JP2001316894A - Liquid treatment device, liquid treatment system, and liquid treatment method - Google Patents

Liquid treatment device, liquid treatment system, and liquid treatment method

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JP2001316894A JP2000174446A JP2000174446A JP2001316894A JP 2001316894 A JP2001316894 A JP 2001316894A JP 2000174446 A JP2000174446 A JP 2000174446A JP 2000174446 A JP2000174446 A JP 2000174446A JP 2001316894 A JP2001316894 A JP 2001316894A
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processing liquid
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Yoshinori Kato
善規 加藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid treatment device, a liquid treatment system, and a liquid treatment method capable of reducing the liquid to a little quantity by lessening the exchange frequency of a treatment liquid and applying a uniform liquid treatment onto a face to be treated of a base board. SOLUTION: A used plating liquid containing an additive emitted from plating treatment units M1-M4 and plating treatment units M1'-M4' is transferred to a recycle tank 160 through reservoir tanks 50a, 50b. Impurities such as the additive and particles are removed from the plating liquid by means of a filter 163, a heater 164, and a metallic mesh filter 165 in a recycle tank 160. After the impurities such as the additive and the particles are removed, the concentration of each component of the plating liquid is measured and insufficient components in the plating liquid are added to readjust the plating liquid. The readjusted plating liquid is supplied again to the plating treatment units M1-M4 and plating tretment units M1'-M4' through a buffer tank 180 and the reservoir tanks 50a, 50b to operate plating treatment.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【発明の属する利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板の液処理技術に係り、更に詳細には使用済み
の液処理を再調製する液処理装置、液処理システム、及
び液処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid processing technique for a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer, and more particularly, to a liquid processing apparatus, a liquid processing system, and a liquid processing method for preparing used liquid processing again. About.

【従来の技術】従来より、半導体ウエハW(以下、単に
「ウエハ」という。)等の被処理基板の表面に金属層を
形成する処理装置としては、例えば、気相で金属層を形
成するスパッタリング処理装置が用いられてきたが、半
導体デバイスの集積度の向上に伴い、埋め込み性の問題
から液相で金属層を形成するメッキ処理装置を用いるこ
とが主流になりつつある。図12は代表的なメッキ処理
装置の概略垂直断面図である。図12に示すように、メ
ッキ液を収容したメッキ液槽201にウエハWを保持し
たウエハホルダ202を下降させウエハWの被メッキ面
にメッキ液液面を接液させてウエハWの被メッキ面にメ
ッキ層を形成する。ところで、このメッキ液槽202に
収容されたメッキ液には通常、メッキ層の形成時にボイ
ドの発生を抑えるため及びデポレートを促進させるため
に添加剤が一定の濃度になるように加えられている。こ
の添加剤はウエハWの被メッキ面にメッキ層形成時に消
耗するが、その他にアノード203のような金属と接触
して化学変化を起こし、アノード203上に形成される
酸化銅を主成分とする膜、いわゆるブラックフィルムの
一部となって消耗する場合がある。また、電気的に分解
或いは自然的に分解し分解生成物に変化して消耗する場
合もある。従って、メツキ液に対して一定の濃度を維持
するには新たに添加剤を加える必要がある。そこで、サ
イクリック・ボルタンメタリー・ストリッピング(CV
S)等で添加剤のメッキ液に対する濃度を測定して添加
剤が添加剤としての役割を果たさなくなった後、新たに
添加剤を加えている。この操作を繰り返して一定期間メ
ッキ液を使用した後、新しいメッキ液に交換している。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a processing apparatus for forming a metal layer on a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as a "wafer"), for example, a sputtering apparatus for forming a metal layer in a vapor phase Processing apparatuses have been used, but with the improvement in the degree of integration of semiconductor devices, the use of plating apparatuses that form a metal layer in a liquid phase due to the problem of embedding is becoming mainstream. FIG. 12 is a schematic vertical sectional view of a typical plating apparatus. As shown in FIG. 12, the wafer holder 202 holding the wafer W in the plating solution tank 201 containing the plating solution is lowered, and the plating solution is brought into contact with the surface of the wafer W to be plated. Form a plating layer. Incidentally, an additive is usually added to the plating solution contained in the plating solution tank 202 so as to have a certain concentration in order to suppress generation of voids and to promote deposition during formation of the plating layer. This additive is consumed when the plating layer is formed on the surface to be plated of the wafer W, but also causes chemical change by contact with a metal such as the anode 203, and mainly contains copper oxide formed on the anode 203. The film may be consumed as a part of a so-called black film. In some cases, it may be decomposed electrically or spontaneously, and may be consumed as a decomposition product. Therefore, it is necessary to add a new additive to maintain a constant concentration in the plating solution. Therefore, cyclic voltammeter stripping (CV
After the concentration of the additive in the plating solution is measured in S) or the like, and the additive no longer serves as an additive, the additive is newly added. After repeating this operation and using the plating solution for a certain period, the plating solution is replaced with a new plating solution.

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、使用済
みのメッキ液をすべて新しいメッキ液と交換しているの
で廃液が大量に産出されるとともにコストが上昇すると
いう問題がある。また、上記ブラックフィルムの剥離物
や分解生成物を除去せずに新たな添加剤を加えウエハW
の被メッキ面にメッキ層を形成しているのでブラックフ
ィルムの剥離物や添加物の分解生成物がパーティクルと
してウエハWの被メッキ面に付着してウエハWの被メッ
キ面に均一なメッキ層を形成することができないという
問題がある。本発明は上記従来の問題を解決するために
なされたものである。即ち、処理液の交換頻度を少なく
させることにより廃液を少量にすることができるととも
に被処理基板の被処理面に均一な液処理を施すことがで
きる液処理装置、液処理システム、及び液処理方法を提
供することを目的とする。
However, since all used plating solutions are replaced with new plating solutions, there is a problem that a large amount of waste solution is produced and the cost increases. Further, a new additive is added to the wafer W without removing the exfoliated products and decomposition products of the black film.
Since the plating layer is formed on the surface to be plated, the delamination product of the black film and the decomposition product of the additive adhere as particles to the surface to be plated of the wafer W to form a uniform plating layer on the surface to be plated of the wafer W. There is a problem that it cannot be formed. The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. That is, a liquid processing apparatus, a liquid processing system, and a liquid processing method capable of reducing the amount of waste liquid by reducing the frequency of replacement of the processing liquid and performing uniform liquid processing on the surface to be processed of the substrate to be processed. The purpose is to provide.

【課題を解決しようとする手段】請求項1の液処理装置
は、被処理体に所定の液処理を施すための処理液を貯留
可能に構成された処理槽と、この処理槽に設けられた処
理液循環系と、この処理液循環系に設けられた除去手段
と、を備えた液処理装置であって、前記除去手段は、前
記処理液の循環を行っている際に、前記処理液に含ま
れ、かつ前記処理液により生成された反応生成物を、少
なくとも除去可能に構成されていることを特徴とする。
請求項1の液処理装置では、前記除去手段を備るので前
記処理液の循環を行っている際に、前記処理液に含ま
れ、かつ前記処理液により生成された反応生成物を除去
することができる。請求項2の液処理装置は、請求項1
記載の液処理装置であって、前記処理液中に有機系成分
添加剤及び/又は硫黄系成分添加剤を供給可能な添加剤
供給手段をさらに備えたことを特徴とする。請求項2の
液処理装置では、添加剤供給手段を備えるので、記処理
液中に有機系成分添加剤及び/又は硫黄系成分添加剤を
供給可能することができる。請求項3の液処理装置は、
請求項1〜2記載の液処理装置であって、前記処理液中
には予め有機系成分添加剤及び硫黄系成分添加剤が含ま
れており、これらの濃度を測定可能な濃度測定手段をさ
らに備えていることを特徴とする。請求項3の液処理装
置では、濃度測定手段を備えるので前記処理液中には予
め含まれている有機系成分添加剤及び硫黄系成分添加剤
の濃度を測定することができる。請求項4の液処理装置
は、請求項1〜3記載の液処理装置であって、前記処理
液の循環の後、処理液の体積又は重量を測定可能に構成
された測定手段をさらに備えたことを特徴とする。請求
項4の液処理装置では、測定手段を備えるので循環後の
処理液の体積又は重量を測定することができる。請求項
5の液処理装置は、請求項1〜4記載の液処理装置であ
って、前記除去手段は、前記反応生成物をトラップする
ことにより除去可能に構成されたことを特徴とする。請
求項5の液処理装置では、前記反応生成物をトラップす
ることができる。請求項6の液処理装置は、請求項1〜
4記載の液処理装置であって、前記除去手段は、前記反
応生成物を加熱により除去可能に構成されたことを特徴
とする。請求項6の液処理装置では、前記反応生成物を
加熱により除去することができる 請求項7の液処理システムは、所定の処理液を施すため
の処理液を貯留可能に構成された処理槽と、この処理槽
に設けられた第1の処理液循環系と、この第1の処理液
循環系に設けられ、所定量の処理液を貯留可能に構成さ
れたリサイクル槽と、このリサイクル槽に設けられた第
2の循環系と、を備えた液処理システムであって、前記
第2の循環系には、前記処理液の循環を行っている際
に、前記処理液に含まれ、かつ前記処理液により生成さ
れた反応生成物を、少なくとも除去可能に構成された除
去手段と、を備えたことを特徴とする。請求項7の液処
理システムでは第2の循環系に除去手段を備えるので、
前記処理液の循環を行っている際に、前記処理液に含ま
れ、かつ前記処理液により生成された反応生成物を除去
することができる。請求項8の液処理システムは、請求
項7に記載の液処理システムであって、前記第1の循環
系の、前記処理槽と前記リサイクル槽との間には、所定
量の処理液を貯留可能に構成されたリザーバタンクを、
さらに備えていることを特徴とする。請求項8の液処理
システムでは、リザーバタンクを備えるので所定量の処
理液を貯留することができる。請求項9の液処理システ
ムは、請求項7〜8に記載の液処理システムであって、
前記第1の循環系の、前記リサイクル槽の下流側には、
所定量の処理液を貯留可能に構成されたバッファ槽を、
さらに備えていることを特徴とする。請求項10の液処
理方法は、被処理体に所定の液処理を施すための処理液
を貯留可能に構成された処理槽と、この処理槽に設けら
れた処理液循環系と、この処理液循環系に設けられた除
去手段と、を備えた液処理装置を用いて行う液処理方法
であって、前記被処理体に所定の液処理を施す際、又は
所定の液処理後、前記処理液循環系で液の循環を行う工
程と、前記処理液の循環を行っている際、前記処理液に
含まれ、かつ前記液処理により生成された反応生成物
を、前記除去手段により除去する工程と、を備えたこと
を特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid processing apparatus comprising: a processing tank configured to store a processing liquid for performing a predetermined liquid processing on an object to be processed; and a processing tank provided in the processing tank. A processing apparatus comprising: a processing liquid circulating system; and a removing unit provided in the processing liquid circulating system, wherein the removing unit irradiates the processing liquid with the processing liquid when circulating the processing liquid. It is characterized in that a reaction product contained and generated by the treatment liquid is at least removable.
The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the removing unit is provided to remove a reaction product contained in the processing liquid and generated by the processing liquid during circulation of the processing liquid. Can be. The liquid processing apparatus according to claim 2 is the liquid processing apparatus according to claim 1.
The liquid processing apparatus according to the above, further comprising an additive supply means capable of supplying an organic component additive and / or a sulfur component additive into the treatment liquid. In the liquid processing apparatus according to the second aspect, since the additive supply means is provided, it is possible to supply the organic component additive and / or the sulfur component additive to the treatment liquid. The liquid processing apparatus according to claim 3 is
3. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid contains an organic component additive and a sulfur component additive in advance, and further includes a concentration measuring unit capable of measuring the concentration of the additive. It is characterized by having. In the liquid processing apparatus according to the third aspect, the concentration of the organic component additive and the sulfur component additive previously contained in the processing liquid can be measured because the concentration measuring means is provided. The liquid processing apparatus according to claim 4 is the liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a measuring unit configured to measure a volume or a weight of the processing liquid after the circulation of the processing liquid. It is characterized by the following. In the liquid processing apparatus according to the fourth aspect, since the measuring device is provided, it is possible to measure the volume or weight of the processing liquid after circulation. A liquid processing apparatus according to a fifth aspect is the liquid processing apparatus according to the first to fourth aspects, wherein the removal unit is configured to be capable of being removed by trapping the reaction product. In the liquid processing apparatus according to the fifth aspect, the reaction product can be trapped. The liquid processing apparatus of claim 6 is claim 1.
The liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the removing means is configured to be capable of removing the reaction product by heating. In the liquid processing apparatus according to the sixth aspect, the reaction product can be removed by heating. The liquid processing system according to the seventh aspect includes a processing tank configured to store a processing liquid for applying a predetermined processing liquid. A first processing liquid circulation system provided in the processing tank, a recycling tank provided in the first processing liquid circulation system and configured to store a predetermined amount of processing liquid, and a recycling tank provided in the recycling tank. A second circulating system, wherein the second circulating system includes the processing liquid while circulating the processing liquid, A removing unit configured to remove at least a reaction product generated by the liquid. In the liquid processing system according to claim 7, since the second circulation system is provided with the removing means,
During the circulation of the treatment liquid, reaction products contained in the treatment liquid and generated by the treatment liquid can be removed. The liquid processing system according to claim 8 is the liquid processing system according to claim 7, wherein a predetermined amount of the processing liquid is stored between the processing tank and the recycle tank in the first circulation system. A reservoir tank that is configured to
It is further characterized by being provided. In the liquid processing system according to the eighth aspect, since the reservoir tank is provided, a predetermined amount of the processing liquid can be stored. The liquid processing system according to claim 9 is the liquid processing system according to claims 7 to 8,
On the downstream side of the recycling tank in the first circulation system,
A buffer tank configured to store a predetermined amount of processing solution,
It is further characterized by being provided. A liquid processing method according to claim 10, wherein a processing tank configured to store a processing liquid for performing a predetermined liquid processing on an object to be processed, a processing liquid circulation system provided in the processing tank, and a processing liquid A liquid processing apparatus provided with a removing unit provided in a circulating system, wherein the processing liquid is used when the object to be processed is subjected to a predetermined liquid processing or after the predetermined liquid processing. A step of circulating the liquid in a circulation system, and a step of removing a reaction product contained in the processing liquid and generated by the liquid processing by the removing unit when the processing liquid is circulated. , Is provided.

