JP2001311674A - Pressure sensor - Google Patents

Pressure sensor

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JP2001311674A
JP2001311674A JP2001036217A JP2001036217A JP2001311674A JP 2001311674 A JP2001311674 A JP 2001311674A JP 2001036217 A JP2001036217 A JP 2001036217A JP 2001036217 A JP2001036217 A JP 2001036217A JP 2001311674 A JP2001311674 A JP 2001311674A
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joining member
pressure
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substrate
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Hiroshi Saito
宏 齋藤
Tomohiro Inoue
智広 井上
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make surely manufacturable a pressure sensor without time and labor. SOLUTION: This pressure sensor has a silicon substrate 1 with a sheet- shaped diaphragm formed by partly thinning the substrate and a joining member 2 joined to the substrate 1 to be opposite to the diaphragm 1c. The pressure sensor detects a pressure change from the quantity of deflection of the diaphragm 1c when receiving a pressure from the opposite side face 1f of a face 1a opposite to the joining member 2. The diaphragm 1c can butt against the joining member 2 by deflecting when an excessive pressure is transmitted thereto. The joining member 2 has a communication hole 2a formed penetrating from the outside. The communication hole 2a communicates with an opposite space 1g to the diaphragm 1c. Moreover, one of the diaphragm 1c and the joining member 2 is provided with a projection 1h of a separate body which can butt against the other when the diaphragm 1c deflects. The projection 1h is formed of a metal and has an elasticity.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、歪みゲージ型半導
体圧力センサに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a strain gauge type semiconductor pressure sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の圧力センサとして、実開
平3−88137に開示されたものが存在する。このも
のは、図12に示すように、局部的に薄く形成することに
より板状のダイヤフラムA1が設けられたシリコン製の基
板A と、ダイヤフラムA1に対向して基板A に接合された
ガラス基板(接合部材)B と、を備え、ガラス基板B と
の対向面A2とは反対の反対面A3からの圧力を受けること
によるダイヤフラムA1の撓み量でもって圧力変化を検出
するものである。詳しくは、このダイヤフラムはA1、そ
のガラス基板B との対向面A2にSiO2 膜A4が形成され
ている。
2. Description of the Related Art A conventional pressure sensor of this type is disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 3-88137. As shown in FIG. 12, a silicon substrate A provided with a plate-shaped diaphragm A 1 by locally forming a thin film, and a glass bonded to the substrate A opposed to the diaphragm A 1 as shown in FIG. And a substrate (joining member) B, which detects a pressure change by the amount of deflection of the diaphragm A 1 by receiving a pressure from an opposite surface A 3 opposite to the opposite surface A 2 to the glass substrate B. is there. More specifically, this diaphragm has A 1 , and an SiO 2 film A 4 is formed on a surface A 2 facing the glass substrate B.

【0003】一般に、この種の圧力センサは、ガラス基
板B と基板A との接合時に加熱を伴うから、放熱ととも
にガラス基板B とダイヤフラムA1のとの間の対向空間A5
が減圧となる。そうすると、この接合時に、ダイヤフラ
ムA1が反対面A3からの外圧を受けると、ガラス基板B へ
向かって容易に撓んでガラス基板B と接合してしまっ
て、圧力センサを製作できなくなってしまうが、実開平
3−88137に開示されたものは、そのダイヤフラム
A1におけるガラス基板B との対向面A2にSiO2膜A4
形成されているから、ガラス基板B と接合することが無
く、圧力センサを製作できるようになっている。
[0003] Generally, this type of pressure sensor involves heating when the glass substrate B and the substrate A are joined together, so that heat is dissipated and the facing space A 5 between the glass substrate B and the diaphragm A 1 is released.
Is reduced in pressure. Then, at the time of this joining, the diaphragm A 1 is subjected to external pressure from the opposite face A 3, and I bonded to the glass substrate B flexes easily toward the glass substrate B, but no longer can be manufactured a pressure sensor Is disclosed in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 3-88137.
Since the SiO 2 film A 4 is formed on the surface A 2 facing the glass substrate B in A 1 , the pressure sensor can be manufactured without joining with the glass substrate B.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の圧力セ
ンサにあっては、ダイヤフラムA1は、前述したように、
ガラス基板B との対向面A2にSiO2 膜A4が形成され
て、ガラス基板B と接合することが無くなり、圧力セン
サを製作できるようになっている。
In the conventional pressure sensor mentioned above in which [0005] is, the diaphragm A 1, as described above,
Since the SiO 2 film A 4 is formed on the surface A 2 facing the glass substrate B, the SiO 2 film A 4 is not bonded to the glass substrate B, and a pressure sensor can be manufactured.

【0005】しかしながら、ダイヤフラムA1におけるガ
ラス基板B との対向面A2にSiO2膜A4を形成する比較
的複雑な工程を必要とするために、製作に手間がかかっ
ていた。
However, since a relatively complicated process of forming the SiO 2 film A 4 on the surface A 2 of the diaphragm A 1 facing the glass substrate B is required, the production is troublesome.

