JP2001311929A - Evaluating method and evaluating device for spray-bend alignment transition time - Google Patents

Evaluating method and evaluating device for spray-bend alignment transition time

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JP2001311929A
JP2001311929A JP2001074411A JP2001074411A JP2001311929A JP 2001311929 A JP2001311929 A JP 2001311929A JP 2001074411 A JP2001074411 A JP 2001074411A JP 2001074411 A JP2001074411 A JP 2001074411A JP 2001311929 A JP2001311929 A JP 2001311929A
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JP
Japan
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voltage
time
alignment
bend
cell
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Application number
JP2001074411A
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Japanese (ja)
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Shoichi Ishihara
將市 石原
Katsuji Hattori
勝治 服部
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an evaluating method wherein a transition time from spray alignment to bend alignment can be easily and highly reliably evaluated in an OCB mode liquid crystal cell. SOLUTION: A spray-bend alignment transition time evaluating method is used, wherein a stage for applying voltage to a homogenous cell showing the spray alignment and a stage for monitoring the change of a cell volume against time after applying the voltage are included and the transition time is evaluated by using the type of the curve showing the change of the cell volume against time, the change ratio of the cell volume against time or the intensity of the hysteresis of voltage-volume (C-V) characteristics. Or, a spray-bend alignment transition time evaluating method is used, wherein the transition time is evaluated by using a time needed for the cell to be transited from a bend alignment state formed by applying the voltage to a spray alignment state formed by decreasing the voltage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,光学補償ベンドモ
ード(OCBモード)の液晶表示素子において、スプレ
イ配向からベンド配向への転移の容易性を評価するため
の評価法に関するものである。
The present invention relates to an evaluation method for evaluating the easiness of transition from splay alignment to bend alignment in an optical compensation bend mode (OCB mode) liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子は薄型で軽量、かつ低消費
電力のディスプレイ素子であり、テレビやビデオなどの
画像表示装置や、モニター、ワープロ、パーソナルコン
ピュータなどのOA機器に広く用いられている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices are thin, lightweight, and low power consumption display devices, and are widely used in image display devices such as televisions and videos, and in OA equipment such as monitors, word processors, and personal computers.

【0003】従来、液晶表示素子として例えば、ネマテ
ィック液晶を用いたツイステッドネマティック(TN)
モ−ドの液晶表示素子が実用化されているが、応答が遅
い、視野角が狭いなどの欠点を有している。また、応答
が速く、視野角が広い強誘電性液晶(FLC)、あるい
は反強誘電性液晶(AFLC)などの表示モ−ドもある
が耐ショック性、温度特性など大きな欠点があり、広く
実用化されるまでには至っていない。また、光散乱を利
用する高分子分散型液晶表示モ−ドは偏光板を必要とせ
ず、高輝度表示が可能であるが、本質的に位相板による
視角制御が出来ないうえ、応答特性課題を有しており、
TNモードに対する優位性は少ない。
Conventionally, for example, a twisted nematic (TN) using a nematic liquid crystal as a liquid crystal display element.
Mode liquid crystal display devices have been put to practical use, but have disadvantages such as slow response and a narrow viewing angle. There are also display modes such as a ferroelectric liquid crystal (FLC) or an antiferroelectric liquid crystal (AFLC), which have a quick response and a wide viewing angle, but have major drawbacks such as shock resistance and temperature characteristics, and are widely used. It has not been realized yet. In addition, the polymer dispersion type liquid crystal display mode using light scattering does not require a polarizing plate and can display a high luminance, but it cannot essentially control the viewing angle by a phase plate and has a problem in response characteristics. Have
There is little advantage over the TN mode.

【0004】一方、最近応答が速く視野角が広い表示モ
ードとして光学補償ベンド(OCB)モ−ドが提案され
ている(特開平7−84254号公報)。このモ−ドの
液晶表示素子は、図22に示すように、透明電極2が形
成されているガラス基板1と、透明電極7が形成されて
いるガラス基板8と、基板1,8間に配置される液晶層
4とを有する。電極2,7上には、配向膜3,6が形成
され、この配向膜3,6には、液晶分子を平行且つ同一
方向に配向させるべく、配向処理がなされている。ま
た、基板1,8の外側には、偏向板10,12がクロス
ニコルに配設されており、この偏向板10,12と基板
1,8間には、透過光に負の位相差を与える位相補償板
11,13が介在している。このような構造の液晶セル
は、電圧印加により、セル中央部にベンド配向あるいは
ねじれ配向を含んだベンド配向を誘起させることと、低
電圧駆動と視野角拡大のために位相補償板11,13を
配設することを特徴としたものであり、性能的には中間
調表示域においても高速応答が可能であると同時に広い
視野角特性を有している。
On the other hand, an optical compensation bend (OCB) mode has recently been proposed as a display mode having a quick response and a wide viewing angle (Japanese Patent Laid-Open No. 7-84254). As shown in FIG. 22, the liquid crystal display element in this mode is arranged between a glass substrate 1 on which a transparent electrode 2 is formed, a glass substrate 8 on which a transparent electrode 7 is formed, and substrates 1 and 8. And a liquid crystal layer 4 to be formed. Alignment films 3, 6 are formed on the electrodes 2, 7, and the alignment films 3, 6 are subjected to an alignment treatment so as to align liquid crystal molecules in parallel and in the same direction. Outside the substrates 1 and 8, deflection plates 10 and 12 are arranged in crossed Nicols, and a negative phase difference is given to the transmitted light between the deflection plates 10 and 12 and the substrates 1 and 8. The phase compensators 11 and 13 are interposed. In the liquid crystal cell having such a structure, a bend alignment including a bend alignment or a twist alignment is induced at the center of the cell by applying a voltage, and the phase compensating plates 11 and 13 are provided for low voltage driving and a wide viewing angle. In terms of performance, high-speed response is possible even in a halftone display area, and at the same time, it has a wide viewing angle characteristic.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記OCBモードで
は、図22に示すように、スプレイ配向状態5aから、
30V程度の電圧印加によりベンド配向状態5bにする
初期化処理を行い、その後、数V程度の電圧駆動によ
り、液晶表示を行っている。従って、OCBモードで
は、初期化処理が必要不可欠である。
In the OCB mode, as shown in FIG. 22, the splay alignment state 5a changes from the splay alignment state 5a.
An initialization process for applying a voltage of about 30 V to the bend alignment state 5b is performed, and then a liquid crystal display is performed by driving a voltage of about several V. Therefore, in the OCB mode, the initialization processing is indispensable.

【0006】しかしながら、現状のOCBモードの液晶
表示素子では、数V程度の電圧印加により初期化を行う
場合に、分単位の時間が必要であり、OCBモードの課
題の一つになっている。そのため、数V程度の電圧印加
により容易にベンド配向が形成される、転移速度の速い
液晶材料が望まれている。
However, in the current OCB mode liquid crystal display element, when performing initialization by applying a voltage of about several volts, a time in units of minutes is required, which is one of the problems of the OCB mode. Therefore, a liquid crystal material having a high transition speed, in which bend alignment is easily formed by applying a voltage of about several volts, is desired.

【0007】ところで、上記OCBモードの液晶表示素
子をTFT駆動しようとすれば、低電圧で、スプレイ配
向からベンド配向へより速く転移する液晶材料が必要と
なる。従って、OCBモードの液晶表示素子の研究開発
の過程において、液晶材料を選定する際に、当該転移時
間の測定が必要となり、この転移時間の測定により、液
晶材料の選定の際の順位づけが可能となる。
If the OCB mode liquid crystal display element is to be driven by a TFT, a liquid crystal material that transitions from the splay alignment to the bend alignment at a low voltage is required. Therefore, in the course of research and development of an OCB mode liquid crystal display device, it is necessary to measure the transition time when selecting a liquid crystal material, and by measuring the transition time, it is possible to rank the liquid crystal materials in selection. Becomes

【0008】そして、当該転移時間は、従来、目視観察
により電極面積の全領域がスプレイ配向からベンド配向
になるのに要する時間を測定し、その値でもって定義し
ていた。具体的に説明すれば、測定用液晶セルの両外方
にそれぞれ偏光軸方向が直交する偏光板を設け、測定用
液晶セルに電圧を印加して、偏光板を介して、色変化
(黒色・灰色等の無彩色の濃淡の状態)を目視観察し
て、ベンド配向に達したことを認識した時点までの時間
により、転移時間と定義していた。
[0008] The transition time is conventionally defined by measuring the time required for the entire area of the electrode area to change from the splay alignment to the bend alignment by visual observation and defining the value. More specifically, a polarizing plate having a polarization axis direction orthogonal to each other is provided on both outer sides of the measurement liquid crystal cell, a voltage is applied to the measurement liquid crystal cell, and the color change (black, The transition time was defined by the time until visually recognizing that bend orientation was reached by visually observing an achromatic shade of gray or the like).

【0009】しかしながら、上記評価法では、人間によ
る目視観察に基づくため、転移時間に個人差が生じ、バ
ラツキのあるものとなる。従って、再現性に乏しく、ま
た、自動計測に適していない。特に、スプレイ配向から
ベンド配向への転移においては、液晶分子の殆どが立つ
ている状態のため、クロスニコルの下、色変化が黒色・
灰色等の無彩色の濃淡状態として表れ、電極面積の全領
域がベンド配向となる時点を確定しにくく、より一層評
価を困難にものとしている。
However, since the above evaluation method is based on visual observation by a human, there is an individual difference in the transfer time, and the transfer time varies. Therefore, reproducibility is poor, and it is not suitable for automatic measurement. In particular, in the transition from the splay alignment to the bend alignment, since most of the liquid crystal molecules are standing, the color change under the crossed Nicols is black.
It appears as an achromatic shade of gray or the like, and it is difficult to determine the time when the entire area of the electrode area is in the bend orientation, making the evaluation more difficult.

【0010】尚、参考までに述べると、上記の目視観察
による評価法を用いた場合において、配向転移に影響す
るチルト角、温度等の種々のパラメータを変えて、多数
のサンプルについて評価を行えば、上記測定のバラツキ
を全体として緩和することはできる。しかし、このよう
な評価法であれば、サンプル数が多くなり、評価のため
の測定の工程が多くなると共に、評価に長時間を要する
という問題が生じる。
Incidentally, for reference, when the above-described evaluation method based on visual observation is used, it is possible to evaluate a large number of samples by changing various parameters such as a tilt angle and a temperature which affect the orientation transition. The variation in the above measurement can be reduced as a whole. However, such an evaluation method involves a problem that the number of samples increases, the number of measurement steps for evaluation increases, and the evaluation takes a long time.

【0011】本発明の目的は、上記課題に鑑み、スプレ
イ配向からベンド配向への転移時間を容易で、しかも信
頼性の高い評価することができるようにしたスプレイ−
ベンド転移時間(スプレイ配向からベンド配向への転移
時間を意味する。)の評価法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a spray apparatus which can easily and reliably evaluate a transition time from a splay alignment to a bend alignment.
An object of the present invention is to provide a method for evaluating a bend transition time (meaning a transition time from a splay alignment to a bend alignment).

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のうち請求項1記載の発明は、スプレイ−ベ
ンド転移時間の評価法であって、スプレイ配向を示すホ
モジニアス液晶セルにスプレイ配向からベンド配向に転
移可能な電圧範囲内での一定電圧を印加する工程と、電
圧印加後のセル容量の時間変化をモニターする工程を含
み、電圧印加時から容量変化の屈曲点あるいは飽和点に
到達するまでの時間を、スプレイ配向からベンド配向へ
の転移時間の評価指標とし、この評価指標に基づいて前
記セルの配向転移の容易性を評価することを特徴とす
る。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 of the present invention is a method for evaluating a splay-bend transition time, wherein a splay alignment is applied to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment. The method includes the steps of applying a constant voltage within a voltage range that allows transition from the bend orientation to the bend orientation, and monitoring the time change of the cell capacity after the voltage is applied. The time until the transition is performed is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment, and the ease of the alignment transition of the cell is evaluated based on the evaluation index.

【0013】上記構成によれば、スプレイ配向を示すホ
モジニアスセルに電圧を印加すると、一定時間経過後に
スプレイ配向領域の中に、ベンド配向の核が発生する。
そして、この核は、時間経過とともに成長していき、液
晶層の全領域が全てベンド配向に転移する。一方、スプ
レイ配向からベンド配向への転移は、各液晶分子が順次
垂直方向に立ち上がってくることを意味するので、転移
の状態はセルの容量変化として表れることになる。ここ
で、容量変化曲線は、上記のベンド配向の核の発生及び
核の成長を考慮すれば、電圧印加後から一定時間経過す
るまで、一定の容量値を維持し、その後、容量値が増加
していき、飽和容量値に達するような曲線を描くものと
考えられる。よって、電圧印加時から容量変化の屈曲点
(容量値が増加し始める点)に到達するまでの時間、又
は電圧印加時から容量変化の飽和点に到達するまでの時
間を、転移時間の評価指標とし、この評価指標に基づい
てセルのスプレイ配向からベンド配向への転移容易性を
評価することができる。このような評価法により、容易
で、しかも信頼性の高いスプレイ−ベンド転移時間の評
価が可能となる。
According to the above configuration, when a voltage is applied to the homogeneous cell exhibiting the splay alignment, a nucleus of the bend alignment is generated in the splay alignment region after a certain period of time.
The nucleus grows with the passage of time, and the entire region of the liquid crystal layer transitions to bend alignment. On the other hand, the transition from the splay alignment to the bend alignment means that each liquid crystal molecule sequentially rises in the vertical direction, so that the state of the transition appears as a change in the capacity of the cell. Here, in consideration of the above-described generation and growth of nuclei in the bend orientation, the capacitance change curve maintains a constant capacitance value until a certain time has elapsed after voltage application, and thereafter, the capacitance value increases. It is considered that the curve is drawn to reach the saturation capacity value. Therefore, the time from when the voltage is applied to when the bending point of the capacitance change (the point at which the capacitance value starts to increase) or when the voltage is applied and when the capacitance change reaches the saturation point is determined as an evaluation index of the transition time. Then, the ease of transition from the splay alignment to the bend alignment of the cell can be evaluated based on this evaluation index. Such an evaluation method enables easy and reliable evaluation of the splay-bend transition time.

【0014】本発明のうち請求項2記載の発明は、スプ
レイ−ベンド転移時間の評価装置であって、 スプレ
イ配向を示すホモジニアス液晶セルにスプレイ配向から
ベンド配向に転移可能な電圧範囲内での一定電圧を印加
する手段と、電圧印加後のセル容量の時間変化をモニタ
ーする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づ
き、電圧印加時から容量変化の屈曲点に到達するまでの
時間あるいは飽和点に到達するまでの時間の少なくとも
何れか一方を算出する手段と、前記算出手段により算出
された時間を、表示及び/又は印字する手段と、を含む
ことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an apparatus for evaluating a splay-to-bend transition time, wherein a uniform liquid crystal cell exhibiting a splay alignment is maintained within a voltage range within which a transition from the splay alignment to the bend alignment is possible. Means for applying a voltage, means for monitoring a time change of the cell capacity after the voltage is applied, and, based on the monitoring result of the monitoring means, the time from the time of the voltage application to the time of reaching the inflection point of the capacity change or the saturation point. It is characterized by including means for calculating at least one of the time until the arrival, and means for displaying and / or printing the time calculated by the calculating means.

【0015】上記構成により、評価指標としての電圧印
加時から容量変化の屈曲点(容量値が増加し始める点)
に到達するまでの時間、又は電圧印加時から容量変化の
飽和点に到達するまでの時間を自動的に計測して表示及
び/又は印字することができる。
With the above configuration, the inflection point of the capacitance change (the point at which the capacitance value starts to increase) from the time when the voltage is applied as the evaluation index
, Or the time from when the voltage is applied to when the capacitance change reaches the saturation point can be automatically measured and displayed and / or printed.

【0016】本発明のうち請求項3記載の発明は、スプ
レイ−ベンド転移時間の評価法であって、設定電圧を段
階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニア
ス液晶セルに電圧を印加する工程と、前記電圧上昇時に
おける設定電圧と同一設定電圧を段階的に下降させなが
ら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する工程
と、前記印加電圧の上昇及び下降時における各設定電圧
値毎のセル容量の時間変化をモニターする工程を含み、
前記モニター結果に基づき電圧−セル容量曲線を求め、
この電圧−セル容量曲線のヒステリシスの大きさを、ス
プレイ配向からベンド配向への転移時間の評価指標と
し、この評価指標に基づいて前記セルの配向転移の容易
性を評価することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for evaluating a splay-bend transition time, wherein a step of applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment while gradually increasing a set voltage. Applying a voltage to the liquid crystal cell showing bend alignment while stepwise decreasing the same set voltage as the set voltage at the time of increasing the voltage, and for each set voltage value at the time of increasing and decreasing the applied voltage. Monitoring the time change of the cell capacity,
Obtain a voltage-cell capacity curve based on the monitoring result,
The magnitude of the hysteresis of the voltage-cell capacity curve is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment, and the ease of alignment transition of the cell is evaluated based on the evaluation index.

