JP2001358412A - Circuit board and plasma display using the same - Google Patents
Circuit board and plasma display using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、各種パワーエレク
トロニクス機器に用いられる駆動回路基板の構造、特
に、インダクタンス値の異なる複数の配線を持つ回路基
板に対して、インダクタンスのばらつき、および、トー
タルの配線インダクタンスを低減する構造の回路基板、
および、それを用いたプラズマディスプレイに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a drive circuit board used for various power electronic devices, and more particularly, to a circuit board having a plurality of wirings having different inductance values, the variation in inductance and the total wiring. A circuit board with a structure that reduces inductance,
Further, the present invention relates to a plasma display using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のPDP(Plasma Display Pane
l)の代表的な例の配線パターンを図2により説明す
る。2. Description of the Related Art Conventional PDP (Plasma Display Pane)
The wiring pattern of the representative example 1) will be described with reference to FIG.
【0003】図2はPDPを駆動部側から見た斜視図で
ある。PDPは表示部と駆動部に大きく分けることがで
きる。駆動部は主にサステインX基板10とサステイン
Y基板11から成り、表示部はパネル109,110か
ら成る。FIG. 2 is a perspective view of a PDP as viewed from a driving section. PDPs can be broadly divided into display units and drive units. The driving section mainly includes a sustain X substrate 10 and a sustain Y substrate 11, and the display section includes panels 109 and 110.
【0004】サステインX基板10には、X側出力モジ
ュール12,13と電源部を成す電解コンデンサ16,
17が搭載されており、サステインY基板11には、Y
側出力モジュール14,15と電源部を成す電解コンデ
ンサ18,19が搭載されている。The X-side output modules 12 and 13 and the electrolytic capacitors 16 and
17 is mounted on the sustain Y substrate 11.
Electrolytic capacitors 18 and 19 forming a power supply unit with the side output modules 14 and 15 are mounted.
【0005】サステインX基板10にはX側BUS基板
103が接続され、X側FPC(Flexible Printed
Circuit board)104を介してパネル109に接続さ
れる。サステインY基板11も同様に、Y側中継基板1
05およびY側FPC106を介してパネル109に接
続される。[0005] An X-side BUS board 103 is connected to the sustain X-board 10, and an X-side FPC (Flexible Printed) is provided.
It is connected to a panel 109 via a circuit board (104). Similarly, the sustain Y substrate 11 is the Y-side relay substrate 1.
05 and the panel 109 via the Y-side FPC 106.
【0006】パネル109と110はともにガラスであ
り、パネル109は前面ガラス基板、パネル110は背
面ガラス基板と呼ばれる。2枚のガラス基板を間隔d=
100μm程度で貼り合わせて内部を排気した後、セル
と呼ばれる空間にNeとXe、あるいは,NeとHeな
どの混合希ガスを封入する。セル内の希ガスの圧力p=
67kPa程度である。The panels 109 and 110 are both made of glass, and the panel 109 is called a front glass substrate and the panel 110 is called a rear glass substrate. An interval d = two glass substrates
After adhering at about 100 μm and exhausting the inside, a mixed rare gas such as Ne and Xe or Ne and He is sealed in a space called a cell. Noble gas pressure p =
It is about 67 kPa.
【0007】X側出力モジュール12,13およびY側
出力モジュール14,15それぞれに印加する電圧を、
pd積(=6.7Pa・m)で決まる電圧値(パッシェ
ンの法則)よりも大きくさせることによって、パネル1
09と110の間に封入された希ガスが放電する。The voltages applied to the X-side output modules 12 and 13 and the Y-side output modules 14 and 15 are
By making the voltage larger than the voltage value (Paschen's law) determined by the pd product (= 6.7 Pa · m), the panel 1
The rare gas sealed between 09 and 110 discharges.
【0008】放電により発生した紫外線が、セルの隔壁
に塗布された3種類の蛍光体R(赤),G(緑),B
(青)に照射することによって、PDPは発光,表示す
る。RGBの3セル1組で1画素を形成し、カラー表示
される。The ultraviolet rays generated by the discharge are applied to three types of phosphors R (red), G (green), and B
By irradiating (blue), the PDP emits light and displays. One pixel is formed by a set of three RGB cells, and color display is performed.
【0009】発光維持の際の経路を、サステインX基板
10上のX側出力モジュール12とサステインY基板1
1上のY側出力モジュール14を例に説明する。The path for maintaining light emission is defined by the X-side output module 12 on the sustain X substrate 10 and the sustain Y substrate 1.
1 will be described as an example.
【0010】X側出力モジュール12およびY側出力モ
ジュール14は,半導体素子がトーテムポール型に2個
内蔵した2 in 1パッケージであり、電解コンデンサ
16から供給された電流は、X側出力モジュール12の
Hサイドを通り、さらにX側BUS基板103、X側F
PC104を通って、パネル109,110に流れる。
パネル109,110は400〜1500本程度のライ
ン電極(図示省略)から成り、パネル109,110を
通った電流は、Y側FPC106およびY側中継基板1
05を通って、Y側出力モジュール14のLサイドを流
れ、Y側のアースに達する。Each of the X-side output module 12 and the Y-side output module 14 is a 2 in 1 package in which two semiconductor elements are incorporated in a totem-pole type. Go through the H side, and then go to the X side BUS board 103,
It flows to the panels 109 and 110 through the PC 104.
Panels 109 and 110 are composed of about 400 to 1500 line electrodes (not shown), and the current passing through panels 109 and 110 is applied to Y-side FPC 106 and Y-side relay board 1.
05, flows on the L side of the Y side output module 14, and reaches the Y side ground.
【0011】Y側のアースとX側のアースは、アース板
107,108によって電気的に接続されており、Y側
のアースに達した電流は、アース板107,108を通
って、最終的に電解コンデンサ16のアースに到達しル
ープ形成される。X側出力モジュール13やY側出力モ
ジュール15についても、同様なループが形成される。The ground on the Y side and the ground on the X side are electrically connected by ground plates 107 and 108, and the current reaching the ground on the Y side passes through the ground plates 107 and 108 and finally ends. It reaches the ground of the electrolytic capacitor 16 and forms a loop. A similar loop is formed for the X-side output module 13 and the Y-side output module 15.
【0012】電流の流れる経路を詳しく見て行くと、ま
ず、電解コンデンサ16からX側出力モジュール12へ
はサステインX基板10上のパターンである経路20を
通り、次に、X側出力モジュール12のモジュール内パ
ターンである経路21を通る。Looking at the current flow path in detail, first, the electrolytic capacitor 16 to the X-side output module 12 passes through a path 20 which is a pattern on the sustain X substrate 10, and then the X-side output module 12 It passes through a path 21 which is an intra-module pattern.
【0013】その後、サステインX基板10上のパター
ンである経路113,114で2経路に分かれ、それぞ
れX側BUS基板103およびX側FPC104の経路
115,116を通る。さらに、パネル109,110
の経路117からY側FPC106およびY側中継基板
105の経路118,119を通って、サステインY基
板11上のパターンである経路120,121からY側
出力モジュール14へ入る段階で1経路に戻る。Thereafter, the path is divided into two paths at paths 113 and 114, which are patterns on the sustain X substrate 10, and passes through paths 115 and 116 of the X-side BUS substrate 103 and the X-side FPC 104, respectively. Furthermore, panels 109 and 110
The path 117 passes through the paths 118 and 119 of the Y-side FPC 106 and the Y-side relay board 105 and then enters the Y-side output module 14 from the paths 120 and 121 which are patterns on the sustain Y board 11.
【0014】それから、Y側出力モジュール14のモジ
ュール内パターンである経路22を通り、アース板10
7,108の経路23を経て、電解コンデンサ16に到
達する。Then, the ground plate 10 passes through a path 22 which is a pattern in the module of the Y-side output module 14, and
7, and reaches the electrolytic capacitor 16 via the path 23.
【0015】スイッチング素子24は主に電解コンデン
サ17から電流の供給を受け、出力部は配線パターン1
00と接続されている。スイッチング素子24から配線
パターン100に供給された電流は、経路113,11
4のうち主に経路114に対して、電流を補償する働き
を持つ。The switching element 24 is mainly supplied with current from the electrolytic capacitor 17, and its output is connected to the wiring pattern 1.
00 is connected. The current supplied from the switching element 24 to the wiring pattern 100
4 has a function of mainly compensating the current for the path 114.
【0016】同様に、スイッチング素子25は主に電解
コンデンサ19から電流の供給を受け、主に経路120
に対して電流を補償する働きを持ち、スイッチング素子
26は主に電解コンデンサ16から、スイッチング素子
27は主に電解コンデンサ18から電流の供給を受け、
2経路のうち主に長い経路に対して、電流を補償する働
きを持つ。Similarly, the switching element 25 receives a current mainly from the electrolytic capacitor 19 and
The switching element 26 receives a current from the electrolytic capacitor 16, and the switching element 27 receives a current from the electrolytic capacitor 18.
It has the function of compensating the current mainly for the long path among the two paths.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】上記の従来構造は、構
成上、以下の問題点を有する。The above conventional structure has the following problems in configuration.
【0018】X側出力モジュール12内では、電源ピン
(図示省略)から出力ピン(図示省略)へと接続するモ
ジュール内配線はパターン幅が小さく、配線インダクタ
ンス値が60nH程度と大きい。同様に、Y側出力モジ
ュール14内でも、出力ピン(図示省略)からアースピ
ン(図示省略)へと接続するモジュール内配線の配線イ
ンダクタンス値は60nH程度存在する。In the X-side output module 12, the wiring within the module connected from the power supply pin (not shown) to the output pin (not shown) has a small pattern width and a large wiring inductance value of about 60 nH. Similarly, in the Y-side output module 14, the wiring inductance value of the wiring in the module connected from the output pin (not shown) to the ground pin (not shown) is about 60 nH.
