JP2001264715A - Nonlinear optical material, method for manufacturing the same and nonlinear optical device using the same - Google Patents

Nonlinear optical material, method for manufacturing the same and nonlinear optical device using the same

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JP2001264715A JP2000072647A JP2000072647A JP2001264715A JP 2001264715 A JP2001264715 A JP 2001264715A JP 2000072647 A JP2000072647 A JP 2000072647A JP 2000072647 A JP2000072647 A JP 2000072647A JP 2001264715 A JP2001264715 A JP 2001264715A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonlinear optical material having high heat resistance and excellent nonlinear optical characteristics. SOLUTION: The nonlinear optical material consists of a thin film containing polyimide, a nonlinear optical substance and a low-temperature curing accelerator. At least one kind selected from the group consisting of (AC1) a substituted or unsubstituted nitrogenous heterocyclic compound of 0 to 8 in acid dissociation index pKa of the proton complex in an aqueous solution, (AC2) a substituted or unsubstituted amino acid component and (AC3) an aromatic hydrocarbon compound or aromatic heterocyclic compound of a molecular weight of <=1,000 having at least >=2 pieces of hydroxy groups may be used as the low- temperature curing accelerator.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、非線形光学材料、
その製造方法およびそれを用いる非線形光学デバイスに
関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a nonlinear optical material,
The present invention relates to a manufacturing method thereof and a nonlinear optical device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光データリンク、光−無線融合技
術等の通信技術分野、光交換、光コンピューター、およ
び光インターコネクション等の光情報処理分野において
は、電気信号により光の位相強度を制御する光変調器や
光スイッチなどが不可欠になっている。また、ホログラ
フィック光メモリ等の記録技術分野においては、高効率
のフォトリフラクティブ記録媒体が不可欠になってい
る。これらの電気光学効果を利用するデバイスには、電
場によって屈折率が変化する効果を有する非線形光学材
料が使用される。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of communication technology such as optical data link and optical-wireless fusion technology, and in the field of optical information processing such as optical switching, optical computer, and optical interconnection, the phase intensity of light is controlled by electric signals. Optical modulators and optical switches are becoming indispensable. In the field of recording technology such as holographic optical memory, a highly efficient photorefractive recording medium is indispensable. Non-linear optical materials having an effect of changing the refractive index by an electric field are used for devices utilizing these electro-optical effects.

【0003】光変調器に代表される高速応答デバイスに
用いられる非線形光学材料として、従来は無機誘電体で
あるLiNbO3、LiTaO3、PLZT等が用いられ
てきた。しかしながら、これらの材料は多くの問題を伴
っていた。例えば、こうした無機誘電体は、潮解性を示
すとともに被破壊しきい値が低い。さらに、高誘電率の
ために応答速度の向上が難しく、周波数帯域が制限され
てしまう。しかも製造においては、高温プロセスが必要
とされる。また、化合物半導体の量子井戸構造デバイス
の電場吸収効果を用いるものでは、光の伝播損失が大き
いため光増幅器が併用されているが、その動作帯域が制
限になるといった問題があった。
As a nonlinear optical material used for a high-speed response device represented by an optical modulator, conventionally, inorganic dielectrics such as LiNbO 3 , LiTaO 3 , and PLZT have been used. However, these materials have many problems. For example, such an inorganic dielectric shows deliquescent and has a low destruction threshold. Furthermore, it is difficult to improve the response speed due to the high dielectric constant, and the frequency band is limited. In addition, a high-temperature process is required in manufacturing. In the case of using the electric field absorption effect of a compound semiconductor quantum well structure device, an optical amplifier is used in combination because of a large light propagation loss, but there is a problem that the operation band is limited.

【0004】これに対して、有機高分子材料からなる非
線形光学材料は、誘電率が低いためにマイクロ波・ミリ
波領域と光波領域との速度不整合がなく、応答速度を大
幅に改善できる可能性がある。しかも、非線形光学特性
が広い波長域にわたって高く、光学損傷に対しても強い
ため、有機高分子材料からなる非線形光学材料は、高性
能な光デバイス材料として期待されている。さらに、ス
ピンコート法などにより容易に薄膜形成が可能であり、
微細加工、成型加工等の加工性にも優れることから、無
機材料デバイスと比較して極めて安価に素子化ができる
という大きな利点を有する。
On the other hand, a nonlinear optical material made of an organic polymer material has a low dielectric constant, so that there is no speed mismatch between a microwave / millimeter wave region and a light wave region, and the response speed can be greatly improved. There is. In addition, since the nonlinear optical characteristics are high over a wide wavelength range and resistant to optical damage, nonlinear optical materials made of organic polymer materials are expected as high-performance optical device materials. Furthermore, a thin film can be easily formed by spin coating, etc.
Since it is excellent in workability such as microfabrication and molding, there is a great advantage that elements can be formed at extremely low cost as compared with inorganic material devices.

【0005】一方、電気光学効果のような二次非線形光
学効果は、反転対称性をもたない物質でしか発現しない
ため、高分子では分子を一方向に配向させるポーリング
処理と呼ばれる分極配向処理を施す必要がある。一般に
は、ガラス転移温度(Tg)付近の温度領域で電場をか
けることによりポーリング処理を行い、電場をかけたま
ま常温に戻すことによって反転対称性が得られる。しか
しながら、このように非線形分子を配向させた高分子で
は、ベースポリマーまたは主鎖となるポリマーのTgが
低いために、分子鎖の熱運動により配向性が徐々に失わ
れる配向緩和現象が起こり、非線形光学効果が低下する
という問題があった。従来、高分子導波路材料として精
力的に研究されてきたポリメチルメタクリレート(PM
MA)を適用した非線形光学材料では、PMMAのガラ
ス転移温度が100℃程度と低いために、ポーリング処
理によって発現した非線形性が常温において速やかに失
われてしまうことが報告されている。
On the other hand, since a second-order nonlinear optical effect such as an electro-optical effect is exhibited only by a substance having no inversion symmetry, a polymer is subjected to a polarization orientation treatment called poling treatment for orienting molecules in one direction. Need to be applied. In general, the poling process is performed by applying an electric field in a temperature region near the glass transition temperature (Tg), and the inversion symmetry is obtained by returning to room temperature while the electric field is applied. However, in the polymer in which the non-linear molecules are oriented in this way, since the base polymer or the polymer serving as the main chain has a low Tg, an orientation relaxation phenomenon in which the orientation is gradually lost due to the thermal motion of the molecular chain occurs, and the non-linearity is increased. There is a problem that the optical effect is reduced. Conventionally, polymethyl methacrylate (PM), which has been energetically studied as a polymer waveguide material,
It has been reported that in a nonlinear optical material to which MA) is applied, the nonlinearity developed by the poling treatment is quickly lost at room temperature because the glass transition temperature of PMMA is as low as about 100 ° C.

【0006】なお、ポリマーを使用した非線形光学材料
は、大きく3種類に分類される。第一は、非線形光学物
質をポリマーに分散させた分散型ポリマー、第二は側鎖
に非線形光学物質を化学的に結合させた側鎖型ポリマ
ー、第三は主鎖に非線形光学物質を取り入れた主鎖型ポ
リマーである。分散型ポリマーは、容易に非線形光学材
料を形成できる点では有利であるものの、多くの場合、
非線形光学物質のポリマーマトリックスに対する溶解度
が低いために高い非線形光学特性が得にくい。しかも、
非線形光学物質を多量に導入した場合には相分離により
微結晶が析出して、光散乱による光伝播損失が増大する
という問題がある。このようなデメリットを基本的に低
減できる材料として、側鎖型ポリマーと主鎖型ポリマー
とがある。主鎖型ポリマーは、ポーリング処理による非
線形光学物質の配向制御の際に、ポリマー全体の主鎖が
再配向しなければならない。このため、処理温度が必然
的に高くなったり処理時間が長くなるという問題がある
が、安定性は非常に高い。一方の側鎖型ポリマーは、分
子設計・合成に多様性があり、ポーリング処理も比較的
容易であるというメリットを有しているが、主鎖型と比
較すると、配向緩和が生じやすいという問題がある。こ
のような理由により、従来、分散型ポリマーに加えて主
鎖型および側鎖型ポリマーについての研究が数多くなさ
れてきた。
[0006] Nonlinear optical materials using polymers are roughly classified into three types. The first is a dispersion polymer in which a nonlinear optical material is dispersed in a polymer, the second is a side-chain polymer in which a nonlinear optical material is chemically bonded to a side chain, and the third is a nonlinear optical material is incorporated in the main chain. It is a main chain type polymer. Although dispersed polymers are advantageous in that they can easily form nonlinear optical materials, in many cases,
Due to the low solubility of the nonlinear optical material in the polymer matrix, it is difficult to obtain high nonlinear optical characteristics. Moreover,
When a large amount of nonlinear optical material is introduced, microcrystals precipitate due to phase separation, and there is a problem that light propagation loss due to light scattering increases. Materials that can basically reduce such disadvantages include side-chain polymers and main-chain polymers. In the main chain type polymer, when the orientation of the nonlinear optical material is controlled by the poling process, the main chain of the entire polymer must be reoriented. Therefore, there is a problem that the processing temperature is inevitably increased or the processing time is lengthened, but the stability is very high. On the other hand, the side-chain type polymer has the advantage that the molecular design and synthesis are diverse and the poling treatment is relatively easy.However, compared with the main-chain type polymer, there is a problem that the orientation is easily relaxed. is there. For these reasons, many studies have been made on main-chain and side-chain polymers in addition to dispersion-type polymers.

【0007】さらに、これらポリマー材料系で配向緩和
を低減する共通の方策として、ガラス転移温度の高い高
分子を用いることが有効であることが知られており、高
耐熱性高分子として知られるポリイミドなどの適用が注
目されてきた。Wu等は、ポリアミック酸に非線形光学
効果の大きい分子を分散させ、ポーリング処理を行いつ
つイミド化することによって、ポリイミドをホストとす
る分散型非線形光学高分子を得ている(J.W.Wu
et al,Appl.Phys.Lett.58,2
25(1991))。この分散型非線形光学高分子は、
150℃において10時間以上の加熱処理をしても、配
向緩和による非線形光学応答の低下を示さないものの、
電気光学定数が数pm/Vと小さく実用的ではなかっ
た。
Further, it is known that it is effective to use a polymer having a high glass transition temperature as a common measure for reducing the orientation relaxation in these polymer material systems. Applications such as have attracted attention. Wu et al. Disperse molecules having a large nonlinear optical effect in a polyamic acid and perform imidization while performing a poling treatment to obtain a dispersion type nonlinear optical polymer using a polyimide as a host (JW Wu).
et al, Appl. Phys. Lett. 58,2
25 (1991)). This dispersion type nonlinear optical polymer is
Although the heat treatment at 150 ° C. for 10 hours or longer does not show a decrease in nonlinear optical response due to orientation relaxation,
The electro-optic constant was as small as several pm / V, which was not practical.

【0008】このように非線形光学性能が低い理由の一
つには、ポリイミドのイミド化処理温度が通常300℃
以上と高く、非線形光学材料がそのような高温条件下で
は昇華または分解してしまうことが挙げられている。電
気光学定数を増加させるための手段として、非線形感受
率の極めて高い分子を用いることが検討されてきたが、
一般に非線形感受率の高い分子ほど熱分解温度が低い傾
向がある。したがって、ポリイミドのように高温の熱処
理を必要とするポリマー材料では、高い非線形光学特性
が得られていなかった。
One of the reasons for the low nonlinear optical performance is that the imidization temperature of polyimide is usually 300 ° C.
As described above, it is mentioned that the nonlinear optical material is sublimated or decomposed under such a high temperature condition. As a means for increasing the electro-optic constant, it has been studied to use a molecule having an extremely high nonlinear susceptibility.
Generally, a molecule having a higher nonlinear susceptibility tends to have a lower thermal decomposition temperature. Therefore, high nonlinear optical characteristics have not been obtained with a polymer material such as polyimide which requires a high-temperature heat treatment.

【0009】ポリイミドを低温で硬化させる技術として
は、脂肪族カルボン酸二無水物と第三級アミンとの混合
物で処理する方法が知られており、ポリイミド非線形光
学材料への適用例もある(Appl.Phys.Let
t.,59,2213(1991))。しかしながら、
この方法では、不溶性ポリイミドへの適用が困難である
こと、完全イミド化に対してはやはり300℃近傍での
加熱処理を必要とすることなど、問題点が多い。実際の
非線形光学材料に適用した例でも、きわめて低い電気光
学定数しか得られていない。
As a technique for curing polyimide at a low temperature, a method of treating with a mixture of an aliphatic carboxylic dianhydride and a tertiary amine is known, and there is also an application example to a polyimide nonlinear optical material (Appl. Phys.Let
t. , 59, 2213 (1991)). However,
This method has many problems, such as difficulty in application to insoluble polyimide, and the necessity of heat treatment at around 300 ° C. for complete imidization. Even when applied to an actual nonlinear optical material, only an extremely low electro-optic constant is obtained.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ポリマーを用いた高性
能の非線形光学デバイスを得るためには、耐熱性が高く
非線形光学特性も高い非線形光学材料を開発する必要が
あるが、そのような非線形光学材料は未だ得られていな
いのが現状である。
In order to obtain a high-performance nonlinear optical device using a polymer, it is necessary to develop a nonlinear optical material having high heat resistance and high nonlinear optical characteristics. At present, no material has been obtained yet.

【0011】そこで本発明は、高い耐熱性と優れた非線
形光学特性とを有する非線形光学材料を提供することを
目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a nonlinear optical material having high heat resistance and excellent nonlinear optical characteristics.

【0012】また本発明は、高い耐熱性と優れた非線形
光学特性とを有する非線形光学材料を製造する方法を提
供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a method for producing a nonlinear optical material having high heat resistance and excellent nonlinear optical characteristics.

【0013】さらに本発明は、ポリマーを用いた高性能
の非線形光学デバイスを提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a high-performance nonlinear optical device using a polymer.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ポリイミドと、非線形光学物質と、低温
硬化促進剤とを含有する薄膜からなることを特徴とする
非線形光学材料を提供する。
According to the present invention, there is provided a nonlinear optical material comprising a thin film containing a polyimide, a nonlinear optical material, and a low-temperature curing accelerator. I do.

【0015】また本発明は、非線形光学物質を分散また
は化学的に結合させたポリアミド酸と低温硬化促進剤と
を含有するポリイミド前駆体を含む薄膜を形成する工
程、および、前記薄膜を60〜300℃の範囲の温度で
加熱処理して前記ポリイミド前駆体を硬化させる工程と
を具備する非線形光学材料の製造方法を提供する。
Further, the present invention provides a step of forming a thin film containing a polyimide precursor containing a polyamic acid having a nonlinear optical material dispersed or chemically bonded thereto and a low-temperature curing accelerator, and forming the thin film from 60 to 300 And b. Curing the polyimide precursor by heat treatment at a temperature in the range of ° C.

【0016】さらに本発明は、非線形光学材料からなる
チャネル導波路、前記非線形光学材料に電圧を印加する
ための手段、前記非線形光学材料に光を導入するための
導入口、および光を導出するための導出口を有する光変
調器デバイスにおいて、前記非線形光学材料は、前述の
非線形材料であることを特徴とする非線形光学デバイス
を提供する。
Further, the present invention provides a channel waveguide made of a nonlinear optical material, means for applying a voltage to the nonlinear optical material, an inlet for introducing light into the nonlinear optical material, and a light guide for extracting light. Wherein the nonlinear optical material is the above-mentioned nonlinear material.

【0017】本発明の非線形光学材料を構成する薄膜に
おいて、非線形光学物質は、ベースポリマーとしてのポ
リイミド中に分散させることができる。あるいは、非線
形光学物質は、ポリイミドの主鎖または側鎖に化学的に
結合されていてもよい。
In the thin film constituting the nonlinear optical material of the present invention, the nonlinear optical substance can be dispersed in polyimide as a base polymer. Alternatively, the nonlinear optical material may be chemically bonded to the polyimide backbone or side chain.

【0018】本発明の非線形光学材料における低温硬化
促進剤としては、(AC1)水溶液中でのプロトン錯体
の酸解離指数pKaが0〜8である置換もしくは非置換
の含窒素複素環化合物、(AC2)置換もしくは非置換
のアミノ酸化合物、および(AC3)分子量が1000
以下であり、少なくとも2個以上のヒドロキシル基を有
する芳香族炭化水素化合物または芳香族複素環化合物か
らなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
The low-temperature curing accelerator in the nonlinear optical material of the present invention includes (AC1) a substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic compound having an acid dissociation index pKa of 0 to 8 in an aqueous solution of (AC1); A) a substituted or unsubstituted amino acid compound, and (AC3) having a molecular weight of 1000
And at least one selected from the group consisting of aromatic hydrocarbon compounds or aromatic heterocyclic compounds having at least two or more hydroxyl groups is preferred.

【0019】あるいは、低温硬化促進剤としては、下記
一般式(1)〜(10)で表される化合物、およびその
誘導体からなる群から選択される少なくとも1種を用い
ることができる。
Alternatively, as the low-temperature curing accelerator, at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (1) to (10) and derivatives thereof can be used.

【0020】[0020]

【化10】 Embedded image

【0021】(上記式(2)中、R21は炭素数1〜10
のアルキレン基、エチニレン基、または−CH2CO−
である。)
(In the above formula (2), R 21 has 1 to 10 carbon atoms.
Alkylene group, ethynylene group, or -CH 2 CO-
It is. )

【0022】[0022]

【化11】 Embedded image

【0023】(上記式(5)中、X21は−C(=O)−
O−または−C(=O)−NH−、R 22は炭素数1〜4
のアルキレン基、R23およびR24はメチル基またはエチ
ル基である。)
(In the above formula (5), Xtwenty oneIs -C (= O)-
O- or -C (= O) -NH-, R twenty twoIs 1 to 4 carbon atoms
An alkylene group of Rtwenty threeAnd Rtwenty fourIs a methyl group or ethyl
Group. )

【0024】[0024]

【化12】 Embedded image

【0025】(上記式(8)中、R25は直接結合、−O
−、−SO2−、−CH2−、−C(CH32−または−
C(CF32−である。)
(In the above formula (8), R 25 is a direct bond, —O
-, - SO 2 -, - CH 2 -, - C (CH 3) 2 - or -
C (CF 3) 2 - a. )

【0026】[0026]

【化13】 Embedded image

【0027】またさらに、低温硬化促進剤としては、下
記一般式(1)〜(4)、(6)〜(10)で表される
化合物およびその誘導体からなる群から選択される少な
くとも1種と、第三級アミン化合物とを組み合わせて用
いることができる。
Further, as the low-temperature curing accelerator, at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (1) to (4) and (6) to (10) and derivatives thereof: And a tertiary amine compound.

【0028】[0028]

【化14】 Embedded image

【0029】(上記式(2)中、R21は炭素数1〜10
のアルキレン基、エチニレン基、または−CH2CO−
である。)
(In the above formula (2), R 21 has 1 to 10 carbon atoms.
Alkylene group, ethynylene group, or -CH 2 CO-
It is. )

【0030】[0030]

【化15】 Embedded image

【0031】[0031]

【化16】 Embedded image

【0032】(上記式(8)中、R25は直接結合、−O
−、−SO2−、−CH2−、−C(CH32−または−
C(CF32−である。)
(In the above formula (8), R 25 is a direct bond, —O
-, - SO 2 -, - CH 2 -, - C (CH 3) 2 - or -
C (CF 3) 2 - a. )

【0033】[0033]

【化17】 Embedded image

【0034】こうした低温硬化促進剤の含有量は、1p
pm〜1wt%の範囲内とすることが好ましい。
The content of such a low-temperature curing accelerator is 1 p
It is preferable to be in the range of pm to 1 wt%.

【0035】また本発明の方法においては、下記一般式
(PA)で表される繰り返し単位を有するポリアミド酸
を用いることができる。
In the method of the present invention, a polyamic acid having a repeating unit represented by the following general formula (PA) can be used.

【0036】[0036]

【化18】 Embedded image

【0037】(上記一般式中、φは4価の有機基、Ψは
2価の有機基、Rは置換または比置換の炭化水素基、有
機ケイ素機または水素原子である。) 以下、本発明を詳細に説明する。
(In the above formula, φ is a tetravalent organic group, Ψ is a divalent organic group, R is a substituted or specific substituted hydrocarbon group, an organosilicon group, or a hydrogen atom.) Will be described in detail.

【0038】本発明においては、従来からも非線形光学
材料として使用されてきたポリイミドをベースポリマー
として用いて、非線形光学物質を分散あるいは化学的に
結合させた非線形光学材料に、さらに低温硬化促進剤を
微量含有させている点を特徴とするものである。このよ
うな低温硬化促進剤を含有させる理由は、ひとつはその
製造方法にある。すなわち、従来ポリイミドはイミド化
プロセスにおいて一般に300℃以上という非常に高い
温度を必要としていたが、これが耐熱性に弱い非線形光
学物質を含む非線形光学材料への適用を難しくしてい
た。
In the present invention, a low-temperature curing accelerator is further added to a non-linear optical material in which a non-linear optical material is dispersed or chemically bonded using polyimide, which has been conventionally used as a non-linear optical material, as a base polymer. It is characterized by containing a small amount. One reason for including such a low-temperature curing accelerator is in the method for producing the same. That is, conventionally, a polyimide requires a very high temperature of generally 300 ° C. or higher in the imidization process, which makes it difficult to apply the polyimide to a nonlinear optical material including a nonlinear optical material having low heat resistance.

【0039】なお、本発明者らは、ポリイミドの低温硬
化技術(特開平9−30225号公報、特開平7−13
8479号公報)をすでに開発している。このポリイミ
ドの低温硬化技術の非線形光学材料への適用を鋭意検討
した結果、本発明をなすに至ったものである。
The inventors of the present invention have proposed a technique for curing polyimide at a low temperature (Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 9-30225 and 7-13-13).
No. 8479) has already been developed. As a result of intensive studies on the application of this low-temperature curing technique of polyimide to nonlinear optical materials, the present invention has been achieved.

【0040】本発明によれば、従来の結果どおりのポリ
イミドのイミド化を200℃以下の低温で行えるという
利点をいかすことができる。しかも、硬化したポリイミ
ド中には低温硬化促進剤が微量残留しているので、さら
なる利点が得られることを見出した。すなわち、非線形
光学材料あるいは非線形光学デバイスとして常温ないし
高温条件に被爆された場合には、残留している低温硬化
促進剤が不完全イミド化部分のイミド化を促進する。こ
れによって、配向緩和現象を著しく抑制する働きを示
す。その結果、従来問題であった、常温あるいは高温条
件下における非線形光学物質の配向緩和による非線形光
学特性の劣化を著しく低減できることが明らかになっ
た。
According to the present invention, it is possible to take advantage of the fact that imidization of polyimide can be performed at a low temperature of 200 ° C. or less as in the conventional results. In addition, it has been found that a small amount of the low-temperature curing accelerator remains in the cured polyimide, so that further advantages can be obtained. That is, when the non-linear optical material or the non-linear optical device is exposed to normal or high temperature conditions, the remaining low-temperature curing accelerator promotes imidization of the incompletely imidized portion. Thereby, it functions to remarkably suppress the orientation relaxation phenomenon. As a result, it has been clarified that the degradation of the nonlinear optical characteristics due to the relaxation of the orientation of the nonlinear optical material under normal temperature or high temperature conditions, which was a problem in the past, can be significantly reduced.

【0041】ポリイミド中の低温硬化促進剤の適切な含
有量は、材料系によってさまざまであるが、少なくとも
1ppm程度存在していれば、上述した効果が得られ
る。一方、低温硬化促進剤の含有量が多すぎる場合に
は、ポリイミドの可塑化が生じたり、非線形光学物質と
の相互作用がみられる場合があるので、低温硬化促進剤
の含有量は、1wt%程度以下に抑えることが望まれ
る。したがって、本発明の非線形光学材料における硬化
促進剤の含有量は1ppm以上1wt%以下が適切であ
る。さらに好ましい含有量の範囲は、1ppm〜100
0ppmである。こうした硬化促進剤の含有量は、質量
分析法などによって評価することが可能である。
The appropriate content of the low-temperature curing accelerator in the polyimide varies depending on the material system, but if at least about 1 ppm is present, the above-mentioned effects can be obtained. On the other hand, if the content of the low-temperature curing accelerator is too large, the plasticization of the polyimide may occur or an interaction with the nonlinear optical material may be observed. It is desired to keep it below the level. Therefore, the content of the curing accelerator in the nonlinear optical material of the present invention is appropriately from 1 ppm to 1 wt%. A more preferable content range is 1 ppm to 100 ppm.
It is 0 ppm. The content of such a curing accelerator can be evaluated by mass spectrometry or the like.

【0042】このように硬化したポリイミド中に、硬化
促進剤を含有させ、ポリイミド材料あるいはそれを用い
たデバイスとなった後も、その作用を残留させるという
技術は過去には存在せず、本発明者らによって初めて得
られたものである。
In the past, there has been no technique in which a curing accelerator is contained in the cured polyimide so that the action remains even after a polyimide material or a device using the same is obtained. It was obtained for the first time by those.

【0043】[0043]

【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

【0044】本発明の非線形光学材料に配合される第1
の低温硬化促進剤は、(AC1)水溶液中でのプロトン
錯体の酸解離指数pKaが0〜8である置換もしくは非
置換の含窒素複素環化合物、(AC2)置換もしくは非
置換のアミノ酸化合物、および(AC3)分子量が10
00以下であり、少なくとも2個以上のヒドロキシル基
を有する芳香族炭化水素化合物または芳香族複素環化合
物からなる群から選択される少なくとも1種である。
The first compound incorporated in the nonlinear optical material of the present invention
(AC1) a substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic compound having an acid dissociation index pKa of 0 to 8 in an aqueous solution of (AC1), (AC2) a substituted or unsubstituted amino acid compound, and (AC3) molecular weight 10
And at least one selected from the group consisting of aromatic hydrocarbon compounds and aromatic heterocyclic compounds having at least two hydroxyl groups.

【0045】まず、本発明において硬化促進剤として用
いられる、水溶液中でのプロトン錯体の酸解離指数pK
aが0〜8である置換もしくは非置換の含窒素複素環化
合物(AC1)について説明する。ここで酸解離指数p
Kaとは、酸解離定数Kaの逆数の対数(−log K
a)である。本発明において低温硬化促進剤として用い
られる含窒素複素環化合物は、水溶液中でのプロトン錯
体の酸解離指数が0〜8、より好ましくは2.5〜7の
範囲にあるものである。この理由は、含窒素複素環化合
物のプロトン錯体の酸解離指数が小さすぎると、低温に
おけるポリアミド酸の硬化反応を十分に促進させること
が難しく、逆に酸解離指数が大きすぎると、ポリアミド
酸溶液のゲル化が進行しやすくポリイミド前駆体組成物
の貯蔵安定性が低下する傾向があることによる。
First, an acid dissociation index pK of a proton complex in an aqueous solution, which is used as a curing accelerator in the present invention, is used.
The substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic compound (AC1) wherein a is 0 to 8 will be described. Where the acid dissociation index p
Ka is the logarithm (−log K) of the reciprocal of the acid dissociation constant Ka.
a). The nitrogen-containing heterocyclic compound used as a low-temperature curing accelerator in the present invention has an acid dissociation index of a proton complex in an aqueous solution of from 0 to 8, more preferably from 2.5 to 7. The reason for this is that if the acid dissociation index of the proton complex of the nitrogen-containing heterocyclic compound is too small, it is difficult to sufficiently promote the curing reaction of the polyamic acid at a low temperature. This is because the gelation of the polyimide precursor is apt to progress and the storage stability of the polyimide precursor composition tends to decrease.

【0046】(AC1)に含まれる非置換の含窒素複素
環化合物としては、例えばイミダゾール、ピラゾール、
トリアゾール、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ナ
フトイミダゾール、インダゾール、ベンゾトリアゾー
ル、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピリジン、キ
ノリン、イソキノリン、ジピリジル、ジキノリル、ピリ
ダジン、ピリミジン、ピラジン、フタラジン、キノキサ
リン、キナゾリン、シンノリン、ナフチリジン、アクリ
ジン、フェナントリジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソ
キノリン、ベンゾシンノリン、ベンゾフタラジン、ベン
ゾキノキサリン、ベンゾキナゾリン、フェナントロリ
ン、フェナジン、カルボリン、ペリミジン、トリアジ
ン、テトラジン、プテリジン、オキサゾール、ベンゾオ
キサゾール、イソオキサゾール、ベンゾイソオキサゾー
ル、チアゾール、ベンゾチアゾール、イソチアゾール、
ベンゾイソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾ
ール、ピロールジオン、イソインドールジオン、ピロリ
ジンジオン、ベンゾイソキノリンジオン、トリエチレン
ジアミン、およびヘキサメチレンテトラミンが挙げられ
る。これらの化合物は、N−オキシド化合物であっても
よい。
Examples of the unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic compound contained in (AC1) include, for example, imidazole, pyrazole,
Triazole, tetrazole, benzimidazole, naphthimidazole, indazole, benzotriazole, purine, imidazoline, pyrazoline, pyridine, quinoline, isoquinoline, dipyridyl, diquinolyl, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, phthalazine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline, naphthyridine, acridine, acridine Nantridine, benzoquinoline, benzoisoquinoline, benzocinnoline, benzophthalazine, benzoquinoxaline, benzoquinazoline, phenanthroline, phenazine, carboline, perimidine, triazine, tetrazine, pteridine, oxazole, benzoxazole, isoxazole, benzisoxazole, thiazole, benzo Thiazole, isothiazole,
Benzoisothiazole, oxadiazole, thiadiazole, pyrroledione, isoindoledione, pyrrolidinedione, benzoisoquinolinedione, triethylenediamine, and hexamethylenetetramine. These compounds may be N-oxide compounds.

