JP2001274130A - Method of wet cleaning and manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method of wet cleaning and manufacturing semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハを
ウェット洗浄する半導体装置のウェット洗浄方法および
半導体装置の製造方法に関するもので、特に洗浄度合い
を向上させるためのものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for wet cleaning a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for improving the degree of cleaning.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体ウエハのウェット洗浄方法
としては、洗浄液内に半導体ウエハを浸漬して、所望時
間放置して洗浄する方法がある。しかし、ただ単に洗浄
液に半導体ウエハを浸漬させているだけでは、前処理工
程において半導体ウエハ上に付着している処理液が洗浄
液に置換されるまでに時間を要し、エッチング処理の後
の例えば水洗などのウェット洗浄の場合、エッチング処
理液が半導体ウエハ上に必要時間以上残存してしまい、
所望のエッチング精度を得ることができなくなる。ま
た、半導体ウエハ表面の異物の除去が効率的に行われな
くなるという問題点があった。2. Description of the Related Art As a conventional wet cleaning method for a semiconductor wafer, there is a method in which a semiconductor wafer is immersed in a cleaning liquid and left for a desired time to perform cleaning. However, simply immersing the semiconductor wafer in the cleaning liquid requires time until the processing liquid adhering to the semiconductor wafer is replaced by the cleaning liquid in the pre-processing step. In the case of wet cleaning such as, the etching treatment liquid remains on the semiconductor wafer for more than a necessary time,
The desired etching accuracy cannot be obtained. In addition, there is a problem that the removal of foreign matter from the surface of the semiconductor wafer cannot be performed efficiently.
【０００３】また、このことは複数の半導体ウエハを同
時に洗浄する場合、低コストにて製造するために洗浄槽
は小さくされ、半導体ウエハ間の距離を狭く配置されて
おり、この状態にて各半導体ウエハを洗浄液内に浸漬さ
せても、各半導体ウエハ間での処理液の置換および異物
の除去などは行われにくく、洗浄度合いがさらに低下す
るという問題点があった。[0003] This also means that when cleaning a plurality of semiconductor wafers simultaneously, the cleaning tank is made small and the distance between the semiconductor wafers is narrowed in order to manufacture the semiconductor wafer at low cost. Even if the wafer is immersed in the cleaning liquid, the replacement of the processing liquid and the removal of foreign substances between the semiconductor wafers are difficult to be performed, and there is a problem that the cleaning degree is further reduced.
【０００４】そこで、これらのことを解決するために、
特開昭５６−６４４２号公報に例えば、洗浄液の貯溜さ
れた洗浄槽に半導体ウエハを浸漬し、洗浄液中にて半導
体ウエハを左右または上下に動かして、洗浄する方法が
提案されている。また、他の従来例としては、特開平５
−１３３９７号公報に例えば、洗浄液の貯溜された洗浄
槽に超音波を印加して、洗浄液に半導体ウエハを浸漬し
て洗浄する方法が提案されている。また、他の従来例と
しては、特開平７−２２３７１号公報に例えば、洗浄液
の貯溜された洗浄槽に半導体ウエハを浸漬し、不活性ガ
スを供給して洗浄する方法が提案されている。また、こ
れら従来の方法を、洗浄液を洗浄槽からオーバーフロー
させながら行う方法が提案されている。In order to solve these problems,
JP-A-56-6442 proposes, for example, a method of immersing a semiconductor wafer in a cleaning tank storing a cleaning liquid and moving the semiconductor wafer left and right or up and down in the cleaning liquid for cleaning. Another conventional example is disclosed in
For example, JP-A-13397 proposes a method in which ultrasonic waves are applied to a cleaning tank in which a cleaning liquid is stored, and the semiconductor wafer is immersed in the cleaning liquid for cleaning. As another conventional example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-22371 proposes, for example, a method of immersing a semiconductor wafer in a cleaning tank in which a cleaning liquid is stored, and supplying an inert gas to perform cleaning. In addition, a method has been proposed in which these conventional methods are performed while a cleaning liquid overflows from a cleaning tank.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハの
ウェット洗浄方法は上記のように行われているが、処理
液と洗浄液との置換を短時間にて十分に行うことができ
ず、所望の洗浄度合いを得ることができないという問題
点があった。The conventional wet cleaning method for a semiconductor wafer is performed as described above, but the replacement between the processing liquid and the cleaning liquid cannot be sufficiently performed in a short time. There was a problem that the cleaning degree could not be obtained.
