JP2001264562A - Polymer optical waveguide - Google Patents

Polymer optical waveguide

Info

Publication number
JP2001264562A
JP2001264562A JP2000078777A JP2000078777A JP2001264562A JP 2001264562 A JP2001264562 A JP 2001264562A JP 2000078777 A JP2000078777 A JP 2000078777A JP 2000078777 A JP2000078777 A JP 2000078777A JP 2001264562 A JP2001264562 A JP 2001264562A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
layer
polymer
polymer optical
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000078777A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Hayashida
尚一 林田
Takashi Kurihara
栗原  隆
Seiji Toyoda
誠治 豊田
Toshio Watanabe
俊夫 渡辺
Akira Tomaru
暁 都丸
Yujiro Kato
雄二郎 加藤
Toru Maruno
透 丸野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2000078777A priority Critical patent/JP2001264562A/en
Publication of JP2001264562A publication Critical patent/JP2001264562A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymer optical waveguide having high reliability without generating cracks even when it is used for a long time in a general environment accompanied with changes in temperature or changes in humidity. SOLUTION: The optical waveguide has a stress relief layer 12 consisting of a polymer material and a lower clad layer 13 formed on a substrate 11 and has an upper clad layer 15 which covers a core part 14 formed on the lower clad layer 13.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に下部クラ
ッド層、コア部および上部クラッド層を設けて構成さ
れ、高い信頼性を有する高分子光導波路に関し、特に一
般光学や微小光学分野および光通信や光情報処理の分野
で使用される種々の光導波路部品に利用できる高分子光
導波路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a highly reliable polymer optical waveguide formed by providing a lower clad layer, a core portion and an upper clad layer on a substrate, and more particularly to the field of general optics and micro optics and to the field of optical optics. The present invention relates to a polymer optical waveguide that can be used for various optical waveguide components used in the fields of communication and optical information processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】高分子材料はスピンコート法やディップ
法等による薄膜形成が容易であり、大面積の光部品を作
製するのに適している。また、成膜に際して高温での熱
処理工程を含まないことから、石英等の無機ガラス材料
を用いる場合に比べて、半導体基板やプラスチック基板
などの高温での熱処理が困難な基板上に光導波路を作製
できるという利点がある。こうしたことから、光通信の
分野で用いられる光集積回路や光導波路部品を高分子光
学材料で大量・安価に製造できることが期待されてい
る。
2. Description of the Related Art A polymer material is easy to form a thin film by a spin coating method or a dipping method, and is suitable for producing a large-area optical component. In addition, since the film does not include a high-temperature heat treatment step, an optical waveguide is formed on a substrate such as a semiconductor substrate or a plastic substrate, which is difficult to heat-treat at a high temperature, as compared with a case where an inorganic glass material such as quartz is used. There is an advantage that you can. Therefore, it is expected that optical integrated circuits and optical waveguide components used in the field of optical communication can be manufactured in large quantities and at low cost using polymer optical materials.

【0003】従来、高分子光学材料は、耐熱性や耐湿性
のような耐環境性、あるいは可視域から近赤外域にわた
る光通信波長帯における透明性の点で問題があるとされ
てきたが、近年、フッ素化ポリイミド類(例えば、特開
平4−8734号公報参照)やポリシルセスキオキサン
類(例えば、特開平3−43423号公報およびエレク
トロニクス レターズ(Electron.Lett.)、第30巻、
第12号、第958〜959頁(1994)参照)のよ
うに耐熱性と透明性を兼ね備えた高分子材料が開発さ
れ、それらを積層することにより実用的な高分子光導波
路を作製できるようになった。
Conventionally, polymer optical materials have been problematic in terms of environmental resistance such as heat resistance and moisture resistance, or transparency in an optical communication wavelength band from the visible region to the near infrared region. In recent years, fluorinated polyimides (for example, refer to JP-A-4-8734) and polysilsesquioxanes (for example, JP-A-3-43423 and Electronics Letters (Electron. Lett.), Vol. 30,
No. 12, pages 958 to 959 (1994)), a polymer material having both heat resistance and transparency has been developed, and by stacking them, a practical polymer optical waveguide can be manufactured. became.

【0004】図2は、従来一般的に製造されてきたコア
/クラッド構造からなる高分子光導波路の断面図であ
る。図2において、符号1は基板であり、2は下部クラ
ッド層、3はコア部、4は上部クラッド層である。高分
子材料を積層することにより光導波路を作製するには、
以下のような方法が最も一般的である。まず、基板1上
に、スピンコート法やディップ法を用いてクラッド材料
の溶液を塗布して成膜し、低屈折率の高分子層である下
部クラッド層2を形成する。次いで、この下部クラッド
層2上に、スピンコート法やディップ法を用いて、下部
クラッド層2より屈折率の高いコア材料の溶液を塗布し
て成膜し、高屈折率の高分子層であるコア層を形成す
る。続いて、このコア層をフォトリソグラフィおよびエ
ッチング等の微細加工技術により所望のパターンに加工
し、コア部3を形成する。最後に、このコア部3上に、
スピンコート法やディップ法を用いてクラッド材料の溶
液を塗布して成膜し、上部クラッド層4を形成すること
で、図2に示すような高分子光導波路が完成する。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a polymer optical waveguide having a core / cladding structure which has been generally manufactured conventionally. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a substrate, 2 denotes a lower cladding layer, 3 denotes a core portion, and 4 denotes an upper cladding layer. To produce an optical waveguide by laminating polymer materials,
The following methods are the most common. First, a solution of a clad material is applied on the substrate 1 by spin coating or dipping to form a film, thereby forming a lower clad layer 2 which is a polymer layer having a low refractive index. Next, a solution of a core material having a higher refractive index than that of the lower cladding layer 2 is applied on the lower cladding layer 2 by spin coating or dipping to form a high refractive index polymer layer. Form a core layer. Subsequently, this core layer is processed into a desired pattern by a fine processing technique such as photolithography and etching to form a core portion 3. Finally, on this core part 3,
A polymer optical waveguide as shown in FIG. 2 is completed by applying a solution of a clad material by spin coating or dipping to form a film and forming an upper clad layer 4.

