JP2001330367A - Device and process for solidifying and collecting gas, and method for detoxifying discharged gas using the device and/or process - Google Patents

Device and process for solidifying and collecting gas, and method for detoxifying discharged gas using the device and/or process

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JP2001330367A
JP2001330367A JP2001046746A JP2001046746A JP2001330367A JP 2001330367 A JP2001330367 A JP 2001330367A JP 2001046746 A JP2001046746 A JP 2001046746A JP 2001046746 A JP2001046746 A JP 2001046746A JP 2001330367 A JP2001330367 A JP 2001330367A
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JP
Japan
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gas
container
cooling
capturing
solidifying
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JP2001046746A
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Japanese (ja)
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Morinobu Ezaki
守信 恵▲崎▼
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NAKAGAMI CORP KK
Original Assignee
NAKAGAMI CORP KK
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  • Incineration Of Waste (AREA)
  • Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and a process capable of collecting gas used in a semiconductor manufacturing device or the like or generated gases that can not be collected by the prior art method, but discharged as they are. SOLUTION: Discharged gas discharged out of a vacuum chamber 1 is sucked by a vacuum pump 11 and fed into a cooling container 21 (22) through primary first and second valves 23 (25), 24 (25) under a low pressure condition. Inside part of the cooling container is set in a cryogenic state by a helium freezer 41. A plurality of fins 50 are fixed to a low temperature side 49 of a cylinder 48 of a cooling head 43 (44) of the freezer to perform a heat exchanging operation with surrounding gas, the gas is changed into solid, adhered to the fins and collected. The cooling container can be removed like a cassette type, the inside part of the removed cooling container is communicated with a high temperature incinerator, the gas is discharged into the incinerator, incinerated and decomposed into non-polluted substance.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、使用済み有害ガス
の除害処理を容易にするためのガスの固体化捕捉装置及
び方法に関し、特に大気中或は河川に放出された場合に
有害であるフロンガス等の有害ガス成分を処理するため
に、固体化して捕捉する装置及び方法に関する。さらに
本発明は、フロンガス等の有害ガスを固体化して補足
し、その後にこれら有害ガスの除害処理を行う、有害ガ
スの除害処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for solidifying and trapping a gas for facilitating the removal of used harmful gas, and particularly to a harmful gas discharged into the atmosphere or a river. The present invention relates to an apparatus and a method for solidifying and capturing harmful gas components such as CFCs. Furthermore, the present invention relates to a harmful gas elimination treatment method in which harmful gases such as chlorofluorocarbons are solidified and supplemented, and then harmful gases are eliminated.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体製造装置等各種装置におい
て各種の反応性ガスが使用され、それらのガスの中には
安全性或は環境汚染、地球温暖化等の点においてそのま
ま大気中に放出するには問題があるものがある。例えば
フロンガスである。従って、これらのガスは使用後に所
定の処理を施して排気するようになっている。
2. Description of the Related Art In recent years, various reactive gases have been used in various apparatuses such as semiconductor manufacturing apparatuses, and some of these gases are directly discharged into the atmosphere in terms of safety, environmental pollution, global warming, and the like. Some have problems. An example is Freon gas. Therefore, these gases are subjected to a predetermined treatment after use and are exhausted.

【0003】図3に、従来のガス除害装置の一例とし
て、半導体製造装置で使用したガスの処理装置の概略構
成を示す。
FIG. 3 shows a schematic configuration of a gas processing apparatus used in a semiconductor manufacturing apparatus as an example of a conventional gas abatement apparatus.

【0004】図において符号101は真空チャンバであ
り、この例ではこのチャンバ101内ではシリコン基板
上に電極を形成するためのエッチング処理が行われ、真
空下のチャンバ101内にシリコン基板Siを収納し、
このチャンバ101内へHBr、Cl 、CxFy
(xyは整数)等のガスが供給される。
In FIG. 1, reference numeral 101 denotes a vacuum chamber. In this example, an etching process for forming an electrode on a silicon substrate is performed in the chamber 101, and a silicon substrate Si is housed in the chamber 101 under vacuum. ,
HBr, Cl 2 , CxFy is introduced into the chamber 101.
(Xy is an integer).

【0005】真空チャンバ101にはバルブ102を介
して真空ポンプ103が接続されている。真空ポンプ1
03は、真空チャンバ101内での処理開始前にチャン
バ101内に所定の真空度を確立し、処理開始後は真空
チャンバ101から使用済みのガス等を排ガスとして吸
引し、後の除害処理装置104へ送り込むようになって
いる。その際に、真空ポンプ103にはNガスが希釈
ガスとして供給され、真空チャンバ101からの排ガス
は窒素ガスベースで濃度が1ないし3パーセントに薄め
られて除害処理装置104へ送られる。
[0005] A vacuum pump 103 is connected to the vacuum chamber 101 via a valve 102. Vacuum pump 1
03, a predetermined degree of vacuum is established in the chamber 101 before the processing in the vacuum chamber 101 is started, and used gas or the like is sucked from the vacuum chamber 101 as exhaust gas after the processing is started. 104. At that time, N 2 gas is supplied as a diluting gas to the vacuum pump 103, and the exhaust gas from the vacuum chamber 101 is diluted to a concentration of 1 to 3% on a nitrogen gas basis and sent to the detoxification processing apparatus 104.

【0006】除害処理装置104は二つの工程に分かれ
ており、第1除害処理装置105は第1処理チャンバ1
06を備え、該チャンバ106へは真空ポンプ103を
介して前述の通り窒素ガスで希釈された真空チャンバ1
01からの排ガスが送りこまれる。そしてこのチャンバ
106内で、送りこまれた排ガス中に含まれる一部の成
分ガスはチャンバ106内の残留水分と反応し、SiO2
HF、HCl等に変換される。そして真空チャンバ101
内で800℃乃至900℃であった排ガスの温度がこの
第1処理チャンバ106では60℃乃至70℃程度に低
下し、これにより一部のガス成分は固体化し、後にここ
から回収される。
[0006] The detoxification apparatus 104 is divided into two steps, and the first detoxification apparatus 105 is the first processing chamber 1.
And a vacuum chamber 1 diluted with nitrogen gas as described above through the vacuum pump 103 to the chamber 106.
The exhaust gas from 01 is sent in. In the chamber 106, a part of the component gas contained in the exhaust gas thus reacted reacts with the residual moisture in the chamber 106 to form SiO 2 ,
Converted to HF, HCl, etc. And the vacuum chamber 101
The temperature of the exhaust gas, which was 800 ° C. to 900 ° C. in the first processing chamber 106, is reduced to about 60 ° C. to 70 ° C., whereby some gas components are solidified and recovered later.

