JP2002005996A - Testing method and storage medium storing testing program - Google Patents

Testing method and storage medium storing testing program

Info

Publication number
JP2002005996A
JP2002005996A JP2000184196A JP2000184196A JP2002005996A JP 2002005996 A JP2002005996 A JP 2002005996A JP 2000184196 A JP2000184196 A JP 2000184196A JP 2000184196 A JP2000184196 A JP 2000184196A JP 2002005996 A JP2002005996 A JP 2002005996A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
power
semiconductor device
measurement patterns
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000184196A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichiro Suga
宏一郎 菅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Micro Systems Co Ltd
Original Assignee
Renesas Micro Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Micro Systems Co Ltd filed Critical Renesas Micro Systems Co Ltd
Priority to JP2000184196A priority Critical patent/JP2002005996A/en
Publication of JP2002005996A publication Critical patent/JP2002005996A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a testing time for a semiconductor device by means of a tester and to lower a testing cost for the semiconductor device. SOLUTION: For each testing item on the semiconductor device, setting processes for respectively setting a voltage, an input/output level, and a plurality of measurement patterns are combined mutually for setting a testing condition, power is turned on, testing and result determination is carried out for a plurality of measurement patterns, and then, the power is turned off.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はテスト方法に関し、
特に半導体デバイスをテストするテスト方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a test method.
In particular, the present invention relates to a test method for testing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のテスト方法は、半導体デ
バイスを各テスト項目についてテスト実行しパス/フェ
イル判定し良品または不良品の分類を行うために用いら
れ、記録媒体に記録されたテスト用プログラムをコンピ
ュータ構成のテスタに読み取らせ実行させることにより
行われている。たとえば、図2は、従来のテスト方法の
処理手順を示す流れ図である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a test method of this type is used for performing a test on a semiconductor device for each test item, determining pass / fail, and classifying a non-defective product or a defective product. The program is read by a computer-configured tester and executed. For example, FIG. 2 is a flowchart showing a processing procedure of a conventional test method.

【0003】図2を参照すると、この従来のテスト方法
は、複数のテスト項目1〜Nの処理を含み、各テスト項
目1〜Nの処理は、コンピュータ構成のテスタが実行す
るテスタ命令の処理によりそれぞれ構成され、テスト条
件設定部と、パワーオン,テスト実行,結果判定,パワ
ーオフの処理とをそれぞれ含む。
Referring to FIG. 2, this conventional test method includes processing of a plurality of test items 1 to N. Each of the test items 1 to N is performed by processing a tester instruction executed by a tester having a computer configuration. Each is configured and includes a test condition setting unit and processes of power-on, test execution, result determination, and power-off.

【0004】テスト条件設定部は、電圧,波形論理,タ
イミング,入出力レベル,測定パターンをそれぞれ設定
する処理を含み、これら各処理を組み合わせてテスト条
件を設定する。また、これら各処理はテスタ命令により
それぞれ実行される。ここで、電圧を設定するテスタ命
令は、半導体デバイスに供給される電源などの電圧を設
定し、波形論理を設定するテスタ命令は、半導体デバイ
スの入出力のパルス波形を設定し、タイミングを設定す
るテスタ命令は、半導体デバイスの入出力波形の変化タ
イミングを設定し、入出力レベルを設定するテスタ命令
は、半導体デバイスの入出力波形の高低レベルを設定
し、測定パターンを設定するテスタ命令は、半導体デバ
イスの入力信号の時系列変化と出力信号に対する期待値
の時系列変化とを1または0のパターンで示す測定パタ
ーンを設定する。
The test condition setting section includes a process for setting a voltage, a waveform logic, a timing, an input / output level, and a measurement pattern, and sets a test condition by combining these processes. Each of these processes is executed by a tester instruction. Here, the tester instruction for setting the voltage sets the voltage of a power supply or the like supplied to the semiconductor device, and the tester instruction for setting the waveform logic sets the input / output pulse waveform of the semiconductor device and sets the timing. The tester command sets the change timing of the input / output waveform of the semiconductor device, the tester command sets the input / output level, the high / low level of the input / output waveform of the semiconductor device, and the tester command sets the measurement pattern. A measurement pattern is set which indicates the time series change of the input signal of the device and the time series change of the expected value with respect to the output signal in a pattern of 1 or 0.

