JP2001284995A - Microwave pulse power amplifier - Google Patents

Microwave pulse power amplifier

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JP2001284995A
JP2001284995A JP2000159166A JP2000159166A JP2001284995A JP 2001284995 A JP2001284995 A JP 2001284995A JP 2000159166 A JP2000159166 A JP 2000159166A JP 2000159166 A JP2000159166 A JP 2000159166A JP 2001284995 A JP2001284995 A JP 2001284995A
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JP
Japan
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microwave pulse
amplifier circuit
stage amplifier
stage
microwave
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Application number
JP2000159166A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Sugafuji
和博 菅藤
Akihiro Satomi
明洋 里見
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave pulse power amplifier capable of making the rise or fall of a microwave pulse sufficiently smooth. SOLUTION: Concerning the microwave pulse power amplifier, with which a first amplifier circuit 11 and a final amplifier circuit 12 for amplifying the microwave pulse are connected on plural stages, operation time for amplifying an inputted microwave pulse P1 is extended for the first amplifier circuit 11 connected on the pre-stage rather than the final amplifier circuit 12 connected on the post-stage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、フェーズドアレ
イレーダなどに使用されるマイクロ波パルスを増幅する
場合に、マイクロ波パルスの周波数スペクトラムの広が
りを抑えることができるマイクロ波パルス電力増幅器に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave pulse power amplifier capable of suppressing the spread of the frequency spectrum of a microwave pulse when amplifying the microwave pulse used in a phased array radar or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】フェーズドアレイレーダなどでは、送信
信号としてマイクロ波パルスが利用されている。このよ
うなパルス変調されたマイクロ波を用いる場合、他の機
器への妨害を抑える必要から、周波数スペクトラムの広
がりを少なくし、占有周波数帯域幅を狭くすることが求
められている。占有周波数帯域幅を狭くする方法の1つ
に、たとえば、マイクロ波パルスの立ち上がりや立ち下
がりの包絡線波形を緩やかにする方法がある。
2. Description of the Related Art In a phased array radar or the like, a microwave pulse is used as a transmission signal. In the case of using such a pulse-modulated microwave, it is necessary to reduce the spread of the frequency spectrum and narrow the occupied frequency bandwidth in order to suppress interference with other devices. One method of narrowing the occupied frequency bandwidth is, for example, a method of gradualizing the envelope waveform of the rising and falling edges of the microwave pulse.

【0003】ここで、マイクロ波パルスの包絡線波形を
緩やかにする従来のマイクロ波パルス電力増幅器につい
て図4を参照して説明する。
Here, a conventional microwave pulse power amplifier for making the envelope waveform of a microwave pulse gentle will be described with reference to FIG.

【0004】符号INは入力端子で、入力端子INに、
初段増幅回路41および終段増幅回路42のたとえば2
段の増幅回路が接続されている。終段増幅回路42に出
力端子OUTが接続されている。初段増幅回路41およ
び終段増幅回路42は、電界効果トランジスタやバイポ
ーラトランジスタなどで構成され、たとえばA級動作ま
たはAB級動作する構成になっている。
[0004] The reference symbol IN denotes an input terminal.
For example, 2 of the first-stage amplifier circuit 41 and the last-stage amplifier circuit 42
A stage amplifier circuit is connected. The output terminal OUT is connected to the last-stage amplifier circuit 42. The first-stage amplifier circuit 41 and the last-stage amplifier circuit 42 are configured by a field effect transistor, a bipolar transistor, or the like, and are configured to perform, for example, a class A operation or an AB class operation.

【0005】符号43はバイアス電源で、バイアス電源
43から供給される電源電圧は、波形整形回路44で台
形状に波形整形され、初段増幅回路41および終段増幅
回路42に対し、それぞれバイアス電圧B1、B2とし
て供給される。初段増幅回路41および終段増幅回路4
2は、バイアス電圧B1、B2が印加されると動作状態
に入り、バイアス電圧B1、B2が印加されない場合は
非動作状態になるとする。
Reference numeral 43 denotes a bias power supply. The power supply voltage supplied from the bias power supply 43 is shaped into a trapezoidal waveform by a waveform shaping circuit 44, and the bias voltage B1 is applied to the first-stage amplifier 41 and the last-stage amplifier 42, respectively. , B2. First stage amplifier circuit 41 and final stage amplifier circuit 4
No. 2 enters an operation state when the bias voltages B1 and B2 are applied, and enters a non-operation state when the bias voltages B1 and B2 are not applied.