【０００６】さらに、洗浄槽に超音波を印加して洗浄す
る場合、超音波を全ての部分において均一に発生させる
ことは難しく、局部的に強くなる箇所が生じる。よって
半導体ウエハのその箇所に相当する部分にダメージが発
生する可能性がある。また、そのことを防止するために
超音波を低くおさえると、全体として洗浄度合いが低下
するという問題点があった。このことにより従来の半導
体装置のウェット洗浄方法を用いて半導体装置の製造方
法を行うと半導体装置の精度が低下するという問題点が
あった。Further, when applying ultrasonic waves to the cleaning tank for cleaning, it is difficult to generate ultrasonic waves uniformly in all parts, and there are places where the ultrasonic waves are locally strong. Therefore, there is a possibility that a portion corresponding to that portion of the semiconductor wafer is damaged. Further, if the ultrasonic wave is kept low to prevent this, there is a problem that the degree of cleaning is reduced as a whole. As a result, there is a problem that the accuracy of the semiconductor device is reduced when the method for manufacturing the semiconductor device is performed by using the conventional wet cleaning method for the semiconductor device.
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためなされたもので、洗浄度合いを向上することができ
る半導体装置のウェット洗浄方法および半導体装置の精
度を向上することができる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a wet cleaning method for a semiconductor device capable of improving the degree of cleaning and the manufacture of a semiconductor device capable of improving the accuracy of the semiconductor device. The aim is to provide a method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の半導体装置のウェット洗浄方法は、洗浄液を洗浄槽か
らオーバーフローするように供給しながら、洗浄液に半
導体装置を浸漬して半導体装置を洗浄する半導体装置の
ウェット洗浄方法において、半導体装置の洗浄中に、半
導体装置を洗浄液から１度以上露出させるものである。Means for Solving the Problems Claim 1 according to the present invention.
The wet cleaning method for a semiconductor device is a semiconductor device wet cleaning method in which a semiconductor device is immersed in a cleaning solution to wash the semiconductor device while a cleaning solution is supplied so as to overflow from a cleaning tank. The semiconductor device is exposed at least once from the cleaning liquid.
【０００９】また、この発明に係る請求項２の半導体装
置のウェット洗浄方法は、請求項１において、複数の半
導体装置を均等な間隔にて配置して同時に処理を行うも
のである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a wet cleaning method for a semiconductor device according to the first aspect, wherein a plurality of semiconductor devices are arranged at equal intervals to perform processing simultaneously.
【００１０】また、この発明に係る請求項３の半導体装
置のウェット洗浄方法は、洗浄液の溜まっている洗浄槽
に、不活性ガスを洗浄液に供給しながら超音波を印加し
て、洗浄液に半導体装置を浸漬して洗浄するものであ
る。According to a third aspect of the present invention, there is provided a wet cleaning method for a semiconductor device, wherein an ultrasonic gas is applied to a cleaning tank in which a cleaning liquid is stored while supplying an inert gas to the cleaning liquid, and the semiconductor device is applied to the cleaning liquid. For washing.
【００１１】また、この発明に係る請求項４の半導体装
置のウェット洗浄方法は、請求項３において、不活性ガ
スを洗浄槽の底部側から供給するとともに、洗浄液を洗
浄槽からオーバーフローするように供給しながら行うも
のである。According to a fourth aspect of the present invention, in the wet cleaning method for a semiconductor device according to the third aspect, the inert gas is supplied from the bottom side of the cleaning tank and the cleaning liquid is supplied so as to overflow from the cleaning tank. While doing it.
【００１２】また、この発明に係る請求項５の半導体装
置のウェット洗浄方法は、複数の半導体装置を均等な間
隔にて配置して同時に同一の処理を行う場合の、複数の
半導体装置を洗浄液に浸漬して洗浄する半導体装置のウ
ェット洗浄方法において、洗浄時の各半導体装置間の間
隔を他の処理時の各半導体装置間の間隔より広くするも
のである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a wet cleaning method for a semiconductor device, wherein a plurality of semiconductor devices are arranged at equal intervals to perform the same processing at the same time. In a wet cleaning method for a semiconductor device which is immersed for cleaning, an interval between the semiconductor devices during cleaning is made wider than an interval between the semiconductor devices during another processing.
【００１３】また、この発明に係る請求項６の半導体装
置のウェット洗浄方法は、請求項５において、各半導体
装置の裏面と各半導体装置の表面とが向きあうように配
置され、処理液に各半導体装置を浸漬させ、各半導体装
置上に形成された酸化膜のエッチングを行う処理であ
る。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the wet cleaning method for a semiconductor device according to the fifth aspect, wherein the back surface of each semiconductor device and the front surface of each semiconductor device are arranged so as to face each other. This is a process of immersing a semiconductor device and etching an oxide film formed on each semiconductor device.
【００１４】また、この発明に係る請求項７の半導体装
置の製造方法は、半導体装置上に残存する不要物を取り
除くための半導体装置の洗浄工程を備えた半導体装置の
製造方法において、半導体装置の洗浄工程に、請求項１
ないし請求項６のいずれかに記載の半導体装置のウェッ
ト洗浄方法を用いるものである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device including a step of cleaning the semiconductor device to remove unnecessary substances remaining on the semiconductor device. Claim 1 in the washing step.
