JP2001331121A - Enlarged arrangement method for microchip - Google Patents

Enlarged arrangement method for microchip

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JP2001331121A
JP2001331121A JP2000152813A JP2000152813A JP2001331121A JP 2001331121 A JP2001331121 A JP 2001331121A JP 2000152813 A JP2000152813 A JP 2000152813A JP 2000152813 A JP2000152813 A JP 2000152813A JP 2001331121 A JP2001331121 A JP 2001331121A
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JP
Japan
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microchip
holding means
connecting means
microchip holding
enlarging
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Application number
JP2000152813A
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Japanese (ja)
Inventor
Yotaro Hatamura
洋太郎 畑村
Masayuki Nakao
政之 中尾
Motoyuki Suzuki
基之 鈴木
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for integrating and manufacturing transistor(TR) segments to be highly effected by defect to a small processing area and spatially mounting the respective TRs onto a substrate. SOLUTION: This device consists of >=1 means for holding microchips formed with the TRs and >=1 connecting means having functions to interconnect the microchip holding means and stretching the same and allows the enlarged arrangement of the microchips by impressing energy to the connecting means from outside and parting the microchip holding means from each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、微少な電気、光な
どの多数の素子を規則正しく配置するものの製造方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a device in which a large number of elements such as minute electric and optical elements are regularly arranged.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶パネルの製造工程は、洗浄,成膜,
レジスト塗付,露光,現像,エッチング,レジスト剥離
と、これらの繰り返しから構成される。特に液晶表示装
置の大型化に伴ない、真空を必要とする成膜工程やエッ
チング工程においては、より一層大型の装置を用い、基
板全体をチャンバー内に収容の上、全面に亙る一括処理
を実施している。
2. Description of the Related Art Liquid crystal panel manufacturing processes include cleaning, film formation,
It consists of resist coating, exposure, development, etching, resist stripping, and repetition of these. Especially in the film forming process and the etching process that require a vacuum accompanying the enlargement of the liquid crystal display device, a larger device is used, the whole substrate is housed in the chamber, and the batch processing is performed over the entire surface. are doing.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の製造方
法によると、特に液晶基板の大型化に伴ない、次のよう
な課題が問題となる。
According to the above-mentioned conventional manufacturing method, the following problems are raised, particularly as the size of the liquid crystal substrate increases.

【0004】(1)半導体装置の製造における不良は、
単位面積当たりに対し一定の確率で発生することが知ら
れている。したがって大型液晶基板の製造においては、
処理面積が大きくなるため、絵素欠陥の発生率が高くな
る。他方、絵素欠陥を救済するために事前に配置し得る
冗長な配線の量は限られている。このため大型基板の場
合は、高価格であるにもかかわらず、絵素欠陥を救済し
きれずに廃棄する仕掛り品の数量が増大する。
(1) Defects in the manufacture of semiconductor devices are as follows:
It is known that it occurs with a certain probability per unit area. Therefore, in the production of large liquid crystal substrates,
Since the processing area is large, the rate of occurrence of picture element defects is high. On the other hand, the amount of redundant wiring that can be arranged in advance to relieve picture element defects is limited. Therefore, in the case of a large-sized substrate, the quantity of in-process products to be discarded without being able to rescue picture element defects increases despite the high price.

【0005】(2)従来型の製造方法によると、すべて
の装置に亙って大型基板を一括して収納・処理を施すた
め、装置の大型化が避けられなかった。他方クリーンル
ームは常に莫大な経費を掛けて、高い清浄度を維持して
いる。したがって、装置のフットプリントの増大は、狭
小なクリーンルームにおいて他の装置の導入を阻むこと
に限らず、直接的にクリーンルーム維持費の増大を招く
ものである。
(2) According to the conventional manufacturing method, large-sized substrates are collectively stored and processed in all the devices, so that the size of the devices cannot be avoided. Clean rooms, on the other hand, are always expensive and maintain a high degree of cleanliness. Therefore, the increase in the footprint of the apparatus is not limited to preventing the introduction of other apparatuses in a small clean room, but directly increases the clean room maintenance cost.

