JP2001280215A - マグネティックシェープメモリー式燃料噴射弁 - Google Patents
マグネティックシェープメモリー式燃料噴射弁Info
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- JP2001280215A JP2001280215A JP2000093932A JP2000093932A JP2001280215A JP 2001280215 A JP2001280215 A JP 2001280215A JP 2000093932 A JP2000093932 A JP 2000093932A JP 2000093932 A JP2000093932 A JP 2000093932A JP 2001280215 A JP2001280215 A JP 2001280215A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構造が簡単で、応答性が速く、変位量が大き
く、しかも低コストな燃料噴射弁を提供する。 【解決手段】 先端部に噴射口を有するノズルボディ
（１）と、ノズルボディ（１）の基端部に一体的に取り
付けられた筐体（２）と、筐体（２）内に設けられた筒
状のコイル（５）と、コイル（５）の中心部に保持さ
れ、印加される磁界に応じて軸線方向に伸長または収縮
するマグネティックシェープメモリー素子（７）と、マ
グネティックシェープメモリー素子（７）の先端側にロ
ッド（１１）を介して連結されノズルボディ（１）の噴
射口を開閉する弁体（１３）とを具備した燃料噴射弁。
く、しかも低コストな燃料噴射弁を提供する。 【解決手段】 先端部に噴射口を有するノズルボディ
（１）と、ノズルボディ（１）の基端部に一体的に取り
付けられた筐体（２）と、筐体（２）内に設けられた筒
状のコイル（５）と、コイル（５）の中心部に保持さ
れ、印加される磁界に応じて軸線方向に伸長または収縮
するマグネティックシェープメモリー素子（７）と、マ
グネティックシェープメモリー素子（７）の先端側にロ
ッド（１１）を介して連結されノズルボディ（１）の噴
射口を開閉する弁体（１３）とを具備した燃料噴射弁。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、燃料噴射弁に関
し、特に内燃機関に用いるのに適したマグネティックシ
ェープメモリー素子を利用した燃料噴射弁に関する。
し、特に内燃機関に用いるのに適したマグネティックシ
ェープメモリー素子を利用した燃料噴射弁に関する。
【０００２】
【従来の技術】化石燃料、特にガソリンに依存した車社
会が引き起こした環境汚染を是正するために、近年の排
気規制は必要不可欠なものである。この規制に伴って、
内燃機関に少ない燃料を効率よく直接供給する直接噴射
が有効な手段の一つであると考えられている。ただし現
状では直接噴射の問題点として、噴射弁の応答性が挙げ
られている。
会が引き起こした環境汚染を是正するために、近年の排
気規制は必要不可欠なものである。この規制に伴って、
内燃機関に少ない燃料を効率よく直接供給する直接噴射
が有効な手段の一つであると考えられている。ただし現
状では直接噴射の問題点として、噴射弁の応答性が挙げ
られている。
【０００３】すなわち、燃料噴射弁において内燃機関内
に直接燃料を噴射するためには、高圧高速噴射が必要と
なる。これまで、ガソリン機関用の燃料噴射弁を高圧お
よび高速化するために各種の方式が検討されている。そ
の方式として、従来の電磁式を改良する方式、圧電素子
を利用する方式，磁歪素子を利用する方式が有力視され
ている。
に直接燃料を噴射するためには、高圧高速噴射が必要と
なる。これまで、ガソリン機関用の燃料噴射弁を高圧お
よび高速化するために各種の方式が検討されている。そ
の方式として、従来の電磁式を改良する方式、圧電素子
を利用する方式，磁歪素子を利用する方式が有力視され
ている。
【０００４】このうち、磁歪素子を利用する燃料噴射弁
では、磁場を印加することにより磁歪素子を伸長させて
磁歪素子に連結された弁体を駆動させ、弁体と弁座との
間隙を通して噴射口から燃料を噴射するようにしてい
る。このような磁歪素子を用いた燃料噴射弁は、例えば
特開平４−８１５６５号公報に記載されている。
では、磁場を印加することにより磁歪素子を伸長させて
磁歪素子に連結された弁体を駆動させ、弁体と弁座との
間隙を通して噴射口から燃料を噴射するようにしてい
る。このような磁歪素子を用いた燃料噴射弁は、例えば
特開平４−８１５６５号公報に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、磁歪素子は変
位量が極めて小さいため、燃料噴射弁の構成が複雑にな
り、高速な開弁動作を行わせるには信頼性が低いうえ
に、燃料噴射弁ユニットが大きくなるという問題があ
る。また、磁歪素子はテルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシ
ウム（Ｄｙ）等の非常に高価な元素を用いるため、素子
自体のコストが非常に高くなるという欠点もある。
位量が極めて小さいため、燃料噴射弁の構成が複雑にな
り、高速な開弁動作を行わせるには信頼性が低いうえ
に、燃料噴射弁ユニットが大きくなるという問題があ
る。また、磁歪素子はテルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシ
ウム（Ｄｙ）等の非常に高価な元素を用いるため、素子
自体のコストが非常に高くなるという欠点もある。
【０００６】本発明の目的は、低コストでしかも変位量
が大きく応答性の高いマグネティックシェープメモリー
（ＭＳＭ）合金を用いた燃料噴射弁を提供することにあ
る。
が大きく応答性の高いマグネティックシェープメモリー
（ＭＳＭ）合金を用いた燃料噴射弁を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のマグネティック
シェープメモリー式燃料噴射弁は、先端部に噴射口を有
するノズルボディと、前記ノズルボディの基端部に一体
的に取り付けられた筐体と、前記筐体内に設けられた筒
状のコイルと、前記コイルの中心部に保持され、印加さ
れる磁界に応じて軸線方向に伸長または収縮するマグネ
ティックシェープメモリー（ＭＳＭ）素子と、前記マグ
ネティックシェープメモリー素子の先端側に連結され前
記ノズルボディの噴射口を開閉する弁体とを具備したこ
とを特徴とする。
シェープメモリー式燃料噴射弁は、先端部に噴射口を有
するノズルボディと、前記ノズルボディの基端部に一体
的に取り付けられた筐体と、前記筐体内に設けられた筒
状のコイルと、前記コイルの中心部に保持され、印加さ
れる磁界に応じて軸線方向に伸長または収縮するマグネ
ティックシェープメモリー（ＭＳＭ）素子と、前記マグ
ネティックシェープメモリー素子の先端側に連結され前
記ノズルボディの噴射口を開閉する弁体とを具備したこ
とを特徴とする。
【０００８】本発明の燃料噴射弁においては、マグネテ
ィックシェープメモリー素子の温度を制御する温度制御
手段を設けることが好ましい。
ィックシェープメモリー素子の温度を制御する温度制御
手段を設けることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のマグネティックシェープ
メモリー式燃料噴射弁では、コイルに通電してＭＳＭ素
子に磁界を印加することにより、ＭＳＭ素子に歪みを生
じさせると同時にＭＳＭ素子に連結されたロッドおよび
弁体を作動させて噴射口を開閉する。ＭＳＭ素子を構成
するＭＳＭ合金は磁界に対する歪み発生の応答性が速い
ので、弁を高速に開閉することができる。
メモリー式燃料噴射弁では、コイルに通電してＭＳＭ素
子に磁界を印加することにより、ＭＳＭ素子に歪みを生
じさせると同時にＭＳＭ素子に連結されたロッドおよび
弁体を作動させて噴射口を開閉する。ＭＳＭ素子を構成
するＭＳＭ合金は磁界に対する歪み発生の応答性が速い
ので、弁を高速に開閉することができる。
【００１０】本発明において、ＭＳＭ素子を構成する合
金としては、Ｎｉ2ＭｎＧａ，Ｃｏ2ＭｎＧａ，ＦｅＰ
ｔ，ＣｏＮｉ，ＦｅＮｉＣｏＴｉ，ＭｎＣｏＧｅ等が挙
げられる。例えばＮｉ2ＭｎＧａ合金の場合には外部磁
化を印加することにより、マルテンサイト変態に基づく
結晶構造変化により歪みを得ることができる。特に好ま
しい合金としては、上記の合金の構成元素の一部を異種
元素で置換したものが挙げられる。このような合金で
は、より大きな変位量が得られる。
金としては、Ｎｉ2ＭｎＧａ，Ｃｏ2ＭｎＧａ，ＦｅＰ
ｔ，ＣｏＮｉ，ＦｅＮｉＣｏＴｉ，ＭｎＣｏＧｅ等が挙
げられる。例えばＮｉ2ＭｎＧａ合金の場合には外部磁
化を印加することにより、マルテンサイト変態に基づく
結晶構造変化により歪みを得ることができる。特に好ま
しい合金としては、上記の合金の構成元素の一部を異種
元素で置換したものが挙げられる。このような合金で
は、より大きな変位量が得られる。
【００１１】たとえば、Ｎｉ2ＭｎＧａの構成元素の一
部を異種元素で置換した合金として、Ｎｉの一部をＣｕ
で置換するか、Ｍｎの一部をＳｎ，Ｔｉ，Ｓｂからなる
群より選択される少なくとも１種で置換するか、または
Ｇａの一部をＳｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｉｎから
なる群より選択される少なくとも１種で置換した合金が
挙げられる。
部を異種元素で置換した合金として、Ｎｉの一部をＣｕ
で置換するか、Ｍｎの一部をＳｎ，Ｔｉ，Ｓｂからなる
群より選択される少なくとも１種で置換するか、または
Ｇａの一部をＳｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｉｎから
なる群より選択される少なくとも１種で置換した合金が
挙げられる。
【００１２】また、ＭｎＣｏＧｅの構成元素の一部を異
種元素で置換した合金として、Ｃｏの一部をＦｅ，Ｎｉ
