JP2002015677A - Gas discharge type display panel - Google Patents

Gas discharge type display panel

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JP2002015677A
JP2002015677A JP2000201437A JP2000201437A JP2002015677A JP 2002015677 A JP2002015677 A JP 2002015677A JP 2000201437 A JP2000201437 A JP 2000201437A JP 2000201437 A JP2000201437 A JP 2000201437A JP 2002015677 A JP2002015677 A JP 2002015677A
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JP
Japan
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electrode
substrate
display panel
gas discharge
gap
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Application number
JP2000201437A
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Japanese (ja)
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Nobuyuki Ushifusa
信之 牛房
Shigeaki Suzuki
重明 鈴木
Yasuhiko Nakayama
保彦 中山
Tomohiko Murase
友彦 村瀬
和博 ▲餅▼田
Kazuhiro Mochida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas discharge type display panel having good luminous efficiency and high brightness. SOLUTION: A convex section of dielectrics is formed near directly under a back substrate of a discharging gap (gap between a pair of display electrodes) of a display electrode of a front substrate, and a phosphor is formed on it. By this, an attenuation of an ultraviolet intensity can be prevented by shortening a distance from the ultraviolet produced in a main discharge to the phosphor. Moreover, the convex section of the dielectrics is formed almost directly under a back substrate of a contiguity gap (gap between the display electrode and an adjacent cell in a direction of an address electrode) of the display electrode. Then, an incorrect discharge which is caused from moving of an electrical charge of the adjacent cell, is prevented. By this, the contiguity gap is narrowed, an opening rate contributing to luminescence can be extended, and luminescence brightness is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルなどのガス放電型表示パネルに係わり、特
に、背面基板に形成される蛍光体の発光効率を向上させ
ることにより、高輝度、高品質な表示を行うことが可能
なパネル構造を有する交流駆動型のガス放電型表示パネ
ルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas discharge type display panel such as a plasma display panel, and more particularly to a display device of high luminance and high quality by improving the luminous efficiency of a phosphor formed on a rear substrate. The present invention relates to an AC-driven gas discharge display panel having a panel structure capable of performing the following.

【0002】[0002]

【従来の技術】プラズマディスプレイなどのガス放電型
表示パネルは自己発光により表示を行うため、視野角が
広く、表示が見やすい。また、薄型のものが作製できる
ことや大画面を実現できるなどの特長を持っており、情
報端末機器の表示装置や高品位テレビジョン受像機への
応用が始まっている。プラズマディスプレイは直流駆動
型と交流駆動型に大別される。このうち、交流駆動型の
プラズマディスプレイは、電極を覆っている誘電体層の
メモリー作用によって輝度が高く、保護層の形成などに
より実用に耐える寿命が得られるようになった。その結
果、交流駆動型プラズマディスプレイは多用途のビデオ
・モニタとして実用化されている。この例を図3と図4
に示す。図3は実用化されたプラズマディスプレイパネ
ルの構造を示す斜視図である。この図では、見易くする
ため、前面基板1を背面基板2と放電空間領域3より離
して図示した。前面基板1は、前面ガラス基板4上にI
TO(Indium Tin Oxide)や酸化スズ
(SnO2)などの透明導電材料からなる表示電極6と
低抵抗材料からなるバス電極7、透明な絶縁材料からな
る誘電体層8、酸化マグネシウム(MgO)などの材料
からなる保護層9が形成された構造となっている。背面
基板2は、背面ガラス基板5上にアドレス電極10とバ
リアリブ13、蛍光体層12が形成された構造となって
いる。そして、前面基板1と背面基板2を表示電極6と
アドレス電極10がほぼ直交するように張合わせること
により、放電空間領域3が前面基板1と背面基板2の間
に形成されている。図4は図3に示したガス放電型表示
装置の断面図である。図4において、(a)はアドレス
電極10に平行な断面を、(b)はアドレス電極10に
垂直な(a)に示した図のA−B断面を示している。こ
のガス放電型表示パネルは、バリアリブ13により区画
された画素となる多数のセルを備えた構造を有してい
る。
2. Description of the Related Art A gas discharge type display panel such as a plasma display performs display by self-emission, so that the display angle is wide and the display is easy to see. In addition, it has features such as being able to produce a thin type and realizing a large screen, and has begun to be applied to display devices of information terminal equipment and high-definition television receivers. Plasma displays are roughly classified into a DC drive type and an AC drive type. Among them, the AC drive type plasma display has a high luminance due to the memory effect of the dielectric layer covering the electrodes, and has a practically usable life due to the formation of the protective layer and the like. As a result, AC driven plasma displays have been put to practical use as versatile video monitors. This example is shown in FIG. 3 and FIG.
Shown in FIG. 3 is a perspective view showing a structure of a practically used plasma display panel. In this figure, the front substrate 1 is shown separated from the rear substrate 2 and the discharge space region 3 for easy viewing. The front substrate 1 has an I
A display electrode 6 made of a transparent conductive material such as TO (Indium Tin Oxide) or tin oxide (SnO2), a bus electrode 7 made of a low-resistance material, a dielectric layer 8 made of a transparent insulating material, magnesium oxide (MgO), etc. It has a structure in which a protective layer 9 made of a material is formed. The rear substrate 2 has a structure in which an address electrode 10, a barrier rib 13, and a phosphor layer 12 are formed on a rear glass substrate 5. The discharge space region 3 is formed between the front substrate 1 and the rear substrate 2 by bonding the front substrate 1 and the rear substrate 2 such that the display electrodes 6 and the address electrodes 10 are substantially orthogonal to each other. FIG. 4 is a sectional view of the gas discharge type display device shown in FIG. 4A shows a cross section parallel to the address electrode 10, and FIG. 4B shows an AB cross section of FIG. 4A perpendicular to the address electrode 10. This gas discharge type display panel has a structure including a large number of cells which are pixels partitioned by barrier ribs 13.

【0003】このガス放電型表示パネルでは以下に記す
駆動方法により表示を行う。まず前面基板1に設けた表
示電極6及び背面基板2のアドレス電極10に交流電圧
を印加することにより、表示させたいセル内にのみアド
レス放電を発生させ、前面基板1の保護層9上に一般に
壁電荷と呼称される電荷を蓄積する。アドレス放電が発
生したセルでは、保護層9上に形成された壁電荷の電圧
と、アドレス放電後に表示電極間に印加される主放電用
交流電圧との和が、放電開始電圧に達すると主放電が発
生する。この主放電で生じる紫外線により蛍光体層12
を発光させ、この蛍光体層12からの光を前面基板1を
透過させて表示を行う。一方、アドレス放電が行われな
かったセルでは壁電荷が形成されていないため、主放電
用交流電圧を印加しても主放電は発生しない。すなわ
ち、ガス放電型表示パネルでは、壁電荷の有無により発
光させるべきセルを選択していることになる。
In this gas discharge type display panel, display is performed by a driving method described below. First, by applying an AC voltage to the display electrodes 6 provided on the front substrate 1 and the address electrodes 10 of the rear substrate 2, an address discharge is generated only in the cells to be displayed, and generally on the protective layer 9 of the front substrate 1. It accumulates charges called wall charges. In the cell in which the address discharge has occurred, the sum of the voltage of the wall charge formed on the protective layer 9 and the AC voltage for main discharge applied between the display electrodes after the address discharge reaches the main discharge start voltage. Occurs. The ultraviolet light generated by this main discharge causes the phosphor layer 12
Is emitted, and light from the phosphor layer 12 is transmitted through the front substrate 1 to perform display. On the other hand, in the cells in which the address discharge has not been performed, no wall charge is formed, and thus no main discharge occurs even when the AC voltage for main discharge is applied. That is, in the gas discharge type display panel, a cell to emit light is selected based on the presence or absence of wall charges.

【0004】図5により、図3および図4に示した従来
のガス放電型表示装置の製造工程の一例を簡単に説明す
る。まず、前面基板1の製造工程について説明する。ソ
ーダライムガラス等からなる前面ガラス基板4を洗浄
し、その一方の主表面上に透明電極パターン6を形成す
る。ITOを透明電極材料として用いた場合、透明電極
パターン6の形成は、スパッタリング法等を用いてIT
Oを成膜した後に周知のフォトエッチング法によって行
われることが多い。それに対し、SnO2を用いた場
合、透明電極パターン6はリフトオフ法を用いた化学蒸
着法(Chemical Vapor Deposit
ion,CVD)によって形成されることが多く、前面
ガラス基板に用いるソーダライムガラスもシリカ等によ
り被覆されることが多い。バス電極7には銀(Ag)ペ
ーストを用いた印刷膜や、銅(Cu)膜をクロム(C
r)膜でサンドイッチしたCr/Cu/Cr積層膜が用
いられることが多く、前者はスクリーンを用いた印刷法
により、また後者は成膜後に周知のフォトエッチングを
行うことによって形成される。透明電極6とバス電極7
を形成した前面ガラス基板4上に、鉛ガラスを主成分と
する誘電体ペーストを印刷し、乾燥、焼結を行うことに
よって透明な誘電体層8が形成される。誘電体層8が形
成された前面ガラス基板4上に印刷法によって真空封止
を行うためのシール層16が形成され、さらに、真空蒸
着法等によってMgO層が形成される。これで前面基板
1が完成する。次に、背面基板2の製造工程について説
明する。ソーダライムガラス等からなる背面ガラス基板
5を洗浄し、その一方の主表面上に銀(Ag)ペースト
を用いた厚膜印刷法により、アドレス電極パターン10
を厚膜印刷および焼成により形成する。アドレス電極1
0を形成した背面ガラス基板5上に、厚膜印刷と乾燥を
所定の高さになるまで繰り返した後、焼成することによ
って、バリアリブ13を形成する。次いで、厚膜印刷法
によって各々の放電セルに塗り分けられた赤、緑及び青
の蛍光体層12を形成することによって背面基板2が完
成する。
Referring to FIG. 5, an example of a manufacturing process of the conventional gas discharge type display device shown in FIGS. 3 and 4 will be briefly described. First, a manufacturing process of the front substrate 1 will be described. The front glass substrate 4 made of soda lime glass or the like is washed, and a transparent electrode pattern 6 is formed on one main surface thereof. When ITO is used as the transparent electrode material, the formation of the transparent electrode pattern 6 is performed by using the sputtering method or the like.
It is often performed by a known photo-etching method after forming O. On the other hand, when SnO2 is used, the transparent electrode pattern 6 is formed by a chemical vapor deposition method (Chemical Vapor Deposition) using a lift-off method.
ion, CVD), and soda lime glass used for the front glass substrate is often coated with silica or the like. For the bus electrode 7, a printed film using a silver (Ag) paste or a copper (Cu) film is
r) A Cr / Cu / Cr laminated film sandwiched by films is often used. The former is formed by a printing method using a screen, and the latter is formed by performing well-known photoetching after film formation. Transparent electrode 6 and bus electrode 7
A transparent dielectric layer 8 is formed by printing a dielectric paste containing lead glass as a main component, followed by drying and sintering, on the front glass substrate 4 on which is formed. A sealing layer 16 for performing vacuum sealing is formed on the front glass substrate 4 on which the dielectric layer 8 is formed by a printing method, and further, an MgO layer is formed by a vacuum deposition method or the like. Thus, the front substrate 1 is completed. Next, a manufacturing process of the back substrate 2 will be described. The back glass substrate 5 made of soda lime glass or the like is washed, and the address electrode pattern 10 is formed on one main surface by a thick film printing method using a silver (Ag) paste.
Is formed by thick film printing and baking. Address electrode 1
The barrier ribs 13 are formed by repeating thick film printing and drying on the rear glass substrate 5 on which 0 is formed until a predetermined height is reached, followed by baking. Next, the red, green, and blue phosphor layers 12 that are separately applied to the respective discharge cells by the thick film printing method are formed, thereby completing the rear substrate 2.