【0006】(3)液晶基板大型化に伴なう処理室の大
型化により、プロセスに必要とされる高い真空度にまで
チャンバー内を排気するために、排気時間がより長くな
りかつ、排気速度の速い大容量の真空ポンプを導入しな
ければならない。その結果、生産タクトタイムが増大
し、製品のコスト力を引き下げる要因となる。
(3) As the size of the processing chamber increases with the size of the liquid crystal substrate, the inside of the chamber is evacuated to a high degree of vacuum required for the process. A fast, large-capacity vacuum pump must be introduced. As a result, the production tact time is increased, which is a factor of reducing the cost of the product.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに、絵素の一つ一つをオン・オフするためのスイッチ
ング用トランジスタと液晶基板とを異なるプロセスによ
って製造し、スイッチング用トランジスタを絵素の一つ
一つに移載する製造方法が提唱されている。該方式は不
良の影響を強く受けるトランジスタ部分を、小さな処理
面積上に集積して製造するため、コンタミなどの影響を
受け難く、良品率のより高い製造を可能にするものであ
る。本願は上記したトランジスタの移載を効果的に行な
い、大型液晶製造装置が有する前記課題(1)〜(3)
を解決する手段を提供するものである。
In order to solve the above problems, a switching transistor for turning on and off each of the picture elements and a liquid crystal substrate are manufactured by different processes, and the switching transistor is manufactured. A manufacturing method for transferring each picture element has been proposed. In this method, a transistor portion which is strongly affected by a defect is integrated and manufactured on a small processing area, so that the transistor portion is hardly affected by contamination and the like, and a high yield rate can be manufactured. In the present application, the above-described problems (1) to (3) of the large-sized liquid crystal manufacturing apparatus effectively carry out the transfer of the transistor.
Is provided.

【0008】本発明の第1発明は、マイクロチップを保
持する1以上の手段と、該マイクロチップ保持手段を相
互に連結しかつ延伸する機能を有する1以上の連結手段
とからなり、該連結手段に外部からエネルギーを印加す
ることによりマイクロチップ保持手段を相互に離間せし
め、マイクロチップの拡大配置を可能にする。
The first invention of the present invention comprises at least one means for holding a microchip, and at least one connection means having a function of connecting and extending the microchip holding means with each other. By applying energy from outside to the microchip, the microchip holding means are separated from each other, and the microchip can be enlarged and arranged.

【0009】本発明の第2発明は、第1発明の連結手段
が、気密弾性膜と、気泡を含む液体層とからなり、該気
泡を外部エネルギーにより膨張せしめてマイクロチップ
保持手段を相互に離間せしめ、マイクロチップの拡大配
置を可能にする。
According to a second aspect of the present invention, the connecting means of the first aspect comprises an airtight elastic film and a liquid layer containing bubbles, and the bubbles are expanded by external energy to separate the microchip holding means from each other. At the very least, the microchip can be expanded.

【0010】本発明の第3発明は、第1発明の連結手段
が、気密弾性膜と、低沸点物質とからなり、外部エネル
ギーにより低沸点物質を気化することにより膨張せしめ
てマイクロチップ保持手段を相互に離間せしめ、マイク
ロチップの拡大配置を可能にする。
According to a third aspect of the present invention, the connecting means of the first aspect comprises a gas-tight elastic film and a low-boiling substance, and the low-boiling substance is vaporized by external energy to expand the microchip holding means. The microchips are spaced apart from each other, allowing for an expanded arrangement of the microchips.