【0017】スプレイ配向からベンド配向への転移と、
ベンド配向からスプレイ配向への転移とに関する電圧−
セル容量曲線においては、一般には、ヒステリシスが存
在するとは考えられていなかった。しかしながら、本発
明者が容量変化に着目して、容量変化により転移時間を
評価可能か否かについて、実験を行っていたところ、ヒ
ステリシスが存在することを発見した。そこで、ヒステ
リシスに着目して、このヒステリシスの大きさを、スプ
レイ配向からベンド配向への転移時間の評価指標とし、
この評価指標に基づいて前記セルの配向転移の容易性を
評価することができることを見いだした。このようなヒ
ステリシスの大きさを用いた評価法によってもまた、請
求項1記載の発明と同様な効果を奏する。
A transition from splay alignment to bend alignment;
Voltage for transition from bend orientation to splay orientation-
In the cell capacity curve, it was not generally considered that hysteresis was present. However, the inventor of the present invention focused on the change in capacitance and conducted an experiment on whether or not the transition time can be evaluated by the change in capacitance, and found that hysteresis was present. Therefore, paying attention to hysteresis, the magnitude of this hysteresis is used as an evaluation index of the transition time from splay alignment to bend alignment,
It has been found that the ease of orientation transition of the cell can be evaluated based on the evaluation index. An effect similar to that of the first aspect of the present invention can also be obtained by the evaluation method using the magnitude of the hysteresis.

【0018】尚、ヒステリシスの大きさを、スプレイ配
向からベンド配向への転移時間の評価指標とすることが
できるのは、以下の理由による。
The reason why the magnitude of the hysteresis can be used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment is as follows.

【0019】スプレイ配向からベンド配向へ配向転移に
要するエネルギーと、ベンド配向からスプレイ配向へ配
向転移に要するエネルギーとの差がヒステリシスの大き
さとして表れると考えられる。この点については、後述
する実施の形態の項において詳細に説明している。従っ
て、スプレイ配向からベンド配向への転移の容易性は、
ヒステリシスの大きさに対応しているので、ヒステリシ
スの大きさを転移時間の評価指標として用いることがで
きるからである。
It is considered that the difference between the energy required for the alignment transition from the splay alignment to the bend alignment and the energy required for the alignment transition from the bend alignment to the splay alignment appears as the magnitude of the hysteresis. This point is described in detail in the embodiment section described later. Therefore, the ease of transition from splay alignment to bend alignment is
This is because it corresponds to the magnitude of the hysteresis, so that the magnitude of the hysteresis can be used as an evaluation index of the transition time.

【0020】本発明のうち請求項4記載の発明は、スプ
レイ−ベンド転移時間の評価装置であって、設定電圧を
段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニ
アス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記電圧上昇時
における設定電圧と同一設定電圧を段階的に下降させな
がら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する手段
と、前記印加電圧の上昇及び下降時における各設定電圧
値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記
モニター手段のモニター結果に基づき電圧−セル容量曲
線上のヒステリシスの大きさを算出する手段と、前記算
出手段により算出されたヒステリシスの大きさを、表示
及び/又は印字する手段と、を含むことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for evaluating a splay-bend transition time, wherein a voltage is applied to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment while increasing a set voltage stepwise. Means for applying a voltage to the liquid crystal cell exhibiting the bend alignment while gradually lowering the same set voltage as the set voltage at the time of the voltage increase, and for each set voltage value at the time of the increase and decrease of the applied voltage. Means for monitoring the time change of the cell capacity, means for calculating the magnitude of the hysteresis on the voltage-cell capacity curve based on the monitoring result of the monitoring means, and displaying the magnitude of the hysteresis calculated by the calculating means. And / or means for printing.

【0021】上記構成により、評価指標としての電圧−
セル容量曲線のヒステリシスの大きさを自動的に計測し
て表示及び/又は印字することができる。
According to the above configuration, the voltage-
The magnitude of the hysteresis of the cell capacity curve can be automatically measured and displayed and / or printed.

【0022】本発明のうち請求項5記載の発明は、スプ
レイ−ベンド転移時間の評価法であって、設定電圧を段
階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニア
ス液晶セルに電圧を印加する工程と、前記印加電圧の上
昇時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモ
ニターする工程を含み、前記モニター結果に基づき、前
記複数の設定電圧値のうち容量値が増加していく電圧値
を求め、この電圧値に関してセル容量が一定値に飽和す
るまでの時間を、スプレイ配向からベンド配向への転移
時間の評価指標とし、この評価指標に基づいて前記セル
の配向転移の容易性を評価することを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for evaluating a splay-bend transition time, wherein a step of applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment while gradually increasing a set voltage. And monitoring the time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage rises, based on the monitoring result, a voltage value of which the capacitance value increases among the plurality of set voltage values The time until the cell capacity is saturated to a certain value with respect to this voltage value is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment, and the ease of alignment transition of the cell is evaluated based on the evaluation index. It is characterized by doing.

【0023】上記構成の如く、特定電圧値に関してセル
容量が一定値に飽和するまでの時間を、スプレイ配向か
らベンド配向への転移時間の評価指標として用いること
ができるのは、以下の理由による。
As described above, the time required for the cell capacitance to reach a certain value with respect to the specific voltage value can be used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment for the following reason.

【0024】上記の請求項1記載の発明に関する作用で
説明したように、転移に応じてセルの容量が変化する。
この場合の転移について、詳しく考察すると、スプレイ
配向の状態において電圧印加されると、初期のスプレイ
配向から一気にベンド配向に転移するのではなく、先
ず、スプレイ配向の程度が大きくなっていき、スプレイ
配向の最大変形状態に達し、このスプレイ配向の最大変
形状態から、ベンド配向に飛び越していくことが知られ
ている。そして、上記の如く、印加電圧を上昇させてい
くと、設定電圧切り替え直後に、液晶分子が立ち上が
り、通常は、2〜3秒以内に一定の容量値に到達する。
このような容量変化が、特定設定電圧に達するまで起こ
る。この最小レベルの電圧印加から、特定設定電圧印加
の間において、前記スプレイ配向の最大変形状態が電極
全面にわたって伝播する。そして、特定設定電圧に達す
ると、2〜3秒以内に一定の容量値まで急激に上昇した
後、一定の傾斜角度でもって、容量が増加していき、容
量値が飽和するまでに長時間を要する。これは、スプレ
イ配向からベンド配向への配向の緩和、即ち、スプレイ
配向の最大変形状態から、ベンド配向への飛び越し現象
が生じているものと考えられる。よって、この配向の緩
和に要する時間が短ければ短い程、スプレイ配向がベン
ド配向に転移が容易に起こるものと考えられる。従っ
て、この配向緩和時間を、転移時間の評価指標とするこ
とができる。
As described in the operation of the first aspect of the present invention, the capacity of the cell changes according to the transition.
Considering the transition in this case in detail, when a voltage is applied in the state of the splay orientation, the transition from the initial splay orientation to the bend orientation does not occur at once, but the degree of the splay orientation first increases, and the splay orientation increases. It is known that the maximum deformation state of the splay alignment is reached, and the maximum deformation state of the splay alignment jumps to the bend alignment. Then, as described above, when the applied voltage is increased, the liquid crystal molecules rise immediately after the switching of the set voltage, and usually reach a certain capacitance value within a few seconds.
Such a change in capacitance occurs until a specific set voltage is reached. Between the application of the minimum level voltage and the application of the specific set voltage, the maximum deformation state of the splay orientation propagates over the entire surface of the electrode. When the voltage reaches a specific set voltage, the voltage rapidly rises to a certain capacitance value within a few seconds, and at a certain inclination angle, the capacitance increases, and it takes a long time until the capacitance value is saturated. It costs. This is considered to be due to the relaxation of the orientation from the splay orientation to the bend orientation, that is, the phenomenon of jumping from the maximum deformation state of the splay orientation to the bend orientation. Therefore, it is considered that the shorter the time required for the relaxation of the orientation is, the more easily the splay orientation is easily transferred to the bend orientation. Therefore, the orientation relaxation time can be used as an evaluation index of the transition time.

【0025】本発明のうち請求項6記載の発明は、スプ
レイ−ベンド転移時間の評価装置であって、設定電圧を
段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニ
アス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の
上昇時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化を
モニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果
に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が増加し
ていく電圧値を求め、この電圧値に関してセル容量が一
定値に飽和するまでの時間を算出する算出手段と、前記
算出手段により算出された飽和するまでの時間を、表示
及び/又は印字する手段と、を含むことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for evaluating a splay-bend transition time, wherein a voltage is applied to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment while increasing a set voltage stepwise. Means for monitoring the time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage rises, and the capacity value of the plurality of set voltage values increases based on the monitoring result of the monitor means. Calculating a voltage value, calculating means for calculating a time until the cell capacity is saturated to a constant value with respect to the voltage value, and means for displaying and / or printing the time until the saturation calculated by the calculating means, It is characterized by including.

【0026】上記構成により、評価指標としての設定電
圧の上昇時における飽和時間を自動的に計測して表示及
び/又は印字することができる。
According to the above configuration, the saturation time when the set voltage as the evaluation index rises can be automatically measured and displayed and / or printed.

【0027】本発明のうち請求項7記載の発明は、スプ
レイ−ベンド転移時間の評価法であって、設定電圧を段
階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電
圧を印加する工程と、前記印加電圧の下降時における各
設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする工程
を含み、前記モニター結果に基づき、前記複数の設定電
圧値のうち容量値が減少していく電圧値を求め、この電
圧値に関してセル容量が一定値に飽和するまでの時間
を、スプレイ配向からベンド配向への転移時間の評価指
標とし、この評価指標に基づいて前記セルの配向転移の
容易性を評価することを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for evaluating a splay-bend transition time, which comprises applying a voltage to a liquid crystal cell exhibiting a bend alignment while gradually decreasing a set voltage. Monitoring the time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage falls, based on the monitoring result, the voltage value of the plurality of set voltage values, the capacitance value of which is decreasing, With respect to this voltage value, the time until the cell capacity is saturated to a certain value is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment, and the ease of the alignment transition of the cell is evaluated based on the evaluation index. It is characterized by the following.

【0028】上記構成の如く、特定電圧値に関してセル
容量が一定値に飽和するまでの時間を、スプレイ配向か
らベンド配向への転移時間の評価指標として用いること
ができるのは、以下の理由による。
As described above, the time required for the cell capacity to be saturated to a certain value with respect to a specific voltage value can be used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment for the following reason.

【0029】特定電圧値に関しては、容量が減少してい
き、容量が一定値に飽和するまで時間を要する。これ
は、上記の電圧上昇時の場合とは逆の現象であるベンド
配向からスプレイ配向への配向の緩和、即ち、ベンド配
向からスプレイ配向の最大変形状態への飛び越し現象が
生じているものと考えられる。よって、この配向の緩和
に要する時間が短かければ短い程、ベンド配向からスプ
レイ配向への転移が容易に起こる。よって、スプレイ配
向がベンド配向への転移は、逆に、上記緩和時間が長い
程、容易に起こるものと考えられる。従って、この配向
緩和時間を、転移時間の評価指標とすることができる。
As for the specific voltage value, the capacitance decreases and it takes time until the capacitance is saturated to a constant value. This is thought to be due to the relaxation of the orientation from the bend orientation to the splay orientation, which is the opposite phenomenon to the case of the above voltage rise, that is, the jumping phenomenon from the bend orientation to the maximum deformation state of the splay orientation. Can be Therefore, the shorter the time required for relaxing the orientation, the easier the transition from the bend orientation to the splay orientation occurs. Therefore, it is considered that the transition from the splay alignment to the bend alignment occurs more easily as the relaxation time becomes longer. Therefore, the orientation relaxation time can be used as an evaluation index of the transition time.

【0030】本発明のうち請求項8記載の発明は、スプ
レイ−ベンド転移時間の評価装置であって、設定電圧を
段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに
電圧を印加する手段と、前記印加電圧の下降時における
各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手
段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記
複数の設定電圧値のうち容量値が減少していく電圧値を
求め、この電圧値に関してセル容量が一定値に飽和する
までの時間を算出する手段と、前記算出手段により算出
された飽和するまでの時間を、表示及び/又は印字する
手段と、を含むことを特徴とする。
The invention according to claim 8 of the present invention is an apparatus for evaluating a splay-bend transition time, which comprises means for applying a voltage to a liquid crystal cell showing a bend alignment while gradually decreasing a set voltage. Means for monitoring the time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage falls; and a voltage for decreasing the capacity value among the plurality of set voltage values based on a monitoring result of the monitor means. Means for calculating a value and calculating a time until the cell capacity is saturated to a certain value with respect to this voltage value, and means for displaying and / or printing the time until the saturation calculated by the calculating means. It is characterized by the following.

【0031】上記構成により、評価指標としての設定電
圧の下降時における飽和時間を自動的に計測して表示及
び/又は印字することができる。
According to the above configuration, it is possible to automatically measure and display and / or print the saturation time when the set voltage falls as an evaluation index.

【0032】本発明のうち請求項9記載の発明は、スプ
レイ−ベンド転移時間の評価法であって、設定電圧を段
階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニア
ス液晶セルに電圧を印加する工程と、前記印加電圧の上
昇時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモ
ニターする工程を含み、前記モニター結果に基づき、前
記複数の設定電圧値のうち容量値が増加していく電圧値
を求め、この電圧値に関するセル容量の変化率を、スプ
レイ配向からベンド配向への転移時間の評価指標とし、
この評価指標に基づいて前記セルの配向転移の容易性を
評価することを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method for evaluating a splay-bend transition time, wherein a step of applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment while gradually increasing a set voltage. And monitoring the time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage rises, based on the monitoring result, a voltage value of which the capacitance value increases among the plurality of set voltage values The change rate of the cell capacity with respect to this voltage value is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment,
It is characterized in that the ease of the orientation transition of the cell is evaluated based on the evaluation index.

【0033】上記の如く、配向緩和時間を評価指標とす
ることができるけれども、配向緩和時間を評価指標とす
ると、測定時間が長くなるので、或る時間範囲内での容
量変化、即ち、容量変化率で評価するようにしたもので
ある。
As described above, the orientation relaxation time can be used as an evaluation index. However, if the orientation relaxation time is used as an evaluation index, the measurement time becomes longer, so that the capacitance change within a certain time range, that is, the capacitance change, It is designed to be evaluated at a rate.

【0034】本発明のうち請求項10記載の発明は、ス
プレイ−ベンド転移時間の評価装置であって、設定電圧
を段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジ
ニアス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧
の上昇時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化
をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結
果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が増加
していく電圧値を求め、この電圧値に関するセル容量の
変化率を算出する手段と、前記算出手段により算出され
たセル容量の変化率を、表示及び/又は印字する手段
と、を含むことを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for evaluating a splay-bend transition time, wherein a voltage is applied to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a splay alignment while gradually increasing a set voltage. Means for monitoring the time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage rises, and the capacity value of the plurality of set voltage values increases based on the monitoring result of the monitor means. Means for calculating a voltage value and calculating a rate of change in cell capacity with respect to the voltage value; and means for displaying and / or printing the rate of change in cell capacity calculated by the calculating means. .

【0035】上記構成により、評価指標としての設定電
圧の上昇時におけるセル容量の変化率を自動的に計測し
て表示及び/又は印字することができる。
According to the above configuration, the rate of change of the cell capacity when the set voltage as an evaluation index rises can be automatically measured and displayed and / or printed.

【0036】本発明のうち請求項11記載の発明は、ス
プレイ−ベンド転移時間の評価法であって、設定電圧を
段階的に下降させながら、スプレイ配向を示すホモジニ
アス液晶セルに電圧を印加する工程と、前記印加電圧の
下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化を
モニターする工程を含み、前記モニター結果に基づき、
前記複数の設定電圧値のうち容量値が減少していく電圧
値を求め、この電圧値に関するセル容量の変化率を、ス
プレイ配向からベンド配向への転移時間の評価指標と
し、この評価指標に基づいて前記セルの配向転移の容易
性を評価することを特徴とする。
An eleventh aspect of the present invention is a method for evaluating a splay-bend transition time, in which a voltage is applied to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a splay alignment while gradually decreasing a set voltage. And a step of monitoring a time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage falls, based on the monitoring result,
A voltage value at which the capacitance value decreases among the plurality of set voltage values is obtained, and a change rate of the cell capacitance with respect to this voltage value is used as an evaluation index of a transition time from the splay alignment to the bend alignment, based on the evaluation index. To evaluate the ease of orientation transition of the cell.

【0037】電圧下降時においても、配向緩和時間に代
えて、容量変化率で評価することができる。
Even at the time of voltage drop, evaluation can be made by the capacitance change rate instead of the orientation relaxation time.

