JP2001326462A - Printed wiring board - Google Patents

Printed wiring board

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JP2001326462A
JP2001326462A JP2000139970A JP2000139970A JP2001326462A JP 2001326462 A JP2001326462 A JP 2001326462A JP 2000139970 A JP2000139970 A JP 2000139970A JP 2000139970 A JP2000139970 A JP 2000139970A JP 2001326462 A JP2001326462 A JP 2001326462A
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lsi
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Koichi Nakanishi
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    • H01L2924/15192Resurf arrangement of the internal vias
    • HELECTRICITY
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem where arrangement of a component like a QFP in which a large number of wirings exist, on a fourth layer is difficult since the fourth layer is a power source or a GND layer, in a layer constitution in which a first layer and a second layer must be made signal layers, a third layer must be made a GND layer or a power source layer, and the fourth layer must be made a power source layer or a GND layer, when a chip size package LSI and a QFP-LSI which are arranged on the first layer are connected by using a partial VIA hole which has a small VIA diameter and is used for connecting a part between adjacent layers in a four-layer printed wiring board. SOLUTION: In a layer constitution of a region where a chip size package LSI and a QFP-LSI on a first layer are connected, the first layer and a second layer are made the signal layers, a third layer is made the GND layer, and a fourth layer is made the power source layer. In the other region, the first layer and the fourth layer are made signal layers, the third layer is made a GND layer, and the second layer is made a power source layer. A part between the power source layers of both of the regions is connected by using a penetrating VIA hole. As a result, the GND layers can be made flat, and arrangement and wiring on the fourth layer of a component like the QFP in which a large number of wirings exist is facilitated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基
板、特に4層配線基板において、LSIの端子がパッケ
ージの裏面に格子状に配列されたパッケージとLSIの
端子が四角形パッケージの4辺に1列に並んだパッケー
ジの端子間を接続する手法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed wiring board, in particular, a four-layer wiring board, in which the terminals of the LSI are arranged in a lattice pattern on the back surface of the package and the terminals of the LSI are arranged in one line on four sides of a rectangular package And a method of connecting terminals of packages arranged in the same manner.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のプリント配線基板は、1以上の銅
などの電気導体配線層と電気絶縁物から構成されてい
る。
2. Description of the Related Art A conventional printed wiring board is composed of one or more electric conductor wiring layers such as copper and an electric insulator.

【0003】しかし、昨今の高密度プリント配線基板に
おいては、部品実装面積をプリント配線基板の面積に近
づける為、N(NはN≧1なる整数)層の電気導体配線
層と電気導体配線層の間にN−1(N−1=0の場合
は、N−1=1とする)層の電気絶縁物を挟み込み、N
層プリント配線基板を構成し、各配線層で担当する配線
の種類を決定する事で、1層配線基板の場合と比べて、
配線の為の面積をN−2倍〜N倍に増加させる事ができ
る。
However, in recent high-density printed wiring boards, in order to make the component mounting area close to the area of the printed wiring board, N (N is an integer that satisfies N ≧ 1) electric conductor wiring layers and N electric conductor wiring layers are used. N-1 (in the case of N-1 = 0, N-1 = 1) layer electrical insulator is interposed therebetween, and N-1
By configuring the layer printed wiring board and determining the type of wiring to be assigned in each wiring layer, compared to the case of a single layer wiring board,
The area for wiring can be increased by N-2 times to N times.

【0004】例えば、前記プリント配線基板でN=4の
場合、すなわち、4層プリント配線基板の場合、第1
層、第4層は、デジタルおよびアナログ電気信号を通す
為の配線を主に結線し、第2層は、回路へ電源を供給す
る配線を通す層すなわち電源層、第3層は、回路の基準
電位を決定する基準電位配線を通す層すなわちGND層
として利用する。
For example, when N = 4 in the printed wiring board, that is, in the case of a four-layer printed wiring board, the first
The layer and the fourth layer mainly connect wires for passing digital and analog electric signals, the second layer is a layer for passing wires for supplying power to the circuit, that is, a power supply layer, and the third layer is a reference for the circuit. It is used as a layer through which a reference potential wiring for determining a potential, that is, a GND layer.

【0005】これによって、電気信号を配線する為の層
は2層分を割り当てることができ、1層配線基板の2倍
となる。また、前記の電源層、GND層にも電気信号を
通すことで、第1層から第4層までの全ての層に電気信
号を結線すると、1層配線基板と比較して最大4倍の面
積を電気信号の配線の為に使用する事ができる。
As a result, the number of layers for wiring electric signals can be allocated to two layers, which is twice as large as that of a single-layer wiring board. When electric signals are connected to all the layers from the first layer to the fourth layer by passing electric signals also to the power supply layer and the GND layer, the area is up to four times as large as that of the single-layer wiring board. Can be used for electrical signal wiring.

【0006】また、異なる層間を接続する為に、小径の
穴をプリント配線基板に設け、この穴の内壁面に銅メッ
キを施す事で垂直方向の電気伝導性を確保するVIAホ
ールと呼ばれる構造を設けている。
In order to connect different layers, a hole having a small diameter is provided in the printed wiring board, and copper plating is applied to an inner wall surface of the hole to form a structure called a VIA hole which secures electrical conductivity in the vertical direction. Provided.

【0007】このVIAホールについても、第1層から
第N層まで全ての層を貫通し所望の層と電気的に導通さ
せる貫通VIAホールと、隣り合う2層間のみに貫通穴
を開け、内壁面に銅メッキもしくは、導電性ペーストを
充填する部分VIAホールとが存在し、一般的に、部分
VIAホールの方が、穴が貫通しない為、部品配置の自
由度が増す。
[0007] As for the VIA hole, a penetrating VIA hole penetrating through all layers from the first layer to the Nth layer and electrically connecting to a desired layer, and a through hole is formed only in two adjacent layers, and the inner wall surface is formed. There is a portion VIA hole filled with copper plating or conductive paste, and in general, the portion VIA hole does not penetrate the hole, so that the degree of freedom of component arrangement increases.

【0008】また、貫通VIAホールは第1層から第N
層まで貫通し所望の層と電気的に導通させる必要がある
為、第1層から第N層の位置を正確に合わせて穴あけ加
工を要する。
Further, the through-via hole is formed from the first layer to the Nth layer.
Since it is necessary to penetrate to the layer and electrically conduct with a desired layer, it is necessary to perform a drilling process by accurately aligning the positions of the first to Nth layers.

【0009】これに対して、部分VIAホールは、まず
導通させたい隣り合う2層分のプリント配線基板の半製
品を作成し穴あけ加工を施した後にこれら穴あけ加工済
みの複数の半製品を張り合わせて作成される為、VIA
ホールの加工精度自体は2層分の位置を合わせるのみで
済む。
On the other hand, the partial VIA hole is formed by first preparing semi-finished products of two adjacent printed wiring boards to be made conductive, performing perforation processing, and then laminating a plurality of perforated processed semi-finished products. VIA to be created
The processing accuracy of the hole itself only needs to match the position of the two layers.

【0010】この結果、部分VIAホールの周辺に存在
するランドの直径は、貫通VIAホールのランド直径よ
りも小さい物が作成可能であり、部品を実装するランド
が密集している個所においても、VIAホールを部分V
IAホールとする事でVIAホールを形成する事が可能
となる。
[0010] As a result, the diameter of the land existing around the partial VIA hole can be smaller than the land diameter of the penetrating VIA hole, and the VIA can be formed even in a place where the lands for mounting the components are dense. Part V of the hole
By using the IA hole, a VIA hole can be formed.