【0007】除害処理装置104は第1除害処理装置1
05の後段に配置された第2除害処理装置107を備
え、その第2処理チャンバ108内へ第1処理チャンバ
106内で固体化処理されなかった排ガスが送り込まれ
る。そしてこの第2処理チャンバ108内では送り込ま
れた排ガスを水洗浄し、種々の排ガスを水中に閉じ込
め、図示しない水処理ラインへ排水し、そこで無害化の
ための処理が行われる。
[0007] The detoxification processing apparatus 104 is the first detoxification processing apparatus 1
A second detoxification treatment apparatus 107 is provided at a stage subsequent to 05 and exhaust gas that has not been solidified in the first treatment chamber 106 is sent into the second treatment chamber 108. In the second processing chamber 108, the sent exhaust gas is washed with water, various exhaust gases are confined in water, and discharged to a water treatment line (not shown), where a process for detoxification is performed.

【0008】しかしながら上記従来の除害処理装置10
4では、第1除害処理装置105、第2除害処理装置1
07を使用しても、窒素と共に、地球環境に重大な影響
を有するフロン系のガス、例えばフロン14(C
)、フロン16(C)、フロン23(CHF
)等のガスが水に溶けないためにこれらのガスについ
ての除害処理が行われず、窒素ガスとともに大気中に排
出されているのが実情である。フロン系ガスが大気中に
放出されると地球の温暖化を促進する等、さまざまな弊
害が指摘されており、これら有害排ガスの大気への放
出、河川への放出を抑制する必要がある。
However, the above-mentioned conventional detoxifying apparatus 10
4, the first detoxification processing apparatus 105 and the second detoxification processing apparatus 1
07, even with nitrogen, a chlorofluorocarbon-based gas having a significant effect on the global environment, such as chlorofluorocarbon 14 (C
F 4 ), Freon 16 (C 7 F 6 ), Freon 23 (CHF
3 ) Since gases such as those described above do not dissolve in water, harmless treatment of these gases is not performed, and the fact is that the gases are discharged into the atmosphere together with nitrogen gas. Various adverse effects have been pointed out, such as the promotion of global warming when Freon-based gas is released into the atmosphere, and it is necessary to suppress the release of these harmful exhaust gases to the atmosphere and rivers.

【0009】また、例えば半導体製造装置においては各
製造工程での処理内容に応じて多種多様なプロセスガス
が使用され、その使用されるプロセスガスに応じて除害
処理装置を変更する必要がある。
Further, for example, in a semiconductor manufacturing apparatus, various process gases are used in accordance with the processing contents in each manufacturing process, and it is necessary to change the detoxification processing apparatus in accordance with the used process gas.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑みてなされたものであり、従来の除害処理では有効な
処理を行うことのできなかった例えばフロン系ガスの除
害処理をも確実に処理可能とし、また、除害処理の対象
となるガスの種類に拘わらず適用可能な除外処理装置及
び処理方法を提供しようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been applied to a detoxification process of, for example, a fluorocarbon gas, which cannot be effectively performed by the conventional detoxification process. An object of the present invention is to provide an exclusion processing apparatus and a processing method which can be surely processed, and which can be applied regardless of the type of gas to be subjected to the detoxification processing.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係るガスを固体化して捕捉する装置におい
ては、供給されるガスをその内部に受領するためのガス
受領手段を設け、該ガス受領手段内へガス供給手段によ
りガスを供給し、一方、ガス受領手段内を所定の温度以
下に冷却する冷却手段を設けてガス受領手段内を所定の
温度以下に冷却し、ガス受領手段内に設けられた固体捕
捉手段に、周囲のガスと熱交換することにより該ガスの
中の所定のガス成分を固化し、該固化したガスが付着す
るようにした。
In order to solve the above-mentioned problems, an apparatus for solidifying and capturing a gas according to the present invention is provided with gas receiving means for receiving a supplied gas therein. A gas supply means supplies gas into the gas receiving means, and a cooling means for cooling the inside of the gas receiving means to a predetermined temperature or less is provided to cool the gas receiving means to a predetermined temperature or less. A predetermined gas component in the gas was solidified by exchanging heat with the surrounding gas to a solid trapping means provided therein, so that the solidified gas adhered.

【0012】その冷却手段は、ヘリウムガスを冷媒とし
て使用し、ヘリウムガスを圧縮する圧縮ユニットと、圧
縮ユニットから送られた圧縮ヘリウムガスを断熱膨張さ
せて冷熱を発生させる低温部を備え、少なくともその低
温部がガス受領手段内に配置された冷却ヘッドと、圧縮
ユニットと冷却ヘッドとの間での圧縮されたガスと膨張
したガスとの通路を画成する配管とを備えている。そし
て、固体捕捉手段は、冷却ヘッドの低温部に熱伝導可能
に取り付けられている。
The cooling means includes a compression unit that compresses helium gas using helium gas as a refrigerant, and a low-temperature section that adiabatically expands the compressed helium gas sent from the compression unit to generate cold heat. The low temperature section includes a cooling head disposed in the gas receiving means, and a pipe defining a passage between the compressed gas and the expanded gas between the compression unit and the cooling head. The solid capturing means is attached to the low temperature part of the cooling head so as to be able to conduct heat.