【0005】パワーオンの処理は、テスタ命令により実
行され、テスト実行前パワーオン時の処理を行い、半導
体デバイスに供給される電圧または入出力レベルが変化
した際に必要となる。テスト実行の処理は、テスタ命令
により実行され、テスト条件設定部で設定されたテスト
条件で入力信号を印加し出力信号を期待値と比較してテ
スト実行する。結果判定の処理は、テスタ命令により実
行され、テスト実行結果のパス/フェイル判定を行う。
パワーオフの処理は、テスタ命令により実行され、テス
ト実行後パワーオフ時の処理を行い、半導体デバイスに
供給される電圧または入出力レベルが変化した際に必要
となる。
The power-on process is executed by a tester instruction, performs the process at the time of power-on before the test is executed, and is required when the voltage or input / output level supplied to the semiconductor device changes. The test execution process is executed according to a tester instruction, applies an input signal under the test condition set by the test condition setting unit, compares the output signal with an expected value, and executes the test. The result determination process is executed by a tester instruction, and performs a pass / fail determination of the test execution result.
The power-off process is executed by a tester instruction, performs a power-off process after test execution, and is required when a voltage or input / output level supplied to the semiconductor device changes.

【0006】この従来のテスト方法において、各テスト
項目1〜Nの処理でフェイル判定されない限り、各テス
ト項目1〜Nの処理において、テストが順にそれぞれ行
われ、全てのテスト項目1〜Nに対しパス判定された場
合に、最終的に良品と判定されて分類され、フェイル判
定された各テスト項目1〜Nに対応して不良品がそれぞ
れ分類される。
In this conventional test method, unless a failure is determined in the processing of each of the test items 1 to N, tests are sequentially performed in the processing of each of the test items 1 to N. When the pass is determined, the non-defective product is finally determined and classified, and the defective product is classified according to each of the test items 1 to N for which the failure is determined.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来、半導体デバイス
をテストする場合発生するテスト費用は、半導体デバイ
ス1個当たりのテスト時間に比例するため、テスト時間
を短縮する努力が常に払われてきた。
Conventionally, since the test cost incurred when testing a semiconductor device is proportional to the test time per semiconductor device, efforts have always been made to reduce the test time.

【0008】しかし、現在、半導体デバイスの動作が高
周波になったため、使用しているテスタにおいて、半導
体デバイスが実際に動作しているテスト実行の処理時間
に対し、各テスト項目で行っているパワーオン,パワー
オフを行う処理時間や、電圧,波形論理,入出力レベ
ル,タイミング,測定パターンの設定を行う処理時間の
方が、より長くなり、テスト時間の短縮が難しくなって
いる。
However, since the operation of the semiconductor device has become higher in frequency at present, the power-on test performed by each test item in the tester used is longer than the processing time of the test execution in which the semiconductor device is actually operating. , The processing time for power-off and the processing time for setting the voltage, waveform logic, input / output level, timing, and measurement pattern are longer, making it difficult to reduce the test time.

【0009】したがって、本発明の目的は、テスタによ
る半導体デバイスのテスト時間を短縮し、半導体デバイ
スのテスト費用を削減することにある。
Accordingly, it is an object of the present invention to reduce the test time of a semiconductor device by a tester and reduce the cost of testing the semiconductor device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】そのため、本発明のテス
ト方法は、半導体デバイスのテスト項目ごとに、電圧,
入出力レベル,複数の測定パターンをそれぞれ設定する
処理を組み合わせてテスト条件を設定し、パワーオンを
行い、前記複数の測定パターンに対してテスト実行,結
果判定を行い、パワーオフを行っている。
Therefore, a test method according to the present invention provides a method for measuring a voltage,
A test condition is set by combining processes for setting an input / output level and a plurality of measurement patterns, a power is turned on, a test is executed for the plurality of measurement patterns, a result is determined, and a power is turned off.

【0011】また、本発明は、半導体デバイスのテスト
項目ごとに電圧,入出力レベル,測定パターンをそれぞ
れ設定する処理を組み合わせてテスト条件を設定しパワ
ーオン,テスト実行,結果判定,パワーオフをそれぞれ
行うテスト方法において、前記測定パターンが複数の測
定パターンからなり、これら複数の測定パターンに対し
てテスト実行,結果判定を行っている。
The present invention also sets a test condition by combining a process for setting a voltage, an input / output level, and a measurement pattern for each test item of a semiconductor device, and performs power-on, test execution, result determination, and power-off, respectively. In a test method to be performed, the measurement pattern includes a plurality of measurement patterns, and a test is executed and a result is determined for the plurality of measurement patterns.

