JP2001304974A - 波高分布測定装置 - Google Patents
波高分布測定装置Info
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- JP2001304974A JP2001304974A JP2000124173A JP2000124173A JP2001304974A JP 2001304974 A JP2001304974 A JP 2001304974A JP 2000124173 A JP2000124173 A JP 2000124173A JP 2000124173 A JP2000124173 A JP 2000124173A JP 2001304974 A JP2001304974 A JP 2001304974A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波高分布作成用データを短時間で測定し得る
波高分布測定装置を提供する。 【解決手段】 光検出素子3によって検出された検出信
号と、所定の波高値範囲内における所定電圧刻みの各波
高値にそれぞれ対応して設定された各比較用電圧とを比
較してパルス信号を生成し、単位測定時間当りに生成さ
れるパルス信号の数を計測することにより波高分布作成
用データを測定する波高分布測定装置1であって、比較
用電圧および検出信号を比較してパルス信号SP1〜SPN
をそれぞれ生成するN個(Nは2以上の自然数)の比較
器15−1〜15−Nと、N個の比較器15−1〜15
−Nの各々に供給するN種の比較用電圧VC1〜VCNを生
成する比較用電圧生成部12,13,14−1〜14−
Nとを備え、N個の比較器15−1〜15−Nによって
それぞれ生成されたパルス信号SP1〜SPNの数を計測す
ることにより波高分布作成用データを測定する。
波高分布測定装置を提供する。 【解決手段】 光検出素子3によって検出された検出信
号と、所定の波高値範囲内における所定電圧刻みの各波
高値にそれぞれ対応して設定された各比較用電圧とを比
較してパルス信号を生成し、単位測定時間当りに生成さ
れるパルス信号の数を計測することにより波高分布作成
用データを測定する波高分布測定装置1であって、比較
用電圧および検出信号を比較してパルス信号SP1〜SPN
をそれぞれ生成するN個(Nは2以上の自然数)の比較
器15−1〜15−Nと、N個の比較器15−1〜15
−Nの各々に供給するN種の比較用電圧VC1〜VCNを生
成する比較用電圧生成部12,13,14−1〜14−
Nとを備え、N個の比較器15−1〜15−Nによって
それぞれ生成されたパルス信号SP1〜SPNの数を計測す
ることにより波高分布作成用データを測定する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電子増倍管(フ
ォトマルチプライヤーチューブ)やアバランシェフォト
ダイオードによって検出される光検出信号についての波
高分布作成用データを測定する波高分布測定装置に関す
るものである。
ォトマルチプライヤーチューブ)やアバランシェフォト
ダイオードによって検出される光検出信号についての波
高分布作成用データを測定する波高分布測定装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、大気中の水滴や塵の測定などの環
境測定、各種工業分野におけるガスや微量物質の分析、
および医療診断などを行うために、光検出装置が使用さ
れている。この種の光検出装置では、以下の手順で光の
入射量を検出している。まず、入射した微弱光を例えば
アバランシェホトダイオードによって検出する。次い
で、アバランシェホトダイオードの暗電流などに起因す
る雑音の影響を排除するために、その検出信号をパルス
信号に変換し、そのパルス信号の電圧が所定のしきい値
を超えるときにパルス信号を生成する。続いて、所定の
単位測定時間当りに生成されるパルス信号の数を計測す
ることにより、光の入射量を検出する。したがって、信
号光と雑音とを確実に区別するための基準値としてのし
きい値を予め正確に求めておく必要がある。このため、
そのしきい値を求めるための装置として、波高分布測定
装置が用いられる。
境測定、各種工業分野におけるガスや微量物質の分析、
および医療診断などを行うために、光検出装置が使用さ
れている。この種の光検出装置では、以下の手順で光の
入射量を検出している。まず、入射した微弱光を例えば
アバランシェホトダイオードによって検出する。次い
で、アバランシェホトダイオードの暗電流などに起因す
る雑音の影響を排除するために、その検出信号をパルス
信号に変換し、そのパルス信号の電圧が所定のしきい値
を超えるときにパルス信号を生成する。続いて、所定の
単位測定時間当りに生成されるパルス信号の数を計測す
ることにより、光の入射量を検出する。したがって、信
号光と雑音とを確実に区別するための基準値としてのし
きい値を予め正確に求めておく必要がある。このため、
そのしきい値を求めるための装置として、波高分布測定
装置が用いられる。
【0003】この種の波高分布測定装置を備えたシステ
ムとして、出願人は、図3に示す波高分布測定システム
S2を既に開発している。この波高分布測定システムS
2は、信号光を出射する光源2と、アバランシェホトダ
イオードなどで構成され入力した信号光を雪崩増幅作用
で増幅する光検出素子3と、光検出素子3によって検出
された検出信号をパルス信号に変換して、そのパルス信
号の数を計測することによって波高分布作成用データを
測定する波高分布測定装置31とを備えて構成されてい
る。この場合、波高分布測定装置31は、増幅器11、
基準電圧生成回路32、コンパレータ33、カウンタ3
4、CPU35、記憶装置36およびトリガ発生器21
を備えている。このうち、基準電圧生成回路32、カウ
ンタ34,CPU35、記憶装置36およびトリガ発生
器21は、バスライン37によってバス接続されてい
る。
ムとして、出願人は、図3に示す波高分布測定システム
S2を既に開発している。この波高分布測定システムS
2は、信号光を出射する光源2と、アバランシェホトダ
イオードなどで構成され入力した信号光を雪崩増幅作用
で増幅する光検出素子3と、光検出素子3によって検出
された検出信号をパルス信号に変換して、そのパルス信
号の数を計測することによって波高分布作成用データを
測定する波高分布測定装置31とを備えて構成されてい