【0013】ある実施の形態では、ガス供給手段はガス
圧力を低下させる低圧化機能を有し、ガスを所定の真空
度以下にした状態で前記ガス受領手段へ供給する。
In one embodiment, the gas supply means has a function of reducing the pressure of the gas, and supplies the gas to the gas receiving means in a state where the degree of vacuum is not more than a predetermined degree.

【0014】さらに本発明に係るガスを固体化して捕捉
する装置は、ガスをその内部に捕捉するための耐圧性及
び耐真空性を有する容器と、吸入口側にて捕捉すべきガ
スを排出する装置のガス排出口に接続され、吐出口側に
て容器に接続されるガス移送装置と、容器内を所定の温
度以下に冷却する冷却装置と、容器内に設けられ、ガス
中の所定のガス成分が固化して付着する固体捕捉部材と
を備えて構成されている。
Further, according to the present invention, there is provided an apparatus for solidifying and capturing a gas, comprising a container having pressure resistance and vacuum resistance for capturing the gas therein, and discharging the gas to be captured at a suction port side. A gas transfer device connected to the gas outlet of the device and connected to the container on the discharge port side, a cooling device for cooling the inside of the container to a predetermined temperature or less, and a predetermined gas in the gas provided in the container. A solid capturing member to which the components solidify and adhere.

【0015】その冷却装置は、冷媒ガスを圧縮する圧縮
ユニットと、該圧縮された冷媒ガスを断熱膨張させて冷
熱を発生させる低温部を備え、少なくともこの低温部が
容器内に位置している冷却ヘッドと、圧縮ユニットと冷
却ヘッドとの間の冷媒ガスの通路を画成する配管とを備
えている。
The cooling device includes a compression unit for compressing the refrigerant gas, and a low-temperature part for generating a cool heat by adiabatically expanding the compressed refrigerant gas, and at least the low-temperature part located in the container. A head and a pipe defining a refrigerant gas passage between the compression unit and the cooling head.

【0016】ある実施の形態では、ガス移送装置は真空
ポンプで構成され、ガスを所定の圧力以下の状態で容器
内へ移送する。
In one embodiment, the gas transfer device is constituted by a vacuum pump, and transfers the gas into the container under a predetermined pressure or less.

【0017】さらに他の実施の形態では、容器はカセッ
ト式になっており、ガス固体化捕捉装置から密封状態で
取外しが可能になっている。
In still another embodiment, the container is of a cassette type, and can be detached from the gas solidification capturing device in a sealed state.

【0018】さらには、カセット式の容器は複数個、同
時に並列的に取付け可能となっており、この複数の容器
を順次切換えて使用可能に構成されている。
Further, a plurality of cassette-type containers can be mounted simultaneously and in parallel, and the plurality of containers can be sequentially switched and used.

【0019】さらには、このガス固体化捕捉装置は、容
器内で固体化しないガスを容器から排出するガス排出装
置を備えている。
Further, the gas solidification capturing device is provided with a gas discharge device for discharging a gas that does not solidify in the container from the container.

【0020】また、容器内に位置する低温部には複数の
フィンが取付けられ、該フィンを介して熱交換すること
により、ガスは固体化してフィンに付着する。
Further, a plurality of fins are attached to the low-temperature portion located in the container, and when heat is exchanged through the fins, the gas is solidified and adheres to the fins.

【0021】上記課題を解決するために、本発明に係る
ガスの固体化補足方法は、以下のようなステップを備え
る。すなわち、半導体製造装置等から排出されるガス
を、耐圧性及び耐真空性の容器内に所定の圧力以下の状
態で送りこむステップと、該容器内を所定の温度以下に
冷却し、該送り込まれたガス中の所定のガス成分を固体
化して捕捉するステップである。
[0021] In order to solve the above problems, a method for supplementing solidification of a gas according to the present invention includes the following steps. That is, a step of sending gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus or the like at a predetermined pressure or less into a pressure-resistant and vacuum-resistant container, and cooling the inside of the container to a predetermined temperature or less, and This is a step of solidifying and capturing a predetermined gas component in the gas.

【0022】上記課題を解決するために、本発明に係る
排ガスの除害方法は、半導体製造装置等から排出される
ガスを、耐圧性及び耐真空性の容器内に所定の圧力以下
の状態で送りこむ工程と、該容器内を所定の温度以下に
冷却し、該送り込まれたガスを固体化して捕捉する工程
と、この容器を密封状態で取り外す工程と、その後この
容器の内部を、所定の温度以上で加熱焼却する焼却炉に
連通させ、捕捉したガスを焼却炉内へ流出させ、焼却し
て無害成分に分解して除害する工程とを備えている。
In order to solve the above-mentioned problems, the method for removing exhaust gas according to the present invention is directed to a method for removing gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus or the like in a pressure-resistant and vacuum-resistant container under a predetermined pressure or less. Sending the container, cooling the inside of the container to a predetermined temperature or less, solidifying and trapping the sent gas, removing the container in a sealed state, and thereafter, setting the inside of the container to a predetermined temperature. The method includes a step of communicating with the incinerator for heating and incineration, causing the trapped gas to flow out into the incinerator, incinerating it, decomposing it into harmless components, and removing the harmful components.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明の範囲は、以下に説明される実施の形態
に限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below, but the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

【0024】図1は、本発明の実施の形態に係るガス固
体化捕捉装置10の構成を示す模式図であり、図におい
て、装置10は、前述の従来例に関連して説明した半導
体製造装置としての、シリコン基板上に電極を形成する
エッチング処理を行うための真空チャンバ1に接続され
て示されている。この真空チャンバ1内へは前述のごと
くHBr、Cl2、FxFy等が供給され、プラズマ放
電下でエッチング処理が行われる。真空チャンバ1は、
バルブ2を介して、装置10に接続される。このバルブ
2としては、真空圧下でリークのない真空バルブが使用
されることが望ましい。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a gas solidification trapping device 10 according to an embodiment of the present invention. In the drawing, the device 10 is a semiconductor manufacturing apparatus described in relation to the above-mentioned conventional example. 1 is connected to a vacuum chamber 1 for performing an etching process for forming an electrode on a silicon substrate. As described above, HBr, Cl 2, FxFy, and the like are supplied into the vacuum chamber 1, and the etching process is performed under plasma discharge. The vacuum chamber 1
It is connected to the device 10 via the valve 2. As this valve 2, it is desirable to use a vacuum valve that does not leak under vacuum pressure.