A wet cleaning method for a semiconductor device according to any one of claims 6 to 6 is used.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態について説明する。図１はこの発明の実施の
形態１の半導体製造装置を用いた半導体ウエハのウェッ
ト洗浄方法を説明するための図である。図において、１
は洗浄液２としての例えば純水が貯溜された洗浄槽、３
はこの洗浄槽１の底部に設けられた供給口で、洗浄液２
を洗浄槽１からオーバーフローするように供給する。４
は半導体ウエハ５をセットできるバスケット、６はこの
バスケット４を保持しながら上下に移動可能な移動手段
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram for explaining a wet cleaning method for a semiconductor wafer using the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. In the figure, 1
Is a cleaning tank in which pure water as a cleaning liquid 2 is stored, for example.
Is a supply port provided at the bottom of the cleaning tank 1 and a cleaning liquid 2
Is supplied from the washing tank 1 so as to overflow. 4
Is a basket on which the semiconductor wafer 5 can be set, and 6 is a moving means that can move up and down while holding the basket 4.
【００１６】上記のように構成された実施の形態１の半
導体製造装置による半導体ウエハのウェット洗浄方法に
ついて説明する。まず、洗浄槽１には洗浄液２がオーバ
ーフローするように供給口３から洗浄液２を常に供給し
ておく。次に、前処理工程から半導体ウエハ５がセット
されたバスケット４を移動し、移動手段６により洗浄液
２内にバスケット４を沈め、半導体ウエハ５を洗浄液２
に浸漬する（図１（ａ））。A method for wet cleaning a semiconductor wafer by the semiconductor manufacturing apparatus of the first embodiment configured as described above will be described. First, the cleaning liquid 2 is always supplied to the cleaning tank 1 from the supply port 3 so that the cleaning liquid 2 overflows. Next, the basket 4 on which the semiconductor wafers 5 are set is moved from the pretreatment step, and the basket 4 is immersed in the cleaning liquid 2 by the moving means 6, and the semiconductor wafers 5 are removed.
(FIG. 1A).
【００１７】次に、移動手段６により洗浄液２内からバ
スケット４を取り出し、半導体ウエハ５を洗浄液２から
露出させる（図１（ｂ））。次に再び移動手段６により
洗浄液２内にバスケット４を沈め、半導体ウエハ５を洗
浄液２に浸漬する（図１（ｃ））。このように洗浄中に
半導体ウエハ５を洗浄液２から露出させる。Next, the basket 4 is taken out of the cleaning liquid 2 by the moving means 6, and the semiconductor wafer 5 is exposed from the cleaning liquid 2 (FIG. 1B). Next, the basket 4 is again submerged in the cleaning liquid 2 by the moving means 6, and the semiconductor wafer 5 is immersed in the cleaning liquid 2 (FIG. 1C). Thus, the semiconductor wafer 5 is exposed from the cleaning liquid 2 during the cleaning.
【００１８】このようにすれば、半導体ウエハ５上は一
旦洗浄液２にて洗浄され、その後その洗浄液２は半導体
ウエハ５上から除去され、再び半導体ウエハ５上は洗浄
液２にて洗浄されることとなる。よって、半導体ウエハ
５の露出過程において、半導体ウエハ５は洗浄液２の液
面を通過することで、前処理工程における処理液および
異物は一旦洗浄液２と一緒に除去されるため、洗浄度合
いは格段に向上する。また、この洗浄中の半導体ウエハ
５の洗浄液２からの露出は１回以上であれば良く、何回
行うかは実験により判断すればよい。In this manner, the semiconductor wafer 5 is once cleaned with the cleaning liquid 2, the cleaning liquid 2 is thereafter removed from the semiconductor wafer 5, and the semiconductor wafer 5 is again cleaned with the cleaning liquid 2. Become. Therefore, in the process of exposing the semiconductor wafer 5, the semiconductor wafer 5 passes through the surface of the cleaning liquid 2, so that the processing liquid and foreign matters in the pre-processing step are once removed together with the cleaning liquid 2, so that the degree of cleaning is significantly improved. improves. Further, the semiconductor wafer 5 may be exposed to the cleaning liquid 2 at least once during the cleaning, and the number of exposures may be determined by an experiment.
【００１９】例としては、８インチの半導体ウエハを２
５枚所望の間隔を隔ててバスケットにセットした状態に
て、３ｃｍないし５ｃｍ／ｓｅｃの上下動速度にてバス
ケットを上下させ、洗浄中の半導体ウエハの露出を５回
程度行うと十分に洗浄できることが確認できた。As an example, an 8-inch semiconductor wafer is
In a state where five wafers are set in the basket at a desired interval, the basket is moved up and down at a vertical movement speed of 3 cm to 5 cm / sec, and the semiconductor wafer during the cleaning is exposed about five times. It could be confirmed.