【0038】本発明のうち請求項12記載の発明は、ス
プレイ−ベンド転移時間の評価装置であって、 設
定電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示すホ
モジニアス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加
電圧の下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間
変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニタ
ー結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が
減少していく電圧値を求め、この電圧値に関するセル容
量の変化率を算出する手段と、前記算出手段により算出
されたセル容量の変化率を、表示及び/又は印字する手
段と、を含むことを特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for evaluating a splay-bend transition time, wherein a voltage is applied to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a bend alignment while gradually decreasing a set voltage. Means for monitoring the time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage falls, and the capacity value of the plurality of set voltage values decreases based on the monitoring result of the monitor means. Means for calculating a voltage value and calculating a rate of change in cell capacity with respect to the voltage value; and means for displaying and / or printing the rate of change in cell capacity calculated by the calculating means. .

【0039】上記構成により、評価指標としての設定電
圧の下降時におけるセル容量の変化率を自動的に計測し
て表示及び/又は印字することができる。
According to the above configuration, the rate of change of the cell capacity when the set voltage as the evaluation index falls can be automatically measured and displayed and / or printed.

【0040】本発明のうち請求項13記載の発明は、ス
プレイ−ベンド転移時間の評価法であって、スプレイ配
向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加し、ベンド
配向を形成する工程と、ベンド配向を示す液晶セルへの
印加電圧を低減することによりスプレイ配向を形成する
工程を含み、目視観察により、ベンド配向からスプレイ
配向に転移したことを確認して、この転移に要する時間
を、スプレイ配向からベンド配向への転移時間の評価指
標とし、この評価指標に基づいて前記セルの配向転移の
容易性を評価することを特徴とする。
The thirteenth aspect of the present invention is a method for evaluating a splay-to-bend transition time, which comprises applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a splay alignment to form a bend alignment, Including the step of forming a splay alignment by reducing the voltage applied to the liquid crystal cell showing that the transition from bend alignment to splay alignment by visual observation, the time required for this transition, from splay alignment to The method is characterized in that the transition time to the bend orientation is used as an evaluation index, and the ease of the alignment transition of the cell is evaluated based on the evaluation index.

【0041】上記構成の如く、目視観察により、ベンド
配向からスプレイ配向に転移する時間を測定し、この測
定時間を、スプレイ配向からベンド配向への転移時間の
評価指標とする。このような評価指標であれば、以下の
理由により、容易かつ高精度に転移を評価できる。即
ち、スプレイ配向からベンド配向への転移を目視観察す
る場合は、クロスニコル下での変化は、黒色あるいは灰
色等の無彩色の変化であるため、転移の時点を確認する
ことが困難である。しかし、ベンド配向からスプレイ配
向への転移の場合は、クロスニコル下での変化は有彩色
の色変化を伴うので、転移の時点を確認するのが容易で
あり、精度も向上することになる。
As described above, the transition time from the bend alignment to the splay alignment is measured by visual observation, and the measured time is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment. With such an evaluation index, transfer can be evaluated easily and with high accuracy for the following reasons. That is, when the transition from the splay alignment to the bend alignment is visually observed, the change under crossed Nicols is an achromatic change such as black or gray, so it is difficult to confirm the time of the transition. However, in the case of the transition from the bend orientation to the splay orientation, the change under crossed Nicols involves a chromatic color change, so that it is easy to confirm the time of the transition and the accuracy is improved.

【0042】本発明のうち請求項14記載の発明は、ス
プレイ−ベンド転移時間の評価装置であって、スプレイ
配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加し、ベン
ド配向を形成する手段と、 ベンド配向を示す液晶セル
への印加電圧を低減することによりスプレイ配向を形成
する手段と、液晶セルの配向状態を検査する顕微鏡と、
前記顕微鏡により得られた画像を解析して液晶セル全面
に色変化が生じたか否かを判定する画像解析手段と、前
記画像解析手段からの判定信号に応答して、ベンド配向
からスプレイ配向への転移に要する時間を、表示及び/
又は印字する手段と、を含むことを特徴とする。
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for evaluating a splay-bend transition time, comprising: means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a splay alignment to form a bend alignment; Means for forming a splay alignment by reducing the voltage applied to the liquid crystal cell, and a microscope for inspecting the alignment state of the liquid crystal cell,
An image analysis unit that analyzes an image obtained by the microscope to determine whether a color change has occurred on the entire surface of the liquid crystal cell; and, in response to a determination signal from the image analysis unit, changes a bend alignment to a splay alignment. The time required for transfer is indicated and / or
Or means for printing.

【0043】上記構成により、評価指標としてのベンド
配向からスプレイ配向に転移する時間を自動的に計測し
て表示及び/又は印字することができる。
With the above configuration, the time required for transition from the bend orientation to the splay orientation as an evaluation index can be automatically measured and displayed and / or printed.

【0044】[0044]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)実施の形態1に
係るスプレイ−ベンド転移時間の評価法は、以下の
〜 の工程により行う。スプレイ配向を示すホモジ
ニアスセルに電圧を印加する。電圧印加後のセル容量
の時間変化をモニターする。モニターの結果より、電
圧印加時から容量変化の屈曲点に到達するまでの時間T
1、又は電圧印加時から容量変化の飽和点に到達するま
での時間T2を求める。上記の時間T1又は時間T2
を評価指標として、スプレイ−ベンド転移時間を評価す
る。
(Embodiment 1) A method for evaluating a splay-bend transition time according to Embodiment 1 is as follows.
The above steps are performed. A voltage is applied to a homogeneous cell showing a splay alignment. The time change of the cell capacity after voltage application is monitored. From the results of the monitoring, the time T from when the voltage is applied to when it reaches the bending point of the capacitance change is T
1 or a time T2 from when the voltage is applied to when the saturation point of the capacitance change is reached. The above time T1 or time T2
Is used as an evaluation index to evaluate the splay-bend transition time.

【0045】このような実施の形態1に係る評価法によ
り、容易で且つ信頼性の高い転移時間の評価を行うこと
ができる。以下に、その理由及び評価法の詳細を、本発
明者の実験結果に基づき説明する。
By the evaluation method according to the first embodiment, the transition time can be evaluated easily and with high reliability. Hereinafter, the reason and details of the evaluation method will be described based on the experimental results of the present inventors.

【0046】図1は実施の形態1に係るスプレイ−ベン
ド転移時間の評価法に使用したテスト用の液晶セルの構
成図である。この液晶セルは、電圧無印加時にはスプレ
イ配向を示すホモジニアスセルであり、電圧印加により
ベンド配向に配向転移がなされるベンド配向モードの液
晶セルである。上記液晶セルを、以下の方法で製造し
た。
FIG. 1 is a configuration diagram of a test liquid crystal cell used in the method for evaluating a splay-bend transition time according to the first embodiment. This liquid crystal cell is a homogeneous cell that shows splay alignment when no voltage is applied, and is a bend alignment mode liquid crystal cell in which an alignment transition is made to bend alignment by applying a voltage. The liquid crystal cell was manufactured by the following method.

【0047】先ず、透明電極2、7を有する2枚のガラ
ス基板1、8上に日産化学工業製配向膜塗料SE−74
92をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中180℃、
1時間硬化させ配向膜3、6を形成する。その後、レー
ヨン製ラビング布を用いて、配向膜3、6の表面に、図
2に示す方向にラビング処理を施す。尚、図2におい
て、15は基板1側のラビング方向、16は基板8側の
ラビング方向を示す。
First, an alignment film paint SE-74 manufactured by Nissan Chemical Industries is placed on two glass substrates 1 and 8 having transparent electrodes 2 and 7.
92 was applied by a spin coating method,
The alignment films 3 and 6 are formed by curing for 1 hour. Thereafter, rubbing treatment is performed on the surfaces of the alignment films 3 and 6 in the direction shown in FIG. 2 using a rubbing cloth made of rayon. In FIG. 2, 15 indicates a rubbing direction on the substrate 1 side, and 16 indicates a rubbing direction on the substrate 8 side.

【0048】次いで、積水ファインケミカル(株)製ス
ペーサ5、およびストラクトボンド352A(三井東圧
化学(株)製シール樹脂の商品名)を用いて基板間隔が
5.3μmとなるように貼り合わせ、空セル9を2ヶ作
成した。次に、液晶層4を構成すべく、表1に示す物性
値を有する液晶材料LC2、LC4を真空注入法にて各
空セル9にそれぞれ注入して、テストセルA、Bを作製
した。
Then, using Sekisui Fine Chemical Co., Ltd. spacer 5 and Structbond 352A (trade name of seal resin manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.), the substrates were bonded together so that the substrate spacing was 5.3 μm. Two cells 9 were created. Next, to form the liquid crystal layer 4, liquid crystal materials LC2 and LC4 having the physical properties shown in Table 1 were injected into each empty cell 9 by a vacuum injection method, thereby producing test cells A and B.

【表1】 [Table 1]

【0049】次に、上記テストセルA、Bを用いて、本
実施の形態1に係る評価法を行った。
Next, the evaluation method according to the first embodiment was performed using the test cells A and B.

【0050】テストセルA、Bに10Vを印加して、セ
ル容量の時間変化を測定した。測定結果を、図3に示
す。尚、セル容量の測定は、精密LCRメータ(ヒュー
レット・パッカード社製品番HP−4284A)を用い
て行い、印加電圧波形は正弦波1kHzであった。
10 V was applied to the test cells A and B, and the time change of the cell capacity was measured. FIG. 3 shows the measurement results. The cell capacity was measured using a precision LCR meter (Hewlett-Packard Co., product number HP-4284A), and the applied voltage waveform was a 1 kHz sine wave.

【0051】図3において、点a、a’はスプレイ配向
中にベンド配向の核が発生し始めたポイントであり、線
分ab、及び線分a’b’の各傾きは核成長の速度に対
応している。また、点c、c’はセル全域にわたってベ
ンド配向が形成されたポイントである。この図3より、
電圧印加時から容量変化の屈曲点に到達するまでの時間
T1、電圧印加時から容量変化の飽和点に到達するまで
の時間T2のいずれも、セルBよりもセルAの方が、短
いことが認められる。よって、セルBよりもセルAの方
が、転移が容易であると評価することができる。
In FIG. 3, points a and a 'are points at which nuclei of bend alignment have begun to be generated during splay alignment, and the slopes of the line segments ab and a'b' indicate the rate of nuclear growth. Yes, it is. Points c and c ′ are points where the bend orientation is formed over the entire cell. From FIG. 3,
Cell A has a shorter time than cell B in both time T1 from the time of voltage application to reaching the inflection point of the capacitance change and time T2 from the time of voltage application to the point of reaching the saturation point of the capacitance change. Is recognized. Therefore, it can be evaluated that the cell A is easier to transfer than the cell B.

【0052】このような時間T1又はT2を用いること
により、スプレイ配向からベンド配向への転移時間を評
価できるのは、以下の理由による。
The transition time from the splay alignment to the bend alignment can be evaluated by using the time T1 or T2 for the following reason.

【0053】即ち、図4(a)に示すように、スプレイ
配向20を示す液晶セルに、一定電圧を印加すると、一
定時間経過後に図4(b)に示すように、スプレイ配向
20の全領域のうちの一部にベンド配向の核21が生じ
る。そして、このベンド配向の核21がセル全領域に成
長していき(図4(c))、ベンド配向が形成されるこ
とが知られている。従って、ベンド核の発生が速いこ
と、及び核成長速度が速いことが、配向転移が速いこと
を意味すると考えられる。
That is, as shown in FIG. 4A, when a constant voltage is applied to the liquid crystal cell showing the splay alignment 20, after a lapse of a certain period of time, as shown in FIG. Bend oriented nuclei 21 are generated in some of them. Then, it is known that the bend alignment nucleus 21 grows in the entire cell region (FIG. 4C) and the bend alignment is formed. Therefore, it is considered that faster generation of bend nuclei and higher nucleus growth rate mean faster orientation transition.

【0054】一方、上記配向の変化は、その変化に応じ
てセルの容量変化として表れる。そして、ベンド配向の
核が生じる時点は、容量変化曲線上では、容量が変化す
る屈曲点に対応することになる。また、セル全領域がベ
ンド配向になる時点は、容量変化曲線上では、容量変化
後に容量変化が増加して一定値に飽和する飽和点に対応
することになる。従って、スプレイ配向からベンド配向
への転移時間につき、電圧印加時から屈曲点に至るまで
の時間T1、又は電圧印加時から飽和点に至までの時間
T2を、転移時間の評価指標とすることができる。
On the other hand, the change in the orientation is expressed as a change in the capacity of the cell according to the change. Then, the point at which the nucleus of the bend orientation occurs corresponds to the bending point where the capacitance changes on the capacitance change curve. In addition, the time when the entire region of the cell is in the bend orientation corresponds to a saturation point where the capacitance change increases after the capacitance change and saturates to a constant value on the capacitance change curve. Therefore, regarding the transition time from the splay orientation to the bend orientation, the time T1 from the application of the voltage to the bending point or the time T2 from the application of the voltage to the saturation point may be used as an evaluation index of the transition time. it can.

【0055】尚、図3から明らかなように、本実施の形
態1によれば、ベンド配向の核発生に要する時間、核成
長の速度、ベンド配向に要する時間をそれぞれ別個に測
定することができ、その実用的価値は極めて大きい。
As is clear from FIG. 3, according to the first embodiment, the time required for generation of nuclei of bend alignment, the speed of nucleus growth, and the time required for bend alignment can be measured separately. , Its practical value is extremely large.

【0056】上記の例では、印加電圧として10V、1
kHz正弦波を印加したが、他の電圧値、波形の電圧を
印加しても良いことは言うまでもない。また、本実施の
形態1の測定結果は、目視観察結果と一致していること
を確認している。
In the above example, the applied voltage is 10 V, 1
Although a kHz sine wave is applied, it goes without saying that other voltage values and waveform voltages may be applied. Further, it has been confirmed that the measurement result of the first embodiment matches the visual observation result.

【0057】次いで、上記実施の形態に係る評価指標を
自動的に計測する評価装置30について説明する。図5
は本実施の形態に係る評価装置の構成を示すブロック図
である。この評価装置30は、キーボードやマウス等の
入力操作手段31と、液晶セルの容量を測定する容量測
定装置32と、プリンタやプロッタ等の印字手段33
と、CRTや液晶ディスプレイ等の表示手段34と、C
PU(中央処理回路)35とを有する。容量測定装置3
2は、例えば精密LCRメータ(ヒューレット・パッカ
ード社製品番HP−4284A)であり、液晶セルに所
定の電圧を印加する電圧印加手段36と、液晶セルの容
量変化を測定するセル容量測定手段37とを有する。ま
た、前記CPU35には、システムプログラムや演算プ
ログラム等が予め記憶されたROM(リードオンリメモ
リ)38、RAM(ランダムアクセスメモリ)39、図
6に示すように液晶セルへの電圧印加時からの測定時間
tiとセル容量値ciとを関連づけして記憶するテーブ
ル40、タイマTM1及びタイマTM2が接続されてい
る。タイマTM1は、期間W1毎にセル容量読み出し期
間を示す信号をCPU25に導出するセル容量サンプリ
ング告知用のタイマである。また、タイマTM2は、テ
ストセルへの電圧印加時からの現在時間の告知用のタイ
マである。
Next, an evaluation device 30 for automatically measuring the evaluation index according to the above embodiment will be described. FIG.
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an evaluation device according to the present embodiment. The evaluation device 30 includes input operation means 31 such as a keyboard and a mouse, a capacity measurement device 32 for measuring the capacity of a liquid crystal cell, and a printing means 33 such as a printer and a plotter.
A display means 34 such as a CRT or a liquid crystal display;
PU (central processing circuit) 35. Capacity measuring device 3
Reference numeral 2 denotes, for example, a precision LCR meter (Hewlett-Packard Company product number HP-4284A), a voltage application unit 36 for applying a predetermined voltage to the liquid crystal cell, a cell capacitance measurement unit 37 for measuring a change in the capacitance of the liquid crystal cell, and Having. The CPU 35 has a ROM (read only memory) 38 and a RAM (random access memory) 39 in which a system program, an arithmetic program and the like are stored in advance. The table 40 for storing the time ti and the cell capacity value ci in association with each other, the timer TM1 and the timer TM2 are connected. The timer TM1 is a cell capacity sampling notification timer that derives a signal indicating the cell capacity readout period to the CPU 25 every period W1. The timer TM2 is a timer for notifying the current time from the time when the voltage is applied to the test cell.

【0058】図7〜図9は評価装置の動作を示すフロー
チャートである。この図7〜図9を参照して、評価装置
の評価動作について説明する。先ず、ステップs1にお
いて、モード1〜モード7のいずれかのモードの入力が
あったか否かが判断される。ここで、モード1は実施の
形態1に対応するモードであり、モード2は後述する実
施の形態2に対応するモードであり、モード3は後述す
る実施の形態3のうち配向緩和時間T3に対応するモー
ドであり、モード4は後述する実施の形態3のうち配向
緩和時間T4に対応するモードであり、モード5は後述
する実施の形態3のうち電圧上昇時におけるセル容量変
化率Eに対応するモードであり、モード6は後述する実
施の形態3のうち電圧下降時におけるセル容量変化率E
に対応するモードであり、モード7は後述する実施の形
態4に対応するモードである。
FIGS. 7 to 9 are flowcharts showing the operation of the evaluation device. The evaluation operation of the evaluation device will be described with reference to FIGS. First, in step s1, it is determined whether any of the modes 1 to 7 has been input. Here, mode 1 is a mode corresponding to the first embodiment, mode 2 is a mode corresponding to the second embodiment described later, and mode 3 is a mode corresponding to the orientation relaxation time T3 of the third embodiment described later. Mode 4 is a mode corresponding to the orientation relaxation time T4 in Embodiment 3 described later, and Mode 5 is a mode corresponding to the cell capacitance change rate E at the time of voltage increase in Embodiment 3 described later. Mode 6 is a mode 6 in the cell capacitance change rate E at the time of voltage drop in the third embodiment described later.
And mode 7 is a mode corresponding to a fourth embodiment described later.