【0025】符号11は、従来例でも使用されていた真
空ポンプである。この真空ポンプ11は従来例で説明し
たように、真空チャンバ1内での処理が開始されるに先
立ちチャンバ1内に所定の真空度を確立する。そしてチ
ャンバ1内での処理開始後は、チャンバ1内で使用済み
の、或いはそこで生成されたガスを吸引し、低圧下で後
述する冷却固化装置20へと送り込む作用をするもの
で、従来使用されているものと同じものを使用可能であ
る。なお、この真空ポンプ11に窒素ガスが供給され、
真空チャンバ1からのガスを希釈化する点も従来と同じ
である。
Reference numeral 11 denotes a vacuum pump used in the conventional example. As described in the conventional example, the vacuum pump 11 establishes a predetermined degree of vacuum in the chamber 1 before the processing in the vacuum chamber 1 is started. After the processing in the chamber 1 is started, the gas used in or generated in the chamber 1 is sucked and sent to a cooling and solidifying device 20 described below under a low pressure. The same ones can be used. Note that nitrogen gas is supplied to the vacuum pump 11,
The point of diluting the gas from the vacuum chamber 1 is the same as the conventional one.

【0026】冷却固化装置20は、後述のごとく、真空
チャンバ1から送られてきたフロン系ガスを含む各種有
害ガスを冷却固化するための冷却用容器を備え、本実施
の形態では二つの冷却用容器21、22を備えている。
これらの冷却用容器21、22は、きわめて高い真空度
及び圧力に耐えうるきわめて強固な耐圧構造となってお
り、また断熱性にも優れた構造を有している。
As will be described later, the cooling and solidifying device 20 includes a cooling container for cooling and solidifying various harmful gases including a fluorocarbon-based gas sent from the vacuum chamber 1. Containers 21 and 22 are provided.
These cooling containers 21 and 22 have a very strong pressure-resistant structure capable of withstanding a very high degree of vacuum and pressure, and have a structure excellent in heat insulation.

【0027】この容器21、22はそれぞれポンプ側の
一次側第1バルブ23、24と容器側の一次側第2バル
ブ25、26を介して真空ポンプ11に並列に接続され
ている。第1バルブ23、24は真空バルブであること
が望ましい。また、第2バルブ25、26は真空に耐え
るとともに高圧にも耐えうる真空高圧バルブであること
が望ましい。なお、第2バルブ25、26は冷却用容器
21、22とそれぞれ一体化した状態で取り付けられ、
第1バルブ23、24との間は切り離しができるように
なっている。
The containers 21 and 22 are connected in parallel to the vacuum pump 11 via primary side first valves 23 and 24 on the pump side and primary side second valves 25 and 26 on the container side. The first valves 23 and 24 are desirably vacuum valves. It is desirable that the second valves 25 and 26 be vacuum high-pressure valves that can withstand vacuum and also withstand high pressure. The second valves 25 and 26 are attached in a state of being integrated with the cooling vessels 21 and 22, respectively.
The first valves 23 and 24 can be separated from each other.

【0028】冷却用容器21、22のバルブ25、26
と反対側には輸送ポンプ27、28が一体的に取り付け
られている。この輸送ポンプ27、28は、冷却用容器
21、22内で固化されない水素、窒素などの無害ガス
を容器21、22から排出する。
Valves 25 and 26 of cooling containers 21 and 22
On the opposite side, transport pumps 27 and 28 are integrally attached. The transport pumps 27 and 28 discharge harmless gases such as hydrogen and nitrogen that are not solidified in the cooling containers 21 and 22 from the containers 21 and 22.

【0029】輸送ポンプ27、28の下流側にはそれぞ
れ二次側第1バルブ29、30と二次側第2バルブ3
1、32がこの順序で接続されている。第1バルブ2
9、30は輸送ポンプ27、28にそれぞれ一体的に取
り付けられ、第2バルブ31、32との間で切り離せる
ようになっている。第1バルブ29、30は真空高圧バ
ルブであることが望ましい。
Downstream of the transport pumps 27 and 28, the first secondary valves 29 and 30 and the second secondary valves 3
1, 32 are connected in this order. First valve 2
9 and 30 are integrally attached to the transport pumps 27 and 28, respectively, and can be separated from the second valves 31 and 32. The first valves 29, 30 are desirably vacuum high pressure valves.

【0030】二次側第2バルブ31、32の下流側で二
つのラインは合流し、本実施の形態ではそこに排気輸送
ポンプとしての送風機33が設けられている。この送風
機33は、輸送ポンプ27、28により冷却用容器2
1、22から排出された窒素、酸素等を系の外部へ送り
出すためのものである。
At the downstream side of the secondary second valves 31 and 32, the two lines join, and in this embodiment, a blower 33 as an exhaust transportation pump is provided there. The blower 33 is moved by the transport pumps 27 and 28 to the cooling vessel 2.
This is for sending nitrogen, oxygen, and the like discharged from 1, 22 to the outside of the system.