る。この場合、波高分布測定装置31は、増幅器11、
基準電圧生成回路32、コンパレータ33、カウンタ3
4、CPU35、記憶装置36およびトリガ発生器21
を備えている。このうち、基準電圧生成回路32、カウ
ンタ34,CPU35、記憶装置36およびトリガ発生
器21は、バスライン37によってバス接続されてい
る。
【0004】次に、波高分布測定システムS2による波
高分布作成用データの測定について説明する。まず、オ
ペレータが、図外のキー入力部を操作することにより、
パルス信号の数を計測する際の単位測定時間(例えば1
0秒)と、波高値(電圧値)とを波高分布測定装置31
に設定する。この際に、CPU35は、基準電圧生成回
路32に対して、設定された波高値と等しい電圧の基準
電圧VR を生成させる。これにより、基準電圧VR がコ
ンパレータ33の比較用電圧として設定される。次い
で、光源2を起動させて信号光を光検出素子3に入射さ
せる。この際には、光検出素子3が、信号光をパルス状
の電気信号に変換して増幅器11に出力する。続いて、
増幅器11が、光検出素子3から出力された電気信号を
増幅してパルス電圧VP に変換した後、コンパレータ3
3に出力する。
高分布作成用データの測定について説明する。まず、オ
ペレータが、図外のキー入力部を操作することにより、
パルス信号の数を計測する際の単位測定時間(例えば1
0秒)と、波高値(電圧値)とを波高分布測定装置31
に設定する。この際に、CPU35は、基準電圧生成回
路32に対して、設定された波高値と等しい電圧の基準
電圧VR を生成させる。これにより、基準電圧VR がコ
ンパレータ33の比較用電圧として設定される。次い
で、光源2を起動させて信号光を光検出素子3に入射さ
せる。この際には、光検出素子3が、信号光をパルス状
の電気信号に変換して増幅器11に出力する。続いて、
増幅器11が、光検出素子3から出力された電気信号を
増幅してパルス電圧VP に変換した後、コンパレータ3
3に出力する。
【0005】次いで、コンパレータ33は、パルス電圧
VP の電圧値が基準電圧VR を超えるときに、パルス信
号SP をカウンタ34に出力する。この状態で、トリガ
発生器21に測定開始用の外部トリガを入力させる。こ
の際には、トリガ発生器21が、カウンタ34に対し
て、外部トリガに同期して測定開始信号SS を出力した
後、設定された単位測定時間が経過した時点で測定終了
信号SE を出力する。したがって、カウンタ34は、単
位測定時間内に入力したパルス信号SP の数をカウント
し、そのカウント値をCPU35に出力する。これによ
り、CPU35が、そのカウント値を図外の表示部に表
示させる。
VP の電圧値が基準電圧VR を超えるときに、パルス信
号SP をカウンタ34に出力する。この状態で、トリガ
発生器21に測定開始用の外部トリガを入力させる。こ
の際には、トリガ発生器21が、カウンタ34に対し
て、外部トリガに同期して測定開始信号SS を出力した
後、設定された単位測定時間が経過した時点で測定終了
信号SE を出力する。したがって、カウンタ34は、単
位測定時間内に入力したパルス信号SP の数をカウント
し、そのカウント値をCPU35に出力する。これによ
り、CPU35が、そのカウント値を図外の表示部に表
示させる。
【0006】オペレータは、例えば、10mV〜300
mVまでの波高値範囲についての波高分布を作成する場
合、例えば10mV刻みの各波高値を順次設定して上記
の操作を繰り返す。これにより、その波高値範囲におい
て波高分解能が10mVの各波高値にそれぞれ対応する
カウント値が測定される。次いで、チャンネルナンバー
とも呼称される各波高値をX軸のパラメータとし、各波
高値にそれぞれ対応する1秒当りのカウント値をY軸に
プロットすることにより、図2の実線で示すように、光
検出素子3によって検出される光検出信号についての積
分波高分布が作成される。また、オペレータは、必要に
応じて、光検出素子3に入射させる信号光の光パワー
や、光検出素子3のバイアス電圧などをパラメータとす
る積分波高分布を作成する。この後、オペレータは、積
分波高分布に基づいて、隣り合う各波高値についてのカ
ウント値の差を求めることにより、同図の破線で示すよ
うに、微分波高分布を作成する。この場合、微分波高分
布においてカウント値がほぼ最小となる谷部分(ターニ
ングポイント)に対応する波高値(同図では、約80m
V)が、暗電流や増幅器11に起因する雑音および波形
歪みと、信号光とを区別する際に基準となるしきい値に
相当する。以上の手順により、光検出装置が光検出素子
3によって信号光の入射量を測定する際のしきい値を求
めることができる。
mVまでの波高値範囲についての波高分布を作成する場
合、例えば10mV刻みの各波高値を順次設定して上記
の操作を繰り返す。これにより、その波高値範囲におい
て波高分解能が10mVの各波高値にそれぞれ対応する
カウント値が測定される。次いで、チャンネルナンバー
とも呼称される各波高値をX軸のパラメータとし、各波
高値にそれぞれ対応する1秒当りのカウント値をY軸に
プロットすることにより、図2の実線で示すように、光
検出素子3によって検出される光検出信号についての積
分波高分布が作成される。また、オペレータは、必要に
応じて、光検出素子3に入射させる信号光の光パワー
や、光検出素子3のバイアス電圧などをパラメータとす
る積分波高分布を作成する。この後、オペレータは、積
分波高分布に基づいて、隣り合う各波高値についてのカ
ウント値の差を求めることにより、同図の破線で示すよ
うに、微分波高分布を作成する。この場合、微分波高分
布においてカウント値がほぼ最小となる谷部分(ターニ
ングポイント)に対応する波高値(同図では、約80m
V)が、暗電流や増幅器11に起因する雑音および波形
歪みと、信号光とを区別する際に基準となるしきい値に
相当する。以上の手順により、光検出装置が光検出素子
3によって信号光の入射量を測定する際のしきい値を求
めることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この波高分
布測定装置31には、以下の改善すべき点がある。すな
わち、この波高分布測定装置31では、積分波高分布作
成用データの作成に当り、コンパレータ33の比較用電
圧を数多くの波高値に対応させて幾度となく設定し、か
つ、その都度、外部トリガを入力させる必要がある。こ
の場合、各波高値は、増幅器11の増幅度にもよるが、
