JP2001318829A - Device and method for controlling rewriting of flash memory - Google Patents

Device and method for controlling rewriting of flash memory

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JP2001318829A
JP2001318829A JP2000134096A JP2000134096A JP2001318829A JP 2001318829 A JP2001318829 A JP 2001318829A JP 2000134096 A JP2000134096 A JP 2000134096A JP 2000134096 A JP2000134096 A JP 2000134096A JP 2001318829 A JP2001318829 A JP 2001318829A
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data
flash memory
time
memory
written
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Hiroshi Ishii
浩 石井
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Funai Electric Co Ltd
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Funai Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the rewriting control method of a flash memory for preventing the deterioration of a processing speed due to the data erasing time of a flash memory, and for efficiently using the flash memory. SOLUTION: At the time of writing data in each block 5A-5D of a flash memory 5, a time when the data are written is recorded in time information areas 5a-5d of each block. The data written in the block 5B after a prescribed time has elapsed since the writing time are temporarily read in a saving area 4a of an RAM 4 based on this time information, and the time information at that time is stored in a history information area 4b. The read data are erased from the block 5B. Then, whether or not the data stored in the RAM 4 are referred to not less than the prescribed number of times is judged, and when the data have been referred to not less than the prescribed number of times, the data are written again in the flash memory 5, and otherwise, the data are erased from the RAM 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
の書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方
法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a flash memory rewrite control device and a flash memory rewrite control method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、組み込み型の制御装置において
は、データの書換え可能なメモリとしてフラッシュメモ
リが多く用いられている。例えば、実開平7−3280
0号公報には、フラッシュメモリ等の交換時期を通知す
るメモリ制御装置が開示されている。このメモリ制御装
置は、メモリ寿命によるシステムの不具合を回避でき
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, flash memories are often used as rewritable memories in embedded control devices. For example, Japanese Utility Model 7-3280
No. 0 discloses a memory control device for notifying the time of replacement of a flash memory or the like. This memory control device can avoid system malfunctions due to memory life.

【0003】一般に、フラッシュメモリは、64KB
(キロバイト)又は128KBのブロックに分割されて
おり、このブロック単位で電気的にデータの消去、書き
込みが可能である。既にデータが記録されたブロックの
書換えでは、まず、書換えを行うブロックの全てのデー
タを消去した後、新たなデータを書込む必要がある。こ
のうち、消去の段階は、比較的高価なフラッシュメモリ
では1秒もかからないが、比較的安価なフラッシュメモ
リでは3〜5秒程度の時間がかかる。このため、一連の
作業中にエラーが発生し、データが消失することがあっ
た。そこで、データの書込みエラーが生じても、データ
の消失を回避できる方法が提案されている。
Generally, a flash memory has a capacity of 64 KB.
It is divided into (kilobyte) or 128 KB blocks, and data can be electrically erased and written in block units. In rewriting a block in which data has already been recorded, it is necessary to first erase all data in the block to be rewritten and then write new data. The erasing step takes less than one second for a relatively expensive flash memory, but takes about 3 to 5 seconds for a relatively inexpensive flash memory. For this reason, an error occurred during a series of operations, and data was sometimes lost. Therefore, there has been proposed a method capable of avoiding data loss even when a data write error occurs.

【0004】例えば、特開平10−124403号公報
には、データ退避用のブロックを設けたブロック消去型
フラッシュメモリの書込み方法が開示されている。ま
た、例えば、特開平10−161942号公報には、フ
ラッシュメモリにバックアップブロックを設けた情報記
憶方法、情報記憶装置及び情報処理装置が開示されてい
る。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-124403 discloses a writing method for a block erase flash memory provided with a data saving block. Also, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-161942 discloses an information storage method, an information storage device, and an information processing device in which a backup block is provided in a flash memory.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように比較的安価なフラッシュメモリや、特殊な構造の
物は、ブロック単位の消去に時間がかかる。これはCP
Uにとって大きな負担となり、システムの性能低下の原
因となる。このため、書換処理における高速化と、効率
向上が求められていた。
However, relatively inexpensive flash memories and special structures as described above take a long time to erase in block units. This is CP
This causes a heavy burden on U and causes a decrease in system performance. For this reason, there has been a demand for higher speed and higher efficiency in the rewriting process.

【0006】本発明の課題は、フラッシュメモリのデー
タ消去時間によるシステムの性能低下を防止し、さらに
フラッシュメモリをより効率よく利用するためのフラッ
シュメモリの書換制御方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a flash memory rewriting control method for preventing a decrease in system performance due to a data erasing time of the flash memory and for more efficiently using the flash memory.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、複数のメモリブロックを備
えてなるフラッシュメモリの書き換えを制御するフラッ
シュメモリの書換制御装置(1)において、前記各メモ
リブロックにデータを書込む際に、データとともに書込
み時の日時を示す時間情報を各メモリブロックに書込む
書き込み制御手段(例えば、図1に示すCPU2)と、
この書き込み制御手段により書込まれた時間情報をもと
に、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み出
して記憶する一時記憶手段(例えば、図3のステップS
3に示す処理を行うCPU2;図1に示すRAM4)
と、この一時記憶手段によりデータが読み出された前記
所定のメモリブロックのデータをフラッシュメモリから
消去する消去手段(例えば、図3のステップS4に示す
処理を行うCPU2)と、を備えることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 is directed to a flash memory rewrite control device (1) for controlling rewriting of a flash memory having a plurality of memory blocks. Writing control means (for example, CPU 2 shown in FIG. 1) for writing time information indicating the date and time of writing together with the data when writing data to each of the memory blocks;
Temporary storage means for reading and storing data written in a predetermined memory block based on the time information written by the write control means (for example, step S in FIG. 3)
CPU 2 that performs the processing shown in 3; RAM 4 shown in FIG. 1)
And an erasing unit (for example, a CPU 2 performing the process shown in step S4 of FIG. 3) for erasing from the flash memory the data of the predetermined memory block from which the data is read by the temporary storage unit. And