【0031】冷却固化装置20は、冷却用容器21、2
2内の例えばフロン系ガスを冷却固化するための冷却手
段を備えている。具体的には、本実施の形態での冷却手
段はヘリウムガスを使用したヘリウム冷凍機41を備え
ている。このヘリウム冷凍機41は本実施の形態ではさ
らに具体的に言えば、所謂GMサイクルを用いた冷凍機
で、ヘリウムガスを圧縮する圧縮機ユニット42と、各
冷却用容器21、22に一対づつ取り付けられた冷却ヘ
ッド43、44と、圧縮機ユニット42と各ヘッド4
3、44との間をつなぐ高圧側配管45と低圧側配管4
6とを備えている。圧縮機ユニット42ではヘリウムガ
スを冷却しながら圧縮して高圧とし、それをヘッド4
3、44に供給し、ヘッド43、44の低温部でその高
圧のヘリウムガスを断熱膨張させて低温を発生させるよ
うになっている。そして膨張して放出されたガスは再度
圧縮機ユニット42に回収され、圧縮される。このGM
サイクルを利用したヘリウム冷凍機は公知であり、本発
明においてはその公知の冷凍機を使用することができる
ので、その詳細な説明は省略する。なお、本実施の形態
では、ヘッド43、44と配管45、46との接続は図
示しないスプリングバルブで切り離し可能に接続されて
おり、この接続部を切り離すと、両者の接続部はともに
封止状態となる。
The cooling and solidifying device 20 comprises cooling containers 21 and 2
2 is provided with cooling means for cooling and solidifying, for example, a chlorofluorocarbon gas. Specifically, the cooling means in the present embodiment includes a helium refrigerator 41 using helium gas. More specifically, in the present embodiment, the helium refrigerator 41 is a refrigerator using a so-called GM cycle. Cooling heads 43 and 44, compressor unit 42 and each head 4
High pressure side pipe 45 and low pressure side pipe 4 connecting between
6 is provided. The compressor unit 42 compresses the helium gas while cooling it to a high pressure.
3 and 44, and the high-pressure helium gas is adiabatically expanded in the low-temperature portions of the heads 43 and 44 to generate a low temperature. The gas expanded and released is collected again by the compressor unit 42 and compressed. This GM
A helium refrigerator using a cycle is known, and in the present invention, the known refrigerator can be used, and a detailed description thereof will be omitted. In the present embodiment, the connection between the heads 43 and 44 and the pipes 45 and 46 is detachably connected by a spring valve (not shown). When this connection is cut off, both connection parts are sealed. Becomes

【0032】図2は一方の冷却用容器21の内部の構成
を模式的に表した図であり、他方の冷却用容器22の構
成も同じであるので、冷却用容器21のみを説明する。
FIG. 2 is a diagram schematically showing the internal structure of one cooling container 21, and the other cooling container 22 has the same structure. Therefore, only the cooling container 21 will be described.

【0033】一対の冷却ヘッド43は、冷却用容器21
に、一次側第2バルブ25と二次側第1バルブ27とを
結ぶ方向即ち容器21内でガスの流れる方向に略直交す
る方向に伸び、互いに対向した状態で一体的に取り付け
られている。そしてそのシリンダ47が冷却用容器21
内へ伸びている。シリンダ47の先端部が低温部48で
あり、ここで低温が発生される。
A pair of cooling heads 43 are provided for the cooling vessel 21.
The first and second secondary valves 25 and 27 extend in a direction substantially perpendicular to the direction in which the gas flows in the container 21, ie, the direction in which the gas flows in the container 21, and are integrally attached to each other. And the cylinder 47 is used for the cooling container 21.
It extends inside. The tip of the cylinder 47 is a low temperature section 48, where a low temperature is generated.

【0034】シリンダ47の先端低温部48には、それ
に略直行する方向に伸びるフィン取り付け軸49が一体
的に取り付けられ、その取り付け軸49には図示のとお
り複数のフィン50が所定の間隔で取り付けられてい
る。したがって、低温部48で発生された低温或いは冷
熱は、フィン50を冷却し、容器21内を極低温状態と
する。当然に、低温部48に近いフィンほど冷やされて
いることとなる。
A fin attachment shaft 49 extending in a direction substantially perpendicular to the fin attachment shaft 49 is integrally attached to the low-temperature end portion 48 of the cylinder 47, and a plurality of fins 50 are attached to the attachment shaft 49 at predetermined intervals as shown in the figure. Have been. Therefore, the low temperature or cold generated in the low temperature section 48 cools the fins 50 to bring the inside of the container 21 to a very low temperature state. Naturally, the fins closer to the low temperature section 48 are cooled.

【0035】上記のごとく構成されたガス固体化捕捉装
置10では、それぞれ冷却用容器21、22を備えた二
つのラインは、交互に使用され、以下のように作動す
る。即ち先ず冷却用容器21を備えた側のラインが使用
され、その際には他方のライン側のバルブ24、26、
30、32は閉じられ、また、冷凍機41の圧縮機ユニ
ット42と冷却ヘッド43との連通も遮断されている。
或いは、バルブ24と26の間、バルブ30と32の
間、及び配管45、46とヘッド44との間を切り離
し、冷却用容器22を取り外しておいてもよい。
In the gas solidification trapping device 10 configured as described above, the two lines provided with the cooling vessels 21 and 22 are used alternately and operate as follows. That is, first, the line provided with the cooling vessel 21 is used, and in this case, the valves 24, 26,
30 and 32 are closed, and the communication between the compressor unit 42 of the refrigerator 41 and the cooling head 43 is also cut off.
Alternatively, the space between the valves 24 and 26, the space between the valves 30 and 32, and the space between the pipes 45 and 46 and the head 44 may be cut off, and the cooling container 22 may be removed.

【0036】先ず二次側第1及び第2バルブ29、31
を開き、一次側第1及び第2バルブ23、25は閉じた
状態で送風機33を始動する。そして輸送ポンプ27を
始動し、冷却容器21内を排気する。一方で冷凍機41
が運転を開始し、冷却用容器21内を冷却する。冷却用
容器21には温度センサ(図示せず)が設けられ、容器
21内が例えば15Kになるまで真空チャンバ1での処
理は始められない。
First, the secondary first and second valves 29, 31
Is opened, and the blower 33 is started with the primary side first and second valves 23 and 25 closed. Then, the transport pump 27 is started, and the inside of the cooling container 21 is exhausted. On the other hand, the refrigerator 41
Starts the operation, and cools the inside of the cooling container 21. The cooling container 21 is provided with a temperature sensor (not shown), and the processing in the vacuum chamber 1 cannot be started until the inside of the container 21 reaches, for example, 15K.