【0005】このようにして作製される高分子光導波路
部品としては分岐素子、合分波素子、熱光学スイッチ、
アレイ導波路格子(AWG)、光送受信モジュール、光
終端装置(ONU)等を挙げることができる。
The polymer optical waveguide component manufactured in this manner includes a branch element, a multiplexing / demultiplexing element, a thermo-optic switch,
An arrayed waveguide grating (AWG), an optical transceiver module, an optical termination unit (ONU), and the like can be given.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したように作製さ
れる従来の高分子光導波路部品は、長期的に使用される
と、クラックが発生するという問題がある。
The conventional polymer optical waveguide component manufactured as described above has a problem that cracks occur when used for a long time.

【0007】すなわち、低温〜高温の間の温度サイク
ル、乾燥状態〜湿潤状態の間の湿度のサイクルのような
環境変化の繰り返しによって部品内部に応力の発生と消
失が繰り返され、あるいは部品製造時にすでに存在した
残留応力の解消と再現が繰り返され、長期間のうちに一
種の疲労が起こり、限界を越えた時点で発生するクラッ
クのために素子が破壊するという問題がある。
[0007] That is, stress is repeatedly generated and lost inside the component due to repetitive environmental changes such as a temperature cycle between a low temperature and a high temperature, and a cycle of humidity between a dry state and a wet state. The elimination and reproduction of the existing residual stress are repeated, causing a kind of fatigue in a long period of time, and there is a problem that the element is destroyed due to a crack generated when the limit is exceeded.

【0008】この問題は、発生する応力を小さくするこ
とによりある程度解決可能である。例えば、発生する応
力は高分子層の膜厚とともに大きくなるので、光導波路
全体の膜厚を小さくすることが解決方法の1つとして考
えられる。
This problem can be solved to some extent by reducing the generated stress. For example, since the generated stress increases with the thickness of the polymer layer, reducing the thickness of the entire optical waveguide is considered as one of the solutions.

【0009】しかしながら、通常の光導波路を作製する
際には、ある程度以上の膜厚を有する薄膜を形成するこ
とが必要である。例えば、コア部3の断面が8μm角の
正方形であるシングルモード光導波路をシリコン基板1
上に形成する場合、コア部3からシリコン基板1への光
の漏れを抑えるには、下部クラッド層2として15μm
程度以上の膜厚が必要となる。また、上部クラッド層4
についても表面の塵や汚れ、外部からの応力等の影響が
コア部3を導波する光に及ばないようにするためには、
上部クラッド層4としてコア部3の上面から8μm程度
以上の膜厚が必要となる。このため、薄膜化のみでクラ
ック発生の問題を解決するには限界がある。
However, when fabricating an ordinary optical waveguide, it is necessary to form a thin film having a certain thickness or more. For example, a single mode optical waveguide in which the cross section of the core part 3 is a square of 8 μm square is
In the case where the lower cladding layer 2 is formed on the lower cladding layer 2 to prevent light from leaking from the core portion 3 to the silicon substrate 1,
It is necessary to have a film thickness not less than about. The upper cladding layer 4
In order to prevent the influence of dust and dirt on the surface and the stress from the outside from affecting the light guided through the core part 3,
The upper cladding layer 4 needs to have a thickness of about 8 μm or more from the upper surface of the core portion 3. For this reason, there is a limit to solving the problem of crack generation only by thinning.

【0010】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、温度変化や湿度変化を伴う一
般的な環境下で長期間使用してもクラックが発生せず、
高い信頼性を有する高分子光導波路を提供することにあ
る。
[0010] The present invention has been made in view of the above,
Its purpose is that it does not crack even if used for a long time in a general environment with temperature change and humidity change,
An object of the present invention is to provide a polymer optical waveguide having high reliability.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の本発明は、基板上に下部クラッド
層、コア部および上部クラッド層を設けて構成される高
分子光導波路であって、前記基板と下部クラッド層との
間に応力緩和層を設けたことを要旨とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a polymer optical waveguide having a lower clad layer, a core portion and an upper clad layer provided on a substrate. Thus, the gist is that a stress relaxation layer is provided between the substrate and the lower cladding layer.

【0012】請求項1記載の本発明にあっては、基板上
に直接下部クラッド層を設ける従来の高分子光導波路と
異なり、基板と下部クラッド層との間に応力緩和層が設
けられているため、温度や湿度の変動を伴う環境下に長
期間使用されても、性能劣化が著しく少なく、またクラ
ックが発生することもない。
According to the first aspect of the present invention, unlike a conventional polymer optical waveguide in which a lower clad layer is directly provided on a substrate, a stress relaxation layer is provided between the substrate and the lower clad layer. Therefore, even if used for a long period of time in an environment with fluctuations in temperature and humidity, the performance is not significantly deteriorated and cracks do not occur.

【0013】また、請求項2記載の本発明は、請求項1
記載の発明において、前記応力緩和層が、ゴム弾性を示
す高分子材料で構成されることを要旨とする。
[0013] The present invention described in claim 2 provides the present invention in claim 1.
In the invention described above, the gist is that the stress relaxation layer is made of a polymer material having rubber elasticity.

【0014】請求項2記載の本発明にあっては、応力緩
和層はゴム弾性を示す高分子材料で構成されるため、高
分子材料のゴム弾性で温度や湿度の変動で発生する応力
を吸収し、これによりクラックの発生を回避することが
でき、信頼性の高い高分子光導波路を作製することがで
きる。
According to the second aspect of the present invention, since the stress relaxation layer is made of a polymer material having rubber elasticity, the stress generated by fluctuations in temperature and humidity is absorbed by the rubber elasticity of the polymer material. However, this makes it possible to avoid the occurrence of cracks and to manufacture a highly reliable polymer optical waveguide.

【0015】更に、請求項3記載の本発明は、請求項1
記載の発明において、前記下部クラッド層、コア部およ
び上部クラッド層が、それぞれポリイミド、シリコンま
たはエポキシ樹脂で構成されることを要旨とする。
Further, the present invention described in claim 3 provides the invention according to claim 1.
In the invention described above, the gist is that the lower clad layer, the core portion, and the upper clad layer are each made of polyimide, silicon, or epoxy resin.

