減させることができる。
As the protective material 14, an organic material having excellent weather resistance, for example, an insulating material such as an epoxy resin or an electrodeposition film is used. Further, as the protective material 14, the groove 13
It is preferable to have transparency so that the situation can be observed. Further, it is preferable that the protective material 14 has a predetermined color while having transparency. By coloring the protective material 14 with a color such as red, blue, or green, which is different from the conductive film 12 and the terminal portions 15 and 16, it is possible to distinguish each element portion, and to easily inspect each element portion. . Also, the size of the element,
By changing the color of the protective material 14 depending on the difference in characteristics, product numbers, etc., it is possible to reduce errors such as mounting of elements having different characteristics, product numbers, etc. on erroneous parts.

【0053】特に保護材14を電着膜で構成することに
よって、非常に薄くて絶縁性を確保でき、しかも耐熱性
も向上させることができる。すなわち、エポキシ樹脂や
レジストなどを塗布する方法であると、保護材14の部
分が大きく盛り上がり、回路基板等に実装する場合、素
子の端子部15,16と回路基板の配線の間に隙間が生
じることがあり、十分な電気的接合を行うことができな
いことがあるが、電着膜で保護材14を形成することに
よって、薄くしかも均一な保護材14を形成できるの
で、素子を回路基板などに実装したときに、端子部1
5,16と配線との間の隙間が非常に小さくなり、配線
と基盤の端子間の電気的接合は十分に行うことができ
る。
In particular, when the protective member 14 is formed of an electrodeposition film, the protective member 14 is very thin, can secure insulation, and can have improved heat resistance. That is, when the method of applying an epoxy resin, a resist, or the like is applied, a portion of the protective material 14 rises greatly, and when mounted on a circuit board or the like, a gap is generated between the terminal portions 15 and 16 of the element and the wiring of the circuit board. In some cases, sufficient electrical bonding cannot be performed. However, by forming the protective material 14 with an electrodeposition film, a thin and uniform protective material 14 can be formed. When mounted, terminal 1
The gap between the wiring 5 and 16 and the wiring is very small, and the electrical connection between the wiring and the terminal of the board can be sufficiently performed.

【0054】また、レジストなどを塗布する方法である
と、一つ一つの素子にそれぞれテープなどを用いて塗布
しなければならないので、工程が多くなり生産性が向上
せず、製造コストも低減することはできないが、本実施
の形態の様に、電着膜で保護材14を作製することによ
って、一度にたくさんの素子に保護材14を設けること
ができるので、生産性が向上しコストも低減させること
ができる。
In the method of applying a resist or the like, since each element must be applied using a tape or the like, the number of steps is increased, the productivity is not improved, and the manufacturing cost is reduced. Although it is not possible, as in the present embodiment, by forming the protective material 14 with an electrodeposition film, the protective material 14 can be provided to many elements at once, so that productivity is improved and cost is reduced. Can be done.

【0055】保護材14の具体的構成材料としては、ア
クリル系樹脂,エポキシ系樹脂,フッ素系樹脂,ウレタ
ン系樹脂,ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なくと
も1つで構成された電着樹脂膜によって構成されてい
る。また、保護材14を電着膜で構成する場合、カチオ
ン系,アニオン系のどちらかを選択する場合には、導電
膜12の構成材料、電着膜の構成材料、インダクタンス
素子の使用用途などを考慮して決定することが好まし
い。保護材14は異なる材料で構成された電着膜を積層
して構成しても良いし、同一材料を積層しても良く、更
には、複数の電着膜を溝部13の上に並列して設けても
よい。
As a specific constituent material of the protective member 14, an electrodeposition resin film made of at least one resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a fluorine resin, a urethane resin, and a polyimide resin is used. It is configured. In the case where the protective material 14 is formed of an electrodeposited film, and when either the cation type or the anion type is selected, the constituent material of the conductive film 12, the constituent material of the electrodeposited film, and the usage of the inductance element are used. It is preferable to determine in consideration of the above. The protective material 14 may be formed by laminating electrodeposited films made of different materials, or may be formed by laminating the same material. Further, a plurality of electrodeposited films may be stacked on the groove 13 in parallel. It may be provided.

【0056】保護材14を電着膜で構成する場合、保護
材14の厚さが数十ミクロンで20V以上の耐圧を有す
ることが好ましく、しかもハンダの融点である183℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。なお、183℃で保護材14が軟化する程度のもの
は不具合は生じない。
When the protective member 14 is formed of an electrodeposited film, the protective member 14 preferably has a thickness of several tens of microns and a withstand voltage of 20 V or more, and has a melting point of 183 ° C., which is the melting point of solder.
It is preferable to use a material having characteristics of not burning or evaporating. In the case where the protective material 14 is softened at 183 ° C., no problem occurs.

【0057】また、特殊用途などに用いられるインダク
タンス素子には、導電膜12と保護材14の密着強度を
持たせることが重要になってくる場合がある。この場合
には、導電膜12の表面を化学的エッチングすることに
よって粗面化し、その粗面化した表面に電着膜で構成し
た保護材14を設けることが好ましい。前述したよう
に、導電膜12の表面の粗面化を行うとQ値の低下を招
く危険はあるが、特殊用途等の場合、Q値よりも保護材
14と導電膜12の密着強度を向上することが重要な場
合があるので、このときは、用途などを考慮して導電膜
12の粗さを適宜決定する必要がある。
In some cases, it is important for an inductance element used for a special purpose to have an adhesion strength between the conductive film 12 and the protective material 14. In this case, it is preferable to roughen the surface of the conductive film 12 by chemical etching, and to provide a protective material 14 made of an electrodeposition film on the roughened surface. As described above, if the surface of the conductive film 12 is roughened, there is a risk of lowering the Q value. However, in a special use or the like, the adhesion strength between the protective material 14 and the conductive film 12 is improved more than the Q value. In this case, it is necessary to appropriately determine the roughness of the conductive film 12 in consideration of the application and the like.