【0006】本発明は、上記の点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、手間をかけることな
く、確実に製作することができる圧力センサを提供する
ことにある。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a pressure sensor which can be reliably manufactured without any trouble.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項1記載の圧力センサは、局部的に薄く形
成することにより板状のダイヤフラムが設けられたシリ
コン製の基板と、ダイヤフラムに対向して基板に接合さ
れた接合部材と、を備え、接合部材との対向面とは反対
面からの圧力を受けることによるダイヤフラムの撓み量
でもって圧力変化を検出する圧力センサにおいて、前記
ダイヤフラムは、過大な圧力が伝達されて撓むことによ
り前記接合部材に当接し得るものであって、前記接合部
材は、前記ダイヤフラムとの間の対向空間に連通する連
通孔が外方面から貫通して設けられたものであり、か
つ、前記ダイヤフラム又は前記接合部材のいずれか一方
は、前記ダイヤフラムが撓むことによりに他方に当接し
得る突起が別体として設けられたものであって、その突
起は金属製であり弾性を有した構成にしている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a pressure sensor, comprising: a silicon substrate provided with a plate-shaped diaphragm by locally forming the diaphragm; A joining member joined to the substrate facing the joining member, wherein the diaphragm detects a pressure change by an amount of deflection of the diaphragm caused by receiving a pressure from a surface opposite to a surface facing the joining member; Can be brought into contact with the joining member by excessive pressure being transmitted and flexing, and the joining member has a communication hole communicating with an opposing space between the diaphragm and the through hole penetrating from an outer surface. And one of the diaphragm and the joining member has a separate projection that can abut the other by bending the diaphragm. Be those provided, the projection is a configuration having a are elastic metallic.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の第1実施形態を図1及び
図2に基づいて以下に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0009】1 は結晶方位(100)面を有した両面が
研磨されたn型のシリコン製の基板であって、後述する
接合部材2 側がKOH又はNaOHにより異方性エッチ
ングされて、接合部材2 と対向することとなる対向面1a
を底面に有した凹部1bが設けられる。この凹部1bの底部
は、後述するダイヤフラム1cとなるものであって、Si
2 をマスクとしてボロンがイオン注入又は熱拡散され
ることにより、歪みゲージ抵抗1dが設けられる。また、
この基板1 は、Alが真空蒸着により、配線パターン
(図示せず)及び電極パッド1eが設けられる。この電極
パッド1eは、Au線又はAl線でもってワイヤボンディ
ングされることによって、外部基板(図示せず)に設け
られた配線パターンと接続される。
Reference numeral 1 denotes an n-type silicon substrate having both sides polished and having a crystal orientation (100) plane. The bonding member 2 side described later is anisotropically etched with KOH or NaOH to form a bonding member 2. Opposing surface 1a that faces
Is provided on the bottom surface. The bottom of the concave portion 1b serves as a diaphragm 1c to be described later,
Boron is ion-implanted or thermally diffused using O 2 as a mask to provide a strain gauge resistor 1d. Also,
This substrate 1 is provided with a wiring pattern (not shown) and electrode pads 1e by vacuum evaporation of Al. The electrode pad 1e is connected to a wiring pattern provided on an external substrate (not shown) by wire bonding with an Au line or an Al line.

【0010】次に、凹部1bの底部は、その対向面1aとは
反対側が、SiNやSiO2 をマスクとして、例えば3
5%のKOH水溶液によりエッチングされることによ
り、局部的に薄く形成されることにより板状のダイヤフ
ラム1cとなる。また、このダイヤフラム1cは、その対向
面1aとは反対面側の反対面1fにSiO2 膜(図示せず)
がコーティングされている。なお、SiN膜がコーティ
ングされてもよい。
Next, the bottom of the concave portion 1b, on the side opposite to the facing surface 1a, is formed, for example, by using SiN or SiO 2 as a mask.
The plate-shaped diaphragm 1c is formed by being locally thinned by etching with a 5% KOH aqueous solution. The diaphragm 1c has an SiO 2 film (not shown) on an opposite surface 1f opposite to the opposite surface 1a.
Is coated. Note that a SiN film may be coated.

【0011】次に、陽極接合により、基板1 、後述する
接合部材2 及び台座3 を接合する。詳しくは、基板1 を
陽極とし、接合部材2 及び台座3 を負極として、約40
0°Cの真空雰囲気中において、直流電圧を約400〜
600V印加するすることにより、陽極接合する。こう
して、基板1 のダイヤフラム1cは、接合部材2 とは間に
対向空間1gを有して対向することとなる。
Next, the substrate 1, the bonding member 2 and the pedestal 3, which will be described later, are bonded by anodic bonding. Specifically, the substrate 1 is used as an anode, the bonding member 2 and the pedestal 3 are used as negative electrodes, and
In a vacuum atmosphere of 0 ° C., a DC voltage of about 400 to
By applying 600 V, anodic bonding is performed. Thus, the diaphragm 1c of the substrate 1 faces the bonding member 2 with the facing space 1g therebetween.