【0016】請求項3記載の本発明にあっては、下部ク
ラッド層、コア部および上部クラッド層が、それぞれポ
リイミド、シリコンまたはエポキシ樹脂で構成される。
According to the present invention, the lower cladding layer, the core portion and the upper cladding layer are each made of polyimide, silicon or epoxy resin.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る
高分子光導波路の構造構成を模式的に示す断面図であ
る。同図に示す高分子光導波路は、基板11上に高分子
材料からなる応力緩和層12および下部クラッド層13
を形成し、その上に形成されたコア部14を覆う上部ク
ラッド層15から構成されている。すなわち、本実施形
態の高分子光導波路は、図2に示したように基板上に直
接下部クラッド層が形成されている従来の高分子光導波
路と異なり、基板11と下部クラッド層13との間に応
力緩和層12を形成しているものである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a polymer optical waveguide according to an embodiment of the present invention. The polymer optical waveguide shown in FIG. 1 includes a stress relaxation layer 12 made of a polymer material and a lower
And an upper clad layer 15 covering the core portion 14 formed thereon. That is, the polymer optical waveguide of the present embodiment differs from the conventional polymer optical waveguide in which the lower cladding layer is formed directly on the substrate as shown in FIG. In which a stress relaxation layer 12 is formed.

【0018】応力緩和層12を上に形成するための基板
11としては、平滑な表面を有するものであれば特に限
定されないが、例えば、シリコンウェハ、石英ガラス、
多成分ガラス、セラミックス、金属板、鉱物、これらの
材質を組合せたもの等を用いることができる。
The substrate 11 on which the stress relaxation layer 12 is formed is not particularly limited as long as it has a smooth surface. For example, a silicon wafer, quartz glass,
Multicomponent glass, ceramics, metal plates, minerals, combinations of these materials, and the like can be used.

【0019】これらの上に形成する応力緩和層12とし
ては、素子の使用温度範囲においてゴム弾性を示す高分
子であって、スピンコーティング、ディッピング、スプ
レー等の方法により平滑に成膜できるものであれば特に
限定されないが、例えば、スチレン−ブタジエン、スチ
レン−イソブチレン等のブロックコポリマー、それらの
水素添加物、スチレン−ブタジエン−スチレン、スチレ
ン−イソプレン−スチレン等のABA型ブロックコポリ
マー、それらの水素添加物等のスチレン系熱可塑性エラ
ストマー、ポリプロピレン−エチレンプロピレンゴムか
らなるオレフィン系熱可塑性エラストマー、結晶性ポリ
塩化ビニル−非晶性ポリ塩化ビニルからなる塩ビ系熱可
塑性エラストマー、その他、エステル系、ウレタン系、
アミド系、イミド系の熱可塑性エラストマー等、および
それらをさらにグラフト重合により改質したもの、熱硬
化型のシリコンゴムやシリコンエラストマー、室温硬化
型のシリコンゴムやシリコンエラストマー等を用いるこ
とができる。
The stress relaxation layer 12 formed thereon is a polymer that exhibits rubber elasticity in the operating temperature range of the device and can be formed into a smooth film by a method such as spin coating, dipping, or spraying. Although not particularly limited, for example, block copolymers such as styrene-butadiene and styrene-isobutylene, hydrogenated products thereof, ABA-type block copolymers such as styrene-butadiene-styrene and styrene-isoprene-styrene, hydrogenated products thereof and the like Styrene-based thermoplastic elastomer, olefin-based thermoplastic elastomer composed of polypropylene-ethylene propylene rubber, PVC-based thermoplastic elastomer composed of crystalline polyvinyl chloride-amorphous polyvinyl chloride, other, ester-based, urethane-based,
An amide-based or imide-based thermoplastic elastomer or the like, and those further modified by graft polymerization, thermosetting silicone rubber or silicone elastomer, room temperature curing silicone rubber or silicone elastomer, etc. can be used.

【0020】応力緩和層12は、例えば、これらの材
料、あるいは前駆体を含む溶液あるいは原液を基板11
上にスピンコートしたのち加熱乾燥したり、あるいは該
溶液中に基板11を浸漬したのち加熱乾燥するなどの方
法により形成することができる。材料によっては加熱を
要しない場合もある。すなわち、本発明において応力緩
和層の形成方法は限定されない。
The stress relaxation layer 12 is formed, for example, by applying a solution or a stock solution containing these materials or precursors to the substrate 11.
It can be formed by a method such as spin-coating and then heating and drying, or immersing the substrate 11 in the solution and then heating and drying. Heating may not be required depending on the material. That is, the method of forming the stress relaxation layer in the present invention is not limited.

【0021】これらの上に形成する下部クラッド層13
用の高分子材料としては、次に述べるコア部14に用い
ようとする高分子材料に比較して低屈折率であれば特に
限定されないが、芳香族二塩基酸の無水物、それらの部
分フッ素化物あるいは全フッ素化物等の酸無水物類と、
芳香族ジアミン類、それらの部分フッ素化物あるいは全
フッ素化物を適当な配合比で反応させて得られるポリイ
ミド中間体、フッ素化ポリイミド中間体、あるいはフェ
ニルトリクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、メ
チルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、それ
らの重水素化体、それらに対応するアルコキシド、それ
らを種々の割合で混合したもの等を出発原料として得ら
れるシロキサン系オリゴマーや高分子量体、光硬化性樹
脂などを用いることができる。
The lower cladding layer 13 formed on these
The polymer material for use is not particularly limited as long as it has a lower refractive index than the polymer material to be used for the core portion 14 described below, but anhydrides of aromatic dibasic acids and their partial fluorines Acid anhydrides such as chlorides or perfluorides;
Aromatic diamines, polyimide intermediates, fluorinated polyimide intermediates obtained by reacting partially fluorinated or fully fluorinated compounds thereof at an appropriate mixing ratio, or phenyltrichlorosilane, diphenyldichlorosilane, methyltrichlorosilane, dimethyldiamine Siloxane-based oligomers, high-molecular-weight substances, photocurable resins, and the like, which can be obtained by using chlorosilanes, their deuterated products, their corresponding alkoxides, and mixtures thereof in various ratios as starting materials, can be used.