【0005】完成した前面基板1と背面基板2を、位置
合わせをしながら組み立てる。排気や封入ガス導入を行
う排気管(図示せず)を取り付け、その後、封着炉で基
板同士のシールと排気管の固定を行う。基板同士のシー
ルは、基板工程で形成したシール層16(低融点ガラ
ス、フリット)により溶融固着させる。次に、排気装置
にパネルを取り付け、パネルをベーキングしながら排気
管で真空排気する。この後、例えばネオン(Ne)とキ
セノン(Xe)の混合ガスを封入し、排気管のチップオ
フとエージングを行うことにより、図3と図4に示した
従来のガス放電型表示パネルが完成する。ここで示した
ガス放電型表示パネルの従来例は、たとえば、フラット
パネルディスプレ1996(日経マイクロデバイス編、
1995年)の第208頁から215頁に記載されてい
る。
[0005] The completed front substrate 1 and rear substrate 2 are assembled while positioning. An exhaust pipe (not shown) for exhausting and introducing a sealed gas is attached, and thereafter, the substrates are sealed and the exhaust pipe is fixed in a sealing furnace. The seal between the substrates is melted and fixed by the seal layer 16 (low-melting glass, frit) formed in the substrate process. Next, a panel is attached to the exhaust device, and the panel is evacuated with an exhaust pipe while baking. Thereafter, a gas mixture of, for example, neon (Ne) and xenon (Xe) is sealed, and the exhaust pipe is chipped off and aged, thereby completing the conventional gas discharge type display panel shown in FIGS. . A conventional example of the gas discharge type display panel shown here is, for example, a flat panel display 1996 (edited by Nikkei Micro Devices,
1995), pp. 208-215.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、
赤、緑及び青の蛍光体を背面基板のバリアリブ間に厚膜
印刷法によりほぼ均一の厚さに形成されている。前面基
板に形成された表示電極に交流電圧を印加した主放電で
生じる紫外線により蛍光体を発光させ、この蛍光体から
の光を前面基板を透過させて表示を行う。蛍光体の発光
強度は主放電で生じる紫外線の強度にほぼ比例する。主
放電で生じる紫外線は蛍光体までの距離が遠くなると距
離の2乗に反比例して強度が減衰してしまう。また、前
面基板の表示電極の放電ギャップ(一対の表示電極間の
ギャップ)の背面基板への直下付近は、蛍光体の発光輝
度がバス電極に近い部分に比べて低いことが判明した。
これは主放電で生じる紫外線から蛍光体までの距離が遠
くなるためである。また、表示電極の隣接ギャップ(ア
ドレス電極方向の隣のセルとの表示電極間のギャップ)
は隣の放電しているセルの電荷が移動することによる誤
放電を防止するため十分な間隔を要するが、このギャッ
プは発光に寄与しないものであり、誤放電防止のために
十分なギャップを採ると発光に寄与する開口率が狭くな
り、その結果、輝度が低下する。
In the above prior art,
Red, green and blue phosphors are formed between barrier ribs on the rear substrate to a substantially uniform thickness by a thick film printing method. Ultraviolet light generated by a main discharge in which an AC voltage is applied to a display electrode formed on the front substrate causes the phosphor to emit light, and light from the phosphor is transmitted through the front substrate to perform display. The light emission intensity of the phosphor is substantially proportional to the intensity of ultraviolet light generated by the main discharge. When the distance to the phosphor is increased, the intensity of the ultraviolet light generated by the main discharge decreases in inverse proportion to the square of the distance. It was also found that the emission luminance of the phosphor was lower near the discharge gap (gap between the pair of display electrodes) of the display electrodes on the front substrate and the rear substrate than in the portion near the bus electrodes.
This is because the distance from the ultraviolet light generated by the main discharge to the phosphor becomes long. Also, the adjacent gap of the display electrode (gap between the display electrode and the next cell in the address electrode direction)
Requires a sufficient interval to prevent erroneous discharge due to movement of the charge of the next discharging cell, but this gap does not contribute to light emission, and a sufficient gap is employed to prevent erroneous discharge. Then, the aperture ratio contributing to light emission becomes narrow, and as a result, the luminance decreases.

【0007】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、良好な発光効率を有し高輝度のガス
放電型表示パネルを提供することを目的をする。特に、
背面基板に形成した誘電体層に凸部を設け、紫外線強度
の減衰を抑えて、蛍光体の発光強度の向上を図ると共
に、隣のセルの電荷の移動を低減し隣接ギャップを狭く
し発光に寄与する開口率を広げ輝度の向上を図った高効
率の好適な構造を有するガス放電型表示パネルを提供す
ることを目的をする。
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a gas discharge type display panel having good luminous efficiency and high luminance. In particular,
Protrusions are provided on the dielectric layer formed on the rear substrate to suppress the attenuation of ultraviolet light intensity, improve the emission intensity of the phosphor, and reduce the movement of charges in the adjacent cells to narrow the adjacent gap to emit light. It is an object of the present invention to provide a gas discharge type display panel having a suitable structure with a high efficiency and a widened aperture ratio and improved luminance.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、前面基板の表
示電極の放電ギャップ(一対の表示電極間のギャップ)
の背面基板への直下付近に誘電体の凸部を形成し、その
上に蛍光体を形成し、主放電で生じる紫外線から蛍光体
までの距離を短くすることで上記目的の一方を達成する
ものである。また、表示電極の隣接ギャップ(アドレス
電極方向の隣のセルとの表示電極間のギャップ)の背面
基板への直下付近に誘電体の凸部を形成し、隣の放電し
ているセルの電荷が移動することによる誤放電を防止す
ることで隣接ギャップを狭くし発光に寄与する開口率を
広げることで上記目的の他方を達成するものである。
According to the present invention, a discharge gap (a gap between a pair of display electrodes) of a display electrode on a front substrate is provided.
Form one of the above objects by forming a convex part of a dielectric just below the back substrate and forming a phosphor on it, and shortening the distance from the ultraviolet ray generated by the main discharge to the phosphor. It is. In addition, a convex portion of a dielectric is formed just below the adjacent gap of the display electrode (gap between the display electrode and the adjacent cell in the address electrode direction) to the rear substrate, and the charge of the adjacent discharging cell is reduced. The other of the above objects is achieved by preventing the erroneous discharge due to the movement, thereby narrowing the adjacent gap and increasing the aperture ratio contributing to light emission.