【0011】一方、これらプリント配線基板に実装する
LSIの形状についても小型化が行われている。
On the other hand, the size of the LSI mounted on these printed wiring boards has also been reduced in size.

【0012】従来QFP(クワッド・フラット・パッケ
ージ)と呼ばれる、内部半導体チップを保護する四角形
のプラスチックパッケージの4辺に内部半導体チップに
接続された複数の導体のリード線を一列に配置したパッ
ケージから、昨今では、半導体チップの底面から直接ま
たは、セラミックなどの基材を挟んで間接的に、半田合
金等で構成されるボールをチップまたは基材底面に格子
状に配置し、これらボールを介してチップ外部の回路へ
接続する様に構成したチップサイズパッケージが実用化
されており、パッケージサイズの小型化、すなわち、実
装占有面積の縮小化と、LSIの多機能化による端子本
数の増加に対応している。
[0012] From a package called a quadruple package (QFP), which is a rectangular plastic package for protecting an internal semiconductor chip, in which lead wires of a plurality of conductors connected to the internal semiconductor chip are arranged in four lines on four sides, In recent years, balls made of a solder alloy or the like are arranged in a grid pattern on the bottom surface of a chip or a base material directly from the bottom surface of a semiconductor chip or indirectly with a base material such as ceramic interposed therebetween. Chip-size packages configured to be connected to external circuits have been put into practical use. In response to the reduction in package size, that is, the reduction of the mounting area, and the increase in the number of terminals due to the multifunctionalization of LSI. I have.

【0013】前述の様な従来のプリント配線基板を用
い、チップサイズパッケージとQFPとが混在したプリ
ント配線基板において、チップサイズパッケージLSI
から配線を引き出しQFPのLSIへ配線する様子を図
8に示す。
[0013] A chip size package LSI is used in a printed circuit board in which a chip size package and a QFP are mixed using the conventional printed circuit board as described above.
FIG. 8 shows a state in which wiring is extracted from the wiring and wired to the LSI of the QFP.

【0014】図8において、1はチップサイズパッケー
ジLSIを、11は前記チップサイズパッケージLSI
1のGND端子用半田ボール、12は前記チップサイズ
パッケージLSI1の電源端子用半田ボール、13、1
4および15は前記チップサイズパッケージLSI1の
信号端子用半田ボールを、16は前記チップサイズパッ
ケージLSI1の電源とGND間に挿入するバイパスコ
ンデンサを示す。
In FIG. 8, 1 is a chip size package LSI, and 11 is the chip size package LSI.
1 is a solder ball for a GND terminal; 12 is a solder ball for a power terminal of the chip-size package LSI 1;
Reference numerals 4 and 15 denote solder balls for signal terminals of the chip size package LSI1, and reference numeral 16 denotes a bypass capacitor inserted between the power supply of the chip size package LSI1 and GND.

【0015】また、2はQFP−LSIを、21は前記
QFP−LSI2の端子を、22は前記QFP−LSI
2の電源とGND間に挿入するバイパスコンデンサを、
23は前記QFP−LSI2の前記チップサイズパッケ
ージLSI1との接続には直接関与しない端子を、24
はQFP−LSI2の裏面に配置されるQFP−LSI
を示す。
2 is a QFP-LSI, 21 is a terminal of the QFP-LSI 2, and 22 is a QFP-LSI.
2 and a bypass capacitor inserted between GND and
Reference numeral 23 denotes a terminal which is not directly involved in connecting the QFP-LSI 2 to the chip size package LSI 1;
Is a QFP-LSI placed on the back of QFP-LSI2
Is shown.

【0016】3は6層プリント配線基板を示し、311
から315は前記プリント配線基板3の第1層のパター
ンを、32は前記プリント配線基板3の第2層のパター
ンを、33は前記プリント配線基板3の第3層のパター
ンを、34は前記プリント配線基板3の第4層のパター
ンを、361から365は前記プリント配線基板3の第
6層のパターンを示す。
Reference numeral 3 denotes a six-layer printed wiring board, and 311
To 315 are patterns of the first layer of the printed wiring board 3, 32 is a pattern of the second layer of the printed wiring board 3, 33 is a pattern of the third layer of the printed wiring board 3, and 34 is the printed pattern. The pattern of the fourth layer of the wiring board 3 is shown, and 361 to 365 show the pattern of the sixth layer of the printed wiring board 3.

【0017】91、92、95、96は前記プリント配
線基板3に設けられた貫通VIAホールを、93、94
は前記プリント配線基板3に設けられた前記第1層と第
2層間を接続する部分VIAホールを示す。
Reference numerals 91, 92, 95, and 96 denote through-via holes provided in the printed wiring board 3, respectively.
Indicates a partial VIA hole provided in the printed wiring board 3 for connecting the first layer and the second layer.

【0018】301は前記プリント配線基板3に設けら
れた前記第1層パターン311から315と前記第2層
パターン32とを絶縁する電気絶縁物であり、以下30
2、303、304、305はそれぞれ、前記第2層パ
ターン32と前記第3層パターン33間、前記第3層パ
ターン33と前記第4層パターン34間、前記第4層パ
ターン34と前記第5層パターン間、前記第5層パター
ンと前記第6層パターン361から365間を絶縁する
電気絶縁物である。
Reference numeral 301 denotes an electrical insulator that insulates the first layer patterns 311 to 315 provided on the printed wiring board 3 from the second layer pattern 32;
Reference numerals 2, 303, 304, and 305 denote, respectively, between the second layer pattern 32 and the third layer pattern 33, between the third layer pattern 33 and the fourth layer pattern 34, and between the fourth layer pattern 34 and the fifth An electrical insulator that insulates between the layer patterns and between the fifth layer pattern and the sixth layer patterns 361 to 365.

【0019】そして、前記第3層パターン33はチップ
サイズパッケージLSI1およびQFP−LSI2へ電
源を供給する電源層であり、前記第4層パターン34は
チップサイズパッケージLSI1およびQFP−LSI
2および24の基準電位を設定するGND層である。
The third layer pattern 33 is a power supply layer for supplying power to the chip size package LSI1 and the QFP-LSI2, and the fourth layer pattern 34 is a chip size package LSI1 and the QFP-LSI
2 is a GND layer for setting reference potentials 2 and 24.

【0020】前記バイパスコンデンサ16、22、およ
び、前記QFP−LSI24は第6層に配置され、前記
チップサイズパッケージLSI1およびQFP−LSI
2は第1層に配置される物とする。
The bypass capacitors 16, 22 and the QFP-LSI 24 are arranged in a sixth layer, and the chip size package LSI1 and the QFP-LSI
Reference numeral 2 denotes an object arranged on the first layer.

【0021】また、前記貫通VIAホール91は、前記
第1層パターン311を介して前記チップサイズパッケ
ージLSI1のGND端子である前記半田ボール11
と、GND層である第4層パターン34と、第6層パタ
ーン361を介して前記バイパスコンデンサ15へ接続
している。
Further, the through-via hole 91 is connected to the solder ball 11 via the first layer pattern 311 as a GND terminal of the chip-size package LSI 1.
And the fourth layer pattern 34 which is a GND layer, and the bypass capacitor 15 via a sixth layer pattern 361.

