JP2001347450A - Chemical machinery polishing device - Google Patents
Chemical machinery polishing deviceInfo
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- JP2001347450A JP2001347450A JP2000172385A JP2000172385A JP2001347450A JP 2001347450 A JP2001347450 A JP 2001347450A JP 2000172385 A JP2000172385 A JP 2000172385A JP 2000172385 A JP2000172385 A JP 2000172385A JP 2001347450 A JP2001347450 A JP 2001347450A
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、化学機械研磨（Ch
emical Mechanical Polishing, CMP）に係り、特に、改
良式調節ブラシを有する化学機械研磨装置に関するもの
である。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a chemical mechanical polishing (Ch
More particularly, the present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus having an improved adjustment brush.
【０００２】[0002]
【従来技術】半導体製造プロセス技術においては、表面
平坦化が高密度フォトリソグラフィを行う一つの重要な
技術である。なぜなら、高低の差のない平坦表面こそ
は、露光乱射を避け、精密なパターン転写を達成するこ
とが出来るからである。平坦化技術は、主に、スピン式
ガラス法（Spin-On Glass, SOG）と、化学機械研磨法と
を有する。但し、半導体製造プロセス技術がサブハーフ
ミクロン（sub-half-micron）に入ると、スピン式ガラ
ス法は、要求される平坦度を満足することが出来なくな
るわけである。そのため、化学機械研磨技術は、現在で
は、超大型集積回路（Very-Large Scale Integration,
VLSI）、更にウルトラ大型集積回路（Ultra-Large Scal
e Integration, ULSI）に対して、”全面平坦化（globa
l planarization）”を提供することができる唯一の技
術となっている。2. Description of the Related Art In semiconductor manufacturing process technology, surface planarization is one important technology for performing high-density photolithography. This is because a flat surface with no difference in height can avoid exposure to radiation and achieve precise pattern transfer. The planarization technique mainly includes a spin-on glass method (Spin-On Glass, SOG) and a chemical mechanical polishing method. However, when the semiconductor manufacturing process technology enters the sub-half-micron, the spin glass method cannot satisfy the required flatness. Therefore, chemical-mechanical polishing technology is currently used for very large scale integrated circuits (Very-Large Scale Integration,
VLSI) and Ultra-Large Scal
e Integration, ULSI)
l planarization) "is the only technology that can provide.
【０００３】図1（A）は、従来の化学機械研磨装置の平
面図である。図1（B）は、その従来の化学機械研磨装置
の断面図である。図1（A）及び図1（B）に示すように、
その従来の化学機械研磨装置は、研磨台（polishing ta
ble）１０と、研磨されるウェーハ１２を吸着するため
のホルダー１１と、研磨台１０に敷設された研磨パッド
１３と、スラリー（slurry）１５を研磨パッド１３に輸
送するチューブ１４と、スラリー１５を吸い上げてチュ
ーブ１４に送り出すポンプ１６と、研磨パッド１３の表
面を平らに研磨するための調節ブラシ（dresser or con
ditioner）１７と、を有する。FIG. 1A is a plan view of a conventional chemical mechanical polishing apparatus. FIG. 1B is a cross-sectional view of the conventional chemical mechanical polishing apparatus. As shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B),
The conventional chemical-mechanical polishing apparatus includes a polishing table (polishing ta).
ble) 10, a holder 11 for absorbing a wafer 12 to be polished, a polishing pad 13 laid on a polishing table 10, a tube 14 for transporting a slurry 15 to the polishing pad 13, and a slurry 15 A pump 16 for sucking and feeding the tube 14 and an adjusting brush (dresser or con
ditioner) 17.
【０００４】化学機械研磨を行うときに、研磨台１０及
びホルダー１１は、図1（A）及び図1（B）の矢印１８a
及び１８ｂに示すように、それぞれ、一定の方向に沿っ
て回転する。さらに、ホルダー１１はウェーハ１２の背
面１９を吸着し、ウェーハ１２の正面２０を研磨パッド
１３に押し付ける。チューブ１４は、ポンプ１６によっ
て吸い上げられてきたスラリー１５を持続的に研磨パッ
ド１３に供給する。When chemical mechanical polishing is performed, the polishing table 10 and the holder 11 are moved in the direction indicated by an arrow 18a in FIGS. 1 (A) and 1 (B).