【0037】冷却用容器21内の温度が所定の温度に達
すると、バルブ2が開かれ、また一次側の第1及び第2
バルブ23、25も開かれ、真空ポンプ11が始動す
る。真空ポンプ11により真空チャンバ1内が所定の真
空圧になると、真空チャンバ1に前述した反応性のガス
が所定の流量で送り込まれ、真空チャンバ1内での処
理、例えば本実施の形態ではエッチング処理が開始され
る。真空チャンバ21内のガスは真空ポンプ11により
吸引され、低圧状態で一次側第1バルブ23、第2バル
ブ25を介して冷却用容器21内へ送り込まれる。
When the temperature in the cooling container 21 reaches a predetermined temperature, the valve 2 is opened, and the first and second primary side valves are opened.
The valves 23 and 25 are also opened, and the vacuum pump 11 starts. When the inside of the vacuum chamber 1 is set to a predetermined vacuum pressure by the vacuum pump 11, the above-described reactive gas is sent into the vacuum chamber 1 at a predetermined flow rate, and the processing in the vacuum chamber 1, for example, the etching processing in the present embodiment. Is started. The gas in the vacuum chamber 21 is sucked by the vacuum pump 11 and sent into the cooling container 21 at a low pressure through the primary first valve 23 and the second valve 25.

【0038】冷却用容器21内へ送り込まれたガスは、
冷却用容器21内が前述のとおり極低温となっているの
で、容器21内へ入ると瞬間的に冷却され、フィン50
に付着して固化する。フィン50は低温部48に近いも
のほど低温となっており、したがって、一次側第2バル
ブ25に近い、容器21の入り口付近のフィンには比較
的に高温でも固化しやすい例えばCl、HF、Br
等が付着して固化する。一方フロン系ガス化きわめて固
化しにくいが、本実施の形態で使用している冷凍機41
は冷媒としてヘリウムガスを使用し、低温部は二段に膨
張室が設けられて、十分に15K以下の極低温が得られ
る構造となっており、シリンダ47の低温部48に近い
フィンは、これらフロン系ガスでも固化するに十分な程
度の低温となっているので、低温部48付近のフィンに
より捕捉され、固化する。なお、ヘリウム、窒素、酸素
等はさらに固化しにくく、捕捉されず、輸送ポンプ2
7、送風機33によって大気中に排出されるが、これら
は環境に悪影響を与えないので、差し支えない。このよ
うに固化しないガスは冷却用容器21から排気される一
方、フロン系を含めた有害ガス及び他のガスは、容器2
1内で固化してしまうので、容器21内はきわめて高い
真空度に確立され、これによってもガスの固体化が促進
される。
The gas sent into the cooling container 21 is:
Since the inside of the cooling container 21 is at an extremely low temperature as described above, it is instantaneously cooled when
It adheres to and solidifies. The closer the fin 50 is to the low temperature section 48, the lower the temperature. Therefore, the fins near the inlet of the container 21 near the primary second valve 25 are easily solidified even at a relatively high temperature, for example, Cl 2 , HF, Br 2
Etc. adhere and solidify. On the other hand, although the CFC-based gasification is extremely difficult to solidify, the refrigerator 41 used in the present embodiment is used.
Uses helium gas as a refrigerant, and has a structure in which a low-temperature part is provided with a two-stage expansion chamber so that an extremely low temperature of 15 K or less can be obtained. Since the temperature of the fluorocarbon-based gas is low enough to be solidified, it is captured by the fins near the low-temperature portion 48 and solidified. Note that helium, nitrogen, oxygen, and the like are harder to solidify and are not trapped.
7. The air is discharged into the atmosphere by the blower 33, but since these do not adversely affect the environment, they can be safely used. The gas that does not solidify in this way is exhausted from the cooling container 21, while the harmful gas including fluorocarbons and other gases are discharged from the container 2.
Since the solidification occurs in the container 1, the inside of the container 21 is established at a very high degree of vacuum, which also promotes the solidification of the gas.

【0039】フィン49への付着量が増大してくるにつ
れてフィン50での熱交換効率が低下してくる。それに
従いチャンバ21内の温度が上昇してくる。前述の温度
センサが容器21内の温度が所定の値、例えば20Kに
上昇したことを検知すると、この装置の作動を停止させ
る。
As the amount of adhesion to the fins 49 increases, the heat exchange efficiency at the fins 50 decreases. Accordingly, the temperature in the chamber 21 increases. When the temperature sensor detects that the temperature in the container 21 has risen to a predetermined value, for example, 20K, the operation of this device is stopped.

【0040】ここで各バルブの所定の閉鎖操作を行い、
容器21をこの装置から取り外す。他方、もう一方の冷
却用容器22を備えたラインが作動され、処理が再開さ
れる。
Here, a predetermined closing operation of each valve is performed.
The container 21 is removed from the device. On the other hand, the line provided with the other cooling container 22 is operated, and the processing is restarted.

【0041】取り外した側の容器21は、一次側第2バ
ルブ25を用いて例えば1400度以上の温度で焼却す
る焼却炉に接続する。そしてバルブ25を開いて内部に
捕捉していたガスを焼却炉内へ放出し、全て焼却分解し
てしまう。フロンは1400度以上であれば分解し、環
境に無害なものに変わる。なお、チャンバ21を装置1
0から取り外すと、それに対する冷却作用がが停止し、
それに伴い温度が上昇し、内部で固化していたガスが再
び気化して圧力が高まる可能性があるが、冷却チャンバ
21は高圧に耐えうる構造になっているので問題はな
い。また、容器21自体が断熱性に優れた者となってい
るので、温度上昇自体が比較的に少ない。
The container 21 on the removed side is connected to an incinerator for incineration at a temperature of, for example, 1400 ° C. or more, using the second valve 25 on the primary side. Then, the valve 25 is opened and the gas trapped inside is released into the incinerator, and all the gas is incinerated and decomposed. CFCs decompose at temperatures above 1400 degrees C and turn harmless to the environment. The chamber 21 is connected to the device 1
When removed from 0, the cooling action on it stops,
As a result, the temperature rises, and the gas that has solidified inside may evaporate again, increasing the pressure. However, there is no problem because the cooling chamber 21 has a structure that can withstand high pressure. Further, since the container 21 itself is excellent in heat insulation, the temperature rise itself is relatively small.