【0012】接合部材2 は、硬質ガラスにより、約0.
3〜0.6mmの厚みに形成され、ダイヤフラム1cとの
間の対向空間1gに連通する連通孔2aが、ピンを振動させ
て穿孔する、いわゆる超音波加工法又は放電加工によ
り、外方面から貫通して設けられ、ダイヤフラム1cの対
向面1aに大気圧の基準圧が印加されるようになる。
The joining member 2 is made of hard glass and has a thickness of about 0.1 mm.
A communication hole 2a formed to a thickness of 3 to 0.6 mm and communicating with an opposing space 1g between the diaphragm 1c and the diaphragm 1c is pierced by vibrating a pin. The reference pressure of the atmospheric pressure is applied to the facing surface 1a of the diaphragm 1c.

【0013】台座3 は、基板1 と共に圧力センサチップ
10を構成するものであって、硬質ガラスにより、約0.
5〜2mmの厚みに形成され、基板1 の反対面1f側へ至
る圧力導入孔3aが、ピンを振動させて穿孔する、いわゆ
る超音波加工法又は放電加工により設けられる。この圧
力導入孔3aに、気体又は液体が導入されることにより、
基板1 のダイヤフラム1cに圧力が伝達される。このよう
に、ダイヤフラム1cは、その対向面1aには大気圧の基準
圧が印加された状態で、反対面1fには気体又は液体が導
入されることにより圧力が伝達されて、ダイヤフラム1c
が撓むため、その歪みゲージ抵抗1dでもって、反対面1f
に伝達された気体又は液体の圧力を計測することができ
る。
The pedestal 3 is a pressure sensor chip together with the substrate 1.
10. The hard glass is used to form about 0.1.
A pressure introducing hole 3a formed to a thickness of 5 to 2 mm and reaching the opposite surface 1f side of the substrate 1 is provided by a so-called ultrasonic machining method or an electric discharge machining method in which a pin is vibrated to form a hole. By introducing a gas or a liquid into the pressure introduction hole 3a,
Pressure is transmitted to the diaphragm 1c of the substrate 1. As described above, the diaphragm 1c is in a state where the reference pressure of the atmospheric pressure is applied to the opposed surface 1a, and the pressure is transmitted by introducing the gas or the liquid to the opposite surface 1f, and the diaphragm 1c is
Bends, the opposite surface 1f with its strain gauge resistance 1d
Can measure the pressure of the gas or liquid transmitted to it.

【0014】なお、ダイヤフラム1cの反対面1f側に過大
な圧力が伝達されたときは、ダイヤフラム1cは、図2に
示すように、その対向面1aが接合部材2 に当接すること
により、その撓みが規制されるので、撓み過ぎることに
よる破壊が防止される。
When an excessive pressure is transmitted to the opposite surface 1f of the diaphragm 1c, the diaphragm 1c is bent when its opposing surface 1a comes into contact with the joining member 2 as shown in FIG. Is regulated, so that destruction due to excessive bending is prevented.

【0015】かかる圧力センサにあっては、接合部材2
とダイヤフラム1cとの間の対向空間1gは、その対向空間
1gに連通する連通孔2aが接合部材2 の外方面から貫通し
て設けられているから、接合部材2 と基板1 との接合時
に加熱を伴っても、放熱とともに対向空間1gが減圧にな
ることがなく、ダイヤフラム1cが接合部材2 との間の対
向面1aとは反対側の反対面1fからの外圧を受けても、接
合部材2 へ向かって撓んで接合部材2 と接合してしまう
ことがなくなり、確実に製作することができる。しか
も、従来例のように、ダイヤフラム1cにおけるガラス基
板との対向面にSiO2 膜を形成するという比較的複雑
な工程ではなく、接合部材2 に外方面から対向空間に連
通する連通孔2aを設けるという比較的単純な工程を必要
とするだけであるから、製作に手間がかからなくなる。
In such a pressure sensor, the joining member 2
The opposing space 1g between the diaphragm 1c and the
Since the communication hole 2a communicating with 1g is provided to penetrate from the outer surface of the joining member 2, even when heating is performed at the time of joining the joining member 2 and the substrate 1, the facing space 1g is decompressed with heat radiation. Even if the diaphragm 1c receives an external pressure from the opposite surface 1f opposite to the facing surface 1a between the joining member 2 and the diaphragm 1c, the diaphragm 1c may bend toward the joining member 2 and join with the joining member 2. It can be manufactured reliably. Moreover, unlike the conventional example, a relatively complicated process of forming an SiO 2 film on the surface of the diaphragm 1c facing the glass substrate is not a relatively complicated process, but the connecting member 2 is provided with a communication hole 2a communicating from the outer surface to the facing space. It requires only a relatively simple process, so that production is not troublesome.

【0016】また、ダイヤフラム1cは、その対向面1aと
は反対側の反対面1fにSiO2 がコーティングされてい
るから、水、油、ガス等の腐食性流体により圧力が伝達
されても、腐食するようなことがなくなる。
Further, since the diaphragm 1c is coated with SiO 2 on the opposite surface 1f opposite to the opposite surface 1a, even if pressure is transmitted by a corrosive fluid such as water, oil, gas, etc. You won't have to.

