【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を収納したカセットを載置するカセット載置台を設置したカセットステージと、第一開口部を設けた第一隔壁で隔てられ前記カセットステージに隣接して配置され、かつ、内部に半導体基板の第一搬送装置を収納したカセットステーションと、第二開口部を設けた第二隔壁で隔てられ前記カセットステーションに隣接して配置され、かつ、内部に半導体基板の第二搬送装置を収納したプロセスステーションと、を備え、前記第二搬送装置の周囲に配置され、かつ、ゲートバルブの開閉により半導体基板の搬入・搬出を可能にした密閉構造の少なくとも１個以上のメッキ処理モジュールを配置した、ことを特徴とするメッキ処理システム。
【請求項２】
前記プロセスステーションが、半導体基板にメッキ処理を行うメッキ処理モジュール、メッキ処理後の半導体基板の洗浄・乾燥を行う洗浄・乾燥モジュール、半導体基板の一時収納を行うバッファ、のいずれかのうちの少なくとも一つ以上からなる請求項１に記載のメッキ処理システム。
【請求項３】
前記メッキ処理モジュールの頂部には給気口を、かつ、前記メッキ処理モジュールの底部には排気口を設け、さらに前記給気口と前記排気口とを連通する循環管路を設け、前記循環管路には、風量調整手段を備えた外気導入口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のメッキ処理システム。
【請求項４】
前記循環管路に設けた風量調整手段が、前記メッキ処理モジュール内の圧力と、その外部との圧力差を電気信号として検出する検出手段と、前記検出された信号を予め記憶された情報値と比較演算して制御信号を得る制御手段と、前記制御信号により前記外気導入口から供給する風量を制御する圧力調整手段と、からなることを特徴とする請求項３に記載のメッキ処理システム。
【請求項５】
メッキ処理手段内に設置した半導体基板搬送部の雰囲気を清浄化する工程と、メッキ槽部のメッキ液から発生するミストを排気し水溶解させる工程と、前記半導体基板搬送部の雰囲気を清浄化させる工程と前記メッキ槽部のメッキ液から発生するミストを排気し水溶解させる工程とを開始した後に半導体基板を前記半導体基板搬送部に搬入する工程と、半導体基板を前記半導体基板搬送部から前記メッキ槽部へ搬送し前記メッキ槽部内で半導体基板にメッキ処理する工程と、メッキ処理された半導体基板を前記メッキ槽部から前記半導体基板搬送部へ搬送し前記メッキ処理手段から搬出する工程と、からなるメッキ処理方法。
【請求項６】
前記雰囲気清浄化工程が、前記メッキ処理手段内の圧力を前記メッキ処理手段外の圧力より低く制御する工程を含むことを特徴とする、請求項５に記載のメッキ処理方法。
[Claims]
(1)
A cassette stage on which a cassette mounting table for mounting a cassette containing semiconductor substrates is mounted, and a first partition provided with a first opening, which is disposed adjacent to the cassette stage, and has a semiconductor substrate therein. A cassette station accommodating the first transfer device, and a process station disposed adjacent to the cassette station separated by a second partition provided with a second opening and containing the second transfer device for semiconductor substrates therein And at least one plating module having a sealed structure that is disposed around the second transfer device and that enables loading / unloading of the semiconductor substrate by opening / closing a gate valve. Characterized plating system.
(2)
The process station includes at least one of a plating module that performs a plating process on the semiconductor substrate, a cleaning and drying module that performs cleaning and drying of the semiconductor substrate after the plating process, and a buffer that temporarily stores the semiconductor substrate. 2. The plating system according to claim 1, comprising at least one.
(3)
An air supply port is provided at the top of the plating module, and an exhaust port is provided at the bottom of the plating module, and a circulation line communicating the air supply port and the exhaust port is provided. The plating system according to claim 1, wherein the road is provided with an outside air inlet provided with a flow rate adjusting means.