【0022】応力緩和層12上の下部クラッド層13
は、例えば、上記下部クラッド層13用高分子材料を含
む溶液を基板上にスピンコートしたのち加熱乾燥した
り、該溶液中に基板を浸漬したのち加熱乾燥したり、塗
布したのちに紫外線照射するなどの方法により形成でき
る。応力緩和層12としてシリコン系材料を使用した場
合には、応力緩和層12と下部クラッド層13の密着性
を向上させるために、応力緩和層12の表面にコロナ放
電処理、プラズマ処理、シランカップリング剤を用いた
表面処理等を行えばよい。すなわち、本発明において下
部クラッド層13の形成方法は限定されるものではな
い。応力緩和層12上に形成される下部クラッド層13
は、単一組成でも複数の高分子材料の混合でもよい。
Lower cladding layer 13 on stress relaxation layer 12
For example, the solution containing the polymer material for the lower cladding layer 13 is spin-coated on a substrate and then dried by heating, or the substrate is immersed in the solution, dried by heating, or applied, and then irradiated with ultraviolet rays. Such a method can be used. When a silicon-based material is used as the stress relaxation layer 12, the surface of the stress relaxation layer 12 is subjected to corona discharge treatment, plasma treatment, silane coupling, in order to improve the adhesion between the stress relaxation layer 12 and the lower cladding layer 13. A surface treatment using an agent may be performed. That is, the method of forming the lower cladding layer 13 in the present invention is not limited. Lower cladding layer 13 formed on stress relaxation layer 12
May be a single composition or a mixture of a plurality of polymer materials.

【0023】上述の方法により形成された下部クラッド
層13上にコア層が形成される。コア層を形成するのに
必要な高分子材料としては、上に述べた下部クラッド層
13よりも大きい屈折率を持つものであれば特に限定さ
れないが、例えば、下部クラッド層に用いたフッ素化ポ
リイミド類よりも低フッ素含量のフッ素化ポリイミド
類、下部クラッド層13に用いたシロキサン系材料より
も低フェニル高メチル含量のシロキサン系材料などを用
いることができる。コア層の組成は、単一でも複数の材
料の混合でもよい。
A core layer is formed on lower clad layer 13 formed by the above method. The polymer material necessary for forming the core layer is not particularly limited as long as it has a higher refractive index than the lower cladding layer 13 described above. For example, the fluorinated polyimide used for the lower cladding layer is used. For example, fluorinated polyimides having a lower fluorine content than those of the lower cladding layer, and siloxane-based materials having a lower phenyl and higher methyl content than the siloxane-based material used for the lower cladding layer 13 can be used. The composition of the core layer may be a single material or a mixture of a plurality of materials.

【0024】コア層の形成は、下部クラッド層13の場
合と同様にスピンコートや溶液中への浸漬に次いで、加
熱乾燥や紫外線照射などの方法により行うことができ
る。形成されたコア層は従来のフォトリソグラフィ技術
を用いて所望のコア形状に加工され、コア部14が形成
される。光硬化型樹脂を用いた場合には、パターンマス
クの使用により直接パターン化が可能である。
The formation of the core layer can be carried out by spin coating or immersion in a solution, followed by drying by heating or irradiation with ultraviolet rays, as in the case of the lower cladding layer 13. The formed core layer is processed into a desired core shape using a conventional photolithography technique, and the core portion 14 is formed. When a photocurable resin is used, direct patterning is possible by using a pattern mask.

【0025】これらの上に形成する上部クラッド層15
用の高分子材料としては、上述のコア部14に用いた高
分子材料に比較して低屈折率であれば特に限定されない
が、下部クラッド層13と同じものを使うことが望まし
い。上部クラッド層15は、例えば、上部クラッド層用
高分子材料を含む溶液をスピンコートしたのち乾燥した
り、あるいは、該溶液中に基板を浸漬したのち乾燥した
り、塗布したのちに紫外線照射するなど、下部クラッド
層13やコア層を形成したときと同様の方法で形成する
ことができる。すなわち、本発明において上部クラッド
層15の形成方法は限定されない。形成される上部クラ
ッド層15は、単一組成でも複数の材料の混合でもよ
い。
The upper cladding layer 15 formed on these
The polymer material for use is not particularly limited as long as it has a lower refractive index than the polymer material used for the above-described core portion 14, but it is preferable to use the same material as the lower cladding layer 13. The upper cladding layer 15 is, for example, spin-coated with a solution containing a polymer material for the upper cladding layer and then dried, or is immersed in the solution and dried, or is coated and irradiated with ultraviolet light. And the lower clad layer 13 and the core layer. That is, the method for forming the upper cladding layer 15 is not limited in the present invention. The formed upper cladding layer 15 may be a single composition or a mixture of a plurality of materials.

【0026】以下、本発明を実施例により更に具体的に
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0027】実施例1 応力緩和層12としてポリイミド系材料、クラッド材、
コア材としてシリコン系材料を用いた高分子光導波路を
製造した。まず、応力緩和層材料として日立化成工業製
のポリイミドペーストSN−9000をγ−ブチロラク
トンに溶解し、所定量の硬化剤を添加した(溶液A)。
次に、クラッド材溶液として、重水素化フェニルトリエ
トキシシランと重水素化メチルトリエトキシシランをモ
ル比で50:50となるようにエタノールに溶解し、酸
触媒による重縮合を行ったのちに溶媒をメチルイソブチ
ルケトンに変換した溶液を調製した(溶液B)。同様に
して、重水素化フェニルトリエトキシシランと重水素化
メチルトリエトキシシランをモル比で55:45となる
ように混合した原料からコア材溶液を調製した(溶液
C)。
Example 1 A polyimide material, a clad material,
A polymer optical waveguide using a silicon-based material as a core material was manufactured. First, a polyimide paste SN-9000 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. was dissolved in γ-butyrolactone as a stress relaxation layer material, and a predetermined amount of a curing agent was added (solution A).
Next, as a cladding material solution, deuterated phenyltriethoxysilane and deuterated methyltriethoxysilane were dissolved in ethanol in a molar ratio of 50:50, and polycondensation was performed using an acid catalyst. Was converted to methyl isobutyl ketone to prepare a solution (solution B). Similarly, a core material solution was prepared from a raw material in which deuterated phenyltriethoxysilane and deuterated methyltriethoxysilane were mixed at a molar ratio of 55:45 (solution C).