【0017】次に、本発明の第2実施形態を図3に基づ
いて以下に説明する。なお、第1実施形態と実質的に同
一の機能を有する部材には同一の符号を付し、第1実施
形態と異なるところのみ記す。第1実施形態では、対向
空間1gは、基板1 に凹部1bが設けられることにより形成
されているが、本実施形態では、接合部材2 に凹部2bが
設けられることにより形成された構成となっている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Note that members having substantially the same functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and only differences from the first embodiment will be described. In the first embodiment, the opposed space 1g is formed by providing the recess 1b in the substrate 1, but in the present embodiment, the opposed space 1g is formed by providing the recess 2b in the joining member 2. I have.

【0018】詳しくは、接合部材2 は、機械的な研磨又
は弗酸等による化学的なエッチングにより凹部2bが設け
られる。
More specifically, the bonding member 2 is provided with the concave portion 2b by mechanical polishing or chemical etching using hydrofluoric acid or the like.

【0019】かかる圧力センサにあっては、第1実施形
態の効果に加えて、過大な圧力が伝達されて接合部材2
は、基板1 のように、局部的に薄く形成することにより
板状のダイヤフラム1cが設けられているわけではないか
ら、基板1 に凹部1bを設けて対向空間1gを形成する場合
程、丁寧に加工しなくてもよくなり、第1実施形態より
も、製作が一段とやり易くなる。
In such a pressure sensor, in addition to the effect of the first embodiment, excessive pressure is transmitted and the joining member 2
Is not necessarily provided with a plate-like diaphragm 1c by forming it locally thin, as in the case of the substrate 1, so that it is as careful as when the concave space 1b is provided in the substrate 1 to form the facing space 1g. It is not necessary to process, and the production becomes easier than in the first embodiment.

【0020】次に、本発明の第3実施形態を図4及び図
5に基づいて以下に説明する。なお、第1実施形態と実
質的に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、
第1実施形態と異なるところのみ記す。第1実施形態で
は、接合部材2 におけるダイヤフラム1cとの対向面2c
は、平坦状であるが、本実施形態では、突起2dが設けら
れた構成となっている。
Next, a third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The members having substantially the same functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals,
Only different points from the first embodiment will be described. In the first embodiment, the surface 2c of the joining member 2 facing the diaphragm 1c
Has a flat shape, but in the present embodiment, has a configuration in which a protrusion 2d is provided.

【0021】詳しくは、接合部材2 は、弗酸等による化
学的なエッチングにより、先端面が略平坦状の突起2dが
設けられる。なお、この化学的なエッチングの開始位置
を、圧力センサチップの平面図である図4に、破線によ
り示している。従って、ダイヤフラム1cは、過大な圧力
が伝達されて撓んで突起2dに当接しても、クラック等が
発生しないようになっている。また、この突起2dは、ダ
イヤフラム1cが撓んで突起2dに当接しても、ダイヤフラ
ム1cに設けられた歪みゲージ抵抗1dに当接して破損させ
ないよう、歪みゲージ抵抗1dとは対向しない位置に設け
られている。なお、突起2dは、機械的な研磨により設け
られてもよい。
More specifically, the joining member 2 is provided with a projection 2d having a substantially flat tip surface by chemical etching using hydrofluoric acid or the like. The start position of the chemical etching is indicated by a broken line in FIG. 4 which is a plan view of the pressure sensor chip. Therefore, even if excessive pressure is transmitted and the diaphragm 1c bends and abuts on the projection 2d, the diaphragm 1c does not crack. Further, the projection 2d is provided at a position not opposed to the strain gauge resistor 1d so that even if the diaphragm 1c is bent and abuts on the projection 2d, the projection 2d does not abut on the strain gauge resistor 1d provided on the diaphragm 1c and is not damaged. ing. Note that the protrusion 2d may be provided by mechanical polishing.

【0022】かかる圧力センサにあっては、第1実施形
態の効果に加えて、過大な圧力が伝達されて接合部材2
側に撓んだダイヤフラム1cが突起2dを介して接合部材2
に当接することにより、その撓みが規制される場合に、
接合部材2 に設けられた突起2dの高さを変えることによ
って、ダイヤフラム1cの耐久性を調節することができ
る。
In such a pressure sensor, in addition to the effect of the first embodiment, excessive pressure is transmitted and the joining member 2
The diaphragm 1c bent to the side is joined to the joining member 2 via the protrusion 2d.
When the deflection is regulated by contacting the
By changing the height of the projection 2d provided on the joining member 2, the durability of the diaphragm 1c can be adjusted.

【0023】次に、本発明の第4実施形態を図6に基づ
いて以下に説明する。なお、第3実施形態と実質的に同
一の機能を有する部材には同一の符号を付し、第3実施
形態と異なるところのみ記す。第3実施形態では、接合
部材2 は、硬質ガラス製であるが、本実施形態では、シ
リコン製となっている。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Note that members having substantially the same functions as those of the third embodiment are denoted by the same reference numerals, and only differences from the third embodiment will be described. In the third embodiment, the joining member 2 is made of hard glass, but in this embodiment, it is made of silicon.