【0011】本発明の第4発明は、第3発明の低沸点物
質が、光エネルギー吸収する微小部材を含むことを特徴
とし、外部エネルギーにより光エネルギー吸収する微小
部材を加熱し、低沸点物質を気化することにより膨張さ
せ、マイクロチップ保持手段を相互に離間せしめ、マイ
クロチップの拡大配置を可能にする。
[0011] A fourth invention of the present invention is characterized in that the low-boiling substance of the third invention includes a micro-member that absorbs light energy, and heats the micro-member that absorbs light energy by external energy to reduce the low-boiling substance. The microchip is expanded by being vaporized to separate the microchip holding means from each other, thereby enabling the microchip to be expanded.

【0012】本発明の第5発明は、第1発明の連結手段
が弾性伸縮部材からなり、外周部を中心から遠ざかる方
向に引き伸ばすことにより前記マイクロチップ保持手段
を相互に離間せしめ、マイクロチップの拡大配置を可能
にする。
According to a fifth aspect of the present invention, the connecting means of the first aspect comprises an elastic member, and the microchip holding means is separated from each other by stretching the outer peripheral portion in a direction away from the center, thereby enlarging the microchip. Enable placement.

【0013】本発明の第6発明は、第1発明のマイクロ
チップ保持手段が、中空の部材からなり、吸引によりマ
イクロチップを吸着せしめ、マイクロチップの拡大配置
を可能にする。
According to a sixth aspect of the present invention, the microchip holding means of the first aspect is formed of a hollow member, and allows the microchip to be adsorbed by suction, thereby enabling an enlarged arrangement of the microchip.

【0014】本発明の第7発明は、第1発明のマイクロ
チップ保持手段が、光透過性部材と、マイクロチップに
当接する面に配設された接着層とからなり、該接着層は
光エネルギーを印加することにより接着力を喪失してマ
イクロチップを離脱せしめ、マイクロチップの拡大配置
を可能にする。
According to a seventh aspect of the present invention, the microchip holding means of the first aspect comprises a light transmissive member and an adhesive layer disposed on a surface in contact with the microchip. Is applied, the adhesive force is lost, the microchip is detached, and the microchip can be expanded and arranged.

【0015】本発明の第8発明は、第1発明のマイクロ
チップ保持手段が、伝熱性部材からなり、液浸による表
面張力によりマイクロチップを保持し、加熱により表面
張力を喪失せしめてマイクロチップを離脱し、マイクロ
チップの拡大配置を可能にする。
According to an eighth invention of the present invention, the microchip holding means of the first invention comprises a heat conductive member, holds the microchip by surface tension due to liquid immersion, and loses the surface tension by heating to hold the microchip. Detachable, allowing for expanded placement of the microchip.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図を用
いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】(第1の実施例)図1は本願の第1の実施
例を表す。マイクロチップ保持手段1を相互に連結する
連結手段は、気密弾性膜3と、液体層4と、該液体層に
含まれる気泡5とからなる。気密弾性膜3は、気泡を含
む液体層4を上下から挟む構造を成し、隣接するマイク
ロチップ保持手段1を相互に拘束する。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. The connecting means for connecting the microchip holding means 1 to each other comprises an airtight elastic film 3, a liquid layer 4, and bubbles 5 contained in the liquid layer. The hermetic elastic film 3 has a structure sandwiching the liquid layer 4 containing air bubbles from above and below, and mutually restrains the adjacent microchip holding means 1.

【0018】マイクロチップ保持手段を1次元アレイ状
に配置し、保持手段間のピッチは、ウエハー上に形成し
たスイッチング用トランジスタのピッチと等しく構成す
る。マイクロチップ保持手段は図5に示す通り中空構造
のマイクロチップ保持手段11であり、先端部に吸着パ
ッド12を配設して、吸引手段(図示せず)により、ト
ランジスタ13をマイクロチップ保持手段の各々に吸着
せしめる。
The microchip holding means are arranged in a one-dimensional array, and the pitch between the holding means is made equal to the pitch of the switching transistors formed on the wafer. The microchip holding means is a microchip holding means 11 having a hollow structure as shown in FIG. 5, and a suction pad 12 is provided at the tip, and the transistor 13 is connected to the microchip holding means by a suction means (not shown). Let each adsorb.