【0058】また、導電膜12を銅を含む材料で構成し
た場合、電着膜である保護材14は不均一な膜厚で形成
されることがあるので、この場合には、導電膜12の上
にNi等の金属膜を形成し、その金属膜の上に保護材1
4を形成しても良い。
When the conductive film 12 is made of a material containing copper, the protective material 14 which is an electrodeposition film may be formed with an uneven film thickness. A metal film such as Ni is formed thereon, and a protective material 1 is formed on the metal film.
4 may be formed.

【0059】以上の様に、電着膜で構成された保護材1
4を有するインダクタンス素子を作製した後に、素子に
熱処理を加えることが好ましい。この熱処理によって、
保護材14の表面がなだらかになって、表面粗さが小さ
くなり、確実に導電膜12を覆うようになる。
As described above, the protective material 1 composed of the electrodeposition film
After manufacturing the inductance element having No. 4, it is preferable to apply heat treatment to the element. By this heat treatment,
The surface of the protective material 14 becomes gentle, the surface roughness becomes small, and the protective film 14 is surely covered.

【0060】以下、本発明の特徴部分について説明す
る。
The features of the present invention will be described below.

【0061】図1(a)や図2に示すように、保護材1
4の表面に凹部14aを設けることで、実装性やインダ
クタンス素子としての特性を向上させることができる。
As shown in FIG. 1A and FIG.
By providing the concave portion 14a on the surface of 4, the mountability and the characteristics as an inductance element can be improved.

【0062】すなわち、先ず保護材14に凹部14aを
設けることで、電子部品を回路基板上に実装して、クリ
ーム半田などで接合する場合には、半田などからフラッ
クス等が流れ出ても、その凹部14aにて僅かな隙間を
形成できるので、電子部品がそのフラックス等によって
移動することは従来よりも抑えられる。従来の様に、平
坦な保護材14の場合、大型の電子部品であれば自重に
よって、電子部品の移動が抑えられるが、本実施の形態
の様に、非常に小型な電子部品であると、フラックスの
流れによって、電子部品の位置ずれが生じてしまう。
That is, first, when the electronic component is mounted on the circuit board and joined by cream solder or the like by providing the concave portion 14 a in the protective member 14, even if flux or the like flows out of the solder or the like, the concave portion 14 a is formed. Since a small gap can be formed at 14a, the movement of the electronic component due to the flux or the like can be suppressed as compared with the related art. As in the conventional case, in the case of the flat protective material 14, the movement of the electronic component is suppressed by its own weight in the case of a large electronic component, but in the case of a very small electronic component as in the present embodiment, The flow of the flux causes a displacement of the electronic component.

【0063】また、保護材14に凹部14aを設けるこ
とで、実装機のノズルで電子部品を吸着する場合に、ノ
ズルが電子部品上で滑ってしまい吸着ミスを起こすこと
はない。従来の様な大型の電子部品であれば、ノズルに
よる吸着部分が大きいために、できるだけ平坦な保護材
が必要であるが、本実施の形態が想定している小型の電
子部品によれば、電子部品のノズルによる吸着部分は非
常に小さいために、吸着は容易である反面、ノズルの電
子部品上での滑りが非常に問題になってくる。繰り返し
になるが、本実施の形態では、保護材14aに凹部14
aを設けることで、このノズルの滑りをある程度防止す
ることができ、小型の電子部品の実装性を向上させるこ
とができる。
Further, by providing the concave portion 14a in the protective material 14, when the electronic component is sucked by the nozzle of the mounting machine, the nozzle does not slip on the electronic component, so that a suction error does not occur. In the case of a large electronic component as in the past, a protection member that is as flat as possible is necessary because the suction portion by the nozzle is large, but according to the small electronic component assumed in this embodiment, Since the suction portion of the component by the nozzle is very small, the suction is easy, but the slip of the nozzle on the electronic component becomes a serious problem. Again, in the present embodiment, the concave portions 14
By providing a, the sliding of the nozzle can be prevented to some extent, and the mountability of small electronic components can be improved.

【0064】本実施の形態では、溝13上に対応して凹
部14aを設ける構成によって、溝13の深さなど変え
ることで、凹部14aの深さを調整することができ、し
かもわざわざ凹部14aを形成するための工程も不要に
なるので、生産性が向上する。
In the present embodiment, the depth of the concave portion 14a can be adjusted by changing the depth of the groove 13 by providing the concave portion 14a corresponding to the groove 13, and the concave portion 14a is bothersome. Since a process for forming the layer is not required, productivity is improved.

【0065】なお、本実施の形態では、溝13上に対応
するように凹部14aを設けたが、保護材14上を波形
に加工し、凹部14aを作製しても良いし、保護材14
表面に凸部を複数箇所設けて、凹部14aを形成しても
良い。
In this embodiment, the concave portion 14a is provided so as to correspond to the groove 13. However, the concave portion 14a may be formed by processing the protective material 14 into a corrugated shape.
The concave portion 14a may be formed by providing a plurality of convex portions on the surface.