【0022】前記貫通VIAホール92は、前記第1層
パターン312を介して前記チップサイズパッケージL
SI1の電源端子である前記半田ボール12と、電源層
である第3層パターン33と、第6層パターン362を
介して前記バイパスコンデンサ15の第6層パターン3
61と接続されている端子とは反対側の端子へ接続して
いる。
The through-via hole 92 is formed in the chip size package L through the first layer pattern 312.
The sixth ball pattern 3 of the bypass capacitor 15 is provided via the solder ball 12 serving as a power terminal of the SI1, the third layer pattern 33 serving as a power layer, and the sixth layer pattern 362.
It is connected to the terminal opposite to the terminal connected to 61.

【0023】一方、前記貫通VIAホール95について
も、前記貫通VIAホール91と同様に前記QFP−L
SI2のGND端子とGND層である第4層パターン3
4と前記バイパスコンデンサ22とを第6層パターン3
63を介して接続しており、前記貫通VIAホール96
は、前記貫通VIAホール92と同様に前記QFP−L
SI2の電源端子と電源層である第3層パターン33と
前記バイパスコンデンサ22とを第6層パターン364
を介して接続している。
On the other hand, with respect to the through-via hole 95, similarly to the through-via hole 91, the QFP-L
GND terminal of SI2 and fourth layer pattern 3 as GND layer
4 and the bypass capacitor 22 in the sixth layer pattern 3
63 and the through-via hole 96
Is the same as the QFP-L as in the case of the through-via hole 92.
The power supply terminal of SI2, the third layer pattern 33 as a power supply layer, and the bypass capacitor 22 are connected to a sixth layer pattern 364.
Connected through.

【0024】また、前記チップサイズパッケージLSI
1の信号端子13は、前記第1層パターン313と前記
部分VIAホール93を介して前記第2層パターン32
へ接続され、第2層パターン32の延長上に存在する部
分VIAホール94、前記第1層パターン314を介し
てQFP−LSI2の所望の端子へ接続される。
Further, the chip size package LSI
1 signal terminal 13 is connected to the second layer pattern 32 via the first layer pattern 313 and the partial VIA hole 93.
Via the first layer pattern 314 and a desired terminal of the QFP-LSI 2 via the first via pattern 94 located on the extension of the second layer pattern 32.

【0025】前記チップサイズパッケージLSI1の信
号端子14、15は、前記第1層パターン314を介し
て直接前記QFP−LSI2の所望の端子へ接続され
る。
The signal terminals 14 and 15 of the chip size package LSI 1 are directly connected to desired terminals of the QFP-LSI 2 via the first layer pattern 314.

【0026】また、前記QFP−LSI24は、第6層
パターン365を用いて、前記QFP−LSI2は前記
端子23を介し第1層パターン315を用いて外部の回
路と接続されている。
The QFP-LSI 24 is connected to an external circuit using a sixth layer pattern 365, and the QFP-LSI 2 is connected to an external circuit via the terminal 23 using a first layer pattern 315.

【0027】[0027]

【発明が解決しようとする課題】図8に示す様な従来の
6層プリント配線基板を用いたチップサイズパッケージ
LSIとQFP−LSIとの接続を安価な4層プリント
配線基板を用いて実現する事を考える。
The connection between a chip size package LSI using a conventional six-layer printed wiring board as shown in FIG. 8 and a QFP-LSI is realized by using an inexpensive four-layer printed wiring board. think of.

【0028】図9に4層プリント配線基板を用いた構成
を示す。
FIG. 9 shows a configuration using a four-layer printed wiring board.

【0029】なお、図9において図8と同一の符号を付
与している部分については、特に説明の無い限り前述の
図8の説明と同じである為詳細は省略する。
In FIG. 9, the parts denoted by the same reference numerals as those in FIG. 8 are the same as those described above with reference to FIG.

【0030】4は4層プリント配線基板を示し、411
から415、42、43、441から444はそれぞれ
前記プリント配線基板4の導電性を有する第1層から第
4層のパターンを示す。
Reference numeral 4 denotes a four-layer printed wiring board;
To 415, 42, 43, 441 to 444 denote patterns of the first to fourth layers having conductivity of the printed wiring board 4, respectively.

【0031】401は前記プリント配線基板4に設けら
れた前記第1層パターン411から415と前記第2層
パターン42とを絶縁する電気絶縁物であり、以下40
2、403はそれぞれ、前記第2層パターン42と前記
第3層パターン43間、前記第3層パターン43と前記
第4層パターン441から444間を絶縁する電気絶縁
物である。
Reference numeral 401 denotes an electrical insulator for insulating the first layer patterns 411 to 415 provided on the printed wiring board 4 from the second layer pattern 42;
Reference numerals 2 and 403 denote electrical insulators that insulate between the second layer pattern 42 and the third layer pattern 43 and between the third layer pattern 43 and the fourth layer patterns 441 to 444, respectively.

【0032】81、82、85、86は前記プリント配
線基板4に設けられた貫通VIAホールを、83、84
は前記プリント配線基板4に設けられた前記第1層と第
2層間を接続する部分VIAホールを示す。
Reference numerals 81, 82, 85, and 86 denote through-via holes provided in the printed wiring board 4, respectively.
Denotes a partial VIA hole provided in the printed wiring board 4 for connecting the first layer and the second layer.

【0033】そして、前記第3層パターン43はチップ
サイズパッケージLSI1およびQFP−LSI2へ電
源を供給する電源層であり、前記第4層パターン44は
チップサイズパッケージLSI1およびQFP−LSI
2と24の基準電位を設定するGND層である。
The third layer pattern 43 is a power supply layer for supplying power to the chip size package LSI1 and the QFP-LSI2, and the fourth layer pattern 44 is a chip size package LSI1 and the QFP-LSI
This is a GND layer for setting reference potentials 2 and 24.

【0034】442、443、444は前記第4層パタ
ーン441と同一の層に存在するGND電位ではない小
パターンであり、それぞれ前記バイパスコンデンサ1
5、22および前記QFP−LSI24への配線を行う
為の小パターンである。
442, 443 and 444 are small patterns which are not in the GND potential and exist in the same layer as the fourth layer pattern 441.
5 and 22 and small patterns for wiring to the QFP-LSI 24.

【0035】前記バイパスコンデンサ15、22、およ
び、前記QFP−LSI24は第4層に配置され、前記
チップサイズパッケージLSI1およびQFP−LSI
2は第1層に配置される物とする。
The bypass capacitors 15, 22 and the QFP-LSI 24 are arranged in a fourth layer, and the chip size package LSI1 and the QFP-LSI
Reference numeral 2 denotes an object arranged on the first layer.

【0036】前記貫通VIAホール81は、前記第1層
パターン411を介して前記チップサイズパッケージL
SI1のGND端子である前記半田ボール11と、GN
D電位である第4層パターン441を介して前記バイパ
スコンデンサ15へ接続している。
The through via hole 81 is formed in the chip size package L through the first layer pattern 411.
The solder ball 11, which is a GND terminal of SI1,
It is connected to the bypass capacitor 15 via a fourth layer pattern 441 having a D potential.

【0037】前記貫通VIAホール82は、前記第1層
パターン412を介して前記チップサイズパッケージL
SI1の電源端子である前記半田ボール12と、電源層
である第3層パターン43と、第4層パターン442を
介して前記バイパスコンデンサ15の前記第4層パター
ン441に接続している端子とは反対側の端子へ接続し
ている。
The through via hole 82 is formed in the chip size package L through the first layer pattern 412.
The terminal connected to the fourth layer pattern 441 of the bypass capacitor 15 via the solder ball 12 as the power terminal of the SI1, the third layer pattern 43 as the power layer, and the fourth layer pattern 442 Connected to the opposite terminal.