【0008】ここで、フラッシュメモリとしては、例え
ば、各メモリブロックの容量が128KBであるものが
挙げられるが、64KBであっても良いし、その他の容
量としても良い。時間情報は、例えば、メモリブロック
にデータが書込まれた日時の、年、月、日、時、分、秒
を示すデータである。
Here, as the flash memory, for example, a memory having a capacity of 128 KB for each memory block may be mentioned, but it may be 64 KB or another capacity. The time information is, for example, data indicating the year, month, day, hour, minute, and second of the date and time when the data was written to the memory block.

【0009】請求項1記載の発明によれば、書込み制御
手段により書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリ
ブロックに書込まれたデータを一時記憶手段により読み
出して記憶し、この一時記憶手段によりデータが読み出
されたメモリブロックのデータを、消去手段によりフラ
ッシュメモリから消去する。従って、新しいデータを書
込む時は、すでにデータが消去された空きブロックに書
込めるので、フラッシュメモリのデータ消去時間による
システムの性能低下を防止できる。
According to the first aspect of the present invention, the data written in the predetermined memory block is read out and stored by the temporary storage means based on the time information written by the write control means. The data in the memory block from which the data has been read by the storage means is erased from the flash memory by the erasing means. Therefore, when writing new data, the data can be written to the empty block from which the data has already been erased, so that it is possible to prevent the performance of the system from deteriorating due to the data erasing time of the flash memory.

【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載のフ
ラッシュメモリの書換制御装置において、前記一時記憶
手段に記憶されたデータが所定の回数以上参照されたか
否かを判別する判別手段(例えば、図3のステップS7
に示す処理を行うCPU2)と、この判別手段によって
所定の回数以上参照されたと判別されたデータを前記フ
ラッシュメモリに再び書込み、前記判別手段によって所
定の回数以上参照されていないと判別されたデータを前
記一時記憶手段から消去する再書き込み制御手段(例え
ば、図3のステップS8、9に示す処理を行うCPU
2)とをさらに備えることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the flash memory rewrite control device according to the first aspect, the determining means (for example, determining whether or not the data stored in the temporary storage means has been referred to a predetermined number of times or more). Step S7 in FIG.
CPU 2) which performs the processing shown in FIG. 3) and writes again the data determined to have been referred to by the discrimination means a predetermined number of times or more in the flash memory, and deletes the data discriminated by the discrimination means to be not referred to by the predetermined number of times or more. Rewriting control means for erasing from the temporary storage means (for example, a CPU for performing the processing shown in steps S8 and S9 in FIG. 3)
2) is further provided.

【0011】ここで、前記所定の回数は、データの性質
によって任意に設定できる。また、所定の回数以上参照
されたか否かを判別する一定の時間も、データの性質に
よって任意に設定できる。
Here, the predetermined number can be set arbitrarily according to the nature of the data. In addition, a certain time for determining whether or not a reference has been made a predetermined number of times or more can be arbitrarily set according to the nature of data.

【0012】請求項2記載の発明によれば、一時記憶手
段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照され
たデータを、再びフラッシュメモリに書込むので、頻繁
に参照される重要なデータは保存される。また、一時記
憶手段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照
されていないデータについては、重要度が著しく低いと
判断して一時記憶手段から消去するため、効率よくフラ
ッシュメモリを利用することができる。
According to the second aspect of the present invention, of the data stored in the temporary storage means, the data referred to a predetermined number of times or more is written into the flash memory again. Is saved. Further, among the data stored in the temporary storage means, data not referred to more than a predetermined number of times is determined to be extremely low in importance and is deleted from the temporary storage means. Can be.

【0013】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載のフラッシュメモリの書換制御装置において、前記
一時記憶手段は、前記各メモリブロックのうち、現在か
ら一定時間以上前の日時を示す時間情報が書き込まれた
メモリブロックから、データを読み出して記憶すること
を特徴とする。
[0013] The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2.
In the flash memory rewrite control device described above, the temporary storage means reads and stores data from a memory block in which time information indicating a date and time earlier than a predetermined time from the present is written out of the respective memory blocks. It is characterized by.

【0014】請求項3記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると、一時記憶手段によって読み出
される。このため、一定時間以上経過したデータは、順
次、一時記憶手段に記憶されて、参照された回数に応じ
て保存され、或いは消去される。従って、より効率よく
フラッシュメモリを利用することができる。
According to the third aspect of the present invention, the data written in the memory block is read out by the temporary storage means when a predetermined time or more has elapsed from the date and time indicated by the time information. For this reason, data that has passed a certain time or more is sequentially stored in the temporary storage means, and is stored or deleted according to the number of times referred to. Therefore, the flash memory can be used more efficiently.

