JP2001296526A - 液晶表示装置及びマルチドメイン形成方法 - Google Patents

液晶表示装置及びマルチドメイン形成方法

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JP2001296526A
JP2001296526A JP2000112307A JP2000112307A JP2001296526A JP 2001296526 A JP2001296526 A JP 2001296526A JP 2000112307 A JP2000112307 A JP 2000112307A JP 2000112307 A JP2000112307 A JP 2000112307A JP 2001296526 A JP2001296526 A JP 2001296526A
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crystal display
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Terushi Sasaki
昭史 佐々木
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】光配向処理にてマルチドメインを形成する場合
であれ、その形成をより容易とする構造を有する液晶表
示装置及びそのマルチドメイン形成方法を提供する。 【解決手段】光配向膜からなる配向膜5は、その各画素
領域5pが、互いに異なる配向方向を有する第1のドメ
イン5paと第2のドメイン5pbとに分離されてい
る。隣接する2つのドメイン5pa、5pbの1つおき
の隣接辺L2に沿って、それぞれブロック状スペーサ2
0が形成されている。各ブロック状スペーサ20をマス
クとして、前記第1のドメイン5paに光を斜め照射し
て配向処理を行う。同じく各ブロック状スペーサ20を
マスクとして、第2のドメイン5pbに光を斜め照射し
て配向処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチドメイン方
式の液晶表示装置及びそのマルチドメイン形成方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は周知のように、外部から
電圧を印加することにより、液晶の特定の分子配列(配
向)を別の異なる分子配列に状態変化させることで、同
液晶に照射される光の特性を変化させ、この変化を輝度
の調整のために利用する表示装置である。
【0003】そして、この液晶を特定方向へ配向させる
手段として、従来より配向膜が用いられている。この配
向膜は、その表面を布でこする(ラビング法)などによ
り、ストライプ状の細かい溝が形成されたものである。
このため、同配向膜に接する液晶は、この形成された溝
の方向(配向方向)に配列されるようになる。そして、
このように配列された液晶に外部から電圧を印加すると
ともに、この印加する電圧を調整することでその配列が
変化する。すなわち、この液晶の配列の変化を通じて、
その表面に設けられた偏光板を透過する光の光量を変化
させることができ、ひいては輝度の調整が可能となる。
【0004】ところで、このような液晶表示装置では、
上記透過光量が視野角に依存することが知られている。
このため、視野角によっては、上記輝度の調整が的確に
行われないことがある。
【0005】そこで従来より、このような問題を解消す
ることのできる液晶表示装置として、マルチドメイン方
式の液晶表示装置が提案されている。このマルチドメイ
ン方式の液晶表示装置は、上述した配向膜の配向方向を
1方向に限定せずに、複数の方向に配向方向を有するよ
う形成したものである。例えば、2ドメインの方式の場
合、2つの互いに逆方向に配向方向を有する溝を設ける
ことで、液晶のディレクタが互いに反対方向に傾斜する
2つの領域が形成されるため、これら液晶を透過する光
の方向依存性が緩和され、その分、視野角も拡大される
ようになる。
【0006】一方、こうしたマルチドメイン方式を採用
することで、確かに視野角の拡大は可能となったもの
の、その配向方法として上記ラビング法を採用している
限り、発塵の問題や静電気による素子破壊などの問題も
避け難く、歩留まりを下げる一因となっている。
【0007】そこで従来は、このようなラビング法に代
えて、光偏光記憶膜を用いた光配向処理によって上記配
向を行う方法も提案されている。そしてその方法として
は、ジアゾアミン染料をドープしたシリコンポリイミド
を用いる方法、アゾ染料をドープしたPVA(ポリビニ
ルアルコール)を用いる方法、光重合フォトポリマーを