からなる群より選択される少なくとも１種の元素で置換
するか、またはＧｅの一部をＳｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｇａか
らなる群より選択される少なくとも１種の元素で置換し
た合金が挙げられる。
種元素で置換した合金として、Ｃｏの一部をＦｅ，Ｎｉ
からなる群より選択される少なくとも１種の元素で置換
するか、またはＧｅの一部をＳｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｇａか
らなる群より選択される少なくとも１種の元素で置換し
た合金が挙げられる。
【００１３】ＭＳＭ素子は、温度によって歪み量が変化
する特徴も有している。そこで合金の組成によっては、
この素子または素子を構成しているユニットを温度制御
する必要がある。
する特徴も有している。そこで合金の組成によっては、
この素子または素子を構成しているユニットを温度制御
する必要がある。
【００１４】例えば、Ｎｉ2ＭｎＧａ合金を使用する場
合には、マルテンサイト変態終了温度（Ａｆ）が−３０
℃程度と非常に低いため、冷却することにより特性が発
揮される。この場合、機関の冷却水をＭＳＭ素子の周辺
に導くことにより、素子温度を制御することも考えられ
る。
合には、マルテンサイト変態終了温度（Ａｆ）が−３０
℃程度と非常に低いため、冷却することにより特性が発
揮される。この場合、機関の冷却水をＭＳＭ素子の周辺
に導くことにより、素子温度を制御することも考えられ
る。
【００１５】一方、Ｍｎ0.3Ｃｏ0.3Ｆｅ0.05Ｃｕ0.1Ｇ
ｅ0.2Ａｌ0.1合金を使用した場合には、Ａｆが１００℃
程度と高いため、加熱することにより歪み率を大きくす
ることが可能になる。この場合、燃料噴射に伴って燃料
室で生じた熱を利用して加熱することが考えられる。
ｅ0.2Ａｌ0.1合金を使用した場合には、Ａｆが１００℃
程度と高いため、加熱することにより歪み率を大きくす
ることが可能になる。この場合、燃料噴射に伴って燃料
室で生じた熱を利用して加熱することが考えられる。
【００１６】また、温度制御手段を設ければ、ＭＳＭ素
子の温度変化を小さく抑えて弁の有効ストロークの変動
を小さくすることができる。
子の温度変化を小さく抑えて弁の有効ストロークの変動
を小さくすることができる。
【００１７】直噴システムに使用する燃料噴射弁は高圧
高速でなければならないが、本発明で用いられるＭＳＭ
素子は極めて大きい力を発生することができるので、高
圧高速に弁を開閉できる。ＭＳＭ素子の発生力に関して
重要なことは、素子に与えられる初期応力によって歪量
が左右される点であり、噴射弁を設計する際に最適の初
期応力を付与できる構造を採用することが好ましい。ま
た、高速で閉弁させて高圧燃料を遮断するためには弁を
閉じる十分な力が必要であるが、耐久性の面から制限さ
れるため、弁を閉じる十分な力を最適に設計する必要が
ある。こうした、ＭＳＭ素子に与える初期応力およびＭ
ＳＭ素子による閉弁力は、それぞれ独立したスプリング
によって設定することができる。
高速でなければならないが、本発明で用いられるＭＳＭ
素子は極めて大きい力を発生することができるので、高
圧高速に弁を開閉できる。ＭＳＭ素子の発生力に関して
重要なことは、素子に与えられる初期応力によって歪量
が左右される点であり、噴射弁を設計する際に最適の初
期応力を付与できる構造を採用することが好ましい。ま
た、高速で閉弁させて高圧燃料を遮断するためには弁を
閉じる十分な力が必要であるが、耐久性の面から制限さ
れるため、弁を閉じる十分な力を最適に設計する必要が
ある。こうした、ＭＳＭ素子に与える初期応力およびＭ
ＳＭ素子による閉弁力は、それぞれ独立したスプリング
によって設定することができる。
【００１８】本発明の対象となる燃料噴射弁には、外開
き弁と内開き弁があるが、ＭＳＭ素子はそのどちらにも
対応することができる。ＭＳＭ素子を用いて例えば内開
き弁を構成すれば、先端にデポジット（燃焼残渣などの
異物）が堆積することにより燃料の噴射形状が変化して
適切な燃料の噴射を妨げるという問題は生じない。
き弁と内開き弁があるが、ＭＳＭ素子はそのどちらにも
対応することができる。ＭＳＭ素子を用いて例えば内開
き弁を構成すれば、先端にデポジット（燃焼残渣などの
異物）が堆積することにより燃料の噴射形状が変化して
適切な燃料の噴射を妨げるという問題は生じない。
【００１９】以上のように、本発明の燃料噴射弁は、Ｍ
ＳＭ素子を用いることにより簡単な構造で高圧高速に弁
を開閉することができ、高い信頼性が得られる。
ＳＭ素子を用いることにより簡単な構造で高圧高速に弁
を開閉することができ、高い信頼性が得られる。
【００２０】以下、本発明の実施形態を図面に基づいて
説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る燃料噴射
弁の断面図である。