【0047】これらの含窒素複素環化合物に導入され置
換含窒素複素環化合物を構成する置換基としては、例え
ばジ置換アミノ基(ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジブチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、ブチル
メチルアミノ基、ジアミルアミノ基、ジベンジルアミノ
基、ジフェネチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、ジキシリルアミノ基、メチルフェニルア
ミノ基、ベンジルメチルアミノ基など)、モノ置換アミ
ノ基(メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、イソプロピルアミノ基、tert−ブチルアミノ
基、アニリノ基、アニシジノ基、フェネチジノ基、トル
イジノ基、キシリジノ基、ピリジルアミノ基、チアゾリ
ルアミノ基、ベンジルアミノ基、ベンジリデンアミノ基
など)、環状アミノ基(ピロリジノ基、ピペリジノ基、
ピペラジノ基、モルホリノ基、1−ピロリル基、1−ピ
ラゾリル基、1−イミダゾリル基、1−トリアゾリル基
など)、アシルアミノ基(ホルミルアミノ基、アセチル
アミノ基、ベンゾイルアミノ基、シンナモイルアミノ
基、ピリジンカルボニルアミノ基、トリフルオロアセチ
ルアミノ基など)、スルホニルアミノ基(メシルアミノ
基、エチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルア
ミノ基、ピリジルスルホニルアミノ基、トシルアミノ
基、タウリルアミノ基、トリフルオロメチルスルホニル
アミノ基、スルファモイルアミノ基、メチルスルファモ
イルアミノ基、スルファニルアミノ基、アセチルスルフ
ァニルアミノ基など)、アミノ基、ヒドロキシアミノ
基、ウレイド基、セミカルバジド基、カルバジド基、ジ
置換ヒドラジノ基(ジメチルヒドラジノ基、ジフェニル
ヒドラジノ基、メチルフェニルヒドラジノ基など)、モ
ノ置換ヒドラジノ基(メチルヒドラジノ基、フェニルヒ
ドラジノ基、ピリジルヒドラジノ基、ベンジリデンヒド
ラジノ基など)、ヒドラジノ基、アミジノ基、ヒドロキ
シル基、オキシム基(ヒドロキシイミノメチル基、メト
キシイミノメチル基、エトキシイミノメチル基、ヒドロ
キシイミノエチル基、ヒドロキシイミノプロピル基な
ど)、ヒドロキシアルキル基(ヒドロキシメチル基、ヒ
ドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基など)、ヒド
ロキシアリール基(ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシ
ナフチル基、ジヒドロキシフェニル基など)、アルコキ
シアルキル基(メトキシメチル基、メトキシエチル基、
エトキシエチル基など)、シアノ基、シアナト基、チオ
シアナト基、ニトロ基、ニトロソ基、オキシ基(メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヒドロ
キシエトキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジ
ルオキシ基、チアゾリルオキシ基、アセトキシ基な
ど)、チオ基(メチルチオ基、エチルチオ基、フェニル
チオ基、ピリジルチオ基、チアゾリルチオ基など)、メ
ルカプト基、ハロゲン基(フルオロ基、クロロ基、ブロ
モ基、ヨード基)、カルボキシル基およびその塩、オキ
シカルボニル基(メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、フェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカ
ルボニル基など)、アミノカルボニル基(カルバモイル
基、メチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基、
ピリジルカルバモイル基、カルバゾイル基、アロファノ
イル基、オキサモイル基、スクシンアモイル基など)、
チオカルボキシル基およびその塩、ジチオカルボキシル
基およびその塩、チオカルボニル基(メトキシチオカル
ボニル基、メチルチオカルボニル基、メチルチオチオカ
ルボニル基など)、アシル基(ホルミル基、アセチル
基、プロピオニル基、アクリロイル基、ベンゾイル基、
シンナモイル基、ピリジンカルボニル基、チアゾールカ
ルボニル基、トリフルオロアセチル基など)、チオアシ
ル基(チオホルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイ
ル基、ピリジンチオカルボニル基など)、スルフィン酸
基およびその塩、スルホン酸基およびその塩、スルフィ
ニル基(メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル
基、フェニルスルフィニル基など)、スルホニル基(メ
シル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、
ピリジルスルホニル基、トシル基、タウリル基、トリフ
ルオロメチルスルホニル基、スルファモイル基、メチル
スルファモイル基、スルファニリル基、アセチルスルフ
ァニリル基など)、オキシスルホニル基(メトキシスル
ホニル基、エトキシスルホニル基、フェノキシスルホニ
ル基、アセトアミノフェノキシスルホニル基、ピリジル
オキシスルホニル基など)、チオスルホニル基(メチル
チオスルホニル基、エチルチオスルホニル基、フェニル
チオスルホニル基、アセトアミノフェニルチオスルホニ
ル基、ピリジルチオスルホニル基など)、アミノスルホ
ニル基(スルファモイル基、メチルスルファモイル基、
ジメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、
ジエチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル
基、アセトアミノフェニルスルファモイル基、ピリジル
スルファモイル基など)、アンモニオ基(トリメチルア
ンモニオ基、エチルジメチルアンモニオ基、ジメチルフ
ェニルアンモニオ基、ピリジニオ基、キノリニオ基な
ど)、アゾ基(フェニルアゾ基、ピリジルアゾ基、チア
ゾリルアゾ基など)、アゾキシ基、ハロゲン化アルキル
基(クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロメチル
基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロ
メチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチ
ル基、ヘプタフルオロプロピル基など)、炭化水素基
(アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル
基など)、複素環基、有機ケイ素基(シリル基、ジシラ
ニル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基な
ど)などの特性基が挙げられる。なお、これらの中で
も、ヒドロキシル基、オキシ基、オキシム基、カルボキ
シル基、アミノカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、
ヒドロキシアリール基、ジ置換アミノ基、モノ置換アミ
ノ基、環状アミノ基、アシルアミノ基、アミノ基、ヒド
ロキシアミノ基、ウレイド基、メルカプト基、ニトロ
基、シアノ基、アシル基、スルホン酸基、アシルスルホ
ニル基、アゾ基、チオ基が特に好ましい。
Examples of the substituents introduced into these nitrogen-containing heterocyclic compounds and constituting the substituted nitrogen-containing heterocyclic compounds include disubstituted amino groups (dimethylamino group, diethylamino group, dibutylamino group, ethylmethylamino group, butyl Methylamino group, diamylamino group, dibenzylamino group, diphenethylamino group, diphenylamino group, ditolylamino group, dixylylamino group, methylphenylamino group, benzylmethylamino group, etc.), mono-substituted amino group (methylamino group, Ethylamino, propylamino, isopropylamino, tert-butylamino, anilino, anisidino, phenetidino, toluidino, xylidino, pyridylamino, thiazolylamino, benzylamino, benzylideneamino, etc.), cyclic Ami Group (pyrrolidino group, piperidino group,
Piperazino group, morpholino group, 1-pyrrolyl group, 1-pyrazolyl group, 1-imidazolyl group, 1-triazolyl group, etc., acylamino group (formylamino group, acetylamino group, benzoylamino group, cinnamoylamino group, pyridinecarbonyl) Amino group, trifluoroacetylamino group, etc., sulfonylamino group (mesylamino group, ethylsulfonylamino group, phenylsulfonylamino group, pyridylsulfonylamino group, tosylamino group, taurylamino group, trifluoromethylsulfonylamino group, sulfamoylamino Group, methylsulfamoylamino group, sulfanylamino group, acetylsulfanylamino group, etc.), amino group, hydroxyamino group, ureido group, semicarbazide group, carbazide group, disubstituted hydrazino group (dim Ruhydrazino group, diphenylhydrazino group, methylphenylhydrazino group, etc.), monosubstituted hydrazino group (methylhydrazino group, phenylhydrazino group, pyridylhydrazino group, benzylidenehydrazino group, etc.), hydrazino group, amidino group, hydroxyl Group, oxime group (hydroxyiminomethyl group, methoxyiminomethyl group, ethoxyiminomethyl group, hydroxyiminoethyl group, hydroxyiminopropyl group, etc.), hydroxyalkyl group (hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, hydroxypropyl group, etc.), Hydroxyaryl group (hydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, dihydroxyphenyl group, etc.), alkoxyalkyl group (methoxymethyl group, methoxyethyl group,
Ethoxyethyl group), cyano group, cyanato group, thiocyanato group, nitro group, nitroso group, oxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, hydroxyethoxy group, phenoxy group, naphthoxy group, pyridyloxy group, Thiazolyloxy group, acetoxy group, etc.), thio group (methylthio group, ethylthio group, phenylthio group, pyridylthio group, thiazolylthio group, etc.), mercapto group, halogen group (fluoro group, chloro group, bromo group, iodo group), carboxyl group and Salts thereof, oxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group, etc.), aminocarbonyl group (carbamoyl group, methylcarbamoyl group, phenylcarbamoyl group,
Pyridylcarbamoyl group, carbazoyl group, allophanoyl group, oxamoyl group, succinamoyl group, etc.),
Thiocarboxyl group and its salt, dithiocarboxyl group and its salt, thiocarbonyl group (methoxythiocarbonyl group, methylthiocarbonyl group, methylthiothiocarbonyl group, etc.), acyl group (formyl group, acetyl group, propionyl group, acryloyl group, benzoyl Group,
Cinnamoyl group, pyridinecarbonyl group, thiazolecarbonyl group, trifluoroacetyl group, etc.), thioacyl group (thioformyl group, thioacetyl group, thiobenzoyl group, pyridinethiocarbonyl group, etc.), sulfinic acid group and its salt, sulfonic acid group and its Salt, sulfinyl group (methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, etc.), sulfonyl group (mesyl group, ethylsulfonyl group, phenylsulfonyl group,
Pyridylsulfonyl group, tosyl group, tauryl group, trifluoromethylsulfonyl group, sulfamoyl group, methylsulfamoyl group, sulfanyl group, acetylsulfanylyl group, etc., oxysulfonyl group (methoxysulfonyl group, ethoxysulfonyl group, phenoxysulfonyl) Group, acetaminophenoxysulfonyl group, pyridyloxysulfonyl group, etc.), thiosulfonyl group (methylthiosulfonyl group, ethylthiosulfonyl group, phenylthiosulfonyl group, acetaminophenylthiosulfonyl group, pyridylthiosulfonyl group, etc.), aminosulfonyl group (Sulfamoyl group, methylsulfamoyl group,
Dimethylsulfamoyl group, ethylsulfamoyl group,
Diethylsulfamoyl group, phenylsulfamoyl group, acetaminophenylsulfamoyl group, pyridylsulfamoyl group, etc., ammonio group (trimethylammonio group, ethyldimethylammonio group, dimethylphenylammonio group, pyridinio group , Quinolinio group, etc.), azo group (phenylazo group, pyridylazo group, thiazolylazo group, etc.), azoxy group, halogenated alkyl group (chloromethyl group, bromomethyl group, fluoromethyl group, dichloromethyl group, dibromomethyl group, difluoromethyl group , Trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, etc.), hydrocarbon group (alkyl group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, etc.), heterocyclic group, organosilicon group (silyl group, disilanyl group, Trimethylsili Group, triphenylsilyl group) characteristic groups such as. In addition, among these, a hydroxyl group, an oxy group, an oxime group, a carboxyl group, an aminocarbonyl group, a hydroxyalkyl group,
Hydroxyaryl group, di-substituted amino group, mono-substituted amino group, cyclic amino group, acylamino group, amino group, hydroxyamino group, ureido group, mercapto group, nitro group, cyano group, acyl group, sulfonic acid group, acylsulfonyl group , An azo group and a thio group are particularly preferred.

【0048】次に、本発明において硬化促進剤として用
いられる置換もしくは非置換のアミノ酸化合物(AC
2)について説明する。
Next, a substituted or unsubstituted amino acid compound (AC) used as a curing accelerator in the present invention
2) will be described.

【0049】(AC2)に含まれる非置換のアミノ酸化
合物としては、例えばグリシン、サルコシン、ジメチル
グリシン、ベタイン、アラニン、β−アラニン、α−ア
ミノ酪酸、β−アミノ酪酸、γ−アミノ酪酸、γ−アミ
ノ−β−オキソ酪酸、バリン、β−アミノイソ吉草酸、
γ−アミノイソ吉草酸、ノルバリン、β−アミノ吉草
酸、γ−アミノ吉草酸、δ−アミノ吉草酸、ロイシン、
イソロイシン、ノルロイシン、セリン、α−メチルセリ
ン、イソセリン、α−メチルイソセリン、シクロセリ
ン、ホモセリン、トレオニン、o−メチルトレオニン、
アロトレオニン、o−メチルアロトレオニン、ロセオニ
ン、トランス−3−アミノシクロヘキサンカルボン酸、
シス−3−アミノシクロヘキサンカルボン酸、ε−アミ
ンカプロン酸、ω−アミノドデカン酸、β−ヒドロキシ
バリン、β−ヒドロキシイソロイシン、α−ヒドロキシ
−β−アミノイソ吉草酸、ε−ジアゾ−δ−オキソノル
ロイシン、α−アミノ−ε−ヒドロキシアミノカプロン
酸、システイン、シスチン、S−メチルシステイン、S
−メチルシステイン−S−オキシド、システイン酸、ホ
モシステイン、ホモシスチン、メチオニン、ペニシラミ
ン、タウリン、α,β−ジアミノプロピオン酸、オルニ
チン、リシン、アルギニン、カナリン、カナバニン、δ
−ヒドロキシリシン、アスパラギン酸、アスパラギン、
イソアスパラギン、グルタミン酸、グルタミン、イソグ
ルタミン、α−メチルグルタミン酸、β−ヒドロキシグ
ルタミン酸、γ−ヒドロキシグルタミン酸、α−アミノ
アジピン酸、シトルリン、ランチオニン、シスタチオニ
ン、フェニルアラニン、α−メチルフェニルアラニン、
o−クロロフェニルアラニン、m−クロロフェニルアラ
ニン、p−クロロフェニルアラニン、o−フルオロフェ
ニルアラニン、m−フルオロフェニルアラニン、p−フ
ルオロフェニルアラニン、β−(2−ピリジル)アラニ
ン、チロシン、チロニン、ジクロロチロシン、ジブロモ
チオシン、ジヨードチロシン、3,4−ジヒドロキシフ
ェニルアラニン、α−メチル−3,4−ジヒドロキシフ
ェニルアラニン、フェニルグリシン、トリプトファン、
アブリン、ヒスチジン、1−メチルヒスチジン、2−メ
ルカプトヒスチジン、プロリン、ヒドロキシプロリン、
アントラニル酸、パラミノールが挙げられる。これらの
アミノ酸化合物に導入され、置換アミノ酸化合物を構成
する置換基としては、上述した特性基が挙げられる。
Examples of the unsubstituted amino acid compound contained in (AC2) include glycine, sarcosine, dimethylglycine, betaine, alanine, β-alanine, α-aminobutyric acid, β-aminobutyric acid, γ-aminobutyric acid, and γ-aminobutyric acid. Amino-β-oxobutyric acid, valine, β-aminoisovaleric acid,
γ-aminoisovaleric acid, norvaline, β-aminovaleric acid, γ-aminovaleric acid, δ-aminovaleric acid, leucine,
Isoleucine, norleucine, serine, α-methylserine, isoserine, α-methylisoserine, cycloserine, homoserine, threonine, o-methylthreonine,
Allothreonine, o-methyl allothreonine, roseonin, trans-3-aminocyclohexanecarboxylic acid,
Cis-3-aminocyclohexanecarboxylic acid, ε-aminecaproic acid, ω-aminododecanoic acid, β-hydroxyvaline, β-hydroxyisoleucine, α-hydroxy-β-aminoisovaleric acid, ε-diazo-δ-oxonorleucine , Α-amino-ε-hydroxyaminocaproic acid, cysteine, cystine, S-methylcysteine, S
-Methylcysteine-S-oxide, cysteic acid, homocysteine, homocystine, methionine, penicillamine, taurine, α, β-diaminopropionic acid, ornithine, lysine, arginine, canalin, canavanine, δ
-Hydroxylysine, aspartic acid, asparagine,
Isoasparagine, glutamic acid, glutamine, isoglutamine, α-methylglutamic acid, β-hydroxyglutamic acid, γ-hydroxyglutamic acid, α-aminoadipate, citrulline, lanthionine, cystathionine, phenylalanine, α-methylphenylalanine,
o-chlorophenylalanine, m-chlorophenylalanine, p-chlorophenylalanine, o-fluorophenylalanine, m-fluorophenylalanine, p-fluorophenylalanine, β- (2-pyridyl) alanine, tyrosine, tyrosine, dichlorotyrosine, dibromothiocin, Diiodotyrosine, 3,4-dihydroxyphenylalanine, α-methyl-3,4-dihydroxyphenylalanine, phenylglycine, tryptophan,
Abrin, histidine, 1-methylhistidine, 2-mercaptohistidine, proline, hydroxyproline,
Examples include anthranilic acid and paraminol. The substituents introduced into these amino acid compounds and constituting the substituted amino acid compounds include the characteristic groups described above.

【0050】上述したような置換もしくは非置換のアミ
ノ酸化合物(AC2)からなる硬化促進剤としては、上
記アミノ酸化合物のアミノ基をアシル基で置換したN−
アシルアミノ酸化合物、および上記アミノ酸化合物のア
ミノ基を芳香族炭化水素基または芳香族複素環基で置換
したN−アリール(またはヘテロアリール)アミノ酸化
合物が特に好ましい。
Examples of the curing accelerator comprising the above-mentioned substituted or unsubstituted amino acid compound (AC2) include N-substituted amino acid compounds in which the amino group is substituted with an acyl group.
Acyl amino acid compounds and N-aryl (or heteroaryl) amino acid compounds in which the amino group of the amino acid compound is substituted with an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group are particularly preferred.

【0051】N−アシルアミノ酸化合物に導入されるア
シル基としては、例えばホルミル基、アセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル
基、イソバレリル基、ピバロイル基、ラウロイル基、ミ
リストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、アク
リロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、ク
ロトノイル基、イソクロトノイル基、オレオイル基、シ
クロペンタンカルボニル基、シクロヘキサンカルボニル
基、ベンゾイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒド
ロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、
フロイル基、テノイル基、ピコリノイル基、ニコチノイ
ル基、イソニコチノイル基、キノリンカルボニル基、ピ
リダジンカルボニル基、ピリミジンカルボニル基、ピラ
ジンカルボニル基、イミダゾールカルボニル基、ベンゾ
イミダゾールカルボニル基、チアゾールカルボニル基、
ベンゾチアゾールカルボニル基、オキサゾールカルボニ
ル基、ベンゾオキサゾールカルボニル基、オキサリル
基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポ
イル基、ピメロイル基、スベロイル基、アゼラオイル
基、セバコイル基、マレオイル基、フマロイル基、シト
ラコノイル基、メサコノイル基、メソキサリル基、オキ
サルアセチル基、カンホロイル基、フタロイル基、イソ
フタロイル基、テレフタロイル基、オキサロ基、メトキ
サリル基、エトキサリル基、グリオキシロイル基、ピル
ボイル基、アセトアセチル基、メソオキサロ基、オキサ
ルアセト基、システイニル基、ホモシステイニル基、ト
リプトフィル基、アラニル基、β−アラニル基、アルギ
ニル基、シスタチオニル基、シスチル基、グリシル基、
ヒスチジル基、ホモセリル基、イソロイシル基、ランチ
オニル基、ロイシル基、リシル基、メチオニル基、ノル
ロイシル基、ノルバリル基、オルニチル基、プロリル
基、サルコシル基、セリル基、トレオニル基、チロニル
基、チロシル基、バリル基が挙げられる。
Examples of the acyl group introduced into the N-acylamino acid compound include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, isovaleryl, pivaloyl, lauroyl, myristoyl, and palmitoyl groups. , Stearoyl group, acryloyl group, propioloyl group, methacryloyl group, crotonoyl group, isocrotonoyl group, oleoyl group, cyclopentanecarbonyl group, cyclohexanecarbonyl group, benzoyl group, naphthoyl group, toluoyl group, hydroatropoyl group, atropoyl group, Cinnamoyl group,
Furoyl group, thenoyl group, picolinoyl group, nicotinoyl group, isonicotinoyl group, quinolinecarbonyl group, pyridazinecarbonyl group, pyrimidinecarbonyl group, pyrazinecarbonyl group, imidazolecarbonyl group, benzimidazolecarbonyl group, thiazolecarbonyl group,
Benzothiazolecarbonyl group, oxazolecarbonyl group, benzoxazolecarbonyl group, oxalyl group, malonyl group, succinyl group, glutaryl group, adipoyl group, pimeloyl group, suberoyl group, azelaoil group, sebacoil group, maleoyl group, fumaroyl group, citraconoyl group, Mesaconoyl group, mesoxalyl group, oxalacetyl group, camphoroyl group, phthaloyl group, isophthaloyl group, terephthaloyl group, oxalo group, methoxalyl group, ethoxalyl group, glyoxyloyl group, pyrvoyl group, acetoacetyl group, mesooxalo group, oxalaceto group, Cysteinyl group, homocysteinyl group, tryptofil group, alanyl group, β-alanyl group, arginyl group, cystathionyl group, cistyl group, glycyl group,
Histidyl group, homoseryl group, isoleucyl group, lanthionyl group, leucyl group, lysyl group, methionyl group, norleucyl group, norvalyl group, ornithyl group, prolyl group, sarcosyl group, seryl group, threonyl group, thyronyl group, tyrosyl group, valyl group Is mentioned.

【0052】N−アリール(またはヘテロアリール)ア
ミノ酸化合物に導入される芳香族炭化水素基または芳香
族複素環基としては、例えば、ベンゼン環基、ナフタレ
ン環基、アントラセン環基、フェナントレン環基、テト
ラリン環基、アズレン環基、ビフェニレン環基、アセナ
フチレン環基、アセナフテン環基、フルオレン環基、ト
リフェニレン環基、ピレン環基、クリセン環基、ピセン
環基、ペリレン環基、ベンゾピレン環基、ルビセン環
基、コロネン環基、オバレン環基、インデン環基、ペン
タレン環基、ヘプタレン環基、インダセン環基、フェナ
レン環基、フルオランテン環基、アセフェナントリレン
環基、アセアントリレン環基、ナフタセン環基、プレイ
アデン環基、ペンタフェン環基、ペンタセン環基、テト
ラフェニレン環基、ヘキサフェン環基、ヘキサセン環
基、トリナフチレン環基、ヘプタフェン環基、ヘプタセ
ン環基、ピラントレン環基、ピロール環基、インドール
環基、イソインドール環基、カルバゾール環基、カルボ
リン環基、フラン環基、クマロン環基、イソベンゾフラ
ン環基、チオフェン環基、ベンゾチオフェン環基、ジベ
ンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、インダゾール環
基、イミダゾール環基、ベンゾイミダゾール環基、オキ
サゾール環基、ベンゾオキサゾール環基、ベンゾオキサ
ゾリン環基、イソオキサゾール環基、ベンゾイソオキサ
ゾール環基、チアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、
ベンゾチアゾリン環基、イソチアゾール環基、ベンゾイ
ソチアゾール環基、トリアゾール環基、ベンゾトリアゾ
ール環基、オキサジアゾール環基、チアジアゾール環
基、ベンゾオキサジアゾール環基、ベンゾチアジアゾー
ル環基、テトラゾール環基、プリン環基、ピリジン環
基、キノリン環基、イソキノリン環基、アクリジン環
基、フェナントリジン環基、ベンゾキノリン環基、ベン
ゾイソキノリン環基、ナフチリジン環基、フェナントロ
リン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン
環基、フタラジン環基、キノキサリン環基、キナゾリン
環基、シンノリン環基、フェナジン環基、ペリミジン環
基、トリアジン環基、テトラジン環基、プテリジン環
基、ベンゾオキサジン環基、フェノキサジン環基、ベン
ゾチアジン環基、フェノチアジン環基、オキサジアジン
環基、チアジアジン環基、ベンゾジオキソール環基、ベ
ンゾジオキサン環基、ピラン環基、クロメン環基、キサ
ンテン環基、クロマン環基、およびイソクロマン環基な
どの非置換芳香族炭化水素基および非置換複素環基が挙
げられる。これらの非置換芳香族炭化水素基および非置
換複素環基は、上述した各種特性基で置換されていても
よい。
The aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group introduced into the N-aryl (or heteroaryl) amino acid compound includes, for example, a benzene ring group, a naphthalene ring group, an anthracene ring group, a phenanthrene ring group, tetralin Ring group, azulene ring group, biphenylene ring group, acenaphthylene ring group, acenaphthene ring group, fluorene ring group, triphenylene ring group, pyrene ring group, chrysene ring group, picene ring group, perylene ring group, benzopyrene ring group, rubicene ring group , Coronene ring group, ovalene ring group, indene ring group, pentalene ring group, heptalene ring group, indacene ring group, phenalene ring group, fluoranthene ring group, acephenanthrylene ring group, aceanthrylene ring group, naphthacene ring group, Preyaden ring group, pentaphene ring group, pentacene ring group, tetraphenylene ring group, Xaphene ring group, hexacene ring group, trinaphthylene ring group, heptaphen ring group, heptacene ring group, pyranthrene ring group, pyrrole ring group, indole ring group, isoindole ring group, carbazole ring group, carboline ring group, furan ring group, cumarone Ring group, isobenzofuran ring group, thiophene ring group, benzothiophene ring group, dibenzothiophene ring group, pyrazole ring group, indazole ring group, imidazole ring group, benzimidazole ring group, oxazole ring group, benzoxazole ring group, benzoxazoline Ring group, isoxazole ring group, benzoisoxazole ring group, thiazole ring group, benzothiazole ring group,
Benzothiazoline ring group, isothiazole ring group, benzoisothiazole ring group, triazole ring group, benzotriazole ring group, oxadiazole ring group, thiadiazole ring group, benzooxadiazole ring group, benzothiadiazole ring group, tetrazole ring group , Purine ring group, pyridine ring group, quinoline ring group, isoquinoline ring group, acridine ring group, phenanthridine ring group, benzoquinoline ring group, benzoisoquinoline ring group, naphthyridine ring group, phenanthroline ring group, pyridazine ring group, pyrimidine Ring group, pyrazine ring group, phthalazine ring group, quinoxaline ring group, quinazoline ring group, cinnoline ring group, phenazine ring group, perimidine ring group, triazine ring group, tetrazine ring group, pteridine ring group, benzoxazine ring group, phenoxazine Ring group, benzothiazine ring group, phenothi Unsubstituted aromatic groups such as gin ring group, oxadiazine ring group, thiadiazine ring group, benzodioxole ring group, benzodioxane ring group, pyran ring group, chromene ring group, xanthene ring group, chroman ring group, and isochroman ring group Examples include a hydrocarbon group and an unsubstituted heterocyclic group. These unsubstituted aromatic hydrocarbon groups and unsubstituted heterocyclic groups may be substituted with the various characteristic groups described above.

【0053】続いて、本発明において硬化促進剤として
用いられる、分子量が1000以下であり、少なくとも
2個以上のヒドロキシル基を有する芳香族炭化水素化合
物または芳香族複素環化合物(AC3)ついて説明す
る。
Next, the aromatic hydrocarbon compound or aromatic heterocyclic compound (AC3) having a molecular weight of 1,000 or less and having at least two hydroxyl groups, which is used as a curing accelerator in the present invention, will be described.

【0054】(AC3)に含有される化合物の分子量が
過剰に大きすぎる場合には、気化点(沸点、昇華点また
は分解点)が高くなり、膜中に多量に残留するおそれが
ある。このため、(AC3)に含有される化合物の分子
量を1000以下の範囲に規定した。また、良好な硬化
特性を得るためには、(AC3)におけるヒドロキシル
基は2個以上必要である。
If the molecular weight of the compound contained in (AC3) is too large, the vaporization point (boiling point, sublimation point or decomposition point) becomes high, and a large amount may remain in the film. For this reason, the molecular weight of the compound contained in (AC3) was specified in the range of 1000 or less. Further, in order to obtain good curing properties, two or more hydroxyl groups in (AC3) are required.

【0055】(AC3)としては、例えば下記化学式
(PHD)で表わされるポリヒドロキシ化合物が挙げら
れる。
Examples of (AC3) include a polyhydroxy compound represented by the following chemical formula (PHD).

【0056】[0056]

【化19】 Embedded image

【0057】(ここで、一般式(PHD)におけるAr
1およびAr2は、それぞれ同一でも異なっていてもよ
く、置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基または芳香
族複素環基を示し、X1はそれぞれ同一でも異なってい
てもよく、二価の有機基または単結合を示し、uは0ま
たは1を示し、vおよびwは、v+w≧2を満たす0〜
5の整数である。) 前記一般式(PHD)において、Ar1及びAr2として
導入される非置換の芳香属炭化水素基としては、例えば
ベンゼン環基、ナフタリン環基、アントラセン環基、フ
ェナントレン環基、テトラリン環基、アズレン環基、ビ
フェニレン環基、アセナフチレン環基、アセナフテン環
基、フルオレン環基、トリフェニレン環基、ピレン環
基、クリセン環基、ピセン環基、ペリレン環基、ベンゾ
ピレン環基、ルビセン環基、コロネン環基、オバレン環
基、インデン環基、ペンタレン環基、ヘプタレン環基、
インダセン環基、フェナレン環基、フルオランテン環
基、アセフェナントリレン環基、アセアントリレン環
基、ナフタセン環基、プレイアデン環基、ペンタフェン
環基、ペンタセン環基、テトラフェニレン環基、ヘキサ
フェン環基、ヘキサセン環基、トリナフチレン環基、ヘ
プタフェン環基、ヘプタセン環、およびピラントレン環
基などが挙げられる。
(Here, Ar in the general formula (PHD)
1 and Ar 2 may be the same or different and each represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group; X 1 may be the same or different, and Represents a group or a single bond, u represents 0 or 1, v and w are 0 to satisfy v + w ≧ 2
It is an integer of 5. In the formula (PHD), examples of the unsubstituted aromatic hydrocarbon group introduced as Ar 1 and Ar 2 include a benzene ring group, a naphthalene ring group, an anthracene ring group, a phenanthrene ring group, a tetralin ring group, Azulene ring group, biphenylene ring group, acenaphthylene ring group, acenaphthene ring group, fluorene ring group, triphenylene ring group, pyrene ring group, chrysene ring group, picene ring group, perylene ring group, benzopyrene ring group, rubicene ring group, coronene ring Group, ovalene ring group, indene ring group, pentalene ring group, heptalene ring group,
Indacene ring group, phenalene ring group, fluoranthene ring group, acephenanthrylene ring group, aceanthrylene ring group, naphthacene ring group, pleiaden ring group, pentaphene ring group, pentacene ring group, tetraphenylene ring group, hexaphene ring group , A hexacene ring group, a trinaphthylene ring group, a heptaphen ring group, a heptacene ring, and a pyranthrene ring group.