用いる方法、PVC(ポリビニル4−メトキシシンナメ
ート)膜に偏光を照射することで偏光方向と直交する方
向に液晶を水平配向させる方法、PVC膜に対し基板の
法線方向から偏光を入射し、さらに基板の法線に対し一
定の角度でかつ前記偏光方向と直交する方向から偏光を
照射する方法(特願平5−203184号公報、特願平
7−213610号公報等参照)、ポリイミド光偏光記
憶膜を形成した基板に斜め方向から非偏光を照射する方
法(特願平8−132039号公報参照)などが知られ
ている。
【0008】図12に、こうした光配向処理により4ド
メインの配向膜を形成する際の基本形成原理を示す。す
なわち、この光配向処理による配向膜の形成に際して
は、まず、図12(a)に示すように、光配向膜405
上方に、マスクM1を用いて、所定の方向から照射光を
照射することで、同光配向膜405の第1のドメインa
を、配向方向d1を有する膜として形成する。次に、同
図12(b)に示すように、マスクM2を用いて、第2
のドメインbを、配向方向d2を有する膜として、同様
に、同図12(c)に示すように、マスクM3を用い
て、第3のドメインcを、配向方向d3を有する膜とし
てそれぞれ形成する。そして最後に、図12(d)に示
すように、マスクM4を用いて、第4のドメインeを、
配向方向d4を有する膜として形成し、4ドメインの配
向膜を形成する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、光配向処
理を用いることで、上記ラビング法による各種問題を解
消することができ、ひいては高い歩留まりにて液晶表示
装置の製造を行うことはできる。しかし、図12に例示
した配向膜形成方法からもわかるように、この光配向処
理にてマルチドメインの配向膜を形成するためには、分
割するドメインの数だけマスキング工程が必要となる。
このため、製造工程が煩雑になり、ひいては製造コスト
も増大するという問題があった。
【0010】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、光配向処理にてマルチドメインを形
成する場合であれ、その形成をより容易とする構造を有
する液晶表示装置及びそのマルチドメイン形成方法を提
供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】以下、上記目的を達成す
るための手段及びその作用効果について記載する。請求
項1に記載の発明は、配向方向の異なる複数のドメイン
が形成された光配向膜を備えるマルチドメイン方式の液
晶表示装置において、前記光配向膜の前記各ドメインに
対応した周囲の一部にブロックが形成されてなることを
その要旨とする。
【0012】上記構成によれば、上記ブロックをマスク
として用いる光配向処理によって複数のドメインを形成
することができ、その形成をより容易なものとすること
ができるようになる。
【0013】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、前記ブロックが2つの液晶基板のスペーサ
としてそれら基板の非表示領域上に形成されてなること
をその要旨とする。
【0014】上記構成によれば、上記ブロックをマスク
として用い、なお且つ上記ブロックをスペーサとして有
効活用することができるようになる。請求項3記載の発
明は、光配向膜に配向方向の異なるドメインを形成する
マルチドメイン形成方法において、前記光配向膜の前記
各ドメインとする周囲の一部にブロックを形成し、該形
成したブロックがマスクとなるように光を斜めに照射し
て、マスクされないドメインに対する光配向処理を行う
ことをその要旨とする。
【0015】請求項4記載の発明は、請求項3記載の発
明において、前記ブロックとフォトマスクとを併用して
所望のドメインに対する光配向処理を行うことをその要
旨とする。
【0016】上記各方法によれば、ブロックがマスクと
なるように光を斜めに照射して、マスクされないドメイ
ンに対する光配向処理を行うことで、同処理を容易に行
うことができるようになる。また、こうした光配向処理
を行うために施されるマスキングの回数を軽減させるこ
とができるようにもなる。
【0017】なお、上記各方法は、請求項1又は2記載
の発明にかかる液晶表示装置の製造に適した方法ではあ
るが、上記ブロックはマスクとして用いた後、これを取
外すなどしてもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
にかかる液晶表示装置を2ドメインTN液晶表示装置と
して具体化した第1の実施形態について図1〜図4従っ
て説明する。