【0059】なお、モードの設定は、入力操作手段31
を操作して予め定めたコード信号を入力すればよい。
The mode is set by the input operation means 31.
Is operated to input a predetermined code signal.

【0060】モード入力があったときは、ステップs2
に移り、モード1か否かが判断され、Yesであれば、
モード1の処理が実行される。Noであれば、ステップ
s3に移ってモード2か否かが判断され、Yesであれ
ば、モード2の処理が実行される。以下、同様にしてモ
ード入力に応じた処理が実行される。
If there is a mode input, step s2
It is determined whether the mode is mode 1 or not.
Mode 1 processing is executed. If No, the process proceeds to step s3 to determine whether or not the mode is 2. If Yes, the process of the mode 2 is executed. Hereinafter, the processing corresponding to the mode input is similarly performed.

【0061】次いで、本実施の形態1に対応するモード
1の処理について説明する。このモード1の具体的な処
理動作は、図8及び図9に示されている。先ず、ステッ
プn1において、液晶セルに一定電圧Vaを印加する。
具体的にはCPU35は電圧印加手段36に一定電圧V
aを示す指令信号を導出する。これにより、電圧印加手
段36は液晶セルに一定電圧Vaを印加する。これと共
に、セル容量測定手段37は液晶セルの容量変化の測定
を開始する。尚、セル容量測定手段37は、測定開始前
に電圧無印加時における液晶セルの容量値を予め測定し
ており、このときの容量値はCPU35に読み出され、
テーブル40に記憶されている。なお、一定電圧値Va
は、一般的に液晶セルがスプレイ配向からベンド配向に
転移可能な電圧値として考えられている範囲内の電圧値
である。これは、例えば1[V]程度の小さい電圧値を
液晶セルに長時間に亘って印加してもスプレイ配向から
ベンド配向に転移しない。よって、ある程度大きな電圧
値を印加する必要がある。本実施の形態1では、一定電
圧Vaとしては10[V]とした。また、印加電圧波形
は1kHzの正弦波のものを使用した。
Next, processing in mode 1 corresponding to the first embodiment will be described. The specific processing operation of this mode 1 is shown in FIG. 8 and FIG. First, in step n1, a constant voltage Va is applied to the liquid crystal cell.
Specifically, the CPU 35 applies a constant voltage V to the voltage applying unit 36.
A command signal indicating a is derived. As a result, the voltage applying means 36 applies a constant voltage Va to the liquid crystal cell. At the same time, the cell capacity measuring means 37 starts measuring the change in the capacity of the liquid crystal cell. The cell capacitance measuring means 37 measures the capacitance of the liquid crystal cell when no voltage is applied before the start of the measurement, and the capacitance at this time is read out by the CPU 35.
It is stored in the table 40. The constant voltage value Va
Is a voltage value within a range generally considered as a voltage value at which the liquid crystal cell can transition from the splay alignment to the bend alignment. This is because even when a small voltage value of, for example, about 1 [V] is applied to the liquid crystal cell for a long time, the liquid crystal cell does not transition from the splay alignment to the bend alignment. Therefore, it is necessary to apply a somewhat large voltage value. In the first embodiment, the constant voltage Va is set to 10 [V]. The applied voltage waveform used was a 1 kHz sine wave.

【0062】次いで、ステップn2に移ってタイマTM
1,TM2をセットし、ステップn3で一定期間W1経
過したか否かが判断される。この期間W1は、セル容量
測定手段37により測定されたアナログ容量値をサンプ
リングするための期間である。そして、一定期間W1経
過すると、ステップn4において、セル容量測定手段3
7からセル容量値c1が読み出され、ステップn5でタ
イマTM2から現在時間t1(電圧印加時から第1回目
のサンプリング時に至るまでの期間に相当する。)が読
み出され、ステップn6においてテーブル40のアドレ
ス「1」にセル容量値c1及び時間t1が書き込まれ
る。そして、タイマTM1をリセットする。そしてステ
ップn8で一定期間W2経過したか否かが判断される。
ここで期間W2は一般的に液晶セルに電圧Vaを印加し
たときにスプレイ配向からベンド配向へ転移することが
できる十分な時間に設定されている。
Next, the process proceeds to step n2 where the timer TM
1, TM2 is set, and it is determined in step n3 whether a predetermined period W1 has elapsed. This period W1 is a period for sampling the analog capacitance value measured by the cell capacitance measuring means 37. Then, after the elapse of the predetermined period W1, in step n4, the cell capacity measuring means 3
7, the cell capacitance value c1 is read out, and in step n5, the current time t1 (corresponding to the period from the voltage application to the first sampling time) is read out from the timer TM2. The cell capacitance value c1 and the time t1 are written to the address "1" of the cell. Then, the timer TM1 is reset. Then, in step n8, it is determined whether or not a predetermined period W2 has elapsed.
Here, the period W2 is generally set to a time sufficient to allow a transition from the splay alignment to the bend alignment when a voltage Va is applied to the liquid crystal cell.

【0063】ステップn8において一定期間W2経過し
ていないときは、ステップn3に戻る。こうして、ステ
ップn3→ステップn4→ステップn5→ステップn6
→ステップn7→ステップn8→ステップn3までの処
理が期間W2経過するまで行われ、電圧印加時から期間
W2経過するまでの容量変化がモニターされ、モニター
結果としての容量値ciと測定時間tiがテーブル40
に書き込まれる。
If the predetermined period W2 has not elapsed in step n8, the process returns to step n3. Thus, step n3 → step n4 → step n5 → step n6
→ The processing from step n7 → step n8 → step n3 is performed until the period W2 elapses, and the capacitance change from the time of voltage application until the period W2 elapses is monitored, and the capacitance value ci and the measurement time ti as the monitoring result are stored in a table. 40
Is written to.

【0064】一定期間W2経過したときは、ステップn
8から図9に示す評価指標演算処理ルーチンに移行す
る。評価指標演算処理ルーチンでは、先ずステップn9
で変数kを1に設定する。次いで、ステップn10でテ
ーブル40のアドレス「k」「k+1」を指定してc
k,ck+1を読み出し、ステップn11でck+1>
ckであるか否かが判断される。例えばk=1のとき
は、c1とc2が読み出され、c2がc1より大きいか
否かが判断される。ここで、ck+1>ckであるとき
は、容量増加の変化があったことを意味する。
When the predetermined time period W2 has elapsed, step n
8 to the evaluation index calculation processing routine shown in FIG. In the evaluation index calculation processing routine, first, step n9
Sets the variable k to 1. Next, in step n10, the addresses “k” and “k + 1” of the table 40 are designated and c
k, ck + 1 are read, and in step n11, ck + 1>
ck is determined. For example, when k = 1, c1 and c2 are read, and it is determined whether c2 is greater than c1. Here, when ck + 1> ck, it means that there has been a change in capacity increase.

【0065】ステップn11においてck+1>ckで
ないときは、ステップn10に戻る。このステップn1
0→ステップn11→ステップn12→ステップn10
の閉ループ処理により、容量増加が開始する屈曲点の容
量値が求められる。
If ck + 1> ck is not satisfied in step n11, the process returns to step n10. This step n1
0 → step n11 → step n12 → step n10
, The capacitance value at the inflection point where the capacity increase starts is obtained.

【0066】ck+1>ckであるときは、ステップn
13に移り、テーブル40のアドレス「k+1」が指定
されて、ck+1に対応する測定時間tk+1が読み出
され、ステップn14でRAM39に記憶される。ここ
で、測定時間tk+1は、電圧印加時から容量変化の屈
曲点に到達するまでの時間T1に相当する。
If ck + 1> ck, step n
In step 13, the address “k + 1” in the table 40 is specified, the measurement time tk + 1 corresponding to ck + 1 is read, and stored in the RAM 39 in step n14. Here, the measurement time tk + 1 corresponds to a time T1 from when the voltage is applied to when the bending point of the capacitance change is reached.

【0067】次いで、ステップn15で変数kをmに設
定し、ステップn16でmを1インクリメントする。そ
して、ステップn17でテーブル40のアドレス
「m」,「m+1」を指定して、cm,cm+1を読み
出して、ステップn18でcm=cm+1か否かが判断
される。ここで、前記屈曲点以降の一定時間、容量値は
増加変化していく。従って、ステップn18ではNoと
判断される。そして、一定時間後に容量値が飽和する。
従って、かかる飽和容量値に達したときは、cm=cm
+1となり、容量値が飽和した時点での容量値が求めら
れる。そして、処理はステップn19に移り、このとき
のm+1をアドレス指定してテーブル40からこのm+
1に対応する測定時間tm+1を読み出す。そして、ス
テップn20で、この時間tm+1がRAM39に記憶
される。この測定時間tm+1は、電圧印加時から容量
が飽和するに至るまでに要した時間T2に相当する。こ
うして、電圧印加時から容量変化の屈曲点に至るまでの
時間T1、及び電圧印加時から飽和点に至までの時間T
2が、それぞれ自動的に算出され、RAM39に記憶さ
れたことになる。
Next, at step n15, the variable k is set to m, and at step n16, m is incremented by one. Then, at step n17, the addresses "m" and "m + 1" of the table 40 are designated, and cm and cm + 1 are read out. At step n18, it is determined whether cm = cm + 1. Here, the capacitance value increases and changes for a certain time after the bending point. Accordingly, No is determined in step n18. Then, after a certain time, the capacitance value is saturated.
Therefore, when the saturation capacity value is reached, cm = cm
+1 and the capacitance value at the time when the capacitance value is saturated is obtained. Then, the process proceeds to step n19, in which the address m + 1 at this time is specified, and this m +
The measurement time tm + 1 corresponding to 1 is read. Then, at step n20, the time tm + 1 is stored in the RAM 39. This measurement time tm + 1 corresponds to the time T2 required from the time of voltage application until the capacitance is saturated. Thus, the time T1 from the voltage application to the inflection point of the capacitance change and the time T from the voltage application to the saturation point T
2 are automatically calculated and stored in the RAM 39.

【0068】次いで、かかる評価指標を目視するため、
印字或いは表示入力操作により、時間T1、T2が表示
され(ステップn21,n22)、またプリントされる
(ステップn23,n24)。
Next, in order to visually check the evaluation index,
Times T1 and T2 are displayed by printing or display input operation (steps n21 and n22) and printed (steps n23 and n24).

【0069】こうして、本実施の形態1に係る評価指標
を自動的に計測することが可能となる。
Thus, the evaluation index according to the first embodiment can be automatically measured.

【0070】(実施の形態2)実施の形態2に係るスプ
レイ−ベンド転移時間の評価法は、以下の〜の工程
により行う。設定電圧を段階的に上昇させながら、ス
プレイ配向を示すホモジニアスセル液晶セルに電圧を印
加する。 上記電圧上昇時における各設定電圧毎のセ
ル容量の時間変化をモニターする。 電圧上昇時にお
ける設定電圧と同一設定電圧を段階的に下降させなが
ら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する。上
記電圧下降時における各設定電圧毎のセル容量の時間変
化をモニターする。上記の及びのモニター結果よ
り、電圧−セル容量曲線のヒステリシスの大きさSを求
める。 上記のヒステリシスの大きさSを評価指標と
して、スプレイ−ベンド転移時間を評価する。ここでヒ
ステリシスの大きさSは、後述するC−Vヒステリシス
曲線で囲まれる領域の面積で表される。
(Embodiment 2) The method for evaluating the splay-bend transition time according to Embodiment 2 is performed by the following steps (1) to (4). While gradually increasing the set voltage, a voltage is applied to the homogeneous cell liquid crystal cell showing the splay alignment. The time change of the cell capacity at each set voltage at the time of the voltage rise is monitored. A voltage is applied to the liquid crystal cell showing the bend alignment while gradually decreasing the same set voltage as the set voltage at the time of the voltage increase. The time change of the cell capacity for each set voltage at the time of the voltage drop is monitored. The magnitude S of the hysteresis of the voltage-cell capacity curve is obtained from the above monitoring results. The splay-bend transition time is evaluated using the magnitude S of the hysteresis as an evaluation index. Here, the magnitude S of the hysteresis is represented by the area of a region surrounded by a CV hysteresis curve described later.

【0071】このような実施の形態2に係る評価法によ
り、容易で且つ信頼性の高い転移時間の評価を行うこと
ができる。以下に、その理由及び評価法の詳細を、本発
明者の実験結果に基づき説明する。
With the evaluation method according to the second embodiment, it is possible to easily and reliably evaluate the transition time. Hereinafter, the reason and details of the evaluation method will be described based on the experimental results of the present inventors.

【0072】先ず、基板間隔が5.2μmであること以
外は実施の形態1と同様の構成の液晶セルを2ケ作成
し、前記表1に示す物性値を有する液晶材料LC5及び
LC6を真空注入法にて注入し、テストセルC、Dを製
造した。
First, two liquid crystal cells having the same structure as in the first embodiment were prepared except that the distance between the substrates was 5.2 μm, and the liquid crystal materials LC5 and LC6 having the physical properties shown in Table 1 were vacuum-injected. Test cells C and D were manufactured by injection according to the method.

【0073】その後、それぞれのセルC、Dに対して、
図10に示すように階段状に印加電圧を上昇させ、各設
定電圧に対するセル容量の時間変化を測定した。
Thereafter, for each of the cells C and D,
As shown in FIG. 10, the applied voltage was increased stepwise, and the time change of the cell capacity with respect to each set voltage was measured.

【0074】また、電圧を降下させて、セル容量の時間
変化を測定した。尚、電圧を降下させる場合には、一旦
30V(確実にベンド配向に転移する電圧値)を印加
し、ベンド配向を目視で確認してから、図10の割合で
電圧を階段状に降下させた。各設定電圧に対するセルC
の容量の時間変化は、図11及び図12に示す。尚、図
11は設定電圧の上昇の場合、図12は設定電圧の下降
の場合である。
Further, the voltage was lowered and the time change of the cell capacity was measured. When the voltage was decreased, a voltage of 30 V (voltage for surely transitioning to bend orientation) was applied once, the bend orientation was visually checked, and then the voltage was decreased stepwise at the rate shown in FIG. . Cell C for each set voltage
FIG. 11 and FIG. FIG. 11 shows a case where the set voltage rises, and FIG. 12 shows a case where the set voltage drops.

【0075】次に、各設定電圧値での容量を、電圧印加
後595秒〜600秒間の平均容量でもって定義し、容
量−電圧(C−V)特性を求めた。このような容量−電
圧(C−V)特性をグラフ化したものが図13に示され
ている。ここで、595秒〜600秒としたのは、特定
設定電圧値(図11中の2.6V、2.7V)を除い
て、電圧印加後に完全に容量変化が完了しており、容量
が安定した時間として、例えば595秒〜600を選ん
だものである。尚、特定設定電圧値の場合に、容量が増
加しているのは、最大スプレイ配向からベンド配向への
飛び越し、いわゆる配向の緩和が生じているためであ
る。図12に示すように、電圧降下時においても、59
5秒〜600秒の平均容量値としたのは、上記電圧上昇
時における理由と同様である。但し、図12において、
容量が減少する特定設定電圧値(図12中の1.8V、
1.6V)の場合に、容量が減少しているのは、ベンド
配向からスプレイ配向への飛び越し、いわゆる配向の緩
和が生じているためである。
Next, the capacitance at each set voltage value was defined as an average capacitance for 595 seconds to 600 seconds after voltage application, and a capacitance-voltage (CV) characteristic was obtained. FIG. 13 shows a graph of such a capacitance-voltage (CV) characteristic. Here, the reason for setting the period to 595 seconds to 600 seconds is that, except for the specific set voltage value (2.6 V, 2.7 V in FIG. 11), the capacitance change is completely completed after the voltage is applied, and the capacitance is stable. The selected time is, for example, 595 seconds to 600. In the case of the specific set voltage value, the reason why the capacitance is increased is that jump from the maximum splay alignment to the bend alignment, that is, so-called relaxation of the alignment occurs. As shown in FIG.
The reason why the average capacitance value is set to 5 seconds to 600 seconds is the same as the reason at the time of the voltage rise. However, in FIG.
The specific set voltage value at which the capacitance decreases (1.8 V in FIG. 12,
In the case of 1.6V), the reason why the capacitance is reduced is that jumping from bend alignment to splay alignment, that is, relaxation of alignment has occurred.