【0058】これらの非置換芳香族炭化水素基に導入さ
れ置換香族炭化水素基を構成する置換基としては、例え
ばシアノ基、シアナト基、チオシアナト基、ニトロ基、
ニトロソ基、オキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フェノ
キシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基、チアゾリル
オキシ基、アセトキシ基など)、チオ基(メチルチオ
基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ピリジルチオ基、
チアゾリルチオ基など)、メルカプト基、ハロゲン基
(フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基)、カル
ボキシル基及びその塩、オキシカルボニル基(メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカル
ボニル基、ピリジルオキシカルボニル基など)、アミノ
カルボニル基(カルバモイル基、メチルカルバモイル
基、フェニルカルバモイル基、ピリジルカルバモイル
基、カルバゾイル基、アロファノイル基、オキサモイル
基、スクシンアモイル基など)、チオカルボキシル基及
びその塩、ジチオカルボキシル基及びその塩、チオカル
ボニル基(メトキシチオカルボニル基、メチルチオカル
ボニル基、メチルチオチオカルボニル基など)、アシル
基(ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、アクリ
ロイル基、ベンゾイル基、シンナモイル基、ピリジンカ
ルボニル基、チアゾールカルボニル基、トリフルオロア
セチル基など)、チオアシル基(チオホルミル基、チオ
アセチル基、チオベンゾイル基、ピリジンチオカルボニ
ル基など)、スルフィン酸基及びその塩、スルホン酸基
及びその塩、スルフィニル基(メチルスルフィニル基、
エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基な
ど)、スルホニル基(メシル基、エチルスルホニル基、
フェニルスルホニル基、ピリジルスルホニル基、トシル
基、タウリル基、トリフルオロメチルスルホニル基、ス
ルファモイル基、メチルスルファモイル基、スルファニ
リル基、アセチルスルファニリル基など)、オキシスル
ホニル基(メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル
基、フェノキシスルホニル基、アセトアミノフェノキシ
スルホニル基、ピリジルオキシスルホニル基など)、チ
オスルホニル基(メチルチオスルホニル基、エチルチオ
スルホニル基、フェニルチオスルホニル基、アセトアミ
ノフェニルチオスルホニル基、ピリジルチオスルホニル
基など)、アミノスルホニル基(スルファモイル基、メ
チルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、エ
チルスルファモイル基、ジエチルスルファモイル基、フ
ェニルスルファモイル基、アセトアミノフェニルスルフ
ァモイル基、ピリジルスルファモイル基など)、アンモ
ニオ基(トリメチルアンモニオ基、エチルジメチルアン
モニオ基、ジメチルフェニルアンモニオ基、ピリジニオ
基、キノリニオ基など)、アゾ基(フェニルアゾ基、ピ
リジルアゾ基、チアゾリルアゾ基など)、アゾキシ基、
ハロゲン化アルキル基(クロロメチル基、ブロモメチル
基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメ
チル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基な
ど)、炭化水素基(アルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルキニル基など)、複素環基、有機ケイ素基
(シリル基、ジシラニル基、トリメチルシリル基、トリ
フェニルシリル基など)などが挙げられる。
Examples of the substituent which is introduced into these unsubstituted aromatic hydrocarbon groups to constitute a substituted aromatic hydrocarbon group include a cyano group, a cyanato group, a thiocyanato group, a nitro group,
Nitroso group, oxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, hydroxyethoxy group, phenoxy group, naphthoxy group, pyridyloxy group, thiazolyloxy group, acetoxy group, etc.), thio group (methylthio group, ethylthio group, phenylthio group) Group, pyridylthio group,
Thiazolylthio group, etc.), mercapto group, halogen group (fluoro group, chloro group, bromo group, iodo group), carboxyl group and salts thereof, oxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group) An aminocarbonyl group (carbamoyl group, methylcarbamoyl group, phenylcarbamoyl group, pyridylcarbamoyl group, carbazoyl group, allophanoyl group, oxamoyl group, succinamoyl group, etc.), thiocarboxyl group and its salt, dithiocarboxyl group and its salt, Thiocarbonyl group (methoxythiocarbonyl group, methylthiocarbonyl group, methylthiothiocarbonyl group, etc.), acyl group (formyl group, acetyl group, propionyl group, acryloyl group, benzoyl group Cinnamoyl group, pyridinecarbonyl group, thiazolecarbonyl group, trifluoroacetyl group, etc.), thioacyl group (thioformyl group, thioacetyl group, thiobenzoyl group, pyridinethiocarbonyl group, etc.), sulfinic acid group and its salt, sulfonic acid group and its Salt, sulfinyl group (methylsulfinyl group,
Ethylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, etc.), sulfonyl group (mesyl group, ethylsulfonyl group,
Phenylsulfonyl group, pyridylsulfonyl group, tosyl group, tauryl group, trifluoromethylsulfonyl group, sulfamoyl group, methylsulfamoyl group, sulfanylyl group, acetylsulfanylyl group, etc., oxysulfonyl group (methoxysulfonyl group, ethoxysulfonyl group) Group, phenoxysulfonyl group, acetaminophenoxysulfonyl group, pyridyloxysulfonyl group, etc.), thiosulfonyl group (methylthiosulfonyl group, ethylthiosulfonyl group, phenylthiosulfonyl group, acetaminophenylthiosulfonyl group, pyridylthiosulfonyl group, etc.) An aminosulfonyl group (sulfamoyl group, methylsulfamoyl group, dimethylsulfamoyl group, ethylsulfamoyl group, diethylsulfamoyl group, phenylsulfamoyl group) Group, acetaminophenylsulfamoyl group, pyridylsulfamoyl group, etc.), ammonium group (trimethylammonio group, ethyldimethylammonio group, dimethylphenylammonio group, pyridinio group, quinolinio group, etc.), azo group ( Phenylazo group, pyridylazo group, thiazolylazo group, etc.), azoxy group,
Halogenated alkyl groups (chloromethyl, bromomethyl, fluoromethyl, dichloromethyl, dibromomethyl, difluoromethyl, trifluoromethyl,
Pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, etc.), hydrocarbon group (alkyl group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, etc.), heterocyclic group, organosilicon group (silyl group, disilanyl group, trimethylsilyl group, triphenylsilyl) And the like).

【0059】また、前記一般式(PHD)において、A
1及びAr2として導入される非置換の芳香族複素環基
としては、例えばピロール環基、インドール環基、イソ
インドール環基、カルバゾール環基、フラン環基、クマ
ロン環基、イソベンゾフラン環基、チオフェン環基、ベ
ンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン環基、オキサジ
ン環基、ベンゾオキサジン環基、フェノキサジン環基、
チアジン環基、ベンゾチアジン環基、フェノチアジン環
基、オキサジアジン環基、チアジアジン環基、ベンゾジ
オキソール環基、ベンゾジオキサン環基、ピラン環基、
クロメン環基、キサンテン環基、クロマン環基、および
イソクロマン環基などが挙げられる。これらの複素環基
は、前述の各種特性基で置換されていてもよい。
In the general formula (PHD), A
Examples of the unsubstituted aromatic heterocyclic group introduced as r 1 and Ar 2 include a pyrrole ring group, an indole ring group, an isoindole ring group, a carbazole ring group, a furan ring group, a coumarone ring group, and an isobenzofuran ring group. , Thiophene ring group, benzothiophene group, dibenzothiophene ring group, oxazine ring group, benzoxazine ring group, phenoxazine ring group,
Thiazine ring group, benzothiazine ring group, phenothiazine ring group, oxadiazine ring group, thiadiazine ring group, benzodioxole ring group, benzodioxane ring group, pyran ring group,
Examples thereof include a chromene ring group, a xanthene ring group, a chroman ring group, and an isochroman ring group. These heterocyclic groups may be substituted with the various characteristic groups described above.

【0060】また、前記一般式(PHD)において、X
1として導入される二価の有機基としては、二価のオキ
シ基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基、カルボ
ニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニルオキシ
基、パーアルキルポリシロキサンジイル基(1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン−1,3−ジイル
基、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチルトリシロキ
サン−1,5−ジイル基、1,1,3,3,5,5,
7,7−オクタメチルテトラシロキサン−1,7−ジイ
ル基など)、置換もしくは非置換のイミノ基(イミノ
基、メチルイミノ基、エチルイミノ基、プロピルイミノ
基、フェニルイミノ基など)、置換もしくは非置換の脂
肪族炭化水素基(メチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、ペンチレン基、エチリデン基、プロピ
リデン基、ブチリデン基、ペンチリデン基、ビニレン
基、ジフルオロメチレン基、テトラフルオロエチレン
基、ヘキサフルオロプロピレン基、オクタフルオロブチ
レン基、デカフルオロペンチレン基、テトラフルオロエ
チリデン基、ヘキサフルオロプロピリデン基、オクタフ
ルオロブチリデン基、デカフルオロペンチリデン基な
ど)、置換もしくは非置換のアルキレンジオキシ基(メ
チレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、プロピレンジ
オキシ基、ブチレンジオキシ基、ペンチレンジオキシ
基、エチリデンジオキシ基、プロピリデンジオキシ基、
ブチリデンジオキシ基、ペンチリデンジオキシ基な
ど)、アゾ基、アゾキシ基、およびアゾメチン基などが
挙げられる。
In the general formula (PHD), X
Examples of the divalent organic group introduced as 1 include a divalent oxy group, a thio group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyloxy group, a peralkylpolysiloxanediyl group (1,1 ,
3,3-tetramethyldisiloxane-1,3-diyl group, 1,1,3,3,5,5-hexamethyltrisiloxane-1,5-diyl group, 1,1,3,3,5 5,
7,7-octamethyltetrasiloxane-1,7-diyl group, etc., substituted or unsubstituted imino group (imino group, methylimino group, ethylimino group, propylimino group, phenylimino group, etc.), substituted or unsubstituted Aliphatic hydrocarbon group (methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, ethylidene group, propylidene group, butylidene group, pentylidene group, vinylene group, difluoromethylene group, tetrafluoroethylene group, hexafluoropropylene group, Octafluorobutylene group, decafluoropentylene group, tetrafluoroethylidene group, hexafluoropropylidene group, octafluorobutylidene group, decafluoropentylidene group, etc., substituted or unsubstituted alkylenedioxy group (methylenedioxy group) , Echire Dioxy group, propylenedioxy group, butylenedioxy group, pentylene dioxy group, ethylidene group, pro pyridinium Denji group,
Butylidenedioxy group, pentylidenedioxy group, etc.), azo group, azoxy group, azomethine group and the like.

【0061】上述したような分子量が1000以下であ
る少なくとも2個以上のヒドロキシル基を有する芳香族
炭化水素化合物または芳香族複素環化合物(AC3)か
らなる硬化促進剤としては、例えばベンゼン、ナフタレ
ン、アントラセン、アントラキノン、フェナントレン、
フェナントレンキノン、フルオレン、フルオレノン、ピ
ロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、
フラン、クマロン、イソベンゾフラン、チオフェン、ベ
ンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾジオキソ
ール、ベンゾジオキサン、ビフェニル、アセトフェノ
ン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、ベンゾフェノ
ン、安息香酸エステル、ベンゼンジカルボン酸ジエステ
ル、ベンズアミド、ベンズニトリル、ベンズアルデヒ
ド、アルコキシベンゼン、ベンジルアルコール、ニトロ
ベンゼン、ベンゼンスルホン酸、アニリン、ジフェニル
エーテル、ジフェニルスルホン、ジフェニルメタン、ジ
フェニルエタン、ジフェニルプロパン、ジフェニルジフ
ルオロメタン、ジフェニルテトラフルオロエタン、ジフ
ェニルヘキサフルオロプロパン、ジフェニルアミン、ジ
フェニルメチルアミン、トリフェニルアミン、トリフェ
ニルメタン、トリフェニルメタノール、およびフクソン
などの芳香環化合物を少なくとも2個以上のヒドロキシ
ル基で置換した化合物が特に好ましい。
Examples of the curing accelerator comprising an aromatic hydrocarbon compound or an aromatic heterocyclic compound (AC3) having at least two hydroxyl groups having a molecular weight of 1,000 or less as described above include, for example, benzene, naphthalene, anthracene , Anthraquinone, phenanthrene,
Phenanthrenequinone, fluorene, fluorenone, pyrrole, indole, isoindole, carbazole,
Furan, coumarone, isobenzofuran, thiophene, benzothiophene, dibenzothiophene, benzodioxole, benzodioxane, biphenyl, acetophenone, propiophenone, butyrophenone, benzophenone, benzoate, benzenedicarboxylate diester, benzamide, benznitrile, benzaldehyde , Alkoxybenzene, benzyl alcohol, nitrobenzene, benzenesulfonic acid, aniline, diphenyl ether, diphenylsulfone, diphenylmethane, diphenylethane, diphenylpropane, diphenyldifluoromethane, diphenyltetrafluoroethane, diphenylhexafluoropropane, diphenylamine, diphenylmethylamine, triphenyl Amine, triphenylmethane, triphe Le methanol, and compounds the aromatic ring compound substituted with at least two or more hydroxyl groups such as fuchsone is particularly preferred.

【0062】以上のような(AC1)ないし(AC3)
の低温硬化促進剤は単独で用いてもよいし、2種以上混
合して用いてもよい。
The above (AC1) to (AC3)
May be used alone or in combination of two or more.

【0063】上記の低温硬化促進剤に関しては、気化点
(沸点、昇華点または分解点)が低く、硬化促進効果お
よびポリアミド酸溶液への溶解性が良好であることが好
ましい。この観点から、特に好ましい低温硬化促進剤と
しては、イミダゾール、1,2,4−トリアゾール、ベ
ンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、プリン、キノ
リン、イソキノリン、ピリダジン、フタラジン、キナゾ
リン、シンノリン、ナフチリジン、アクリジン、フェナ
ントリジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、ベ
ンゾシンノリン、ベンゾフタラジン、ベンゾキナゾリ
ン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、ペリ
ミジン、2,2’−ジピリジル、2,4’−ジピリジ
ル、4,4’−ジピリジル、2,2’−ジキノリル、2
−ヒドロキシピリジン、3−ヒドロキシピリジン、4−
ヒドロキシピリジン、2−ヒドロキシキノリン、3−ヒ
ドロキシキノリン、4−ヒドロキシキノリン、5−ヒド
ロキシキノリン、6−ヒドロキシキノリン、7−ヒドロ
キシキノリン、8−ヒドロキシキノリン、ピコリンアミ
ド、ニコチンアミド、イソニコチンアミド、N,N−ジ
メチルニコチンアミド、N,N−ジエチルニコチンアミ
ド、N,N−ジメチルイソニコチンアミド、N,N−ジ
エチルイソニコチンアミド、ヒドロキシニコチン酸、ピ
コリン酸エステル、ニコチン酸エステル、イソニコチン
酸エステル、2−ピリジンスルホンアミド、3−ピリジ
ンスルホンアミド、4−ピリジンスルホンアミド、ピコ
リンアルデヒド、ニコチンアルデヒド、イソニコチンア
ルデヒド、3−ニトロピリジン、3−アセトキシピリジ
ン、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−ア
ミノピリジン、ピコリンアルドキシム、ニコチンアルド
キシム、イソニコチンアルドキシム、2−(ヒドロキシ
メチル)ピリジン、3−(ヒドロキシメチル)ピリジ
ン、4−(ヒドロキシメチル)ピリジン、2−(ヒドロ
キシエチル)ピリジン、3−(ヒドロキシエチル)ピリ
ジン、4−(ヒドロキシエチル)ピリジン、3−ヒドロ
キシピリジン−N−オキシド、4−ヒドロキシピリジン
−N−オキシド、4−ヒドロキシキノリン−N−オキシ
ド、N−ヒドロキシピロール−2,5−ジオン、N−ヒ
ドロキシイソインドール−1,3−ジオン、N−ヒドロ
キシピロリジン−2,5−ジオン、N−ヒドロキシベン
ゾ[de]イソキノリン−1,3−ジオン、トリエチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンテトラミン、ヒダントイ
ン、ヒスチジン、ウラシル、バルビツール酸、ジアルル
酸、シトシン、アニリノ酢酸、2−(ピリジル)グリシ
ン、トリプトファン、プロリン、N−アセチルグリシ
ン、馬尿酸、N−ピコリノイルグリシン、N−ニコチノ
イルグリシン、N−イソニコチノイルグリシン、N−ア
セチルアラニン、N−ベンゾイルアラニン、N−ピコリ
ノイルアラニン、N−ニコチノイルアラニン、N−イソ
ニコチノイルアラニン、α−(アセチルアミノ)酪酸、
α−(ベンゾイルアミノ)酪酸、α−(ピコリノイルア
ミノ)酪酸、α−(ニコチノイルアミノ)酪酸、α−
(イソニコチノイルアミノ)酪酸、N−アセチルバリ
ン、N−ベンゾイルバリン、N−ピコリノイルバリン、
N−ニコチノイルバリン、N−イソニコチノイルバリ
ン、ベンゼントリオール、ジヒドロキシアセトフェノ
ン、トリヒドロキシアセトフェノン、ジヒドロキシベン
ゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、ジヒドロキシ安息香酸エステ
ル、トリヒドロキシ安息香酸エステル、ジヒドロキシベ
ンズアミド、トリヒドロキシベンズアミド、ジヒドロキ
シベンジルアルコール、トリヒドロキシベンジルアルコ
ール、アルコキシベンゼンジオール、アルコキシベンゼ
ントリオール、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒ
ドロキシベンズアルデヒド、ニトロベンゼンジオール、
ジヒドロキシ−N,N−ジメチルアニリン、ジヒドロキ
シジフェニルアミン、トリヒドロキシジフェニルアミ
ン、テトラヒドロキシジフェニルアミン、ジヒドロキシ
トリフェニルアミン、トリヒドロキシトリフェニルアミ
ン、テトラヒドロキシトリフェニルアミン、ジヒドロキ
シビフェニル、トリヒドロキシビフェニル、テトラヒド
ロキシビフェニル、ジヒドロキシジフェニルエーテル、
トリヒドロキシジフェニルエーテル、テトラヒドロキシ
ジフェニルエーテル、ジヒドロキシジフェニルスルホ
ン、トリヒドロキシジフェニルスルホン、テトラヒドロ
キシジフェニルスルホン、ジヒドロキシジフェニルメタ
ン、トリヒドロキシジフェニルメタン、テトラヒドロキ
シジフェニルメタン、ジヒドロキシジフェニルエタン、
トリヒドロキシジフェニルエタン、テトラヒドロキシジ
フェニルエタン、ジヒドロキシジフェニルプロパン、ト
リヒドロキシジフェニルプロパン、テトラヒドロキシジ
フェニルプロパン、ジヒドロキシジフェニルヘキサフル
オロプロパン、トリヒドロキシジフェニルヘキサフルオ
ロプロパン、テトラヒドロキシジフェニルヘキサフルオ
ロプロパン、トリフェニルメタントリオール、ジヒドロ
キシフクソン、ナフタレンジオール、ナフタレントリオ
ール、ナフタレンテトラオール、アントラセンジオー
ル、アントラセントリオール、アントラセンテトラオー
ル、フルオレンジオール、フルオレントリオール、フル
オレンテトラオール、フルオレノンジオール、フルオレ
ノントリオール、およびフルオレノンテトラオールなど
が挙げられる。
The above-mentioned low-temperature curing accelerator preferably has a low vaporization point (boiling point, sublimation point or decomposition point), and has good curing acceleration effect and good solubility in a polyamic acid solution. In this respect, particularly preferred low-temperature curing accelerators include imidazole, 1,2,4-triazole, benzimidazole, naphthimidazole, purine, quinoline, isoquinoline, pyridazine, phthalazine, quinazoline, cinnoline, naphthyridine, acridine, phenanthridine. , Benzoquinoline, benzoisoquinoline, benzocinnoline, benzophthalazine, benzoquinazoline, phenanthroline, phenazine, carboline, perimidine, 2,2'-dipyridyl, 2,4'-dipyridyl, 4,4'-dipyridyl, 2,2'- Diquinolyl, 2
-Hydroxypyridine, 3-hydroxypyridine, 4-
Hydroxypyridine, 2-hydroxyquinoline, 3-hydroxyquinoline, 4-hydroxyquinoline, 5-hydroxyquinoline, 6-hydroxyquinoline, 7-hydroxyquinoline, 8-hydroxyquinoline, picolinamide, nicotinamide, isonicotinamide, N, N-dimethylnicotinamide, N, N-diethylnicotinamide, N, N-dimethylisonicotinamide, N, N-diethylisonicotinamide, hydroxynicotinic acid, picolinic acid ester, nicotinic acid ester, isonicotinic acid ester, 2 -Pyridinesulfonamide, 3-pyridinesulfonamide, 4-pyridinesulfonamide, picolinaldehyde, nicotinaldehyde, isonicotinaldehyde, 3-nitropyridine, 3-acetoxypyridine, 2-aminopi Gin, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, picoline aldoxime, nicotine aldoxime, isonicotine aldoxime, 2- (hydroxymethyl) pyridine, 3- (hydroxymethyl) pyridine, 4- (hydroxymethyl) pyridine, -(Hydroxyethyl) pyridine, 3- (hydroxyethyl) pyridine, 4- (hydroxyethyl) pyridine, 3-hydroxypyridine-N-oxide, 4-hydroxypyridine-N-oxide, 4-hydroxyquinoline-N-oxide, N-hydroxypyrrole-2,5-dione, N-hydroxyisoindole-1,3-dione, N-hydroxypyrrolidine-2,5-dione, N-hydroxybenzo [de] isoquinoline-1,3-dione, tri Ethylenediamine, hexamethylenetetrami , Hydantoin, histidine, uracil, barbituric acid, diallylic acid, cytosine, anilinoacetic acid, 2- (pyridyl) glycine, tryptophan, proline, N-acetylglycine, hippuric acid, N-picolinoylglycine, N-nicotinoylglycine, N-isonicotinoylglycine, N-acetylalanine, N-benzoylalanine, N-picolinoylalanine, N-nicotinoylalanine, N-isonicotinoylalanine, α- (acetylamino) butyric acid,
α- (benzoylamino) butyric acid, α- (picolinoylamino) butyric acid, α- (nicotinoylamino) butyric acid, α-
(Isonicotinoylamino) butyric acid, N-acetylvaline, N-benzoylvaline, N-picolinoylvaline,
N-nicotinoyl valine, N-isonicotinoyl valine, benzenetriol, dihydroxyacetophenone, trihydroxyacetophenone, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, dihydroxybenzoate, trihydroxybenzoate, dihydroxybenzamide, trihydroxy Benzamide, dihydroxybenzyl alcohol, trihydroxybenzyl alcohol, alkoxybenzenediol, alkoxybenzenetriol, dihydroxybenzaldehyde, trihydroxybenzaldehyde, nitrobenzenediol,
Dihydroxy-N, N-dimethylaniline, dihydroxydiphenylamine, trihydroxydiphenylamine, tetrahydroxydiphenylamine, dihydroxytriphenylamine, trihydroxytriphenylamine, tetrahydroxytriphenylamine, dihydroxybiphenyl, trihydroxybiphenyl, tetrahydroxybiphenyl, dihydroxydiphenyl ether ,
Trihydroxydiphenyl ether, tetrahydroxydiphenylether, dihydroxydiphenylsulfone, trihydroxydiphenylsulfone, tetrahydroxydiphenylsulfone, dihydroxydiphenylmethane, trihydroxydiphenylmethane, tetrahydroxydiphenylmethane, dihydroxydiphenylethane,
Trihydroxydiphenylethane, tetrahydroxydiphenylethane, dihydroxydiphenylpropane, trihydroxydiphenylpropane, tetrahydroxydiphenylpropane, dihydroxydiphenylhexafluoropropane, trihydroxydiphenylhexafluoropropane, tetrahydroxydiphenylhexafluoropropane, triphenylmethanetriol, dihydroxy Examples include fuchsone, naphthalene diol, naphthalene triol, naphthalene tetraol, anthracene diol, anthracentriol, anthracene tetraol, fluorenediol, fluorene triol, fluoren tetraol, fluorenone diol, fluorenone triol, and fluorenone tetraol.

【0064】これらの低温硬化促進剤は、ポリアミド酸
の繰返し単位1モル当量に対して0.1モル当量以上、
好ましくは0.2〜4.0モル当量、最も好ましくは
0.5〜2.5モル当量の範囲で用いられる。この理由
は、低温硬化促進剤の配合量が少なすぎる場合には低温
の熱処理ではポリアミド酸のイミド化が不十分で良好な
ポリイミドが得られなくなり、低温硬化促進剤の配合量
が多すぎる場合にはポリイミド前駆体組成物の貯蔵安定
性が悪くなったり、加熱硬化後の低温硬化促進剤の残留
量が多くなり諸特性に悪影響が出る可能性があるためで
ある。
These low-temperature curing accelerators are used in an amount of 0.1 mol equivalent or more per 1 mol equivalent of the repeating unit of the polyamic acid.
Preferably it is used in the range of 0.2 to 4.0 molar equivalents, most preferably in the range of 0.5 to 2.5 molar equivalents. The reason for this is that if the blending amount of the low-temperature curing accelerator is too small, the imidization of the polyamic acid is insufficient at a low-temperature heat treatment to obtain a good polyimide, and the blending amount of the low-temperature curing accelerator is too large. This is because the storage stability of the polyimide precursor composition may be degraded, or the residual amount of the low-temperature curing accelerator after heat curing may increase to adversely affect various properties.

【0065】本発明の非線形光学材料に配合される第2
の低温硬化促進剤は、下記一般式(1)〜(10)で表
される化合物、およびその誘導体からなる群から選択さ
れる少なくとも1種である。
The second compound incorporated in the nonlinear optical material of the present invention
Is at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (1) to (10) and derivatives thereof.

【0066】[0066]

【化20】 Embedded image

【0067】(上記式(2)中、R21は炭素数1〜10
のアルキレン基、エチニレン基、または−CH2CO−
である。)
(In the above formula (2), R 21 has 1 to 10 carbon atoms.
Alkylene group, ethynylene group, or -CH 2 CO-
It is. )

【0068】[0068]

【化21】 Embedded image

【0069】(上記式(5)中、X21は−C(=O)−
O−または−C(=O)−NH−、R 22は炭素数1〜4
のアルキレン基、R23およびR24はメチル基またはエチ
ル基である。)
(X in the above formula (5)twenty oneIs -C (= O)-
O- or -C (= O) -NH-, R twenty twoIs 1 to 4 carbon atoms
An alkylene group of Rtwenty threeAnd Rtwenty fourIs a methyl group or ethyl
Group. )

【0070】[0070]

【化22】 Embedded image

【0071】(上記式(8)中、R25は直接結合、−O
−、−SO2−、−CH2−、−C(CH32−または−
C(CF32−である。)
(In the above formula (8), R 25 is a direct bond, —O
-, - SO 2 -, - CH 2 -, - C (CH 3) 2 - or -
C (CF 3) 2 - a. )

【0072】[0072]

【化23】 Embedded image

【0073】一般式(1)で示されるカルボン酸化合物
としては、例えばヒドロキシ安息香酸が挙げられる。一
般式(2)で示されるカルボン酸化合物としては、例え
ばヒドロキシフェニル酢酸、ヒドロキシフェニルピルビ
ン酸、ヒドロキシけい皮酸などが挙げられる。一般式
(3)および(4)で示されるカルボン酸化合物として
は、例えばヒドロキシナフトエ酸が挙げられる。一般式
(5)で示されるカルボン酸エステルまたはカルボン酸
アミドとしては、ヒドロキシ安息香酸−N,N−ジメチ
ルアミノメチル、ヒドロキシ安息香酸−N,N−ジエチ
ルアミノメチル、ヒドロキシ安息香酸2−N,N−ジメ
チルアミノエチル、ヒドロキシ安息香酸2−N,N−ジ
エチルアミノエチル、ヒドロキシ安息香酸3−N,N−
ジメチルアミノプロピル、ヒドロキシ安息香酸3−N,
N−ジエチルアミノプロピル、ヒドロキシ安息香酸2−
N,N−ジメチルアミノプロピル、ヒドロキシ安息香酸
2−N,N−ジエチルアミノプロピル、ヒドロキシ安息
香酸1−メチル−2−N,N−ジメチルアミノエチル、
ヒドロキシ安息香酸1−メチル−2−N,N−ジエチル
アミノエチル、ヒドロキシ安息香酸4−N,N−ジメチ
ルアミノブチル、ヒドロキシ安息香酸4−N,N−ジエ
チルアミノブチル、ヒドロキシ安息香酸3−メチル−3
−N,N−ジメチルアミノプロピル、ヒドロキシ安息香
酸3−メチル−3−N,N−ジエチルアミノプロピル、
2−N,N−ジメチルアミノエチルヒドロキシ安息香酸
アミド、2−N,N−ジエチルアミノエチルヒドロキシ
安息香酸アミド、3−N,N−ジメチルアミノプロピル
ヒドロキシ安息香酸アミド、3−N,N−ジエチルアミ
ノプロピルヒドロキシ安息香酸アミド、2−N,N−ジ
メチルアミノプロピルヒドロキシ安息香酸アミド、2−
N,N−ジエチルアミノプロピルヒドロキシ安息香酸ア
ミドなどが挙げられる。一般式(1)〜(5)で示され
るフェノール性水酸基を有する化合物において、水酸基
は芳香環のオルト位、メタ位、パラ位など、どの部位に
結合していてもよい。また、一般式(1)〜(5)で示
される化合物の誘導体とは、これらの化合物の芳香環の
水素原子が、さらに水酸基、カルボキシル基、ハロゲン
原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、メト
キシ基またはアミノ基で置換された化合物をいう。
The carboxylic acid compound represented by the general formula (1) includes, for example, hydroxybenzoic acid. Examples of the carboxylic acid compound represented by the general formula (2) include hydroxyphenylacetic acid, hydroxyphenylpyruvic acid, and hydroxycinnamic acid. Examples of the carboxylic acid compounds represented by the general formulas (3) and (4) include hydroxynaphthoic acid. Examples of the carboxylic acid ester or carboxylic acid amide represented by the general formula (5) include -N, N-dimethylaminomethyl hydroxybenzoate, -N, N-diethylaminomethyl hydroxybenzoate, and 2-N, N-hydroxybenzoic acid. Dimethylaminoethyl, 2-N, N-diethylaminoethyl hydroxybenzoate, 3-N, N-hydroxybenzoic acid
Dimethylaminopropyl, hydroxybenzoic acid 3-N,
N-diethylaminopropyl, hydroxybenzoic acid 2-
N, N-dimethylaminopropyl, 2-N, N-diethylaminopropyl hydroxybenzoate, 1-methyl-2-N, N-dimethylaminoethyl hydroxybenzoate,
1-methyl-2-N, N-diethylaminoethyl hydroxybenzoate, 4-N, N-dimethylaminobutyl hydroxybenzoate, 4-N, N-diethylaminobutyl hydroxybenzoate, 3-methyl-3 hydroxybenzoate
-N, N-dimethylaminopropyl, 3-methyl-3-N, N-diethylaminopropyl hydroxybenzoate,
2-N, N-dimethylaminoethylhydroxybenzoic acid amide, 2-N, N-diethylaminoethylhydroxybenzoic acid amide, 3-N, N-dimethylaminopropylhydroxybenzoic acid amide, 3-N, N-diethylaminopropylhydroxy Benzoic acid amide, 2-N, N-dimethylaminopropylhydroxybenzoic acid amide, 2-
N, N-diethylaminopropylhydroxybenzoic acid amide and the like. In the compounds having a phenolic hydroxyl group represented by the general formulas (1) to (5), the hydroxyl group may be bonded to any site of the aromatic ring, such as the ortho, meta, and para positions. In addition, the derivatives of the compounds represented by the general formulas (1) to (5) mean that the hydrogen atom of the aromatic ring of these compounds further includes a hydroxyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a methyl group, an ethyl group. A compound substituted with a methoxy group or an amino group.