通常、10mV〜500mVの波高値範囲内では、低電
圧のときほど細かい電圧刻みで少なくとも50〜100
回程度の測定が必要となる。したがって、波高値の設
定、外部トリガの入力、およびカウント値の測定を数多
く繰り返さなければならず、そのために大変な労力と膨
大な時間を必要とする。また、各波高値を自動的に設定
して自動的に繰り返し測定する自動測定機能を波高分布
測定装置31に備えたとしても、測定時間を短縮するの
は困難である。さらに、積分波高分布を作成するのに長
時間を要する場合、その間における温度や湿度などの環
境の変化、光源2の光パワーの変動、および基準電圧生
成回路32の基準電圧VR の変動などに起因して、正確
な積分波高分布作成用データを測定するのが困難とな
る。このため、設定する各波高値の電圧刻みを大きくす
ることによって測定時間を短縮しているのが現状であ
る。しかし、この場合には、入射量を検出する際のしき
い値を正確に規定するのが困難となり、光検出装置によ
る光入射量の検出精度が低下する。したがって、この波
高分布測定装置31には、測定時間の短縮化が要請され
ている。
布測定装置31には、以下の改善すべき点がある。すな
わち、この波高分布測定装置31では、積分波高分布作
成用データの作成に当り、コンパレータ33の比較用電
圧を数多くの波高値に対応させて幾度となく設定し、か
つ、その都度、外部トリガを入力させる必要がある。こ
の場合、各波高値は、増幅器11の増幅度にもよるが、
通常、10mV〜500mVの波高値範囲内では、低電
圧のときほど細かい電圧刻みで少なくとも50〜100
回程度の測定が必要となる。したがって、波高値の設
定、外部トリガの入力、およびカウント値の測定を数多
く繰り返さなければならず、そのために大変な労力と膨
大な時間を必要とする。また、各波高値を自動的に設定
して自動的に繰り返し測定する自動測定機能を波高分布
測定装置31に備えたとしても、測定時間を短縮するの
は困難である。さらに、積分波高分布を作成するのに長
時間を要する場合、その間における温度や湿度などの環
境の変化、光源2の光パワーの変動、および基準電圧生
成回路32の基準電圧VR の変動などに起因して、正確
な積分波高分布作成用データを測定するのが困難とな
る。このため、設定する各波高値の電圧刻みを大きくす
ることによって測定時間を短縮しているのが現状であ
る。しかし、この場合には、入射量を検出する際のしき
い値を正確に規定するのが困難となり、光検出装置によ
る光入射量の検出精度が低下する。したがって、この波
高分布測定装置31には、測定時間の短縮化が要請され
ている。
【0008】本発明は、かかる改善すべき点に鑑みてな
されたものであり、波高分布作成用データを短時間で測
定し得る波高分布測定装置を提供することを主目的とす
る。
されたものであり、波高分布作成用データを短時間で測
定し得る波高分布測定装置を提供することを主目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく請
求項1記載の波高分布測定装置は、光検出素子によって
検出された検出信号と、所定の波高値範囲内における所
定電圧刻みの各波高値にそれぞれ対応して設定された各
比較用電圧とを比較してパルス信号を生成し、単位測定
時間当りに生成されるパルス信号の数を計測することに
より波高分布作成用データを測定する波高分布測定装置
であって、比較用電圧および検出信号を比較してパルス
信号をそれぞれ生成するN個(Nは2以上の自然数)の
比較器と、N個の比較器の各々に供給するN種の比較用
電圧を生成する比較用電圧生成部とを備え、N個の比較
器によってそれぞれ生成されたパルス信号の数を計測す
ることにより波高分布作成用データを測定することを特
徴とする。ここで、光検出素子には、アバランシェホト
ダイオードなどの光検出用ダイオード、および光電子増
倍管が含まれる。また、「所定電圧刻み」とは、均一の
電圧刻み、不均一の電圧刻み、および波高値範囲に応じ
て適宜変更される電圧刻みが含まれる。
求項1記載の波高分布測定装置は、光検出素子によって
検出された検出信号と、所定の波高値範囲内における所
定電圧刻みの各波高値にそれぞれ対応して設定された各
比較用電圧とを比較してパルス信号を生成し、単位測定
時間当りに生成されるパルス信号の数を計測することに
より波高分布作成用データを測定する波高分布測定装置
であって、比較用電圧および検出信号を比較してパルス
信号をそれぞれ生成するN個(Nは2以上の自然数)の
比較器と、N個の比較器の各々に供給するN種の比較用
電圧を生成する比較用電圧生成部とを備え、N個の比較
器によってそれぞれ生成されたパルス信号の数を計測す
ることにより波高分布作成用データを測定することを特
徴とする。ここで、光検出素子には、アバランシェホト
ダイオードなどの光検出用ダイオード、および光電子増
倍管が含まれる。また、「所定電圧刻み」とは、均一の
電圧刻み、不均一の電圧刻み、および波高値範囲に応じ
て適宜変更される電圧刻みが含まれる。
【0010】請求項2記載の波高分布測定装置は、請求
項1記載の波高分布装置において、比較用電圧生成部
は、第1の基準電圧を生成する第1の基準電圧生成回路
と、第2の基準電圧を生成する第2の基準電圧生成回路
とを備え、第1の基準電圧に基づいて所定電圧刻みでN
種の電圧を生成し、そのN種の電圧の各々に第2の基準
電圧をそれぞれ加算してN種の比較用電圧を生成するこ
とを特徴とする。
項1記載の波高分布装置において、比較用電圧生成部
は、第1の基準電圧を生成する第1の基準電圧生成回路
と、第2の基準電圧を生成する第2の基準電圧生成回路
とを備え、第1の基準電圧に基づいて所定電圧刻みでN
種の電圧を生成し、そのN種の電圧の各々に第2の基準
電圧をそれぞれ加算してN種の比較用電圧を生成するこ
とを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る波高分布測定装置を波高分布測定システムS1
に適用した実施の形態について説明する。なお、出願人
が既に開発している波高分布測定システムS2と同一の
構成要素については、同一の符号を付して重複した説明
を省略する。
明に係る波高分布測定装置を波高分布測定システムS1
に適用した実施の形態について説明する。なお、出願人
が既に開発している波高分布測定システムS2と同一の
構成要素については、同一の符号を付して重複した説明
を省略する。