【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)以下、本発
明の第1の実施の形態に係るメツキ処理設備について説
明する。本実施の形態に係るメッキ処理設備は、ウエハ
Wの被メッキ面にメッキ層を形成するためのメッキ処理
システムと、メッキ処理システム内で繰り返し使用され
メッキ処理能力の低下したメッキ液を再調製するメッキ
液再生ユニットとから構成されている。以下、本発明の
第1の実施の形態に係るメッキ処理システムについて説
明する。図1は本実施の形態に係るメッキ処理システム
の斜視図であり、図2は同メッキ処理システムの平面図
であり、図3は同メッキ処理システムの正面図であり、
図4は同メッキ処理システムの側面図である。図1〜図
4に示すように、このメッキ処理システム1はウエハW
を出し入れしたり運搬するキャリアステーション2とウ
エハWに実際に処理を施すプロセスステーション3とか
ら構成されている。キャリアステーション2はウエハW
を収容する載置台21と載置台21上に載置されたキャ
リアカセットCにアクセスしてその中に収容されたウエ
ハWを取り出したり、処理が完了したウエハWを収容し
たりするサブアーム22とから構成されている。キャリ
アカセットC内には複数枚、例えば25枚のウエハWを
等間隔毎に水平に保った状態で垂直方向に収容されるよ
うになっている。載置台21上には図中X方向に例えば
4個のキャリアカセットCが配設されるようになってい
る。サブアーム22は図2中X方向に配設されたレール
上を移動するとともに鉛直方向(Z方向)即ち図2中紙
面に垂直な方向に昇降可能かつ水平面内で回転可能な構
造を備えている。このサブアーム22は略水平面内で伸
縮可能なウエハ保持部23材を備えており、これらのウ
エハ保持部材23を伸縮させることにより載置台21上
に載置されたキャリアカセットCの未処理のウエハWを
キャリアカセットCから取り出したり、処理が完了した
ウエハWをキャリアカセットC内に収納するようになっ
ている。またこのサブアーム22は後述するプロセスス
テーション3との間でも、処理前後のウエハWを受け渡
しするようになっている。プロセスステーション3は図
1〜図4に示すように直方体又は立方体の箱型の外観を
備えており、その周囲全体は耐食性の材料、例えば樹脂
や表面を樹脂でコーティングした金属板などでできたハ
ウジング31で覆われている。プロセスステーション3
の内部は図1〜図4に示すように略立方形或いは直方形
の箱型の構成となっており、内部には処理空間Sが形成
されている。処理空間Sは図1及び図4に示すように直
方体型の処理室であり、処理空間Sの底部には底板33
が取り付けられている。処理空間Sには、複数の処理ユ
ニット、例えば4基のメッキ処理ユニットM1〜M4が
例えば処理空間S内の、次に説明するメインアーム35
の周囲にそれぞれ配設されている。図1及び図2に示す
ように底板33のほぼ中央にはウエハWを搬送するため
のメインアーム35が配設されている。このメインアー
ム35は昇降可能かつ略水平面内で回転可能になってお
り、更に略水平面内で伸縮可能な上下二本のウエハ保持
部材36を備えており、これらのウエハ保持部材36を
伸縮させることによりメインアーム35の周囲に配設さ
れた処理ユニットに対して処理前後のウエハWを出し入
れできるようになっている。またメインアーム35は垂
直方向に移動して上段側の処理ユニットへもアクセス可
能に構成されており、下段側の処理ユニットから上段側
の処理ユニットへウエハWを搬送したり、その逆に上段
側の処理ユニットから下段側の処理ユニットへウエハW
を搬送するようになっている。更にこのメインアーム3
5は保持したウエハWを上下反転させる機構を備えてお
り、一の処理ユニットから他の処理ユニットへウエハW
を搬送する間にウエハWを上下反転できる構造を備えて
いる。なお、このウエハWを反転する機能はメインアー
ム35に必須の機能ではない。上段側には他の処理ユニ
ット、例えば洗浄処理ユニット100が例えば2基キャ
リアステーションに近い側、即ち前記メッキ処理ユニッ
トM1、M2の上側にそれぞれ配設されている。また、
例えばアニーリング処理ユニットが例えば2基キャリア
ステーションに遠い側、即ち前記メッキ処理メッキユニ
ットM3〜M4の上側にそれぞれ配設されている。この
メッキ処理システムは、メッキ処理ユニットM1〜M4
上に洗浄処理ユニット100及びアニーリング処理ユニ
ットを配設するのでフットプリントを小さく抑えること
ができる。プロセスステーション3のハウジング31の
うち、キャリアステーション2に対面する位置に配設さ
れたハウジング31aには、図3に示すように3つの開
閉可能な開口部G1〜G3が配設されている。これらの
うちG1は下段側に配設されたメッキ処理ユニットM1
とM2との間に配設された中継載置台37の位置に対応
する開口部であり、キャリアカセットCからサブアーム
22が取り出した未処理のウエハWをプロセスステーシ
ョン3内に搬入する際に用いられる。搬入の際には開口
部G1が開かれ、未処理ウエハWを保持したサブアーム
22が処理空間S内にウエハ保持部材23を伸長させて
中継載置台37上にウエハWを置く。この中継載置台3
7にメインアーム35がウエハ保持部材36を伸長させ
て中継載置台37上に載置されたウエハWを保持してメ
ッキ処理ユニットM1〜M4などの処理ユニット内まで
運ぶ。残りの開口部G2及びG3は処理空間Sのキャリ
アステーション2に近い側に配設された洗浄処理ユニッ
ト100に対応する位置に配設されており、これらの開
口部G2、G3を介してサブアーム22が処理空間S内
の上段側に配設された洗浄処理ユニット100に直接ウ
エハ保持部材23を伸長させて処理が完了したウエハW
を受け取ることができるようになっている。また、処理
空間S内には図4中上から下向きのエアフローが形成さ
れており、システム外から供給された清浄なエアが処理
空間Sの上部から供給され、洗浄処理ユニット100、
メッキ処理ユニットM1〜M4に向けて流下し、処理空
間Sの底部から排気されてシステム外に排出されるよう
になっている。このように処理空間S内を上から下に清
浄な空気を流すことにより、下段側のメッキ処理ユニッ
トM1〜M4から上段側の洗浄ユニット100の方には
空気が流れないようになっている。そのため、常に洗浄
処理ユニット側は洗浄な雰囲気に保たれている。更に、
メッキ処理ユニットM1〜M4や洗浄処理ユニット10
0等の各処理ユニット内はシステムの処理空間Sよりも
陰圧に維持されており、空気の流れは処理空間S側から
各処理ユニット内に向って流れ、各処理ユニットからシ
ステム外に排気される。そのため、処理ユニット側から
処理空間S側に汚れが拡散するのが防止される。次に、
本実施の形態に係るメッキ処理ユニットM1について説
明する。図5は本実施の形態に係るメッキ処理ユニット
M1の一部拡大図を含んだ模式的な垂直断面図であり、
図6は同メッキ処理ユニットM1の概略平面図である。
図5及び図6に示すように、このメッキ処理ユニットM
1では、ユニット全体が密閉構造のハウジング41で覆
われている。このハウジング41も樹脂等の耐食性の材
料で構成されている。ハウジング41の内部は上下2
段、即ち下段に位置する第1の処理部Aと上段に位置す
る第2の処理部Bとに分かれた構造になっている。第1
の処理部Aの内部にはメッキ液槽42が配設されてい
る。このメッキ液槽42は内槽42aと内槽42aの外
側に内槽42aと同心的に配設された外槽42bの2重
槽から構成されている。内槽42aは有底の略円筒形に
形成されており、内槽42aの内部には内槽42aの底
面側から上面に向けてメッキ液を噴出させる噴出管43
が突出している。噴出管43の周囲には例えば複数の銅
球を集めて形成された略円盤状のアノードとしての電極
44が内槽42aと同心的に配設されている。噴出管4
3の端部外周と内槽42aとの間には内槽42aを上下
に仕切り分ける隔膜45が電極44の上方に設けられお
り、隔膜45で仕切られた内槽42aの上側(以下「内
槽の上側」という。)には噴出管43メッキ液が供給さ
れ、隔膜45で仕切られた内槽42aの下側(以下「内
槽の下側」という。)には後述する循環配管からメッキ
液が供給されるようになっている。またこの隔膜45は
イオンを透過するが、電極44としての銅球を溶解させ
たときに生じる不純物及びウエハWの被メッキ面にメッ
キ工程中に発生する例えば酸素及び水素のような泡を透
過させないように構成されている。また、内槽42aの
底面の中心から偏心した位置には循環配管46,47が
設けられており、この循環配管46,47の間には図示
しないポンプが配設されている。外槽42bは、内槽4
2aと同様に有底の略円筒形に形成されており、外槽4
2bの底部には配管48が接続されている。配管48と
噴出管43との間にはポンプ49が配設されており、こ
のポンプ49を作動させて内槽42aからオーバーフロ
ーして外槽42bに貯められたメッキ液を再び内槽42
aの上側に供給するようになっている。また、配管48
aにはメッキ液を収容した後述するメッキ液再生ユニッ
ト内に配設されたリザーバタンク50aがポンプ51a
とバルブ52aを介して接続されている。このポンプ5
1aを作動させるとともにバルブ52aを開くことによ
りリザーバタンク50a内のメッキ液を内槽42aに供
給するようになっている。また、このリザーバタンク5
0aにはメッキ処理ユニットM2〜M4の配管48b〜
48dがポンプ51b〜51dとバルブ52b〜52d
を介してそれぞれ接続されている。第2の処理部Bには
ウエハWを保持する保持機構としてのドライバ61がメ
ッキ液槽42の中心の真上に配設されている。またドラ
イバ61はウエハWを保持する保持部62と、この保持
部62ごとウエハWを略水平面内で回転させるモータ6
3とから構成されている。図5中の一部拡大図に示すよ
うに保持部62の底面内側上には例えば128等分され
た位置にウエハWに電圧を印加するための凸形コンタク
ト64が配設されている。この凸形コンタクト64は図
示しない電源と導線を介し電気的に接触している。凸形
コンタクト64上にはウエハWの被メッキ面に例えばス
パッタリングにより予め銅の薄膜を形成したウエハWを
載置するので、凸形コンタクト64に印加された電圧が
ウエハWの被メッキ面にも印加される。また、保持部6
2の底面内側にはシール部材65が設けられている。モ
ータ63は樹脂等の耐食性の材料で形成されたカバー6
6で覆われている。また、モータ63の外側容器にはド
ライバ61を支持する支持梁67が取り付けられてお
り、支持梁67の端はハウジング41の内壁に対してガ
イドレール68を介して昇降可能に取り付けられてい
る。支持梁67は更に上下方向に伸縮自在なシリンダ6
9を介してハウジング41に取り付けられており、この
シリンダ69を駆動させることにより支持梁67に支持
されたドライバ61がガイドレール68に沿って上下動
してウエハWを昇降させるようになっている。具体的に
は図5に示すように、ドライバ61の保持部62に載置
されたウエハWは、搬送のための搬送位置(I)と、ウ
エハWのメッキ形成面を洗浄処理するための洗浄位置
(II)と、凸形コンタクト64を洗浄処理するための
洗浄位置(II)より少し高い位置(III)と、余分
なメッキ液や水分を取り除くスピンドライを行うスピン
ドライ位置(IV)と、ウエハWの被メッキ面にメッキ
層を形成するメッキ位置(V)とのメッキ液槽42の中
心軸上にある主に5つの異なる高さの位置との間で昇降
する。第1の処理部Aと第2の処理部Bとの間には洗浄
ノズル70及びその下側に配設された排気口71を内蔵
したセパレータ72が配設されている。このセパレータ
72の中央には、ドライバ61に保持されたウエハWが
第1の処理部Aと第2の処理部Bとの間を行き来できる
ように貫通孔が設けられている。また、第1の処理部A
と第2の処理部Bとの境界にあたる部分のハウジングに
はウエハWをメッキ処理ユニットM1内に搬出入するゲ
ートバルブ73が設けられている。次にウエハWの被メ
ッキ面にメッキ層を形成するメッキ処理システム1及び
メッキ処理ユニットM1で行われるメッキ処理のフロー
について説明する。図7は本実施の形態に係るメッキ処
理システム1全体のフローを示すフローチャートであ
り、図8は本実施の形態に係るメッキ処理ユニットM1
で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャート
である。図7に示すように、ウエハWをメッキ処理シス
テム1に搬入する(ステップ1)。その後、図8に示す
ようなフローでウエハWの被メッキ面にメッキ層を形成
する(ステップ2(1)〜ステップ2(14))。ウエ
ハWの被メッキ面にメッキ層を形成した後、洗浄処理及
びアニーリング処理をしてメッキ処理システム1からウ
エハWが搬出される(ステップ3〜ステップ5)。次
に、本実施の形態に係るメッキ液再生ユニットについて
説明する。図9は本実施の形態に係るメッキ液再生ユニ
ットの模式図である。図9に示すようにメッキ液処理ユ
ニットM1〜M4の配管48a〜48dには上記したよ
うにメッキ処理ユニットM1〜M4に供給するメッキ液
或いはメッキ処理ユニットM1〜M4から排出したメッ
キ液を貯めておくリザーバタンク50aがポンプ51a
〜51d及びバルブ52a〜52dを介してそれぞれ接
続されている。これらのポンプ51a〜51d及びバル
ブ52a〜52dをそれぞれ制御することによりリザー
バタンク50aからメッキ液を自在にメッキ処理ユニッ
トM1〜M4に供給又はメッキ液処理ユニットM1〜M
4から排出することができるようになっている。同様に
別のメッキ処理システム内に配設されたメッキ処理ユニ
ットM1′〜M4′の配管48a′〜48d′にはリザ
ーバタンク50bがポンプ51a′〜51d′及びバル
ブ52a′〜52d′を介してそれぞれ接続されてい
る。これらのポンプ51a′〜51d′及びバルブ52
a′〜52d′をそれぞれ制御することによりリザーバ
タンク50bからメッキ液を自在にメッキ処理ユニット
M1′〜M4′に供給又はメッキ液処理ユニットM1′
〜M4′から排出することができるようになっている。
これにより、リザーバタンク内のメッキ液の濃度が所定
の値になった際、図示しない制御手段により、後述する
リサイクル槽へメッキ液を供給可能な構成となってい
る。リザーバタンク50a、50bには図示しない例え
ばCVSのような濃度測定装置がそれぞれ設けられてお
り、それぞれのメッキ液に含まれている添加剤の濃度を
測定できるようになっている。また、リザーバタンク5
0a及び50bには切り替えバルブ120を備えた配管
121が接続されており、さらにこの配管121は後述
するメッキ液再生装置150に接続されている。この配
管121の切り替えバルブ120を作動させることによ
り例えばメッキ処理ユニットM1〜M4及び別のメッキ
処理システムのメッキ処理ユニットM1′〜M4′から
排出されリザーバタンク50a、50bに貯められたメ
ッキ処理による反応により、分解された添加剤を含むメ
ッキ液(以下、「使用済みのメッキ液」という。)を自
在にメッキ液再生装置150に移送することができるよ
うになっている。メッキ液再生装置150は、使用済み
のメッキ液から添加剤、添加剤の分解物及びパーティク
ルのような不純物を除去し、不純物を除去したメッキ液
に不足成分(添加剤も含む。)を添加するリサイクル槽
160と不足成分を添加して所定の配合に再調整された
メッキ液を貯めておく処理液貯液手段としてのバッファ
槽180とから構成されている。リサイクル槽160に
は上記配管121が接続されており、リザーバタンク5
0a、50bから移送される使用済みのメッキ液が貯め
られるようになっている。また、リサイクル槽160に
は両端がリサイクル槽160に接続した配管161が設
けられている。この配管161は使用済みのメッキ液を
後述するフィルタ163に送り、フィルタ163でフィ
ルタリングさせたメッキ液を再びリサイクル槽160に
戻すようにな循環系構造となっている。この配管161
にはポンプ162及び濾過部材としての例えばフィルタ
163が備えられており、ポンプ162の作動で使用済
みのメッキ液をフィルタ163でフィルタリングするこ
とにより使用済みのメッキ液中に含まれている添加剤、
添加剤の分解物、及びパーティクルを除去するようにな
っている。ここで、添加剤は一般にウエハWにメッキ層
を形成する物質としての例えば銅の結晶の成長を促進さ
せる促進剤及び成長を抑制する抑制剤から構成されてい
る。この促進剤は主に有機系成分から構成されており、
抑制剤は主に硫黄系成分から構成されている。このフィ
ルタ163で除去できる添加剤中の成分としては主に有
機系成分であり、具体的には高分子化合物のような径の
大きい化合物である。上記フィルタ163は配管161
の2箇所に設けられており、このフィルタ163の粗さ
は高分子化合物のような径の大きい化合物を除去するこ
とができる粗さであり、具体的には例えば第1のフィル
タ163aには0.1μm以上の粗さのフィルタを使用
し、第2のフィルタ163bには例えば0.1μm以下
の粗さのフィルタを使用する。また、好ましくは第1の
フィルタ163aには0.1μmの粗さのフィルタを使
用し、第2のフィルタ163bには0.05μmの粗さ
のフィルタを使用する。ここで、粗さの異なるフィルタ
163を2箇所に設けたのは、0.1μm以上の粗さの
第1のフィルタ163aで大部分の径の大きい化合物を
除去するとともに0.1μm以下の粗さの第2のフィル
タ163bで第1のフィルタ163aを通過した径の大
きい化合物を確実に除去するためである。また、リサイ
クル槽160には使用済みのメッキ液を加熱する加熱部
材としての例えばヒータ164が設けられている。この
ヒータ164でリサイクル槽160内の使用済みのメッ
キ液を加熱することにより添加剤、添加剤の分解物及び
パーティクルを除去するようになっている。ここで、加
熱により除去できる添加剤中の成分としては、主に有機
系成分であり、具体的には例えばアセトンのような上記
第1及び第2のフィルタ163a、163bで除去でき
ないような径が小さく沸点が低い低分子化合物である。
このヒータ164の加熱温度は、低沸点の低分子化合物
を蒸発させて低分子化合物と硫酸銅水溶液とを分離する
ことができる温度であり、具体的には例えば40℃〜6
0℃であり、好ましくは約50℃である。ヒータ164
の加熱温度を上記範囲としたのは、この範囲を上回ると
水の沸点に近くなるためメッキ液の主成分としての例え
ば硫酸銅水溶液の水分が蒸発してしてしまいメッキ液の
体積が減少してしまう問題があり、またこの範囲を下回
るとアセトン等の沸点の低い低分子化合物が沸点に到達
しないため低分子化合物と硫酸銅水溶液とを沸点の差で
分けることができないという問題がある。さらに、リサ
イクル槽160内には金属性の吸着部材としての例えば
メッシュフィルタ165が略水平面内に配設されてお
り、このメッシュフィルタ165には電源166が接続
されている。この電源166から供給される電気により
メッシュフィルタ165に電流が流れるようになってお
り、このメッシュフィルタ165に電流を流すことによ
り添加剤、添加剤の分解物、及びパーティクルをメッシ
ュフィルタに吸着させて除去するようになっている。こ
こで、このメッシュフィルタ165に電流を流すことに
より除去できる添加剤中の成分としては、主に硫黄系成
分である。また、リサイクル槽160には両端がリサイ
クル槽160に接続したポンプ167を備えた配管16
8が接続されており、このポンプ167を作動すること
によりリサイクル槽160内をメッキ液が循環するよう
になっている。また、リサイクル槽160には例えば液
面センサのような図示しない体積測定装置或いは重量測
定装置が配設されており、この体積測定装置或いは重量
測定装置で上記フィルタ163、ヒータ164、及びメ
ッシュフィルタ165を使用して添加剤、添加剤の分解
物及びパーティクルのような不純物を取り除いたメッキ
液の体積或いは重量を測定するようになっている。さら
に、リサイクル槽160には例えばCVSのようなメッ
キ液の各成分の濃度を測定する濃度測定装置169が配
設されている。この濃度測定装置169により添加剤、
添加剤の分解物及びパーティクルのような不純物を取り
除いたメッキ液の各成分の濃度を測定するようになって
いる。また、リサイクル槽160には上記体積測定装置
或いは重量測定装置の測定結果及び濃度測定装置169
の測定結果に基づき、図示しない制御手段により、メッ
キ液の各成分を添加する添加装置170が配設されてい
る。また、この添加装置170は、後述するバッファ槽
にも所定量の添加剤を供給可能な構成としてもよい。こ
の添加装置170でメッキ液の各不足成分を添加すると
ともに添加量を制御することにより使用済みのメッキ液
に含有している各成分の濃度を未使用のメッキ液の各成
分の濃度に戻すことができるようになっている。ここ
で、この添加装置170でメッキ液に添加される物質と
しては、主に添加剤であり、その他例えば水、銅、塩
酸、及び硫酸も添加される。また、リサイクル槽160
には一端がリサイクル槽160に接続され、他端がバッ
ファ槽180に接続された配管171が配設されてい
る。この配管171はポンプ172とバルブ173を備
えており、ポンプ172を作動させるとともにバルブ1
73を開くことによりリサイクル槽160でメッキ液の
各成分が再調整されたメッキ液をバッファ槽180に移
送するようになっている。バッファ槽180には両端が
バッファ槽180に接続した配管181が設けられてお
り、この配管181はバッファ槽180から所定の配合
に再調製されたメッキ液を後述するフィルタ183に送
り、フィルタ183でフィルタリングされたメッキ液を
再びバッファ槽180に戻すようになっている。この配
管181にはポンプ182及びフィルタ183が備えら
れており、ポンプ182の作動で所定の配合に再調製さ
れたメッキ液がフィルタ183を通過することによりリ
サイクル槽160で除去されなかったパーティクルのよ
うな不純物を除去するようになっている。上記フィルタ
183は配管181の2箇所に設けられており、このフ
ィルタ183の粗さはリサイクル槽160で除去されな
かった添加剤の分解物及びパーティクルのような不純物