【0074】なお、一般式(5)で示されるカルボン酸
エステルまたはカルボン酸アミドの合成方法は特に限定
されない。例えば、一般式(1)で示されるカルボン酸
と下記一般式(11)で示される第三級アミンとを、触
媒の存在下において加熱する方法を採用できる。このと
きのカルボン酸に対する第三級アミンの配合割合は、収
率の点から、モル比で1:1〜6の範囲、さらに好まし
くは1:1〜3の範囲とする。用いられる触媒として
は、硫酸、燐酸、塩酸またはp−トルエンスルホン酸、
三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体などが挙げられ
る。加熱温度は、第三級アミンが還流する温度に設定さ
れる。また加熱時間は1〜10時間、さらに好ましくは
2〜7時間である。
The method for synthesizing the carboxylic acid ester or carboxylic acid amide represented by the general formula (5) is not particularly limited. For example, a method of heating a carboxylic acid represented by the general formula (1) and a tertiary amine represented by the following general formula (11) in the presence of a catalyst can be employed. At this time, the mixing ratio of the tertiary amine to the carboxylic acid is in the range of 1: 1 to 6 and more preferably 1: 1 to 3 in terms of molar ratio from the viewpoint of yield. As the catalyst used, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid or p-toluenesulfonic acid,
And boron trifluoride diethyl ether complex. The heating temperature is set to a temperature at which the tertiary amine refluxes. The heating time is 1 to 10 hours, more preferably 2 to 7 hours.

【0075】[0075]

【化24】 Embedded image

【0076】(上記式中、R22は炭素数1〜4のアルキ
レン基、R23およびR24はメチル基またはエチル基、Y
21は−OHまたは−NH2である。) 前記一般式(1)〜(5)で示されるフェノール性水酸
基を有する化合物の配合量は、ポリアミド酸のカルボキ
シル基に対して0.05〜3.0当量とすることが好ま
しい。その配合量が0.05当量未満の場合、感光性能
が不十分になるおそれがある。逆に、その配合量が3.
0当量を越える場合、貯蔵時の粘度安定性が悪くなり、
また得られる塗布膜の現像時における膜べりが大きくな
る。さらにこれらの化合物の配合量は0.1〜2.0当
量であることがより好ましい。なお、ポリイミドが配合
される場合、さらにフェノール性水酸基を有する化合物
を、上記で規定される量に加えて、ポリイミドに対して
20重量%まで配合してもよい。
(Wherein R 22 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, R 23 and R 24 are a methyl group or an ethyl group,
21 is -OH or -NH 2. The compounding amount of the compound having a phenolic hydroxyl group represented by the general formulas (1) to (5) is preferably 0.05 to 3.0 equivalents based on the carboxyl group of the polyamic acid. If the amount is less than 0.05 equivalent, the photosensitive performance may be insufficient. Conversely, the compounding amount is 3.
If it exceeds 0 equivalents, the viscosity stability during storage becomes worse,
Further, film loss during development of the obtained coating film increases. Further, the compounding amount of these compounds is more preferably 0.1 to 2.0 equivalents. When a polyimide is blended, a compound having a phenolic hydroxyl group may be further blended up to 20% by weight with respect to the polyimide in addition to the amount specified above.

【0077】一般式(6)〜(10)で示される化合物
について説明する。一般式(6)で示される化合物とし
ては、例えばアミノ安息香酸が挙げられる。一般式
(7)、(8)で示される化合物としては、例えばアミ
ノフェノールが挙げられる。一般式(9)で示される化
合物としては、例えばフェノールスルホン酸が挙げられ
る。一般式(10)で示される化合物としては、例えば
ヒドロキシベンズアルデヒドが挙げられる。これらの化
合物の中では、一般式(9)で示される化合物がイミド
化反応の温度を大きく低下させることから特に好まし
い。一般式(6)〜(10)で示される化合物において
水酸基またはアミノ基は、芳香環のオルト位、メタ位、
パラ位のいずれの部位に結合していてもよいが、メタ
位、パラ位に結合していることが好ましい。また、一般
式(6)〜(10)で示される化合物の誘導体とは、こ
れらの化合物の芳香環の水素原子が、さらに水酸基、ハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル
基、メトキシ基またはアミノ基で置換された化合物をい
う。
The compounds represented by formulas (6) to (10) will be described. Examples of the compound represented by the general formula (6) include aminobenzoic acid. Examples of the compounds represented by the general formulas (7) and (8) include aminophenol. Examples of the compound represented by the general formula (9) include phenolsulfonic acid. Examples of the compound represented by the general formula (10) include hydroxybenzaldehyde. Among these compounds, the compound represented by the general formula (9) is particularly preferable because it greatly lowers the temperature of the imidization reaction. In the compounds represented by the general formulas (6) to (10), the hydroxyl group or the amino group may be an ortho-position, a meta-position,
It may be bonded to any of the para-positions, but is preferably bonded to the meta- or para-position. In addition, the derivatives of the compounds represented by the general formulas (6) to (10) mean that the hydrogen atom of the aromatic ring of these compounds further includes a hydroxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a nitro group, a methyl group, an ethyl group, and a methoxy group. Refers to a compound substituted with a group or an amino group.

【0078】一般式(1)〜(10)で示される化合物
およびその誘導体の配合量は、ポリアミド酸のカルボキ
シル基に対して0.05〜3.0当量とすることが好ま
しい。これらの化合物の配合量が0.05当量未満の場
合、低温の熱処理ではポリイミド膜が得られなくなる。
逆に、これらの化合物の配合量が3.0当量を越える場
合、貯蔵時の粘度安定性が悪くなる。さらに、これらの
化合物の配合量は0.1〜2.0当量であることがより
好ましい。
It is preferable that the compounding amounts of the compounds represented by the general formulas (1) to (10) and the derivatives thereof are 0.05 to 3.0 equivalents to the carboxyl group of the polyamic acid. When the compounding amount of these compounds is less than 0.05 equivalent, a polyimide film cannot be obtained by low-temperature heat treatment.
Conversely, if the compounding amount of these compounds exceeds 3.0 equivalents, the viscosity stability during storage will be poor. Further, the compounding amount of these compounds is more preferably 0.1 to 2.0 equivalents.

【0079】なお、一般式(5)で示されるカルボン酸
エステルまたはカルボン酸アミドが配合されている場
合、その一部または全部がカルボン酸と第三級アミンと
に分解していてもよい。
When the carboxylic acid ester or carboxylic acid amide represented by the general formula (5) is blended, a part or the whole thereof may be decomposed into a carboxylic acid and a tertiary amine.

【0080】本発明の非線形光学材料に配合される第3
の低温硬化促進剤は、下記一般式(1)〜(4)、
(6)〜(10)で表される化合物およびその誘導体か
らなる群から選択される少なくとも1種と、第三級アミ
ン化合物との組み合わせから構成される。
The third compound incorporated in the nonlinear optical material of the present invention
The low-temperature curing accelerator of the following general formulas (1) to (4),
It is composed of a combination of at least one selected from the group consisting of the compounds represented by (6) to (10) and derivatives thereof and a tertiary amine compound.

【0081】[0081]

【化25】 Embedded image

【0082】(上記式(2)中、R21は炭素数1〜10
のアルキレン基、エチニレン基、または−CH2CO−
である。)
(In the above formula (2), R 21 has 1 to 10 carbon atoms.
Alkylene group, ethynylene group, or -CH 2 CO-
It is. )

【0083】[0083]

【化26】 Embedded image

【0084】[0084]

【化27】 Embedded image

【0085】(上記式(8)中、R25は直接結合、−O
−、−SO2−、−CH2−、−C(CH32−または−
C(CF32−である。)
(In the above formula (8), R 25 is a direct bond, —O
-, - SO 2 -, - CH 2 -, - C (CH 3) 2 - or -
C (CF 3) 2 - a. )

【0086】[0086]

【化28】 Embedded image

【0087】ここで用いられる第三級アミンは特に限定
されず、前記一般式(11)で示されるもののほか、ト
リメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリ
ンなどを用いることができる。これらの第三級アミン
は、一般式(1)〜(4)、(6)〜(10)で示され
る化合物と併用することによってイミド化反応の温度を
さらに低下させる作用を有する。
The tertiary amine used here is not particularly limited, and trimethylamine, triethylamine, pyridine, picoline and the like can be used in addition to those represented by the general formula (11). These tertiary amines have an effect of further lowering the temperature of the imidization reaction when used in combination with the compounds represented by the general formulas (1) to (4) and (6) to (10).

【0088】第三級アミンの好ましい配合量はポリアミ
ド酸のカルボキシル基に対して0.05〜0.3当量、
より好ましくは0.05〜1.0当量である。第三級ア
ミンの配合量が0.05当量未満であると、このように
一般式(1)〜(4)、(6)〜(10)で示される化
合物のみを用いた場合と比較して、ポリイミド膜を得る
際の熱処理の温度がさほど変わらない。逆に第三級アミ
ンの配合量が3.0当量を超えると、ポリイミド膜中の
第三級アミンの残留量が多くなり、液晶中への第三級ア
ミンの混入に起因して液晶表示装置の表示機能の低下が
生じるおそれがある。
The preferred amount of the tertiary amine is 0.05 to 0.3 equivalent based on the carboxyl group of the polyamic acid.
More preferably, it is 0.05 to 1.0 equivalent. When the compounding amount of the tertiary amine is less than 0.05 equivalent, the tertiary amine is compared with the case where only the compounds represented by the general formulas (1) to (4) and (6) to (10) are used. In addition, the temperature of the heat treatment for obtaining the polyimide film does not change so much. Conversely, if the blending amount of the tertiary amine exceeds 3.0 equivalents, the residual amount of the tertiary amine in the polyimide film increases, and the tertiary amine is mixed into the liquid crystal to cause the liquid crystal display device to fail. There is a possibility that the display function of the display may be deteriorated.

【0089】このような低温硬化促進剤を用いることに
よって、前述の第2の低温硬化促進剤の場合よりもさら
に低温の熱処理でポリイミド膜を得ることが可能にな
る。
By using such a low-temperature curing accelerator, it becomes possible to obtain a polyimide film by heat treatment at a lower temperature than in the case of the second low-temperature curing accelerator.

【0090】次に、本発明において用いられるポリイミ
ドについて詳細に説明する。ポリイミドとしては、基本
的に以下に挙げるテトラカルボン酸二無水物とジアミン
化合物とから構成されるものを用いることができる。さ
らに本発明においては、こうしたポリアミド酸に非線形
光学物質を化学的に結合させた分子を用いてもよい。非
線形光学物質を化学的に結合させるには、次のような手
法を採用することができる。例えば、ポリアミド酸の出
発物質であるテトラカルボン酸二無水物またはジアミン
化合物のいずれかに、非線形光学物質を予め結合させた
分子を用いて化学修飾ポリイミドを合成する方法が挙げ
られる。あるいは、後に非線形光学物質と反応する部位
をもたせたテトラカルボン酸二無水物またはジアミン化
合物を用いてポリイミドを合成し、その後、前述の反応
部位に非線形光学物質を反応、結合させる方法などが挙
げられる。こうして得られた非線形光学物質が化学的に
結合したポリアミド酸は、非線形光学物質がポリイミド
主鎖に固定されているため、非線形光学物質の凝集や相
分離を防ぎつつ、その濃度を高めることが容易になる。
しかも、分極配向処理後の配向緩和現象が著しく低減さ
れるといった点において好ましい。
Next, the polyimide used in the present invention will be described in detail. As the polyimide, a polyimide basically composed of the following tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound can be used. Further, in the present invention, a molecule in which a nonlinear optical substance is chemically bonded to such a polyamic acid may be used. The following method can be employed to chemically bond the nonlinear optical material. For example, there is a method of synthesizing a chemically modified polyimide using a molecule in which a nonlinear optical substance is previously bound to either a tetracarboxylic dianhydride or a diamine compound which is a starting material of a polyamic acid. Alternatively, a method of synthesizing a polyimide using a tetracarboxylic dianhydride or a diamine compound having a site to be reacted with a nonlinear optical material later, and then reacting the nonlinear optical material with the above-described reaction site and bonding the same. . Polyamide acid obtained by chemically bonding the nonlinear optical substance thus obtained can easily increase its concentration while preventing aggregation and phase separation of the nonlinear optical substance because the nonlinear optical substance is fixed to the polyimide main chain. become.
Moreover, it is preferable in that the orientation relaxation phenomenon after the polarization orientation treatment is significantly reduced.

【0091】本発明において用いられるポリアミド酸と
しては、下記一般式(DAH1)で表されるテトラカル
ボン酸二無水物成分0.8〜1.2モル当量と、下記一
般式(DA1)で表されるジアミン化合物成分0.8〜
1.2モル当量とを重合させたものが挙げられる。
The polyamic acid used in the present invention is represented by the following general formula (DA1): 0.8 to 1.2 molar equivalents of a tetracarboxylic dianhydride component represented by the following general formula (DAH1). Diamine compound component 0.8-
What polymerized 1.2 molar equivalents is mentioned.

【0092】[0092]

【化29】 Embedded image

【0093】(ただし、一般式(DAH1)におけるφ
は4価の有機基、一般式(DA1)におけるΨは2価の
有機基である。) なお、本発明においてはポリアミド酸の分子量を調整す
るために、その合成に当り必要に応じてジカルボン酸無
水物またはモノアミン化合物を添加してもよい。
(However, φ in the general formula (DAH1)
Is a tetravalent organic group, and in the general formula (DA1) is a divalent organic group. In the present invention, in order to adjust the molecular weight of the polyamic acid, a dicarboxylic anhydride or a monoamine compound may be added as necessary in the synthesis thereof.

【0094】ポリアミド酸は原理的にはテトラカルボン
酸二無水物成分1モル当量とジアミン化合物成分1モル
当量との重合により得られるものであるが、現実にはテ
トラカルボン酸二無水物成分1モル当量に対してジアミ
ン化合物成分0.8〜1.2モル当量の配合比、または
ジアミン化合物成分1モル当量に対してテトラカルボン
酸二無水物成分0.8〜1.2モル当量の配合比の範囲
であれば目的とするポリアミド酸を得ることができる。
The polyamic acid is obtained in principle by the polymerization of 1 molar equivalent of a tetracarboxylic dianhydride component and 1 molar equivalent of a diamine compound component. The compounding ratio of 0.8 to 1.2 mole equivalent of the diamine compound component to the equivalent, or the compounding ratio of 0.8 to 1.2 mole equivalent of the tetracarboxylic dianhydride component to 1 mole equivalent of the diamine compound component. Within this range, the desired polyamic acid can be obtained.

【0095】一般式(DAH1)で表されるテトラカル
ボン酸二無水物において、4価の有機基φは、炭素数1
〜30の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族
炭化水素基および複素環基、並びに脂肪族炭化水素基、
脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基または複素環基が
直接または架橋基により相互に連結された多環式化合物
基からなる群より選択される。
In the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (DAH1), the tetravalent organic group φ has 1 carbon atom.
To 30 aliphatic hydrocarbon groups, alicyclic hydrocarbon groups, aromatic hydrocarbon groups and heterocyclic groups, and aliphatic hydrocarbon groups;
An alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group is selected from the group consisting of a polycyclic compound group directly or interconnected by a bridging group.

【0096】一般式(DAH1)で表されるテトラカル
ボン酸二無水物の具体例としては、例えばピロメリト酸
二無水物、3−フルオロピロメリト酸二無水物、3,6
−ジフルオロピロメリト酸二無水物、3−(トリフルオ
ロメチル)ピロメリト酸二無水物、3,6−ビス(トリ
フルオロメチル)ピロメリト酸二無水物、1,2,3,
4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,
4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、3,3”,4,4”−テルフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、3,3''' ,4,4''' −ク
ァテルフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3'''',4,4''''−キンクフェニルテトラカルボン酸
二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、メチレン−4,4’−ジフタル酸二無
水物、1,1−エチリデン−4,4’−ジフタル酸二無
水物、2,2−プロピリデン−4,4’−ジフタル酸二
無水物、1,2−エチレン−4,4’−ジフタル酸二無
水物、1,3−トリメチレン−4,4’−ジフタル酸二
無水物、1,4−テトラメチレン−4,4’−ジフタル
酸二無水物、1,5−ペンタメチレン−4,4’−ジフ
タル酸二無水物、1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロ−2,2−プロピリデン−4,4’−ジフタル酸二
無水物、ジフルオロメチレン−4,4’−ジフタル酸二
無水物、1,1,2,2−テトラフルオロ−1,2−エ
チレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,1,2,
2,3,3−ヘキサフルオロ−1,3−トリメチレン−
4,4’−ジフタル酸二無水物、1,1,2,2,3,
3,4,4−オクタフルオロ−1,4−テトラメチレン
−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,1,2,2,
3,3,4,4,5,5−デカフルオロ−1,5−ペン
タメチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、オキシ−
4,4’−ジフタル酸二無水物、チオ−4,4’−ジフ
タル酸二無水物、スルホニル−4,4’−ジフタル酸二
無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)−1,1,3,3−テトラメチルシロキサン二無水
物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ベ
ンゼン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシ
フェニル)ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−
ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4−
ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無
水物、1,3−ビス[2−(3,4−ジカルボキシフェ
ニル)−2−プロピル]ベンゼン二無水物、1,4−ビ
ス[2−(3,4−ジカルボキシフェニル)−2−プロ
ピル]ベンゼン二無水物、ビス[3−(3,4−ジカル
ボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、ビス
[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]
メタン二無水物、2,2−ビス[3−(3,4−ジカル
ボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、2,
2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フ
ェニル]プロパン二無水物、2,2−ビス[3−(3,
4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、
2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキ
シ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロプロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェノキシ)ジメチルシラン二無水物、1,3−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−
テトラメチルジシロキサン二無水物、2,3,6,7−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,
6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,4,
9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,
3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、
1,2,7,8−フェナントレンテトラカルボン酸二無
水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン二無水
物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタ
ンテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−1,
2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ
ン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、3,
3’,4,4’−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二
無水物、カルボニル−4,4’−ビス(シクロヘキサン
−1,2−ジカルボン酸)二無水物、メチレン−4,
4’−ビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)
二無水物、1,2−エチレン−4,4’−ビス(シクロ
ヘキサン−1,2−ジカルボン酸)二無水物、1,1−
エチリデン−4,4’−ビス(シクロヘキサン−1,2
−ジカルボン酸)二無水物、2,2−プロピリデン−
4,4’−ビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン
酸)二無水物、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロ−2,2−プロピリデン−4,4’−ビス(シクロヘ
キサン−1,2−ジカルボン酸)二無水物、オキシ−
4,4’−ビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン
酸)二無水物、チオ−4,4’−ビス(シクロヘキサン
−1,2−ジカルボン酸)二無水物、スルホニル−4,
4’−ビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)
二無水物、2,2’−ジフルオロ−3,3’,4,4’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、5,5’−ジ
フルオロ−3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、6,6’−ジフルオロ−3,3’,
4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
2’,5,5’,6,6’−ヘキサフルオロ−3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2’,5,5’−テトラキス(トリフルオロメ
チル)−3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、2,2’,6,6’−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3’,4,4’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、5,5’,6,6’−テトラ
キス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,5,
5’,6,6’−ヘキサキス(トリフルオロメチル)−
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、3,3’−ジフルオロ−オキシ−4,4’−ジフ
タル酸二無水物、5,5’−ジフルオロ−オキシ−4,
4’−ジフタル酸二無水物、6,6’−ジフルオロ−オ
キシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’,5,
5’,6,6’−ヘキサフルオロ−オキシ−4,4’−
ジフタル酸二無水物、3,3’−ビス(トリフルオロメ
チル)−オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、5,
5’−ビス(トリフルオロメチル)−オキシ−4,4’
−ジフタル酸二無水物、6,6’−ビス(トリフルオロ
メチル)−オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、
3,3’,5,5’−テトラキス(トリフルオロメチ
ル)−オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,
3’,6,6’−テトラキス(トリフルオロメチル)−
オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、5,5’,
6,6’−テトラキス(トリフルオロメチル)−オキシ
−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’,5,
5’,6,6’−ヘキサキス(トリフルオロメチル)−
オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’−ジ
フルオロ−スルホニル−4,4’−ジフタル酸二無水
物、5,5’−ジフルオロ−スルホニル−4,4’−ジ
フタル酸二無水物、6,6’−ジフルオロ−スルホニル
−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’,5,
5’,6,6’−ヘキサフルオロ−スルホニル−4,
4’−ジフタル酸二無水物、3,3’−ビス(トリフル
オロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル酸二無
水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−スルホ
ニル−4,4’−ジフタル酸二無水物、6,6’−ビス
(トリフルオロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフ
タル酸二無水物、3,3’,5,5’−テトラキス(ト
リフルオロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル
酸二無水物、3,3’,6,6’−テトラキス(トリフ
ルオロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル酸二
無水物、5,5’,6,6’−テトラキス(トリフルオ
ロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル酸二無水
物、3,3’,5,5’,6,6’−ヘキサキス(トリ
フルオロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル酸
二無水物、3,3’−ジフルオロ−2,2−パーフルオ
ロプロピリデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、5,
5’−ジフルオロ−2,2−パーフルオロプロピリデン
−4,4’−ジフタル酸二無水物、6,6’−ジフルオ
ロ−2,2−パーフルオロプロピリデン−4,4’−ジ
フタル酸二無水物、3,3’,5,5’,6,6’−ヘ
キサフルオロ−2,2−パーフルオロプロピリデン−
4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’−ビス(トリ
フルオロメチル)−2,2−パーフルオロプロピリデン
−4,4’−ジフタル酸二無水物、5,5’−ビス(ト
リフルオロメチル)−2,2−パーフルオロプロピリデ
ン−4,4’−ジフタル酸二無水物、6,6’−ビス
(トリフルオロメチル)−2,2−パーフルオロプロピ
リデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’,
5,5’−テトラキス(トリフルオロメチル)−2,2
−パーフルオロプロピリデン−4,4’−ジフタル酸二
無水物、3,3’,6,6’−テトラキス(トリフルオ
ロメチル)−2,2−パーフルオロプロピリデン−4,
4’−ジフタル酸二無水物、5,5’,6,6’−テト
ラキス(トリフルオロメチル)−2,2−パーフルオロ
プロピリデン−4,4’−ジフタル酸二無水物および
3,3’,5,5’,6,6’−ヘキサキス(トリフル
オロメチル)−2,2−パーフルオロプロピリデン−
4,4’−ジフタル酸二無水物、9−フェニル−9−
(トリフルオロメチル)キサンテン−2,3,6,7−
テトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス(トリフルオ
ロメチル)キサンテン−2,3,6,7−テトラカルボ
ン酸二無水物およびビシクロ[2,2,2]オクト−7
−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物が
挙げられる。
Specific examples of the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (DAH1) include, for example, pyromellitic dianhydride, 3-fluoropyromellitic dianhydride, 3,6
-Difluoropyromellitic dianhydride, 3- (trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride, 3,6-bis (trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride, 1,2,3
4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′,
4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride,
2,2 ', 3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ", 4,4" -terphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 3,3 ′ ″, 4,4 ″ ′-quaterphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,
3 ″ ″, 4,4 ″ ″-quinkphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4′-diphthalic acid Dianhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic Acid dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene-4,4 '-Diphthalic anhydride, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-4,4'-diphthalic anhydride, difluoromethylene-4,4'-diphthalic acid Dianhydride, 1,1,2,2-tetrafluoro-1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride , 1,1,2,
2,3,3-hexafluoro-1,3-trimethylene-
4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2,3
3,4,4-octafluoro-1,4-tetramethylene-4,4′-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2
3,3,4,4,5,5-decafluoro-1,5-pentamethylene-4,4′-diphthalic dianhydride, oxy-
4,4'-diphthalic dianhydride, thio-4,4'-diphthalic dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl ) -1,1,3,3-Tetramethylsiloxane dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) benzene dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenyl) Benzene dianhydride, 1,3-bis (3,4-
Dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 1,4-
Bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 1,3-bis [2- (3,4-dicarboxyphenyl) -2-propyl] benzene dianhydride, 1,4-bis [2- (3,4-dicarboxyphenyl) -2-propyl] benzene dianhydride, bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] methane dianhydride, bis [4- (3,4-dicarboxy) Phenoxy) phenyl]
Methane dianhydride, 2,2-bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 2,
2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 2,2-bis [3- (3
4-dicarboxyphenoxy) phenyl] -1,1,
1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride,
2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenoxy) dimethyl Silane dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-
Tetramethyldisiloxane dianhydride, 2,3,6,7-
Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8
-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5
6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4
9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,
3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride,
1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl)
-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, ethylene tetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,
2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 3,
3 ', 4,4'-bicyclohexyltetracarboxylic dianhydride, carbonyl-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, methylene-4,
4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid)
Dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 1,1-
Ethylidene-4,4'-bis (cyclohexane-1,2
-Dicarboxylic acid) dianhydride, 2,2-propylidene-
4,4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-4,4'-bis (cyclohexane- 1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, oxy-
4,4′-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, thio-4,4′-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, sulfonyl-4,
4'-bis (cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid)
Dianhydride, 2,2'-difluoro-3,3 ', 4,4'
-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5'-difluoro-3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6,6'-difluoro-3,3',
4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,
2 ', 5,5', 6,6'-hexafluoro-3,
3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -3,
3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5′-bis (trifluoromethyl) -3,
3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6,6′-bis (trifluoromethyl) -3,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride , 2,2 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5 ', 6,6'-tetrakis (trifluoro Methyl) -3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 5
5 ', 6,6'-Hexakis (trifluoromethyl)-
3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3′-difluoro-oxy-4,4′-diphthalic dianhydride, 5,5′-difluoro-oxy-4,
4′-diphthalic dianhydride, 6,6′-difluoro-oxy-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 5
5 ', 6,6'-hexafluoro-oxy-4,4'-
Diphthalic dianhydride, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,
5'-bis (trifluoromethyl) -oxy-4,4 '
-Diphthalic dianhydride, 6,6'-bis (trifluoromethyl) -oxy-4,4'-diphthalic dianhydride,
3,3 ′, 5,5′-tetrakis (trifluoromethyl) -oxy-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,
3 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl)-
Oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5 ',
6,6′-tetrakis (trifluoromethyl) -oxy-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 5
5 ', 6,6'-Hexakis (trifluoromethyl)-
Oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-difluoro-sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-difluoro-sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride Anhydride, 6,6′-difluoro-sulfonyl-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 5
5 ', 6,6'-hexafluoro-sulfonyl-4,
4′-diphthalic dianhydride, 3,3′-bis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4,4′-diphthalic dianhydride, 5,5′-bis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4, 4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-bis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -Sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5', 6 , 6′-Tetrakis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 5,5 ′, 6,6′-hexakis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4, 4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-difluoro-2,2-par Le Oro propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,
5'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride 3,3 ', 5,5', 6,6'-hexafluoro-2,2-perfluoropropylidene-
4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-bis ( (Trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4′-diphthalic anhydride, 6,6′-bis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4 ′ -Diphthalic dianhydride, 3,3 ',
5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2
-Perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,
4'-diphthalic anhydride, 5,5 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic anhydride and 3,3' , 5,5 ', 6,6'-Hexakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-
4,4'-diphthalic dianhydride, 9-phenyl-9-
(Trifluoromethyl) xanthene-2,3,6,7-
Tetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis (trifluoromethyl) xanthene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride and bicyclo [2,2,2] oct-7
-Ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride.

【0097】これらのテトラカルボン酸二無水物は単独
で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。テ
トラカルボン酸二無水物は、全酸無水物成分のうち0.
8モル当量以上、好ましくは0.9モル当量以上用いら
れる。この理由は、テトラカルボン酸二無水物の配合量
が少なすぎる場合には、得られるポリイミドの耐熱性が
低下するためである。
These tetracarboxylic dianhydrides may be used alone or in combination of two or more. Tetracarboxylic dianhydride is 0.1% of the total anhydride components.
It is used in an amount of at least 8 molar equivalents, preferably at least 0.9 molar equivalents. The reason for this is that if the amount of the tetracarboxylic dianhydride is too small, the heat resistance of the obtained polyimide is reduced.

【0098】一般式(DA1)で表されるジアミン化合
物において、2価の有機基Ψは、炭素数1〜30の脂肪
族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基お
よび複素環基、並びに脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水
素基、芳香族炭化水素基または複素環基が直接または架
橋基により相互に連結された多環式化合物基からなる群
より選択される。
In the diamine compound represented by formula (DA1), the divalent organic group Ψ is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, The ring group is selected from the group consisting of a polycyclic compound group in which an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a heterocyclic group is connected to each other directly or by a bridging group.