【0024】詳しくは、接合部材2 は、異方性エッチン
グにより、凹部2b及びその凹部2bの略中央部の突起2dが
設けられる。この接合部材2 は、対向面2cとは反対側の
外方面から、異方性エッチング、プラズマエッチング式
RIE法又はHF水溶液による等方的エッチングによ
り、連通孔2aが設けられる。この接合部材2 は、基板1
と重合した状態で、1000°Cに加熱すると、基板1
に接合される。なお、基板1 は、前述したように、陽極
接合により台座3 と接合される。
More specifically, the joining member 2 is provided with a recess 2b and a projection 2d substantially at the center of the recess 2b by anisotropic etching. The joining member 2 is provided with a communication hole 2a from an outer surface opposite to the opposing surface 2c by anisotropic etching, plasma etching RIE, or isotropic etching using an HF aqueous solution. This joining member 2 is
When heated to 1000 ° C. in a state of polymerization with
Joined to. The substrate 1 is bonded to the pedestal 3 by anodic bonding as described above.

【0025】かかる圧力センサにあっては、第3実施形
態の効果に加えて、ダイヤフラム1cは、シリコン製であ
るが故に弾性を有した接合部材2 の突起2dに当接するこ
とになるから、当接のときの衝撃が緩衝されることとな
って、ダイヤフラム1cが破損するようなことがなくな
る。
In this pressure sensor, in addition to the effect of the third embodiment, the diaphragm 1c comes into contact with the elastic projection 2d of the joining member 2 because it is made of silicon. The shock at the time of contact is buffered, so that the diaphragm 1c is not damaged.

【0026】また、接合部材2 は、シリコン製であるか
ら、第3実施形態よりも薄くするこができ、ひいては、
圧力センサそのものを小型化することができる。
Since the joining member 2 is made of silicon, it can be made thinner than in the third embodiment.
The pressure sensor itself can be reduced in size.

【0027】なお、本実施形態では、接合部材2 は、突
起2dが設けられているが、例えば、ダイヤフラム1cの耐
久性を調節する必要がないようなときは、突起2dが設け
られてなくてもよく、そのときは、接合部材2 の加工が
よりやり易くなる。また、このように、接合部材2 に突
起2dが設けられないときでも、ダイヤフラム1cは、過大
な圧力が伝達されて、シリコン製であるが故に弾性を有
した接合部材2 に当接することになるから、当接のとき
の衝撃が緩衝されることとなって、破損するようなこと
がなくなる。
In this embodiment, the joining member 2 is provided with the projection 2d. However, for example, when there is no need to adjust the durability of the diaphragm 1c, the projection 2d is not provided. In that case, the processing of the joining member 2 becomes easier. Further, even when the projection 2d is not provided on the joining member 2 as described above, the excessive pressure is transmitted to the diaphragm 1c, so that the diaphragm 1c comes into contact with the elastic joining member 2 because it is made of silicon. Therefore, the shock at the time of abutment is buffered, so that breakage does not occur.

【0028】次に、本発明の第5実施形態を図7に基づ
いて以下に説明する。なお、第3実施形態と実質的に同
一の機能を有する部材には同一の符号を付し、第3実施
形態と異なるところのみ記す。第3実施形態では、接合
部材2 に突起2dが設けられているのに対し、本実施形態
では、基板1 に突起1hが設けられた構成となっている。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Note that members having substantially the same functions as those of the third embodiment are denoted by the same reference numerals, and only differences from the third embodiment will be described. In the third embodiment, the projection 2d is provided on the joining member 2, whereas in the present embodiment, the substrate 1 is provided with the projection 1h.

【0029】詳しくは、基板1 は、凹部1bが異方性エッ
チングにより設けられるときに、その凹部1bの略中央部
に突起1hが設けられている。
More specifically, when the concave portion 1b is provided by anisotropic etching, the substrate 1 is provided with a projection 1h substantially at the center of the concave portion 1b.

【0030】かかる圧力センサにあっては、第3実施形
態の効果に加えて、ダイヤフラム1cは、過大な圧力が伝
達されて、シリコン製であるが故に弾性を有した突起1h
を介して接合部材2 に当接することになるから、当接の
ときの衝撃が緩衝されることとなって、ダイヤフラム1c
が破損するようなことがなくなる。
In such a pressure sensor, in addition to the effects of the third embodiment, the diaphragm 1c receives the excessive pressure, and the elastic projection 1h because it is made of silicon.
Therefore, the impact at the time of contact is buffered, and the diaphragm 1c
Will not be damaged.