【0006】上記した構成において、入力端子INから
図5(a)に示すようなマイクロ波パルスP1が入力
し、初段増幅回路41および終段増幅回路42で順に増
幅され、出力端子OUTから、図5(d)に示すような
マイクロ波パルスP2として出力される。
In the above configuration, a microwave pulse P1 as shown in FIG. 5 (a) is input from an input terminal IN, and is sequentially amplified by a first-stage amplifier circuit 41 and a last-stage amplifier circuit 42. It is output as a microwave pulse P2 as shown in FIG.

【0007】このとき、初段増幅回路41および終段増
幅回路42には、波形整形回路44から、図5(b)
(c)に示すようなバイアス電圧B1、B2が印加され
ている。バイアス電圧B1、B2は、マイクロ波パルス
P1が入力された後に緩やかに立ち上がり、マイクロ波
パルスP1の入力が切れる前に緩やかに立ち下がる。
At this time, the first stage amplifier circuit 41 and the last stage amplifier circuit 42 are supplied from the waveform shaping circuit 44 with the configuration shown in FIG.
Bias voltages B1 and B2 as shown in (c) are applied. The bias voltages B1 and B2 gradually rise after the input of the microwave pulse P1, and gradually fall before the input of the microwave pulse P1 is cut off.

【0008】したがって、出力端子OUTには、図5
(d)に示すように、バイアス電圧B1、B2の変化に
合わせて、立ち上がりおよび立ち下がりの包絡線波形が
緩やかに変化し、周波数スペクトラムの広がりを抑えた
マイクロ波パルスP2が出力される。
Therefore, the output terminal OUT is connected to FIG.
As shown in (d), the rising and falling envelope waveforms gradually change in accordance with the changes in the bias voltages B1 and B2, and the microwave pulse P2 in which the spread of the frequency spectrum is suppressed is output.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波パル
ス増幅器は、増幅回路が複数段に接続されている場合、
各増幅回路に印加するバイアス電圧の立ち上がりや立ち
下がりのタイミングが同じになっている。また、このよ
うな構成の場合、増幅回路に供給するバイアス電圧の立
ち上がりや立ち下がりを緩やかにしようとすると、バイ
アス電圧の波形が理想的な台形形状から崩れ、立ち上が
りや立ち下がりの傾斜が緩やかにならず、遅れ時間が増
大するという問題がある。そのため、出力するマイクロ
波パルスの立ち上がりや立ち下がりが十分に緩やかな傾
斜にならないという欠点がある。
In a conventional microwave pulse amplifier, when an amplifier circuit is connected to a plurality of stages,
The timing of the rise and fall of the bias voltage applied to each amplifier circuit is the same. In addition, in such a configuration, if the rising and falling of the bias voltage supplied to the amplifier circuit is made gentle, the waveform of the bias voltage collapses from an ideal trapezoidal shape, and the slope of the rising and falling becomes gentle. However, there is a problem that the delay time increases. Therefore, there is a disadvantage that the rising and falling of the output microwave pulse does not have a sufficiently gentle slope.