【0012】波高分布測定システムS1は、図1に示す
ように、光源2、光検出素子3および波高分布測定装置
1を備えて構成されている。光検出素子3は、アバラン
シェホトダイオードで構成され、波長が例えば0.9μ
m〜1.55μmの近赤外域光を光パワー0.0001
pW〜10pWの範囲で高検出効率で検出する。波高分
布測定装置1は、光検出素子3から出力された電気信号
を増幅してパルス電圧VP に変換する増幅器11と、本
発明における第1の基準電圧生成回路に相当し基準電圧
VR1を生成する基準電圧生成回路12と、本発明におけ
る第2の基準電圧生成回路に相当し基準電圧VR2を生成
する基準電圧生成回路13と、N個(Nは、自然数であ
って、この波高分布測定装置1では、例えば50に規定
されている)の降圧加算器14−1〜14−N(以下、
区別しないときには「降圧加算器14」という)と、N
個のコンパレータ15−1〜15−N(以下、区別しな
いときには「コンパレータ15」という)と、N個のカ
ウンタ16−1〜16−N(以下、区別しないときには
「カウンタ16」という)とを備えている。また、波高
分布測定装置1は、各カウンタ16および基準電圧生成
回路12,13と共にバスライン22にバス接続された
CPU17、記憶装置18、表示装置19、キー入力装
置20およびトリガ発生器21を備えている。なお、基
準電圧生成回路12,13およびN個の降圧加算器14
によって本発明における比較用電圧生成部が構成され
る。
ように、光源2、光検出素子3および波高分布測定装置
1を備えて構成されている。光検出素子3は、アバラン
シェホトダイオードで構成され、波長が例えば0.9μ
m〜1.55μmの近赤外域光を光パワー0.0001
pW〜10pWの範囲で高検出効率で検出する。波高分
布測定装置1は、光検出素子3から出力された電気信号
を増幅してパルス電圧VP に変換する増幅器11と、本
発明における第1の基準電圧生成回路に相当し基準電圧
VR1を生成する基準電圧生成回路12と、本発明におけ
る第2の基準電圧生成回路に相当し基準電圧VR2を生成
する基準電圧生成回路13と、N個(Nは、自然数であ
って、この波高分布測定装置1では、例えば50に規定
されている)の降圧加算器14−1〜14−N(以下、
区別しないときには「降圧加算器14」という)と、N
個のコンパレータ15−1〜15−N(以下、区別しな
いときには「コンパレータ15」という)と、N個のカ
ウンタ16−1〜16−N(以下、区別しないときには
「カウンタ16」という)とを備えている。また、波高
分布測定装置1は、各カウンタ16および基準電圧生成
回路12,13と共にバスライン22にバス接続された
CPU17、記憶装置18、表示装置19、キー入力装
置20およびトリガ発生器21を備えている。なお、基
準電圧生成回路12,13およびN個の降圧加算器14
によって本発明における比較用電圧生成部が構成され
る。
【0013】降圧加算器14−1〜14−Nは、降圧回
路および加算回路の機能を有し、基準電圧VR1,VR2に
基づいて比較用電圧VC1〜VCN(以下、区別しないとき
には「比較用電圧VC 」という)を生成する。この降圧
加算器14は、まず、基準電圧VR1を分圧して降圧する
ことにより所定の電圧刻みでN種の電圧をそれぞれ生成
する。具体的には、各降圧加算器14は、基準電圧VR1
の1/Mの電圧(MはN以上の自然数であって、この波
高分布測定装置1では、その値が例えば1000に規定
されている)刻みの電圧(VR1/M〜VR1・N/M)を
それぞれ生成する。したがって、基準電圧VR1を10V
とした場合、10mVの波高分解能で50種の電圧が同
時に生成される。また、各降圧加算器14は、生成した
電圧(VR1/M〜VR1・N/M)に基準電圧VR2を加算
することにより比較用電圧VC1〜VCNを生成し、その比
較用電圧VC を各コンパレータ15の基準電圧入力部に
それぞれ出力する。
路および加算回路の機能を有し、基準電圧VR1,VR2に
基づいて比較用電圧VC1〜VCN(以下、区別しないとき
には「比較用電圧VC 」という)を生成する。この降圧
加算器14は、まず、基準電圧VR1を分圧して降圧する
ことにより所定の電圧刻みでN種の電圧をそれぞれ生成
する。具体的には、各降圧加算器14は、基準電圧VR1
の1/Mの電圧(MはN以上の自然数であって、この波
高分布測定装置1では、その値が例えば1000に規定
されている)刻みの電圧(VR1/M〜VR1・N/M)を
それぞれ生成する。したがって、基準電圧VR1を10V
とした場合、10mVの波高分解能で50種の電圧が同
時に生成される。また、各降圧加算器14は、生成した
電圧(VR1/M〜VR1・N/M)に基準電圧VR2を加算
することにより比較用電圧VC1〜VCNを生成し、その比
較用電圧VC を各コンパレータ15の基準電圧入力部に
それぞれ出力する。
【0014】各コンパレータ15は、入力されたパルス
電圧VP と、比較用電圧VC とを比較し、パルス電圧V
P の電圧値が比較用電圧VC を超えているときにパルス
信号SP1〜SPN(以下、区別しないときには「パルス信
号SP 」という)をカウンタ16に出力する。カウンタ
16は、トリガ発生器21から測定開始信号SS が出力
された時点でカウント動作を開始し、設定された単位測
定時間の経過時にトリガ発生器21から測定終了信号S
E が出力された時点で、それまでにカウントしたカウン
ト値をCPU17に出力する。CPU17は、各カウン
タ16から出力されるカウント値の読込み処理、読み込
んだカウント値(積分波高データ)に基づく積分波高分
布の作成処理、積分波高分布データに基づく微分波高分
布の作成処理、しきい値の決定処理、および光検出素子
3に入力した測定対象の信号光についての入射量測定処
理などの各種処理を実行する。記憶装置18は、CPU
17の動作プログラムを記憶するROM、および積分波
高データや微分波高データなどのCPU17の演算結果
を一時的に記憶するRAMを内蔵して構成されている。
表示装置19は、LCDパネルで構成され、CPU17
によって算出された積分波高分布や微分波高分布などを
表示する。キー入力装置20は、各種キーを備えて構成
され、単位測定時間、波高値範囲、および測定対象の信
号光の入射量を測定する際のしきい値などを入力する際
に用いられる。
電圧VP と、比較用電圧VC とを比較し、パルス電圧V
P の電圧値が比較用電圧VC を超えているときにパルス