And 18b each rotate along a certain direction. Further, the holder 11 sucks the back surface 19 of the wafer 12 and presses the front surface 20 of the wafer 12 against the polishing pad 13. The tube 14 continuously supplies the slurry 15 sucked up by the pump 16 to the polishing pad 13.
【０００５】したがって、化学機械研磨法は、スラリー
１５に含まれる化学助剤を利用してウェーハ１２の正面
２０において化学反応を引き起こすることによって研磨
し易い層を形成し、また、スラリー１５に含まれる研磨
粒子（abrasive particles）を利用して研磨パッド１３
においてウェーハ１２に対して機械研磨を行うことによ
ってその形成された研磨層の凸部分を研磨し、更に、上
述した化学反応及び機械研磨を繰り返すことによってウ
ェーハに平坦な表面を形成する方法である。基本的に、
化学機械研磨技術は、バフ磨きの原理を利用して更に適
当な化学助剤（reagent）及び研磨粒子を加えることに
よって、高低の差を有する表面を研磨して平坦化する技
術である。Accordingly, the chemical mechanical polishing method forms a layer which is easy to be polished by causing a chemical reaction on the front surface 20 of the wafer 12 by using a chemical assistant contained in the slurry 15, Polishing pad 13 using abrasive particles
In this method, the wafer 12 is subjected to mechanical polishing to polish a convex portion of the formed polishing layer, and further, the above chemical reaction and mechanical polishing are repeated to form a flat surface on the wafer. fundamentally,
The chemical mechanical polishing technique is a technique of polishing and flattening a surface having a difference in height by adding a suitable chemical agent (reagent) and abrasive particles using the principle of buffing.
【０００６】研磨パッド１３は、多孔性材質によって作
られるものである。一定の時間で使用されると、その研
磨パッド１３の表面にある多数の孔は研磨材料（例え
ば、スラリー１５に含まれた研磨粒子、或いはウェーハ
から刷り落された物質）によって埋められる傾向があ
る。その結果、研磨パッド１３の研磨性能が低下し、研
磨効果が影響されうる。[0006] The polishing pad 13 is made of a porous material. When used over a period of time, the numerous holes in the surface of the polishing pad 13 tend to be filled with abrasive material (eg, abrasive particles contained in the slurry 15 or substances brushed off the wafer). . As a result, the polishing performance of the polishing pad 13 decreases, and the polishing effect may be affected.
【０００７】そのため、一定の時間毎に（一定数量のウ
ェーハを研磨した後）、調節ブラシ１７を用いて研磨パ
ッド１３の表面を処理することによって、その多数の孔
に埋められたものは取り除かれる必要はある。その処理
は、研磨パッドの使用期限内に何回でも行われうる。[0007] Therefore, at regular time intervals (after polishing a certain number of wafers), the surface of the polishing pad 13 is treated with the adjusting brush 17 so that the material buried in the large number of holes is removed. There is a need. The process can be performed any number of times within the expiration date of the polishing pad.
【０００８】図２は、従来の調節ブラシ２０の底面を示
す図である。調節ブラシ２０は、本体２２と、その本体
２２の周縁に沿って設けられた複数の粘着パッド２４と
を有する。各粘着パッド２４には、複数のダイヤモンド
粒が粘着される。化学機械研磨を行うときに、調節ブラ
シ２０は、これらの粘着パッド２４に粘着されたダイヤ
モンド粒を用いて研磨パッドの表面を処理する。なお、
これらのダイヤモンド粒は、ニッケル又はその他の金属
を用いて、調節ブラシ２０の本体２２の粘着パッド２４
に溶接される。FIG. 2 is a diagram showing a bottom surface of the conventional adjusting brush 20. As shown in FIG. The adjustment brush 20 has a main body 22 and a plurality of adhesive pads 24 provided along the periphery of the main body 22. A plurality of diamond grains are adhered to each adhesive pad 24. When performing the chemical mechanical polishing, the adjusting brush 20 treats the surface of the polishing pad using the diamond particles adhered to the adhesive pad 24. In addition,
These diamond grains are made of an adhesive pad 24 on the body 22 of the adjustment brush 20 using nickel or other metal.