【0099】一般式(DA1)で表されるジアミン化合
物の具体例としては、例えば1,2−フェニレンジアミ
ン、1,3−フェニレンジアミン、1,4−フェニレン
ジアミン、3,3’−ジアミノビフェニル、3,4’−
ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノビフェニル、
3,3”−ジアミノテルフェニル、4,4”−ジアミノ
テルフェニル、3,3''' −ジアミノクァテルフェニ
ル、4,4''' −ジアミノクァテルフェニル、オキシ−
3,3’−ジアニリン、オキシ−4,4’−ジアニリ
ン、チオ−3,3’−ジアニリン、チオ−4,4’−ジ
アニリン、スルホニル−3,3’−ジアニリン、スルホ
ニル−4,4’−ジアニリン、メチレン−3,3’−ジ
アニリン、メチレン−4,4’−ジアニリン、1,2−
エチレン−3,3’−ジアニリン、1,2−エチレン−
4,4’−ジアニリン、2,2−プロピリデン−3,
3’−ジアニリン、2,2−プロピリデン−4,4’−
ジアニリン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ
−2,2−プロピリデン−3,3’−ジアニリン、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−プロピ
リデン−4,4’−ジアニリン、1,1,2,2,3,
3−ヘキサフルオロ−1,3−プロピレン−3,3’−
ジアニリン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ
−1,3−プロピレン−4,4’−ジアニリン、1,3
−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビ
ス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス
(3−アミノフェニルチオ)ベンゼン、1,3−ビス
(4−アミノフェニルチオ)ベンゼン、1,3−ビス
(3−アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,3−
ビス(4−アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,
3−ビス[2−(3−アミノフェニル)−2−プロピ
ル]ベンゼン、1,3−ビス[2−(4−アミノフェニ
ル)−2−プロピル]ベンゼン、1,3−ビス[2−
(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2−プロピル]ベンゼン、1,3−ビス
[2−(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,
3−ヘキサフルオロ−2−プロピル]ベンゼン、1,4
−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビ
ス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(3−アミノフェニルチオ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェニルチオ)ベンゼン、1,4−ビス
(3−アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4−
ビス(4−アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,
4−ビス[2−(3−アミノフェニル)−2−プロピ
ル]ベンゼン、1,4−ビス[2−(4−アミノフェニ
ル)−2−プロピル]ベンゼン、1,4−ビス[2−
(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2−プロピル]ベンゼン、1,4−ビス
[2−(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,
3−ヘキサフルオロ−2−プロピル]ベンゼン、2,2
−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、5−フルオロ−1,3−フェニレンジアミン、2−
フルオロ−1,4−フェニレンジアミン、2,5−ジフ
ルオロ−1,4−フェニレンジアミン、2,4,5,6
−ヘキサフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、2,
3,5,6−ヘキサフルオロ−1,4−フェニレンジア
ミン、3,3’−ジアミノ−5,5’−ジフルオロビフ
ェニル、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジフルオロビ
フェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジフルオロ
ビフェニル、3,3’−ジアミノ−2,2’,4,
4’,5,5’,6,6’−オクタフルオロビフェニ
ル、4,4’−ジアミノ−2,2’,3,3’,5,
5’,6,6’−オクタフルオロビフェニル、オキシ−
5,5’−ビス(3−フルオロアニリン)、オキシ−
4,4’−ビス(2−フルオロアニリン)、オキシ−
4,4’−ビス(3−フルオロアニリン)、スルホニル
−5,5’−ビス(3−フルオロアニリン)、スルホニ
ル−4,4’−ビス(2−フルオロアニリン)、スルホ
ニル−4,4’−ビス(3−フルオロアニリン)、1,
3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−フルオロベン
ゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−フルオロフェノ
キシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−フル
オロフェノキシ)−5−フルオロベンゼン、5−(トリ
フルオロメチル)−1,3−フェニレンジアミン、2−
(トリフルオロメチル)−1,4−フェニレンジアミ
ン、2,5−ビス(トリフルオロメチル)−1,4−フ
ェニレンジアミン、2,2’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニ
ル、オキシ−5,5’−ビス[3−(トリフルオロメチ
ル)アニリン]、オキシ−4,4’−ビス[2−(トリ
フルオロメチル)アニリン]、オキシ−4,4’−ビス
[3−(トリフルオロメチル)アニリン]、スルホニル
−5,5’−ビス[3−(トリフルオロメチル)アニリ
ン]、スルホニル−4,4’−ビス[2−(トリフルオ
ロメチル)アニリン]、スルホニル−4,4’−ビス
[3−(トリフルオロメチル)アニリン]、1,3−ビ
ス(3−アミノフェノキシ)−5−(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、1,3−ビス[3−アミノ−5−(トリ
フルオロメチル)フェノキシ]ベンゼン、1,3−ビス
[3−アミノ−5−(トリフルオロメチル)フェノキ
シ]−5−(トリフルオロメチル)ベンゼン、3,3’
−ビス(トリフルオロメチル)−5,5’−ジアミノビ
フェニル、ビス(3−アミノフェノキシ)ジメチルシラ
ン、ビス(4−アミノフェノキシ)ジメチルシラン、
1,3−ビス(3−アミノフェニル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミ
ノフェニル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サン、メチレンジアミン、1,2−エタンジアミン、
1,3−プロパンジアミン、1,4−ブタンジアミン、
1,5−ペンタンジアミン、1,6−ヘキサンジアミ
ン、1,7−ヘプタンジアミン、1,8−オクタンジア
ミン、1,9−ノナンジアミン、1,10−デカンジア
ミン、1,2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン、
1,3−ジアミノシクロヘキサン、1,4−ジアミノシ
クロヘキサン、ビス(3−アミノシクロヘキシル)メタ
ン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、1,2
−ビス(3−アミノシクロヘキシル)エタン、1,2−
ビス(4−アミノシクロヘキシル)エタン、2,2−ビ
ス(3−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビ
ス(4−アミノシクロヘキシル)プロパン、ビス(3−
アミノシクロヘキシル)エーテル、ビス(4−アミノシ
クロヘキシル)エーテル、ビス(3−アミノシクロヘキ
シル)スルホン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)ス
ルホン、2,2−ビス(3−アミノシクロヘキシル)−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−アミノシクロヘキシル)−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−キ
シリレンジアミン、1,4−キシリレンジアミン、1,
8−ジアミノナフタレン、2,7−ジアミノナフタレ
ン、2,6−ジアミノナフタレン、2,5−ジアミノピ
リジン、2,6−ジアミノピリジン、2,5−ジアミノ
ピラジンおよび2,4−ジアミノ−s−トリアジンが挙
げられる。
Specific examples of the diamine compound represented by the general formula (DA1) include, for example, 1,2-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine, 3,3′-diaminobiphenyl, 3,4'-
Diaminobiphenyl, 4,4′-diaminobiphenyl,
3,3 ″ -diaminoterphenyl, 4,4 ″ -diaminoterphenyl, 3,3 ′ ″-diaminoquaterphenyl, 4,4 ′ ″-diaminoquaterphenyl, oxy-
3,3'-dianiline, oxy-4,4'-dianiline, thio-3,3'-dianiline, thio-4,4'-dianiline, sulfonyl-3,3'-dianiline, sulfonyl-4,4'- Dianiline, methylene-3,3'-dianiline, methylene-4,4'-dianiline, 1,2-
Ethylene-3,3'-dianiline, 1,2-ethylene-
4,4′-dianiline, 2,2-propylidene-3,
3'-dianiline, 2,2-propylidene-4,4'-
Dianiline, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-3,3′-dianiline, 1,
1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-4,4′-dianiline, 1,1,2,2,3,
3-hexafluoro-1,3-propylene-3,3'-
Dianiline, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-1,3-propylene-4,4′-dianiline, 1,3
-Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenylthio) benzene, 1,3-bis (4-aminophenylthio) benzene , 1,3-bis (3-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,3-
Bis (4-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,
3-bis [2- (3-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,3-bis [2-
(3-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propyl] benzene, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl) -1,1,1,3 , 3,
3-hexafluoro-2-propyl] benzene, 1,4
-Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenylthio) benzene, 1,4-bis (4-aminophenylthio) benzene , 1,4-bis (3-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-
Bis (4-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,
4-bis [2- (3-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,4-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,4-bis [2-
(3-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propyl] benzene, 1,4-bis [2- (4-aminophenyl) -1,1,1,3 , 3,
3-hexafluoro-2-propyl] benzene, 2,2
-Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl]-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane,
2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 5-fluoro-1,3-phenylenediamine, 2-
Fluoro-1,4-phenylenediamine, 2,5-difluoro-1,4-phenylenediamine, 2,4,5,6
-Hexafluoro-1,3-phenylenediamine, 2,
3,5,6-hexafluoro-1,4-phenylenediamine, 3,3′-diamino-5,5′-difluorobiphenyl, 4,4′-diamino-2,2′-difluorobiphenyl, 4,4 ′ -Diamino-3,3'-difluorobiphenyl, 3,3'-diamino-2,2 ', 4
4 ′, 5,5 ′, 6,6′-octafluorobiphenyl, 4,4′-diamino-2,2 ′, 3,3 ′, 5
5 ', 6,6'-octafluorobiphenyl, oxy-
5,5'-bis (3-fluoroaniline), oxy-
4,4'-bis (2-fluoroaniline), oxy-
4,4'-bis (3-fluoroaniline), sulfonyl-5,5'-bis (3-fluoroaniline), sulfonyl-4,4'-bis (2-fluoroaniline), sulfonyl-4,4'- Bis (3-fluoroaniline), 1,
3-bis (3-aminophenoxy) -5-fluorobenzene, 1,3-bis (3-amino-5-fluorophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-amino-5-fluorophenoxy) -5- Fluorobenzene, 5- (trifluoromethyl) -1,3-phenylenediamine, 2-
(Trifluoromethyl) -1,4-phenylenediamine, 2,5-bis (trifluoromethyl) -1,4-phenylenediamine, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl , 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, oxy-5,5'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], oxy-4,4'-bis [2 -(Trifluoromethyl) aniline], oxy-4,4'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], sulfonyl-5,5'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], sulfonyl-4 , 4'-bis [2- (trifluoromethyl) aniline], sulfonyl-4,4'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], 1,3-bis (3-aminophenoxy) -5- ( (Trifluoromethyl) benzene, 1,3-bis [3-amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] benzene, 1,3-bis [3-amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] -5- ( Trifluoromethyl) benzene, 3,3 '
-Bis (trifluoromethyl) -5,5'-diaminobiphenyl, bis (3-aminophenoxy) dimethylsilane, bis (4-aminophenoxy) dimethylsilane,
1,3-bis (3-aminophenyl) -1,1,3,3
-Tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (4-aminophenyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, methylenediamine, 1,2-ethanediamine,
1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine,
1,5-pentanediamine, 1,6-hexanediamine, 1,7-heptanediamine, 1,8-octanediamine, 1,9-nonanediamine, 1,10-decanediamine, 1,2-bis (3-amino Propoxy) ethane,
1,3-diaminocyclohexane, 1,4-diaminocyclohexane, bis (3-aminocyclohexyl) methane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, 1,2
-Bis (3-aminocyclohexyl) ethane, 1,2-
Bis (4-aminocyclohexyl) ethane, 2,2-bis (3-aminocyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-aminocyclohexyl) propane, bis (3-
Aminocyclohexyl) ether, bis (4-aminocyclohexyl) ether, bis (3-aminocyclohexyl) sulfone, bis (4-aminocyclohexyl) sulfone, 2,2-bis (3-aminocyclohexyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane,
2,2-bis (4-aminocyclohexyl) -1,1,1
1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,3-xylylenediamine, 1,4-xylylenediamine, 1,
8-Diaminonaphthalene, 2,7-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,5-diaminopyridine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyrazine and 2,4-diamino-s-triazine No.

【0100】これらのジアミン化合物は単独で用いても
よいし、2種以上混合して用いてもよい。ジアミン化合
物は、全アミン化合物成分のうち0.8モル当量以上、
好ましくは0.9モル当量以上用いられる。この理由
は、ジアミン化合物の配合量が少なすぎる場合には得ら
れるポリイミドの耐熱性が低下するためである。
These diamine compounds may be used alone or in combination of two or more. Diamine compound is 0.8 mole equivalent or more of all amine compound components,
Preferably, it is used in an amount of 0.9 molar equivalent or more. The reason for this is that if the amount of the diamine compound is too small, the heat resistance of the obtained polyimide is reduced.

【0101】次に、上記一般式(DAH1)で表される
テトラカルボン酸二無水物成分および上記一般式(DA
1)で表されるジアミン化合物成分のうち、特に好まし
いものについて説明する。
Next, the tetracarboxylic dianhydride component represented by the above general formula (DAH1) and the above general formula (DAH1)
Among the diamine compound components represented by 1), particularly preferred ones will be described.

【0102】上記一般式(DAH1)で表されるテトラ
カルボン酸二無水物成分のうち特に好ましいものとして
は、下記一般式(DAH2)、(DAH3)または(D
AH4)で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物が
挙げられる。
Among the tetracarboxylic dianhydride components represented by the above general formula (DAH1), particularly preferred are the following general formulas (DAH2), (DAH3) and (DH3).
AH4) is an aromatic tetracarboxylic dianhydride.

【0103】[0103]

【化30】 Embedded image

【0104】(ただし、一般式(DAH2)におけるR
1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、フル
オロ基、または非置換もしくはフッ素原子で置換された
脂肪族炭化水素基を示し、aは0〜2の整数であり、一
般式(DAH3)におけるXは2価のオキシ基、チオ
基、スルホニル基、カルボニル基、パーアルキルポリシ
ロキサニレン基、非置換もしくはフッ素原子で置換され
た脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または単結合を
示し、R2およびR3はそれぞれ同一であっても異なって
いてもよく、フルオロ基または非置換もしくはフッ素原
子で置換された脂肪族炭化水素基を示し、bおよびcは
0〜3の整数であり、一般式(DAH4)におけるR4
〜R7はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、
フルオロ基または非置換もしくはフッ素原子で置換され
た脂肪族炭化水素基を示し、dおよびeは0〜2の整数
である。) 一般式(DAH2)で表される芳香族テトラカルボン酸
二無水物としては、例えばピロメリト酸二無水物、3−
フルオロピロメリト酸二無水物、3,6−ジフルオロピ
ロメリト酸二無水物、3−(トリフルオロメチル)ピロ
メリト酸二無水物および3,6−ビス(トリフルオロメ
チル)ピロメリト酸二無水物が挙げられる。
(However, R in the general formula (DAH2)
1 may be the same or different and each represents a fluoro group or an unsubstituted or substituted aliphatic hydrocarbon group with a fluorine atom, a is an integer of 0 to 2, and represented by the general formula (DAH3) X represents a divalent oxy group, a thio group, a sulfonyl group, a carbonyl group, a peralkylpolysiloxanylene group, an unsubstituted or substituted with a fluorine atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group or a single bond. And R 2 and R 3 may be the same or different, and each represents a fluoro group or an unsubstituted or substituted aliphatic hydrocarbon group with a fluorine atom, and b and c are integers of 0 to 3 R 4 in the general formula (DAH4)
To R 7 may be the same or different,
It represents a fluoro group or an unsubstituted or substituted with a fluorine atom an aliphatic hydrocarbon group, and d and e are integers of 0 to 2. Examples of the aromatic tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (DAH2) include pyromellitic dianhydride,
Fluoropyromellitic dianhydride, 3,6-difluoropyromellitic dianhydride, 3- (trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride and 3,6-bis (trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride Can be

【0105】一般式(DAH3)で表される芳香族テト
ラカルボン酸二無水物としては、例えば3,3’,4,
4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、メチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,1
−エチリデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、2,2
−プロピリデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,
2−エチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,3
−トリメチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,
4−テトラメチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、
1,5−ペンタメチレン−4,4’−ジフタル酸二無水
物、3,3”,4,4”−テルフェニルテトラカルボン
酸二無水物、3,3''' ,4,4''' −クァテルフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、3,3'''',4,4''''
−キンクフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−プロピリデ
ン−4,4’−ジフタル酸二無水物、ジフルオロメチレ
ン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,1,2,2−
テトラフルオロ−1,2−エチレン−4,4’−ジフタ
ル酸二無水物、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオ
ロ−1,3−トリメチレン−4,4’−ジフタル酸二無
水物、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオ
ロ−1,4−テトラメチレン−4,4’−ジフタル酸二
無水物、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デ
カフルオロ−1,5−ペンタメチレン−4,4’−ジフ
タル酸二無水物、オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水
物、チオ−4,4’−ジフタル酸二無水物、スルホニル
−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,3−ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラ
メチルシロキサン二無水物、2,2’−ジフルオロ−
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、5,5’−ジフルオロ−3,3’,4,4’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、6,6’−ジフル
オロ−3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、2,2’,5,5’,6,6’−ヘキサフ
ルオロ−3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)
−3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2’,5,5’−テトラキス(トリフルオロメ
チル)−3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、2,2’,6,6’−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3’,4,4’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、5,5’,6,6’−テトラ
キス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,5,
5’,6,6’−ヘキサキス(トリフルオロメチル)−
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、3,3’−ジフルオロ−オキシ−4,4’−ジフ
タル酸二無水物、5,5’−ジフルオロ−オキシ−4,
4’−ジフタル酸二無水物、6,6’−ジフルオロ−オ
キシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’,5,
5’,6,6’−ヘキサフルオロ−オキシ−4,4’−
ジフタル酸二無水物、3,3’−ビス(トリフルオロメ
チル)−オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、5,
5’−ビス(トリフルオロメチル)−オキシ−4,4’
−ジフタル酸二無水物、6,6’−ビス(トリフルオロ
メチル)−オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、
3,3’,5,5’−テトラキス(トリフルオロメチ
ル)−オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,
3’,6,6’−テトラキス(トリフルオロメチル)−
オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、5,5’,
6,6’−テトラキス(トリフルオロメチル)−オキシ
−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’,5,
5’,6,6’−ヘキサキス(トリフルオロメチル)−
オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’−ジ
フルオロ−スルホニル−4,4’−ジフタル酸二無水
物、5,5’−ジフルオロ−スルホニル−4,4’−ジ
フタル酸二無水物、6,6’−ジフルオロ−スルホニル
−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’,5,
5’,6,6’−ヘキサフルオロ−スルホニル−4,
4’−ジフタル酸二無水物、3,3’−ビス(トリフル
オロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル酸二無
水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−スルホ
ニル−4,4’−ジフタル酸二無水物、6,6’−ビス
(トリフルオロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフ
タル酸二無水物、3,3’,5,5’−テトラキス(ト
リフルオロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル
酸二無水物、3,3’,6,6’−テトラキス(トリフ
ルオロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル酸二
無水物、5,5’,6,6’−テトラキス(トリフルオ
ロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル酸二無水
物、3,3’,5,5’,6,6’−ヘキサキス(トリ
フルオロメチル)−スルホニル−4,4’−ジフタル酸
二無水物、3,3’−ジフルオロ−2,2−パーフルオ
ロプロピリデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、5,
5’−ジフルオロ−2,2−パーフルオロプロピリデン
−4,4’−ジフタル酸二無水物、6,6’−ジフルオ
ロ−2,2−パーフルオロプロピリデン−4,4’−ジ
フタル酸二無水物、3,3’,5,5’,6,6’−ヘ
キサフルオロ−2,2−パーフルオロプロピリデン−
4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’−ビス(トリ
フルオロメチル)−2,2−パーフルオロプロピリデン
−4,4’−ジフタル酸二無水物、5,5’−ビス(ト
リフルオロメチル)−2,2−パーフルオロプロピリデ
ン−4,4’−ジフタル酸二無水物、6,6’−ビス
(トリフルオロメチル)−2,2−パーフルオロプロピ
リデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、3,3’,
5,5’−テトラキス(トリフルオロメチル)−2,2
−パーフルオロプロピリデン−4,4’−ジフタル酸二
無水物、3,3’,6,6’−テトラキス(トリフルオ
ロメチル)−2,2−パーフルオロプロピリデン−4,
4’−ジフタル酸二無水物、5,5’,6,6’−テト
ラキス(トリフルオロメチル)−2,2−パーフルオロ
プロピリデン−4,4’−ジフタル酸二無水物および
3,3’,5,5’,6,6’−ヘキサキス(トリフル
オロメチル)−2,2−パーフルオロプロピリデン−
4,4’−ジフタル酸二無水物が挙げられる。
As the aromatic tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (DAH3), for example, 3,3 ′, 4,
4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1
-Ethylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2
-Propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,
2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3
-Trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,
4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride,
1,5-pentamethylene-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ″, 4,4 ″ -terphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′ ″, 4,4 ′ ″ -Quaterphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 "", 4,4 ""
-Kink phenyltetracarboxylic dianhydride, 1,1,
1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-4,4′-diphthalic dianhydride, difluoromethylene-4,4′-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2-
Tetrafluoro-1,2-ethylene-4,4′-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-1,3-trimethylene-4,4′-diphthalic dianhydride 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoro-1,4-tetramethylene-4,4′-diphthalic dianhydride, 1,1,2,2,3,3 , 4,4,5,5-decafluoro-1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, thio-4,4'- Diphthalic dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis (3,
4-dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethylsiloxane dianhydride, 2,2′-difluoro-
3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5′-difluoro-3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6,6′-difluoro- 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 5,5 ', 6,6'-hexafluoro-3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid Dianhydride, 2,2'-bis (trifluoromethyl)
-3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,
3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6,6′-bis (trifluoromethyl) -3,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride , 2,2 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5,5 ', 6,6'-tetrakis (trifluoro Methyl) -3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 5
5 ', 6,6'-Hexakis (trifluoromethyl)-
3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3′-difluoro-oxy-4,4′-diphthalic dianhydride, 5,5′-difluoro-oxy-4,
4′-diphthalic dianhydride, 6,6′-difluoro-oxy-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 5
5 ', 6,6'-hexafluoro-oxy-4,4'-
Diphthalic dianhydride, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,
5'-bis (trifluoromethyl) -oxy-4,4 '
-Diphthalic dianhydride, 6,6'-bis (trifluoromethyl) -oxy-4,4'-diphthalic dianhydride,
3,3 ′, 5,5′-tetrakis (trifluoromethyl) -oxy-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,
3 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl)-
Oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5 ',
6,6′-tetrakis (trifluoromethyl) -oxy-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 5
5 ', 6,6'-Hexakis (trifluoromethyl)-
Oxy-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-difluoro-sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-difluoro-sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride Anhydride, 6,6′-difluoro-sulfonyl-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 5
5 ', 6,6'-hexafluoro-sulfonyl-4,
4′-diphthalic dianhydride, 3,3′-bis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4,4′-diphthalic dianhydride, 5,5′-bis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4, 4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-bis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -Sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5', 6 , 6′-Tetrakis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4,4′-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 5,5 ′, 6,6′-hexakis (trifluoromethyl) -sulfonyl-4, 4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-difluoro-2,2-par Le Oro propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,
5'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 6,6'-difluoro-2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride 3,3 ', 5,5', 6,6'-hexafluoro-2,2-perfluoropropylidene-
4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 5,5'-bis ( (Trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4′-diphthalic anhydride, 6,6′-bis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4 ′ -Diphthalic dianhydride, 3,3 ',
5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2
-Perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 3,3 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,
4'-diphthalic anhydride, 5,5 ', 6,6'-tetrakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-4,4'-diphthalic anhydride and 3,3' , 5,5 ', 6,6'-Hexakis (trifluoromethyl) -2,2-perfluoropropylidene-
4,4'-diphthalic dianhydride is mentioned.

【0106】一般式(DAH4)で表される芳香族テト
ラカルボン酸二無水物としては、例えば9−フェニル−
9−(トリフルオロメチル)キサンテン−2,3,6,
7−テトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス(トリフ
ルオロメチル)キサンテン−2,3,6,7−テトラカ
ルボン酸二無水物が挙げられる。
As the aromatic tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (DAH4), for example, 9-phenyl-
9- (trifluoromethyl) xanthene-2,3,6
Examples include 7-tetracarboxylic dianhydride and 9,9-bis (trifluoromethyl) xanthene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride.

【0107】これらの芳香族テトラカルボン酸二無水物
は単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよ
い。一般式(DAH2)〜(DAH4)で表される芳香
族テトラカルボン酸二無水物を用いた場合、得られるポ
リイミドはガラス転移点や分解温度が高くなり、したが
って高耐熱性を示すので好ましい。これらの芳香族テト
ラカルボン酸二無水物は、全酸無水物成分のうち好まし
くは0.8モル当量以上、さらに好ましくは0.9当量
以上用いられる。この理由は、こうした芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物の配合量が少なすぎる場合には得られ
るポリイミドの耐熱性が低下するおそれがあるためであ
る。
These aromatic tetracarboxylic dianhydrides may be used alone or as a mixture of two or more. When the aromatic tetracarboxylic dianhydride represented by any of the general formulas (DAH2) to (DAH4) is used, the resulting polyimide has a high glass transition point and a high decomposition temperature, and thus has high heat resistance. These aromatic tetracarboxylic dianhydrides are preferably used in an amount of at least 0.8 molar equivalent, more preferably at least 0.9 equivalent, among all the anhydride components. The reason for this is that if the amount of the aromatic tetracarboxylic dianhydride is too small, the heat resistance of the resulting polyimide may be reduced.

【0108】さらに、耐熱性、環境安定性および低誘電
率特性の面から、上記一般式(DAH2)〜(DAH
4)で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物のうち
特に好ましいものとしては、ピロメリト酸二無水物、3
−(トリフルオロメチル)ピロメリト酸二無水物、3,
6−ビス(トリフルオロメチル)ピロメリト酸二無水
物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、3,3”,4,4”−テルフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、3,3''' ,4,4'''
−クァテルフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−プロピ
リデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、オキシ−4,
4’−ジフタル酸二無水物、−2,2−スルホニル−
4,4’−ジフタル酸二無水物、1,3−ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメ
チルシロキサン二無水物、9−フェニル−9−(トリフ
ルオロメチル)キサンテン−2,3,6,7−テトラカ
ルボン酸二無水物および9,9−ビス(トリフルオロメ
チル)キサンテン−2,3,6,7−テトラカルボン酸
二無水物が挙げられる。
Further, from the viewpoints of heat resistance, environmental stability and low dielectric constant, the above-mentioned formulas (DAH2) to (DAH2)
Particularly preferred among the aromatic tetracarboxylic dianhydrides represented by 4) are pyromellitic dianhydride, 3
-(Trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride, 3,
6-bis (trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ″, 4,4 ″ -terphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′ ″, 4,4 ′ ″
-Quaterphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,
1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-4,4′-diphthalic dianhydride, oxy-4,
4'-diphthalic dianhydride, -2,2-sulfonyl-
4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis (3,4
-Dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethylsiloxane dianhydride, 9-phenyl-9- (trifluoromethyl) xanthene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride and 9 , 9-bis (trifluoromethyl) xanthene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride.

【0109】上記一般式(DA1)で表されるジアミン
化合物成分のうち好ましいものとしては、下記一般式
(DA2)で表される芳香族ジアミン化合物が挙げられ
る。
Among the diamine compounds represented by formula (DA1), preferred are aromatic diamine compounds represented by the following formula (DA2).

【0110】[0110]