信号SP1〜SPN(以下、区別しないときには「パルス信
号SP 」という)をカウンタ16に出力する。カウンタ
16は、トリガ発生器21から測定開始信号SS が出力
された時点でカウント動作を開始し、設定された単位測
定時間の経過時にトリガ発生器21から測定終了信号S
E が出力された時点で、それまでにカウントしたカウン
ト値をCPU17に出力する。CPU17は、各カウン
タ16から出力されるカウント値の読込み処理、読み込
んだカウント値(積分波高データ)に基づく積分波高分
布の作成処理、積分波高分布データに基づく微分波高分
布の作成処理、しきい値の決定処理、および光検出素子
3に入力した測定対象の信号光についての入射量測定処
理などの各種処理を実行する。記憶装置18は、CPU
17の動作プログラムを記憶するROM、および積分波
高データや微分波高データなどのCPU17の演算結果
を一時的に記憶するRAMを内蔵して構成されている。
表示装置19は、LCDパネルで構成され、CPU17
によって算出された積分波高分布や微分波高分布などを
表示する。キー入力装置20は、各種キーを備えて構成
され、単位測定時間、波高値範囲、および測定対象の信
号光の入射量を測定する際のしきい値などを入力する際
に用いられる。
【0015】次に、波高分布測定装置1による波高分布
の作成処理について説明する。
の作成処理について説明する。
【0016】まず、オペレータが、キー入力装置20の
キーを操作することにより、単位測定時間(例えば10
秒)、波高分解能、および測定すべき波高値範囲(例え
ば1mV〜500mV)を入力する。この場合、波高分
解能については、例えば、1mV〜100mVの波高値
範囲では1mV刻み、110mV〜500mVの波高値
範囲では10mV刻みというように、波高値範囲に応じ
て任意の値に設定が可能となっている。つまり、基準電
圧生成回路12の出力電圧を例えば1V,2V,5V,
10V,20Vの5段階で可変可能に構成した場合、M
が値1000のときには、1mV,2mV,5mV,1
0mV,20mVの5段階で波高分解能を設定でき、基
準電圧生成回路12の出力電圧を任意に可変可能に構成
した場合には、無段階で波高分解能を設定することがで
きる。
キーを操作することにより、単位測定時間(例えば10
秒)、波高分解能、および測定すべき波高値範囲(例え
ば1mV〜500mV)を入力する。この場合、波高分
解能については、例えば、1mV〜100mVの波高値
範囲では1mV刻み、110mV〜500mVの波高値
範囲では10mV刻みというように、波高値範囲に応じ
て任意の値に設定が可能となっている。つまり、基準電
圧生成回路12の出力電圧を例えば1V,2V,5V,
10V,20Vの5段階で可変可能に構成した場合、M
が値1000のときには、1mV,2mV,5mV,1
0mV,20mVの5段階で波高分解能を設定でき、基
準電圧生成回路12の出力電圧を任意に可変可能に構成
した場合には、無段階で波高分解能を設定することがで
きる。
【0017】次いで、CPU17は、設定された波高分
解能に合致する基準電圧VR1,VR2を算出すると共に、
両基準電圧生成回路12,13の生成電圧を、その基準
電圧VR1,VR2に設定する。具体的には、CPU17
は、基準電圧VR1の1/Mの電圧が波高分解能と等しく
なるように、基準電圧生成回路12の基準電圧VR1を規
定し、かつ、波高値範囲に合致するように、基準電圧生
成回路13の基準電圧VR2を規定する。例えば、1回目
の波高分布データの測定において1mV〜50mVの波
高値範囲についての測定を行う場合、基準電圧VR1を1
Vに、基準電圧VR2を0Vにそれぞれ規定する。また、
2回目の波高分布データの測定において51mV〜10
0mVの波高値範囲についての測定を行う場合、基準電
圧VR1を1Vに基準電圧VR2を50mVにそれぞれ規定
する。さらに、3回目の波高分布データの測定において
110mV〜500mVの波高値範囲についての測定を
行う場合、基準電圧VR1を10Vに基準電圧VR2を10
0mVにそれぞれ規定する。
解能に合致する基準電圧VR1,VR2を算出すると共に、
両基準電圧生成回路12,13の生成電圧を、その基準
電圧VR1,VR2に設定する。具体的には、CPU17
は、基準電圧VR1の1/Mの電圧が波高分解能と等しく
なるように、基準電圧生成回路12の基準電圧VR1を規
定し、かつ、波高値範囲に合致するように、基準電圧生
成回路13の基準電圧VR2を規定する。例えば、1回目
の波高分布データの測定において1mV〜50mVの波
高値範囲についての測定を行う場合、基準電圧VR1を1
Vに、基準電圧VR2を0Vにそれぞれ規定する。また、
2回目の波高分布データの測定において51mV〜10
0mVの波高値範囲についての測定を行う場合、基準電
圧VR1を1Vに基準電圧VR2を50mVにそれぞれ規定
する。さらに、3回目の波高分布データの測定において
110mV〜500mVの波高値範囲についての測定を
行う場合、基準電圧VR1を10Vに基準電圧VR2を10
0mVにそれぞれ規定する。
【0018】次いで、第1回目の測定を開始する。この
際には、CPU17が、両基準電圧生成回路12,13
に電圧データを出力する。これにより、両基準電圧生成
回路12が基準電圧VR1(1V)を生成し、かつ基準電
圧生成回路13が基準電圧VR2(0V)を生成する。こ
の結果、各降圧加算器14が、各コンパレータ15に比
較用電圧VC を出力する。次いで、光源2を起動させて
信号光を光検出素子3に入射させる。この際には、光検
出素子3が、信号光をパルス状の電気信号に変換して増
幅器11に出力する。続いて、増幅器11が、光検出素
子3から出力された電気信号を増幅してパルス電圧VP
に変換した後、コンパレータ15に出力する。次いで、
各コンパレータ15は、パルス電圧VP の電圧値が比較
用電圧VC を超えるときに、パルス信号SP をカウンタ
16にそれぞれ出力する。この状態で、トリガ発生器2
1に測定開始用の外部トリガを入力させる。この際に
は、トリガ発生器21が、CPU17および各カウンタ
16に対して、外部トリガに同期して測定開始信号SS
を出力した後、設定した単位測定時間(10秒)が経過
した時点で測定終了信号SE を出力する。したがって、
各カウンタ16は、単位測定時間の間に入力したパルス
信号SP の数をカウントし、そのカウント値をCPU1
7を出力する。これにより、CPU17は、波高値1m