【0015】請求項4記載の発明は、複数のメモリブロ
ックを備えてなるフラッシュメモリの書き換えを制御す
るフラッシュメモリの書換制御方法において、前記各メ
モリブロックにデータを書込む際に、データとともに書
込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロックに書込
む第1工程と、この第1工程で書込まれた時間情報をも
とに、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み
出して記憶媒体(例えば、図1に示すRAM4)に記憶
させる第2工程(例えば、図3に示すステップS3)
と、この第2工程でデータが読み出された前記所定のメ
モリブロックのデータをフラッシュメモリから消去する
第3工程(例えば、図3に示すステップS4)と、を含
むことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a flash memory rewrite control method for controlling rewriting of a flash memory including a plurality of memory blocks, wherein when writing data to each of the memory blocks, the data is written together with the data. A step of writing time information indicating the date and time of each memory block into each memory block, and reading out the data written in a predetermined memory block based on the time information written in the first step to read out the storage medium ( For example, a second process (for example, step S3 shown in FIG. 3) to be stored in the RAM 4 shown in FIG.
And a third step (for example, step S4 shown in FIG. 3) of erasing from the flash memory the data of the predetermined memory block from which the data has been read in the second step.

【0016】請求項4記載の発明によれば、データとと
もに書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリブロッ
クに書込まれたデータを読み出して記憶媒体に記憶し、
この記憶媒体にデータが読み出されたメモリブロックの
データを、フラッシュメモリから消去する。従って、新
しいデータを書込む時は、すでにデータが消去された空
きブロックに書込めるので、フラッシュメモリのデータ
消去時間によるシステムの性能低下を防止できる。
According to the fourth aspect of the present invention, data written in a predetermined memory block is read out and stored in a storage medium based on time information written together with the data,
The data in the memory block from which the data has been read to the storage medium is erased from the flash memory. Therefore, when writing new data, the data can be written to the empty block from which the data has already been erased, so that it is possible to prevent the performance of the system from deteriorating due to the data erasing time of the flash memory.

【0017】請求項5記載の発明は、請求項4記載のフ
ラッシュメモリの書換制御方法であって、前記第2工程
で記憶媒体に記憶されたデータが所定の回数以上参照さ
れたか否かを判別する第4工程(例えば、図3に示すス
テップS7)と、この第4工程で所定の回数以上参照さ
れたと判別されたデータを前記フラッシュメモリに再び
書込む第5工程(例えば、図3に示すステップS8)
と、前記第4工程で所定の回数以上参照されていないと
判別されたデータを記憶媒体から消去する第6工程(例
えば、図3に示すステップS9)と、をさらに含むこと
を特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the flash memory rewriting control method according to the fourth aspect, it is determined whether or not the data stored in the storage medium in the second step has been referred to a predetermined number of times or more. A fourth step (for example, step S7 shown in FIG. 3), and a fifth step (for example, as shown in FIG. 3) of rewriting the data determined to have been referred to a predetermined number of times or more in the fourth step into the flash memory. Step S8)
And a sixth step (eg, step S9 shown in FIG. 3) of erasing, from the storage medium, data determined to have not been referred to a predetermined number of times in the fourth step.

【0018】請求項5記載の発明によれば、記憶媒体に
記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照されたデ
ータを、再びフラッシュメモリに書込むので、重要なデ
ータは保存される。また、記憶媒体に記憶されたデータ
のうち、所定の回数以上参照されていないデータについ
ては、重要度が低いと判断して一時記憶手段から消去す
るため、効率よくフラッシュメモリを利用することがで
きる。
According to the fifth aspect of the present invention, the data referred to a predetermined number of times or more out of the data stored in the storage medium is written into the flash memory again, so that important data is preserved. Further, among the data stored in the storage medium, data that has not been referred to a predetermined number of times or more is determined to be of low importance and is deleted from the temporary storage means, so that the flash memory can be used efficiently. .

【0019】請求項6記載の発明は、請求項4または5
記載のフラッシュメモリの書換制御方法であって、前記
第2工程では、前記各メモリブロックのうち、現在から
一定時間以上前の日時を示す時間情報が書き込まれたメ
モリブロックから、データが読み出されることを特徴と
する。
The invention according to claim 6 is the invention according to claim 4 or 5.
The rewriting control method for a flash memory according to the above, wherein in the second step, data is read from a memory block in which time information indicating a date and time a predetermined time or more before the current time is written, among the memory blocks. It is characterized by.

【0020】請求項6記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると記憶媒体に読み出される。この
ため、一定時間以上経過したデータは、順次、記憶媒体
に記憶されて、参照された回数に応じて保存され、或い
は消去される。従って、より効率よくフラッシュメモリ
を利用することができる。
According to the present invention, the data written in the memory block is read out to the storage medium when a predetermined time or more has elapsed from the date and time indicated by the time information. For this reason, data that has passed a certain time or more is sequentially stored in a storage medium and stored or deleted according to the number of times of reference. Therefore, the flash memory can be used more efficiently.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0022】まず、構成を説明する。図1は、本発明の
一実施の形態におけるフラッシュメモリの書換制御装置
1の内部回路構成を示すブロック図である。制御装置1
は、各種家庭用、産業用の電子機器を制御するため、こ
れらの機器に内蔵され、あるいは外部に接続された制御
装置である。図1に示すように、この制御装置1は、C
PU(Central Processing Unit)2、ROM(Read On
ly Memory)3、RAM(Random Access Memory)4、
フラッシュメモリ5、制御インターフェース6を備え、
これらはバス7で結合されている。
First, the configuration will be described. FIG. 1 is a block diagram showing an internal circuit configuration of a flash memory rewrite control device 1 according to an embodiment of the present invention. Control device 1
Is a control device built in these devices or connected to the outside in order to control various household and industrial electronic devices. As shown in FIG. 1, this control device 1
PU (Central Processing Unit) 2, ROM (Read On
ly Memory) 3, RAM (Random Access Memory) 4,
A flash memory 5 and a control interface 6;
These are connected by a bus 7.