【0066】更に、本実施の形態では、凹部14aは基
台11の全側面に渡って、連続して設けたが、基台11
の少なくとも一つの側面上に設けたり、或いは不連続で
凹部14aを設けても良い。
Further, in the present embodiment, the concave portion 14a is provided continuously over all side surfaces of the base 11,
May be provided on at least one side face, or the recess 14a may be provided discontinuously.

【0067】又、図7に示すように、凹部14aの深さ
Eとしては、0μm<E<30μm(好ましくは3μm
<E<20μm、更に好ましくは、3μm<E<10μ
m)とすることが好ましい。Eが0μmの場合には、凹
部14aが形成されないことになり、実装性の向上は望
めないし、Eが30μmを超えると、ノズルによる吸着
ミスの発生確率が非常に高くなる。
As shown in FIG. 7, the depth E of the recess 14a is 0 μm <E <30 μm (preferably 3 μm
<E <20 μm, more preferably 3 μm <E <10 μm
m) is preferable. When E is 0 μm, the concave portion 14a is not formed, so that improvement in mountability cannot be expected. When E exceeds 30 μm, the probability of occurrence of suction error by the nozzle becomes extremely high.

【0068】特に、インダクタンス素子の場合、図7に
示すように凹部14aの底部14bが溝13の内部に入
り込む構成とすることで、溝13を設けることで形成さ
れたコイル部間に存在する保護材14の量を減らすこと
ができ、高周波特性が良好になる。
In particular, in the case of an inductance element, the bottom portion 14b of the concave portion 14a enters the inside of the groove 13 as shown in FIG. 7, so that the protection existing between the coil portions formed by providing the groove 13 is provided. The amount of the material 14 can be reduced, and the high frequency characteristics are improved.

【0069】また、本実施の形態では、凹部14aを周
期的に形成することで、実装性のばらつきや特性のばら
つきを抑えることができたが、仕様や使用環境に応じ
て、不規則に凹部14aを設けても良い。例えば、凹部
14aを電子部品の中央部における間隔を狭くし、両端
部における凹部14aの間隔を広くしたり、或いはその
逆にしたり、また、一方の端部から他方の端部に行くに
従って、凹部14aの間隔が次第に広くなったり或いは
狭くなったりする構成でも良い。
In this embodiment, the recesses 14a are periodically formed to suppress variations in mountability and characteristics. However, the recesses 14a are irregularly formed in accordance with the specifications and the use environment. 14a may be provided. For example, the distance between the concave portions 14a at the center of the electronic component is reduced, and the distance between the concave portions 14a at both ends is increased, or vice versa. A configuration in which the interval of 14a is gradually widened or narrowed may be used.

【0070】また、本実施の形態では、底部14bの断
面形状を弧状とすることで、凹部14aにクズなどが溜
まることを防止できる。
Further, in the present embodiment, by forming the bottom 14b with an arc-shaped cross section, it is possible to prevent dust and the like from accumulating in the recess 14a.

【0071】次に端子部15,16について説明する。Next, the terminals 15 and 16 will be described.

【0072】端子部15,16は図2に示すように、基
台11の端部上に設けられており、しかも基台11の側
面上においては、導電膜12を介して基台11に設けら
れているので、導電膜12と端子部15,16との電気
的接合を良好に行うことができる。また、導電膜12は
電子部品の端面から見ると電子部品の端面に露出してい
るが、基台11の端面上には形成されていないので、鍍
金法にて端子部15,16を形成すると、端子部15,
16はほとんど基台11の端面上には形成されないか、
或いは僅かしか基台11の端面上には形成されていな
い。この様に、端子部15,16は基台11の端面の外
縁部にのみ存在することになるので、実装性及び、回路
基板などに実装する際に、実装面積が小さくて済む。ま
た、画像認識による半田付け検査も確実に実施できる。
As shown in FIG. 2, the terminal portions 15 and 16 are provided on the end of the base 11, and are provided on the side of the base 11 via the conductive film 12. Therefore, the electrical connection between the conductive film 12 and the terminal portions 15 and 16 can be favorably performed. The conductive film 12 is exposed on the end face of the electronic component when viewed from the end face of the electronic component, but is not formed on the end face of the base 11, so that the terminal portions 15, 16 are formed by plating. , Terminal part 15,
16 is hardly formed on the end face of the base 11,
Alternatively, only a small portion is formed on the end face of the base 11. As described above, since the terminal portions 15 and 16 exist only at the outer edge of the end surface of the base 11, the mounting area and the mounting area when mounting on a circuit board or the like can be reduced. In addition, a soldering inspection by image recognition can be reliably performed.

【0073】また、回路基板等に設けられたランドパタ
ーンと電子部品の接合を良好に行うには、基台11の端
面から端子部15,16を突出させる構成とした方が好
ましい。
Further, in order to make a good connection between the land pattern provided on the circuit board and the like and the electronic component, it is preferable to make the terminal portions 15 and 16 project from the end face of the base 11.

【0074】以上の様な構成により、回路基板等への実
装の際に、電子部品を高密度で実装でき、しかも基台1
1端面がむき出しに成っているので、Q値等の向上も実
現することができる。
With the above configuration, electronic components can be mounted at a high density when mounted on a circuit board or the like.
Since one end face is exposed, an improvement in Q value and the like can be realized.

【0075】なお、本実施の形態では、基台11端面は
外部に露出するような構成としたが、基台11の端面が
むき出しに成ることによって、基台11の損傷や劣化が
生じることが懸念される場合には、基台11の端面上に
耐候性を有する樹脂や、或いは、耐候性を有する金属材
料等を、設けても良い。
In the present embodiment, the end surface of the base 11 is configured to be exposed to the outside. However, the end surface of the base 11 is exposed, so that the base 11 may be damaged or deteriorated. If there is a concern, a resin having weather resistance, a metal material having weather resistance, or the like may be provided on the end surface of the base 11.