【0010】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、マイクロ波パルスの立ち上がりや立ち下がりを十分
に緩やかにできるマイクロ波パルス増幅器を提供するこ
とを目的とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages, and an object of the present invention is to provide a microwave pulse amplifier which can make the rising and falling of the microwave pulse sufficiently gentle.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロ波パ
ルスを増幅する増幅回路が複数段に接続されたマイクロ
波パルス電力増幅器において、前段に接続された少なく
とも1つの増幅回路の方がその後段に接続された少なく
とも1つの増幅回路よりも、マイクロ波パルスを増幅す
る動作時間が長いことを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a microwave pulse power amplifier in which an amplifier circuit for amplifying a microwave pulse is connected in a plurality of stages, wherein at least one amplifier circuit connected in a preceding stage is connected to a subsequent stage. Is characterized in that the operation time for amplifying the microwave pulse is longer than at least one amplifier circuit connected to.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図1を
参照して説明する。符号INは入力端子で、入力端子I
Nに、初段増幅回路11および終段増幅回路12のたと
えば2段の増幅回路が接続されている。終段増幅回路1
2に出力端子OUTが接続されている。初段増幅回路1
1および終段増幅回路12は、電界効果トランジスタや
バイポーラトランジスタなどで構成され、たとえばA級
動作またはAB級動作する構成になっている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Symbol IN indicates an input terminal, and input terminal I
N is connected to, for example, a two-stage amplifier circuit of a first-stage amplifier circuit 11 and a last-stage amplifier circuit 12. Final stage amplifier 1
2 is connected to an output terminal OUT. First stage amplifier 1
The first and last-stage amplifier circuits 12 are composed of a field effect transistor, a bipolar transistor, or the like, and are configured to perform, for example, a class A operation or an AB class operation.

【0013】符号13はバイアス電源で、バイアス電源
13から供給される電源電圧は、2つの波形整形回路1
41、142でそれぞれ台形状に波形整形され、所定の
バイアス電圧B1、B2が生成される。波形整形回路1
41で生成されたバイアス電圧B1は初段増幅回路11
に印加され、波形整形回路142で生成されたバイアス
電圧B2は終段増幅回路12に印加される。
Reference numeral 13 denotes a bias power supply, and a power supply voltage supplied from the bias power supply 13 includes two waveform shaping circuits 1.
Waveforms are shaped into trapezoids at 41 and 142, respectively, and predetermined bias voltages B1 and B2 are generated. Waveform shaping circuit 1
The bias voltage B1 generated in the first stage 41
And the bias voltage B2 generated by the waveform shaping circuit 142 is applied to the final-stage amplifier circuit 12.

【0014】初段増幅回路11や終段増幅回路12は、
通常、電界効果トランジスタやバイポーラトランジスタ
などの半導体素子を用いて構成される。この場合、波形
整形回路141、142で生成されたバイアス電圧B
1、B2は、電界効果トランジスタの場合はゲートまた
はドレイン電極に印加され、バイポーラトランジスタの
場合はベースまたはコレクタの電流を時間的に制御する
ように構成される。
The first-stage amplifier circuit 11 and the last-stage amplifier circuit 12
Usually, it is configured using a semiconductor element such as a field effect transistor or a bipolar transistor. In this case, the bias voltage B generated by the waveform shaping circuits 141 and 142
1, B2 is applied to the gate or drain electrode in the case of a field effect transistor, and is configured to temporally control the base or collector current in the case of a bipolar transistor.

【0015】なお、初段増幅回路11および終段増幅回
路12は、バイアス電圧B1、B2が印加されると、入
力信号を増幅する動作状態に入り、バイアス電圧B1、
B2が印加されない場合は非動作状態になるとする。
Note that, when the bias voltages B1 and B2 are applied, the first-stage amplifier circuit 11 and the last-stage amplifier circuit 12 enter an operation state of amplifying an input signal, and the bias voltages B1 and
If B2 is not applied, it is assumed to be in a non-operation state.

【0016】上記した構成において、入力端子INから
図2(a)に示すようなマイクロ波パルスP1が入力
し、初段増幅回路11および終段増幅回路12で順に増
幅され、図2(d)に示すような増幅されたマイクロ波
パルスP2が出力端子OUTに出力する。
In the above configuration, a microwave pulse P1 as shown in FIG. 2A is inputted from the input terminal IN, and is sequentially amplified by the first-stage amplifier circuit 11 and the last-stage amplifier circuit 12, and as shown in FIG. The amplified microwave pulse P2 as shown is output to the output terminal OUT.