【0023】CPU2は、ROM3に記憶される各種シ
ステムプログラムを読み出して実行し、各部を駆動制御
する。具体的には、CPU2は、フラッシュメモリ5の
ブロック5A〜5Dにデータを書込むとともに、各ブロ
ックにデータを書込んだ日時を示す時間情報を、各ブロ
ックの時間情報エリア5a〜5dに記録する。ここで、
時間情報は、例えば、年、月、日、時、分、秒を示すデ
ータとして記録される。
The CPU 2 reads and executes various system programs stored in the ROM 3, and controls the driving of each unit. Specifically, the CPU 2 writes data in the blocks 5A to 5D of the flash memory 5 and records time information indicating the date and time when the data was written in each block in the time information areas 5a to 5d of each block. . here,
The time information is recorded as data indicating, for example, year, month, day, hour, minute, and second.

【0024】また、CPU2は、所定時間毎に、時間情
報エリア5a〜5dをチェックし、各時間情報エリア5
a〜5dに記録された情報をもとに、書込まれてから所
定の時間が経過したブロックのデータを読み出してRA
M4の退避エリア4aに格納し、このブロックのデータ
を消去する。データを消去したブロックには、適宜、新
たなデータを書込む。
Further, the CPU 2 checks the time information areas 5a to 5d at predetermined time intervals.
Based on the information recorded in a to 5d, data of a block which has been written for a predetermined time has been read out and RA
The data is stored in the save area 4a of M4, and the data of this block is erased. New data is appropriately written into the block from which data has been erased.

【0025】CPU2は、データを読み出してRAM4
の退避エリア4aに格納した時の日時を示す時間情報
を、例えば、年月日と時分秒とで表して履歴情報エリア
4bに記録するとともに、当該データが参照される毎
に、その参照回数を履歴情報エリア4bに記録する。
The CPU 2 reads out the data and sends it to the RAM 4
The time information indicating the date and time when the data is stored in the evacuation area 4a is recorded in the history information area 4b, for example, in the form of year, month, day, hour, minute, and second. Is recorded in the history information area 4b.

【0026】そして、CPU2は、退避エリア4a内の
データが一定の時間内に所定の回数以上参照された場合
は、退避エリア4a内のデータをフラッシュメモリ5の
空きブロックに再び書込む。空きブロックにデータを書
込んだ時の日時を示す時間情報も、当該ブロックの時間
情報エリアに記録する。また、退避エリア4a内のデー
タが所定の回数以上参照されていない場合は、RAM4
からデータを消去する。また、データを読み出してRA
M4の退避エリア4aに格納してからある一定の期間、
データが一度も参照されない場合は、退避エリア4a内
のデータをRAM4から消去する。
When the data in the save area 4a is referred to a predetermined number of times or more within a predetermined time, the CPU 2 writes the data in the save area 4a again into a free block of the flash memory 5. Time information indicating the date and time when data was written to the empty block is also recorded in the time information area of the block. If the data in the save area 4a has not been referred to more than a predetermined number of times, the RAM 4
Erase data from. Also, the data is read and RA
For a certain period after being stored in the evacuation area 4a of M4,
If the data is never referred to, the data in the save area 4a is erased from the RAM 4.

【0027】RAM4は、CPU2によって実行される
各種プログラム、及び、これらのプログラムに係るデー
タを一時的に記憶する。さらに、図2に示すように、R
AM4には、フラッシュメモリ5から一時的にデータを
退避させるための退避エリア4aが設けられている。さ
らに、退避エリア4aには、退避エリア4a内のデータ
が参照された回数を記録する履歴情報エリア4bが設け
られている。また、履歴情報エリア4bには、フラッシ
ュメモリ5のデータが読み出されて退避エリア4aに格
納された時の日時が、例えば、年月日と時分秒を表すデ
ータとして記録される。
The RAM 4 temporarily stores various programs executed by the CPU 2 and data relating to these programs. Further, as shown in FIG.
The AM 4 is provided with a save area 4 a for temporarily saving data from the flash memory 5. Further, the evacuation area 4a is provided with a history information area 4b for recording the number of times data in the evacuation area 4a is referred to. In the history information area 4b, the date and time when the data in the flash memory 5 is read and stored in the evacuation area 4a is recorded as data representing, for example, year, month, day, hour, minute, and second.

【0028】フラッシュメモリ5には、CPU2によっ
て実行される各種プログラムに係るデータ等が記録され
ている。フラッシュメモリ5は、4個のデータ書込み用
メモリブロック5A〜5Dによって構成され、各ブロッ
クの容量は128KBである。各ブロック5A〜5Dに
は、各ブロックにデータが書込まれた際の日時、例え
ば、年月日と時分秒とを記録する時間情報エリア5a〜
5dが設けられている。
The flash memory 5 stores data relating to various programs executed by the CPU 2 and the like. The flash memory 5 includes four data writing memory blocks 5A to 5D, each of which has a capacity of 128 KB. In each of the blocks 5A to 5D, a time information area 5a to record the date and time when data is written in each block, for example, date, hour, minute and second.
5d is provided.

【0029】制御インターフェース6は、上記家庭用、
産業用の電子機器と、制御装置1とが接続されるインタ
ーフェースであり、この制御インターフェース6を介し
て入出力されるデータや制御信号によって上記各機器が
駆動制御される。
The control interface 6 is for the home use,
This is an interface for connecting the industrial electronic device and the control device 1, and the devices are driven and controlled by data and control signals input and output via the control interface 6.