【0009】ただし、これらの凸部誘電体が表示電極方
向の放電セルを分離するバリアリブの高さより高いと、
隣の放電セルとの表示電極の分離ができなくなり、表示
電極方向すべてが放電してしまうため、これらの凸部誘
電体は表示電極方向の放電セルを分離するバリアリブの
高さより低い必要がある。また、表示電極の隣接ギャッ
プ(アドレス電極方向に隣のセルとの表示電極間のギャ
ップ)の背面基板への直下付近に形成した凸部誘電体
は、アドレス電極方向の隣のセルからの電荷の移動を防
止するためにできるだけ高い方が良いが、セル内の真空
排気、放電ガス導入に必要な空間は必要である。この隣
接ギャップ直下付近に形成した凸部誘電体が高い程隣接
ギャップの間隔を狭くでき、発光に寄与する開口率を広
げることができるため輝度が向上する。一方、表示電極
の放電ギャップ(一対の表示電極間のギャップ)の背面
基板への直下付近は主放電空間であり、凸部誘電体を形
成すると主放電空間が狭くなり、放電しにくくなる。そ
のため、この凸部誘電体は、隣接ギャップ直下付近に形
成した凸部誘電体より低い方が良い。すなわち、表示電
極の放電ギャップ(一対の表示電極間のギャップ)の背
面基板への直下付近の凸部誘電体は、主放電で生じる紫
外線から蛍光体までの距離を短くできれば良く、バリア
リブの高さの3分の1より低いことが望ましい。
However, if these convex dielectrics are higher than the height of the barrier rib separating the discharge cells in the direction of the display electrode,
Since the display electrode cannot be separated from the adjacent discharge cell, and discharge occurs in the entire display electrode direction, these convex dielectrics need to be lower than the height of the barrier rib separating the discharge cell in the display electrode direction. In addition, the convex dielectric formed immediately under the adjacent gap of the display electrode (the gap between the display electrode and the cell adjacent to the address electrode in the direction of the address electrode) on the rear substrate is used to transfer charges from the adjacent cell in the direction of the address electrode. It is better to be as high as possible to prevent movement, but a space necessary for evacuation and introduction of discharge gas in the cell is required. As the convex dielectric formed immediately below the adjacent gap is higher, the interval between the adjacent gaps can be narrowed, and the aperture ratio contributing to light emission can be increased, thereby improving the luminance. On the other hand, the area immediately below the discharge gap of the display electrode (gap between the pair of display electrodes) to the rear substrate is the main discharge space. When the convex dielectric is formed, the main discharge space becomes narrow, and discharge becomes difficult. Therefore, it is preferable that the protrusion dielectric is lower than the protrusion dielectric formed immediately below the adjacent gap. In other words, the protrusion dielectric near the discharge gap of the display electrode (gap between the pair of display electrodes) directly below the back substrate should be able to shorten the distance from the ultraviolet rays generated by the main discharge to the phosphor, and the height of the barrier ribs Is desirably less than one-third.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】発明の実施の形態1 本発明の第1の実施の形態を図1により説明する。図1
は本発明を適用したガス放電型表示装置の一部を断面図
で示したものである。図1の(a)はアドレス電極10
に平行な断面を、同図(b)はアドレス電極10に垂直
である同図(a)に示したA−B断面を、同図(c)は
アドレス電極10に垂直である同図(a)に示したC−
D断面を示している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Figure 1
1 is a sectional view showing a part of a gas discharge type display device to which the present invention is applied. FIG. 1A shows an address electrode 10.
(B) is a cross section perpendicular to the address electrode 10, and FIG. (C) is a cross section perpendicular to the address electrode 10. FIG. C) shown in
D section is shown.

【0011】図において、1は前面基板を、2は背面基
板を、3は放電空間領域を、4は前面ガラス基板を、5
は背面ガラス基板を、6と6’は透明導電材料からなる
表示電極を、7と7’は表示電極の一部と重なるように
設けられたバス電極を、8は前面基板に形成した誘電体
層を、9はMgOからなる保護層を、10は背面基板に
形成したアドレス電極を、11は背面基板に形成した誘
電体層を、12は蛍光体層を、13は主放電空間を限定
するバリアリブを、14は背面基板に形成した凸部誘電
体層を、15は表示のための主放電が発生する主放電空
間を示す。一般に、ガス放電型表示装置では、表示電極
6、6’の一方の電極をすべての表示セルに共通な共通
電極とし、他一方を表示セルに固有なスキャン電極とす
る。図1では、表示電極6をスキャン電極とし、表示電
極6’を共通電極とした。
In the drawing, 1 is a front substrate, 2 is a rear substrate, 3 is a discharge space region, 4 is a front glass substrate, and 5 is a front glass substrate.
Is a rear glass substrate, 6 and 6 'are display electrodes made of a transparent conductive material, 7 and 7' are bus electrodes provided so as to overlap a part of the display electrodes, and 8 is a dielectric formed on the front substrate. 9, a protective layer made of MgO, 10 an address electrode formed on the back substrate, 11 a dielectric layer formed on the back substrate, 12 a phosphor layer, and 13 a main discharge space. Barrier ribs, 14 a convex dielectric layer formed on the rear substrate, and 15 a main discharge space where a main discharge for display occurs. In general, in the gas discharge type display device, one of the display electrodes 6 and 6 'is a common electrode common to all display cells, and the other is a scan electrode unique to the display cell. In FIG. 1, the display electrode 6 is a scan electrode, and the display electrode 6 'is a common electrode.

【0012】次に、本実施の形態の製造方法の一例を説
明する。
Next, an example of the manufacturing method of the present embodiment will be described.

【0013】まず、前面基板1の製造方法について説明
する。
First, a method for manufacturing the front substrate 1 will be described.

【0014】(1)前面ガラス基板4とするソーダライ
ムガラス等のガラス板を中性洗剤等により洗浄する。
(1) A glass plate such as soda lime glass as the front glass substrate 4 is washed with a neutral detergent or the like.

【0015】(2)洗浄した前面ガラス基板4上に、ス
パッタリング法や電子線蒸着法などの成膜手法により酸
化スズ(SnO2)膜やITO(Indium Tin
Oxide)膜などの透明導電膜を膜厚が0.1〜
0.5μmとなるように形成する。次いで周知のフォト
エッチング法によって透明導電膜の加工を行い、表示電
極6、6’として働く電極パターンを形成する。表示電
極のパターン寸法は製造する放電セルの大きさに合わせ
て定めれば良い。
(2) A tin oxide (SnO 2) film or an ITO (Indium Tin) film is formed on the cleaned front glass substrate 4 by a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method.
Oxide) transparent conductive film such as a film having a thickness of 0.1 to
It is formed to have a thickness of 0.5 μm. Next, the transparent conductive film is processed by a well-known photoetching method to form an electrode pattern serving as the display electrodes 6 and 6 ′. The pattern size of the display electrode may be determined according to the size of the discharge cell to be manufactured.

【0016】(3)表示電極6、6’を形成した前面ガ
ラス基板4上に、スパッタリング法や電子線蒸着法等の
成膜手法を用いてクロム(Cr)膜で銅(Cu)膜をサ
ンドイッチしたCr/Cu/Cr積層膜を形成する。表
示電極6、6’を形成した前面ガラス基板4に接するク
ロム(Cr)膜の膜厚が0.1〜1μm、その上の銅
(Cu)膜の膜厚が1〜3μm、さらにその上のクロム
(Cr)膜の膜厚が0.1〜1.5μmとなるように形
成した。次いで、周知のフォトエッチング法を用いて、
Cr/Cu/Cr積層膜の加工を行い、表示電極6、
6’の一部と重なるように電極パターンを形成し、バス
電極7、7’とする。Cu膜の膜厚とバス電極のパター
ン寸法はバス電極に要求される抵抗値によって定めれば
良い。また、表示電極及びバス電極は、スパッタリング
法や電子線蒸着法などの成膜手法により酸化スズ(Sn
O2)膜やITO(Indium Tin Oxid
e)膜などの透明導電膜とクロム(Cr)膜で銅(C
u)膜をサンドイッチしたCr/Cu/Cr積層膜とを
連続して成膜し、バス電極のパターンでフォトエッチン
グ法を用いてCr/Cu/Cr積層膜の加工を行った
後、表示電極のパターンでフォトエッチング法によって
透明導電膜の加工を行うことによっても形成できる。
(3) A copper (Cu) film is sandwiched with a chromium (Cr) film on the front glass substrate 4 on which the display electrodes 6 and 6 'are formed by using a film forming technique such as a sputtering method or an electron beam evaporation method. The formed Cr / Cu / Cr laminated film is formed. The thickness of the chromium (Cr) film in contact with the front glass substrate 4 on which the display electrodes 6 and 6 'are formed is 0.1 to 1 [mu] m, and the thickness of the copper (Cu) film thereon is 1 to 3 [mu] m. The chromium (Cr) film was formed to have a thickness of 0.1 to 1.5 μm. Then, using a well-known photo etching method,
After processing the Cr / Cu / Cr laminated film, the display electrodes 6
An electrode pattern is formed so as to overlap with a part of 6 ′, and is used as bus electrodes 7 and 7 ′. The thickness of the Cu film and the pattern size of the bus electrode may be determined according to the resistance value required for the bus electrode. The display electrode and the bus electrode are made of tin oxide (Sn oxide) by a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method.
O2) film and ITO (Indium Tin Oxid)
e) A transparent conductive film such as a film and copper (C)
u) A Cr / Cu / Cr laminated film in which a film is sandwiched is continuously formed, and the Cr / Cu / Cr laminated film is processed by a photo-etching method using a bus electrode pattern. It can also be formed by processing a transparent conductive film by a photoetching method using a pattern.

【0017】(4)バス電極7、7’上の所定の場所に
酸化鉛を主成分としたペ−ストを用いて、スクリ−ン印
刷法によりベタ印刷した後、所定のプロファイルで焼成
して、膜厚が0.01〜0.05mmの誘電体層8を形
成する。一回の印刷でこれらの膜厚が得られない場合に
は、複数回印刷及び焼成を繰り返すことがある。
(4) Solid printing is performed at predetermined locations on the bus electrodes 7 and 7 'by a screen printing method using a paste containing lead oxide as a main component, and then fired with a predetermined profile. The dielectric layer 8 having a thickness of 0.01 to 0.05 mm is formed. If these film thicknesses cannot be obtained by one printing, printing and baking may be repeated a plurality of times.

【0018】(5)スパッタリング法や電子線蒸着法等
の成膜手法を用いてMgO膜を所定の場所に成膜し、保
護層9とする。MgO膜の膜厚はガス放電型表示パネル
に要求される寿命によって定める必要があるが、その代
表値は0.3〜1μmである。以上の工程により、前面
基板1が完成する。
(5) An MgO film is formed at a predetermined position by using a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method, and the protective layer 9 is formed. The thickness of the MgO film needs to be determined according to the life required for the gas discharge type display panel, and a typical value is 0.3 to 1 μm. Through the above steps, the front substrate 1 is completed.

【0019】次に背面基板2の製造方法について説明す
る。
Next, a method of manufacturing the rear substrate 2 will be described.

【0020】(1)背面ガラス基板5とするソーダライ
ムガラス等のガラス板を中性洗剤等を用いて洗浄する。
(1) A glass plate such as soda lime glass as the rear glass substrate 5 is washed with a neutral detergent or the like.