V〜50mVの範囲内における1mV刻みの波高値にそ
れぞれ対応する50個のカウンタ16−1〜16−50
のカウント値を一時に得ることができる。
際には、CPU17が、両基準電圧生成回路12,13
に電圧データを出力する。これにより、両基準電圧生成
回路12が基準電圧VR1(1V)を生成し、かつ基準電
圧生成回路13が基準電圧VR2(0V)を生成する。こ
の結果、各降圧加算器14が、各コンパレータ15に比
較用電圧VC を出力する。次いで、光源2を起動させて
信号光を光検出素子3に入射させる。この際には、光検
出素子3が、信号光をパルス状の電気信号に変換して増
幅器11に出力する。続いて、増幅器11が、光検出素
子3から出力された電気信号を増幅してパルス電圧VP
に変換した後、コンパレータ15に出力する。次いで、
各コンパレータ15は、パルス電圧VP の電圧値が比較
用電圧VC を超えるときに、パルス信号SP をカウンタ
16にそれぞれ出力する。この状態で、トリガ発生器2
1に測定開始用の外部トリガを入力させる。この際に
は、トリガ発生器21が、CPU17および各カウンタ
16に対して、外部トリガに同期して測定開始信号SS
を出力した後、設定した単位測定時間(10秒)が経過
した時点で測定終了信号SE を出力する。したがって、
各カウンタ16は、単位測定時間の間に入力したパルス
信号SP の数をカウントし、そのカウント値をCPU1
7を出力する。これにより、CPU17は、波高値1m
V〜50mVの範囲内における1mV刻みの波高値にそ
れぞれ対応する50個のカウンタ16−1〜16−50
のカウント値を一時に得ることができる。
【0019】次いで、CPU17は、2回目の測定にお
いて、両基準電圧生成回路12,13の基準電圧VR1
(1V),VR2(50mV)を設定した後、上記の操作
を繰り返す。これにより、CPU17は、波高値51m
V〜100mVの範囲内における1mV刻みの波高値に
それぞれ対応する50個のカウンタ16−1〜16−5
0のカウント値を一時に得ることができる。この後、C
PU17は、3回目の測定において、両基準電圧生成回
路12,13の基準電圧VR1(10V),VR2(100
mV)を設定した後、上記の操作を繰り返す。これによ
り、CPU17は、波高値110mV〜500mVの範
囲内における10mV刻みの波高値にそれぞれ対応する
40個のカウンタ16−1〜16−40のカウント値を
一時に得ることができる。
いて、両基準電圧生成回路12,13の基準電圧VR1
(1V),VR2(50mV)を設定した後、上記の操作
を繰り返す。これにより、CPU17は、波高値51m
V〜100mVの範囲内における1mV刻みの波高値に
それぞれ対応する50個のカウンタ16−1〜16−5
0のカウント値を一時に得ることができる。この後、C
PU17は、3回目の測定において、両基準電圧生成回
路12,13の基準電圧VR1(10V),VR2(100
mV)を設定した後、上記の操作を繰り返す。これによ
り、CPU17は、波高値110mV〜500mVの範
囲内における10mV刻みの波高値にそれぞれ対応する
40個のカウンタ16−1〜16−40のカウント値を
一時に得ることができる。
【0020】この後、CPU17は、3回の測定によっ
て得られた波高分布データに基づいて、積分波高分布お
よび微分波高分布を作成し、微分波高分布の谷部分に相
当するしきい値(波高値)を決定する。次いで、CPU
17は、そのしきい値と共に積分波高分布および微分波
高分布を表示装置19に表示させる。これにより、オペ
レータは、求められたしきい値を図外の光検出装置に設
定することにより、光検出装置を用いて光の入射量を精
度良く測定することができる。また、他の光源の光パワ
ーあるいは他の波長の光について測定する際のしきい値
を求める必要があるときには、その希望する光を光検出
素子3に新たに入力し、上記した処理手順に従って求め
ることができる。
て得られた波高分布データに基づいて、積分波高分布お
よび微分波高分布を作成し、微分波高分布の谷部分に相
当するしきい値(波高値)を決定する。次いで、CPU
17は、そのしきい値と共に積分波高分布および微分波
高分布を表示装置19に表示させる。これにより、オペ
レータは、求められたしきい値を図外の光検出装置に設
定することにより、光検出装置を用いて光の入射量を精
度良く測定することができる。また、他の光源の光パワ
ーあるいは他の波長の光について測定する際のしきい値
を求める必要があるときには、その希望する光を光検出
素子3に新たに入力し、上記した処理手順に従って求め
ることができる。
【0021】なお、この波高分布測定装置1を用いて光
検出素子3に入力される信号光の入射量を測定すること
もできる。かかる場合には、キー入力装置20を操作し
て、CPU17によって求められたしきい値、またはオ
ペレータ自身が微分波高分布を参照して求めたしきい値
をコンパレータ15−1に設定する。この際には、CP
U17は、コンパレータ15−1の比較用電圧VC がそ
のしきい値となるように、基準電圧生成回路12,13
の基準電圧VR1,VR2を自動的に規定しかつ設定する。
次に、光源2から光検出素子3に信号光を入射させる。
これにより、増幅器11がパルス電圧VP を生成してコ
ンパレータ15−1に出力する。次いで、コンパレータ
15−1が、しきい値を超えるパルス電圧VP が入力さ
れる都度、パルス信号SP1をカウンタ16−1に出力す
る。この状態で、外部トリガをトリガ発生器21に入力
させることにより、カウンタ16−1が、単位測定時間
当りのカウント値をCPU17に出力する。この結果、
CPU17が、光の入射量に応じたカウント値を表示装
置19に表示させる。
検出素子3に入力される信号光の入射量を測定すること
もできる。かかる場合には、キー入力装置20を操作し
て、CPU17によって求められたしきい値、またはオ
ペレータ自身が微分波高分布を参照して求めたしきい値
をコンパレータ15−1に設定する。この際には、CP
U17は、コンパレータ15−1の比較用電圧VC がそ
のしきい値となるように、基準電圧生成回路12,13
の基準電圧VR1,VR2を自動的に規定しかつ設定する。
次に、光源2から光検出素子3に信号光を入射させる。
これにより、増幅器11がパルス電圧VP を生成してコ
ンパレータ15−1に出力する。次いで、コンパレータ
15−1が、しきい値を超えるパルス電圧VP が入力さ
れる都度、パルス信号SP1をカウンタ16−1に出力す