【0019】図1は、本実施形態の2ドメインTN液晶
表示装置の断面図である。同図1に示されるように、基
板1上には、液晶駆動用のスイッチング素子としての薄
膜トランジスタ(TFT)2が、更にその上には、絶縁
膜3が形成されている。同絶縁膜3上には各画素毎に電
極4が形成され、この電極4は、TFT2と接続されて
いる。更に、この電極4の上方は、各画素毎に2つのド
メインを有し、これら2つのドメインがそれぞれ異なる
配向(ここではプレチルト方向)を有して形成される配
向膜5で覆われている。
【0020】一方、基板1と対向する基板10側には、
R(赤),G(緑),B(青)の各色版からなるカラー
フィルタ11、及びトップコート12が順次堆積形成さ
れている。このトップコート12の表面には、上記電極
4の対向電極13が形成されている。そして、この対向
電極13の表面には、上記配向膜5に対応して各素子毎
に2ドメインを有する配向膜14が形成されている。な
お、この配向膜14の配向方向は、配向膜5の有する配
向方向を90°回転させた配向方向を有する。
【0021】更に、図1に示されるように、基板1と基
板10とは、スペーサ20を介して互いに対向するよう
に配設されている。そして、この基板1と基板10との
間には、液晶21が充填されている。
【0022】上記態様にて配設された基板1と基板10
との外側には、基板1に対しては第1の偏光板31が、
基板10に対しては第2の偏光板32がそれぞれ配設さ
れている。そして、この第2の偏光板32の偏光方向
は、第1の偏光板31の偏光方向を90°回転させた方
向に設定されている。
【0023】ここで、この液晶表示装置の表示動作につ
いて説明する。上述した態様にて配向膜5及び配向膜1
4を形成することで、配向膜5近傍の液晶21は同配向
膜5の配向方向に配列し、配向膜14へ近づくに連れて
同配向膜14の配向方向へ徐々に配列するようになる。
このように液晶21が、配向膜5から配向膜14へいく
に従い、90°回転して配列することで、第1の偏光板
31に入射され、同第1の偏光板31によって直線偏光
された光は、液晶21を透過する過程で90°曲げられ
て、第2の偏光板32に達し、同第2の偏光板32を介
して出射されるようになる。
【0024】ここで、電極4と電極13との間に電圧を
印加していくと、上記態様にて配列していた液晶21
が、徐々に基板1から基板10へ向かう方向へその配列
を変えていく。この液晶21の配列の変化に伴い、第2
の偏光板32を透過する光の量は減少していく。
【0025】このように、本実施形態においては、上記
電圧を印加していないときに第2の偏光板32を透過す
る光の量が最大となるいわゆるノーマリーホワイトを採
用している。そして、このノーマリーホワイトタイプの
液晶表示装置にあっては、第2の偏光板32を透過する
光の量が、電圧を印加しない状態で最大となり、電圧を
印加していくに連れて徐々に減少していくために、この
電圧の印加態様を制御することで輝度を調整することが
できるようになる。しかもこの間、液晶21の配列は各
画素毎にそれぞれ2つの配向方向を有するために、第2
の偏光板32を透過する光の角度依存性が緩和され、広
視野角の液晶表示装置が実現されるようになる。
【0026】次に、この広視野角を実現する2ドメイン
の配向膜5及び配向膜14の形成方法について、図2に
基づいて説明する。なお図2は、本実施形態にかかる光
配向処理によるマルチドメイン形成方法についてその製
造手順を示す図である。
【0027】まず、図2(a)に示されるように、光配
向膜からなる配向膜5は、その各画素領域5pが、それ
ぞれ異なるプレチルト方向を有する第1のドメイン5p
aと第2のドメイン5pbとに分離されている。これら
ドメイン5pa及び5pbは第1の辺L1にて互いに隣
接する。そして、上記第1の辺L1に対向する辺である
辺L2に沿って、これら各画素領域5pの周囲の非表示
領域5’に、ブロック状スペーサ20が形成されてい
る。このブロック状スペーサ20は、例えば黒色の染料
や顔料を感光性樹脂に分散させた感光性塗料を用いて、
フォトリソグラフィ技術にて形成される。
【0028】なお、本実施形態において、各画素の第1
のドメイン5paに沿って形成されるブロック状スペー
サ20は、隣接する画素の第2のドメイン5pbに沿っ
たブロック状スペーサ20として兼用される構成となっ
ており、それらブロック状スペーサ20が隣接する2つ
のドメイン5pa、5pbの1つおきの隣接辺L2に沿
って形成される構成となっている。
【0029】こうして、ブロック状スペーサ20を形成
した後は、図2(b)にその側面構造を示すように、ブ