【0019】この配線インダクタンス値をL、配線を流
れる電流の時間変化率をΔi/Δtとすると、L×(Δ
i/Δt)に相当する電圧の降下が起きる。この電圧降
下によって、パネル109,110に印加される電圧マ
ージンが減少してしまうと云う問題が生じる。Assuming that the wiring inductance value is L and the time change rate of the current flowing through the wiring is Δi / Δt, L × (Δ
i / Δt). This voltage drop causes a problem that a voltage margin applied to panels 109 and 110 is reduced.
【0020】また、サステインX基板10上の経路11
3,114は配線長が大きく異なるため、配線インダク
タンス値の差が200nH程度生じる。サステインY基
板11上の経路120,121についても同様に、配線
インダクタンス値の差が200nH程度生じる。このイ
ンダクタンス差は経路毎の電圧差を生じさせる。The path 11 on the sustain X substrate 10
Since the wiring lengths of the wirings 3 and 114 are greatly different from each other, a difference in wiring inductance value is generated by about 200 nH. Similarly, a difference between the wiring inductance values of the routes 120 and 121 on the sustain Y substrate 11 is about 200 nH. This inductance difference causes a voltage difference for each path.
【0021】PDPの輝度は、パネル109,110内
の希ガスに印加する電圧に依存するので、ライン電極毎
に印加する電圧が異なると輝度段差が生じ、PDPの性
能を大きく損なってしまうと云う問題が発生する。従来
は、スイッチング素子24,25,26,27を追加し
て、インダクタンス値の大きい経路に対して電流を補償
して、輝度段差の問題に対応していた。Since the luminance of the PDP depends on the voltage applied to the rare gas in the panels 109 and 110, if the voltage applied to each line electrode is different, a luminance step occurs, which greatly impairs the performance of the PDP. Problems arise. Conventionally, switching elements 24, 25, 26, and 27 have been added to compensate for current in a path having a large inductance value, thereby coping with the problem of a luminance step.
【0022】本発明の目的は、上記に鑑み、PDPの電
圧マージンを確保すると共に、PDPの輝度段差を解消
することにある。In view of the above, it is an object of the present invention to secure a voltage margin of a PDP and to eliminate a luminance step of the PDP.
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、PDPの
電圧マージンを確保し、輝度段差の解消を達成できる構
造を新たに提案した。それによると、図1に示すように
サステインX基板10上で電解コンデンサ16をX側出
力モジュール12の出力側に移動し、単位長さ当りのイ
ンダクタンス値の大きいモジュール内配線パターンを途
中で折り返す構造にすると共に、図6に示すように、経
路112,113のうち、配線インダクタンス値の大き
い経路113に対して、配線層と別の層に渦電流パター
ン60を設けた点に特徴がある。Means for Solving the Problems The present inventors have newly proposed a structure capable of securing a voltage margin of a PDP and eliminating a luminance step. According to this structure, as shown in FIG. 1, the electrolytic capacitor 16 is moved to the output side of the X-side output module 12 on the sustain X substrate 10, and a wiring pattern in the module having a large inductance value per unit length is folded in the middle. In addition, as shown in FIG. 6, the eddy current pattern 60 is provided on a layer different from the wiring layer with respect to the path 113 having a larger wiring inductance value among the paths 112 and 113.
【0024】[0024]
【発明の実施の形態】本発明の実施例を、以下図面を用
いて詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0025】〔実施例 1〕図1は、モジュール内パタ
ーンを隣接させ、内層に渦電流パターンを設けたPDP
駆動基板の模式図である。その特徴は、電解コンデンサ
16,17をX側出力モジュール12,13の出力側に
移動させることによって、モジュール内配線を折り返し
構造にしている。[Embodiment 1] FIG. 1 shows a PDP in which patterns in a module are adjacent to each other and an eddy current pattern is provided in an inner layer.
It is a schematic diagram of a drive substrate. The feature is that, by moving the electrolytic capacitors 16 and 17 to the output side of the X-side output modules 12 and 13, the wiring in the module is folded.
【0026】サステインX基板10は4層構造のプリン
ト基板であり、層間はスルーホールで電気的に接続され
る。内層は、図6に示すように、配線層と別の層に、長
い経路114に対して渦電流パターン60を設けてい
る。The sustain X substrate 10 is a printed circuit board having a four-layer structure, and the layers are electrically connected by through holes. As shown in FIG. 6, the inner layer is provided with an eddy current pattern 60 for a long path 114 in a layer different from the wiring layer.
【0027】なお、図6は、インダクタンス値の異なる
経路に渦電流層を用いた模式図である。渦電流パターン
60は、電気的に他の配線から独立しているか、あるい
は、1箇所のみで他の配線と接続されていてもよい。FIG. 6 is a schematic diagram using an eddy current layer in paths having different inductance values. The eddy current pattern 60 may be electrically independent of other wirings, or may be connected to other wirings at only one location.
【0028】図3は、図1のアース板の大きさと位置を
示した模式図である。アース板107,108は、図3
に示すように、電解コンデンサ16,17,18,19
の負(−)端子まで延びている。FIG. 3 is a schematic diagram showing the size and position of the ground plate of FIG. The ground plates 107 and 108 are shown in FIG.
As shown in the figure, electrolytic capacitors 16, 17, 18, 19
To the negative (-) terminal.
【0029】図4は、図1のサステインX基板内の部品
配置と電流経路を示した模式図である。サステインX基
板10の構成を詳しく見て行くと、図4に示すように、
X側出力モジュール12内には半導体素子40,41
が、X側出力モジュール13内には半導体素子42,4
3が、それぞれトーテムポール型に存在する。FIG. 4 is a schematic diagram showing a component arrangement and a current path in the sustain X substrate of FIG. Looking at the configuration of the sustain X substrate 10 in detail, as shown in FIG.
Semiconductor devices 40 and 41 are provided in the X-side output module 12.
However, in the X-side output module 13, the semiconductor elements 42, 4
3 exist in a totem pole type.
【0030】半導体素子40,42はそれぞれX側出力
モジュール12,13のHサイドを成し、半導体素子4
1,43はそれぞれX側出力モジュール12,13のL
サイドを成しており、MOSFET(Metal Oxide S
emiconductor/Field Effect Transistor)やIGB
T(Insulated Gate Bipolar Transistor)などが
使用される。The semiconductor elements 40 and 42 form the H side of the X-side output modules 12 and 13, respectively.
Reference numerals 1 and 43 denote L of the X-side output modules 12 and 13, respectively.
Side, MOSFET (Metal Oxide S
emiconductor / Field Effect Transistor) and IGB
T (Insulated Gate Bipolar Transistor) or the like is used.
【0031】サステインX基板10上の電流経路を、図
1,4を用いて説明する。電解コンデンサ16の正
(+)端子から出た電流は、サステインX基板10上の
パターンである経路111を通ってX側出力モジュール
12の電源ピン(図示省略)に到達する。A current path on the sustain X substrate 10 will be described with reference to FIGS. The current output from the positive (+) terminal of the electrolytic capacitor 16 reaches a power supply pin (not shown) of the X-side output module 12 through a path 111 which is a pattern on the sustain X substrate 10.
【0032】図1では経路112であるX側出力モジュ
ール12内の電流経路は、詳しくは、図4に示すよう
に、モジュール内パターンである経路44と経路45に
より構成される。The current path in the X-side output module 12, which is the path 112 in FIG. 1, is composed of a path 44 and a path 45, which are patterns in the module, as shown in FIG.
【0033】X側出力モジュール12を出た電流は、サ
ステインX基板10上のパターンである経路113,1
14で2経路に分かれ、出力コネクタ30,31に到達
する。その後、X側BUS基板103およびX側FPC
104の経路115,116からパネル109,110
の経路117を通って、Y側FPC106およびY側中
継基板105の経路118,119を通る。The current flowing out of the X-side output module 12 is supplied to the paths 113 and 1 which are patterns on the sustain X substrate 10.
The path is divided into two paths at 14 and reaches the output connectors 30 and 31. Then, the X side BUS board 103 and the X side FPC
Panels 109 and 110 from paths 115 and 116 of 104
Of the Y-side FPC 106 and the paths 118 and 119 of the Y-side relay board 105.
【0034】電流は、さらに、サステインY基板11上
のパターンである経路120,121を通って、Y側出
力モジュール14で1経路となり、X側出力モジュール
12と同様に、モジュール内パターンである経路122
を通る。最後に、アース板107,108を流れる経路
123から電解コンデンサ16の−端子に到達すること
で電流のループが完成する。The current further passes through the paths 120 and 121, which are patterns on the sustain Y substrate 11, to become one path in the Y-side output module 14, and similarly to the X-side output module 12, a path that is a pattern in the module. 122
Pass through. Finally, the current loop is completed by reaching the negative terminal of the electrolytic capacitor 16 from the path 123 flowing through the ground plates 107 and 108.
【0035】このとき、X側出力モジュール12内で
は、経路44と経路45が半導体素子40に近接して折
り返されている。X側出力モジュール13,Y側出力モ
ジュール14,Y側出力モジュール15内でも同様に、
モジュール内配線が半導体素子に対し近接して折り返さ
れている。At this time, in the X-side output module 12, the path 44 and the path 45 are folded close to the semiconductor element 40. Similarly, in the X-side output module 13, the Y-side output module 14, and the Y-side output module 15,
The wiring in the module is folded close to the semiconductor element.