を除去できるような粗さであり、具体的には例えば第3
のフィルタ183aには1μm以上の粗さのフィルタを
使用し、第4のフィルタ183bには例えば0.1μm
以上の粗さのフィルタを使用することが好ましい。ま
た、バッファ槽180には両端がバッファ槽180に接
続したポンプ185を備えた配管186が接続されてお
り、このポンプ185を作動することによりバッファ槽
180内を所定の配合に再調整されたメッキ液が循環す
るようになっている。さらに、バッファ槽180には一
端がバッファ槽180に接続され、他端がリザーバタン
ク50a、50bに接続された配管187が設けられて
いる。この配管187はポンプ188と切り替えバルブ
189を備えており、ポンプ188を作動させるととも
に切り替えバルブ189を切り替えることによりバッフ
ァ槽180から所定の配合に再調整されたメッキ液をリ
ザーバタンク50a及び50bに自在に供給できるよう
になっている。次にメッキ液再生ユニットのフローにつ
いて説明する。図10は本実施の形態に係るメッキ液再
生ユニットで行われるメッキ液再生のフローを示したフ
ローチャートである。図10に示すようにリザーバタン
ク50a、50bに設けられている図示しない例えばC
VSのような濃度測定装置で、各リザーバタンクのメッ
キ液に含まれている添加剤の濃度を測定し、添加剤とし
てメッキ処理能力を有するか否かを判定する(ステップ
6(1))。各リザーバタンク50a、50bでメッキ
処理能力を有すると判定された場合には、引き続きメッ
キ処理が行われる。各リザーバタンク50a、50bで
添加剤がメッキ処理能力を有しないと判定された場合に
は、例えばポンプ51aを作動させるとともにバルブ5
2aを開放させて使用済みのメッキ液をメッキ液槽M1
から配管48aを介してリザーバタンク50aに移送す
る(ステップ6(2))。さらに、その後リザーバタン
ク50aに接続されている配管121内の切り替えバル
ブ120を作動させてメッキ処理ユニットM1から排出
されリザーバタンク50aに貯められた使用済みのメッ
キ液をリサイクル槽160に移送する(ステップ6
(3))。リサイクル槽160に移送された使用済みの
メッキ液をリサイクル槽160に接続された配管168
のポンプ167を作動させてリサイクル槽160内を循
環させる。また、使用済みのメッキ液はリサイクル槽1
60に接続された配管161内のポンプ162の作動で
第1のフィルタ163a及び第2のフィルタ163bを
通過し、フィルタリングされる。この第1のフィルタ1
63a及び第2のフィルタ163bでメッキ液がフィル
タリングされるので使用済みのメッキ液に含まれている
添加物、主に有機系成分の高分子化合物のような径の大
きい化合物を除去することができるとともに径の比較的
大きいパーティクルをも除去することができる。また、
リサイクル槽160内の使用済みのメッキ液はヒータ1
64により加熱され、使用済みのメッキ液中に含まれて
いる有機系成分の径が小さく沸点の低い低分子化合物、
添加剤の分解物、及びパーティクルが蒸発する。メッキ
液と添加剤との沸点の差を利用するので使用済みのメッ
キ液から添加剤、主に有機系成分をより確実に除去する
ことができる。さらに、電源166から供給される電気
で金属性のメッシュフィルタ165に通電することによ
りメッシュフィルタ165に電流が流れ使用済みのメッ
キ液に含まれる添加剤、主に硫黄系成分をメッシュフィ
ルタ165に吸着させる。通電したメッシュフィルタ1
65に添加剤を吸着させるので使用済みのメッキ液から
添加剤、主に硫黄系成分をより確実に除去することがで
きる(ステップ6(4))。添加剤、添加剤の分解物及
びパーティクルのような不純物を使用済みのメッキ液か
ら除去した後、図示しない例えば重量測定装置で使用済
みメッキ液の重量を測定する(ステップ6(5))。メ
ッキ液の重量を測定した後、不純物を除去したメッキ液
をリサイクル槽160に設けられた例えばCVSのよう
な濃度測定装置169によりメッキ液の各成分の濃度を
測定する(ステップ6(6))。不純物を除去したメッ
キ液の各成分の濃度を測定した後、上記重量測定装置の
測定結果及び濃度測定装置169の測定結果に基づき添
加装置170によりメッキ液の各不足成分をメッキ液に
添加して所定の配合に再調製する(ステップ6
(7))。使用済みのメッキ液から添加剤及びパーティ
クルを除去した後、メッキ液に添加剤を新たに加えてメ
ッキ液を所定の配合に再調製するのでメッキ液の交換頻
度を低下させ廃液を少量にすることができるとともにコ
ストを低減することができる。また、本実施の形態のよ
うにメッキ処理設備内にメッキ処理システムが複数配設
されている場合であっても、メッキ液再生装置150は
1台で処理することができる。つまり、工場等内にメッ
キ処理設備内のメッキ処理システムが複数配設されてい
る場合であっても、メッキ液再生装置150は1台で済
むのでコストを低減させることができる。その後、リサ
イクル槽160とバッファ槽180を繋ぐ配管171内
に配設されたポンプ172の作動及びバルブ173の開
放でリサイクル槽160でメッキ液の各成分を再調整し
たメッキ液をバッファ槽180に移送させる(ステップ
6(8))。バッファ槽180に移送された所定の配合
に再調整されたメッキ液は配管186内に配設されたポ
ンプ185の作動でバッファ槽180内を循環する。ま
た、所定の配合に再調製されたメッキ液がバッファ槽1
80に接続された配管181内に配設されたポンプ18
2の作動で第3のフィルタ183a及び第4のフィルタ
183bを通過する。この第3のフィルタ183a及び
第4のフィルタ183bを再調製されたメッキ液が通過
することによりリサイクル槽160で除去されなかった
添加剤の分解物及びパーティクルのような不純物を除去
することができる(ステップ(9))。バッファ槽18
0の配管181内に配設された第3のフィルタ183a
及び第4のフィルタ183bにメッキ液を通過させてメ
ッキ液中の不純物を取り除いた後、バッファ槽180に
接続された配管187内に配設されたポンプ188の作
動及び切り替えバルブ189の切り替えにより所定の配
合に再調整されたメッキ液をリザーバタンク50aに供
給する(ステップ(10))。リザーバタンク50aに
貯められた所定の配合に再調整されたメッキ液は配管4
8a内に配設されたポンプ51aの作動及びバルブ52
aの開放で再びメッキ液処理ユニットM1内に移送され
る(ステップ6(11))。その後、メッキ処理ユニッ
トM1内で上記操作手順でメッキ処理が開始される。 (第2の実施の形態)以下、本発明の第2の実施の形態
について説明する。なお、本実施の形態のうち第1の実
施の形態と重複する内容については説明を省略する。本
実施の形態では、内槽の下側に不純物除去手段を設ける
構成とした。図11は本実施の形態に係るメッキ液槽の
内槽42aの概略垂直断面図であり、図11に示すよう
に本実施の形態のメッキ処理ユニットM1内の内槽42
aには配管190の一端が接続されている。また、配管
190の他端は循環配管46に接続されており、内槽4
2aから排出したメッキ液を再び内槽42aに戻すこと
ができるようになっている。この配管190内には不純
物除去手段としての例えばメンブレンフィルタ191が
配設されている。このメンブレンフィルタ191は内槽
42aの下側のメッキ液中に含まれる例えば添加剤の分
解生成物及び電極44上に形成された酸化銅を主成分と
する膜、いわゆるブラックフィルムの剥離物のような不
純物を捕集できる粗さのフィルタを使用し、好ましくは
0.1μmの粗さのフィルタを使用する。このメンブレ
ンフィルタ191を隔膜45と循環配管46との間に配
設することにより添加剤が電気的に分解或いは自然的に
分解した分解生成物及びブラックフィルムの剥離物を隔
膜45を通過する以前に捕集することができる。また、
添加剤の分解生成物及びブラックフィルムの剥離物をメ
ンブレンフィルタ191で捕集することで電流密度がよ
り均一になり、より均一にウエハWの被メッキ面にメッ
キ層を形成することができる。なお、本発明は上記第1
及び第2の実施の形態の記載内容に限定されるものでは
なく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば上記第1
の実施の形態では、リサイクル槽160は添加剤及びパ
ーティクルを除去する手段としてフィルタ163、ヒー
タ164、及びメッシュフィルタ165を備えているが
少なくともフィルタ163又はヒータ164のいずれか
一方を備えていればよい。また、上記第1の実施の形態
では、メッキ液再生装置150はリサイクル槽160と
バッファ槽180とから構成されているが、バッファ槽
180を備えなくてもよい。つまり、リサイクル槽16
0から直接各リザーバタンク50a、50bに再調製さ
れたメッキ液を供給してもよい。また、上記第1の実施
の形態では、メッキ処理再生ユニット内にリザーバタン
ク50a、50bを配設しているが、リザーバタンク5
0a、50bを配設しなくてもよい。つまり、各メッキ
処理ユニットから直接リサイクル槽160にメッキ液を
排出してもよい。また、リサイクル槽160で再調製し
たメッキ液を直接各メッキ処理ユニットに供給してもよ
い。また、上記第1の実施の形態では、メッキ処理設備
内にメッキ処理システムが複数台配設されているが1台
でもよい。つまり1台のメッキ処理システムに対し1台
のメッキ液再生装置150を配設してもよい。また、上
記第1の実施の形態では、メッキ処理について説明して
いるが、液処理に関するものであれば適用することが可
能である。また、上記第2の実施の形態では、不純物除
去手段としてメンブレンフィルタを使用しているがメン
ブレンフィルタのようなフィルタ等に限定されない。つ
まり、沈殿手段や遠心分離手段で分解生成物及びブラッ
クフィルムの剥離物を除去することも可能である。さら
に、上記第1及び第2の実施の形態では、被処理基板と
してウエハWを使用しているが液晶用のLCDガラス基
板を使用することも可能である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment)
A description will be given of the plating processing equipment according to the first embodiment of the present invention.
I will tell. The plating processing equipment according to the present embodiment
Plating process for forming a plating layer on the surface to be plated of W
System and is used repeatedly in the plating system
Plating to re-prepare plating solution with reduced plating capacity
And a liquid regeneration unit. Hereinafter, the present invention
A plating system according to the first embodiment will be described.
I will tell. FIG. 1 shows a plating system according to the present embodiment.
FIG. 2 is a plan view of the plating system.
FIG. 3 is a front view of the plating system.
FIG. 4 is a side view of the plating system. Figure 1 to Figure
As shown in FIG. 4, the plating system 1
Carrier station 2 for loading and unloading and carrying
Process station 3 that actually processes Eha W
It is composed of Carrier station 2 has wafer W
Table 21 for accommodating
Access the rear cassette C to access the rear cassette.
Take out the wafer W or store the processed wafer W
And a sub-arm 22 that can be used. Carry
A plurality of, for example, 25 wafers W are stored in the cassette A.
It is housed vertically at equal intervals
Swelling. For example, on the mounting table 21 in the X direction in FIG.
Four carrier cassettes C are provided.
You. The sub arm 22 is a rail arranged in the X direction in FIG.
As it moves on the top, the vertical direction (Z direction), ie, the paper in FIG.
A structure that can move up and down in a direction perpendicular to the surface and rotate in a horizontal plane
It has a structure. The sub arm 22 extends in a substantially horizontal plane.
It has a retractable wafer holding member 23 and
On the mounting table 21 by expanding and contracting the eha holding member 23
Unprocessed wafers W in the carrier cassette C placed in the
Removed from carrier cassette C or completed processing
The wafer W is stored in the carrier cassette C.
ing. The sub arm 22 is connected to a process
Transfer wafers W before and after processing even to station 3
It is supposed to do. Process station 3
As shown in FIGS. 1 to 4, the appearance of a rectangular parallelepiped or cube
The entire surrounding area is made of corrosion-resistant material, for example, resin
Or a metal plate whose surface is coated with resin
It is covered with a housing 31. Process station 3
Inside is substantially cubic or rectangular as shown in Figs.
And has a processing space S inside.
Have been. The processing space S is straightforward as shown in FIGS.
This is a rectangular processing chamber, and a bottom plate 33 is provided at the bottom of the processing space S.
Is attached. The processing space S includes a plurality of processing units.
Knit, for example, four plating units M1 to M4
For example, a main arm 35 described below in the processing space S
It is arranged around each. Shown in FIGS. 1 and 2
To transport the wafer W to the substantially center of the bottom plate 33 as shown in FIG.
Main arm 35 is disposed. This main arm
The arm 35 can be moved up and down and rotated in a substantially horizontal plane.
Holding two upper and lower wafers that can expand and contract in a substantially horizontal plane
A member 36 is provided.
It is arranged around the main arm 35 by expanding and contracting.
The wafers W before and after processing into and out of the processed processing unit
Can be used. The main arm 35 is vertical
Moves in the vertical direction to access the upper processing unit
From the lower processing unit to the upper processing unit.
Transfer the wafer W to the processing unit, and vice versa
Wafer W from the processing unit on the lower side to the processing unit on the lower side
Is transported. Furthermore, this main arm 3
5 is provided with a mechanism for turning the held wafer W upside down.
The wafer W from one processing unit to another processing unit.
Equipped with a structure that allows the wafer W to be turned upside down while transferring
I have. The function of reversing the wafer W is provided by the main arm.
This is not an essential function of the system 35. Other processing units are on the upper side.
The cleaning unit 100, for example, has two
The side near the rear station, that is, the plating unit
M1 and M2, respectively. Also,
For example, the annealing processing unit has two carriers, for example.
Station far side, that is, the plating unit
It is provided above each of the sockets M3 and M4. this
The plating system includes plating units M1 to M4
The cleaning unit 100 and the annealing unit
The footprint is kept small because
Can be. Of the housing 31 of the process station 3
Of which is located at a position facing carrier station 2.
The opened housing 31a has three openings as shown in FIG.
Openings G1 to G3 that can be closed are provided. these
G1 is a plating unit M1 disposed on the lower side.
Corresponds to the position of the intermediary mounting table 37 disposed between
Opening from the carrier cassette C to the sub-arm
The unprocessed wafer W taken out by 22 is processed by a process station.
It is used when carrying in to room 3. Open when importing
The sub-arm holding the unprocessed wafer W with the section G1 opened
22 extends the wafer holding member 23 into the processing space S