ロック状スペーサ20をマスクとして、第1のドメイン
5paに光を斜めから照射することにより、同第1のド
メイン5paが所定の配向方向及びプレチルト方向を有
するように光配向処理を施す。
【0030】また、上記第1のドメイン5paへの光配
向処理の後は、図2(b)とは逆の方向から、すなわち
図2(c)に示す方向から、他方のブロック状スペーサ
20をマスクとして光を斜め照射することにより、今度
は第2のドメイン5pbが所定の配向方向及び第1のド
メイン5paと異なるプレチルト方向を有するように光
配向処理を施す。
【0031】そして、上記第2のドメイン5pbへの光
配向処理が終わると、先の図1に示した態様にて、基板
1と基板10とをブロック状スペーサ20を介して張り
合わせる。なお、配向膜14についても、図2に示した
態様にて配向処理を施すことができる。ただしこの場
合、マスクとして用いたブロックについてはこれを、光
配向処理の後に取り除く。
【0032】液晶表示装置としてのその後の製造手順は
周知の手順を用いることができるため、それら手順につ
いてのここでの詳細な説明は割愛する。ただし、その製
造後において、TFT2の動作不良、電極4の形成不良
等に起因して、電圧を印加しているにもかかわらず電極
4と対向電極13との間に正常に電圧が印加されない常
時光透過画素欠陥、すなわち輝点欠陥が生じることがあ
る。そこで本実施形態では、このような輝点欠陥に対処
するために、その製造工程において以下の処理を施すこ
ととしている。
【0033】図3は、この輝点欠陥の修正方法を示す工
程図である。ここでは、まず図3(a)に示すように、
正常な電極4に感光性の電着皮膜40を形成する。具体
的には、基板1上に、TFT2、絶縁膜3、電極4を形
成した後、TFT2の図示しないゲート配線とドレイン
配線とをそれぞれ連結させて各1ラインに引き出す。そ
して、TFT2がオン状態となるように、ゲート電圧を
印加するとともに、ドレイン側を一方の極、網状のステ
ンレス電極などを対向極として電着法により電着する
と、正常な画素に対応する電極4には常時電圧が印加さ
れるために、同電極4のみに電着皮膜40が形成され
る。すなわちこの時、電圧が印加されない欠陥画素に対
応する電極4’にこの電着皮膜40は形成されない。
【0034】そこで次に、図3(b)に示すように、ク
ロムからなる遮光膜41を全面に、スパッタ法にて堆積
し、続いて図3(c)に示すように、電着皮膜40とそ
の上に形成されている遮光膜41とをリフトオフ法によ
り現像除去する。これにより、輝点欠陥画素に対応した
電極4’のみに、遮光膜41を形成することができるよ
うになる。図4は、この輝点欠陥の修正を行った基板1
を上方から見た平面図である。
【0035】以上説明した本実施形態によれば、以下の
ような効果が得られるようになる。 (1)ブロック状スペーサ20をマスクとして、光配向
処理を行うことで、マスキング工程を削減して、2ドメ
インの配向膜5を容易に形成することができる。
【0036】(2)2ドメインの配向膜14について
も、ブロック状スペーサ20と同様のブロックをマスク
として用いて、光配向処理を行うことで、やはりそのマ
ルチドメイン形成を容易に行うことができる。更に、こ
のブロックは取り除かれるために、その高さを光配向処
理がし易くなるように調整することもできる。
【0037】(3)製造工程において生じる電極4の輝
点欠陥を、電着法を用いることにより一括して簡単に修
正することができる。なお、上記実施形態は、以下のよ
うに変更して実施してもよい。
【0038】・上記実施形態においては、遮光膜41と
してクロムを用いたが、ニッケルやタンタル等を用いて
もよい。この堆積法もスパッタ法に限らず、蒸着等任意
の手法を用いることができる。更に、この遮光膜41の
形成に関しては、遮光材料を分散させた樹脂を印刷法や
塗布法等で堆積するなどしてもよい。更に、電着皮膜4
0及びその上に形成された遮光膜41のリフトオフ法に
よる除去に関しては、電着皮膜40として感光性材料を
用いた現像又は剥離除去に限られず、例えば、電着皮膜
40と遮光膜41との選択比の差異に着目したエッチン
グ等、任意の手法を用いることができる。
【0039】・上記実施形態においては、輝点欠陥の修
正により画素領域間にも遮光膜41が形成されたが、図
5に示すように、輝点欠陥にかかる電極4’にのみ遮光
膜41を形成するようにしてもよい。これに関しては、
フォトリソグラフィ技術などによって画素領域間に保護
パターンを形成した後、上述した工程を実施するなどす
ればよい。
【0040】・上記実施形態においては、ある画素領域
5p上の第1のドメイン5paと、同画素領域5pと隣