【0019】本実施例は以上のような構造であり、これ
による拡大配置は次の手順による。 (1)ウエハー上に形成したスイッチング用トランジス
タ2を分断する。 (2)連結手段を収縮した状態で位置合せを行なう。 (3)マイクロチップ保持手段の夫々を個々のトランジ
スタに一対一に対応させて、当接せしめる。 (4)吸引手段(図示せず)により、複数のトランジス
タ2を各々、複数のマイクロチップ保持手段11の吸着
パッド12に吸着せしめる。 (5)トランジスタを形成したウエハを貼り付けてある
エキスパンドシートを加熱するなどの手法によりシート
の粘着力を弱め、シートをトランジスタから離脱せしめ
る。 (6)トランジスタを保持したマイクロチップ保持手段
と連結部材とからなる系全体を、エア噴出台20の上に
配置する。(図1b) (7)外部エネルギー6としてレーザー光線や赤外線な
どを、連結手段に照射する。 (8)上記外部エネルギーにより連結手段に内在する気
泡5が膨張すると共に、周辺の液体が蒸発・気化して体
積が増大する。この結果、隣接するマイクロチップ保持
手段1を相互に離間せしめる。 (9)気泡の内圧と気密弾性膜3の張力が釣合う距離
で、マイクロチップ保持手段相互の移動が停止する。 (10)本拡大配置手段と液晶基板とを相互に位置合せ
し、スイッチング用トランジスタを液晶基板に当接せし
める。 (11)吸引手段(図示せず)を解除して、保持したス
イッチング用トランジスタを液晶基板に移載する。
The present embodiment has the above-described structure, and the enlarged arrangement according to the structure is performed in the following procedure. (1) The switching transistor 2 formed on the wafer is divided. (2) Positioning is performed with the connecting means contracted. (3) Each of the microchip holding means is brought into contact with each transistor in one-to-one correspondence. (4) The plurality of transistors 2 are respectively sucked to the suction pads 12 of the plurality of microchip holding units 11 by a suction unit (not shown). (5) The adhesive strength of the sheet is reduced by, for example, heating the expanded sheet to which the wafer on which the transistor is formed is attached, and the sheet is separated from the transistor. (6) The entire system including the microchip holding means holding the transistor and the connecting member is arranged on the air ejection table 20. (FIG. 1 b) (7) Irradiate the connecting means with a laser beam, infrared ray, or the like as the external energy 6. (8) The bubbles 5 existing in the connecting means expand due to the external energy, and the surrounding liquid evaporates and vaporizes to increase the volume. As a result, the adjacent microchip holding means 1 are separated from each other. (9) The movement between the microchip holding means is stopped at a distance where the internal pressure of the bubble and the tension of the airtight elastic film 3 are balanced. (10) The enlarged arrangement means and the liquid crystal substrate are aligned with each other, and the switching transistor is brought into contact with the liquid crystal substrate. (11) Release the suction means (not shown) and transfer the held switching transistor to the liquid crystal substrate.

【0020】(第2の実施例)図2は本願の第2の実施
例を示す。図2(a)において、マイクロチップ保持手
段1を相互に連結する連結手段は、気密弾性膜3と、液
体層7とからなる。気密弾性膜3は、液体層7を上下か
ら挟む構造を成し、隣接するマイクロチップ保持手段1
を相互に拘束する。液体層7は低沸点の液体からなり、
赤外線やレーザー光線6により容易に気化して、マイク
ロチップ保持手段を離間せしめる。(図2(b))本実
施例では低沸点液体として、アルコール系溶媒を使用す
る。更に液体層は熱エネルギーの吸収効率を高めるた
め、黒色の染料を溶融させてある。
(Second Embodiment) FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. In FIG. 2A, the connecting means for connecting the microchip holding means 1 to each other comprises an airtight elastic film 3 and a liquid layer 7. The airtight elastic film 3 has a structure sandwiching the liquid layer 7 from above and below, and the adjacent microchip holding means 1
To each other. The liquid layer 7 is composed of a liquid having a low boiling point,
It is easily vaporized by infrared rays or laser beam 6 to separate the microchip holding means. (FIG. 2B) In this embodiment, an alcohol-based solvent is used as the low boiling point liquid. Further, in the liquid layer, a black dye is melted in order to increase the efficiency of absorbing heat energy.