To be welded.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、化学機
械研磨製造プロセスを行うときに、酸性又は塩基性のス
ラリー１５（特に、金属材質を研磨するのに用いられる
酸性スラリー）は、ダイヤモンド粒と粘着パッド２４と
の間に存在している溶接料を腐食しつつある。その結
果、ダイヤモンド粒は粘着パッド２４から剥離され、ま
た、調節ブラシ２２の使用寿命は短縮される恐れがあ
る。更に、研磨パッド１３に剥がれ落ちたダイヤモンド
粒は、研磨中のウェーハ又は後に研磨されるウェーハを
傷付け、チップにダメージを与える恐れがある。However, when the chemical mechanical polishing manufacturing process is performed, the acidic or basic slurry 15 (particularly, the acidic slurry used for polishing a metal material) contains diamond grains and an adhesive pad. 24 is being corroded. As a result, the diamond grains are peeled off from the adhesive pad 24, and the service life of the adjusting brush 22 may be shortened. Furthermore, the diamond particles peeled off on the polishing pad 13 may damage the wafer being polished or a wafer to be polished later, and may damage the chip.
【００１０】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、スラリーがダイヤモンド粒と粘着パッドとの間に存
在している溶接料を腐食することを抑え、調節ブラシの
使用寿命を延長することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and suppresses the slurry from corroding a welding material existing between diamond grains and an adhesive pad, and extends the service life of an adjusting brush. The purpose is to:
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明が提供した化学機械研磨装置は、研磨パ
ッドを有し且つ固定された方向に回転する研磨台を備え
る化学研磨マシンに適したものである。In order to achieve the above-mentioned object, a chemical mechanical polishing apparatus provided by the present invention is directed to a chemical polishing machine having a polishing pad and having a polishing table rotating in a fixed direction. It is suitable.
【００１２】また、本発明が提供した化学機械研磨装置
は少なくとも、一つの調節ブラシ本体と複数の粘着パッ
ドとを有する。各粘着パッドには複数のダイヤモンド粒
が粘着されている。また、粘着パッドは調節ブラシの下
表面に位置し且つ調節ブラシ本体の周縁に分布されてい
る。研磨パッドを処理するときに、研磨パッドと接触し
てもよい。調節ブラシ本体には調節ブラシの上下表面を
貫通する複数の孔が形成され且つそれぞれ粘着パッドの
間に分布されている。調節ブラシを用いて研磨パッドを
処理するときに、イオンの取り除いた水は、これらの孔
を介して各粘着パッドのダイヤモンド粒の周囲に流れて
いて酸性又は塩基性のスラリーを希釈し更に洗い流する
ことによって、スラリーがダイヤモンド粒の溶接料に与
えるダメージを抑え、調節ブラシの使用寿命を延長する
ことを特徴とする。Further, the chemical mechanical polishing apparatus provided by the present invention has at least one adjusting brush main body and a plurality of adhesive pads. A plurality of diamond grains are adhered to each adhesive pad. In addition, the adhesive pad is located on the lower surface of the adjusting brush and is distributed around the periphery of the adjusting brush body. When processing the polishing pad, it may come into contact with the polishing pad. A plurality of holes penetrating the upper and lower surfaces of the adjusting brush are formed in the adjusting brush body and are respectively distributed between the adhesive pads. When treating the polishing pad with the conditioning brush, deionized water flows through these holes around the diamond grains of each adhesive pad to dilute and wash away the acidic or basic slurry. This suppresses the damage of the slurry to the welding charge of the diamond grains, and extends the service life of the adjusting brush.
【００１３】また、調節ブラシの上表面には、円形の第
一凹槽が形成され且つ孔の内側に位置しており、更に複
数の第二凹槽が第一凹槽に垂直する形で第一凹槽と孔と
の間にそれぞれ配置される。研磨パッドを処理するとき
に、イオンの取り除いた水は、第一凹槽に導入される
と、第二凹槽に沿って流れそして孔を介して均一に各粘
着パッドのダイヤモンド粒の間に流れてくることによっ
て、スラリーを希釈し更に洗い流すことを特徴とする。In addition, a circular first concave tank is formed on the upper surface of the adjusting brush and located inside the hole, and a plurality of second concave tanks are formed perpendicular to the first concave tank. They are respectively arranged between the concave tank and the hole. When treating the polishing pad, the deionized water, when introduced into the first trough, flows along the second trough and evenly through the holes between the diamond grains of each adhesive pad. The slurry is diluted and further washed away.
【００１４】上記課題を達成するための本発明の目的、
特徴、及び利点をより明確にするため、以下に図面と実
施例に基づいて詳細に説明する。The object of the present invention for achieving the above object,
In order to make the features and advantages clearer, a detailed description will be given below based on the drawings and embodiments.