【0012】また、前記複数の測定パターンにそれぞれ
対応した結果判定により分類を行っている。
Further, classification is performed by a result judgment corresponding to each of the plurality of measurement patterns.

【0013】また、本発明のテスト用プログラムを記録
した記録媒体は、半導体デバイスのテスト項目ごとに、
電圧,入出力レベル,複数の測定パターンをそれぞれ設
定する処理を組み合わせてテスト条件を設定し、パワー
オンを行い、前記複数の測定パターンに対してテスト実
行,結果判定を行い、パワーオフを行う処理をコンピュ
ータ構成のテスタに実行させている。
[0013] Further, the recording medium on which the test program of the present invention is recorded is provided for each test item of the semiconductor device.
A process of setting a test condition by combining a process of setting a voltage, an input / output level, and a plurality of measurement patterns, performing power-on, executing a test on the plurality of measurement patterns, determining a result, and performing power-off. Is executed by a computer-configured tester.

【0014】また、本発明は、半導体デバイスのテスト
項目ごとに電圧,入出力レベル,測定パターンをそれぞ
れ設定する処理を組み合わせてテスト条件を設定しパワ
ーオン,テスト実行,結果判定,パワーオフをそれぞれ
行う処理をコンピュータ構成のテスタに実行させるテス
ト用プログラムを記録した記録媒体において、前記測定
パターンが複数の測定パターンからなり、これら複数の
測定パターンに対してテスト実行,結果判定を行ってい
る。
According to the present invention, a test condition is set by combining a process for setting a voltage, an input / output level, and a measurement pattern for each test item of a semiconductor device, and power-on, test execution, result judgment, and power-off are respectively performed. In a recording medium on which a test program for causing a computer-configured tester to execute processing to be performed is recorded, the measurement pattern includes a plurality of measurement patterns, and the test execution and the result determination are performed on the plurality of measurement patterns.

【0015】また、前記複数の測定パターンにそれぞれ
対応した結果判定により分類を行っている。
Further, the classification is performed by judging the result corresponding to each of the plurality of measurement patterns.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図1は、本発明のテスト方法の実施形態
を示す流れ図である。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of the test method of the present invention.

【0017】図1を参照すると、本実施形態のテスト方
法は、複数のテスト項目1〜Mの処理を含み、各テスト
項目1〜Mの処理は、コンピュータ構成のテスタが実行
するテスタ命令の処理によりそれぞれ構成され、テスト
条件設定部と、パワーオン,テスト実行,結果判定,パ
ワーオフの処理とをそれぞれ含む。
Referring to FIG. 1, the test method according to the present embodiment includes processing of a plurality of test items 1 to M. The processing of each of the test items 1 to M is the processing of a tester instruction executed by a tester having a computer configuration. Respectively, and includes a test condition setting unit and processes of power-on, test execution, result determination, and power-off, respectively.

【0018】テスト条件設定部は、電圧,波形論理,タ
イミング,入出力レベル,複数の測定パターンをそれぞ
れ設定する処理を含み、これら各処理を組み合わせてテ
スト条件を設定する。また、これら各処理はテスタ命令
によりそれぞれ実行される。本実施形態のテスト方法に
おけるテスト条件設定部は、複数の測定パターンをそれ
ぞれ設定する処理を含む点で、従来と相違する。この相
違点以外は従来と同一であるので、重複説明を省略す
る。
The test condition setting unit includes a process for setting a voltage, a waveform logic, a timing, an input / output level, and a plurality of measurement patterns, respectively, and sets a test condition by combining these processes. Each of these processes is executed by a tester instruction. The test condition setting unit in the test method of the present embodiment differs from the conventional method in that the test condition setting unit includes a process of setting a plurality of measurement patterns. Except for this difference, the configuration is the same as the conventional one, and therefore, the duplicate description will be omitted.

【0019】パワーオンの処理は、従来と同じく、テス
タ命令により実行され、テスト実行前パワーオン時の処
理を行い、半導体デバイスに供給される電圧または入出
力レベルが変化した際に必要となる。
The power-on process is executed by a tester command as in the prior art, performs the power-on process before the test is executed, and is required when the voltage or input / output level supplied to the semiconductor device changes.

【0020】テスト実行の処理は、従来と同じく、テス
タ命令により実行され、テスト条件設定部で設定された
テスト条件で入力信号を印加し出力信号を期待値と比較
してテスト実行する。このとき、本実施形態のテスト方
法では、テスト条件設定部で設定された複数の測定パタ
ーンに対してそれぞれテスト実行する。
The test execution process is executed by a tester instruction as in the prior art, and an input signal is applied under the test conditions set by the test condition setting unit, and the output signal is compared with an expected value to execute the test. At this time, in the test method of the present embodiment, a test is executed for each of the plurality of measurement patterns set by the test condition setting unit.