【0036】このように折り返し部を設けることで、X
側出力モジュール12内の配線インダクタンス値が低減
する理由を以下説明する。By providing the folded portion in this way, X
The reason why the wiring inductance value in the side output module 12 is reduced will be described below.
【0037】図5は、折り返し構造のインダクタンス値
低減の原理を示す模式図である。パターン50がX側出
力モジュール12内のモジュール内配線に相当し、渦電
流層51がX側出力モジュール12の放熱板(図示省
略)に相当する。FIG. 5 is a schematic diagram showing the principle of reducing the inductance value of the folded structure. The pattern 50 corresponds to a wiring inside the module in the X-side output module 12, and the eddy current layer 51 corresponds to a heat sink (not shown) of the X-side output module 12.
【0038】パターン50は配線幅が小さく、単位長さ
当りのインダクタンス値がサステインX基板10の中で
最も大きい。図5に示すような折り返し構造とすること
によって、パターン50を流れる電流52が逆方向にな
り、互いの磁界の変化を妨げる方向に力が働くので、パ
ターン50のインダクタンス値が低減したのと同様の効
果が得られる。The pattern 50 has a small wiring width and the largest inductance value per unit length in the sustain X substrate 10. By making the folded structure as shown in FIG. 5, the current 52 flowing through the pattern 50 is in the opposite direction, and a force acts in a direction that hinders a change in the magnetic field of each other, so that the inductance value of the pattern 50 is reduced. The effect of is obtained.
【0039】また、渦電流層51には電流52の変化を
妨げる向きに渦電流53が流れるので、パターン50の
インダクタンス値を低減させる効果がある。Further, since the eddy current 53 flows in the eddy current layer 51 in a direction that hinders the change of the current 52, the inductance value of the pattern 50 is reduced.
【0040】図21に、モジュール12の配線の一例を
示す。電源ピン2100からスイッチング素子2102
に至るモジュール内配線パターン2103と、スイッチ
ング素子2102から出力ピン2101に至るモジュー
ル内配線2104は、共に幅が約5mm、配線間隔が約
1mmで隣接させることによって、配線インダクタンス
値を低減させる。FIG. 21 shows an example of the wiring of the module 12. Power supply pin 2100 to switching element 2102
, And the wiring 2104 from the switching element 2102 to the output pin 2101 are adjacent to each other with a width of about 5 mm and a wiring interval of about 1 mm, thereby reducing the wiring inductance value.
【0041】また、出力ピン2105から回収ピン21
06に至るモジュール内配線2107も折り返し構造と
することによって、配線インダクタンス値を低減させ
る。The output pin 2105 is connected to the recovery pin 21.
The wiring 2107 in the module reaching 06 also has a folded structure to reduce the wiring inductance value.
【0042】図8は、図1の回路構造を持つPDPの配
線を回路的に示した模式図であり、折り返し構造による
インダクタンス値低減を回路的に示したものである。配
線パターンは回路的にはインダクタンス成分で表すこと
ができる。配線パターンを除いた回路部品は、電源7
0、電解コンデンサ16、パネル109,110を表す
負荷74である。FIG. 8 is a circuit diagram schematically showing the wiring of the PDP having the circuit structure of FIG. 1, and shows a circuit diagram of the inductance value reduction by the folded structure. The wiring pattern can be represented by an inductance component in terms of a circuit. The circuit components excluding the wiring pattern are
0, the electrolytic capacitor 16, and the load 74 representing the panels 109 and 110.
【0043】従来は、図2に示すように、X側出力モジ
ュール12の電源部と出力部をX側出力モジュール12
の両側に設けている。従来のPDPの配線を回路的に表
した図7について見てみる。図7は、従来のPDPの配
線を回路的に表した模式図である。Conventionally, as shown in FIG. 2, the power supply unit and the output unit of the X-side output module 12 are connected to the X-side output module 12.
Are provided on both sides. Let's take a look at FIG. 7 which shows a circuit of a conventional PDP wiring. FIG. 7 is a schematic diagram showing a conventional PDP wiring in a circuit form.
【0044】インダクタンス71,72はX側出力モジ
ュール12内の経路20を示し、以下同様に、インダク
タンス73が経路113と経路115あるいは経路11
4と経路116、インダクタンス75が経路118と経
路119あるいは経路120と経路121、インダクタ
ンス76,77がY側出力モジュール14内の経路2
2、インダクタンス78がアース板107,108の経
路23を表す。回路には電流79,700が図7に示す
向きに流れる。The inductances 71 and 72 indicate the path 20 in the X-side output module 12, and similarly, the inductance 73 is the same as the path 113 and the path 115 or the path 11
4 and the path 116, the inductance 75 is the path 118 and the path 119 or the path 120 and the path 121, and the inductances 76 and 77 are the path 2 in the Y-side output module 14.
2. The inductance 78 represents the path 23 of the ground plates 107 and 108. Currents 79 and 700 flow in the circuit in the direction shown in FIG.
【0045】インダクタンス71,72および76,7
7はL値が60nH程度と大きく、上記電流ループの中
で、長さとしては短いにも係らず、インダクタンス値と
しては大きな割合を占めている。この絶対値によって電
圧降下が引き起こされ、モジュール内配線はパネルマー
ジン減少の主要因になっている。The inductances 71, 72 and 76, 7
7 has a large L value of about 60 nH, and occupies a large proportion as an inductance value in the current loop, despite its short length. This absolute value causes a voltage drop, and the wiring in the module is a main factor in reducing the panel margin.
【0046】これに対して、図8の配線について見てみ
ると、インダクタンス80は経路44を表し、以下同様
に、インダクタンス81が経路45、インダクタンス8
2,83がY側出力モジュール14内の経路122、イ
ンダクタンス84がアース板107,108の経路12
3を表す。回路には電流85,86,87,88,89
が図の向きに流れる。On the other hand, looking at the wiring of FIG. 8, the inductance 80 represents the path 44, and similarly, the inductance 81 is the path 45, the inductance 8
Reference numerals 2 and 83 denote a path 122 in the Y-side output module 14, and inductance 84 denotes a path 12 of the ground plates 107 and 108.
3 is represented. The circuit has currents 85, 86, 87, 88, 89
Flows in the direction of the figure.
【0047】インダクタンス80とインダクタンス81
に流れる電流85と電流86は逆向きなので、インダク
タンス80とインダクタンス81の間に相互インダクタ
ンス800が生じる。相互インダクタンス800の符号
はマイナスであり、X側出力モジュール12の実効的な
配線インダクタンス値は、(インダクタンス80)+
(インダクタンス81)−2×(相互インダクタンス8
00)となり、大幅に低減する。The inductance 80 and the inductance 81
Since the current 85 and the current 86 flowing in the opposite directions are opposite to each other, a mutual inductance 800 is generated between the inductance 80 and the inductance 81. The sign of the mutual inductance 800 is minus, and the effective wiring inductance value of the X-side output module 12 is (inductance 80) +
(Inductance 81) -2 × (mutual inductance 8
00), which is greatly reduced.
【0048】図15は、折り返し部の間隔とインダクタ
ンス値の関係を示したグラフであり、横軸は配線間隔
(対数表示)、縦軸は元のインダクタンス値に対する割
合(対数表示)を表している。FIG. 15 is a graph showing the relationship between the interval between the folded portions and the inductance value. The horizontal axis represents the wiring interval (logarithmic display), and the vertical axis represents the ratio to the original inductance value (logarithmic display). .
【0049】配線間隔(例えば、経路44と45とのギ
ャップ)が小さくなるほど電流の相互作用が大きくな
り、インダクタンス値は低減するが、配線間隔が0.1
mm未満では低インダクタンス効果が飽和する。また、
配線間隔が10mmを超えると、電流の相互作用が小さ
くなるので、低インダクタンス効果も小さくなる。従っ
て、配線間隔は10mm以下にする必要があり、5mm
以下がより望ましい。配線間隔5mmの場合、インダク
タンス値を元の1/2〜1/3に低減することができ
る。The smaller the distance between the wirings (eg, the gap between the paths 44 and 45), the greater the interaction between the currents and the lower the inductance value.
If it is less than mm, the low inductance effect is saturated. Also,
If the wiring interval exceeds 10 mm, the interaction between currents is reduced, and the low inductance effect is also reduced. Therefore, the wiring interval needs to be 10 mm or less, and 5 mm
The following is more desirable. When the wiring interval is 5 mm, the inductance value can be reduced to 1/2 to 1/3 of the original value.
【0050】次に、図16は、配線層と渦電流層の間隔
とインダクタンス値の関係を示したグラフであり、渦電
流層を設けた場合の配線層と渦電流層との距離による低
インダクタンス効果を説明する。横軸は配線層と渦電流
層との間隔(対数表示)、縦軸は元のインダクタンス値
に対する割合(対数表示)を表している。Next, FIG. 16 is a graph showing the relationship between the distance between the wiring layer and the eddy current layer and the inductance value. The effect will be described. The horizontal axis represents the distance between the wiring layer and the eddy current layer (logarithmic representation), and the vertical axis represents the ratio (logarithmic representation) to the original inductance value.
【0051】図15と同様に、配線層と渦電流層との間
隔が小さくなるほど、インダクタンス値は低減する。間
隔が0.1mm未満と、間隔が10mmを超えたところ
では、共にインダクタンス値が飽和する。図15よりも
低インダクタンス効果が小さいのは、渦電流の絶対値が
配線層を流れる電流の1割程度であるためである。従っ
て、間隔は少なくとも10mm以下にする必要があり、
できれば1mm以下が望ましい。間隔が1mmの場合、
インダクタンス値を元の1/2〜1/3に低減すること
ができる。As in FIG. 15, the inductance value decreases as the distance between the wiring layer and the eddy current layer decreases. When the interval is less than 0.1 mm, and where the interval exceeds 10 mm, the inductance value is saturated. The low inductance effect is smaller than in FIG. 15 because the absolute value of the eddy current is about 10% of the current flowing through the wiring layer. Therefore, the interval must be at least 10 mm or less,
If possible, 1 mm or less is desirable. When the interval is 1 mm,
The inductance value can be reduced to 1/2 to 1/3 of the original value.