【0021】本連結手段を用いたチップ移載方法は、実
施例1と同様であるため、記述を省略する。
The chip transfer method using the present connecting means is the same as that in the first embodiment, and therefore, the description is omitted.

【0022】(第3の実施例)図3は本願の第3の実施
例を示す。図3(a)において、マイクロチップ保持手
段1を相互に連結する連結手段は、気密弾性膜3と、液
体層7とからなる。気密弾性膜3は、液体層8を上下か
ら挟む構造を成し、隣接するマイクロチップ保持手段1
を相互に拘束する。液体層8は熱エネルギーの吸収効率
を高めるため、液中に黒色の熱吸収部材(パーティク
ル)9を拡散したものである。赤外線やレーザー光線6
を照射することにより、該熱吸収部材を核に安定して気
泡が発生し、マイクロチップ保持手段を離間せしめる。
(図3(b)) 本連結手段を用いたチップ移載方法は、実施例1と同様
であるため、記述を省略する。
(Third Embodiment) FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. In FIG. 3A, the connecting means for connecting the microchip holding means 1 to each other comprises an airtight elastic film 3 and a liquid layer 7. The airtight elastic film 3 has a structure sandwiching the liquid layer 8 from above and below, and the adjacent microchip holding means 1
To each other. The liquid layer 8 is formed by diffusing a black heat absorbing member (particle) 9 in the liquid in order to increase the efficiency of absorbing heat energy. Infrared and laser beam 6
Irradiates the air bubbles stably on the heat absorbing member as a nucleus, and separates the microchip holding means.
(FIG. 3 (b)) The chip transfer method using the connecting means is the same as that of the first embodiment, and therefore the description is omitted.

【0023】(第4の実施例)図4は本願の第4の実施
例を示す。図4(a)において、マイクロチップ保持手
段1を相互に連結する連結手段は、均質な弾性伸縮部材
10からなる。
(Fourth Embodiment) FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 4A, the connecting means for connecting the microchip holding means 1 to each other comprises a uniform elastic elastic member 10.

【0024】マイクロチップ保持手段を1次元アレイ状
に配置し、保持手段間のピッチをウエハー上に形成した
スイッチング用トランジスタのピッチと等しく構成す
る。マイクロチップ保持手段は図5に示す通り中空構造
であり、先端部に吸着パッドを配設してある。
The microchip holding means are arranged in a one-dimensional array, and the pitch between the holding means is made equal to the pitch of the switching transistors formed on the wafer. The microchip holding means has a hollow structure as shown in FIG. 5, and a suction pad is provided at the tip.