【0017】このとき、初段増幅回路11には、図2
(b)に示すように、マイクロ波パルスP1が入力され
た後に緩やかに立ち上がり、マイクロ波パルスP1の入
力が切れる前に緩やかに立ち下がるバイアス電圧B1が
加えられる。また、終段増幅回路12には、図2(c)
に示すように、バイアス電圧B1よりも遅れて緩やかに
立ち上がり、バイアス電圧B1よりも先に緩やかに立ち
下がるバイアス電圧B2が加えられる。
At this time, the first stage amplifier circuit 11
As shown in (b), a bias voltage B1 that rises slowly after the input of the microwave pulse P1 and gradually falls before the input of the microwave pulse P1 is cut off is applied. In addition, the final-stage amplifier circuit 12 has the configuration shown in FIG.
As shown in FIG. 7, a bias voltage B2 that gradually rises later than the bias voltage B1 and gradually falls earlier than the bias voltage B1 is applied.

【0018】上記したように、初段増幅回路11には、
マイクロ波パルスP1が入力されてから緩やかに立ち上
がるバイアス電圧B1が印加される。そのため、初段増
幅回路11で増幅されたマイクロ波パルスの包絡線の立
ち上がりは、バイアス電圧B1の波形と同じように緩や
かに波形整形され、終段増幅回路12に入力される。こ
のとき、終段増幅回路12にはバイアス電圧B2が加え
られていない。そのため、終段増幅回路12は非動作状
態で、数十dBのアイソレーション分だけ減衰してマイ
クロ波パルスP2の立ち上がり部分が出力される。
As described above, the first-stage amplifier circuit 11 includes:
A bias voltage B1 that gradually rises after the input of the microwave pulse P1 is applied. Therefore, the rising edge of the envelope of the microwave pulse amplified by the first-stage amplifier circuit 11 is gently shaped like the waveform of the bias voltage B1 and is input to the last-stage amplifier circuit 12. At this time, the bias voltage B2 is not applied to the final-stage amplifier circuit 12. Therefore, in the non-operating state, the final-stage amplifier circuit 12 attenuates by the isolation of several tens of dB and outputs the rising portion of the microwave pulse P2.

【0019】その後、初段増幅回路11が動作状態に入
り、初段増幅回路11から出力されるマイクロ波パルス
が立ち上がった後に、終段増幅回路12に印加されるバ
イアス電圧B2が緩やかに立ち上がる。したがって、終
段増幅回路12から出力されるマイクロ波パルスP2
は、初段増幅回路11の出力が終段増幅回路12のアイ
ソレーション分だけ減衰した出力の後に続いて立ち上が
る。このため、終段増幅回路12から出力するマイクロ
波パルスP2の立ち上がり時間は、初段増幅回路11お
よび終段増幅回路12に印加されるバイアス電圧B1、
B2の立ち上がり時間を加算した時間になる。
Thereafter, the first-stage amplifier circuit 11 enters an operating state, and after the microwave pulse output from the first-stage amplifier circuit 11 rises, the bias voltage B2 applied to the last-stage amplifier circuit 12 rises slowly. Therefore, the microwave pulse P2 output from the last-stage amplifier circuit 12
Rises after the output of the first-stage amplifier circuit 11 attenuated by the isolation of the last-stage amplifier circuit 12. For this reason, the rising time of the microwave pulse P2 output from the last-stage amplifier circuit 12 depends on the bias voltage B1 applied to the first-stage amplifier circuit 11 and the last-stage amplifier circuit 12,
This is the time obtained by adding the rise time of B2.

【0020】一方、マイクロ波パルスの立ち下がりで
は、マイクロ波パルスP1の入力があるうちに、図2
(c)に示すように、終段増幅回路12のバイアス電圧
B2が緩やかに立ち下がる。その後、図2(b)に示す
ように、初段増幅回路11のバイアス電圧B1が緩やか
に立ち下がる。したがって、初段増幅回路11のバイア
ス電圧B1が立ち下がる時には、終段増幅回路12は動
作していない。このため、マイクロ波パルスP2はアイ
ソレーション分だけ減衰して出力され、立ち下がり時間
も、初段増幅回路11および終段増幅回路12に印加さ
れるバイアス電圧B1、B2の立ち下がり時間を加算し
た時間になる。
On the other hand, at the falling edge of the microwave pulse, while the microwave pulse P1 is input, FIG.
As shown in (c), the bias voltage B2 of the final-stage amplifier circuit 12 gradually falls. Thereafter, as shown in FIG. 2B, the bias voltage B1 of the first-stage amplifier circuit 11 gradually falls. Therefore, when the bias voltage B1 of the first-stage amplifier circuit 11 falls, the last-stage amplifier circuit 12 is not operating. For this reason, the microwave pulse P2 is output after being attenuated by the amount of the isolation, and the fall time is also the time obtained by adding the fall times of the bias voltages B1 and B2 applied to the first-stage amplifier circuit 11 and the last-stage amplifier circuit 12. become.