接する画素領域5pの第2のドメイン5pbとは、ブロ
ック状スペーサ20を共有することとしたが、別々に設
けてもよい。
【0041】・上記実施形態においては、光配向処理工
程においてマスクとして用いる部材が、図1に示される
ように、ブロック状スペーサ20として液晶表示装置に
利用されたが、このマスク部材としてはブロック状の部
材を用いればよく、この際、スペーサは別に設けてもよ
い。また、ブロック状スペーサは、配向膜14の光配向
処理のためにマスクとして用いてもよい。
【0042】・本実施形態においては、配向膜14の配
向処理に関し、ブロック状スペーサ20の代わりに、同
形状のブロックを形成してマスクとして用いることと
し、配向処理を施した後、このブロックを取り除くこと
としたが、例えば、上記配向膜5とこの配向膜14とに
配向処理を施す際にマスクとして用いるブロックを併せ
てスペーサとしてもよい。また、配向膜5及び配向膜1
4の一方に対する配向処理は、ラビング法等の他の方法
を用いて行ってもよい。
【0043】・また、ブロック状スペーサ20の素材及
びその形成方法も上述のものに限られない。 ・上記実施形態においては、2ドメイン形成方法とし
て、図2に示す態様にて2つの配向方向(正確には2つ
のプレチルト方向)を有する配向膜5を形成したが、例
えば、2つの互いに異なる配向方向を有する配向膜10
5を図6に示す態様で形成することもできる。すなわち
この場合には、図6(a)及び(b)に示されるよう
に、互いに隣接する2つのドメイン105pa及び10
5pb毎に、それぞれ直交する方向から斜めに光を照射
する際、ブロック状スペーサ120、120’によっ
て、それぞれ他方のドメインへの光の照射をマスクす
る。
【0044】(第2の実施形態)以下、本発明にかかる
液晶表示装置を4ドメインTN液晶表示装置として具体
化した第2の実施形態について、主として第1の実施形
態との相違点について図7〜図9に基づいて説明する。
【0045】ここではまず、図7に示すように、4ドメ
イン配向膜とする配向膜205上の各画素領域205p
毎に、第1のドメイン205pa、第2のドメイン20
5pb、第3のドメイン205pc、第4のドメイン2
05pdをそれぞれ設定し、各ブロック状スペーサを次
のように形成する。
【0046】(a)第1のドメイン205paの辺のう
ち、同第1のドメイン205paと第4のドメイン20
5pdとが互いに隣接する辺と対向する辺に沿って第1
のブロック状スペーサ220aを形成する。
【0047】(b)第2のドメイン205pbの辺のう
ち同第2のドメイン205pbと第3のドメイン205
pcとが互いに隣接する辺と対向する辺に沿って第2の
ブロック状スペーサ220bを形成する。
【0048】(c)第3のドメイン205pcの辺のう
ち同第3のドメイン205pcと第2のドメイン205
pbとが互いに隣接する辺と対向する辺に沿って第3の
ブロック状スペーサ220cを形成する。
【0049】(d)第4のドメイン205pdの辺のう
ち同第4のドメイン205pdと第1のドメイン205
paとが互いに隣接する辺と対向する辺に沿って第4の
ブロック状スペーサ220dを形成する。
【0050】これらブロック状スペーサ220a〜22
0dは、同時に形成することが望ましい。なお、本実施
形態においては、例えば、各画素の第1のドメイン20
5paの辺に沿った第1のブロック状スペーサ220a
が、隣接する画素の第4のドメイン205pdに沿った
第4のブロック状スペーサ220dとして兼用される構
成となっている。したがって、本実施形態にあっては、
所定の方向に隣接する画素の一つとびの辺に沿って、ブ
ロック状スペーサ220a,220b(220c、22
0d)が形成される構成となる。
【0051】上記各ブロック状スペーサ220a、22
0b、220c、220dの形成が完了すると、これら
の上方に図7に示す態様で遮蔽部材250を設け、第1
のドメイン205paと第3のドメイン205pcとの
上方がマスクされた状態とする。そして、第1のドメイ
ン205paの配向処理に際しては、図8(a)に示さ
れる態様で光を斜めから照射する。このとき、第1のド
メイン205pa以外への光照射は、遮蔽部材250と
ブロック状スペーサ220とによってマスクされる。次
に、第3のドメイン205pcの配向処理に際しては、
図8(b)に示される態様で光を斜めから照射する。こ
のとき、第3のドメイン205pc以外の光照射は、遮
蔽部材250とブロック状スペーサ220とによってマ
スクされる。
【0052】ここで、この上記配向膜205を上面から
みた図9を用いて、更に上記配向処理工程について説明
する。まず、上記遮蔽部材250等を用いて,その斜め