【発明の実施の形態】図３（A）は、本発明に係る一実
施例の調節ブラシ３０の底面を示す図である。FIG. 3A is a diagram showing a bottom surface of an adjusting brush 30 according to an embodiment of the present invention.
【００１５】図３（A）に示すように、化学機械研磨装
置に用いられる調節ブラシ３０は少なくとも、調節ブラ
シ本体３２と、複数の粘着パッド３４とを有する。各粘
着パッド３４には、複数のダイヤモンド粒が粘着されて
いる。これらの粘着パッド３４は、調節ブラシ本体３２
の研磨パッドに接触する下表面３３に粘着されており、
且つ調節ブラシ本体３２の周縁に設けられる。また、調
節ブラシ本体３２には、図示のように複数の孔３６が形
成されている。これらの孔３６は、調節ブラシ本体３２
の上表面３５と下表面３３とを垂直に貫通して形成さ
れ、且つ粘着パッド３４の間に配置される。As shown in FIG. 3A, the adjusting brush 30 used in the chemical mechanical polishing apparatus has at least an adjusting brush main body 32 and a plurality of adhesive pads 34. A plurality of diamond grains are adhered to each adhesive pad 34. These adhesive pads 34 are attached to the adjustment brush main body 32.
Is adhered to the lower surface 33 which contacts the polishing pad of
And it is provided on the periphery of the adjustment brush main body 32. Further, a plurality of holes 36 are formed in the adjustment brush main body 32 as shown in the figure. These holes 36 are provided in the adjustment brush body 32.
Are formed vertically through the upper surface 35 and the lower surface 33 and are disposed between the adhesive pads 34.
【００１６】図３（B）は、図３（A）に示す調節ブラシ
３０の平面図である。孔３６は、上述したように、調節
ブラシ本体３２の下表面３３から上表面３５まで、調節
ブラシ本体３２を貫通して構成される。調節ブラシ３０
を用いて研磨パッドを処理するときに、イオンを取り除
いた水がこれらの孔３６を介して粘着パッド３４のダイ
ヤモンド粒の周囲に流れてくることによって、酸性又は
塩基性のスラリーは希釈され更には洗い流されうる。こ
のように、スラリーがダイヤモンド粒を粘着パッド３４
に固定させる溶接料に与える腐食は、低減されうる。そ
の結果、調節ブラシの使用寿命は延長されうる。FIG. 3B is a plan view of the adjusting brush 30 shown in FIG. 3A. The hole 36 is formed through the adjustment brush main body 32 from the lower surface 33 to the upper surface 35 of the adjustment brush main body 32 as described above. Adjustable brush 30
When the polishing pad is treated with the water, the deionized water flows around the diamond grains of the adhesive pad 34 through these holes 36, thereby diluting the acidic or basic slurry, and further, Can be washed away. Thus, the slurry causes the diamond particles to adhere to the adhesive pad 34.
Corrosion of the welding material to be fixed to the weld can be reduced. As a result, the service life of the adjusting brush can be extended.
【００１７】また、調節ブラシの本体３２の中央部分に
は、固定部３８が形成されている。この固定部３８は、
調節ブラシ３０を移動可能なホルダーに固定するために
用いられる。更に、調節ブラシの本体３２の上表面３５
には、環状の第一凹槽４０が形成され、且つ孔３６の内
側に配置される。各孔３６と第一凹槽４０との間には、
図３（B）に示すように、複数の第二凹槽４２が形成さ
れる。これによって、各孔３６は、対応する第二凹槽４
２を介して第一凹槽４０と通じる構成とされる。なお、
各第二凹槽４２は、第一凹槽４０に垂直する。A fixing portion 38 is formed at the center of the main body 32 of the adjusting brush. This fixing portion 38
It is used to fix the adjustment brush 30 to a movable holder. In addition, the upper surface 35 of the adjustment brush body 32
Has an annular first concave tank 40 formed therein and arranged inside the hole 36. Between each hole 36 and the first concave tank 40,
As shown in FIG. 3B, a plurality of second concave tanks 42 are formed. Thereby, each hole 36 is formed in the corresponding second concave tank 4.
It is configured so as to communicate with the first concave tank 40 through the second tank 2. In addition,
Each second concave tank 42 is perpendicular to the first concave tank 40.