る。この状態で、外部トリガをトリガ発生器21に入力
させることにより、カウンタ16−1が、単位測定時間
当りのカウント値をCPU17に出力する。この結果、
CPU17が、光の入射量に応じたカウント値を表示装
置19に表示させる。
【0022】このように、この波高分布測定装置1によ
れば、複数のコンパレータ15およびカウンタ16を備
えたことにより、波高分布作成用データを極めて短時間
で測定することができる。また、測定時間を短縮できる
結果、温度や湿度などの環境の変化、光源2の光パワー
の変動、および基準電圧生成回路12,13の基準電圧
VR1,VR2の変動などの影響を排除できるため、正確な
積分波高分布を作成することができる。さらに、各降圧
加算器14が、基準電圧VR1,VR2を基にして各比較用
電圧VC を生成するため、基準電圧生成用の電源装置を
2つ用いるだけで任意の波高分解能で幅広い波高値範囲
についての波高分布作成用データを測定することができ
る。このため、各コンパレータ15にそれぞれ対応させ
て複数の基準電圧生成回路を用いる方式と比較して、装
置を簡易に構成できると共にコストを低減することがで
き、しかも信頼性の高い波高分布測定装置を実現するこ
とができる。
れば、複数のコンパレータ15およびカウンタ16を備
えたことにより、波高分布作成用データを極めて短時間
で測定することができる。また、測定時間を短縮できる
結果、温度や湿度などの環境の変化、光源2の光パワー
の変動、および基準電圧生成回路12,13の基準電圧
VR1,VR2の変動などの影響を排除できるため、正確な
積分波高分布を作成することができる。さらに、各降圧
加算器14が、基準電圧VR1,VR2を基にして各比較用
電圧VC を生成するため、基準電圧生成用の電源装置を
2つ用いるだけで任意の波高分解能で幅広い波高値範囲
についての波高分布作成用データを測定することができ
る。このため、各コンパレータ15にそれぞれ対応させ
て複数の基準電圧生成回路を用いる方式と比較して、装
置を簡易に構成できると共にコストを低減することがで
き、しかも信頼性の高い波高分布測定装置を実現するこ
とができる。
【0023】なお、本発明は、上記した発明の実施の形
態に限定されない。例えば、本発明の実施の形態では、
2つの基準電圧生成回路12,13を用いた例について
説明したが、任意の出力電圧を生成可能な1つの基準電
圧生成回路のみを用いて本発明における比較用電圧生成
部を構成することができる。ただし、本発明の実施の形
態で示したように、出力電圧を段階的に可変する2つの
基準電圧発生回路12,13を備えることで、各基準電
圧発生回路12,13の電圧精度を高めることができ
る。一方、波高分解能に応じた基準電圧を生成する基準
電圧生成回路と、その基準電圧生成回路によって生成さ
れた基準電圧を増幅する直流増幅器とを備えて比較用電
圧生成部を構成することも可能であるが、一般的に数m
V程度の基準電圧を増幅する方式は、安定度や精度の点
で問題があり、好ましくない。さらに、降圧加算器1
4、コンパレータ15およびカウンタ16を極端に多く
備えた構成を採用することも可能であるが、部品の実装
面積、部品コスト、基準電圧生成回路12,13の電源
容量などの増加により、コストが相当に上昇するおそれ
がある。このため、降圧加算器14などを用いることが
できる数には限度があり、しかも、例えば100組を備
えた場合であっても、各波高値に対応するカウント値の
すべてを1回の測定で測定できるとは限らない。したが
って、降圧加算器14などを50組以下に抑えておき、
何回かに分けて測定を繰り返すのが好ましい。
態に限定されない。例えば、本発明の実施の形態では、
2つの基準電圧生成回路12,13を用いた例について
説明したが、任意の出力電圧を生成可能な1つの基準電
圧生成回路のみを用いて本発明における比較用電圧生成
部を構成することができる。ただし、本発明の実施の形
態で示したように、出力電圧を段階的に可変する2つの
基準電圧発生回路12,13を備えることで、各基準電
圧発生回路12,13の電圧精度を高めることができ
る。一方、波高分解能に応じた基準電圧を生成する基準
電圧生成回路と、その基準電圧生成回路によって生成さ
れた基準電圧を増幅する直流増幅器とを備えて比較用電
圧生成部を構成することも可能であるが、一般的に数m
V程度の基準電圧を増幅する方式は、安定度や精度の点
で問題があり、好ましくない。さらに、降圧加算器1
4、コンパレータ15およびカウンタ16を極端に多く
備えた構成を採用することも可能であるが、部品の実装
面積、部品コスト、基準電圧生成回路12,13の電源
容量などの増加により、コストが相当に上昇するおそれ
がある。このため、降圧加算器14などを用いることが
できる数には限度があり、しかも、例えば100組を備
えた場合であっても、各波高値に対応するカウント値の
すべてを1回の測定で測定できるとは限らない。したが
って、降圧加算器14などを50組以下に抑えておき、
何回かに分けて測定を繰り返すのが好ましい。
【0024】
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の波高分布
測定装置によれば、N個の比較器が比較用電圧生成部に
よって生成されたN種の比較用電圧と検出信号とをそれ
ぞれ比較して生成したパルス信号の数を計測して波高分
布作成用データを測定することにより、波高分布作成用
データを一時に得ることができるため、極めて短時間で
波高分布作成用データを測定することができる。また、
測定時間を短縮できる結果、正確な積分波高分布を作成
することができる。
測定装置によれば、N個の比較器が比較用電圧生成部に
よって生成されたN種の比較用電圧と検出信号とをそれ
ぞれ比較して生成したパルス信号の数を計測して波高分
布作成用データを測定することにより、波高分布作成用
データを一時に得ることができるため、極めて短時間で
波高分布作成用データを測定することができる。また、
測定時間を短縮できる結果、正確な積分波高分布を作成
することができる。
【0025】また、請求項2記載の波高分布測定装置に
よれば、比較用電圧生成部が、第1の基準電圧に基づい
て所定電圧刻みでN種の電圧を生成し、そのN種の電圧
の各々に第2の基準電圧をそれぞれ加算してN種の比較
用電圧を生成することにより、基準電圧生成用の電源装
置を2つ用いるだけで任意の波高分解能で幅広い波高値
範囲についての波高分布作成用データを測定することが