【0028】シリコン基板上に硬化後の膜厚が3μmと
なるように応力緩和層材料の溶液Aをスピンコートし、
室温に24時間保持して硬化させた。次いで、その上に
クラッド材溶液Bを硬化後の膜厚が15μmとなるよう
にスピンコートし、250℃で1時間加熱して硬化させ
た。この上にコア材溶液Cを塗布して同様の条件で成膜
し、8μm厚のコア材層を形成したのち、フォトリソグ
ラフィ技術を用いた通常の微細加工によりコア部分を長
さ50mm、幅8μm、高さ8μmの直線矩形パターン
に加工した。この上にさきほどと同じクラッド材溶液B
を塗布し同様の条件で加熱硬化させた。
A solution A of a stress relaxation layer material is spin-coated on a silicon substrate so that the film thickness after curing becomes 3 μm,
It was kept at room temperature for 24 hours to cure. Next, the clad material solution B was spin-coated thereon so that the film thickness after curing became 15 μm, and cured by heating at 250 ° C. for 1 hour. A core material solution C is applied thereon, and a film is formed under the same conditions to form a core material layer having a thickness of 8 μm. After that, the core portion is formed into a length of 50 mm and a width of 8 μm by ordinary fine processing using photolithography technology. And a straight rectangular pattern having a height of 8 μm. On this, the same clad material solution B as before
Was applied and cured by heating under the same conditions.

【0029】このようにして得られた高分子光導波路の
一端から波長1550nmの光を入射させ、他端から出
てくる光量を測定することにより導波路の損失を測定し
たところ、導波損失は約0.3dB/cmであった。こ
の高分子光導波路を85℃85%RHの恒温恒湿槽に1
000時間保持しても、クラックの発生や導波損失の増
加は認められなかった。また、−40℃と75℃の間の
温度サイクルを300回繰り返した場合も同様であっ
た。
When a light having a wavelength of 1550 nm was made incident from one end of the polymer optical waveguide obtained as described above and the amount of light emitted from the other end was measured, the loss of the waveguide was measured. It was about 0.3 dB / cm. This polymer optical waveguide is placed in a thermo-hygrostat at 85 ° C. and 85% RH.
Even after holding for 000 hours, no crack generation or increase in waveguide loss was observed. The same applies when the temperature cycle between −40 ° C. and 75 ° C. is repeated 300 times.

【0030】比較例1 実施例1における応力緩和層の形成を省略した高分子光
導波路を製造し、85℃85%RHの恒温恒湿試験を行
ったところ、100時間以内にクラックの発生が認めら
れた。また、−40℃と75℃の間の温度サイクル試験
においては10サイクル以内にクラックが発生した。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 A polymer optical waveguide in which the stress relaxation layer was not formed in Example 1 was manufactured and subjected to a constant-temperature and constant-humidity test at 85 ° C. and 85% RH. Was done. In the temperature cycle test between −40 ° C. and 75 ° C., cracks occurred within 10 cycles.

【0031】実施例2 応力緩和層、クラッド材、コア材としてポリイミド系材
料を用いた高分子光導波路を製造した。まず、応力緩和
層材料として日立化成工業製のポリイミドペーストSN
−9000をγ−ブチロラクトンに溶解し、所定量の硬
化剤を添加した(溶液D)。次に、クラッド材溶液とし
て、2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン酸二無水物と2,2’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニ
ルの等量混合物を固形分濃度が15wt%となるように
N,N−ジメチルアセトアミドに溶解した溶液を調製し
た(溶液E)。また、コア材溶液として、ピロメリット
酸二無水物と2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン酸二無水物と2,2’
−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビ
フェニルがモル比で3:7:10、かつ、固形分濃度が
15wt%となるようにN,N−ジメチルアセトアミド
に溶解した溶液を調製した(溶液F)。
Example 2 A polymer optical waveguide using a polyimide-based material as a stress relaxation layer, a cladding material, and a core material was manufactured. First, polyimide paste SN manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. was used as a stress relaxation layer material.
-9000 was dissolved in γ-butyrolactone, and a predetermined amount of a curing agent was added (solution D). Next, as a cladding material solution, 2,2′-bis (3,4-dicarboxyphenyl)
Equivalent mixture of hexafluoropropanoic acid dianhydride and 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl is dissolved in N, N-dimethylacetamide so as to have a solid concentration of 15% by weight. A solution was prepared (solution E). Further, as the core material solution, pyromellitic dianhydride, 2,2′-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropanoic dianhydride and 2,2 ′
A solution was prepared by dissolving -bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl in N, N-dimethylacetamide at a molar ratio of 3: 7: 10 and a solid concentration of 15 wt%. (Solution F).

【0032】シリコン基板上に硬化後の膜厚が3μmと
なるように応力緩和層材料の溶液Dをスピンコートし、
150℃で1時間加熱して硬化させた。次いで、その上
にクラッド材溶液Eを硬化後の膜厚が15μmとなるよ
うにスピンコートし、350℃で1時間加熱して硬化さ
せた。この上にコア材溶液Fを用いて同様の条件で成膜
し、8μm厚のコア材層を形成したのち、フォトリソグ
ラフィ技術を用いた通常の微細加工によりコア部分を長
さ50mm、幅8μm、高さ8μmの直線矩形パターン
に加工した。この上にさきほどと同じクラッド材溶液E
を塗布し同様の条件で加熱硬化させた。
A solution D of a stress relaxation layer material is spin-coated on a silicon substrate so that the film thickness after curing becomes 3 μm.
It was cured by heating at 150 ° C. for 1 hour. Next, the clad material solution E was spin-coated thereon so that the film thickness after curing became 15 μm, and was cured by heating at 350 ° C. for 1 hour. A film was formed on this under the same conditions using the core material solution F, and after forming a core material layer having a thickness of 8 μm, the core portion was formed into a 50 mm long, 8 μm wide, by ordinary fine processing using photolithography technology. It was processed into a linear rectangular pattern having a height of 8 μm. On this, the same clad material solution E as before
Was applied and cured by heating under the same conditions.