【0052】モジュール内配線を折り返し、かつ、渦電
流層を設けたことによる低インダクタンス効果について
説明する。A description will now be given of the low inductance effect caused by folding the wiring in the module and providing the eddy current layer.
【0053】図9は、モジュール内パターン変更による
インダクタンス値の変化を示すグラフで、横軸は新旧配
線を表し、縦軸はインダクタンス値を表す。黒丸90は
従来のモジュール内配線のインダクタンス値で、図2の
経路21と経路22の合計のインダクタンス値に相当
し、その値は約120nHである。また、白丸93は新
規のモジュール内配線のインダクタンス値で、図1の経
路112と経路122の合計のインダクタンス値に相当
する。モジュール内の折り返し部の配線間隔を1mm、
配線層と渦電流層との間隔を0.5mmにすることで、
インダクタンス値が約10nHと従来の1割以下に低減
することができる。FIG. 9 is a graph showing the change in the inductance value due to the change in the pattern in the module. The horizontal axis represents the old and new wirings, and the vertical axis represents the inductance value. The black circle 90 is the inductance value of the wiring in the conventional module, which corresponds to the total inductance value of the path 21 and the path 22 in FIG. 2, and the value is about 120 nH. The white circle 93 is the inductance value of the new module wiring, and corresponds to the total inductance value of the path 112 and the path 122 in FIG. The wiring interval of the folded part in the module is 1 mm,
By setting the distance between the wiring layer and the eddy current layer to 0.5 mm,
The inductance value can be reduced to about 10 nH or less than 10% of the conventional value.
【0054】黒丸91は従来のアース配線のインダクタ
ンス値で、図2の経路23のインダクタンス値に相当
し、その値は約200nHである。また、白丸94は新
規のアース配線のインダクタンス値で、図1の経路12
3のインダクタンス値に相当する。The black circle 91 is the inductance value of the conventional ground wiring, which corresponds to the inductance value of the path 23 in FIG. 2, and its value is about 200 nH. The white circle 94 is the inductance value of the new ground wiring,
3 corresponds to the inductance value.
【0055】図3に示すように、電解コンデンサ16,
17,18,19の移動に伴ってアース板107,10
8が長くなることにより、インダクタンス値が約20n
H上昇し、約220nHとなる。As shown in FIG. 3, the electrolytic capacitors 16 and
The earth plates 107, 10 are moved with the movement of the 17, 18, 19
8, the inductance value becomes about 20 n
H rises to about 220 nH.
【0056】アース配線は、アース板107,108を
利用する以外に、サステインX基板10と、サステイン
Y基板11の内層にあるグランド電位のベタパターン
(図示省略)を用いてもよいが、インダクタンス値の上
昇分が20nHより若干増加する。As the ground wiring, a solid pattern of ground potential (not shown) in the inner layer of the sustain X substrate 10 and the sustain Y substrate 11 may be used instead of using the ground plates 107 and 108. Increases slightly from 20 nH.
【0057】黒四角92は従来の電流ループのトータル
インダクタンス値で、約660nHである。また、白四
角95は新規の電流ループのトータルインダクタンス値
で、約370nHと、従来と比べて290nHの低イン
ダクンタス化を図ることができる。The black square 92 is the total inductance value of the conventional current loop, which is about 660 nH. The white square 95 is the total inductance value of the new current loop, which is about 370 nH, which is lower than the conventional one by 290 nH.
【0058】このうち、モジュールに折り返し構造と渦
電流層を設けたことにより、モジュール内配線のインダ
クタンス値の低減分は約110nH、アース配線のイン
ダクタンス値の増加分は約20nHであるので、差し引
き90nH程度のインダクタンス値が低減される。残り
の低減分200nHについては後述する。Of these, by providing the folded structure and the eddy current layer in the module, the reduction in the inductance value of the wiring in the module is about 110 nH, and the increase in the inductance value of the ground wiring is about 20 nH. The inductance value is reduced. The remaining reduction of 200 nH will be described later.
【0059】モジュールに折り返し構造と渦電流層を設
けたことにより、インダクタンス値が低減したのは、モ
ジュール内配線の単位長さ当りのインダクタンス値が、
アース配線の単位長さ当りのインダクタンス値よりも大
きいためである。即ち、単位長さ当りのインダクタンス
値の異なる配線を持つ回路に対して、単位長さ当りのイ
ンダクタンス値の大きい配線のインダクタンス値を低減
することによって、トータルの配線インダクタンス値を
低減することができる。The provision of the folded structure and the eddy current layer in the module reduces the inductance value because the inductance value per unit length of the wiring in the module is reduced.
This is because it is larger than the inductance value per unit length of the ground wiring. That is, for a circuit having a wiring having a different inductance value per unit length, the total wiring inductance value can be reduced by reducing the inductance value of the wiring having a larger inductance value per unit length.
【0060】この低インダクタンス化により、インダク
タンス値に起因する電圧降下の値が小さくなるので、そ
の分だけパネルの電圧マージンを向上させることができ
る。Since the value of the voltage drop due to the inductance value is reduced by the reduction in inductance, the voltage margin of the panel can be improved accordingly.
【0061】さらに、図1の経路113,114の配線
インダクタンス差について説明する。経路113と経路
114のうち、経路114の配線インダクタンス値がよ
り大きいので、経路114に対して、別の層に渦電流パ
ターン60を設ける。Next, the difference in wiring inductance between the paths 113 and 114 in FIG. 1 will be described. The path 114 has a larger wiring inductance value than the path 113 and the path 114. Therefore, the eddy current pattern 60 is provided in another layer for the path 114.
【0062】モジュール内配線のところで既述したよう
に、渦電流効果により、図16に従って、経路114の
配線インダクタンス値が低減する。経路113に対して
は渦電流パターン60を適用していないので、経路11
3の配線インダクタンス値は変化せず、経路113と経
路114の配線インダクタンス差を低減させることがで
きる。As described above for the wiring in the module, the wiring inductance value of the path 114 is reduced according to FIG. 16 due to the eddy current effect. Since the eddy current pattern 60 is not applied to the path 113, the path 11
The wiring inductance value of No. 3 does not change, and the wiring inductance difference between the path 113 and the path 114 can be reduced.
【0063】図17は、図渦電流層を設けたことによる
インダクタンス値の変化を示すグラフで、渦電流層を適
用したことによる配線インダクタンス値の変化を示す。
横軸は、渦電流層が無い従来配線と渦電流層がある新規
配線を表し、縦軸は、経路113と経路114の配線イ
ンダクタンス差を表す。FIG. 17 is a graph showing the change in the inductance value due to the provision of the eddy current layer, and shows the change in the wiring inductance value due to the application of the eddy current layer.
The horizontal axis represents the conventional wiring without the eddy current layer and the new wiring with the eddy current layer, and the vertical axis represents the wiring inductance difference between the path 113 and the path 114.
【0064】黒丸1700は従来の配線インダクタンス
差を表し、渦電流層が無いため、150nH以上の配線
インダクタンス差が存在する。これは、図2の電流ルー
プで最大300nH以上の配線インダクタンス差が生じ
ることを意味しており、この配線インダクタンス差によ
り輝度段差の問題が起きている。A black circle 1700 represents a conventional wiring inductance difference, and since there is no eddy current layer, a wiring inductance difference of 150 nH or more exists. This means that a wiring inductance difference of 300 nH or more occurs at the maximum in the current loop of FIG. 2, and this wiring inductance difference causes a problem of a luminance step.
【0065】白丸1701は新規の配線インダクタンス
差を表し、渦電流層と配線層の間隔を0.5mm程度に
することにより、配線インダクタンス差は50nH以下
と低減する。これは、図1の電流ループで最大100n
H程度の配線インダクタンス差が存在することを意味し
ており、従来の1/3程度に低減することができる。A white circle 1701 represents a new wiring inductance difference. By setting the distance between the eddy current layer and the wiring layer to about 0.5 mm, the wiring inductance difference is reduced to 50 nH or less. This is up to 100n in the current loop of FIG.
This means that there is a wiring inductance difference of about H, which can be reduced to about 1/3 of the conventional value.
【0066】図9の説明で述べたインダクタンス値の低
減分200nHは、図6で示した渦電流パターン60を
設けることで、経路114のインダクタンス値を低減
し、インダクタンス値の異なる経路113,114のイ
ンダクタンス差を低減したことによるものである。つま
り、これを整理すると、図9で示したインダクタンス値
290nH低減の内訳は、(X出力経路低減分:100
nH)+(モジュール内配線低減分:90nH)+(Y
出力経路低減分:100nH)と表すことができる。The reduction of the inductance value of 200 nH described in the description of FIG. 9 is achieved by providing the eddy current pattern 60 shown in FIG. 6 to reduce the inductance value of the path 114 and to reduce the inductance value of the paths 113 and 114 having different inductance values. This is because the inductance difference has been reduced. That is, when this is arranged, the breakdown of the inductance value 290 nH reduction shown in FIG. 9 is (X output path reduction: 100
nH) + (reduction of wiring in module: 90 nH) + (Y
Output path reduction: 100 nH).