【0031】次に、本発明の第6実施形態を図8及び図
9に基づいて以下に説明する。なお、第5実施形態と実
質的に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、
第5実施形態と異なるところのみ記す。第5実施形態で
は、突起1hは、シリコン製であるのに対し、本実施形態
では、金属製である構成となっており、弾性を有したも
のとなっている。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The members having substantially the same function as in the fifth embodiment are denoted by the same reference numerals,
Only different points from the fifth embodiment will be described. In the fifth embodiment, the protrusion 1h is made of silicon, whereas in the present embodiment, the protrusion 1h is made of metal, and has elasticity.

【0032】詳しくは、基板1 は、メッキ法又はスタッ
ドバンプ法により、突起1hが設けられる。メッキ法によ
り突起1hを設ける場合は、例えば、Au、Cu又はAl
等の金属を基板1 上にメッキする。スタッドバンプ法に
より突起1hを設ける場合は、例えば、Au製のワイヤに
よりワイヤボンディングして、図9に示すように、基板
1 への盛付られたパッド部1j及びそのパッド部1jに続く
ワイヤ部1kを形成し、パッド部1jとワイヤ部1kとの境界
部分、いわゆるネック部1mを切断することにより、突起
1hが設けられる。
More specifically, the projections 1h are provided on the substrate 1 by a plating method or a stud bump method. When the projection 1h is provided by a plating method, for example, Au, Cu or Al
Is plated on the substrate 1. In the case where the protrusion 1h is provided by the stud bump method, for example, wire bonding is performed using an Au wire, and as shown in FIG.
1 to form a pad portion 1j and a wire portion 1k following the pad portion 1j, and cut a boundary portion between the pad portion 1j and the wire portion 1k, that is, a so-called neck portion 1m, to thereby form a projection.
1h is provided.

【0033】かかる圧力センサにあっては、第5実施形
態と同様の効果を奏することができる。
With such a pressure sensor, the same effects as in the fifth embodiment can be obtained.

【0034】次に、本発明の第7実施形態を図10及び図
11に基づいて以下に説明する。なお、第1実施形態と実
質的に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、
第1実施形態と異なるところのみ記す。第1実施形態で
は、基板1 は、接合部材2 に接合されているのに対し、
本実施形態では、ダイヤフラム1cに対向配置された対向
部材4 及びその対向部材4 に接合されるパッケージ5 に
より収容された構成となっている。なお、図10及び図11
では、ダイヤフラム1cに設けられた歪みゲージ抵抗を省
略している。
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described below based on No. 11. The members having substantially the same functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals,
Only different points from the first embodiment will be described. In the first embodiment, while the substrate 1 is joined to the joining member 2,
In the present embodiment, a configuration is adopted in which the package is housed by a facing member 4 arranged to face the diaphragm 1c and a package 5 joined to the facing member 4. 10 and 11
In the figure, the strain gauge resistance provided in the diaphragm 1c is omitted.

【0035】詳しくは、この基板1 は、後述するパッケ
ージ5 の底部に、台座3 が接着剤5aにより接着されるこ
とにより搭載され、その電極パッド(図示せず)とパッ
ケージ5 に貫通した外部接続用リード線5bとがワイヤボ
ンディングにより接続されている。そして、この基板1
は、その対向面1a側がゲル状のシリコン樹脂1nにより封
止されている。
More specifically, the substrate 1 is mounted on the bottom of a package 5 to be described later by bonding a pedestal 3 with an adhesive 5a, and its electrode pads (not shown) and external connection through the package 5 are provided. Lead wire 5b is connected by wire bonding. And this board 1
Is sealed on its opposing surface 1a side with a gel-like silicon resin 1n.

【0036】対向部材4 は、詳しく後述するが、パッケ
ージ5 の開口部分を覆うよう被冠されることによって、
シリコン樹脂1nを介してダイヤフラム1cと対向し、ダイ
ヤフラム1cとの間に対向空間1gを形成し、その対向空間
1gに連通する連通孔4aが外方面から貫通して設けられて
いる。この対向部材4 は、ダイヤフラム1cと対向する対
向面4aに突起4bが設けられている。
As will be described later in detail, the facing member 4 is covered by covering the opening of the package 5 so that
It faces the diaphragm 1c via the silicone resin 1n, and forms an opposing space 1g between the diaphragm 1c and the opposing space.
A communication hole 4a communicating with 1g is provided to penetrate from the outer surface. The opposing member 4 has a projection 4b on an opposing surface 4a facing the diaphragm 1c.

【0037】パッケージ5 は、例えばPPS、PBT等
のプラスチックにより、一方が開口した箱状に形成さ
れ、開口部分が対向部材4 により被冠されることによ
り、圧力センサチップ10及び電極パッド1eと外部接続用
リード線5bとを接続するワイヤボンディング部分が外力
等から機械的に保護される。このパッケージ5 は、対向
空間に連通する連通孔5c及び基板1 の反対面1f側へ至る
圧力導入孔5dが設けられている。
The package 5 is formed of a plastic such as PPS, PBT or the like in a box shape with one opening, and the opening is covered with the opposing member 4, so that the pressure sensor chip 10 and the electrode pads 1e are connected to the outside. The wire bonding portion connecting to the connection lead wire 5b is mechanically protected from external force or the like. The package 5 is provided with a communication hole 5c communicating with the opposing space and a pressure introduction hole 5d reaching the opposite surface 1f side of the substrate 1.