【0042】ここで、本発明によるガス固体化捕捉装置
装置で固化して捕捉可能なものは、フロン系ガスとして
はフロン14、フロン116、フロン23等、さらには
フロン13、フロン22、フロン12、フロン114、
フロン11、フロン113等がある。そして本発明によ
れば、フロン系に限らず、例えばシラン、ジクロルシラ
ン、四塩化珪素、フォスフィン、アルシン、ジボラン、
ホスヒン、アルヒン等の処理も可能である。
Here, those which can be solidified and captured by the gas solidification capturing apparatus according to the present invention include Freon 14, Freon 116, Freon 23, etc. as Freon-based gases, and Freon 13, Freon 22, Freon 12 and the like. , Freon 114,
Freon 11, Freon 113, and the like. And according to the present invention, not limited to fluorocarbons, for example, silane, dichlorosilane, silicon tetrachloride, phosphine, arsine, diborane,
Processing of phosphine, alhin, etc. is also possible.

【0043】上記説明では、ヘリウムガスを使用するヘ
リウム冷凍機を使用して説明したが、冷却手段はこれに
限られない。捕捉しようとするガスを固化する低温を与
えることのできるいかなる冷媒を用いても良い。
In the above description, a helium refrigerator using helium gas has been described, but the cooling means is not limited to this. Any refrigerant capable of providing a low temperature to solidify the gas to be trapped may be used.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、半導
体製造装置等で使用される反応性ガス或は処理中に生成
されるガス中で、安全性或は環境面で悪影響をもたらす
にも拘わらず、従来の処理方法では捕捉されずそのまま
大気中に放出される等していた、たとえばフロン系ガス
を固体化して捕捉することができ、高温焼却炉等で除害
処理が可能となる。
As described above, according to the present invention, in a reactive gas used in a semiconductor manufacturing apparatus or a gas generated during processing, a safety or environmental adverse effect may be caused. Regardless, the conventional treatment method allows the CFC-based gas to be solidified and trapped, for example, without being trapped and released to the atmosphere without being trapped, thereby enabling detoxification treatment in a high-temperature incinerator or the like.

【0045】また、極低温下での固体化を行うので、ほ
とんどのガスに有効である。従って、使用する反応性ガ
スが異なっても同一の固体化捕捉装置が使用可能であ
り、きわめて好都合である。
Further, since the solidification is performed at an extremely low temperature, it is effective for most gases. Therefore, the same solidification trapping device can be used even if different reactive gases are used, which is very convenient.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のガス固体化捕捉装置の構成を示す模式
図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a gas solidification capturing device of the present invention.

【図2】図1に示す冷却用容器の構成を示す模式図であ
る。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a cooling container shown in FIG.

【図3】従来の半導体製造装置に使用されていた除害装
置の一例の構成を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of an example of an abatement apparatus used in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 真空チャンバ 2 バルブ 10 ガス固体化捕捉装置 11 真空ポンプ 20 冷却固化装置 21,22 冷却用容器 23、24 一次側第1バルブ 25、26 一次側第2バルブ 27、28 輸送ポンプ 29、30 二次側第1バルブ 31、32 二次側第2バルブ 33 送風機 41 ヘリウム冷凍機 42 圧縮ユニット 43、44 冷却ヘッド 47 シリンダ 48 低温部 50 フィン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Valve 10 Gas solidification capture device 11 Vacuum pump 20 Cooling solidification device 21,22 Cooling container 23,24 Primary first valve 25,26 Primary second valve 27,28 Transport pump 29,30 Secondary Side first valve 31, 32 Secondary side second valve 33 Blower 41 Helium refrigerator 42 Compression unit 43, 44 Cooling head 47 Cylinder 48 Low temperature section 50 Fin