【0021】(2)洗浄した背面ガラス基板5上にスパ
ッタリング法や電子線蒸着法等の成膜手法を用いてクロ
ム(Cr)膜で銅(Cu)膜をサンドイッチしたCr/
Cu/Cr積層膜を形成する。背面ガラス基板5に接す
るクロム(Cr)膜の膜厚が0.1〜1μm、その上の
銅(Cu)膜の膜厚が1〜3μm、さらにその上のクロ
ム(Cr)膜の膜厚が0.1〜1.5μmとなるように
形成した。次いで、周知のフォトエッチング法を用いて
Cr/Cu/Cr積層膜の加工を行い、アドレス電極1
0とする。Cu膜の膜厚とアドレス電極のパターン寸法
はアドレス電極に要求される抵抗値によって定めれば良
い。
(2) A chromium (Cr) film sandwiched between a copper (Cu) film and a chromium (Cr) film by using a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method on the cleaned back glass substrate 5.
A Cu / Cr laminated film is formed. The thickness of the chromium (Cr) film in contact with the back glass substrate 5 is 0.1 to 1 μm, the thickness of the copper (Cu) film thereon is 1 to 3 μm, and the thickness of the chromium (Cr) film thereon is It was formed to have a thickness of 0.1 to 1.5 μm. Then, the Cr / Cu / Cr laminated film is processed by using a well-known photo-etching method, and the address electrode 1 is processed.
Set to 0. The thickness of the Cu film and the pattern size of the address electrode may be determined according to the resistance value required for the address electrode.

【0022】(3)アドレス電極10上の所定の場所に
酸化鉛を主成分としたペ−ストを用いて、スクリ−ン印
刷法によりベタ印刷した後、所定のプロファイルで焼成
して、膜厚が0.01〜0.05mmの誘電体層11を
形成する。一回の印刷でこれらの膜厚が得られない場合
には、複数回印刷及び焼成を繰り返すことがある。
(3) Solid printing is performed on a predetermined location on the address electrode 10 by a screen printing method using a paste containing lead oxide as a main component, followed by baking with a predetermined profile to obtain a film thickness. Forms a dielectric layer 11 having a thickness of 0.01 to 0.05 mm. If these film thicknesses cannot be obtained by one printing, printing and baking may be repeated a plurality of times.

【0023】(4)誘電体層11上の所定の場所に酸化
鉛を主成分としたペ−ストを用いて、スクリ−ン印刷法
によりパターン印刷した後、所定のプロファイルで焼成
して、凸部の高さが0.02〜0.15mmの誘電体層
14を形成する。一回の印刷でこれらの膜厚が得られな
い場合には、複数回印刷及び焼成を繰り返すことがあ
る。
(4) Using a paste containing lead oxide as a main component at a predetermined position on the dielectric layer 11, pattern printing is performed by a screen printing method, followed by firing with a predetermined profile to form a projection. The dielectric layer 14 having a part height of 0.02 to 0.15 mm is formed. If these film thicknesses cannot be obtained by one printing, printing and baking may be repeated a plurality of times.

【0024】(5)背面ガラス基板5の所定の場所に酸
化鉛を主成分としたリブペ−ストを用いて、スクリーン
印刷法によりベタ印刷し、膜厚が0.1〜0.2mmの
リブ材を塗布する。一回の印刷でこれらの膜厚が得られ
ない場合には、複数回印刷を繰り返すことがある。この
際、例えば、リブの最上層のみは黒色の材料を用い、そ
れ以外は白色の材料を用いることがある。このように、
目的に合ったペ−ストに変えることがある。また、リブ
ペ−ストは、ブレードコート法やロールコート法によ
り、一回で形成する方法を用いることもある。
(5) A rib material having a thickness of 0.1 to 0.2 mm is printed in a predetermined place on the rear glass substrate 5 by using a rib paste mainly composed of lead oxide by a screen printing method. Is applied. If these film thicknesses cannot be obtained by one printing, printing may be repeated a plurality of times. At this time, for example, a black material may be used only for the uppermost layer of the rib, and a white material may be used for the other layers. in this way,
It may be changed to a paste that suits the purpose. The rib paste may be formed by a single method using a blade coating method or a roll coating method.

【0025】(6)感光性フィルムをリブ材まで形成し
た背面ガラス基板5上にラミネートし、周知の露光、現
像、水洗、乾燥を行うことにより、所定の感光性フィル
ムパターンを形成する。
(6) A predetermined photosensitive film pattern is formed by laminating a photosensitive film on the back glass substrate 5 on which the rib material has been formed and performing well-known exposure, development, washing and drying.

【0026】(7)サンドブラスト処理を行うことによ
り、背面ガラス基板5の感光性フィルムによって被覆さ
れていないリブ材の部分を除去し、主放電空間15とな
る“溝”を形成する。感光性フィルムを剥離した後、所
定のプロファイルで焼成し、バリアリブ13を形成す
る。
(7) By performing a sandblasting process, a portion of the rib material that is not covered with the photosensitive film on the rear glass substrate 5 is removed, thereby forming a “groove” serving as the main discharge space 15. After peeling off the photosensitive film, it is baked with a predetermined profile to form the barrier ribs 13.

【0027】(8)主放電空間15となる“溝”の内壁
の表面に、ディスペンサ法やスプレー法、スクリ−ン印
刷法等の手法を用いて緑、青、赤の蛍光体12を塗布す
る。
(8) The green, blue and red phosphors 12 are applied to the surface of the inner wall of the "groove" to be the main discharge space 15 by using a dispenser method, a spray method, a screen printing method or the like. .

【0028】(9)ディスペンサ法を用いてフリットガ
ラスのパターン形成を行い、150℃で乾燥後、300
〜450℃の熱処理を行って、真空封止を行うためのシ
ール層16(図示せず)を形成する。この熱処理によ
り、蛍光体を塗布した際に使用した有機物を同時に熱分
解除去する。
(9) A frit glass pattern is formed using a dispenser method, dried at 150 ° C.,
A heat treatment at about 450 ° C. is performed to form a seal layer 16 (not shown) for performing vacuum sealing. By this heat treatment, the organic substances used when applying the phosphor are simultaneously thermally decomposed and removed.

【0029】以上の工程で、放電空間を分離するバリア
リブ13と蛍光体層12を有する背面基板2が完成す
る。
Through the above steps, the back substrate 2 having the barrier ribs 13 for separating the discharge space and the phosphor layer 12 is completed.

【0030】以上の各工程で完成した前面基板1と背面
基板2の位置合せを行い、400〜500℃の熱処理を
施すことによってこれらの基板を固定する。この場合、
前面基板1に設けた表示電極6およびバス電極7と背面
基板5に設けたアドレス電極10を直交させる。なお、
背面基板2には、パネル組み立て後に行う排気とガス導
入のためにチップ管(図示せず)を取り付ける。次に、
背面基板に設けたチップ管を通して前面基板1と背面基
板2の間に形成される主放電空間15の真空排気を行
い、例えば3〜10%のXeガスを含むNeガスを主放
電空間15に導入し、主放電空間15内の圧力を35〜
70kPaに調節する。次いで、チップ管の局部加熱に
よってチップオフを行うことにより図1に示したガス放
電型表示パネルが完成する。
The front substrate 1 and the rear substrate 2 completed in each of the above steps are aligned and subjected to a heat treatment at 400 to 500 ° C. to fix these substrates. in this case,
The display electrodes 6 and bus electrodes 7 provided on the front substrate 1 are orthogonal to the address electrodes 10 provided on the rear substrate 5. In addition,
A chip tube (not shown) is attached to the rear substrate 2 for exhaust and gas introduction after panel assembly. next,
The main discharge space 15 formed between the front substrate 1 and the rear substrate 2 is evacuated through a chip tube provided on the rear substrate, and a Ne gas containing, for example, 3 to 10% of Xe gas is introduced into the main discharge space 15. And the pressure in the main discharge space 15 becomes 35-
Adjust to 70 kPa. Next, the gas discharge type display panel shown in FIG. 1 is completed by performing chip-off by local heating of the chip tube.

【0031】このようにして作成したガス放電型表示パ
ネルの諸寸法の一例を表1に示す。また、凸部誘電体1
4の高さ、隣接ギャップを変えたときの発光輝度および
放電電圧について表2にまとめて示す。放電ギャップお
よびセルサイズを一定とし、表示電極幅および隣接ギャ
ップを変えて作成した。放電電圧を高くすると発光輝度
が高くなるため、ガス放電型表示パネルが安定して発光
できる放電電圧として170Vとした。ただし、表2中
のNo.15〜20は、この電圧では安定した放電がで
きなかったため、安定して発光できる放電電圧で評価し
た。
Table 1 shows an example of various dimensions of the gas discharge type display panel prepared as described above. Also, the convex dielectric 1
Table 2 shows the emission luminance and discharge voltage when the height of No. 4 and the adjacent gap were changed. The discharge gap and the cell size were made constant, and the display electrode width and the adjacent gap were varied. Since the emission luminance increases when the discharge voltage is increased, the discharge voltage is set to 170 V so that the gas discharge display panel can emit light stably. However, in Table 2, No. In Nos. 15 to 20, since stable discharge was not performed at this voltage, a discharge voltage at which stable light emission was possible was evaluated.