【0038】一方、前記貫通VIAホール85について
も、前記貫通VIAホール81と同様に前記QFP−L
SI2のGND端子とGND電位である第4層パターン
441と前記バイパスコンデンサ22とを接続してお
り、前記貫通VIAホール86は、前記貫通VIAホー
ル82と同様に前記QFP−LSI2の電源端子と電源
層である第3層パターン43と前記第4層に存在する小
パターン443を介して前記バイパスコンデンサ22の
前記第4層パターン441に接続されている端子とは反
対側の端子と接続している。
On the other hand, as for the through-via hole 85, similarly to the through-via hole 81, the QFP-L
The GND terminal of SI2, the fourth layer pattern 441 at GND potential, and the bypass capacitor 22 are connected to each other. The through VIA hole 86 is connected to the power supply terminal of the QFP-LSI 2 like the through VIA hole 82. The bypass capacitor 22 is connected to a terminal of the bypass capacitor 22 on a side opposite to the terminal connected to the fourth layer pattern 441 via a third layer pattern 43 as a layer and a small pattern 443 existing in the fourth layer. .

【0039】また、前記チップサイズパッケージLSI
1の信号端子13は、前記第1層パターン413と前記
部分VIAホール83を介して前記第2層パターン42
へ接続され、第2層パターン42の延長上に存在する部
分VIAホール84、前記第1層パターン414を介し
てQFP−LSI2の所望の端子へ接続される。
The chip size package LSI
1 signal terminal 13 is connected to the second layer pattern 42 via the first layer pattern 413 and the partial VIA hole 83.
Through the first layer pattern 414, and is connected to a desired terminal of the QFP-LSI 2 via the first layer pattern 414.

【0040】前記チップサイズパッケージLSI1の信
号端子14、15は、前記第1層パターン414を介し
て直接QFP−LSI2の所望の端子へ接続される。
The signal terminals 14 and 15 of the chip size package LSI1 are directly connected to desired terminals of the QFP-LSI2 via the first layer pattern 414.

【0041】また、前記QFP−LSI2は前記端子2
3を介し第1層パターン415を用いて、前記QFP−
LSI24は前記第4層パターン444を用いて外部の
回路と接続している。
The QFP-LSI 2 is connected to the terminal 2
3 using the first layer pattern 415 through the QFP-
The LSI 24 is connected to an external circuit using the fourth layer pattern 444.

【0042】上記の様に構成した場合、図9から明らか
なように、第4層のGND電位を定めるパターン441
がGND電位以外の小パターン442、443、444
によって分断され、特に前記第4層パターン444によ
る分断が大きい事が分かる。
In the case of the above configuration, as apparent from FIG. 9, the pattern 441 for determining the GND potential of the fourth layer is used.
Are small patterns 442, 443, 444 other than the GND potential
It can be seen that the separation by the fourth layer pattern 444 is particularly large.

【0043】この前記第4層パターン444によって、
前記第4層パターン441であるGNDのインピーダン
スが上昇しノイズが発生しやすい環境になる。
With the fourth layer pattern 444,
The impedance of the GND, which is the fourth layer pattern 441, rises, and an environment in which noise is easily generated is provided.

【0044】さらに、第4層に実装される前記QFP−
LSI24と前記第4層GNDパターン441との接続
を確保しようとすると、第4層に実装されるQFP−L
SI24からの信号パターン444の引き回しには大き
な制約が付き、第2層での配線を目的とした貫通VIA
ホール数の増大、これに伴う第3層に存在する電源層の
貫通VIAによる分断が発生し、ますますノイズ放出の
増大とノイズ耐性の悪化が発生する。
Further, the QFP-
In order to secure the connection between the LSI 24 and the fourth layer GND pattern 441, the QFP-L mounted on the fourth layer
The routing of the signal pattern 444 from the SI 24 is greatly restricted, and the through VIA for wiring in the second layer is provided.
The number of holes increases, and the power supply layer existing in the third layer is cut off by the penetrating VIA, thereby further increasing noise emission and deteriorating noise resistance.

【0045】なお、図9では第3層を電源層に、第4層
を主にGND層に割り当てたが、これらの層の関係を逆
にして、第3層をGND層に、第4層を電源層に割り当
てても、前記QFP−LSI24は相変わらず電源パタ
ーンで支配されている第4層に存在する為、部品同士の
配線の困難さ、しいては第4層へ実装できる部品の個数
の制限は同じである。
In FIG. 9, the third layer is assigned to the power supply layer and the fourth layer is mainly assigned to the GND layer. However, the relationship between these layers is reversed, and the third layer is assigned to the GND layer and the fourth layer is assigned to the fourth layer. Is assigned to the power supply layer, since the QFP-LSI 24 still exists in the fourth layer governed by the power supply pattern, the wiring of the components is difficult, and the number of components that can be mounted on the fourth layer is reduced. The restrictions are the same.

【0046】[0046]

【課題を解決するための手段】上記の課題を鑑み、本発
明のチップサイズパッケージLSIとQFP−LSIが
同一層に同居した4層プリント配線基板は、チップサイ
ズパッケージLSIとQFP−LSI間の配線を行う領
域においては、第1層、第2層にチップサイズパッケー
ジLSIとQFP−LSI間の配線を行うパターンを配
置し、第3層にGNDパターンを、第4層に電源パター
ンを配置し、それ以外の領域においては、第1層と第4
層に信号を配線するパターンを、第2層に電源パターン
を、第3層にGNDパターンを設ける構成とし、チップ
サイズパッケージLSIとQFP−LSI間の配線を行
う領域では、第1層パターンと第2層パターンとを接続
するVIAホールに部分VIAホールを用いた構成とし
た物である。
In view of the above-mentioned problems, a four-layer printed wiring board according to the present invention, in which a chip-size package LSI and a QFP-LSI coexist in the same layer, provides a wiring between the chip-size package LSI and the QFP-LSI. In the first layer, the second layer is provided with a pattern for wiring between the chip size package LSI and the QFP-LSI, the third layer is provided with a GND pattern, the fourth layer is provided with a power supply pattern, In other areas, the first layer and the fourth layer
A pattern for wiring signals in the layer, a power supply pattern in the second layer, and a GND pattern in the third layer are provided. In a region where wiring between the chip size package LSI and the QFP-LSI is performed, the first layer pattern and the This is a configuration using a partial VIA hole as the VIA hole connecting the two-layer pattern.

【0047】これにより、GNDインピーダンスの増加
を防ぎ、かつ、部品を第4層に配置したときの制限を緩
和する手法を提供できる。
As a result, it is possible to provide a method for preventing an increase in the GND impedance and alleviating the restriction when the components are arranged on the fourth layer.