【００２０】上記のように行われた実施の形態１の半導
体ウエハのウェット洗浄方法は、半導体ウエハの洗浄中
に、半導体ウエハを洗浄液から１度以上露出させるの
で、半導体ウエハ上の処理液と洗浄液との置換、および
異物の除去が、半導体ウエハ上の洗浄液が１回以上除去
されることで確実となり、洗浄度合いを向上させること
ができる。In the wet cleaning method for a semiconductor wafer according to the first embodiment performed as described above, the semiconductor wafer is exposed at least once from the cleaning liquid during the cleaning of the semiconductor wafer. And the removal of foreign matter are ensured by removing the cleaning liquid on the semiconductor wafer at least once, and the degree of cleaning can be improved.
【００２１】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２の半導体製造装置を用いた半導体ウエハのウェット
洗浄方法を説明するための図である。図において上記実
施の形態１と同様の部分は同一符号を付して説明を省略
する。７は洗浄槽１に超音波を印加することができる超
音波印加手段で、ここでは超音波発信子８にて超音波を
発生させ、超音波発信用水槽９を介して洗浄槽１に超音
波を印加している。Embodiment 2 FIG. FIG. 2 is a view for explaining a wet cleaning method for a semiconductor wafer using the semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Reference numeral 7 denotes an ultrasonic wave applying means capable of applying ultrasonic waves to the cleaning tank 1. Here, ultrasonic waves are generated by an ultrasonic transmitter 8, and the ultrasonic waves are transmitted to the cleaning tank 1 through an ultrasonic transmitting water tank 9. Is applied.
【００２２】１０は洗浄液２に不活性ガスを供給するよ
うに洗浄槽１の底部に形成された不活性ガス供給手段
で、配管に無数の穴が形成され、そこから不活性ガスと
しての例えばＮ2等を洗浄液２中にバブリングしながら
供給するように構成されており、洗浄液２の全体に均一
に不活性ガスを供給できるものである。Reference numeral 10 denotes an inert gas supply means formed at the bottom of the cleaning tank 1 so as to supply an inert gas to the cleaning liquid 2. An infinite number of holes are formed in the pipe, and an inert gas such as N 2 and the like are supplied to the cleaning liquid 2 while bubbling, so that the inert gas can be supplied uniformly to the entire cleaning liquid 2.
【００２３】上記のように構成された実施の形態２の半
導体製造装置による半導体ウエハのウェット洗浄方法に
ついて説明する。まず、前処理工程から半導体ウエハ５
がセットされたバスケット４を移動し、移動手段により
洗浄液２内にバスケット４を沈め、半導体ウエハ５を洗
浄液２に浸漬する。そして、超音波印加手段７および不
活性ガス供給手段１０により、不活性ガスを供給しなが
ら超音波を印加する。A wet cleaning method for a semiconductor wafer by the semiconductor manufacturing apparatus of the second embodiment configured as described above will be described. First, the semiconductor wafer 5
Is moved, the basket 4 is submerged in the cleaning liquid 2 by the moving means, and the semiconductor wafer 5 is immersed in the cleaning liquid 2. Then, ultrasonic waves are applied by the ultrasonic wave applying means 7 and the inert gas supply means 10 while supplying the inert gas.
【００２４】このようにすれば、超音波の印加が局部的
に強くなる箇所を不活性ガスの供給により緩和すること
ができ、超音波により効果的に半導体ウエハ５を洗浄す
ることができる。さらに、洗浄槽１には洗浄液２がオー
バーフローするように供給しておけば、不活性ガスの下
方から上方への流れが一層均一化され、より一層効果的
である。In this way, the location where the application of ultrasonic waves becomes locally strong can be reduced by the supply of the inert gas, and the semiconductor wafer 5 can be effectively cleaned by the ultrasonic waves. Further, if the cleaning liquid 2 is supplied to the cleaning tank 1 so as to overflow, the flow of the inert gas from below to above becomes more uniform, which is more effective.
【００２５】上記のように行われた実施の形態２の半導
体ウエハのウェット洗浄方法は、半導体ウエハの洗浄中
に、半導体ウエハを洗浄は不活性ガスを供給しながら超
音波を印加して行うので、半導体ウエハ上のダメージを
最小限にとどめることができ、洗浄度合いを向上させる
ことができる。In the wet cleaning method for a semiconductor wafer according to the second embodiment performed as described above, the cleaning of the semiconductor wafer is performed by applying ultrasonic waves while supplying an inert gas during the cleaning of the semiconductor wafer. In addition, damage on the semiconductor wafer can be minimized, and the degree of cleaning can be improved.
【００２６】次に、複数の半導体ウエハを均等な間隔に
て配置して同時に同一の処理を行う場合について説明す
る。複数の半導体ウエハはその製造中において間隔を維
持したまま、ウェット工程を行うのが一般的である。そ
して、低コストにて行おうとすれば、各半導体ウエハ間
の間隔を狭めて、処理槽自体を小さくして対応する必要
があった。しかし、このような間隔にてウェット洗浄を
行うと各半導体ウエハ間を十分に洗浄することができな
い。Next, a case where a plurality of semiconductor wafers are arranged at equal intervals and the same processing is performed simultaneously will be described. In general, a plurality of semiconductor wafers are subjected to a wet process while maintaining the intervals during the manufacture. In order to reduce the cost, it is necessary to reduce the distance between the semiconductor wafers and reduce the size of the processing bath itself. However, if wet cleaning is performed at such intervals, it is not possible to sufficiently clean between semiconductor wafers.