(4)
Air volume adjusting means provided in the circulating conduit, pressure in the plating module, a detecting means for detecting a pressure difference between the pressure and the outside as an electric signal, and the detected signal and the information value stored in advance 4. The plating system according to claim 3, comprising: a control unit that obtains a control signal by performing a comparison operation; and a pressure adjustment unit that controls an amount of air supplied from the outside air inlet according to the control signal. 5.
(5)
A step of purifying the atmosphere of the semiconductor substrate transport section installed in the plating means, a step of exhausting mist generated from the plating solution in the plating tank section to dissolve in water, and a step of purifying the atmosphere of the semiconductor substrate transport section. Loading a semiconductor substrate into the semiconductor substrate transport section after starting a process and a step of exhausting and dissolving mist generated from a plating solution in the plating tank section, and plating the semiconductor substrate from the semiconductor substrate transport section with the semiconductor substrate transport section. A step of transporting the semiconductor substrate to the tank section and plating the semiconductor substrate in the plating tank section, and a step of transporting the plated semiconductor substrate from the plating tank section to the semiconductor substrate transport section and unloading from the plating processing means, Plating method.
6.
6. The plating method according to claim 5, wherein the atmosphere cleaning step includes a step of controlling a pressure inside the plating means to be lower than a pressure outside the plating means.
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のメッキ処理システムは、半導体基板を収納したカセットを載置するカセット載置台を設置したカセットステージと、第一開口部を設けた第一隔壁で隔てられ前記カセットステージに隣接して配置され、かつ、内部に半導体基板の第一搬送装置を収納したカセットステーションと、第二開口部を設けた第二隔壁で隔てられ前記カセットステーションに隣接して配置され、かつ、内部に半導体基板の第二搬送装置を収納したプロセスステーションと、を備え、前記第二搬送装置の周囲に配置され、かつ、ゲートバルブの開閉により半導体基板の搬入・搬出を可能にした密閉構造の少なくとも１個以上のメッキ処理モジュールを配置した、ことを特徴とする。
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The plating system of the present invention is arranged adjacent to the cassette stage, separated by a cassette stage on which a cassette mounting table for mounting a cassette containing semiconductor substrates is mounted, and a first partition provided with a first opening. And, a cassette station accommodating the first transfer device for the semiconductor substrate therein, and is disposed adjacent to the cassette station separated by a second partition provided with a second opening, and the third of the semiconductor substrate inside the A process station containing two transfer devices, at least one plating of a sealed structure disposed around the second transfer device, and capable of loading and unloading the semiconductor substrate by opening and closing a gate valve. The processing module is arranged.
また、本発明は、メッキ処理手段内に設置した半導体基板搬送部の雰囲気を清浄化する工程と、メッキ槽部のメッキ液から発生するミストを排気し水溶解させる工程と、前記半導体基板搬送部の雰囲気を清浄化させる工程と前記メッキ槽部のメッキ液から発生するミストを排気し水溶解させる工程とを開始した後に半導体基板を前記半導体基板搬送部に搬入する工程と、半導体基板を前記半導体基板搬送部から前記メッキ槽部へ搬送し前記メッキ槽部内で半導体基板にメッキ処理する工程と、メッキ処理された半導体基板を前記メッキ槽部から前記半導体基板搬送部へ搬送し前記メッキ処理手段から搬出する工程と、からなるメッキ処理方法に関する。
Also, the present invention provides a step of cleaning the atmosphere of a semiconductor substrate transport section installed in a plating processing means, a step of exhausting mist generated from a plating solution in a plating tank section and dissolving it in water, Cleaning the atmosphere, and starting the step of exhausting and dissolving mist generated from the plating solution in the plating tank section, and then loading the semiconductor substrate into the semiconductor substrate transport section; and A step of transporting the semiconductor substrate from the substrate transport section to the plating tank section and plating the semiconductor substrate in the plating tank section; and transporting the plated semiconductor substrate from the plating tank section to the semiconductor substrate transport section and from the plating processing means. And a step of carrying out.