【0048】[0048]

【発明の実施の形態】本発明の第1の発明は、4層プリ
ント配線基板において、LSIの端子がパッケージの裏
面に格子状に配列されたパッケージである第1のLSI
とLSIの端子が四角形パッケージの4辺に1列に並ん
だパッケージである第2のLSIが第1層に配置されて
いる場合において、前記第1のLSIと前記第2のLS
I間の配線を行う領域については、第1層、第2層を信
号配線層に、第3層をGND層に、第4層を電源層とす
る層構成領域と、前記第1のLSIと前記第2のLSI
間ではない領域については、第1層、第4層を信号配線
層に、第3層をGND層に、第2層を電源層である様に
層構成した領域とに分割し、前記第1のLSIと前記第
2のLSI間の配線を行う領域の第4層の電源層と、前
記第1のLSIと前記第2のLSI間ではない領域の第
2層の電源層とを接続する貫通VIAホールを前記第2
のLSIの占める領域内に配置し、前記第1のLSIと
前記第2のLSI間の配線を行う領域と、前記第1のL
SIと前記第2のLSI間ではない領域のGND層を同
一層に配置する事でGND層に分断がない事を特徴とす
る4層プリント配線基板である。この様に構成する事
で、前記チップサイズパッケージLSIのボールピッチ
が狭く、第1層のみを用いて内周のボールからパターン
を引き出す事が出来ない場合において、内周ボールを部
分VIAホールを用いて第2層へ接続し、第2層を用い
て配線する場合においても、前記第1のLSIと前記第
2のLSI間ではない領域の第4層に部品を配置、配線
する事を可能とする物である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first invention of the present invention is a first LSI which is a package in which terminals of the LSI are arranged in a lattice pattern on the back surface of the package in a four-layer printed wiring board.
And a second LSI, which is a package in which terminals of the LSI are arranged in a line on four sides of a square package, in the first layer, the first LSI and the second LSI
As for the region where the wiring between I and I is performed, a first layer, a second layer as a signal wiring layer, a third layer as a GND layer, a fourth layer as a power supply layer, The second LSI
The first and fourth layers are divided into the signal wiring layer, the third layer as the GND layer, and the second layer as the power supply layer. Through which connects a fourth power supply layer in a region where wiring is performed between the first LSI and the second LSI, and a second power supply layer in a region not between the first LSI and the second LSI. VIA Hall
And a region for wiring between the first LSI and the second LSI;
A four-layer printed wiring board characterized in that the GND layer in a region other than between the SI and the second LSI is arranged on the same layer so that the GND layer is not divided. With such a configuration, when the ball pitch of the chip-size package LSI is narrow and a pattern cannot be drawn from the inner peripheral ball using only the first layer, the inner peripheral ball is formed using a partial VIA hole. In the case where connection is made to the second layer and wiring is performed using the second layer, it is possible to arrange and wire components on the fourth layer in a region not between the first LSI and the second LSI. Is what you do.

【0049】また第2の発明は、前記第1のLSIと前
記第2のLSI間の配線を行う領域の第4層の電源層
と、前記第1のLSIと前記第2のLSI間ではない領
域の第2層の電源層とを接続する前記貫通VIAホール
をプリント配線基板端に配置した4層プリント配線基板
であり、前記第2のLSIの占める領域にも配線が通る
場合においても、前記2電源層を接続する貫通VIAホ
ールを基板端に配置する事で前記貫通VIAホールの配
置個数の制約を少なくでき、電源インピーダンスを下げ
る事ができる。
Further, in the second invention, there is provided a fourth power supply layer in a region where a wiring is provided between the first LSI and the second LSI and not between the first LSI and the second LSI. A four-layer printed wiring board in which the through-via hole connecting the power supply layer of the second layer in the area is arranged at the end of the printed wiring board, and even when the wiring passes through the area occupied by the second LSI, By arranging the through VIA holes connecting the two power supply layers at the end of the substrate, the restriction on the number of the through VIA holes can be reduced and the power supply impedance can be reduced.

【0050】また第3の発明は、前記第1のLSIと前
記第2のLSI間の配線を行う領域の第4層の電源層
と、前記第1のLSIと前記第2のLSI間ではない領
域の第2層の電源層とを電気的に分離する部品を第4層
に有し、前記電源分離部品の前記第1のLSIと前記第
2のLSI間ではない領域の第2層の電源層への接続に
用いる貫通VIAホールを前記第1のLSIと前記第2
のLSI間の配線を行う領域の第4層の電源層と、前記
第1のLSIと前記第2のLSI間ではない領域の第2
層の電源層とを接続する前記貫通VIAホールと兼ねる
構成にした4層プリント配線基板である。
Further, in the third invention, there is provided a power supply layer of a fourth layer in a region where wiring is performed between the first LSI and the second LSI, and not between the first LSI and the second LSI. A fourth layer having a component for electrically isolating the power supply layer of the region from the second power supply layer, and a power supply of the second layer in a region not between the first LSI and the second LSI of the power supply separation component A through via hole used for connection to a layer is formed between the first LSI and the second LSI.
A fourth power supply layer in a region where wiring is performed between LSIs, and a second power supply layer in a region not between the first LSI and the second LSI.
This is a four-layer printed wiring board configured so as to also serve as the through-via hole for connecting a power supply layer of the same layer.

【0051】この様に構成する事で、例えば、前記第1
のLSIと前記第2のLSI間の配線を行う領域に用い
る電源がデジタル処理用電源であり、前記第1のLSI
と前記第2のLSI間ではない領域の電源がアナログ処
理用電源である場合、従来の4層プリント配線基板で
は、これら両者を分離するインダクタ、レギュレータ等
の入出力端には、内層に存在する電源層への貫通VIA
ホールが最低でも入力、出力共に1つ必要であった。
With this configuration, for example, the first
A power supply used in a region where wiring between the first LSI and the second LSI is performed is a digital processing power supply, and the first LSI
In the case where the power supply in a region other than the area between the second LSI and the second LSI is a power supply for analog processing, in a conventional four-layer printed wiring board, the input / output terminals of an inductor, a regulator, and the like that separate these components are present in an inner layer. Through VIA to power supply layer
At least one hall was required for both input and output.

【0052】本発明の第3の発明を用いると、インダク
タ、レギュレータ等の部品が第4層に位置し、かつ、こ
の部品の1つの端子は第4層の電源パターンに接続して
いる為、貫通VIAホールはインダクタンス成分を持つ
部品の前もしくは後の1つのみで済み、同個数の貫通V
IAホールを用いる場合、貫通VIAホールの抵抗成分
による電圧低下を半分にする事が出来る。
According to the third aspect of the present invention, components such as an inductor and a regulator are located in the fourth layer, and one terminal of this component is connected to the power supply pattern in the fourth layer. Only one through VIA hole is required before or after the component having the inductance component.
When the IA hole is used, the voltage drop due to the resistance component of the through VIA hole can be halved.

【0053】(第1の実施例)以下、本発明の4層プリ
ント配線基板の実施例について、図を用いて詳細に説明
する。
(First Embodiment) A four-layer printed wiring board according to an embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0054】図1および図2から図5は、本発明の第1
の実施例における4層プリント配線基板の断面図および
第1層上面から見た第1層から第4層の透視図を示す。
FIGS. 1 and 2 to 5 show the first embodiment of the present invention.
2A and 2B are a cross-sectional view of a four-layer printed wiring board and a perspective view of the first to fourth layers as viewed from the top of the first layer in the example of FIG.

【0055】なお、図1および図2から図5において、
図8および図9と同一の符号を付与している個所につい
ては、図8および図9と同一構成である為、その詳細な
説明は省略する。
In FIGS. 1 and 2 to 5,
8 and 9 have the same configuration as those in FIGS. 8 and 9 and will not be described in detail.

【0056】図1および図2から図5において、71、
72、73、74、75は前記プリント配線基板4に設
けられた貫通VIAホール、521は前記プリント配線
基板4の第2層パターン42とは別電位のパターン、5
3は前記プリント配線基板4の第3層パターン、541
から544は前記プリント配線基板4の第4層パターン
である。
In FIGS. 1 and 2 to 5, 71,
Reference numerals 72, 73, 74, and 75 denote through-via holes provided in the printed wiring board 4, and reference numeral 521 denotes a pattern having a different potential from the second layer pattern 42 of the printed wiring board 4.
3 is a third layer pattern of the printed wiring board 4;
To 544 are fourth layer patterns of the printed wiring board 4.