【0033】このようにして得られた高分子光導波路の
一端から波長1550nmの光を入射させ、他端から出
てくる光量を測定することにより導波路の損失を測定し
たところ、導波損失は約0.3dB/cmであった。こ
の高分子光導波路を85℃85%RHの恒温恒湿槽に1
000時間保持しても、クラックの発生や導波損失の増
加は認められなかった。また、−40℃と75℃の間の
温度サイクルを300回繰り返した場合も同様であっ
た。
When a light having a wavelength of 1550 nm was made incident from one end of the thus obtained polymer optical waveguide and the amount of light emitted from the other end was measured, the loss of the waveguide was measured. It was about 0.3 dB / cm. This polymer optical waveguide is placed in a thermo-hygrostat at 85 ° C. and 85% RH.
Even after holding for 000 hours, no crack generation or increase in waveguide loss was observed. The same applies when the temperature cycle between −40 ° C. and 75 ° C. is repeated 300 times.

【0034】比較例2 実施例2における応力緩和層の形成を省略した高分子光
導波路を製造し、85℃85%RHの恒温恒湿試験を行
ったところ、100時間以内にクラックの発生が認めら
れた。また、−40℃と75℃の間の温度サイクル試験
においては10サイクル以内にクラックが発生した。
Comparative Example 2 A polymer optical waveguide in which the stress relaxation layer was not formed in Example 2 was manufactured and subjected to a constant temperature and constant humidity test at 85 ° C. and 85% RH. As a result, cracks were observed within 100 hours. Was done. In the temperature cycle test between −40 ° C. and 75 ° C., cracks occurred within 10 cycles.

【0035】実施例3 応力緩和層、クラッド材、コア材としてシリコン系材料
を用いた高分子光導波路を製造した。まず、応力緩和層
材料として信越化学工業製の室温硬化型シリコン材料シ
ルポット184をジグライムに溶解し、所定量の硬化剤
を添加した(溶液G)。次に、クラッド材溶液として、
フェニルトリエトキシシランとメチルトリエトキシシラ
ンをモル比で60:40となるようにエタノールに溶解
し、酸触媒による重縮合を行ったのちに溶媒をメチルイ
ソブチルケトンに変換した溶液を調製した(溶液H)。
同様にして、フェニルトリエトキシシランとメチルトリ
エトキシシランをモル比で65:35となるように混合
した原料からコア材溶液を調製した(溶液I)。
Example 3 A polymer optical waveguide using a silicon-based material as a stress relaxation layer, a cladding material, and a core material was manufactured. First, a room temperature-curable silicon material Silpot 184 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. as a stress relaxation layer material was dissolved in diglyme, and a predetermined amount of a curing agent was added (solution G). Next, as a clad material solution,
Phenyltriethoxysilane and methyltriethoxysilane were dissolved in ethanol at a molar ratio of 60:40 to carry out polycondensation using an acid catalyst, and then a solution was prepared in which the solvent was converted to methyl isobutyl ketone (solution H). ).
Similarly, a core material solution was prepared from a raw material in which phenyltriethoxysilane and methyltriethoxysilane were mixed at a molar ratio of 65:35 (solution I).

【0036】シリコン基板上に硬化後の膜厚が3μmと
なるように応力緩和層材料の溶液Gをスピンコートし、
室温に24時間保持して硬化させた。次いで、応力緩和
層の表面をコロナ放電処理し、その上にクラッド材溶液
Hを硬化後の膜厚が15μmとなるようにスピンコート
し、250℃で1時間加熱して硬化させた。この上にコ
ア材溶液Iを塗布して同様の条件で成膜し、8μm厚の
コア材層を形成したのち、フォトリソグラフィ技術を用
いた通常の微細加工によりコア部分を長さ50mm、幅
8μm、高さ8μmの直線矩形パターンに加工した。こ
の上にさきほどと同じクラッド材溶液Hを塗布し同様の
条件で加熱硬化させた。
A solution G of a stress relaxation layer material is spin-coated on a silicon substrate so that the film thickness after curing becomes 3 μm.
It was kept at room temperature for 24 hours to cure. Next, the surface of the stress relaxation layer was subjected to a corona discharge treatment, and a clad material solution H was spin-coated thereon so as to have a cured film thickness of 15 μm, and was cured by heating at 250 ° C. for 1 hour. A core material solution I was applied thereon, and a film was formed under the same conditions to form a core material layer having a thickness of 8 μm. After that, the core portion was formed into a 50 μm long and 8 μm wide by ordinary fine processing using photolithography technology. And a straight rectangular pattern having a height of 8 μm. The same clad material solution H as above was applied on top of it and cured by heating under the same conditions.

【0037】このようにして得られた高分子光導波路の
一端から波長1550nmの光を入射させ、他端から出
てくる光量を測定することにより導波路の損失を測定し
たところ、導波損失は約0.5dB/cmであった。こ
の高分子光導波路を85℃85%RHの恒温恒湿槽に1
000時間保持しても、クラックの発生や導波損失の増
加は認められなかった。また、−40℃と75℃の間の
温度サイクルを300回繰り返した場合も同様であっ
た。
When a light having a wavelength of 1550 nm was made incident from one end of the polymer optical waveguide thus obtained, and the amount of light emitted from the other end was measured, the loss of the waveguide was measured. It was about 0.5 dB / cm. This polymer optical waveguide is placed in a thermo-hygrostat at 85 ° C. and 85% RH.
Even after holding for 000 hours, no crack generation or increase in waveguide loss was observed. The same applies when the temperature cycle between −40 ° C. and 75 ° C. is repeated 300 times.

【0038】比較例3 実施例3における応力緩和層の形成を省略した高分子光
導波路を製造し、85℃85%RHの恒温恒湿試験を行
ったところ、100時間以内にクラックの発生が認めら
れた。また、−40℃と75℃の間の温度サイクル試験
においては10サイクル以内にクラックが発生した。
Comparative Example 3 A polymer optical waveguide in which the stress relaxation layer was not formed in Example 3 was manufactured and subjected to a constant temperature and constant humidity test of 85 ° C. and 85% RH. As a result, cracks were observed within 100 hours. Was done. In the temperature cycle test between −40 ° C. and 75 ° C., cracks occurred within 10 cycles.