【００２７】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３の半導体ウエハのウェット洗浄方法を説明するため
の半導体ウエハの製造工程を示した上面図で、複数の半
導体ウエハ５を均等な間隔にて、ここでは、各半導体ウ
エハ５の裏面と各半導体ウエハ５の表面とが向きあうよ
うに配置されている。図において、上記各実施の形態と
同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。Embodiment 3 FIG. 3 is a top view showing a semiconductor wafer manufacturing process for explaining a wet cleaning method for a semiconductor wafer according to a third embodiment of the present invention, in which a plurality of semiconductor wafers 5 are arranged at equal intervals. The semiconductor wafer 5 is arranged so that the back surface and the front surface of each semiconductor wafer 5 face each other. In the figure, the same parts as those in the above embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００２８】１１は各半導体ウエハ５上に形成された酸
化膜のエッチングを行う処理液１２としての例えばふっ
酸が貯溜された前処理槽、１３は他の処理を行うための
処理液１４が貯溜された後処理槽である。そして、洗浄
時の洗浄槽１での各半導体ウエハ５間の間隔を他の処理
時の各処理槽１１、１３での各半導体ウエハ５間の間隔
より広くなるように設定されている。この距離の設定方
法としては、例えば、各半導体ウエハ５をセットするバ
スケットの構造をスライド構造とすることにより対応す
ることが可能である。Reference numeral 11 denotes a pretreatment tank in which, for example, hydrofluoric acid is stored as a processing liquid 12 for etching an oxide film formed on each semiconductor wafer 5, and 13 denotes a processing liquid 14 for performing other processing. This is the post-treatment tank. The interval between the semiconductor wafers 5 in the cleaning tank 1 during cleaning is set to be wider than the interval between the semiconductor wafers 5 in the processing tanks 11 and 13 during other processes. This distance can be set, for example, by making the structure of the basket in which the semiconductor wafers 5 are set a slide structure.
【００２９】上記のように構成された実施の形態３の半
導体製造装置による半導体ウエハのウェット洗浄方法を
含む半導体ウエハの製造工程について説明する。まず、
前処理槽１１にて処理液１２に各半導体ウエハ５を浸漬
して、各半導体ウエハ５上に形成された酸化膜のエッチ
ング処理を行う。この際、各半導体ウエハ５裏面にも一
般的に酸化膜が存在するため、その裏面の酸化膜もエッ
チングされることが考えられる。A semiconductor wafer manufacturing process including a semiconductor wafer wet cleaning method using the semiconductor manufacturing apparatus of the third embodiment configured as described above will be described. First,
Each semiconductor wafer 5 is immersed in the processing solution 12 in the pretreatment tank 11 to perform an etching process on the oxide film formed on each semiconductor wafer 5. At this time, since an oxide film generally exists also on the back surface of each semiconductor wafer 5, it is conceivable that the oxide film on the back surface is also etched.
【００３０】次に、各半導体ウエハ５間の間隔を広げ
て、洗浄槽１の洗浄液２に各半導体ウエハ５を浸漬して
洗浄する。この際、各半導体ウエハ５間の間隔が広がっ
ているため、洗浄液２と処理液１２との置換および異物
の除去が効率よく行われる。また、各半導体ウエハ５の
裏面と各半導体ウエハ５の表面とが向きあうように配置
されているので半導体ウエハ５の裏面のエッチング異物
と、半導体ウエハ５の表面のエッチング異物とが互いの
面に再付着する可能が極めて小さくなり、洗浄度合いが
向上する。次に、各半導体ウエハ５間の間隔を元に戻し
て、処理槽１３内の処理液１４に浸漬して各半導体ウエ
ハ５の処理を行う。Next, the semiconductor wafers 5 are cleaned by immersing the semiconductor wafers 5 in the cleaning liquid 2 in the cleaning tank 1 while increasing the interval between the semiconductor wafers 5. At this time, since the space between the semiconductor wafers 5 is widened, the replacement between the cleaning liquid 2 and the processing liquid 12 and the removal of foreign matter are performed efficiently. Further, since the back surface of each semiconductor wafer 5 and the front surface of each semiconductor wafer 5 are arranged so as to face each other, the etching foreign matter on the back surface of the semiconductor wafer 5 and the etching foreign material on the front surface of the semiconductor wafer 5 are placed on each other. The possibility of redeposition is extremely small, and the degree of cleaning is improved. Next, the distance between the semiconductor wafers 5 is restored, and the semiconductor wafers 5 are immersed in the processing liquid 14 in the processing bath 13 to process the semiconductor wafers 5.