【0076】以下、具体的に端子部15,16について
説明する。
Hereinafter, the terminal portions 15 and 16 will be specifically described.

【0077】端子部15,16は、基本的には、接合性
を有する材料すなわち、半田や鉛フリーの接合材(Sn
単体もしくはSnにAg,Cu,Zn,Bi,Inの少
なくとも一つを含ませた鉛フリー半田等)が用いられ、
その好適な膜厚は、5〜10μmである。上記の様な、
端子部15,16は例えば、鍍金法にて、上記接合材料
を導電膜12上に直接形成する。
The terminals 15 and 16 are basically made of a material having a bonding property, that is, a solder or a lead-free bonding material (Sn).
Lead-free solder or the like containing at least one of Ag, Cu, Zn, Bi, and In in Sn or Sn) is used.
The preferred film thickness is 5 to 10 μm. As above,
The terminal parts 15 and 16 are formed directly on the conductive film 12 by using, for example, a plating method.

【0078】また、耐食性を向上させるには、Ti,N
i,W,Cr等の腐食しにくい金属膜や、それら金属材
料の合金膜(Ni−Cr等)等の耐食膜を膜厚0.5〜
3μmの膜厚で、まず、導電膜12の上に形成し、その
後に、上記半田や鉛フリーの接合材を上述の条件等で構
成することが良い。特に、耐食膜としては、Ni単体か
若しくはNi合金を用いることが、特性面やコスト面等
で優れている。
In order to improve the corrosion resistance, Ti, N
A corrosion resistant film such as a metal film that is hardly corroded, such as i, W, and Cr, and an alloy film (such as Ni—Cr) of those metal materials is formed to a thickness of 0.5 to
It is preferable to first form a 3 μm-thick film on the conductive film 12 and then to form the solder or lead-free bonding material under the above-mentioned conditions. In particular, the use of Ni alone or a Ni alloy as the corrosion resistant film is excellent in characteristics, cost, and the like.

【0079】基台11の長手方向における端子部15,
16それぞれの長さP1,P2は以下の関係を満たすこ
とが好ましい。なお、L1は前述したように素子の全長
を表す。
The terminal portions 15 in the longitudinal direction of the base 11,
It is preferable that the lengths P1 and P2 of the respective 16 satisfy the following relationship. Note that L1 represents the entire length of the element as described above.

【0080】 0.07<P1÷L1<0.3(好ましくは0.2) 0.07<P2÷L1<0.3(好ましくは0.2) P1÷L1及びP2÷L1が0.07以下の場合には、
素子を回路基板上に実装した場合に、回路基板上に設け
られた電極などとの接合面積が小さくなり、接合強度が
劣化したり、マンハッタン現象などが生じる可能性があ
り、0.3以上の場合には、端子部15,16間が近接
してしまい、回路基板上などに実装した際に、端子部1
5,16間が回路基板上などで短絡してしまう可能性が
ある。
0.07 <P1 ÷ L1 <0.3 (preferably 0.2) 0.07 <P2 ÷ L1 <0.3 (preferably 0.2) P1 ÷ L1 and P2 ÷ L1 are 0.07 In the following cases,
When the element is mounted on a circuit board, the bonding area with the electrodes provided on the circuit board becomes smaller, the bonding strength may deteriorate, and the Manhattan phenomenon may occur. In this case, the terminal portions 15 and 16 are close to each other, and when mounted on a circuit board or the like, the terminal portions 1
There is a possibility that a short circuit occurs between 5 and 16 on a circuit board or the like.

【0081】また、基台11の端面から見た時の端子部
15,16に形成される端子部15,16の幅P3,P
4は10μm〜30μm(好ましくは20〜30μm)
の範囲とすることが好ましく、P3,P4が10μmよ
り小さいと、ランドパターンなどとの接合強度を十分に
得ることができず、また、半田付け検査時の画像認識が
とりにくい。30μmより大きいと、素子立ち現象等が
発生しやすくなる。
The widths P3, P3 of the terminals 15, 16 formed on the terminals 15, 16 when viewed from the end surface of the base 11.
4 is 10 μm to 30 μm (preferably 20 to 30 μm)
If P3 and P4 are smaller than 10 μm, sufficient bonding strength with a land pattern or the like cannot be obtained, and image recognition during soldering inspection is difficult. If it is larger than 30 μm, an element standing phenomenon or the like is likely to occur.

【0082】また、図2に示すように基台11と導電膜
12の境界部を覆うように端子部15,16をわずかに
基台11の端面表面に設けることで基台11と導電膜1
2の間に水などが入り込んで時間が経つと特性の劣化を
引き起こすことなどを防止できる。なお基台11の端面
上に直接形成される端子部15,16の幅はP3,P4
の約5%〜20%(好ましくは7〜12%)とすること
が、実装の面や保護の目的から好ましい。
Further, as shown in FIG. 2, the terminal portions 15 and 16 are slightly provided on the end surface of the base 11 so as to cover the boundary between the base 11 and the conductive film 12 so that the base 11 and the conductive film 1 can be formed.
It can be prevented that water or the like enters between the two and causes deterioration of characteristics over time. The widths of the terminal portions 15 and 16 formed directly on the end surface of the base 11 are P3 and P4.
Is preferably about 5% to 20% (preferably 7 to 12%) from the viewpoint of mounting and protection.