【0032】[0032]

【表1】 [Table 1]

【0033】[0033]

【表2】 [Table 2]

【0034】表1に示すように焼成後のバリアリブ13
の高さは0.15mmであった。これに対し、前面基板
1の表示電極6の隣接ギャップ(アドレス電極10方向
に隣のセルとの表示電極間のギャップ)の背面基板2へ
の直下付近に形成した凸部誘電体14の高さが0.13
mm以上の場合には、蛍光体12をバリアリブ間の
“溝”に充填した際にバリアリブ13の高さと同等かそ
れ以上となるため、表示電極6方向の放電セルを分離で
きなくなった。また、主放電空間15のセル内の真空排
気、放電ガス導入が困難となった。
As shown in Table 1, the fired barrier ribs 13
Was 0.15 mm in height. On the other hand, the height of the convex dielectric 14 formed immediately below the rear substrate 2 of the adjacent gap of the display electrode 6 on the front substrate 1 (gap between the display electrode with the cell adjacent to the address electrode 10). Is 0.13
In the case of not less than mm, the height of the barrier ribs 13 is equal to or greater than the height of the barrier ribs 13 when the phosphor 12 is filled in the "grooves" between the barrier ribs. In addition, it becomes difficult to evacuate the cells in the main discharge space 15 and to introduce the discharge gas.

【0035】表2中のNo.1〜10は、前面基板1の
表示電極6の放電ギャップ(一対の表示電極間のギャッ
プ)の背面基板2への直下付近に形成した凸部誘電体1
4の高さを一定とし、前面基板1の表示電極6の隣接ギ
ャップ(アドレス電極10方向に隣のセルとの表示電極
間のギャップ)の背面基板2への直下付近に形成した凸
部誘電体14の高さ及び隣接ギャップを変えたガス放電
型表示パネルである。表2中のNo.21は、背面基板
2の誘電体に凸部誘電体14を形成せず、従来例に最も
近いガス放電型表示パネルである。このガス放電型表示
パネル(表2中のNo.21)は、表示電極6の幅が
0.25mmである。
No. 2 in Table 2 Reference numerals 1 to 10 denote convex dielectrics 1 formed in the vicinity of a discharge gap (a gap between a pair of display electrodes) of the display electrodes 6 of the front substrate 1 immediately below the rear substrate 2.
4 is constant, and a convex dielectric formed near the gap immediately adjacent to the display electrode 6 of the front substrate 1 (gap between the display electrode and the cell adjacent to the cell in the direction of the address electrode 10) immediately below the rear substrate 2. 14 is a gas discharge type display panel in which the height and the adjacent gap are changed. No. in Table 2 Reference numeral 21 denotes a gas discharge type display panel which is the closest to the conventional example without forming the convex dielectric 14 on the dielectric of the back substrate 2. In this gas discharge type display panel (No. 21 in Table 2), the width of the display electrode 6 is 0.25 mm.

【0036】前面基板1の表示電極6の隣接ギャップ
(アドレス電極10方向に隣のセルとの表示電極間のギ
ャップ)の背面基板2への直下付近に形成した凸部誘電
体14の高さを高くし、隣接ギャップを狭くすることが
できたガス放電型表示パネル(表2中のNo.10)
は、発光に寄与する開口率を広くできたため発光輝度が
高く、従来例に近いガス放電型表示パネル(表2中のN
o.21)に比べ、約2.5倍の発光輝度が得られ、良
好な結果が得られた。これは、同一の投入電力に対し、
発光効率が約2.5倍向上したことになる。一方、前面
基板1の表示電極6の隣接ギャップ(アドレス電極10
方向に隣のセルとの表示電極間のギャップ)の背面基板
2への直下付近に形成した凸部誘電体14の高さを低く
し、誤放電防止のために隣接ギャップを広くしたガス放
電型表示パネル(表2中のNo.1)は、発光に寄与す
る開口率が狭くなり発光輝度が低下した。従来例に近い
ガス放電型表示パネル(表2中のNo.21)に比べ、
約1.2倍程度の性能向上であった。
The height of the convex dielectric 14 formed immediately below the rear substrate 2 of the gap adjacent to the display electrode 6 on the front substrate 1 (gap between the display electrode and an adjacent cell in the direction of the address electrode 10) is determined. Gas discharge type display panel whose height was increased and the adjacent gap was narrowed (No. 10 in Table 2)
The gas discharge type display panel (N in Table 2) has a high light emission luminance because the aperture ratio contributing to light emission can be widened, and is close to the conventional example.
o. The light emission luminance was about 2.5 times as high as that of 21), and good results were obtained. This means that for the same input power,
This means that the luminous efficiency has been improved about 2.5 times. On the other hand, the gap between the display electrodes 6 on the front substrate 1 (the address electrodes 10
A gas discharge type in which the height of the convex dielectric 14 formed immediately below the back substrate 2 (the gap between the display electrodes with the adjacent cells in the direction) and the adjacent gap is widened to prevent erroneous discharge In the display panel (No. 1 in Table 2), the aperture ratio contributing to light emission was narrowed, and the light emission luminance was reduced. Compared to a gas discharge type display panel (No. 21 in Table 2) close to the conventional example,
The performance improvement was about 1.2 times.

【0037】表2中のNo.11〜20は、前面基板1
の表示電極6の隣接ギャップ(アドレス電極10方向に
隣のセルとの表示電極間のギャップ)の背面基板2への
直下付近に形成した凸部誘電体14の高さ及び隣接ギャ
ップを一定とし、前面基板1の表示電極6の放電ギャッ
プ(一対の表示電極間のギャップ)の背面基板2への直
下付近に形成した凸部誘電体14の高さを変えたガス放
電型表示パネルである。
No. 2 in Table 2 11 to 20 are front substrates 1
The height and the adjacent gap of the convex dielectric 14 formed immediately below the rear electrode 2 of the adjacent gap (the gap between the display electrode and the cell adjacent to the address electrode 10) of the display electrode 6 are constant; This is a gas discharge type display panel in which the height of a convex dielectric 14 formed near the discharge gap (gap between a pair of display electrodes) of the display electrodes 6 of the front substrate 1 and directly below the rear substrate 2 is changed.

【0038】前面基板1の表示電極6の放電ギャップ
(一対の表示電極間のギャップ)の背面基板2への直下
付近に形成した凸部誘電体14の高さがバリアリブ13
の高さ(0.15mm)の3分の1より低いガス放電型
表示パネル(表2中のNo.11〜15)は、放電電圧
が上昇せず、発光輝度が高くなった。前面基板1の表示
電極6の放電ギャップ(一対の表示電極間のギャップ)
の背面基板2への直下付近に形成した凸部誘電体14の
高さがバリアリブ13の高さ(0.15mm)の3分の
1より高いガス放電型表示パネル(表2中のNo.16
〜20)は、主放電空間15が狭くなり、放電電圧が上
昇し、駆動回路に用いる高耐圧半導体の使用限界を超え
るため実用化できない。また、放電電圧が上昇しため、
発光輝度は高くなったが投入電力当たりの発光輝度を示
す発光効率があまり向上しなかった。
The height of the convex dielectric 14 formed immediately below the discharge gap (gap between the pair of display electrodes) of the display electrodes 6 of the front substrate 1 and the rear substrate 2 is equal to the height of the barrier ribs 13.
In the gas discharge type display panel (No. 11 to 15 in Table 2) lower than one third of the height (0.15 mm), the discharge voltage did not increase and the emission luminance increased. Discharge gap of display electrode 6 on front substrate 1 (gap between a pair of display electrodes)
No. 16 of the gas discharge display panel (No. 16 in Table 2) in which the height of the convex dielectric 14 formed immediately below the rear substrate 2 of the No. 2 is higher than one third of the height (0.15 mm) of the barrier rib 13.
20) cannot be put to practical use because the main discharge space 15 is narrowed, the discharge voltage is increased, and the usage limit of the high breakdown voltage semiconductor used in the drive circuit is exceeded. Also, because the discharge voltage rises,
Although the light emission luminance was increased, the light emission efficiency, which indicates the light emission luminance per input power, did not improve much.

【0039】本実施の形態では、バス電極7、7’とア
ドレス電極10の材料としてCuとCrを用いている
が、AlやNi、W、Mo、Agの金属やこれらの合金
を用いてもさしつかえない。また、バス電極7とアドレ
ス電極10を構成する材料の形成方法としてスパッタリ
ング法や電子線蒸着法を用いているが、形成方法に制限
はなく、めっき法や抵抗加熱蒸着法、厚膜印刷法などを
用いても良い。表示電極6を構成する透明導電材料も酸
化すずやITOに限定されるものではない。また、その
形成方法としてもスパッタリング法や電子線蒸着法に限
定されるものではなく、化学気相反応法やゾル−ゲル法
などを用いてもさしつかえない。誘電体層8、11およ
び14の形成には酸化鉛を主成分としたガラスペ−スト
を用いているが、この材料に限定されるものではない。
また、誘電体層8、11および14の形成方法として厚
膜印刷法を用いているが、形成方法にも制限はなく、ス
パッタリング法や化学気相反応法、ブレード法やスプレ
ー法と熱硬化法を組み合わせた方法などを用いても差し
支えない。また、保護層9としてMgOを用いている
が、放電ガスに対するスパッタリング率が低く、二次電
子放出係数が高ければ良く、MgOのほか、CaOやS
rO、Y2O3、これらの混合物を用いても差支えな
い。また、本実施の形態では放電ガスとしてNeとXe
の混合気体を用いているが、これらに限定されるもので
はない。
In the present embodiment, Cu and Cr are used as the materials for the bus electrodes 7 and 7 'and the address electrode 10. However, metals such as Al, Ni, W, Mo, and Ag and alloys thereof may be used. I can't tell. In addition, although a sputtering method or an electron beam evaporation method is used as a method for forming the material forming the bus electrode 7 and the address electrode 10, there is no limitation on the formation method, and a plating method, a resistance heating evaporation method, a thick film printing method, and the like. May be used. The transparent conductive material forming the display electrode 6 is not limited to tin oxide or ITO. Further, the method for forming the same is not limited to the sputtering method or the electron beam evaporation method, and a chemical vapor reaction method, a sol-gel method, or the like may be used. The dielectric layers 8, 11, and 14 are formed using glass paste containing lead oxide as a main component, but the material is not limited to this.
Although the thick film printing method is used as a method for forming the dielectric layers 8, 11, and 14, there is no limitation on the forming method, and a sputtering method, a chemical vapor reaction method, a blade method, a spray method, and a thermosetting method. May be used. Although MgO is used for the protective layer 9, it is sufficient that the sputtering rate for the discharge gas is low and the secondary electron emission coefficient is high.
rO, Y2O3, or a mixture thereof may be used. In the present embodiment, Ne and Xe are used as discharge gases.
However, the present invention is not limited to these.