【0021】結果判定の処理は、従来と同じく、テスタ
命令により実行され、テスト実行結果をパス/フェイル
判定する。このとき、テスト条件設定部で設定された複
数の測定パターンに対してそれぞれパス/フェイル判定
する。
The result determination process is executed by a tester instruction as in the prior art, and a pass / fail determination is made on the test execution result. At this time, pass / fail judgment is performed for each of the plurality of measurement patterns set by the test condition setting unit.

【0022】パワーオフの処理は、従来と同じく、テス
タ命令により実行され、テスト実行後パワーオフ時の処
理を行い、半導体デバイスに供給される電圧または入出
力レベルが変化した際に必要となる。
The power-off process is executed by a tester instruction, as in the prior art. The power-off process is performed after the test is executed, and is required when the voltage or input / output level supplied to the semiconductor device changes.

【0023】上述したように、本実施形態のテスト方法
では、各テスト項目1〜Mの処理で、電圧,入出力レベ
ル,複数の測定パターンをそれぞれ設定する処理を組み
合わせてテスト条件を設定し、パワーオンを行い、複数
の測定パターンに対してテスト実行,結果判定を行い、
パワーオフを行い、また、従来のテスト方法と同じく、
各テスト項目1〜Mの処理でフェイル判定されない限
り、各テスト項目1〜Mの処理において、テストが順に
それぞれ行われ、全てのテスト項目1〜Mに対しパス判
定された場合に、最終的に良品と判定されて分類され、
フェイル判定された各テスト項目1〜Nに対応して不良
品がそれぞれ分類される。
As described above, in the test method of the present embodiment, the test conditions are set by combining the processes of setting the voltage, the input / output level, and the plurality of measurement patterns in each of the test items 1 to M, Performs power-on, executes tests for multiple measurement patterns, determines the results,
Power off and, as with the traditional test method,
Unless a fail determination is made in the processing of each of the test items 1 to M, the test is performed in order in the processing of each of the test items 1 to M, and when a pass determination is made for all the test items 1 to M, finally, It is judged as good and classified.
Defective products are classified according to each of the test items 1 to N for which a fail determination has been made.

【0024】本実施形態のテスト方法では、複数の測定
パターンに対して、1つのテスト項目でテストでき、従
来のテスト方法のように複数のテスト項目でテストする
必要がなくなり、必要なテスト項目の数が複数分の1に
減少する。このため、各テスト項目で電圧,入出力レベ
ルが変化した際に必要となる処理を行うテスト実行前後
のパワーオン時,パワーオフ時の処理の回数も、複数分
の1に減少し、全体のテスト時間も短縮する。
In the test method of the present embodiment, a single test item can be used to test a plurality of measurement patterns, eliminating the need for testing with a plurality of test items unlike the conventional test method. The number is reduced by a factor. For this reason, the number of power-on and power-off processes before and after the test, which performs the processes required when the voltage and input / output levels change in each test item, is also reduced to a multiple of one. Test time is also reduced.

【0025】たとえば、1M×1ビット構成のメモリ製
品において、全セルに対する“0”ライト,“0”リー
ド,“1”ライト,“1”リードを動作サイクル5ns
で行った場合、実行時間は5ns×1M×4回=20m
sとなる。また、テスト条件設定部の処理時間を100
msとし、パワーオン,パワーオフの処理時間の合計を
20msとし、測定電圧を2種類 、入出力レベルを2
種類 、入力タイミングを2種類、 波形論理を2種類、
測定パターンを4種類としてテストする場合、従来のテ
スト方法では、必要なテスト項目の数は、2×2×2×
2×4=64となる。結果判定時間を除いたテスト時間
の合計は(100ms+20ms+20ms)×64回
=8.96sとなる。一方、本実施形態のテスト方法で
は、必要なテスト項目の数は、2×2×2×2=16と
なり、結果判定時間を除いたテスト時間の合計は(10
0ms+20ms+20ms×4)×16回=3.2s
となる。
For example, in a memory product having a 1M × 1 bit configuration, “0” write, “0” read, “1” write, and “1” read for all cells are performed in an operation cycle of 5 ns.
Execution time is 5 ns × 1M × 4 times = 20 m
s. Also, the processing time of the test condition setting unit is set to 100
ms, the total processing time of power-on and power-off is 20 ms, two kinds of measurement voltages, and two input / output levels.
Type, two types of input timing, two types of waveform logic,
When testing four types of measurement patterns, the number of required test items is 2 × 2 × 2 ×
2 × 4 = 64. The total test time excluding the result determination time is (100 ms + 20 ms + 20 ms) × 64 times = 8.96 s. On the other hand, in the test method of the present embodiment, the number of necessary test items is 2 × 2 × 2 × 2 = 16, and the total test time excluding the result determination time is (10).
0 ms + 20 ms + 20 ms × 4) × 16 times = 3.2 s
Becomes