【0057】なお、前記第3層パターン53は前記チッ
プサイズパッケージLSI1および、QFP−LSI
2、24の基準電位を設定するGNDパターンであり、
前記第4層パターン541および前記第2層パターン5
21は前記チップサイズパッケージLSI1および、Q
FP−LSI2、24へ電源を供給する電源パターンで
ある。
The third layer pattern 53 is formed by the chip size package LSI1 and the QFP-LSI.
A GND pattern for setting reference potentials of 2, 24,
The fourth layer pattern 541 and the second layer pattern 5
21 is the chip size package LSI 1 and Q
This is a power supply pattern for supplying power to the FP-LSIs 2 and 24.

【0058】前記貫通VIAホール71は、前記第1層
パターン411を介して前記チップサイズパッケージL
SI1のGND端子である前記半田ボール11と、前記
第3層GNDパターン53、前記第4層パターン542
を介して前記バイパスコンデンサ15へ接続している。
The through via hole 71 is formed in the chip size package L through the first layer pattern 411.
The solder ball 11 which is a GND terminal of SI1, the third-layer GND pattern 53, and the fourth-layer pattern 542
Is connected to the bypass capacitor 15.

【0059】前記貫通VIAホール72は、前記第1層
パターン412を介して前記チップサイズパッケージL
SI1の電源端子である前記半田ボール12と、第4層
電源パターン541を介して前記バイパスコンデンサ1
5の前記第4層パターン542に接続している端子とは
反対側の端子へ接続している。
The through via hole 72 is formed in the chip size package L through the first layer pattern 412.
The bypass capacitor 1 is connected to the solder ball 12 as a power supply terminal of the SI 1 and the fourth layer power supply pattern 541.
5 is connected to a terminal opposite to the terminal connected to the fourth layer pattern 542.

【0060】一方、前記貫通VIAホール73について
も、前記貫通VIAホール71と同様に前記QFP−L
SI2のGND端子とGND電位である第3層パターン
53および第4層パターン543を介して前記バイパス
コンデンサ22とを接続しており、前記貫通VIAホー
ル74は、前記貫通VIAホール72と同様に前記QF
P−LSI2の電源端子と電源層である第4層パターン
541を介して前記バイパスコンデンサ22の前記第4
層パターン543に接続されている端子とは反対側の端
子と接続している。
On the other hand, the through-via hole 73 also has the QFP-L
The GND terminal of SI2 is connected to the bypass capacitor 22 via a third layer pattern 53 and a fourth layer pattern 543 which are GND potentials. The through via hole 74 is similar to the through via hole 72. QF
The fourth terminal of the bypass capacitor 22 is connected via a power supply terminal of the P-LSI 2 and a fourth layer pattern 541 which is a power supply layer.
The terminal connected to the terminal opposite to the terminal connected to the layer pattern 543 is connected.

【0061】また、前記貫通VIAホール75は、前記
QFP−LSI2の下に位置し、電源パターンである前
記第4層パターン541と前記第2層パターン521と
を接続する。
The through-via hole 75 is located below the QFP-LSI 2 and connects the fourth layer pattern 541 as a power supply pattern to the second layer pattern 521.

【0062】前記QFP−LSI24は、チップサイズ
パッケージLSI1とQFP−LSI2の結線を行う領
域、すなわち、第1層パターン414、第2層パターン
42が占める領域以外の第4層の領域に置く。
The QFP-LSI 24 is placed in a region where the chip size package LSI 1 and the QFP-LSI 2 are connected, that is, in the region of the fourth layer other than the region occupied by the first layer pattern 414 and the second layer pattern 42.

【0063】また、前記チップサイズパッケージLSI
1の信号端子13は、前記第1層パターン413と前記
部分VIAホール83を介して前記第2層パターン42
へ接続され、第2層パターン42の延長上に存在する部
分VIAホール84、前記第1層パターン414を介し
てQFP−LSI2の所望の端子へ接続される。
Further, the chip size package LSI
1 signal terminal 13 is connected to the second layer pattern 42 via the first layer pattern 413 and the partial VIA hole 83.
Through the first layer pattern 414, and is connected to a desired terminal of the QFP-LSI 2 via the first layer pattern 414.

【0064】前記チップサイズパッケージLSI1の信
号端子14、15は、前記第1層パターン414を介し
て直接QFP−LSI2の所望の端子へ接続される。
The signal terminals 14 and 15 of the chip size package LSI 1 are directly connected to desired terminals of the QFP-LSI 2 via the first layer pattern 414.

【0065】また、前記QFP−LSI2は前記端子2
3を介し第1層パターン415を用いて、前記QFP−
LSI24は前記第4層パターン544を用いて外部の
回路と接続している。
The QFP-LSI 2 is connected to the terminal 2
3 using the first layer pattern 415 through the QFP-
The LSI 24 is connected to an external circuit using the fourth layer pattern 544.

【0066】以上の第1の実施例では、図3および図5
から分かる様に電源パターンを第4層パターン541か
ら第2層パターン521へスイッチする事によって、図
4に示す様にGNDパターンである第3層パターン53
をベタにしてGNDインピーダンスの増大を防ぐ事が出
来る。
In the first embodiment described above, FIGS.
As shown in FIG. 4, by switching the power supply pattern from the fourth layer pattern 541 to the second layer pattern 521, the third layer pattern 53 which is a GND pattern as shown in FIG.
Can be prevented from increasing the GND impedance.

【0067】さらに従来の4層プリント配線基板では困
難であった第4層へのQFP−LSIの配置をチップサ
イズパッケージLSI1とQFP−LSI2の結線を行
う領域、すなわち、第1層パターン414、第2層パタ
ーン42が占める領域以外の第4層の領域に置く事で、
第4層に配置したQFP−LSIの電源、GNDへの配
線と信号配線の共存を可能とした。
Further, the arrangement of the QFP-LSI on the fourth layer, which was difficult with the conventional four-layer printed wiring board, is performed by changing the area where the chip size package LSI1 and the QFP-LSI2 are connected, that is, the first layer pattern 414, the fourth layer. By placing it in the area of the fourth layer other than the area occupied by the two-layer pattern 42,
The power supply of the QFP-LSI arranged in the fourth layer, the wiring to GND, and the signal wiring can coexist.

【0068】(第2の実施例)次に本発明の第2の実施
例について、図を用いて説明する。図6は、第1層上部
から見た本発明の第2の実施例の4層プリント配線基板
の領域図である。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a region view of the four-layer printed wiring board according to the second embodiment of the present invention as viewed from above the first layer.

【0069】図6において、1は第1層に置かれたチッ
プサイズパッケージLSI、2は第1層に置かれたQF
P−LSI、24は第4層に置かれたQFP−LSI、
101は第1層、第2層を前記チップサイズパッケージ
LSI1とQFP−LSI2間の結線を行う信号パター
ンに、第3層をGNDパターンに、第4層を電源パター
ンに用いる領域、102は第1層、第4層を信号パター
ンに、第3層をGNDパターンに、第2層を電源パター
ンに用いる領域、75は領域101の第4層に存在する
電源パターンと領域102の第2層に存在する電源パタ
ーンとを接続する貫通VIAホールである。
In FIG. 6, 1 is a chip size package LSI placed on the first layer, and 2 is a QF package placed on the first layer.
P-LSI, 24 is a QFP-LSI placed on the fourth layer,
101 is a first layer, a second layer is a signal pattern for connection between the chip size package LSI1 and the QFP-LSI2, a third layer is a GND pattern, and a fourth layer is a region used for a power supply pattern. The layer and the fourth layer are used as a signal pattern, the third layer is used as a GND pattern, and the second layer is used as a power supply pattern. A region 75 is provided in the power supply pattern existing in the fourth layer of the region 101 and a region used in the second layer of the region 102. This is a through VIA hole for connecting a power supply pattern to be formed.