できる。このため、各比較器にそれぞれ対応させて複数
の基準電圧生成回路を用いる方式と比較して、装置を簡
易に構成できると共にコストを低減することができる。
よれば、比較用電圧生成部が、第1の基準電圧に基づい
て所定電圧刻みでN種の電圧を生成し、そのN種の電圧
の各々に第2の基準電圧をそれぞれ加算してN種の比較
用電圧を生成することにより、基準電圧生成用の電源装
置を2つ用いるだけで任意の波高分解能で幅広い波高値
範囲についての波高分布作成用データを測定することが
できる。このため、各比較器にそれぞれ対応させて複数
の基準電圧生成回路を用いる方式と比較して、装置を簡
易に構成できると共にコストを低減することができる。
【図1】本発明の実施の形態に係る波高分布測定装置1
のブロック図である。
のブロック図である。
【図2】積分波高分布図および微分波高分布図の一例を
示す図である。
示す図である。
【図3】出願人が既に開発している波高分布測定装置3
1のブロック図である。
1のブロック図である。
1 波高分布測定装置 3 光検出素子 12,13 基準電圧生成回路 14−1〜14−N 降圧加算器 15−1〜15−N コンパレータ SP1〜SPN パルス信号 VC1〜VCN 比較用電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 知行 長野県上田市大字小泉字桜町81番地 日置 電機株式会社内 Fターム(参考) 2G065 AA04 AB02 AB19 BA09 BC03 BC14 BC17 BC33 BC35 BD02 CA25 DA02 5F049 MA07 NB07 UA20
Claims (2)
- 【請求項1】 光検出素子によって検出された検出信号
と、所定の波高値範囲内における所定電圧刻みの各波高
値にそれぞれ対応して設定された各比較用電圧とを比較
してパルス信号を生成し、単位測定時間当りに生成され
る前記パルス信号の数を計測することにより波高分布作
成用データを測定する波高分布測定装置であって、 前記比較用電圧および前記検出信号を比較して前記パル
ス信号をそれぞれ生成するN個(Nは2以上の自然数)
の比較器と、当該N個の比較器の各々に供給するN種の
前記比較用電圧を生成する比較用電圧生成部とを備え、
前記N個の比較器によってそれぞれ生成された前記パル
ス信号の数を計測することにより前記波高分布作成用デ
ータを測定することを特徴とする波高分布測定装置。 - 【請求項2】 前記比較用電圧生成部は、第1の基準電
圧を生成する第1の基準電圧生成回路と、第2の基準電
圧を生成する第2の基準電圧生成回路とを備え、前記第
1の基準電圧に基づいて前記所定電圧刻みでN種の電圧
を生成し、そのN種の電圧の各々に前記第2の基準電圧
をそれぞれ加算して前記N種の比較用電圧を生成するこ
とを特徴とする請求項1記載の波高分布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000124173A JP2001304974A (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | 波高分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000124173A JP2001304974A (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | 波高分布測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001304974A true JP2001304974A (ja) | 2001-10-31 |
Family
ID=18634345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000124173A Pending JP2001304974A (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | 波高分布測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001304974A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3370088A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-05 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Neutron ray detecting system, and method of setting neutron ray detecting system |
-
2000
- 2000-04-25 JP JP2000124173A patent/JP2001304974A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3370088A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-05 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Neutron ray detecting system, and method of setting neutron ray detecting system |
CN108525139A (zh) * | 2017-03-02 | 2018-09-14 | 住友重机械工业株式会社 | 中子束检测系统及中子束检测系统的设定方法 |
US10082587B1 (en) | 2017-03-02 | 2018-09-25 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Neutron ray detecting system, and method of setting neutron ray detecting system |
CN108525139B (zh) * | 2017-03-02 | 2021-05-28 | 住友重机械工业株式会社 | 中子束检测系统及中子束检测系统的设定方法 |
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