への照射成分が図示した方向を有する光を照射すること
で、図9(a)に示す同遮蔽部材250の領域Aの下方
に位置する第1のドメイン205paに配向処理を施
す。同様にして、その斜めへの照射成分が図示した方向
を有する光を照射することで、図9(b)に示す遮蔽部
材250の領域Cの下方に位置する第3のドメイン20
5pcに配向処理を施す。
【0053】その後、遮蔽部材250を取り除くととも
に、新たに図9(c)及び図9(d)に示す態様にて所
定のパターンを有する遮蔽部材251を設ける。すなわ
ちこの遮蔽部材251によれば、第2のドメイン205
pb及び第4のドメイン205pdの上方と、すべての
ドメイン205pa、205pb、205pc、205
pdの上方とが、それぞれ交互にマスクされた状態とな
る。そして、遮蔽部材251を用いて第2のドメイン2
05pbに、その斜めへの照射成分が図示した方向を有
する光を照射して配向処理を行う。次に、同遮蔽部材2
51を用いて第4のドメイン205pdに、その斜めへ
の照射成分が図示した方向を有する光を照射して配向処
理を行うことで、配向処理を終了する。
【0054】以上説明した態様、手順をもってマルチド
メイン形成が行われる本実施形態によれば、以下のよう
な効果が得られるようになる。 (1)ブロック状スペーサ220a、220b、220
c、220dと遮蔽部材250及び251とをマスクと
して、光配向処理を行うことで、マスキング工程を削減
して、4ドメインの配向膜205を容易に形成すること
ができる。
【0055】なお、上記実施形態は、以下のように変更
して実施してもよい。 ・上記実施形態においても、4ドメイン配向膜とする配
向膜205のマルチドメイン形成に際し、ブロック状ス
ペーサ220a〜220dをマスクとして用いるととも
に、2つの液晶基板のスペーサとして有効活用する例に
ついて示したが、単にマスク部材として同様の形状の部
材を形成し、スペーサは別途設ける構成としてもよい。
【0056】その他、上記各実施形態に共通して変更可
能な要素としては、以下のようなものがある。 ・上記各実施形態においては、ノーマリーホワイト型の
液晶表示装置に本発明を適用した場合について示した
が、ノーマリーブラック型の液晶表示装置についても本
発明は同様に適用することができる。ただしこの場合、
輝点欠陥の修正に関しては、以下に示すように行うのが
望ましい。
【0057】図10は、ノーマリーブラック型の液晶表
示装置の製造工程において、輝点欠陥の修正処理を施し
たときの断面図である。すなわち、基板301上に、T
FT302、絶縁膜303、電極304を形成した後、
例えばTFT302の図示しないドレイン配線を連結さ
せて1ラインに引き出し、これを一方の極とする。更
に、網状のステンレス電極などを対向極として、これら
基板301及びステンレス電極を溶液中に浸す。この溶
液は、例えば、酸性又は塩基性の物質を使用して水に溶
解又は分散させた電着用イオン性樹脂をベースマトリク
スとし、更に染料、顔料、カーボンブラック、黒鉛、金
属微粉末等のうち少なくとも一種以上を、有機溶剤、レ
ベリング材、粘土調整材剤、消泡剤等の各種助剤と混合
し、分散させたものなどを用いればよい。こうした状態
で上記電極間に電圧を印加すると、TFT302が短絡
している等の欠陥画素に対応する電極304’にのみ、
選択的に電圧が印加されるため、電着皮膜341が形成
される。図11は、この輝点欠陥の修正を施した後の、
基板301の平面図である。
【0058】・上記各実施形態においては、異なる2つ
の配向方向若しくはプレチルト方向を有する配向膜、又
は異なる4つの配向方向を有する配向膜を有する液晶表
示装置及びそのマルチドメイン形成方法に、本発明にか
かる液晶表示装置及びそのマルチドメイン形成方法を適
用したが、これに限られない。これら異なる配向方向又
はプレチルト方向を有するドメイン数は、複数であれば
よく、本願のブロック若しくはブロック状スペーサをマ
スクとして用いることで、マスキング工程数を大幅に削
減することができる。
【0059】・上記各実施形態は、TN型液晶表示装
置、及びその製造工程における配向処理に、本発明にか
かる液晶表示装置及びそのマルチドメイン形成方法を適
用したが、これに限られない。特に、本発明のマルチド
メイン形成方法は、任意の配向制御を行うために分割さ
れ且つ異なる配向方向又はプレチルト方向を有する光配
向膜の形成に適用することができる。
【0060】・また、スイッチング素子としては、TF
Tに限られず、ダイオード等任意のアクティブ素子を用
いることができる。更に、液晶表示装置としても、アク
ティブマトリクス駆動方式に限らず、単純マトリクス駆