【００１８】上述した構成によれば、研磨パッドを処理
する際に、イオンの取り除いた水は、第一凹槽４０に注
入され、第二凹槽４２を介して孔３６に均一に流れ込
む。そして、孔３６から流れてくる水は、粘着パッド３
４のダイヤモンド粒を洗う。その結果、スラリーは希釈
され、更には洗い流されうる。According to the above-described configuration, when the polishing pad is processed, the water from which ions have been removed is injected into the first concave tank 40 and flows uniformly into the hole 36 via the second concave tank 42. The water flowing from the hole 36 is
4. Wash the diamond grains. As a result, the slurry can be diluted and even washed away.
【００１９】図４は、第一凹槽４０と、第二凹槽４２
と、孔３６との関係をよりはっきり示すために、図３
（B）の局部拡大図である。なお、同図の中、図３（A）
及び図３（B）と同一構成部分には、同一符合を付し、
その説明は省略する。FIG. 4 shows a first concave tank 40 and a second concave tank 42.
In order to more clearly show the relationship between
It is a local enlarged view of (B). FIG. 3 (A)
The same components as those of FIG. 3 and FIG.
The description is omitted.
【００２０】本発明では、調節ブラシ３０の上表面３５
には凹槽４０及び４２が形成され、これらの凹槽を介し
てイオンの取り除いた水は、孔３６に導入され、更に調
節ブラシ３０の下表面３３に流れてくることによって、
均一的にダイヤモンド粒の間に分布する。In the present invention, the upper surface 35 of the adjustment brush 30 is used.
Are formed with concave tanks 40 and 42, through which water from which ions have been removed is introduced into the holes 36 and further flows to the lower surface 33 of the adjusting brush 30.
It is distributed uniformly between diamond grains.
【００２１】化学機械研磨に用いられるスラリーは研磨
パッドの孔に流れ込む。そのため、調節ブラシを用いて
研磨パッドを処理するときに、スラリーは調節ブラシと
接触することによって、ダイヤモンド粒を調節ブラシに
固定した溶接料を腐食する。特に、金属の研磨を行うと
きに用いられるスラリーが酸性であり、しかも溶接料が
研磨物と同じく金属であるので、その溶接料は、その酸
性のスラリーにより腐食され易くなる。その結果、ダイ
ヤモンド粒の剥離はもたらしやすい。The slurry used for chemical mechanical polishing flows into the holes of the polishing pad. Therefore, when treating the polishing pad with the adjusting brush, the slurry comes into contact with the adjusting brush, thereby corroding the welding material fixing the diamond grains to the adjusting brush. In particular, since the slurry used when polishing a metal is acidic and the welding material is the same as the polished material, the welding material is easily corroded by the acidic slurry. As a result, peeling of the diamond grains is likely to occur.
【００２２】本発明によれば、凹槽４０、４２、及び孔
３６を用いてイオンの取り除いた水をダイヤモンド粒の
間に導入させることによって、研磨パッド内に残ったス
ラリーの濃度が局部的に過度に高くなる状況は避けられ
うる。更に、ダイヤモンド粒を調節ブラシ３０に固定し
た溶接料が酸性のスラリーに腐食されて剥離されること
も避けられうる。その結果、調節ブラシ３０の使用寿命
は延長されうる。本発明が提供した化学機械研磨装置
は、ダイヤモンド粒の間にイオンの取り除いた水を導入
することによって、調節ブラシ３０の使用寿命を二倍に
延長することできる。これによって、調節ブラシ３０に
掛かるコストも大幅に削減することができる。According to the present invention, the concentration of the slurry remaining in the polishing pad is locally reduced by introducing deionized water between the diamond grains using the concave tanks 40, 42 and the holes 36. Excessively high situations can be avoided. Further, it is possible to prevent the welding material in which the diamond grains are fixed to the adjustment brush 30 from being corroded by the acidic slurry and peeled off. As a result, the service life of the adjusting brush 30 can be extended. The chemical mechanical polishing apparatus provided by the present invention can double the service life of the adjusting brush 30 by introducing deionized water between the diamond grains. As a result, the cost of the adjustment brush 30 can be significantly reduced.