【００３１】上記のように行われた実施の形態３の半導
体ウエハのウェット洗浄方法は、他の処理工程に影響を
与えることなく洗浄工程のみ各半導体ウエハ間の距離を
広げることにより、洗浄度合いを向上させることができ
る。よって、他の処理槽１１、１３等は従来のままの大
きさとなり、高コストの要因となる処理液１２、１４の
量を多く使用することなく行うことができる。特に、半
導体ウエハの酸化膜のエッチング処理が前処理工程とな
る場合、半導体ウエハの裏面においてもエッチング異物
が発生するため、洗浄工程にて間隔を広げることによ
り、洗浄度合いのより一層の向上を期待することができ
る。In the wet cleaning method for a semiconductor wafer according to the third embodiment performed as described above, the degree of cleaning is increased by increasing the distance between the semiconductor wafers only in the cleaning step without affecting other processing steps. Can be improved. Therefore, the other processing tanks 11, 13 and the like have the same size as before, and can be performed without using a large amount of the processing liquids 12, 14 which causes high cost. In particular, when the etching process of the oxide film of the semiconductor wafer is a pre-processing step, etching foreign matter is also generated on the back surface of the semiconductor wafer. Therefore, further improvement in the degree of cleaning is expected by widening the interval in the cleaning step. can do.
【００３２】尚、上記実施の形態３では酸化膜のエッチ
ング後の例を示したが、これに限られることはなく、複
数の半導体ウエハを均等な間隔にて配置して同時に同一
の処理を行う場合の、複数の半導体ウエハを洗浄液に浸
漬して洗浄する半導体ウエハのウェット洗浄方法におい
て、洗浄時の各半導体ウエハ間の間隔を他の処理時の各
半導体ウエハ間の間隔より広くすれば、製造効率維持
し、かつ、製造コストをおさえながら、洗浄度合いを向
上することができることはいうまでもない。In the third embodiment, the example after the etching of the oxide film has been described. However, the present invention is not limited to this, and the same processing is performed simultaneously with a plurality of semiconductor wafers arranged at equal intervals. In the case, in a wet cleaning method of a semiconductor wafer in which a plurality of semiconductor wafers are immersed in a cleaning liquid for cleaning, if the interval between the respective semiconductor wafers during cleaning is wider than the interval between the respective semiconductor wafers during other processing, the manufacturing is performed. It goes without saying that the degree of cleaning can be improved while maintaining efficiency and reducing manufacturing costs.
【００３３】また、上記各実施の形態においてはそれぞ
れ別の方法としてそれぞれを説明したが、これに限られ
ることはなく、適宜組み合わせて実施することは可能で
あり、組み合わせることにより洗浄度合いをより一層向
上できることは言うまでもない。In each of the above embodiments, each method has been described as a different method. However, the present invention is not limited to this, and the methods can be implemented in appropriate combinations. It goes without saying that it can be improved.
【００３４】また、上記各実施の形態の半導体装置のウ
ェット洗浄方法を、半導体装置の製造方法の半導体装置
上に残存する不要物を取り除くための半導体装置の洗浄
工程に用いれば、精度に優れた半導体装置を製造するこ
とができる。Further, if the wet cleaning method of the semiconductor device according to each of the above embodiments is used in a semiconductor device cleaning step for removing unnecessary substances remaining on the semiconductor device in the method of manufacturing the semiconductor device, excellent accuracy is obtained. A semiconductor device can be manufactured.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、洗浄液を洗浄槽からオーバーフローするように供
給しながら、洗浄液に半導体装置を浸漬して半導体装置
を洗浄する半導体装置のウェット洗浄方法において、半
導体装置の洗浄中に、半導体装置を洗浄液から１度以上
露出させるので、洗浄度合いを向上することができる半
導体装置のウェット洗浄方法を提供することが可能とな
る。As described above, according to the first aspect of the present invention, the semiconductor device is immersed in the cleaning liquid to clean the semiconductor device while the cleaning liquid is supplied so as to overflow from the cleaning tank. In the cleaning method, the semiconductor device is exposed at least once from the cleaning liquid during the cleaning of the semiconductor device, so that it is possible to provide a wet cleaning method of the semiconductor device capable of improving the degree of cleaning.
【００３６】また、この発明の請求項２によれば、請求
項１において、複数の半導体装置を均等な間隔にて配置
して同時に処理を行うので、各半導体装置間の洗浄度合
いを向上することができる半導体装置のウェット洗浄方
法を提供することが可能となる。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, a plurality of semiconductor devices are arranged at equal intervals and the processing is performed simultaneously, so that the degree of cleaning between the semiconductor devices is improved. It is possible to provide a wet cleaning method for a semiconductor device that can be performed.