【0021】上記した構成によれば、出力されるマイク
ロ波パルスの包絡線の立ち上がりや立ち下がり時間は、
複数段に接続された各増幅回路の立ち上がりや立ち下が
り時間を加算した時間になる。このため、各増幅回路そ
れぞれの立ち上がりや立ち下がりを同じタイミングで整
形する場合と比較して、立ち上がりや立ち下がりを緩や
かにすることができる。その結果、周波数スペクトラム
の広がりが抑えられ、占有周波数帯域が狭帯域化する。
According to the above configuration, the rise and fall times of the envelope of the output microwave pulse are
This time is the sum of the rise and fall times of each of the amplifier circuits connected in a plurality of stages. For this reason, the rise and fall can be made gentler than in the case where the rise and fall of each amplifier circuit are shaped at the same timing. As a result, the spread of the frequency spectrum is suppressed, and the occupied frequency band is narrowed.

【0022】本発明では、各増幅段に対するパルス状バ
イアス電圧の立ち上がりや立ち下がりのタイミングを2
つ以上に分け、入力側に近い前段よりも、それよりも遠
い後段の方の立ち上がりを遅らせ、かつ、立ち下がりを
早めている。この方法の場合、増幅器全体の立ち上がり
や立ち下がり時間は、各増幅段の立ち上がりや立ち下が
り時間を加算した値になる。したがって、マイクロ波パ
ルスの傾斜部分を容易に緩やかにすることができ、ま
た、遅れ時間が増大するようなこともない。
According to the present invention, the rising and falling timings of the pulsed bias voltage for each amplifying stage are set to two times.
The rise is delayed and the fall is accelerated in a later stage farther than the former stage closer to the input side. In this method, the rise and fall times of the entire amplifier are values obtained by adding the rise and fall times of the respective amplification stages. Therefore, the inclined portion of the microwave pulse can be easily made gentle, and the delay time does not increase.

【0023】また、A級やAB級動作の半導体素子の場
合、バイアス電圧を印加し、あるいは、バイアス電圧の
印加を停止するために、通常、スイッチ回路が併用され
る。本発明では、各増幅段の立ち上がりや立ち下がり時
間を緩やかにし、時間をずらす構成であるため、マイク
ロ波を直接パルス変調するPINダイオード変調器など
の特別な回路を必要としない。したがって、全体の回路
構成が小型化し、低価格化する。
In the case of a class A or class AB semiconductor device, a switch circuit is usually used in combination to apply a bias voltage or stop applying a bias voltage. In the present invention, since the rising and falling times of the respective amplification stages are made gradual and the times are shifted, no special circuit such as a PIN diode modulator for directly pulse-modulating the microwave is required. Therefore, the overall circuit configuration is reduced in size and cost.

【0024】次に、本発明の他の実施形態について図3
を参照して説明する。図3は、増幅回路を3段に構成し
た場合で、図1に対応する部分には同じ符号を付し、重
複する説明を一部省略する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows a case in which the amplifier circuit is configured in three stages. Parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and overlapping description is partially omitted.

【0025】この実施形態の場合、初段増幅回路11と
終段増幅回路12の間に、2段目増幅回路31が接続さ
れている。そして、波形整形回路141で生成されたバ
イアス電圧B1が、初段増幅回路11と2段目増幅回路
31に共通に印加されている。
In this embodiment, a second-stage amplifier circuit 31 is connected between the first-stage amplifier circuit 11 and the last-stage amplifier circuit 12. Then, the bias voltage B1 generated by the waveform shaping circuit 141 is commonly applied to the first-stage amplifier circuit 11 and the second-stage amplifier circuit 31.