【0030】次に、本実施の形態の動作を説明する。図
3は、本実施の形態における制御装置1の動作を示すフ
ローチャートである。CPU2は、フラッシュメモリ5
の各ブロック5A〜5Dにデータを書込み、データを書
込んだ時の日時を示す時間情報を、例えば、年月日と時
分秒とで表して各ブロック5A〜5Dの時間情報エリア
5a〜5dに記録する。
Next, the operation of this embodiment will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the operation of control device 1 in the present embodiment. The CPU 2 has a flash memory 5
The data is written in each of the blocks 5A to 5D, and time information indicating the date and time when the data was written is represented by, for example, year, month, day, hour, minute, and second, and the time information areas 5a to 5d of the blocks 5A to 5D. To record.

【0031】そして、CPU2は、所定時間毎に、時間
情報エリア5a〜5dに記録した時間情報をもとに、フ
ラッシュメモリ5の各ブロック5A〜5Dへの書込み時
間から一定の時間が経過しているブロックを検索する
(ステップS1)。該当するブロックがなければステッ
プS1へ戻り、該当するブロックがあればステップS3
へ移行する(ステップS2)。なお、ここでは、フラッ
シュメモリ5のブロック5Bについて処理を行うものと
して説明する。
Then, at predetermined time intervals, the CPU 2 elapses a predetermined time from the time of writing to each of the blocks 5A to 5D of the flash memory 5 based on the time information recorded in the time information areas 5a to 5d. A search is made for the block that is present (step S1). If there is no corresponding block, the process returns to step S1, and if there is a corresponding block, step S3
Go to (Step S2). Here, a description will be given assuming that processing is performed on the block 5B of the flash memory 5.

【0032】CPU2は、書込み時間から一定の時間が
経過しているブロック5Bのデータを読み出してRAM
4の退避エリア4aへ格納する。また、CPU2は、ブ
ロック5Bのデータを読み出して退避エリア4aに格納
した時の日時を示す時間情報を、例えば、年月日と時分
秒を表すデータとして退避エリア4aの履歴情報エリア
4bに記録する(ステップS3)。
The CPU 2 reads out the data of the block 5B for which a certain time has elapsed from the writing time and reads the data from the RAM 5B.
4 in the evacuation area 4a. Further, the CPU 2 records time information indicating the date and time when the data of the block 5B is read and stored in the evacuation area 4a in the history information area 4b of the evacuation area 4a as data representing, for example, year, month, day, hour, minute and second. (Step S3).

【0033】そして、CPU2は、RAM4の退避エリ
ア4aに読み出して格納したデータを、フラッシュメモ
リ5のブロック5Bから消去し、時間情報エリア5bに
記録されているデータの時間情報も消去する(ステップ
S4)。従って、ブロック5Bは空き領域となり、適宜
データを書込むことが可能となる。
Then, the CPU 2 erases the data read and stored in the save area 4a of the RAM 4 from the block 5B of the flash memory 5, and also erases the time information of the data recorded in the time information area 5b (step S4). ). Therefore, the block 5B becomes an empty area, and data can be written as appropriate.

【0034】ステップS5では、RAM4の退避エリア
4aに格納したデータが参照された回数を、履歴情報エ
リア4bに記録する。また、データが参照された時の日
時を示す時間情報も、例えば、年月日と時分秒とで表し
て履歴情報エリア4bに記録する。そして、ステップS
6では、履歴情報エリア4bに記録した時間情報をもと
に、データをRAM4に格納した時から一定の時間が経
過するまで待機し、一定の時間が経過したら、ステップ
S7へ移行する。
In step S5, the number of times the data stored in the save area 4a of the RAM 4 has been referred to is recorded in the history information area 4b. In addition, time information indicating the date and time when the data is referred to is also recorded in the history information area 4b, for example, expressed as year, month, day and hour, minute, second. And step S
In step 6, based on the time information recorded in the history information area 4b, the process waits until a certain time elapses from the time when the data is stored in the RAM 4, and after the certain time elapses, proceeds to step S7.

【0035】ステップS7では、履歴情報エリア4bに
記録したデータの参照回数をもとに、RAM4の退避エ
リア4aに格納したデータが所定の回数以上参照された
か否かを判別する。ここで、退避エリア4aのデータ
が、一定の時間内に、所定の回数以上参照されたと判別
した場合は、ステップS8へ移行する。
In step S7, it is determined whether or not the data stored in the save area 4a of the RAM 4 has been referred to a predetermined number of times or more based on the number of times of reference to the data recorded in the history information area 4b. Here, when it is determined that the data in the evacuation area 4a has been referred to a predetermined number of times or more within a certain time, the process proceeds to step S8.

【0036】ステップS8では、退避エリア4aのデー
タを、一定の時間内に所定の回数以上参照されているの
で重要なデータと見なし、再びフラッシュメモリの空き
ブロックへ書込む。対応する時間情報エリアには、デー
タを再び書込んだ時の日時を示す新しい時間情報を、例
えば、年月日と時分秒で表して記録しておく。
In step S8, the data in the save area 4a is referred to as important data since it has been referred to more than a predetermined number of times within a predetermined time, and is written again to an empty block of the flash memory. In the corresponding time information area, new time information indicating the date and time when the data was written again is recorded, for example, in terms of year, month, day, hour, minute, and second.