【0076】次いで、セルDについて、上記のセルCと
同様な手順でC−V特性を求める。図14は、セルDの
C−V特性をグラフ化したものである。尚、セルCの容
量の時間変化を示す図6及び図7に対応する図は省略す
るが、セルDのC−V特性を求める際にも、セルDの容
量の時間変化は予め求めている。
Next, the CV characteristics of the cell D are determined in the same procedure as that of the cell C. FIG. 14 is a graph of CV characteristics of the cell D. 6 and 7 showing the time change of the capacity of the cell C are omitted, but the time change of the capacity of the cell D is obtained in advance when obtaining the CV characteristic of the cell D. .

【0077】尚、特定設定電圧値は、電圧上昇時におい
ては図13及び図14のヒステリシスの上限付近の電圧
値に相当し、電圧降下時においては図13及び図14の
ヒステリシスの下限付近の電圧値に相当する。このこと
は、スプレイ配向とベンド配向との間には、エネルギー
差があることを意味する。
The specific set voltage value corresponds to the voltage value near the upper limit of the hysteresis in FIGS. 13 and 14 when the voltage rises, and the voltage near the lower limit of the hysteresis in FIGS. 13 and 14 when the voltage drops. Equivalent to the value. This means that there is an energy difference between the splay alignment and the bend alignment.

【0078】図13及び図14より明らかなように、ヒ
ステリシスが存在している。この点に関して、従来は一
般的にはベンド配向モードの液晶表示素子では、ヒステ
リシスが存在していないと考えられていた。しかし、本
発明者が容量変化に着目して、上記の実施の形態1に述
べた実験中において、ヒステリシスが存在していること
を発見した。よって、本発明者は、このヒステリシスに
着目して、実施の形態2の評価法を得るに至ったもので
ある。
As is clear from FIGS. 13 and 14, there is a hysteresis. In this regard, conventionally, it has generally been considered that a bend alignment mode liquid crystal display element has no hysteresis. However, the present inventor paid attention to the change in capacitance, and discovered that hysteresis was present during the experiment described in the first embodiment. Therefore, the present inventor has focused on this hysteresis and has come to obtain the evaluation method of the second embodiment.

【0079】ここで、図13及び図14におけるC−V
ヒステリシス曲線で囲まれる領域の広さは、スプレイ配
向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとの差に対応
しており、スプレイ−ベンド転移の容易性に対応してい
る。これは、ベンド配向からスプレイ配向への転移の場
合、本来的には電圧を0Vにすれば自動的に転移する。
このことは、それぞれの自由エネルギーの大きさを考慮
すると、ベンド配向からスプレイ配向への転移は、電圧
を0Vにすると急激に転移が生じるものと考えられ、図
13において、ラインL2は急激に低下していることが
分かる。よって、スプレイ配向とベンド配向間における
転移は、ラインL2が理想である。従って、スプレイ配
向からベンド配向への転移を示すラインL1は、本来的
にはラインL2と同様となるべきである。しかしなが
ら、スプレイ配向からベンド配向への転移に要するエネ
ルギーと、ベンド配向からスプレイ配向への転移に要す
るエネルギーとに差があるため、ラインL1は緩やかに
立ち上がる。よって、ラインL1がラインL2に近づく
方が、スプレイ配向からベンド配向への転移が容易であ
ると考えられる。
Here, CV in FIGS. 13 and 14 is used.
The width of the region surrounded by the hysteresis curve corresponds to the difference between the energy of the splay alignment and the energy of the bend alignment, and corresponds to the ease of the splay-bend transition. This is because, in the case of transition from the bend orientation to the splay orientation, the transition is automatically performed by setting the voltage to 0V.
This is considered that, considering the magnitude of each free energy, the transition from the bend orientation to the splay orientation is considered to occur rapidly when the voltage is set to 0 V. In FIG. You can see that it is doing. Therefore, the line L2 is ideal for the transition between the splay alignment and the bend alignment. Therefore, the line L1 indicating the transition from the splay alignment to the bend alignment should be essentially the same as the line L2. However, since there is a difference between the energy required for the transition from the splay alignment to the bend alignment and the energy required for the transition from the bend alignment to the splay alignment, the line L1 rises slowly. Therefore, it is considered that the transition from the splay alignment to the bend alignment is easier when the line L1 approaches the line L2.

【0080】このような推論の基に、セルCとセルDの
それぞれのヒステリシス領域の面積比を比較すると、1
5:8であり、液晶材料LC5に比べ液晶材料LC6が
より高速なベンド転移を示すことが分かる。
Based on the above inference, the area ratio between the hysteresis regions of cell C and cell D is compared.
5: 8, indicating that the liquid crystal material LC6 shows a faster bend transition than the liquid crystal material LC5.

【0081】尚、セルC及びセルDに10Vを印加し、
スプレイ配向からベンド配向に要する時間を目視観察に
より別途測定した結果では、それぞれ150秒、85秒
であり、上記推論の有効性、ひいては本発明の有効性が
立証されている。
Note that 10 V is applied to the cells C and D,
The results of separately measuring the time required from the splay alignment to the bend alignment by visual observation are 150 seconds and 85 seconds, respectively, demonstrating the effectiveness of the above inference and the effectiveness of the present invention.

【0082】また、本実施の形態2のスプレイ−ベンド
転移時間評価法におけるC−Vヒステリシス領域の大き
さは、(配向膜のアンカリングエネルギーA/弾性定数
K)の関数であるため、配向膜の異なったセル同士を比
較する場合や、シアノ系とフッ素系のように異なった系
の液晶材料を含むセル同士を比較する場合には、アンカ
リングエネルギーの測定も併せて行う必要がある。
The size of the CV hysteresis region in the splay-bend transition time evaluation method according to the second embodiment is a function of (anchoring energy A of the alignment film / elastic constant K). When comparing cells having different liquid crystal materials, or when comparing cells containing liquid crystal materials of different systems such as a cyano system and a fluorine system, it is necessary to also measure the anchoring energy.

【0083】次いで、上記実施の形態2に係る評価指標
を自動的に計測する評価装置について説明する。本実施
の形態2に係る評価装置は、上記実施の形態1における
評価装置30を用いて、且つモード2が選択された場合
に評価指標を自動的に計測するように構成されている。
Next, an evaluation apparatus for automatically measuring an evaluation index according to the second embodiment will be described. The evaluation device according to the second embodiment uses the evaluation device 30 according to the first embodiment, and is configured to automatically measure an evaluation index when mode 2 is selected.

【0084】図15はモード2が選択された場合の処理
動作を示すフローチャートである。以下に、図15を参
照してヒステリシスの大きさSを自動的に計測する動作
について説明する。
FIG. 15 is a flowchart showing the processing operation when mode 2 is selected. The operation of automatically measuring the magnitude S of the hysteresis will be described below with reference to FIG.

【0085】先ず、ステップm1において、初期電圧V
1が設定され、ステップm2で液晶セルに電圧V1が印
加され、ステップm3でセル容量値測定処理が実行され
る。このステップm3でのセル容量値測定処理は、基本
的には前記ステップn1〜ステップn9と同様の処理で
ある。そして、ステップm4で一定期間W3経過したか
否かが判断され、期間W3経過していないときにはステ
ップm3に戻る。ここで、期間W3は各設定電圧毎のセ
ル容量測定時間を示す。そして、ステップm4で設定印
加電圧Vが最大設定電圧30[V]であるか否かが判断
され、30[V]に達していないときは、ステップm6
で設定印加電圧Vを所定値だけ増加し、ステップm2に
戻る。こうして、ステップm2〜ステップm6の閉ルー
プ処理により、初期設定電圧V1から最大設定電圧30
[V]までの複数の設定電圧毎のセル容量変化が測定さ
れ、設定電圧毎の容量変化としての測定時間tiとその
時の容量値ciがテーブル40に記憶される。これによ
り、電圧上昇時における複数の設定電圧におけるセル容
量変化がモニターされ、テーブル40に記憶されたこと
になる。
First, in step m1, the initial voltage V
1 is set, the voltage V1 is applied to the liquid crystal cell in step m2, and the cell capacitance value measurement processing is executed in step m3. The cell capacity value measurement processing in step m3 is basically the same processing as in steps n1 to n9. Then, it is determined in step m4 whether a predetermined period W3 has elapsed. If the period W3 has not elapsed, the process returns to step m3. Here, the period W3 indicates a cell capacity measurement time for each set voltage. Then, in step m4, it is determined whether or not the set application voltage V is the maximum set voltage 30 [V]. If the set applied voltage V has not reached 30 [V], the process proceeds to step m6.
Increases the set applied voltage V by a predetermined value, and returns to step m2. In this way, the closed loop processing of step m2 to step m6 allows the maximum set voltage 30
The cell capacity change for each of the plurality of set voltages up to [V] is measured, and the measurement time ti as the capacity change for each set voltage and the capacitance value ci at that time are stored in the table 40. As a result, a change in the cell capacity at a plurality of set voltages when the voltage rises is monitored and stored in the table 40.

【0086】次いで、ステップm7〜ステップm11の
閉ループ処理により最大設定電圧30[V]から0
[V]までの複数の設定電圧毎のセル容量変化が測定さ
れ、設定電圧毎の容量変化としての測定時間とその時の
容量値がテーブル40に記憶される。具体的に説明する
と、ステップm7で設定電圧を所定値減少させる。この
ときの減少値は上記設定電圧上昇時における増加値と同
様であり、これにより、電圧上昇時と電圧下降時とは同
一の設定電圧値が印加されることになる。そして、ステ
ップm8で設定電圧が液晶セルに印加され、容量変化が
ステップm9で測定され、テーブル40に記憶され、ス
テップm10で設定電圧の測定時間W3が経過したか否
かが判断され、時間W3が経過していないときはステッ
プm9に戻る。時間W3経過したときは、ステップm1
1に移り、設定電圧が0[V]か否かが判断され、0
[V]に達していないときは、ステップm7に戻り、設
定電圧を減少させて、その設定電圧を液晶セルに印加す
る。
Next, by the closed loop processing of steps m7 to m11, the maximum set voltage is reduced from 30 [V] to 0.
A change in cell capacity for each of a plurality of set voltages up to [V] is measured, and a measurement time as a change in capacity for each set voltage and a capacitance value at that time are stored in a table 40. More specifically, in step m7, the set voltage is reduced by a predetermined value. The decreasing value at this time is the same as the increasing value when the set voltage rises, whereby the same set voltage value is applied when the voltage rises and when the voltage falls. Then, in step m8, the set voltage is applied to the liquid crystal cell, the capacitance change is measured in step m9, stored in the table 40, and it is determined in step m10 whether the set voltage measurement time W3 has elapsed. If has not elapsed, the flow returns to step m9. When the time W3 has elapsed, step m1
Then, it is determined whether the set voltage is 0 [V] or not.
If the voltage has not reached [V], the flow returns to step m7, where the set voltage is reduced, and the set voltage is applied to the liquid crystal cell.

【0087】こうして、設定電圧を上昇させて液晶セル
の容量変化をモニターし、且つ設定電圧を下降させて液
晶セルの容量変化をモニターし、これらの結果はテーブ
ル40に記憶することができる。
In this way, the change in capacitance of the liquid crystal cell is monitored by increasing the set voltage, and the change in capacitance of the liquid crystal cell is monitored by decreasing the set voltage. These results can be stored in the table 40.

【0088】次いで、テーブル40に記憶されているデ
ータに基づいて、本実施の形態2に係る評価指標を算出
する。具体的には、ステップm11で電圧印加後の一定
期間内での容量変化の平均値が算出される。この一定期
間は、特定設定電圧値(電圧上昇時には2.6V、2.
7V、電圧下降時には1.8V、1.6V)を除いて、
電圧印加後に完全に容量変化が完了しており、容量が安
定した時間であり、本実施の形態2では595秒〜60
0秒とした。これは容量−電圧曲線(C−V曲線)の算
出の便宜を考慮したものである。なお、算出された平均
容量値Cmは、テーブル40に記憶される。次いで、ス
テップm13に移りC−V曲線上のヒステリシスの大き
さが算出される。具体的には、図13または図14に示
すC−V曲線上の面積Sを算出する。そして、ステップ
m14に移り、算出された面積Sを印字し、また表示す
る。
Next, an evaluation index according to the second embodiment is calculated based on the data stored in the table 40. Specifically, in step m11, the average value of the capacitance change within a certain period after the voltage application is calculated. During this fixed period, the specific set voltage value (2.6 V when the voltage rises, 2.
7V, 1.8V, 1.6V when the voltage drops)
The capacitance change is completely completed after the voltage is applied, and it is a time when the capacitance is stabilized.
0 seconds. This takes into account the convenience of calculating the capacitance-voltage curve (CV curve). The calculated average capacity value Cm is stored in the table 40. Next, the process proceeds to step m13, where the magnitude of the hysteresis on the CV curve is calculated. Specifically, the area S on the CV curve shown in FIG. 13 or FIG. 14 is calculated. Then, the process proceeds to step m14, where the calculated area S is printed and displayed.

【0089】こうして、評価装置により、本実施の形態
2に係る評価指標が自動的に計測されて表示・印字され
ることになる。
In this way, the evaluation index according to the second embodiment is automatically measured, displayed and printed by the evaluation device.

【0090】(実施の形態3)実施の形態3に係るスプ
レイ−ベンド転移時間の評価法は、実施の形態2の評価
法と類似する。但し、実施の形態2では、ヒステリシス
の大きさを評価指標としたけれども、本実施の形態3で
は、実施の形態2で説明した配向緩和に要する時間(以
下、配向緩和時間と称する)T3、あるいは測定の便宜
のため配向緩和時間T3を規格化したセル容量変化率E
を、評価指標としてスプレイ−ベンド転移時間を評価す
る。
(Embodiment 3) The evaluation method of the splay-bend transition time according to the third embodiment is similar to the evaluation method of the second embodiment. However, in the second embodiment, although the magnitude of the hysteresis is used as the evaluation index, in the third embodiment, the time required for the orientation relaxation (hereinafter, referred to as the orientation relaxation time) T3 described in the second embodiment, or Cell capacity change rate E with normalized orientation relaxation time T3 for convenience of measurement
Is used as an evaluation index to evaluate the splay-bend transition time.

【0091】このような実施の形態3に係る評価法によ
り、容易で且つ信頼性の高い転移時間の評価を行うこと
ができる。以下に、その理由及び評価法の詳細を、本発
明者の実験結果に基づき説明する。
The evaluation method according to the third embodiment makes it possible to easily and reliably evaluate the transition time. Hereinafter, the reason and details of the evaluation method will be described based on the experimental results of the present inventors.

【0092】(1)配向緩和時間T3の場合 上記実施の形態2におけるのと同一のセルC,Dについ
て同一実験を行い、図11を得た。ここで、配向緩和現
象について、既に実施の形態2において簡単に説明して
いるけれども、図11を参照して更に詳細に説明する。
スプレイ配向の状態において電圧印加されると、初期の
スプレイ配向から一気にベンド配向に転移するのではな
く、先ず、スプレイ配向の程度が大きくなっていき、ス
プレイ配向の最大変形状態に達し、このスプレイ配向の
最大変形状態から、ベンド配向に飛び越していくことが
知られている。そして、このような配向転移により、図
11に示すように、特定設定電圧値(2.6V、2.7
V)に関して、容量が増加していくことになる。即ち、
設定電圧1.0Vから電圧を上昇させていくと、電圧切
り替え直後に、液晶分子が立つ上がり、通常は、2〜3
秒以内に一定の容量値に到達する。このような容量変化
が、特定設定電圧に達するまで起こる。この設定電圧
1.0Vから、特定設定電圧印加の間において、前記ス
プレイ配向の最大変形状態が電極全面にわたって伝播す
ると考えられる。
(1) In the case of the orientation relaxation time T3 The same experiment was performed on the same cells C and D as in the second embodiment, and FIG. 11 was obtained. Here, although the orientation relaxation phenomenon has already been simply described in the second embodiment, it will be described in more detail with reference to FIG.
When a voltage is applied in the state of the splay alignment, the splay alignment does not transition from the initial splay alignment to the bend alignment at a stretch, but the degree of the splay alignment first increases, and reaches the maximum deformation state of the splay alignment. Is known to jump from the maximum deformation state to the bend orientation. Then, as shown in FIG. 11, the specific set voltage value (2.6 V, 2.7
Regarding V), the capacity will increase. That is,
When the voltage is increased from the set voltage of 1.0 V, the liquid crystal molecules rise immediately after the switching of the voltage.
Reach a certain capacity value within seconds. Such a change in capacitance occurs until a specific set voltage is reached. From the setting voltage of 1.0 V, it is considered that the maximum deformation state of the splay orientation propagates over the entire surface of the electrode during the application of the specific setting voltage.