【0067】配線は抵抗とインダクタンスが直列に接続
されたモデルで表され、抵抗値は50mΩ程度と小さ
く、配線インピーダンスはインダクタンス成分でほとん
ど決まり、周波数が高くなるとその傾向がさらに強ま
る。The wiring is represented by a model in which a resistance and an inductance are connected in series. The resistance value is as small as about 50 mΩ, the wiring impedance is almost determined by the inductance component, and the tendency becomes stronger as the frequency becomes higher.
【0068】配線インダクタンス差が100nH程度の
とき、配線インピーダンスの差は1Ω程度となる。電流
の時間変化率を108A/s程度とすると、約100n
Hの配線インダクタンス差によって、電圧降下の差が約
10V生じる。When the wiring inductance difference is about 100 nH, the wiring impedance difference is about 1Ω. Assuming that the time change rate of the current is about 10 8 A / s, about 100 n
A difference in voltage drop of about 10 V is caused by the difference in wiring inductance of H.
【0069】図19は、パネルに印加する電圧と輝度と
の関係を示すグラフで、パネルに印加する電圧値をV、
輝度値をBとすると、電圧値が小さいときはパネルの希
ガスは放電しないが、ある閾値電圧(Vth)以上の電圧
になると放電を開始し、B=aV+C(a:比例定数、
C:定数)に従って輝度が増加して行き、電圧値が大き
くなると輝度は飽和する。FIG. 19 is a graph showing the relationship between the voltage applied to the panel and the luminance.
Assuming that the luminance value is B, the rare gas of the panel does not discharge when the voltage value is small, but starts discharging when the voltage reaches a certain threshold voltage (Vth) or more, and B = aV + C (a: proportional constant,
(C: constant), the luminance increases, and as the voltage value increases, the luminance is saturated.
【0070】電圧降下の差をΔV、輝度段差をΔBとす
ると、ΔB=aΔVと表すことができ、上記PDPでは
a=1.2であるため、電圧降下の差10Vは輝度段差
12cd/m2に相当する。Assuming that the voltage drop difference is ΔV and the luminance step is ΔB, it can be expressed as ΔB = aΔV. In the PDP, a = 1.2, so that the voltage drop difference of 10 V is equal to the luminance step difference of 12 cd / m 2. Is equivalent to
【0071】図20は、インダクタンス差と輝度段差と
の関係を示したグラフで、インダクタンス差と人間が輝
度段差として認識するかどうかの関係を示す。一般に、
インダクタンス差100nHに対応する輝度段差12c
d/m2程度と云う値が、人間の目が輝度段差として認
識する境界と云われており、インダクタンス値の大きい
経路のみに渦電流層を適用し、インダクタンス差を10
0nH以下にすることで、輝度段差の問題を解消するこ
とができる。FIG. 20 is a graph showing the relationship between the inductance difference and the luminance step, and shows the relationship between the inductance difference and whether or not a human recognizes the luminance step. In general,
Luminance step 12c corresponding to inductance difference 100nH
The value of about d / m 2 is said to be a boundary recognized by human eyes as a luminance step, and the eddy current layer is applied only to a path having a large inductance value, and the inductance difference is reduced by 10%.
By setting it to 0 nH or less, the problem of the luminance step can be solved.
【0072】さらに、従来追加せざるを得なかった図2
のスイッチング素子24,25,26,27などの部品
を省くことができるので、コスト低減を図ることができ
ると共に基板設計の自由度を高めることができる。Furthermore, FIG. 2 which had to be added conventionally
Since the components such as the switching elements 24, 25, 26, and 27 can be omitted, the cost can be reduced and the degree of freedom of the board design can be increased.
【0073】〔実施例 2〕図10は、電解コンデンサ
16の配置を変更せずに、X側出力モジュール12内の
配線を隣接させた模式図であり、図11は、電源部を移
動させずにモジュール内配線を隣接させた場合のインダ
クタンス値の変化を示すグラフで、図18は、電源部を
配置する領域を示した模式図である。[Embodiment 2] FIG. 10 is a schematic diagram in which the wiring in the X-side output module 12 is made adjacent without changing the arrangement of the electrolytic capacitor 16, and FIG. FIG. 18 is a graph showing a change in the inductance value when the wiring in the module is adjacent to the power supply unit, and FIG. 18 is a schematic diagram showing a region where the power supply unit is arranged.
【0074】図10を詳しく見ると、電解コンデンサ1
6の位置を従来と同じにして、電解コンデンサ16から
X側出力モジュール12への配線をサステインX基板1
0上のパターンで行い、X側出力モジュール12内の配
線を隣接させている。Referring to FIG. 10 in detail, the electrolytic capacitor 1
6, the wiring from the electrolytic capacitor 16 to the X-side output module 12 is connected to the sustain X board 1
This is performed in the pattern above 0, and the wiring in the X-side output module 12 is made adjacent.
【0075】X側出力モジュール13でも同様に、電解
コンデンサ17の位置を従来と同じにして、電解コンデ
ンサ17からX側出力モジュール13への配線をサステ
インX基板10上のパターンで行い、X側出力モジュー
ル13内の配線を隣接させている。Similarly, in the X-side output module 13, the position of the electrolytic capacitor 17 is the same as the conventional one, the wiring from the electrolytic capacitor 17 to the X-side output module 13 is performed in a pattern on the sustain X board 10, and the X-side output The wiring in the module 13 is adjacent.
【0076】電解コンデンサ16,17の位置が変わら
ないので、アース板107,108を表す経路1001
は、図2のアース配線の経路23とインダクタンス値が
等しい。X側出力モジュール12内で経路44,45の
ように折り返すことによって、電流ループで見たときの
モジュール内配線の配線インダクタンス値は、実施例1
と同様に従来の約120nHから約10nH以下と1/
10以下に低減される。Since the positions of the electrolytic capacitors 16 and 17 do not change, a path 1001 representing the ground plates 107 and 108
Has the same inductance value as the path 23 of the ground wiring in FIG. The wiring inductance value of the wiring in the module as seen in the current loop by folding back as shown by the paths 44 and 45 in the X-side output module 12 is equal to that of the first embodiment.
In the same manner as described above, about 120 nH to about 10 nH or less,
It is reduced to 10 or less.
【0077】トータルで低インダクタンス化するために
は、電解コンデンサ16の+端子と、X側出力モジュー
ル12の電源ピン(図示省略)を接続するサステインX
基板10上のパターンを表す経路1000の配線幅を、
X側出力モジュール12内の経路44,45の配線幅よ
りも大きくする必要がある。In order to reduce the total inductance, the sustain X connecting the + terminal of the electrolytic capacitor 16 and the power supply pin (not shown) of the X-side output module 12 is connected.
The wiring width of the path 1000 representing the pattern on the substrate 10 is
It is necessary to make the wiring width of the paths 44 and 45 in the X-side output module 12 larger.
【0078】経路1000の配線幅は5〜10mm程度
と、経路44,45の配線幅の2倍以上であり、経路1
000の単位長さ当りのL値はモジュール内配線の1/
2以下である。The wiring width of the path 1000 is about 5 to 10 mm, which is at least twice the wiring width of the paths 44 and 45.
L value per unit length of 000 is 1 /
2 or less.
【0079】電流ループで見たとき、サステインX基板
10上のパターンである経路1000を延長することに
よるL上昇分は約80nHであり、経路44,45を隣
接させることによるL低減分110nHよりも小さく抑
えることができるので、トータルで低インダクタンス化
することができる。When viewed from the current loop, the amount of L increase by extending the path 1000, which is a pattern on the sustain X substrate 10, is about 80 nH, which is smaller than the amount of L reduction 110 nH by adjoining the paths 44 and 45. Since it can be kept small, the total inductance can be reduced.
【0080】図10の構造をとったときのインダクタン
ス値の変化を図11に示す。横軸は新旧配線を表し、縦
軸はインダクタンス値を表す。FIG. 11 shows a change in the inductance value when the structure shown in FIG. 10 is employed. The horizontal axis represents the old and new wirings, and the vertical axis represents the inductance value.
【0081】黒丸90は従来のモジュール内配線の配線
インダクタンス値を示し、その値は約120nHであ
る。白丸93は新規のモジュール内配線の配線インダク
タンス値を示し、その値は10nH以下と、従来と比べ
て約110nHの低インダクタンス化が図られている。A black circle 90 indicates a wiring inductance value of the conventional module wiring, which is about 120 nH. The white circle 93 indicates the wiring inductance value of the new module wiring, which is 10 nH or less, which is about 110 nH lower than the conventional value.
【0082】黒丸91と白丸1100はそれぞれ従来と
新規のアース配線の配線インダクタンス値を示し、その
値は共に約200nHである。黒丸1101は従来の基
板パターンの配線インダクタンス値を示し、その値は1
0nH以下である。A black circle 91 and a white circle 1100 indicate the wiring inductance values of the conventional and new ground wirings, respectively, which are about 200 nH. A black circle 1101 indicates the wiring inductance value of the conventional board pattern, and the value is 1
0 nH or less.
【0083】白丸1103は新規の基板パターンの配線
インダクタンス値を示し、その値は約90nHと、従来
と比べてインダクタンス値が約80nH増加している。A white circle 1103 indicates the wiring inductance value of the new board pattern, which is about 90 nH, which is about 80 nH greater than the conventional value.
【0084】黒三角1102は従来のモジュール内配線
と基板パターンとアース配線の合計の配線インダクタン
ス値を示し、その値は約330nHである。A black triangle 1102 indicates the total wiring inductance value of the conventional module wiring, substrate pattern, and ground wiring, and the value is about 330 nH.