動方式のものなどであってもよい。
【0061】最後に、上記各実施形態及びその変形例か
ら把握できる技術思想についてその効果とともに以下に
列記する。 (1)請求項1又は2記載の液晶表示装置において、前
記光配向膜は、一方向に隣接するドメイン同士が互いに
異なる配向を有する2ドメインの配向膜であり、前記ブ
ロックは、前記各隣接する2つのドメインの1つおきの
隣接辺に沿って形成されてなることを特徴とする液晶表
示装置。
【0062】(2)請求項1又は2記載の液晶表示装置
において、前記光配向膜は、一方向に隣接するドメイン
同士が互いに異なる配向を有する2ドメインの配向膜で
あり、前記ブロックは、前記各隣接する2つのドメイン
毎に、直交する方向からそれぞれ斜めに照射される光の
それぞれ他方のドメインへの照射がマスクされる態様で
それら他方のドメインの一辺に形成されることを特徴と
する液晶表示装置。
【0063】上記各構成によれば、上記ブロックを用い
ることでマスキング工程を削減することができるため、
その形成をより容易とする構成を有する2ドメインの液
晶表示装置を実現することができるようになる。
【0064】(3)請求項1又は2記載の液晶表示装置
において、前記光配向膜は、互いに異なる配向を有する
4ドメインの配向膜であり、前記ブロックは、所定の方
向に隣接する画素の一つとびの辺に沿って、前記ブロッ
クが配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【0065】上記構成によれば、上記ブロックを用いて
マスキング工程数を削減することによって、その形成を
より容易とする構成を有する4ドメインの液晶表示装置
を実現することができるようになる。
【0066】(4)光配向膜に配向方向の異なる複数の
ドメインを形成するマルチドメイン形成方法において、
前記光配向膜の前記各ドメインとする周囲の一部に2つ
の液晶基板のスペーサとなるブロック状スペーサを形成
し、該形成したブロック状スペーサがマスクとなるよう
に光を斜めに照射して、マスクされないドメインに対す
る光配向処理を行うことを特徴とするマルチドメイン形
成方法。
【0067】(5)前記ブロック状スペーサとフォトマ
スクとを併用して所望のドメインに対する光配向処理を
行う(4)記載のマルチドメイン形成方法。上記各方法
によれば、ブロック状スペーサがマスクとなるように光
を斜めに照射して、マスクされないドメインに対する光
配向処理を行うことで、同処理を容易に行うことができ
るようになる。また、こうした光配向処理を行うために
施されるマスキングの回数を低減させることができるよ
うにもなる。したがって、請求項2記載の発明にかかる
液晶表示装置を好適に製造することができる。
【0068】(6)ノーマリーホワイト型アクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置の各画素に対応したアクテ
ィブ素子の被制御電極(ドレイン又はソース)を連結さ
れた一方の極と外部に設けた対向極とを基板ごと電着物
質を含む溶液に浸した状態で、それら極間に電圧を印加
することで、画素電極のうち正常に作動するものの表面
に電着皮膜を形成する工程と、前記全ての画素電極上に
処置膜を形成する工程と、前記電着皮膜とその上の処置
膜とを選択的に除去する工程とを有することを特徴とす
る液晶表示装置の輝点欠陥の修正方法。
【0069】液晶表示装置の製造工程において、画素電
極に何らかの不良が生じたときには、同画素電極上に何
らかの処置を施す必要が生じることがある。この不良画
素の生成に関しては、その不良により常時光が透過する
場合(輝点欠陥)が、常時光が不透過である場合よりも
人間の目に表示欠陥として認識され易い、このため、輝
点欠陥にかかる画素を、遮蔽部材で覆うことが望まし
い。ただし、この処置を各不良画素毎に行ったのでは能
率の低下が避けられないものとなる。
【0070】この点、上記修正方法によれば、まず、電
着法を用いて、正常な電極上にのみ選択的に電着皮膜を
形成することができるようになる。そしてその後、処置
膜を形成し電着皮膜をリフトオフ除去することで、ノー
マリーホワイト型のアクティブマトリクス方式の液晶表
示装置において、輝点欠陥として現れるアクティブ素子
の作動不良に起因する欠陥画素の画素電極にのみ選択的
に処置膜を残すことができるようになる。なお、この処
置膜として遮蔽材を用いることで、輝点欠陥を好適に回
避することができる。また、この処置膜として導電性の
物質を用いることで、電極の形成不良を解消することも
できる。また、この方法によれば、大型サイズの基板、
多面取りの大型基板、高密度画素数を有する基板などを