【0025】本実施例は以上のような構造であり、これ
による拡大配置は次の手順による。 (1)ウエハー上に形成したスイッチング用トランジス
タ2を分断する。 (2)連結手段を収縮した状態で位置合せ行なう。 (3)マイクロチップ保持手段の夫々を個々のトランジ
スタに一対一に対応させて、当接せしめる。 (4)吸引手段(図示せず)により、トランジスタ2
を、マイクロチップ保持手段11の吸着パッド12に吸
着せしめる。 (5)トランジスタを形成したウエハを貼り付けてある
エキスパンドシートを加熱するなどの手法によりシート
の粘着力を弱め、シートをトランジスタから離す。 (6)トランジスタを保持したマイクロチップ保持手段
と連結部材とからなる系全体を、エア噴出台20の上に
配置する。(図4(b)) (7)外部エネルギー21として、連結手段の外周部を
中心から遠ざかる方向に引き伸ばす力を加える。 (8)上記外部エネルギーにより、均質な弾性伸縮部材
からなる連結手段は各所において同様に引き伸ばされ、
マイクロチップ保持手段を相互に離間せしめることが出
来る。 (9)弾性伸縮部材の張力と、外部エネルギーとしての
引っ張り力が釣合う状態で、マイクロチップ保持手段相
互の移動が停止する。 (10)本拡大配置手段と液晶基板とを相互に位置合せ
し、スイッチング用トランジスタを液晶基板に当接せし
める。 (11)吸引手段(図示せず)を解除して、保持したス
イッチング用トランジスタを液晶基板に移載する。
The present embodiment has the above-described structure, and the enlarged arrangement according to this embodiment is performed in the following procedure. (1) The switching transistor 2 formed on the wafer is divided. (2) Positioning is performed with the connecting means contracted. (3) Each of the microchip holding means is brought into contact with each transistor in one-to-one correspondence. (4) The transistor 2 is turned on by a suction means (not shown).
On the suction pad 12 of the microchip holding means 11. (5) The adhesive strength of the sheet is reduced by a method such as heating the expanded sheet to which the wafer on which the transistor is formed is attached, and the sheet is separated from the transistor. (6) The entire system including the microchip holding means holding the transistor and the connecting member is arranged on the air ejection table 20. (FIG. 4B) (7) As the external energy 21, a force is applied to extend the outer peripheral portion of the connecting means in a direction away from the center. (8) Due to the external energy, the connecting means composed of the homogeneous elastic expansion and contraction member is similarly stretched in various places,
The microchip holding means can be separated from each other. (9) The mutual movement of the microchip holding means stops in a state where the tension of the elastic elastic member and the tensile force as external energy are balanced. (10) The enlarged arrangement means and the liquid crystal substrate are aligned with each other, and the switching transistor is brought into contact with the liquid crystal substrate. (11) Release the suction means (not shown) and transfer the held switching transistor to the liquid crystal substrate.

【0026】(第5の実施例)図6は本願のマイクロチ
ップ保持手段により、マイクロチップを保持するための
当接部に関するその他の実施例を示す図である。本実施
例において、マイクロチップ保持手段14は透明なポリ
カーボネート樹脂からなり、先端部にはエキスパンドシ
ートに使用される粘着材と同様の粘着材15が塗付され
ている。該粘着材は加熱することにより粘着力が低下す
る特性を有する。
(Fifth Embodiment) FIG. 6 is a view showing another embodiment relating to a contact portion for holding a microchip by the microchip holding means of the present invention. In this embodiment, the microchip holding means 14 is made of a transparent polycarbonate resin, and the front end is coated with an adhesive 15 similar to the adhesive used for the expanded sheet. The pressure-sensitive adhesive has a property that the pressure-sensitive adhesive strength is reduced by heating.

【0027】本実施例は、前記実施例(1)〜(4)の
吸着式微小部品保持手段に替わるものであり、スイッチ
ング用トランジスタ2を液晶基板に拡大配置した後、透
明部材14を通じてレーザー光線16を粘着部材に照射
し、粘着力を低下せしめてトランジスタチップを離脱せ
しめる。
This embodiment is an alternative to the suction type micro component holding means of the above-mentioned embodiments (1) to (4). After the switching transistor 2 is enlarged on the liquid crystal substrate, the laser beam 16 is passed through the transparent member 14. Is applied to the adhesive member to reduce the adhesive force and detach the transistor chip.

【0028】(第6の実施例)図7は本願のマイクロチ
ップ保持手段により、マイクロチップを保持するための
当接部に関するその他の実施例を示す図である。本実施
例において、マイクロチップ保持手段17は熱伝導性が
良好な電気銅を用いた円柱部材である。該円柱部材の先
端はトランジスタチップを保持する際に液浸し(1
8)、濡れた状態でトランジスタチップに当接せしめ、
表面張力を用いてトランジスタチップを保持する方式で
ある。
(Sixth Embodiment) FIG. 7 is a view showing another embodiment relating to a contact portion for holding a microchip by the microchip holding means of the present invention. In this embodiment, the microchip holding means 17 is a columnar member made of electrolytic copper having good thermal conductivity. The tip of the cylindrical member is immersed in liquid when holding the transistor chip (1).
8), contact the transistor chip in a wet state,
In this method, a transistor chip is held using surface tension.