【0038】なお、ダイヤフラム1cの反対面1f側に過大
な圧力が伝達されたときは、ダイヤフラム1cは、図11に
示すように、その対向面1aが対向部材4 の突起4bに当接
することにより、その撓みが規制されるので、撓み過ぎ
ることによる破壊が防止される。
When an excessive pressure is transmitted to the opposite surface 1f of the diaphragm 1c, the diaphragm 1c is brought into contact with the projection 4b of the opposing member 4 by the opposing surface 1a as shown in FIG. Since the bending is restricted, destruction due to excessive bending is prevented.

【0039】かかる圧力センサにあっては、対向部材4
とダイヤフラム1cとの間の対向空間1gは、その対向空間
1gに連通する連通孔4a,5c が対向部材4 及びパッケージ
5 の外方面から貫通して設けられているから、対向部材
4 とパッケージ5 との接合時に半田付けや溶接等により
加熱を伴っても、放熱とともに対向空間が減圧になるこ
とがなく、ダイヤフラム1cが対向部材4 との対向面1aと
は反対側の反対面1fからの外圧を受けても、対向部材4
へ向かって撓んで対向部材4 と接合してしまうことがな
くなり、確実に製作することができる。しかも、従来例
のように、ダイヤフラムに1cおけるガラス基板との対向
面にSiO2 膜を形成するという比較的複雑な工程では
なく、対向部材4 及びパッケージ5 に外方面から対向空
間1gに連通する連通孔4a,5c を設けるという比較的単純
な工程を必要とするだけであるから、製作に手間がかか
らなくなる。
In such a pressure sensor, the opposing member 4
The opposing space 1g between the diaphragm 1c and the
The communication holes 4a and 5c communicating with 1g are the opposing member 4 and the package.
5 through the outer surface
Even when heating is performed by soldering, welding, or the like at the time of joining the package 4 and the package 5, the opposed space is not depressurized with heat radiation, and the diaphragm 1c is opposed to the opposed surface 1a of the opposed member 4 opposite to the opposed surface 1a. Even if external pressure from 1f is received,
It does not bend toward and is not joined to the opposing member 4, and it can be manufactured reliably. Moreover, it is not a relatively complicated process of forming an SiO 2 film on the surface of the diaphragm 1c facing the glass substrate as in the conventional example, but is connected to the facing member 1 and the package 5 from the outer surface to the facing space 1g. Since only a relatively simple process of providing the communication holes 4a and 5c is required, the production is not troublesome.

【0040】また、過大な圧力が伝達されて対向部材4
側に撓んだダイヤフラム1cが突起4bを介して対向部材4
に当接することにより、その撓みが規制される場合に、
対向部材4 に設けられた突起4bの高さを変えることによ
って、ダイヤフラム1cの撓み量を調節することができ
る。
Further, excessive pressure is transmitted to the opposing member 4
The diaphragm 1c bent to the side faces the opposing member 4 via the projection 4b.
When the deflection is regulated by contacting the
By changing the height of the projection 4b provided on the facing member 4, the amount of deflection of the diaphragm 1c can be adjusted.

【0041】なお、本実施形態では、連通孔4a,5c は、
対向部材4 及びパッケージ5 に設けられているが、いず
れか一方に設けられても同様の効果を奏することはで
き、そのときは、連通孔を設ける手間が少なくなって、
加工がよりやり易くなる。
In this embodiment, the communication holes 4a and 5c are
Although provided on the opposing member 4 and the package 5, the same effect can be obtained even if provided on one of them, and in that case, the trouble of providing the communication hole is reduced,
Processing becomes easier.

【0042】また、本実施形態では、突起4bは、対向部
材4 に設けられているが、ダイヤフラム1cに設けられて
も、同様の効果を奏することができる。
In the present embodiment, the projection 4b is provided on the facing member 4, but the same effect can be obtained even if it is provided on the diaphragm 1c.

【0043】また、本実施形態では、対向部材4 に突起
4bが設けられているが、例えば、例えば、ダイヤフラム
1cの耐久性を調節する必要がないようなときは、突起2d
が設けられてなくてもよく、そのときは、対向部材4 の
加工がよりやり易くなる。
In this embodiment, the opposing member 4 has a projection.
4b is provided, for example, for example, a diaphragm
If you do not need to adjust the durability of 1c,
May not be provided, in which case the processing of the facing member 4 becomes easier.