【0037】一方、ステップS7で、退避エリア4aの
データが一定の時間内に所定の回数以上参照されていな
いと判別した場合は、ステップS9へ移行する。ステッ
プS9では、退避エリア4aのデータと履歴情報エリア
4bに記録した時間情報をRAM4から消去する。
On the other hand, if it is determined in step S7 that the data in the evacuation area 4a has not been referred to more than a predetermined number of times within a predetermined time, the process proceeds to step S9. In step S9, the data in the save area 4a and the time information recorded in the history information area 4b are deleted from the RAM 4.

【0038】ここで、ステップS7における、退避エリ
ア4a内のデータをフラッシュメモリ5に再び書込む
か、又は、RAM4から消去するかを判断する所定の回
数は、データの性質によって設定すればよく、また、ス
テップS6における、所定の回数以上参照されたか否か
を判別する一定の時間も、データの性質によって設定す
ればよい。
Here, the predetermined number of times for determining whether to rewrite the data in the save area 4a to the flash memory 5 or to erase the data from the RAM 4 in step S7 may be set according to the nature of the data. In addition, the predetermined time for determining whether or not reference has been made a predetermined number of times or more in step S6 may be set according to the nature of the data.

【0039】例えば、ブロック5Bのデータを読み出し
て退避エリア4aに格納した時から、この退避エリア4
a内のデータが初めて参照されるまでの時間を測定す
る。そして、この時間の3倍、或いは5倍した時間を、
上記一定の時間とする。この場合、ブロック5B内のデ
ータは、一律に規定された時間ではなく、そのデータが
最初に参照されるまでの時間をもとに、保存または消去
される。すなわち、絶対的な時間をもとに重要度が判断
されるのではなく、当該データが参照される頻度の変化
に基づいて、データの重要度が判断される。このため、
他のデータに比べて参照される頻度が低く、かつ重要な
データであっても、不用意に消去されることはなく、参
照される頻度が低下した場合には削除される。
For example, from the time when the data of the block 5B is read and stored in the save area 4a,
The time until the data in a is referred to for the first time is measured. And 3 times or 5 times this time,
The above-mentioned fixed time is set. In this case, the data in the block 5B is stored or deleted based on the time until the data is first referred to, instead of the uniformly prescribed time. That is, the importance is not determined based on the absolute time, but the importance of the data is determined based on a change in the frequency of referring to the data. For this reason,
Even data that is referenced less frequently than other data and that is important is not accidentally deleted, and is deleted when the frequency of reference is reduced.

【0040】また、例えば、履歴情報エリア4bに記録
された時間情報を定期的にサンプリングし、退避エリア
4a内のデータの一定時間内の参照回数を予測するよう
にしてもよい。そして、退避エリア4a内のデータが、
一定時間内に、予測された回数参照された場合、又は、
予測された回数より多く参照された場合に、当該データ
をフラッシュメモリ5の空きブロックに再び記録しても
よい。さらに、退避エリア4a内のデータの一定時間内
に参照された回数が、予測された回数より少ない時、当
該データをRAM4から消去してもよい。
Further, for example, the time information recorded in the history information area 4b may be periodically sampled, and the number of times the data in the save area 4a is referred to within a certain time may be predicted. Then, the data in the evacuation area 4a is
When the predicted number of times is referred within a certain period of time, or
When the data is referred to more than the predicted number of times, the data may be recorded again in a free block of the flash memory 5. Further, when the number of times the data in the save area 4a is referred to within a certain time is smaller than the predicted number, the data may be deleted from the RAM 4.

【0041】以上のように、本発明の一実施の形態にお
ける制御装置1によれば、フラッシュメモリ5にデータ
を書込む際には、データを、データがブロック5A〜5
Dに書込まれた時間情報とともに記録し、一定の時間が
経過すると一旦RAM4の退避エリア4aに退避させ、
退避させたデータはフラッシュメモリ5から消去する。
従って、古いデータはフラッシュメモリ5から消去さ
れ、データが消去されたブロックには新たなデータを書
込んで利用できるので、データの消去時間が原因でおこ
るシステムの性能低下を防ぐことができ、かつフラッシ
ュメモリ5を効率的に利用できる。
As described above, according to the control device 1 of the embodiment of the present invention, when writing data to the flash memory 5, the data is written in the blocks 5A to 5A.
D is recorded together with the time information written in D, and after a certain time elapses, is temporarily evacuated to the evacuation area 4a of the RAM 4,
The saved data is erased from the flash memory 5.
Therefore, the old data is erased from the flash memory 5 and new data can be written and used in the block from which the data has been erased, so that the performance degradation of the system due to the data erasing time can be prevented, and The flash memory 5 can be used efficiently.

【0042】また、一旦RAM4の退避エリア4aに退
避させたデータについては、RAM4に読み出した時の
時間情報と、そのデータが参照された回数及び参照され
た時の時間情報を履歴情報エリア4bに記録して、参照
された回数が所定の回数以上のデータは、再びフラッシ
ュメモリ5に書込む。従って、頻繁に参照される重要な
データは、フラッシュメモリ5かRAM4のどちらかに
記憶されているので、重要なデータの消去を防止でき
る。一方、参照された回数が所定の回数以下の重要度の
低いデータは、RAM4から消去されるので、フラッシ
ュメモリ5を効率的に利用できる。
For the data once saved in the save area 4a of the RAM 4, the time information when the data is read out to the RAM 4, the number of times the data is referred, and the time information when the data is referred are stored in the history information area 4b. Data that has been recorded and referenced more than a predetermined number of times is written into the flash memory 5 again. Therefore, important data that is frequently referred to is stored in either the flash memory 5 or the RAM 4, so that erasure of important data can be prevented. On the other hand, data of low importance whose number of times of reference is equal to or less than the predetermined number of times is erased from the RAM 4, so that the flash memory 5 can be used efficiently.