【0039】実施例4 応力緩和層としてシリコン系材料、クラッド材、コア材
としてエポキシ系材料を用いた高分子光導波路を製造し
た。まず、応力緩和層材料として東レダウコーニングシ
リコン製のシリコン材料SE1821の2液を所定の比
率で混合した(材料J)。次に、クラッド材溶液とし
て、光硬化後の屈折率が波長850nmで1.52とな
るUV硬化樹脂(材料K)と、同じく1.54となるU
V硬化樹脂(材料L)を準備した。
Example 4 A polymer optical waveguide was manufactured using a silicon-based material as a stress relaxation layer, a clad material, and an epoxy-based material as a core material. First, two liquids of a silicon material SE1821 made by Toray Dow Corning Silicon as a stress relaxation layer material were mixed at a predetermined ratio (material J). Next, as a clad material solution, a UV curable resin (material K) having a refractive index after photo-curing of 1.52 at a wavelength of 850 nm and U having a refractive index of 1.54 at the same wavelength
A V-cured resin (material L) was prepared.

【0040】シリコン基板上に硬化後の膜厚が3μmと
なるように応力緩和層材料Jをスピンコートし、100
℃で1時間加熱して硬化させた。次いで、応力緩和層の
表面をコロナ放電処理し、その上にクラッド材Kを硬化
後の膜厚が15μmとなるようにスピンコートし、全面
に紫外線照射して硬化させた。この上にコア材Lを塗布
し、スペーサを介して設置したパターンマスクを通して
紫外線を照射したのち、ジグライム溶媒を用いて現像す
ることにより、長さ50mm、幅8μm、高さ8μmの
直線矩形のコア部を作製した。この上にさきほどと同じ
クラッド材Kを塗布し同様の条件で硬化させた。
A stress relaxation layer material J is spin-coated on a silicon substrate so as to have a thickness of 3 μm after curing.
Cured by heating at ℃ for 1 hour. Next, the surface of the stress relaxation layer was subjected to a corona discharge treatment, and a clad material K was spin-coated thereon so as to have a cured film thickness of 15 μm, and was cured by irradiating the entire surface with ultraviolet rays. A core material L is coated thereon, irradiated with ultraviolet light through a pattern mask provided via a spacer, and then developed using a diglyme solvent to form a linear rectangular core having a length of 50 mm, a width of 8 μm, and a height of 8 μm. Part was produced. The same clad material K as above was applied thereon and cured under the same conditions.

【0041】このようにして得られた高分子光導波路の
一端から波長850nmの光を入射させ、他端から出て
くる光量を測定することにより導波路の損失を測定した
ところ、導波損失は約0.5dB/cmであった。この
高分子光導波路を85℃85%RHの恒温恒湿槽に10
00時間保持しても、クラックの発生や導波損失の増加
は認められなかった。また、−40℃と75℃の間の温
度サイクルを300回繰り返した場合も同様であった。
When a light having a wavelength of 850 nm was made incident from one end of the polymer optical waveguide thus obtained and the amount of light emitted from the other end was measured, the loss of the waveguide was measured. It was about 0.5 dB / cm. This polymer optical waveguide is placed in a thermo-hygrostat at 85 ° C. and 85% RH for 10 minutes.
Even after holding for 00 hours, no crack generation or increase in waveguide loss was observed. The same applies when the temperature cycle between −40 ° C. and 75 ° C. is repeated 300 times.

【0042】比較例4 実施例4における応力緩和層の形成を省略した高分子光
導波路を製造し、85℃85%RHの恒温恒湿試験を行
ったところ、100時間以内にクラックの発生が認めら
れた。また、−40℃と75℃の間の温度サイクル試験
においては10サイクル以内にクラックが発生した。
Comparative Example 4 A polymer optical waveguide in which the formation of the stress relaxation layer in Example 4 was omitted was manufactured and subjected to a constant temperature and humidity test at 85 ° C. and 85% RH. As a result, cracks were observed within 100 hours. Was done. In the temperature cycle test between −40 ° C. and 75 ° C., cracks occurred within 10 cycles.

【0043】上述した各実施例で示したように、本実施
形態の高分子光導波路は、クラックの発生を確実に回避
しているが、これは、従来の高分子光導波路では、熱や
湿気による膨張収縮の小さい基板上に、熱による膨張収
縮の大きい、あるいは吸湿膨張し易い、あるいは成膜時
に大きな体積変化が起こる高分子材料からなる下部クラ
ッド層が直接形成されているため、使用環境下での基板
と高分子材料の膨張収縮の差により繰り返される応力の
発生と消失によって高分子材料の一部に亀裂が生じるの
に対し、本実施形態では、基板と下部クラッド層の間に
設けたゴム弾性を示す高分子材料の層に応力を吸収させ
ることによりクラックの発生を回避しているからであ
る。
As described in each of the above-described embodiments, the polymer optical waveguide of the present embodiment reliably avoids the occurrence of cracks. Because the lower cladding layer made of a polymer material that has a large expansion and contraction due to heat, easily expands due to moisture, or undergoes a large volume change during film formation, is directly formed on a substrate that has a small expansion and contraction due to In the present embodiment, a crack is generated in a part of the polymer material due to repeated generation and disappearance of stress due to a difference in expansion and contraction between the substrate and the polymer material. This is because cracks are avoided by absorbing stress in the layer of the polymer material exhibiting rubber elasticity.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上に下部クラッド層を直接設けている従来の高分子
光導波路と異なり、基板と下部クラッド層との間に応力
緩和層が設けられているので、この応力緩和層により温
度や湿度の変動で発生する応力を吸収し、これにより温
度や湿度の変動を伴う環境下において長期間使用されて
も、クラックが発生することがなく、従って性能劣化が
著しく少ない。このため、本発明の高分子光導波路を光
導波路部品に使用することにより、光通信や光情報処理
の分野で用いられる種々の光導波路部品の信頼性を飛躍
的に向上させることが期待できる。
As described above, according to the present invention,
Unlike a conventional polymer optical waveguide in which a lower cladding layer is directly provided on a substrate, a stress relaxation layer is provided between the substrate and the lower cladding layer. It absorbs the generated stress, and thus does not crack even when used for a long period of time in an environment where the temperature and humidity fluctuate, so that the performance degradation is extremely small. For this reason, by using the polymer optical waveguide of the present invention for an optical waveguide component, it is expected that the reliability of various optical waveguide components used in the fields of optical communication and optical information processing will be dramatically improved.