【００２３】更に、本発明が提供した化学機械研磨装置
を用いることは、調節ブラシ３０の寿命が延長され、ダ
イヤモンド粒が研磨パッドに剥がれ落ちる確率も減少さ
れうる。これによって、剥がれ落ちたダイヤモンド粒が
ウェーハに傷付ける機会も減少されうる。これは、製造
プロセスの歩留まりを高めるのに非常に有利である。ま
た、傷付けられたウェーハの数量が減少されることは、
コストダウンにもつながる。Further, the use of the chemical mechanical polishing apparatus provided by the present invention can prolong the life of the adjusting brush 30 and reduce the probability that the diamond particles are peeled off the polishing pad. This may also reduce the chance that the flaked diamond grains will damage the wafer. This is very advantageous for increasing the yield of the manufacturing process. Also, the reduced quantity of damaged wafers means that
It leads to cost reduction.
【００２４】上述した本発明の好ましい実施例は、本発
明を限定するものではない。当業界の如何なる熟練者
は、本発明の要旨及び範囲内において、各種の変更及び
修飾を行うことができる。従って、本発明の保護範囲
は、特許請求範囲に準ずる。The preferred embodiments of the present invention described above do not limit the present invention. Any person skilled in the art can make various changes and modifications within the spirit and scope of the present invention. Therefore, the protection scope of the present invention is in accordance with the appended claims.
【図１】（A）は従来の化学機械研磨マシンの平面図、
（B）は図1（A）に示す従来の化学機械研磨マシンの断
面図である。FIG. 1 (A) is a plan view of a conventional chemical mechanical polishing machine,
FIG. 1B is a cross-sectional view of the conventional chemical mechanical polishing machine shown in FIG.
【図２】従来の調節ブラシの底面を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a bottom surface of a conventional adjustment brush.
【図３】（A）は本発明に係る一実施例の調節ブラシの
底面図、（B）は図３（A）に示す調節ブラシの平面図で
ある。FIG. 3A is a bottom view of an adjusting brush according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a plan view of the adjusting brush shown in FIG. 3A.
【図４】図３（B）に示す調節ブラシの局部の拡大図で
ある。FIG. 4 is an enlarged view of a local portion of the adjustment brush shown in FIG. 3 (B).
１０ 研磨台 １１ ホルダー １２ ウェーハ １３ 研磨パッド １４ チューブ １５ スラリー １６ ポンプ １７、２０、３０ 調節ブラシ ２２、３２ 調節ブラシ本体 ３３ 調節ブラシの下表面 ２４、３４ 粘着パッド ３５ 調節ブラシの上表面 ３６ 孔 ３８ 調節ブラシの固定部 ４０ 第一凹槽 ４２ 第二凹槽 Reference Signs List 10 polishing table 11 holder 12 wafer 13 polishing pad 14 tube 15 slurry 16 pump 17, 20, 30 adjusting brush 22, 32 adjusting brush main body 33 lower surface of adjusting brush 24, 34 adhesive pad 35 upper surface of adjusting brush 36 hole 38 adjusting Brush fixing part 40 First concave tank 42 Second concave tank
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 599116362 モーゼル ヴィテリック インコーポレイ テッド Ｍｏｓｅｌ Ｖｉｔｅｌｉｃ Ｉｎｃ. 台湾，シンチュ，サイエンス−ベイスド インダストリアル パーク，リ−シン ロ ード，19番 (71)出願人 500269978 インフィネオン テクノロジーズ インコ ーポレイテッド ドイツ連邦共和国、81541 ミュンヒェン、 ザンクト−マルティン−シュトラーセ 53 (72)発明者 ジェン−チエ トゥン 台湾、シン−チュ シティ、クン−フ ロ ード、セクション １、レーン 108、ア レイ 146、20番、４Ｆ (72)発明者 ミン−チョン ヤン 台湾、タイペイ、ルーズベルト ロード、 セクション ３、レーン 128、アレイ 36、６番 (72)発明者 リン ルン フ 台湾、シン−チュ シティ、ナ−タ ロー ド、523番、11Ｆ−１ (72)発明者 ジュン−ファン ワン 台湾、シン−チュ シティ、クン−フ ロ ード、セクション ２、299番、10Ｆ Ｆターム(参考） 3C047 BB01 BB12 EE04 3C058 AA14 AA19 AC04 CB02 CB03 CB06 DA12 DA17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (71) Applicant 599116362 Mosel Viteric Inc. Taiwan, Xinchu, Science-based Industrial Park, Rishin Road, 19th (71) Applicant 500269978 Infineon Technologies Inc.Germany, 81541 München, Sankt-Martin-Strasse 53 (72) Inventor Jen-Tie Tun Taiwan, Shin-City, Khun-Food, Section 1, Lane 108, Array 146, 20 No. 4F (72) Inventor Min-Chong Yang Taiwan, Taipei, Roosevelt Road, Section 3, Lane 128, Array 36, No. 6 (72) Ming person Lin Lung Fu Taiwan, Shin-City, Nata Road, No. 523, 11F-1 (72) Inventor Jun-Hwan Wan Taiwan, Shin-City, Kun-Food, Section 2, 299th, 10F F term (reference) 3C047 BB01 BB12 EE04 3C058 AA14 AA19 AC04 CB02 CB03 CB06 DA12 DA17