【0085】白三角1104は新規のモジュール内配線
と基板パターンとアース配線の合計の配線インダクタン
ス値を表し、その値は約300nHと、従来と比べて3
0nHの低インダクタンス化が図られている。The white triangle 1104 indicates the total wiring inductance value of the new module wiring, the board pattern, and the ground wiring, and the value is about 300 nH, which is 3 times larger than the conventional value.
A low inductance of 0 nH is achieved.
【0086】低インダクタンス効果が実施例1よりも小
さいのは、基板パターンの単位長さ当りのL値が、アー
ス配線の単位長さ当りのL値よりも大きいためである。
従って、単位長さ当りのL値が最も大きいモジュール内
配線に対して低インダクタンス化し、その他の配線を延
ばすことによるインダクタンス値の増加をなるべく抑え
るために、単位長さ当りのL値がなるべく小さい配線を
選ぶことが、トータルでの低インダクタンス化に効果的
である。The low inductance effect is smaller than that of the first embodiment because the L value per unit length of the substrate pattern is larger than the L value per unit length of the ground wiring.
Therefore, in order to reduce the inductance with respect to the wiring in the module having the largest L value per unit length and to minimize the increase in inductance value due to the extension of other wiring, the wiring having the smallest L value per unit length is used. Is effective for reducing the total inductance.
【0087】基板パターンよりもアース配線を延ばす方
が、低インダクタンス化に有効であるため、電源部の配
置にも工夫が必要となる。Extending the ground wiring rather than the substrate pattern is more effective for lowering the inductance. Therefore, it is necessary to devise the arrangement of the power supply unit.
【0088】図18の領域1801は、X側出力モジュ
ール12,13の出力側の端とサステインX基板10の
端との間の領域を表しており、電源部はこの領域に配置
するのが最も望ましい。物理的に領域1801に電源部
を配置できないときは、X側出力モジュール12,13
の入力側の端と、出力側の端との間の領域1800に配
置してもよいが、低インダクタンス効果は、領域180
1に電源部を配置した場合よりも小さくなる。An area 1801 in FIG. 18 represents an area between the output-side ends of the X-side output modules 12 and 13 and the end of the sustain X substrate 10, and the power supply section is most preferably arranged in this area. desirable. If the power supply unit cannot be physically located in the area 1801, the X-side output modules 12 and 13
May be arranged in the region 1800 between the input side end and the output side end, but the low inductance effect
1 is smaller than when the power supply unit is arranged.
【0089】なお、PDPの場合、パネルと共に駆動部
も立てた状態で使用するため、図18の下側から上側へ
空気の対流が起こる。従って、領域1800に電源部を
配置するときは、熱に弱い電解コンデンサなどの部品を
X側出力モジュール12の上側に配置するのは現実的で
はなく、X側出力モジュール12,13の間またはX側
出力モジュール13の下側に配置する。In the case of the PDP, since the driving unit is used together with the panel in an upright state, convection of air occurs from the lower side to the upper side in FIG. Therefore, when arranging the power supply section in the area 1800, it is not realistic to arrange a component such as an electrolytic capacitor which is weak against heat above the X-side output module 12, and between the X-side output modules 12 and 13 or X It is arranged below the side output module 13.
【0090】領域1800,1801以外に電源部を配
置すると、上記のように低インダクタンス効果はかなり
小さくなる。さらに、低インダクタンス化を狙って、電
源部をX側出力モジュール12,13の電源ピンにでき
るだけ近付けると云った工夫や、経路毎のインダクタン
ス差を低減するために、X側出力モジュール12,13
を互いにより近付けると云った工夫が好ましい。When the power supply section is arranged outside the regions 1800 and 1801, the low inductance effect is considerably reduced as described above. Furthermore, in order to reduce the inductance, the power supply unit is brought as close as possible to the power supply pins of the X-side output modules 12 and 13, and in order to reduce the inductance difference between the paths, the X-side output modules 12 and 13 are reduced.
Are preferably brought closer to each other.
【0091】〔実施例 3〕図12は、マイクロコンピ
ュータ(以下、マイコンと略称)内の配線を隣接させた
模式図である。[Embodiment 3] FIG. 12 is a schematic diagram in which wirings in a microcomputer (hereinafter abbreviated as a microcomputer) are arranged adjacent to each other.
【0092】マイコン1200内に、スイッチング素子
1201がベアチップで実装されている。スイッチング
素子1201の電源部は、Alワイヤ1202のボンデ
ィングによってパッド1203と接続される。パッド1
203は、マイコン1200内の配線パターン1204
によって電源ピン1205と接続される。The switching element 1201 is mounted in the microcomputer 1200 as a bare chip. The power supply of the switching element 1201 is connected to the pad 1203 by bonding an Al wire 1202. Pad 1
203 is a wiring pattern 1204 in the microcomputer 1200.
Is connected to the power supply pin 1205.
【0093】同様に、スイッチング素子1201の入力
部は、入力ピン1211と配線パターン1210によっ
て接続されたパッド1209とワイヤボンディングさ
れ、スイッチング素子1201の出力部は、出力ピン1
208と配線パターン1207によって接続されたパッ
ド1206とワイヤボンディングされる。Similarly, the input section of switching element 1201 is wire-bonded to pad 1209 connected to input pin 1211 by wiring pattern 1210, and the output section of switching element 1201 is connected to output pin 1
The wire 120 is wire-bonded to the pad 1206 connected by the wiring pattern 1207.
【0094】電流は、電源ピン1205から配線パター
ン1204,スイッチング素子1201,配線パターン
1207を通って、出力ピン1208へと流れる。The current flows from the power supply pin 1205 to the output pin 1208 through the wiring pattern 1204, the switching element 1201, and the wiring pattern 1207.
【0095】マイコン1200は約10mm角の大きさ
であり、配線幅は約1mmである。配線の長さはせいぜ
い10mm程度であるため、配線インダクタンス値は約
10nHと大きくはない。また、電流値も10〜100
mA程度と小さい。The microcomputer 1200 has a size of about 10 mm square and a wiring width of about 1 mm. Since the length of the wiring is at most about 10 mm, the wiring inductance value is not as large as about 10 nH. Also, the current value is 10 to 100
It is as small as about mA.
【0096】しかし、マイコン1200のクロック周波
数は100MHz〜1GHzと高速になってきており、
電源電流の時間変化率は100mA/1ns、即ち、1
08A/sに達することもある。このため、配線インダ
クタンス値が約10nHでも、インダクタンス値により
約1Vの電圧ドロップが生じることもある。マイコン1
200の動作電圧5V、あるいは、3.3Vに対して1
Vの電圧ドロップが生じると、マイコン1200が誤動
作する可能性が出てくる。However, the clock frequency of the microcomputer 1200 has been increasing from 100 MHz to 1 GHz.
The time change rate of the power supply current is 100 mA / 1 ns, that is, 1
It may reach 0 8 A / s. Therefore, even when the wiring inductance value is about 10 nH, a voltage drop of about 1 V may occur depending on the inductance value. Microcomputer 1
200 operating voltage 5V, or 1 for 3.3V
When the voltage drop of V occurs, there is a possibility that the microcomputer 1200 malfunctions.
【0097】本発明では、配線パターン1204と配線
パターン1207との間隔を1mm程度に隣接させるこ
とで、逆方向電流により相互インダクタンスの符号をマ
イナスとすることができる。渦電流層となる金属板が存
在すれば、配線インダクタンス値は約1/10に低減す
る。従って、インダクタンス値に起因する電圧ドロップ
の値を0.1V程度に抑制することができるので、マイ
コン1200の誤動作を防ぐことができる。In the present invention, by setting the distance between the wiring pattern 1204 and the wiring pattern 1207 to be adjacent to about 1 mm, the sign of the mutual inductance can be made negative by the reverse current. If there is a metal plate serving as an eddy current layer, the wiring inductance value is reduced to about 1/10. Therefore, the value of the voltage drop due to the inductance value can be suppressed to about 0.1 V, so that malfunction of the microcomputer 1200 can be prevented.
【0098】また、本発明は、図12に示すマイコンだ
けではなく、一般的なLSI製品やIC製品などのディ
スクリート製品にも適用することができる。The present invention can be applied not only to the microcomputer shown in FIG. 12, but also to discrete products such as general LSI products and IC products.
【0099】〔実施例 4〕図13は、代表的なスイッ
チング電源回路図であり、図14は、隣接パターン構造
を適用したスイッチング電源基板の模式図である。[Embodiment 4] FIG. 13 is a typical switching power supply circuit diagram, and FIG. 14 is a schematic diagram of a switching power supply substrate to which an adjacent pattern structure is applied.
【0100】図13を見ると、トランス1300の1次
側にはコンデンサ1302,スイッチング素子1301
が接続され、電流1307が図のような向きに流れる。Referring to FIG. 13, a primary side of a transformer 1300 includes a capacitor 1302 and a switching element 1301.
Are connected, and the current 1307 flows in the direction shown in the figure.
【0101】トランス1300の2次側にはダイオード
1303,1304、インダクタ1305、コンデンサ
1306が接続され、スイッチング素子1301がオン
しているときは電流1308が図の向きに流れ、スイッ
チング素子1301がオフしているときは電流1309
が図の向きに流れる。Diodes 1303, 1304, inductor 1305, and capacitor 1306 are connected to the secondary side of transformer 1300. When switching element 1301 is on, current 1308 flows in the direction of the figure, and switching element 1301 turns off. Current when 1309
Flows in the direction of the figure.