【0044】[0044]

【発明の効果】請求項1記載の圧力センサは、接合部材
とダイヤフラムとの間の対向空間は、その対向空間に連
通する連通孔が接合部材の外方面から貫通して設けられ
ているから、接合部材と基板との接合時に加熱を伴って
も、放熱とともに対向空間が減圧になることがなく、ダ
イヤフラムが接合部材との対向面とは反対面からの外圧
を受けても、接合部材へ向かって撓んで接合部材と接合
してしまうことがなくなり、確実に製作することができ
る。しかも、従来例のように、ダイヤフラムにおけるガ
ラス基板との対向面にSiO2 膜を形成するという比較
的複雑な工程ではなく、接合部材に外方面から対向空間
に連通する連通孔を設けるという比較的単純な工程を必
要とするだけであるから、製作に手間がかからなくな
る。
According to the pressure sensor of the first aspect, the facing space between the joining member and the diaphragm has a communication hole communicating with the facing space penetrating from the outer surface of the joining member. Even when heating is performed at the time of joining the joining member and the substrate, the facing space is not depressurized with heat radiation, and even if the diaphragm receives external pressure from the surface opposite to the facing surface with the joining member, it faces the joining member. It can be reliably manufactured without being bent and joined to the joining member. Moreover, it is not a relatively complicated process of forming an SiO 2 film on the surface of the diaphragm facing the glass substrate as in the conventional example, but a relatively complicated process of providing a communication hole from the outer surface to the facing space in the joining member. Since only a simple process is required, the production is not troublesome.

【0045】また、過大な圧力が伝達されて接合部材側
に撓んだダイヤフラムが突起を介して接合部材に当接す
ることにより、その撓みが規制される場合に、ダイヤフ
ラム又は接合部材の少なくとも一方に設けられた突起の
高さを変えることによって、撓み量を調節することがで
きる。
Further, when excessive pressure is transmitted and the diaphragm bent toward the joining member comes into contact with the joining member via the projection, and the deflection is regulated, at least one of the diaphragm and the joining member is applied. By changing the height of the provided projection, the amount of bending can be adjusted.

【0046】さらに、過大な圧力が伝達されて接合部材
側に撓んだダイヤフラムは、金属製の弾性を有した突起
を介して接合部材に当接するから、当接のときの衝撃が
緩衝されることとなって、ダイヤフラムが破損するよう
なことがなくなる。
Further, the diaphragm which has been bent toward the joining member due to the transmission of excessive pressure abuts on the joining member via a metal elastic projection, so that the shock at the time of contact is buffered. In other words, the diaphragm is not damaged.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of the present invention.

【図2】同上のダイヤフラムの撓む状態を示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which the diaphragm is bent.

【図3】本発明の第2実施形態の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施形態の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a third embodiment of the present invention.

【図5】同上の圧力センサチップの平面図である。FIG. 5 is a plan view of the same pressure sensor chip.

【図6】本発明の第4実施形態の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a fourth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第5実施形態の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a fifth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第6実施形態の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a sixth embodiment of the present invention.

【図9】同上突起をスタッドバンプ法により設ける場合
の手順を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a procedure when the projection is provided by a stud bump method.

【図10】本発明の第7実施形態の断面図である。FIG. 10 is a sectional view of a seventh embodiment of the present invention.

【図11】同上のダイヤフラムの撓む状態を示す断面図
である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which the diaphragm is bent.

【図12】従来例の断面図である。FIG. 12 is a sectional view of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 1a 対向面 1c ダイヤフラム 1f 反対面 1g 対向空間 1h 突起 2 接合部材 2a 連通孔 2b 凹部 2d 突起 4 対向部材 4a 連通孔 4b 突起 5 パッケージ 5c 連通孔 1 Substrate 1a Opposite surface 1c Diaphragm 1f Opposite surface 1g Opposite space 1h Projection 2 Joining member 2a Communication hole 2b Depression 2d Projection 4 Opposing member 4a Communication hole 4b Projection 5 Package 5c Communication hole

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 局部的に薄く形成することにより板状の
ダイヤフラムが設けられたシリコン製の基板と、ダイヤ
フラムに対向して基板に接合された接合部材と、を備
え、接合部材との対向面とは反対面からの圧力を受ける
ことによるダイヤフラムの撓み量でもって圧力変化を検
出する圧力センサにおいて、 前記ダイヤフラムは、過大な圧力が伝達されて撓むこと
により前記接合部材に当接し得るものであって、前記接
合部材は、前記ダイヤフラムとの間の対向空間に連通す
る連通孔が外方面から貫通して設けられたものであり、
かつ、前記ダイヤフラム又は前記接合部材のいずれか一
方は、前記ダイヤフラムが撓むことによりに他方に当接
し得る突起が別体として設けられたものであって、その
突起は金属製であり弾性を有したことを特徴とする圧力
センサ。
1. A silicon substrate provided with a plate-shaped diaphragm by locally forming a thin plate, and a joining member joined to the substrate in opposition to the diaphragm, and a surface facing the joining member. A pressure sensor that detects a pressure change based on the amount of deflection of the diaphragm caused by receiving a pressure from the opposite surface, wherein the diaphragm is capable of coming into contact with the joining member by bending when an excessive pressure is transmitted. The connecting member is provided with a communication hole communicating with an opposing space between the diaphragm and the diaphragm, the communication hole being provided from an outer surface thereof,
In addition, one of the diaphragm and the joining member is provided with a projection which can be brought into contact with the other by bending the diaphragm, and the projection is made of metal and has elasticity. Pressure sensor characterized in that:
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