【0026】なお、本実施形態のテスト方法の変形例と
して、複数の測定パターンにそれぞれ対応した結果判定
により分類を行う処理を追加したテスト方法も可能であ
り、テストでフェイル判定された場合に、従来のテスト
方法と同等にフェイル箇所を限定でき、不良品がそれぞ
れ分類される。
As a modification of the test method of the present embodiment, a test method in which a process for performing classification by result determination corresponding to each of a plurality of measurement patterns is added is also possible. Fail locations can be limited as in the conventional test method, and defective products are classified.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によるテス
ト方法は、半導体デバイスのテスタによるテスト時間が
短縮し、半導体デバイスのテスト費用を削減できるなど
の効果がある。
As described above, the test method according to the present invention has the effects of shortening the test time of the semiconductor device by the tester and reducing the test cost of the semiconductor device.

【0028】その理由は、複数の測定パターンに対し
て、1つのテスト項目でテストでき、従来のテスト方法
のように複数のテスト項目でテストする必要がなくな
り、必要なテスト項目の数が複数分の1に減少し、各テ
スト項目で電圧,入出力レベルが変化した際に必要とな
る処理を行うテスト実行前後のパワーオン時,パワーオ
フ時の処理の回数も、複数分の1に減少するためであ
る。
The reason is that a single test item can be used to test a plurality of measurement patterns, and it is not necessary to perform a test with a plurality of test items as in the conventional test method. And the number of power-on and power-off processes before and after the test, which performs the processes required when the voltage and input / output levels change in each test item, are also reduced to a multiple. That's why.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のテスト方法の実施形態を示す流れ図で
ある。
FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of a test method of the present invention.

【図2】従来のテスト方法の手順例を示す流れ図であ
る。
FIG. 2 is a flowchart showing an example of a procedure of a conventional test method.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体デバイスのテスト項目ごとに、電
圧,入出力レベル,複数の測定パターンをそれぞれ設定
する処理を組み合わせてテスト条件を設定し、パワーオ
ンを行い、前記複数の測定パターンに対してテスト実
行,結果判定を行い、パワーオフを行うテスト方法。
1. A test condition is set by combining a process for setting a voltage, an input / output level, and a plurality of measurement patterns for each test item of a semiconductor device, and power-on is performed. A test method that performs test execution, results judgment, and power off.
【請求項2】 半導体デバイスのテスト項目ごとに電
圧,入出力レベル,測定パターンをそれぞれ設定する処
理を組み合わせてテスト条件を設定しパワーオン,テス
ト実行,結果判定,パワーオフをそれぞれ行うテスト方
法において、前記測定パターンが複数の測定パターンか
らなり、これら複数の測定パターンに対してテスト実
行,結果判定を行うことを特徴とするテスト方法。
2. A test method in which a test condition is set by combining processes for setting a voltage, an input / output level, and a measurement pattern for each test item of a semiconductor device, and power-on, test execution, result determination, and power-off are performed. A test method, wherein the measurement pattern comprises a plurality of measurement patterns, and a test execution and a result determination are performed on the plurality of measurement patterns.
【請求項3】 前記複数の測定パターンにそれぞれ対応
した結果判定により分類を行う、請求項1または2記載
のテスト方法。
3. The test method according to claim 1, wherein the classification is performed by a result judgment corresponding to each of the plurality of measurement patterns.
【請求項4】 半導体デバイスのテスト項目ごとに、電
圧,入出力レベル,複数の測定パターンをそれぞれ設定
する処理を組み合わせてテスト条件を設定し、パワーオ
ンを行い、前記複数の測定パターンに対してテスト実
行,結果判定を行い、パワーオフを行う処理をコンピュ
ータ構成のテスタに実行させるテスト用プログラムを記
録した記録媒体。
4. A test condition is set by combining a process for setting a voltage, an input / output level, and a plurality of measurement patterns for each test item of a semiconductor device, and power-on is performed. A recording medium that records a test program that causes a computer-configured tester to execute a test, determine a result, and execute a power-off process.
【請求項5】 半導体デバイスのテスト項目ごとに電
圧,入出力レベル,測定パターンをそれぞれ設定する処
理を組み合わせてテスト条件を設定しパワーオン,テス
ト実行,結果判定,パワーオフをそれぞれ行う処理をコ
ンピュータ構成のテスタに実行させるテスト用プログラ
ムを記録した記録媒体において、前記測定パターンが複
数の測定パターンからなり、これら複数の測定パターン
に対してテスト実行,結果判定を行うことを特徴とす
る、テスト用プログラムを記録した記録媒体。
5. A computer for performing a process of setting a test condition by combining a process of setting a voltage, an input / output level, and a measurement pattern for each test item of a semiconductor device and performing power-on, test execution, result determination, and power-off, respectively. In a recording medium on which a test program to be executed by a tester having a configuration is recorded, the measurement pattern includes a plurality of measurement patterns, and a test execution and a result determination are performed on the plurality of measurement patterns. A recording medium on which a program is recorded.
【請求項6】 前記複数の測定パターンにそれぞれ対応
した結果判定により分類を行う、請求項4または5記載
の、テスト用プログラムを記録した記録媒体。
6. The recording medium according to claim 4, wherein the classification is performed by a result judgment corresponding to each of the plurality of measurement patterns.
JP2000184196A 2000-06-20 2000-06-20 Testing method and storage medium storing testing program Pending JP2002005996A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000184196A JP2002005996A (en) 2000-06-20 2000-06-20 Testing method and storage medium storing testing program