【化31】 Embedded image

【0111】(ただし、一般式(DA2)におけるYは
2価のオキシ基、チオ基、スルホニル基、カルボニル
基、パーアルキルポリシロキサニレン基、非置換もしく
はフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基または単結
合を示し、R8およびR9はそれぞれ同一であっても異な
っていてもよく、フルオロ基または非置換もしくはフッ
素原子で置換された脂肪炭化水素基を示し、fおよびg
は0〜4の整数、hは0〜6の整数である。) 一般式(DA2)で表される芳香族ジアミン化合物の具
体例としては、例えば1,2−フェニレンジアミン、
1,3−フェニレンジアミン、1,4−フェニレンジア
ミン、3,3’−ジアミノビフェニル、3,4’−ジア
ミノビフェニル、4,4’−ジアミノビフェニル、1,
3−フェニレン−3,3’−ジアニリン、1,3−フェ
ニレン−4,4’−ジアニリン、1,4−フェニレン−
3,3’−ジアニリン、1,4−フェニレン−4,4’
−ジアニリン、オキシ−3,3’−ジアニリン、オキシ
−4,4’−ジアニリン、チオ−3,3’−ジアニリ
ン、チオ−4,4’−ジアニリン、スルホニル−3,
3’−ジアニリン、スルホニル−4,4’−ジアニリ
ン、メチレン−3,3’−ジアニリン、メチレン−4,
4’−ジアニリン、1,2−エチレン−3,3’−ジア
ニリン、1,2−エチレン−4,4’−ジアニリン、
2,2−プロピリデン−3,3’−ジアニリン、2,2
−プロピリデン−4,4’−ジアニリン、1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−プロピリデン−
3,3’−ジアニリン、1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロ−2,2−プロピリデン−4,4’−ジアニ
リン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−1,
3−プロピレン−3,3’−ジアニリン、1,1,2,
2,3,3−ヘキサフルオロ−1,3−プロピレン−
4,4’−ジアニリン、1,3−ビス(3−アミノフェ
ノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェニルチ
オ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニルチ
オ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェニルスル
ホニル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニル
スルホニル)ベンゼン、1,3−ビス[2−(3−アミ
ノフェニル)−2−プロピル]ベンゼン、1,3−ビス
[2−(4−アミノフェニル)−2−プロピル]ベンゼ
ン、1,3−ビス[2−(3−アミノフェニル)−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル]
ベンゼン、1,3−ビス[2−(4−アミノフェニル)
−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロ
ピル]ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェニルチオ)ベ
ンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェニルチオ)ベン
ゼン、1,4−ビス(3−アミノフェニルスルホニル)
ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェニルスルホニ
ル)ベンゼン、1,4−ビス[2−(3−アミノフェニ
ル)−2−プロピル]ベンゼン、1,4−ビス[2−
(4−アミノフェニル)−2−プロピル]ベンゼン、
1,4−ビス[2−(3−アミノフェニル)−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル]ベン
ゼン、1,4−ビス[2−(4−アミノフェニル)−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピ
ル]ベンゼン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロプロパン、5−フルオロ−1,3−フェニレン
ジアミン、2−フルオロ−1,4−フェニレンジアミ
ン、2,5−ジフルオロ−1,4−フェニレンジアミ
ン、2,4,5,6−ヘキサフルオロ−1,3−フェニ
レンジアミン、2,3,5,6−ヘキサフルオロ−1,
4−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノ−5,
5’−ジフルオロビフェニル、4,4’−ジアミノ−
2,2’−ジフルオロビフェニル、4,4’−ジアミノ
−3,3’−ジフルオロビフェニル、3,3’−ジアミ
ノ−2,2’,4,4’,5,5’,6,6’−オクタ
フルオロビフェニル、4,4’−ジアミノ−2,2’,
3,3’,5,5’,6,6’−オクタフルオロビフェ
ニル、オキシ−5,5’−ビス(3−フルオロアニリ
ン)、オキシ−4,4’−ビス(2−フルオロアニリ
ン)、オキシ−4,4’−ビス(3−フルオロアニリ
ン)、スルホニル−5,5’−ビス(3−フルオロアニ
リン)、スルホニル−4,4’−ビス(2−フルオロア
ニリン)、スルホニル−4,4’−ビス(3−フルオロ
アニリン)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−
5−フルオロベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5
−フルオロフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−
アミノ−5−フルオロフェノキシ)−5−フルオロベン
ゼン、5−(トリフルオロメチル)−1,3−フェニレ
ンジアミン、2−(トリフルオロメチル)−1,4−フ
ェニレンジアミン、2,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)−1,4−フェニレンジアミン、2,2’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニ
ル、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’
−ジアミノビフェニル、オキシ−5,5’−ビス[3−
(トリフルオロメチル)アニリン]、オキシ−4,4’
−ビス[2−(トリフルオロメチル)アニリン]、オキ
シ−4,4’−ビス[3−(トリフルオロメチル)アニ
リン]、スルホニル−5,5’−ビス[3−(トリフル
オロメチル)アニリン]、スルホニル−4,4’−ビス
[2−(トリフルオロメチル)アニリン]、スルホニル
−4,4’−ビス[3−(トリフルオロメチル)アニリ
ン]、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−
(トリフルオロメチル)ベンゼン、1,3−ビス[3−
アミノ−5−(トリフルオロメチル)フェノキシ]ベン
ゼン、1,3−ビス[3−アミノ−5−(トリフルオロ
メチル)フェノキシ]−5−(トリフルオロメチル)ベ
ンゼン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−5,
5’−ジアミノビフェニル、ビス(3−アミノフェノキ
シ)ジメチルシラン、ビス(4−アミノフェノキシ)ジ
メチルシラン、1,3−ビス(3−アミノフェニル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−
ビス(4−アミノフェニル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサンなどが挙げられる。
(Where Y in the general formula (DA2) is a divalent oxy group, thio group, sulfonyl group, carbonyl group, peralkylpolysiloxanylene group, unsubstituted or substituted by a fluorine atom, an aliphatic hydrocarbon) R 8 and R 9 may be the same or different and each represents a fluoro group or an unsubstituted or substituted by a fluorine atom, a hydrocarbon group; and f and g
Is an integer of 0 to 4, and h is an integer of 0 to 6. As specific examples of the aromatic diamine compound represented by the general formula (DA2), for example, 1,2-phenylenediamine,
1,3-phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine, 3,3′-diaminobiphenyl, 3,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminobiphenyl, 1,
3-phenylene-3,3'-dianiline, 1,3-phenylene-4,4'-dianiline, 1,4-phenylene-
3,3′-dianiline, 1,4-phenylene-4,4 ′
-Dianiline, oxy-3,3'-dianiline, oxy-4,4'-dianiline, thio-3,3'-dianiline, thio-4,4'-dianiline, sulfonyl-3,
3'-dianiline, sulfonyl-4,4'-dianiline, methylene-3,3'-dianiline, methylene-4,
4′-dianiline, 1,2-ethylene-3,3′-dianiline, 1,2-ethylene-4,4′-dianiline,
2,2-propylidene-3,3'-dianiline, 2,2
-Propylidene-4,4'-dianiline, 1,1,1,
3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-
3,3′-dianiline, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-4,4′-dianiline, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro- 1,
3-propylene-3,3'-dianiline, 1,1,2,2
2,3,3-hexafluoro-1,3-propylene-
4,4′-dianiline, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenylthio) benzene, 1,3 -Bis (4-aminophenylthio) benzene, 1,3-bis (3-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,3-bis (4-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,3-bis [2- (3- Aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,3-bis [2- (3-aminophenyl) -1,
1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propyl]
Benzene, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl)
-1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propyl] benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy)
Benzene, 1,4-bis (3-aminophenylthio) benzene, 1,4-bis (4-aminophenylthio) benzene, 1,4-bis (3-aminophenylsulfonyl)
Benzene, 1,4-bis (4-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-bis [2- (3-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,4-bis [2-
(4-aminophenyl) -2-propyl] benzene,
1,4-bis [2- (3-aminophenyl) -1,1,1
1,3,3,3-hexafluoro-2-propyl] benzene, 1,4-bis [2- (4-aminophenyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propyl] benzene, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3- Hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 5-fluoro-1,3-phenylenediamine, 2- Fluoro-1,4-phenylenediamine, 2,5-difluoro-1,4-phenylenediamine, 2,4,5,6-hexafluoro-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-hexafluoro -1,
4-phenylenediamine, 3,3′-diamino-5
5'-difluorobiphenyl, 4,4'-diamino-
2,2'-difluorobiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-difluorobiphenyl, 3,3'-diamino-2,2 ', 4,4', 5,5 ', 6,6'- Octafluorobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2 ',
3,3 ′, 5,5 ′, 6,6′-octafluorobiphenyl, oxy-5,5′-bis (3-fluoroaniline), oxy-4,4′-bis (2-fluoroaniline), oxy -4,4'-bis (3-fluoroaniline), sulfonyl-5,5'-bis (3-fluoroaniline), sulfonyl-4,4'-bis (2-fluoroaniline), sulfonyl-4,4 ' -Bis (3-fluoroaniline), 1,3-bis (3-aminophenoxy)-
5-fluorobenzene, 1,3-bis (3-amino-5
-Fluorophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-
Amino-5-fluorophenoxy) -5-fluorobenzene, 5- (trifluoromethyl) -1,3-phenylenediamine, 2- (trifluoromethyl) -1,4-phenylenediamine, 2,5-bis (tri (Fluoromethyl) -1,4-phenylenediamine, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-bis (trifluoromethyl) -4,4 ′
-Diaminobiphenyl, oxy-5,5'-bis [3-
(Trifluoromethyl) aniline], oxy-4,4 '
-Bis [2- (trifluoromethyl) aniline], oxy-4,4'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], sulfonyl-5,5'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline] , Sulfonyl-4,4'-bis [2- (trifluoromethyl) aniline], sulfonyl-4,4'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], 1,3-bis (3-aminophenoxy) −5-
(Trifluoromethyl) benzene, 1,3-bis [3-
Amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] benzene, 1,3-bis [3-amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] -5- (trifluoromethyl) benzene, 3,3′-bis (tri Fluoromethyl) -5
5'-diaminobiphenyl, bis (3-aminophenoxy) dimethylsilane, bis (4-aminophenoxy) dimethylsilane, 1,3-bis (3-aminophenyl)-
1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-
Bis (4-aminophenyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and the like can be mentioned.

【0112】これらのジアミン化合物は単独で用いても
よいし、2種以上混合して用いてもよい。一般式(DA
2)で表される芳香族ジアミン化合物を用いた場合、得
られるポリイミドはガラス転移点や分解温度が高くな
り、したがって高耐熱性を示すので好ましい。これらの
芳香族ジアミン化合物は、全アミン化合物成分のうち好
ましくは0.8モル当量以上、さらに好ましくは0.9
当量以上用いられる。この理由は、こうした芳香族ジア
ミン化合物の配合量が少なすぎる場合には得られるポリ
イミドの耐熱性が低下するおそれがあるためである。
These diamine compounds may be used alone or in combination of two or more. General formula (DA
When the aromatic diamine compound represented by the formula 2) is used, the resulting polyimide has a high glass transition point and a high decomposition temperature, and thus exhibits high heat resistance. These aromatic diamine compounds are preferably at least 0.8 molar equivalent, more preferably 0.9 mole equivalent, of all amine compound components.
It is used in an equivalent amount or more. The reason for this is that if the amount of the aromatic diamine compound is too small, the heat resistance of the obtained polyimide may be reduced.

【0113】また、耐熱性、環境安定性および低誘電率
特性の面から、上記一般式(DA2)で表される芳香族
ジアミン化合物のうち好ましいものとしては、1,3−
フェニレンジアミン、1,4−フェニレンジアミン、
3,3’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノビ
フェニル、3,3”−ジアミノテルフェニル、4,4”
−ジアミノテルフェニル、3,3''' −ジアミノクァテ
ルフェニル、4,4'''−ジアミノクァテルフェニル、
オキシ−3,3’−ジアニリン、オキシ−4,4’−ジ
アニリン、スルホニル−3,3’−ジアニリン、スルホ
ニル−4,4’−ジアニリン、メチレン−3,3’−ジ
アニリン、メチレン−4,4’−ジアニリン、2,2−
プロピリデン−3,3’−ジアニリン、2,2−プロピ
リデン−4,4’−ジアニリン、1,1,1,3,3,
3−ヘキサフルオロ−2,2−プロピリデン−3,3’
−ジアニリン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロ−2,2−プロピリデン−4,4’−ジアニリン、
1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,
3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−
ビス[2−(3−アミノフェニル)−2−プロピル]ベ
ンゼン、1,3−ビス[2−(4−アミノフェニル)−
2−プロピル]ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、1,4−ビス[2−(3−アミノフェ
ニル)−2−プロピル]ベンゼン、1,4−ビス[2−
(4−アミノフェニル)−2−プロピル]ベンゼン、
2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニ
ル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロ
パン、5−フルオロ−1,3−フェニレンジアミン、2
−フルオロ−1,4−フェニレンジアミン、2,5−ジ
フルオロ−1,4−フェニレンジアミン、2,4,5,
6−ヘキサフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、
2,3,5,6−ヘキサフルオロ−1,4−フェニレン
ジアミン、3,3’−ジアミノ−5,5’−ジフルオロ
ビフェニル、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジフルオ
ロビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジフル
オロビフェニル、3,3’−ジアミノ−2,2’,4,
4’,5,5’,6,6’−オクタフルオロビフェニ
ル、4,4’−ジアミノ−2,2’,3,3’,5,
5’,6,6’−オクタフルオロビフェニル、5−(ト
リフルオロメチル)−1,3−フェニレンジアミン、2
−(トリフルオロメチル)−1,4−フェニレンジアミ
ン、2,5−ビス(トリフルオロメチル)−1,4−フ
ェニレンジアミン、2,2’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニ
ル、オキシ−5,5’−ビス[3−(トリフルオロメチ
ル)アニリン]、オキシ−4,4’−ビス[2−(トリ
フルオロメチル)アニリン]、オキシ−4,4’−ビス
[3−(トリフルオロメチル)アニリン]、スルホニル
−5,5’−ビス[3−(トリフルオロメチル)アニリ
ン]、スルホニル−4,4’−ビス[2−(トリフルオ
ロメチル)アニリン]、スルホニル−4,4’−ビス
[3−(トリフルオロメチル)アニリン]、1,3−ビ
ス(3−アミノフェノキシ)−5−(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、1,3−ビス[3−アミノ−5−(トリ
フルオロメチル)フェノキシ]ベンゼン、1,3−ビス
[3−アミノ−5−(トリフルオロメチル)フェノキ
シ]−5−(トリフルオロメチル)ベンゼン、3,3’
−ビス(トリフルオロメチル)−5,5’−ジアミノビ
フェニルが挙げられる。
Further, from the viewpoints of heat resistance, environmental stability and low dielectric constant, preferred among the aromatic diamine compounds represented by the above general formula (DA2) are 1,3-
Phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine,
3,3′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminobiphenyl, 3,3 ″ -diaminoterphenyl, 4,4 ″
-Diaminoterphenyl, 3,3 '''-diaminoquaterphenyl,4,4'''-diaminoquaterphenyl,
Oxy-3,3'-dianiline, oxy-4,4'-dianiline, sulfonyl-3,3'-dianiline, sulfonyl-4,4'-dianiline, methylene-3,3'-dianiline, methylene-4,4 '-Dianiline, 2,2-
Propylidene-3,3'-dianiline, 2,2-propylidene-4,4'-dianiline, 1,1,1,3,3
3-hexafluoro-2,2-propylidene-3,3 '
-Dianiline, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-4,4′-dianiline,
1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,
3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-
Bis [2- (3-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl)-
2-propyl] benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis [2- (3-aminophenyl) -2-propyl Benzene, 1,4-bis [2-
(4-aminophenyl) -2-propyl] benzene,
2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl]- 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 5-fluoro-1,3-phenylenediamine, 2
-Fluoro-1,4-phenylenediamine, 2,5-difluoro-1,4-phenylenediamine, 2,4,5
6-hexafluoro-1,3-phenylenediamine,
2,3,5,6-hexafluoro-1,4-phenylenediamine, 3,3′-diamino-5,5′-difluorobiphenyl, 4,4′-diamino-2,2′-difluorobiphenyl, 4, 4'-diamino-3,3'-difluorobiphenyl, 3,3'-diamino-2,2 ', 4
4 ′, 5,5 ′, 6,6′-octafluorobiphenyl, 4,4′-diamino-2,2 ′, 3,3 ′, 5
5 ', 6,6'-octafluorobiphenyl, 5- (trifluoromethyl) -1,3-phenylenediamine, 2
-(Trifluoromethyl) -1,4-phenylenediamine, 2,5-bis (trifluoromethyl) -1,4-phenylenediamine, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diamino Biphenyl, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, oxy-5,5'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], oxy-4,4'-bis [ 2- (trifluoromethyl) aniline], oxy-4,4'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], sulfonyl-5,5'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], sulfonyl- 4,4'-bis [2- (trifluoromethyl) aniline], sulfonyl-4,4'-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], 1,3-bis (3-aminophenoxy) -5 (Trifluoromethyl) benzene, 1,3-bis [3-amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] benzene, 1,3-bis [3-amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] -5- (Trifluoromethyl) benzene, 3,3 '
-Bis (trifluoromethyl) -5,5'-diaminobiphenyl.

【0114】さらに、上記一般式(DA2)で表される
ジアミン化合物のうち特に好ましいものとして、下記一
般式(DA3)で表される芳香族ジアミン化合物が挙げ
られる。
Further, among the diamine compounds represented by the general formula (DA2), an aromatic diamine compound represented by the following general formula (DA3) is particularly preferable.

【0115】[0115]

【化32】 Embedded image

【0116】(ただし、一般式(DA3)におけるZは
2価のオキシ基、チオ基、スルホニル基、カルボニル
基、パーアルキルポリシロキサニレン基、非置換もしく
はフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基または単結
合を示し、R10〜R12はそれぞれ同一であっても異なっ
ていてもよく、フルオロ基または非置換もしくはフッ素
原子で置換された脂肪族炭化水素基を示し、iは1〜6
の整数、jは0〜4の整数、kは0または1、l、mお
よびnは0〜4の整数である。) 一般式(DA3)で表される芳香族ジアミン化合物は、
(1)1つのベンゼン環を有し、2つのアミノ基がこの
ベンゼン環に、互いにメタ位において結合した構造を有
する芳香族ジアミン化合物、および(2)2つ以上のベ
ンゼン環を有し、2つのアミノ基がそれぞれ末端のベン
ゼン環に、その末端のベンゼン環の他のベンゼン環への
結合部位から見てメタ位において結合した構造を有する
芳香族ジアミン化合物を含む。
(Where Z in the general formula (DA3) is a divalent oxy group, thio group, sulfonyl group, carbonyl group, peralkylpolysiloxanylene group, aliphatic hydrocarbon unsubstituted or substituted with a fluorine atom) R 10 to R 12 may be the same or different and each represents a fluoro group or an unsubstituted or substituted by a fluorine atom, an aliphatic hydrocarbon group;
J is an integer of 0 to 4, k is 0 or 1, l, m and n are integers of 0 to 4. The aromatic diamine compound represented by the general formula (DA3)
(1) an aromatic diamine compound having a structure in which one benzene ring has two amino groups bonded to the benzene ring at the meta position, and (2) an aromatic diamine compound having two or more benzene rings. An aromatic diamine compound having a structure in which two amino groups are respectively bonded to a terminal benzene ring at a meta position as viewed from a bonding site of the terminal benzene ring to another benzene ring is included.

【0117】上記一般式(DA3)で表される、メタ位
にアミノ基を有する芳香族ジアミン化合物の具体例とし
ては、例えば1,3−フェニレンジアミン、3,3’−
ジアミノビフェニル、1,3−フェニレン−3,3’−
ジアニリン、1,4−フェニレン−3,3’−ジアニリ
ン、オキシ−3,3’−ジアニリン、チオ−3,3’−
ジアニリン、スルホニル−3,3’−ジアニリン、メチ
レン−3,3’−ジアニリン、1,2−エチレン−3,
3’−ジアニリン、2,2−プロピリデン−3,3’−
ジアニリン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ
−2,2−プロピリデン−3,3’−ジアニリン、1,
1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−1,3−プロピ
レン−3,3’−ジアニリン、1,3−ビス(3−アミ
ノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフ
ェニルチオ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェ
ニルスルホニル)ベンゼン、1,3−ビス[2−(3−
アミノフェニル)−2−プロピル]ベンゼン、1,3−
ビス[2−(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル]ベンゼン、
1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,
4−ビス(3−アミノフェニルチオ)ベンゼン、1,4
−ビス(3−アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、
1,4−ビス[2−(3−アミノフェニル)−2−プロ
ピル]ベンゼン、1,4−ビス[2−(3−アミノフェ
ニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2
−プロピル]ベンゼン、2,2−ビス[4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロプロパン、5−フルオロ−1,3−フェ
ニレンジアミン、2,4,5,6−ヘキサフルオロ−
1,3−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノ−
5,5’−ジフルオロビフェニル、3,3’−ジアミノ
−2,2’,4,4’,5,5’,6,6’−オクタフ
ルオロビフェニル、オキシ−5,5’−ビス(3−フル
オロアニリン)、スルホニル−5,5’−ビス(3−フ
ルオロアニリン)、1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)−5−フルオロベンゼン、1,3−ビス(3−アミ
ノ−5−フルオロフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス
(3−アミノ−5−フルオロフェノキシ)−5−フルオ
ロベンゼン、5−(トリフルオロメチル)−1,3−フ
ェニレンジアミン、オキシ−5,5’−ビス[3−(ト
リフルオロメチル)アニリン]、スルホニル−5,5’
−ビス[3−(トリフルオロメチル)アニリン]、1,
3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−(トリフルオ
ロメチル)ベンゼン、1,3−ビス[3−アミノ−5−
(トリフルオロメチル)フェノキシ]ベンゼン、1,3
−ビス[3−アミノ−5−(トリフルオロメチル)フェ
ノキシ]−5−(トリフルオロメチル)ベンゼン、3,
3’−ビス(トリフルオロメチル)−5,5’−ジアミ
ノビフェニル、ビス(3−アミノフェノキシ)ジメチル
シラン、1,3−ビス(3−アミノフェニル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサンなどが挙げられ
る。
Specific examples of the aromatic diamine compound having an amino group at the meta position represented by the general formula (DA3) include, for example, 1,3-phenylenediamine, 3,3′-
Diaminobiphenyl, 1,3-phenylene-3,3'-
Dianiline, 1,4-phenylene-3,3'-dianiline, oxy-3,3'-dianiline, thio-3,3'-
Dianiline, sulfonyl-3,3′-dianiline, methylene-3,3′-dianiline, 1,2-ethylene-3,
3'-dianiline, 2,2-propylidene-3,3'-
Dianiline, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-3,3′-dianiline, 1,
1,2,2,3,3-hexafluoro-1,3-propylene-3,3′-dianiline, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenylthio ) Benzene, 1,3-bis (3-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,3-bis [2- (3-
Aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,3-
Bis [2- (3-aminophenyl) -1,1,1,3,
3,3-hexafluoro-2-propyl] benzene,
1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,
4-bis (3-aminophenylthio) benzene, 1,4
-Bis (3-aminophenylsulfonyl) benzene,
1,4-bis [2- (3-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,4-bis [2- (3-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoro -2
-Propyl] benzene, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-
Hexafluoropropane, 5-fluoro-1,3-phenylenediamine, 2,4,5,6-hexafluoro-
1,3-phenylenediamine, 3,3′-diamino-
5,5'-difluorobiphenyl, 3,3'-diamino-2,2 ', 4,4', 5,5 ', 6,6'-octafluorobiphenyl, oxy-5,5'-bis (3- Fluoroaniline), sulfonyl-5,5′-bis (3-fluoroaniline), 1,3-bis (3-aminophenoxy) -5-fluorobenzene, 1,3-bis (3-amino-5-fluorophenoxy) ) Benzene, 1,3-bis (3-amino-5-fluorophenoxy) -5-fluorobenzene, 5- (trifluoromethyl) -1,3-phenylenediamine, oxy-5,5'-bis [3- (Trifluoromethyl) aniline], sulfonyl-5,5 '
-Bis [3- (trifluoromethyl) aniline], 1,
3-bis (3-aminophenoxy) -5- (trifluoromethyl) benzene, 1,3-bis [3-amino-5
(Trifluoromethyl) phenoxy] benzene, 1,3
-Bis [3-amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] -5- (trifluoromethyl) benzene, 3,
3′-bis (trifluoromethyl) -5,5′-diaminobiphenyl, bis (3-aminophenoxy) dimethylsilane, 1,3-bis (3-aminophenyl) -1,
1,3,3-tetramethyldisiloxane and the like can be mentioned.

【0118】これらのジアミン化合物は単独で用いても
よいし、2種以上混合して用いてもよい。上記一般式
(DA3)で表される、メタ位にアミノ基を有する芳香
族ジアミン化合物を用いた場合、得られるポリイミドは
大気中に放置しても吸湿分解し難く、特に環境安定性に
優れている。これらのメタ位にアミノ基を有する芳香族
ジアミン化合物は、全ジアミン化合物成分のうち好まし
くは0.4モル当量以上、さらに好ましくは0.6モル
当量以上用いられる。この理由は、これらのメタ位にア
ミノ基を有する芳香族ジアミン化合物の配合量が少なす
ぎる場合には、得られるポリイミドの環境安定性(耐吸
湿分解性)が低下するおそれがあるためである。
These diamine compounds may be used alone or in combination of two or more. When an aromatic diamine compound having an amino group at the meta position represented by the general formula (DA3) is used, the resulting polyimide hardly undergoes moisture absorption decomposition even when left in the air, and is particularly excellent in environmental stability. I have. The aromatic diamine compound having an amino group at the meta position is preferably used in an amount of at least 0.4 molar equivalent, more preferably at least 0.6 molar equivalent among all the diamine compound components. The reason for this is that when the amount of the aromatic diamine compound having an amino group at the meta position is too small, the environmental stability (resistance to hygroscopic decomposition) of the obtained polyimide may be reduced.

【0119】さらに、耐熱性、環境安定性および低誘電
率特性の面から、上記一般式(DA3)で表される、メ
タ位にアミノ基を有する芳香族ジアミン化合物のうち特
に好ましいものとしては、例えば1,3−フェニレンジ
アミン、3,3’−ジアミノビフェニル、1,3−フェ
ニレン−3,3’−ジアニリン、1,4−フェニレン−
3,3’−ジアニリン、オキシ−3,3’−ジアニリ
ン、スルホニル−3,3’−ジアニリン、2,2−プロ
ピリデン−3,3’−ジアニリン、1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロ−2,2−プロピリデン−3,
3’−ジアニリン、1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)
ベンゼン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロプロパン、5−フルオロ−1,3−フェニレンジア
ミン、2,4,5,6−ヘキサフルオロ−1,3−フェ
ニレンジアミン、3,3’−ジアミノ−5,5’−ジフ
ルオロビフェニル、3,3’−ジアミノ−2,2’,
4,4’,5,5’,6,6’−オクタフルオロビフェ
ニル、5−(トリフルオロメチル)−1,3−フェニレ
ンジアミン、オキシ−5,5’−ビス[3−(トリフル
オロメチル)アニリン]、スルホニル−5,5’−ビス
[3−(トリフルオロメチル)アニリン]、1,3−ビ
ス(3−アミノフェノキシ)−5−(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、1,3−ビス[3−アミノ−5−(トリ
フルオロメチル)フェノキシ]ベンゼン、1,3−ビス
[3−アミノ−5−(トリフルオロメチル)フェノキ
シ]−5−(トリフルオロメチル)ベンゼン、3,3’
−ビス(トリフルオロメチル)−5,5’−ジアミノビ
フェニルが挙げられる。
Further, from the viewpoints of heat resistance, environmental stability and low dielectric constant, particularly preferred aromatic diamine compounds having an amino group at the meta position represented by the above general formula (DA3) include: For example, 1,3-phenylenediamine, 3,3′-diaminobiphenyl, 1,3-phenylene-3,3′-dianiline, 1,4-phenylene-
3,3′-dianiline, oxy-3,3′-dianiline, sulfonyl-3,3′-dianiline, 2,2-propylidene-3,3′-dianiline, 1,1,1,3,
3,3-hexafluoro-2,2-propylidene-3,
3'-dianiline, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy)
Benzene, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 5-fluoro-1,3-phenylenediamine, 2,4 5,6-hexafluoro-1,3-phenylenediamine, 3,3′-diamino-5,5′-difluorobiphenyl, 3,3′-diamino-2,2 ′,
4,4 ′, 5,5 ′, 6,6′-octafluorobiphenyl, 5- (trifluoromethyl) -1,3-phenylenediamine, oxy-5,5′-bis [3- (trifluoromethyl) Aniline], sulfonyl-5,5′-bis [3- (trifluoromethyl) aniline], 1,3-bis (3-aminophenoxy) -5- (trifluoromethyl) benzene, 1,3-bis [3 -Amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] benzene, 1,3-bis [3-amino-5- (trifluoromethyl) phenoxy] -5- (trifluoromethyl) benzene, 3,3 ′
-Bis (trifluoromethyl) -5,5'-diaminobiphenyl.

【0120】また、本発明においては、上述したジアミ
ン化合物とともに下記一般式(DA4)で表されるジア
ミン化合物、すなわちビス(アミノアルキル)パーアル
キルポリシロキサン化合物を併用してもよい。
In the present invention, a diamine compound represented by the following formula (DA4), that is, a bis (aminoalkyl) peralkylpolysiloxane compound may be used in combination with the above-described diamine compound.

【0121】[0121]

【化33】 Embedded image

【0122】(ただし、一般式(DA4)においてR13
〜R16はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数
1〜5のアルキル基を示し、qおよびrは1〜10の整
数であり、pは正の整数である。) 上記一般式(DA4)で表されるビス(アミノアルキ
ル)パーアルキルポリシロキサン化合物の具体例として
は、例えば1,3−ビス(アミノメチル)−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(2
−アミノエチル)−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス
(4−アミノブチル)−1,1,3,3−テトラメチル
ジシロキサン、1,3−ビス(5−アミノペンチル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−
ビス(6−アミノヘキシル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン、1,3−ビス(7−アミノヘプチ
ル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、
1,3−ビス(8−アミノオクチル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(10−ア
ミノデシル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サン、1,5−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,
3,3,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、1,7
−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3,5,
5,7,7−オクタメチルテトラシロキサン、1,11
−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3,5,
5,7,7,9,9,11,11−ドデカメチルヘキサ
シロキサン、1,15−ビス(3−アミノプロピル)−
1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,1
1,13,13,15,15−ヘキサデカメチルオクタ
シロキサン、1,19−ビス(3−アミノプロピル)−
1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,1
1,13,13,15,15,17,17,19,19
−エイコサメチルデカシロキサンが挙げられる。
(However, in the general formula (DA4), R 13
To R 16 may be the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, q and r are integers of 1 to 10, and p is a positive integer. As specific examples of the bis (aminoalkyl) peralkylpolysiloxane compound represented by the general formula (DA4), for example, 1,3-bis (aminomethyl) -1,1,1
3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (2
-Aminoethyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,
1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (4-aminobutyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (5-aminopentyl)-
1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-
Bis (6-aminohexyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (7-aminoheptyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane,
1,3-bis (8-aminooctyl) -1,1,3,3
-Tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (10-aminodecyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,5-bis (3-aminopropyl) -1,1,1
3,3,5,5-hexamethyltrisiloxane, 1,7
-Bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3,5
5,7,7-octamethyltetrasiloxane, 1,11
-Bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3,5
5,7,7,9,9,11,11-Dodecamethylhexasiloxane, 1,15-bis (3-aminopropyl)-
1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,1
1,13,13,15,15-hexadecamethyloctasiloxane, 1,19-bis (3-aminopropyl)-
1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,1
1,13,13,15,15,17,17,19,19
-Eicosamethyldecasiloxane.

【0123】上記一般式(DA4)で表されるビス(ア
ミノアルキル)パーアルキルポリシロキサン化合物は、
例えばガラス基板やシリコンなどの半導体基板上に形成
されるポリイミドの密着性および接着性を向上させる効
果を有する。これらの化合物は、全ジアミン化合物成分
のうち0.02〜0.1モル当量混合して使用すること
が好ましい。これは、このような化合物を配合すること
で得られるポリイミドの基板上への密着性および接着性
が向上するものの、過度の配合はポリイミドの耐熱性低
下を招くおそれがあるためである。
The bis (aminoalkyl) peralkylpolysiloxane compound represented by the general formula (DA4) is
For example, it has an effect of improving the adhesion and adhesion of polyimide formed on a semiconductor substrate such as a glass substrate or silicon. These compounds are preferably used in a mixture of 0.02 to 0.1 molar equivalent of all the diamine compound components. This is because, although the adhesion and adhesion of the polyimide obtained by adding such a compound to a substrate are improved, excessive mixing may cause a decrease in the heat resistance of the polyimide.

【0124】本発明において、ポリアミド酸の合成に当
り必要に応じて添加されるジカルボン酸無水物は下記一
般式(AH1)で表される。
In the present invention, the dicarboxylic anhydride which is added as necessary in the synthesis of polyamic acid is represented by the following general formula (AH1).

【0125】[0125]

【化34】 Embedded image

【0126】(ただし、一般式(AH1)においてαは
2価の有機基を示す。) 一般式(AH1)で表されるジカルボン酸無水物を用い
る場合、一般式(DAH1)で表されるテトラカルボン
酸二無水物(1−m/2)モル当量、一般式(AH1)
で表されるジカルボン酸無水物mモル当量(ただし、m
は0〜0.4)および一般式(DA1)で表されるジア
ミン化合物成分0.97〜1.03モル当量の配合比で
配合することが好ましい。
(However, in the general formula (AH1), α represents a divalent organic group.) When the dicarboxylic anhydride represented by the general formula (AH1) is used, the tetracarboxylic acid represented by the general formula (DAH1) is used. Carboxylic anhydride (1-m / 2) molar equivalent, general formula (AH1)
M molar equivalent of the dicarboxylic anhydride represented by
Is preferably in the ratio of 0.97 to 1.03 molar equivalents of the diamine compound component represented by the general formula (DA1).

【0127】本発明において、ポリアミド酸の合成に当
り必要に応じて添加されるモノアミン化合物は下記一般
式(MA1)で表される。
In the present invention, the monoamine compound added as necessary in the synthesis of polyamic acid is represented by the following general formula (MA1).

【0128】[0128]

【化35】 Embedded image

【0129】(ただし、一般式(MA1)においてβは
1価の有機基を示す。) 一般式(MA1)で表されるモノアミン化合物を用いる
場合、一般式(DAH1)で表されるテトラカルボン酸
二無水物0.97〜1.03モル当量、一般式(DA
1)で表されるジアミン化合物成分(1−n/2)モル
当量および一般式(MA1)で表されるモノアミン化合
物nモル当量(ただし、nは0〜0.4)の配合比で配
合することが好ましい。
(However, in the general formula (MA1), β represents a monovalent organic group.) When a monoamine compound represented by the general formula (MA1) is used, a tetracarboxylic acid represented by the general formula (DAH1) 0.97 to 1.03 molar equivalents of dianhydride, a compound represented by the general formula (DA
The diamine compound component (1-n / 2) molar equivalent represented by 1) and the monoamine compound n molar equivalent (where n is 0 to 0.4) represented by the general formula (MA1) are compounded at a compounding ratio. Is preferred.