【0093】そして、特定設定電圧に達すると、2〜3
秒以内に一定の容量値まで急激に上昇した後、一定の傾
斜角度でもって、容量が増加していき、容量値が飽和す
るまでに長時間を要する。これは、スプレイ配向からベ
ンド配向への配向の緩和、即ち、スプレイ配向の最大変
形状態から、ベンド配向への飛び越し現象が生じている
ものと考えられる。よって、この配向緩和時間T3が短
ければ短い程、スプレイ配向からベンド配向に転移が容
易に起こるものと考えられる。従って、この配向緩和時
間T3を、転移時間の評価指標とすることができる。
尚、設定電圧が2.7V以上では、特定設定電圧に達す
る以前と同様に、2〜3秒以内に一定の容量値に到達す
る。これは、液晶セルがベンド配向状態を維持したま
ま、更に基板界面近傍の液晶分子が立ち上がるためであ
る。
When the voltage reaches the specific set voltage, 2-3
After rapidly increasing to a certain capacitance value within a second, the capacitance increases at a certain inclination angle, and it takes a long time until the capacitance value is saturated. This is considered to be due to the relaxation of the orientation from the splay orientation to the bend orientation, that is, the phenomenon of jumping from the maximum deformation state of the splay orientation to the bend orientation. Therefore, it is considered that the shorter the orientation relaxation time T3, the easier the transition from the splay orientation to the bend orientation occurs. Therefore, the orientation relaxation time T3 can be used as an evaluation index of the transition time.
When the set voltage is 2.7 V or more, the capacitance value reaches a certain value within 2 to 3 seconds, as before reaching the specific set voltage. This is because the liquid crystal molecules rise further near the substrate interface while the liquid crystal cell maintains the bend alignment state.

【0094】上記の例では、設定電圧が上昇していく場
合について説明したけれども、図12に示すように、設
定電圧が下降していく場合におけるベンド配向からスプ
レイ配向への配向緩和時間T4を評価指標としてもよ
い。但し、この場合は、配向緩和時間T4が長い程、ス
プレイ配向からベンド配向に転移が容易に起こるものと
考えられる。これは、上記ヒステリシスに関する説明に
おいて述べたように、スプレイ配向からベンド配向への
転移容易性と、ベンド配向からスプレイ配向への転移容
易性とは、反対の関係となるからである。
In the above example, the case where the set voltage increases is described. However, as shown in FIG. 12, the alignment relaxation time T4 from the bend alignment to the splay alignment when the set voltage decreases is evaluated. It may be used as an index. However, in this case, it is considered that the transition from the splay alignment to the bend alignment occurs more easily as the alignment relaxation time T4 is longer. This is because, as described in the description regarding the hysteresis, the ease of transition from the splay alignment to the bend orientation is opposite to the ease of the transition from the bend alignment to the splay alignment.

【0095】(2)セル容量変化率Eの場合 配向緩和時間T3の測定には、長時間を要するため、測
定の便宜を考慮して、配向緩和時間T3を規格化した値
としてセル容量変化率Eを評価指標とする。
(2) In the case of the cell capacitance change rate E Since the measurement of the orientation relaxation time T3 requires a long time, the cell relaxation rate T is defined as a normalized value of the orientation relaxation time T3 in consideration of the convenience of the measurement. E is used as an evaluation index.

【0096】ここで、セル容量変化率Eは、測定時間内
での配向緩和に起因する実質的な容量変化値を、測定範
囲内における最大セル容量と最小セル容量の差で除した
値を意味する。具体的には、以下の式で定義される。
Here, the cell capacity change rate E means a value obtained by dividing a substantial capacity change value caused by orientation relaxation within the measurement time by a difference between the maximum cell capacity and the minimum cell capacity within the measurement range. I do. Specifically, it is defined by the following equation.

【0097】セル容量変化率E=(配向緩和時間の最大
測定時間経過時でのセル容量−電圧印加5秒後でのセル
容量)/(設定電圧のうちの最大電圧を印加した時のセ
ル容量−電圧無印加時のセル容量) 尚、上記の式の分子において、配向緩和時間の最大測定
時間経過時でのセル容量から、電圧印加5秒後でのセル
容量分を引いているのは、電圧印加5秒後でのセル容量
は配向緩和に起因する容量変化でないからである。ま
た、セル容量変化率が大きい方が、スプレイ−ベンド転
移が容易である。
Cell capacity change rate E = (cell capacity at the time of maximum measurement of orientation relaxation time−cell capacity after 5 seconds of voltage application) / (cell capacity at the time of applying the maximum voltage of the set voltage) In the numerator of the above formula, the difference between the cell capacity at the time when the maximum measurement time of the orientation relaxation time has elapsed and the cell capacity at 5 seconds after the voltage application is subtracted is as follows. This is because the cell capacity after 5 seconds from the application of the voltage is not a change in capacity due to the relaxation of the orientation. The larger the rate of change in cell capacity, the easier the splay-bend transition.

【0098】図11に示す実験においては、セル容量変
化率Eは、以下の式で定義した。
In the experiment shown in FIG. 11, the cell capacity change rate E was defined by the following equation.

【0099】即ち、セル容量変化率=(電圧印加10分
後でのセル容量−電圧印加5秒後でのセル容量)/(2
0Vの電圧を印加した時のセル容量−電圧無印加時のセ
ル容量)と定義した。
That is, the cell capacity change rate = (cell capacity after 10 minutes of voltage application−cell capacity after 5 seconds of voltage application) / (2
(Cell capacity when a voltage of 0 V is applied−cell capacity when no voltage is applied).

【0100】セルCおよびセルDについて、前記容量変
化率を求めたところ、それぞれ0.00299、0.0
0588であった。よって、セルDの方が、セルCより
もスプレイ−ベンド転移が容易と評価でき、実施の形態
2における評価とも一致している。
The above-mentioned capacity change rates of the cells C and D were determined to be 0.00299 and 0.0299, respectively.
0588. Therefore, it can be evaluated that the splay-bend transition is easier in the cell D than in the cell C, which is consistent with the evaluation in the second embodiment.

【0101】上記例では、設定電圧の上昇時の場合につ
いて説明したけれども、設定電圧の下降時の場合につい
てセル容量変化率を算出して、これを評価指標してもよ
い。但し、この場合のベンド−スプレイのセル容量変化
率では、上記のスプレイ−ベンドのセル容量変化率とは
逆になり、容量変化率は小さい方が、スプレイ配向から
ベンド配向への転移が容易となる。
In the above example, the case where the set voltage rises has been described. However, the cell capacity change rate may be calculated for the case where the set voltage falls, and this may be used as an evaluation index. However, in this case, the bend-spray cell capacity change rate is opposite to the above-described spray-bend cell capacity change rate, and the smaller the capacity change rate, the easier the transition from the splay orientation to the bend orientation. Become.

【0102】(3)その他の規格化した値の場合 上記のセル容量変化率をセルギャップで除した値を、評
価指標として用いてもよい。
(3) Other Standardized Values A value obtained by dividing the above-mentioned cell capacity change rate by the cell gap may be used as an evaluation index.

【0103】次いで、本実施の形態3に係る評価指標
(配向緩和時間T3,T4、セル容量変化率E)を自動
的に計測する評価装置について説明する。本実施の形態
3に係る評価装置は、上記実施の形態1における評価装
置30を用いて、且つモード3、モード4、モード5、
モード6が選択された場合に評価指標を自動的に計測す
るように構成されている。モード3は設定電圧上昇時に
おける配向緩和時間T3を求めるものであり、モード4
は設定電圧下降時における配向緩和時間T4を求めるも
のであり、モード5は設定電圧上昇時におけるセル容量
変化率Eを求めるものであり、モード6は設定電圧下降
時におけるセル容量変化率Eを求めるものである。
Next, a description will be given of an evaluation apparatus according to the third embodiment for automatically measuring evaluation indices (orientation relaxation times T3, T4, cell capacity change rate E). The evaluation device according to the third embodiment uses the evaluation device 30 according to the first embodiment, and uses the mode 3, the mode 4, the mode 5,
When the mode 6 is selected, the evaluation index is automatically measured. Mode 3 is for obtaining the orientation relaxation time T3 when the set voltage rises.
Is for obtaining the orientation relaxation time T4 when the set voltage falls, mode 5 is for obtaining the cell capacity change rate E when the set voltage is rising, and mode 6 is for obtaining the cell capacity change rate E when the set voltage drops. Things.

【0104】先ず、モード3が選択された場合の処理動
作について、図16を参照して説明する。
First, the processing operation when mode 3 is selected will be described with reference to FIG.

【0105】このモード3の処理は、基本的にはモード
2と類似するものである。即ち、ステップp1〜ステッ
プp6の処理は、前記ステップm1〜ステップm6と同
様の処理であり、これにより、複数の設定電圧の上昇時
に関する液晶セルの容量変化が測定される。
The processing in mode 3 is basically similar to that in mode 2. That is, the processing of step p1 to step p6 is the same as the processing of step m1 to step m6, whereby the capacitance change of the liquid crystal cell when a plurality of set voltages increase is measured.

【0106】次いで、ステップp7では容量値が増加す
る特定電圧Vupが求められる。なお、電圧印加時から
5秒程度までの容量変化は無視し、例えば10秒以降の
測定時間に関する容量の増加を求める。具体的には、印
加電圧V1,V2,V3…のそれぞれの或る時間例えば
10秒における容量値Cとその次の測定時の容量値とを
比較して増加しているか否かを判断する。そして、増加
している特定電圧Vupを求める。
Next, at step p7, a specific voltage Vup at which the capacitance value increases is determined. It should be noted that a change in capacitance from the time of voltage application to about 5 seconds is ignored, and for example, an increase in capacity with respect to a measurement time of 10 seconds or later is obtained. Specifically, it is determined whether or not the applied voltage V1, V2, V3,... At a certain time, for example, 10 seconds, is compared with the capacitance value at the time of the next measurement to determine whether the applied voltage is increased. Then, the increasing specific voltage Vup is obtained.

【0107】次いで、ステップp8において、その増加
する特定電圧Vupに関するセル容量の飽和時間T(配
向緩和時間T3に相当する)を求める。具体的には、ス
テップp7で求められた特定電圧Vupに関して、容量
値ciと容量値ci+1が等しくなる容量値を求め、こ
のときの「i+1」でテーブル40をアドレス指定するこ
とにより、配向緩和時間T3が求められる。この配向緩
和時間T3はRAM39記憶される。
Next, in step p8, the saturation time T (corresponding to the orientation relaxation time T3) of the cell capacitance with respect to the increasing specific voltage Vup is determined. Specifically, with respect to the specific voltage Vup obtained in step p7, a capacitance value at which the capacitance value ci and the capacitance value ci + 1 are equal is obtained, and the address of the table 40 is designated by “i + 1” at this time. T3 is required. The orientation relaxation time T3 is stored in the RAM 39.

【0108】次いで、かかる配向緩和時間T3を目視す
るため、印字又は表示入力操作により、配向緩和時間T
3が表示され、また、プリントされる(ステップp
9)。こうして、評価装置により、自動的に配向緩和時
間T3を計測することが可能となる。
Next, in order to visually observe the orientation relaxation time T3, a printing or display input operation is performed to adjust the orientation relaxation time T3.
3 is displayed and printed (step p
9). Thus, the evaluation device can automatically measure the orientation relaxation time T3.

【0109】次いで、モード4が選択された場合の処理
動作について、図17を参照して説明する。 このモ
ード4の処理は、基本的にはモード2と類似するもので
ある。即ち、ステップr1〜ステップr6の処理は、前
記ステップm1〜ステップm6と同様の処理であり、こ
れにより、複数の設定電圧の下降時に関するセル容量変
化が測定される。
Next, the processing operation when mode 4 is selected will be described with reference to FIG. The processing in mode 4 is basically similar to that in mode 2. That is, the processing of steps r1 to r6 is the same as the processing of steps m1 to m6 described above, whereby the change in the cell capacity when a plurality of set voltages decrease is measured.

【0110】次いで、ステップp7では容量値が減少す
る特定電圧Vdownが求められる。なお、電圧印加時
から5秒程度までの容量変化は無視し、例えば10秒以
降の測定時間に関する容量の増加を求める。具体的に
は、印加設定電圧Vr(Vr=30)、Vr−1、Vr
−2,…、のそれぞれの或る時間例えば10秒後におけ
る容量値cとその次の測定時の容量値c+1とを比較し
て減少しているか否かを判断する。そして、設定電圧の
うち減少している特定電圧Vdownを求める。
Next, at step p7, a specific voltage Vdown at which the capacitance value decreases is obtained. It should be noted that a change in capacitance from the time of voltage application to about 5 seconds is ignored, and for example, an increase in capacity with respect to a measurement time of 10 seconds or later is obtained. Specifically, the applied set voltage Vr (Vr = 30), Vr-1, Vr
,... Are compared with the capacitance value c + 1 at the time of the next measurement to determine whether or not the capacitance value c has decreased. Then, a specific voltage Vdown that is decreasing among the set voltages is obtained.

【0111】次いで、ステップp8において、その減少
する特定電圧Vdownに関するセル容量の飽和時間T
(配向緩和時間T4に相当する)を求める。具体的に
は、ステップr7で求められた特定電圧Vdownに関
して、容量値ciと容量値ci+1が等しくなる容量値
を求め、このときの「i+1」でテーブル40をアドレス
指定することにより、配向緩和時間T4が求められる。
この配向緩和時間T4はRAM39に記憶される。
Next, in step p8, the saturation time T of the cell capacitance with respect to the decreasing specific voltage Vdown.
(Corresponding to the orientation relaxation time T4). Specifically, with respect to the specific voltage Vdown obtained in step r7, a capacitance value at which the capacitance value ci and the capacitance value ci + 1 become equal is obtained, and the address of the table 40 is designated by “i + 1” at this time. T4 is required.
The orientation relaxation time T4 is stored in the RAM 39.

【0112】次いで、かかる配向緩和時間T4を目視す
るため、印字又は表示入力操作により、配向緩和時間T
4が表示され、また、プリントされる(ステップp
9)。こうして、評価装置により、自動的に配向緩和時
間T4を計測することが可能となる。
Next, in order to visually check the orientation relaxation time T4, a printing or display input operation is performed.
4 is displayed and printed (step p
9). Thus, the evaluation device can automatically measure the orientation relaxation time T4.

【0113】次いで、モード5が選択された場合の処理
動作について、図18を参照して説明する。このモード
5の処理は、基本的にはモード3と類似するものであ
る。但し、モード3では予め定められた測定時間W3
(飽和時間T2よりも十分に大きい時間)でセル容量変
化を測定したけれども、モード5では任意の時間W4を
設定することが可能となっている点において相違する。
これにより、測定時間の短縮化を図ることができる。ま
た、モード5では最大設定電圧Vmaxを任意に指定す
ることが可能となっている。かかる点からも、モード5
では、測定時間の短縮化を図ることができる。
Next, the processing operation when mode 5 is selected will be described with reference to FIG. The processing in mode 5 is basically similar to mode 3. However, in mode 3, a predetermined measurement time W3
Although the change in cell capacity was measured at a time (sufficiently longer than the saturation time T2), the difference is that in mode 5, an arbitrary time W4 can be set.
Thereby, the measurement time can be shortened. In the mode 5, the maximum set voltage Vmax can be arbitrarily specified. From this point, Mode 5
Thus, the measurement time can be reduced.

【0114】先ず、測定に際しては、測定者は測定時間
W4及び最大設定電圧Vmaxを入力する。これによ
り、処理はステップq1、ステップq2を経て、ステッ
プq3に移る。次いで、ステップq4→ステップq5→
ステップq6→ステップq7→ステップq8→ステップ
q4の閉ループ処理により、0[V]から最大設定電圧
Vmaxまでの複数の設定電圧の上昇時に関するセル容
量変化が測定される。尚、ステップq3〜ステップq8
の閉ループ処理は、測定時間と最大設定電圧に関する処
理を除いて基本的には前記ステップp1〜ステップp6
の閉ループ処理と同様である。
First, at the time of measurement, the measurer inputs the measurement time W4 and the maximum set voltage Vmax. As a result, the process proceeds to step q3 via steps q1 and q2. Then, step q4 → step q5 →
By the closed loop processing of step q6 → step q7 → step q8 → step q4, a change in the cell capacity at the time of increasing a plurality of set voltages from 0 [V] to the maximum set voltage Vmax is measured. Step q3 to step q8
Is basically the same as the above-mentioned steps p1 to p6 except for the processing relating to the measurement time and the maximum set voltage.
Is the same as the closed loop processing.

【0115】次いで、ステップq9において、セル容量
変化率Eが算出される。なお、ステップq9では、セル
容量変化率E算出の前提として、容量値が増加する特定
電圧Vupが前記ステップp7と同様の処理により求め
られている。そして、テーブル40に記憶されているデ
ータを読み出して、上記第1式の演算処理を行う。そし
て、演算処理により算出されたセル容量変化率Eが印字
・表示される(ステップq10)。こうして、評価装置
により、自動的に設定電圧上昇時におけるセル容量変化
率Eを計測することが可能となる。
Next, at step q9, the cell capacity change rate E is calculated. In step q9, as a prerequisite for calculating the cell capacitance change rate E, the specific voltage Vup at which the capacitance value increases is obtained by the same processing as in step p7. Then, the data stored in the table 40 is read out, and the arithmetic processing of the first equation is performed. Then, the cell capacity change rate E calculated by the arithmetic processing is printed / displayed (step q10). In this way, the evaluation device can automatically measure the cell capacity change rate E when the set voltage rises.