Claims (8)
し、研磨パッドが備わる一定方向に回転する研磨台を有
する化学研磨マシンに設置される化学機械研磨装置は、
少なくとも前記研磨パッドに対面する下表面と、複数の
孔が形成された上表面とを有する、前記下表面及び前記
上表面は前記複数の孔に貫通された調節ブラシ本体と、 前記調節ブラシ本体の下表面の周縁に粘着された複数の
ダイヤモンド粒とを有しており、 前記複数の孔を介して、イオンを取り除いた水が前記上
表面から前記下表面に位置する前記ダイヤモンド粒の間
に流れることを特徴とする化学機械研磨装置。1. A chemical mechanical polishing apparatus installed in a chemical polishing machine that is compatible with a metal chemical mechanical polishing manufacturing process and has a polishing pad provided with a polishing pad and rotating in a certain direction,
An adjusting brush body having at least a lower surface facing the polishing pad and an upper surface formed with a plurality of holes, wherein the lower surface and the upper surface are penetrated by the plurality of holes; And a plurality of diamond particles adhered to the periphery of the lower surface, wherein water from which ions have been removed flows from the upper surface to the diamond particles located on the lower surface through the plurality of holes. A chemical mechanical polishing apparatus characterized by the above-mentioned.
ド粒の間に配置される請求項１に記載の装置。2. The apparatus of claim 1, wherein the plurality of holes are located between the plurality of diamond grains.
に環状の第一凹槽及び複数の第二凹槽が形成されてお
り、前記複数の第二凹槽は、イオンの取り除いた水を前
記第一凹槽から前記複数の孔に導入させるために、前記
複数の孔と前記第一凹槽との間に位置する請求項１に記
載の装置。3. An annular first concave tank and a plurality of second concave tanks are further formed on the upper surface of the adjusting brush main body, and the plurality of second concave tanks are provided with water from which ions have been removed. The apparatus of claim 1, wherein the device is located between the plurality of holes and the first recess for introducing the plurality of holes from the first recess.
酸性スラリーを用いて研磨を行う請求項１に記載の装
置。4. The metal chemical mechanical polishing manufacturing process,
The apparatus according to claim 1, wherein the polishing is performed using an acidic slurry.
有する、更に複数の孔が前記上表面と前記下表面とを貫
通して形成された、前記上表面には環状の第一凹槽が形
成され且つ前記複数の孔と第一凹槽との間に第二凹槽が
形成された、調節ブラシ本体と、 前記調節ブラシ本体の下表面の周縁に粘着された複数の
ダイヤモンド粒とを有しており、 前記第一凹槽に注入されたイオンの取り除いた水が、前
記複数の第二凹槽と前記複数の孔とを介して、前記下表
面に位置する前記複数ダイヤモンド粒の間に流れること
を特徴とする化学機械研磨装置。5. An annular first concave tank having at least a parallel lower surface and an upper surface, wherein a plurality of holes are formed through the upper surface and the lower surface. An adjusting brush main body formed and having a second concave tank formed between the plurality of holes and the first concave tank; and a plurality of diamond grains adhered to a peripheral edge of a lower surface of the adjusting brush main body. And the water from which the ions injected into the first concave tank have been removed is, through the plurality of second concave tanks and the plurality of holes, between the plurality of diamond grains located on the lower surface. A chemical mechanical polishing device characterized by flowing.
ド粒の間に配置される請求項５に記載の装置。6. The apparatus of claim 5, wherein the plurality of holes are located between the plurality of diamond grains.
研磨製造プロセスに用いられる請求項５に記載の装置。7. The apparatus according to claim 5, wherein the chemical mechanical polishing apparatus is used in a metal chemical mechanical polishing manufacturing process.
酸性スラリーを用いて研磨を行う請求項７に記載の装
置。8. The metal chemical mechanical polishing manufacturing process,
The apparatus according to claim 7, wherein the polishing is performed using an acidic slurry.
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