【0102】図14では、入力ピン1401,1402
間には商用電源を整流した直流電圧が印加され、スイッ
チング素子1301のオン/オフ時間の比(デューティ
ー)を変化させることによって、出力ピン1403,1
404間から任意の直流電圧を取り出すことができる。In FIG. 14, input pins 1401 and 1402
A DC voltage obtained by rectifying a commercial power supply is applied between the output pins 1403 and 1300 by changing the ratio (duty) of the ON / OFF time of the switching element 1301.
An arbitrary DC voltage can be extracted from between 404.
【0103】トランス1300の1次側の配線パターン
1405,1406に流れる電流の向きは逆方向なの
で、その間隔を約1mmに隣接させることにより、配線
インダクタンス値を下げることができる。Since the directions of the currents flowing through the wiring patterns 1405 and 1406 on the primary side of the transformer 1300 are opposite to each other, the wiring inductance value can be reduced by making the interval adjacent to about 1 mm.
【0104】同様に、配線パターン1407,1408
にも逆方向電流が流れるので、できるだけ隣接させるこ
とにより、配線インダクタンス値を下げることができ、
電圧降下を小さくすることができる。なお、図21は、
本発明を適用したモジュールのピン配置図である。Similarly, wiring patterns 1407 and 1408
Since the reverse current flows through the wiring, it is possible to lower the wiring inductance value by placing
Voltage drop can be reduced. In addition, FIG.
It is a pin arrangement diagram of the module to which the present invention is applied.
【0105】[0105]
【発明の効果】本発明によれば、単位長さ当りのインダ
クタンス値の大きい経路を低L化することによってトー
タルの配線インダクタンス値を低減し、表示部の電圧マ
ージンを向上させることができる。According to the present invention, the total wiring inductance value can be reduced by lowering the path having a large inductance value per unit length, thereby improving the voltage margin of the display section.
【0106】また、配線インダクタンス値の大きい経路
に対して渦電流層を適用することによって、経路間のイ
ンダクタンス差を低減し、パネルの輝度段差を解消する
ことができる。Further, by applying the eddy current layer to the path having a large wiring inductance value, the inductance difference between the paths can be reduced, and the luminance step of the panel can be eliminated.
【図1】本発明のモジュール内パターンを隣接させ、内
層に渦電流パターンを設けたPDP駆動基板の模式斜視
図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of a PDP drive board in which patterns in a module of the present invention are adjacent to each other and an eddy current pattern is provided in an inner layer.
【図2】従来のPDPを駆動部側から見た模式斜視図で
ある。FIG. 2 is a schematic perspective view of a conventional PDP viewed from a driving unit side.
【図3】本発明のPDPのアース板の大きさと位置を示
す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing the size and position of a ground plate of the PDP of the present invention.
【図4】本発明のPDPのサステインX基板内の部品配
置と経路を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a component arrangement and a path within a sustain X substrate of the PDP of the present invention.
【図5】本発明の折り返し構造のインダクタンス値低減
の原理を表す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating the principle of reducing the inductance value of the folded structure according to the present invention.
【図6】本発明のインダクタンス値の異なる経路に渦電
流層を用いた模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram of the present invention using an eddy current layer for paths having different inductance values.
【図7】従来PDPの配線を回路的に表した模式図であ
る。FIG. 7 is a schematic diagram showing a wiring of a conventional PDP in a circuit form.
【図8】本発明のモジュール内パターンを隣接させた回
路構造のPDP配線を回路的に表した模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a PDP wiring having a circuit structure in which patterns in the module of the present invention are adjacent to each other;
【図9】本発明のモジュール内パターン変更によるイン
ダクタンスの変化を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing a change in inductance due to a change in a pattern in a module according to the present invention.
【図10】本発明の電解コンデンサの配置を変更せずに
モジュール内パターンを隣接させた模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram in which patterns in a module are made adjacent without changing the arrangement of the electrolytic capacitor of the present invention.
【図11】本発明の電源部を移動させずにモジュール内
配線を隣接させた場合のインダクタンスの変化を示すグ
ラフである。FIG. 11 is a graph showing a change in inductance when wiring inside a module is made adjacent without moving the power supply unit of the present invention.
【図12】本発明のマイコン内の配線を隣接させた模式
図である。FIG. 12 is a schematic diagram in which wirings in a microcomputer according to the present invention are adjacent to each other.
【図13】代表的なスイッチング電源回路図である。FIG. 13 is a typical switching power supply circuit diagram.
【図14】本発明の隣接パターン構造を適用したスイッ
チング電源基板の模式斜視図である。FIG. 14 is a schematic perspective view of a switching power supply substrate to which the adjacent pattern structure of the present invention is applied.
【図15】本発明の折り返し部の間隔とインダクタンス
値の関係を示すグラフである。FIG. 15 is a graph showing the relationship between the interval between the folded portions and the inductance value according to the present invention.
【図16】本発明の渦電流層を設けたことによるインダ
クタンス値の変化を示すグラフである。FIG. 16 is a graph showing a change in inductance value due to the provision of the eddy current layer of the present invention.
【図17】本発明の配線層と渦電流層の間隔とインダク
タンス値の関係を示すグラフである。FIG. 17 is a graph showing a relationship between an inductance value and an interval between a wiring layer and an eddy current layer according to the present invention.
【図18】本発明の電源部の配置領域を示した模式図で
ある。FIG. 18 is a schematic diagram showing an arrangement area of a power supply unit according to the present invention.
【図19】本発明のパネルに印加する電圧と輝度との関
係を示すグラフである。FIG. 19 is a graph showing a relationship between a voltage applied to the panel of the present invention and luminance.
【図20】本発明のインダクタンス差と輝度段差との関
係を示すグラフである。FIG. 20 is a graph showing a relationship between an inductance difference and a luminance step according to the present invention.
【図21】本発明のモジュールのピン配置図である。FIG. 21 is a pin layout diagram of the module of the present invention.
10…サステインX基板、11…サステインY基板、1
2,13…X側出力モジュール、14,15…Y側出力
モジュール、16〜19…電解コンデンサ、100,1
02,1204,1207,1210,1405,14
06,1407,1408…配線パターン、103…X
BUS基板、104…X側FPC、105…Y側中継基
板、106…Y側FPC、107,108…アース板、
109,110…パネル、20〜23,44,45,1
11〜123,1000,1001…経路、24,2
5,1201,1301,2102…スイッチング素
子、30,31…出力コネクタ、40〜43…半導体素
子、50…パターン、51,60…渦電流パターン、5
2,79,700,85〜89,1307〜1309…
電流、53,61…渦電流、70…電源、74…負荷、
71〜73,75〜84…インダクタンス、800,8
01…相互インダクタンス、90〜95,1100〜1
104,1700,1701…配線毎のインダクタンス
値、1200…マイコン、1202…Alワイヤ、12
03,1206,1209…パッド、1205,210
0…電源ピン、1207,1403,1404,210
1,2105…出力ピン、1211,1401,140
2…入力ピン、1300…トランス、1302,130
6…コンデンサ、1303,1304…ダイオード、1
305…インダクタ、1400…スイッチング電源基
板、1800,1801…領域、2103,2104,
2107…モジュール内配線、2106…回収ピン。10: Sustain X substrate, 11: Sustain Y substrate, 1
2, 13: X-side output module, 14, 15: Y-side output module, 16 to 19: electrolytic capacitor, 100, 1
02, 1204, 1207, 1210, 1405, 14
06, 1407, 1408 ... wiring pattern, 103 ... X
BUS board, 104: X-side FPC, 105: Y-side relay board, 106: Y-side FPC, 107, 108: ground plate,
109, 110 ... panel, 20 to 23, 44, 45, 1
11 to 123, 1000, 1001... Route, 24, 2
5, 1201, 1301, 102 ... switching element, 30, 31 ... output connector, 40-43 ... semiconductor element, 50 ... pattern, 51, 60 ... eddy current pattern, 5
2,79,700,85-89,1307-1309 ...
Current, 53, 61 eddy current, 70 power supply, 74 load
71 to 73, 75 to 84 ... inductance, 800, 8
01: Mutual inductance, 90 to 95, 1100 to 1
104, 1700, 1701 ... inductance value for each wiring, 1200 ... microcomputer, 1202 ... Al wire, 12
03,1206,1209 ... pad, 1205,210
0: power supply pin, 1207, 1403, 1404, 210
1,105 output pins, 1211,1401,140
2 input pin, 1300 transformer, 1302, 130
6 ... Capacitor, 1303, 1304 ... Diode, 1
305: inductor, 1400: switching power supply board, 1800, 1801, area, 2103, 2104
2107: wiring in the module, 2106: collection pin.
フロントページの続き (72)発明者 秋山 登 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 齋藤 隆一 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 大沢 通孝 神奈川県川崎市高津区坂戸三丁目2番1号 富士通日立プラズマディスプレイ株式会 社内 (72)発明者 小野澤 誠 神奈川県川崎市高津区坂戸三丁目2番1号 富士通日立プラズマディスプレイ株式会 社内 (72)発明者 井上 広一 神奈川県川崎市高津区坂戸三丁目2番1号 富士通日立プラズマディスプレイ株式会 社内 Fターム(参考) 5C040 FA10 GK11 GK14 5C058 AA11 AB06 BA06 5E338 AA00 AA20 BB51 BB75 BB80 CC01 CC04 CC06 CD05 CD12 CD40 EE11 Continued on the front page (72) Inventor Noboru Akiyama 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Ryuichi Saito 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi, Ltd.Hitachi Research Laboratories (72) Inventor Michitaka Osawa 3-2-1 Sakado, Takatsu-ku, Kawasaki, Kanagawa Prefecture Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited In-house (72) Inventor Makoto Onozawa Sakado, Takatsu-ku, Kawasaki, Kanagawa Prefecture Fujitsu Hitachi Plasma Display Co., Ltd. In-house (72) Inventor Koichi Inoue 3-2-1 Sakado, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Fujitsu Hitachi Plasma Display Co., Ltd. F-term (reference) 5C040 FA10 GK11 GK14 5C058 AA11 AB06 BA06 5E338 AA00 AA20 BB51 BB75 BB80 CC01 CC04 CC06 CD05 CD12 CD40 EE11
Claims (14)
を備えた回路が実装された基板および該基板に電流を供
給する電源部を備えた回路基板であって、前記電源部か
ら回路基板に供給される電流経路を少なくとも2本備
え、 前記電流経路のインダクタンス値の差が100nH以下
であることを特徴とする回路基板。1. A circuit board having a circuit on which a circuit having a circuit component and a conductor connecting the circuit component is mounted, and a power supply unit for supplying current to the substrate, wherein the power supply unit includes a circuit board. Wherein at least two current paths are supplied to the circuit board, and a difference between inductance values of the current paths is 100 nH or less.