The wafer W is placed on the relay mounting table 37. This relay mounting table 3
7, the main arm 35 extends the wafer holding member 36.
To hold the wafer W placed on the
Up to the inside of the processing units such as the stick processing units M1 to M4
Carry. The remaining openings G2 and G3 carry the processing space S.
The cleaning unit provided near the station 2
It is located at a position corresponding to
The sub arm 22 is placed in the processing space S through the mouths G2 and G3.
Directly to the cleaning unit 100 disposed on the upper side of the
Wafer W processed by extending eha holding member 23
Can be received. Also processing
In the space S, a downward airflow is formed from above in FIG.
Clean air supplied from outside the system
The cleaning unit 100 is supplied from the upper part of the space S,
Flow down to the plating units M1 to M4
So that it is exhausted from the bottom of the space S and exhausted out of the system
It has become. Thus, the processing space S is cleaned from top to bottom.
By flowing clean air, the lower plating unit
From M1 to M4 to the upper cleaning unit 100
The air does not flow. Therefore, always wash
The processing unit side is maintained in a clean atmosphere. Furthermore,
Plating units M1 to M4 and cleaning unit 10
The inside of each processing unit such as 0 is larger than the processing space S of the system.
Negative pressure is maintained, and the air flow is from the processing space S side
Flows into each processing unit, and from each processing unit
It is exhausted outside the stem. Therefore, from the processing unit side
Dirt is prevented from being diffused to the processing space S side. next,
A description will be given of the plating unit M1 according to the present embodiment.
I will tell. FIG. 5 shows a plating unit according to the present embodiment.
FIG. 4 is a schematic vertical sectional view including a partially enlarged view of M1;
FIG. 6 is a schematic plan view of the plating unit M1.
As shown in FIGS. 5 and 6, this plating unit M
In 1, the whole unit is covered with a housing 41 having a closed structure.
Have been done. The housing 41 is also made of a corrosion-resistant material such as resin.
Fees. The inside of the housing 41 is up and down 2
Stage, that is, the first processing unit A located in the lower stage and the first processing unit A located in the upper stage
And a second processing unit B. First
A plating bath 42 is provided inside the processing section A.
You. This plating solution tank 42 has an inner tank 42a and an outer tank 42a.
Double outer tank 42b arranged concentrically with inner tank 42a on the side
It is composed of a tank. The inner tank 42a has a substantially cylindrical shape with a bottom.
The bottom of the inner tank 42a is formed inside the inner tank 42a.
A jet pipe 43 for jetting a plating solution from the surface side toward the upper surface
Is protruding. Around the ejection pipe 43, for example, a plurality of copper
An electrode as a substantially disk-shaped anode formed by collecting spheres
44 is provided concentrically with the inner tank 42a. Squirt pipe 4
3 between the outer periphery of the end and the inner tank 42a.
A diaphragm 45 is provided above the electrode 44 for partitioning into
Above the inner tank 42 a partitioned by the diaphragm 45 (hereinafter referred to as “
Above the tank ". ) Is supplied with the plating solution of the ejection pipe 43.
Under the inner tank 42a partitioned by the diaphragm 45 (hereinafter referred to as "
The lower side of the tank. ) Is plated from circulation piping described later
The liquid is supplied. Also, this diaphragm 45
Permeates ions, but dissolves copper spheres as electrodes 44
Impurities and the surface of the wafer W to be plated
Through bubbles such as oxygen and hydrogen generated during the
It is configured not to let it pass. In addition, the inner tank 42a
Circulation pipes 46 and 47 are located at positions eccentric from the center of the bottom.
Provided between the circulation pipes 46 and 47.
No pumps are provided. The outer tub 42b includes the inner tub 4
2a, it is formed in a substantially cylindrical shape with a bottom.
A pipe 48 is connected to the bottom of 2b. With piping 48
A pump 49 is provided between the discharge pipe 43 and the discharge pipe 43.
The pump 49 is operated to overflow from the inner tank 42a.
The plating solution stored in the outer tank 42b is returned to the inner tank 42 again.
is supplied to the upper side of a. In addition, piping 48
a represents a plating solution regenerating unit containing a plating solution, which will be described later.
The reservoir tank 50a disposed in the
And a valve 52a. This pump 5
1a and opening the valve 52a.
The plating solution in the reservoir tank 50a is supplied to the inner tank 42a.
To be paid. In addition, this reservoir tank 5
0a is a pipe 48b of the plating units M2 to M4.
48d is pumps 51b to 51d and valves 52b to 52d
Connected to each other. The second processing unit B
The driver 61 as a holding mechanism for holding the wafer W is
It is disposed directly above the center of the liquid tank 42. Also Dora
The wafer 61 has a holding portion 62 for holding the wafer W,
Motor 6 for rotating the wafer W together with the part 62 in a substantially horizontal plane
And 3. It is shown in a partially enlarged view in FIG.
For example, on the inside of the bottom surface of the holding portion 62,
Contact for applying a voltage to the wafer W at the closed position
A gate 64 is provided. This convex contact 64 is shown in FIG.
It is in electrical contact with a power supply (not shown) via a conductor. Convex
For example, the contact 64
A wafer W on which a copper thin film has been formed in advance by sputtering
The voltage applied to the convex contact 64 is
The voltage is also applied to the surface of the wafer W to be plated. The holding unit 6
A seal member 65 is provided inside the bottom surface of 2. Mo
The cover 63 is made of a corrosion-resistant material such as resin.
6 is covered. The outer container of the motor 63 is
A support beam 67 for supporting the driver 61 is attached.
The end of the support beam 67 is in contact with the inner wall of the housing 41.
It is attached so as to be able to go up and down through the id rail 68.
You. The support beam 67 is further provided with a cylinder 6 which can expand and contract vertically.
9 and is attached to the housing 41 via
Driving cylinder 69 supports beam 67
Driver 61 moves up and down along guide rail 68
Then, the wafer W is moved up and down. Specifically
Is placed on the holding portion 62 of the driver 61 as shown in FIG.
The transferred wafer W is transferred to a transfer position (I) for transfer, and
Cleaning position for cleaning the EHA W plating surface
(II) for cleaning the convex contact 64
A position (III) slightly higher than the cleaning position (II) and extra
Spin dry to remove the plating solution and moisture
Dry position (IV) and plating on the surface to be plated of wafer W
In the plating solution tank 42 with the plating position (V) for forming the layer
Up and down between five different height positions on the mandrel
I do. Cleaning between the first processing unit A and the second processing unit B
Built-in nozzle 70 and exhaust port 71 arranged below it
A separator 72 is provided. This separator
The wafer W held by the driver 61 is located at the center of 72.
It can move back and forth between the first processing unit A and the second processing unit B
A through hole is provided as described above. Also, the first processing unit A
To the housing corresponding to the boundary between
Is a gate for loading / unloading the wafer W into / from the plating unit M1.
A port valve 73 is provided. Next, the wafer W
A plating system 1 for forming a plating layer on the surface of the pin and
Flow of plating process performed in plating unit M1
Will be described. FIG. 7 shows a plating process according to the present embodiment.
Is a flowchart showing the flow of the entire management system 1.
FIG. 8 shows a plating unit M1 according to the present embodiment.
Flowchart showing the flow of the plating process performed in
It is. As shown in FIG.
It is carried into the system 1 (step 1). Then, as shown in FIG.
A plating layer is formed on the surface to be plated of the wafer W by such a flow.
(Step 2 (1) to Step 2 (14)). Ue
After forming a plating layer on the surface to be plated of W,
And annealing treatment, and the plating system 1
Eha W is carried out (steps 3 to 5). Next
Next, the plating solution regeneration unit according to the present embodiment
explain. FIG. 9 shows a plating solution regenerating unit according to the present embodiment.
FIG. As shown in FIG.
The pipes 48a to 48d of the knits M1 to M4 are described above.
Solution supplied to plating units M1 to M4
Alternatively, the message discharged from the plating units M1 to M4 may be used.
The reservoir tank 50a for storing the liquid is a pump 51a.
Through 51d and valves 52a through 52d, respectively.
Has been continued. These pumps 51a to 51d and valve
The reservoirs are controlled by controlling the
The plating solution can be freely supplied from the bath tank 50a.
M1 to M4 or plating solution processing units M1 to M
4 can be discharged. Likewise
Plating unit installed in another plating system
The pipes 48a 'to 48d' of the cuts M1 'to M4'
Pump 50a'-51d 'and valve
Are connected via the buses 52a 'to 52d', respectively.
You. These pumps 51a'-51d 'and valve 52
a 'to 52d', respectively, to control the reservoir.
Plating unit that can freely supply plating solution from tank 50b
Supply or plating solution processing unit M1 'to M1' to M4 '
~ M4 '.
This ensures that the concentration of the plating solution in the reservoir tank is