【0026】上記した構成において、入力するマイクロ
波パルスP1(図2)の立ち上がり時には、入力側に近
い初段増幅回路11および2段目増幅回路31に印加さ
れるバイアス電圧B1が緩やかに、かつ、同時に立ち上
がる。その後、終段増幅回路12に印加されるバイアス
電圧B2が緩やかに立ち上がる。
In the above configuration, when the input microwave pulse P1 (FIG. 2) rises, the bias voltage B1 applied to the first-stage amplifier circuit 11 and the second-stage amplifier circuit 31 near the input side is moderate and Stand up at the same time. Thereafter, the bias voltage B2 applied to the final-stage amplifier circuit 12 gradually rises.

【0027】一方、マイクロ波パルスP1(図2)の立
ち下がり時には、終段増幅回路12のバイアス電圧B1
が立ち下がり、その後、初段増幅回路11および2段目
増幅回路31のバイアス電圧B2が立ち下がる。この場
合も、図1と同様の効果が得られる。
On the other hand, when the microwave pulse P1 (FIG. 2) falls, the bias voltage B1
Then, the bias voltage B2 of the first-stage amplifier circuit 11 and the second-stage amplifier circuit 31 falls. In this case, the same effect as in FIG. 1 can be obtained.

【0028】なお、上記した各実施形態では、複数段に
接続された増幅回路のうち、入力側の近くに接続された
少なくとも1つの増幅回路と、これよりも遠くに接続さ
れた少なくとも1つの増幅回路とに印加するバイアス電
圧を、それぞれ立ち上がりおよび立ち下がりの両方で時
間をずらせている。しかし、立ち上がりおよび立ち下が
りのいずれか一方だけについて時間をずらせる構成にす
ることもできる。
In each of the above-described embodiments, of the amplifier circuits connected in a plurality of stages, at least one amplifier circuit connected near the input side and at least one amplifier circuit connected farther than the input circuit are connected. The bias voltage applied to the circuit is shifted in time both at the rise and at the fall. However, it is also possible to adopt a configuration in which the time is shifted only for one of the rise and the fall.

【0029】また、上記の各実施形態では、接続する増
幅回路の段数が2段あるいは3段の場合で説明している
が、接続する増幅回路の段数は4段以上にすることもで
きる。
In each of the above embodiments, the case where the number of connected amplifier circuits is two or three is described. However, the number of connected amplifier circuits can be four or more.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波パルスの立
ち上がりや立ち下がりを緩やかにするマイクロ波パルス
増幅器を実現できる。
According to the present invention, a microwave pulse amplifier that makes the rising and falling of the microwave pulse gentle can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態を説明するための回路構成図
である。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram for explaining an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態を説明するための波形図であ
る。
FIG. 2 is a waveform chart for explaining an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の実施形態を説明するための回路構
成図である。
FIG. 3 is a circuit configuration diagram for explaining another embodiment of the present invention.

【図4】従来例を説明するための回路構成図である。FIG. 4 is a circuit configuration diagram for explaining a conventional example.

【図5】従来例を説明するための波形図である。FIG. 5 is a waveform chart for explaining a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…初段増幅回路 12…終段増幅回路 13…バイアス電源 141、142…波形整形回路 P1…入力するマイクロ波パルス P2…出力するマイクロ波パルス B1…初段増幅回路に印加するバイアス電圧 B2…終段増幅回路に印加するバイアス電圧 Reference Signs List 11 initial stage amplifier circuit 12 final stage amplifier circuit 13 bias power supply 141, 142 waveform shaping circuit P1 input microwave pulse P2 output microwave pulse B1 bias voltage applied to first stage amplifier circuit B2 final stage Bias voltage applied to amplifier circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J069 AA01 AA41 AA54 AC03 AC04 CA27 CA48 CA49 FA10 FA18 HA40 KA12 KA25 KA49 MA08 SA14 TA01 TA06 5J092 AA01 AA41 AA54 CA27 CA48 CA49 FA10 FA18 FR10 FR14 HA40 KA12 KA25 KA49 MA08 SA14 TA01 TA06  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5J069 AA01 AA41 AA54 AC03 AC04 CA27 CA48 CA49 FA10 FA18 HA40 KA12 KA25 KA49 MA08 SA14 TA01 TA06 5J092 AA01 AA41 AA54 CA27 CA48 CA49 FA10 FA18 FR10 FR14 HA40 KA12 TA25 MA06

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マイクロ波パルスを増幅する増幅回路が
複数段に接続されたマイクロ波パルス電力増幅器におい
て、前段に接続された少なくとも1つの増幅回路の方が
その後段に接続された少なくとも1つの増幅回路より
も、マイクロ波パルスを増幅する動作時間が長く、かつ
それぞれの段のマイクロ波パルスを増幅する動作時間が
入力されるマイクロ波パルスのパルス幅よりも短いこと
を特徴とするマイクロ波パルス電力増幅器。
1. A microwave pulse power amplifier in which amplification circuits for amplifying microwave pulses are connected in a plurality of stages, wherein at least one amplification circuit connected to a preceding stage is connected to at least one amplification circuit connected to a subsequent stage. The microwave pulse power characterized in that the operation time for amplifying the microwave pulse is longer than that of the circuit, and the operation time for amplifying the microwave pulse in each stage is shorter than the pulse width of the input microwave pulse. amplifier.
【請求項2】 マイクロ波パルスを増幅する増幅回路が
複数段に接続されたマイクロ波パルス電力増幅器におい
て、前段に接続された少なくとも1つの増幅回路の方が
その後段に接続された少なくとも1つの増幅回路より
も、マイクロ波パルスを増幅する動作が早く開始し、か
つそれぞれの段のマイクロ波パルスを増幅する動作時間
が入力されるマイクロ波パルスのパルス幅よりも短いこ
とを特徴とするマイクロ波パルス電力増幅器。
2. A microwave pulse power amplifier in which an amplification circuit for amplifying a microwave pulse is connected in a plurality of stages, wherein at least one amplification circuit connected in a preceding stage is connected to at least one amplification circuit connected in a subsequent stage. The microwave pulse characterized in that the operation of amplifying the microwave pulse starts earlier than the circuit and the operation time of amplifying the microwave pulse in each stage is shorter than the pulse width of the inputted microwave pulse. Power amplifier.
【請求項3】 マイクロ波パルスを増幅する増幅回路が
複数段に接続されたマイクロ波パルス電力増幅器におい
て、前段に接続された少なくとも1つの増幅回路の方が
その後段に接続された少なくとも1つの増幅回路より
も、マイクロ波パルスを増幅する動作が遅く終了し、か
つそれぞれの段のマイクロ波パルスを増幅する動作時間
が入力されるマイクロ波パルスのパルス幅よりも短いこ
とを特徴とするマイクロ波パルス電力増幅器。
3. A microwave pulse power amplifier in which amplification circuits for amplifying microwave pulses are connected in a plurality of stages, wherein at least one amplification circuit connected in a preceding stage is connected to at least one amplification circuit connected in a subsequent stage. The microwave pulse characterized in that the operation of amplifying the microwave pulse ends later than the circuit, and the operation time for amplifying the microwave pulse in each stage is shorter than the pulse width of the input microwave pulse. Power amplifier.
【請求項4】 マイクロ波パルスを増幅する増幅回路が
複数段に接続されたマイクロ波パルス電力増幅器におい
て、前段に接続された少なくとも1つの増幅回路の方が
その後段に接続された少なくとも1つの増幅回路より
も、マイクロ波パルスを増幅する動作が早く開始し、遅
く終了し、かつそれぞれの段のマイクロ波パルスを増幅
する動作時間が入力されるマイクロ波パルスのパルス幅
よりも短いことを特徴とするマイクロ波パルス電力増幅
器。
4. A microwave pulse power amplifier in which amplification circuits for amplifying microwave pulses are connected in a plurality of stages, wherein at least one amplification circuit connected in a preceding stage is connected to at least one amplification circuit connected in a subsequent stage. The operation of amplifying the microwave pulse starts earlier and ends later than the circuit, and the operation time of amplifying the microwave pulse in each stage is shorter than the pulse width of the inputted microwave pulse. Microwave pulse power amplifier.
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