【0070】ここで、75は4層プリント配線基板の周
囲の1以上の辺に1個以上存在する物とする。
Here, it is assumed that one or more reference numerals 75 exist on one or more sides around the four-layer printed wiring board.

【0071】第1の実施例では、領域101と領域10
2の電源パターン同士を接続する貫通VIAホール75
を設ける領域がQFP−LSI2の下にかぎられていた
為、貫通VIAホール75を十分な個数設ける事が困難
であった。
In the first embodiment, the region 101 and the region 10
Via hole 75 for connecting two power supply patterns to each other
Is limited under the QFP-LSI 2, it is difficult to provide a sufficient number of through-via holes 75.

【0072】第2の実施例では、4層プリント配線基板
の周辺に置ける為、貫通VIAホール75を設ける自由
度が増し、この結果、電源インピーダンスの増加を防ぎ
つつ、第4層のQFP−LSI24についての電源、G
NDへの配線と信号配線の共存が可能となる。(第3の
実施例)次に本発明の第3の実施例について、図を用い
て説明する。図7は、第1層上部から見た本発明の第3
の実施例の4層プリント配線基板の領域図である。
In the second embodiment, since it can be placed around the four-layer printed wiring board, the degree of freedom in providing the through-via hole 75 is increased. As a result, the fourth layer QFP-LSI 24 About power, G
Wiring to ND and signal wiring can coexist. (Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 shows a third embodiment of the present invention viewed from above the first layer.
FIG. 4 is a region diagram of a four-layer printed wiring board according to the example of FIG.

【0073】図7において、1は第1層に置かれたチッ
プサイズパッケージLSI、2は第1層に置かれたQF
P−LSI、24は第4層に置かれたQFP−LSI、
101は第1層、第2層を前記チップサイズパッケージ
LSI1とQFP−LSI2間の結線を行う信号パター
ンに、第3層をGNDパターンに、第4層を電源パター
ンに用いる領域、102は第1層、第4層を信号パター
ンに、第3層をGNDパターンに、第2層を電源パター
ンに用いる領域、103は第1層を信号パターンに、第
2層、第4層を電源パターンに、第3層をGNDパター
ンに用いる領域、75は領域103の第4層に存在する
電源パターンと第2層に存在する電源パターンとを接続
する1個以上の貫通VIAホール、6は前記領域101
の電源パターンと前記領域102の電源パターンを電気
的に分離するインダクタンス成分を持つ部品である。
In FIG. 7, 1 is a chip size package LSI placed on the first layer, and 2 is a QF package placed on the first layer.
P-LSI, 24 is a QFP-LSI placed on the fourth layer,
101 is a first layer, a second layer is a signal pattern for connection between the chip size package LSI1 and the QFP-LSI2, a third layer is a GND pattern, and a fourth layer is a region used for a power supply pattern. The layer and the fourth layer are used as a signal pattern, the third layer is used as a GND pattern, the second layer is used as a power supply pattern, 103 is a first layer used as a signal pattern, and the second and fourth layers are used as a power supply pattern. A region where the third layer is used for the GND pattern, 75 is one or more through-via holes connecting the power supply pattern existing in the fourth layer of the region 103 and the power supply pattern existing in the second layer, and 6 is the region 101
Is a component having an inductance component that electrically separates the power supply pattern of FIG.

【0074】また、前記領域13は、前記領域101と
前記領域102との境界に位置する。この様に構成する
と、前記領域101と前記領域102とで電源を分離す
る事が出来、領域101で発生した電源リップル等のノ
イズを領域102の電源へ伝達する事を防止、または、
領域101で発生した電源ノイズを領域102へ伝達す
る事を防止しつつ、第4層のQFP−LSI24につい
ての電源、GNDへの配線と信号配線の共存が可能とな
る。
The area 13 is located at the boundary between the area 101 and the area 102. With such a configuration, the power supply can be separated between the region 101 and the region 102, and transmission of noise such as power supply ripple generated in the region 101 to the power supply in the region 102 can be prevented, or
The transmission of power supply noise generated in the area 101 to the area 102 can be prevented, and the wiring of the fourth layer QFP-LSI 24 to the power supply, GND, and signal wiring can coexist.

【0075】また、従来の4層プリント配線基板におい
ては、電源を分離する為には、第2層もしくは第3層の
電源パターンから貫通VIAホールを用いて一旦第1層
もしくは第4層へ電源パターンを引き出し、第1層もし
くは第4層に置かれたインダクタンス成分を持つ部品を
介して再び貫通VIAホールを用いて第2層もしくは第
3層の電源パターンへ接続する為、貫通VIAホール
が、インダクタンス成分を持つ部品の前後に必要であっ
た。
In the conventional four-layer printed wiring board, in order to separate the power supply, the power supply is temporarily transferred from the power supply pattern of the second or third layer to the first or fourth layer by using a through-via hole. Since the pattern is pulled out and connected to the power supply pattern of the second or third layer again using the through VIA hole via the component having the inductance component placed on the first or fourth layer, the through VIA hole is Necessary before and after parts with inductance components.

【0076】しかし、本発明の第3の発明によれば、イ
ンダクタンス成分を持つ部品が第4層に位置し、かつ、
この部品の1つの端子は第4層の電源パターンに接続し
ている為、貫通VIAホールはインダクタンス成分を持
つ部品の前もしくは後の1つのみで済み、同個数の貫通
VIAホールを用いる場合、貫通VIAホールの抵抗成
分による電圧低下を半分にする事が出来る。
However, according to the third aspect of the present invention, the component having the inductance component is located on the fourth layer, and
Since one terminal of this component is connected to the power supply pattern of the fourth layer, only one through VIA hole is required before or after the component having the inductance component. When the same number of through VIA holes are used, The voltage drop due to the resistance component of the through-via hole can be halved.

【0077】なお、上記の実施例では、電源を分離する
部品としてインダクタンス成分を持つ部品としたが、電
源電圧を変換する部品もしくは部品群であっても、同様
に第4層のQFP−LSI24についての電源、GND
への配線と信号配線の共存が可能となる。
In the above-described embodiment, a component having an inductance component is used as a component for separating a power supply. However, a component or a component group for converting a power supply voltage may be similarly applied to the QFP-LSI 24 of the fourth layer. Power supply, GND
Wiring and signal wiring can coexist.