【0083】また、基台11の端面の表面からの基台1
1の端面上における端子部15,16の突出量P5,P
6は3μm〜30μm(好ましくは5μm〜15μm)
の範囲とすることが好ましく、P5,P6が3μmより
小さいと、ランドパターンなどとの接合強度を十分に得
ることができず、また、半田付け検査時の画像認識がと
りにくい。30μmより大きいと、素子立ち現象等が発
生しやすくなる。
The base 1 from the surface of the end face of the base 11
1, the protrusion amounts P5 and P of the terminal portions 15 and 16 on the end face.
6 is 3 μm to 30 μm (preferably 5 μm to 15 μm)
If P5 and P6 are smaller than 3 μm, sufficient bonding strength with a land pattern or the like cannot be obtained, and image recognition at the time of soldering inspection becomes difficult. If it is larger than 30 μm, an element standing phenomenon or the like is likely to occur.

【0084】また、端子部15,16の比抵抗値は1×
10-4Ωcm以上(好ましくは5×10-4Ωcm以上)
とする事が電気的特性を向上させるために有効である。
The specific resistance of the terminals 15 and 16 is 1 ×
10 −4 Ωcm or more (preferably 5 × 10 −4 Ωcm or more)
It is effective to improve the electrical characteristics.

【0085】また、図2に示す様に端子部15,16の
高さZ1及びZ2は下記の条件を満たすことが好まし
い。
As shown in FIG. 2, the heights Z1 and Z2 of the terminal portions 15 and 16 preferably satisfy the following conditions.

【0086】 |Z1−Z2|≦80μm(好ましくは50μm) Z1とZ2の高さの違いが80μm(好ましくは50μ
m以下)を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図4に示す。図4に示すよ
うに、基板200の上にインダクタンス素子を配置し、
端子部15,16それぞれと基板200の間に半田20
1,202が設けられているが、リフローなどによって
半田201,202を溶かすと、半田201,202の
それぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによる融
点の違いによって、溶融した半田201,202の表面
張力が端子部15と端子部16で異なり、その結果、図
4に示すように一方の端子部を中心に回転し、インダク
タンス素子が立ち上がってしまう。Z1とZ2の高さの
違いが80μm(好ましくは50μm以下)を超える
と、素子が傾いた状態で基板200に配置されることと
なり、素子立ちを促進する。また、マンハッタン現象は
特に小型軽量のチップ型の電子部品(チップ型インダク
タンス素子を含む)において顕著に発生し、しかもこの
マンハッタン現象の発生要因の一つとして、端子部1
5,16の高さの違いによって素子が傾いて基板200
に配置されることを着目した。この結果、Z1とZ2の
高さの差を80μm以下(好ましくは50μm以下)と
なるように、基台11を成形などで加工することによっ
て、このマンハッタン現象の発生を大幅に抑えることが
できた。Z1とZ2の高さの差を50μm以下とするこ
とによって、ほぼ、マンハッタン現象の発生を抑えるこ
とができる。
| Z1-Z2 | ≦ 80 μm (preferably 50 μm) The difference in height between Z1 and Z2 is 80 μm (preferably 50 μm).
m or less), when the element is mounted on a circuit board and attached to a circuit board or the like with solder or the like, the element is pulled to one end by surface tension of the solder or the like, and the element stands up. The probability of occurrence is very high. FIG. 4 shows this Manhattan phenomenon. As shown in FIG. 4, an inductance element is arranged on a substrate 200,
Solder 20 between each of terminal portions 15 and 16 and substrate 200
Although the solders 201 and 202 are provided, when the solders 201 and 202 are melted by reflow or the like, the molten solders 201 and 202 are melted due to a difference in the application amount of each of the solders 201 and 202 and a difference in melting point due to a difference in material. 4 differs between the terminal portion 15 and the terminal portion 16, and as a result, as shown in FIG. 4, the surface element rotates about one terminal portion, and the inductance element rises. If the difference between the heights of Z1 and Z2 exceeds 80 μm (preferably 50 μm or less), the elements are arranged on the substrate 200 in an inclined state, and the standing of the elements is promoted. In addition, the Manhattan phenomenon is particularly remarkable in small and lightweight chip-type electronic components (including chip-type inductance elements). One of the causes of the Manhattan phenomenon is the terminal portion 1.
The element is tilted due to the difference in height between 5 and 16 and the substrate 200
We paid attention to being placed in. As a result, by forming the base 11 by molding or the like so that the difference between the heights of Z1 and Z2 is 80 μm or less (preferably 50 μm or less), the occurrence of the Manhattan phenomenon could be significantly suppressed. . By setting the difference between the heights of Z1 and Z2 to 50 μm or less, the occurrence of the Manhattan phenomenon can be substantially suppressed.

【0087】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。
The method of manufacturing the inductance element having the above configuration will be described below.

【0088】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、数素子から数十素子分の基台を
作製し次にその基台11全体にメッキ法やスパッタリン
グ法などによって導電膜12を端面を除いて形成する。
この時、先ず基台11の全面に導電膜12を形成した後
に、端面上の導電膜12を取り除くか、或いは、長い棒
状の基台11に導電膜12を形成して、その基台11を
切断することによって、形成するか、或いは、予め基台
11の端面にマスクをして、端面に導電膜12が形成さ
れないようにする。
First, a base for several to several tens of elements is manufactured by pressing or extruding an insulating material such as alumina, and then a conductive film 12 is formed on the entire base 11 by plating or sputtering. It is formed excluding the end face.
At this time, first, after the conductive film 12 is formed on the entire surface of the base 11, the conductive film 12 on the end surface is removed, or the conductive film 12 is formed on the long rod-shaped base 11, and the base 11 is removed. It is formed by cutting, or a mask is previously applied to the end face of the base 11 so that the conductive film 12 is not formed on the end face.