【0116】次いで、モード6が選択された場合の処理
動作について、図19を参照して説明する。 このモ
ード6の処理は、基本的にはモード3と類似するもので
ある。但し、モード3では予め定められた測定時間W3
(飽和時間T2よりも十分に大きい時間)でセル容量変
化を測定したけれども、モード6では任意の時間W4を
設定することが可能となっている点において相違する。
これにより、測定時間の短縮化を図ることができる。ま
た、モード6では最大設定電圧Vmaxを任意に指定す
ることが可能となっている。かかる点からも、モード6
では、測定時間の短縮化を図ることができる。
Next, the processing operation when mode 6 is selected will be described with reference to FIG. The processing in mode 6 is basically similar to mode 3. However, in mode 3, a predetermined measurement time W3
Although the change in cell capacity was measured at a time (sufficiently longer than the saturation time T2), the difference is that an arbitrary time W4 can be set in the mode 6.
Thereby, the measurement time can be shortened. In the mode 6, the maximum set voltage Vmax can be arbitrarily specified. From this point, Mode 6
Thus, the measurement time can be reduced.

【0117】先ず、測定に際しては、測定者は測定時間
W4及び最大設定電圧Vmaxを入力する。これによ
り、処理はステップd1、ステップd2を経て、ステッ
プd3及びステップd4において液晶セルに30[V]
を所定時間印加する。これにより、液晶セルが全領域に
おいてベンド配向状態となる。
First, at the time of measurement, the measurer inputs the measurement time W4 and the maximum set voltage Vmax. As a result, the processing goes through steps d1 and d2, and in step d3 and step d4, 30 [V] is applied to the liquid crystal cell.
Is applied for a predetermined time. As a result, the liquid crystal cell is in a bend alignment state in all regions.

【0118】次いで、ステップd5で印加電圧を最大設
定電圧Vmaxに設定する。そして、ステップd6〜ス
テップd10の閉ループ処理により、最大設定電圧Vm
axから0[V]までの複数の設定電圧の下降時に関す
るセル容量変化が測定される。尚、ステップd6→ステ
ップd7→ステップd8→ステップd9→ステップd1
0→ステップd6の閉ループ処理は、測定時間と最大設
定電圧に関する処理を除いて基本的には前記ステップr
2→ステップr3→ステップr4→ステップr5→ステ
ップr6→ステップr2の閉ループ処理と同様である。
Next, in step d5, the applied voltage is set to the maximum set voltage Vmax. Then, the maximum set voltage Vm is obtained by the closed loop processing of steps d6 to d10.
A change in cell capacity is measured when a plurality of set voltages fall from ax to 0 [V]. Step d6 → step d7 → step d8 → step d9 → step d1
0 → The closed loop processing of step d6 is basically the same as that of step r6 except for the processing relating to the measurement time and the maximum set voltage.
This is the same as the closed loop processing of 2 → step r3 → step r4 → step r5 → step r6 → step r2.

【0119】次いで、ステップd11において、セル容
量変化率Eが算出される。なお、ステップd11では、
セル容量変化率E算出の前提として、容量値が減少する
特定電圧Vdownが前記ステップr7と同様の処理に
より求められている。そして、テーブル40に記憶され
ているデータを読み出して、上記第1式の演算処理を行
う。そして、演算処理により算出されたセル容量変化率
Eが印字・表示される(ステップd12)。こうして、
評価装置により、自動的に設定電圧下降時におけるセル
容量変化率を計測することが可能となる。
Next, at step d11, the cell capacity change rate E is calculated. In step d11,
As a premise for calculating the cell capacitance change rate E, the specific voltage Vdown at which the capacitance value decreases is obtained by the same processing as in step r7. Then, the data stored in the table 40 is read out, and the arithmetic processing of the first equation is performed. Then, the cell capacity change rate E calculated by the arithmetic processing is printed and displayed (step d12). Thus,
The evaluation device can automatically measure the cell capacity change rate when the set voltage drops.

【0120】なお、上記評価装置では、配向緩和時間の
規格化した値としてセル容量変化率を算出するようにし
たけれども、セルギャップを入力しておき、セル容量変
化率をセルギャップで除した値を算出するようにしても
よい。
In the above evaluation apparatus, the cell capacity change rate is calculated as a normalized value of the orientation relaxation time, but the cell gap is input and the cell capacity change rate is divided by the cell gap. May be calculated.

【0121】このようにして、上記構成の評価装置を使
用することにより、本実施の形態3に係る評価指標(配
向緩和時間T3,T4、セル容量変化率E)を自動的に
計測することができる。
As described above, by using the evaluation apparatus having the above configuration, it is possible to automatically measure the evaluation index (the orientation relaxation time T3, T4, the cell capacity change rate E) according to the third embodiment. it can.

【0122】(実施の形態4)実施の形態4に係るスプ
レイ−ベンド転移時間の評価法は、以下の〜 の工
程により行う。スプレイ配向を示すホモジニアスセル
に電圧を印加し、ベンド配向を形成する。印加電圧低
減によりスプレイ配向を形成する。目視観察により、
ベンド配向からスプレイ配向に転移したことを確認し
て、この転移に要する時間T4を求める。上記時間T
4を評価指標とし、スプレイ−ベンド転移時間を評価す
る。
(Embodiment 4) The method for evaluating the splay-bend transition time according to Embodiment 4 is performed by the following steps (1) to (4). A voltage is applied to a homogeneous cell showing a splay alignment to form a bend alignment. The spray orientation is formed by reducing the applied voltage. By visual observation,
After confirming the transition from the bend orientation to the splay orientation, the time T4 required for this transition is determined. The above time T
Using 4 as an evaluation index, the splay-bend transition time is evaluated.

【0123】このような実施の形態4に係る評価法によ
り、容易で且つ信頼性の高い転移時間の評価を行うこと
ができる。以下に、その理由及び評価法の詳細を、本発
明者の実験結果に基づき説明する。
By the evaluation method according to the fourth embodiment, the transition time can be easily and reliably evaluated. Hereinafter, the reason and details of the evaluation method will be described based on the experimental results of the present inventors.

【0124】基板間隔が5.5μmであること以外は実
施の形態1と同様の構成の液晶セルを4ケ作成し、LC
4、LC3、LC2及びLC1を真空注入法にて注入
し、テストセルE、F、G、Hとした。
Four liquid crystal cells having the same structure as in the first embodiment were prepared except that the distance between the substrates was 5.5 μm.
4, LC3, LC2 and LC1 were injected by a vacuum injection method to obtain test cells E, F, G and H.

【0125】その後、セルに20V矩形波を2分印加し
完全にベンド配向とした後、20mVに電圧を降下さ
せ、電極部全面がスプレイ配向となるのに要する時間を
測定したところ、それぞれ20秒、30秒、43秒及び
65秒であった。
Thereafter, a 20 V rectangular wave was applied to the cell for 2 minutes to completely bend alignment, then the voltage was dropped to 20 mV, and the time required for the entire electrode portion to be in splay alignment was measured. , 30 seconds, 43 seconds and 65 seconds.

【0126】上記実施の形態2で述べたように、スプレ
イ配向からベンド配向への転移が容易(高速)な系で
は、両者のエネルギー差が小さいため、逆にベンド配向
からスプレイ配向への転移は遅くなる。よって、スプレ
イ配向への転移時間を評価指標として、ベンド配向への
転移の容易性を評価することができる。上記実験例の場
合は、セルH、G、F、Eの順序でベンド配向への転移
が容易となる。
As described in the second embodiment, in a system in which the transition from the splay alignment to the bend alignment is easy (high speed), the energy difference between the two is small. Become slow. Therefore, the ease of transition to bend alignment can be evaluated using the transition time to splay alignment as an evaluation index. In the case of the above experimental example, the transition to the bend alignment becomes easier in the order of the cells H, G, F, and E.

【0127】また、本実施の形態4に係る評価法では、
評価が容易である。なぜなら、スプレイ配向からベンド
配向への転移を目視観察する場合には、従来の技術の項
で説明したように、クロスニコル下では、色変化が少な
く転移の確認が容易ではない。一方、ベンド配向からス
プレイ配向への転移を目視観察する場合には、クロスニ
コル下での色変化(例えば、青色・黄色等の有彩色の変
化)が大きく、測定が非常に容易だからである。
In the evaluation method according to the fourth embodiment,
Evaluation is easy. This is because, when visually observing the transition from the splay alignment to the bend alignment, as described in the section of the related art, under crossed nicols, the color change is small and it is not easy to confirm the transition. On the other hand, when visually observing the transition from the bend alignment to the splay alignment, the color change under crossed Nicols (for example, a change in a chromatic color such as blue or yellow) is large, and the measurement is very easy.

【0128】尚、ここで20mVの電圧を印加するの
は、通常ベンド配向からスプレイ配向に転移させるため
には、ベンド配向状態において電圧の印加を停止すれば
よい。しかし、このように電圧印加を停止しても、直ち
スプレイ配向に転移しない。なぜなら、ベンド配向状態
において、液晶層が充電された状態となっているため、
電圧の印加を停止してもスプレイ配向に転移するまで相
当の時間を要する。これでは、実験を行うには、適切で
ない。よって、数mV程度の微小電圧を印加して、充電
量がほぼ0と見なせる程度の状態とするためである。
Here, the application of the voltage of 20 mV is usually performed by changing the bend alignment to the splay alignment by stopping the application of the voltage in the bend alignment state. However, even when the voltage application is stopped in this way, the state does not immediately shift to the splay alignment. Because, in the bend alignment state, the liquid crystal layer is in a charged state,
Even if the application of the voltage is stopped, it takes a considerable time until the state changes to the splay alignment. This is not suitable for conducting experiments. Therefore, a small voltage of about several mV is applied so that the charge amount can be regarded as substantially zero.

【0129】セルE、セルF、セルG及びセルHに10
Vを印加し、スプレイ配向からベンド配向に要する時間
を目視観察により別途測定した結果では、それぞれ70
秒、20秒、3秒、1秒となった。よって、ベンド配向
への転移に関する目視観察とも、本実施の形態4の評価
法は一致しており、本発明の有効性は明らかである。
The cells E, F, G and H have 10
When V was applied and the time required from the splay alignment to the bend alignment was separately measured by visual observation,
Seconds, 20 seconds, 3 seconds, and 1 second. Therefore, the evaluation method of the fourth embodiment is consistent with the visual observation regarding the transition to the bend orientation, and the effectiveness of the present invention is clear.

【0130】尚、本実施の形態4に係る評価法は、スプ
レイ−ベンド転移とは異なり、その速度は配向膜の表面
状態に大きく依存する。従って、均質な膜表面が保証さ
れれば、本実施の形態4に係る評価法はスプレイ配向か
らベンド配向への転移容易性の評価に極めて有効な方法
である。
The evaluation method according to the fourth embodiment is different from the spray-bend transition, and its speed largely depends on the surface state of the alignment film. Therefore, if a uniform film surface is guaranteed, the evaluation method according to the fourth embodiment is an extremely effective method for evaluating the ease of transition from splay alignment to bend alignment.

【0131】次いで、上記実施の形態に係る評価指標を
自動的に計測する評価装置について説明する。図20は
本実施の形態に係る評価装置の構成を示すブロック図で
ある。この評価装置50は前記評価装置30に類似し、
対応する部分には同一の参照符号を付す。この評価装置
50では、評価装置30に使用されていた容量測定装置
32に代えて、顕微鏡51及び画像解析装置52が使用
される。また、CPU35には電圧印加手段53接続さ
れており、この電圧印加手段53により液晶セルに電圧
が印加されるように構成されている。尚、この評価装置
50では、液晶セルの両外側に偏光板10,11がクロ
スニコルに配置されている。計測に際しては、光源(図
示せず)により、一方の偏光板10側から光を照射し、
他方の偏光板11側に設けた顕微鏡51により転移状態
を観察して、観察された画像を画像解析装置52で解析
して、解析データをCPU35に伝達するように構成さ
れている。
Next, an evaluation apparatus for automatically measuring an evaluation index according to the above embodiment will be described. FIG. 20 is a block diagram showing a configuration of the evaluation device according to the present embodiment. This evaluation device 50 is similar to the evaluation device 30,
Corresponding parts have the same reference characters allotted. In the evaluation device 50, a microscope 51 and an image analysis device 52 are used instead of the capacity measuring device 32 used in the evaluation device 30. Further, a voltage applying means 53 is connected to the CPU 35 so that a voltage is applied to the liquid crystal cell by the voltage applying means 53. In this evaluation device 50, the polarizing plates 10 and 11 are arranged in crossed Nicols on both outer sides of the liquid crystal cell. At the time of measurement, a light source (not shown) irradiates light from one polarizing plate 10 side,
The transition state is observed by the microscope 51 provided on the other polarizing plate 11 side, the observed image is analyzed by the image analyzer 52, and the analysis data is transmitted to the CPU 35.

【0132】図21は評価装置50の処理動作を示すフ
ローチャートである。先ず、液晶セルに例えば30
[V]を一定期間印加して、液晶セルの全領域をベンド
配向状態とする(ステップe1,e2)。次いで、ステ
ップe3で液晶セルに例えば20mV程度の微小電圧を
印加し(ステップe3)、これと同時にタイマTM3を
セットする(ステップe4)。次いで、ステップe5で
顕微鏡51からの画像を取り込み、画像の色変化の範囲
を解析し、色変化の範囲が全電極面に及んだときはステ
ップe6からステップe7に移り、タイマTM3より現
在時間を読み出す。これにより、ベンドからスプレイへ
の転移時間が測定されたことになる。次いで、ステップ
e8で転移時間が表示・印字される。こうして、評価装
置50により、本実施の形態4に係る評価指標であるベ
ンドからスプレイへの転移時間を自動的に測定すること
が可能となる。
FIG. 21 is a flowchart showing the processing operation of the evaluation device 50. First, for example, 30
[V] is applied for a certain period of time to bring the entire region of the liquid crystal cell into a bend alignment state (steps e1 and e2). Next, in Step e3, a minute voltage of, for example, about 20 mV is applied to the liquid crystal cell (Step e3), and at the same time, the timer TM3 is set (Step e4). Next, in step e5, the image from the microscope 51 is fetched, and the range of color change of the image is analyzed. When the range of color change reaches the entire electrode surface, the process proceeds from step e6 to step e7, and the current time is set by the timer TM3. Is read. This means that the transition time from bend to spray has been measured. Next, at step e8, the transfer time is displayed and printed. Thus, the evaluation device 50 can automatically measure the transition time from the bend to the spray, which is the evaluation index according to the fourth embodiment.

【0133】[0133]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、容易で、
しかも信頼性の高いスプレイ−ベンド転移時間の評価が
可能となる。
According to the present invention as described above,
Moreover, it is possible to evaluate the spray-bend transition time with high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態1〜4に係るスプレイ−ベンド転移
時間評価法に用いたテストセルの構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a test cell used in a spray-bend transition time evaluation method according to Embodiments 1 to 4.

【図2】図1のテストセル基板のラビング方向を示す図
である。
FIG. 2 is a view showing a rubbing direction of the test cell substrate of FIG. 1;

【図3】実施の形態1で用いたテストセルA、Bに10
Vを印加した時のセル容量の時間変化を示す図である。
FIG. 3 shows test cells A and B used in the first embodiment.
FIG. 9 is a diagram showing a change over time in cell capacity when V is applied.

【図4】スプレイ配向からベンド配向への転移の過程を
説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a process of transition from splay alignment to bend alignment.

【図5】実施の形態1に係る評価装置30の構成を示す
ブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of an evaluation device 30 according to the first embodiment.

【図6】テーブル40のストア領域の模式図である。評
価装置の動作を示すフローチャートである。
FIG. 6 is a schematic diagram of a store area of a table 40. 5 is a flowchart illustrating an operation of the evaluation device.

【図7】評価装置30によるモード入力時の判断処理を
示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a judgment process at the time of mode input by the evaluation device 30.

【図8】評価装置30によるモード1の処理を示すフロ
ーチャートである。
FIG. 8 is a flowchart showing processing in mode 1 by the evaluation device 30.

【図9】評価装置30によるモード1の処理を示すフロ
ーチャートである。
FIG. 9 is a flowchart showing a mode 1 process performed by the evaluation device 30.

【図10】実施の形態2のテストセルに印加した電圧の
時間変化を表すタイミングチャートである。
FIG. 10 is a timing chart illustrating a temporal change of a voltage applied to a test cell according to the second embodiment.

【図11】実施の形態2に用いたテストセルCに、図1
0のタイミングで電圧を印加した時の、各電圧値切換後
の容量の時間変化を示す図である。
FIG. 11 shows a test cell C used in the second embodiment,
FIG. 9 is a diagram illustrating a time change of the capacitance after switching of each voltage value when a voltage is applied at a timing of 0.