説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る燃料噴射
弁の断面図である。
【００２１】この燃料噴射弁は、先端部に噴射口１ａを
有するノズルボディ１と、ノズルボディ１の基端部に一
体的に取り付けられた円筒形の筐体２とからなる外形を
有する。筐体２の上端には燃料注入部２ａが設けられて
いる。筐体２内のノズルボディ側には支持部材３が固定
されており、この支持部材３上にコイル４を収容した円
筒形のコイル筺体５が固定されている。コイル筺体５の
中心部には、固定板６に取り付けられた円柱形の中実の
ＭＳＭ素子７が挿入されており、固定板６の周縁部はコ
イル筺体５の上端に当接している。ＭＳＭ素子７は、磁
場の印加により伸びる性質を有する合金からなり、具体
的な材料としては例えばＮｉ2ＭｎＧａ合金が用いられ
ている。固定板６と筺体２の上部内側との間にはバネ８
が設けられており、このバネ８は固定板６に下方向への
強い付勢力を与えている。ＭＳＭ素子７の上端は固定板
６により押さえつけられているため固定端となってお
り、コイル４への通電によりＭＳＭ素子７が伸長して
も、その位置は変わらない。固定板６はＭＳＭ素子７に
おいて発生する力を垂直面で受けることにより、ＭＳＭ
素子４の劈開を防止して、長寿命化を図ることができ
る。一方、ＭＳＭ素子７の下端は自由端となっており、
コイル４の通電によりＭＳＭ素子７が伸長すると、その
位置は変位する。ＭＳＭ素子７の下端には受け板９が取
り付けられ、受け板９の外周にはＯリング（図示せず）
が取り付けられており、ＭＳＭ素子７の外周に燃料が付
着することを防止している。受け板９と筐体２の下部内
側との間にはバネ１０が挿入されている。受け板９の下
端にはロッド１１が取り付けられ、ロッド１１のノズル
ボディ１内の位置にはガイド１２が、ロッド１１の先端
には球弁１３が取り付けられている。また、筐体２の外
周には温度制御手段としてジャケット１４が設けられ、
例えば水などの熱容量の高い液体が充填される。冷却効
率を高めるためには、このジャケット１４には多数の放
熱フィン１５を取り付けてもよい。これらの温度制御手
段によりＭＳＭ素子の温度上昇を防止することができ
る。
有するノズルボディ１と、ノズルボディ１の基端部に一
体的に取り付けられた円筒形の筐体２とからなる外形を
有する。筐体２の上端には燃料注入部２ａが設けられて
いる。筐体２内のノズルボディ側には支持部材３が固定
されており、この支持部材３上にコイル４を収容した円
筒形のコイル筺体５が固定されている。コイル筺体５の
中心部には、固定板６に取り付けられた円柱形の中実の
ＭＳＭ素子７が挿入されており、固定板６の周縁部はコ
イル筺体５の上端に当接している。ＭＳＭ素子７は、磁
場の印加により伸びる性質を有する合金からなり、具体
的な材料としては例えばＮｉ2ＭｎＧａ合金が用いられ
ている。固定板６と筺体２の上部内側との間にはバネ８
が設けられており、このバネ８は固定板６に下方向への
強い付勢力を与えている。ＭＳＭ素子７の上端は固定板
６により押さえつけられているため固定端となってお
り、コイル４への通電によりＭＳＭ素子７が伸長して
も、その位置は変わらない。固定板６はＭＳＭ素子７に
おいて発生する力を垂直面で受けることにより、ＭＳＭ
素子４の劈開を防止して、長寿命化を図ることができ
る。一方、ＭＳＭ素子７の下端は自由端となっており、
コイル４の通電によりＭＳＭ素子７が伸長すると、その
位置は変位する。ＭＳＭ素子７の下端には受け板９が取
り付けられ、受け板９の外周にはＯリング（図示せず）
が取り付けられており、ＭＳＭ素子７の外周に燃料が付
着することを防止している。受け板９と筐体２の下部内
側との間にはバネ１０が挿入されている。受け板９の下
端にはロッド１１が取り付けられ、ロッド１１のノズル
ボディ１内の位置にはガイド１２が、ロッド１１の先端
には球弁１３が取り付けられている。また、筐体２の外
周には温度制御手段としてジャケット１４が設けられ、
例えば水などの熱容量の高い液体が充填される。冷却効
率を高めるためには、このジャケット１４には多数の放
熱フィン１５を取り付けてもよい。これらの温度制御手
段によりＭＳＭ素子の温度上昇を防止することができ
る。
【００２２】この燃料噴射弁では、外部から筐体２の燃
料注入部２ａへ高圧の燃料を注入しておき、コイル４に
通電してＭＳＭ素子７に磁界を印加することにより、Ｍ
ＳＭ素子７に歪みを生じさせると同時にＭＳＭ素子７に
連結されたロッド１１および弁体１３を作動させて噴射
口１ａを開閉し、燃料の噴射・停止を行う。そして、Ｍ
ＳＭ素子７は磁界に対する歪み発生の応答性が速いの
で、弁を高速に開閉することができる。
料注入部２ａへ高圧の燃料を注入しておき、コイル４に
通電してＭＳＭ素子７に磁界を印加することにより、Ｍ
ＳＭ素子７に歪みを生じさせると同時にＭＳＭ素子７に
連結されたロッド１１および弁体１３を作動させて噴射
口１ａを開閉し、燃料の噴射・停止を行う。そして、Ｍ
ＳＭ素子７は磁界に対する歪み発生の応答性が速いの