一括で処理可能である。
【0071】(7)ノーマリーブラック型アクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置の各画素に対応したアクテ
ィブ素子の被制御電極(ドレインまたはソース)を連結
させた一方の極と外部に設けた対向極とを基板ごと電着
物質を含む溶液に浸した状態で、それら極間に電圧を印
加する液晶表示装置の輝点欠陥の修正方法。
【0072】(6)記載の事情から、上記修正方法によ
れば、ノーマリーブラック型アクティブマトリクス方式
の液晶表示装置において、輝点欠陥として現れる、アク
ティブ素子の短絡に起因する欠陥画素の画素電極上に選
択的に電着皮膜が形成され、同欠陥画素を遮蔽すること
ができるようになる。また、この方法によれば、大型サ
イズの基板、多面取りの大型基板、高密度画素数を有す
る基板などでもこれを一括で処理することが可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる液晶表示装置を2ドメインのT
N液晶表示装置として具体化した第1の実施形態の断面
構造を示す断面図。
【図2】同実施形態の配向膜に対するマルチドメインの
形成手順を示す斜視図及び側面図。
【図3】ノーマリーホワイト型の液晶表示装置について
その輝点欠陥の修正手順を示す断面図。
【図4】同輝度欠陥修正後の基板を上面から見た平面
図。
【図5】他の修正方法による同輝点欠陥の修正後の基板
を上面から見た平面図。
【図6】同実施形態の変形例についてその配向膜に対す
るマルチドメインの形成手順を示す斜視図。
【図7】本発明にかかる液晶表示装置の第2の実施形態
についてその配向膜に対するマルチドメインの形成手順
を示す斜視図。
【図8】同実施形態のマルチドメイン形成手順を示す断
面図。
【図9】同実施形態のマルチドメイン形成手順を示す平
面図。
【図10】ノーマリーブラック型の液晶表示装置につい
てその輝点欠陥の修正態様を示す断面図。
【図11】輝点欠陥の修正後の基板を上面から見た平面
図。
【図12】従来の4ドメイン光配向膜のマルチドメイン
形成手順を示す斜視略図。
【符号の説明】
1、301…基板、2、302…薄膜トランジスタ(T
FT)、3、303…絶縁膜、4、304…電極、5、
105、205…配向膜、10…基板、11…カラーフ
ィルタ、12…トップコート、13…対向電極、14…
配向膜、20、120、120’、220a〜220d
…ブロック状スペーサ、21…液晶、31…第1の偏光
板、32…第2の偏光板、40…電着皮膜、41…遮蔽
膜、341…電着皮膜、250、251…遮蔽部材。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】配向方向の異なる複数のドメインが形成さ
    れた光配向膜を備えるマルチドメイン方式の液晶表示装
    置において、 前記光配向膜の前記各ドメインに対応した周囲の一部に
    ブロックが形成されてなることを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項2】前記ブロックが2つの液晶基板のスペーサ
    としてそれら基板の非表示領域上に形成されてなる請求
    項1記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】光配向膜に配向方向の異なる複数のドメイ
    ンを形成するマルチドメイン形成方法において、 前記光配向膜の前記各ドメインとする周囲の一部にブロ
    ックを形成し、該形成したブロックがマスクとなるよう
    に光を斜めに照射して、マスクされないドメインに対す
    る光配向処理を行うことを特徴とするマルチドメイン形
    成方法。
  4. 【請求項4】前記ブロックとフォトマスクとを併用して
    所望のドメインに対する光配向処理を行う請求項3記載
    のマルチドメイン形成方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030048655A (ko) * 2001-12-12 2003-06-25 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 지주형 스페이서를 갖는 액정표시장치
JP2010039485A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Samsung Electronics Co Ltd 配向膜形成方法

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