【0130】本発明で用いられるポリアミド酸を合成す
る方法は特に限定されないが、不活性ガス雰囲気におい
て有機極性溶媒中で無水の条件下に重合させる方法が好
ましい。
The method for synthesizing the polyamic acid used in the present invention is not particularly limited, but a method in which polymerization is carried out in an organic polar solvent in an inert gas atmosphere under anhydrous conditions is preferred.

【0131】この反応時に用いられる有機極性溶媒とし
ては、例えばN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミ
ド、N,N−ジメトキシアセトアミド、N−メチル−2
−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノ
ン、N−メチルカプロラクタム、1,2−ジメトキシエ
タン、1,2−ジエトキシエタン、ビス(2−メトキシ
エチル)エーテル、ビス(2−エトキシエチル)エーテ
ル、1,2−ビス(2−メトキシエトキシ)エタン、ビ
ス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]エーテル、
1−アセトキシ−2−メトキシエタン、1−アセトキシ
−2−エトキシエタン、(2−アセトキシエチル)(2
−メトキシエチル)エーテル、(2−アセトキシエチ
ル)(2−エトキシエチル)エーテル、3−メトキシプ
ロピオン酸メチル、テトラヒドロフラン、1,3−ジオ
キサン、1,3−ジオキソラン、1,4−ジオキサン、
ピロリン、ピリジン、ピコリン、ジメチルスルホキシ
ド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、炭酸プロピレ
ン、フェノール、クレゾール、シクロヘキサノン、アセ
トニルアセトンが挙げられる。これらの有機溶媒は単独
で用いてもよいし、2種以上混合して用いてよい。
The organic polar solvent used in this reaction includes, for example, N, N-dimethylformamide, N, N-
Dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethoxyacetamide, N-methyl-2
-Pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N-methylcaprolactam, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, bis (2-ethoxyethyl) ) Ether, 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, bis [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] ether,
1-acetoxy-2-methoxyethane, 1-acetoxy-2-ethoxyethane, (2-acetoxyethyl) (2
-Methoxyethyl) ether, (2-acetoxyethyl) (2-ethoxyethyl) ether, methyl 3-methoxypropionate, tetrahydrofuran, 1,3-dioxane, 1,3-dioxolan, 1,4-dioxane,
Examples include pyrroline, pyridine, picoline, dimethyl sulfoxide, sulfolane, γ-butyrolactone, propylene carbonate, phenol, cresol, cyclohexanone, and acetonylacetone. These organic solvents may be used alone or as a mixture of two or more.

【0132】反応温度は通常−20〜100℃、好まし
くは−5〜30℃である。反応圧力は特に限定されず、
常圧で十分実施できる。反応時間はテトラカルボン酸二
無水物の種類、反応溶媒の種類により異なるが、通常4
〜24時間で十分である。このとき得られるポリアミド
酸は、30℃における0.5wt%−N−メチル−2−
ピロリドン溶液のインヒーレント粘度(対数粘度数)が
0.3(dL/g)以上、さらには0.3(dL/g)
以上3(dL/g)以下であることが好ましい。この理
由は、ポリアミド酸のインヒーレント粘度が低すぎる、
すなわちポリアミド酸の重合度が低すぎる場合には、高
耐熱性のポリイミドを得ることができなくなるおそれが
あり、ポリアミド酸のインヒーレント粘度が高すぎる、
すなわちポリアミド酸の重合度が高すぎる場合には、そ
の取扱いが困難となるからである。
The reaction temperature is usually -20 to 100 ° C, preferably -5 to 30 ° C. The reaction pressure is not particularly limited,
It can be carried out at normal pressure. The reaction time varies depending on the type of the tetracarboxylic dianhydride and the type of the reaction solvent.
~ 24 hours is sufficient. The polyamic acid obtained at this time is 0.5 wt% -N-methyl-2-at 30 ° C.
The inherent viscosity (logarithmic viscosity number) of the pyrrolidone solution is 0.3 (dL / g) or more, further 0.3 (dL / g)
It is preferably at least 3 (dL / g) or less. The reason for this is that the inherent viscosity of the polyamic acid is too low,
That is, if the degree of polymerization of the polyamic acid is too low, it may not be possible to obtain a polyimide having high heat resistance, the inherent viscosity of the polyamic acid is too high,
That is, if the degree of polymerization of the polyamic acid is too high, it becomes difficult to handle the polyamic acid.

【0133】本発明の非線形光学材料の製造方法におい
ては、まず、こうしたポリアミド酸の溶液に非線形光学
物質を分散させ、さらに低温硬化促進剤を配合して原料
溶液を調製する。あるいは、非線形光学物質をポリアミ
ド酸に化学的に結合させて用いてもよい。
In the method for producing a nonlinear optical material according to the present invention, first, a nonlinear optical substance is dispersed in such a polyamic acid solution, and a low-temperature curing accelerator is further blended to prepare a raw material solution. Alternatively, a nonlinear optical substance may be chemically bonded to polyamic acid.

【0134】用い得る非線形光学物質としては、非線形
光学材料の電気光学定数を高くするために、超分子分極
率βとダイポールモーメントμの大きい分子が相応し、
π共役鎖の両端にドナー基、アクセプター基をもたせた
分子構造のものが一般にはよいとされている。そのよう
な分子としては、4−(ジメチルアミノ)−4’−ニト
ロスチルベン(DANS)、4[N−エチル−N−(2
−ヒドロキシエチル)]アミノ−4’−ニトロスチルベ
ン(DR1)、DR19、DR13、DO1、DO3、
4−(ジシアノビニル)−4−(ジアルキルアミノ)ア
ゾベンゼン(DCV)、4−(ジシアノメチレン)−2
−メチル−6−[p−(ジメチルアミノ)スチリル]−
4H−ピラン(DCM)、4−トリシアノビニル−4’
−(ジエチルアミノ)アゾベンゼン(TCV)、p−N
A、p−NMDA、MNA、1−(4−ニトロフェニ
ル)−4−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]−1,
3−ブタジエン、ジ−[2−ヒドロキシエチル]アミノ
ヘキサニルスルホニルアゾスチルベン、および2’,5
−ジアミノ−4−(ジメチルアミノ)−4’−ニトロス
チルベン(DDANS)などが例として挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
As the nonlinear optical substance that can be used, a molecule having a large supramolecular polarizability β and a large dipole moment μ corresponds to increase the electro-optic constant of the nonlinear optical material.
It is generally said that those having a molecular structure in which a donor group and an acceptor group are provided at both ends of a π-conjugated chain are good. Such molecules include 4- (dimethylamino) -4′-nitrostilbene (DANS), 4 [N-ethyl-N- (2
-Hydroxyethyl)] amino-4'-nitrostilbene (DR1), DR19, DR13, DO1, DO3,
4- (dicyanovinyl) -4- (dialkylamino) azobenzene (DCV), 4- (dicyanomethylene) -2
-Methyl-6- [p- (dimethylamino) styryl]-
4H-pyran (DCM), 4-tricyanovinyl-4 '
-(Diethylamino) azobenzene (TCV), p-N
A, p-NMDA, MNA, 1- (4-nitrophenyl) -4- [4- (dimethylamino) phenyl] -1,
3-butadiene, di- [2-hydroxyethyl] aminohexanylsulfonylazostilbene, and 2 ', 5
-Diamino-4- (dimethylamino) -4'-nitrostilbene (DDANS) and the like;
It is not limited to these.

【0135】これら非線形光学物質は、上述したように
ポリマーホストへ分散させた形態、あるいはポリマー側
鎖または主鎖に化学的に結合させた形態によって本発明
の非線形光学材料に取り込まれる。また、その含有量
は、用いる成分の種類や形態等に応じて適宜決定するこ
とができる。
As described above, these nonlinear optical materials are incorporated into the nonlinear optical material of the present invention in the form of being dispersed in a polymer host or in the form of being chemically bonded to a polymer side chain or main chain. Further, the content can be appropriately determined according to the type and form of the components used.

【0136】非線形光学材料の製造に当たっては、上述
したような非線形光学物質および低温硬化促進剤を含有
するポリイミド前駆体組成物の溶液を、所望の基板上に
スピンコート法などにより塗布した後、必要に応じて加
熱等の方法で乾燥する。その後、60〜300℃の温度
範囲で加熱することによりポリイミド前駆体組成物を硬
化させる。加熱温度が60℃未満の場合には、溶媒を充
分に揮発させることができず、一方、300℃を越える
と、非線形光学物質に悪影響を及ぼす。したがって、本
発明においては、熱処理温度を60〜300℃の範囲内
に限定した。低温度でポリイミド膜を形成するには、上
述したポリイミド前駆体組成物の溶液を基板表面に塗布
した後、必要に応じて200℃以下の温度で乾燥し、大
気中または不活性ガス雰囲気中において100〜300
℃、好ましくは120〜300℃、より好ましくは15
0〜250℃の温度範囲で加熱する(直接加熱)か、ま
たは60〜250℃の温度範囲で加熱(プリベーク)し
た後60〜250℃、好ましくは100〜250℃で真
空加熱することにより、ポリイミド前駆体組成物を硬化
させる。加熱時間に関しては、使用するポリアミド酸や
硬化促進剤の種類、加熱温度、膜厚などによって異なる
が、5分〜3時間で十分である。この熱処理によって塗
膜中に残存する溶媒成分が揮発し、またポリアミド酸の
イミド化によるイミド構造への変化が起こり、さらに蒸
発、昇華、分解などにより低温硬化促進剤が揮発して、
ポリイミド膜からなる非線形光学材料が形成される。
In the production of the nonlinear optical material, a solution of the above-described polyimide precursor composition containing the nonlinear optical substance and the low-temperature curing accelerator is applied onto a desired substrate by a spin coating method or the like, and then necessary. Is dried by a method such as heating according to the above. Thereafter, the polyimide precursor composition is cured by heating in a temperature range of 60 to 300 ° C. When the heating temperature is lower than 60 ° C., the solvent cannot be sufficiently volatilized. On the other hand, when the heating temperature exceeds 300 ° C., the nonlinear optical material is adversely affected. Therefore, in the present invention, the heat treatment temperature is limited to the range of 60 to 300 ° C. To form a polyimide film at a low temperature, after applying a solution of the above-described polyimide precursor composition to the substrate surface, drying at a temperature of 200 ° C. or lower as necessary, and in air or an inert gas atmosphere. 100-300
° C, preferably 120-300 ° C, more preferably 15 ° C.
By heating in a temperature range of 0 to 250 ° C (direct heating) or heating in a temperature range of 60 to 250 ° C (prebaking) and then heating in vacuum at 60 to 250 ° C, preferably 100 to 250 ° C, polyimide Curing the precursor composition. The heating time varies depending on the kind of the polyamic acid and the curing accelerator used, the heating temperature, the film thickness and the like, but 5 minutes to 3 hours is sufficient. The solvent component remaining in the coating film is volatilized by this heat treatment, and a change to an imide structure is caused by imidization of the polyamic acid.
A nonlinear optical material made of a polyimide film is formed.

【0137】従来のポリアミド酸溶液を用いた場合には
300℃程度で加熱硬化を行っていたのと比較すると、
本発明では多くの場合200℃以下という低温での加熱
硬化により良好な物性を有する非線形光学材料を得るこ
とができる。なお、加熱硬化温度は非線形光学材料の用
途に応じて適宜設定することができる。
Compared to the case where the conventional polyamic acid solution was used for heat curing at about 300 ° C.,
In the present invention, a non-linear optical material having good physical properties can be obtained by heat curing at a low temperature of 200 ° C. or less in many cases. Note that the heat curing temperature can be appropriately set according to the use of the nonlinear optical material.

【0138】なお、低温硬化促進剤として、前記式
(1)〜(5)で表される化合物およびその誘導体を用
い、さらにジアジド化合物等の感光剤を配合することに
よって、感光パターンを形成することもできる。具体的
には、ジアジド化合物としては、分子中にo−キノンジ
アジド基を少なくとも1個有するo−キノンジアジド化
合物または分子中にナフトキノンジアジド基を少なくと
も1個有するナフトキノンジアジド化合物のようなジア
ジド化合物などが挙げられる。具体的には、以下の構造
式で示される化合物(P−1)〜(P−29)からなる
群から選ばれた少なくとも1種の化合物などを用いるこ
とができる。
It is to be noted that the compounds represented by the above formulas (1) to (5) and derivatives thereof are used as a low-temperature curing accelerator, and a photosensitive agent such as a diazide compound is further blended to form a photosensitive pattern. Can also. Specifically, examples of the diazide compound include a diazide compound such as an o-quinonediazide compound having at least one o-quinonediazide group in a molecule or a naphthoquinonediazide compound having at least one naphthoquinonediazide group in a molecule. . Specifically, at least one compound selected from the group consisting of compounds (P-1) to (P-29) represented by the following structural formulas can be used.

【0139】[0139]

【化36】 Embedded image

【0140】[0140]

【化37】 Embedded image

【0141】[0141]

【化38】 Embedded image

【0142】こうした成分を含有する原料溶液を基板上
に塗布し、必要に応じて加熱等の方法で乾燥して薄膜を
形成する。さらに、所望のパターンを有するマスクを介
して、露光光を照射した後、現像処理を施すことによっ
て、パターン化された非線形光学材料が得られる。露光
光としては、例えば、X線、可視光、赤外光、紫外光、
エキシマレーザ光などのエネルギー線等が挙げられる。
現像液としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナト
リウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、リン酸アン
モニウム、アンモニアなどの無機アルカリの水溶液、ま
たはプロピルアミン、ブチルアミン、モノエタノールア
ミン、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、トリ
メチルアンモニウムヒドロキシド、ヒドラジン、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、水酸化トリメチルヒ
ドロキシエチルアンモニウムなどの有機アルカリ水溶液
が挙げられる。また、これら水溶液にメタノール、エタ
ノール、2−プロパノール、エチレングリコール、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコー
ル、エチルカルビトール、N−メチルピロリドン、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシドなどの有機溶媒を混合した
ものも使用できる。
A raw material solution containing these components is applied on a substrate and, if necessary, dried by heating or the like to form a thin film. Furthermore, after irradiating exposure light through a mask having a desired pattern and then performing development processing, a patterned nonlinear optical material is obtained. As the exposure light, for example, X-ray, visible light, infrared light, ultraviolet light,
Energy rays such as excimer laser light;
Examples of the developer include an aqueous solution of an inorganic alkali such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, lithium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, ammonium carbonate, potassium hydrogen carbonate, ammonium phosphate, ammonia, or propylamine, butylamine, Organic alkali aqueous solutions such as monoethanolamine, ethylenediamine, trimethylenediamine, trimethylammonium hydroxide, hydrazine, tetramethylammonium hydroxide, and trimethylhydroxyethylammonium hydroxide can be used. Further, methanol, ethanol, 2-propanol, ethylene glycol, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, diethylene glycol, ethyl carbitol, N-methylpyrrolidone, N,
A mixture of organic solvents such as N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and dimethylsulfoxide can also be used.

【0143】パターン化された非線形光学材料を製造す
る場合、60〜300℃での熱処理は、塗膜形成後、乾
燥、露光の後に行い、その後アルカリ現像液による現像
を行うことが好ましい。この方法において、露光後に樹
脂層に対して施す熱処理の条件は、温度約90〜200
℃好ましくは90〜140℃で約5秒〜60分間であ
る。
In the case of producing a patterned non-linear optical material, it is preferable that the heat treatment at 60 to 300 ° C. is performed after the coating film is formed, dried and exposed, and then developed with an alkali developing solution. In this method, the condition of the heat treatment applied to the resin layer after exposure is a temperature of about 90 to 200.
C., preferably at 90-140.degree. C. for about 5 seconds to 60 minutes.

【0144】こうした手法を採用することによって、チ
ャネル導波路構造を容易に製造することが可能となる。
By employing such a method, it is possible to easily manufacture a channel waveguide structure.

【0145】上述したような方法で製造される非線形光
学材料を用いて、本発明の非線形光学デバイスが得られ
る。
The nonlinear optical device of the present invention can be obtained by using the nonlinear optical material manufactured by the method as described above.

【0146】非線形光学デバイスとしては、マッハツェ
ンダー型光変調器が代表例として挙げられるが、方向性
結合器、Y分岐型、およびX分岐型など、他のチャネル
導波路にも同様に適用することができる。さらに、これ
らを複数組み合わせて構成される光変調器や光スイッチ
にも適用可能である。また、偏光光学素子との組み合わ
せによる強度変調のほか、複屈折変調素子としても使用
することができる。
A typical example of the nonlinear optical device is a Mach-Zehnder type optical modulator. However, the same applies to other channel waveguides such as a directional coupler, a Y-branch type, and an X-branch type. Can be. Further, the present invention can be applied to an optical modulator or an optical switch configured by combining a plurality of these. Further, in addition to intensity modulation by combination with a polarization optical element, it can be used as a birefringence modulation element.

【0147】さらにまた、光変調器と同じ電気光学効果
を利用する他の非線形光学デバイスへの適用も可能であ
る。例えば、本発明の非線形光学材料を用いることによ
って、電気光学効果とキャリア輸送性とを有する、フォ
トリフラクティブ効果を示す非線形光学デバイスを提供
することもできる。
Further, application to other nonlinear optical devices utilizing the same electro-optic effect as the optical modulator is also possible. For example, by using the nonlinear optical material of the present invention, it is possible to provide a nonlinear optical device having an electro-optic effect and a carrier transporting property and exhibiting a photorefractive effect.

【0148】[0148]

【発明の実施の形態】以下、具体例を示して本発明をさ
らに詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples.

【0149】(実施例1)ピロメリト酸二無水物、オキ
シ−4,4’−ジアニリン、1,3−ビス−(3−アミ
ノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サンを1:0.95:0.05比で配合したポリアミド
酸を、溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに溶
解した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温硬化促進
剤としてのベンゾイミダゾールを、ポリアミド酸の繰り
返し単位1モル等量に対して2モル等量の割合で添加し
て混合液を調製した。さらに、非線形光学物質としての
ディスパースレッド1を、混合物に対して20重量%の
割合で加えて、本実施例の非線形光学材料の原料溶液を
調製した。
(Example 1) Pyromellitic dianhydride, oxy-4,4'-dianiline, 1,3-bis- (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane were mixed with 1 : 0.95: 0.05 polyamic acid was dissolved in N, N-dimethylacetamide as a solvent. To the obtained polyamic acid solution, benzimidazole as a low-temperature curing accelerator was added at a ratio of 2 molar equivalents to 1 molar equivalent of the repeating unit of the polyamic acid to prepare a mixed solution. Further, Disperse Red 1 as a nonlinear optical material was added at a ratio of 20% by weight to the mixture to prepare a raw material solution of the nonlinear optical material of the present example.

【0150】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、160℃で
30分間、ホットプレート上で加熱することにより、ほ
ぼ100%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得
られた。質量分析の結果、得られたポリイミド中のベン
ズイミダゾールの含有量は、約10ppmであった。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
A coating film was formed by spin coating on the wafer, and heated on a hot plate at 160 ° C. for 30 minutes to obtain a polyimide non-linear optical material almost imidized by 100%. As a result of mass spectrometry, the content of benzimidazole in the obtained polyimide was about 10 ppm.

【0151】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しつつ160℃で
30分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied onto an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode was deposited on this thin film, and heated at 160 ° C. for 30 minutes while applying an electric field of 50 V / μm to prepare a sample.

【0152】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=35pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 35 pm / V was obtained.

【0153】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、2000時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
Further, when this sample was heated at 100 ° C. in the atmosphere, the initial electro-optic constant was maintained even after lapse of 2000 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0154】(比較例)実施例1と同様のポリアミド酸
を用い、低温硬化促進剤を配合せずに、非線形光学物質
としてのディスパースレッド1を20重量%加えて、原
料溶液を調製した。
(Comparative Example) A raw material solution was prepared by using the same polyamic acid as in Example 1 and adding 20% by weight of Disperse Red 1 as a nonlinear optical material without blending a low-temperature curing accelerator.

【0155】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、窒素雰囲気
下300℃で30分間、ホットプレート上で加熱するこ
とにより、ほぼ100%イミド化したポリイミド非線形
光学材料が得られた。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
A coating film was formed by spin coating on a wafer, and heated on a hot plate at 300 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a polyimide non-linear optical material almost imidized by 100%.

【0156】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しながら160℃
で30分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied onto an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode is deposited on this thin film, and 160 ° C. while applying an electric field of 50 V / μm.
For 30 minutes to produce a sample.

【0157】得られた試料について、波長1300nm
における電気光学定数を前述の実施例1と同様の手法に
より測定した結果、r33=3pm/Vという低い値しか
得られなかった。
With respect to the obtained sample, the wavelength was 1300 nm.
Was measured in the same manner as in Example 1 above, and as a result, only a low value of r 33 = 3 pm / V was obtained.

【0158】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、開始後10時間で非線形光学特性はほぼ消失
した。
When this sample was heated at 100 ° C. in the air, the nonlinear optical characteristics almost disappeared 10 hours after the start.

【0159】(実施例2)ピロメリト酸二無水物、オキ
シ−4,4’−ジアニリン、1,3−ビス−(3−アミ
ノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サンを1:0.95:0.05比で配合したポリアミド
酸を、溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに溶
解した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温硬化促進
剤としてのN−アセチルグリシンを、ポリアミド酸の繰
り返し単位1モル等量に対して2モル等量の割合で添加
して混合液を調製した。さらに、非線形光学物質として
のディスパースレッド1を、混合物に対して20重量%
の割合で加えて、本実施例の非線形光学材料の原料溶液
を調製した。
(Example 2) Pyromellitic dianhydride, oxy-4,4'-dianiline, 1,3-bis- (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane were mixed with 1 : 0.95: 0.05 polyamic acid was dissolved in N, N-dimethylacetamide as a solvent. To the obtained polyamic acid solution, N-acetylglycine as a low-temperature curing accelerator was added at a ratio of 2 mol equivalent to 1 mol equivalent of the repeating unit of polyamic acid to prepare a mixed solution. Furthermore, Disperse Red 1 as a nonlinear optical material was added to the mixture at 20% by weight.
, A raw material solution of the nonlinear optical material of this example was prepared.

【0160】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、ホットプレ
ート上で120℃で60分間で加熱した後、さらに真空
オーブン中で100℃で60分間加熱することにより、
ほぼ90%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得
られた。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
After spin coating on the wafer to form a coating film and heating on a hot plate at 120 ° C. for 60 minutes, further heating in a vacuum oven at 100 ° C. for 60 minutes,
A polyimide non-linear optical material that was almost 90% imidized was obtained.

【0161】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
N−アセチルグリシンの含有量は、約20ppmであっ
た。
As a result of mass spectrometry, the content of N-acetylglycine in the obtained polyimide was about 20 ppm.

【0162】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しながら120℃
で60分間加熱した後、さらに真空オーブン中で100
℃で60分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied on an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode is deposited on this thin film, and is applied at 120 ° C. while applying an electric field of 50 V / μm.
After heating for 60 minutes in a vacuum oven,
A sample was prepared by heating at 60 ° C. for 60 minutes.

【0163】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=25pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 25 pm / V was obtained.

【0164】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、1500時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
When this sample was heated at 100 ° C. in the air, the initial electro-optical constant was maintained after 1500 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0165】(実施例3)ピロメリト酸二無水物、オキ
シ−4,4’−ジアニリン、1,3−ビス−(3−アミ
ノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サンを1:0.95:0.05比で配合したポリアミド
酸を、溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに溶
解した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温硬化促進
剤としての3’,5’−ジヒドロキシアセトフェノン
を、ポリアミド酸の繰り返し単位1モル等量に対して2
モル等量の割合で添加して混合液を調製した。さらに、
非線形光学物質としてのディスパースレッド1を、混合
物に対して20重量%の割合で加えて、本実施例の非線
形光学材料の原料溶液を調製した。
Example 3 Pyromellitic dianhydride, oxy-4,4'-dianiline, 1,3-bis- (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane : 0.95: 0.05 polyamic acid was dissolved in N, N-dimethylacetamide as a solvent. To the obtained polyamic acid solution, 3 ′, 5′-dihydroxyacetophenone as a low-temperature curing accelerator was added in an amount of 2 mol per 1 mol equivalent of the polyamic acid repeating unit.
A mixture was prepared by adding at a molar equivalent ratio. further,
Disperse Red 1 as a nonlinear optical material was added at a ratio of 20% by weight to the mixture to prepare a raw material solution of the nonlinear optical material of the present example.

【0166】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、ホットプレ
ート上で120℃で60分間で加熱した後、さらに真空
オーブン中で100℃で60分間加熱することにより、
90%以上イミド化したポリイミド非線形光学材料が得
られた。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
After spin coating on the wafer to form a coating film and heating on a hot plate at 120 ° C. for 60 minutes, further heating in a vacuum oven at 100 ° C. for 60 minutes,
A polyimide non-linear optical material imidized by 90% or more was obtained.

【0167】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
3’,5’−ジヒドロキシアセトフェノンの含有量は、
約10ppmであった。
As a result of mass spectrometry, the content of 3 ′, 5′-dihydroxyacetophenone in the obtained polyimide was
It was about 10 ppm.

【0168】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しながら120℃
で60分間加熱した後、さらに真空オーブン中で100
℃で60分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied on an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode is deposited on this thin film, and is applied at 120 ° C. while applying an electric field of 50 V / μm.
After heating for 60 minutes in a vacuum oven,
A sample was prepared by heating at 60 ° C. for 60 minutes.

【0169】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=20pm/Vという高い値が得られた。
The electrooptic constant was measured at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system. As a result, a high value of r 33 = 20 pm / V was obtained.

【0170】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、1300時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
When this sample was heated at 100 ° C. in the atmosphere, the initial electro-optic constant was maintained after 1300 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0171】(実施例4)ピロメリト酸二無水物、4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル、1,3−ビス−
(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサンを1:0.94:0.06比で配合した
ポリアミド酸を、溶媒としてのN−メチル−2−ピロリ
ドンに溶解した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温
硬化促進剤としての4−ヒドロキシフェニル酢酸を、ポ
リアミド酸組成物10gに対して1.2gの割合で添加
して混合液を調製した。さらに、非線形光学物質として
のディスパースレッド1を、混合物に対して20重量%
の割合で加えて、本実施例の非線形光学材料の原料溶液
を調製した。
Example 4 Pyromellitic dianhydride, 4,
4'-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis-
Polyamic acid in which (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was mixed at a ratio of 1: 0.94: 0.06 was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone as a solvent. . To the obtained polyamic acid solution, 4-hydroxyphenylacetic acid as a low-temperature curing accelerator was added at a ratio of 1.2 g to 10 g of the polyamic acid composition to prepare a mixed solution. Furthermore, Disperse Red 1 as a nonlinear optical material was added to the mixture at 20% by weight.
, A raw material solution of the nonlinear optical material of this example was prepared.

【0172】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、100℃で
60分間、ホットプレート上で加熱することにより、ほ
ぼ98%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得ら
れた。
[0172] This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
A coating film was formed by spin coating on the wafer, and heated on a hot plate at 100 ° C. for 60 minutes to obtain a polyimide non-linear optical material which was imidized by about 98%.

【0173】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
4−ヒドロキシフェニル酢酸の含有量は、約30ppm
であった。
As a result of mass spectrometry, the content of 4-hydroxyphenylacetic acid in the obtained polyimide was about 30 ppm.
Met.

【0174】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しながら100℃
で60分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied onto an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode is vapor-deposited on this thin film, and 100 ° C. while applying an electric field of 50 V / μm.
For 60 minutes to produce a sample.

【0175】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=27pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 27 pm / V was obtained.

【0176】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、1800時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
When this sample was heated at 100 ° C. in the air, the initial electro-optic constant was maintained after 1800 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0177】(実施例5)2,2−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)ヘキサフロロプロパン二無水物、
2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフロロプロ
パン、1,3−ビス−(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサンを1:0.9
4:0.06比で配合したポリアミド酸を、溶媒として
のN−メチル−2−ピロリドンに溶解した。得られたポ
リアミド酸の溶液に、低温硬化促進剤としてのp−ヒド
ロキシベンズアルデヒドおよびトリエチルアミンを加え
て混合液を調製した。p−ヒドロキシベンズアルデヒド
およびトリエチルアミンの添加量は、それぞれポリアミ
ド酸組成物10gに対して0.6gおよび0.4gとし
た。さらに、非線形光学物質としてのディスパースレッ
ド1を、混合物に対して20重量%の割合で加えて、本
実施例の非線形光学材料の原料溶液を調製した。
Example 5 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride,
2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis- (3-aminopropyl) -1,
1: 0.9 1,3,3-tetramethyldisiloxane
Polyamic acid blended at a ratio of 4: 0.06 was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone as a solvent. To the obtained polyamic acid solution, p-hydroxybenzaldehyde and triethylamine as low-temperature curing accelerators were added to prepare a mixed solution. The addition amounts of p-hydroxybenzaldehyde and triethylamine were 0.6 g and 0.4 g, respectively, for 10 g of the polyamic acid composition. Further, Disperse Red 1 as a nonlinear optical material was added at a ratio of 20% by weight to the mixture to prepare a raw material solution of the nonlinear optical material of the present example.

【0178】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、100℃で
90分間、ホットプレート上で加熱することにより、ほ
ぼ92%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得ら
れた。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
The coating film was formed by spin coating on the wafer, and heated on a hot plate at 100 ° C. for 90 minutes to obtain a polyimide non-linear optical material imidized by about 92%.

【0179】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
トリエチルアミンの含有量は、約5ppmであった。
As a result of mass spectrometry, the content of triethylamine in the obtained polyimide was about 5 ppm.

【0180】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しながら100℃
で90分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied onto an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode is vapor-deposited on this thin film, and 100 ° C while applying an electric field of 50 V / μm.
For 90 minutes to produce a sample.

【0181】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=33pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 33 pm / V was obtained.

【0182】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、1500時間経過の値も初期の電気光学定数
を維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られ
たことが確認された。
Further, when this sample was heated at 100 ° C. in the atmosphere, the value after 1500 hours maintained the initial electro-optical constant, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0183】(実施例6)非線形光学物質ディスパース
レッド1を化学修飾して得られたジアミン化合物とピロ
メリト酸二無水物とを1:1比で配合したポリアミド酸
を、溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解
した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温硬化促進剤
としてのベンゾイミダゾールを、ポリアミド酸の繰り返
し単位1モル等量に対して2モル等量の割合で添加して
本実施例の非線形光学材料の原料溶液を調製した。
(Example 6) Polyamic acid in which a diamine compound obtained by chemically modifying nonlinear optical material Disperse Red 1 and pyromellitic dianhydride were mixed at a ratio of 1: 1 was mixed with N, N- Dissolved in dimethylacetamide. To the obtained polyamic acid solution, benzimidazole as a low-temperature curing accelerator was added at a ratio of 2 mol equivalent to 1 mol equivalent of the repeating unit of polyamic acid, and the raw material of the nonlinear optical material of this example was added. A solution was prepared.