【0040】なお、本発明の実施の形態では、背面ガラ
ス基板5としてソーダライムガラスを用いたが、その他
のガラス板やセラミック基板などの電気的絶縁性板材を
用いても差し支えない。
In the embodiment of the present invention, soda lime glass is used as the back glass substrate 5, but another glass plate or an electrically insulating plate such as a ceramic substrate may be used.

【0041】発明の実施の形態2 本発明の第1の実施の形態を図2により説明する。図2
は本発明を適用したガス放電型表示装置の一部を断面図
で示したものである。図2の(a)はアドレス電極10
に平行な断面を、同図(b)はアドレス電極10に垂直
である同図(a)に示したA−B断面を、同図(c)は
アドレス電極10に垂直である同図(a)に示したC−
D断面を示している。
Embodiment 2 of the Invention A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
1 is a sectional view showing a part of a gas discharge type display device to which the present invention is applied. FIG. 2A shows an address electrode 10.
(B) is a cross section perpendicular to the address electrode 10, and FIG. (C) is a cross section perpendicular to the address electrode 10. FIG. C) shown in
D section is shown.

【0042】図において、1は前面基板を、2は背面基
板を、3は放電空間領域を、4は前面ガラス基板を、5
は背面ガラス基板を、6と6’は透明導電材料からなる
表示電極を、7と7’は表示電極の一部と重なるように
設けられたバス電極を、8は前面基板に形成した誘電体
層を、8’は前面基板に形成した電極下地誘電体層を、
9はMgOからなる保護層を、10は背面基板に形成し
たアドレス電極を、11は背面基板に形成した誘電体層
を、11’は背面基板に形成した電極下地誘電体層を、
12は蛍光体層を、13は主放電空間を限定するバリア
リブを、14は背面基板に形成した凸部誘電体層を、1
5は表示のための主放電が発生する主放電空間を示す。
一般に、ガス放電型表示装置では、表示電極6、6’の
一方の電極をすべての表示セルに共通な共通電極とし、
他一方を表示セルに固有なスキャン電極とする。図2で
は、表示電極6をスキャン電極とし、表示電極6’を共
通電極とした。
In the drawing, 1 is a front substrate, 2 is a rear substrate, 3 is a discharge space region, 4 is a front glass substrate, and 5 is a front glass substrate.
Is a rear glass substrate, 6 and 6 'are display electrodes made of a transparent conductive material, 7 and 7' are bus electrodes provided so as to overlap a part of the display electrodes, and 8 is a dielectric formed on the front substrate. 8 ′ denotes an electrode base dielectric layer formed on the front substrate,
9 is a protective layer made of MgO, 10 is an address electrode formed on the back substrate, 11 is a dielectric layer formed on the back substrate, 11 'is an electrode base dielectric layer formed on the back substrate,
12 is a phosphor layer, 13 is a barrier rib for limiting the main discharge space, 14 is a convex dielectric layer formed on the rear substrate, and 1 is
Reference numeral 5 denotes a main discharge space where a main discharge for display occurs.
Generally, in a gas discharge type display device, one of the display electrodes 6 and 6 ′ is a common electrode common to all display cells,
The other is used as a scan electrode unique to the display cell. In FIG. 2, the display electrode 6 is a scan electrode, and the display electrode 6 'is a common electrode.

【0043】次に、本実施の形態の製造方法の一例を説
明する。
Next, an example of the manufacturing method of the present embodiment will be described.

【0044】まず、前面基板1の製造方法について説明
する。
First, a method for manufacturing the front substrate 1 will be described.

【0045】(1)前面ガラス基板4とするソーダライ
ムガラス等のガラス板を中性洗剤等により洗浄する。
(1) A glass plate such as soda lime glass as the front glass substrate 4 is washed with a neutral detergent or the like.

【0046】(2)洗浄した前面ガラス基板4上に、ス
パッタリング法や電子線蒸着法などの成膜手法を用いて
酸化珪素(SiO2)膜の電極下地誘電体層8’を膜厚
が0.1〜1.5μmとなるように形成する。さらに、
スパッタリング法や電子線蒸着法などの成膜手法により
酸化スズ(SnO2)膜やITO(Indium Ti
n Oxide)膜などの透明導電膜を膜厚が0.1〜
0.5μmとなるように形成する。次いで周知のフォト
エッチング法によって透明導電膜の加工を行い、表示電
極6、6’として働く電極パターンを形成する。表示電
極のパターン寸法は製造する放電セルの大きさに合わせ
て定めれば良い。
(2) A silicon oxide (SiO 2) film electrode base dielectric layer 8 ′ having a film thickness of 0.1 mm is formed on the cleaned front glass substrate 4 by a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method. It is formed to have a thickness of 1 to 1.5 μm. further,
A tin oxide (SnO2) film or an ITO (Indium Ti) film is formed by a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method.
n Oxide) film or other transparent conductive film having a thickness of 0.1 to
It is formed to have a thickness of 0.5 μm. Next, the transparent conductive film is processed by a well-known photoetching method to form an electrode pattern serving as the display electrodes 6 and 6 ′. The pattern size of the display electrode may be determined according to the size of the discharge cell to be manufactured.

【0047】(3)表示電極6、6’を形成した前面ガ
ラス基板4上に、スパッタリング法や電子線蒸着法等の
成膜手法を用いてクロム(Cr)膜で銅(Cu)膜をサ
ンドイッチしたCr/Cu/Cr積層膜を形成する。表
示電極6、6’を形成した前面ガラス基板4に接するク
ロム(Cr)膜の膜厚が0.1〜1μm、その上の銅
(Cu)膜の膜厚が1〜3μm、さらにその上のクロム
(Cr)膜の膜厚が0.1〜1.5μmとなるように形
成した。次いで、周知のフォトエッチング法を用いて、
Cr/Cu/Cr積層膜の加工を行い、表示電極6、
6’の一部と重なるように電極パターンを形成し、バス
電極7、7’とする。Cu膜の膜厚とバス電極のパター
ン寸法はバス電極に要求される抵抗値によって定めれば
良い。また、表示電極及びバス電極は、スパッタリング
法や電子線蒸着法などの成膜手法により酸化スズ(Sn
O2)膜やITO(Indium Tin Oxid
e)膜などの透明導電膜とクロム(Cr)膜で銅(C
u)膜をサンドイッチしたCr/Cu/Cr積層膜とを
連続して成膜し、バス電極のパターンでフォトエッチン
グ法を用いてCr/Cu/Cr積層膜の加工を行った
後、表示電極のパターンでフォトエッチング法によって
透明導電膜の加工を行うことによっても形成できる。
(3) A copper (Cu) film is sandwiched with a chromium (Cr) film on the front glass substrate 4 on which the display electrodes 6 and 6 'are formed, using a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method. The formed Cr / Cu / Cr laminated film is formed. The thickness of the chromium (Cr) film in contact with the front glass substrate 4 on which the display electrodes 6 and 6 'are formed is 0.1 to 1 [mu] m, and the thickness of the copper (Cu) film thereon is 1 to 3 [mu] m. The chromium (Cr) film was formed to have a thickness of 0.1 to 1.5 μm. Then, using a well-known photo etching method,
After processing the Cr / Cu / Cr laminated film, the display electrodes 6
An electrode pattern is formed so as to overlap with a part of 6 ′, and is used as bus electrodes 7 and 7 ′. The thickness of the Cu film and the pattern size of the bus electrode may be determined according to the resistance value required for the bus electrode. The display electrode and the bus electrode are made of tin oxide (Sn oxide) by a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method.
O2) film and ITO (Indium Tin Oxid)
e) A transparent conductive film such as a film and copper (C)
u) A Cr / Cu / Cr laminated film in which a film is sandwiched is continuously formed, and the Cr / Cu / Cr laminated film is processed by a photo-etching method using a bus electrode pattern. It can also be formed by processing a transparent conductive film by a photoetching method using a pattern.

【0048】(4)バス電極7、7’上の所定の場所に
酸化鉛を主成分としたペ−ストを用いて、スクリ−ン印
刷法によりベタ印刷した後、所定のプロファイルで焼成
して、膜厚が0.01〜0.05mmの誘電体層8を形
成する。一回の印刷でこれらの膜厚が得られない場合に
は、複数回印刷及び焼成を繰り返すことがある。
(4) Solid printing is performed at predetermined locations on the bus electrodes 7 and 7 'by a screen printing method using a paste containing lead oxide as a main component, followed by baking with a predetermined profile. The dielectric layer 8 having a thickness of 0.01 to 0.05 mm is formed. If these film thicknesses cannot be obtained by one printing, printing and baking may be repeated a plurality of times.

【0049】(5)スパッタリング法や電子線蒸着法等
の成膜手法を用いてMgO膜を所定の場所に成膜し、保
護層9とする。MgO膜の膜厚はガス放電型表示パネル
に要求される寿命によって定める必要があるが、その代
表値は0.3〜1μmである。以上の工程により、前面
基板1が完成する。
(5) An MgO film is formed at a predetermined place by using a film forming technique such as a sputtering method or an electron beam evaporation method, and the protective layer 9 is formed. The thickness of the MgO film needs to be determined according to the life required for the gas discharge type display panel, and a typical value is 0.3 to 1 μm. Through the above steps, the front substrate 1 is completed.

【0050】次に背面基板2の製造方法について説明す
る。
Next, a method of manufacturing the rear substrate 2 will be described.