When the value becomes, the control means (not shown) will be described later.
It is configured so that plating solution can be supplied to the recycling tank.
You. An illustration not shown in the reservoir tanks 50a and 50b
For example, concentration measuring devices such as CVS are provided.
The concentration of the additives contained in each plating solution.
It can be measured. In addition, reservoir tank 5
Piping with switching valve 120 for 0a and 50b
121 is connected, and this piping 121 is described later.
Connected to a plating solution regenerating device 150. This distribution
By operating the switching valve 120 of the pipe 121,
For example, plating units M1 to M4 and another plating
From the plating units M1 'to M4' of the processing system
The discharged and stored in the reservoir tanks 50a and 50b.
The product containing additives decomposed by the reaction
The plating solution (hereinafter referred to as “used plating solution”)
It can be transferred to the plating solution regenerating device 150
Swelling. The plating solution regenerating device 150 is used
From plating solution, additives, decomposition products of additives and particles
Plating solution from which impurities such as metal
Tank for adding deficient components (including additives) to water
160 and added the missing components and readjusted to the prescribed formulation
Buffer as processing solution storage means for storing plating solution
And a tank 180. In recycling tank 160
Is connected to the pipe 121, and the reservoir tank 5
Store used plating solution transferred from 0a, 50b
It is supposed to be. In addition, in recycling tank 160
Has a pipe 161 connected to the recycle tank 160 at both ends.
Have been killed. This pipe 161 is used for a used plating solution.
It is sent to a filter 163 described later,
The filtered plating solution is returned to the recycling tank 160 again.
It has a circulatory structure that returns. This pipe 161
Includes a pump 162 and a filter as a filtering member, for example.
163 is provided and used by the operation of the pump 162
Filter the plating solution with a filter 163.
And the additive contained in the used plating solution by
Removes decomposition products and particles of additives.
ing. Here, the additive is generally added to the plating layer on the wafer W.
Promotes the growth of, for example, copper crystals as a substance forming
It is composed of an accelerator that suppresses growth and an inhibitor that suppresses growth.
You. This accelerator is mainly composed of organic components,
Inhibitors are mainly composed of sulfur-based components. This file
The main components in the additives that can be removed by
It is a mechanical component, and specifically, has a diameter similar to that of a polymer compound.
It is a large compound. The filter 163 is connected to a pipe 161.
And the roughness of the filter 163
Remove large compounds such as high molecular compounds.
And specifically, for example, the first fill
Use a filter with a roughness of 0.1μm or more for the filter 163a
The second filter 163b has, for example, 0.1 μm or less.
Use a roughness filter. Also, preferably the first
A filter having a roughness of 0.1 μm is used for the filter 163a.
And the second filter 163b has a roughness of 0.05 μm.
Use filters. Here, filters with different roughness
163 is provided at two locations because of the roughness of 0.1 μm or more.
Most of the large diameter compounds are filtered by the first filter 163a.
The second fill having a roughness of 0.1 μm or less
Filter 163b, the diameter of which has passed through the first filter 163a.
This is for surely removing the threshold compound. Also, resai
A heating unit for heating the used plating solution
For example, a heater 164 is provided as a material. this
The used message in the recycle tank 160 is
Additives, additives decomposition products and
It removes particles. Where
The components in additives that can be removed by heat are mainly organic
System components, specifically, such as acetone
Can be removed by the first and second filters 163a and 163b.
It is a low molecular compound having a small diameter and a low boiling point.
The heating temperature of the heater 164 is a low boiling low molecular compound.
To separate low molecular weight compounds and copper sulfate aqueous solution
Temperature, specifically, for example, 40 ° C. to 6 ° C.
0 ° C., preferably about 50 ° C. Heater 164
The heating temperature of the above is set to the above range, if it exceeds this range
Because it is close to the boiling point of water, it can be regarded as the main component of the plating solution
If the copper sulfate aqueous solution evaporates, the plating solution
There is a problem that the volume will decrease, and if it falls below this range
Low-molecular compounds with low boiling points such as acetone reach the boiling point
Low molecular weight compounds and copper sulfate aqueous solution
There is a problem that they cannot be divided. Furthermore, Lisa
In the tank 160, for example, as a metallic adsorption member,
The mesh filter 165 is disposed in a substantially horizontal plane.
A power supply 166 is connected to the mesh filter 165.
Have been. With the electricity supplied from the power supply 166,
A current flows through the mesh filter 165.
By passing a current through the mesh filter 165,
The additive, decomposition products of the additive, and particles.
It is designed to be adsorbed on a filter and removed. This
Here, it is necessary to supply a current to the mesh filter 165.
The components in the additives that can be removed more are mainly sulfur-based components.
Minutes. Both ends of the recycling tank 160 are recycled.
Piping 16 with pump 167 connected to
8 is connected to operate this pump 167
So that the plating solution circulates in the recycling tank 160
It has become. In addition, for example, liquid
Volume measurement device (not shown) such as surface sensor or weight measurement
The volume measuring device or the weight
The filter 163, the heater 164, and the
Decomposition of additives and additives using the ash filter 165
Plating to remove impurities such as objects and particles
The volume or weight of the liquid is measured. Further
In addition, the recycling tank 160 has a message such as CVS.
A concentration measuring device 169 for measuring the concentration of each component of the solution is provided.
Has been established. The additive,
Removes impurities such as decomposition products and particles of additives.
I began to measure the concentration of each component of the plating solution
I have. In addition, the recycling tank 160 is provided with the above volume measuring device.
Alternatively, the measurement result of the weight measuring device and the concentration measuring device 169
Based on the measurement result, the control means (not shown)
An addition device 170 for adding each component of the liquid concentrate is provided.
You. Further, the addition device 170 includes a buffer tank described later.
Alternatively, a configuration in which a predetermined amount of additive can be supplied may be adopted. This
When each deficient component of the plating solution is added by the adding device 170 of
Used plating solution by controlling the amount of addition
The concentration of each component contained in the plating solution
Can be returned to the minute concentration. here
Then, the substance to be added to the plating solution by the adding device 170 is
Are mainly additives and others such as water, copper, salt
Acids and sulfuric acid are also added. Also, the recycling tank 160
Has one end connected to the recycle tank 160 and the other end
A pipe 171 connected to the tank 180 is provided.
You. This pipe 171 has a pump 172 and a valve 173.
Operating the pump 172 and the valve 1
By opening 73, the recycle tank 160
Transfer the plating solution whose components have been readjusted to the buffer tank 180.
It is designed to be sent. Buffer tank 180 has both ends
A pipe 181 connected to the buffer tank 180 is provided.
The pipe 181 is supplied from the buffer tank 180 by a predetermined amount.
The reconstituted plating solution is sent to a filter 183 described later.
The plating solution filtered by the filter 183.
It returns to the buffer tank 180 again. This distribution
The pipe 181 is provided with a pump 182 and a filter 183.
Has been re-adjusted to the prescribed formulation by the operation of the pump 182.
When the plating solution passes through the filter 183, it is recovered.
Particles not removed in cycle tank 160
Such impurities are removed. The above filter
183 are provided at two places in the pipe 181,
The roughness of the filter 183 is not removed in the recycle tank 160.
Impurities such as decomposed products and particles of additives
The roughness is such that can be removed.
Filter 183a has a roughness of 1 μm or more.
Used, and the fourth filter 183b has, for example, 0.1 μm
It is preferable to use a filter having the above roughness. Ma
Both ends of the buffer tank 180 are in contact with the buffer tank 180.
A pipe 186 provided with a continuous pump 185 is connected.
By operating the pump 185, the buffer tank
The plating solution re-adjusted to the prescribed composition circulates inside 180.
It has become so. Further, the buffer tank 180 has
One end is connected to the buffer tank 180, and the other end is a reservoir tank.
Pipes 187 connected to the pipes 50a and 50b are provided.
I have. This pipe 187 is connected to a pump 188 and a switching valve
189 to operate the pump 188
By switching the switching valve 189 to
The plating solution re-adjusted to the prescribed composition is
It can be supplied to the reservoir tanks 50a and 50b freely.