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガスを固体化して捕捉する装置におい
て、供給されるガスをその内部に受領するためのガス受
領手段と、前記ガス受領手段内へガスを供給するガス供
給手段と、前記ガス受領手段内を所定の温度以下に冷却
する冷却手段と、前記ガス受領手段内に設けられ、周囲
のガスと熱交換することにより該ガスの中の所定のガス
成分を固化し、該固化したガスが付着する固体捕捉手段
とを備えたことを特徴とする、ガスの固体化捕捉装置。
1. An apparatus for solidifying and capturing a gas, a gas receiving means for receiving a supplied gas therein, a gas supply means for supplying a gas into the gas receiving means, and the gas receiving means Cooling means for cooling the inside of the means to a predetermined temperature or less, and provided in the gas receiving means and solidifying a predetermined gas component in the gas by heat exchange with surrounding gas, and the solidified gas is An apparatus for capturing and solidifying a gas, comprising: a solid capturing means for adhering.
【請求項2】 請求項1に記載の装置において、前記冷
却手段は、ヘリウムガスを圧縮する圧縮ユニットと、前
記圧縮ユニットから送られた前記圧縮されたヘリウムガ
スを断熱膨張させて冷熱を発生させる低温部を備え、少
なくとも前記低温部が前記ガス受領手段内に配置された
冷却ヘッドと、前記圧縮ユニットと前記冷却ヘッドとの
間での前記圧縮されたガスと膨張したガスとの通路を画
成する配管とを備え、前記固体捕捉手段は、前記低温部
に熱伝導可能に取り付けられていることを特徴とする、
ガスの固体化捕捉装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the cooling unit generates a cold heat by adiabatically expanding the compression unit that compresses the helium gas and the compressed helium gas sent from the compression unit. A cooling head disposed at least in the gas receiving means, and defining a passage between the compressed gas and the expanded gas between the compression unit and the cooling head. And a solid pipe, wherein the solid capturing means is attached to the low-temperature portion so as to be able to conduct heat,
Gas solidification capture device.
【請求項3】 請求項1または2に記載の装置におい
て、前記ガス供給手段は、前記ガスを所定の真空度以下
にした状態で前記ガス受領手段へ供給することを特徴と
する、ガスの固体化捕捉装置。
3. An apparatus according to claim 1, wherein said gas supply means supplies said gas to said gas receiving means in a state where said gas is kept at a predetermined degree of vacuum or less. Capture device.
【請求項4】 ガスを固体化して捕捉する装置におい
て、ガスをその内部に捕捉するための耐圧性及び耐真空
性を有する容器と、吸入口側にて捕捉すべきガスを排出
する装置のガス排出口に接続され、吐出口側にて前記容
器に接続されるガス移送装置と、前記容器内を所定の温
度以下に冷却する冷却装置と、前記容器内に設けられ、
前記ガス中の所定のガス成分が固化して付着する固体捕
捉部材とを備えていることを特徴とする、ガスの固体化
捕捉装置。
4. A device for solidifying and trapping gas, comprising: a container having pressure resistance and vacuum resistance for trapping gas therein; and a gas for discharging gas to be trapped at a suction port side. A gas transfer device connected to the discharge port and connected to the container on the discharge port side, a cooling device for cooling the inside of the container to a predetermined temperature or less, and provided in the container,
A solid capturing member to which a predetermined gas component in the gas is solidified and adheres.
【請求項5】 請求項4に記載の装置において、前記冷
却装置は、冷媒ガスを圧縮する圧縮ユニットと、該圧縮
された冷媒ガスを断熱膨張させて冷熱を発生させる低温
部を備え、少なくとも前記低温部が前記容器内に位置し
ている冷却ヘッドと、前記圧縮ユニットと前記冷却ヘッ
ドとの間の冷媒ガスの通路を画成する配管とを備えてな
ることを特徴とする、ガスの固体化捕捉装置。
5. The apparatus according to claim 4, wherein the cooling device includes a compression unit that compresses the refrigerant gas, and a low-temperature portion that generates a cold heat by adiabatically expanding the compressed refrigerant gas, and A cooling head in which a low-temperature part is located in the container; and a pipe defining a passage of a refrigerant gas between the compression unit and the cooling head. Capture device.
【請求項6】 請求項4又は5に記載の装置において、
前記ガス移送装置は、真空ポンプであり、前記ガスを所
定の圧力以下の状態で前記容器内へ移送することを特徴
とする、ガスの固体化捕捉装置。
6. The device according to claim 4, wherein
The gas transfer device is a vacuum pump, and transfers the gas into the container at a pressure equal to or lower than a predetermined pressure.
【請求項7】 請求項4乃至6のいずれか1に記載の装
置において、前記容器は、前記ガス固体化捕捉装置から
カセット的に密封状態で取外し可能に設けられているこ
とを特徴とする、ガス固体化捕捉装置。
7. The apparatus according to claim 4, wherein the container is detachably provided in a sealed manner in a cassette manner from the gas solidification capturing device. Gas solidification capture device.
【請求項8】 請求項7記載の装置において、前記ガス
固体化捕捉装置には、複数の前記容器が同時に並列的に
取付け可能となっており、前記複数の容器を順次切換え
て使用可能に構成されていることを特徴とする、ガス固
体化捕捉装置。
8. The apparatus according to claim 7, wherein a plurality of said containers can be simultaneously attached to said gas solidification capturing device in parallel, and said plurality of containers can be sequentially switched and used. A gas solidification trapping device, characterized in that:
【請求項9】 請求項4乃至8のいずれか1に記載の装
置において、前記ガス固体化捕捉装置はさらに、前記容
器内で固体化しないガスを前記容器から排出するガス排
出装置を備えていることを特徴とする、ガス固体化補足
装置。
9. The apparatus according to claim 4, wherein the gas solidification capturing device further includes a gas discharge device that discharges a gas that does not solidify in the container from the container. A gas solidification supplementary device, characterized in that:
【請求項10】 請求項4乃至9のいずれか1に記載の
装置において、前記容器内に位置する前記低温部には複
数のフィンが取付けられ、該フィンを介して熱交換する
ことにより、前記ガスは固体化して前記フィンに付着す
ることを特徴とする、ガス固体化捕捉装置。
10. The apparatus according to claim 4, wherein a plurality of fins are attached to the low-temperature part located in the container, and heat is exchanged via the fins, whereby the heat is exchanged. A gas solidification capturing device, wherein gas is solidified and adheres to the fin.
【請求項11】 半導体製造装置等から排出されるガス
を、耐圧性及び耐真空性の容器内に所定の圧力以下の状
態で送りこみ、該容器内を所定の温度以下に冷却し、該
送り込まれたガス中の所定のガス成分を固体化して捕捉
することを特徴とする、ガスの固体化捕捉方法。
11. A gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus or the like is fed into a pressure-resistant and vacuum-resistant container at a predetermined pressure or lower, and the inside of the container is cooled to a predetermined temperature or lower, and A method for solidifying and capturing a gas, comprising solidifying and capturing a predetermined gas component in a collected gas.
【請求項12】半導体製造装置等から排出されるガス
を、耐圧性及び耐真空性の容器内に所定の圧力以下の状
態で送りこみ、該容器内を所定の温度以下に冷却し、該
送り込まれたガスを固体化して捕捉し、前記容器を密封
状態で取り外し、前記容器の内部を所定の温度以上で加
熱焼却する焼却炉に連通させ、前記捕捉したガスを焼却
して除害することを特徴とする、排ガスの除害方法。
12. A gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus or the like is sent into a pressure-resistant and vacuum-resistant container at a predetermined pressure or lower, and the inside of the container is cooled to a predetermined temperature or lower, and Solidifying and trapping the trapped gas, removing the container in a sealed state, communicating the inside of the container with an incinerator that heats and incinerates the container at a predetermined temperature or higher, and incinerate and harm the trapped gas. Characterized by the exhaust gas elimination method.
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