【0051】(1)背面ガラス基板5とするソーダライ
ムガラス等のガラス板を中性洗剤等を用いて洗浄する。
(1) A glass plate such as soda lime glass to be used as the back glass substrate 5 is washed with a neutral detergent or the like.

【0052】(2)洗浄した背面ガラス基板5上に、ス
パッタリング法や電子線蒸着法などの成膜手法を用いて
酸化珪素(SiO2)膜の電極下地誘電体層11’を膜
厚が0.1〜1.5μmとなるように形成する。銀(A
g)を主成分としたペ−ストを用いて、スクリ−ン印刷
法によりパターン印刷した後、所定のプロファイルで焼
成して、膜厚が0.01〜0.02mmのアドレス電極
10を形成する。Ag膜の膜厚とアドレス電極のパター
ン寸法はアドレス電極に要求される抵抗値によって定め
れば良い。
(2) On the cleaned back glass substrate 5, a silicon oxide (SiO 2) film electrode base dielectric layer 11 ′ having a film thickness of 0.1 mm is formed by a film forming method such as a sputtering method or an electron beam evaporation method. It is formed to have a thickness of 1 to 1.5 μm. Silver (A
After the pattern is printed by a screen printing method using paste containing g) as a main component, the paste is fired with a predetermined profile to form the address electrode 10 having a thickness of 0.01 to 0.02 mm. . The thickness of the Ag film and the pattern size of the address electrode may be determined by the resistance value required for the address electrode.

【0053】(3)アドレス電極10上の所定の場所に
酸化鉛を主成分としたペ−ストを用いて、スクリ−ン印
刷法によりベタ印刷した後、所定のプロファイルで焼成
して、膜厚が0.01〜0.05mmの誘電体層11を
形成する。一回の印刷でこれらの膜厚が得られない場合
には、複数回印刷及び焼成を繰り返すことがある。
(3) Using a paste mainly composed of lead oxide at a predetermined place on the address electrode 10, solid printing is performed by a screen printing method, and then baked with a predetermined profile to form a film. Forms a dielectric layer 11 having a thickness of 0.01 to 0.05 mm. If these film thicknesses cannot be obtained by one printing, printing and baking may be repeated a plurality of times.

【0054】(4)誘電体層11上の所定の場所に酸化
鉛を主成分としたペ−ストを用いて、スクリ−ン印刷法
によりパターン印刷した後、所定のプロファイルで焼成
して、凸部の高さが0.02〜0.15mmの誘電体層
14を形成する。一回の印刷でこれらの膜厚が得られな
い場合には、複数回印刷及び焼成を繰り返すことがあ
る。
(4) Using a paste containing lead oxide as a main component at a predetermined location on the dielectric layer 11, pattern printing is performed by a screen printing method, followed by firing with a predetermined profile to form a projection. The dielectric layer 14 having a part height of 0.02 to 0.15 mm is formed. If these film thicknesses cannot be obtained by one printing, printing and baking may be repeated a plurality of times.

【0055】(5)背面ガラス基板5の所定の場所に酸
化鉛を主成分としたリブペ−ストを用いて、スクリーン
印刷法によりベタ印刷し、膜厚が0.1〜0.2mmの
リブ材を塗布する。一回の印刷でこれらの膜厚が得られ
ない場合には、複数回印刷を繰り返すことがある。この
際、例えば、リブの最上層のみは黒色の材料を用い、そ
れ以外は白色の材料を用いることがある。このように、
目的に合ったペ−ストに変えることがある。また、リブ
ペ−ストは、ブレードコート法やロールコート法によ
り、一回で形成する方法を用いることもある。
(5) A rib material having a thickness of 0.1 to 0.2 mm is printed in a predetermined place on the rear glass substrate 5 using a rib paste containing lead oxide as a main component by a screen printing method. Is applied. If these film thicknesses cannot be obtained by one printing, printing may be repeated a plurality of times. At this time, for example, a black material may be used only for the uppermost layer of the rib, and a white material may be used for the other layers. in this way,
It may be changed to a paste that suits the purpose. The rib paste may be formed by a single method using a blade coating method or a roll coating method.

【0056】(6)感光性フィルムをリブ材まで形成し
た背面ガラス基板5上にラミネートし、周知の露光、現
像、水洗、乾燥を行うことにより、所定の感光性フィル
ムパターンを形成する。
(6) A predetermined photosensitive film pattern is formed by laminating a photosensitive film on the back glass substrate 5 on which the rib material has been formed and performing well-known exposure, development, washing and drying.

【0057】(7)サンドブラスト処理を行うことによ
り、背面ガラス基板5の感光性フィルムによって被覆さ
れていないリブ材の部分を除去し、主放電空間15とな
る“溝”を形成する。感光性フィルムを剥離した後、所
定のプロファイルで焼成し、バリアリブ13を形成す
る。
(7) By performing a sandblasting process, a portion of the rib material which is not covered with the photosensitive film on the rear glass substrate 5 is removed to form a “groove” serving as the main discharge space 15. After peeling off the photosensitive film, it is baked with a predetermined profile to form the barrier ribs 13.

【0058】(8)主放電空間15となる“溝”の内壁
の表面に、ディスペンサ法やスプレー法、スクリ−ン印
刷法等の手法を用いて緑、青、赤の蛍光体12を塗布す
る。
(8) The green, blue and red phosphors 12 are applied to the surface of the inner wall of the "groove" to be the main discharge space 15 by using a dispenser method, a spray method, a screen printing method or the like. .

【0059】(9)ディスペンサ法を用いてフリットガ
ラスのパターン形成を行い、150℃で乾燥後、300
〜450℃の熱処理を行って、真空封止を行うためのシ
ール層16(図示せず)を形成する。この熱処理によ
り、蛍光体を塗布した際に使用した有機物を同時に熱分
解除去する。
(9) A frit glass pattern is formed using a dispenser method, dried at 150 ° C.
A heat treatment at about 450 ° C. is performed to form a seal layer 16 (not shown) for performing vacuum sealing. By this heat treatment, the organic substances used when applying the phosphor are simultaneously thermally decomposed and removed.

【0060】以上の工程で、放電空間を分離するバリア
リブ13と蛍光体層12を有する背面基板2が完成す
る。
Through the above steps, the rear substrate 2 having the barrier ribs 13 for separating the discharge space and the phosphor layer 12 is completed.

【0061】以上の各工程で完成した前面基板1と背面
基板2の位置合せを行い、400〜500℃の熱処理を
施すことによってこれらの基板を固定する。この場合、
前面基板1に設けた表示電極6およびバス電極7と背面
基板5に設けたアドレス電極10を直交させる。なお、
背面基板2には、パネル組み立て後に行う排気とガス導
入のためにチップ管(図示せず)を取り付ける。次に、
背面基板に設けたチップ管を通して前面基板1と背面基
板2の間に形成される主放電空間15の真空排気を行
い、例えば3〜10%のXeガスを含むNeガスを主放
電空間15に導入し、主放電空間15内の圧力を35〜
70kPaに調節する。次いで、チップ管の局部加熱に
よってチップオフを行うことにより図2に示したガス放
電型表示パネルが完成する。
The front substrate 1 and the rear substrate 2 completed in each of the above steps are aligned, and these substrates are fixed by performing a heat treatment at 400 to 500 ° C. in this case,
The display electrodes 6 and bus electrodes 7 provided on the front substrate 1 are orthogonal to the address electrodes 10 provided on the rear substrate 5. In addition,
A chip tube (not shown) is attached to the rear substrate 2 for exhaust and gas introduction after panel assembly. next,
The main discharge space 15 formed between the front substrate 1 and the rear substrate 2 is evacuated through a chip tube provided on the rear substrate, and a Ne gas containing, for example, 3 to 10% of Xe gas is introduced into the main discharge space 15. And the pressure in the main discharge space 15 becomes 35-
Adjust to 70 kPa. Next, by performing chip-off by local heating of the chip tube, the gas discharge type display panel shown in FIG. 2 is completed.

【0062】このようにして作成したガス放電型表示パ
ネルは、電極下地誘電体層8’を形成したことにより、
ソーダライムガラス等のガラス板からのアルカリ金属成
分の拡散が防止でき、透明電極の電気抵抗の増加を低減
できた。さらに、電極下地誘電体層11’を形成したこ
とにより、ソーダライムガラス等のガラス板からのアル
カリ金属成分の拡散が防止でき、Agを主成分とするア
ドレス電極10のマイグレーションが低減できた。ま
た、このようにして作成したガス放電型表示パネルの特
性は、上記実施の形態1と同様の結果が得られた。
The gas discharge type display panel manufactured in this manner has an electrode base dielectric layer 8 ′,
The diffusion of the alkali metal component from a glass plate such as soda lime glass was prevented, and the increase in the electrical resistance of the transparent electrode was reduced. Further, by forming the electrode base dielectric layer 11 ', diffusion of the alkali metal component from a glass plate such as soda lime glass could be prevented, and migration of the address electrode 10 containing Ag as a main component could be reduced. As for the characteristics of the gas discharge type display panel produced in this way, the same results as in the first embodiment were obtained.