【0043】なお、以上の実施の形態においては、フラ
ッシュメモリ5の各ブロックのサイズを128KBとし
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、64KBであっても良いし、その他のサイズとする
ことももちろん可能である。また、上記実施の形態にお
いては、フラッシュメモリ5のブロックを4個とした
が、このブロック数についても任意である。
In the above embodiment, the size of each block of the flash memory 5 is 128 KB. However, the present invention is not limited to this, and may be, for example, 64 KB. Of course, it is also possible to set the size. In the above embodiment, the flash memory 5 has four blocks. However, the number of blocks is arbitrary.

【0044】また、上記実施の形態においては、RAM
4に退避させるデータは、各ブロックへの書込み時間か
ら一定の時間が経過しているものとしたが、これに限ら
ず、例えば、各ブロックの中で、書き込まれた時間が最
も古いデータのみを退避させるようにしてもよい。
In the above embodiment, the RAM
The data saved in the block 4 is assumed to have passed a certain time from the time of writing to each block. However, the present invention is not limited to this. You may make it evacuate.

【0045】[0045]

【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、書込み制
御手段により書込まれた時間情報をもとに、所定のメモ
リブロックに書込まれたデータを一時記憶手段により読
み出して記憶し、この一時記憶手段によりデータが読み
出されたメモリブロックのデータを、消去手段によりフ
ラッシュメモリから消去する。従って、新しいデータを
書込む時は、すでにデータが消去された空きブロックに
書込めるので、フラッシュメモリのデータ消去時間によ
るシステムの性能低下を防止できる。
According to the first aspect of the present invention, the data written in the predetermined memory block is read out and stored by the temporary storage means based on the time information written by the write control means, The data in the memory block from which the data has been read by the temporary storage means is erased from the flash memory by the erasing means. Therefore, when writing new data, the data can be written to the empty block from which the data has already been erased, so that it is possible to prevent the performance of the system from deteriorating due to the data erasing time of the flash memory.

【0046】請求項2記載の発明によれば、一時記憶手
段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照され
たデータを、再びフラッシュメモリに書込むので、頻繁
に参照される重要なデータは保存される。また、一時記
憶手段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照
されていないデータについては、重要度が著しく低いと
判断して一時記憶手段から消去するため、効率よくフラ
ッシュメモリを利用することができる。
According to the second aspect of the present invention, the data which is referred to a predetermined number of times or more out of the data stored in the temporary storage means is written into the flash memory again, so that important data which is frequently referred to is stored. Is saved. Further, among the data stored in the temporary storage means, data not referred to more than a predetermined number of times is determined to be extremely low in importance and is deleted from the temporary storage means. Can be.

【0047】請求項3記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると、一時記憶手段によって読み出
される。このため、一定時間以上経過したデータは、順
次、一時記憶手段に記憶されて、参照された回数に応じ
て保存され、或いは消去される。従って、より効率よく
フラッシュメモリを利用することができる。
According to the third aspect of the present invention, the data written in the memory block is read out by the temporary storage means when a predetermined time or more has elapsed from the date and time indicated by the time information. For this reason, data that has passed a certain time or more is sequentially stored in the temporary storage means, and is stored or deleted according to the number of times referred to. Therefore, the flash memory can be used more efficiently.

【0048】請求項4記載の発明によれば、データとと
もに書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリブロッ
クに書込まれたデータを読み出して記憶媒体に記憶し、
この記憶媒体にデータが読み出されたメモリブロックの
データを、フラッシュメモリから消去する。従って、新
しいデータを書込む時は、すでにデータが消去された空
きブロックに書込めるので、フラッシュメモリのデータ
消去時間によるシステムの性能低下を防止できる。
According to the fourth aspect of the present invention, data written in a predetermined memory block is read out and stored in a storage medium based on time information written together with the data,
The data in the memory block from which the data has been read to the storage medium is erased from the flash memory. Therefore, when writing new data, the data can be written to the empty block from which the data has already been erased, so that it is possible to prevent the performance of the system from deteriorating due to the data erasing time of the flash memory.

【0049】請求項5記載の発明によれば、記憶媒体に
記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照されたデ
ータを、再びフラッシュメモリに書込むので、重要なデ
ータは保存される。また、記憶媒体に記憶されたデータ
のうち、所定の回数以上参照されていないデータについ
ては、重要度が低いと判断して一時記憶手段から消去す
るため、効率よくフラッシュメモリを利用することがで
きる。
According to the fifth aspect of the present invention, the data referred to a predetermined number of times or more out of the data stored in the storage medium is written into the flash memory again, so that important data is preserved. Further, among the data stored in the storage medium, data that has not been referred to a predetermined number of times or more is determined to be of low importance and is deleted from the temporary storage means, so that the flash memory can be used efficiently. .

【0050】請求項6記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると記憶媒体に読み出される。この
ため、一定時間以上経過したデータは、順次、記憶媒体
に記憶されて、参照された回数に応じて保存され、或い
は消去される。従って、より効率よくフラッシュメモリ
を利用することができる。
According to the invention described in claim 6, the data written in the memory block is read out to the storage medium when a predetermined time or more has elapsed from the date and time indicated by the time information. For this reason, data that has passed a certain time or more is sequentially stored in a storage medium and stored or deleted according to the number of times of reference. Therefore, the flash memory can be used more efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した一実施の形態におけるフラッ
シュメモリを備えた制御装置1の内部回路構成を示すブ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an internal circuit configuration of a control device 1 including a flash memory according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すフラッシュメモリ5とRAM4の構
成を模式的に示す図である。
FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of a flash memory 5 and a RAM 4 shown in FIG.