【００３７】また、この発明の請求項３によれば、洗浄
液の溜まっている洗浄槽に、不活性ガスを洗浄液に供給
しながら超音波を印加して、洗浄液に半導体装置を浸漬
して洗浄するので、半導体装置にダメージを与えること
を防止しながら、洗浄度合いを向上することができる半
導体装置のウェット洗浄方法を提供することが可能とな
る。According to the third aspect of the present invention, the semiconductor device is cleaned by immersing the semiconductor device in the cleaning liquid by applying ultrasonic waves to the cleaning tank in which the cleaning liquid is stored while supplying an inert gas to the cleaning liquid. Therefore, it is possible to provide a wet cleaning method for a semiconductor device that can improve the degree of cleaning while preventing damage to the semiconductor device.
【００３８】また、この発明の請求項４によれば、請求
項３において、超音波および不活性ガスを洗浄槽の底部
側から印加供給するとともに、洗浄液を洗浄槽からオー
バーフローするように供給しながら行うので、半導体装
置にダメージを与えることなく、洗浄度合いを向上する
ことができる半導体装置のウェット洗浄方法を提供する
ことが可能となる。According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, the ultrasonic wave and the inert gas are applied and supplied from the bottom side of the cleaning tank, and the cleaning liquid is supplied so as to overflow from the cleaning tank. Therefore, it is possible to provide a wet cleaning method for a semiconductor device capable of improving the degree of cleaning without damaging the semiconductor device.
【００３９】また、この発明の請求項５によれば、複数
の半導体装置を均等な間隔にて配置して同時に同一の処
理を行う場合の、複数の半導体装置を洗浄液に浸漬して
洗浄する半導体装置のウェット洗浄方法において、洗浄
時の各半導体装置間の間隔を他の処理時の各半導体装置
間の間隔より広くするので、洗浄槽だけを大きくするだ
けですみ、半導体装置の製造工程の製造効率および製造
コストにほとんど影響を与えることなく洗浄度合いの高
い半導体装置のウェット洗浄方法を提供することが可能
となる。According to a fifth aspect of the present invention, in the case where a plurality of semiconductor devices are arranged at equal intervals and the same processing is performed at the same time, a plurality of semiconductor devices are immersed in a cleaning liquid to be cleaned. In the wet cleaning method of equipment, the interval between each semiconductor device during cleaning is made wider than the interval between each semiconductor device during other processing, so only the cleaning tank needs to be enlarged, and the manufacturing process of the semiconductor device is manufactured. A wet cleaning method for a semiconductor device having a high degree of cleaning can be provided without substantially affecting the efficiency and the manufacturing cost.
【００４０】また、この発明の請求項６によれば、請求
項５において、各半導体装置の裏面と各半導体装置の表
面とが向きあうように配置され、処理液に各半導体装置
を浸漬させ、各半導体装置上に形成された酸化膜のエッ
チングを行う処理なので、半導体装置の製造工程の製造
効率および製造コストに影響を与えることなく洗浄度合
いの高い半導体装置のウェット洗浄方法を提供すること
が可能となる。According to claim 6 of the present invention, in claim 5, the back surface of each semiconductor device and the front surface of each semiconductor device are arranged so as to face each other, and each semiconductor device is immersed in a processing solution. Since it is a process of etching an oxide film formed on each semiconductor device, it is possible to provide a wet cleaning method for a semiconductor device having a high degree of cleaning without affecting the manufacturing efficiency and the manufacturing cost of the semiconductor device manufacturing process. Becomes
【００４１】また、この発明の請求項７によれば、半導
体装置上に残存する不要物を取り除くための半導体装置
の洗浄工程を備えた半導体装置の製造方法において、半
導体装置の洗浄工程に、請求項１ないし請求項６のいず
れかに記載の半導体装置のウェット洗浄方法を用いるも
ので、精度に優れた半導体装置を得ることができる半導
体装置の製造方法を提供することが可能となる。According to a seventh aspect of the present invention, in a method of manufacturing a semiconductor device including a semiconductor device cleaning step for removing an unnecessary substance remaining on the semiconductor device, the semiconductor device cleaning step includes the steps of: By using the wet cleaning method for a semiconductor device according to any one of the first to sixth aspects, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of obtaining a semiconductor device with excellent accuracy.
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体ウエハ
のウェット洗浄方法を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a wet cleaning method for a semiconductor wafer according to a first embodiment of the present invention;
【図２】 この発明の実施の形態２による半導体ウエハ
のウェット洗浄方法を行うための半導体製造装置の構成
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus for performing a semiconductor wafer wet cleaning method according to a second embodiment of the present invention.