It has become. Next, the flow of the plating solution regeneration unit
Will be described. FIG. 10 shows the plating solution according to the present embodiment.
Flow chart showing the flow of plating solution regeneration performed in the raw unit
It is a low chart. As shown in FIG.
For example, C (not shown) provided in
The concentration of each reservoir tank is measured with a concentration measuring device such as VS.
Measure the concentration of the additive contained in the solution and use it as an additive.
To determine whether or not it has plating processing capability (step
6 (1)). Plating in each reservoir tank 50a, 50b
If it is determined that it has the processing capacity,
Key processing is performed. In each reservoir tank 50a, 50b
If it is determined that the additive has no plating capacity
Operates, for example, the pump 51a and the valve 5
2a is opened and the used plating solution is poured into the plating solution tank M1.
From the tank to the reservoir tank 50a via the pipe 48a
(Step 6 (2)). And then the reservoir
Switching valve in the pipe 121 connected to the
Activate the valve 120 and discharge from the plating unit M1
Used message stored in the reservoir tank 50a.
Transfer the liquid to the recycling tank 160 (Step 6)
(3)). Used waste transferred to recycling tank 160
Piping 168 connected to recycle tank 160 for plating solution
The pump 167 is operated to circulate through the recycle tank 160.
Ring. The used plating solution is stored in the recycling tank 1
With the operation of the pump 162 in the pipe 161 connected to 60
The first filter 163a and the second filter 163b
Passed and filtered. This first filter 1
63a and the second filter 163b fill the plating solution.
Included in the used plating solution
Additives, large in size like high molecular compounds of organic components
Compounds can be removed and the diameter is relatively small.
Large particles can also be removed. Also,
The used plating solution in the recycling tank 160 is the heater 1
64, contained in the used plating solution
Low molecular weight compounds with a small boiling point and a small organic component diameter
Decomposition products of additives and particles evaporate. plating
Since the difference in boiling point between the liquid and the additive is used,
More reliably remove additives, mainly organic components, from the liquor
be able to. Further, the electric power supplied from the power supply 166
By supplying electricity to the metallic mesh filter 165 with
Current flows through the mesh filter 165 and the used mesh
Additives, mainly sulfur-based components, contained in
Adsorbed on the filter 165. Energized mesh filter 1
Additives are adsorbed to 65, so used plating solution
Additives, mainly sulfur-based components, can be removed more reliably.
(Step 6 (4)). Additives, decomposition products of additives and
Used plating solution with impurities such as particles and particles
After use, for example, used with a weighing device (not shown)
The weight of the plating solution is measured (step 6 (5)). Me
Plating solution from which impurities were removed after measuring the weight of the solution
For example, CVS provided in the recycling tank 160
The concentration of each component of the plating solution is measured by a simple concentration measuring device 169.
The measurement is performed (Step 6 (6)). The message with impurities removed
After measuring the concentration of each component of the liquor,
Based on the measurement result and the measurement result of the concentration measurement device 169,
Each missing component of the plating solution is converted into the plating solution by the adding device 170.
And re-prepared to the prescribed formulation (step 6
(7)). Additives and parties from used plating solution
After removing the particles, add an additive to the plating solution
The plating solution is re-prepared to the specified formulation, so the plating solution needs to be changed frequently.
To reduce the amount of waste liquid
The strike can be reduced. In addition, according to the present embodiment,
Multiple plating systems are installed in the plating facility
The plating solution regenerating apparatus 150
One can process. In other words, there is no message
There are multiple plating systems in the processing equipment.
The plating solution regenerating device 150 is sufficient.
As a result, the cost can be reduced. Then Lisa
Inside pipe 171 connecting cycle tank 160 and buffer tank 180
Of the pump 172 and opening of the valve 173
Release the components of the plating solution in the recycling tank 160
The transferred plating solution is transferred to the buffer tank 180 (step
6 (8)). Predetermined formulation transferred to buffer tank 180
The re-adjusted plating solution is supplied to the port provided in the pipe 186.
The operation of the pump 185 circulates in the buffer tank 180. Ma
In addition, the plating solution re-prepared to a predetermined composition
Pump 18 disposed in a pipe 181 connected to
In operation 2, the third filter 183a and the fourth filter
183b. This third filter 183a and
The reconditioned plating solution passes through the fourth filter 183b.
Was not removed in the recycle tank 160
Removes impurities such as decomposition products and particles of additives
(Step (9)). Buffer tank 18
The third filter 183a provided in the pipe 181
And passing the plating solution through the fourth filter 183b.
After removing the impurities in the liquid,
The operation of the pump 188 disposed in the connected pipe 187
Operation and switching of the switching valve 189 to a predetermined arrangement.
The reconditioned plating solution is supplied to the reservoir tank 50a.
(Step (10)). In reservoir tank 50a
The stored plating solution that has been readjusted to the prescribed composition is supplied to the pipe 4
Of the pump 51a and the valve 52
is transferred to the plating solution processing unit M1 again by opening a.
(Step 6 (11)). After that, the plating unit
The plating process is started in the procedure M1 by the above operation procedure. (Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described.
Will be described. The first embodiment of the present embodiment
The description of the contents overlapping with the embodiment is omitted. Book
In the embodiment, an impurity removing means is provided below the inner tank.
The configuration was adopted. FIG. 11 shows the plating solution tank according to the present embodiment.
FIG. 12 is a schematic vertical sectional view of the inner tank 42a, as shown in FIG.
The inner tank 42 in the plating unit M1 of the present embodiment
One end of a pipe 190 is connected to a. Also plumbing
The other end of 190 is connected to the circulation pipe 46 and the inner tank 4
Returning the plating solution discharged from 2a to the inner tank 42a again
Is available. Impure inside the pipe 190
For example, the membrane filter 191 as an object removing means
It is arranged. This membrane filter 191 is an inner tank
For example, the amount of the additive contained in the plating solution on the lower side of 42a
The main component is the decomposition product and copper oxide formed on the electrode 44.
Film, such as a peeled black film
Use a filter with a roughness capable of collecting pure substances, preferably
A filter with a roughness of 0.1 μm is used. This membrane
Filter 191 is disposed between the diaphragm 45 and the circulation pipe 46.
The additives can be decomposed electrically or spontaneously
Separation of decomposed decomposition products and exfoliated black film
It can be collected before passing through the membrane 45. Also,
Measures decomposition products of additives and exfoliated black film.
The current density is improved by collecting with the membrane filter 191.
The surface of the wafer W to be plated more uniformly.
A key layer can be formed. The present invention relates to the first method.
And what is described in the second embodiment.
However, the structure, material, arrangement of each member, etc.
It can be changed as appropriate without departing from the scope. For example, the first
In the embodiment, the recycle tank 160 is provided with an additive and a
Filter 163 and heat
164 and a mesh filter 165
At least one of the filter 163 and the heater 164
It is sufficient if one is provided. Further, the first embodiment
Then, the plating solution regenerating device 150 is
And a buffer tank 180.
180 may not be provided. That is, the recycling tank 16
From 0 to each reservoir tank 50a, 50b.
A supplied plating solution may be supplied. In addition, the first embodiment
In the embodiment, the reservoir
The tanks 50a and 50b are provided, but the reservoir tank 5
It is not necessary to dispose 0a and 50b. In other words, each plating
Plating solution directly from processing unit to recycling tank 160
May be discharged. Also, re-prepared in the recycling tank 160
May be supplied directly to each plating unit.
No. In the first embodiment, the plating equipment
There are multiple plating systems in the building, but one
May be. In other words, one for one plating system
May be provided. Also on
In the first embodiment, the plating process will be described.
However, if it is related to liquid treatment, it can be applied.
Noh. In the second embodiment, the impurity removal is performed.
Although a membrane filter is used as a
The filter is not limited to a filter such as a Blen filter. One
Of the decomposition products and black by sedimentation or centrifugation.
It is also possible to remove the exfoliated material of the film. Further
In the first and second embodiments, the substrate to be processed is
LCD glass base for liquid crystal
It is also possible to use plates.