の差が1Ω以下である請求項1記載の回路基板。2. The circuit board according to claim 1, wherein a difference between impedance values of the two current paths is 1 Ω or less.
1つである請求項1または2に記載の回路基板。3. The circuit board according to claim 1, wherein one power supply unit supplies a current to the current path.
とを有する第1,第2,第3の集合体があり、前記第1
の集合体と第2の集合体は、第1の導体で接続され、前
記第2の集合体と第3の集合体は第2の導体で接続さ
れ、前記第3の集合体と第1の集合体は第3の導体で接
続されることによって1つの回路を構成し、電流は第1
の集合体から第1の導体を通って第2の集合体に流れ、
さらに第2の導体を通って第3の集合体に流れ、最後に
第3の導体を通って第1の集合体に戻るよう構成され、
前記第1,第2,第3の導体の単位長さ当りに換算した
インダクタンス値をそれぞれL1,L2,L3としたと
き、L1〜L3のなかではL2が最も大きな値である回
路基板において、前記第2の導体の相互インダクタンス
値をマイナスにするよう構成されたことを特徴とする回
路基板。4. There is a first, second, and third assembly having circuit components and a conductor connecting between the circuit components, and
And the second aggregate are connected by a first conductor, the second aggregate and the third aggregate are connected by a second conductor, and the third aggregate and the first aggregate are connected by a first conductor. The assembly forms one circuit by being connected by the third conductor, and the current flows through the first conductor.
Flows from the aggregate of the first through the first conductor to the second aggregate,
Further configured to flow through the second conductor to a third aggregate, and finally to return to the first aggregate through the third conductor;
Assuming that the inductance values of the first, second, and third conductors per unit length are L1, L2, and L3, respectively, in the circuit board in which L2 is the largest value among L1 to L3, A circuit board, wherein the mutual inductance value of the second conductor is configured to be negative.
り返し部を有する請求項4に記載の回路基板。5. The circuit board according to claim 4, wherein the second conductor has a folded portion in the middle of the circuit.
れた回路基板において、第4の集合体と第4,第5の導
体により構成される回路が前記第2の導体の替わりに形
成されており、前記第4の導体と第5の導体が第4の集
合体に対して折り返し部を有し、前記第4の導体と前記
第5の導体との最も接近する間隔が10mm以下である
請求項4に記載の回路基板。6. A circuit board comprising a first aggregate, a second aggregate and a third aggregate, wherein a circuit constituted by a fourth aggregate and a fourth and a fifth conductor is formed by a circuit of the second conductor. Instead, the fourth conductor and the fifth conductor have a folded portion with respect to a fourth assembly, and the closest distance between the fourth conductor and the fifth conductor is The circuit board according to claim 4, which is 10 mm or less.
の距離に、該折り返し部を投影した領域を含むように導
体を設けた請求項5に記載の回路基板。7. The circuit board according to claim 5, wherein a conductor is provided at a distance of 10 mm or less from the folded portion so as to include a region where the folded portion is projected.
位置はそのままで、前記第1の集合体と前記第2の集合
体との距離を増やし、前記第2の集合体と前記第3の集
合体との距離を減らした請求項4に記載の回路基板。8. The distance between the first aggregate and the second aggregate is increased while the positions of the first aggregate and the third aggregate are kept as they are, and the distance between the second aggregate and the second aggregate is increased. The circuit board according to claim 4, wherein a distance from the third assembly is reduced.
対して前記第3の集合体と同じ方向に形成されている請
求項6に記載の回路基板。9. The circuit board according to claim 6, wherein the second assembly is formed in the same direction as the third assembly with respect to the folded portion.
体を有する回路が実装された基板と、 該基板に電流を供給する電源部を備えた駆動部と、該駆
動部からの電気信号によって表示される表示部を備え、
該表示部には前記電気信号を伝達する電極が平行に2本
以上有し、かつ、2枚のガラス板を貼り合わせた構造に
なっており、該2枚のガラス板で形成された微小空間に
希ガスが封入されてセルを構成し、 該希ガスは前記電極に電圧を印加することで放電し、放
電開始後の前記表示部の輝度は前記電気信号の数に依存
し、前記駆動部から表示部への供給電流の経路を2本以
上有するプラズマディスプレイであって、 前記経路のインダクタンス値の差が100nH以下であ
ることを特徴とするプラズマディスプレイ。10. A substrate on which a circuit having a circuit component and a conductor connecting the circuit component is mounted, a driving unit having a power supply unit for supplying current to the substrate, and an electric signal from the driving unit. It has a display unit that is displayed,
The display unit has two or more electrodes for transmitting the electric signal in parallel and has a structure in which two glass plates are bonded to each other, and a minute space formed by the two glass plates is provided. A rare gas is sealed in the cell to form a cell. The rare gas is discharged by applying a voltage to the electrode, and the luminance of the display unit after the start of discharge depends on the number of the electric signals. A plasma display having two or more paths of supply current from a device to a display unit, wherein a difference between inductance values of the paths is 100 nH or less.
体を有する回路が実装された基板と、 該基板に電流を供給する電源部を備えた駆動部と、該駆
動部からの電気信号によって表示される表示部を備え、
該表示部には前記電気信号を伝達する電極が平行に2本
以上有し、かつ、2枚のガラス板を貼り合わせた構造に
なっており、該2枚のガラス板で形成された微小空間に
希ガスが封入されてセルを構成し、 該希ガスは前記電極に電圧を印加することで放電し、放
電開始後の前記表示部の輝度は前記電気信号の数に依存
し、前記駆動部から表示部への供給電流の経路を2本以
上有するプラズマディスプレイであって、 前記回路部品は2層以上の多層基板上に実装され、その
回路は2経路有し、該経路は1つの電流入口と2つの電
流出口で構成され、該電流の出口は第1の金属パターン
によって互いに電気的に接続され、前記2経路のインダ
クタンス値が異なり、 インダクタンス値の大きい経路に対して、前記第1の金
属パターンを含む層とは別の層にインダクタンス値の大
きい経路を基板の厚さ方向に投影した領域に第2の金属
パターンを有し、インダクタンス値の大きい経路を含む
層と前記第2のパターンを含む層との間隔が10mm以
下であることを特徴とするプラズマディスプレイ。11. A substrate on which a circuit having a circuit component and a conductor connecting the circuit component is mounted, a driving unit including a power supply unit for supplying current to the substrate, and an electric signal from the driving unit. It has a display unit that is displayed,
The display unit has two or more electrodes for transmitting the electric signal in parallel and has a structure in which two glass plates are bonded to each other, and a minute space formed by the two glass plates is provided. A rare gas is sealed in the cell to form a cell. The rare gas is discharged by applying a voltage to the electrode, and the luminance of the display unit after the start of discharge depends on the number of the electric signals. A plasma display having two or more paths of a supply current from a semiconductor device to a display unit, wherein the circuit component is mounted on a multilayer substrate having two or more layers, the circuit has two paths, and the path has one current inlet. And two current outlets, and the current outlets are electrically connected to each other by a first metal pattern, and the two metal paths have different inductance values, and the first metal pattern corresponds to a path having a larger inductance value. Separate from the layer containing the pattern A second metal pattern in a region where a path having a large inductance value is projected on the layer in the thickness direction of the substrate; A plasma display, characterized in that:
る導体および前記第2の金属パターンは、前記回路と電
気的に独立、あるいは、1箇所のみで接続されている請
求項10または11に記載のプラズマディスプレイ。12. The circuit according to claim 10, wherein the conductor connecting the circuit component and the circuit component and the second metal pattern are electrically independent of the circuit or connected at only one place. The plasma display as described.
圧降下の差をΔV、前記輝度の段差をΔBとしΔB=a
ΔV(a:比例定数)と表されるとき、前記電圧降下の
差がΔB/a以下である請求項10または11に記載の
プラズマディスプレイ。13. A difference ΔV between a voltage drop of a voltage applied to an electrode of the cell and a difference ΔB in the luminance, wherein ΔB = a
The plasma display according to claim 10, wherein a difference between the voltage drops is ΔB / a or less when represented by ΔV (a: proportional constant).
降下の差が10V以下である請求項13に記載のプラズ
マディスプレイ。14. The plasma display according to claim 13, wherein the proportionality constant a is 1.2 and the difference between the voltage drops is 10 V or less.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000179363A JP2001358412A (en) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | Circuit board and plasma display using the same |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002311888A (en) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Nec Corp | Plasma display device |
JP2006003810A (en) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display device |
CN100405423C (en) * | 2004-04-26 | 2008-07-23 | 株式会社日立制作所 | Plasma display apparatus |
-
2000
- 2000-06-09 JP JP2000179363A patent/JP2001358412A/en active Pending
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