【0089】次に導電膜12を形成した基台11にスパ
イラル状の溝13を所定間隔で複数個設ける。溝13は
レーザ加工や切削加工によって作製される。レーザ加工
は、非常に生産性が良いので、以下レーザ加工について
説明する。まず、基台11を回転装置に取り付け、基台
11を回転させ、そして基台11にレーザを照射して導
電膜12及び基台11の双方を取り除き、スパイラル状
の溝を形成する。このときのレーザは、YAGレーザ,
エキシマレーザ,炭酸ガスレーザなどを用いることがで
き、レーザ光をレンズなどで絞り込むことによって、基
台11に照射する。更に、溝13の深さ等は、レーザの
パワーを調整し、溝13の幅等は、レーザ光を絞り込む
際のレンズを交換することによって行える。また、導電
膜12の構成材料等によって、レーザの吸収率が異なる
ので、レーザの種類(レーザの波長)は、導電膜12の
構成材料によって、適宜選択することが好ましい。な
お、砥石などを用いて溝13を形成しても良い。
Next, a plurality of spiral grooves 13 are provided at predetermined intervals on the base 11 on which the conductive film 12 is formed. The groove 13 is formed by laser processing or cutting. Since the laser processing has very high productivity, the laser processing will be described below. First, the base 11 is attached to a rotating device, the base 11 is rotated, and the base 11 is irradiated with a laser to remove both the conductive film 12 and the base 11, thereby forming a spiral groove. The laser at this time is a YAG laser,
An excimer laser, a carbon dioxide laser, or the like can be used, and the base 11 is irradiated with the laser light by narrowing the laser light with a lens or the like. Further, the depth and the like of the groove 13 can be adjusted by adjusting the power of the laser, and the width and the like of the groove 13 can be adjusted by exchanging a lens when narrowing down the laser beam. Since the laser absorptivity varies depending on the constituent material of the conductive film 12 and the like, it is preferable to appropriately select the type of laser (laser wavelength) depending on the constituent material of the conductive film 12. The groove 13 may be formed using a grindstone or the like.

【0090】溝13を形成した後に、電着法や塗布法な
どを用いて、導電膜12の全面に保護材14を形成し、
さらに保護材14に凹部14aを形成する。
After forming the groove 13, a protective material 14 is formed on the entire surface of the conductive film 12 by using an electrodeposition method, a coating method, or the like.
Further, a concave portion 14a is formed in the protective member 14.

【0091】次に、溝13を挟むように基台11を切断
した後に、基台11の側面端部の保護材14を取り除
く。あるいは、基台11を切断する前に、溝13を挟む
ように保護材14を取り除き、その後に、保護材14を
取り除いた部分を目安として、その部分を切断して個々
の素子とする。この時、基台11の端面には導電膜12
は存在しておらず、基台11の端面の外縁部に導電膜1
2の端面が位置する。
Next, after cutting the base 11 so as to sandwich the groove 13, the protective member 14 on the side end of the base 11 is removed. Alternatively, before cutting the base 11, the protective material 14 is removed so as to sandwich the groove 13, and then, with the portion from which the protective material 14 has been removed as a guide, the portion is cut into individual elements. At this time, the conductive film 12 is formed on the end face of the base 11.
Does not exist, and the conductive film 1 is provided on the outer edge of the end face of the base 11.
2 are located.

【0092】その後に、基台11の端部の導電膜12が
むき出しになった部分に鍍金法によって、端子部15,
16を1層或いは複数層積層して、電子部品が完成す
る。
After that, the terminal portions 15 and 15 are formed on the exposed portions of the conductive film 12 at the ends of the base 11 by plating.
The electronic component is completed by laminating one or a plurality of the layers 16.

【0093】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。
Although the present embodiment has been described with reference to an inductance element, the same effect can be obtained with an electronic component in which a conductive film is formed on a base made of an insulating material.

【0094】また、導電膜12を抵抗膜とすることによ
って、小型のチップ抵抗器を作製することができ、導電
膜12にスパイラル状の溝13を設けるのではなく、環
状の溝等を設けて導電膜12を少なくとも二分する事に
よって、チップコンデンサとしても使用することができ
る。
Further, by using the conductive film 12 as a resistance film, a small chip resistor can be manufactured. Instead of providing the spiral groove 13 in the conductive film 12, an annular groove or the like is provided. By dividing the conductive film 12 into at least two parts, the conductive film 12 can also be used as a chip capacitor.