【発明の効果】以上、詳説したように、本発明の処理液
再生方法、処理液再生装置、及び液処理設備によれば、
処理液から処理液中に含有している添加剤及び添加剤の
分解物を除去し、処理液の各成分の濃度を測定し、処理
液に各成分を添加して所定の配合を有する処理液に再調
製する。従って、処理液の交換頻度を少なくすることが
でき、廃液を少量にすることができる。
As described above in detail, according to the processing liquid regenerating method, the processing liquid regenerating apparatus and the liquid processing equipment of the present invention,
Remove the additives and the decomposition products of the additives contained in the processing solution from the processing solution, measure the concentration of each component of the processing solution, add each component to the processing solution, and have a predetermined composition. Re-prepare. Therefore, the frequency of replacement of the processing liquid can be reduced, and the amount of waste liquid can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態に係るメッキ処理システムの
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a plating system according to a first embodiment.

【図2】第1の実施の形態に係るメッキ処理システムの
平面図である。
FIG. 2 is a plan view of the plating system according to the first embodiment.

【図3】第1の実施の形態に係るメッキ処理システムの
正面図である。
FIG. 3 is a front view of the plating system according to the first embodiment.

【図4】第1の実施の形態に係るメッキ処理システムの
側面図である。
FIG. 4 is a side view of the plating system according to the first embodiment.