【図３】 この発明の実施の形態３による半導体ウエハ
のウェット洗浄方法を説明するための半導体ウエハの製
造工程を示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing a semiconductor wafer manufacturing process for describing a semiconductor wafer wet cleaning method according to Embodiment 3 of the present invention;
１ 洗浄槽、２ 洗浄液、５ 半導体ウエハ、７ 超音
波印加手段、１０ 不活性ガス供給手段、１１，１３
処理槽。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning tank, 2 cleaning liquid, 5 semiconductor wafer, 7 Ultrasonic application means, 10 Inert gas supply means, 11, 13
Processing tank.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｄ (72)発明者 中岡 康幸 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB08 AB45 BB04 BB85 BB87 BB93 BB96 CA01 CB15 5F043 AA31 BB22 DD30 EE04 EE05 EE27 EE35 EE36 GG10 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/306 D (72) Inventor Yasuyuki Nakaoka 2-3-2 Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo In-house F term (reference) 3B201 AA03 AB08 AB45 BB04 BB85 BB87 BB93 BB96 CA01 CB15 5F043 AA31 BB22 DD30 EE04 EE05 EE27 EE35 EE36 GG10
Claims (7)
ように供給しながら、上記洗浄液に半導体装置を浸漬し
て上記半導体装置を洗浄する半導体装置のウェット洗浄
方法において、上記半導体装置の洗浄中に、上記半導体
装置を上記洗浄液から１度以上露出させることを特徴と
する半導体装置のウェット洗浄方法。In a wet cleaning method for a semiconductor device, the semiconductor device is cleaned by immersing the semiconductor device in the cleaning solution while supplying the cleaning solution from a cleaning tank so as to overflow the cleaning device. A wet cleaning method for a semiconductor device, comprising exposing the semiconductor device from the cleaning liquid at least once.
して同時に処理を行うことを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置のウェット洗浄方法。2. The wet cleaning method for a semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of semiconductor devices are arranged at equal intervals and the processing is performed simultaneously.
ガスを上記洗浄液に供給しながら超音波を印加して、上
記洗浄液に半導体装置を浸漬して洗浄することを特徴と
する半導体装置のウェット洗浄方法。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein ultrasonic waves are applied to a cleaning tank in which the cleaning solution is stored while supplying an inert gas to the cleaning solution, and the semiconductor device is immersed in the cleaning solution for cleaning. Wet cleaning method.
るとともに、洗浄液を上記洗浄槽からオーバーフローす
るように供給しながら行うことを特徴とする請求項３に
記載の半導体装置のウェット洗浄方法。4. The method for wet cleaning a semiconductor device according to claim 3, wherein the inert gas is supplied from the bottom of the cleaning tank and the cleaning liquid is supplied so as to overflow from the cleaning tank. .
して同時に同一の処理を行う場合の、上記複数の半導体
装置を洗浄液に浸漬して洗浄する半導体装置のウェット
洗浄方法において、洗浄時の上記各半導体装置間の間隔
を他の処理時の上記各半導体装置間の間隔より広くする
ことを特徴とする半導体装置のウェット洗浄方法。5. A wet cleaning method for a semiconductor device in which a plurality of semiconductor devices are arranged at equal intervals and the same processing is performed at the same time, wherein the plurality of semiconductor devices are immersed in a cleaning liquid for cleaning. A wet cleaning method for a semiconductor device, wherein the interval between the semiconductor devices is made wider than the interval between the semiconductor devices during another processing.
面と各半導体装置の表面とが向きあうように配置され、
処理液に上記各半導体装置を浸漬させ、上記各半導体装
置上に形成された酸化膜のエッチングを行う処理である
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のウェッ
ト洗浄方法。6. A pre-treatment of a cleaning process is performed such that a back surface of each semiconductor device and a front surface of each semiconductor device face each other,
6. The wet cleaning method for a semiconductor device according to claim 5, wherein the semiconductor device is immersed in a treatment liquid to etch an oxide film formed on the semiconductor device.
くための上記半導体装置の洗浄工程を備えた半導体装置
の製造方法において、上記半導体装置の洗浄工程に、請
求項１ないし請求項６のいずれかに記載の半導体装置の
ウェット洗浄方法を用いることを特徴とする半導体装置
の製造方法。7. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of cleaning the semiconductor device for removing unnecessary substances remaining on the semiconductor device, wherein the step of cleaning the semiconductor device is performed in the step of cleaning the semiconductor device. 13. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising using the wet cleaning method for a semiconductor device according to any one of the above.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000083726A JP2001274130A (en) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | Method of wet cleaning and manufacturing semiconductor device |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI473667B (en) * | 2007-04-27 | 2015-02-21 | Jcs Echigo Pte Ltd | Cleaning process and apparatus |
| JP2020107677A (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社Sumco | Silicon wafer batch cleaning method and silicon wafer production method using the same, and method for decision of silicon wafer cleaning condition |
-
2000
- 2000-03-24 JP JP2000083726A patent/JP2001274130A/en active Pending
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| TWI473667B (en) * | 2007-04-27 | 2015-02-21 | Jcs Echigo Pte Ltd | Cleaning process and apparatus |
| JP2020107677A (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社Sumco | Silicon wafer batch cleaning method and silicon wafer production method using the same, and method for decision of silicon wafer cleaning condition |
| JP7003904B2 (en) | 2018-12-26 | 2022-01-21 | 株式会社Sumco | A method for batch-type cleaning of silicon wafers, a method for manufacturing silicon wafers using the cleaning method, and a method for determining cleaning conditions for silicon wafers. |
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