【図12】実施の形態2に用いたテストセルCに、図1
0と同様のタイミングで電圧を降下させた時の、各電圧
値切換後の容量の時間変化を示す図である。
FIG. 12 shows a test cell C used in the second embodiment,
FIG. 9 is a diagram showing a time change of the capacitance after each voltage value switching when the voltage is dropped at the same timing as 0.

【図13】実施の形態2に用いたテストセルCの容量−
電圧(C−V)ヒステリシス特性を示す図である。
FIG. 13 shows the capacitance of the test cell C used in the second embodiment.
It is a figure which shows a voltage (CV) hysteresis characteristic.

【図14】実施の形態2に用いたテストセルDの容量−
電圧(C−V)ヒステリシス特性を示す図である。
FIG. 14 shows the capacitance of the test cell D used in the second embodiment.
It is a figure which shows a voltage (CV) hysteresis characteristic.

【図15】評価装置30によるモード2の処理を示すフ
ローチャートである。
FIG. 15 is a flowchart showing a mode 2 process performed by the evaluation device 30.

【図16】評価装置30によるモード3の処理を示すフ
ローチャートである。
FIG. 16 is a flowchart showing a mode 3 process performed by the evaluation device 30.

【図17】評価装置30によるモード4の処理を示すフ
ローチャートである。
FIG. 17 is a flowchart showing processing in mode 4 by the evaluation device 30.

【図18】評価装置30によるモード5の処理を示すフ
ローチャートである。
FIG. 18 is a flowchart showing processing in mode 5 by the evaluation device 30.

【図19】評価装置30によるモード6の処理を示すフ
ローチャートである。
FIG. 19 is a flowchart showing processing in mode 6 by the evaluation device 30.

【図20】実施の形態4に係る評価装置50の構成を示
すブロック図である。
FIG. 20 is a block diagram illustrating a configuration of an evaluation device 50 according to a fourth embodiment.

【図21】評価装置50による処理を示すフローチャー
トである。
FIG. 21 is a flowchart showing processing by the evaluation device 50.

【図22】光学補償ベンド(OCB)モードセルのパネ
ル構成、および液晶ダイレクタの配列を説明するための
図である。
FIG. 22 is a diagram for explaining a panel configuration of an optical compensation bend (OCB) mode cell and an arrangement of liquid crystal directors.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,8………ガラス基板 2,7………透明電極 3,6………配向膜 4……………液晶層 5……………スペーサ 5a…………電圧無印加時の液晶配向(スプレイ配向) 5b…………電圧印加時の液晶配向(ベンド配向) 9……………テストセル 10,12…偏光板 11,13…位相補償板 30,50…評価装置 31…入力操作手段 32…容量測定装置 33…印字手段 34…表示手段 35…CPU 36,53…電圧印加手段 38…ROM 39…RAM 40…テーブル 51…顕微鏡 52…画像解析装置 1, 8 ... glass substrate 2, 7 ... transparent electrode 3, 6 ... alignment film 4 ... liquid crystal layer 5 ... spacer 5a ... liquid crystal when no voltage is applied Alignment (spray alignment) 5b Liquid crystal alignment (bend alignment) when voltage is applied 9 Test cell 10, 12 Polarizing plate 11, 13 Phase compensator 30, 50 Evaluation device 31 Input Operating means 32 ... Capacity measuring device 33 ... Printing means 34 ... Display means 35 ... CPU 36,53 ... Voltage applying means 38 ... ROM 39 ... RAM 40 ... Table 51 ... Microscope 52 ... Image analyzer

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セ
ルにスプレイ配向からベンド配向に転移可能な電圧範囲
内での一定電圧を印加する工程と、電圧印加後のセル容
量の時間変化をモニターする工程を含み、 電圧印加時から容量変化の屈曲点あるいは飽和点に到達
するまでの時間を、スプレイ配向からベンド配向への転
移時間の評価指標とし、この評価指標に基づいて前記セ
ルの配向転移の容易性を評価することを特徴とするスプ
レイ−ベンド転移時間の評価法。
1. A method comprising the steps of: applying a constant voltage to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a splay alignment within a voltage range capable of transitioning from a splay alignment to a bend alignment; and monitoring a time change of the cell capacity after the voltage is applied. The time from the application of the voltage to the point at which the capacitance change reaches the bending point or the saturation point is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment, and based on this evaluation index, the ease of the alignment transition of the cell is determined. A method for evaluating a splay-bend transition time characterized by evaluating.
【請求項2】 スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セ
ルにスプレイ配向からベンド配向に転移可能な電圧範囲
内での一定電圧を印加する手段と、 電圧印加後のセル容量の時間変化をモニターする手段
と、 前記モニター手段のモニター結果に基づき、電圧印加時
から容量変化の屈曲点に到達するまでの時間あるいは飽
和点に到達するまでの時間の少なくとも何れか一方を算
出する手段と、 前記算出手段により算出された時間を、表示及び/又は
印字する手段と、 を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価装置。
2. A means for applying a constant voltage to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a splay alignment within a voltage range capable of transitioning from the splay alignment to the bend alignment; a means for monitoring a time change of the cell capacity after applying the voltage; A means for calculating at least one of a time from when a voltage is applied to a point at which a capacitance change reaches a bending point or a time until a saturation point is reached, based on a monitoring result of the monitoring means; and Means for displaying and / or printing the elapsed time, and an apparatus for evaluating a splay-bend transition time.
【請求項3】 設定電圧を段階的に上昇させながら、ス
プレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加す
る工程と、前記電圧上昇時における設定電圧と同一設定
電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶
セルに電圧を印加する工程と、前記印加電圧の上昇及び
下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化を
モニターする工程を含み、 前記モニター結果に基づき電圧−セル容量曲線を求め、
この電圧−セル容量曲線のヒステリシスの大きさを、ス
プレイ配向からベンド配向への転移時間の評価指標と
し、この評価指標に基づいて前記セルの配向転移の容易
性を評価することを特徴とするスプレイ−ベンド転移時
間の評価法。
3. A step of applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a splay alignment while increasing the set voltage stepwise, and reducing the bend while stepwise decreasing the same set voltage as the set voltage when the voltage is increased. A step of applying a voltage to the liquid crystal cell showing the orientation, and a step of monitoring a time change of a cell capacity for each set voltage value when the applied voltage rises and falls, and a voltage-cell capacity curve based on the monitoring result. ,
The magnitude of the hysteresis of the voltage-cell capacity curve is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment, and the splay is characterized by evaluating the ease of the alignment transition of the cell based on the evaluation index. -Method for evaluating bend transition time.
【請求項4】 設定電圧を段階的に上昇させながら、ス
プレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加す
る手段と、 前記電圧上昇時における設定電圧と同一設定電圧を段階
的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧
を印加する手段と、 前記印加電圧の上昇及び下降時における各設定電圧値毎
のセル容量の時間変化をモニターする手段と、 前記モニター手段のモニター結果に基づき電圧−セル容
量曲線上のヒステリシスの大きさを算出する手段と、 前記算出手段により算出されたヒステリシスの大きさ
を、表示及び/又は印字する手段と、 を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価装置。
4. A means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting splay alignment while increasing a set voltage stepwise, and a step of lowering a set voltage which is the same as the set voltage at the time of increasing the voltage in a stepwise manner. Means for applying a voltage to the liquid crystal cell showing the orientation; means for monitoring the time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage rises and falls; and voltage-cell based on the monitoring result of the monitor means. Means for calculating the magnitude of the hysteresis on the capacity curve; and means for displaying and / or printing the magnitude of the hysteresis calculated by the calculating means. apparatus.
【請求項5】 設定電圧を段階的に上昇させながら、ス
プレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加す
る工程と、前記印加電圧の上昇時における各設定電圧値
毎のセル容量の時間変化をモニターする工程を含み、 前記モニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のう
ち容量値が増加していく電圧値を求め、この電圧値に関
してセル容量が一定値に飽和するまでの時間を、スプレ
イ配向からベンド配向への転移時間の評価指標とし、こ
の評価指標に基づいて前記セルの配向転移の容易性を評
価することを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価法。
5. A step of applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment while gradually increasing a set voltage, and monitoring a time change of a cell capacity for each set voltage value when the applied voltage is increased. Determining a voltage value at which the capacitance value increases among the plurality of set voltage values based on the monitoring result, and determining a time required for the cell capacitance to saturate to a constant value with respect to the voltage value. A method for evaluating a splay-bend transition time, which comprises evaluating an ease of the orientation transition of the cell based on the evaluation index as an evaluation index of a transition time from a to a bend orientation.
【請求項6】 設定電圧を段階的に上昇させながら、ス
プレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加す
る手段と、 前記印加電圧の上昇時における各設定電圧値毎のセル容
量の時間変化をモニターする手段と、 前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の
設定電圧値のうち容量値が増加していく電圧値を求め、
この電圧値に関してセル容量が一定値に飽和するまでの
時間を算出する算出手段と、 前記算出手段により算出された飽和するまでの時間を、
表示及び/又は印字する手段と、 を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価装置。
6. A means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting splay alignment while increasing a set voltage stepwise, and monitoring a time change of a cell capacity for each set voltage value when the applied voltage is increased. Means for determining, based on the monitoring result of the monitoring means, a voltage value of which the capacitance value increases among the plurality of set voltage values,
Calculation means for calculating the time until the cell capacity is saturated to a certain value with respect to this voltage value, and the time until saturation calculated by the calculation means,
A spray-bend transition time evaluation device, comprising: means for displaying and / or printing.
【請求項7】 設定電圧を段階的に下降させながら、ベ
ンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する工程と、前記
印加電圧の下降時における各設定電圧値毎のセル容量の
時間変化をモニターする工程を含み、 前記モニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のう
ち容量値が減少していく電圧値を求め、この電圧値に関
してセル容量が一定値に飽和するまでの時間を、スプレ
イ配向からベンド配向への転移時間の評価指標とし、こ
の評価指標に基づいて前記セルの配向転移の容易性を評
価することを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価法。
7. A step of applying a voltage to a liquid crystal cell exhibiting a bend alignment while gradually lowering a set voltage, and monitoring a time change of a cell capacity for each set voltage value when the applied voltage decreases. Including the step, based on the monitoring result, the voltage value of the capacitance value of the plurality of set voltage value is determined to decrease, the time until the cell capacitance is saturated to a constant value with respect to this voltage value, from the spray orientation. A method for evaluating a splay-bend transition time, which comprises evaluating an ease of orientation transition of the cell based on the evaluation index as an evaluation index of a transition time to a bend orientation.
【請求項8】 設定電圧を段階的に下降させながら、ベ
ンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する手段と、 前記印加電圧の下降時における各設定電圧値毎のセル容
量の時間変化をモニターする手段と、 前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の
設定電圧値のうち容量値が減少していく電圧値を求め、
この電圧値に関してセル容量が一定値に飽和するまでの
時間を算出する手段と、 前記算出手段により算出された飽和するまでの時間を、
表示及び/又は印字する手段と、 を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価装置。
8. A means for applying a voltage to a liquid crystal cell showing a bend alignment while stepwise decreasing a set voltage, and monitoring a time change of a cell capacity for each set voltage value when the applied voltage decreases. Means, based on the monitoring result of the monitoring means, to determine a voltage value of which the capacitance value decreases among the plurality of set voltage values,
Means for calculating the time until the cell capacity is saturated to a certain value with respect to this voltage value, and the time until the saturation calculated by the calculating means,
A spray-bend transition time evaluation device, comprising: means for displaying and / or printing.
【請求項9】 設定電圧を段階的に上昇させながら、ス
プレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加す
る工程と、前記印加電圧の上昇時における各設定電圧値
毎のセル容量の時間変化をモニターする工程を含み、 前記モニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のう
ち容量値が増加していく電圧値を求め、この電圧値に関
するセル容量の変化率を、スプレイ配向からベンド配向
への転移時間の評価指標とし、この評価指標に基づいて
前記セルの配向転移の容易性を評価することを特徴とす
るスプレイ−ベンド転移時間の評価法。
9. A step of applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell exhibiting a splay alignment while gradually increasing a set voltage, and monitoring a time change of a cell capacity for each set voltage value when the applied voltage is increased. Determining a voltage value at which the capacitance value of the plurality of set voltage values increases, based on the monitoring result, and changing the rate of change of the cell capacitance with respect to the voltage value from the splay alignment to the bend alignment. A method for evaluating a splay-bend transition time, wherein the ease of orientation transition of the cell is evaluated based on the evaluation index as a time evaluation index.
【請求項10】 設定電圧を段階的に上昇させながら、
スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加
する手段と、 前記印加電圧の上昇時における各設定電圧値毎のセル容
量の時間変化をモニターする手段と、 前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の
設定電圧値のうち容量値が増加していく電圧値を求め、
この電圧値に関するセル容量の変化率を算出する手段
と、 前記算出手段により算出されたセル容量の変化率を、表
示及び/又は印字する手段と、 を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価装置。
10. While gradually increasing the set voltage,
Means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment; means for monitoring a time change of a cell capacity for each set voltage value when the applied voltage is increased; and The voltage value at which the capacitance value increases among the set voltage values of
A means for calculating a change rate of the cell capacity with respect to the voltage value; and a means for displaying and / or printing the change rate of the cell capacity calculated by the calculating means. Evaluation device.
【請求項11】 設定電圧を段階的に下降させながら、
ベンド配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加す
る工程と、前記印加電圧の下降時における各設定電圧値
毎のセル容量の時間変化をモニターする工程を含み、 前記モニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のう
ち容量値が減少していく電圧値を求め、この電圧値に関
するセル容量の変化率を、スプレイ配向からベンド配向
への転移時間の評価指標とし、この評価指標に基づいて
前記セルの配向転移の容易性を評価することを特徴とす
るスプレイ−ベンド転移時間の評価法。
11. While gradually lowering the set voltage,
Applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing bend alignment, and monitoring a time change of a cell capacity for each set voltage value when the applied voltage decreases, based on the monitoring result, the plurality of settings The voltage value at which the capacitance value decreases among the voltage values is obtained, and the rate of change of the cell capacitance with respect to this voltage value is used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment, and the cell is evaluated based on the evaluation index. A method for evaluating a splay-bend transition time, which comprises evaluating the ease of orientation transition.
【請求項12】 設定電圧を段階的に下降させながら、
ベンド配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加す
る手段と、 前記印加電圧の下降時における各設定電圧値毎のセル容
量の時間変化をモニターする手段と、 前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の
設定電圧値のうち容量値が減少していく電圧値を求め、
この電圧値に関するセル容量の変化率を算出する手段
と、 前記算出手段により算出されたセル容量の変化率を、表
示及び/又は印字する手段と、 を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価装置。
12. While gradually decreasing the set voltage,
Means for applying a voltage to the homogeneous liquid crystal cell exhibiting the bend alignment; means for monitoring a time change of the cell capacity for each set voltage value when the applied voltage is lowered; and From the set voltage values of, find the voltage value at which the capacitance value decreases,
A means for calculating a change rate of the cell capacity with respect to the voltage value; and a means for displaying and / or printing the change rate of the cell capacity calculated by the calculating means. Evaluation device.
【請求項13】 スプレイ配向を示すホモジニアス液晶
セルに電圧を印加し、ベンド配向を形成する工程と、ベ
ンド配向を示す液晶セルへの印加電圧を低減することに
よりスプレイ配向を形成する工程を含み、 目視観察により、ベンド配向からスプレイ配向に転移し
たことを確認して、この転移に要する時間を、スプレイ
配向からベンド配向への転移時間の評価指標とし、この
評価指標に基づいて前記セルの配向転移の容易性を評価
することを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価
法。
13. A step of applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment to form a bend alignment, and a step of forming a splay alignment by reducing a voltage applied to the liquid crystal cell showing a bend alignment, By visual observation, it was confirmed that the transition from the bend alignment to the splay alignment was performed, and the time required for the transition was used as an evaluation index of the transition time from the splay alignment to the bend alignment. A method for evaluating a splay-bend transition time, characterized by evaluating the ease of the spraying.
【請求項14】 スプレイ配向を示すホモジニアス液晶
セルに電圧を印加し、ベンド配向を形成する手段と、 ベンド配向を示す液晶セルへの印加電圧を低減すること
によりスプレイ配向を形成する手段と、 液晶セルの配向状態を検査する顕微鏡と、 前記顕微鏡により得られた画像を解析して液晶セル全面
に色変化が生じたか否かを判定する画像解析手段と、 前記画像解析手段からの判定信号に応答して、ベンド配
向からスプレイ配向への転移に要する時間を、表示及び
/又は印字する手段と、 を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評
価装置。
14. A means for forming a bend alignment by applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment, a means for forming a splay alignment by reducing the voltage applied to the liquid crystal cell showing a bend alignment, A microscope for inspecting an orientation state of the cell; an image analyzing means for analyzing an image obtained by the microscope to determine whether a color change has occurred on the entire surface of the liquid crystal cell; and a response to a determination signal from the image analyzing means. Means for displaying and / or printing the time required for the transition from the bend orientation to the splay orientation, and an apparatus for evaluating a splay-to-bend transition time.
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