【0029】スイッチング用トランジスタを液晶基板に
拡大配置した後、トランジスタ保持部の他端を加熱して
表面張力を喪失せしめ、トランジスタチップを離脱させ
る。
After the switching transistor is disposed on the liquid crystal substrate in an enlarged manner, the other end of the transistor holding portion is heated to lose the surface tension, and the transistor chip is detached.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によると、液晶パネルのスイッチ
ング用トランジスタ部分を、良品率の高い小型ウエハプ
ロセスにより製造し、これを拡大配置することを可能な
らしめるため、以下の効果を奏する。
According to the present invention, the switching transistor portion of the liquid crystal panel is manufactured by a small wafer process with a high yield rate, and this can be expanded and arranged.

【0031】(1)大型基板処理による不良発生を回避
することが出来、高価な基板を廃棄することが無くな
る。
(1) The occurrence of defects due to the processing of large substrates can be avoided, and expensive substrates are not discarded.

【0032】(2)小型プロセスにより大型液晶基板を
製造することが出来るため、クリーンルームを有効に活
用することが出来る。
(2) Since a large liquid crystal substrate can be manufactured by a small process, a clean room can be effectively utilized.

【0033】(3)プロセスに必要なチャンバーが小容
量になるため、廃棄時間を短くすることが出来、タクト
タイムを短縮することが出来る。更に、プロセスに必要
な反応性ガスの消費量を少なく押さえることが出来る。
(3) Since the capacity of the chamber required for the process is small, the disposal time can be shortened, and the tact time can be shortened. Furthermore, the consumption of the reactive gas required for the process can be reduced.

【0034】以上のように、本発明は大型液晶パネルの
製造において顕著な効果を奏する。
As described above, the present invention has a remarkable effect in manufacturing a large liquid crystal panel.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施例の延伸方向断面を表す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a cross section in a stretching direction of a first embodiment.

【図2】第2実施例の延伸方向断面を表す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a cross section in a stretching direction of a second embodiment.

【図3】第3の実施例の延伸方向断面を表す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a cross section in a stretching direction of a third embodiment.

【図4】第4の実施例の延伸方向断面を表す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a cross section in a stretching direction of a fourth embodiment.

【図5】吸引型マイクロチップ保持手段の構造を表す図
である。
FIG. 5 is a diagram showing a structure of a suction type microchip holding means.

【図6】粘着型マイクロチップ保持手段の構造を表す図
である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a structure of an adhesive type microchip holding means.

【図7】表面張力型マイクロチップ保持手段の構造を表
す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a structure of a surface tension type microchip holding means.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 マイクロチップ保持手段 2 マイクロチップ 3 気密弾性膜 4 液体層 5 気泡 6 外部エネルギー 7 液体層 8 液体層 9 パーティクル 10 弾性伸縮部材 11 マイクロチップ保持手段 12 吸着パッド 14 マイクロチップ保持手段 15 粘着剤 17 マイクロチップ保持手段 18 液浸部 20 エア噴出台 21 外部エネルギー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Microchip holding means 2 Microchip 3 Airtight elastic film 4 Liquid layer 5 Bubbles 6 External energy 7 Liquid layer 8 Liquid layer 9 Particle 10 Elastic expansion / contraction member 11 Microchip holding means 12 Suction pad 14 Microchip holding means 15 Adhesive 17 Micro Tip holding means 18 Liquid immersion part 20 Air ejection table 21 External energy

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 基之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 2H092 JA24 MA31 NA13 5G435 AA17 BB12 GG00 KK05  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Motoyuki Suzuki Inventor F-term in Sharp Co., Ltd. 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 2H092 JA24 MA31 NA13 5G435 AA17 BB12 GG00 KK05