【0078】[0078]

【発明の効果】本発明によれば、4層プリント配線基板
において、第1層にチップサイズパッケージLSIと、
QFP−LSIが実装され、これら両者間の配線が必要
な場合で、第1層チップサイズパッケージLSIのボー
ルピッチが狭く、第1層のみを用いて内周のボールから
パターンを引き出す事が出来ない場合において、内周ボ
ールを部分VIAホールを用いて第2層へ接続し、第2
層を用いて配線する場合においても、4層プリント配線
基板を用いて、第4層に部品を配置、配線する事が可能
となり、従来6層プリント配線基板を用いて基板の表裏
に部品を配置していた時と比べてプリント配線基板のコ
ストを下げる事ができる。
According to the present invention, in a four-layer printed wiring board, a chip size package LSI is provided on a first layer,
When the QFP-LSI is mounted and wiring between them is required, the ball pitch of the first-layer chip size package LSI is narrow, and it is not possible to draw a pattern from the inner peripheral ball using only the first layer. In this case, the inner peripheral ball is connected to the second layer using the partial VIA hole,
In the case of wiring using layers, components can be arranged and wired on the fourth layer using a four-layer printed wiring board, and components can be arranged on the front and back of the board using a conventional six-layer printed wiring board. The cost of the printed wiring board can be reduced as compared with the case where it has been performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における4層プリント配
線基板の断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of a four-layer printed wiring board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の第1層上面図FIG. 2 is a top view of a first layer of FIG. 1;

【図3】図1の第2層上面図FIG. 3 is a top view of a second layer in FIG. 1;

【図4】図1の第3層上面図FIG. 4 is a top view of a third layer of FIG. 1;

【図5】図1の第4層上面図FIG. 5 is a top view of a fourth layer in FIG. 1;

【図6】本発明の第2の実施例における4層プリント配
線基板の上面透視図
FIG. 6 is a top perspective view of a four-layer printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3の実施例における4層プリント配
線基板の上面透視図
FIG. 7 is a top perspective view of a four-layer printed wiring board according to a third embodiment of the present invention.

【図8】従来の6層プリント配線基板の断面図FIG. 8 is a sectional view of a conventional six-layer printed wiring board.

【図9】従来の4層プリント配線基板の断面図FIG. 9 is a sectional view of a conventional four-layer printed wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チップサイズパッケージLSI 2、24 QFP−LSI 11 GND端子ボール 12 電源端子ボール 13、14、15 信号端子ボール 16、22 バイパスコンデンサ 21、23 端子 4 4層プリント配線基板 401、402、403 絶縁層 411 GND端子用ランド 412 電源端子用ランド 413 信号端子用ランド 414 信号配線 415 第1層に配置されたQFP−LSIのチップサ
イズパッケージLSI以外への配線 42 第2層に配置されたQFP−LSIのチップサイ
ズパッケージLSIへの配線 521 電源層 53 GND層 541 電源層 542、643 GND用ランド 544 第4層に配置された信号配線 101 第1層、第2層が信号層、第3層がGND層、
第4層が電源層の領域 102 第1層、第4層が信号層、第3層がGND層、
第2層が電源層の領域 103 第1層が信号層、第2層、第4層が電源層、第
3層がGND層の領域 6 電源分離部品 71、72、73、74、75、83、84 VIAホ
ール
REFERENCE SIGNS LIST 1 chip size package LSI 2, 24 QFP-LSI 11 GND terminal ball 12 power supply terminal ball 13, 14, 15 signal terminal ball 16, 22 bypass capacitor 21, 23 terminal 4 four-layer printed wiring board 401, 402, 403 insulating layer 411 GND terminal land 412 Power terminal land 413 Signal terminal land 414 Signal wiring 415 Chip size of QFP-LSI arranged on first layer Wiring to other than package LSI 42 QFP-LSI chip arranged on second layer Wiring to size package LSI 521 Power supply layer 53 GND layer 541 Power supply layer 542, 643 Land for 544 544 Signal wiring 101 arranged in fourth layer 101 First and second layers are signal layers, third layer is GND layer,
The fourth layer is a region of a power supply layer 102 The first layer, the fourth layer is a signal layer, the third layer is a GND layer,
The second layer is a region of a power layer 103. The first layer is a signal layer, the second and fourth layers are regions of a power layer, and the third layer is a region of a GND layer. 6 Power separation components 71, 72, 73, 74, 75, 83 , 84 VIA Hall

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 4層プリント配線基板の第1層にパッケ
ージの裏面に複数の端子を備えた第1のLSIと,パッ
ケージの周辺に複数の端子を備えた第2のLSIとを配
置し、前記第1のLSIと前記第2のLSI間の配線を
行う領域については第1層と第2層を信号配線層に,第
3層をGND層に,第4層を電源層とする層構成領域
と、前記第1のLSIと前記第2のLSI間ではない領
域については第1層と第4層を信号配線層に,第3層を
GND層に,第2層を電源層とする層構成領域とに分割
し、前記第1のLSIと前記第2のLSI間の配線を行
う領域の第4層の電源層と、前記第1のLSIと前記第
2のLSI間ではない領域の第2層の電源層とを接続す
る貫通VIAホールを前記第2のLSIの占める領域内
に配置し、前記第1のLSIと前記第2のLSI間の配
線を行う領域と、前記第1のLSIと前記第2のLSI
間ではない領域のGND層を同一層に配置することでG
ND層に分断がないことを特徴とする4層プリント配線
基板。
1. A first LSI having a plurality of terminals on a back surface of a package on a first layer of a four-layer printed wiring board, and a second LSI having a plurality of terminals around a package. In a region where wiring between the first LSI and the second LSI is performed, a layer configuration in which a first layer and a second layer are signal wiring layers, a third layer is a GND layer, and a fourth layer is a power supply layer. A layer having a first layer and a fourth layer as signal wiring layers, a third layer as a GND layer, and a second layer as a power supply layer, for a region and a region not between the first LSI and the second LSI. A fourth power supply layer in a region where wiring is performed between the first LSI and the second LSI, and a fourth power supply layer in a region not between the first LSI and the second LSI. A penetrating via hole connecting the two power supply layers is arranged in a region occupied by the second LSI, and A region for wiring between an LSI and the second LSI, and a first LSI and a second LSI
By arranging the GND layer in an area that is not between them on the same layer,
A four-layer printed wiring board characterized in that the ND layer is not divided.
【請求項2】 第1のLSIと第2のLSI間の配線を
行う領域の第4層の電源層と、前記第1のLSIと前記
第2のLSI間ではない領域の第2層の電源層とを接続
する前記貫通VIAホールをプリント配線基板端に配置
したことを特徴とする請求項1記載の4層プリント配線
基板。
2. A power supply layer of a fourth layer in a region where wiring is performed between a first LSI and a second LSI, and a power supply of a second layer in a region not between the first LSI and the second LSI. 2. The four-layer printed wiring board according to claim 1, wherein the through-via holes connecting the layers are arranged at the ends of the printed wiring board.
【請求項3】 第1のLSIと第2のLSI間の配線を
行う領域の第4層の電源層と、前記第1のLSIと前記
第2のLSI間ではない領域の第2層の電源層とを電気
的に分離する部品を第4層に有し、前記電源分離部品の
前記第1のLSIと前記第2のLSI間ではない領域の
第2層の電源層への接続に用いる貫通VIAホールを前
記第1のLSIと前記第2のLSI間の配線を行う領域
の第4層の電源層と、前記第1のLSIと前記第2のL
SI間ではない領域の第2層の電源層とを接続する前記
貫通VIAホールと兼ねる構成にしたことを特徴とする
請求項1記載の4層プリント配線基板。
3. A power supply layer of a fourth layer in a region where wiring is performed between the first LSI and the second LSI, and a power supply of a second layer in a region not between the first LSI and the second LSI. A fourth layer having a component for electrically separating a layer from the first layer, and a through hole used for connecting a power supply separating component to a second power supply layer in a region not between the first LSI and the second LSI; A VIA hole is formed in a fourth power supply layer in a region where wiring is performed between the first LSI and the second LSI, and the first LSI and the second LSI
2. The four-layer printed wiring board according to claim 1, wherein the via also serves as the through-via hole for connecting to a second power supply layer in a region not between the SIs.
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JP2014107299A (en) * 2012-11-22 2014-06-09 Fuji Xerox Co Ltd Multilayer wiring board
WO2020165953A1 (en) * 2019-02-12 2020-08-20 三菱電機株式会社 Multilayer printed board

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