【0045】また、本発明によれば、応力緩和層はゴム
弾性を示す高分子材料で構成されるので、高分子材料の
ゴム弾性で温度や湿度の変動で発生する応力を吸収し、
これによりクラックの発生を回避することができ、信頼
性の高い高分子光導波路を作製することができる。
Further, according to the present invention, since the stress relieving layer is made of a polymer material having rubber elasticity, the stress generated by fluctuations in temperature and humidity is absorbed by the rubber elasticity of the polymer material.
Thereby, generation of cracks can be avoided, and a highly reliable polymer optical waveguide can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る高分子光導波路の構
造を模式的に示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a polymer optical waveguide according to one embodiment of the present invention.

【図2】従来の高分子光導波路の構造を模式的に示す断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a conventional polymer optical waveguide.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基板 12 応力緩和層 13 下部クラッド層 14 コア部 15 上部クラッド層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Substrate 12 Stress relaxation layer 13 Lower cladding layer 14 Core part 15 Upper cladding layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 誠治 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 渡辺 俊夫 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 都丸 暁 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 加藤 雄二郎 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 丸野 透 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA04 QA05  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Seiji Toyoda 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Within Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Toshio Watanabe 2--3, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No. 1 Within Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Akira Tomaru 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Yujiro Kato Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Chome 3-1, Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Toru Maruno 2-3-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo F-Term within Nippon Telegraph and Telephone Corporation 2H047 KA04 QA05

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に下部クラッド層、コア部および
上部クラッド層を設けて構成される高分子光導波路であ
って、前記基板と下部クラッド層との間に応力緩和層を
設けたことを特徴とする高分子光導波路。
1. A polymer optical waveguide comprising a substrate and a lower cladding layer, a core portion and an upper cladding layer, wherein a stress relaxation layer is provided between the substrate and the lower cladding layer. Characteristic polymer optical waveguide.
【請求項2】 前記応力緩和層は、ゴム弾性を示す高分
子材料で構成されることを特徴とする請求項1記載の高
分子光導波路。
2. The polymer optical waveguide according to claim 1, wherein the stress relaxation layer is made of a polymer material having rubber elasticity.
【請求項3】 前記下部クラッド層、コア部および上部
クラッド層は、それぞれポリイミド、シリコンまたはエ
ポキシ樹脂で構成されることを特徴とする請求項1記載
の高分子光導波路。
3. The polymer optical waveguide according to claim 1, wherein the lower cladding layer, the core portion, and the upper cladding layer are made of polyimide, silicon, or epoxy resin, respectively.
JP2000078777A 2000-03-21 2000-03-21 Polymer optical waveguide Pending JP2001264562A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000078777A JP2001264562A (en) 2000-03-21 2000-03-21 Polymer optical waveguide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000078777A JP2001264562A (en) 2000-03-21 2000-03-21 Polymer optical waveguide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001264562A true JP2001264562A (en) 2001-09-26

Family

ID=18596141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000078777A Pending JP2001264562A (en) 2000-03-21 2000-03-21 Polymer optical waveguide

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001264562A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004184999A (en) * 2002-12-02 2004-07-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom
JP2004295118A (en) * 2003-03-12 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd Optical waveguide
JP2008166798A (en) * 2006-12-31 2008-07-17 Rohm & Haas Electronic Materials Llc Method for forming printed circuit board having optical functions
US7561774B2 (en) 2003-03-12 2009-07-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical waveguide
JP2009186979A (en) * 2008-01-07 2009-08-20 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing optical waveguide composite substrate

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004184999A (en) * 2002-12-02 2004-07-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom
JP2004295118A (en) * 2003-03-12 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd Optical waveguide
US7561774B2 (en) 2003-03-12 2009-07-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical waveguide
JP2008166798A (en) * 2006-12-31 2008-07-17 Rohm & Haas Electronic Materials Llc Method for forming printed circuit board having optical functions
JP2009186979A (en) * 2008-01-07 2009-08-20 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing optical waveguide composite substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0961139B1 (en) Polymer optical waveguide, optica integrated circuit , optical module and optical communication apparatus
US20140154626A1 (en) Epoxy-functional radiation-curable composition containing an epoxy-functional siloxane oligomer for enhanced film retention and adhesion during solvent development
JP2000180643A (en) Photosensitive composition for optical waveguide, manufacturing of the same, and formation of high polymer optical waveguide pattern
US8541050B2 (en) Method for manufacturing optical waveguide
JPH11211902A (en) Flat plane type microlens array
JP2001264562A (en) Polymer optical waveguide
JP2017044964A (en) Photosensitive resin composition, cured product and production method of patterned cured film using the composition, and semiconductor element and electronic device
JP2008203694A (en) Method of manufacturing film-like optical waveguide
JP4799764B2 (en) Photosensitive polyimide precursor composition for optical waveguide, photosensitive polyimide composition for optical waveguide, and optical waveguide using the same
JP3327356B2 (en) Fluorinated polyimide optical waveguide and method for manufacturing the same
KR20110030286A (en) Photosensitive-polyimide, adhesive composition and adhesive film containing the same
US6654535B2 (en) Polyimide optical waveguide
JPH06172533A (en) Polymer for forming optical waveguide and production of polysiloxane-based optical waveguide
KR101075481B1 (en) Fabrication method of flexible board
JP2002341169A (en) Method for manufacturing plastic optical waveguide
JPH0756030A (en) Plastic optical waveguide
JP2007033776A (en) Manufacturing method of stacked type optical waveguide
JPH09124793A (en) Polymeric optical material, production thereof, and polymeric optical waveguide
JP2003172836A (en) Optical waveguide element with optical path alternation function
Tsushima et al. Novel manufacturing process of waveguide using selective photobleaching of polysilane films by UV light irradiation
JPH04235505A (en) Manufacture of polyimide opticalwaveguide
KR101121021B1 (en) Fabrication method of flexible board
JP2002258085A (en) Planar optical waveguide, method of manufacturing the same, and polymer optical waveguide
JP3921900B2 (en) Manufacturing method of polymer optical waveguide
JP2930783B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof