JP2001283170A - Semiconductor memory and authenticating system using the same memory - Google Patents

Semiconductor memory and authenticating system using the same memory

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JP2001283170A
JP2001283170A JP2000096288A JP2000096288A JP2001283170A JP 2001283170 A JP2001283170 A JP 2001283170A JP 2000096288 A JP2000096288 A JP 2000096288A JP 2000096288 A JP2000096288 A JP 2000096288A JP 2001283170 A JP2001283170 A JP 2001283170A
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data
input
storage area
cell array
format
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Tetsushi Hikawa
哲士 肥川
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MegaChips Corp
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MegaChips Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor memory capable of flexibly facilitating a countermeasure to plural interface specifications, and realizing inexpensive manufacture. SOLUTION: A semiconductor memory 1 is provided with a memory cell array 4 equipped with a format storage area 5 for storing the control data of plural kinds of input and output formats and a data storage area 6 and an input and output format control circuit 3 for recognizing the interface specification of an external system device 2, and for reading the control data of the input and output format suitable for the recognized specification of the interface from the format storage area 5, and for setting the interface programmable according to the control data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画像や音声、音楽
などを記憶する小型記憶媒体として利用されるメモリカ
ードなどの半導体記憶装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory device such as a memory card used as a small storage medium for storing images, sounds, music and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯型オーディオ機器、デジタル
スチルカメラ、携帯型パーソナルコンピュータなどの記
憶媒体として、フラッシュメモリを搭載した種々の小型
メモリカードが製品化されている。
2. Description of the Related Art In recent years, various small memory cards equipped with flash memories have been commercialized as storage media for portable audio equipment, digital still cameras, portable personal computers, and the like.

【0003】この種の小型メモリカードの利点は、小型
且つ軽量であるためメモリカード搭載機器のコンパクト
化が容易であること、電気的に書換可能であり電源切断
時においても記憶内容が半永久的に保存されること、が
挙げられる。従来のフロッピー・ディスクやMD(ミニ
・ディスク)などの記憶媒体を利用する際はドライブ側
にモーターなどの駆動装置を組み込むスペースを必要と
することから、携帯機器を小型化するには限界があっ
た。よって、特に近年の携帯機器の普及に伴って小型メ
モリカードの需要が急増し、低価格化競争が起きている
のが現状である。
[0003] The advantages of this type of small memory card are that it is small and lightweight, which makes it easy to make the memory card-equipped device compact, that it is electrically rewritable and that its stored contents are semi-permanent even when the power is turned off. To be preserved. When a conventional storage medium such as a floppy disk or MD (mini disk) is used, a space for incorporating a drive device such as a motor is required on the drive side, so there is no limit to miniaturizing a portable device. Was. Therefore, the demand for small-sized memory cards has increased sharply, especially with the recent spread of portable devices, and at present, competition for lower prices has occurred.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
小型メモリカードでは、メモリカードの搭載機器毎にイ
ンターフェース仕様が異なるという問題がある。例え
ば、1ビットずつデータ入出力を行うシリアルインター
フェースと、複数ビット、例えば8ビットや16ビット
ずつデータ入出力を行うパラレルインターフェースとの
大きな違いがある。よって、メモリカード毎にそのイン
ターフェース仕様に適合したフラッシュメモリLSIを
用意しているのが現状であり、今後、種々のインターフ
ェース仕様を備えたメモリカードが実用化されたとき、
これらの仕様に従来のメモリカード搭載機器が対応出来
ないという重大な問題が生じ得る。
However, the conventional small memory card has a problem that the interface specifications are different depending on the device on which the memory card is mounted. For example, there is a great difference between a serial interface that inputs and outputs data one bit at a time and a parallel interface that inputs and outputs data by a plurality of bits, for example, 8 bits and 16 bits. Therefore, at present, a flash memory LSI conforming to the interface specifications is prepared for each memory card. In the future, when a memory card having various interface specifications is put into practical use,
A serious problem may occur that the conventional device equipped with a memory card cannot cope with these specifications.

【0005】また、フラッシュメモリLSIの大容量化
の競争も加熱している。フラッシュメモリLSIのコス
トダウンが図られてはいるものの、フロッピー・ディス
クなどの他の記憶媒体と比較した場合にその1ビット当
たりの単価は割高である。その上複数のインターフェー
スに対応し得るフラッシュメモリLSIを作製すると、
その製造コストが嵩むという問題が生じる。
[0005] Competition for increasing the capacity of flash memory LSIs is also heating up. Although the cost of the flash memory LSI is reduced, the unit price per bit is higher than other storage media such as a floppy disk. In addition, when a flash memory LSI capable of supporting a plurality of interfaces is manufactured,
There is a problem that the manufacturing cost increases.

【0006】以上の問題に鑑みて本発明が解決しようと
するところは、複数のインターフェース仕様に柔軟に対
応し得て、尚かつ低コストで作製可能な半導体記憶装置
を提供する点にある。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a semiconductor memory device which can flexibly cope with a plurality of interface specifications and can be manufactured at low cost.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決すべく、
本発明者はメモリセルアレイの格納データ構造に着目し
鋭意研究を行った結果、本発明に到達するに至った。
In order to solve the above-mentioned problems,
The present inventor focused on the storage data structure of the memory cell array and made intensive studies, and as a result, arrived at the present invention.

【0008】すなわち、本発明に係る半導体記憶装置
は、複数種類の入出力フォーマットの制御データを記憶
したフォーマット格納領域を備えたメモリセルアレイ
と、当該外部システム装置のインターフェース仕様を認
識し、認識した前記インターフェース仕様に適合する前
記入出力フォーマットの前記制御データを前記フォーマ
ット格納領域から読み出し、当該制御データにより自身
のインターフェース仕様をプログラム可能に設定される
入出力フォーマット制御回路と、を備えることを特徴と
したものである。
That is, a semiconductor memory device according to the present invention recognizes a memory cell array having a format storage area storing control data of a plurality of types of input / output formats and an interface specification of the external system device. An input / output format control circuit that reads the control data of the input / output format conforming to the interface specification from the format storage area and sets its own interface specification to be programmable according to the control data. Things.

【0009】ここで、前記メモリセルアレイが前記フォ
ーマット格納領域に加えてデータ格納領域を備えて、該
データ格納領域を、大容量データを記憶する電気的に書
換不可能な不揮発性メモリと、データ追記用の書換可能
な不揮発性メモリとから構成することが好ましい。
Here, the memory cell array has a data storage area in addition to the format storage area, and the data storage area includes an electrically non-rewritable non-volatile memory for storing large-capacity data, and a data write-once. And a rewritable nonvolatile memory.

【0010】また、このような半導体記憶装置を用いた
認証システムを構成できる。すなわち、本発明に係る認
証システムは、上記半導体記憶装置と、該半導体記憶装
置の指定内容を認証する認証用機器とからなり、前記認
証用機器が、前記入出力フォーマット制御回路を介して
前記メモリセルアレイから取得した格納情報に基づき当
該半導体記憶装置の指定内容を認証することを特徴とす
るものである。
Further, an authentication system using such a semiconductor storage device can be configured. That is, the authentication system according to the present invention includes the semiconductor storage device and an authentication device that authenticates the specified content of the semiconductor storage device, and the authentication device communicates with the memory via the input / output format control circuit. It is characterized in that the specified contents of the semiconductor memory device are authenticated based on the storage information obtained from the cell array.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る半導体記憶
装置の一実施形態を示す概略ブロック図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing one embodiment of a semiconductor memory device according to the present invention.

【0012】図1に示すように、本実施形態の半導体記
憶装置1は外部システム装置2のインターフェース(図
示せず)と着脱自在に接続されている。外部システム装
置2は、具体的には携帯型オーディオ機器、デジタルカ
メラ、パーソナルコンピュータなどである。外部システ
ム装置2は、音楽や音声、画像、プログラム・コードな
どの各種データを半導体記憶装置1に記憶させたり、読
み出して実行したりする。
As shown in FIG. 1, a semiconductor memory device 1 of the present embodiment is detachably connected to an interface (not shown) of an external system device 2. The external system device 2 is specifically a portable audio device, a digital camera, a personal computer, or the like. The external system device 2 causes the semiconductor storage device 1 to store, read, and execute various data such as music, voice, images, and program codes.

【0013】半導体記憶装置1は、このような外部シス
テム装置2との間で授受する制御信号やデータを前記外
部システム装置2のインターフェースに合わせて変換す
る入出力フォーマット制御回路3と、メモリセルアレイ
4と、データ書込み/読出し部7とを備えている。前記
データ書込み/読出し部7は、メモリセルアレイ4にデ
ータを書込むと共にメモリセルアレイ4からデータを読
出す回路群を有している。
The semiconductor memory device 1 includes an input / output format control circuit 3 for converting control signals and data exchanged with the external system device 2 according to the interface of the external system device 2, and a memory cell array 4. And a data writing / reading unit 7. The data write / read unit 7 has a circuit group for writing data to the memory cell array 4 and reading data from the memory cell array 4.

【0014】前記メモリセルアレイ4は、複数個のメモ
リチップ(不揮発性または揮発性記憶素子)をマトリク
ス状に配列してなるものであり、単体のメモリセルアレ
イでもよいし、複数個のメモリセルアレイから構成され
てもよい。このようなメモリセルアレイ4は、図2に示
すように複数種類の入出力フォーマットの制御データを
記憶したフォーマット格納領域5と、音楽や画像、プロ
グラム・コードなどの各種データを記憶するデータ格納
領域6とに二分されている。前記データ格納領域6は、
更に大容量データを記憶するマスクROMなどの電気的
に書換不可能な不揮発性メモリ領域6a(以下、書換不
可能領域と呼ぶ。)と、データを追記するためのフラッ
シュメモリなどの電気的に書換可能な不揮発性メモリ領
域6b(以下、書換可能領域と呼ぶ。)とから構成され
ている。
The memory cell array 4 includes a plurality of memory chips (non-volatile or volatile storage elements) arranged in a matrix, and may be a single memory cell array or a plurality of memory cell arrays. May be done. As shown in FIG. 2, the memory cell array 4 has a format storage area 5 for storing control data of a plurality of types of input / output formats and a data storage area 6 for storing various data such as music, images, and program codes. And is divided into two. The data storage area 6 includes:
Furthermore, an electrically non-rewritable nonvolatile memory area 6a (hereinafter, referred to as a non-rewritable area) such as a mask ROM for storing large-capacity data, and an electrically rewritable flash memory or the like for additionally writing data. And a non-volatile memory area 6b (hereinafter, referred to as a rewritable area).

【0015】尚、本発明では図2に示したメモリセルア
レイ4に限らず、例えば、図3(a)に示すようにデー
タ格納領域6が全て書換可能領域6bのみからなるもの
や、図3(b)に示すようにデータ格納領域6が全て書
換不可能領域6aのみからなるものでも構わない。
It should be noted that the present invention is not limited to the memory cell array 4 shown in FIG. 2, but may be, for example, one in which the data storage area 6 is entirely composed of only the rewritable area 6b as shown in FIG. As shown in b), the data storage area 6 may be entirely composed of only the non-rewritable area 6a.

【0016】前記データ書込み/読出し部7は、アドレ
スレジスタ10、アドレスバッファ11,12、Xデコ
ーダ13およびYデコーダ14を備えている。アドレス
バッファ12,11は、前記メモリセルアレイ4の中の
セル選択番地を指定するX系およびY系アドレス入力信
号をアドレスレジスタ10からデータバスを介してそれ
ぞれ受けて、内部アドレス信号を発生する。すると、X
デコーダ13は、アドレスバッファ12から前記内部ア
ドレス信号を受けてワード線(X線)から指定した1個
を選択し、Yデコーダ14は、アドレスバッファ11か
ら前記内部アドレス信号を受けてデータ線(Y線)から
指定した線を選択する。これにより、当該メモリセルが
選択される。
The data write / read section 7 includes an address register 10, address buffers 11, 12, an X decoder 13, and a Y decoder 14. The address buffers 12 and 11 receive X- and Y-system address input signals for designating a cell selection address in the memory cell array 4 from the address register 10 via a data bus, respectively, and generate internal address signals. Then X
The decoder 13 receives the internal address signal from the address buffer 12 and selects one designated word line (X line). The Y decoder 14 receives the internal address signal from the address buffer 11 and selects a data line (Y Select the specified line from (line). As a result, the memory cell is selected.

【0017】当該メモリセルに蓄積された情報は、ビッ
ト線に伝達された時に生じる信号電圧をセンスアンプ1
5で増幅されて保持される。次いで、ゲート回路16に
より、センスアンプ15が保持した情報のうちY系アド
レス信号に対応したものが選択されて、出力データラッ
チ17に取り込まれ、上記入出力フォーマット制御回路
3を通して外部システム装置2に出力される。
The information stored in the memory cell is applied to a signal voltage generated when the information is transmitted to the bit line.
Amplified at 5 and held. Next, the information corresponding to the Y-system address signal is selected from the information held by the sense amplifier 15 by the gate circuit 16, taken into the output data latch 17, and sent to the external system device 2 through the input / output format control circuit 3. Is output.

【0018】また、外部システム装置2から所定の処理
実行を指令するコマンド信号が入出力フォーマット回路
3に入力すると、前記コマンド信号はコマンドレジスタ
18に格納され制御回路19へ出力される。制御回路1
9は、前記コマンド信号により、装置の内部状態を確認
するためのステータス信号を格納するステータスレジス
タ20、アドレスレジスタ10、書込みデータラッチ2
1、書込み制御回路22および高電圧発生回路23を制
御する。高電圧発生回路23は、動作モードに応じて印
加電圧の切換えを実行し、データの読込み、書込みおよ
び消去などに必要な電源電圧を発生する。
When a command signal for instructing execution of a predetermined process is input from the external system device 2 to the input / output format circuit 3, the command signal is stored in the command register 18 and output to the control circuit 19. Control circuit 1
Reference numeral 9 denotes a status register 20, an address register 10, and a write data latch 2 for storing a status signal for confirming the internal state of the apparatus in response to the command signal.
1. Control the write control circuit 22 and the high voltage generation circuit 23. The high voltage generation circuit 23 switches the applied voltage in accordance with the operation mode, and generates a power supply voltage necessary for data reading, writing, erasing, and the like.

【0019】また、外部システム装置2は、メモリセル
アレイ4を制御する制御信号を発し、前記制御信号によ
り外部システム装置2を介してメモリセルアレイ4を制
御できる。この種の制御信号としては、メモリセルアレ
イが複数個からなる場合にアクセスしたいメモリセルア
レイを選択するチップ選択(Chip Select)信号、デー
タの読出し或いは書込みを指定する書込み/読出し制御
(Write/Read Strobe)信号、およびライトプロテクト
(書込み禁止)信号などが挙げられる。
Further, the external system device 2 issues a control signal for controlling the memory cell array 4 and can control the memory cell array 4 via the external system device 2 by the control signal. Such control signals include a chip select signal for selecting a memory cell array to be accessed when there are a plurality of memory cell arrays, and a write / read control (Write / Read Strobe) for designating data reading or writing. And a write protect (write inhibit) signal.

【0020】そして、半導体記憶装置1には、外部シス
テム装置2以外の機器と接続するための、入出力フォー
マット制御回路3と接続する汎用I/Oポート24、半
導体記憶装置1を電源投入すると入出力フォーマット制
御回路3をリセットするパワーオンリセット回路25、
およびリセット端子26が設けられている。
The general-purpose I / O port 24 connected to the input / output format control circuit 3 for connecting to devices other than the external system device 2 and the semiconductor memory device 1 are turned on when the semiconductor memory device 1 is powered on. A power-on reset circuit 25 for resetting the output format control circuit 3,
And a reset terminal 26 are provided.

【0021】このような半導体記憶装置1の入出力フォ
ーマット制御回路3は、外部システム装置2のインター
フェース仕様を認識し、認識したインターフェース仕様
に設定される。図4のフローチャートを参照しつつその
設定手順を以下に説明する。
The input / output format control circuit 3 of the semiconductor memory device 1 recognizes the interface specification of the external system device 2 and sets the interface specification to the recognized interface specification. The setting procedure will be described below with reference to the flowchart of FIG.

【0022】先ず、上記半導体記憶装置1を外部システ
ム装置2と接続すると(ST1)、入出力フォーマット
制御回路3はリセットされる(ST2)。このとき入出
力フォーマット制御回路3は、半導体記憶装置1の電源
投入時にパワーオンリセット回路25により自動的にリ
セットされてもよいし、リセット端子26からのリセッ
ト入力によりリセットされてもよい。例えば、外部シス
テム装置2から駆動電圧の供給を受けることにより、半
導体記憶装置1が外部システム装置2に接続されると自
動的に電源投入がなされ、外部システム装置2から接続
を解かれると自動的に電源切断がなされる構成でもよ
い。
First, when the semiconductor memory device 1 is connected to the external system device 2 (ST1), the input / output format control circuit 3 is reset (ST2). At this time, the input / output format control circuit 3 may be automatically reset by the power-on reset circuit 25 when the semiconductor memory device 1 is powered on, or may be reset by a reset input from the reset terminal 26. For example, when the semiconductor memory device 1 is connected to the external system device 2 by being supplied with a drive voltage from the external system device 2, the power is automatically turned on, and when the semiconductor memory device 1 is disconnected from the external system device 2, the power is automatically turned on. The power supply may be turned off.

【0023】次に、入出力フォーマット制御回路3は、
外部システム装置2のインターフェース仕様を自動認識
する(ST3)。その自動認識の具体的手段としては、
公知技術、例えば、外部システム装置2の接続端子の数
本をそれぞれプルアップまたはプルダウンしておき、入
出力フォーマット制御回路3を電源投入時にパワーオン
リセットした時に、その電圧レベルのHとLの組み合わ
せを検知して外部システム装置2のインターフェース仕
様を認識するという、いわゆるストラップと称する技術
を用いることができる。
Next, the input / output format control circuit 3
The interface specification of the external system device 2 is automatically recognized (ST3). As specific means of the automatic recognition,
A known technique, for example, pulling up or pulling down some connection terminals of the external system device 2 and combining the H and L of the voltage level when the input / output format control circuit 3 is powered on and reset when the power is turned on. , And the interface specification of the external system device 2 is recognized, that is, a technique called a strap can be used.

【0024】次に、入出力フォーマット制御回路3は、
認識したインターフェース仕様に適合する入出力フォー
マットの制御データを上記メモリセルアレイ4のフォー
マット格納領域5から自動的に読み込む(ST4)。す
なわち、入出力フォーマット制御回路3は、前記フォー
マット格納領域5に記憶された前記制御データに対応す
るセル選択番地を指定するアドレス信号を生成し、これ
をアドレスバッファ11,12に転送し、次いで、当該
メモリセルに蓄積された前記制御データがセンスアンプ
15で増幅され、ゲート回路16で選択され、出力デー
タラッチ17を通して入出力フォーマット制御回路3に
取り込まれる。
Next, the input / output format control circuit 3
The control data of the input / output format conforming to the recognized interface specification is automatically read from the format storage area 5 of the memory cell array 4 (ST4). That is, the input / output format control circuit 3 generates an address signal designating a cell selection address corresponding to the control data stored in the format storage area 5, transfers the address signal to the address buffers 11, 12, and The control data stored in the memory cell is amplified by the sense amplifier 15, selected by the gate circuit 16, and taken into the input / output format control circuit 3 through the output data latch 17.

【0025】そして、取り込まれた入出力フォーマット
の制御データにより、入出力フォーマット制御回路3の
インターフェースは外部システム装置2のインターフェ
ースと一致するようにプログラムされる(ST5)。こ
のようにして半導体記憶装置1は、シリアルインターフ
ェースやパラレルインターフェースなどの各種インター
フェースの仕様に合わせて自己のインターフェースを柔
軟に変更することができる。
Then, the interface of the input / output format control circuit 3 is programmed so as to match the interface of the external system device 2 by the input / output format control data (ST5). In this manner, the semiconductor memory device 1 can flexibly change its own interface according to the specifications of various interfaces such as a serial interface and a parallel interface.

【0026】尚、前記入出力フォーマットの制御データ
は、具体的には、16ビット共通バスや8ビット共通バ
スなどにおける信号のインターフェース仕様を設定し得
る。例えば、シリアルインターフェースを設定する場
合、データ入出力信号、クロック信号、コマンド信号、
アドレス信号、データの順序およびバイト数などが設定
される。また、上記したチップ選択信号、書込み/読出
し制御信号およびライトプロテクト信号などの制御端子
のイネーブルとディスエーブルとの切換設定、汎用I/
Oポート端子の設定、プログラマブル・コマンドの設定
などを行うことも可能である。
The control data of the input / output format can specifically set an interface specification of a signal on a 16-bit common bus or an 8-bit common bus. For example, when setting up a serial interface, data input / output signals, clock signals, command signals,
The address signal, the order of data, the number of bytes, and the like are set. In addition, the setting of switching between enable and disable of control terminals such as the above-described chip select signal, write / read control signal, and write protect signal, general-purpose I / O
It is also possible to set an O port terminal, set a programmable command, and the like.

【0027】また、外部システム装置2から入出力フォ
ーマットの制御データを、上記したメモリセルアレイ4
のフォーマット格納領域5に転送し格納することもでき
る。このとき、ネットワークなどを介して半導体記憶装
置1に前記制御データを伝送し、当該フォーマット格納
領域5に書込みしても構わない。これにより、メモリセ
ルアレイ4がもたない新たな入出力フォーマットの制御
データを、外部からの制御により書換えたり消去したり
切り替えたりすることが可能となる。
The control data of the input / output format from the external system device 2 is transferred to the memory cell array 4 described above.
Can be transferred to the format storage area 5 and stored. At this time, the control data may be transmitted to the semiconductor storage device 1 via a network or the like and written in the format storage area 5. As a result, control data of a new input / output format that the memory cell array 4 does not have can be rewritten, erased, or switched by external control.

【0028】その具体的な手順は次の通りである。入出
力フォーマット制御回路3は外部システム装置2から書
込み命令が入力されると、メモリセルアレイ4がライト
プロテクトされているか否かを調べ、メモリセルアレイ
4がライトプロテクト状態にあれば書込み禁止処理を実
行する。次に、メモリセルアレイ4がライトプロテクト
状態で無いならば、入出力フォーマット制御回路3は、
上記した手順でXデコーダ13とYデコーダ14を用い
て書込みを実行する当該メモリセルを選択する。そし
て、制御回路19の制御により高電圧発生回路23は書
込みモードに対応した電源電圧を発生して書込みデータ
ラッチ21と書込み制御回路22に電圧印加し、外部シ
ステム装置2から転送された制御データを増幅し、指定
したメモリセルに書き込むのである。
The specific procedure is as follows. When a write command is input from the external system device 2, the input / output format control circuit 3 checks whether or not the memory cell array 4 is write-protected. If the memory cell array 4 is in the write-protected state, the write-inhibit process is executed. . Next, if the memory cell array 4 is not in the write protection state, the input / output format control circuit 3
According to the above-described procedure, the memory cell to be written is selected using the X decoder 13 and the Y decoder 14. Then, under the control of the control circuit 19, the high voltage generation circuit 23 generates a power supply voltage corresponding to the write mode, applies a voltage to the write data latch 21 and the write control circuit 22, and outputs the control data transferred from the external system device 2. It amplifies and writes to the designated memory cell.

【0029】上記メモリセルアレイ4が、図2に示した
ようにマスクROMなどの書換不可能領域6aと、フラ
ッシュメモリなどの書換可能領域6bとに二分される場
合、前記書換不可能領域6aには、転送時間を要したり
ネットワークを通すと伝送時間を要する比較的大容量の
データの格納領域を割り当て、フラッシュメモリなどか
らなる書換可能領域6bには、データ追記用領域を割り
当てるのが好ましい。動画像などの大容量データを通信
帯域の制限されたネットワークを通じて送信するには相
当な時間を要することから、このような場合は、低価格
で大容量化が比較的容易なマスクROMに代表される不
揮発性メモリが望ましい。
When the memory cell array 4 is divided into a non-rewritable area 6a such as a mask ROM and a rewritable area 6b such as a flash memory as shown in FIG. 2, the non-rewritable area 6a It is preferable to allocate a storage area for relatively large-capacity data that requires a transfer time when a transfer time is required or passes through a network, and allocate a data additional recording area to the rewritable area 6b formed of a flash memory or the like. Since it takes a considerable amount of time to transmit a large amount of data such as a moving image through a network with a limited communication band, in such a case, a mask ROM represented by a low-cost and relatively large-capacity relatively easy-to-represent. A non-volatile memory is desirable.

【0030】例えば、上記メモリセルアレイ4にゲーム
のアプリケーションデータを記憶させる場合は、ゲーム
の進行上必須となる基本データは前記書換不可能領域6
aに格納しておき、ゲームの進行状況に応じて新たなキ
ャラクター(登場人物)および新たな場面が必要となっ
た時に、通信ネットワークなどを通して新たなデータを
ダウンロードし、このダウンロードデータを前記書換可
能領域6bに追記して利用するのが好ましい。このよう
にメモリセルアレイ3にデータの書換可能領域6bを設
けることによりゲームなどのアプリケーションを容易に
バージョンアップさせることができる。また、前記書換
可能領域6bによりアプリケーションの寿命を延ばすこ
とができ、多大な投資が必要なゲームの開発コストを抑
えることが可能となる。
For example, when the game application data is stored in the memory cell array 4, the basic data necessary for the progress of the game is stored in the non-rewritable area 6.
a, and when new characters (characters) and new scenes are required according to the progress of the game, new data is downloaded through a communication network or the like, and the downloaded data can be rewritten. It is preferable to additionally use the area 6b. By providing the data rewritable area 6b in the memory cell array 3 in this manner, applications such as games can be easily upgraded. In addition, the life of the application can be extended by the rewritable area 6b, and the development cost of a game requiring a large investment can be suppressed.

【0031】また、上記メモリセルアレイ4に音楽デー
タを記憶させる場合は、音源データなどの共通データを
大容量で低価格のマスクROMからなる書換不可能領域
6aに記憶させ、音楽の楽譜データをフラッシュメモリ
からなる書換可能領域6bにダウンロードして追記させ
れば、比較的小容量の音楽データを通信ネットワークを
介して短時間でダウンロードすることができる。同時
に、本発明に係る半導体記憶装置を多数のユーザーが使
用する際の通信ネットワークのトラフィックを低減させ
ることができる。
When music data is stored in the memory cell array 4, common data such as sound source data is stored in a non-rewritable area 6a composed of a large-capacity and low-cost mask ROM, and music score data is stored in a flash memory. If the data is downloaded to the rewritable area 6b composed of a memory and added, the music data having a relatively small capacity can be downloaded in a short time via the communication network. At the same time, the traffic of the communication network when a large number of users use the semiconductor memory device according to the present invention can be reduced.

【0032】また、本発明に係る半導体記憶装置を認証
用メモリカードに適用してもよい。例えば、図5に模式
的に示すように、上記メモリセルアレイ4のフォーマッ
ト格納領域5に、各種認証用機器のインターフェースに
適合する入出力フォーマットの制御データを格納し、そ
のデータ格納領域6には認証用機器のロックを解除する
ID、パスワード、暗号鍵などのキー、画像および音声
などの、認証用メモリカードの正規ユーザーの個人情報
を格納しておく。
The semiconductor memory device according to the present invention may be applied to an authentication memory card. For example, as schematically shown in FIG. 5, control data in an input / output format suitable for interfaces of various authentication devices are stored in a format storage area 5 of the memory cell array 4, and an authentication data is stored in a data storage area 6. The personal information of the authorized user of the authentication memory card, such as an ID for unlocking the device, a key such as a password and an encryption key, an image and a sound, is stored.

【0033】ここで、メモリセルアレイ4の単体ではそ
の格納情報を読み出せないから、認証用機器のインター
フェース仕様が上記メモリセルアレイ4のフォーマット
格納領域5に記憶した制御データと適合しない限り、認
証用メモリカードの中の個人情報を読み出すことは不可
能である。よって、認証用機器のインターフェース仕様
を秘密鍵として利用できる。例えば、認証用メモリカー
ドの所有者の顔画像データを上記データ格納領域6に記
憶させておき、認証用機器で読み出した顔画像と当該所
有者の実際の顔とを比較して、当該所有者がメモリカー
ドの正規ユーザーか否かを確認することができる。認証
用メモリカードを紛失したり盗まれたりしても、偽造さ
れる危険性が低いため極めてセキュリティの高い認証用
メモリカードを作製することが可能となる。尚、認証対
象は人間に限らず、ペットなどの認証用メモリカードが
指定する内容であれば何れのものでもよい。
Since the stored information cannot be read by the memory cell array 4 alone, unless the interface specifications of the authentication device are compatible with the control data stored in the format storage area 5 of the memory cell array 4, the authentication memory is not used. It is impossible to read the personal information on the card. Therefore, the interface specification of the authentication device can be used as a secret key. For example, the face image data of the owner of the authentication memory card is stored in the data storage area 6, and the face image read by the authentication device is compared with the actual face of the owner, and Can be checked whether or not the user is an authorized user of the memory card. Even if the authentication memory card is lost or stolen, the risk of forgery is low, so that an extremely secure authentication memory card can be manufactured. The authentication target is not limited to a human, and may be any object as long as the content is specified by an authentication memory card such as a pet.

【0034】尚、認証用メモリカードのメモリセルアレ
イにデータ追記用領域を設けていない場合、上記のデー
タ書込み/読出し部7における回路構成のうち書込みデ
ータラッチ21や書込み制御回路22などの書込み動作
に必要な構成は不要となる。
If no data additional area is provided in the memory cell array of the authentication memory card, the write operation of the write data latch 21 and the write control circuit 22 among the circuit configuration in the data write / read section 7 is performed. Necessary components are not required.

【0035】次に、図6に、認証用メモリカード30と
認証用機器35の構成例を示し、より具体的な応用例を
以下に説明する。図6に示すように、上記した半導体記
憶装置1のものと略同構成のメモリセルアレイ4、入出
力フォーマット制御回路3およびデータ書込み/読出し
部7を備えた認証用メモリカード30に対して、処理部
31、インターフェース32、入力手段33およびユー
ザー認証手段34を有する認証用機器35を用意する。
メモリセルアレイ4のマスクROMからなるデータ格納
領域6には、図5に示したように正規ユーザーのID、
パスワード、顔画像、音声などの個人情報が記憶されて
いる。
Next, FIG. 6 shows a configuration example of the authentication memory card 30 and the authentication device 35, and a more specific application example will be described below. As shown in FIG. 6, processing is performed on an authentication memory card 30 including a memory cell array 4, an input / output format control circuit 3, and a data write / read unit 7 having substantially the same configuration as that of the semiconductor storage device 1 described above. An authentication device 35 having a unit 31, an interface 32, an input unit 33, and a user authentication unit 34 is prepared.
In the data storage area 6 of the memory cell array 4 composed of the mask ROM, as shown in FIG.
Personal information such as a password, a face image, and voice is stored.

【0036】このような認証用メモリカード30を用い
た認証手順の例を以下に説明する。図7のフローチャー
トに示すように、先ず、本実施例に係る認証用メモリカ
ードを認証用機器のスロットに挿入し前記認証用機器3
5のインターフェース32と接続する(ST20)。
An example of an authentication procedure using such an authentication memory card 30 will be described below. As shown in the flowchart of FIG. 7, first, the authentication memory card according to the present embodiment is inserted into the slot of the
5 (ST20).

【0037】次に、入出力フォーマット制御回路3は前
記認証用機器35のインターフェース32の仕様を認識
し(ST21)、前記インターフェース仕様が前記メモ
リセルアレイ4のフォーマット格納領域5に記憶した制
御データに適合するものか否かを調べ(ST22)、前
記制御データがインターフェース仕様と適合しない場合
は認証終了処理を実行する(ST23)。
Next, the input / output format control circuit 3 recognizes the specification of the interface 32 of the authentication device 35 (ST21), and the interface specification conforms to the control data stored in the format storage area 5 of the memory cell array 4. A check is made to determine whether or not the authentication is to be performed (ST22). If the control data does not conform to the interface specifications, authentication end processing is executed (ST23).

【0038】他方、前記制御データがインターフェース
と適合する場合は、入出力フォーマット制御回路3は、
上記した図4のステップST4の手順で前記フォーマッ
ト格納領域5に記憶した入出力フォーマットの制御デー
タを読込み(ST24)、この制御データにより入出力
フォーマット制御回路3のインターフェースが設定され
る(ST25)。
On the other hand, if the control data is compatible with the interface, the input / output format control circuit 3
The control data of the input / output format stored in the format storage area 5 is read by the procedure of step ST4 in FIG. 4 (ST24), and the interface of the input / output format control circuit 3 is set by the control data (ST25).

【0039】次に、入出力フォーマット制御回路3はメ
モリセルアレイ4のデータ格納領域5に記憶した正規ユ
ーザーのID、パスワード、音声および顔画像などの個
人情報を読み出して(ST26)、認証用機器35へ出
力する。前記個人情報を取得した認証用機器35は、当
該認証用メモリカードの使用者にIDおよびパスワード
の入力を促し、ユーザーはキーボードなどを備えた入力
手段33を通じてIDおよびパスワードを入力する(S
T27)。
Next, the input / output format control circuit 3 reads out the personal information such as the ID, password, voice and face image of the authorized user stored in the data storage area 5 of the memory cell array 4 (ST26), and the authentication device 35 Output to The authentication device 35 that has obtained the personal information prompts the user of the authentication memory card to input an ID and a password, and the user inputs the ID and the password through the input unit 33 including a keyboard (S).
T27).

【0040】次に、前記ユーザー認証手段34は、ステ
ップST26で個人情報として取得したIDおよびパス
ワードと、入力されたIDおよびパスワードとを照合し
(ST28)、両者のIDとパスワードが一致しない場
合、認証終了処理が実行される(ST23)。
Next, the user authentication means 34 collates the ID and password obtained as personal information in step ST26 with the entered ID and password (ST28). Authentication termination processing is performed (ST23).

【0041】他方、両者のIDとパスワードが一致した
場合、認証用機器35は、認証用メモリカード30から
正規ユーザーの顔画像、音声などの個人情報を読出し
(ST29)、次いで、CCDカメラやマイクなど(図
示せず)を通じてユーザーの顔画像や音声などのユーザ
ー情報を取り込み(ST29)、ユーザー認証手段34
において前記顔画像の特徴線(鼻筋、目や口のラインな
ど)や、音声の声紋データを抽出する処理を実行し、当
該ユーザーと正規ユーザーの声紋や顔写真の特徴線をパ
ターンマッチングする(ST31)。両者の声紋や特徴
線などが一致しない場合は、認証終了処理が実行され
(ST23)、両者の声紋や特徴線などが一致した場合
はユーザーが正規ユーザーと認証され、一連の処理が終
了する。
On the other hand, if the ID and the password match, the authentication device 35 reads out the personal information such as the face image and voice of the authorized user from the authentication memory card 30 (ST29). The user information such as a face image and a voice of the user is fetched through a device (not shown) (ST29).
Then, a process of extracting characteristic lines (nose lines, eyes and mouth lines, etc.) of the face image and voiceprint data of the voice is executed, and pattern matching is performed between the voiceprint of the user and the legitimate user and the characteristic line of the face photograph (ST31). ). If the voiceprints and characteristic lines do not match, authentication end processing is executed (ST23). If the voiceprints and characteristic lines match, the user is authenticated as a regular user, and a series of processing ends.

【0042】尚、このような認証用メモリカード33の
データ格納領域6に、暗号鍵や公開鍵、復号鍵などのキ
ーを記憶させてもよい。例えば、認証用機器35に格納
した機密性の高い暗号化情報をユーザーが参照する際、
認証用機器35は認証用メモリカード33のメモリセル
アレイに記憶した復号鍵を読出し、これを用いて暗号化
情報を復号化し、その復号化情報を当該ユーザーに提示
できる。また、認証用機器35は、前記公開鍵や暗号鍵
を読み出し、これを用いて平文情報を暗号化できる。こ
れにより、正規ユーザーはキーを記憶する必要が無いた
め簡便で、セキュリティの高い認証用メモリカードを得
ることが可能となる。
Incidentally, keys such as an encryption key, a public key and a decryption key may be stored in the data storage area 6 of the memory card 33 for authentication. For example, when the user refers to highly confidential encrypted information stored in the authentication device 35,
The authentication device 35 reads the decryption key stored in the memory cell array of the authentication memory card 33, decrypts the encrypted information by using the decryption key, and can present the decrypted information to the user. Further, the authentication device 35 can read out the public key or the encryption key and use it to encrypt the plaintext information. This makes it possible for an authorized user to obtain a simple and highly secure authentication memory card because there is no need to store the key.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上の如く、請求項1記載の半導体記憶
装置によれば、メモリセルアレイのフォーマット格納領
域に記憶した複数種類の制御データの中から、外部シス
テム装置のインターフェース仕様に適合する制御データ
を選択し、当該制御データで半導体記憶装置のインター
フェースを外部システムのそれと一致させることができ
るから、複雑な回路構成を必要とせずに、外部システム
装置の複数のインターフェース仕様に柔軟に対応するこ
とができ、低コストで作製可能な半導体記憶装置を得る
ことが可能となる。
As described above, according to the semiconductor memory device of the first aspect, from among a plurality of types of control data stored in the format storage area of the memory cell array, control data conforming to the interface specifications of the external system device. And the control data can match the interface of the semiconductor memory device with that of the external system. Therefore, it is possible to flexibly cope with a plurality of interface specifications of the external system device without requiring a complicated circuit configuration. Thus, a semiconductor memory device which can be manufactured at low cost can be obtained.

【0044】また、請求項2記載の半導体記憶装置によ
れば、大容量データを書換不可能な不揮発性メモリに記
憶させ、前記大容量データの修正データや追記データの
ような比較的小容量のデータを書換可能な不揮発性メモ
リに記憶させることができるので、短時間で効率良くデ
ータの更新を行うことが可能となる。特に通信帯域の制
限されたネットワークでデータ伝送を行う場合はネット
ワークのトラフィックを低減させることが可能となる。
Further, according to the semiconductor memory device of the present invention, the large-capacity data is stored in the non-rewritable nonvolatile memory, and the relatively small-capacity data such as the correction data of the large-capacity data or the additional recording data is stored. Since data can be stored in a rewritable nonvolatile memory, data can be updated efficiently in a short time. In particular, when data transmission is performed on a network with a limited communication band, it is possible to reduce network traffic.

【0045】そして、請求項3記載の認証システムによ
れば、認証用機器のインターフェース仕様がメモリセル
アレイのフォーマット格納領域に記憶した制御データと
適合しない限り、その格納情報を取り出すことは困難で
あるから、セキュリティの高い認証システムを得ること
ができる。
According to the authentication system of the third aspect, it is difficult to retrieve the stored information unless the interface specification of the authentication device matches the control data stored in the format storage area of the memory cell array. Thus, an authentication system with high security can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る半導体記憶装置の一実施形態を示
す概略ブロック図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing one embodiment of a semiconductor memory device according to the present invention.

【図2】本発明に係るメモリセルアレイの例を模式的に
示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an example of a memory cell array according to the present invention.

【図3】本発明に係るメモリセルアレイの他の例を模式
的に示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view schematically showing another example of the memory cell array according to the present invention.

【図4】入出力フォーマット制御回路と外部システム装
置の両者のインターフェースを一致させる手順を示すフ
ローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing a procedure for matching the interfaces of both the input / output format control circuit and the external system device.

【図5】認証用メモリカードのメモリセルアレイの格納
データの構成例を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a configuration example of data stored in a memory cell array of an authentication memory card.

【図6】認証用メモリカードと認証用機器の構成例を示
す概略ブロック図である。
FIG. 6 is a schematic block diagram illustrating a configuration example of an authentication memory card and an authentication device.

【図7】認証用メモリカードを用いた認証手順の概略を
示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing an outline of an authentication procedure using an authentication memory card.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体記憶装置 2 外部システム装置 3 入出力フォーマット制御回路 4 メモリセルアレイ 5 フォーマット格納領域 6 データ格納領域 6a 書換不可能領域 6b 書換可能領域 30 認証用メモリカード 31 処理部 32 インターフェース 33 入力手段 34 ユーザー認証手段 Reference Signs List 1 semiconductor storage device 2 external system device 3 input / output format control circuit 4 memory cell array 5 format storage area 6 data storage area 6a non-rewritable area 6b rewritable area 30 authentication memory card 31 processing unit 32 interface 33 input means 34 user authentication means

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11C 17/00 601P 601U Fターム(参考) 5B017 AA01 BA05 BA07 CA11 CA12 CA14 CA16 5B018 GA10 HA26 JA26 MA24 NA06 QA11 RA11 5B025 AD00 AE00 AE10 5B035 BB09 BC05 CA11 5B058 CA23 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat II (reference) G11C 17/00 601P 601U F term (reference) 5B017 AA01 BA05 BA07 CA11 CA12 CA14 CA16 5B018 GA10 HA26 JA26 MA24 NA06 QA11 RA11 5B025 AD00 AE00 AE10 5B035 BB09 BC05 CA11 5B058 CA23

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数種類の入出力フォーマットの制御デ
ータを記憶したフォーマット格納領域を備えたメモリセ
ルアレイと、 当該外部システム装置のインターフェース仕様を認識
し、認識した前記インターフェース仕様に適合する前記
入出力フォーマットの前記制御データを前記フォーマッ
ト格納領域から読み出し、当該制御データにより自身の
インターフェース仕様をプログラム可能に設定される入
出力フォーマット制御回路と、を備えることを特徴とす
る半導体記憶装置。
A memory cell array having a format storage area storing control data of a plurality of types of input / output formats; and an input / output format adapted to recognize an interface specification of the external system device and conform to the recognized interface specification. A read / write format control circuit for reading out the control data from the format storage area and setting its own interface specifications in a programmable manner by the control data.
【請求項2】 前記メモリセルアレイが前記フォーマッ
ト格納領域に加えてデータ格納領域を備えて、該データ
格納領域を、大容量データを記憶する電気的に書換不可
能な不揮発性メモリと、データ追記用の書換可能な不揮
発性メモリとから構成してなる請求項1記載の半導体記
憶装置。
2. The memory cell array further comprises a data storage area in addition to the format storage area, wherein the data storage area includes an electrically non-rewritable nonvolatile memory for storing a large amount of data, 2. The semiconductor memory device according to claim 1, comprising a rewritable nonvolatile memory.
【請求項3】 半導体記憶装置と、該半導体記憶装置の
指定内容を認証する認証用機器とからなる認証システム
であって、 前記半導体記憶装置が、 複数種類の入出力フォーマットの制御データを記憶した
フォーマット格納領域を備えたメモリセルアレイと、 当該認証用機器のインターフェース仕様を認識し、認識
した前記インターフェース仕様に適合する前記入出力フ
ォーマットの前記制御データを前記フォーマット格納領
域から読み出し、当該制御データにより自身のインター
フェース仕様をプログラム可能に設定される入出力フォ
ーマット制御回路と、を備え、 前記認証用機器が、前記入出力フォーマット制御回路を
介して前記メモリセルアレイから取得した格納情報に基
づき当該半導体記憶装置の指定内容を認証することを特
徴とする認証システム。
3. An authentication system comprising a semiconductor memory device and an authentication device for authenticating specified contents of the semiconductor memory device, wherein the semiconductor memory device stores control data of a plurality of input / output formats. A memory cell array having a format storage area, recognizing an interface specification of the authentication device, reading the control data of the input / output format conforming to the recognized interface specification from the format storage area, and An input / output format control circuit that sets the interface specifications of the semiconductor memory device based on storage information obtained from the memory cell array via the input / output format control circuit. Characterize specified contents Authentication system.
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