【0184】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、160℃で
30分間、ホットプレート上で加熱することにより、ほ
ぼ100%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得
られた。ここで得られたポリイミドは、いわゆる側鎖型
非線形光学ポリマーである。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
A coating film was formed by spin coating on the wafer, and heated on a hot plate at 160 ° C. for 30 minutes to obtain a polyimide non-linear optical material almost imidized by 100%. The polyimide obtained here is a so-called side chain type nonlinear optical polymer.

【0185】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
ベンズイミダゾールの含有量は、約13ppmであっ
た。
As a result of mass spectrometry, the content of benzimidazole in the obtained polyimide was about 13 ppm.

【0186】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しつつ160℃で
30分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied on an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode was deposited on this thin film, and heated at 160 ° C. for 30 minutes while applying an electric field of 50 V / μm to prepare a sample.

【0187】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=45pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 45 pm / V was obtained.

【0188】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、5000時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
Further, when this sample was heated at 100 ° C. in the air, the initial electro-optical constant was maintained even after lapse of 5000 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0189】(実施例7)非線形光学物質ディスパース
レッド1を化学修飾して得られたジアミン化合物と塩化
トリメリト酸無水物との反応により得られたカルボン酸
二無水物、およびオキシ−4,4’−ジアニリンを1:
1比で配合したポリアミド酸を、溶媒としてのN,N−
ジメチルアセトアミドに溶解した。得られたポリアミド
酸の溶液に、低温硬化促進剤としてのベンゾイミダゾー
ルを、ポリアミド酸の繰り返し単位1モル等量に対して
2モル等量の割合で添加して本実施例の非線形光学材料
の原料溶液を調製した。
Example 7 A carboxylic dianhydride obtained by reacting a diamine compound obtained by chemically modifying a nonlinear optical material Disperse Red 1 with trimellitic chloride anhydride, and oxy-4,4 ' -Dianiline:
The polyamic acid blended in a ratio of 1 was mixed with N, N-
Dissolved in dimethylacetamide. To the obtained polyamic acid solution, benzimidazole as a low-temperature curing accelerator was added at a ratio of 2 mol equivalent to 1 mol equivalent of the repeating unit of polyamic acid, and the raw material of the nonlinear optical material of this example was added. A solution was prepared.

【0190】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、160℃で
30分間、ホットプレート上で加熱することにより、ほ
ぼ100%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得
られた。ここで得られたポリイミドは、いわゆる側鎖型
非線形光学ポリマーである。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
A coating film was formed by spin coating on the wafer, and heated on a hot plate at 160 ° C. for 30 minutes to obtain a polyimide non-linear optical material almost imidized by 100%. The polyimide obtained here is a so-called side chain type nonlinear optical polymer.

【0191】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
ベンズイミダゾールの含有量は、約10ppmであっ
た。
As a result of mass spectrometry, the content of benzimidazole in the obtained polyimide was about 10 ppm.

【0192】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しつつ160℃で
30分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied on an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode was deposited on this thin film, and heated at 160 ° C. for 30 minutes while applying an electric field of 50 V / μm to prepare a sample.

【0193】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=39pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 39 pm / V was obtained.

【0194】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、5000時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
When this sample was heated at 100 ° C. in the atmosphere, the initial electro-optic constant was maintained even after 5000 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0195】(実施例8)非線形光学物質ディスパース
レッド1を化学修飾して得られたジアミン化合物とピロ
メリト酸二無水物とを1:1比で配合したポリアミド酸
を、溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解
した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温硬化促進剤
としてのN−アセチルグリシンを、ポリアミド酸の繰り
返し単位1モル等量に対して2モル等量の割合で添加し
て本実施例の非線形光学材料の原料溶液を調製した。
(Example 8) A polyamic acid in which a diamine compound obtained by chemically modifying a nonlinear optical material Disperse Red 1 and pyromellitic dianhydride were mixed at a 1: 1 ratio was mixed with N, N- Dissolved in dimethylacetamide. To the obtained polyamic acid solution, N-acetylglycine as a low-temperature curing accelerator was added at a ratio of 2 mol equivalent to 1 mol equivalent of the repeating unit of polyamic acid, and the nonlinear optical material of this example was added. Was prepared.

【0196】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、160℃で
30分間、ホットプレート上で加熱することにより、ほ
ぼ100%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得
られた。ここで得られたポリイミドは、いわゆる側鎖型
非線形光学ポリマーである。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
A coating film was formed by spin coating on the wafer, and heated on a hot plate at 160 ° C. for 30 minutes to obtain a polyimide non-linear optical material almost imidized by 100%. The polyimide obtained here is a so-called side chain type nonlinear optical polymer.

【0197】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
N−アセチルグリシンの含有量は、約28ppmであっ
た。
As a result of mass spectrometry, the content of N-acetylglycine in the obtained polyimide was about 28 ppm.

【0198】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しつつ160℃で
30分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied onto an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode was deposited on this thin film, and heated at 160 ° C. for 30 minutes while applying an electric field of 50 V / μm to prepare a sample.

【0199】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=35pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 35 pm / V was obtained.

【0200】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、3000時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
When this sample was heated at 100 ° C. in the atmosphere, the initial electro-optic constant was maintained after 3000 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0201】(実施例9)非線形光学物質ディスパース
レッド1を化学修飾して得られたジアミン化合物とピロ
メリト酸二無水物とを1:1比で配合したポリアミド酸
を、溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解
した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温硬化促進剤
としての3’,5’−ジヒドロキシアセトフェノンを、
ポリアミド酸の繰り返し単位1モル等量に対して2モル
等量の割合で添加して本実施例の非線形光学材料の原料
溶液を調製した。
Example 9 A polyamic acid prepared by mixing a diamine compound obtained by chemically modifying a nonlinear optical material Disperse Red 1 and pyromellitic dianhydride in a 1: 1 ratio was mixed with N, N- as a solvent. Dissolved in dimethylacetamide. 3 ′, 5′-dihydroxyacetophenone as a low-temperature curing accelerator was added to the obtained polyamic acid solution,
A raw material solution of the nonlinear optical material of this example was prepared by adding 2 mol equivalents to 1 mol equivalent of the repeating unit of polyamic acid.

【0202】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、160℃で
30分間、ホットプレート上で加熱することにより、9
0%以上イミド化したポリイミド非線形光学材料が得ら
れた。ここで得られたポリイミドは、いわゆる側鎖型非
線形光学ポリマーである。
[0202] This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
By spin coating on a wafer to form a coating film and heating on a hot plate at 160 ° C. for 30 minutes, 9
A polyimide nonlinear optical material imidized by 0% or more was obtained. The polyimide obtained here is a so-called side chain type nonlinear optical polymer.

【0203】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
3’,5’−ジヒドロキシアセトフェノンの含有量は、
約33ppmであった。
As a result of mass spectrometry, the content of 3 ′, 5′-dihydroxyacetophenone in the obtained polyimide was
It was about 33 ppm.

【0204】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しつつ160℃で
30分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied onto an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode was deposited on this thin film, and heated at 160 ° C. for 30 minutes while applying an electric field of 50 V / μm to prepare a sample.

【0205】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=33pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 33 pm / V was obtained.

【0206】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、2000時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
Further, when this sample was heated at 100 ° C. in the atmosphere, the initial electro-optical constant was maintained even after lapse of 2000 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0207】(実施例10)非線形光学物質ディスパー
スレッド1を化学修飾して得られたジアミン化合物とピ
ロメリト酸二無水物とを1:1比で配合したポリアミド
酸を、溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンに溶解
した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温硬化促進剤
としての4−ヒドロキシフェニル酢酸を、ポリアミド酸
組成物10gに対して1.2gの割合で添加して本実施
例の非線形光学材料の原料溶液を調製した。
Example 10 A polyamic acid obtained by chemically modifying a non-linear optical substance Disperse Red 1 with a diamine compound and pyromellitic dianhydride in a ratio of 1: 1 was mixed with N-methyl-as a solvent. Dissolved in 2-pyrrolidone. To the obtained polyamic acid solution, 4-hydroxyphenylacetic acid as a low-temperature curing accelerator was added at a ratio of 1.2 g to 10 g of the polyamic acid composition, and the raw material solution of the nonlinear optical material of this example was added. Prepared.

【0208】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、160℃で
30分間、ホットプレート上で加熱することにより、ほ
ぼ100%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得
られた。ここで得られたポリイミドは、いわゆる側鎖型
非線形光学ポリマーである。
This raw material solution was treated with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
A coating film was formed by spin coating on the wafer, and heated on a hot plate at 160 ° C. for 30 minutes to obtain a polyimide non-linear optical material almost imidized by 100%. The polyimide obtained here is a so-called side chain type nonlinear optical polymer.

【0209】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
4−ヒドロキシフェニル酢酸の含有量は、約18ppm
であった。
As a result of mass spectrometry, the content of 4-hydroxyphenylacetic acid in the obtained polyimide was about 18 ppm.
Met.

【0210】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しつつ160℃で
30分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied on an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode was deposited on this thin film, and heated at 160 ° C. for 30 minutes while applying an electric field of 50 V / μm to prepare a sample.

【0211】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=47pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 47 pm / V was obtained.

【0212】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、5000時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
Further, when this sample was heated at 100 ° C. in the atmosphere, the initial electro-optic constant was maintained even after 5000 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0213】(実施例11)非線形光学物質ディスパー
スレッド1を化学修飾して得られたジアミン化合物とピ
ロメリト酸二無水物とを1:1比で配合したポリアミド
酸を、溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに溶
解した。得られたポリアミド酸の溶液に、低温硬化促進
剤としてのp−ヒドロキシベンズアルデヒドおよびトリ
エチルアミンを加えて本実施例の非線形光学材料の原料
溶液を調製した。p−ヒドロキシベンズアルデヒドおよ
びトリエチルアミンの添加量は、それぞれポリアミド酸
組成物10gに対して0.6gおよび0.4gとした。
Example 11 A polyamic acid obtained by chemically modifying a non-linear optical material Disperse Red 1 with a diamine compound and pyromellitic dianhydride in a 1: 1 ratio was mixed with N, N- Dissolved in dimethylacetamide. To the obtained polyamic acid solution, p-hydroxybenzaldehyde and triethylamine as low-temperature curing accelerators were added to prepare a raw material solution of the nonlinear optical material of this example. The addition amounts of p-hydroxybenzaldehyde and triethylamine were 0.6 g and 0.4 g, respectively, for 10 g of the polyamic acid composition.

【0214】この原料溶液をSiO2層を形成したSi
ウェハ上にスピンコートして塗膜を形成し、160℃で
30分間、ホットプレート上で加熱することにより、ほ
ぼ95%イミド化したポリイミド非線形光学材料が得ら
れた。ここで得られたポリイミドは、いわゆる側鎖型非
線形光学ポリマーである。
[0214] This raw material solution was mixed with Si having a SiO 2 layer formed thereon.
A coating film was formed by spin coating on a wafer, and heated on a hot plate at 160 ° C. for 30 minutes to obtain a polyimide non-linear optical material which was almost imidized at 95%. The polyimide obtained here is a so-called side chain type nonlinear optical polymer.

【0215】質量分析の結果、得られたポリイミド中の
トリエチルアミンの含有量は、約5ppmであった。
As a result of mass spectrometry, the content of triethylamine in the obtained polyimide was about 5 ppm.

【0216】次に、前述と同様の原料溶液をスピンコー
ト法によりITO基板上に塗布し、90℃で加熱乾燥し
て膜厚5μmの薄膜を形成した。この薄膜上にAl電極
を蒸着し、50V/μmの電場を印加しつつ160℃で
30分間加熱して、試料を作製した。
Next, the same raw material solution as described above was applied onto an ITO substrate by spin coating, and dried by heating at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm. An Al electrode was deposited on this thin film, and heated at 160 ° C. for 30 minutes while applying an electric field of 50 V / μm to prepare a sample.

【0217】これに、マッハツェンダー干渉光学系を用
いて、波長1300nmにおいて電気光学定数を測定し
た結果、r33=40pm/Vという高い値が得られた。
As a result of measuring the electro-optic constant at a wavelength of 1300 nm using a Mach-Zehnder interference optical system, a high value of r 33 = 40 pm / V was obtained.

【0218】また、この試料を大気中100℃で加熱し
たところ、5000時間経過後も初期の電気光学定数を
維持しており、極めて安定な非線形光学材料が得られた
ことが確認された。
Further, when this sample was heated at 100 ° C. in the atmosphere, the initial electro-optic constant was maintained even after lapse of 5000 hours, and it was confirmed that an extremely stable nonlinear optical material was obtained.

【0219】(実施例12)図1に示すように、SiO
2膜を有するシリコン基板1に、下部電極2としてAl
蒸着膜を形成した後、低屈折率のエポキシ樹脂を膜厚1
0μmに塗布して下部クラッド層3を作製した。この上
に、実施例1と同様のポリイミドからなる非線形光学材
料薄膜(膜厚6μm)のコア層4を形成した後、フォト
リソグラフィとRIEとを用いて、図2に示すようなマ
ッハツェンダー型のチャネル導波路を形成した。さら
に、下部クラッド層3と同様のエポキシ樹脂層を10μ
mの膜厚で形成して、上部クラッド層5とした。上下ク
ラッド層3,5とコア層4との比屈折率差は0.5%と
なるように調整した。マッハツェンダー型チャネル導波
路の一報のアーム上に重なるように、Auからなる幅2
5μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極6を上
部クラッド層5の上にメッキ法により形成した。チャネ
ル導波路4と重なったマイクロストリップ電極6の長さ
は10mmである。
(Example 12) As shown in FIG.
On a silicon substrate 1 having two films, Al
After forming the deposited film, a low refractive index epoxy resin
The lower clad layer 3 was formed by applying a thickness of 0 μm. After forming a core layer 4 of a non-linear optical material thin film (thickness: 6 μm) made of the same polyimide as in Example 1, a Mach-Zehnder type as shown in FIG. 2 is formed by photolithography and RIE. A channel waveguide was formed. Further, an epoxy resin layer similar to the lower
The upper clad layer 5 was formed with a thickness of m. The relative refractive index difference between the upper and lower cladding layers 3 and 5 and the core layer 4 was adjusted to be 0.5%. The width 2 of Au is overlapped on one arm of the Mach-Zehnder type channel waveguide.
A microstrip electrode 6 having a thickness of 5 μm and a thickness of 10 μm was formed on the upper cladding layer 5 by a plating method. The length of the microstrip electrode 6 overlapping the channel waveguide 4 is 10 mm.

【0220】これを、平行平板電極間分極により50V
/μmの電場を印加しつつ、加熱(160℃)処理する
ことにより、コア層のポーリング処理を行った。以上の
工程により、導波路型光変調素子が作製された。
This is adjusted to 50 V by polarization between parallel plate electrodes.
The poling treatment of the core layer was performed by heating (160 ° C.) while applying an electric field of / μm. Through the above steps, a waveguide-type light modulation element was manufactured.

【0221】得られた導波路素子の端面から波長131
0nmのレーザー光を入力して測定したところ、コア層
の電気光学定数は、35pm/Vと従来のものに比べて
十分高く、導波路伝播損失も1dB/cmと十分なもの
であった。また、半波長電圧は5Vであり、同軸ケーブ
ルを用いてマイクロ波を入力したところ、応答の周波数
特性は60GHzまでフラットな光変調特性を示した。
また、温度80℃、相対湿度75%の加速試験環境下に
おいても、光変調特性の劣化は全く観測されなかった。
From the end face of the obtained waveguide device, the wavelength 131
When the measurement was performed by inputting a laser beam of 0 nm, the electro-optic constant of the core layer was 35 pm / V, which was sufficiently higher than that of the conventional one, and the waveguide propagation loss was 1 dB / cm, which was sufficient. The half-wavelength voltage was 5 V, and when microwaves were input using a coaxial cable, the response frequency characteristics showed a flat light modulation characteristic up to 60 GHz.
Further, even in an accelerated test environment at a temperature of 80 ° C. and a relative humidity of 75%, no deterioration of the light modulation characteristics was observed.

【0222】(実施例13)ピロメリト酸二無水物、
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、1,3−ビス
(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシシロキサンを1:0.94:0.06比で配合し
たポリアミド酸を、溶媒としてのN−メチル−2−ピロ
リドンに溶解した。得られたポリアミド酸溶液20g
に、カルボン酸誘導体として4−ヒドロキシ安息香酸2
−N,Nジメチルアミノエチル3g、および感光剤とし
て1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
0.8gを添加し、さらに非線形光学物質としてディス
パースレッド1を20重量%の割合で添加して原料溶液
を調製した。
(Example 13) Pyromellitic dianhydride,
Polyamic acid obtained by blending 4,4′-diaminodiphenyl ether and 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisisiloxane at a ratio of 1: 0.94: 0.06, It was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone as a solvent. 20 g of the obtained polyamic acid solution
4-hydroxybenzoic acid 2 as a carboxylic acid derivative
3 g of -N, N dimethylaminoethyl and 0.8 g of 1,2-naphthoquinonediazidosulfonic acid ester as a photosensitizing agent, and Disperse Red 1 as a non-linear optical substance at a ratio of 20% by weight to prepare a raw material solution Prepared.

【0223】この原料溶液をITO基板上にスピンコー
トし、90℃で加熱して膜厚5μmの薄膜を形成した。
この後、露光機を用いて導波路マスクパターンを介して
紫外線(11mW/cm2、405nm)を30秒間照
射した。これを140℃で30分間熱処理した後、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像したと
ころ、所定の導波路パターンが得られた。
This raw material solution was spin-coated on an ITO substrate and heated at 90 ° C. to form a thin film having a thickness of 5 μm.
Thereafter, ultraviolet rays (11 mW / cm 2 , 405 nm) were irradiated through a waveguide mask pattern for 30 seconds using an exposure machine. This was heat-treated at 140 ° C. for 30 minutes and then developed with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to obtain a predetermined waveguide pattern.

【0224】実施例12と同様にしてチャネル型導波路
を形成し、ポーリング処理を行なった後、電気光学定数
を測定したところ、1310nmにおいて28pm/V
と高い値が得られた。また、温度80℃、相対湿度75
%の加速試験環境下においても、特性の劣化は全く観測
されなかった。
A channel waveguide was formed in the same manner as in Example 12, and after performing a poling treatment, the electro-optic constant was measured. As a result, 28 pm / V at 1310 nm was obtained.
And high values were obtained. The temperature is 80 ° C. and the relative humidity is 75
% Under the accelerated test environment, no deterioration of the characteristics was observed.

【0225】(実施例14)実施例12と同様にして構
成した光変調器に、連続発振のレーザー光源、レーザー
駆動回路、電気信号発生装置、レーザーを光変調器に入
射する手段、光変調器からの出力光を取り出す手段、光
伝播経路、および光検出器を組み合わせて光信号発生装
置を構成した。
(Embodiment 14) A continuous wave laser light source, a laser driving circuit, an electric signal generator, means for injecting a laser into an optical modulator, an optical modulator, An optical signal generation device was constructed by combining the means for extracting the output light from the light source, the light propagation path, and the photodetector.

【0226】レーザーから発せられた連続光は、光変調
器に与えられた電気信号に応じてアナログあるいはデジ
タル変調され、光信号として取り出すことができ、光伝
播経路を用いて、本装置とは遠隔にある場所に光信号を
伝送することができた。
The continuous light emitted from the laser is analog- or digital-modulated in accordance with the electric signal given to the optical modulator, and can be taken out as an optical signal. Optical signal could be transmitted to the location at

【0227】また、同様に構成された光信号発生装置を
複数台組み合わせて光合波回路を用いることによって、
時間多重光信号あるいは波長多重光信号を合成し、伝送
することができた。
Also, by using an optical multiplexing circuit by combining a plurality of similarly configured optical signal generators,
A time multiplexed optical signal or a wavelength multiplexed optical signal was synthesized and transmitted.

【0228】(実施例15)実施例12と同様にして構
成した光変調器に、連続発振のレーザー光源、レーザー
駆動回路、電波受信機構、レーザー光を光変調器に入射
する手段、光変調器からの出力光を取り出す手段、およ
び光検出器を組み合わせて、電波−光信号変換装置を構
成した。
(Embodiment 15) A continuous wave laser light source, a laser driving circuit, a radio wave receiving mechanism, means for injecting laser light into an optical modulator, an optical modulator A radio-to-optical signal converter was constructed by combining the means for extracting the output light from the device and the photodetector.

【0229】レーザーから発せられた連続光は、光変調
器に与えられた電波受信信号に応じてアナログ変調さ
れ、光信号として取り出すことができた。この光信号
は、光伝播経路を用いることによって、電波受信位置と
は遠隔の場所へ伝送することができた。
The continuous light emitted from the laser was analog-modulated according to the radio wave reception signal given to the optical modulator, and could be extracted as an optical signal. This optical signal could be transmitted to a location remote from the radio wave receiving position by using the optical propagation path.

【0230】また、光変調器からの出力光を光検出器に
入力することによって電気信号に変換することも可能で
あり、受信電波に近い周波数の電気信号とミキシングす
ることにより中間周波数を得て、その後、A/Dコンバ
ーターを用いて電気信号としての処理も可能であった。
It is also possible to convert the output light from the optical modulator to an electric signal by inputting it to a photodetector, and obtain an intermediate frequency by mixing with an electric signal having a frequency close to the received radio wave. After that, processing as an electric signal using an A / D converter was also possible.

【0231】[0231]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
高い耐熱性と優れた非線形光学特性をと有する非線形光
学材料およびその製造方法が提供される。また本発明に
よれば、ポリマーを用いた高性能の非線形光学デバイス
が提供される。
As described in detail above, according to the present invention,
A non-linear optical material having high heat resistance and excellent non-linear optical characteristics and a method for manufacturing the same are provided. Further, according to the present invention, a high-performance nonlinear optical device using a polymer is provided.

【0232】本発明により、ポリイミドをベースポリマ
ーとしつつ約200℃以下でイミド化処理を実現するこ
とが可能となる。このように高Tgポリマーを使用する
ことで非線形光学物質の配向緩和を抑制するとともに、
高温プロセスによる非線形光学特性の劣化を防止するこ
とできる。その結果、配向緩和寿命、非線形光学定数と
もに優れた非線形光学デバイスが実現でき、その工業的
価値は絶大である。
According to the present invention, it is possible to realize an imidization treatment at about 200 ° C. or lower while using polyimide as a base polymer. By using the high Tg polymer in this way, while suppressing the orientation relaxation of the nonlinear optical material,
Deterioration of nonlinear optical characteristics due to a high-temperature process can be prevented. As a result, a nonlinear optical device excellent in both the orientation relaxation lifetime and the nonlinear optical constant can be realized, and its industrial value is enormous.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の光導波路構造を有する光変調器の断面
図。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an optical modulator having an optical waveguide structure according to the present invention.

【図2】本発明のマッハツェンダー型光変調器の概略
図。
FIG. 2 is a schematic diagram of a Mach-Zehnder optical modulator according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板 2…下部電極 3…下部クラッド層 4…コア層 5…上部クラッド層 6,6’…上部電極 7,7’…電気信号源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Lower electrode 3 ... Lower clad layer 4 ... Core layer 5 ... Upper clad layer 6, 6 '... Upper electrode 7, 7' ... Electric signal source

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 79/08 C08L 79/08 A G02B 6/12 G02F 1/065 G02F 1/065 G02B 6/12 N Fターム(参考) 2H047 KA04 LA11 NA08 QA05 TA05 TA11 TA41 2H079 AA02 AA12 BA01 DA07 EA05 HA11 4J002 CM041 EJ016 EJ036 EJ066 EN036 EN106 ER007 ES007 EU006 EU026 EU046 EU056 EU116 EU126 EU136 EU146 EU166 EU186 EU216 EU226 EV217 EV236 EV326 EV346 GQ05 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) C08L 79/08 C08L 79/08 A G02B 6/12 G02F 1/065 G02F 1/065 G02B 6/12 NF term (reference) 2H047 KA04 LA11 NA08 QA05 TA05 TA11 TA41 2H079 AA02 AA12 BA01 DA07 EA05 HA11 4J002 CM041 EJ016 EJ036 EJ066 EN036 EN106 ER007 ES007 EU006 EU026 EU046 EU056 EU116 EU126 EU136 EU146 EU166 EU186 EU216 EU226 EV217 EV236

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ポリイミドと、非線形光学物質と、低温
硬化促進剤とを含有する薄膜からなることを特徴とする
非線形光学材料。
1. A nonlinear optical material comprising a thin film containing a polyimide, a nonlinear optical substance, and a low-temperature curing accelerator.
【請求項2】 前記低温硬化促進剤は、(AC1)水溶
液中でのプロトン錯体の酸解離指数pKaが0〜8であ
る置換もしくは非置換の含窒素複素環化合物、(AC
2)置換もしくは非置換のアミノ酸化合物、および(A
C3)分子量が1000以下であり、少なくとも2個以
上のヒドロキシル基を有する芳香族炭化水素化合物また
は芳香族複素環化合物からなる群から選択される少なく
とも1種である請求項1に記載の非線形光学材料。
2. A low-temperature curing accelerator comprising: (AC1) a substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic compound having an acid dissociation exponent pKa of 0 to 8 in an aqueous solution of (AC1);
2) a substituted or unsubstituted amino acid compound, and (A)
The nonlinear optical material according to claim 1, wherein C3) has a molecular weight of 1,000 or less and is at least one selected from the group consisting of an aromatic hydrocarbon compound or an aromatic heterocyclic compound having at least two or more hydroxyl groups. .
【請求項3】 前記低温硬化促進剤は、下記一般式
(1)〜(10)で表される化合物、およびその誘導体
からなる群から選択される少なくとも1種である請求項
1に記載の非線形光学材料。 【化1】 (上記式(2)中、R21は炭素数1〜10のアルキレン
基、エチニレン基、または−CH2CO−である。) 【化2】 (上記式(5)中、X21は−C(=O)−O−または−
C(=O)−NH−、R 22は炭素数1〜4のアルキレン
基、R23およびR24はメチル基またはエチル基であ
る。) 【化3】 (上記式(8)中、R25は直接結合、−O−、−SO2
−、−CH2−、−C(CH32−または−C(CF3
2−である。) 【化4】
3. The low-temperature curing accelerator has the following general formula:
Compounds represented by (1) to (10) and derivatives thereof
At least one member selected from the group consisting of
2. The nonlinear optical material according to 1. Embedded image(In the above formula (2), Rtwenty oneIs alkylene having 1 to 10 carbon atoms
Group, ethynylene group, or -CHTwoCO-. )(In the above formula (5), Xtwenty oneIs -C (= O) -O- or-
C (= O) -NH-, R twenty twoIs alkylene having 1 to 4 carbon atoms
Group, Rtwenty threeAnd Rtwenty fourIs a methyl or ethyl group
You. )(In the above formula (8), Rtwenty fiveIs a direct bond, -O-, -SOTwo
-, -CHTwo-, -C (CHThree)Two-Or -C (CFThree)
Two-. )
【請求項4】 前記低温硬化促進剤は、下記一般式
(1)〜(4)、(6)〜(10)で表される化合物お
よびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1
種と、第三級アミン化合物とを含む請求項1に記載の非
線形光学材料。 【化5】 (上記式(2)中、R21は炭素数1〜10のアルキレン
基、エチニレン基、または−CH2CO−である。) 【化6】 【化7】 (上記式(8)中、R25は直接結合、−O−、−SO2
−、−CH2−、−C(CH32−または−C(CF3
2−である。) 【化8】
4. The low-temperature curing accelerator is at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (1) to (4) and (6) to (10) and derivatives thereof.
The nonlinear optical material according to claim 1, comprising a seed and a tertiary amine compound. Embedded image (In the above formula (2), R 21 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an ethynylene group, or —CH 2 CO—.) Embedded image (In the above formula (8), R 25 is a direct bond, —O—, —SO 2
-, - CH 2 -, - C (CH 3) 2 - or -C (CF 3)
2- . )
【請求項5】 前記低温硬化促進剤の含有量は、1pp
m〜1wt%である請求項1ないし4のいずれか1項に
記載の非線形光学材料。
5. The content of the low-temperature curing accelerator is 1 pp.
The nonlinear optical material according to any one of claims 1 to 4, wherein the content is from m to 1 wt%.
【請求項6】 非線形光学物質を分散または化学的に結
合させたポリアミド酸と低温硬化促進剤とを含有するポ
リイミド前駆体を含む薄膜を形成する工程、および前記
薄膜を60〜300℃の範囲の温度で加熱処理して前記
ポリイミド前駆体を硬化させる工程とを具備する非線形
光学材料の製造方法。
6. A step of forming a thin film containing a polyimide precursor containing a polyamic acid having a non-linear optical material dispersed or chemically bonded and a low-temperature curing accelerator, and forming the thin film in a temperature range of 60 to 300 ° C. Heating the polyimide precursor by heating at a temperature to cure the polyimide precursor.
【請求項7】 前記ポリアミド酸は、下記一般式(P
A)で表される繰り返し単位を有する請求項6に記載の
非線形光学材料の製造方法。 【化9】 (上記一般式中、φは4価の有機基、Ψは2価の有機
基、Rは置換または比置換の炭化水素基、有機ケイ素機
または水素原子である。)
7. The polyamic acid has the following general formula (P
The method for producing a nonlinear optical material according to claim 6, which has a repeating unit represented by A). Embedded image (In the above general formula, φ is a tetravalent organic group, Ψ is a divalent organic group, R is a substituted or specific substituted hydrocarbon group, an organosilicon group, or a hydrogen atom.)
【請求項8】 非線形光学材料からなるチャネル導波
路、前記非線形光学材料に電圧を印加するための手段、
前記非線形光学材料に光を導入するための導入口、およ
び光を導出するための導出口を有する光変調器デバイス
において、 前記非線形光学材料は、請求項1ないし5に記載の非線
形材料であることを特徴とする非線形光学デバイス。
8. A channel waveguide made of a non-linear optical material, means for applying a voltage to said non-linear optical material,
An optical modulator device having an inlet for introducing light into the nonlinear optical material and an outlet for extracting light, wherein the nonlinear optical material is the nonlinear material according to any one of claims 1 to 5. Nonlinear optical device characterized by the above-mentioned.
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