【0063】本実施の形態では、バス電極7、7’の材
料としてCuとCrを用いているが、AlやNi、W、
Mo、Agの金属やこれらの合金を用いてもさしつかえ
ない。また、アドレス電極10の材料としてAgを用い
ているが、CuとCr、AlやNi、W、Moの金属や
これらの合金を用いてもさしつかえない。バス電極7を
構成する材料の形成方法としてスパッタリング法や電子
線蒸着法を用いているが、形成方法に制限はなく、めっ
き法や抵抗加熱蒸着法、厚膜印刷法などを用いても良
い。また、アドレス電極10を構成する材料の形成方法
として厚膜印刷法を用いているが、形成方法に制限はな
く、めっき法や抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、電
子線蒸着法などを用いても良い。表示電極6を構成する
透明導電材料も酸化すずやITOに限定されるものでは
ない。また、その形成方法としてもスパッタリング法や
電子線蒸着法に限定されるものではなく、化学気相反応
法やゾル−ゲル法などを用いてもさしつかえない。誘電
体層8、11および14の形成には酸化鉛を主成分とし
たガラスペ−ストを用いているが、この材料に限定され
るものではない。また、誘電体層8、11および14の
形成方法として厚膜印刷法を用いているが、形成方法に
も制限はなく、スパッタリング法や化学気相反応法、ブ
レード法やスプレー法と熱硬化法を組み合わせた方法な
どを用いても差し支えない。また、保護層9としてMg
Oを用いているが、放電ガスに対するスパッタリング率
が低く、二次電子放出係数が高ければ良く、MgOのほ
か、CaOやSrO、Y2O3、これらの混合物を用いて
も差支えない。また、本実施の形態では放電ガスとして
NeとXeの混合気体を用いているが、これらに限定さ
れるものではない。
In this embodiment, Cu and Cr are used as the materials of the bus electrodes 7 and 7 ′.
Mo and Ag metals and their alloys may be used. Although Ag is used as the material of the address electrode 10, metals such as Cu and Cr, Al, Ni, W, and Mo, and alloys thereof may be used. Although a sputtering method or an electron beam evaporation method is used as a method for forming the material forming the bus electrode 7, there is no limitation on the formation method, and a plating method, a resistance heating evaporation method, a thick film printing method, or the like may be used. In addition, a thick film printing method is used as a method for forming the material forming the address electrode 10, but the forming method is not limited, and a plating method, a resistance heating evaporation method, a sputtering method, an electron beam evaporation method, or the like may be used. good. The transparent conductive material forming the display electrode 6 is not limited to tin oxide or ITO. Further, the method for forming the same is not limited to the sputtering method or the electron beam evaporation method, and a chemical vapor reaction method, a sol-gel method, or the like may be used. The dielectric layers 8, 11, and 14 are formed using glass paste containing lead oxide as a main component, but the material is not limited to this. Although the thick film printing method is used as a method for forming the dielectric layers 8, 11, and 14, there is no limitation on the forming method, and a sputtering method, a chemical vapor reaction method, a blade method, a spray method, and a thermosetting method. May be used. Further, as the protective layer 9, Mg
Although O is used, it is only necessary that the sputtering rate for the discharge gas is low and the secondary electron emission coefficient is high. In addition to MgO, CaO, SrO, Y2O3, or a mixture thereof may be used. In this embodiment, a mixed gas of Ne and Xe is used as the discharge gas, but the present invention is not limited to these.

【0064】なお、本発明の実施の形態では、背面ガラ
ス基板5としてソーダライムガラスを用いたが、その他
のガラス板やセラミック基板などの電気的絶縁性板材を
用いても差し支えない。
In the embodiment of the present invention, soda lime glass is used as the back glass substrate 5, but other electrically insulating plate materials such as a glass plate and a ceramic substrate may be used.

【0065】[0065]

【発明の効果】本発明によれば、背面基板の誘電体に凸
部を形成することにより、蛍光体の発光効率を向上させ
ることができ、高性能のガス放電型表示パネルを提供で
きる効果が得られる。
According to the present invention, it is possible to improve the luminous efficiency of the phosphor by forming a projection on the dielectric of the back substrate, and to provide a high performance gas discharge type display panel. can get.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態を示す断面図であ
る。
FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.

【図3】ガス放電型表示パネルの従来例を示す斜視図で
ある。
FIG. 3 is a perspective view showing a conventional example of a gas discharge type display panel.

【図4】ガス放電型表示パネルの従来例を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a sectional view showing a conventional example of a gas discharge type display panel.

【図5】従来のガス放電型表示装置の製造方法の一例を
示す工程フロー図である。
FIG. 5 is a process flow chart showing an example of a method for manufacturing a conventional gas discharge type display device.

【符号の説明】 1…前面基板、2…背面基板、3…放電空間領域、4…
前面ガラス基板、5…背面ガラス基板、6…表示電極
(スキャン電極)、6’…表示電極(共通電極)、7、
7’…バス電極、8…前面基板に形成した誘電体層、
8’…前面基板に形成した電極下地誘電体層、9…保護
層(MgO)、10…アドレス電極、11…背面基板に
形成した誘電体層、11’…背面基板に形成した電極下
地誘電体層、12…蛍光体層、13…バリアリブ、14
…背面基板に形成した凸部誘電体層、15…主放電空
間、16…シール層。
[Description of Signs] 1. Front substrate, 2. Back substrate, 3. Discharge space region, 4.
Front glass substrate, 5: rear glass substrate, 6: display electrode (scan electrode), 6 ': display electrode (common electrode), 7,
7 ': bus electrode, 8: dielectric layer formed on front substrate,
8 ': an electrode base dielectric layer formed on the front substrate; 9: a protective layer (MgO); 10: address electrode; 11: a dielectric layer formed on the back substrate; 11': an electrode base dielectric formed on the back substrate Layer, 12: phosphor layer, 13: barrier rib, 14
... a convex dielectric layer formed on the back substrate, 15 ... main discharge space, 16 ... a seal layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 保彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所新ディスプレイ事業推進 センタ内 (72)発明者 村瀬 友彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所新ディスプレイ事業推進 センタ内 (72)発明者 ▲餅▼田 和博 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所新ディスプレイ事業推進 センタ内 Fターム(参考) 5C040 FA01 GB03 GB14 GD01 GD10 MA03 5C094 AA10 AA48 BA31 CA19 DA13 DA15 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 EC04 FA01 FA02 FB15 GB10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yasuhiko Nakayama 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the New Display Business Promotion Center of Hitachi, Ltd. No. 292 Hitachi Display Co., Ltd. New Display Business Promotion Center (72) Inventor ▲ Mochi ▼ Kazuhiro Ta 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Hitachi Display Co., Ltd. New Display Business Promotion Center F-term (reference) 5C040 FA01 GB03 GB14 GD01 GD10 MA03 5C094 AA10 AA48 BA31 CA19 DA13 DA15 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 EC04 FA01 FA02 FB15 GB10

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表示用の放電を発生させる少なくとも1
組以上の電極対および該電極対を覆うように形成された
誘電体層および該誘電体層を保護するための保護層から
構成された前面基板と、少なくとも表示画素を選択する
ためのアドレス電極および該電極を覆うように形成され
た誘電体層と前面基板と背面基板の間隔を区画しセルを
形成するバリアリブと蛍光体層を設けた背面基板とを貼
り合わせてなるガス放電型表示パネルにおいて、上記背
面基板に形成する誘電体層に凸部を設けていることを特
徴とするガス放電型表示パネル。
At least one device for generating a discharge for display
A front substrate composed of at least one pair of electrode pairs and a dielectric layer formed so as to cover the electrode pairs and a protective layer for protecting the dielectric layers, and an address electrode for selecting at least display pixels and In a gas discharge type display panel in which a dielectric layer formed so as to cover the electrodes, a barrier rib defining a space between the front substrate and the rear substrate and forming a cell, and a rear substrate provided with a phosphor layer are bonded to each other, A gas discharge type display panel, wherein a projection is provided on a dielectric layer formed on the rear substrate.
【請求項2】 請求項1に記載のガス放電型表示パネル
において、前記背面基板に形成する誘電体層の凸部を1
セル内に少なくとも1つ以上設けていることを特徴とす
るガス放電型表示パネル。
2. The gas discharge type display panel according to claim 1, wherein the projection of the dielectric layer formed on the back substrate has one projection.
A gas discharge type display panel comprising at least one or more cells provided in a cell.
【請求項3】 請求項1乃至2に記載のガス放電型表示
パネルにおいて、少なくとも前記背面基板に形成する誘
電体層の凸部を前面基板に形成した上記電極対の放電ギ
ャップもしくは隣接ギャップに対応する背面基板上の位
置に設けていることを特徴とするガス放電型表示パネ
ル。
3. The gas discharge display panel according to claim 1, wherein at least a projection of the dielectric layer formed on the rear substrate corresponds to a discharge gap or an adjacent gap of the electrode pair formed on the front substrate. A gas discharge type display panel provided at a position on a rear substrate.
【請求項4】 請求項1乃至3に記載のガス放電型表示
パネルにおいて、前記背面基板に形成する誘電体層の凸
部が上記バリアリブの高さより低いことを特徴とするガ
ス放電型表示パネル。
4. The gas discharge type display panel according to claim 1, wherein a projection of the dielectric layer formed on the back substrate is lower than a height of the barrier rib.
【請求項5】 請求項1乃至4に記載のガス放電型表示
パネルにおいて、前記背面基板に形成する誘電体層の凸
部が前面基板に形成した上記電極対の放電ギャップに対
応する位置の凸部に比べ隣接ギャップに対応する位置の
凸部の方が大きいことを特徴とするガス放電型表示パネ
ル。
5. The gas discharge type display panel according to claim 1, wherein the projection of the dielectric layer formed on the rear substrate has a projection corresponding to a discharge gap of the electrode pair formed on the front substrate. A gas discharge type display panel characterized in that a convex portion at a position corresponding to an adjacent gap is larger than a portion.
【請求項6】 請求項1乃至5に記載のガス放電型表示
パネルにおいて、前記前面基板に形成した上記電極対の
放電ギャップに対応する位置の凸部が上記バリアリブの
高さの3分の1より低いことを特徴とするガス放電型表
示パネル。
6. The gas discharge type display panel according to claim 1, wherein a protrusion at a position corresponding to a discharge gap of the electrode pair formed on the front substrate is one third of a height of the barrier rib. A gas discharge type display panel characterized by being lower.
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JP2007103148A (en) * 2005-10-04 2007-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma display panel

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JP2007103148A (en) * 2005-10-04 2007-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma display panel

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