【図3】図1に示す制御装置1により実行されるフラッ
シュメモリのデータ書換え処理を示すフローチャートで
ある。
FIG. 3 is a flowchart showing a flash memory data rewriting process executed by the control device 1 shown in FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 制御装置 2 CPU 3 ROM 4 RAM 4a 退避エリア 4b 履歴情報エリア 5 フラッシュメモリ 5A〜5D メモリブロック 5a〜5d 時間情報エリア 6 制御インターフェース Reference Signs List 1 control device 2 CPU 3 ROM 4 RAM 4a save area 4b history information area 5 flash memory 5A to 5D memory block 5a to 5d time information area 6 control interface

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数のメモリブロックを備えてなるフラッ
シュメモリの書き換えを制御するフラッシュメモリの書
換制御装置において、 前記各メモリブロックにデータを書込む際に、データと
ともに書込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロッ
クに書込む書き込み制御手段と、 この書き込み制御手段により書込まれた時間情報をもと
に、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み出
して記憶する一時記憶手段と、 この一時記憶手段によりデータが読み出された前記所定
のメモリブロックのデータをフラッシュメモリから消去
する消去手段と、 を備えることを特徴とするフラッシュメモリの書換制御
装置。
1. A flash memory rewriting control device for controlling rewriting of a flash memory comprising a plurality of memory blocks, wherein when writing data to each of the memory blocks, time information indicating the date and time of writing together with the data. Write control means for writing data into each memory block, temporary storage means for reading and storing data written in a predetermined memory block based on time information written by the write control means, A flash memory rewriting control device, comprising: an erasing means for erasing, from the flash memory, data of the predetermined memory block from which data has been read by the storage means.
【請求項2】前記一時記憶手段に記憶されたデータが所
定の回数以上参照されたか否かを判別する判別手段と、 この判別手段によって所定の回数以上参照されたと判別
されたデータを前記フラッシュメモリに再び書込み、前
記判別手段によって所定の回数以上参照されていないと
判別されたデータを前記一時記憶手段から消去する再書
き込み制御手段とをさらに備えることを特徴とする請求
項1記載のフラッシュメモリの書換制御装置。
A determining means for determining whether or not the data stored in the temporary storage means has been referred to a predetermined number of times or more; 2. The flash memory according to claim 1, further comprising: rewriting control means for rewriting data into the memory, and erasing, from the temporary storage means, data determined as not being referred to by a predetermined number of times or more by the determination means. Rewriting control device.
【請求項3】前記一時記憶手段は、前記各メモリブロッ
クのうち、現在から一定時間以上前の日時を示す時間情
報が書き込まれたメモリブロックから、データを読み出
して記憶することを特徴とする請求項1または2記載の
フラッシュメモリの書換制御装置。
3. The temporary storage means reads and stores data from a memory block in which time information indicating a date and time that is a predetermined time or more before the present time is written from among the respective memory blocks. Item 3. A flash memory rewrite control device according to item 1 or 2.
【請求項4】複数のメモリブロックを備えてなるフラッ
シュメモリの書き換えを制御するフラッシュメモリの書
換制御方法において、 前記各メモリブロックにデータを書込む際に、データと
ともに書込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロッ
クに書込む第1工程と、 この第1工程で書込まれた時間情報をもとに、所定のメ
モリブロックに書込まれたデータを読み出して記憶媒体
に記憶させる第2工程と、 この第2工程でデータが読み出された前記所定のメモリ
ブロックのデータをフラッシュメモリから消去する第3
工程と、 を含むことを特徴とするフラッシュメモリの書換制御方
法。
4. A flash memory rewriting control method for controlling rewriting of a flash memory including a plurality of memory blocks, wherein when writing data to each of the memory blocks, time information indicating the date and time of writing together with the data. And a second step of reading data written in a predetermined memory block and storing it in a storage medium based on the time information written in the first step. A third step of erasing from the flash memory the data of the predetermined memory block from which the data has been read in the second step;
A method for controlling rewriting of a flash memory, comprising the steps of:
【請求項5】前記第2工程で記憶媒体に記憶されたデー
タが所定の回数以上参照されたか否かを判別する第4工
程と、 この第4工程で所定の回数以上参照されたと判別された
データを前記フラッシュメモリに再び書込む第5工程
と、 前記第4工程で所定の回数以上参照されていないと判別
されたデータを記憶媒体から消去する第6工程と、 をさらに含むことを特徴とする請求項4記載のフラッシ
ュメモリの書換制御方法。
5. A fourth step of determining whether the data stored in the storage medium in the second step has been referred to a predetermined number of times or more, and it is determined in the fourth step that the data stored in the storage medium has been referred to a predetermined number of times or more. A fifth step of rewriting data to the flash memory; and a sixth step of erasing, from the storage medium, data determined to have not been referred to by the predetermined number of times in the fourth step. 5. The flash memory rewriting control method according to claim 4, wherein:
【請求項6】前記第2工程では、前記各メモリブロック
のうち、現在から一定時間以上前の日時を示す時間情報
が書き込まれたメモリブロックから、データが読み出さ
れることを特徴とする請求項4または5記載のフラッシ
ュメモリの書換制御方法。
6. The method according to claim 4, wherein in the second step, data is read from a memory block in which time information indicating a date and time a predetermined time or more before the current time is written. Or the rewriting control method of a flash memory according to 5.
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