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マイクロチップを保持する1以上の手段
と、該マイクロチップ保持手段を相互に連結する手段で
あって且つ延伸する機能を有する1以上の連結手段とか
らなり、該連結手段に外部からエネルギーを印加するこ
とによりマイクロチップ保持手段を相互に離間せしめる
ことを特徴とする、マイクロチップの拡大配置方法。
The present invention comprises at least one means for holding a microchip, and at least one connecting means for interconnecting the microchip holding means and having a function of extending, wherein the connecting means has an external connection. Characterized in that the microchip holding means are separated from each other by applying energy from the microchip.
【請求項2】 請求項1に記載の連結手段は、気密弾性
膜と、気泡を含む液体層とからなり、該気泡を外部エネ
ルギーにより膨張させて、又は、水密弾性膜に液体を注
入して、マイクロチップ保持手段を相互に離間せしめる
ことを特徴とする、マイクロチップの拡大配置方法。
2. The connecting means according to claim 1, comprising a gas-tight elastic film and a liquid layer containing air bubbles, wherein the air bubbles are expanded by external energy or a liquid is injected into the water-tight elastic film. And enlarging and disposing the microchip holding means from each other.
【請求項3】 請求項1に記載の連結手段は、気密弾性
膜と、低沸点物質とからなり、外部エネルギーにより低
沸点物質を気化することにより膨張させてマイクロチッ
プ保持手段を相互に離間せしめることを特徴とする、マ
イクロチップの拡大配置方法。
3. The connecting means according to claim 1, comprising an airtight elastic film and a low-boiling substance, the low-boiling substance is vaporized by external energy to expand the microchip holding means and separate the microchip holding means from each other. A method for enlarging and arranging a microchip, characterized in that:
【請求項4】 請求項3に記載の低沸点物質は、光エネ
ルギー吸収する微小部材を含むことを特徴とする、微小
部材の拡大配置方法。
4. A method for enlarging and arranging a small member, wherein the low-boiling substance according to claim 3 includes a small member that absorbs light energy.
【請求項5】 請求項1に記載の連結手段は均質な弾性
伸縮部材からなり、外周部を中心から遠ざかる方向に引
き伸ばすことにより前記マイクロチップ保持手段を相互
に離間せしめることを特徴とする、マイクロチップの拡
大配置方法。
5. The connecting means according to claim 1, wherein the connecting means comprises a uniform elastic elastic member, and the microchip holding means is separated from each other by stretching an outer peripheral portion in a direction away from the center. How to enlarge and arrange chips.
【請求項6】 請求項1に記載のマイクロチップ保持手
段は、中空の部材からなり、吸引、静電気、又は、表面
張力によりマイクロチップを吸着せしめることを特徴と
する、マイクロチップの拡大配置方法。
6. A method for enlarging and arranging microchips according to claim 1, wherein said microchip holding means is made of a hollow member and attracts said microchips by suction, static electricity or surface tension.
【請求項7】 請求項1に記載のマイクロチップ保持手
段は、光透過性部材と、マイクロチップに当接する面に
配設された接着層とからなり、該接着層は光エネルギー
を印加することにより接着力を喪失してマイクロチップ
を離脱することを特徴とする、マイクロチップの拡大配
置方法。
7. The microchip holding means according to claim 1, comprising a light-transmitting member and an adhesive layer provided on a surface in contact with the microchip, wherein the adhesive layer applies light energy. A microchip is detached by losing an adhesive force due to the method.
【請求項8】 請求項1に記載のマイクロチップ保持手
段は、液浸による表面張力によりマイクロチップを保持
し、加熱により表面張力を喪失せしめてマイクロチップ
を離脱することを特徴とする、マイクロチップの拡大配
置方法。
8. The microchip holding means according to claim 1, wherein the microchip is held by surface tension due to liquid immersion, and the surface tension is lost by heating to detach the microchip. Expansion arrangement method.
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