【0095】図5及び図6はそれぞれ本発明の一実施の
形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロック図
である。図5及び図6において、29は音声を音声信号
に変換するマイク、30は音声信号を音声に変換するス
ピーカー、31はダイヤルボタン等から構成される操作
部、32は着信等を表示する表示部、33はアンテナ、
34はマイク29からの音声信号を復調して送信信号に
変換する送信部で、送信部34で作製された送信信号
は、アンテナを通して外部に放出される。35はアンテ
ナで受信した受信信号を音声信号に変換する受信部で、
受信部35で作成された音声信号はスピーカー30にて
音声に変換される。36は送信部34,受信部35,操
作部31,表示部32を制御する制御部である。
FIGS. 5 and 6 are a perspective view and a block diagram, respectively, showing a wireless terminal device according to an embodiment of the present invention. 5 and 6, reference numeral 29 denotes a microphone for converting an audio signal to an audio signal, 30 denotes a speaker for converting an audio signal to an audio signal, 31 denotes an operation unit including dial buttons and the like, and 32 denotes a display unit for displaying an incoming call and the like. , 33 are antennas,
Reference numeral 34 denotes a transmission unit for demodulating an audio signal from the microphone 29 and converting the demodulated signal into a transmission signal. The transmission signal produced by the transmission unit 34 is emitted to the outside through an antenna. A receiving unit 35 converts a received signal received by the antenna into an audio signal.
The audio signal created by the receiving unit 35 is converted into audio by the speaker 30. A control unit 36 controls the transmission unit 34, the reception unit 35, the operation unit 31, and the display unit 32.

【0096】以下その動作の一例について説明する。An example of the operation will be described below.

【0097】先ず、着信があった場合には、受信部35
から制御部36に着信信号を送出し、制御部36は、そ
の着信信号に基づいて、表示部32に所定のキャラクタ
等を表示させ、更に操作部31から着信を受ける旨のボ
タン等が押されると、信号が制御部36に送出されて、
制御部36は、着信モードに各部を設定する。即ちアン
テナ33で受信した信号は、受信部35で音声信号に変
換され、音声信号はスピーカー30から音声として出力
されると共に、マイク29から入力された音声は、音声
信号に変換され、送信部34を介し、アンテナ33を通
して外部に送出される。
First, when there is an incoming call, the receiving unit 35
Sends an incoming signal to the control unit 36, the control unit 36 displays a predetermined character or the like on the display unit 32 based on the incoming signal, and further presses a button or the like for receiving an incoming call from the operation unit 31. And a signal is sent to the control unit 36,
The control unit 36 sets each unit to the incoming call mode. That is, the signal received by the antenna 33 is converted into an audio signal by the receiving unit 35, the audio signal is output as audio from the speaker 30, and the audio input from the microphone 29 is converted into an audio signal, Through the antenna 33 to the outside.

【0098】次に、発信する場合について説明する。Next, a case of transmitting a call will be described.

【0099】まず、発信する場合には、操作部31から
発信する旨の信号が、制御部36に入力される。続いて
電話番号に相当する信号が操作部31から制御部36に
送られてくると、制御部36は送信部34を介して、電
話番号に対応する信号をアンテナ33から送出する。そ
の送出信号によって、相手方との通信が確立されたら、
その旨の信号がアンテナ33を介し受信部35を通して
制御部36に送られると、制御部36は発信モードに各
部を設定する。即ちアンテナ33で受信した信号は、受
信部35で音声信号に変換され、音声信号はスピーカー
30から音声として出力されると共に、マイク29から
入力された音声は、音声信号に変換され、送信部34を
介し、アンテナ33を通して外部に送出される。
First, when transmitting a signal, a signal to transmit is transmitted from the operation unit 31 to the control unit 36. Subsequently, when a signal corresponding to the telephone number is transmitted from the operation unit 31 to the control unit 36, the control unit 36 transmits a signal corresponding to the telephone number from the antenna 33 via the transmission unit 34. When the transmission signal establishes communication with the other party,
When a signal to that effect is sent to the control unit 36 via the reception unit 35 via the antenna 33, the control unit 36 sets each unit to the transmission mode. That is, the signal received by the antenna 33 is converted into an audio signal by the receiving unit 35, the audio signal is output as audio from the speaker 30, and the audio input from the microphone 29 is converted into an audio signal, Through the antenna 33 to the outside.

【0100】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う装置についても同様な効果を得ることができる。
In the present embodiment, an example in which voice is transmitted and received has been described. However, the present invention is not limited to voice, and a similar effect can be obtained for a device that transmits or receives data other than voice such as character data. Can be obtained.

【0101】上記で説明した電子部品(図1〜図3等に
示すもの)は、発信回路,フィルタ回路,アンテナ部及
び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも一つに
用いられ、その数は、一つの無線端末装置に数個〜40
個程度用いられている。上述の様な電子部品を用いるこ
とによって、装置内部の基板等を小型化でき、素子立ち
現象などを抑えることができるので、回路基板などの不
良率が極めて小さくなり、生産性が非常によくなる。
又、基板上での電子部品が確実に実装され、長期間の使
用によって不具合が生じることはない。
The electronic components described above (shown in FIGS. 1 to 3 and the like) are used for at least one of a transmitting circuit, a filter circuit, an antenna section, a peripheral section of a matching circuit for each stage, and the like. Are several to 40 in one wireless terminal device.
About one piece is used. By using the electronic components as described above, the size of the substrate and the like inside the device can be reduced, and the phenomenon of standing up of the elements can be suppressed. Therefore, the defective rate of the circuit board and the like becomes extremely small, and the productivity becomes very good.
In addition, the electronic components are securely mounted on the substrate, and no trouble is caused by long-term use.

【0102】[0102]

【発明の効果】本発明は、基台と、基台上に設けられた
導電膜と、導電膜に設けられた溝と、基台の端部上に設
けられた一対の端子部と、溝を覆うように設けられた保
護材とを備えた電子部品であって、保護材の表面部に凹
部を設けたことで、吸着ノズルとの滑りを低減させるこ
とができ、しかもフラックスによる素子の位置ずれを防
止できる。
According to the present invention, there are provided a base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, a pair of terminal portions provided on an end of the base, and a groove. An electronic component comprising a protective material provided so as to cover the surface of the electronic component, wherein a concave portion is provided on a surface portion of the protective material, whereby slip with the suction nozzle can be reduced, and the position of the element due to the flux can be reduced. Displacement can be prevented.