【図5】第1の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの
一部拡大図を含んだ模式的な垂直断面図である。
FIG. 5 is a schematic vertical sectional view including a partially enlarged view of the plating unit according to the first embodiment.

【図6】第1の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの
概略平面図である。
FIG. 6 is a schematic plan view of a plating unit according to the first embodiment.

【図7】第1の実施の形態に係るメッキ処理システム全
体のフローを示したフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a flow of the entire plating system according to the first embodiment;

【図8】第1の実施の形態に係るメッキ処理ユニットで
行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートで
ある。
FIG. 8 is a flowchart showing a flow of a plating process performed by the plating unit according to the first embodiment.

【図9】第1の実施の形態に係るメッキ液再生ユニット
の模式図である。
FIG. 9 is a schematic diagram of a plating solution regenerating unit according to the first embodiment.

【図10】第1の実施の形態に係るメッキ液再生ユニッ
トで行われるメッキ液再生のフローを示したフローチャ
ートである。
FIG. 10 is a flowchart showing a flow of plating solution regeneration performed by a plating solution regeneration unit according to the first embodiment.

【図11】第2の実施の形態に係るメッキ液槽の内槽の
概略垂直断面図である。
FIG. 11 is a schematic vertical sectional view of an inner tank of a plating solution tank according to a second embodiment.

【図12】従来のメッキ処理装置の概略垂直断面図であ
る。
FIG. 12 is a schematic vertical sectional view of a conventional plating apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W…ウエハ M1〜M4…メッキ処理ユニット M1′〜M4′…メッキ処理ユニット 150…メッキ液再生装置 160…リサイクル槽 163…フィルタ 164…ヒータ 165…メッシュフィルタ 169…濃度測定装置 170…添加装置 180…バッファ槽 W: Wafer M1 to M4: Plating unit M1 'to M4': Plating unit 150: Plating solution regenerating unit 160: Recycling tank 163: Filter 164: Heater 165: Mesh filter 169: Concentration measuring device 170: Addition device 180: Buffer tank

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C25D 21/18 C25D 21/18 G H H01L 21/304 648 H01L 21/304 648Z (72)発明者 佐藤 浩 山梨県韮崎市穂坂町三ッ沢650 東京エレ クトロン株式会社内 Fターム(参考) 4K024 AA09 BA11 BB12 BC10 CB26──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C25D 21/18 C25D 21 / 18GH H01L 21/304 648 H01L 21/304 648Z (72) Inventor Hiroshi Sato F-term (reference) 4K024 AA09 BA11 BB12 BC10 CB26 in 650 Misasa, Hosaka-cho, Nirasaki-shi, Yamanashi Prefecture

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体に所定の液処理を施すための処
理液を貯留可能に構成された処理槽と、 この処理槽に設けられた処理液循環系と、 この処理液循環系に設けられた除去手段と、を備えた液
処理装置であって、 前記除去手段は、前記処理液の循環を行っている際に、
前記処理液に含まれ、かつ前記処理液により生成された
反応生成物を、少なくとも除去可能に構成されているこ
とを特徴とする液処理装置。
1. A processing tank configured to store a processing liquid for performing a predetermined liquid processing on an object to be processed, a processing liquid circulation system provided in the processing tank, and a processing liquid circulation system provided in the processing liquid circulation system. And a removing unit provided, wherein the removing unit circulates the processing liquid,
A liquid processing apparatus, wherein a reaction product contained in the processing liquid and generated by the processing liquid is at least removable.
【請求項2】 前記処理液中に有機系成分添加剤及び/
又は硫黄系成分添加剤を供給可能な添加剤供給手段をさ
らに備えたことを特徴とする請求項1記載の液処理装
置。
2. An organic component additive and / or
The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising an additive supply means capable of supplying a sulfur-based component additive.
【請求項3】 前記処理液中には予め有機系成分添加剤
及び硫黄系成分添加剤が含まれており、これらの濃度を
測定可能な濃度測定手段をさらに備えた請求項1〜2記
載の液処理装置。
3. The processing solution according to claim 1, wherein the processing liquid contains an organic component additive and a sulfur component additive in advance, and further comprises a concentration measuring means capable of measuring the concentration of these additives. Liquid treatment equipment.
【請求項4】 前記処理液の循環の後、処理液の体積又
は重量を測定可能に構成された測定手段をさらに備えた
ことを特徴とする請求項1〜3記載の液処理装置。
4. The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising a measuring unit configured to measure a volume or a weight of the processing liquid after the circulation of the processing liquid.
【請求項5】 前記除去手段は、前記反応生成物をトラ
ップすることにより除去可能に構成されたことを特徴と
する請求項1〜4記載の液処理装置。
5. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein said removing means is configured to be able to remove said reaction product by trapping said reaction product.
【請求項6】 前記除去手段は、前記反応生成物を加熱
により除去可能に構成されたことを特徴とする請求項1
〜4記載の液処理装置。
6. The apparatus according to claim 1, wherein the removing unit is configured to remove the reaction product by heating.
A liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
【請求項7】 所定の処理液を施すための処理液を貯留
可能に構成された処理槽と、 この処理槽に設けられた第1の処理液循環系と、 この第1の処理液循環系に設けられ、所定量の処理液を
貯留可能に構成されたリサイクル槽と、 このリサイクル槽に設けられた第2の循環系と、を備え
た液処理システムであって、 前記第2の循環系には、前記処理液の循環を行っている
際に、前記処理液に含まれ、かつ前記処理液により生成
された反応生成物を、少なくとも除去可能に構成された
除去手段と、 を備えたことを特徴とする液処理システム。
7. A processing tank configured to store a processing liquid for applying a predetermined processing liquid, a first processing liquid circulation system provided in the processing tank, and a first processing liquid circulation system. And a second circulating system provided in the recycling tank, wherein the second circulating system is provided with a recycling tank configured to store a predetermined amount of the processing liquid. Removing means configured to be able to at least remove a reaction product contained in the processing liquid and generated by the processing liquid when the processing liquid is being circulated. A liquid processing system characterized by the above.
【請求項8】 前記第1の循環系の、前記処理槽と前記
リサイクル槽との間には、所定量の処理液を貯留可能に
構成されたリザーバタンクを、さらに備えていることを
特徴とする請求項7に記載の液処理システム。
8. The method according to claim 1, further comprising a reservoir tank configured to store a predetermined amount of the processing liquid between the processing tank and the recycle tank in the first circulation system. The liquid processing system according to claim 7, wherein
【請求項9】 前記第1の循環系の、前記リサイクル槽
の下流側には、所定量の処理液を貯留可能に構成された
バッファ槽を、さらに備えていることを特徴とする請求
項7〜8に記載の液処理システム。
9. The apparatus according to claim 7, further comprising a buffer tank configured to be able to store a predetermined amount of the processing liquid, on a downstream side of the recycle tank in the first circulation system. 9. The liquid processing system according to any one of items 1 to 8.
【請求項10】 被処理体に所定の液処理を施すための
処理液を貯留可能に構成された処理槽と、 この処理槽に設けられた処理液循環系と、 この処理液循環系に設けられた除去手段と、を備えた液
処理装置を用いて行う液処理方法であって、 前記被処理体に所定の液処理を施す際、又は所定の液処
理後、前記処理液循環系で液の循環を行う工程と、 前記処理液の循環を行っている際、前記処理液に含ま
れ、かつ前記液処理により生成された反応生成物を、前
記除去手段により除去する工程と、を備えたことを特徴
とする液処理方法。
10. A processing tank configured to store a processing liquid for performing a predetermined liquid processing on an object to be processed, a processing liquid circulation system provided in the processing tank, and a processing liquid circulation system provided in the processing liquid circulation system. A liquid processing apparatus using the liquid processing apparatus, comprising: performing a predetermined liquid processing on the object to be processed, or after performing the predetermined liquid processing, by using the processing liquid circulation system. And circulating the processing liquid, and removing the reaction product contained in the processing liquid and generated by the liquid processing by the removing unit. A liquid processing method characterized by the above-mentioned.
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CN106222732A (en) * 2016-08-30 2016-12-14 昆山东威电镀设备技术有限公司 A kind of liquid level maintaining device in electroplating bath

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4764886B2 (en) * 2004-12-20 2011-09-07 アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー Continuous operation of acidic or alkaline zinc or zinc alloy bath
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