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000184196A JP2002005996A (en) 2000-06-20 2000-06-20 Testing method and storage medium storing testing program

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002005996A true JP2002005996A (en) 2002-01-09

Family

ID=18684667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000184196A Pending JP2002005996A (en) 2000-06-20 2000-06-20 Testing method and storage medium storing testing program

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002005996A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009205413A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Toshiba Corp Evaluation method for semiconductor storage device
CN110377470A (en) * 2019-07-17 2019-10-25 深圳忆联信息系统有限公司 IO performance test methods, device and computer equipment based on solid state hard disk

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009205413A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Toshiba Corp Evaluation method for semiconductor storage device
JP4635061B2 (en) * 2008-02-27 2011-02-16 株式会社東芝 Semiconductor memory device evaluation method
US7996726B2 (en) 2008-02-27 2011-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Evaluation method and evaluation system for semiconductor storage device
CN110377470A (en) * 2019-07-17 2019-10-25 深圳忆联信息系统有限公司 IO performance test methods, device and computer equipment based on solid state hard disk

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6205564B1 (en) Optimized built-in self-test method and apparatus for random access memories
US6502215B2 (en) Self-test RAM using external synchronous clock
US6993696B1 (en) Semiconductor memory device with built-in self test circuit operating at high rate
KR100299716B1 (en) Apparatus and method for testing ic
JPWO2008001543A1 (en) Semiconductor test apparatus and semiconductor memory test method
JP2003307545A (en) Semiconductor inspection device, semiconductor integrated circuit device, inspection method and manufacturing method
JP2000187999A (en) Integrated circuit having function testing memory using voltage for stress and its memory test method
JPH09128998A (en) Test circuit
JP3871384B2 (en) Defect analysis memory for semiconductor memory test equipment
JP2010198689A (en) Control method of semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit
JPS61133873A (en) Semiconductor tester
US8065575B2 (en) Implementing isolation of VLSI scan chain using ABIST test patterns
JPH1019974A (en) Semiconductor tester and testing method using the tester
JPH11213695A (en) Semiconductor memory-testing device
JP2002005996A (en) Testing method and storage medium storing testing program
US7730371B2 (en) Testing device, testing method, computer program product, and recording medium
KR100660640B1 (en) Data writing apparatus and method for eds test
KR101034661B1 (en) Method and apparatus for testing memory device using 2 loading memories
JPH0252446A (en) Testing apparatus for integrated circuit
Kruthika et al. SRAM memory built in self-test using MARCH algorithm
JPH0823016A (en) Test of semiconductor memory
JPH0393099A (en) On chip test circuit for semiconductor memory
JP2002237505A (en) System for testing semiconductor device, and method of testing
JP2001222897A (en) Semiconductor test device
US20090210761A1 (en) AC Scan Diagnostic Method and Apparatus Utilizing Functional Architecture Verification Patterns

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20031209