【0103】また、無線端末装置において、上記電子部
品を搭載したことによって、電子部品の実装性及び特性
劣化を防止できるので、生産性が非常によくなり、端末
の特性劣化などを抑えることができる。
Also, by mounting the above-mentioned electronic components in the wireless terminal device, it is possible to prevent the deterioration of the mountability and characteristics of the electronic components, thereby greatly improving the productivity and suppressing the deterioration of the characteristics of the terminal. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す図
FIG. 1 is a diagram showing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側断面図
FIG. 2 is a side sectional view showing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台を示す斜視図
FIG. 3 is a perspective view showing a base used for the inductance element according to the embodiment of the present invention;

【図4】マンハッタン現象を示す図FIG. 4 is a diagram showing the Manhattan phenomenon

【図5】本発明の一実施の形態における無線端末装置を
示す斜視図
FIG. 5 is a perspective view showing a wireless terminal device according to one embodiment of the present invention;

【図6】本発明の一実施の形態における無線端末装置を
示すブロック図
FIG. 6 is a block diagram showing a wireless terminal device according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す部分拡大図
FIG. 7 is a partially enlarged view showing an inductance element according to one embodiment of the present invention.

【図8】従来のインダクタンス素子を示す側面図FIG. 8 is a side view showing a conventional inductance element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基台 12 導電膜 13 溝 14 保護材 14a 凹部 14b 底部 15,16 端子部 30 スピーカー 31 操作部 32 表示部 33 アンテナ 34 送信部 35 受信部 36 制御部 Reference Signs List 11 base 12 conductive film 13 groove 14 protective material 14a concave portion 14b bottom 15, 16 terminal unit 30 speaker 31 operation unit 32 display unit 33 antenna 34 transmitting unit 35 receiving unit 36 control unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯▲崎▼ 賢蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 楯 純生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E070 AA01 AB01 AB10 BA07 CB01 CC01 CC03 5K023 AA07 BB04 LL01 PP01  ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Iso ▲ saki ▼ Kenzo 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. In-house F term (reference) 5E070 AA01 AB01 AB10 BA07 CB01 CC01 CC03 5K023 AA07 BB04 LL01 PP01

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台の端部上に
設けられた一対の端子部と、前記溝を覆うように設けら
れた保護材とを備えた電子部品であって、保護材の表面
部に凹部を設けたことを特徴とする電子部品。
1. A base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, a pair of terminals provided on an end of the base, and the groove An electronic component comprising: a protection member provided so as to cover the protection member, wherein a recess is provided in a surface portion of the protection member.
【請求項2】保護材に設けた凹部を基台の全側面に設け
たことを特徴とする請求項1記載の電子部品。
2. The electronic component according to claim 1, wherein the recess provided in the protective material is provided on all side surfaces of the base.
【請求項3】保護材に設けた凹部を溝の上に対応して設
けたことを特徴とする請求項1記載の電子部品。
3. The electronic component according to claim 1, wherein the recess provided in the protective material is provided corresponding to the groove.
【請求項4】凹部の底部を弧状としたことを特徴とする
請求項1記載の電子部品。
4. The electronic component according to claim 1, wherein the bottom of the recess has an arc shape.
【請求項5】凹部の底部を溝13内に入り込ませたこと
を特徴とする請求項1記載の電子部品。
5. The electronic component according to claim 1, wherein the bottom of the recess is inserted into the groove.
【請求項6】凹部の深さを0μmより大きく30μmよ
りも小さくしたことを特徴とする請求項1記載の電子部
品。
6. The electronic component according to claim 1, wherein the depth of the recess is larger than 0 μm and smaller than 30 μm.
【請求項7】導電膜と溝によって、インダクタンス成分
を形成することを特徴とする請求項1〜6いずれか1記
載の電子部品。
7. The electronic component according to claim 1, wherein an inductance component is formed by the conductive film and the groove.
【請求項8】導電膜の代わりに抵抗膜を用いた事を特徴
とする請求項1〜6いずれか1記載の電子部品。
8. The electronic component according to claim 1, wherein a resistive film is used in place of the conductive film.
【請求項9】導電膜を少なくとも2分する溝を設け、容
量成分を有する事を特徴とする請求項1〜6いずれか1
記載の電子部品。
9. The method according to claim 1, wherein a groove for dividing the conductive film into at least two parts is provided, and has a capacitance component.
Electronic components as described.
【請求項10】表示手段と、データ信号もしくは音声信
号の少なくとも一方を送信信号に変換するか受信信号を
データ信号もしくは音声信号の少なくとも一方に変換す
る変換手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信
するアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた無線
端末装置であって、発信回路,フィルタ回路,アンテナ
部及び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも一
つに請求項1〜9いずれか1記載の電子部品を用いたこ
とを特徴とする無線端末装置。
10. A display means, conversion means for converting at least one of a data signal and an audio signal into a transmission signal or converting a reception signal into at least one of a data signal and an audio signal, and converting the transmission signal and the reception signal. 10. A wireless terminal device comprising an antenna for transmitting and receiving and control means for controlling each unit, wherein at least one of a transmitting circuit, a filter circuit, an antenna unit, and a peripheral circuit of a matching circuit for each stage is provided. A wireless terminal device using the electronic component according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111584182A (en) * 2019-02-15 2020-08-25 株式会社村田制作所 Inductor component

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