で、弁を高速に開閉することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
グネティックシェープメモリー合金を用いることによ
り、構造が簡単で、応答性が速く、変位量が大きく、し
かも低コストな燃料噴射弁を提供することができる。
グネティックシェープメモリー合金を用いることによ
り、構造が簡単で、応答性が速く、変位量が大きく、し
かも低コストな燃料噴射弁を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態によるマグネティックシェ
ープメモリー式燃料噴射弁の断面図。
ープメモリー式燃料噴射弁の断面図。
１…ノズルボディ ２…筐体 ３…支持部材 ４…コイル ５…コイル筺体 ６…固定板 ７…ＭＳＭ素子 ８…バネ ９…受け板 １０…バネ １１…ロッド １２…ガイド １３…球弁 １４…ジャケット １５…放熱フィン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 剛史 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 3G066 AA01 AB02 BA19 BA61 CC01 CC06U CC15 CE27 CE31 CE34 DC14
Claims (2)
- 【請求項１】 先端部に噴射口を有するノズルボディ
と、前記ノズルボディの基端部に一体的に取り付けられ
た筐体と、前記筐体内に設けられた筒状のコイルと、前
記コイルの中心部に保持され、印加される磁界に応じて
軸線方向に伸長または収縮するマグネティックシェープ
メモリー素子と、前記マグネティックシェープメモリー
素子の先端側に連結され前記ノズルボディの噴射口を開
閉する弁体とを具備したことを特徴とするマグネティッ
クシェープメモリー式燃料噴射弁。 - 【請求項２】 前記マグネティックシェープメモリー素
子の温度を制御する温度制御手段を設けたことを特徴と
する請求項１記載のマグネティックシェープメモリー式
燃料噴射弁。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000093932A JP2001280215A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | マグネティックシェープメモリー式燃料噴射弁 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000093932A JP2001280215A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | マグネティックシェープメモリー式燃料噴射弁 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001280215A true JP2001280215A (ja) | 2001-10-10 |
Family
ID=18609053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000093932A Pending JP2001280215A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | マグネティックシェープメモリー式燃料噴射弁 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001280215A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1760796A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung mit einem Formgedächtniselement |
| US8237525B2 (en) | 2004-12-16 | 2012-08-07 | Robert Bosch Gmbh | Device having a shape memory element |
| DE102006046400B4 (de) * | 2006-09-29 | 2015-03-12 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung eines Linearhubes mit einem magnetischen Formgedächtniselement |
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-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000093932A patent/JP2001280215A/ja active Pending
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